JP3966166B2

JP3966166B2 - Organic EL light emitting device and method

Info

Publication number: JP3966166B2
Application number: JP2002329884A
Authority: JP
Inventors: 浩木村
Original assignee: Fuji Electric Holdings Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2002-11-13
Filing date: 2002-11-13
Publication date: 2007-08-29
Anticipated expiration: 2022-11-13
Also published as: JP2004165017A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ発光素子の構造およびその製法に関する。より詳細には、トップエミッション方式の有機ＥＬ発光素子における、上部電極の構造およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
１９８７年にイーストマンコダック社のC. W. Tangらにより２層積層構成の高効率有機ＥＬ発光素子が発表されて以来（非特許文献１参照）、現在に至るまでにさまざまな有機ＥＬ発光素子が開発され、その一部は実用化され始めている。こうした中で、有機ＥＬ発光素子の発光効率を向上させることは、実用上きわめて重要な課題の１つである。
【０００３】
一方、近年、有機ＥＬ発光ディスプレイにおいて、アクティブマトリクス駆動方式のディスプレイの開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス駆動方式を用いる場合、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設けた基板の上に複数の有機ＥＬ発光素子を形成し、該素子をディスプレイの光源として使用する。現状におけるアクティブマトリクス駆動方式ディスプレイの問題点の１つは、個々のＴＦＴおよび有機ＥＬ発光素子の特性のバラツキが大きく、そのバラツキ補正のために複雑な駆動回路が必要になることである。しかし、そのような複雑化した駆動回路を設けることは、１画素を駆動するのに必要なＴＦＴ数を増加させてしまう。
【０００４】
一般的な有機ＥＬ発光素子では、ガラス基板上に透明電極を設けて、その上に有機ＥＬ発光層を設けて、さらに外部に取り出す光の量を大きくするために裏面に反射膜と電極の機能を併せ持つ上部電極をアルミや銀を用いて形成して、光をガラス面から取り出す、いわゆるボトムエミッション方式を採るのが一般的である。しかし、前述のように１画素を駆動するためのＴＦＴの数が増加すると、光を透過させないＴＦＴの面積が増大してしまい、光を取り出すための面積が減少してしまう。このような状況においては、上部電極を透明電極として光を上部電極から取り出すトップエミッション方式の方が有利であり、開発が進められてきている（特許文献１〜３参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特許第２６８９９１７号明細書
【０００６】
【特許文献２】
特許第３２０３２２７号明細書
【０００７】
【特許文献３】
特開２００１−１７６６６０号公報
【０００８】
【非特許文献１】
C. W. Tang, S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987)
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
トップエミッション方式の有機ＥＬ発光素子における問題点の１つに、発光した光の一部が上部透明電極内を横方向に伝播することによる発光の取り出し効率の低下がある。すなわち、有機ＥＬ発光層における発光は方向特異性がなく、あらゆる方向に発せられる。このとき、上部透明電極の屈折率のために、ある角度をもって上部透明電極に入射した光は、上部透明電極と他の材料との界面において全反射を起こす。その結果として光が横方向に伝播し、一部の発光が外部へ取り出すことができなくなる。
【００１０】
別の問題点は、上部透明電極の抵抗値が、透明導電性酸化物などで構成されるために、ボトムエミッション方式の上部電極に用いられるアルミニウムと比較して高いことである。アクティブマトリクス駆動方式ディスプレイにおいては、ＴＦＴと接続されない上部電極は共通電極であり、素子の発光に用いられる全ての電流が上部電極に集中する。したがって、上部電極における電圧降下および発熱を抑制し、有機ＥＬ発光層の発光効率を向上させるために、上部透明電極の抵抗値をできる限り小さくすることが求められている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の２つの問題点を解決するために、本発明の有機ＥＬ素子は、基板上に反射性電極、有機ＥＬ発光層、上部透明電極および反射層を有する有機ＥＬ発光素子において、前記上部透明電極および反射層が前記有機ＥＬ発光層の上に配置され、前記上部透明電極が前記有機ＥＬ発光層からの発光を透過させる領域に設けられ、前記領域の周囲に反射層が配置され、前記反射層の厚さは前記上部透明電極の厚さよりも大きいことを特徴とする。該反射層により、上部透明電極内を横方向に伝播した光を反射して外部へと取り出すことが可能となる。また、該反射層は、前記上部透明電極を形成する材料よりも低い抵抗率を有する材料で形成されるので、上部電極の低抵抗化が可能となる。さらに、前記上部透明電極の発光領域に位置する部分は、反射層によってその周囲を完全に取り囲むように形成されているか、または、反射層を形成するために用いられるマスクの一体性を保つために必要な部分を除いて反射層によってその周囲を取り囲むように形成されている。
上述の本発明の有機ＥＬ発光素子において、有機ＥＬ発光層からの光を透過させる領域に隣接する反射層の側壁は、４５〜９０°のテーパ角を有することが望ましい。
【００１２】
本発明の別の実施形態は、有機ＥＬ発光素子の製造方法であり、反射性電極および有機ＥＬ発光層を形成された基板に、金属マスクを用いて前記有機ＥＬ発光層の所定の領域の上に反射層を積層する工程と、前記反射層よりも薄い上部透明電極を積層する工程とを具え、前記上部透明電極が前記有機ＥＬ発光層からの発光を透過させる領域に設けられ、前記反射層が前記領域の周囲に形成されることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の有機ＥＬ発光素子を詳細に説明する。本発明の有機ＥＬ発光素子を、図１に示す。図１（ａ）に示される有機ＥＬ発光素子は、基板１と、反射性電極２と、有機ＥＬ発光層３と、上部透明電極４と、反射層５とを含む。図１（ｂ）は、本発明の有機ＥＬ発光素子の作用効果を説明するための図である。
