JP3928055B2

JP3928055B2 - 負透磁率または負誘電率メタマテリアルおよび表面波導波路

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Publication number: JP3928055B2
Application number: JP2005057763A
Authority: JP
Inventors: 篤志真田
Original assignee: Yamaguchi University NUC
Current assignee: Yamaguchi University NUC
Priority date: 2005-03-02
Filing date: 2005-03-02
Publication date: 2007-06-13
Anticipated expiration: 2025-03-02
Also published as: US7864114B2; JP2006245926A; US20090033586A1; WO2006093302A1

Description

本発明はメタマテリアルでなる正負誘電率媒質あるいは正負透磁率媒質と、それらを用いた表面波を伝播する導波路に関する。

金属、誘電体、磁性体、超伝導体などの小片を、波長に対して十分短い間隔（波長の２０分の１程度以下）で並べることで自然にはない性質を待った媒質を人工的に構成することができる。この媒質を自然にある媒質を超えると言う意味でメタマテリアル（ｍｅｔａｍａｔｅｒｉａｌｓ）と呼んでいる。メタマテリアルの性質は、単位粒子の形状、材質およびそれらの配置により様々に変化するが、中でも、等価的な誘電率εと透磁率μとが同時に負となるメタマテリアルは、その電界と磁界と波数ベクトルが左手系をなすことから「左手系媒質」（Ｌｅｆｔ−ＨａｎｄｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ）と名づけられた。これに対して、等価的な誘電率εと透磁率μとが同時に正となる通常の媒質は「右手系媒質（Ｌｅｆｔ−ＨａｎｄｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ」と呼ばれる。これら誘電率ε、透磁率μと媒質との関係領域は、図１に示すように、誘電率εの正負及び透磁率μの正負に応じた第１象限〜第４象限の媒質に分類できる。

特に、「左手系媒質」は、バックワード波と呼ばれる、波の群速度（エネルギーの伝播する速度）と位相速度（位相の進む速度）の符号が逆転している波の存在や、また、非伝播領域で指数関数的に減衰する波であるエバネセント波の増幅、等の特異な性質を持つものである。

メタマテリアルではない媒質（自然連続媒質）であるが、誘電率εの符号が負の媒質（負誘電率媒質）と、誘電率εの符号が正の媒質（正誘電率媒質）との境界面においては表面波が伝播することが知られている。例えば、光の領域における金属の誘電率は負となり、これと誘電率が正である空気や誘電体との境界面では表面プラズモンと呼ばれる表面波が存在することは知られている（例えば、非特許文献１参照。）。

これと対称的に、透磁率μの符号が負の媒質（負透磁率媒質）と透磁率μの符号が正の媒質（正透磁率媒質）との境界面においても表面波は存在する。例えば、磁化されたフェライトの等価透磁率は高周波域において負となり、これと透磁率が正なる空気や誘電体との境界において表面波は伝播することも知られている（例えば、非特許文献２参照。）。

このように、誘電率εまたは透磁率μのどちらか一方が負である媒質と、誘電率εおよび透磁率μが共に正である媒質との境界には表面波が伝播する。特に、透磁率μが負である媒質と、透磁率μが正である媒質との境界に表面波が伝播する状態を図２に示している。
Ｈ．Ｒａｅｔｈｅｒ，"Ｓｕｒｆａｃｅｐｌａｓｍｏｎｓｏｎｓｍｏｏｔｈａｎｄｒｏｕｇｈｓｕｒｆａｃｅｓａｎｄｏｎｇｒａｔｉｎｇｓ，"Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｎｇ，１９８８．Ｂ．ＬａｘａｎｄＫＪＢｕｔｔｏｎ，"ＭｉｃｒｏｗａｖｅＦｅｒｒｉｔｅａｎｄＦｅｒｒｉｍａｇｎｅｔｉｃｓ，"ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，１９６２．

