JP3948411B2 - Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 41
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 32
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 27
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 24
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052661 anorthite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 2
- GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N dialuminum;calcium;disilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012935 ammoniumperoxodisulfate Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 propylene alcohol Chemical compound 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層セラミック基板およびその製造方法に関するもので、特に、めっき工程における表面電極およびビアホール内へのめっき液の浸入を防止するための改善に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、高周波化および高密度化が進むICやLSI等の半導体素子を搭載する多層セラミック基板に対して、電気的特性を損なわないよう品質を安定させる要求が高まっている。
【0003】
多層セラミック基板は、例えば特許文献1に記載されているように、一般に、次のようにして製造されている。
【0004】
まず、低温焼結セラミック原料粉末と有機バインダと有機溶剤とを混合して得られたスラリーを、ドクターブレード法等のシート成形法によってシート状に成形し、セラミックグリーンシートを作製する。次に、セラミックグリーンシートに、ビアホール導体形成のための貫通孔を打ち抜き加工し、この貫通孔に銅や銀等の金属を含む導電性ペーストを充填し、また、セラミックグリーンシート上に、同様の導電性ペーストを用いてスクリーン印刷法等によって電極を形成する。次に、複数のセラミックグリーンシートを積層し、かつ積層方向にプレスして得られた生の積層体に対して、脱バインダのための加熱工程を実施し、次いで、焼成工程を実施する。最終的にはICやLSI等の半導体素子等を搭載するためのハンダづけを可能にするために、焼成した積層体の外表面に形成された表面電極をめっき膜で覆う、めっき工程を実施する。
【0005】
【特許文献1】
特開平05−167254号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述のような多層セラミック基板の製造方法によれば、電極やビアホール導体のような配線導体は、導電性ペーストの焼結体から構成される。すなわち、導電性ペーストは、金属粉末だけでなく、樹脂、溶剤およびその他の添加物を含むものであり、乾燥工程において、溶剤が揮発し、また、焼成工程において、樹脂および添加物が熱分解または昇華し、金属粉末と添加物の一部とが焼結することによって配線導体が形成されるため、配線導体の内部には空隙や粒界が存在することが避けられない。その結果、焼成工程の後に実施されるめっき工程において、この空隙や粒界に対しめっき液や水などの洗浄液が侵入し、製品として完成後も残留してしまうため、使用中に導通不良となったり、層間のショートが起こるなどの不具合が生じる。
【0007】
そこで、この発明の目的は、上述のような問題を解決し得る、多層セラミック基板の製造方法およびこの製造方法によって得られた多層セラミック基板を提供しようとすることである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、積層された複数のセラミック層をもって構成される積層体と、セラミック基板の外表面に導電性ペーストによって形成される表面電極とを有する多層セラミック基板にまず向けられるものであって、前述の技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【0009】
すなわち、本発明に係る多層セラミック基板においては、前記セラミック層にビアホール導体が形成された上で、前記ビアホール導体の端部が前記表面電極によって覆われ、前記表面電極の内、前記ビアホール導体の端部に対応した部分の少なくとも一部が金属箔で覆われ、前記表面電極と前記金属箔がめっき膜で覆われていることを特徴としている。
【0011】
前述の金属箔は、好ましくは、前記表面電極の全てを覆うとされる。
【0012】
前述の金属箔は、好ましくは、銅とされる。
【0013】
本発明に係る多層セラミック基板の製造方法においては、前述の技術的課題を解決するため、次のような工程が実施されることを特徴としている。
【0014】
まずセラミックグリーンシートを準備する、セラミックグリーンシート準備工程が実施される。
【0015】
次に、前記セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを用いて電極を形成する、電極形成工程が実施される。
【0016】
次に、所定のセラミックグリーンシート上に形成された表面電極の少なくとも一部を金属箔で覆う、金属箔形成工程が実施される。
【0017】
次に、前記所定のセラミックグリーンシートを外層として複数の前記セラミックシートを積層して積層体を得る、積層工程が実施される。
【0018】
次に、前記積層体を焼成する、焼成工程が実施される。
【0019】