【００１５】
基板１は、ガラス基板上にアクティブマトリクス駆動用の１つまたは複数のＴＦＴが既に形成されているＴＦＴ基板である。図１は、１つの発光部（画素）を有する有機ＥＬ発光素子を示し、基板１には１つの発光部（画素）を駆動するのに必要な数のＴＦＴが形成されている。
【００１６】
本発明の反射性電極２は、導電性を有する金属（Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗなど）、合金、酸化物から形成することができ、基板１上のＴＦＴと電気的に接続されている。用いることができる合金は、遷移金属−リン合金、遷移金属−ボロン合金、および遷移金属−ランタノイド合金を含む。なお、本明細書において遷移金属とは、ランタノイドおよびアクチニウム系列を除く周期表第３族〜第１２族の元素を意味する（例えば、周期表の第４周期でいえば、Ｓｃ〜Ｚｎの元素である）。また、本明細書において、ランタノイドとは、原子番号５７（Ｌａ）〜７１（Ｌｕ）までの元素を意味する。遷移金属として１つの元素を用いることもできるし、あるいは２つ以上の元素を用いることもできる。本発明において好ましい遷移金属は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕを含み、特に好ましいものはＮｉおよびＣｒである。遷移金属−リン合金を用いる場合、該合金は、１０〜５０原子％、好ましくは１２〜３０原子％のリンを含有することができる。遷移金属−ボロン合金を用いる場合、該合金は、１０〜５０原子％、好ましくは１２〜３０原子％のボロンを含有することができる。遷移金属−ランタノイド合金を用いる場合、該合金は、１０〜５０原子％、好ましくは２５〜５０原子％のランタノイドを含有することができる。
【００１７】
有機ＥＬ発光層３へのキャリア注入効率を高めるための層を、反射性電極２上に設けてもよい。例えば、反射性電極２を陽極として用いる場合、仕事関数が大きい材料の層を設けてホール注入効率を向上させることができる。仕事関数が大きい材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯなどのような導電性金属酸化物を用いることができる。逆に、反射膜２を陰極として用いる場合には、仕事関数が小さい材料の層を設けて電子注入効率を向上させることができる。仕事関数が小さい材料としては、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物を用いることができる。これらのキャリア注入効率を高めるための層の厚さは、１０ｎｍ以下で充分である。
【００１８】
本発明の反射性電極２は、２０ｎｍ以上、好ましくは７０〜１５０ｎｍの厚さを有する。このような厚さを有することにより、良好な反射性と、ＴＦＴへの遮光性とを実現することができる。
【００１９】
以上のように形成された反射性電極２上に、有機ＥＬ発光層３が形成される。本発明の有機ＥＬ発光素子においては、有機ＥＬ発光層３は、少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を介在させた構造を有する。具体的には、たとえば下記のような層構成からなるものが採用される。
【００２０】
（１）有機発光層
（２）正孔注入層／有機発光層
（３）有機発光層／電子注入層
（４）正孔注入層／有機発光層／電子注入層
（５）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層
（５）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層
（ここで、陽極は有機発光層または正孔注入層に接続され、陰極は有機発光層または電子注入層に接続される）。
【００２１】
上記各層の材料としては、公知のものが使用される。青色から青緑色の発光を得るためには、有機発光層中に、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましく使用される。また、電子注入層としては、キノリン誘導体（たとえば、８−キノリノールを配位子とする有機金属錯体）、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体などを用いることができる。あるいはまた、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物のような仕事関数が小さい無機材料を、電子注入層に隣接して積層して電子注入効率のさらなる向上を図ることができる。無機材料を用いる場合、電子注入効率を向上させるためには、１０ｎｍ以下の厚さの無機材料の層があれば充分であり、かつ必要とされる透明性を維持する観点からも好ましい。
【００２２】
次に、有機ＥＬ発光層３の上の、発光領域２２の周囲に反射層５が積層される。本明細書において、「発光領域」とは、有機ＥＬ発光層３からの光を透過させて、外部に放射する領域を意味し、特にディスプレイを形成する場合には、いわゆるピクセルないしサブピクセルに相当する。反射層５は、薄い透明導電性酸化物（ＩＴＯ、ＩＺＯ等）の層４’を介して、有機ＥＬ発光層３の上に積層されてもよい。反射層５は、近紫外域〜可視域の光、特に有機ＥＬ発光層が発光する光に対して７０％以上の反射率を有する。さらに、反射層５は、低い電気抵抗性を有することが必要であり、金属または他の低抵抗性材料を用いて形成される。前述の反射性電極２を形成するための材料を用いて反射層を形成してもよい。反射層５を形成する材料は、４×１０^−４Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有することが望ましい。反射層５は上部透明電極４よりも厚いことが好ましく、その厚さは３００〜１０００ｎｍの範囲内である。
【００２３】
反射層５の発光領域に隣接する側壁は、有機ＥＬ発光層３の表面に対して垂直であってもよいが、より好ましくは図１（ａ）に示すようなテーパ形状を有する。すなわち、テーパ角２１は、９０゜以下であり、好ましくは４５〜９０゜である。このようなテーパ形状を有することにより、有機ＥＬ発光素子の発光効率をより向上させることが可能となる（後述）。
【００２４】
最後に、上部透明電極４が形成される。上部透明電極４の発光領域に位置する部分は、反射層５によってその周囲を完全または実質的に取り囲まれるように形成される。本明細書において「実質的に取り囲まれる」とは、その周縁の相対的に小さい部分を除いて、上部透明電極４が反射層５に取り囲まれていることを意味する。なお、反射層５の上に、上部透明電極４の材料が形成されていてもよい。反射性電極２を陽極として用いる場合には上部透明電極４は陰極であり、逆に反射性電極２を陰極として用いる場合には上部透明電極４は陽極である。本発明の素子においては、上部透明電極４を通して光を取り出すので、上部透明電極４が透明であることが必要である。したがって、本発明の上部透明電極４としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性酸化物が好ましい。上部透明電極４は、反射層５より薄く、かつ所望される抵抗率を与えるような厚さを有する。上部透明電極４の厚さは、３０ｎｍ以上、より好ましくは１００〜３００ｎｍの範囲内である。
