JP4023873B2 - Composition for resin insulating layer capable of electroless plating and method for producing wiring board using the same - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は無電解めっきを可能にする樹脂絶縁層用組成物、及びそれを用いた配線基板の製造方法に関する。より詳しく言えば、本発明の樹脂絶縁層用組成物はその組成物の硬化物上に直接無電解めっき皮膜を形成できる組成物であり、この組成物はプリント配線基板、特に高周波回路用プリント配線基板や高密度多層プリント配線基板等のための絶縁材料として特に有用である。
【0002】
【従来の技術】
例えば高密度多層プリント配線基板には、導体回路層と樹脂絶縁層を交互に積み上げ、内・外装回路を接続、導通させてなるビルドアップ多層配線基板がある。このビルドアップ配線基板のパターン形成方法としては、現在サブトラクティブ法が主流になっている。このサブトラクティブ法では、銅張コア基板の銅箔をエッチングして内装配線とし、その上に液状感光性樹脂を塗布、乾燥し、樹脂面に接触させたマスクを介して露光後、現像してパターンを形成し、このパターン化した樹脂を加熱により硬化させて樹脂絶縁層を形成してから、この樹脂絶縁層の上に導体回路層を形成している。そしてこの一連の工程を繰り返すことで、必要な数の樹脂絶縁層及び導体回路層の積み上げを行っている。
【0003】
樹脂絶縁層上に導体層を形成するのには、通常、めっき法が用いられている。ところが、樹脂「絶縁」層は文字通り非伝導体であるから、その上にめっきするためには樹脂層表面を導電性にしなくてはならない。そしてこの樹脂層表面を導電性にする際に、触媒化と呼ばれる手法が用いられている。
【0004】
樹脂層表面を触媒化するのにもっとも広く使用される手段は、塩化錫及び塩化パラジウムを使用して、樹脂層表面に金属パラジウム粒子の層を形成する方法である。この場合、まず樹脂層表面を過マンガン酸等の酸化剤で浸食し、直径2〜5μm程度の穴を表面全体に形成する。この処理は、樹脂層表面の「粗化」として知られている。この粗化により形成した穴は、後にめっきがそこに入り込むことによりめっき皮膜が樹脂に食いついた状態になり(アンカー効果)、樹脂層とめっき皮膜との密着力を強くする働きをする。次いで、この粗化表面に、無電解めっきのための触媒となるパラジウム核を析出させて樹脂層表面を触媒化する。こうして表面を触媒化した樹脂層を無電解めっき液に浸漬して、薄い導電性皮膜層を形成させる。その後、所望の厚さの導体層を形成するために、今度は電気めっきを行って、導体層の形成を完了する。
【0005】
このような、樹脂絶縁層をめっきするために触媒化する方法は確立しており、だいたいにおいて好適である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような樹脂絶縁層を粗化・触媒化し、めっきして導体層を形成する方法は多段階工程を必要とするのが難点である。その上、このような従来の方法による場合、樹脂絶縁層と導体層の適切な密着力を得るために必ず樹脂層表面に2〜5μm径の穴を全面に形成しなければならず、これは、特に信号がGHz以上と高周波信号になった場合、抵抗として効いてきてしまうため、高周波回路においては伝送線路としての導体損のもとになる。更に、樹脂層表面に形成される穴の2〜5μmという直径は、その樹脂層の上に形成する導体パターンの微細化にとって障害となりかねない。従って、多層配線基板を安価に製造できることで知られる従来のサブトラクティブ法は、工程数が多くて手間がかかる上に、高周波回路用の配線基板には適用できず、また導体パターンの微細化に適応することもできない。
【0007】
本発明は、少ない工程で樹脂絶縁層上に導体層を形成するのを可能にし、且つ高周波回路用配線基板や微細な導体パターンの配線基板の製造を可能にする、直接の無電解めっきが可能な樹脂絶縁層用組成物を提供すること、またその組成物を用いて配線基板を製造する方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の直接の無電解めっきが可能な樹脂絶縁層用組成物は、形成した絶縁層上に、カルボン酸型、アゾ型、ポリアミン型、ポリイミン型、アルコール性もしくはフェノール性のヒドロキシル型、又はβ−ジケトン型の配位子からなるキレート配位子を含有する高分子化合物を含有していることを特徴とし、あるいは、形成した絶縁層上にめっきしようとする金属のイオン、又はこのめっきしようとする金属の析出を促進する触媒となる金属のイオンを補足する能力のあるキレート配位子を含有する高分子化合物を含有していることを特徴とする。この組成物は、感光性もしくは熱硬化性の組成物でよく、あるいは感光性と熱硬化性の両方の性質を兼ね備えた組成物でもよい。