次に、焼成された積層体の外表面に形成されている前記表面電極と前記金属箔をめっき膜で覆う、めっき工程が実施される。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の多層セラミック基板11を示している。多層セラミック基板11は、積層された複数のセラミック層12をもって構成される積層体13と、セラミック層12上に形成される電極18と、セラミック層12の外層に形成される表面電極14を備えており、表面電極14を覆うように金属箔15が形成され、さらに表面電極14と金属箔15を覆うようにめっき膜16が形成される。
【0021】
なお、図示した多層セラミック基板11は、図面の煩雑化を避けるため、簡略化して図示している。実際の多層セラミック基板には、より多数のセラミック層が積層されたものや、多数の電極や、多数のビアホールを形成しているものなどがある。
【0022】
図2は、図1に示す多層セラミック基板11の製造方法を示す。
【0023】
まず、図2(a)に示すように、セラミックグリーンシート21が準備される。セラミックグリーンシート21は、後述する焼成工程において、銅などの金属箔15との同時焼成を可能とするため、低温焼結セラミック材料を含むものであることが好ましい。
【0024】
セラミックグリーンシート21は、たとえば、酸化バリウム、酸化ケイ素、アルミナ、酸化カルシウムおよび酸化ホウ素の各粉末を混合したものに、ポリビニルブチラールからなるバインダとジ−n−ブチルフタレートからなる可塑剤とトルエンおよびイソプロピレンアルコールからなる溶剤とを混合して得られたペースト(スラリー)を、ドクターブレード法等によりシート状に成形し、これを乾燥させることによって得ることができる。
【0025】
セラミックグリーンシート21に含まれる低温焼結セラミック材料としては、焼成時にガラスが生成するもののほか、予め、ガラスや酸化銅や酸化マグネシウム等の焼結助剤を含有させておくことによって、より低温で焼結し得る組成としたものであってもよい。また、セラミックグリーンシート21に含まれるバインダ、可塑剤および溶剤についても、上記の例以外のものを用いてもよい。
【0026】
さらに、セラミックグリーンシート21の上に低温焼結セラミックと組成が異なる無機物、例えばアルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミック、ジルコニア、アノーサイト、フォルステライト、コージライトを主成分に軟化点780℃:粒径1.5μmのホウ珪酸ガラス粉末を15〜60vol%になるように添加、混合したペースト(スラリー)を塗布しても構わない。無機物に添加するガラスは焼成温度以下で粘度が106.7Pa・s−1以下に低下し、前記無機物粉末の隙間をうめ緻密化するものであればよく、高軟化点の非晶質ガラスや緻密化した後、粘度上昇する結晶化ガラス、焼成終了間際に液相が生成する酸化物混合物でもよい。さらにはセラミックグリーンシート21が収縮している温度域である850〜950℃で、無機物層の焼結助材として働いたり、また、該無機物層から流れだしたりするまで粘度が低下し過ぎないものであればよい。
【0027】
また、無機物を低温焼結セラミックグリーンシート上に形成するとしたが、無機物をシート状にしてから低温焼結セラミックグリーンシートを形成しても構わない。
【0028】
次に、図2(b)に示すように、セラミックグリーンシート21に、スクリーン印刷法等により電極18を形成する。また、後述する積層工程において積層体の外層となるべき所定のセラミックグリーンシート22についても、同様に表面電極14を形成する。この際導電性ペーストとしてAg、Au、Cu、Ni、Ag/Pd、Ag/Pt等の金属を主成分とする導電粉末に対し有機ビヒクルを所定量加え、ライカイ機、3本ロールで攪拌、混練したペーストを用いる。導電粉末の中心粒径、粒子形状は特に限定されないが、中心粒径0.1〜10μmで粗大粉や極端な凝集粉が無いものが望ましい。また、有機ビヒクルはバインダ樹脂と溶剤を混合したもので、特に限定されないがバインダ樹脂としてエチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂等が使われる、また、溶剤としてはテレピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテイト、アルコール類等が使われる。また、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、活性剤を添加してもよい。さらに、セラミックとの収縮マッチングを計るためガラスフリットやCu2O等の金属酸化物やセラミック粉末や樹脂粉末を0〜70%添加してもよい。また、ペースト粘度は印刷性を考慮し50〜700Pa・s−1であればよい。
【0029】
次に、後述する積層工程において積層体の外層となるべき所定のセラミックグリーンシート22について、表面電極14を覆うように金属箔を形成する。例えば、基材フィルム上に導電率1.0×105Ω−1・cm−1以上の銅箔、感光性フィルムを順に貼り付け、これに所定の回路パターンの形成されたガラス原板でマスクし、露光現像の後、ペルオキソ2硫酸アンモニウムや塩化第2鉄等でエッチングし、続けてレジスト剥離を行い金属箔15を形成する。この金属箔15に銅を用いることで本発明の効果をより向上させることができるが、その他、銀、ニッケル、パラジウム、タングステン、金または白金等を主成分とするものであってもよい。
【0030】
次に、図2(c)に示すように、金属箔15を所定のセラミックグリーンシート22に形成されている表面電極14に転写し、表面配線導体17を形成する。この時金属箔15と表面電極14との接着性を高めるために、金属箔15の表面電極14に転写される面を、高周波特性で問題とならない程度に荒らしておくと良い。さらに、好ましくは金属箔15と後述するめっき工程において形成されるめっき膜16との接着性を高めるためにも、金属箔15の両面を高周波特性で問題とならない程度に荒らしておくと良い。また、転写するときは100kg/cm2程度圧力を加え圧接すると良い。また、焼成で焼失する樹脂接着剤を金属箔15にあらかじめ塗布しておくと転写時の表面電極14との密着がより強く得られる。また、転写は、後述する積層体を形成してから行ってもよい。
