JP3980701B2

JP3980701B2 - Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device using the same

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Publication number: JP3980701B2
Application number: JP08349597A
Authority: JP
Inventors: 美穂山口; 裕子山本; ひとみ執行
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1997-04-02
Filing date: 1997-04-02
Publication date: 2007-09-26
Anticipated expiration: 2017-04-02
Also published as: JPH10279813A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、難燃性および耐湿信頼性に優れ、かつ成形作業性にも優れた半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子は、従来セラミック等によって封止され半導体装置化されていたが、最近では、コスト，量産性の観点から、プラスチックを用いた樹脂封止型の半導体装置が主流になっている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹脂組成物が用いられており良好な成績を収めている。しかし、半導体分野の技術革新によって集積度の向上とともに素子サイズの大形化，配線の微細化が進み、パッケージも小形化，薄形化する傾向にあり、これに伴って封止材料に対してより以上の信頼性の向上が要望されている。
【０００３】
一方、半導体装置等の電子部品は、難燃性の規格であるＵＬ９４Ｖ−０に適合することが必要不可欠であり、従来から、半導体封止用樹脂組成物に難燃作用を付与する方法として、臭素化エポキシ樹脂および酸化アンチモンを添加する方法が一般的に行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記難燃化付与技術に関して２つの大きな問題があった。
【０００５】
第１の問題点として、三酸化アンチモン自身の有害性，燃焼時に臭化水素，ブロム系ガス，臭素化アンチモン等の発生による人体への有害性や機器への腐食性と、半導体素子封止過程で産出する産業廃棄物や使用後の半導体装置の処分の問題等環境上の安全性が問題となっている。
【０００６】
第２の問題点としては、上記難燃化付与技術を採用した半導体装置を高温で長時間放置すると、遊離した臭素の影響で半導体素子上のアルミニウム配線が腐食し、半導体装置の故障の原因となり高温信頼性の低下が問題となっている。
【０００７】
上記の問題点を解決するために、難燃剤としてノンハロゲン−ノンアンチモン系である金属水酸化物を無機難燃剤として添加する方法が提案されている。しかしながら、この方法では大量の（例えば４０重量％以上の）金属水酸化物を使用せねばならず、結果、新たな問題が生じることとなる。
【０００８】
第１の問題点は、半田付け時に半導体装置の膨れや、クラックが発生しやすい点である。近年、半導体装置の実装方法として表面実装が主流になっており、半田付け時には半田浸漬、赤外リフロー、ベーパーフェイズリフロー等の半田処理方法が選択されて使用される。いずれの処理を採用しても、半導体装置が高温（通常２１５〜２６０℃）に曝されるため、従来の金属水酸化物が添加された樹脂組成物を用いた樹脂封止による半導体装置では、金属水酸化物の吸水量が多いため、吸湿した水分の急激な気化により半導体装置の膨れやクラックが発生するという、いわゆる、耐半田性の低下という問題が生じている。
【０００９】
第２の問題点として、耐湿信頼性に関して８０〜２００℃、相対湿度７０〜１００％の高温高湿環境下での半導体素子機能が低下するという点である。また、発熱量の大きい半導体素子や自動車のエンジン周りに搭載する半導体装置等では、長期間の使用により脱水反応が生起するため、耐湿信頼性が低下するという問題が生じる可能性がある。
【００１０】
このように、従来の難燃化技術では、上記のような問題が生じるため、燃焼時に有害ガスの発生のない、安全かつ無公害な材料であって、半導体装置の半田付け時において金属水酸化物の脱水による半導体装置の膨れやクラックを起こさず、長期間の高温高湿雰囲気下での放置によっても半導体素子上のアルミニウム配線の腐食や耐湿信頼性の低下の生起しない難燃化技術の開発が強く望まれている。そこで、本出願人は、熱硬化性樹脂および硬化剤とともに、金属水酸化物と金属酸化物とを併用した半導体封止用熱硬化性樹脂組成物を提案し上記課題の解決を図った（特願平７−５０７４６６号公報）。この半導体封止用熱硬化性樹脂組成物を用いることにより確かに難燃性および耐湿信頼性の向上効果は得られたが、近年の半導体分野の技術革新に伴い、高い難燃性とともにより一層の耐湿信頼性の向上が望まれその要望に応える必要性が出ている。一方、上記金属水酸化物と金属酸化物とを併用した半導体封止用熱硬化性樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止すると、成形金型から成形物を離型する際、成形物の金型からの離型性が悪く、結果、成形作業性に劣るという問題が生じた。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、安全性はもちろん、耐湿信頼性および難燃性に優れるとともに、離型性にも優れ、結果、成形作業性に優れた半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、下記の（イ）〜（ホ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、上記（ハ）成分である金属水酸化物が平均粒子径０．６〜２０μｍを有するとともに、上記（ホ）成分である無機質充填剤の一部が上記（ハ）成分である金属水酸化物よりも小さな粒径であって平均粒子径０．５〜１０μｍであり、その含有割合が無機質充填剤〔（ホ）成分〕全体中の１〜２０重量％に設定されている半導体封止用樹脂組成物を第１の要旨とする。
（イ）熱硬化性樹脂。
（ロ）硬化剤。
（ハ）下記の一般式（１）で表される金属水酸化物。
【化５】
ｍ（Ｍ_aＯ_b）・ｃＨ₂Ｏ・・・（１）
〔上記式（１）において、Ｍは金属元素であり、ａ，ｂ，ｃは正数、ｍは１以上の正数である。〕
（ニ）下記の一般式（２）で表される金属酸化物。
【化６】
ｍ′（Ｑ_dＯ_e）・・・（２）
〔上記式（２）において、Ｑは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VIIａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属元素であり、かつ上記式（１）のＭとは異なる金属元素である。また、ｄ，ｅは正数、ｍ′は１以上の正数である。〕
（ホ）無機質充填剤。
【００１３】
また、下記の（イ），（ロ），（ハ′），（ホ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、上記（ハ′）成分である複合化金属水酸化物が平均粒子径０．６〜２０μｍを有するとともに、上記（ホ）成分である無機質充填剤の一部が上記（ハ′）成分である複合化金属水酸化物よりも小さな粒径であって平均粒子径０．５〜１０μｍであり、その含有割合が無機質充填剤〔（ホ）成分〕全体中の１〜２０重量％に設定されている半導体封止用樹脂組成物を第２の要旨とする。
（イ）熱硬化性樹脂。
（ロ）硬化剤。
（ハ′）下記の一般式（１）で表される金属水酸化物と、下記の一般式（２）で表される金属酸化物とが複合化した複合化金属水酸化物。
【化７】
ｍ（Ｍ_aＯ_b）・ｃＨ₂Ｏ・・・（１）
〔上記式（１）において、Ｍは金属元素であり、ａ，ｂ，ｃは正数、ｍは１以上の正数である。〕
【化８】
ｍ′（Ｑ_dＯ_e）・・・（２）
〔上記式（２）において、Ｑは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VIIａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属元素であり、かつ上記式（１）のＭとは異なる金属元素である。また、ｄ，ｅは正数、ｍ′は１以上の正数である。〕
（ホ）無機質充填剤。
【００１４】
そして、本発明は、上記半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を第３の要旨とする。
【００１５】
すなわち、本発明者らは、安全性はもちろん耐湿信頼性および難燃性に優れるとともに、離型性にも優れた半導体封止用樹脂組成物を得るために一連の研究を行った。この研究を行うに際して、まず、前記金属水酸化物と金属酸化物を併用した半導体封止用樹脂組成物を用いた際の離型性の低下原因を突き止めるべく研究を重ねた。その結果、上記難燃剤として作用する金属水酸化物が成形金型との強い親和性を示すため、この金属水酸化物が成形金型に一旦転写され付着すると、この付着した汚れ部分が次の成形時に成形物との接着性を増加させる作用を奏するようになり、その結果、成形物の離型性が悪化するのではないかという知見を得た。この知見に基づき上記作用を抑制するための手段を中心に検討を行い、上記金属水酸化物の成形金型表面への付着を防止することを目的にさらに研究を行った。そして、その結果、難燃剤として優れた作用を奏する、上記一般式（１）で表される金属水酸化物と、上記一般式（２）で表される金属酸化物とを併用するとともに、上記難燃作用を奏する金属水酸化物の平均粒子径よりも小さい粒径を有する無機質充填剤を特定の割合で含有した無機質充填剤を用いると、この小粒径の無機質充填剤が上記金属水酸化物を覆うように分散して、成形時に金属水酸化物と成形金型との直接的な接触が防止され、金属水酸化物が金型表面に転写されず、金型汚れの基点が形成され難くなり、良好な離型性を奏し、成形作業性の向上が図れることを見出し本発明に到達した。
【００１６】
また、上記一般式（１）で表される金属水酸化物および上記一般式（２）で表される金属酸化物に代えて、この金属水酸化物と金属酸化物とが複合化した複合形態である複合化金属水酸化物を用いても、上記と同様、難燃作用を奏する複合化金属水酸化物の平均粒子径よりも小さい粒径を有する無機質充填剤を特定の割合で含有した無機質充填剤を用いると、先に述べたと同様の作用を奏し、結果、良好な離型性を奏し、成形作業性の向上が図れる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態を詳しく説明する。
【００１８】
