JP3976902B2 - Plasma processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ICP(Inductive Coupled Plasuma 、誘導結合型プラズマ)を用いた真空処理装置に関し、特にそのプラズマ導入窓構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のICPを用いた真空処理装置においては、図3に示すように、ICPの導入部に使用している石英板あるいはアルミナ板からなる石英窓21(本明細書では、アルミナ板から成る場合も石英窓と称する)は、真空容器の上蓋22上にシール材23を介して配設されている。この石英窓21を加熱する平板ヒータ24は石英窓21上に設置されるとともにその外周の数箇所が固定用ブロック25によって石英窓21と共締めされることによって、石英窓21に押さえ込まれて両者が密着されている。
【0003】
また、石英窓21の上部に配設されるコイルは、図4に示すように、1重のスパイラルコイル26から成り、このスパイラルコイル26と平板ヒータ24との間に絶縁板27を介装して、このスパイラルコイル26にて絶縁板27を介して平板ヒータ24を石英窓21に押し付けるように構成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成では、真空容器内を真空引きすると、石英窓21の中央部がわずかに下方に撓んで石英窓21が平板ヒータ24から離れ、石英窓21の均熱性が良くないという問題があった。また、それを解消するために上記のようにスパイラルコイル26にて平板ヒータ24を石英窓21に押し付けるようにしているが、十分に効果を発揮できず、石英窓21の撓みによってやはり平板ヒータ24との接触が不均一になり、その熱応力によって絶縁板27の破損が多発するという問題があった。
【0005】
また、平板ヒータ24の中央部を石英窓21に向けて押し付ける手段を設けることも考えられるが、1重のスパイラルコイル26の隙間は狭いために、中央部に平板ヒータ24を押さえるための機構を取付けると、プラズマ密度が不均一になるなどの問題が発生する。
【0006】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、真空容器内を真空引きしたときにも石英窓とヒータの密着を確保できて石英窓の均熱性を向上できるプラズマ導入窓を備えたプラズマ処理装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、石英窓の上面にヒータを配置し、その上部に多重のスパイラルコイルを配設し、ヒータの中央付近における多重のスパイラルコイルを避けた位置にヒータを石英窓に向けて押圧する手段を配設したものであり、真空引きによって石英窓にたわみを生じても石英窓とヒータの密着性を確保でき、石英窓の均熱性を向上することができる。また、従来のヒータ上の絶縁板が不要になるため、ヒータからの熱が不均一に伝導するために生じる熱応力による絶縁板の破損の問題も無くすことができる。
【0008】
また、真空容器の上蓋を上下に2分割し、上蓋下部上にシール材を介して石英窓を配設し、上蓋上部の下面にヒータを吊り下げ装着するとともに、ヒータの外周部と石英窓の上部に配設された多重のスパイラルコイルを避けた中央付近に、ヒータを石英窓に向けて押圧する圧縮ばねを配設すると、ヒータの外周部及び中央付近を圧縮ばねにて石英窓に押し付けるので、ヒータの外周部も拘束せずに全面を石英窓に確実にかつ均一に密着させることができ、一層均熱性を向上することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のICPタイプのプラズマ処理装置の一実施形態について、図1、図2を参照して説明する。ICPタイプのプラズマ処理装置は、放電コイル(多重のスパイラルコイル)11に高周波電圧を印加することによって真空容器内にプラズマを発生させるものである。
【0010】
図1において、真空容器の上蓋3は上下に2分割されて上蓋下部4と上蓋上部5にて構成されており、石英板あるいはアルミナ板から成る石英窓1は上蓋下部4上にOリングなどのシール材2を介して設置されている。
【0011】
6は平板ヒータで、内部の金属製ヒータエレメントの上下にあるマイカなどでできた絶縁物の厚みを増すことによりその厚みを増して剛性を持たせている。この平板ヒータ6は上蓋上部5の下面に吊り下げ状態で装着されている。具体的には、平板ヒータ6の外周部がボルト7にて吊り下げ状態で装着され、圧縮ばね8にて下方に向けて押圧付勢されている。また、平板ヒータ6の中央付近には上方に長く延びるガイドシャフト9の下端部が結合され、このガイドシャフト9が圧縮ばね10にて下方に向けて押圧付勢されている。ボルト7及びカイドシャフト9は、アルミナ製又は周囲をアルミナなどの絶縁体のカバーで覆って構成されており、またボルト7及びガイドシャフト9の頭部が内部に納まるように平板ヒータ6の下面に座ぐりが形成されている。
【0012】
また、平板ヒータ6の上方には、図2に示すような多重のスパイラルコイル11が配設され、上記ガイドシャフト9及び圧縮ばね10はこの多重のスパイラルコイル11を避けて配設されている。
【0013】
以上の構成によると、真空容器内の真空引きによって石英窓1が撓んでも圧縮ばね8、10の圧縮反力で平板ヒータ6の外周部と中央付近が石英窓1に押し付けられているので追従して上下に移動し、石英窓1と平板ヒータ6の密着状態が保たれる。このように石英窓1と平板ヒータ6の密着性がよくなって、石英窓1の均熱性を増すことができる。
【0014】
また、多重のスパイラルコイル11に平板ヒータ6を石英窓1に押し付けるという機能を持たせる必要がないので、多重のスパイラルコイル11と平板ヒータ6を離すことができ、従来必要であった絶縁板27が不要になり、平板ヒータ6からの熱が不均一に伝導するために生じる熱応力による絶縁板27の破損の問題も無くすことができる。
【0015】
【発明の効果】
本発明によれば、以上のように石英窓の上面にヒータを配置し、その上部に多重のスパイラルコイルを配設し、ヒータの中央付近における多重のスパイラルコイルを避けた位置にヒータを石英窓に向けて押圧する手段を配設したので、真空引きによって石英窓にたわみが生じても石英窓とヒータの密着性がよく、石英窓の均熱性を向上することができる。また、従来ヒータ上に配設されていた絶縁板が不要になるため、それが破損するという問題も無くすことができる。
【0016】
また、真空容器の上蓋を上下に2分割し、上蓋下部上にシール材を介して石英窓を配設し、上蓋上部の下面にヒータを吊り下げ装着するとともに、ヒータの外周部と石英窓の上部に配設された多重のスパイラルコイルを避けた中央付近に、ヒータを石英窓に向けて押圧する圧縮ばねを配設すると、ヒータの外周部及び中央付近を圧縮ばねにて石英窓に押し付けるので、ヒータの全面を石英窓に確実にかつ均一に密着させて均熱性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプラズマ処理装置の一実施形態の概略構成を示す縦断面図である。
【図2】同実施形態における多重のスパイラルコイル形状の説明図である。
【図3】従来例のプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図4】従来例における1重のスパイラルコイル形状の説明図である。
【符号の説明】
1 石英窓
2 シール材
3 上蓋
4 上蓋下部
5 上蓋上部
6 平板ヒータ
8 圧縮ばね
10 圧縮ばね
11 多重のスパイラルコイル[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a vacuum processing apparatus using ICP (Inductive Coupled Plasma), and more particularly to a plasma introduction window structure thereof.