【0031】
転写する金属箔15は少なくとも所定のセラミックグリーンシート22上に存在する表面電極14に接触するように転写する。さらに、金属箔15は表面電極14を全て覆うように転写すると、本発明の効果をより良く向上することができる。
【0032】
次に、図2(d)に示すように、電極18を形成したセラミックグリーンシート21を内層に、また外層には表面配線導体17を形成した所定のセラミックグリーンシート22を配置させ、必要に応じて内層のセラミックグリーンシート21を複数枚積層し、温度80℃、圧力200kg/cm2の条件で熱圧着し、生の積層体19を形成する。この生の積層体19を還元雰囲気中で温度900℃、1時間の条件で焼成して所望の多層セラミック基板を得る。なお、電極18を形成したセラミックグリーンシート21を内層、外層に配置して積層、焼成した後、金属箔15を形成しても構わない。ただし、この場合、金属箔15を形成した後、金属箔15と表面電極14とが電気的に接続されるよう、再度金属箔15の融点以下の温度で焼成する必要がある。
【0033】
次に、図2(e)に示すように、表面電極14と金属箔15を覆うように、NiおよびAuめっき膜16を形成する。係るNiめっきは、無電解めっき液として、例えば、NiSO4、硫酸銅、酒石酸、水酸化ナトリウム、ホルムアルデヒド等を含む水溶液等を用いて、50℃〜100℃の温度で約0.5〜10μm析出させるため、pH4〜5のめっき浴液に約5〜150分浸漬させる。析出させた後、水洗浄を行う。続けてAuめっきにおいては、AuCNを主成分とした水溶液等を用いて約0.01〜5.0μm析出させるため、pH7〜8のめっき浴液に約5〜150分浸漬させる。析出させた後、水洗浄を行う。
【0034】
このとき外層に形成された表面配線導体17は、密度が高く緻密な金属箔15で覆われているため、焼結体でできた表面電極14の内部にめっき液や水が侵入しにくくなり、製品化後の使用中に導通が不良となったり、層間のショートが起こりにくくなる。
【0035】
図3は、図2に示す製造方法に加え、ビアホール導体形成工程を実施する製造方法を示す。図3において、図2に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【0036】
この製造方法では、まず図2(a)に示すように、セラミックグリーンシート21が準備される。
【0037】
次に、図3(a)に示すように、穿孔機によりセラミックグリーンシート21を貫通するように孔を形成し、孔にスクリーン印刷法により、導電性ペーストを充填し、ビアホール導体31を形成する。この際導電性ペーストとしてAg、Au、Cu、Ni、Ag/Pd、Ag/Pt等の金属を主成分とするの導電粉末に対し有機ビヒクルを所定量と加え、ライカイ機、3本ロールで攪拌、混練したペーストを用いる。導電粉末の中心粒径、粒子形状は特に限定されないが、中心粒径0.1〜10μmで粗大粉や極端な凝集粉が無いものが望ましい。また、有機ビヒクルはバインダ樹脂と溶剤を混合したもので、特に限定されないがバインダ樹脂としてエチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂等が使われる。また、溶剤としてはテレピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテイト、アルコール類等が使われる。また、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、活性剤を添加してもよい。さらに、セラミックとの収縮マッチングを計るためガラスフリットやCu2O等の金属酸化物やセラミック粉末や樹脂粉末を0〜70%添加してもよい。また、ペースト粘度は印刷性を考慮し50〜700Pa・s−1であればよい。
【0038】
次に、図3(b)に示すように、セラミックグリーンシート21に形成されたビアホール導体31の端部を覆うように、セラミックグリーンシート21上にスクリーン印刷法等により電極18を形成する。また、後述する積層工程において積層体の外層となるべき所定のセラミックグリーンシート22についても、ビアホール導体31の端部を覆うように、同様に表面電極14を形成する。形成方法や使用材料などは図2の製造方法と同様である。
【0039】
次に、図3(c)に示すように、後述する積層工程において積層体の外層となるべき所定のセラミックグリーンシート22について、表面電極14を覆うように金属箔15を形成し、表面配線導体17を形成する。形成方法や使用材料などは図2の製造方法と同様である。この時金属箔15は、表面電極14の内、ビアホール導体31の端部に対応した部分の少なくとも一部を覆うことで本発明の効果が得られるが、表面電極14を全て覆うように転写すると、本発明の効果をより良く向上することができる。
【0040】
次に、図3(d)に示すように、電極18を形成したセラミックグリーンシート21を内層に、また外層には表面配線導体17を形成した所定のセラミックグリーンシート22を配置させ、必要に応じて内層のセラミックグリーンシート21を複数枚積層し、熱圧着し、生の積層体19を形成する。この生の積層体19を還元雰囲気中で温度900℃、1時間の条件で焼成して所望のセラミック多層基板を得る。積層方法や焼成方法などは図2の製造方法と同様である。
【0041】
次に、図3(e)に示すように、表面電極14と金属箔15を覆うように、NiおよびAuめっき膜16を形成する。めっき方法や使用材料などは図2の製造方法と同様である。
【0042】
このとき外層に形成された表面配線導体17においては、密度が高く緻密な金属箔15で覆われているため、焼結体でできた表面電極14の内部やビアホール導体31の内部にめっき液や水が侵入しにくくなり、製品化後の使用中に導通が不良となったり、層間のショートが起こりにくくなる。
【0043】
図4は、外側拘束層32を用いた無収縮プロセスを適用した場合の、図2および図3の製造方法における積層工程の変形例を説明するためのものである。図4において、図2および図3に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【0044】
