JP3968038B2

JP3968038B2 - Substrate processing method, substrate processing apparatus, development processing method, and development processing apparatus

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Publication number: JP3968038B2
Application number: JP2003057331A
Authority: JP
Inventors: 徹也佐田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2003-03-04
Filing date: 2003-03-04
Publication date: 2007-08-29
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、平流し方式で被処理基板に現像処理等の処理を施す基板処理方法、基板処理装置、現像処理方法および現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に有利に対応できる現像方法あるいは洗浄方法として、搬送ローラや搬送ベルト等の搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら現像処理あるいは洗浄処理を行うようにした、いわゆる平流し方式が知られている。
【０００３】
一般に、このような平流し方式の基板処理システムでは、搬送路上で上流側の搬入部から下流側の搬出部まで１枚の被処理基板を一定の時間をかけて搬送し、搬送の途中で搬送路の上方または下方あるいは傍らに配置された複数の工程処理部が移動中または一時停止中の基板に対して各段階の工程処理を施すようにしている。そして、パイプライン方式で、多数の基板をタクトタイムの時間間隔で搬入部より搬送路上に次々と搬入して、各工程処理部をタクトタイムの時間間隔で次々と通過させ、各処理部はタクトタイムの時間間隔で同一の処理を繰り返し、搬出部より処理済の基板を搬送路からタクトタイムの時間間隔で次々と搬出するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような平流し方式の基板処理システムにおいては、処理内容や品質、スループット、フットプリント等の様々な要求仕様に応じて搬送路上の基板搬送速度を最適制御することが求められている。たとえば、処理内容や品質の向上を図ろうとすると、搬送路上での処理工程の種類、数、処理時間等が増大し、搬送路上で基板を一時停止させたり搬送速度を変更する場面も増えてくるが、搬送速度の設定を誤ると停止中または減速時の基板に後から来る基板が追突する可能性が出てくる。また、スループット向上のためにタクトタイムを短くする場合にも、搬送速度の適確な設定ないし調整がなされないと、やはり搬送路上で基板の追突事故が起こる可能性は高くなる。基板の追突事故が起こると、当該基板は破損して廃棄するしかなく、生産効率または製品歩留まりが低下する。
【０００５】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、平流し方式の搬送路上で基板の搬送速度の減速を効率的かつ安全に行えるようにした基板処理方法、基板処理装置、現像処理方法および現像処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の基板処理方法は、搬送路上で複数の被処理基板を所望のタクトタイム（Ｔ_t）で順次搬送し、前記搬送路上の前記基板に所望の処理を施す基板処理方法であって、前記搬送路に搬送方向に沿って連続する第１、第２、第３および第４の区間をこの順序で設けて、各々の前記区間の搬送速度を独立に設定または制御可能に構成し、前記第１の区間の搬送速度を第１の速度に設定し、前記第４の区間の搬送速度を前記第１の速度よりも低い第２の速度に設定し、前記基板の搬送方向における先端が前記第２の区間に入った時から前記基板の搬送方向における後端が前記第２の区間に入るまでの間は前記第２の区間の搬送速度を前記第１の速度に制御し、前記基板の先端が前記第３の区間に入った時から前記基板の後端が前記第２の区間に入るまでの間は前記第３の区間の搬送速度を前記第１の速度に制御し、前記基板の後端が前記第２の区間に入った時またはその直後から前記第２の区間および前記第３の区間のそれぞれの搬送速度を同時に前記第１の速度から前記第２の速度に切り換え、前記基板の後端が前記第２の区間を出た後に前記第２の区間の搬送速度を前記第２の速度から前記第１の速度に切り換え、前記基板の後端が前記第３の区間を出た後に前記第３の区間の搬送速度を前記第２の速度から前記第１の速度に切り換える。
【０００８】
また、上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してなり、搬送方向に沿って連続する第１、第２、第３および第４の区間を有する搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記第１、第２、第３および第４の区間毎に独立して前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、所定のタクトタイム（Ｔ_t）で前記搬送路上に前記基板を搬入する搬入部と、前記搬送路上の前記基板に所定の処理を施すための処理部と、前記搬送路上から処理済みの前記基板を搬出する搬出部と、前記第１の区間の搬送速度を第１の速度に制御する第１の速度制御手段と、前記第４の区間の搬送速度を前記第１の速度よりも低い第２の速度に制御する第２の速度制御手段と、前記基板の搬送方向における先端が前記第２の区間に入った時から前記基板の搬送方向における後端が前記第２の区間に入るまでの間は前記第２の区間の搬送速度を前記第１の速度に制御する第３の速度制御手段と、前記基板の先端が前記第３の区間に入った時から前記基板の後端が前記第２の区間に入るまでの間は前記第３の区間の搬送速度を前記第１の速度に制御する第４の速度制御手段と、前記基板の後端が前記第２の区間に入った時またはその直後から前記第２の区間および前記第３の区間のそれぞれの搬送速度を同時に前記第１の速度から前記第２の速度に切り換える第１の速度切換手段と、前記基板の後端が前記第２の区間を出た後に前記第２の区間の搬送速度を前記第２の速度から前記第１の速度に切り換える第２の速度切換手段と、前記基板の後端が前記第３の区間を出た後に前記第３の区間の搬送速度を前記第２の速度から前記第１の速度に切り換える第３の速度切換手段とを有する。
【０００９】
また、上記の目的を達成するために、本発明の現像処理方法は、搬送路上で複数の被処理基板を所望のタクトタイム（Ｔ_t）で順次搬送し、前記搬送路上の前記基板に現像処理を施す現像処理方法であって、前記搬送路に搬送方向に沿って連続する第１、第２、第３および第４の区間をこの順序で設けて、各々の前記区間の搬送速度を独立に設定または制御可能に構成し、前記第１の区間の搬送速度を第１の速度に設定し、前記第４の区間の搬送速度を前記第１の速度よりも低い第２の速度に設定し、前記基板の搬送方向における先端が前記第２の区間に入った時から前記基板の搬送方向における後端が前記第２の区間に入るまでの間は前記第２の区間の搬送速度を前記第１の速度に制御し、前記基板の先端が前記第３の区間に入った時から前記基板の後端が前記第２の区間に入るまでの間は前記第３の区間の搬送速度を前記第１の速度に制御し、前記基板の後端が前記第２の区間に入った時またはその直後から前記第２の区間および前記第３の区間のそれぞれの搬送速度を同時に前記第１の速度から前記第２の速度に切り換え、前記基板の後端が前記第２の区間を出た後に前記第２の区間の搬送速度を前記第２の速度から前記第１の速度に切り換え、前記基板の後端が前記第３の区間を出た後に前記第３の区間の搬送速度を前記第２の速度から前記第１の速度に切り換える。
【００１０】
また、上記の目的を達成するために、本発明の現像処理装置は、被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してなり、搬送方向に沿って連続する第１、第２、第３および第４の区間を有する搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記第１、第２、第３および第４の区間毎に独立して前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、所定のタクトタイム（Ｔ_t）で前記搬送路上に前記基板を搬入する基板搬入部と、前記搬送路上の前記基板に現像処理を施すための現像処理部と、前記搬送路上から処理済みの前記基板を搬出する基板搬出部と、前記第１の区間の搬送速度を第１の速度に制御する第１の速度制御手段と、前記第４の区間の搬送速度を前記第１の速度よりも低い第２の速度に制御する第２の速度制御手段と、前記基板の搬送方向における先端が前記第２の区間に入った時から前記基板の搬送方向における後端が前記第２の区間に入るまでの間は前記第２の区間の搬送速度を前記第１の速度に制御する第３の速度制御手段と、前記基板の先端が前記第３の区間に入った時から前記基板の後端が前記第２の区間に入るまでの間は前記第３の区間の搬送速度を前記第１の速度に制御する第４の速度制御手段と、前記基板の後端が前記第２の区間に入った時またはその直後から前記第２の区間および前記第３の区間のそれぞれの搬送速度を同時に前記第１の速度から前記第２の速度に切り換える第１の速度切換手段と、前記基板の後端が前記第２の区間を出た後に前記第２の区間の搬送速度を前記第２の速度から前記第１の速度に切り換える第２の速度切換手段と、前記基板の後端が前記第３の区間を抜けた後に前記第３の区間の搬送速度を前記第２の速度から前記第１の速度に切り換える第３の速度切換手段とを有する。
【００１１】
上記基板処理方法、基板処理装置、現像処理方法または現像処理装置においては、基板の搬送速度を第１の区間における第１の速度から第４の区間における第２の速度（第１の速度＞第２の速度）まで減速するに際して、第１の区間と第４の区間との間に設ける中間区間を各々独立した搬送駆動手段を有する第２の区間と第３の区間とに２分割し、第２および第３の区間の搬送速度をそれぞれ所定のタイミングで第１の速度または第２の速度のいずれかに選択的に切り換えることにより、最小限の搬送スペースで効率よく安全に減速動作を行うことができる。
【００１２】
本発明の好適な一態様によれば、上記基板処理方法または基板処理装置において、タクトタイム（Ｔ _t ）と基板の搬送方向の長さサイズ（Ｄ）と搬送方向における所望の最小基板間隔（ｄ）とに基づいて基板の下限移動速度（Ｖ _low ）を決定し、第２の速度を下限移動速度（Ｖ _low ）以上の速度に設定する。この場合、下限移動速度（Ｖ _low ）は、下記の式のように、タクトタイムＴ _t の間に基板長Ｄと基板最小間隔ｄとを足し合わせた距離（Ｄ＋ｄ）だけ移動する速度として与えられる。
Ｖ_low＝（Ｄ＋ｄ）／Ｔ_t ‥‥‥（１）
【００１３】
別の好適な一態様によれば、上記基板処理方法、基板処理装置、現像処理方法または現像処理装置において、搬送路上で被処理基板を少なくとも１回一時停止させ、停止または移動中の基板に所望の処理を施し、タクトタイム（Ｔ _t ）と基板が一時停止する最大の停止時間（Ｔ _s ）と基板の搬送方向の長さサイズ（Ｄ）と搬送方向における所望の最小基板間隔（ｄ）とに基づいて基板の下限移動速度（Ｖ _low ）を決定し、第２の速度を下限移動速度（Ｖ _low ）以上の速度に設定する。この場合、下限移動速度（Ｖ _low ）は、下記の式のように、タクトタイムＴ _t から停止時間Ｔ _s を差し引いた時間（Ｔ _t −Ｔ _s ）の間に基板長Ｄと基板最小間隔ｄとを足し合わせた距離（Ｄ＋ｄ）だけ移動する速度として与えられる。
Ｖ_low＝（Ｄ＋ｄ）／（Ｔ_t−Ｔ_s）
【００１４】
また、好ましい一態様によれば、搬送路上の第１の区間内の所定位置から基板を下限移動速度（Ｖ _low ）で搬送した場合にタクトタイム（Ｔ _t ）経過時に基板の後端が第２の区間と第３の区間との境界付近に到達するように第２の区間の長さが設定される。また、速度切換のための搬送スペースを最小限にするために、好ましくは、搬送方向において第２の区間と第３の区間とを足し合わせた区間が基板の長さサイズとほぼ等しいサイズに構成されてよい。
【００２７】
また、好適な一態様によれば、第１の区間内で現像停止部が現像停止を行い、第２の区間および／または第３の区間内でリンス処理部が基板にリンス液を供給してリンス処理を行い、第４の区間内で乾燥処理部が基板に乾燥用の気体流を吹き付けて乾燥処理を行う。現像停止部は、第２の停止位置で基板を傾斜させて基板から現像液を重力で流し落とす基板傾斜手段や、第２の停止位置で停止中の基板に対して、搬送路に沿って所定の速度で移動しながらリンス液を供給するリンス処理部を有してよい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２９】
図１に、本発明の現像方法および現像装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００３０】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００３１】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３２】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００３３】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００３４】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００３５】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。
【００３６】
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００３７】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００３８】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
【００３９】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００４０】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積みに重ねられてよい。
【００４１】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００４２】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００４３】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００４４】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００４５】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積みに重ねられてよい。
【００４６】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００４７】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００４８】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００４９】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００５０】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００５１】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００５２】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。
【００５３】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００５４】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００５５】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。
【００５６】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００５７】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００５８】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００５９】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００６０】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００６１】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００６２】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００６３】
第３の熱的処理部３６において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００６４】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００６５】
この塗布現像処理システム１０においては、現像プロセス部３２の現像ユニット（ＤＥＶ）９４に本発明を適用することができる。以下、図４〜図１５を参照して本発明を現像ユニット（ＤＥＶ）９４に適用した一実施形態を説明する。
【００６６】
図４および図５に、本発明の一実施形態による現像ユニット（ＤＥＶ）９４内の全体構成を模式的に示す。この現像ユニット（ＤＥＶ）９４は、プロセスラインＢに沿って水平方向（Ｘ方向）に延在する連続的な搬送路１１２を形成する複数たとえば１０台のモジュールＭ₁〜Ｍ₁₀を一列に連続配置してなる。
【００６７】
これらのモジュールＭ₁〜Ｍ₁₀のうち、最上流端に位置する１番目のモジュールＭ₁には搬入部１１４が設けられている。２番目のモジュールＭ₂は導入部１１６を構成している。３番目、４番目および５番目のモジュールＭ₃，Ｍ₄，Ｍ₅には現像部１１８が設けられている。６番目のモジュールＭ₆には第１リンス部１２０が設けられ、７番目のモジュールＭ₇には第２リンス部１２２が設けられている。８番目のモジュールＭ₈には乾燥部１２４が設けられている。９番目のモジュールＭ₉は送出部１２６を構成している。最後尾の１０番目のモジュールＭ₁₀には搬出部１２８が設けられている。
【００６８】
搬入部１１４は、隣の基板搬送機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受け取って搬送路１１２上に移載するための昇降可能な複数本のリフトピン１３０を有している。搬出部１２８も、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリフトピン１３２を有している。
【００６９】
導入部１１６は、搬入部１１４と現像部１１８との間の緩衝領域を形成している。搬入部１１４から各基板Ｇ_iを導入部１１６を介して現像部１１８まで高速で一気に搬送することにより、予め設定されたタクトタイムＴ_t（たとえば６０秒）の時間経過後に搬入部１１４に搬入されてくる後続の基板Ｇ_i+1との間に十分な空間的隔たり（距離間隔）を確保できるようになっている。また、現像部１１８から搬送上流側に現像液が飛散しても、導入部１１６で止まり、搬入部１１４へは届かない（汚染しない）ようになっている。
【００７０】
現像部１１８は、より詳細には、モジュールＭ₃，Ｍ₄にそれぞれ第１現像液供給部１３４，第２現像液供給部１３６を設け、モジュールＭ₅に液切り／リンス部１３８を設けている。
【００７１】
第１現像液供給部１３４は、導入部１１６から搬送されてきた基板Ｇにパドル方式で現像液を供給（液盛り）するためのもので、搬送路１１２の上方に搬送方向（Ｘ方向）に移動可能な１本または複数本の現像液ノズル１４０を備えている。図示の例では、搬送方向に延在するガイドレール１４２に沿って移動可能に構成されたノズル搬送体１４４に現像液ノズル１４０を取り付け、駆動機構（図示せず）によってノズル搬送体１４４を搬送方向に移動させる構成としている。ノズル搬送体１４４に現像液ノズル１４０を昇降移動させるための昇降機構（図示せず）を取り付けてもよい。
【００７２】
第２現像液供給部１３６は、搬送中の基板Ｇから現像液がこぼれ落ちる場合に新規の現像液を追加供給つまり補充するためのもので、搬送方向の適当な位置にて搬送路１１２の上方に定置型の現像液ノズル１４６を１本または複数本配置している。
【００７３】