本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、大別して２つの態様に分けられる。まず、第１の態様となる半導体封止用樹脂組成物について述べる。この第１の態様の半導体封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂（イ成分）と、硬化剤（ロ成分）と、特定の金属水酸化物（ハ成分）と、特定の金属酸化物（ニ成分）と、特定の無機質充填剤（ホ成分）を用いて得られるものであり、通常、粉末状あるいはこれを打錠したタブレット状になっている。
【００１９】
上記熱硬化性樹脂（イ成分）としては、エポキシ樹脂，ポリマレイミド樹脂，不飽和ポリエステル樹脂，フェノール樹脂等があげられる。特に、本発明においてはエポキシ樹脂，ポリマレイミド樹脂を用いることが好ましい。
【００２０】
上記エポキシ樹脂としては、特に限定するものではなく従来公知のものが用いられる。例えば、ビスフェノールＡ型，フェノールノボラック型，クレゾールノボラック型，ビフェニル型等があげられる。
【００２１】
また、上記ポリマレイミド樹脂としては、特に限定するものではなく従来公知のものが用いられ、１分子中に２個以上のマレイミド基を有するものである。例えば、Ｎ，Ｎ′−４，４′−ジフェニルメタンビスマレイミド、２，２−ビス−〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン等があげられる。
【００２２】
上記熱硬化性樹脂（イ成分）とともに用いられる硬化剤（ロ成分）としては、例えば、フェノール樹脂，酸無水物，アミン化合物等従来公知のものが用いられる。そして、上記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、フェノール樹脂が好適に用いられる。上記フェノール樹脂としては、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールＡ型ノボラック、ナフトールノボラックおよびフェノールアラルキル樹脂等があげられる。
【００２３】
また、熱硬化性樹脂としてポリマレイミド樹脂を用いる際の硬化剤としては、特に限定するものではなく従来公知のものが用いられる。例えば、上記エポキシ樹脂用硬化剤をハロゲン化アリルとアルカリの存在下で反応させて得られるアルケニルフェノール類やアミン類があげられる。
【００２４】
上記熱硬化性樹脂（イ成分）および硬化剤（ロ成分）とともに用いられる特定の金属水酸化物（ハ成分）は、下記の一般式（１）で表される金属水酸化物である。
【００２５】
【化９】
ｍ（Ｍ_aＯ_b）・ｃＨ₂Ｏ・・・（１）
〔上記式（１）において、Ｍは金属元素であり、ａ，ｂ，ｃは正数、ｍは１以上の正数である。〕
【００２６】
上記一般式（１）で表される金属水酸化物に関して、式（１）中の金属元素を示すＭとしては、Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂ等があげられる。
【００２７】
上記式（１）で表される金属水酸化物の具体的な代表例としては、Ａｌ₂Ｏ₃・ｃＨ₂Ｏ（０＜ｃ≦３）、ＭｇＯ・ｃＨ₂Ｏ（０＜ｃ≦１）、ＣａＯ・ｃＨ₂Ｏ（０＜ｃ≦１）、Ｎｉ_aＯ・ｃＨ₂Ｏ（０．５＜ａ≦２、０＜ｃ≦２）、ＣｏＯ_b・ｃＨ₂Ｏ（１≦ｂ≦２，０＜ｃ≦２）、ＰｂＯ_b・ｃＨ₂Ｏ（０．５≦ｂ≦２，０＜ｃ≦２）、ＳｎＯ_b・ｃＨ₂Ｏ（１≦ｂ≦２，０＜ｃ≦２）、ＺｎＯ・ｃＨ₂Ｏ（０＜ｃ≦１）、ＦｅＯ_b・ｃＨ₂Ｏ（１≦ｂ≦１．５，０．５≦ｃ≦１．５）、ＣｕＯ_b・ｃＨ₂Ｏ（０．５≦ｂ≦１，０＜ｃ≦１）等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。特に２種以上併せて用いる際に、機械的に混合して用いることも有効である。
【００２８】
上記一般式（１）で表される金属水酸化物の熱的性質において、脱水開始温度が２００℃以上であることが好ましい。特に好ましくは脱水開始温度が２６０℃以上のものである。なお、上記脱水開始温度とは、熱天秤を使用した熱重量法（大気中にて測定）により昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定される値であり、加熱減量が５重量％に達したときの温度、および微分加熱減量値（加熱減量を時間で一次微分した値、すなわち加熱減量速度）が０．５重量％／ｍｉｎを超えたときの温度のいずれか低い方の温度とする。
【００２９】
上記一般式（１）で表される金属水酸化物のなかでも、単位重量あたりの脱水に伴う吸熱エネルギーが大きく、脱水開始温度が２００℃以上である金属水酸化物が好適に用いられる。具体的にはＭｇＯ・ｃＨ₂Ｏ（０＜ｃ≦１）、Ａｌ₂Ｏ₃・ｃＨ₂Ｏ（０＜ｃ≦３）を用いることが特に好ましい。
【００３０】
そして、上記式（１）で表される金属水酸化物は一般に粒状物であって、レーザー式粒度測定機による平均粒子径０．６〜２０μｍの範囲のものを用いる必要がある。すなわち、金属水酸化物の平均粒子径が２０μｍを超え大きくなると、比表面積が小さくなり、難燃化の効率が低くなるからである。特に好適なのは平均粒子径１〜１５μｍである。
【００３１】
上記熱硬化性樹脂（イ成分），硬化剤（ロ成分）および特定の金属水酸化物（ハ成分）とともに用いられる特定の金属酸化物（ニ成分）は下記の一般式（２）で表されるものである。
【００３２】
【化１０】
ｍ′（Ｑ_dＯ_e）・・・（２）
〔上記式（２）において、Ｑは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VIIａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属元素であり、かつ上記式（１）のＭとは異なる金属元素である。また、ｄ，ｅは正数、ｍ′は１以上の正数である。〕
【００３３】
本発明は、先に述べた特殊な金属水酸化物（ハ成分）とこの金属酸化物（ニ成分）とを併用することが一つの特徴であり、その際には、前記式（１）で表される金属水酸化物の式（１）中の金属元素Ｍと、上記式（２）で表される金属酸化物の式（２）中の金属元素Ｑとは異なるものでなければならない。
【００３４】
上記一般式（２）で表される金属酸化物中の金属元素を示すＱは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VIIａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属である。例えば、鉄，コバルト，ニッケル，パラジウム，銅，亜鉛，カドミウム等があげられ、単独でもしくは２種以上併せて選択される。
【００３５】
具体的な代表例としては、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＮｉＯ_b（０．５≦ｂ≦２）、ＣｏＯ_b（１≦ｂ≦２）、ＰｂＯ_b（０．５≦ｂ≦２）、ＳｎＯ_b（１≦ｂ≦２）、ＺｎＯ、ＦｅＯ_b（１≦ｂ≦１．５）、ＣｕＯ_b（０．５≦ｂ≦１）、ＴｉＯ_b（１≦ｂ≦２）、ＰｄＯ_b（１≦ｂ≦２）等があげられる。
【００３６】
さらに、上記式（２）で表される金属酸化物は一般に粒状物であって、レーザー式粒度測定機による平均粒径０．１〜３０μｍの範囲のものが好適に用いられる。特に好適なのは平均粒子径０．５〜２０μｍである。
【００３７】
上記一般式（１）で表される金属水酸化物（ハ成分）と、一般式（２）で表される金属酸化物（ニ成分）との好適な組み合わせとしては、例えば、ＭｇＯ・Ｈ₂Ｏ，Ａｌ₂Ｏ₃・ｃＨ₂Ｏ（０＜ｃ≦３）の金属水酸化物と、ＦｅＯ_b（１≦ｂ≦１．５），ＮｉＯ，ＺｎＯの金属酸化物との組み合わせがあげられる。
【００３８】
上記イ〜ニ成分とともに用いられる無機質充填剤（ホ成分）としては、特に限定するものではなく従来公知の各種充填剤があげられる。例えば、石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末、アルミナ粉末、炭酸カルシウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素およびカーボンブラック粉末等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、シリカ粉末を用いることが特に好適である。
【００３９】
そして、本発明においては、上記無機質充填剤の一部として前記金属水酸化物の粒径よりも小さな粒径を有するものを用いることが最大の特徴であり、前記金属水酸化物よりも小さな粒径を有する上記無機質充填剤（ｘ）としては、平均粒子径が０．５〜１０μｍを有するものでなければならない。すなわち、無機質充填剤（ｘ）の平均粒子径が０．５μｍ未満のように小さ過ぎると、流動性が低下し、また平均粒子径が１０μｍを超え大きくなると、金属水酸化物と成形金型との接触を防止する効果が低下するからである。そして、前記金属水酸化物（ハ成分）とこの無機質充填剤（ｘ）との配合割合〔（ハ）／（ｘ）〕は、重量比で、（ハ）／（ｘ）＝１／０．１〜１／１に設定することが好ましい。すなわち、上記両者の配合割合（ハ）／（ｘ）において、無機質充填剤（ｘ）が金属水酸化物（ハ成分）に対して０．１未満では、金属水酸化物と成形金型との接触を防止する効果が低下し、逆に１を超えると流動性が低下する傾向がみられるからである。
【００４０】
なお、本発明において、金属水酸化物（ハ成分）の粒径よりも小さな粒径を有する上記無機質充填剤（ｘ）の含有割合は、無機質充填剤（ホ成分）全体中の１〜２０重量％となるように設定する必要がある。すなわち、上記無機質充填剤（ｘ）が無機質充填剤（ホ成分）全体の１重量％未満では、成形金型と金属水酸化物との接触を防止する効果が低下し、２０重量％を超えると、流動性が低下するからである。
【００４１】
上記無機質充填剤（ホ成分）の配合量は、この無機質充填剤に前述の金属水酸化物（ハ成分）と金属酸化物（ニ成分）を加算した無機物全体の合計量が、半導体封止用樹脂組成物全体の６０〜９２重量％に設定することが好ましい。特に好ましくは７０〜９０重量％である。すなわち、無機物全体量が６０重量％を下回ると難燃性が低下する傾向がみられるからである。
【００４２】
そして、そのうち上記金属水酸化物（ハ成分）と金属酸化物（ニ成分）の含有量は、半導体封止用樹脂組成物全体の４〜４０重量％の範囲に設定することが好ましい。特に好ましくは１０〜３０重量％である。すなわち、金属水酸化物と金属酸化物の含有量が４重量％未満では、難燃効果に乏しく、４０重量％を超えると、耐半田性および耐湿信頼性が低下する傾向がみられるからである。このとき、併用する一般式（２）で表される金属酸化物は、一般式（１）で表される金属水酸化物に対して１０〜５０重量％の割合で用いられる。すなわち、金属酸化物が金属水酸化物に対して１０重量％未満では、金属酸化物の炭化促進効果が少なく充分な難燃化効果が得られ難く、また５０重量％を超えると、金属水酸化物量が相対的に少なくなるため、難燃効果が得られ難くなるからである。
【００４３】