【0009】
本発明の配線基板製造方法は、被処理基板上に樹脂材料で樹脂絶縁層を形成しそしてこの上にめっきにより導体回路層を形成して配線基板を製造する方法であって、形成した絶縁層上に、カルボン酸型、アゾ型、ポリアミン型、ポリイミン型、アルコール性もしくはフェノール性のヒドロキシル型、又はβ−ジケトン型の配位子からなるキレート配位子を含有する高分子化合物を含有している樹脂絶縁層用組成物を用いて、被処理基板上に皮膜を形成し、この皮膜の未硬化又は半硬化の状態で、当該皮膜表面のキレート配位子に上記金属のイオンを補足させ、次いで当該皮膜を硬化させて絶縁層を形成し、そしてこの絶縁層上に無電解めっきによりめっきを析出させることを特徴とし、あるいは、形成した絶縁層上にめっきしようとする金属のイオン、又はこのめっきしようとする金属の析出を促進する触媒となる金属のイオンを補足する能力のあるキレート配位子を含有する高分子化合物を含有している樹脂絶縁層用組成物を用いて、被処理基板上に皮膜を形成し、この皮膜の未硬化又は半硬化の状態で、当該皮膜表面のキレート配位子に上記金属のイオンを補足させ、次いで当該皮膜を硬化させて絶縁層を形成し、そしてこの絶縁層上に無電解めっきによりめっきを析出させることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の樹脂絶縁層用組成物は、それを用いて形成した絶縁層上に直接無電解めっきにより所望の金属皮膜を形成するのを可能にするものである。こうして無電解めっきにより形成した金属皮膜の上には、必要な厚みのめっきを電気めっきにより析出させることができる。
【0011】
形成した絶縁層上にめっきすべき金属のイオン、又はこのめっきすべき金属の析出を促進する触媒となる金属のイオンを補足する能力のあるキレート配位子を含有する高分子化合物は、キレート配位子が所定の金属のイオンを補足することで、めっきすべき金属が無電解めっきで絶縁層上に直接析出するのを可能にする。キレート配位子がめっきすべき金属のイオンを直接補足する場合にも、あるいはめっきすべき金属の析出を促進する触媒となる金属のイオンを補足する場合にも、無電解めっきの際に、めっきされる金属はキレート配位子に補足された金属を核として析出を続け、皮膜を形成することができる。従って、この高分子化合物は、絶縁層を形成する本発明の樹脂組成物の主要成分であることが望ましい。
【0012】
めっきに用いる金属の代表例は銅(Cu)である。とは言え、めっきに用いる金属はもちろんこれに限定されるものではない。本発明では、絶縁層を形成する組成物の主要成分である高分子化合物に、このめっきに用いる金属のイオンを補足する能力を有するキレート配位子を含有させておくことで、絶縁層形成後に従来のようにその表面の粗化も触媒化も行う必要なしに、絶縁層上に無電解めっきにより直接めっきを施すことが可能になる。
【0013】
絶縁層材料となる高分子化合物の種類によっては、それに含有させることができるキレート配位子がめっきしようとする金属のイオンを必ずしも補足しやすいとは限らない場合がある。このような場合には、めっきしようとする金属の析出を促進する触媒となる金属のイオンを補足する能力のあるキレート配位子を用いることができる。めっきしようとする金属が銅の場合、その析出の促進に有効な触媒となる金属イオンとして、Ni2+,Co2+,Sn2+,Pd2+,Ag+ ,Au+ などを挙げることができる。
【0014】
キレート配位子としては、めっきする金属のイオン、もしくは触媒となる金属のイオンを捕捉する能力が必要とされるが、更に、絶縁材料としての樹脂の特性、例えば耐薬品性、耐熱性、あるいは絶縁層のパターン化のための解像性等をできるだけ損なわないものでなければならない。例として、アルカリ性水溶液での現像が可能な組成物について言えば、イミノ二酢酸に代表されるようなカルボン酸型、アゾ型、ポリアミン又はポリイミン型、アルコール性又はフェノール性のヒドロキシル型、β−ジケトン型などの配位子が親水性であり、適切であると考えられる。言うまでもなく、高分子化合物に導入し得る配位子はこれらに限定されるものではない。
【0015】
先に説明したように、キレート配位子は組成物の主要成分である高分子化合物に導入するのが望ましく、より具体的に言えば本発明の組成物の主要成分であるプレポリマーに導入するので適当である。主要成分のプレポリマーに導入するのが困難であるか、もしくは導入により樹脂の特性が著しく損なわれるおそれのある場合は、他のポリマー成分のプレポリマーに導入したものを用いてもよい。キレート配位子を導入したプレポリマーは、その繰り返し単位に少なくとも1つのキレート配位子を含有していることが望ましい。キレート配位子を導入したコポリマーの使用も可能であり、この場合は、キレート配位子は複数の構成繰り返し単位のうちの少なくとも一つに導入される。