各部の現像液ノズル１４０，１４６は、搬送路１１２の左右幅方向（Ｙ方向）において基板Ｇの端から端までカバーするような長尺状のノズル本体を有し、該ノズル本体に形成された無数の穴状吐出口あるいは１個または数個のスリット状吐出口より搬送路１１２上の基板Ｇに向けて現像液を略帯状またはスプレー状に吐出するようになっている。なお、必要に応じて、現像液ノズル１４６も搬送方向に移動可能にしてもよく、あるいは第２現像液供給部１３６を省くことも可能である。
【００７４】
液切り／リンス部１３８は、基板Ｇから現像液を除去して現像停止を行うためのもので、搬送方向で基板Ｇを後向きまたは前向きに傾斜させて現像液を重力で流し落とすための基板傾斜機構（図示せず）と、基板Ｇにリンス液を吹き付けて現像液を洗い落とすための１本または複数本のリンス液ノズル１４８とを有している。
【００７５】
図示の例では、リンス液ノズル１４８を可動型に構成している。より詳細には、搬送路１１２の上方でリンス液ノズル１４８をノズル搬送体１５０に取り付け、駆動機構（図示せず）によってノズル搬送体１５０を搬送方向に延在するガイドレール１５２に沿って移動させる構成としている。ノズル搬送体１５０にリンス液ノズル１４８を昇降移動させるための昇降機構（図示せず）を取り付けてもよい。リンス液ノズル１４８は、搬送路１１２の左右幅方向（Ｙ方向）において基板Ｇの端から端までカバーするような長尺状のノズル本体を有し、該ノズル本体に形成された無数の穴状吐出口あるいは１個または数個のスリット状吐出口より搬送路１１２上の基板Ｇに向けてリンス液を略帯状またはスプレー状に吐出するようになっている。
【００７６】
第１リンス部１２０および第２リンス部１２２は、基板Ｇから現像液や異物・汚れ等を十全に除去するためのもので、それぞれ搬送方向の適当な位置に長尺状のリンス液ノズル１５４，１５６を横掛で１本または複数本配置している。好ましくは、基板Ｇの上面（デバイス形成面）だけでなく下面または裏面も洗浄するように、搬送路１１２を挟んで上下にリンス液ノズル１５４，１５６を配置してよい。各リンス液ノズル１５４，１５６の構成は、上記リンス液ノズル１４８と同じであってもよく、異なってもよい。
【００７７】
乾燥部１２４は、リンス処理後の基板Ｇに付着しているリンス液を気体流（たとえばエアー）で払い落として基板表面を乾かすためのもので、搬送路１１２に沿って適当な位置に長尺状のエアーナイフ１５８を横掛で１本または複数本配置している。エアーナイフ１５８も、基板Ｇの上下両面に気体流を当てるように、搬送路１１２の上下に配置されてよい。好ましくは、図５に示すように、エアーナイフ１５８は、搬送路１１２の幅方向（Ｙ方向）において適当な角度だけ斜めに傾いて基板Ｇの端から端までカバーするように配置される。このようなエアーナイフ１５８の斜め配置により、基板Ｇの表面に付着しているリンス液を基板後端側の角隅部に集めて効率よく吹き飛ばせるようになっている。
【００７８】
送出部１２６は、乾燥部１２４と搬出部１２８との間の緩衝領域を形成している。上記のような一連の現像処理を受けてきた基板Ｇ_iを送出部１２６から搬出部１２８まで高速で一気に搬送することにより、搬出部１２８で搬出のため搬送方向において一時停止する該基板Ｇ_iとタクトタイムＴ_tの経過後に現像処理を終えてくる後続の基板Ｇ_i+1との間に十分な空間的隔たり（距離間隔）を確保できるようになっている。
【００７９】
図４に示すように、現像部１１８およびリンス部１２０，１２２においては、搬送路１１２の下に落ちた液を受け集めるためのパン１６０，１６２がそれぞれ設けられている。これらのパン１６０，１６２の底に設けられている排液口には排液管１６４，１６６がそれぞれ接続されている。現像部１１８側の排液管１６４は現像液循環再利用システム（図示せず）に通じている。リンス部１２０，１２２側の排液管１６６は廃液処理部（図示せず）に通じている。
【００８０】
図示の例では、現像部１１８側のパン１６０とリンス部１２０，１２２側のパン１６２との境界部が現像部１１８の液切り部／リンス部１３８の下に設定されている。この境界部付近には、液切り部／リンス部１３８で傾斜姿勢の基板Ｇから落ちてくる現像液またはリンス液を、現像液はパン１６０へ、リンス液はパン１６２へそれぞれ選択的に振り向けるための排液振分手段（図示せず）が設けられている。
【００８１】
図６に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４における平流し搬送機構の構成を模式的に示す。搬送路１１２には、基板Ｇをほぼ水平に載置できる搬送ローラまたはコロ１７０がプロセスラインＢ（図４）に沿って一定間隔で敷設されている。
【００８２】
この実施形態では、搬送路１１２上のコロ１７０が、たとえば各モジュールＭ₁〜Ｍ₁₀毎に複数の区間に分割され、各区間毎に独立して駆動されるようになっている。より詳細には、各モジュールＭ_n（ｎ＝１〜１０）の区間に属するコロ１７０は、個別の伝動機構１７２(n)を介して個別の搬送駆動部１７４(n)に駆動接続されている。各搬送駆動部１７４(n)は駆動源としてたとえば電気モータを有しており、電気モータの駆動力により伝動機構１７２(n)を介してコロ１７０を回転運動させ、搬送路１１２上でほぼ水平姿勢の基板Ｇをコロ搬送によってプロセスラインＢの方向へ移動させるようになっている。
【００８３】
搬送制御部１７６は、たとえばマイクロコンピュータからなり、搬送路１１２上の各部および全体の基板搬送動作を制御するために、全区間の搬送駆動部１７４(1)〜１７４(10)に個別の搬送制御信号を与える。搬送制御の精度を上げるために、好ましくは、搬送路１１２上の基板Ｇの位置を検出するための少なくとも１つのセンサ（図示せず）が設けられ、各センサの出力が搬送制御部１７６に接続されている。また、搬送制御部１７６はコントローラとして、ホストコンピュータ１８０（図１２）等とも接続されている。
【００８４】
次に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４において１枚の基板Ｇ_iに対して行なわれる一連の処理工程を工程順に説明する。
【００８５】
［ステップ▲１▼］
搬入部１１４は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇ_iをほぼ水平にリフトピン１３０で受け取り、次いでリフトピン１３０を降ろして基板Ｇ_iを搬送路１１２上に、つまりモジュールＭ₁内のコロ１７０の上に移載する。この搬入動作の間、基板Ｇ_iは搬送方向において一定位置（リフトピン１３０上）で予め設定された所定時間つまり搬入時間Ｔ₁（たとえば１５秒）だけ一時停止する。
【００８６】
［ステップ▲２▼］
搬送路１１２上に基板Ｇ_iが移載されると、モジュールＭ₁，Ｍ₂，Ｍ₃の搬送機構により、直ちに基板Ｇ_iは搬送下流側へ送り出され、予め設定された第１移動速度Ｖ₁（たとえば２００ｍｍ／ｓ）で導入部１１６を通って現像部１１８へ搬送される。そして、基板Ｇ_iが現像部１１８の第１現像液供給部１３４に搬入されると、モジュールＭ₃の搬送機構が基板Ｇ_iの搬送を停止する。
【００８７】
［ステップ▲３▼］
第１現像液供給部１３４では、予め設定された所定の停止時間つまり液盛り時間Ｔ₂（たとえば１３．２秒）の間に、現像液ノズル１４０を搬送方向またはその逆方向に所定の速度で移動させながら現像液を吐出させ、基板Ｇ_iの上面全体に現像液を塗布する（液盛りする）。この際、基板Ｇ_iからこぼれた現像液は搬送路１１２の下に設置されている現像液パン１６０に受け集められる。なお、基板Ｇ_i上に現像液を重ね塗りするために現像液ノズル１４０を１回または複数回往復走査してもよく、レシピで任意の走査パターンを設定できる。
【００８８】
［ステップ▲４▼］
第１現像液供給部１３４で上記液盛り時間Ｔ₂が経過すると、モジュールＭ₃，Ｍ₄，Ｍ₅の搬送機構により、基板Ｇ_iは直ちに搬送下流側へ送り出され、予め設定された第２移動速度Ｖ₂（たとえば５０．５ｍｍ／ｓ）で液切り／リンス部１３８まで搬送される。途中、第２現像液供給部１３６を通過する際には、現像液ノズル１４６より移動中の基板Ｇに現像液が補給される。基板Ｇ_iが液切り／リンス部１３８に搬入されると、モジュールＭ₅の搬送機構が基板Ｇ_iの移動を停止する。
【００８９】
［ステップ▲５▼］
液切り／リンス部１３８では、予め設定された所定の停止時間つまり液切り時間Ｔ₃（たとえば２０．２秒）の間に現像停止処理が行なわれる。先ず、基板傾斜機構が作動して、基板Ｇ_iを水平姿勢から傾斜姿勢に変換して、基板Ｇ_i上の現像液を重力で流れ落とす。基板Ｇ_iから流れ落ちた現像液は上記排液振分手段によって現像液パン１６０側に回収される。一方で、適当なタイミングで、好ましくは基板Ｇ_iの傾斜角度が設定値に到達するとほぼ同時に、リンス液ノズル１４８を搬送方向またはその逆方向に所定の速度で移動させながら傾斜状態の基板Ｇ_iに向けて上からリンス液を供給し、基板Ｇ_i上の液をリンス液に置換する。この際、基板Ｇから流れ落ちたリンス液は上記排液振分手段によってリンス液パン１６２側に回収される。最後に、基板傾斜機構が基板Ｇ_iを傾斜姿勢から水平姿勢に戻す。
【００９０】
なお、この実施形態では、第１現像液供給部１３４で基板Ｇ_i上に現像液の液盛りを開始してから液切り／リンス部１３８で液切りを開始するまでの時間を現像時間Ｔ_gとし、この現像時間Ｔ_gも予め設定するようになっている。
【００９１】
［ステップ▲６▼］
液切り／リンス部１３８で上記液切り時間Ｔ₃が経過すると、モジュールＭ５，Ｍ₆の搬送機構により、基板Ｇ_iは直ちに搬送下流側へ送り出され、予め設定された第３移動速度Ｖ₃（たとえば５０．５ｍｍ／ｓ）で隣の第１リンス部１２０へ搬送される。この実施形態では、後に詳述するように、基板Ｇ_iが第１リンス部１２０を通過する間にモジュールＭ₆の搬送機構が移動速度を上記第３移動速度Ｖ₃よりも低い予め設定された第４移動速度Ｖ₄（たとえば３６．７ｍｍ／ｓ）に減速する。第１リンス部１２０では、搬送路１１２上を移動する基板Ｇ_iの上下両面にリンス液ノズル１５４よりリンス液を吹き付けて、基板Ｇ_iに残存または付着している現像液を洗い落とす。この際、基板Ｇ_iから流れ落ちたリンス液はリンス液パン１６２に受け集められる。
【００９２】
［ステップ▲７▼］
基板Ｇ_iがモジュールＭ₆を出た後も、モジュールＭ₇，Ｍ₈，Ｍ₉の搬送機構により、基板Ｇ_iを上記第４移動速度Ｖ₄で第２リンス部１２２と乾燥部１２４を通過させ送出部１２６まで搬送する。第２リンス部１２２でも、搬送路１１２上を移動する基板Ｇ_iに対して上記と同様のリンス処理を施す。もっとも、基板Ｇの移動速度Ｖ₄が比較的遅いため、第１リンス部１２０よりも丁寧な仕上げ洗浄を行える。乾燥部１２４では、搬送路１１２上を移動する基板Ｇ_iの上下両面にエアーナイフ１５８よりナイフ状の鋭利な気体流を当てることにより、基板Ｇ_iに付着している液（主にリンス液）を基板後方へ払い落とす。やはり、基板Ｇ_iの移動速度Ｖ₄が遅めに設定されているため、気体流をそのぶん多量に基板Ｇ_iに当てて、基板表面を十全に乾かすことができる。
【００９３】
［ステップ▲８▼］
基板Ｇ_iが送出部１２６まで来ると、モジュールＭ₉，Ｍ₁₀の搬送機構により、基板Ｇ_iの移動速度をそれまでの第４移動速度Ｖ₄から予め設定された高速の第５移動速度Ｖ₅（たとえば２００ｍｍ／ｓ）に切り換えて、隣の搬出部１２８まで基板Ｇ_iを一気に送る。
【００９４】
［ステップ▲９▼］
搬出部１２８では、基板Ｇ_iが着くと、搬送路１１２の下に待機していたリフトピン１３２を上方へ突き上げて基板Ｇ_iを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送機構（図示せず）へ渡す。この搬出動作の間、基板Ｇ_iは搬送方向の一定位置（リフトピン１３２上）で予め設定された所定時間つまり搬出時間Ｔ₄（たとえば１５秒）だけ滞在または一時停止することになる。
【００９５】
この現像ユニット（ＤＥＶ）９４では、上記のような平流し式の一連の処理工程がパイプライン方式によりタクトタイムＴ_tの時間間隔で多数の基板‥‥，Ｇ_i，Ｇ_i+1，Ｇ_i+2，‥‥に対して繰り返される。ここで求められるのは、搬送路１１２上で相前後する基板Ｇ_i，Ｇ_i+1同士の衝突（追突）を起こさずに、各段階の工程処理部における処理内容を最適化し、かつシステム全体のスループットを最大限に向上させることである。
【００９６】
図７に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４において１枚の基板Ｇ_iが上記一連の処理工程（▲１▼〜▲９▼）を受けるに際して搬送路１１２上を移動する軌跡を基板Ｇ_iの前端位置と後端位置とで示す。同図には、後続の基板Ｇ_i+1についても同様の軌跡を点線で示す。なお、搬入位置（始点）から搬出位置（終点位置）までの搬送距離Ｊも所定の値（たとえば１６９００ｍｍ）に設定されている。
【００９７】
上記したように、ステップ▲１▼で、基板Ｇ_iは搬入部１１４で搬入時間Ｔ₁（たとえば１５秒）だけ搬送方向で一時停止する。ステップ▲２▼で、基板Ｇ_iは搬入部１１４から導入部１１６を通って第１現像液供給部１３４まで高速の第１移動速度Ｖ₁（たとえば２００ｍｍ／ｓ）で移動する。ステップ▲３▼で、基板Ｇ_iは第１現像液供給部１３４で液盛り時間Ｔ₂（たとえば１３．２秒）だけ一時停止または滞在する。ステップ▲４▼で、基板Ｇ_iは第１現像液供給部１３４から液切り／リンス部１３８まで中速の第２移動速度Ｖ₂（たとえば５０．５ｍｍ／ｓ）で移動する。ステップ▲５▼で、基板Ｇ_iは液切り／リンス部１３８で液切り時間Ｔ₃（たとえば２０．５秒）だけ一時停止または滞在する。ステップ▲６▼で、基板Ｇ_iは液切り／リンス部１３８から第１リンス部１２０まで中速の第３移動速度Ｖ₃（たとえば５０．５ｍｍ／ｓ）で移動し、第１リンス部１２０を通過する際に移動速度を第３移動速度Ｖ₃から低速の第４移動速度Ｖ₄（たとえば３６．７ｍｍ／ｓ）に変更する。ステップ▲７▼で、基板Ｇ_iは第２リンス部１２２および乾燥部１２４を通って送出部１２６まで第４移動速度Ｖ₄で移動する。ステップ▲８▼で、基板Ｇ_iは送出部１２６から搬出部１２８まで高速の第５移動速度Ｖ₅（たとえば２００ｍｍ／ｓ）で移動する。最後に、ステップ▲８▼で、基板Ｇ_iは搬出部１２８で搬出時間Ｔ₄（たとえば１５秒）だけ搬送方向で一時停止してから現像ユニット（ＤＥＶ）９４の外へ搬出される。
【００９８】
この例の搬送シーケンスにおいて、最も長い停止時間は液切り／リンス部１３８における液切り時間Ｔ₃（２０．５秒）であり、最も低い移動速度は第１リンス部１２０から送出部１２６にかけての第４移動速度Ｖ₄（３６．７ｍｍ／ｓ）である。
【００９９】
この実施形態では、各工程処理部の処理内容に応じて搬送路１１２上の各所で基板Ｇ_iを一時停止させたり搬送速度を変更する場面が多々あり、比較的複雑な搬送シーケンスとなっている。ここで問題になるのは、搬送方向において移動速度に対する基板Ｇ_iの長さサイズ（たとえば１２００ｍｍ）が大きいため、基板Ｇ_iの前端位置と後端位置との間に相当の移動時間差が生じる（移動速度が４０ｍｍ／ｓの場合は２０秒）ことと、同じ搬送路１１２上で別の基板Ｇ_i+1がタクトタイムＴ_tの時間間隔（たとえば６０秒）を置いて後から続いて来ることであり、搬送速度の設定を誤ると停止中または減速時の基板Ｇ_iに後から来る基板Ｇ_i+1が追突する可能性がある。
【０１００】
図７に示すように、この実施形態の例では、第１リンス部１２０で基板Ｇ_iの移動速度を中速の第３移動速度Ｖ₃（たとえば５０．５ｍｍ／ｓ）から最も低い第４移動速度Ｖ₄（３６．７ｍｍ／ｓ）に切り換えた直後辺りで、基板Ｇ_iの後端の直ぐ後に基板Ｇ_i+1の前端が接近してくるが、本発明にしたがって搬送速度が安全圏に制御されているため、追突するまでには至らない。
【０１０１】
ここで、図８〜図１１につき、平流し方式における基板の搬送速度に係る本発明の基本原則を説明する。
【０１０２】
［基本原則１］
基板Ｇの搬送方向の長さをＤ、搬送路１１２上にタクトタイムＴ_tの時間間隔で基板Ｇが投入されるとすると、本発明の第１の基本原則によれば、搬送路１１２上で基板Ｇを一度も止めずに連続移動で搬送する場合に追突を避けるための最低の移動速度つまり下限移動速度Ｖ_lowは下記の式（１）で与えられる。
Ｖ_low＝Ｄ／Ｔ_t ‥‥‥（１）
【０１０３】
図８につき、第１の基本原則を説明する。いま、搬送路１１２上で移動中の基板Ｇ_iが時点ｔ_aで任意の位置Ｐ_aに位置しているとすると、この時点ｔ_aからタクトタイムＴ_tの経過後の時点ｔ_cには後続の基板Ｇ_i+1がこの位置Ｐ_aまで移動してくるので、時点ｔ_aから時点ｔ_cの間に基板Ｇ_iが少なくとも基板長Ｄの距離だけ前方へ移動すれば、当該位置Ｐ_aを去って基板Ｇ_i+1との追突を避けることができる。したがって、この条件が成立するための下限移動速度Ｖ_lowは、タクトタイムＴ_tの間に基板長Ｄの距離だけ移動する速度として、上記の式（１）で与えられる。
【０１０４】
もっとも、通常の平流しシステムでは、追突の可能性を極力避けるため、搬送路１１２上に適当な最小基板間隔ｄを設定し、前の基板Ｇ_iに後の基板Ｇ_i+1が最小基板間隔ｄよりも接近しないようにしている。この場合は、図９に示すように、実際の基板長Ｄに最小基板間隔ｄを足し合わせた長さＤ’（Ｄ＋ｄ）を搬送上の基板長とみなしてよく、上式（１）の代わりに下記の式（２）を用いてよい。
Ｖ_low＝（Ｄ＋ｄ）／Ｔ_t ‥‥‥（２）
【０１０５】
［基本原則２］
本発明の第２の基本原則によれば、搬送路１１２上で基板Ｇを任意の時間Ｔ_sだけ一時停止させる場合に追突を避けるための下限移動速度Ｖ_lowは下記の式（３）で与えられる。
Ｖ_low＝（Ｄ＋ｄ）／（Ｔ_t−Ｔ_s） ‥‥‥（３）
【０１０６】
図１０に、一時停止の後の最低速度条件を示す。なお、説明を簡単にするために、最小基板間隔ｄを零（ｄ＝０）とする。いま、搬送路１１２上の任意の位置Ｐ_aに時点ｔ_aで基板Ｇ_iが到着したものとする。この時点ｔ_aからタクトタイムＴ_tの経過する時点ｔ_cには後続の基板Ｇ_i+1がこの位置Ｐ_aまで移動してくるところ、時点ｔ_aから停止時間Ｔ_s後の時点ｔ_bまで基板Ｇ_iは当該位置Ｐ_aに止まっているため、時点ｔ_bから時点ｔ_cまでの残りの時間（Ｔ_t−Ｔ_s）の間に基板Ｇ_iが少なくとも基板長Ｄの距離だけ前方へ移動すれば、当該停止位置Ｐ_aを去って後続基板Ｇ_i+1との追突を避けることができる。したがって、この条件が成立するための下限移動速度Ｖ_lowは、タクトタイムＴ_tから停止時間Ｔ_sを差し引いた時間（Ｔ_t−Ｔ_s）の間に基板長Ｄの距離だけ移動する速度として、上記の式（３）で与えられる。
【０１０７】
図１１に、一時停止の前の最低速度条件を示す。上記と同様に、説明を簡単にするために、最小基板間隔ｄを零（ｄ＝０）とする。いま、時点ｔ_aで、搬送路１１２上で移動中の基板Ｇ_iが停止位置Ｐ_bよりも基板長Ｄだけ前（上流側）の位置Ｐ_aに位置しているとする。この時点ｔ_aからタクトタイムＴ_tの経過後の時点ｔ_cに後続の基板Ｇ_i+1がこの位置Ｐ_aに到着するので、この時に基板Ｇ_iが少なくとも当該位置Ｐ_aより基板長Ｄの距離だけ前方の位置つまり停止位置Ｐ_bまで移動していれば、追突を避けることができる。ところが、この場合は、基板Ｇ_iが停止位置Ｐ_bで時間Ｔ_sだけ時間を潰す（停止する）ため、時点ｔ_aから遅くても停止開始の時点ｔ_bまでに停止位置Ｐ_bに到着していなければならない。したがって、この条件が成立するための下限移動速度Ｖ_lowは、タクトタイムＴ_tから停止時間Ｔ_sを差し引いた時間（Ｔ_t−Ｔ_s）の間に基板長Ｄの距離だけ移動する速度として、やはり上記の式（３）で与えられる。
【０１０８】
［基本原則３］
本発明の第３の基本原則によれば、搬送路１１２上で基板Ｇを一時停止する場合の停止時間Ｔ_sはタクトタイムＴ_tよりも短くなければならない。この原則は、上式（３）からも導かれる。すなわち、停止時間Ｔ_sを長くするほど下限移動速度Ｖ_lowが増大し、Ｔ_sがＴ_tに近づくとＶ_lowが実現不可能なほど大きくなることから、自明な原則である。
【０１０９】
図１２に、この実施形態における制御系の構成を示す。入力部１７８は、たとえばキーボードやディスプレイ等を有する操作盤からなり、基板Ｇの属性（特にサイズ）や処理条件に関する種々の設定値を入力する。ホストコンピュータ１８０は、入力された条件設定値および所定の演算処理によって求めた条件設定値その他のレシピ情報を内蔵のメモリに格納し、所定のプログラムおよび条件設定値ないしレシピ情報にしたがって現像ユニット（ＤＥＶ）９４内の各工程処理部、特に搬入部１１４、第１現像液供給部１３４、‥‥、搬出部１２８の動作と搬送制御部１７６の動作を統括制御する。図１３に、この実施形態における条件設定値の例を示す。
【０１１０】
この実施形態の平流しシステムでは、上記のように搬送路１１２上で基板Ｇを少なくとも１回以上一時停止させることから、本発明の第２の基本原則が適用される。この場合、複数回の一時停止の中の最も長い停止時間Ｔ_sから求められる下限移動速度Ｖ_lowがシステム全体の最低速度条件を律則する。上記の例（図１３）では、搬入部１１４、第１現像液供給部１３４、液切り／リンス部１３８および搬出部１２８の４箇所で一時停止が行なわれ、その中で最大の停止時間Ｔ_sは液切り／リンス部１３８における液切り時間Ｔ₃（２０．５秒）である。したがって、上式（３）より下限移動速度Ｖ_lowは以下のようにして求められる。