光の領域における金属の負誘電率特性や、磁化されたフェライトの負透磁率特性は、自然に存在する材料そのものの持つ性質であり、誘電率εや透磁率μの値を自由に設計することはできない。従って、その値で決まる表面波伝播周波数帯域を自由に決定あるいは設計することはできない。例えば、金属の負誘プラズモンよる表面プラズモンは光の領域の現象であり、また、フェライトの表面波静磁波の伝送帯域は、印加する直流磁界の方向や大きさによって決定されるが、現実的な数Ｔ（テスラ）の直流磁界を加えてもマイクロ波領域が上限となる。また、これらの表面プラズモンや表面静磁波を励振する方法も容易ではなかった。そこで、本発明は、金属、誘電体、磁性体、超伝導体、半導体等を、使用する波長に比べて短い間隔で並べることで実効的に必要な性質を持つ媒質を構成するというメタマテリアルの概念を用いて、正負誘電体媒質あるいは正負透磁率媒質を構成し、その表面波を伝送する導波路を構成することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の請求項１に係る負透磁率メタマテリアルは、誘電体基板と、前記誘電体基板の裏面全面に形成された接地導体と、前記誘電体基板の表面に周期的に配列され、方形形状に形成された複数の導体パターンとを有し、前記導体パターンは、他の導体パターンおよび接地導体とは直流的に絶縁されて設けられたものであり、伝播する電磁波に対して負の透磁率を示すものである。

これにより、メタマテリアルでなる負透磁率媒質であるので、透磁率μの値を自由に設計することはできるので、導波路に適用した場合、その値で決まる表面波伝播周波数帯域を自由に決定あるいは設計することができる。

本発明の請求項２に係る負透磁率メタマテリアルでは、上記の負透磁率メタマテリアルにおいて、前記導体パターンの縦横の長さを異なるものとして、透磁率に関する異方性を具備させることができる。

これにより、単位セルを設計することで異方性のコントロールも可能となる。異方性のコントロールにより、異なる方向に対して異なる透磁率持たせることが可能となり、この媒質を使ったより自由度の高いデバイス設計が可能となる。

本発明の請求項３に係る負透磁率メタマテリアルは、誘電体基板と、前記誘電体基板の裏面全面に形成された接地導体と、前記誘電体基板の表面に周期的に配列され、六角形形状に形成された複数の導体パターンとを有し、前記導体パターンは、他の導体パターンおよび接地導体とは直流的に絶縁されて設けられたものであり、伝播する電磁波に対して負の透磁率を示すものである。

これにより、異方性の小さいメタマテリアルでなる負透磁率媒質を得ることができ、透磁率μの値を自由に設計することはできるので、導波路に適用した場合、その値で決まる表面波伝播周波数帯域を自由に決定あるいは設計することができる。

本発明の請求項４に係る負誘電率メタマテリアルは、誘電体基板と、前記誘電体基板の裏面全面に形成された接地導体と、前記誘電体基板の表面上の第１の方向に形成され周期的に配列された第１の導体ストリップと、前記誘電体基板の表面上の前記第１の方向と交差する第２の方向に形成され周期的に配列された第２の導体ストリップと、前記第１の導体ストリップおよび前記第２の導体ストリップの交差位置のそれぞれに対応して配置され、前記第１の導体ストリップおよび前記第２の導体ストリップの少なくとも一方と前記接地導体とを接続する導体ビアとを有し、伝播する電磁波に対して負の誘電率を示すものである。

これにより、メタマテリアルでなる負誘電率媒質であるので、誘電率εの値を自由に設計することはできるので、導波路に適用した場合、その値で決まる表面波伝播周波数帯域を自由に決定あるいは設計することができる。

本発明の請求項５に係る負誘電率メタマテリアルは、誘電体基板と、前記誘電体基板の裏面全面に形成された接地導体と、前記誘電体基板の表面上の第１の方向に形成され周期的に配列された第１の導体ストリップと、前記誘電体基板の表面上の前記第１の方向と交差する第２の方向に形成され周期的に配列された第２の導体ストリップと、前記誘電体基板の表面上の第３の方向に形成され、前記第１の導体ストリップと前記第２の導体ストリップとの交差位置において前記第１の導体ストリップおよび前記第２の導体ストリップに交差するように形成され、周期的に配列された第３の導体ストリップと、前記第１〜３の導体ストリップの交差位置のそれぞれに対応して配置され、前記第１〜３の導体ストリップの少なくともいずれか１つと前記接地導体とを接続する導体ビアとを有し、伝播する電磁波に対して負の誘電率を示すものである。