つぎに、第２の態様となる半導体封止用樹脂組成物について述べる。この第２の態様の半導体封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂（イ成分）と、硬化剤（ロ成分）と、特定の複合化金属水酸化物（ハ′成分）と、特定の無機質充填剤（ホ成分）を用いて得られるものであり、通常、粉末状あるいはこれを打錠したタブレット状になっている。
【００４４】
上記熱硬化性樹脂（イ成分）および硬化剤（ロ成分）については、前記第１の態様の半導体封止用樹脂組成物で述べたものと同様のものが用いられる。
【００４５】
上記熱硬化性樹脂（イ成分）および硬化剤（ロ成分）とともに用いられる複合化金属水酸化物（ハ′成分）は、前記第１の態様における金属水酸化物（ハ成分）および金属酸化物（ロ成分）に代えて用いられるものであって、この金属水酸化物と金属酸化物とが複合化した複合形態である。すなわち、この第２の態様で用いられる複合化金属水酸化物（ハ′成分）は、前記一般式（１）で表される金属水酸化物と、前記一般式（２）で表される金属酸化物とが複合化した複合化金属水酸化物である。
【００４６】
そして、上記複合化金属水酸化物の具体的な代表例としては、ｓＭｇＯ・（１−ｓ）ＮｉＯ・ｃＨ₂Ｏ〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦１〕、ｓＭｇＯ・（１−ｓ）ＺｎＯ・ｃＨ₂Ｏ〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦１〕、ｓＡｌ₂Ｏ₃・（１−ｓ）Ｆｅ₂Ｏ₃・ｃＨ₂Ｏ〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦３〕等があげられる。なかでも、酸化マグネシウム・酸化ニッケルの水和物、酸化マグネシウム・酸化亜鉛の水和物が特に好ましく用いられる。
【００４７】
そして、上記複合化金属水酸化物（ハ′成分）は一般に粒状物であって、レーザー式粒度測定機による平均粒子径０．６〜２０μｍの範囲のものを用いる必要がある。すなわち、上記複合化金属水酸化物の平均粒子径が２０μｍを超え大きくなると、前記第１の態様と同様、難燃効果が低下するからである。特に好適なのは平均粒子径１〜１５μｍである。
【００４８】
上記複合化金属水酸化物（ハ′成分）の配合量は、樹脂組成物全体の１〜３０重量％の範囲に設定することが好ましく、この配合範囲内でその難燃化効果を発揮することができる。この場合も、前記第１の態様と同様、この複合化金属水酸化物が１重量％未満では難燃化効果が不充分となり、３０重量％を超えると耐湿信頼性が低下する傾向がみられる。
【００４９】
上記熱硬化性樹脂（イ成分）、硬化剤（ロ成分）および複合化金属水酸化物（ハ′成分）とともに用いられる無機質充填剤（ホ成分）は、前記第１の態様と同様、特に限定するものではなく従来公知の各種充填剤があげられる。例えば、石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末、アルミナ粉末、炭酸カルシウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素およびカーボンブラック粉末等があげられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、シリカ粉末を用いることが特に好適である。
【００５０】
そして、前記第１の態様と同様、複合化金属水酸化物（ハ′成分）を用いる場合も、本発明においては、上記無機質充填剤の一部として上記複合化金属水酸化物（ハ′成分）の粒径よりも小さな粒径を有するものを用いることが最大の特徴であり、上記複合化金属水酸化物よりも小さな粒径を有する上記無機質充填剤（ｘ）としては、平均粒子径が０．５〜１０μｍを有するものでなければならない。すなわち、前記第１の態様と同様、無機質充填剤（ｘ）の平均粒子径が０．５μｍ未満のように小さ過ぎると、流動性が低下し、また平均粒子径が１０μｍを超え大きくなると、複合化金属水酸化物と成形金型との接触を防止する効果が低下するからである。そして、上記複合化金属水酸化物（ハ′成分）とこの無機質充填剤（ｘ）との配合割合〔（ハ′）／（ｘ）〕は、重量比で、（ハ′）／（ｘ）＝１／０．１〜１／１に設定する必要がある。すなわち、上記両者の配合割合（ハ′）／（ｘ）において、無機質充填剤（ｘ）が複合化金属水酸化物（ハ′成分）に対して０．１未満では、複合化金属水酸化物と成形金型との接触を防止する効果が低下し、逆に１を超えると、流動性が低下するからである。
【００５１】
なお、この場合も、複合化金属水酸化物（ハ′成分）の粒径よりも小さな粒径を有する上記無機質充填剤（ｘ）の含有割合は、無機質充填剤（ホ成分）全体中の１〜２０重量％となるように設定されている必要がある。
【００５２】
上記無機質充填剤（ホ成分）の配合量は、この無機質充填剤に前述の複合化金属水酸化物（ハ′成分）を加算した無機物全体の合計量が、半導体封止用樹脂組成物全体の６０〜９２重量％に設定することが好ましい。特に好ましくは７０〜９０重量％である。すなわち、無機物全体量が６０重量％を下回ると難燃性が低下する傾向がみられるからである。
【００５３】
そして、第１の態様および第２の態様の半導体封止用樹脂組成物としては、いずれにおいても下記の方法に従って抽出された抽出水中の塩素イオン濃度が上記樹脂組成物の硬化体１ｇあたり２００μｇ以下であることが好ましい。すなわち、熱硬化性樹脂組成物５ｇと蒸留水５０ｃｃを専用の抽出容器に入れ、この容器を１６０℃の乾燥機内に２０時間放置して抽出水（ｐＨ６．０〜８．０）を抽出する。そして、上記抽出水をイオンクロマト分析して塩素イオン量（α）を測定する。この塩素イオン量（α）は樹脂組成物硬化体中のイオン量を１０倍に希釈した値であるため、下記に示す式により樹脂組成物硬化体１ｇあたりの塩素イオン量を算出する。なお、上記抽出水のｐＨは６．０〜８．０の範囲が好ましい。
【００５４】
【数１】
樹脂組成物硬化体１ｇあたりの塩素イオン量（μｇ）＝α×（５０／５）
【００５５】
すなわち、樹脂組成物硬化体の抽出水中に含有される塩素イオン濃度が２００μｇを超えて高いと、半導体素子，リードフレーム等の腐食が発生したり、耐湿性が劣化する傾向がみられるようになる。
【００５６】
なお、本発明に係る、第１の態様および第２の態様の半導体封止用樹脂組成物には、上記イ，ロ，ハ，ニ，ホ成分、あるいは、上記イ，ロ，ハ′，ホ成分以外に、いずれにも硬化促進剤、顔料、離型剤、可撓性付与剤等を必要に応じて適宜に添加することができる。
【００５７】
上記硬化促進剤としては、従来公知のもの、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジアミン等の三級アミノ類、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等のリン系硬化促進剤等があげられる。
【００５８】
上記顔料としては、カーボンブラック、酸化チタン等があげられる。また、上記離型剤としては、ポリエチレンワックス、パラフィンや脂肪酸エステル、脂肪酸塩等があげられる。
【００５９】
さらに、上記可撓性付与剤としては、シランカップリング剤等のカップリング剤およびシリコーン樹脂やブタジエン−アクリロニトリルゴム等があげられる。
【００６０】
また、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物（第１の態様および第２の態様とも）では、上記各成分に加えてさらに有機系難燃剤を併用すると、上記金属水酸化物の使用量を低減させることができ好ましい。代表的な有機系難燃剤としては、複素環骨格を有する化合物があげられる。
【００６１】
上記複素環骨格を有する化合物としては、例えば、メラミン誘導体、シアヌレート誘導体、イソシアヌレート誘導体等の複素環骨格を有する化合物があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００６２】
上記有機系難燃剤は、前記金属水酸化物、金属酸化物、複合化金属水酸化物と予め機械的に混合した後配合してもよいし、有機系難燃剤を溶剤に溶解してこれに前記金属水酸化物、金属酸化物、複合金属水酸化物を添加して脱溶剤し表面処理したものを用いてもよい。
【００６３】
そして、上記有機系難燃剤の含有量は、前記金属水酸化物および金属酸化物の合計使用量、あるいは複合化金属水酸化物の使用量の１〜１０重量％の範囲に設定することが好ましい。特に好ましくは１〜５重量％である。
【００６４】
本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、第１の態様および第２の態様のいずれにおいても、例えばつぎのようにして製造することができる。すなわち、熱硬化性樹脂（イ成分），硬化剤（ロ成分）とともに、第１の態様では、金属水酸化物（ハ成分）と金属酸化物（ニ成分）および無機質充填剤（ホ成分）、第２の態様では、複合化金属水酸化物（ハ′成分）および無機質充填剤（ホ成分）ならびに必要に応じて他の添加剤を所定の割合で配合する。つぎに、この混合物をミキシングロール機等の混練機を用いて加熱状態で溶融混練し、これを室温に冷却する。そして、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程によって目的とする半導体封止用樹脂組成物を製造することができる。
【００６５】
このようにして得られる半導体封止用樹脂組成物を用いての半導体素子の封止方法は、特に限定するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知の成形方法によって行うことができる。
【００６６】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
【００６７】
下記に示す各材料を準備した。
〔エポキシ樹脂ａ〕
クレゾールノボラック系エポキシ樹脂（エポキシ当量２００）
【００６８】
〔エポキシ樹脂ｂ〕
ビフェニル系エポキシ樹脂（エポキシ当量１９５）
【００６９】
〔フェノール樹脂ｃ〕
フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０７）
【００７０】
〔フェノール樹脂ｄ〕
フェノールアラルキル樹脂（水酸基当量１７４）
【００７１】
〔無定形シリカｅ〕
平均粒子径３０μｍ
【００７２】
〔微粒子充填剤ｆ〕
シリカ粉末、平均粒子径０．１μｍ
【００７３】
〔微粒子充填剤ｇ〕
シリカ粉末、平均粒子径０．７μｍ
【００７４】
〔微粒子充填剤ｈ〕
シリカ粉末、平均粒子径１０μｍ
【００７５】
〔リン系硬化促進剤〕
トリフェニルホスフィン
【００７６】
〔エステル系ワックス〕
カルナバワックス
【００７７】
〔オレフィン系ワックス〕
ポリエチレン系ワックス
【００７８】
（１）金属水酸化物および金属酸化物を併用した第１の態様における実施例について述べる。
【００７９】
まず、実施例に先立って下記の表１に示す金属水酸化物および金属酸化物を準備した。
【００８０】
【表１】