【０１１１】
この下限移動速度Ｖ_lowの値（３６．７ｍｍ／ｓ）は基板Ｇを第１リンス部１２０から送出部１２６まで移動させる際の第４移動速度Ｖ₄の設定値に等しい。つまり、第４移動速度Ｖ₄は本発明の第２基本原則の要件をぎりぎりにクリアしていることになる。したがって、上記のように第１リンス部１２０付近で基板Ｇ_iの後端に基板Ｇ_i+1の前端が接近して来るにしても、その接近距離は最小基板間隔ｄ（２０ｍｍ／ｓ）より小さくなることはない。
【０１１２】
ところで、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４における処理条件の中でも、現像時間Ｔ_gは現像処理の仕様または品質に最も影響する条件であり、また現像液の種類やリサイクル回数等に応じて頻繁かつ広範囲に変更される条件でもある。かかる現像時間Ｔ_gは、上記ステップ▲５▼の説明の中で上述したように、たとえば第１現像液供給部１３４で基板Ｇ_i上に現像液の液盛りを開始してから液切り／リンス部１３８で液切りを開始するまでの時間としてよい。したがって、現像時間Ｔ_gの設定値が与えられると、現像中の移動速度つまり第２移動速度Ｖ₂の仮設定値Ｖ_Dが下記の式（５）から求められる。
Ｖ_D＝Ｌ／（Ｔ_g−Ｔ₂） ‥‥‥（５）
【０１１３】
ここで、Ｔ₂は上記液盛り時間であり、Ｌは第１現像液供給部１３４の液盛り停止位置から液切り／リンス部１３８の液切り停止位置まで基板Ｇが移動する距離である。
【０１１４】
この現像ユニット（ＤＥＶ）９４において、上記移動距離Ｌがたとえば２８６８ｍｍであるとすると、図１３の設定例では、現像時間Ｔ_gが６０秒、液盛り時間Ｔ₂が１３．２秒であるから、上式（５）より求められる第２移動速度Ｖ₂の仮設定値Ｖ_Dは以下のようになる。