図4を参照して説明すると、生の積層体19を積層方向に挟むように外側拘束層32を配置した状態で、焼成工程が実施される。外側拘束層32は、セラミックグリーンシート21に含まれるセラミック材料粉末の焼結温度では焼結しない収縮抑制用無機材料粉末に適当なバインダおよび溶剤を添加し、混合して得られたスラリーをシート状に成形することによって得られるものである。
【0045】
前述したように、セラミックグリーンシート21に含まれるセラミック材料粉末が、たとえば1000℃以下の温度で焼結可能な低温焼結セラミック材料粉末である場合には、外側拘束層32に含まれる収縮抑制用無機材料粉末として、たとえば、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、ジルコニア、アノーサイト、フォルステライトおよびコージライトの各粉末の少なくとも1種が有利に用いられる。
【0046】
外側拘束層32に含まれる収縮抑制用無機材料粉末は、焼成工程において、実質的に焼結しないため、外側拘束層32においては実質的な収縮が生じない。したがって、外側拘束層32による収縮抑制作用が生の積層体19に及ぼされることになり、生の積層体19にあっては、厚み方向には収縮するが、セラミックグリーンシート21の主面方向には収縮が生じにくくなる。
【0047】
その結果、図2(d)および図3(d)に示した焼結後の積層体の寸法精度を高くすることができ、表面電極14およびビアホール導体31によって与えられる配線の高密度化を高い信頼性をもって達成することができる。
【0048】
焼成工程の後、外側拘束層32は、たとえばサンドブラスト等によって除去される。
【0049】
さらに、図2および図3の製造方法におけるセラミックグリーンシート準備工程の変形例として、生の積層体19の外側のセラミックグリーンシートだけでなく、内側のセラミックグリーンシート各層にも拘束層を設ける無収縮プロセスを適用しても構わない。
【0050】
次に、本発明の作用・効果を、前述の図3の製造方法における実験結果に基づいて説明する。
【0051】
まず、図3(e)のめっき工程後に得られる多層セラミック基板の表面配線導体17に対し、デジタルマルチメータにより5Vの電圧印加を行い、定常状態のまま100時間放置した。
【0052】
次に100時間経過したサンプルについて絶縁抵抗をデジタルマルチメータによって測定し、1×109Ω以下の抵抗値を示したものを不良として、各条件1000個測定を行い不良率を求め、不良率が1%以上を不合格にした。
【0053】
この実験による評価結果をまとめたものを表1に示す。
【0054】
【表1】
【0055】
表中試料番号に*印を付したものは、本発明の範囲外である。例えば、表面電極に金属箔が覆っていないものは、層間でショートしているものが、12%発生したため不合格である。
それに対し、本発明の範囲内のものは銅箔、銀箔いずれも層間ショートが発生しないか発生しても1000個中1個であり、所望の特性を充分満足するものであった。
【0056】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、積層体の外層に形成された表面配線導体は密度が高く緻密な金属箔で覆われているので、焼結体でできた表面電極内部やビアホール導体内部にめっき液や水が侵入しにくくなり、製品化後の使用中に導通が不良となったり、層間のショートが起こりにくくなる。
【0057】
したがって、これを用いて製品化される多層セラミック基板は電気的特性が損なわれず、またその製造方法は品質の安定を要求される高周波回路の形成に適したものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で得られる多層セラミック基板の断面図である。
【図2】本発明で得られる多層セラミック基板の製造方法を示す断面図である。
【図3】本発明で得られる多層セラミック基板の製造方法を示し、図2(a)の後に実施される製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明で得られる多層セラミック基板の製造方法を示し、図2(d)および図3(d)で示す製造方法の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
11…多層セラミック基板
12…セラミック層
13…積層体
14…表面電極
15…金属箔(回路パターン)
16…めっき膜
17…表面配線導体
18…電極
19…生の積層体
21…セラミックグリーンシート
22…積層体の外層に位置する所定のセラミックグリーンシート
31…ビアホール導体
32…外側拘束層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a multilayer ceramic substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly to an improvement for preventing a plating solution from entering a surface electrode and a via hole in a plating process.
[0002]
[Prior art]
In recent years, there has been an increasing demand for stabilizing the quality of multilayer ceramic substrates on which semiconductor elements such as ICs and LSIs with higher frequency and higher density are mounted without impairing electrical characteristics.
[0003]
As described in Patent Document 1, for example, a multilayer ceramic substrate is generally manufactured as follows.