【００８１】
【実施例１〜７、比較例１〜３】
まず、下記の表２〜表３に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロール機（温度１００℃）で３分間溶融混練を行い、冷却固化した後粉砕して目的とする粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。
【００８２】
【表２】

【００８３】
【表３】

【００８４】
（２）複合化金属水酸化物を用いた第２の態様における実施例について述べる。
【００８５】
まず、実施例に先立って下記の表４に示す複合化金属水酸化物を準備した。
【００８６】
【表４】

【００８７】
【実施例８〜１１、比較例４〜６】
まず、下記の表５〜表６に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロール機（温度１００℃）で３分間溶融混練を行い、冷却固化した後粉砕して目的とする粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。
【００８８】
【表５】

【００８９】
【表６】

【００９０】
このようにして得られた実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用い、その硬化体の塩素イオン濃度を測定した。なお、塩素イオン濃度の測定方法は、前述の方法に従った。さらに、各エポキシ樹脂組成物を用いて厚み１／１６インチの試験片を成形し、ＵＬ９４Ｖ−０規格の方法に従って難燃性を評価した。なお、合格とは９４−Ｖ０合格を意味する。
【００９１】
つぎに、各エポキシ樹脂組成物を用いて下記に示す評価試験（１７５℃におけるゲルタイム、１７５℃での熱時硬度、５ショット後の離型荷重試験）に供した。
【００９２】
〔１７５℃におけるゲルタイム〕
１７５℃におけるゲルタイムを熱板式ゲルタイム測定法に従って測定した。
【００９３】
〔１７５℃での熱時硬度〕
１７５℃×６０秒の条件で成形した直後、ショアーＤ硬度計を用いて、熱時の硬度を測定した。
【００９４】
〔離型荷重試験〕
まず、図１に示すような３層構造（上型１０，中型１１，下型１２）の成形型を用いて、１７５℃×６０秒の条件で成形を行い、エポキシ樹脂組成物硬化体における離型時の荷重（５ショット後）を測定した。図において、１３はカル、１４はスプルー、１５はランナー、１６はキャビティーである。離型時の荷重の測定は、図２に示すように、成形型の中型１１を支持台１７上に載置し、プッシュプルゲージ１８を用いて上方から中型１１内のエポキシ樹脂組成物硬化体１９を脱型した。このときの荷重値を測定した。
【００９５】
また、上記実施例および比較例で得られたエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成形（条件：１７５℃×２分）し、１７５℃×５時間で後硬化することにより半導体装置を得た。この半導体装置は、８０ピンＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ、サイズ：２０×１４×２ｍｍ）であり、ダイパッドサイズは８×８ｍｍである。
【００９６】
このようにして得られた半導体装置について、超音波探傷装置にて非破壊にて測定した。その測定後、内部剥離の生じた個数（１０個中）をカウントした。そして、上記測定後、良品をつぎに示す半田試験に供した。すなわち、良品の半導体装置を用いて、１２０℃×１時間のプリベーク後、これを８５℃／８５％ＲＨ×１６８時間吸湿させた後、２１５℃のＶＰＳで９０秒の評価試験（耐半田クラック性）を行った。そして、クラックが発生した個数（１０個中）を測定した。
【００９７】
以上の各測定・評価結果を下記の表７〜表１０に併せて示す。
【００９８】
【表７】