【０１１５】
この第２移動速度Ｖ₂の仮設定値Ｖ_Dは、下限移動速度Ｖ_low（３６．７ｍｍ／ｓ）よりも大きく、本発明の第２基本原則の要件を満たしている。したがって、ホストコンピュータ１８０において、この仮設定値Ｖ_Dを正規の設定値として登録し、実際の搬送制御に用いてよい。
【０１１６】
ところが、現像時間Ｔ_gを長めに、たとえば７８秒に設定すると、上式（３）より求められる第２移動速度Ｖ₂の仮設定値Ｖ_Dは３６．５ｍｍ／ｓとなって下限移動速度Ｖ_low（３６．７ｍｍ／ｓ）よりも低くなってしまい、本発明の第２基本原則の要件を満たさなくなる。この場合は、ホストコンピュータ１８０が、ディスプレイを通じてこの設定値Ｖ_Dが不適であることを警告して現像時間Ｔ_gの再設定入力を要求するか、あるいは下限移動速度Ｖ_lowに対応する現像時間Ｔ_gつまり本発明の第２基本原則の条件を満たす上限の現像時間を越える入力値は受け付けないようにインターロックをかけるようにしてもよい。もちろん、上限現像時間の値を表示出力してもよい。また、液盛り時間Ｔ₂についても、上記と同様の設定入力処理を行うことができる。
【０１１７】
上記のように、この実施形態では、搬送路１１２上で複数の被処理基板‥‥，Ｇ_i，Ｇ_i+1，‥‥を所望のタクトタイムＴ_tで少なくとも１回以上の一時停止を含めて順次搬送し、搬送路１１２上で停止または移動中の基板Ｇに対して一連の現像処理工程を行う現像ユニット（ＤＥＶ）９４において、タクトタイムＴ_tと基板Ｇが一時停止する停止時間の中の最大停止時間Ｔ_sと基板の搬送方向の長さサイズＤと搬送方向における所望の最小基板間隔ｄとに基づいて基板Ｇの下限移動速度Ｖ_lowを決定し、搬送路１１２上で基板Ｇを移動させる速度を下限移動速度Ｖ_low以上の速度に設定する。かかる搬送速度制御によれば、基板長Ｄ、タクトタイムＴ_t、最小基板間隔ｄ、最大停止時間Ｔ_sの各条件についてワーク（基板）の仕様やスループット、フットプリント等の観点から所望の値が設定されると、それらの設定値に応じた適確な速度で基板Ｇを移動させ、相前後する基板Ｇ_i，Ｇ_i+1間の追突事故を確実に防止することができる。
【０１１８】
また、現像時間Ｔ_gと液盛り時間Ｔ₂（現像液供給時間Ｔ_a）と現像中の移動距離Ｌとに基づいて現像中の移動速度つまり第２移動速度Ｖ₂の仮設定値Ｖ_Dを求めて、仮設定値Ｖ_Dが下限移動速度Ｖ_low以上である場合にこれを正規の設定値として採用するようにしているので、基板の追突事故を回避できる基板移動速度の下で所望の現像処理品質を得ることができる。
【０１１９】
次に、この実施形態において基板Ｇの移動速度を安全かつ効率的に減速するための機構および搬送制御方法を説明する。上述したように、現像ユニット（ＤＥＶ）９４では、基板Ｇ_iが第１リンス部１２０を通過する間にモジュールＭ₆の搬送機構が移動速度を第３移動速度Ｖ₃（５０．５ｍｍ／ｓ）から第４移動速度Ｖ₄（３６．７ｍｍ／ｓ）に減速する。その際には、当該基板Ｇ_iに後続の基板Ｇ_i+1が追突するのを回避するだけでなく、両基板Ｇ_i，Ｇ_i+1にそれぞれの移動位置に応じた設定移動速度を与えなければならない。減速後の移動速度（Ｖ₄）が下限移動速度Ｖ_low付近まで低くなり、しかも最小基板間隔ｄが小さい場合は、両基板Ｇ_i，Ｇ_i+1が近接して移動するため、両基板Ｇ_i，Ｇ_i+1に異なる設定移動速度を同時に与えることは非常に難しくなる。この実施形態では、図１４および図１５に示すようにしてこの問題を解決している。
【０１２０】
図１４に示すように、減速の速度切換を行うために、第１リンス部１２０が設けられるモジュールＭ₆の搬送区間が、搬送方向において前段区間Ｍ_6aと後段区間Ｍ_6aとに２分割され、両搬送区間Ｍ_6a，Ｍ_6bに属するコロ１７０は図６に示す仕組みでそれぞれ個別の伝動機構１７２(6ａ)，１７２(6b)を介して個別の搬送駆動部１７４(6ａ)，１７４(6ｂ)に接続されている。好ましくは、搬送方向において両搬送区間Ｍ_6a，Ｍ_6bを足し合わせた長さ、つまりモジュールＭ₆の区間長が基板長Ｄとほぼ同じでよい。各搬送区間Ｍ_6a，Ｍ_6bの区間長Ｅ_a，Ｅ_bおよび両区間の境界の位置Ｈについては図１５につき後に詳しく述べる。
【０１２１】
図１４につき、この実施形態における減速のための速度切換制御方法を説明する。図１４の（Ａ）に示すように、搬送路１１２上で基板Ｇ_iはモジュールＭ₅の区間内の所定位置（液切り停止位置）Ｐ₅から搬送速度Ｖ₃でモジュールＭ6の区間に入ってくる。この時、モジュールＭ₆の前段区間Ｍ_6aおよび後段区間Ｍ_6bの搬送機構は、図１４の（Ａ）に示すように、それぞれの区間Ｍ_6a，Ｍ_6bに入ってくる基板Ｇ_iを搬送速度Ｖ₃で順次迎える。こうして、基板Ｇ_iはモジュールＭ₆（Ｍ_6a，Ｍ_6b）の区間内にすっぽり入る切るまで搬送速度Ｖ₃で移動してくる。そして、基板Ｇ_iの全体がモジュールＭ₆（Ｍ_6a，Ｍ_6b）の区間内にすっぽり入る切るとほぼ同時に、図１４の（Ｃ）に示すように、両搬送区間Ｍ_6a，Ｍ_6bの搬送機構が搬送速度をそれまでの搬送速度Ｖ₃から低速の搬送速度Ｖ₄に同時に切り換える。一方、モジュールＭ₇の区間では、遅くてもこの時には、あるいは定常的にこの区間内の搬送速度を搬送速度Ｖ₄に保っている。こうして、モジュールＭ₆（Ｍ_6a，Ｍ_6b）、Ｍ₇の搬送機構により、基板Ｇ_iはモジュールＭ₆（Ｍ_6a，Ｍ_6b）の中から搬送速度Ｖ₄でモジュールＭ₇の区間へ送り出される。
【０１２２】
そして、図１４の（Ｄ）に示すように、基板Ｇ_iの後端がモジュールＭ₆の前段区間Ｍ_6aを抜け出ると、この時点または直後に前段区間Ｍ_6aの搬送速度が搬送速度Ｖ₄から搬送速度Ｖ₃に切り換えられる。これにより、図１４の（Ｅ）に示すように、モジュールＭ₅の区間からモジュールＭ₆の前段区間Ｍ_6aに入ってくる後続の基板Ｇ_i+1を前の基板Ｇ_iに対するのと同じ搬送速度Ｖ ₃で迎えることができる。一方、基板Ｇ_iの後端がモジュールＭ₆の後段区間Ｍ_6bを出ると、この時点または直後に後段区間Ｍ_6bの搬送速度が第４搬送速度Ｖ₄から第３搬送速度Ｖ₃に切り換えられる。これにより、図１４の（Ｅ）に示すように、モジュールＭ６の前段区間Ｍ_6aから後段区間Ｍ_6bに入ってくる後続の基板Ｇ_i+1を前の基板Ｇ_iに対するのと同じ第３搬送速度Ｖ ₃で迎えることができる。以後も、前の基板Ｇ_iに対するのと同じ動作が各部で繰り返される。
【０１２３】
このように、この実施形態では、基板長Ｄにほぼ等しい区間長に設定されたモジュールＭ₆の搬送区間を搬送方向において独立に速度制御の可能な前段区間Ｍ_6aと後段区間Ｍ_6bとに２分割し、両区間Ｍ_6a，Ｍ_6bの搬送速度をそれぞれ所定のタイミングで第３搬送速度Ｖ₃または第４搬送速度Ｖ₄のいずれかに選択的に切り換えることにより、最小限の搬送スペースで効率よくかつ追突無しに基板の搬送速度を下限移動速度Ｖ_low以上の所望の値に減速させることができる。
【０１２４】
このような減速の速度制御に際しては、両区間Ｍ_6a，Ｍ_6bのいずれか（通常は前段区間Ｍ_6a）で前の基板Ｇ_iを第４移動速度Ｖ₄で送り出している最中に当該区間内に後続の基板Ｇ_i+1が第３移動速度Ｖ₃で入ってくる、いわば同時乗り入れの事態を避ける必要がある。そのような同時乗り入れの事態が生じるときは、後続の基板Ｇ_i+1が基板前部が第４移動速度Ｖ₄で搬送されると同時に基板後部が第３移動速度Ｖ₃で搬送されることになり、安定したコロ搬送は行えなくなる。この実施形態では、モジュールＭ₆における前段区間Ｍ_6aと後段区間Ｍ_6bとの間の境界位置Ｈを以下のようにして設定することにより、上記の問題を解決している。
【０１２５】
すなわち、図１５に示すように、基板Ｇ_iがモジュールＭ₆の区間内にすっぽり入った状態から第４移動速度Ｖ₄で移動してその基板後端がモジュールＭ₆の前段区間Ｍ_6aから出るまでに後続の基板Ｇ_i+1がまだ前段区間Ｍ_6aに入ってこなければよい。この条件が成立する最も厳しい局面は、減速後の第４移動速度Ｖ₄が下限移動速度Ｖ_lowにほぼ等しく、しかも減速前の第３移動速度Ｖ₃が第４移動速度Ｖ₄より僅かに高い場合である。この場合、基板Ｇ_iの後端が第４移動速度Ｖ₄で前段区間Ｍ_6aから出るのと同時に、基板Ｇ_i+1の前端が最小基板間隔ｄを挟んで第３移動速度Ｖ₃で前段区間Ｍ_6aに入ってくるので、この瞬間に前段区間Ｍ_6aの搬送速度を第４移動速度Ｖ₄から第３移動速度Ｖ₃に切り換えればよい。この時の基板Ｇ_iの後端位置は、後続基板Ｇ_i+1の現在位置つまりモジュールＭ₅の区間内の基板停止位置Ｐ₅から基板Ｇ_iが近似的に下限移動速度Ｖ_lowに等しい移動速度でタクトタイムＴ_tの時間をかけて移動した時点における基板Ｇ_iの後端位置として求めることができ、この位置を両区間Ｍ_6a，Ｍ_6bの境界位置Ｈと決定することができる。上記の設定例の場合、基板長Ｄ＝１２５０ｍｍ、最小基板間隔ｄ＝２０ｍｍ、タクトタイムＴ_t＝６０秒、下限移動速度Ｖ_low＝３６．７ｍｍ／ｓであるから、モジュールＭ₆の前段区間Ｍ_6aおよび後段区間Ｍ_6bのそれぞれの区間長Ｅ_a，Ｅ_bはＥ_a＝９３２ｍｍ、Ｅ_b＝３１８ｍｍと決定される。
【０１２６】
上記した実施形態の現像ユニット（ＤＥＶ）９２における各部の構成は一例であり、現像液供給部、リンス部、乾燥部等の各工程処理部について種々の変形が可能である。上記した実施形態では搬送路１１２をコロ搬送型に構成したが、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型等に構成することも可能である。
【０１２７】
上記した実施形態は現像ユニットまたは現像処理装置に係るものであったが、本発明は現像処理装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、たとえば上記のような塗布現像処理システムにおいてはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の平流し装置にも適用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【０１２８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基板処理方法、基板処理装置、現像処理方法または現像処理装置によれば、平流し方式の搬送路上で基板の搬送速度の減速を効率的かつ安全に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。
【図４】実施形態における現像ユニットの全体構成を示す正面図である。
【図５】実施形態における現像ユニットの全体構成を示す平面図である。
【図６】実施形態の現像ユニットにおける搬送機構の構成を模式的に示す図である。
【図７】実施形態の現像ユニットにおいて１枚の基板が搬送路上を移動する軌跡を示す図である。
【図８】本発明の第１の基本原則を説明するための図である。
【図９】搬送路上で相前後する基板間に最小基板間隔を設定する例を示す図である。
【図１０】本発明の第２の基本原則（一時停止後の移動速度）を説明するための図である。
【図１１】本発明の第２の基本原則（一時停止前の移動速度）を説明するための図である。
【図１２】実施形態の現像ユニットにおける制御系のシステム構成を示す平面図である。
【図１３】実施形態の現像ユニットにおける各種設定条件の設定例を示す図である。
【図１４】実施形態における減速の速度切換制御を説明するための図である。
【図１５】減速区間の設定方法を示す図である。
【符号の説明】
１０塗布現像処理システム
１６（Ｐ／Ｓ）プロセスステーション
９４（ＤＥＶ）現像ユニット
１１４搬入部
１１６導入部
１１８現像部
１２０第１リンス部
１２２第２リンス部
１２４乾燥部
１２６送出部
１２８搬出部
１３４第１現像液供給部
１３６第２現像液供給部
１３８液切り／リンス部
１４０，１４６現像液ノズル
１４８，１５４，１５６リンス液ノズル
１５８エアナイフ
１７０コロ
１７２伝動機構
１７４搬送駆動部
１７６搬送制御部
１７８入力部
１８０ホストコンピュータ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing method, a substrate processing apparatus, a development processing method, and a development processing apparatus that perform processing such as development processing on a substrate to be processed by a flat flow method.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a resist coating and developing processing system in LCD (liquid crystal display) manufacturing, as a developing method or a cleaning method that can advantageously cope with an increase in the size of an LCD substrate, a conveying body such as a conveying roller or a conveying belt is laid horizontally. A so-called flat-flow method is known in which development processing or cleaning processing is performed while an LCD substrate is transported on a transport path.
[0003]
In general, in such a flat-flow type substrate processing system, a substrate to be processed is transported over a certain time from an upstream carry-in section to a downstream carry-out section on the transport path, and is transported in the middle of the transport. A plurality of process processing units arranged above, below, or alongside the path perform a process process at each stage on a moving or temporarily stopped substrate. Then, in the pipeline system, a large number of substrates are successively loaded onto the conveyance path from the carry-in section at a time interval of tact time, and each process processing section is passed one after another at a time interval of tact time. The same processing is repeated at the time interval, and the processed substrates are sequentially carried out from the carrying path at the time interval of the tact time from the carry-out section.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the flat-flow type substrate processing system as described above, it is required to optimally control the substrate transport speed on the transport path in accordance with various required specifications such as processing contents, quality, throughput, footprint, and the like. For example, when trying to improve the processing content and quality, the types, number, processing time, etc. of the processing steps on the transport path increase, and the number of scenes where the substrate is temporarily stopped or the transport speed is changed on the transport path increases. However, if the conveyance speed is set incorrectly, there is a possibility that the substrate that comes later will collide with the substrate that is stopped or decelerated. Even when the tact time is shortened to improve the throughput, if the transport speed is not properly set or adjusted, there is a high possibility that a substrate rear-end collision will occur on the transport path. When a substrate rear-end collision occurs, the substrate must be damaged and discarded, and the production efficiency or product yield is reduced.
[0005]
  The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and is a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a development which can efficiently and safely decelerate the transport speed of a substrate on a flat flow type transport path. A processing method and a development processing apparatus are provided.PurposeAnd
[0007]
[Means for Solving the Problems]
  Above purposeIn order to achieve this, the substrate processing method of the present invention allows a plurality of substrates to be processed on a transport path to have a desired tact time (T_t) In order to carry out a desired process on the substrate on the transport path, the first, second, third and fourth sections continuing along the transport direction in the transport path. Provided in this order, the transport speed of each of the sections can be set or controlled independently, the transport speed of the first section is set to the first speed, and the transport speed of the fourth section is set. The second speed lower than the first speed is set, and the rear end in the substrate transport direction enters the second section from the time when the front end in the substrate transport direction enters the second section. In the period until, the conveyance speed of the second section is controlled to the first speed, and the rear end of the substrate enters the second section from when the leading edge of the substrate enters the third section. Until the substrate speed is controlled to the first speed, When the substrate enters the second section or immediately after that, the respective transport speeds of the second section and the third section are simultaneously switched from the first speed to the second speed, and after the substrate After the end has exited the second section, the transport speed of the second section is switched from the second speed to the first speed, and after the rear end of the substrate has exited the third section, The conveyance speed in the third section is switched from the second speed to the first speed.
[0008]
  Also,Above purposeIn order to achieve the above, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a first and a second that are formed by laying a transport body for horizontally transporting a substrate to be processed in a horizontal direction and continuing along the transport direction. A transport path having third and fourth sections, and driving the transport body independently for each of the first, second, third and fourth sections in order to transport the substrate on the transport path. A transport driving means and a predetermined tact time (T_t), A carry-in unit for carrying the substrate onto the conveyance path, a processing unit for performing a predetermined process on the substrate on the conveyance path, a carry-out unit for carrying out the processed substrate from the conveyance path, First speed control means for controlling the transport speed of the first section to the first speed, and second for controlling the transport speed of the fourth section to a second speed lower than the first speed. The speed control means and the transport of the second section from the time when the front end in the substrate transport direction enters the second section until the rear end in the substrate transport direction enters the second section. Third speed control means for controlling the speed to the first speed, and from the time when the front end of the substrate enters the third section until the rear end of the substrate enters the second section A fourth speed control means for controlling the conveyance speed of the third section to the first speed; When the rear end of the substrate enters the second section, or immediately after that, the respective transport speeds of the second section and the third section are simultaneously changed from the first speed to the second speed. And a second speed switching means for switching the transport speed in the second section from the second speed to the first speed after the rear end of the substrate exits the second section. Speed switching means, and third speed switching means for switching the transport speed of the third section from the second speed to the first speed after the rear end of the substrate exits the third section. Have.
[0009]
  Also,Above purposeTo achieveThe development processing method of the present invention, A plurality of substrates to be processed on the transport path are set to a desired tact time (T_t), And sequentially developing the first, second, third and fourth sections along the transport direction in the transport path. In order, the conveyance speed of each of the sections can be set or controlled independently, the conveyance speed of the first section is set to the first speed, and the conveyance speed of the fourth section is set to the A second speed lower than the first speed is set, and from when the front end in the substrate transport direction enters the second section until the rear end in the substrate transport direction enters the second section. During the period, the conveyance speed of the second section is controlled to the first speed, and from when the front end of the substrate enters the third section until the rear end of the substrate enters the second section. During the period, the conveyance speed of the third section is controlled to the first speed, and the rear end of the substrate When the second section is entered or immediately after that, the respective transport speeds of the second section and the third section are simultaneously switched from the first speed to the second speed, and the rear end of the substrate After exiting the second section, the transport speed of the second section is switched from the second speed to the first speed, and the rear end of the substrate exits the third section. The conveyance speed of section 3 is switched from the second speed to the first speed.
[0010]
  Also,Above purposeTo achieveThe development processing apparatus of the present inventionA transport path having a first, second, third, and fourth section that is continuous in the transport direction and is constructed by laying a transport body for transporting the substrate to be processed substantially horizontally. Transporting means for driving the transporting body independently for each of the first, second, third and fourth sections in order to transport the substrate on the transporting path, and a predetermined tact time (T_t), A substrate carry-in section for carrying the substrate onto the conveyance path, a development processing section for performing development processing on the substrate on the conveyance path, and a substrate carry-out section for carrying out the processed substrate from the conveyance path; The first speed control means for controlling the transport speed in the first section to the first speed, and the second speed for controlling the transport speed in the fourth section to a second speed lower than the first speed. 2 speed control means and the second section from when the front end in the substrate transport direction enters the second section until the rear end in the substrate transport direction enters the second section And a third speed control means for controlling the transport speed of the substrate to the first speed, and from when the leading edge of the substrate enters the third section until the trailing edge of the substrate enters the second section. During the fourth period, the fourth section controls the transport speed of the third section to the first speed. And when the rear end of the substrate enters the second section, or immediately after that, the respective transport speeds of the second section and the third section are simultaneously changed from the first speed to the first section. And a first speed switching means for switching to a speed of 2, and a transport speed of the second section is switched from the second speed to the first speed after the rear end of the substrate exits the second section. Second speed switching means and third speed switching for switching the transport speed of the third section from the second speed to the first speed after the rear end of the substrate has passed through the third section. Means.
[0011]
  In the substrate processing method, the substrate processing apparatus, the development processing method, or the development processing apparatus, the substrate transport speed is changed from the first speed in the first section to the second speed in the fourth section (first speed> first 2), the intermediate section provided between the first section and the fourth section is divided into the second section and the third section each having independent transport driving means, By selectively switching the transport speeds of the second and third sections to either the first speed or the second speed at a predetermined timing, respectively, the decelerating operation can be performed efficiently and safely in a minimum transport space. Can do.
[0012]
  According to a preferred aspect of the present invention, in the substrate processing method or the substrate processing apparatus, the tact time (T _t ), The length size (D) in the transport direction of the substrate, and the desired minimum substrate distance (d) in the transport direction, the lower limit moving speed (V _low ) And the second speed is set to the lower limit moving speed (V _low ) Set the speed above. In this case, the lower limit moving speed (V _low ) Is the tact time T _t Between the substrate length D and the minimum substrate distance d is given as a moving speed by a distance (D + d).
      V_low= (D + d) / T_t      (1)
[0013]
  According to another preferred embodiment, in the substrate processing method, the substrate processing apparatus, the development processing method, or the development processing apparatus, the substrate to be processed is paused at least once on the conveyance path, and a desired substrate is stopped or moved. The tact time (T _t ) And the maximum stop time (T _s ), The length size (D) in the transport direction of the substrate, and the desired minimum substrate distance (d) in the transport direction, the lower limit moving speed (V _low ) And the second speed is set to the lower limit moving speed (V _low ) Set the speed above. In this case, the lower limit moving speed (V _low ) Is the tact time T _t To stop time T _s Less time (T _t -T _s ) Is given as a moving speed by a distance (D + d) obtained by adding the substrate length D and the minimum substrate distance d.
      V_low= (D + d) / (T_t-T_s)
[0014]
  According to a preferred aspect, the substrate is moved from the predetermined position in the first section on the transport path to the lower limit moving speed (V _low ) Tact time (T _t ) The length of the second section is set so that the rear end of the substrate reaches the vicinity of the boundary between the second section and the third section when elapses. Further, in order to minimize the conveyance space for speed switching, a section obtained by adding the second section and the third section in the transport direction is preferably configured to have a size substantially equal to the length size of the substrate. May be.
[0027]
Further, according to a preferred aspect, the development stop unit stops the development in the first section, and the rinse processing unit supplies the rinse liquid to the substrate in the second section and / or the third section. A rinsing process is performed, and a drying process is performed by spraying a gas flow for drying on the substrate in the fourth section. The development stopping unit tilts the substrate at the second stop position and causes the developer to flow down from the substrate by gravity, or the substrate stopped at the second stop position is predetermined along the transport path. It may have a rinse treating part which supplies a rinse liquid while moving at the speed of.
[0028]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[0029]
FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example to which the developing method and the developing apparatus of the present invention can be applied. The coating and developing processing system 10 is installed in a clean room, and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be processed, and performs various processes such as cleaning, resist coating, pre-baking, developing, and post-baking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. Is. The exposure process is performed by an external exposure apparatus 12 installed adjacent to this system.
[0030]
In the coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is disposed at the center, and a cassette station (C / S) 14 and an interface station (I / F) are disposed at both ends in the longitudinal direction (X direction). ) 18.
[0031]
The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the system 10, and can accommodate up to four cassettes C that can accommodate a plurality of substrates C in a horizontal direction, for example, in the Y direction by stacking substrates G in multiple stages. A cassette stage 20 and a transport mechanism 22 for loading and unloading the substrate G with respect to the cassette C on the stage 20. The transport mechanism 22 has a means for holding the substrate G, for example, a transport arm 22a, and can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ. Delivery is now possible.
[0032]
In the process station (P / S) 16, the processing units are arranged in the order of the process flow or process on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the system longitudinal direction (X direction). More specifically, the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side includes a cleaning process unit 24, a first thermal processing unit 26, and The coating process section 28 and the second thermal processing section 30 are arranged in a horizontal row. On the other hand, in the downstream process line B from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C / S) 14 side, a second thermal processing unit 30, a development processing unit 32, and a decolorization process are provided. The unit 34 and the third thermal processing unit 36 are arranged in a horizontal row. In this line configuration, the second thermal processing unit 30 is located at the end of the upstream process line A and at the beginning of the downstream process line B, and straddles between both lines A and B. ing.
[0033]
An auxiliary transfer space 38 is provided between the process lines A and B, and a shuttle 40 that can horizontally place the substrate G in units of one sheet is bidirectional in the line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). Can be moved to.
[0034]
In the upstream process line A, the cleaning process unit 24 includes a scrubber cleaning unit (SCR) 42, and an excimer is disposed at a location adjacent to the cassette station (C / S) 10 in the scrubber cleaning unit (SCR) 42. A UV irradiation unit (e-UV) 41 is arranged. The cleaning unit in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 performs brushing cleaning or blow cleaning on the upper surface (surface to be processed) of the substrate G while transporting the LCD substrate G in the horizontal direction by roller transport or belt transport. It is like that.
[0035]
The first thermal processing unit 26 adjacent to the downstream side of the cleaning process unit 24 is provided with a vertical transfer mechanism 46 at the center along the process line A, and a plurality of units are arranged in multiple stages on both front and rear sides thereof. is doing. For example, as shown in FIG. 2, the upstream multi-stage unit section (TB) 44 includes a substrate passing pass unit (PASS) 50, dehydrating baking heating units (DHP) 52 and 54, and an adhesion unit. (AD) 56 are stacked in order from the bottom. Here, the pass unit (PASS) 50 is used to transfer the substrate G to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 side. In addition, a substrate passing pass unit (PASS) 60, cooling units (CL) 62 and 64, and an adhesion unit (AD) 66 are stacked in order from the bottom on the downstream multi-stage unit section (TB) 48. Here, the pass unit (PASS) 60 is for delivering the substrate G to the coating process unit 28 side.
[0036]
As shown in FIG. 2, the transport mechanism 46 includes a lift transport body 70 that can be moved up and down along a guide rail 68 that extends in the vertical direction, and a turn that can rotate or swivel in the θ direction on the lift transport body 70. It has a transport body 72 and a transport arm or tweezers 74 that can move back and forth in the front-rear direction while supporting the substrate G on the revolving transport body 72. A drive unit 76 for driving the lifting and lowering conveyance body 70 up and down is provided on the base end side of the vertical guide rail 68, and a driving unit 78 for driving the swiveling conveyance body 72 to rotate is attached to the lifting and lowering conveyance body 70. A drive unit 80 for advancing and retracting 74 is attached to the rotary transport body 72. Each drive