【００２５】
図１（ｂ）を参照して、本発明の有機ＥＬ発光素子の作用効果を説明する。有機ＥＬ発光層３における発光は無方向性であるので、種々の方向への発光が起こる。例えば、光線１１ｂはそのままでは外部に放射されない方向への発光であるが、反射層５によって反射されて、発光領域から外部に放射されるようにされる。また、臨界角（上部透明電極４および該電極が接している材料の屈折率により規定される）以上の角度をもって上部透明電極４に入射して上部透明電極４内を横方向に伝播する光線１１ｃも、同様に反射層５によって反射されて、発光領域から外部に発せられるようにされる。ここで、反射層５によって反射された光線１１ｂおよび１１ｃは、発光時よりも垂直に近い角度をもって外部に放射されることに注意されたい。この効果は反射層５のテーパ形状によりもたらされ、さらに上部透明電極４の上に追加の層を設けた場合においても、追加の層内にて光が横方向に伝播する可能性を低くする効果も奏するものである。以上のように、直接的に外部へと放射される光線１１ａに加えて、光線１１ｂおよび１１ｃも発光領域から外部に放射されるようになるために、有機ＥＬ発光層３を通過する単位電流密度当たりの有機ＥＬ発光素子の輝度（すなわち発光効率）を向上させることが可能となる。
【００２６】
また、反射層５は導電性を有し、かつ上部透明電極４に電気的に接続されているので、上部透明電極４と反射層５とが一体となって「上部電極」として機能する。ここで、反射層５を形成する材料は上部透明電極４を形成する透明導電性酸化物よりも低い抵抗率を有するので、図１の構成とすることにより「上部電極」全体としての抵抗値を低下させることが可能となる。
【００２７】
次に、本発明の有機ＥＬ発光素子を製造するための方法について説明する。ＴＦＴを形成された基板１、反射性電極２および有機ＥＬ発光層３は、当該技術において知られている方法により製造することが可能である。例えば、基板上のＴＦＴは、慣用の半導体製造技術により作製することができる。本発明の反射性電極２は、蒸着、スパッタ等の方法を用いて基板１上に形成することができる。また、有機ＥＬ発光層３も、蒸着などの方法を用いて反射性電極２の上に積層することができる。
【００２８】
本発明の製造方法の第１の態様を、図２および図３を参照して説明する。反射性電極２および有機ＥＬ発光層３が積層された基板１に対して、マスク６を位置を合わせて密着させ、そして蒸着、スパッタまたはイオンプレーティングなどによって反射層５を積層させる（図３（ａ））。この際に用いられるマスク６の１つの例を図２に示した。マスク６は、成膜条件に耐える材料により形成することができるが、好ましくはメタルマスクを用いる。図２に示したマスク６は、マスク６の一体性を保つために必要な部分を除く発光領域の周囲に開口部を有するものである。反射層３の発光領域に隣接する側壁のテーパ形状（テーパ角２１）は、メタルマスクと基板との距離を変更することにより、あるいは基板を斜めに配置することにより制御することができる。
【００２９】
次に、マスク６を除去した後に、スパッタ（対向式およびＥＣＲ）またはイオンプレーティングなどの方法を用いて、透明導電性酸化物（ＩＴＯまたはＩＺＯ）を堆積させ、上部透明電極４を形成する（図３（ｂ））。
【００３０】
得られた有機ＥＬ発光素子（図３（ｃ））は、前述のように発光の取り出し効率の向上および「上部電極」の抵抗値を減少という効果を奏するものである。
【００３１】
本発明の参考例である製造方法の第２の態様を、図４を参照して説明する。反射性電極２および有機ＥＬ発光層が積層された基板１に対して、１０ｎｍ以下の厚さを有する薄い透明導電性酸化物層４’をスパッタなどにより積層させ、そして反射層５を蒸着、スパッタまたはイオンプレーティングなどによって積層させる。透明導電性酸化物層４’は、反射層５のエッチングの際のエッチストップ層として機能し得る最低限の厚さを有するべきであり、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０〜５０ｎｍの厚さを有する。そして、有機ＥＬ発光素子の発光領域を確定するようなパターンを有するレジスト７を積層させる（図４（ａ））。レジスト７は、均一に積層した後にフォトリソグラフ法によりパターニングをしてもよいし、あるいは別の基板上に所望のパターンのレジストを形成し、それを反射層５の上に転写してもよい。
【００３２】
次に、レジスト７をマスクとして反射層５をエッチングして、発光領域を画定する（図４（ｂ））。このとき透明導電性酸化物層４’はエッチストップ層として利用する。したがって、エッチャントとしては、反射層５の材料をエッチングするが、透明導電性酸化物層４’をエッチングしないようなものを選択する。エッチングは、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチングなどのドライエッチングであってもよいし、あるいはウェットエッチングであってもよい。例えば、反射層５がＡｌであり、透明導電性酸化物層４’がＩＴＯである場合、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等のアルカリ性水溶液を用いてウェットエッチングを行うことができる。この工程において、反射層５の発光領域に隣接する側壁のテーパ形状（テーパ角２１）は、エッチャントの種類、エッチング時の温度、エッチング時間、作働圧力（ドライエッチングの場合）などによって制御することができる。
【００３３】
そして、レジスト７を除去し、上部透明電極４を積層する（図４（ｃ））。レジスト７の除去は、慣用の方法によって実施することができる。上部透明電極４の形成は、前述の第１の態様と同様に実施することができる。本方法により得られる有機ＥＬ発光素子（図４（ｄ））においては、透明導電性酸化物層４’、上部透明電極４および反射層５が一体となって、「上部電極」として機能する。この構造の有機ＥＬ発光素子においても、透明導電性酸化物層４’の厚さが反射層５の厚さに比べて充分に薄く、広がっている光をあまり捕捉しないので、発光の取り出し効率の向上および「上部電極」の抵抗値を減少という効果を奏する。
【００３４】
【実施例】
（実施例１）
ＴＦＴが既に形成されている厚さ０．７ｍｍの５０ｍｍ角ガラス基板上に、対向式スパッタ装置を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒＢを堆積させた。スパッタガスとしてＡｒを用い、３００Ｗのスパッタパワーを印加した。次に、フォトリソグラフ法によりパターニングして、寸法１００μｍ×３００μｍの反射性電極２を得た。
【００３５】