【００９９】
【表８】

【０１００】
【表９】

【０１０１】
【表１０】

【０１０２】
上記表７〜表１０から明らかなように、全ての実施例は高い難燃性レベルを有するとともに、離型荷重が小さいことから成形性にも優れており、また得られた半導体装置の信頼性に関しても良好な結果が得られた。
【０１０３】
一方、比較例については、難燃性レベルに関しては問題はなかったが、そのいくつかにおいては離型荷重が大きく成形性に問題を有しており、また、得られた半導体装置の信頼性にも劣っていることがわかる。
【０１０４】
【発明の効果】
以上のように、本発明は、前記一般式（１）で表される金属水酸化物（ハ成分）および一般式（２）で表される金属酸化物（ニ成分）を含有し、かつ上記金属水酸化物が平均粒子径０．６〜２０μｍを有するとともに、前記無機質充填剤（ホ成分）の一部が上記金属水酸化物よりも小さな粒径であって平均粒子径０．５〜１０μｍとなり、その含有割合が無機質充填剤〔（ホ）成分〕全体中の１〜２０重量％に設定されている半導体封止用樹脂組成物である。あるいは、前記複合化金属水酸化物（ハ′成分）を含有し、かつ上記複合化金属水酸化物が平均粒子径０．６〜２０μｍを有するとともに、前記無機質充填剤（ホ成分）の一部が上記金属水酸化物よりも小さな粒径であって平均粒子径０．５〜１０μｍとなり、その含有割合が無機質充填剤〔（ホ）成分〕全体中の１〜２０重量％に設定されている半導体封止用樹脂組成物である。このように、上記金属水酸化物および金属酸化物、または複合化金属水酸化物の使用により、高温高湿下においても従来の難燃剤である臭素化エポキシ樹脂と比較すると臭素の影響がなく半導体素子やアルミニウム配線の腐食等が生じず耐湿信頼性が向上して長寿命になる。さらに、有害なハロゲン化物や三酸化アンチモンを使用せずに難燃性の付与が可能となることから、安全性が非常に高く環境上無公害である。しかも、無機質充填剤の一部として金属水酸化物もしくは複合化金属水酸化物よりも小さな粒径のものを用いるため、上記金属水酸化物もしくは複合化金属水酸化物の成形金型表面への付着が抑制され、結果、離型性の向上が実現する。
【０１０５】
したがって、本発明にかかる半導体封止用樹脂組成物を用いて封止された半導体装置は、無公害な難燃化技術、および半導体装置の信頼性を格段に向上させる技術を提供するものであり、しかもその成形作業性においても優れており産業上の利用価値は極めて高いものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】離型性の評価方法に用いるエポキシ樹脂組成物硬化体の成形方法を示す説明図である。
【図２】離型性の評価方法である離型荷重の測定方法を示す説明図である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a resin composition for encapsulating a semiconductor excellent in flame retardancy and moisture resistance reliability and excellent in molding workability, and a semiconductor device using the same.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs have been encapsulated by ceramics or the like to form semiconductor devices. However, recently, resin-encapsulated semiconductor devices using plastic are mainstream from the viewpoint of cost and mass productivity. It has become. An epoxy resin composition has been conventionally used for this type of resin sealing, and has achieved good results. However, technological innovations in the semiconductor field have led to improvements in the degree of integration, increasing device size and wiring, and packages are becoming smaller and thinner. There is a demand for further improvement in reliability.
[0003]
On the other hand, it is indispensable for electronic parts such as semiconductor devices to conform to UL94 V-0, which is a flame retardant standard, and conventionally, as a method of imparting flame retardancy to a resin composition for semiconductor encapsulation. A method of adding a brominated epoxy resin and antimony oxide is generally performed.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, there are two major problems with the flame retardancy imparting technology.
[0005]
The first problem is the harmfulness of antimony trioxide itself, the occurrence of hydrogen bromide, bromine-based gas, antimony bromide, etc. during combustion. Environmental safety is a problem, such as disposal of industrial waste produced in Japan and disposal of semiconductor devices after use.
[0006]
As a second problem, if a semiconductor device adopting the above-mentioned flame retarding technology is left at high temperature for a long time, the aluminum wiring on the semiconductor element is corroded by the influence of liberated bromine, which causes the failure of the semiconductor device. A decrease in high temperature reliability is a problem.
[0007]
In order to solve the above problems, a method has been proposed in which a metal hydroxide that is non-halogen-nonantimony is added as an inorganic flame retardant. However, this method requires the use of a large amount (for example, 40% by weight or more) of metal hydroxide, resulting in new problems.
[0008]
The first problem is that the semiconductor device is liable to swell or crack during soldering. In recent years, surface mounting has become the mainstream as a method for mounting semiconductor devices, and soldering methods such as solder dipping, infrared reflow, and vapor phase reflow are selected and used during soldering. Regardless of which treatment is employed, since the semiconductor device is exposed to a high temperature (usually 215 to 260 ° C.), in a semiconductor device by resin sealing using a resin composition to which a conventional metal hydroxide is added, Since the metal hydroxide has a large amount of water absorption, there is a problem of so-called low solder resistance that the semiconductor device swells or cracks due to the rapid vaporization of the moisture absorbed.
[0009]
The second problem is that the function of the semiconductor element is deteriorated in a high-temperature and high-humidity environment of 80 to 200 ° C. and a relative humidity of 70 to 100% with respect to moisture resistance reliability. Further, in semiconductor elements having a large calorific value or semiconductor devices mounted around the engine of an automobile, a dehydration reaction occurs due to long-term use, which may cause a problem that moisture resistance reliability is lowered.
[0010]
As described above, the conventional flame-retarding technology causes the above-described problems. Therefore, it is a safe and non-polluting material that does not generate harmful gas during combustion, and metal hydroxide is used when soldering semiconductor devices. Development of flame retardant technology that does not cause swelling or cracking of semiconductor devices due to dehydration of materials, and does not cause corrosion of aluminum wiring on semiconductor elements or deterioration of moisture resistance reliability even when left in a high temperature and high humidity atmosphere for a long time Is strongly desired. Therefore, the present applicant has proposed a thermosetting resin composition for semiconductor encapsulation using a metal hydroxide and a metal oxide in combination with a thermosetting resin and a curing agent to solve the above-mentioned problems (special features). Application No. 7-507466). Although the improvement effect of flame retardancy and moisture resistance reliability was certainly obtained by using this thermosetting resin composition for encapsulating semiconductors, along with technological innovation in the semiconductor field in recent years, it is further enhanced with high flame retardancy. Improvement of moisture resistance reliability is desired, and there is a need to meet the demand. On the other hand, when the semiconductor element is resin-sealed using the thermosetting resin composition for semiconductor encapsulation using the metal hydroxide and the metal oxide in combination, the molded product is released when the molded product is released from the molding die. The mold releasability from the mold was poor, and as a result, there was a problem that molding workability was poor.
[0011]
The present invention has been made in view of such circumstances. In addition to safety, it is excellent in moisture resistance reliability and flame retardancy, and is excellent in mold release properties, and as a result, for semiconductor sealing excellent in molding workability. An object is to provide a resin composition and a semiconductor device using the same.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a resin composition for encapsulating a semiconductor containing the following components (a) to (e), wherein the metal hydroxide as the component (c) is an average particle: While having a diameter of 0.6 to 20 μm, a part of the inorganic filler as the component (e) has a particle size smaller than the metal hydroxide as the component (c) and has an average particle size of 0.5 to Ri 10μm der and the content ratio inorganic filler [(e) component] a semiconductor encapsulating resin composition that is set to 1 to 20% by weight in total and the first aspect.
(A) Thermosetting resin.
(B) Curing agent.
(C) A metal hydroxide represented by the following general formula (1).
[Chemical formula 5]
m (M _a O _b ) · cH ₂ O (1)
[In the above formula (1), M is a metal element, a, b, c are positive numbers, and m is a positive number of 1 or more. ]
(D) A metal oxide represented by the following general formula (2).
[Chemical 6]
m ′ (Q _d O _e ) (2)
[In the above formula (2), Q is a metal element belonging to the group selected from IVa, Va, VIa, VIIa, VIII, Ib, IIb of the periodic table, and M in the above formula (1) It is a different metal element. D and e are positive numbers, and m ′ is a positive number of 1 or more. ]
(E) Inorganic filler.
[0013]
A resin composition for encapsulating a semiconductor containing the following components (a), (b), (c '), and (e), wherein the composite metal hydroxide as the component (c) is: The average particle diameter is 0.6 to 20 μm, and part of the inorganic filler as the component (e) has a particle size smaller than that of the composite metal hydroxide as the component (c), and the average particle Ri diameter 0.5~10μm der and the content ratio inorganic filler [(e) component] a semiconductor encapsulating resin composition that is set to 1 to 20% by weight in total and the second aspect .
(A) Thermosetting resin.
(B) Curing agent.
(C ') A composite metal hydroxide in which a metal hydroxide represented by the following general formula (1) and a metal oxide represented by the following general formula (2) are combined.
[Chemical 7]
m (M _a O _b ) · cH ₂ O (1)
[In the above formula (1), M is a metal element, a, b, c are positive numbers, and m is a positive number of 1 or more. ]
[Chemical 8]
m ′ (Q _d O _e ) (2)
[In the above formula (2), Q is a metal element belonging to the group selected from IVa, Va, VIa, VIIa, VIII, Ib, IIb of the periodic table, and M in the above formula (1) It is a different metal element. D and e are positive numbers, and m ′ is a positive number of 1 or more. ]
(E) Inorganic filler.
[0014]
And this invention makes the 3rd summary the semiconductor device formed by sealing a semiconductor element using the said resin composition for semiconductor sealing.
[0015]
That is, the present inventors conducted a series of studies in order to obtain a resin composition for encapsulating a semiconductor that is excellent not only in safety but also in moisture resistance reliability and flame retardancy, and also in excellent mold release properties. In conducting this research, first, research was conducted to find out the cause of a decrease in releasability when using the resin composition for encapsulating a semiconductor using the metal hydroxide and the metal oxide in combination. As a result, the metal hydroxide that acts as a flame retardant exhibits a strong affinity with the molding die, and once this metal hydroxide is transferred and adhered to the molding die, At the time of molding, it has an effect of increasing the adhesion to the molded product, and as a result, it has been found that the releasability of the molded product may be deteriorated. Based on this finding, investigations have been made focusing on the means for suppressing the above action, and further studies have been carried out for the purpose of preventing the metal hydroxide from adhering to the molding die surface. As a result, the metal hydroxide represented by the above general formula (1) and the metal oxide represented by the above general formula (2), which have an excellent effect as a flame retardant, are used in combination. When an inorganic filler containing a specific ratio of an inorganic filler having a particle size smaller than the average particle size of the metal hydroxide having flame retardancy is used, the small particle size inorganic filler is converted into the metal hydroxide. Disperses to cover the object, preventing direct contact between the metal hydroxide and the mold during molding, the metal hydroxide is not transferred to the mold surface, the mold dirt base point is formed It has become difficult to achieve the present invention, as it has been found that good mold releasability can be obtained and molding workability can be improved.