part

76,78,80 may be comprised by the electric motor etc., for example.
[0037]
The transport mechanism 46 configured as described above can move up and down or swivel at high speed to access any unit in the multistage unit sections (TB) 44 and 48 on both sides, and the shuttle on the auxiliary transport space 38 side. 40 can also deliver the substrate G.
[0038]
As shown in FIG. 1, the coating process unit 28 adjacent to the downstream side of the first thermal processing unit 26 includes a resist coating unit (CT) 82, a vacuum drying unit (VD) 84, and an edge remover unit (ER). 86 are arranged in a line along the process line A. Although not shown in the drawing, in the coating process section 28, a transport device is provided for loading and unloading the substrates G one by one in the order of the processes in these three units (CT) 82, (VD) 84, and (ER) 86. In each unit (CT) 82, (VD) 84, and (ER) 86, each process is performed in units of one substrate.
[0039]
The second thermal processing unit 30 adjacent to the downstream side of the coating process unit 28 has the same configuration as that of the first thermal processing unit 26, and a vertical type between the process lines A and B. , A multi-stage unit portion (TB) 88 is provided on the process line A side (last), and the other multi-stage unit portion (TB) 92 is provided on the process line B side (lead).
[0040]
Although not shown, for example, in the multi-stage unit section (TB) 88 on the process line A side, a pass unit (PASS) for substrate transfer is placed at the bottom, and a heating unit (PREBAKE) for pre-baking is placed thereon. For example, they may be stacked in three stages. In the multi-stage unit section (TB) 92 on the process line B side, a pass unit (PASS) for substrate transfer is placed at the bottom, and a cooling unit (COL) is stacked thereon, for example, one stage above it. In addition, prebaking heating units (PREBAKE) may be stacked in a two-stage stack, for example.
[0041]
The transport mechanism 90 in the second thermal processing unit 30 includes the coating process unit 28, the development process unit 32, and the substrate G through the pass units (PASS) of both the multistage unit units (TB) 88 and 92. In addition to delivering in units, the substrate G can also be delivered in units of sheets to the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38 and the interface station (I / F) 18 described later.
[0042]
In the downstream process line B, the development process unit 32 includes a so-called flat-flow development unit (DEV) 94 that performs a series of development processing steps while transporting the substrate G in a horizontal posture.
[0043]
A third thermal processing unit 36 is disposed downstream of the development process unit 32 with the decolorization process unit 34 interposed therebetween. The decoloring process unit 34 includes an i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96 for performing a decoloring process by irradiating the surface to be processed of the substrate G with i-line (wavelength 365 nm).
[0044]
The third thermal processing unit 36 has the same configuration as that of the first thermal processing unit 26 and the second thermal processing unit 30, and the vertical transport mechanism 100 along the process line B. A pair of multi-stage unit portions (TB) 98 and 102 are provided on both the front and rear sides.
[0045]
Although not shown in the figure, for example, in the upstream multi-stage unit section (TB) 98, a pass unit (PASS) is placed at the lowest stage, and a post-baking heating unit (POBAKE) is stacked in, for example, three stages. May be overlaid. In the downstream multi-stage unit section (TB) 102, a post-baking unit (POBAKE) is placed at the lowermost stage, and a substrate-passing / cooling unit (PASS / COL) for transferring and cooling the substrate is placed thereon. The heating unit (POBAKE) for post-baking may be stacked in two layers.
[0046]
The transport mechanism 100 in the third thermal processing section 36 includes i-line UV irradiation units (PASS) (PASS) and pass cooling units (PASS / COL) of both multi-stage unit sections (TB) 98 and 102, respectively. i-UV) 96 and cassette station (C / S) 14 and the substrate G can be transferred not only in units of one sheet, but also can be transferred in units of sheets to the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38. .
[0047]
The interface station (I / F) 18 includes a transfer device 104 for exchanging the substrate G with the adjacent exposure device 12, and a buffer stage (BUF) 106 and an extension / cooling stage (EXT / COL) around it. ) 108 and peripheral device 110 are arranged. A stationary buffer cassette (not shown) is placed on the buffer stage (BUF) 106. The extension / cooling stage (EXT / COL) 108 is a stage for transferring a substrate having a cooling function, and is used when the substrate G is exchanged with the process station (P / S) 16 side. For example, the peripheral device 110 may have a configuration in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are stacked vertically. The transfer device 104 includes a transfer arm 104 a that can hold the substrate G, and can transfer the substrate G to and from the adjacent exposure device 12 and each unit (BUF) 106, (EXT / COL) 108, (TITLER / EE) 110. It is like that.
[0048]
FIG. 3 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 14, the transport mechanism 22 takes out one substrate G from a predetermined cassette C on the stage 20, and the excimer of the cleaning process unit 24 of the process station (P / S) 16. It is carried into the UV irradiation unit (e-UV) 41 (step S1).
[0049]
In the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41, the substrate G is subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation (step S2). This UV cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface. After completion of the ultraviolet cleaning, the substrate G is moved to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 of the cleaning process unit 24 by the transport mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14.
[0050]
In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, as described above, the substrate G is brushed or blown onto the upper surface (surface to be processed) of the substrate G while being transported in a horizontal position in the horizontal direction by roller transport or belt transport. By performing cleaning, particulate dirt is removed from the substrate surface (step S3). After the cleaning, the substrate G is rinsed while being conveyed in a flat flow, and finally the substrate G is dried using an air knife or the like.
[0051]
The substrate G that has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is carried into the pass unit (PASS) 50 in the upstream multistage unit section (TB) 44 of the first thermal processing section 26.
[0052]
In the first thermal processing unit 26, the substrate G is rotated in a predetermined unit by the transport mechanism 46 in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) 50 to one of the heating units (DHP) 52 and 54, where it undergoes a dehydration process (step S4). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) 62 and 64, where it is cooled to a constant substrate temperature (step S5). Thereafter, the substrate G is transferred to an adhesion unit (AD) 56, where it is subjected to a hydrophobic treatment (step S6). After completion of the hydrophobic treatment, the substrate G is cooled to a constant substrate temperature by one of the cooling units (COL) 62 and 64 (step S7). Finally, the substrate G is moved to the pass unit (PASS) 60 belonging to the downstream multi-stage unit section (TB) 48.
[0053]
As described above, in the first thermal processing unit 26, the substrate G is interposed between the upstream multi-stage unit unit (TB) 44 and the downstream multi-stage unit unit (TB) 48 via the transport mechanism 46. You can come and go arbitrarily. The second and third