次に、反射性電極２を形成した基板をＡｒプラズマ（２．４Ｐａ、１００Ｗ、１分間）にて処理し、その後真空を破ることなく基板を有機層蒸着用チャンバーに移動させた。そして、圧力１×１０^−５Ｐａ以下において、反射性電極２の上に、正孔輸送層として厚さ４０ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を成膜速度０．５ｎｍ／ｓにて蒸着させ、発光層として厚さ６０ｎｍのアルミニウムトリス（８−キノリノラート）（Ａｌｑ）を、成膜速度０．５ｎｍ／ｓにて蒸着させて有機ＥＬ発光層３を得た。さらに、真空を破ることなしに連続して、厚さ１ｎｍのＬｉＦおよび厚さ１０ｎｍのＡｌを蒸着して、電子注入性を向上させた。このとき、Ａｌは、１×１０^−５Ｐａ以下の圧力において、成膜速度０．３ｎｍ／ｓにて蒸着させた。
【００３６】
次に、有機ＥＬ発光層３を形成した基板を別の成膜真空チャンバーに移し、有機ＥＬ発光層３と１ｍｍの間隔をおいてマスクを配置し、１×１０^−５Ｐａ以下の圧力および成膜速度０．１ｎｍ／ｓにおいて厚さ２００ｎｍのＡｌを蒸着して、反射層５とした。このとき、得られる反射層５の発光領域に面する側壁が４５度のテーパ角を有するように、蒸発源と基板との位置を調整した。
【００３７】
最後に、対向式スパッタ装置において、スパッタ粒子のエネルギーが１０ｅＶ以下になるような条件において、厚さ１００ｎｍのＩＺＯを堆積させ上部透明電極４を形成して、有機ＥＬ発光素子を得た。
【００３８】
（参考例２）
実施例１と同様の方法により、反射性電極２および有機ＥＬ発光層３を形成した。次に対向式スパッタ装置において、スパッタ粒子のエネルギーが１０ｅＶ以下になるような条件において、厚さ１０ｎｍのＩＴＯを堆積させ透明導電性酸化物層４’を形成した。そして、蒸着法により厚さ２００ｎｍのＡｌを全面に積層した。
【００３９】
次に、レジストをスピンコートにより成膜し、フォトリソグラフ法によりパターニングして、反射性電極２のパターンと位置合わせをした寸法１００μｍ×３００μｍの開口部を有するパターンを有する厚さ３μｍのレジスト７を得た。
【００４０】
レジスト７をマスクとして用い、１ＭのＮａＯＨ水溶液を用いてＡｌをエッチング（６０℃、５分間）して、所望の形状の反射層５を得た。得られた反射層５の発光領域に面する側壁は、５０度のテーパ角を有した。
【００４１】
最後に、対向式スパッタ装置において、スパッタ粒子のエネルギーが１０ｅＶ以下になるような条件において、厚さ１００ｎｍのＩＺＯを堆積させ上部透明電極４を形成して、有機ＥＬ発光素子を得た。
【００４２】
（実施例３）
反射層５の厚さを５００ｎｍに変更したことを除いて実施例１を繰り返して、有機ＥＬ発光素子を得た。
【００４３】
（比較例１）
反射層５を透明導電性酸化物であるＩＺＯにより形成したことを除いて実施例１を繰り返して、有機ＥＬ発光素子を得た。
【００４４】
（評価）
各実施例および比較例１の発光素子に対して、０．１Ａ／ｍ^２の電流密度の電流を印加し、その際の輝度および印加電圧を測定した。その結果を以下の表１に示す。
【００４５】
【表１】

【００４６】
表１から明らかなように、本発明にしたがう実施例１、実施例３と参考例２の有機ＥＬ発光素子は、同一の電流密度において、比較例１の２倍以上の輝度を示した。また、同一の電流密度を得るための印加電圧を著しく低下させることができ、反射性電極および有機ＥＬ発光層における電圧降下を考慮すると、表１の結果は上部電極の抵抗値が一桁以上低下したことに相当する。さらに、上部電極の抵抗値は、反射層５の厚さを変更することにより調整可能であることが明らかとなった。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように、有機ＥＬ発光素子の発光領域の周囲に反射層を設けることにより、発光の外部取り出し効率を向上させて、高輝度の有機ＥＬ発光素子を得ることができた。同時に、反射層を低抵抗率の材料から形成することにより、上部電極の抵抗値を低下させ、単位電流密度当たりの輝度を増加させることができた。本発明によって得られる有機ＥＬ発光素子は、高輝度を必要とする条件下での使用、たとえばアウトドアにおける使用に特に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ発光素子を示す図であり、（ａ）は概略断面図であり、（ｂ）はその機能を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ発光素子の製造方法において用いられるマスクの一例を示す概略上面図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ発光素子の製造方法の第１の態様の工程を示す図である。
【図４】本発明の参考例である有機ＥＬ発光素子の製造方法の第２の態様の工程を示す図である。
【符号の説明】
１基板
２反射性電極
３有機ＥＬ発光層
４上部透明電極
４’ 透明導電性酸化物層
５反射層
６マスク
７レジスト
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ光線
２１テーパ角
２２発光領域[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a structure of an organic EL light emitting device and a manufacturing method thereof. More specifically, the present invention relates to a structure of an upper electrode and a manufacturing method thereof in a top emission type organic EL light emitting device.
[0002]
[Prior art]
Since 1987, Eastman Kodak's CW Tang et al. Announced a high-efficiency organic EL light-emitting device with a two-layer structure (see Non-Patent Document 1), and various organic EL light-emitting devices have been developed to date. Some of them are starting to be put into practical use. Under such circumstances, improving the light emission efficiency of the organic EL light emitting element is one of the extremely important issues in practical use.