[0016]
Moreover, it replaces with the metal hydroxide represented by the said General formula (1), and the metal oxide represented by the said General formula (2), and the composite form which this metal hydroxide and the metal oxide compounded Even if the composite metal hydroxide is used, an inorganic material containing a specific proportion of an inorganic filler having a particle size smaller than the average particle size of the composite metal hydroxide that exhibits flame retardancy, as described above. When the filler is used, the same effect as described above can be obtained, and as a result, good mold releasability can be obtained and the molding workability can be improved.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described in detail.
[0018]
The resin composition for semiconductor encapsulation according to the present invention is roughly divided into two modes. First, the resin composition for semiconductor encapsulation which becomes the first aspect will be described. The resin composition for semiconductor encapsulation according to the first aspect includes a thermosetting resin (component A), a curing agent (component B), a specific metal hydroxide (component C), and a specific metal oxide. It is obtained using (d) and a specific inorganic filler (e), and is usually in the form of a powder or a tablet obtained by tableting this.
[0019]
Examples of the thermosetting resin (component A) include epoxy resins, polymaleimide resins, unsaturated polyester resins, and phenol resins. In particular, in the present invention, it is preferable to use an epoxy resin or a polymaleimide resin.
[0020]
As said epoxy resin, it does not specifically limit and a conventionally well-known thing is used. For example, bisphenol A type, phenol novolac type, cresol novolac type, biphenyl type and the like can be mentioned.
[0021]
The polymaleimide resin is not particularly limited, and conventionally known polymaleimide resins are used and have two or more maleimide groups in one molecule. For example, N, N′-4,4′-diphenylmethane bismaleimide, 2,2-bis- [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane and the like can be mentioned.
[0022]
As a hardening | curing agent (b component) used with the said thermosetting resin (b component), conventionally well-known things, such as a phenol resin, an acid anhydride, an amine compound, are used, for example. And when using an epoxy resin as said thermosetting resin, a phenol resin is used suitably. Examples of the phenol resin include phenol novolak, cresol novolak, bisphenol A type novolak, naphthol novolak, and phenol aralkyl resin.
[0023]
Moreover, as a hardening | curing agent at the time of using polymaleimide resin as a thermosetting resin, it does not specifically limit and a conventionally well-known thing is used. Examples thereof include alkenylphenols and amines obtained by reacting the curing agent for epoxy resins with an allyl halide in the presence of an alkali.
[0024]
The specific metal hydroxide (component C) used together with the thermosetting resin (component A) and the curing agent (component B) is a metal hydroxide represented by the following general formula (1).
[0025]
[Chemical 9]
m (M _a O _b ) · cH ₂ O (1)
[In the above formula (1), M is a metal element, a, b, c are positive numbers, and m is a positive number of 1 or more. ]
[0026]
Regarding the metal hydroxide represented by the general formula (1), M representing the metal element in the formula (1) is Al, Mg, Ca, Ni, Co, Sn, Zn, Cu, Fe, Ti, B etc. are mention | raise | lifted.
[0027]
Specific examples of the metal hydroxide represented by the above formula (1) include Al ₂ O ₃ · cH ₂ O (0 <c ≦ 3), MgO · cH ₂ O (0 <c ≦ 1). , CaO · cH ₂ O (0 <c ≦ 1), Ni _a O · cH ₂ O (0.5 <a ≦ 2, 0 <c ≦ 2), CoO _b · cH ₂ O (1 ≦ b ≦ 2, 0 <c ≦ 2), PbO _b · cH ₂ O (0.5 ≦ b ≦ 2, 0 <c ≦ 2), SnO _b · cH ₂ O (1 ≦ b ≦ 2, 0 <c ≦ 2), ZnO CH ₂ O (0 <c ≦ 1), FeO _b · cH ₂ O (1 ≦ b ≦ 1.5, 0.5 ≦ c ≦ 1.5), CuO _b · cH ₂ O (0.5 ≦ b) ≦ 1, 0 <c ≦ 1) and the like. These may be used alone or in combination of two or more. In particular, when two or more types are used in combination, it is also effective to use them by mechanical mixing.
[0028]
In the thermal properties of the metal hydroxide represented by the general formula (1), the dehydration start temperature is preferably 200 ° C. or higher. Particularly preferably, the dehydration start temperature is 260 ° C. or higher. The dehydration start temperature is a value measured at a heating rate of 10 ° C./min by a thermogravimetric method (measured in air) using a thermobalance, and when the loss on heating reaches 5% by weight. And the temperature at which the differential heating loss value (the value obtained by linearly differentiating the heating loss with time, that is, the heating loss rate) exceeds 0.5 wt% / min, is the lower temperature.
[0029]
Among the metal hydroxides represented by the general formula (1), metal hydroxides having a large endothermic energy accompanying dehydration per unit weight and having a dehydration start temperature of 200 ° C. or higher are preferably used. Specifically, it is particularly preferable to use MgO · cH ₂ O (0 <c ≦ 1) and Al ₂ O ₃ · cH ₂ O (0 <c ≦ 3).
[0030]
And the metal hydroxide represented by said Formula (1) is generally a granular material, Comprising: It is necessary to use the thing of the range of the average particle diameter of 0.6-20 micrometers by a laser type particle size measuring machine. That is, when the average particle diameter of the metal hydroxide is larger than 20 μm, the specific surface area is decreased, and the efficiency of flame retardancy is decreased. Particularly preferred is an average particle size of 1 to 15 μm.
[0031]
The specific metal oxide (d) used together with the thermosetting resin (b), the curing agent (b) and the specific metal hydroxide (c) is represented by the following general formula (2). Is.
[0032]
[Chemical Formula 10]
m ′ (Q _d O _e ) (2)
[In the above formula (2), Q is a metal element belonging to the group selected from IVa, Va, VIa, VIIa, VIII, Ib, IIb of the periodic table, and M in the above formula (1) It is a different metal element. D and e are positive numbers, and m ′ is a positive number of 1 or more. ]
[0033]
One feature of the present invention is that the special metal hydroxide (component c) described above and the metal oxide (component d) are used in combination. In this case, in the formula (1), The metal element M in the formula (1) of the metal hydroxide represented must be different from the metal element Q in the formula (2) of the metal oxide represented by the formula (2).
[0034]
Q representing a metal element in the metal oxide represented by the general formula (2) is a metal belonging to a group selected from IVa, Va, VIa, VIIa, VIII, Ib, and IIb in the periodic table. For example, iron, cobalt, nickel, palladium, copper, zinc, cadmium and the like can be mentioned, and these are selected singly or in combination of two or more.
[0035]
Specific examples include MgO, CaO, NiO _b (0.5 ≦ b ≦ 2), CoO _b (1 ≦ b ≦ 2), PbO _b (0.5 ≦ b ≦ 2), SnO _b (1 ≦ b ≦ 2), ZnO, FeO _b (1 ≦ b ≦ 1.5), CuO _b (0.5 ≦ b ≦ 1), TiO _b (1 ≦ b ≦ 2), PdO _b (1 ≦ b ≦ 2) ) Etc.
[0036]
Furthermore, the metal oxide represented by the above formula (2) is generally a granular material, and those having an average particle size in the range of 0.1 to 30 μm by a laser particle size measuring device are preferably used. Particularly preferred is an average particle size of 0.5 to 20 μm.
[0037]
As a suitable combination of the metal hydroxide represented by the above general formula (1) (component c) and the metal oxide represented by the general formula (2) (two components), for example, MgO.H ₂ A combination of a metal hydroxide of O, Al ₂ O ₃ .cH ₂ O (0 <c ≦ 3) and a metal oxide of FeO _b (1 ≦ b ≦ 1.5), NiO, ZnO can be mentioned.
[0038]
The inorganic filler (e component) used together with the above-mentioned components (i) to (d) is not particularly limited, and various conventionally known fillers can be mentioned. Examples thereof include quartz glass powder, talc, silica powder, alumina powder, calcium carbonate, boron nitride, silicon nitride, and carbon black powder. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, it is particularly preferable to use silica powder.
[0039]
Then, in the present invention, the greatest feature is the use of a material having a small particle size than the particle size of the metal hydroxide as a part of the inorganic filler, than the metal hydroxide The inorganic filler ( x) having a small particle size must have an average particle size of 0.5 to 10 μm. That is, if the average particle size of the inorganic filler ( x) is too small, such as less than 0.5 μm, the fluidity decreases, and if the average particle size exceeds 10 μm, the metal hydroxide and the molding die This is because the effect of preventing the contact is reduced. The blending ratio [(c) / (x)] of the metal hydroxide (component c) and the inorganic filler ( x) is (c) / (x) = 1/0. It is preferable to set to 1-1 / 1. That is, when the inorganic filler ( x) is less than 0.1 with respect to the metal hydroxide (component c) in the blending ratio (c) / (x) of the above, the metal hydroxide and the molding die This is because the effect of preventing contact is reduced, and conversely, when it exceeds 1, fluidity tends to decrease.
[0040]
In addition, in this invention, the content rate of the said inorganic filler ( x) which has a particle size smaller than the particle size of a metal hydroxide (c component) is 1-20 weight in the whole inorganic filler (e component). It is necessary to set to be%. That is, when the inorganic filler ( x) is less than 1% by weight of the entire inorganic filler (e), the effect of preventing the contact between the molding die and the metal hydroxide is reduced, and when it exceeds 20% by weight. a Luke et al to decrease flowability.
[0041]
The compounding amount of the inorganic filler (e component) is the total amount of the inorganic material obtained by adding the above-mentioned metal hydroxide (component c) and metal oxide (d component) to the inorganic filler. It is preferable to set to 60 to 92% by weight of the entire resin composition. Particularly preferred is 70 to 90% by weight. That is, if the total amount of the inorganic material is less than 60% by weight, the flame retardancy tends to decrease.
[0042]
And among these, it is preferable to set the content of the metal hydroxide (component C) and the metal oxide (component D) in the range of 4 to 40% by weight of the entire semiconductor sealing resin composition. Particularly preferably, it is 10 to 30% by weight. That is, when the content of the metal hydroxide and the metal oxide is less than 4% by weight, the flame retardant effect is poor, and when it exceeds 40% by weight, the solder resistance and the moisture resistance reliability tend to be lowered. . At this time, the metal oxide represented by the general formula (2) used in combination is used in a proportion of 10 to 50% by weight with respect to the metal hydroxide represented by the general formula (1). That is, if the metal oxide is less than 10% by weight relative to the metal hydroxide, the effect of promoting the carbonization of the metal oxide is small and it is difficult to obtain a sufficient flame retarding effect. This is because the amount of material is relatively small, and it becomes difficult to obtain a flame-retardant effect.