thermal processing units

30 and 36 can perform the same substrate transfer operation.
[0054]
The substrate G that has undergone a series of thermal or thermal processing as described above in the first thermal processing section 26 is adjacent to the downstream side from the pass unit (PASS) 60 in the downstream multistage unit section (TB) 48. Is moved to a resist coating unit (CT) 82 of the coating process unit 28.
[0055]
The substrate G is coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by a resist coating unit (CT) 82, for example, by spin coating, and immediately after that, it is subjected to a drying process by a reduced pressure drying unit (VD) 84 on the downstream side. Then, the unnecessary (unnecessary) resist on the peripheral edge of the substrate is removed by the edge remover unit (ER) 86 adjacent to the downstream side (step S8).
[0056]
The substrate G that has undergone the resist coating process as described above is a pass unit (PASS) belonging to the upstream multi-stage unit section (TB) 88 of the second thermal processing section 30 adjacent to the edge remover unit (ER) 86. Is passed on.
[0057]
Within the second thermal processing unit 30, the substrate G is rotated through a predetermined unit by the transport mechanism 90 in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (PREBAKE), where it is subjected to baking after resist coating (step S9). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL), where it is cooled to a constant substrate temperature (step S10). After that, the substrate G passes through the downstream side multistage unit (TB) 92 side pass unit (PASS) or without passing through the interface station (I / F) 18 side extension cooling stage (EXT COL). ) 108.
[0058]
In the interface station (I / F) 18, the substrate G is carried from the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 to the peripheral exposure device (EE) of the peripheral device 110, where the resist adhering to the peripheral portion of the substrate G is removed. After receiving an exposure for removal at the time of development, it is sent to the adjacent exposure apparatus 12 (step S11).
[0059]
In the exposure device 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Then, when the substrate G that has undergone pattern exposure is returned from the exposure apparatus 12 to the interface station (I / F) 18 (step S11), it is first carried into a titler (TITLER) of the peripheral device 110, where there is a predetermined on the substrate. Predetermined information is written in the part (step S12). Thereafter, the substrate G is returned to the extension / cooling stage (EXT / COL) 108. Transfer of the substrate G in the interface station (I / F) 18 and exchange of the substrate G with the exposure apparatus 12 is performed by the transfer device 104.
[0060]
In the process station (P / S) 16, the transport mechanism 90 receives the exposed substrate G from the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 in the second thermal processing unit 30, and the multi-stage unit unit on the process line B side (TB) The image is transferred to the development process unit 32 via the pass unit (PASS) in 92.
[0061]
In the development process unit 32, the substrate G received from the pass unit (PASS) in the multi-stage unit unit (TB) 92 is carried into the development unit (DEV) 94. In the developing unit (DEV) 94, the substrate G is conveyed in a flat flow manner toward the downstream side of the process line B, and a series of development processing steps of development, rinsing, and drying are performed during the conveyance (step S13).
[0062]
The substrate G that has undergone the development process in the development process unit 32 is carried into the decolorization process unit 34 adjacent to the downstream side, where it undergoes a decolorization process by i-line irradiation (step S14). The substrate G that has been subjected to the decoloring process is transferred to the pass unit (PASS) in the upstream multistage unit section (TB) 98 of the third thermal processing section 36.
[0063]
In the third thermal processing section 36, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (POBAKE), where it is subjected to post-baking (step S15). Next, the substrate G is transferred to a path cooling unit (PASS / COL) in the downstream multi-stage unit section (TB) 102, where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S16). The transport mechanism 100 transports the substrate G in the third thermal processing unit 36.
[0064]
On the cassette station (C / S) 14 side, the transport mechanism 22 receives and receives the substrate G that has completed all the steps of the coating and developing process from the pass cooling unit (PASS COL) of the third thermal processing unit 36. The substrate G is accommodated in any one cassette C (step S1).
[0065]
In the coating and developing processing system 10, the present invention can be applied to the developing unit (DEV) 94 of the developing process unit 32. Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a development unit (DEV) 94 will be described with reference to FIGS.
[0066]
4 and 5 schematically show the overall configuration of the developing unit (DEV) 94 according to an embodiment of the present invention. The developing unit (DEV) 94 includes a plurality of, for example, ten modules M that form a continuous conveyance path 112 extending in the horizontal direction (X direction) along the process line B.₁~ M_TenAre continuously arranged in a line.
[0067]
These modules M₁~ M_Ten1st module M located at the most upstream end₁Is provided with a carry-in section 114. Second module M₂Constitutes the introduction part 116. 3rd, 4th and 5th module M_Three, M_Four, M_FiveIs provided with a developing section 118. 6th module M₆Is provided with a first rinsing section 120 and a seventh module M₇Is provided with a second rinse section 122. 8th module M₈Is provided with a drying section 124. 9th module M₉Constitutes a sending unit 126. 10th module M at the end_TenIs provided with a carry-out section 128.
[0068]
The carry-in unit 114 has a plurality of lift pins 130 that can be moved up and down to receive a substrate G handed from an adjacent substrate transport mechanism (not shown) in a horizontal position and transfer it onto the transport path 112. The carry-out unit 128 also has a plurality of lift pins 132 that can be lifted and lowered to lift the substrate G in a horizontal posture and hand it over to an adjacent substrate transport mechanism (not shown).
[0069]
The introduction unit 116 forms a buffer region between the carry-in unit 114 and the developing unit 118. Each substrate G from the loading section 114_iIs conveyed to the developing unit 118 at a high speed through the introduction unit 116 at a stretch, and a tact time T set in advance is set._tSubsequent substrate G that is carried into carry-in section 114 after the elapse of time (for example, 60 seconds)._{i + 1}A sufficient spatial separation (distance interval) can be secured between the two. Further, even when the developer is scattered from the developing unit 118 to the upstream side of the conveyance, it stops at the introduction unit 116 and does not reach the carry-in unit 114 (does not contaminate).
[0070]
More specifically, the developing unit 118 is a module M._Three, M_FourAre provided with a first developer supply unit 134 and a second developer supply unit 136, respectively._FiveA liquid draining / rinsing part 138 is provided.
[0071]
The first developer supply unit 134 is used to supply (pile up) developer solution to the substrate G transported from the introduction unit 116 by a paddle method, and in the transport direction (X direction) above the transport path 112. One or a plurality of movable developer nozzles 140 are provided. In the illustrated example, the developer nozzle 140 is attached to a nozzle transport body 144 configured to be movable along a guide rail 142 extending in the transport direction, and the nozzle transport body 144 is transported in the transport direction by a drive mechanism (not shown). It is set as the structure moved to. A lifting mechanism (not shown) for moving the developer nozzle 140 up and down may be attached to the nozzle carrier 144.
[0072]
The second developer supply unit 136 is for additionally supplying or replenishing a new developer when the developer spills from the substrate G being transported, and above the transport path 112 at an appropriate position in the transport direction. One or a plurality of stationary type developer nozzles 146 are arranged.
[0073]
The developer nozzles 140 and 146 in each part have a long nozzle body that covers the substrate G from end to end in the left-right width direction (Y direction) of the transport path 112, and are formed in the nozzle body. The developer is discharged in a substantially strip shape or spray shape toward the substrate G on the transport path 112 from an infinite number of hole-shaped discharge ports or one or several slit-shaped discharge ports. If necessary, the developer nozzle 146 may be movable in the transport direction, or the second developer supply unit 136 may be omitted.
[0074]
The liquid draining / rinsing unit 138 is for removing the developing solution from the substrate G and stopping the development, and tilting the substrate G to tilt the substrate G backward or forward in the transport direction and to wash off the developing solution by gravity. A mechanism (not shown) and one or a plurality of rinse liquid nozzles 148 for spraying a rinse liquid onto the substrate G to wash away the developer are provided.
[0075]
In the illustrated example, the rinse liquid nozzle 148 is configured to be movable. More specifically, the rinsing liquid nozzle 148 is attached to the nozzle transport body 150 above the transport path 112, and the nozzle transport body 150 is moved along a guide rail 152 extending in the transport direction by a drive mechanism (not shown). It is configured. A lift mechanism (not shown) for moving the rinse liquid nozzle 148 up and down may be attached to the nozzle carrier 150. The rinsing liquid nozzle 148 has a long nozzle body that covers from the end to the end of the substrate G in the left-right width direction (Y direction) of the transport path 112, and has an infinite number of holes formed in the nozzle body. The rinsing liquid is discharged in a substantially strip shape or spray shape toward the substrate G on the transport path 112 from the discharge port or one or several slit-shaped discharge ports.
[0076]
The first rinsing section 120 and the second rinsing section 122 are for fully removing the developer, foreign matter, dirt, etc. from the substrate G, and are respectively long rinsing liquid nozzles 154 at appropriate positions in the transport direction. , 156 are arranged in a horizontal manner. Preferably, the rinse

liquid nozzles

154 and 156 may be arranged above and below the conveyance path 112 so as to clean not only the upper surface (device formation surface) but also the lower surface or the back surface of the substrate G. The configuration of each of the rinse

liquid nozzles

154 and 156 may be the same as or different from that of the rinse liquid nozzle 148.
[0077]
The drying unit 124 is for drying the substrate surface by wiping off the rinse liquid adhering to the substrate G after the rinsing process with a gas flow (for example, air), and is long at an appropriate position along the transport path 112. One or a plurality of air knives 158 are arranged horizontally. The air knives 158 may also be arranged above and below the conveyance path 112 so as to apply a gas flow to both the upper and lower surfaces of the substrate G. Preferably, as shown in FIG. 5, the air knife 158 is disposed so as to be inclined at an appropriate angle in the width direction (Y direction) of the transport path 112 so as to cover the substrate G from end to end. By such an oblique arrangement of the air knife 158, the rinse liquid adhering to the surface of the substrate G can be collected at the corners on the rear end side of the substrate and efficiently blown off.
[0078]
The delivery unit 126 forms a buffer area between the drying unit 124 and the carry-out unit 128. Substrate G that has undergone a series of development processes as described above_iThe substrate G that is temporarily stopped in the transport direction for unloading by the unloading unit 128 by being transported at a high speed from the sending unit 126 to the unloading unit 128._iAnd tact time T_tSubsequent substrate G that finishes development processing after_{i + 1}A sufficient spatial separation (distance interval) can be secured between the two.
[0079]
As shown in FIG. 4, the developing unit 118 and the rinsing

units

120 and 122 are provided with

pans

160 and 162 for collecting liquid that has fallen under the conveyance path 112, respectively.

Drainage pipes

164 and 166 are connected to drainage openings provided at the bottoms of these

pans

160 and 162, respectively. The drainage pipe 164 on the developing unit 118 side communicates with a developer circulation reuse system (not shown). The drainage pipes 166 on the side of the rinse

sections

120 and 122 communicate with a waste liquid treatment section (not shown).
[0080]
In the illustrated example, the boundary between the pan 160 on the developing unit 118 side and the pan 162 on the rinsing

units

120 and 122 side is set below the liquid draining / rinsing unit 138 of the developing unit 118. In the vicinity of this boundary portion, the developer or rinse liquid falling from the inclined substrate G by the liquid draining / rinsing portion 138 is selectively directed to the pan 160 and the rinse liquid to the pan 162, respectively. A drainage distribution means (not shown) is provided.
[0081]
FIG. 6 schematically shows a configuration of a flat flow conveying mechanism in the developing unit (DEV) 94. In the transport path 112, transport rollers or rollers 170 on which the substrate G can be placed substantially horizontally are laid at regular intervals along the process line B (FIG. 4).
[0082]
In this embodiment, the roller 170 on the conveyance path 112 is, for example, each module M.₁~ M_TenEach section is divided into a plurality of sections, and each section is driven independently. More specifically, each module M_nThe rollers 170 belonging to the section (n = 1 to 10) are drivingly connected to individual transport driving units 174 (n) via individual transmission mechanisms 172 (n). Each conveyance drive unit 174 (n) has, for example, an electric motor as a drive source. The roller 170 is rotated through the transmission mechanism 172 (n) by the driving force of the electric motor, and is substantially horizontal on the conveyance path 112. The substrate G in the posture is moved in the direction of the process line B by roller conveyance.
[0083]
The transfer control unit 176 is composed of, for example, a microcomputer, and individually controls the transfer drive units 174 (1) to 174 (10) in all sections in order to control each unit on the transfer path 112 and the entire substrate transfer operation. Give a signal. In order to increase the accuracy of the conveyance control, preferably, at least one sensor (not shown) for detecting the position of the substrate G on the conveyance path 112 is provided, and the output of each sensor is connected to the conveyance control unit 176. Has been. Further, the transport control unit 176 is also connected to the host computer 180 (FIG. 12) as a controller.
[0084]
Next, in this developing unit (DEV) 94, one substrate G_iA series of processing steps performed for the above will be described in the order of steps.
[0085]
[Step 1]
The carry-in unit 114 receives the substrate G from the adjacent substrate transport mechanism (not shown)._iIs received by the lift pins 130 almost horizontally, and then the lift pins 130 are lowered and the substrate G_iOn the transport path 112, that is, the module M₁It is transferred onto the inner roller 170. During this loading operation, the substrate G_iIs a predetermined time that is preset at a certain position (on the lift pin 130) in the transport direction, that is, the carry-in time T₁Pause only (for example, 15 seconds).
[0086]
[Step (2)]
Substrate G on transport path 112_iIs transferred, module M₁, M₂, M_ThreeSubstrate G immediately_iIs sent to the downstream side of conveyance, and the first moving speed V set in advance is set.₁(For example, 200 mm / s), the sheet is conveyed to the developing unit 118 through the introduction unit 116. And substrate G_iIs loaded into the first developer supply unit 134 of the developing unit 118, the module M_ThreeIs the substrate G_iStop the transport.
[0087]
[Step 3]
In the first developer supply unit 134, a predetermined stop time that is set in advance, that is, the liquid build-up time T₂During (for example, 13.2 seconds), the developer is discharged while moving the developer nozzle 140 at a predetermined speed in the transport direction or in the opposite direction._iA developing solution is applied to the entire upper surface of the liquid. At this time, the substrate G_iThe spilled developer is collected and collected in a developer pan 160 installed under the conveyance path 112. Substrate G_iThe developer nozzle 140 may be reciprocated once or a plurality of times in order to coat the developer on the top, and an arbitrary scanning pattern can be set in the recipe.
[0088]
[Step 4]
In the first developer supply section 134, the above liquid accumulation time T₂Module M_Three, M_Four, M_FiveSubstrate G_iIs immediately sent to the downstream side of the conveyance, and the preset second movement speed V₂(For example, 50.5 mm / s) and conveyed to the liquid drain / rinse unit 138. In the middle, when passing through the second developer supply unit 136, the developer is supplied to the moving substrate G from the developer nozzle 146. Substrate G_iIs loaded into the liquid drain / rinse section 138, the module M_FiveIs the substrate G_iStop moving.
[0089]
[Step 5]
In the liquid draining / rinsing unit 138, a predetermined stop time set in advance, that is, the liquid draining time T_ThreeDevelopment stop processing is performed during (for example, 20.2 seconds). First, the substrate tilting mechanism is activated and the substrate G_iIs converted from a horizontal posture to an inclined posture, and the substrate G_iThe developer above is poured off by gravity. Substrate G_iThe developer flowing down from the developer is collected on the developer pan 160 side by the drainage distribution means. On the other hand, at a suitable timing, preferably the substrate G_iWhen the tilt angle of the substrate G reaches the set value, the substrate G in the tilted state is moved while the rinse liquid nozzle 148 is moved at a predetermined speed in the transport direction or the opposite direction._iA rinse solution is supplied from above toward the substrate G_iReplace the top solution with rinse solution. At this time, the rinse liquid that has flowed down from the substrate G is collected on the rinse liquid pan 162 side by the drainage distribution means. Finally, the substrate tilting mechanism is_iReturn from the tilted position to the horizontal position.
[0090]
In this embodiment, the first developer supply unit 134 uses the substrate G._iThe development time T is the time from the start of liquid deposition of the developer to the start of liquid draining at the liquid drain / rinse section 138._gThis development time T_gIs also set in advance.
[0091]
[Step 6]
The above liquid draining time T at the liquid draining / rinsing unit 138_ThreeAfter elapse, modules M5 and M5₆Substrate G_iIs immediately sent to the downstream side of conveyance, and a preset third moving speed V_Three(For example, 50.5 mm / s), it is conveyed to the adjacent first rinse section 120. In this embodiment, as described in detail later, the substrate G_iModule M while passing through the first rinse section 120₆The transport mechanism of the third movement speed V_ThreeLower preset fourth moving speed V_FourDecelerate to (for example, 36.7 mm / s). In the first rinse section 120, the substrate G that moves on the transport path 112_iA rinse liquid is sprayed from the rinse liquid nozzle 154 to the upper and lower surfaces of the substrate G_iWash off the developer remaining or adhering to the surface. At this time, the substrate G_iThe rinse liquid that has flowed down from the liquid is collected in the rinse liquid pan 162.
[0092]
[Step 7]
Substrate G_iIs module M₆Module M after leaving₇, M₈, M₉Substrate G_iIs the fourth moving speed V_FourThen, the second rinse unit 122 and the drying unit 124 are passed through and conveyed to the delivery unit 126. The substrate G that moves on the transport path 112 also in the second rinse section 122_iThe same rinsing treatment as above is applied to. However, the moving speed V of the substrate G_FourIs relatively slow, so that the finish cleaning can be performed more carefully than the first rinse section 120. In the drying unit 124, the substrate G that moves on the transport path 112._iBy applying a knife-like sharp gas flow from the air knife 158 to the upper and lower surfaces of the substrate G,_iThe liquid adhering to the substrate (mainly rinse liquid) is removed to the back of the substrate. After all, substrate G_iMoving speed V_FourIs set to be slow so that the gas flow is increased to a large amount by the substrate G_iThe substrate surface can be thoroughly dried.
[0093]
[Step 8]
Substrate G_iComes to the sending section 126, the module M₉, M_TenSubstrate G_i4th moving speed V until then_FourTo the preset fifth high-speed moving speed V_Five(For example, 200 mm / s) and the substrate G up to the next carry-out unit 128_iSend at once.
[0094]
[Step (9)]
In the carry-out unit 128, the substrate G_iArrives, the lift pins 132 that have been waiting under the transport path 112 are pushed upward to raise the substrate G_iIs lifted in a horizontal position and transferred to the adjacent substrate transport mechanism (not shown). During this unloading operation, the substrate G_iIs a predetermined time set in advance at a certain position in the conveying direction (on the lift pin 132), that is, the unloading time T_FourYou will stay or pause for (for example 15 seconds).
[0095]
In the developing unit (DEV) 94, a series of processing processes of the above-described flat flow type are performed by a pipeline system with a tact time T_tA large number of substrates at time intervals of G_i, G_{i + 1}, G_{i + 2}Repeated for. What is required here is a substrate G that is in succession on the transport path 112._i, G_{i + 1}It is to optimize the processing contents in the process processing unit at each stage and to improve the throughput of the entire system to the maximum without causing a collision (a rear-end collision).
[0096]
FIG. 7 shows a single substrate G in the developing unit (DEV) 94._iShows the trajectory that moves on the transfer path 112 when the substrate G receives the above series of processing steps (1) to (9)._iThis is indicated by a front end position and a rear end position. The figure shows the following substrate G_{i + 1}The same locus is indicated by a dotted line. The transport distance J from the carry-in position (start point) to the carry-out position (end point position) is also set to a predetermined value (for example, 16900 mm).
[0097]
As described above, in step (1), the substrate G_iIs the loading time T at the loading section 114₁Pause in the transport direction for (for example, 15 seconds). In step (2), substrate G_iIs a high first moving speed V from the carry-in part 114 through the introduction part 116 to the first developer supply part 134.₁It moves at (for example, 200 mm / s). In step (3), substrate G_iIs the liquid developer time T in the first developer supply unit 134.₂Pause or stay for (eg 13.2 seconds). In step (4), substrate G_iThe second moving speed V is a medium speed from the first developer supply unit 134 to the liquid draining / rinsing unit 138.₂It moves at (for example, 50.5 mm / s). In step (5), substrate G_iThe liquid draining / rinsing part 138 is the liquid draining time T_ThreePause or stay for (eg 20.5 seconds). In step (6), substrate G_iIs a medium third speed V from the liquid drain / rinse section 138 to the first rinse section 120._Three(For example, 50.5 mm / s), the moving speed is changed to the third moving speed V when passing through the first rinse section 120._ThreeTo low 4th moving speed V_Four(For example, 36.7 mm / s). In step (7), substrate G_iIs the fourth moving speed V through the second rinse section 122 and the drying section 124 to the delivery section 126._FourMove with. In step (8), substrate G_iIs a high-speed fifth moving speed V from the sending part 126 to the carrying-out part 128._FiveIt moves at (for example, 200 mm / s). Finally, in step (8), the substrate G_iIs the unloading time T_FourAfter being temporarily stopped in the transport direction (for example, 15 seconds), it is carried out of the developing unit (DEV) 94.
[0098]
In the conveyance sequence of this example, the longest stop time is the liquid draining time T in the liquid draining / rinsing unit 138._Three(20.5 seconds), and the lowest moving speed is the fourth moving speed V from the first rinsing unit 120 to the sending unit 126._Four(36.7 mm / s).
[0099]
In this embodiment, the substrate G is provided at various points on the transport path 112 according to the processing contents of each process processing unit._iThere are many scenes where the operation is temporarily stopped or the conveyance speed is changed, and the conveyance sequence is relatively complicated. The problem here is that the substrate G with respect to the moving speed in the transport direction._iSince the length size (for example, 1200 mm) is large, the substrate G_iThere is a considerable difference in travel time between the front end position and the rear end position (20 seconds when the travel speed is 40 mm / s), and another substrate G on the same transport path 112._{i + 1}Is tact time T_tThe substrate G is stopped or decelerated if the transfer speed is set incorrectly._iSubstrate G coming later_{i + 1}May crash.
[0100]
As shown in FIG. 7, in the example of this embodiment, the first rinsing unit 120 uses the substrate G._i3rd moving speed V of medium speed_Three(For example, 50.5 mm / s) to the lowest fourth moving speed V_FourImmediately after switching to (36.7 mm / s), the substrate G_iSubstrate G immediately after the rear edge_{i + 1}However, since the transport speed is controlled in the safe zone according to the present invention, it does not reach the rear end.
[0101]
Here, with reference to FIGS. 8 to 11, the basic principle of the present invention relating to the substrate transport speed in the flat flow method will be described.
[0102]
[Basic Principle 1]
The length of the substrate G in the transport direction is D, and the tact time T on the transport path 112_tIf the substrate G is loaded at a time interval of, according to the first basic principle of the present invention, in order to avoid a rear-end collision when the substrate G is transported in a continuous movement without stopping once on the transport path 112. Minimum moving speed, that is, lower limit moving speed V_lowIs given by the following equation (1).
V_low= D / T_t (1)
[0103]
The first basic principle will be described with reference to FIG. The substrate G currently moving on the transport path 112_iIs time t_aAny position P_aIs located at this time t_aTo tact time T_tTime t after elapse of_cSubsequent substrate G_{i + 1}Is this position P_aWill move to time t_aTo time t_cSubstrate G during_iIs moved forward by at least the distance of the substrate length D, the position P_aLeave substrate G_{i + 1}The rear-end collision can be avoided. Therefore, the lower limit moving speed V for satisfying this condition_lowIs the tact time T_tIs given by the above equation (1) as the speed of movement by the distance of the substrate length D.
[0104]
However, in an ordinary flat flow system, in order to avoid the possibility of a rear-end collision as much as possible, an appropriate minimum substrate interval d is set on the transport path 112 and the previous substrate G_iSubstrate G after_{i + 1}Is less than the minimum substrate distance d. In this case, as shown in FIG. 9, the length D ′ (D + d) obtained by adding the minimum substrate distance d to the actual substrate length D may be regarded as the substrate length on conveyance, and instead of the above equation (1) The following formula (2) may be used.
V_low= (D + d) / T_t (2)
[0105]
[Basic Principle 2]
According to the second basic principle of the present invention, the substrate G is placed on the transport path 112 for an arbitrary time T._sLower limit moving speed V to avoid rear-end collision when only pausing_lowIs given by the following equation (3).
V_low= (D + d) / (T_t-T_s(3)
[0106]
FIG. 10 shows the minimum speed condition after the temporary stop. In order to simplify the description, the minimum substrate interval d is set to zero (d = 0). Now, an arbitrary position P on the transport path 112_aAt time t_aBoard G_iShall arrive. At this time t_aTo tact time T_tTime t_cSubsequent substrate G_{i + 1}Is this position P_aUntil the time t_aTo stop time T_sLater time t_bUp to board G_iIs the position P_aAt time t_bTo time t_cRemaining time until (T_t-T_s) Substrate G_iIs moved forward by at least the distance of the substrate length D, the stop position P_aSubsequent board G after leaving_{i + 1}The rear-end collision can be avoided. Therefore, the lower limit moving speed V for satisfying this condition_lowIs the tact time T_tTo stop time T_sLess time (T_t-T_s) Is given by the above equation (3) as the speed of movement by the distance of the substrate length D.
[0107]
FIG. 11 shows the minimum speed condition before the temporary stop. Similarly to the above, in order to simplify the description, the minimum substrate interval d is set to zero (d = 0). Now, time t_aThus, the substrate G moving on the transport path 112_iIs the stop position P_bPosition P before (upstream side) substrate length D from_aIs located. At this time t_aTo tact time T_tTime t after elapse of_cSubsequent substrate G_{i + 1}Is this position P_aAt this time board G_iIs at least the position P_aThe position ahead of the substrate length D, that is, the stop position P_bIf you have moved up to, you can avoid a rear-end collision. However, in this case, the substrate G_iIs the stop position P_bAt time T_sOnly at time t to crush (stop)_aAt the latest t_bStop position P by_bMust have arrived at. Therefore, the lower limit moving speed V for satisfying this condition_lowIs the tact time T_tTo stop time T_sLess time (T_t-T_s) Is also given by the above equation (3) as the speed of movement by the distance of the substrate length D.
[0108]
[Basic Principle 3]
According to the third basic principle of the present invention, the stop time T when the substrate G is temporarily stopped on the transport path 112._sIs tact time T_tMust be shorter. This principle is also derived from the above equation (3). That is, the stop time T_sThe lower the moving speed V the longer the is_lowIncreases and T_sIs T_tWhen approaching V_lowThis is a trivial principle, because it becomes so large that it is impossible to achieve.
[0109]
FIG. 12 shows the configuration of the control system in this embodiment. The input unit 178 is composed of, for example, an operation panel having a keyboard, a display, and the like, and inputs various setting values related to attributes (particularly size) of the substrate G and processing conditions. The host computer 180 stores the input condition setting value and the condition setting value obtained by a predetermined calculation process and other recipe information in a built-in memory, and the developing unit (DEV) according to the predetermined program and the condition setting value or recipe information. ) Centrally controls the operation of each process processing unit in 94, particularly the operation of the carry-in unit 114, the first developer supply unit 134,. FIG. 13 shows an example of condition setting values in this embodiment.
[0110]
In the flat flow system of this embodiment, the substrate G is temporarily stopped at least once on the transfer path 112 as described above, and therefore the second basic principle of the present invention is applied. In this case, the longest stop time T among the multiple pauses_sLower limit moving speed V obtained from_lowGoverns the minimum speed requirement for the entire system. In the above example (FIG. 13), temporary stop is performed at four locations of the carry-in unit 114, the first developer supply unit 134, the liquid drain / rinse unit 138, and the carry-out unit 128, among which the maximum stop time T_sIs the liquid draining time T in the liquid draining / rinsing section 138._Three(20.5 seconds). Therefore, the lower limit moving speed V from the above equation (3)._lowIs obtained as follows.