[0003]
On the other hand, in recent years, active matrix drive type displays have been actively developed for organic EL light emitting displays. When the active matrix driving method is used, a plurality of organic EL light emitting elements are formed on a substrate provided with a thin film transistor (TFT) as a switching element, and the elements are used as a light source of a display. One of the problems of the active matrix drive type display at present is that the characteristics of individual TFTs and organic EL light emitting elements vary greatly, and a complicated drive circuit is required to correct the variations. However, providing such a complicated driving circuit increases the number of TFTs required to drive one pixel.
[0004]
In a general organic EL light emitting device, a transparent electrode is provided on a glass substrate, an organic EL light emitting layer is provided on the glass substrate, and a function of a reflective film and an electrode on the back surface in order to increase the amount of light extracted outside. In general, the so-called bottom emission method is employed in which the upper electrode having both of the above is formed using aluminum or silver and light is extracted from the glass surface. However, when the number of TFTs for driving one pixel increases as described above, the area of the TFT that does not transmit light increases, and the area for extracting light decreases. In such a situation, the top emission method in which light is extracted from the upper electrode using the upper electrode as a transparent electrode is more advantageous, and development has been promoted (see Patent Documents 1 to 3).
[0005]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 2689917 Specification
[Patent Document 2]
Japanese Patent No. 3203227 Specification
[Patent Document 3]
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-176660
[Non-Patent Document 1]
CW Tang, SA VanSlyke, Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987)
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
One of the problems in the top emission type organic EL light emitting element is a reduction in emission extraction efficiency due to a part of the emitted light propagating laterally in the upper transparent electrode. That is, the light emission in the organic EL light emitting layer has no direction specificity and is emitted in all directions. At this time, due to the refractive index of the upper transparent electrode, light incident on the upper transparent electrode at a certain angle causes total reflection at the interface between the upper transparent electrode and another material. As a result, the light propagates in the lateral direction, and part of the emitted light cannot be extracted outside.
[0010]
Another problem is that the resistance value of the upper transparent electrode is higher than that of aluminum used for the bottom emission type upper electrode because it is made of a transparent conductive oxide or the like. In the active matrix drive type display, the upper electrode not connected to the TFT is a common electrode, and all currents used for light emission of the element are concentrated on the upper electrode. Therefore, in order to suppress voltage drop and heat generation in the upper electrode and improve the light emission efficiency of the organic EL light emitting layer, it is required to make the resistance value of the upper transparent electrode as small as possible.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above two problems, the organic EL device of the present invention is an organic EL light emitting device having a reflective electrode, an organic EL light emitting layer, an upper transparent electrode and a reflective layer on a substrate. And a reflective layer is disposed on the organic EL light emitting layer, the upper transparent electrode is provided in a region that transmits light emitted from the organic EL light emitting layer, a reflective layer is disposed around the region, and the reflective layer Is thicker than the upper transparent electrode. The reflection layer can reflect the light propagated in the lateral direction in the upper transparent electrode and extract it to the outside. Further, since the reflective layer is formed of a material having a lower resistivity than the material forming the upper transparent electrode, the resistance of the upper electrode can be reduced. Further, the portion of the upper transparent electrode located in the light emitting region is formed so as to completely surround the periphery thereof by the reflective layer, or in order to maintain the integrity of the mask used for forming the reflective layer. The reflective layer is formed so as to surround the periphery except for necessary portions.
In the above-described organic EL light emitting device of the present invention, it is desirable that the side wall of the reflective layer adjacent to the region that transmits light from the organic EL light emitting layer has a taper angle of 45 to 90 °.
[0012]
Another embodiment of the present invention is a method for manufacturing an organic EL light emitting device, wherein a substrate on which a reflective electrode and an organic EL light emitting layer are formed is formed on a predetermined region of the organic EL light emitting layer using a metal mask. A step of laminating a reflective layer and a step of laminating an upper transparent electrode thinner than the reflective layer, wherein the upper transparent electrode is provided in a region that transmits light emitted from the organic EL light emitting layer, and the reflective layer Is formed around the region.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the organic EL light emitting device of the present invention will be described in detail. The organic EL light emitting device of the present invention is shown in FIG. The organic EL light emitting device shown in FIG. 1A includes a substrate 1, a reflective electrode 2, an organic EL light emitting layer 3, an upper transparent electrode 4, and a reflective layer 5. FIG.1 (b) is a figure for demonstrating the effect of the organic electroluminescent light emitting element of this invention.
[0015]
The substrate 1 is a TFT substrate in which one or more TFTs for driving an active matrix are already formed on a glass substrate. FIG. 1 shows an organic EL light emitting device having one light emitting portion (pixel), and the substrate 1 has a number of TFTs necessary for driving one light emitting portion (pixel).
[0016]
The reflective electrode 2 of the present invention can be formed of a conductive metal (Al, Ag, Mo, W, etc.), an alloy, or an oxide, and is electrically connected to the TFT on the substrate 1. Alloys that can be used include transition metal-phosphorus alloys, transition metal-boron alloys, and transition metal-lanthanoid alloys. Note that in this specification, the transition metal means an element of Group 3 to Group 12 of the periodic table excluding the lanthanoid and actinium series (for example, the elements of Sc to Zn in the fourth period of the periodic table). is there). Further, in this specification, the lanthanoid means an element having an atomic number of 57 (La) to 71 (Lu). One element can be used as the transition metal, or two or more elements can be used. Preferred transition metals in the present invention include Ni, Cr, Pt, Ir, Rh, Pd, and Ru, and particularly preferred are Ni and Cr. When a transition metal-phosphorus alloy is used, the alloy can contain 10 to 50 atomic%, preferably 12 to 30 atomic% of phosphorus. When a transition metal-boron alloy is used, the alloy can contain 10-50 atomic percent, preferably 12-30 atomic percent boron. When a transition metal-lanthanoid alloy is used, the alloy can contain 10-50 atomic%, preferably 25-50 atomic% lanthanoid.