[0004]
First, a slurry obtained by mixing a low-temperature sintered ceramic raw material powder, an organic binder, and an organic solvent is formed into a sheet by a sheet forming method such as a doctor blade method to produce a ceramic green sheet. Next, a through hole for forming a via-hole conductor is punched into the ceramic green sheet, and the through hole is filled with a conductive paste containing a metal such as copper or silver. An electrode is formed by a screen printing method or the like using a conductive paste. Next, a heating process for removing the binder is performed on the raw laminate obtained by laminating a plurality of ceramic green sheets and pressing in the laminating direction, and then a firing process. Finally, in order to enable soldering for mounting semiconductor elements such as IC and LSI, a plating process is performed in which the surface electrode formed on the outer surface of the fired laminate is covered with a plating film .
[0005]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 05-167254
[Problems to be solved by the invention]
By the way, according to the method for manufacturing a multilayer ceramic substrate as described above, the wiring conductors such as the electrodes and the via-hole conductors are made of a sintered body of a conductive paste. That is, the conductive paste contains not only the metal powder but also a resin, a solvent and other additives. In the drying process, the solvent is volatilized, and in the firing process, the resin and the additive are thermally decomposed or decomposed. Since the wiring conductor is formed by sublimation and sintering of the metal powder and a part of the additive, it is inevitable that voids and grain boundaries exist inside the wiring conductor. As a result, in the plating process performed after the firing process, a cleaning solution such as a plating solution or water enters the voids and grain boundaries and remains after the product is completed, resulting in poor conduction during use. Or problems such as short circuit between layers occur.
[0007]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate and a multilayer ceramic substrate obtained by this manufacturing method, which can solve the above-described problems.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is first directed to a multilayer ceramic substrate having a laminated body constituted by a plurality of laminated ceramic layers and a surface electrode formed of a conductive paste on the outer surface of the ceramic substrate, In order to solve this technical problem, the following configuration is provided.