[0111]
This lower limit moving speed V_low(36.7 mm / s) is the fourth movement speed V when the substrate G is moved from the first rinse section 120 to the delivery section 126._FourIt is equal to the set value of. That is, the fourth moving speed V_FourThis means that the requirements of the second basic principle of the present invention are almost cleared. Therefore, as described above, the substrate G is near the first rinse portion 120._iSubstrate G at the rear end_{i + 1}Even if the front end of the substrate approaches, the approach distance does not become smaller than the minimum substrate distance d (20 mm / s).
[0112]
By the way, among the processing conditions in the developing unit (DEV) 94, the developing time T_gIs a condition that most affects the specifications or quality of the development process, and is a condition that is frequently and widely changed according to the type of developer and the number of recyclings. Such development time T_gAs described above in the description of step (5), for example, the first developer supply unit 134 uses the substrate G_iThe time from the start of the liquid deposition of the developing solution to the start of the liquid draining at the liquid draining / rinsing unit 138 may be used. Therefore, the development time T_gIs given, the moving speed during development, that is, the second moving speed V₂Temporary setting value V_DIs obtained from the following equation (5).
V_D= L / (T_g-T₂(5)
[0113]
Where T₂Is the above-described liquid build-up time, and L is the distance that the substrate G moves from the liquid build-up stop position of the first developer supply section 134 to the liquid discharge stop position of the liquid drain / rinse section 138.
[0114]
In the developing unit (DEV) 94, assuming that the moving distance L is 2868 mm, for example, in the setting example of FIG._gIs 60 seconds, liquid filling time T₂Is 13.2 seconds, the second moving speed V obtained from the above equation (5)₂Temporary setting value V_DIs as follows.

[0115]
This second moving speed V₂Temporary setting value V_DIs the lower limit moving speed V_lowIt is larger than (36.7 mm / s) and satisfies the requirements of the second basic principle of the present invention. Therefore, in the host computer 180, this temporary setting value V_DMay be registered as a regular set value and used for actual conveyance control.
[0116]
However, development time T_gIs set to 78 seconds, for example, the second moving speed V obtained from the above equation (3)₂Temporary setting value V_DIs 36.5 mm / s, the lower limit moving speed V_lowIt becomes lower than (36.7 mm / s), and the requirement of the second basic principle of the present invention is not satisfied. In this case, the host computer 180 makes this setting value V through the display._DWarns that it is unsuitable for the development time T_gRequest reset input or lower limit movement speed V_lowDevelopment time T corresponding to_gIn other words, an interlock may be applied so that an input value exceeding the upper limit developing time that satisfies the condition of the second basic principle of the present invention is not accepted. Of course, the value of the upper limit development time may be displayed and output. Moreover, the liquid filling time T₂The same setting input process as described above can be performed.
[0117]
As described above, in this embodiment, a plurality of substrates to be processed on the transport path 112._i, G_{i + 1}, ... is the desired tact time T_tIn the developing unit (DEV) 94 that sequentially conveys the substrate G, including at least one temporary stop, and performs a series of development processing steps on the substrate G that is stopped or moved on the conveyance path 112, the tact time T_tAnd the maximum stop time T of the stop time during which the substrate G is temporarily stopped_sAnd the lower limit moving speed V of the substrate G based on the length size D in the transport direction of the substrate and the desired minimum substrate distance d in the transport direction._lowAnd the lower limit moving speed V is the speed at which the substrate G is moved on the transport path 112._lowSet the speed above. According to the transport speed control, the substrate length D and the tact time T_t, Minimum board interval d, maximum stop time T_sWhen desired values are set for each of the above conditions from the viewpoint of workpiece (substrate) specifications, throughput, footprint, etc., the substrate G is moved at an appropriate speed in accordance with the set values, and the substrates that follow each other G_i, G_{i + 1}A rear-end collision can be reliably prevented.
[0118]
Also, development time T_gAnd liquid filling time T₂(Developer supply time T_a) And the movement distance L during development, that is, the movement speed during development, that is, the second movement speed V.₂Temporary setting value V_DTo obtain a temporary set value V_DIs the lower limit movement speed V_lowIn this case, since this is adopted as a regular set value, a desired development processing quality can be obtained at a substrate moving speed that can avoid a substrate collision accident.
[0119]
Next, a mechanism and a transport control method for safely and efficiently decelerating the moving speed of the substrate G in this embodiment will be described. As described above, in the development unit (DEV) 94, the substrate G_iModule M while passing through the first rinse section 120₆The transport mechanism changes the moving speed to the third moving speed V_Three(50.5 mm / s) to 4th moving speed V_FourDecelerate to (36.7 mm / s). In that case, the substrate G_iSubsequent substrate G_{i + 1}In addition to avoiding rear-end collision, both boards G_i, G_{i + 1}Must be given a set movement speed according to each movement position. Movement speed after deceleration (V_Four) Is the lower limit movement speed V_lowIf the distance between the substrates is low and the minimum substrate distance d is small, both substrates G_i, G_{i + 1}Both substrates G_i, G_{i + 1}It is very difficult to give different set moving speeds simultaneously. In this embodiment, this problem is solved as shown in FIGS.
[0120]
As shown in FIG. 14, a module M provided with a first rinse section 120 for switching the speed of deceleration.₆Is the preceding section M in the transport direction._6aAnd latter section M_6aDivided into two and both transport sections M_6a, M_6b6 is connected to individual transport driving units 174 (6a) and 174 (6b) via individual transmission mechanisms 172 (6a) and 172 (6b), respectively, by the mechanism shown in FIG. Preferably, both transport sections M in the transport direction_6a, M_6b, The module M₆The section length may be substantially the same as the substrate length D. Each conveyance section M_6a, M_6bSection length E_a, E_bThe position H of the boundary between both sections will be described in detail later with reference to FIG.
[0121]
A speed switching control method for deceleration in this embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 14A, the substrate G is conveyed on the transport path 112._iIs module M_FivePredetermined position (liquid removal stop position) P_FiveTo conveyance speed V_ThreeThen, it enters the section of module M6. At this time, module M₆Preceding section M_6aAnd rear section M_6bAs shown in (A) of FIG._6a, M_6bIncoming substrate G_iTransport speed V_ThreeIn order to meet. Thus, the substrate G_iIs module M₆(M_6a, M_6b) Conveying speed V until it completely enters the section_ThreeCome on. And substrate G_iIs the whole module M₆(M_6a, M_6bAs shown in FIG. 14C, both transport sections M are almost simultaneously entered._6a, M_6bThe transport mechanism of the previous transport speed V_ThreeTo low transfer speed V_FourAt the same time. On the other hand, module M₇In this section, the transport speed in this section is set to the transport speed V at this time or regularly at the latest._FourIt keeps in. Thus, module M₆(M_6a, M_6b), M₇Substrate G_iIs module M₆(M_6a, M_6b) Transport speed V_FourIn module M₇It is sent to the section.
[0122]
Then, as shown in FIG._iThe rear end is module M₆Preceding section M_6aWhen exiting the previous section M_6aThe transport speed is the transport speed V_FourTo conveyance speed V_ThreeCan be switched to. As a result, as shown in FIG._FiveModule M from the section₆Preceding section M_6aSubsequent substrate G entering_{i + 1}The previous board G_iSame transport speed as forV _ThreeCan be greeted by On the other hand, substrate G_iThe rear end is module M₆Rear section M_6bAfter exiting, at this point or immediately after,_6bIs the fourth transport speed V_FourTo 3rd transport speed V_ThreeCan be switched to. Thereby, as shown in FIG. 14E, the preceding section M of the module M6_6aTo latter section M_6bSubsequent substrate G entering_{i + 1}The previous board G_iSame as for3Transport speedV _ThreeCan be greeted by After that, the previous substrate G_iThe same operation as for is repeated in each part.
[0123]
Thus, in this embodiment, the module M set to a section length substantially equal to the substrate length D.₆The preceding section M in which the speed can be controlled independently in the transport direction._6aAnd latter section M_6bDivided into two and both sections M_6a, M_6bThe third transport speed V is determined at a predetermined timing._ThreeOr 4th transport speed V_FourBy selectively switching to any one of the above, the substrate transfer speed can be reduced efficiently with minimal transfer space and without a rear-end collision._lowIt can decelerate to the above desired value.
[0124]
In such deceleration speed control, both sections M_6a, M_6bOne (usually the previous section M_6a) Previous board G_iIs the fourth moving speed V_FourSubsequent substrate G in the section during feeding_{i + 1}Is the third moving speed V_ThreeIt is necessary to avoid the situation of simultaneous entry. When such a simultaneous entry occurs, the subsequent substrate G_{i + 1}Is the fourth moving speed V at the front of the substrate_FourAt the same time as the rear part of the substrate is moved at the third moving speed V_ThreeTherefore, stable roller conveyance cannot be performed. In this embodiment, module M₆Preceding section M at_6aAnd latter section M_6bThe above-mentioned problem is solved by setting the boundary position H between the two as follows.
[0125]
That is, as shown in FIG._iIs module M₆4th moving speed V from the state completely entering in the section of_FourAnd the rear end of the board is module M₆Preceding section M_6aSubsequent board G before leaving_{i + 1}Is still preceding section M_6aIf you do not come in. The most severe situation where this condition is satisfied is the fourth moving speed V after deceleration._FourIs the lower limit movement speed V_lowAnd the third moving speed V before deceleration_ThreeIs the fourth moving speed V_FourThis is a slightly higher case. In this case, the substrate G_iThe rear end is the fourth moving speed V_FourAt the previous section M_6aBoard G at the same time_{i + 1}The third moving speed V with the front end of the substrate sandwiching the minimum substrate interval d_ThreeAt the previous section M_6aBecause it comes in, at this moment the previous section M_6aIs the fourth moving speed V_FourTo 3rd moving speed V_ThreeSwitch to. Substrate G at this time_iThe rear end position is the subsequent substrate G_{i + 1}Current position of module M_FiveSubstrate stop position P in the section_FiveTo substrate G_iIs approximately the lower limit moving speed V_lowTact time T at a moving speed equal to_tSubstrate G when moved over_iCan be obtained as the rear end position of the two sections M_6a, M_6bThe boundary position H can be determined. In the case of the above setting example, the substrate length D = 1250 mm, the minimum substrate distance d = 20 mm, the tact time T_t= 60 seconds, lower limit moving speed V_low= 36.7 mm / s, so module M₆Preceding section M_6aAnd rear section M_6bEach section length E_a, E_bIs E_a= 932mm, E_b= 318 mm.
[0126]
The configuration of each unit in the development unit (DEV) 92 according to the above-described embodiment is an example, and various modifications can be made to each process processing unit such as a developer supply unit, a rinse unit, and a drying unit. In the above-described embodiment, the conveyance path 112 is configured as a roller conveyance type. However, the conveyance path 112 may be configured as a belt conveyance type in which a pair of belts are laid in a horizontal direction with a certain interval therebetween.
[0127]
Although the above-described embodiment relates to the development unit or the development processing apparatus, the present invention can also be applied to a substrate processing apparatus other than the development processing apparatus. For example, in the coating development processing system as described above, scrubber cleaning The present invention can also be applied to a flat flow device of the unit (SCR) 42. The substrate to be treated in the present invention is not limited to an LCD substrate, and various substrates for flat panel displays, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.
[0128]
【The invention's effect】
As described above, according to the substrate processing method, the substrate processing apparatus, the development processing method, or the development processing apparatus of the present invention, it is possible to efficiently and safely reduce the transport speed of the substrate on the flat-flow transport path.it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a coating and developing treatment system to which the present invention is applicable.
FIG. 2 is a side view showing a configuration of a thermal processing section in the coating and developing processing system.
FIG. 3 is a flowchart showing a processing procedure in the coating and developing processing system.
FIG. 4 is a front view illustrating an overall configuration of a developing unit in the embodiment.
FIG. 5 is a plan view showing an overall configuration of a developing unit in the embodiment.
FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a configuration of a transport mechanism in the developing unit of the embodiment.
FIG. 7 is a diagram illustrating a trajectory in which one substrate moves on a conveyance path in the developing unit of the embodiment.
FIG. 8 is a diagram for explaining a first basic principle of the present invention.
FIG. 9 is a diagram illustrating an example in which a minimum substrate interval is set between adjacent substrates on a transport path.
FIG. 10 is a diagram for explaining a second basic principle (moving speed after temporary stop) of the present invention.
FIG. 11 is a diagram for explaining a second basic principle (movement speed before temporary stop) of the present invention.
FIG. 12 is a plan view showing a system configuration of a control system in the developing unit of the embodiment.
FIG. 13 is a diagram illustrating a setting example of various setting conditions in the developing unit of the embodiment.
FIG. 14 is a diagram for explaining deceleration speed switching control in the embodiment;
FIG. 15 is a diagram illustrating a method for setting a deceleration section.
[Explanation of symbols]
10 Coating and developing system
16 (P / S) process station
94 (DEV) Development unit
114 carry-in part
116 Introduction
118 Development Section
120 First rinse section
122 Second rinse section
124 Drying section
126 Sending part
128 Unloading part
134 First developer supply unit
136 Second developer supply unit
138 Liquid drainer / Rinse section
140,146 Developer nozzle
148,154,156 rinse liquid nozzle
158 Air knife
170 roller
172 Transmission mechanism
174 Transport drive unit
176 Transport control unit
178 input section
180 Host computer