[0017]
A layer for increasing the efficiency of carrier injection into the organic EL light emitting layer 3 may be provided on the reflective electrode 2. For example, when the reflective electrode 2 is used as an anode, the hole injection efficiency can be improved by providing a layer of a material having a high work function. As a material having a high work function, a conductive metal oxide such as ITO or IZO can be used. Conversely, when the reflective film 2 is used as a cathode, a layer of a material having a small work function can be provided to improve the electron injection efficiency. Materials having a low work function include alkali metals such as lithium and sodium, alkaline earth metals such as potassium, calcium, magnesium and strontium, or electron injecting metals such as fluorides thereof, and alloys with other metals. And compounds can be used. A layer thickness of 10 nm or less is sufficient for increasing the carrier injection efficiency.
[0018]
The reflective electrode 2 of the present invention has a thickness of 20 nm or more, preferably 70 to 150 nm. By having such a thickness, it is possible to achieve good reflectivity and light shielding property to the TFT.
[0019]
On the reflective electrode 2 formed as described above, the organic EL light emitting layer 3 is formed. In the organic EL light emitting device of the present invention, the organic EL light emitting layer 3 includes at least an organic light emitting layer, and interposes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer and / or an electron injection layer as necessary. Has a structure. Specifically, for example, those having the following layer structure are adopted.
[0020]
(1) Organic light emitting layer (2) Hole injection layer / organic light emitting layer (3) Organic light emitting layer / electron injection layer (4) Hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer (5) Hole injection layer / Hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer (5) hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer (wherein the anode is an organic light emitting layer or a hole injection layer) And the cathode is connected to the organic light emitting layer or the electron injection layer).
[0021]
Known materials are used as the material for each of the above layers. In order to obtain light emission from blue to blue-green, in the organic light emitting layer, for example, a fluorescent whitening agent such as benzothiazole, benzimidazole, and benzoxazole, a metal chelated oxonium compound, a styrylbenzene compound, Aromatic dimethylidin compounds are preferably used. As the electron injection layer, quinoline derivatives (for example, organometallic complexes having 8-quinolinol as a ligand), oxadiazole derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, nitro-substituted compounds A fluorene derivative or the like can be used. Alternatively, alkali metals such as lithium and sodium, alkaline earth metals such as potassium, calcium, magnesium and strontium, or electron injecting metals such as fluorides thereof, alloys and compounds with other metals, etc. An inorganic material having a small work function can be stacked adjacent to the electron injection layer to further improve the electron injection efficiency. In the case of using an inorganic material, a layer of an inorganic material having a thickness of 10 nm or less is sufficient in order to improve electron injection efficiency, and it is also preferable from the viewpoint of maintaining required transparency.
[0022]
Next, the reflective layer 5 is laminated around the light emitting region 22 on the organic EL light emitting layer 3. In the present specification, the “light emitting region” means a region that transmits light from the organic EL light emitting layer 3 and emits it to the outside, and corresponds to a so-called pixel or subpixel particularly when a display is formed. To do. The reflective layer 5 may be laminated on the organic EL light emitting layer 3 through a thin transparent conductive oxide (ITO, IZO, etc.) layer 4 ′. The reflective layer 5 has a reflectance of 70% or more with respect to light in the near ultraviolet region to visible region, particularly light emitted from the organic EL light emitting layer. Furthermore, the reflective layer 5 needs to have low electrical resistance, and is formed using a metal or other low-resistance material. The reflective layer may be formed using the material for forming the reflective electrode 2 described above. The material forming the reflective layer 5 desirably has a resistivity of 4 × 10 ⁻⁴ Ω · cm or less. The reflective layer 5 is preferably thicker than the upper transparent electrode 4, and its thickness is in the range of 300 to 1000 nm.
[0023]
The side wall adjacent to the light emitting region of the reflective layer 5 may be perpendicular to the surface of the organic EL light emitting layer 3, but more preferably has a tapered shape as shown in FIG. That is, the taper angle 21 is 90 ° or less, preferably 45 to 90 °. By having such a taper shape, it becomes possible to further improve the light emission efficiency of the organic EL light emitting element (described later).
[0024]
Finally, the upper transparent electrode 4 is formed. A portion of the upper transparent electrode 4 located in the light emitting region is formed so as to be completely or substantially surrounded by the reflective layer 5. In this specification, “substantially surrounded” means that the upper transparent electrode 4 is surrounded by the reflective layer 5 except for a relatively small portion of the periphery. Note that the material of the upper transparent electrode 4 may be formed on the reflective layer 5. When the reflective electrode 2 is used as an anode, the upper transparent electrode 4 is a cathode. Conversely, when the reflective electrode 2 is used as a cathode, the upper transparent electrode 4 is an anode. In the device of the present invention, since light is extracted through the upper transparent electrode 4, the upper transparent electrode 4 needs to be transparent. Accordingly, the upper transparent electrode 4 of the present invention is preferably a transparent conductive oxide such as ITO or IZO. The upper transparent electrode 4 is thinner than the reflective layer 5 and has a thickness that provides the desired resistivity. The thickness of the upper transparent electrode 4 is 30 nm or more, more preferably in the range of 100 to 300 nm.
[0025]
With reference to FIG.1 (b), the effect of the organic electroluminescent light emitting element of this invention is demonstrated. Since light emission in the organic EL light emitting layer 3 is non-directional, light emission in various directions occurs. For example, the light beam 11b emits light in a direction that is not emitted to the outside as it is, but is reflected by the reflective layer 5 and emitted from the light emitting region to the outside. Further, a light beam 11c that is incident on the upper transparent electrode 4 at an angle equal to or larger than a critical angle (defined by the refractive index of the upper transparent electrode 4 and the material with which the electrode is in contact) and propagates in the upper transparent electrode 4 in the lateral direction. Similarly, the light is reflected by the reflective layer 5 and emitted from the light emitting region to the outside. Here, it should be noted that the light rays 11b and 11c reflected by the reflective layer 5 are radiated to the outside at an angle closer to the vertical than when light is emitted. This effect is brought about by the taper shape of the reflective layer 5, and even when an additional layer is provided on the upper transparent electrode 4, the possibility of light propagating laterally in the additional layer is reduced. There is also an effect. As described above, in addition to the light beam 11a radiated directly to the outside, the light beams 11b and 11c are also radiated to the outside from the light emitting region, so that the unit current density passing through the organic EL light emitting layer 3 is increased. It is possible to improve the brightness (that is, light emission efficiency) of the hit organic EL light emitting element.