これにより、正方形のものに比して異方性の小さいメタマテリアルでなる負誘電率媒質を得ることができ、誘電率εの値を自由に設計することはできるので、導波路に適用した場合、その値で決まる表面波伝播周波数帯域を自由に決定あるいは設計することができる。

本発明の請求項６に係る負誘電率メタマテリアルでは、上記の負誘電率メタマテリアルにおいて、前記導体ストリップの方向の対称性を崩すことにより、誘電率に関する異方性を具備させることができる。また、この発明の請求項７に係る負誘電率メタマテリアルでは、上記の負誘電率メタマテリアルにおいて、前記導体ビアの位置を変更することにより、誘電率に関する異方性を具備させることができる。

これにより、単位セルを設計することで異方性のコントロールも可能となる。異方性のコントロールにより、異なる方向に対して異なる誘電率持たせることが可能となり、この媒質を使ったより自由度の高いデバイス設計が可能となる。

また、本発明の表面波導波路における、正透磁率および正誘電率をもつ媒質は、誘電体基板の表面に金属ストリップを四方に接続した二次元構造とし、誘電体基板の裏面には全面にわたって接地導体が配置される単位セルを構成し、該単位セルの複数個を集合体として構成した。

これにより、メタマテリアルでなる正透磁率媒質あるいは正誘電率媒質であるので、透磁率μ、誘電率εの値を自由に設計することができるので、導波路に適用した場合、その値で決まる表面波伝播周波数帯域を自由に決定あるいは設計することができる。

本発明の請求項８に係る表面波導波路は、上記の負透磁率メタマテリアルと、正の透磁率を有する正透磁率媒質とを隣接させ、前記負透磁率メタマテリアルと前記正透磁率媒質との境界に表面波を伝播可能としたものである。

本発明の請求項９に係る表面波導波路は、上記の負誘電率メタマテリアルと、正の誘電率を有する正誘電率媒質とを隣接させ、前記負誘電率メタマテリアルと前記正誘電率媒質との境界に表面波を伝播可能としたものである。

これにより、導波路中の波長はこれらの媒質の等価的な誘電率および透磁率によって決まるが、これらの値を設計することで導波路中の波長を真空中の波長に比べて小さくすることができる。この波長短縮効果を利用して、小型共振器や小型遅延線を作製することが可能である。また、単位セルを設計することで異方性のコントロールも可能となる。異方性のコントロールにより、この媒質を使ったより自由度の高いデバイス設計が可能となる。

以上のように、本発明により、理論的に直流に近い低周波からＴＨｚ以上の様々な周波数においても動作する表面波を伝送する導波路を作ることができる。この導波路中の波長はこれらの媒質の等価的な誘電率および透磁率によって決まるが、これらの値を設計することで導波路中の波長を真空中の波長に比べて小さくすることができる。この波長短縮効果を利用して、小型共振器や小型遅延線を作製することが可能である。また、単位セルを設計することで異方性のコントロールも可能となる。異方性のコントロールにより、この媒質を使ったより自由度の高いデバイス設計が可能となる。

一方、光領域の表面プラズモンの励振は、誘電体プリズムやグレーティングを用いて波数の大きな励振波を作り出さなければならない。また、表面静磁波の励振にもトランスデューサ等のマイクロ波帯の電磁波から静磁波への変換デバイスが必要であるが、本発明の媒質の表面波モードは、平面回路との親和性がよく、マイクロストリップ線路等の通常の平面回路から簡単に励振できる。

本発明の基本構成は、図３の２次元伝送線路モデルに示すように、負透磁率媒質を対象例とするもので、負透磁率媒質（μ−負媒質）と正透磁率媒質（μ−正媒質）との組合せの境界に表面波が伝播するものである。各媒質の単位セルの等価回路は右方に示し、この等価回路の回路要素は表のような回路構成となる。以下に、負透磁率媒質、負誘電率媒質のそれぞれについて実施形態を説明する。

図４は本発明の第１の実施例であり、透磁率媒質（メタマテリアル）を対象とし、負の透磁率をもつ媒質（μ−負媒質）でなる周期構造負透磁率媒質１の概略図である。

図５（Ａ）は図４の負透磁率媒質１を構成する単位セル２である。これは、誘電体基板３の表面に方形の金属パッチ４を周囲に誘電体を残して形成し、基板３の裏面には全面に接地導体５を持つ構造となっている。ここで、金属パッチとは、図示のように薄板小片状の金属パターンである。