Claims

A substrate processing method of sequentially transferring a plurality of substrates to be processed on a transfer path at a desired tact time (T _t ), and performing a desired process on the substrate on the transfer path,
The first, second, third and fourth sections that are continuous in the transport direction in the transport path are provided in this order, and the transport speed of each of the sections can be independently set or controlled,
The conveyance speed of the first section is set to the first speed,
The conveyance speed of the fourth section is set to a second speed lower than the first speed,
Between the time when the front end in the substrate transport direction enters the second section and the time when the rear end in the substrate transport direction enters the second section, the transport speed of the second section is set to the first section. Control to the speed of
From the time when the leading edge of the substrate enters the third section until the trailing edge of the substrate enters the second section, the transport speed of the third section is controlled to the first speed,
When the rear end of the substrate enters the second section, or immediately after that, the transport speeds of the second section and the third section are simultaneously switched from the first speed to the second speed. ,
After the rear end of the substrate exits the second section, the transport speed of the second section is switched from the second speed to the first speed;
The substrate processing method which switches the conveyance speed of the said 3rd area from the said 2nd speed to the said 1st speed after the rear end of the said board | substrate leaves the said 3rd area.

Determining the lower limit moving speed (V _low ) of the substrate based on the tact time (T _t ), the length size (D) in the transport direction of the substrate, and the desired minimum substrate interval (d) in the transport direction;
The substrate processing method according to claim 1, wherein the second speed is set to a speed equal to or higher than the lower limit moving speed (V _low ).

The substrate processing method according to claim 2, wherein the lower limit moving speed (V _low ) is obtained by the following equation (1).
V _low = (D + d) / T _t (1)

Suspending the substrate to be processed on the transport path at least once, and performing desired processing on the substrate that is stopped or moving,
Based on the tact time (T _t ), the maximum stop time (T _s ) during which the substrate is temporarily stopped, the length size (D) in the transport direction of the substrate, and the desired minimum substrate interval (d) in the transport direction. To determine the lower limit moving speed (V _low ) of the substrate,
The substrate processing method according to claim 1, wherein the second speed is set to a speed equal to or higher than the lower limit moving speed (V _low ).

The substrate processing method according to claim 4, wherein the lower limit moving speed (V _low ) is obtained by the following formula (2).
V _low = (D + d) / (T _t −T _s ) (2)

When the substrate is transported from the predetermined position in the first section on the transport path at the lower limit moving speed (V _low ), the rear end of the substrate is positioned in the second section when the tact time (T _t ) has elapsed. The substrate processing method according to claim 2, wherein a length of the second section is set so as to reach a vicinity of a boundary between the first section and the third section.

The board | substrate as described in any one of Claims 1-6 by which the area which added the said 2nd area and the said 3rd area in the conveyance direction is comprised in the size substantially equal to the length size of the said board | substrate. Processing method.

A transport path having a first, a second, a third, and a fourth section, which are formed by laying a transport body for transporting a substrate to be processed substantially horizontally in a horizontal direction, and continuous along the transport direction;
Transport driving means for driving the transport body independently for each of the first, second, third and fourth sections in order to transport the substrate on the transport path;
A carry-in section for carrying the substrate onto the transfer path at a predetermined tact time (T _t );
A processing unit for performing a predetermined process on the substrate on the transport path;
An unloading section for unloading the processed substrate from the transport path;
First speed control means for controlling the transport speed of the first section to a first speed;
Second speed control means for controlling the transport speed of the fourth section to a second speed lower than the first speed;
Between the time when the front end in the substrate transport direction enters the second section and the time when the rear end in the substrate transport direction enters the second section, the transport speed of the second section is set to the first section. Third speed control means for controlling to a speed of
During the period from when the leading edge of the substrate enters the third section until the trailing edge of the substrate enters the second section, the transport speed of the third section is controlled to the first speed. 4 speed control means;
When the rear end of the substrate enters the second section or immediately after that, the transport speeds of the second section and the third section are simultaneously switched from the first speed to the second speed. First speed switching means;
Second speed switching means for switching the transport speed of the second section from the second speed to the first speed after the rear end of the substrate exits the second section;
And a third speed switching means for switching the transport speed of the third section from the second speed to the first speed after the rear end of the substrate exits the third section.

Lower limit movement for _obtaining a lower limit movement speed (V _low ) of the substrate based on the tact time (T _t ), the length size (D) in the conveyance direction of the substrate, and a desired minimum substrate interval (d) in the conveyance direction. Speed calculation means;
The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising: a moving speed control unit that controls the second speed to a speed equal to or higher than the lower limit moving speed (V _low ).

The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the lower limit moving speed calculating means calculates the following expression (3) to obtain the lower limit moving speed (V _low ).
V _low = (D + d) / T _t (3)

Stop means for temporarily stopping the substrate for a predetermined stop time at one or a plurality of stop positions set on the transport path;
Based on the takt time (T _t ), the maximum stop time (T _s ) during which the substrate is temporarily stopped, the length size (D) in the transport direction of the substrate, and the desired minimum substrate interval (d) in the transport direction. A lower limit movement speed calculating means for obtaining a lower limit movement speed (V _low ) of the substrate;
The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising: a moving speed control unit that controls the second speed to a speed equal to or higher than the lower limit moving speed (V _low ).

The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the lower limit moving speed calculating means calculates the following expression (4) to obtain the lower limit moving speed (V _low ).
V _low = (D + d) / (T _t −T _s ) (4)

When the substrate is transported at the lower limit moving speed (V _low ) from a predetermined position in the first section on the transport path, the rear end of the substrate is positioned in the second section when the tact time (T _t ) has elapsed. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein a length of the second section is set so as to reach a vicinity of a boundary between the first section and the third section.

The substrate according to any one of claims 8 to 13, wherein a section obtained by adding the second section and the third section in the transport direction is configured to have a size substantially equal to a length size of the substrate. Processing equipment.

A development processing method of sequentially transporting a plurality of substrates to be processed on a transport path at a desired tact time (T _t ), and performing development processing on the substrate on the transport path,
The first, second, third and fourth sections that are continuous in the transport direction in the transport path are provided in this order, and the transport speed of each of the sections can be independently set or controlled,
The conveyance speed of the first section is set to the first speed,
The conveyance speed of the fourth section is set to a second speed lower than the first speed,
Between the time when the front end in the substrate transport direction enters the second section and the time when the rear end in the substrate transport direction enters the second section, the transport speed of the second section is set to the first section. Control to the speed of
From the time when the leading edge of the substrate enters the third section until the trailing edge of the substrate enters the second section, the transport speed of the third section is controlled to the first speed,
When the rear end of the substrate enters the second section, or immediately after that, the transport speeds of the second section and the third section are simultaneously switched from the first speed to the second speed. ,
After the rear end of the substrate exits the second section, the transport speed of the second section is switched from the second speed to the first speed;
A development processing method for switching the conveyance speed of the third section from the second speed to the first speed after the rear end of the substrate exits the third section.

The tact time (T _t ), the maximum stop time (T _S ) during which the substrate temporarily stops on the transport path, the length size (D) in the transport direction of the substrate, and the desired minimum substrate interval (d ) And the lower limit moving speed (V _low ) of the substrate is determined,
The development processing method according to claim 15, wherein the second speed is set to a speed higher than the lower limit moving speed (V _low ).

The development processing method according to claim 16, wherein the lower limit moving speed (V _low ) is obtained by the following formula (5).
V _low = (D + d) / (T _t −T _s ) (5)

When the substrate is transported from the predetermined position in the first section on the transport path at the lower limit moving speed (V _low ), the rear end of the substrate is positioned in the second section when the tact time (T _t ) has elapsed. The development processing method according to any one of claims 15 to 17, wherein a length of the second section is set so as to reach a vicinity of a boundary between the first section and the third section.

19. The development processing according to claim 15, wherein a section length obtained by adding the second section and the third section in the transport direction is set to a size substantially equal to a length size of the substrate. Method.

The development stop process is performed in the first section, the cleaning rinse liquid is supplied to the substrate in the second section and / or the third section, and the fourth section is performed. The development processing method according to any one of claims 15 to 19, wherein a process of spraying a drying gas onto the substrate is performed in the section.

A transport path having a first, a second, a third, and a fourth section, which are formed by laying a transport body for transporting a substrate to be processed substantially horizontally in a horizontal direction, and continuous along the transport direction;
Transport driving means for driving the transport body independently for each of the first, second, third and fourth sections in order to transport the substrate on the transport path;
A substrate carry-in section for carrying the substrate onto the transfer path at a predetermined tact time (T _t );
A development processing unit for performing development processing on the substrate on the conveyance path;
A substrate unloading section for unloading the processed substrate from the transport path;
First speed control means for controlling the transport speed of the first section to a first speed;
Second speed control means for controlling the transport speed of the fourth section to a second speed lower than the first speed;
Between the time when the front end in the substrate transport direction enters the second section and the time when the rear end in the substrate transport direction enters the second section, the transport speed of the second section is set to the first section. Third speed control means for controlling to a speed of
During the period from when the leading edge of the substrate enters the third section until the trailing edge of the substrate enters the second section, the transport speed of the third section is controlled to the first speed. 4 speed control means;
When the rear end of the substrate enters the second section or immediately after that, the transport speeds of the second section and the third section are simultaneously switched from the first speed to the second speed. First speed switching means;
Second speed switching means for switching the transport speed of the second section from the second speed to the first speed after the rear end of the substrate exits the second section;
And a third speed switching unit configured to switch the transport speed of the third section from the second speed to the first speed after the rear end of the substrate passes through the third section.

The tact time (T _t ), the maximum stop time (T _S ) for stopping the substrate on the transport path, the length size (D) in the transport direction of the substrate, and the desired minimum substrate distance (d) in the transport direction A lower limit moving speed calculating means for obtaining a lower limit moving speed (V _low ) of the substrate based on
The development processing apparatus according to claim 21, further comprising: a moving speed control unit that controls the second speed to a speed equal to or higher than the lower limit moving speed (V _low ).

_23. The development processing apparatus according to claim 22, wherein the lower limit moving speed calculation means calculates the following expression (6) to obtain the lower limit moving speed (V _low ).
V _low = (D + d) / (T _t −T _s ) (6)

When the substrate is transported from the predetermined position in the first section on the transport path at the lower limit moving speed (V _low ), the rear end of the substrate is positioned in the second section when the tact time (T _t ) has elapsed. The development processing apparatus according to any one of claims 21 to 23, wherein a length of the second section is set so as to reach a vicinity of a boundary between the first section and the third section.

25. The development according to any one of claims 21 to 24, wherein a section obtained by adding the second section and the third section in the transport direction is configured to have a size substantially equal to a length size of the substrate. Processing equipment.

The development processing apparatus according to any one of claims 21 to 25, wherein the development stop unit stops the development within the first section.

27. The development processing apparatus according to claim 21, further comprising a rinsing processing unit that supplies a rinsing liquid to the substrate in the second section and / or the third section.

28. The development processing apparatus according to claim 21, further comprising a drying processing unit that blows a gas flow for drying on the substrate in the fourth section.