[0043]
Next, the semiconductor sealing resin composition according to the second embodiment will be described. The resin composition for semiconductor encapsulation according to the second aspect comprises a thermosetting resin (I component), a curing agent (B component), a specific composite metal hydroxide (C ′ component), a specific It is obtained using an inorganic filler (e component) and is usually in the form of a powder or a tablet obtained by compressing it.
[0044]
About the said thermosetting resin (I component) and a hardening | curing agent (b component), the thing similar to what was described by the resin composition for semiconductor sealing of the said 1st aspect is used.
[0045]
The composite metal hydroxide (component c) used together with the thermosetting resin (component a) and the curing agent (component b) is the metal hydroxide (component c) and metal oxide in the first aspect. It is used in place of (B component), and is a composite form in which this metal hydroxide and metal oxide are combined. That is, the composite metal hydroxide (component c) used in the second embodiment includes the metal hydroxide represented by the general formula (1) and the metal represented by the general formula (2). It is a composite metal hydroxide in which an oxide is combined.
[0046]
Specific examples of the composite metal hydroxide include sMgO. (1-s) NiO.cH ₂ O [0 <s <1, 0 <c ≦ 1], sMgO. (1-s ) ZnO.cH ₂ O [0 <s <1, 0 <c ≦ 1], sAl ₂ O _3. (1-s) Fe ₂ O ₃ .cH ₂ O [0 <s <1, 0 <c ≦ 3 ] And the like. Of these, magnesium oxide / nickel oxide hydrate and magnesium oxide / zinc oxide hydrate are particularly preferably used.
[0047]
The composite metal hydroxide (component c) is generally a granular material, and it is necessary to use a compound having an average particle diameter of 0.6 to 20 [mu] m measured by a laser particle size analyzer. That is, when the average particle diameter of the composite metal hydroxide exceeds 20 μm and becomes large, the flame retardancy effect is reduced as in the first embodiment. Particularly preferred is an average particle size of 1 to 15 μm.
[0048]
The amount of the composite metal hydroxide (component c) is preferably set in the range of 1 to 30% by weight of the entire resin composition, and exhibits its flame retarding effect within this range. Can do. Also in this case, as in the first embodiment, the flame retardancy effect is insufficient when the composite metal hydroxide is less than 1% by weight, and the moisture resistance reliability tends to be lowered when the composite metal hydroxide exceeds 30% by weight. .
[0049]
The inorganic filler (e component) used together with the thermosetting resin (a component), the curing agent (b component) and the composite metal hydroxide (c ′ component) is particularly limited as in the first embodiment. Instead, there are various conventionally known fillers. Examples thereof include quartz glass powder, talc, silica powder, alumina powder, calcium carbonate, boron nitride, silicon nitride, and carbon black powder, and these are used alone or in combination of two or more. Among these, it is particularly preferable to use silica powder.
[0050]
Then, as in the first embodiment, even when using a composite metal hydroxide (c 'component), in the present invention, as a part of the inorganic filler described above composite metal hydroxide (c It is the greatest feature to use a particle having a particle size smaller than the particle size of the 'component), and the inorganic filler ( x) having a particle size smaller than that of the composite metal hydroxide is an average particle. The diameter must be between 0.5 and 10 μm. That is, as in the first embodiment, if the average particle size of the inorganic filler ( x) is too small, such as less than 0.5 μm, the fluidity decreases, and if the average particle size exceeds 10 μm, This is because the effect of preventing contact between the metal hydroxide and the molding die is reduced. The compounding ratio [(c ′) / (x)] of the composite metal hydroxide (c ′ component) and the inorganic filler ( x) is (c ′) / (x) by weight ratio. = 1 / 0.1 to 1/1 must be set. That is, if the inorganic filler ( x) is less than 0.1 with respect to the composite metal hydroxide (component c) in the blending ratio (c ') / (x), the composite metal hydroxide This is because the effect of preventing contact with the molding die is reduced, and on the other hand, when it exceeds 1, fluidity is reduced.
[0051]
In this case as well, the content ratio of the inorganic filler ( x) having a particle size smaller than the particle size of the composite metal hydroxide (ha 'component) is 1 in the entire inorganic filler (e component). It needs to be set to be ˜20% by weight.
[0052]
The blending amount of the inorganic filler (e component) is such that the total amount of the inorganic material obtained by adding the composite metal hydroxide (component c) to the inorganic filler is the total amount of the resin composition for semiconductor encapsulation. It is preferable to set to 60 to 92% by weight. Particularly preferred is 70 to 90% by weight. That is, if the total amount of the inorganic material is less than 60% by weight, the flame retardancy tends to decrease.
[0053]
And as a resin composition for semiconductor sealing of the 1st aspect and the 2nd aspect, the chlorine ion concentration in the extraction water extracted according to the following method in any case is 200 micrograms or less per 1g of hardening bodies of the said resin composition. It is preferable that That is, 5 g of the thermosetting resin composition and 50 cc of distilled water are put into a dedicated extraction container, and this container is left in a dryer at 160 ° C. for 20 hours to extract extraction water (pH 6.0 to 8.0). Then, the extracted water is subjected to ion chromatography analysis to measure the chlorine ion content (α). Since this chlorine ion amount (α) is a value obtained by diluting the amount of ions in the cured resin composition 10 times, the amount of chlorine ions per 1 g of the cured resin composition is calculated by the following formula. The pH of the extracted water is preferably in the range of 6.0 to 8.0.
[0054]
[Expression 1]
Chlorine ion amount per 1 g of cured resin composition (μg) = α × (50/5)
[0055]
That is, when the chlorine ion concentration contained in the extracted water of the cured resin composition exceeds 200 μg, the semiconductor element, the lead frame, etc. tend to corrode or the moisture resistance tends to deteriorate. .
[0056]
In addition, the resin composition for semiconductor encapsulation of the first and second aspects according to the present invention includes the above-mentioned a, b, c, d, h, or a, b, c, In addition to the components, a curing accelerator, a pigment, a release agent, a flexibility imparting agent, and the like can be appropriately added as necessary.
[0057]
As the curing accelerator, conventionally known ones such as 1,8-diaza-bicyclo (5,4,0) undecene-7, tertiary aminos such as triethylenediamine, imidazoles such as 2-methylimidazole, Examples thereof include phosphorus curing accelerators such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate.
[0058]
Examples of the pigment include carbon black and titanium oxide. Examples of the releasing agent include polyethylene wax, paraffin, fatty acid ester, fatty acid salt and the like.
[0059]
Furthermore, examples of the flexibility imparting agent include coupling agents such as silane coupling agents, silicone resins, butadiene-acrylonitrile rubbers, and the like.
[0060]
In the resin composition for semiconductor encapsulation according to the present invention (both the first aspect and the second aspect), when an organic flame retardant is further used in addition to the above components, the amount of the metal hydroxide used Can be reduced, which is preferable. A typical organic flame retardant is a compound having a heterocyclic skeleton.
[0061]
Examples of the compound having a heterocyclic skeleton include compounds having a heterocyclic skeleton such as melamine derivatives, cyanurate derivatives, and isocyanurate derivatives. These may be used alone or in combination of two or more.
[0062]
The organic flame retardant may be blended after mechanically mixing with the metal hydroxide, metal oxide or composite metal hydroxide in advance, or the organic flame retardant is dissolved in a solvent. You may use what carried out the surface treatment after adding the said metal hydroxide, a metal oxide, and a composite metal hydroxide, and removing the solvent.
[0063]
The content of the organic flame retardant is preferably set in the range of 1 to 10% by weight of the total amount of the metal hydroxide and the metal oxide or the amount of the composite metal hydroxide. . Especially preferably, it is 1 to 5 weight%.
[0064]
The resin composition for encapsulating a semiconductor according to the present invention can be produced, for example, as follows in both the first aspect and the second aspect. That is, together with the thermosetting resin (I component) and the curing agent (B component), in the first embodiment, the metal hydroxide (C component) and the metal oxide (D component) and the inorganic filler (E component), In the second embodiment, a composite metal hydroxide (component c) and an inorganic filler (e component) and other additives as required are blended in a predetermined ratio. Next, the mixture is melt-kneaded in a heated state using a kneader such as a mixing roll machine, and cooled to room temperature. And the target resin composition for semiconductor sealing can be manufactured according to a series of processes of grind | pulverizing by a well-known means, and tableting as needed.
[0065]
The semiconductor element sealing method using the semiconductor sealing resin composition thus obtained is not particularly limited, and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.
[0066]
Next, examples will be described together with comparative examples.
[0067]
Each material shown below was prepared.
[Epoxy resin a]
Cresol novolac epoxy resin (epoxy equivalent 200)
[0068]
[Epoxy resin b]
Biphenyl epoxy resin (epoxy equivalent 195)
[0069]
[Phenolic resin c]
Phenol novolac resin (hydroxyl equivalent 107)
[0070]
[Phenolic resin d]
Phenol aralkyl resin (hydroxyl equivalent 174)
[0071]
[Amorphous silica e]
Average particle size 30μm
[0072]
[Fine particle filler f]
Silica powder, average particle size 0.1μm
[0073]
[Fine particle filler g]
Silica powder, average particle size 0.7μm
[0074]
[Fine particle filler h]
Silica powder, average particle size 10μm
[0075]
[Phosphorus curing accelerator]
Triphenylphosphine [0076]
[Ester wax]
Carnauba wax [0077]
[Olefin wax]
Polyethylene wax [0078]
(1) An embodiment in the first aspect in which a metal hydroxide and a metal oxide are used in combination will be described.
[0079]
First, prior to the examples, metal hydroxides and metal oxides shown in Table 1 below were prepared.
[0080]
[Table 1]