[0002]
[Prior art]
In a conventional vacuum processing apparatus using ICP, as shown in FIG. 3, a
[0003]
Further, as shown in FIG. 4, the coil disposed in the upper part of the
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional configuration, when the inside of the vacuum chamber is evacuated, the central portion of the
[0005]
It is also conceivable to provide means for pressing the central portion of the
[0006]
In view of the above-described conventional problems, the present invention provides a plasma processing apparatus provided with a plasma introduction window that can ensure close contact between a quartz window and a heater even when the vacuum chamber is evacuated to improve the thermal uniformity of the quartz window. It is intended to provide.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In the present invention, a heater is disposed on the upper surface of a quartz window, a multiple spiral coil is disposed on the upper portion thereof, and the heater is pressed toward the quartz window in a position avoiding the multiple spiral coil near the center of the heater. Thus, even if the quartz window is bent by evacuation, the adhesion between the quartz window and the heater can be ensured, and the thermal uniformity of the quartz window can be improved. In addition, since the insulating plate on the conventional heater is not required, the problem of breakage of the insulating plate due to thermal stress caused by non-uniform conduction of heat from the heater can be eliminated.
[0008]
In addition, the upper lid of the vacuum vessel is divided into two parts, and a quartz window is arranged on the lower part of the upper lid via a sealant. A heater is suspended from the lower surface of the upper part of the upper lid, and the outer periphery of the heater and the quartz window If a compression spring that presses the heater toward the quartz window is arranged near the center avoiding the multiple spiral coils arranged at the top, the outer periphery and the vicinity of the center of the heater are pressed against the quartz window by the compression spring. The entire surface of the heater can be securely and uniformly adhered to the quartz window without restricting the outer peripheral portion of the heater, and the thermal uniformity can be further improved.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of an ICP type plasma processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. The ICP type plasma processing apparatus generates plasma in a vacuum vessel by applying a high frequency voltage to a discharge coil (multiple spiral coil) 11.
[0010]
In FIG. 1, the
[0011]
[0012]
A multiple
[0013]
According to the above configuration, even if the quartz window 1 is bent due to evacuation in the vacuum vessel, the outer peripheral portion and the center of the
[0014]
Further, since it is not necessary to provide the multiple
[0015]
【The invention's effect】
According to the present invention, as described above, the heater is disposed on the upper surface of the quartz window, the multiple spiral coils are disposed on the upper portion thereof, and the heater is disposed at a position near the center of the heater so as to avoid the multiple spiral coils. Since the means for pressing the quartz window is disposed, even if the quartz window is bent by evacuation, the quartz window and the heater have good adhesion, and the thermal uniformity of the quartz window can be improved. In addition, since the insulating plate that has been conventionally disposed on the heater is not necessary, the problem of breakage of the insulating plate can be eliminated.
[0016]
In addition, the upper cover of the vacuum vessel is divided into two parts, and a quartz window is disposed on the lower part of the upper cover through a sealing material. If a compression spring that presses the heater toward the quartz window is arranged near the center avoiding the multiple spiral coils arranged at the top, the outer periphery and the vicinity of the center of the heater are pressed against the quartz window by the compression spring. The heat uniformity can be improved by reliably and uniformly adhering the entire surface of the heater to the quartz window.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of a plasma processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram of multiple spiral coil shapes in the embodiment.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a conventional plasma processing apparatus.
FIG. 4 is an explanatory diagram of a single spiral coil shape in a conventional example.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (2)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP22379198A JP3976902B2 (en) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | Plasma processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22379198A JP3976902B2 (en) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | Plasma processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2000058293A JP2000058293A (en) | 2000-02-25 |
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Family
ID=16803779
Family Applications (1)
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| JP22379198A Expired - Lifetime JP3976902B2 (en) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | Plasma processing equipment |
Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7571697B2 (en) * | 2001-09-14 | 2009-08-11 | Lam Research Corporation | Plasma processor coil |
-
1998
- 1998-08-07 JP JP22379198A patent/JP3976902B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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