[0009]
That is, in the multilayer ceramic substrate according to the present invention, after the via hole conductor is formed in the ceramic layer, the end portion of the via hole conductor is covered with the surface electrode, and the end of the via hole conductor is included in the surface electrode. At least a part of the part corresponding to the part is covered with a metal foil, and the surface electrode and the metal foil are covered with a plating film.
[0011]
The aforementioned metal foil preferably covers all of the surface electrodes.
[0012]
The aforementioned metal foil is preferably copper.
[0013]
The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to the present invention is characterized in that the following steps are performed in order to solve the above-described technical problem.
[0014]
First, a ceramic green sheet preparation step of preparing a ceramic green sheet is performed.
[0015]
Next, an electrode forming process is performed in which an electrode is formed on the ceramic green sheet using a conductive paste.
[0016]
Next, a metal foil forming process is performed in which at least a part of the surface electrode formed on the predetermined ceramic green sheet is covered with the metal foil.
[0017]
Next, a lamination process is performed in which a plurality of ceramic sheets are laminated with the predetermined ceramic green sheet as an outer layer to obtain a laminate.
[0018]
Next, a firing step for firing the laminate is performed.
[0019]
Next, a plating step is performed in which the surface electrode and the metal foil formed on the outer surface of the fired laminate are covered with a plating film.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 shows a multilayer
[0021]
The illustrated multilayer
[0022]
FIG. 2 shows a method for manufacturing the multilayer
[0023]
First, as shown in FIG. 2A, a ceramic
[0024]
The ceramic
[0025]
As the low-temperature sintered ceramic material contained in the ceramic
[0026]
Further, on the ceramic
[0027]
Further, although the inorganic material is formed on the low-temperature sintered ceramic green sheet, the low-temperature sintered ceramic green sheet may be formed after forming the inorganic material into a sheet shape.
[0028]
Next, as shown in FIG. 2B, the
[0029]
Next, a metal foil is formed so as to cover the
[0030]
Next, as shown in FIG. 2C, the
[0031]
The
[0032]
Next, as shown in FIG. 2 (d), the ceramic
[0033]
Next, as shown in FIG. 2E, a Ni and
[0034]
At this time, since the
[0035]
FIG. 3 shows a manufacturing method for performing a via hole conductor forming step in addition to the manufacturing method shown in FIG. 3, elements corresponding to those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
[0036]
In this manufacturing method, first, as shown in FIG. 2A, a ceramic
[0037]
Next, as shown in FIG. 3A, a hole is formed so as to penetrate the ceramic
[0038]
Next, as shown in FIG. 3B, the
[0039]
Next, as shown in FIG. 3C, a
[0040]
Next, as shown in FIG. 3 (d), the ceramic
[0041]
Next, as shown in FIG. 3E, a Ni and
[0042]
At this time, the
[0043]
FIG. 4 is a view for explaining a modification of the laminating process in the manufacturing method of FIGS. 2 and 3 when the non-shrink process using the outer constraining
[0044]
If it demonstrates with reference to FIG. 4, a baking process will be implemented in the state which has arrange | positioned the outer constrained
[0045]
As described above, when the ceramic material powder contained in the ceramic
[0046]
Since the inorganic material powder for shrinkage suppression contained in the outer constraining
[0047]
As a result, the dimensional accuracy of the sintered laminate shown in FIGS. 2D and 3D can be increased, and the density of the wiring provided by the
[0048]
After the firing step, the outer constraining
[0049]
Further, as a modified example of the ceramic green sheet preparation step in the manufacturing method of FIGS. 2 and 3, there is no shrinkage in which constraining layers are provided not only on the outer ceramic green sheet of the
[0050]
Next, the operation and effect of the present invention will be described based on the experimental results in the manufacturing method shown in FIG.
[0051]
First, a voltage of 5 V was applied to the
[0052]
Next, the insulation resistance of the sample after 100 hours was measured with a digital multimeter, and those having a resistance value of 1 × 10 9 Ω or less were determined to be defective. The above was rejected.
[0053]
Table 1 summarizes the evaluation results of this experiment.
[0054]
[Table 1]
[0055]
A sample number marked with * in the table is outside the scope of the present invention. For example, when the surface electrode is not covered with the metal foil, 12% of the short-circuited layers are rejected.
On the other hand, within the scope of the present invention, both the copper foil and the silver foil did not cause an interlayer short-circuit, and even when it occurred, it was 1 in 1000, and sufficiently satisfied the desired characteristics.