図５（Ｂ）はこの単位セル２の等価回路である。この単位セル２は、隣り合う金属パッチ４に対して直列の容量Ｃを持ち、同時に誘電体基板３の裏面にある接地面に対して並列の容量Ｃを有する。厳密には直列には寄生インダクタンスＬも考慮しなければならないが、通常これは小さく無視できる。直列のインダクタンスＬが無視できる範囲でこの様な直列容量Ｃと並列容量Ｃとを持つ媒質は、等価的に負の透磁率を持つ媒質となることが証明されている。

図６は、これに対し正の透磁率および正の誘電率を合わせもつ媒質（μ−正媒質、ε−正媒質）の単位セル６の構成を示す。これは既存のマイクロストリップ線路であり、誘電体基板３の表面に金属ストリップ７を四方に接続した二次元構造とする。図５と同様、基板３の裏面には全面にわたって接地導体５が配置される。これら単位セル６の複数個を集合体として構成することにより、図示していないが、正透磁率媒質あるいは正誘電率媒質を得ることができる。

図７は、上記図４の負透磁率媒質１と、図６の単位セル６からなる正透磁率媒質７とを左右に隣接して組合せた媒質の境界を表す概念図である。簡単のため、負透磁率媒質１および正透磁率媒質７の周期は等しいとすれば、この境界自体も周期構造となる。

図８は、図７の１周期分の周期構造の境界に対して有限要素法に基づく三次元電磁界シミュレーションを行って求めた、この境界を伝播する表面波の分散関係の計算結果である。横軸は、この表面波の波数βをπ/ａで規格化した値（ａは単位セルの１辺の長さ、πは円周率）であり、縦軸は伝播表面波の周波数である。この構造の場合、周波数が３．２ＧＨｚに近づくに従って、βａ/πが１に近くなる分散特性をもった伝播波が存在することがわかる。

図９は、図７の周期構造の８周期分の境界に対して、両端に金属壁を置き短絡して構成した両端短絡型表面波モード共振器の基板表面上の電界分布の三次元有限要素法電磁界シミュレーション結果である。図にはモード番号について、ｎ＝１，２，および３の各共振モードに対する電磁界分布を示している。いずれの場合も、電界が境界に集中する表面波が存在することがわかる。また、この様にして求めたｎ＝１〜７までの共振モードに対する波数と周波数の関係を図８のグラフ上にプロットすると図中の点の様になる。各共振に対応する点が表面波モードの分散関係と一致することから、確かにこれが表面波モードの共振であることが確認できる。

表面パッチは正方形である必要はなく、直列の容量が付きさえすればどの様な形状であっても構わない。パッチ形状の対称性が崩れれば崩れるほど異方性が強くなる。例えば、長方形パッチの場合、縦と横の辺の長さの比が大きくなればなるほど、縦方向の波の透磁率と横方向の透磁率とがより大きく異なることになる。また、単位セル自体も同様に正方形である必要はない。単位セル形状の対称性が崩れれば崩れるほど異方性が強くなる。このようにして異方性をコントロールすることもできる。

次に他の実施例につき説明する。図１０は本発明の第２の実施例の負透磁率媒質概略図を示している。図１０（Ａ）は六角形形状の負透磁率媒質の単位セル２の構造例である。これは、六角形形状の誘電体基板５の表面に六角形形状の金属パッチ４を周囲に誘電体を残して形成し、基板３の裏面には全面に接地導体５を持つ構造となっている。図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）の六角形形状の単位セル２を集合して構成された負透磁率媒質１である。このような構成とすることにより、単位セル２と負透磁率媒質１のそれぞれの異方性を小さくすることができる。

こうして得られた図１０（Ａ）の負透磁率媒質１と、形状は六角形形状であるが、図６と同じ構成の単位セル６からなる正透磁率媒質７とを、図７のように左右に隣接して組合せた媒質により、該両媒質の境界に表面波を伝播する導波路を得ることができる。

上記実施例では負透磁率媒質の構成と負透磁率媒質と正透磁率媒質との組合せについて説明したが、同様にして、負誘電率媒質と正誘電率媒質との組合せ構成とすることによっても、両媒質により、該両媒質の境界に表面波を伝播する導波路を得ることができる。そこで、次に負誘電率媒質と正誘電率媒質との組合せによる実施例につき説明する。