[0026]
Further, since the reflective layer 5 has conductivity and is electrically connected to the upper transparent electrode 4, the upper transparent electrode 4 and the reflective layer 5 function together as an “upper electrode”. Here, since the material forming the reflective layer 5 has a lower resistivity than the transparent conductive oxide forming the upper transparent electrode 4, the configuration of FIG. It can be reduced.
[0027]
Next, a method for producing the organic EL light emitting device of the present invention will be described. The substrate 1 on which the TFT is formed, the reflective electrode 2 and the organic EL light emitting layer 3 can be manufactured by a method known in the art. For example, the TFT on the substrate can be manufactured by a conventional semiconductor manufacturing technique. The reflective electrode 2 of the present invention can be formed on the substrate 1 using a method such as vapor deposition or sputtering. Moreover, the organic EL light emitting layer 3 can also be laminated | stacked on the reflective electrode 2 using methods, such as vapor deposition.
[0028]
A first aspect of the production method of the present invention will be described with reference to FIGS. A mask 6 is brought into close contact with the substrate 1 on which the reflective electrode 2 and the organic EL light emitting layer 3 are laminated, and the reflective layer 5 is laminated by vapor deposition, sputtering, ion plating, or the like (FIG. 3 ( a)). One example of the mask 6 used at this time is shown in FIG. The mask 6 can be formed of a material that can withstand the film forming conditions, but a metal mask is preferably used. The mask 6 shown in FIG. 2 has an opening around the light emitting region excluding a portion necessary for maintaining the integrity of the mask 6. The taper shape (taper angle 21) of the side wall adjacent to the light emitting region of the reflective layer 3 can be controlled by changing the distance between the metal mask and the substrate or by arranging the substrate obliquely.
[0029]
Next, after removing the mask 6, a transparent conductive oxide (ITO or IZO) is deposited by using a method such as sputtering (opposite type and ECR) or ion plating to form the upper transparent electrode 4 ( FIG. 3 (b)).
[0030]
The obtained organic EL light emitting device (FIG. 3C) has the effects of improving the light emission extraction efficiency and reducing the resistance value of the “upper electrode” as described above.
[0031]
A second embodiment of the production method, which is a reference example of the present invention, will be described with reference to FIG. A thin transparent conductive oxide layer 4 'having a thickness of 10 nm or less is laminated by sputtering or the like on the substrate 1 on which the reflective electrode 2 and the organic EL light emitting layer are laminated, and the reflective layer 5 is deposited and sputtered. Alternatively, they are laminated by ion plating or the like. The transparent conductive oxide layer 4 ′ should have a minimum thickness that can function as an etch stop layer when the reflective layer 5 is etched, and is preferably 50 nm or less, more preferably 10 to 50 nm. Have Then, a resist 7 having a pattern that determines the light emitting region of the organic EL light emitting element is laminated (FIG. 4A). The resist 7 may be uniformly laminated and then patterned by photolithography, or a resist having a desired pattern may be formed on another substrate and transferred onto the reflective layer 5.
[0032]
Next, the reflective layer 5 is etched using the resist 7 as a mask to define a light emitting region (FIG. 4B). At this time, the transparent conductive oxide layer 4 ′ is used as an etch stop layer. Therefore, an etchant is selected that etches the material of the reflective layer 5 but does not etch the transparent conductive oxide layer 4 '. The etching may be dry etching such as reactive ion etching or reactive ion beam etching, or may be wet etching. For example, when the reflective layer 5 is Al and the transparent conductive oxide layer 4 ′ is ITO, wet etching can be performed using an alkaline aqueous solution such as NaOH or KOH. In this step, the tapered shape (taper angle 21) of the side wall adjacent to the light emitting region of the reflective layer 5 is controlled by the type of etchant, etching temperature, etching time, working pressure (in the case of dry etching), and the like. Can do.
[0033]
Then, the resist 7 is removed, and the upper transparent electrode 4 is laminated (FIG. 4C). The removal of the resist 7 can be performed by a conventional method. The formation of the upper transparent electrode 4 can be performed in the same manner as in the first aspect described above. In the organic EL light-emitting device (FIG. 4D) obtained by this method, the transparent conductive oxide layer 4 ′, the upper transparent electrode 4, and the reflective layer 5 function as an “upper electrode”. Also in the organic EL light emitting device having this structure, the thickness of the transparent conductive oxide layer 4 ′ is sufficiently thin compared with the thickness of the reflective layer 5 and does not capture the spreading light so much. There is an effect of improving and reducing the resistance value of the “upper electrode”.
[0034]
【Example】
Example 1
On a 50 mm square glass substrate having a thickness of 0.7 mm on which a TFT has already been formed, CrB having a thickness of 100 nm was deposited using an opposing sputtering apparatus. Ar was used as the sputtering gas, and a sputtering power of 300 W was applied. Next, it patterned by the photolithographic method, and the reflective electrode 2 with a dimension of 100 micrometers x 300 micrometers was obtained.
[0035]
Next, the substrate on which the reflective electrode 2 was formed was treated with Ar plasma (2.4 Pa, 100 W, 1 minute), and then the substrate was moved to the organic layer deposition chamber without breaking the vacuum. Then, at a pressure of 1 × 10 ⁻⁵ Pa or less, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl having a thickness of 40 nm as a hole transport layer is formed on the reflective electrode 2. (Α-NPD) is deposited at a deposition rate of 0.5 nm / s, and aluminum tris (8-quinolinolato) (Alq) having a thickness of 60 nm is deposited as a light emitting layer at a deposition rate of 0.5 nm / s. Thus, an organic EL light emitting layer 3 was obtained. Furthermore, LiF having a thickness of 1 nm and Al having a thickness of 10 nm were continuously deposited without breaking the vacuum to improve the electron injecting property. At this time, Al was deposited at a film formation rate of 0.3 nm / s at a pressure of 1 × 10 ⁻⁵ Pa or less.