[0056]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the surface wiring conductor formed in the outer layer of the laminate is covered with a dense and dense metal foil, so that the inside of the surface electrode made of a sintered body or the inside of the via-hole conductor It is difficult for the plating solution or water to penetrate into the film, resulting in poor continuity during use after commercialization or short circuit between layers.
[0057]
Therefore, the multilayer ceramic substrate that is commercialized using this is not impaired in electrical characteristics, and the manufacturing method thereof can be suitable for the formation of a high-frequency circuit that requires stable quality.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic substrate obtained by the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for producing a multilayer ceramic substrate obtained by the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate obtained by the present invention and illustrating the manufacturing method performed after FIG. 2 (a).
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate obtained by the present invention and showing a modification of the manufacturing method shown in FIGS. 2 (d) and 3 (d).
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記セラミック層にはビアホール導体が形成され、
前記ビアホール導体の端部は前記表面電極によって覆われ、
前記表面電極の内、前記ビアホール導体の端部に対応した部分の少なくとも一部が金属箔で覆われ
前記表面電極と前記金属箔がめっき膜で覆われていることを特徴とする、多層セラミック基板。In a multilayer ceramic substrate having a ceramic substrate composed of a plurality of laminated ceramic layers, and a surface electrode formed by a conductive paste on the outer surface of the ceramic substrate,
Via hole conductors are formed in the ceramic layer,
The end portion of the via-hole conductor is covered with the surface electrode,
Of the surface electrode, at least a part of a portion corresponding to an end portion of the via-hole conductor is covered with a metal foil, and the surface electrode and the metal foil are covered with a plating film. , Multilayer ceramic substrate.
前記セラミックグリーンシートに対し厚み方向に貫通孔を形成し、導電性ペーストを充填してビアホール導体を形成するビアホール導体形成工程と、
少なくとも前記ビアホール導体の端部を覆うように前記セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを用いて電極を形成する電極形成工程と、
所定のセラミックグリーンシート上に形成された表面電極の内、前記ビアホール導体の端部に対応した部分の少なくとも一部を金属箔で覆う金属箔形成工程と、
前記所定のセラミックグリーンシートを外層として複数の前記セラミックシートを積層して積層体を得る積層工程と、
前記積層体を焼成する焼成工程と、
焼成された積層体の外表面に形成されている前記表面電極と前記金属箔をめっき膜で覆うめっき工程とを備える、多層セラミック基板の製造方法。A ceramic green sheet preparation process for preparing a ceramic green sheet;
A via hole conductor forming step of forming a through hole in the thickness direction with respect to the ceramic green sheet and filling a conductive paste to form a via hole conductor;
An electrode forming step of forming an electrode using a conductive paste on the ceramic green sheet so as to cover at least an end portion of the via-hole conductor ;
A metal foil forming step of covering at least a part of a portion corresponding to an end portion of the via-hole conductor with a metal foil among surface electrodes formed on a predetermined ceramic green sheet;
A laminating step of laminating a plurality of the ceramic sheets with the predetermined ceramic green sheet as an outer layer to obtain a laminate;
A firing step of firing the laminate;
A method for producing a multilayer ceramic substrate, comprising: the surface electrode formed on the outer surface of the fired laminate; and a plating step of covering the metal foil with a plating film.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2003026360A JP3948411B2 (en) | 2003-02-03 | 2003-02-03 | Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004241432A JP2004241432A (en) | 2004-08-26 |
| JP3948411B2 true JP3948411B2 (en) | 2007-07-25 |
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ID=32954393
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2003026360A Expired - Fee Related JP3948411B2 (en) | 2003-02-03 | 2003-02-03 | Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof |
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| Country | Link |
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| JP4869005B2 (en) * | 2006-09-27 | 2012-02-01 | 京セラ株式会社 | Multilayer substrate manufacturing method |
| KR100935973B1 (en) * | 2007-12-18 | 2010-01-08 | 삼성전기주식회사 | Manufacturing method of non-contraction ceramic substrate |
| KR101526568B1 (en) * | 2008-06-24 | 2015-06-05 | 엘지이노텍 주식회사 | Bonding method of ceramics substrate and metal fiol, light emitting diode and method for fabricating the same |
| JP5289134B2 (en) * | 2009-03-26 | 2013-09-11 | 京セラ株式会社 | Wiring board and probe card board |
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-
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004241432A (en) | 2004-08-26 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
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