図１１は本発明の第３の実施例で、負誘電率媒質１１の概略図を示し、負誘電率媒質１１は複数の単位セル１２の集合により構成される。図１２（Ａ）は、図１１の負誘電率媒質１１を構成する方形の単位セル１２である。誘電体基板１３の表面に金属ストリップ１６を形成し、誘電体基板１３の裏面には全面に接地導体５を持つ構造とする。この金属ストリップ１６と、それを真ん中あるいは真ん中以外から基板裏側の接地導体１５に結ぶ金属のビア（スルーホール）１４で構成される。負誘電率媒質を構成する際、基板表面の金属ストリップ１６は隣接するセル間の金属ストリップと接続される。

図１２（Ｂ）はこの単位セル１２の等価回路である。表面の金属ストリップ１６は直列のインダクタンスＬを持ち、同時にビア１４により接地導体１５に対して並列のインダクタンスＬを持っている。更に並列には接地導体１５に対して寄生のキャパシタンスＣが存在するが、通常これは小さく無視してよい。並列キャパシタンスＣが小さい範囲でこの様な直列インダクタンスＬと並列インダクタンスＬとを持つ媒質は、等価的に負の誘電率を持つ媒質となることが証明できることも知られている。

この構成においても、金属ストリップ１６の形状の対称性、単位セル１２の対称性、ビア１４の位置を変化させることで異方性をコントロールすることができる。即ち、異なる方向に対して異なる誘電率を持たせることが可能である。

こうして得られた図１１の負誘電率媒質１１と、図６と同じ構成の単位セル６からなる正誘電率媒質７とを、図７のように左右に隣接して組合せた媒質により、該両媒質の境界に表面波を伝播する導波路を得ることができる。

次に負誘電率媒質についての他の実施例につき説明する。図１３は本発明の第４の実施例である負誘電率媒質１１の概略図を示している。図１３（Ａ）は、六角形形状の負誘電率媒質の単位セル１２の構造の例である。

これは、六角形形状の誘電体基板１３の表面に、六角形の辺の中間を結ぶ六角形形状の金属ストリップ１６を形成し、基板１３の裏面には全面に接地導体５を持つ構造となっている。誘電体基板１３の表面の金属ストリップ１６と、それを真ん中あるいは真ん中以外から基板裏側の接地導体１５に結ぶ金属のビア（スルーホール）１４で構成される。負誘電率媒質を構成する際、基板表面の金属ストリップ１６は隣接するセル間の金属ストリップと接続される。

図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の六角形形状の単位セル１２を集合して構成された負誘電率媒質１１である。このような構成とすることにより、単位セル１２と負誘電率媒質１１のそれぞれの異方性を正方形のものに比べて小さくすることができる。

こうして得られた図１３の負誘電率媒質１１と、形状は六角形形状であるが、図６と同じ構成の単位セル６からなる正誘電率媒質７とを、図７のように左右に隣接して組合せた媒質により、該両媒質の境界に表面波を伝播する導波路を得ることができる。

本発明はメタマテリアルでなる負誘電率媒体あるいは負透磁率媒体の特性を必要とする回路要素として広く利用できると共に、それらを用いた表面波を伝播する導波路を形成でき、超小型通信用の共振器、フィルタ、発振器等のデバイスの構成要素として広く適用できる。

誘電率ε、透磁率μと媒質との関係領域図である。表面波の伝播状態図である。２次元伝送線路モデル図である。本発明の周期構造負透磁率媒質の概略図である。本発明の負透磁率媒質を構成する単位セルと等価回路である。正の誘電率と透磁率を持つ媒質の単位セルである。本発明の負透磁率媒質と正透磁率媒質の境界を表す概念図である。本発明の媒質の表面波モードの分散関係図である。両端短絡表面波モード共振器の基板表面上の電界強度分布図である。六角形形状負透磁率媒質単位セルとその媒質構成図である。負誘電率媒質の概略図である。負誘電率媒質単位セルとその等価回路である。六角形形状負透磁率媒質単位セルとそれによる負透磁率媒質構成図である。