[0081]
Examples 1-7, Comparative Examples 1-3
First, the components shown in Tables 2 to 3 below are blended in the proportions shown in the same table, melt kneaded for 3 minutes in a mixing roll machine (temperature 100 ° C.), cooled and solidified, and then pulverized to obtain the desired powder. An epoxy resin composition was obtained.
[0082]
[Table 2]

[0083]
[Table 3]

[0084]
(2) An embodiment in the second aspect using a composite metal hydroxide will be described.
[0085]
First, prior to the examples, composite metal hydroxides shown in Table 4 below were prepared.
[0086]
[Table 4]

[0087]
Examples 8-11, Comparative Examples 4-6
First, the components shown in Tables 5 to 6 below are blended in the proportions shown in the same table, melt kneaded for 3 minutes in a mixing roll machine (temperature 100 ° C.), cooled and solidified, and then pulverized to obtain the desired powder. An epoxy resin composition was obtained.
[0088]
[Table 5]

[0089]
[Table 6]

[0090]
Using the epoxy resin compositions of Examples and Comparative Examples thus obtained, the chlorine ion concentration of the cured product was measured. In addition, the measuring method of chlorine ion concentration followed the above-mentioned method. Further, a test piece having a thickness of 1/16 inch was molded using each epoxy resin composition, and flame retardancy was evaluated according to the method of UL94 V-0 standard. In addition, a pass means a 94-V0 pass.
[0091]
Next, each epoxy resin composition was used for the following evaluation test (gel time at 175 ° C., hot hardness at 175 ° C., release load test after 5 shots).
[0092]
[Gel time at 175 ° C.]
The gel time at 175 ° C. was measured according to a hot plate gel time measurement method.
[0093]
[Hardness at heat at 175 ° C]
Immediately after molding under the condition of 175 ° C. × 60 seconds, the hardness during heating was measured using a Shore D hardness meter.
[0094]
[Release load test]
First, using a mold having a three-layer structure (upper mold 10, middle mold 11, lower mold 12) as shown in FIG. 1, molding is performed under the conditions of 175 ° C. × 60 seconds, and the separation in the cured epoxy resin composition is performed. The mold load (after 5 shots) was measured. In the figure, 13 is a cull, 14 is a sprue, 15 is a runner, and 16 is a cavity. As shown in FIG. 2, the load at the time of mold release is measured by placing the middle mold 11 on the support base 17 and using the push-pull gauge 18 from above to cure the epoxy resin composition in the middle mold 11. 19 was demolded. The load value at this time was measured.
[0095]
Further, by using the epoxy resin compositions obtained in the above examples and comparative examples, a semiconductor device was obtained by transfer molding (condition: 175 ° C. × 2 minutes) and post-curing at 175 ° C. × 5 hours. It was. This semiconductor device has an 80-pin QFP (quad flat package, size: 20 × 14 × 2 mm), and a die pad size of 8 × 8 mm.
[0096]
The semiconductor device thus obtained was measured nondestructively with an ultrasonic flaw detector. After the measurement, the number (in 10) where internal peeling occurred was counted. And after the said measurement, the good product was used for the solder test shown next. That is, using a non-defective semiconductor device, after pre-baking at 120 ° C. for 1 hour, absorbing moisture at 85 ° C./85% RH × 168 hours, and then performing an evaluation test for 90 seconds at 215 ° C. VPS (solder crack resistance) ) The number of cracks (of 10) was measured.
[0097]
The above measurement / evaluation results are also shown in Tables 7 to 10 below.
[0098]
[Table 7]

[0099]
[Table 8]

[0100]
[Table 9]

[0101]
[Table 10]

[0102]
As is clear from Tables 7 to 10 above, all the examples have a high flame retardancy level, and since the mold release load is small, the moldability is also excellent, and the reliability of the obtained semiconductor device. Good results were also obtained.
[0103]
On the other hand, for the comparative examples, there was no problem with respect to the flame retardancy level, but some of them had a large mold release load and had a problem with moldability, and the reliability of the obtained semiconductor device. It turns out that it is inferior.
[0104]
【The invention's effect】
As described above, the present invention contains the metal hydroxide represented by the general formula (1) (component c) and the metal oxide represented by the general formula (2) (component d), and with a metal hydroxide has an average particle diameter 0.6～20Myuemu, the inorganic filler (e component) Portions average particle diameter a small particle diameter than the metal hydroxide 0.5~10μm DOO Ri Na, the content is inorganic filler [(e) component] a semiconductor encapsulating resin composition that is set to 1 to 20% by weight in total. Alternatively, the containing composite metal hydroxide (c 'component), and together with the composite metal hydroxide has an average particle diameter 0.6～20Myuemu, part of the inorganic filler (E component) there is set to 1 to 20% by weight of the metal hydroxide Ri Do as the average particle diameter 0.5~10μm even smaller particle size than in the entire content ratio inorganic filler [(e) component] Tei Ru is a semiconductor sealing resin composition. In this way, the use of the above metal hydroxides and metal oxides, or composite metal hydroxides has no influence of bromine compared to brominated epoxy resins, which are conventional flame retardants, even under high temperature and high humidity. The element and aluminum wiring are not corroded and the moisture resistance reliability is improved and the service life is extended. Furthermore, since flame retardancy can be imparted without using harmful halides or antimony trioxide, it is very safe and environmentally non-polluting. In addition, since a part of the inorganic filler having a particle size smaller than that of the metal hydroxide or composite metal hydroxide is used, the metal hydroxide or composite metal hydroxide is applied to the molding die surface. Adhesion is suppressed, and as a result, improvement in releasability is realized.
[0105]
Therefore, a semiconductor device encapsulated with the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the present invention provides a pollution-free flame retardant technology and a technology for significantly improving the reliability of the semiconductor device. In addition, the molding workability is excellent and the industrial utility value is extremely high.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing a molding method of a cured epoxy resin composition used in a method for evaluating releasability.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a method for measuring a release load, which is a method for evaluating release properties.

Claims

It is the resin composition for semiconductor sealing containing the following (i)-(e) component, Comprising: While the metal hydroxide which is the said (c) component has an average particle diameter of 0.6-20 micrometers, said ( e) a part of the inorganic filler as component Ri average particle diameter 0.5~10μm der even smaller particle size than the metal hydroxide is the component (c), the content ratio inorganic filler [(e) ingredient] a semiconductor encapsulating resin composition characterized that you have been set to 1 to 20% by weight in total.
(A) Thermosetting resin.
(B) Curing agent.
(C) A metal hydroxide represented by the following general formula (1).

[In the above formula (1), M is a metal element, a, b, c are positive numbers, and m is a positive number of 1 or more. ]
(D) A metal oxide represented by the following general formula (2).

[In the above formula (2), Q is a metal element belonging to the group selected from IVa, Va, VIa, VIIa, VIII, Ib, IIb of the periodic table, and M in the above formula (1) It is a different metal element. D and e are positive numbers, and m ′ is a positive number of 1 or more. ]
(E) Inorganic filler.

The compounding ratio [(c) / (x)] of the metal hydroxide as the component (c) and the inorganic filler ( x) having a smaller particle size than the metal hydroxide as the component (c) The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein, by weight ratio, (c) / (x) = 1 / 0.1 to 1/1.

M representing the metal element in the metal hydroxide represented by the general formula (1) is aluminum, magnesium, calcium, nickel, cobalt, tin, zinc, copper, iron, titanium, or boron. 2. The resin composition for semiconductor encapsulation according to 2.

The Q representing the metal element in the metal oxide represented by the general formula (2) is iron, cobalt, nickel, palladium, copper, zinc, or cadmium. Semiconductor sealing resin composition.

The total content of the metal hydroxide represented by the general formula (1) and the metal oxide represented by the general formula (2) is set in a range of 4 to 40% by weight of the entire resin composition. The resin composition for semiconductor sealing as described in any one of Claims 1-4.

A semiconductor sealing resin composition containing the following components (a), (b), (c '), and (e), wherein the composite metal hydroxide as the component (c) is an average particle While having a diameter of 0.6 to 20 μm, a part of the inorganic filler as the component (e) is smaller in particle size than the composite metal hydroxide as the component (c) and has an average particle size of 0. .5~10μm der is, the semiconductor encapsulating resin composition in which the content is characterized that you have been set to 1 to 20% by weight in total inorganic filler [(e) component].
(A) Thermosetting resin.
(B) Curing agent.
(C ') A composite metal hydroxide in which a metal hydroxide represented by the following general formula (1) and a metal oxide represented by the following general formula (2) are combined.

[In the above formula (1), M is a metal element, a, b, c are positive numbers, and m is a positive number of 1 or more. ]

The compounding ratio of the composite metal hydroxide as the component (c) and the inorganic filler ( x) having a smaller particle size than the compound metal hydroxide as the component (c) [(c ) / (X)] is a weight ratio of (ha ′) / (x) = 1 / 0.1 to 1/1.

The composite metal hydroxide as the component (c ') is sMgO. (1-s) NiO.cH ₂ O [0 <s <1, 0 <c ≦ 1]. Semiconductor sealing resin composition.

The composite metal hydroxide as the component (c ') is sMgO. (1-s) ZnO.cH ₂ O [0 <s <1, 0 <c ≦ 1]. Semiconductor sealing resin composition.

10. The semiconductor according to claim 6, wherein the content of the composite metal hydroxide as the component (c ′) is set in the range of 1 to 30 wt% of the entire resin composition. Resin composition for sealing.

The pH of the extract of the cured resin composition for encapsulating a semiconductor is in the range of 6.0 to 8.0, and the chlorine ion concentration is 200 µg or less per 1 g of the cured resin composition. The resin composition for semiconductor sealing as described in any one of 10-10.

The cured product of the resin composition for semiconductor encapsulation exhibits flame retardancy equivalent to V-0 in a UL94 combustion test at a thickness of 1/16 inch. Semiconductor sealing resin composition.

The thermosetting resin which is said (i) component is an epoxy resin, The resin composition for semiconductor sealing as described in any one of Claims 1-12.

The semiconductor device formed by sealing a semiconductor element using the resin composition for semiconductor sealing as described in any one of Claims 1-13.