[0036]
Next, the substrate with the organic EL light-emitting layer 3 was transferred to another deposition vacuum chamber, placing a mask at a distance of the organic EL light-emitting layer 3 and 1mm, 1 × 10 -5 ^Pa or less pressure and adult A reflective layer 5 was obtained by depositing 200 nm of Al at a film speed of 0.1 nm / s. At this time, the positions of the evaporation source and the substrate were adjusted so that the side wall facing the light emitting region of the obtained reflective layer 5 had a taper angle of 45 degrees.
[0037]
Finally, in an opposed sputtering apparatus, under the condition that the energy of the sputtered particles is 10 eV or less, 100 nm thick IZO was deposited to form the upper transparent electrode 4 to obtain an organic EL light emitting device.
[0038]
( Reference Example 2)
The reflective electrode 2 and the organic EL light emitting layer 3 were formed by the same method as in Example 1. Next, in a facing sputtering apparatus, ITO having a thickness of 10 nm was deposited under the condition that the energy of the sputtered particles was 10 eV or less to form a transparent conductive oxide layer 4 ′. And 200 nm-thick Al was laminated | stacked on the whole surface by the vapor deposition method.
[0039]
Next, a resist is formed by spin coating, patterned by photolithography, and a resist 7 having a thickness of 3 μm having a pattern having an opening with a size of 100 μm × 300 μm aligned with the pattern of the reflective electrode 2 is formed. Obtained.
[0040]
Using the resist 7 as a mask, Al was etched using a 1M NaOH aqueous solution (60 ° C., 5 minutes) to obtain a reflective layer 5 having a desired shape. The side wall facing the light emitting region of the obtained reflective layer 5 had a taper angle of 50 degrees.
[0041]
Finally, in an opposed sputtering apparatus, under the condition that the energy of the sputtered particles is 10 eV or less, 100 nm thick IZO was deposited to form the upper transparent electrode 4 to obtain an organic EL light emitting device.
[0042]
(Example 3)
Example 1 was repeated except that the thickness of the reflective layer 5 was changed to 500 nm to obtain an organic EL light emitting device.
[0043]
(Comparative Example 1)
Example 1 was repeated except that the reflective layer 5 was formed of IZO, which is a transparent conductive oxide, to obtain an organic EL light emitting device.
[0044]
(Evaluation)
A current having a current density of 0.1 A / m ² was applied to the light-emitting elements of each Example and Comparative Example 1, and the luminance and applied voltage at that time were measured. The results are shown in Table 1 below.
[0045]
[Table 1]

[0046]
As is clear from Table 1, the organic EL light-emitting devices of Example 1 , Example 3 and Reference Example 2 according to the present invention exhibited a luminance twice or more that of Comparative Example 1 at the same current density. In addition, the applied voltage for obtaining the same current density can be remarkably reduced, and considering the voltage drop in the reflective electrode and the organic EL light emitting layer, the result of Table 1 shows that the resistance value of the upper electrode is reduced by one digit or more. This is equivalent to Furthermore, it became clear that the resistance value of the upper electrode can be adjusted by changing the thickness of the reflective layer 5.
[0047]
【The invention's effect】
As described above, by providing the reflective layer around the light emitting region of the organic EL light emitting element, it was possible to improve the external extraction efficiency of light emission and obtain a high luminance organic EL light emitting element. At the same time, by forming the reflective layer from a low resistivity material, it was possible to reduce the resistance value of the upper electrode and increase the luminance per unit current density. The organic EL light-emitting device obtained by the present invention is particularly advantageous for use under conditions requiring high brightness, for example, outdoor use.
[Brief description of the drawings]
1A and 1B are diagrams showing an organic EL light emitting device of the present invention, in which FIG. 1A is a schematic cross-sectional view, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view for explaining its function.
FIG. 2 is a schematic top view showing an example of a mask used in the method for producing an organic EL light emitting device of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a process of a first aspect of a method for producing an organic EL light emitting device of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a process of a second embodiment of a method for manufacturing an organic EL light emitting device which is a reference example of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Reflective electrode 3 Organic electroluminescent light emitting layer 4 Upper transparent electrode 4 'Transparent conductive oxide layer 5 Reflective layer 6 Mask 7 Resist 11a, 11b, 11c Light beam 21 Taper angle 22 Light emission area

Claims

In an organic EL light emitting device having a reflective electrode, an organic EL light emitting layer, an upper transparent electrode and a reflective layer on a substrate, the upper transparent electrode and the reflective layer are disposed on the organic EL light emitting layer, and the upper transparent electrode is wherein the light emitted from the organic EL light emitting layer provided in a region for transmitting, reflecting layer is disposed around the area, the thickness of the reflective layer is much larger than the thickness of the upper transparent electrode and the reflective layer Is formed of a material having a lower resistivity than the material forming the upper transparent electrode, and the portion located in the light emitting region of the upper transparent electrode is formed so as to completely surround the periphery thereof by the reflective layer or it is formed so as to surround the periphery thereof by the reflective layer except for a portion required to maintain the integrity of the mask used to form the reflective layer, and wherein the The organic EL light-emitting element that.

2. The organic EL element according to claim 1, wherein a side wall adjacent to the region of the reflective layer has a taper angle of 45 to 90 °.

A step of laminating a reflective layer on a predetermined region of the organic EL light emitting layer using a mask on a substrate on which a reflective electrode and an organic EL light emitting layer are formed, and laminating an upper transparent electrode thinner than the reflective layer An organic EL light emitting device, wherein the upper transparent electrode is provided in a region that transmits light emitted from the organic EL light emitting layer, and the reflective layer is formed around the region. Manufacturing method.