符号の説明

１負透磁率媒質
２負透磁率媒質の単位セル
３，１３誘電体基板
４金属方形パッチ
５，１５接地導体（裏面）
６正透磁率および正誘電率の媒質の単位セル
７，１６金属ストリップ
１１負誘電率媒質
１２負誘電率媒質の単位セル
１４金属のビア（スルーホール）

Claims

誘電体基板（３）と、
前記誘電体基板（３）の裏面全面に形成された接地導体（５）と、
前記誘電体基板（３）の表面に周期的に配列され、方形形状に形成された複数の導体パターン（４）とを有し、
前記導体パターン（４）は、他の導体パターン（４）および接地導体（５）とは直流的に絶縁されて設けられたものであり、
伝播する電磁波に対して負の透磁率を示す負透磁率メタマテリアル。
請求項１に記載した負透磁率メタマテリアルであって、
前記導体パターン（４）の縦横の長さを異なるものとして、透磁率に関する異方性を具備させるようにした負透磁率メタマテリアル。
誘電体基板（３）と、
前記誘電体基板（３）の裏面全面に形成された接地導体（５）と、
前記誘電体基板（３）の表面に周期的に配列され、六角形形状に形成された複数の導体パターン（４）とを有し、
前記導体パターン（４）は、他の導体パターン（４）および接地導体（５）とは直流的に絶縁されて設けられたものであり、
伝播する電磁波に対して負の透磁率を示す負透磁率メタマテリアル。
誘電体基板（１３）と、
前記誘電体基板（１３）の裏面全面に形成された接地導体（１５）と、
前記誘電体基板（３）の表面上の第１の方向に形成され周期的に配列された第１の導体ストリップ（１６）と、
前記誘電体基板（３）の表面上の前記第１の方向と交差する第２の方向に形成され周期的に配列された第２の導体ストリップ（１６）と、
前記第１の導体ストリップ（１６）および前記第２の導体ストリップ（１６）の交差位置のそれぞれに対応して配置され、前記第１の導体ストリップ（１６）および前記第２の導体ストリップ（１６）の少なくとも一方と前記接地導体（１５）とを接続する導体ビア（１４）とを有し、
伝播する電磁波に対して負の誘電率を示す負誘電率メタマテリアル。
誘電体基板（１３）と、
前記誘電体基板（１３）の裏面全面に形成された接地導体（１５）と、
前記誘電体基板（３）の表面上の第１の方向に形成され周期的に配列された第１の導体ストリップ（１６）と、
前記誘電体基板（３）の表面上の前記第１の方向と交差する第２の方向に形成され周期的に配列された第２の導体ストリップ（１６）と、
前記誘電体基板（３）の表面上の第３の方向に形成され、前記第１の導体ストリップ（１６）と前記第２の導体ストリップ（１６）との交差位置において前記第１の導体ストリップ（１６）および前記第２の導体ストリップ（１６）に交差するように形成され、周期的に配列された第３の導体ストリップ（１６）と、
前記第１〜３の導体ストリップ（１６）の交差位置のそれぞれに対応して配置され、前記第１〜３の導体ストリップ（１６）の少なくともいずれか１つと前記接地導体（１５）とを接続する導体ビア（１４）とを有し、
伝播する電磁波に対して負の誘電率を示す負誘電率メタマテリアル。
請求項４，５のいずれか１項に記載した負誘電率メタマテリアルであって、
前記導体ストリップ（１６）の方向の対称性を崩すことにより、誘電率に関する異方性を具備させるようにした負誘電率メタマテリアル。
請求項４，５のいずれか１項に記載した負誘電率メタマテリアルであって、
前記導体ビア（１４）の位置を変更することにより、誘電率に関する異方性を具備させるようにした負誘電率メタマテリアル。
請求項１〜３のいずれか１項に記載した負透磁率メタマテリアルと、正の透磁率を有する正透磁率媒質とを隣接させ、
前記負透磁率メタマテリアルと前記正透磁率媒質との境界に表面波を伝播可能とした表面波導波路。
請求項４〜７のいずれか１項に記載した負誘電率メタマテリアルと、正の誘電率を有する正誘電率媒質とを隣接させ、
前記負誘電率メタマテリアルと前記正誘電率媒質との境界に表面波を伝播可能とした表面波導波路。