【0016】
本発明の組成物は、上述のキレート配位子を含有した高分子化合物(プレポリマー)のほかに、その硬化を促進する硬化剤や、硬化反応を開始させるための重合開始剤等を始めとして、被処理基板上に絶縁層を形成するのに使用される樹脂組成物において一般に用いられるこのほかの成分を随意に含有することができる。絶縁層を形成するのに用いられる高分子化合物も、硬化剤、開始剤やその他の成分も、当該技術の分野において広く知られたものであり、それらについてここで詳しく説明するには及ばない。
【0017】
本発明の組成物を使って被処理基板上に形成した皮膜表面のキレート配位子に金属イオンを補足させるのは、組成物に含まれる樹脂成分の高分子化合物が完全に硬化する以前に、すなわち形成した皮膜が未硬化又は半硬化の状態にある間に、行わなくてはならない。と言うのは、形成した皮膜の光あるいは熱による架橋、重合反応が進むに従って、皮膜表面のキレート配位子への金属イオンの吸着量は著しく減少してしまうためである。
【0018】
従って、キレート配位子への金属イオンの捕捉(錯形成)は、本発明の樹脂絶縁層用組成物の形態が液状で溶剤型の場合には、組成物を基材(被処理基板)上に塗布し、溶剤を除去することを目的とした乾燥後、もしくは露光・現像によるパターン形成後に行うことが必要であり、組成物が液状で非溶剤型の場合には、基材上に塗布後、もしくは露光・現像によるパターン形成後に行うことが必要であり、そして組成物がドライフィルムの場合には、基材上にラミネート後、もしくは露光・現像によるパターン形成後に行うことが必要である。このとき、樹脂組成物の硬化(液状の場合においては主として熱硬化、ドライフィルムの場合は主として光硬化)はある程度まで進んでいることを妨げるものではないが、皮膜表面における硬化の程度はいずれの場合も50%以下であるのが好ましい。
【0019】
被処理基板上に形成した皮膜表面に金属イオンを吸着せしめてキレート配位子に金属イオンを捕捉させるのには、どのような方法を採用してもよい。一般的には、目的の金属イオンが溶解し、キレート結合を形成するために適したpHに調整した水溶液に、皮膜を形成した被処理基板を錯平衡に達するまで浸漬する。浸漬する時間は高分子化合物が含有しているキレート配位子、皮膜表面の硬化程度で違いがあるが、一般には数分〜数十分である。
【0020】
皮膜表面が、キレート結合を形成することにより、無電解めっきする金属のイオン、もしくは触媒となる金属イオンを捕捉した後は、皮膜を光又は熱により十分に硬化させた後に、通常の無電解めっき浴により、導電性皮膜層を形成することができる。絶縁層表面に錯形成して捕捉された金属を核として成長するめっき膜は、絶縁層に対する密着力が十分強いため、絶縁層表面の粗化・触媒化を必要とすることなく十分な密着性を備えた無電解めっき膜を形成することが可能になる。こうして無電解めっきにより導電性被膜層を形成後は、通常の電気めっきにより所望の厚さの導体膜を容易に形成することができる。
【0021】
このように、本発明によれば、樹脂絶縁層表面の粗化・触媒化処理を省いて、絶縁層上に直接無電解めっきにより金属被膜を形成することができるため、高周波回路用配線基板や、導体パターンの微細な配線基板の製造が可能になる。とは言え、本発明を適用して製造できる配線基板はそれらに限定されず、樹脂絶縁層の形成とめっきによる導体層の形成を伴う方法で製造される、例えばプリント配線基板やマザーボード等を含めた、あらゆる配線基板が対象となる。
【0022】
【実施例】
次に、本発明を更に具体的に説明するために実施例を挙げる。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
これらの実施例では、ビルドアップ用感光性絶縁材料に対し本発明の適用を試みた。
【0023】
〔実施例1〕
イミノ二酢酸基を繰返し単位当たり1基含有したノボラック型フェノール樹脂(この樹脂は関東化学社より入手した)を50重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成社製)を30重量部、ペンタエリスリトールテトラアクリレート(光開始剤)を20重量部、イルガキュア907(チバガイギー社製の硬化剤)を2重量部、トリフェニルホスフィン(熱重合開始剤)を1重量部、エチルセロブアセテート(希釈剤)を10重量部、そしてシアニングリーン(着色剤)を1重量部、それぞれ秤量して、ロールミルで混練してビルドアップ用絶縁材組成物を調製した。次いで、これを銅箔上にブレードコートにより30μmの厚さに塗布して皮膜を形成した。
【0024】
その後、皮膜を80℃で20分乾燥し、波長365nmでの光強度が50mW/cm2 の紫外線を所望のパターンで30秒間露光して、皮膜を半硬化させた。この処理を概念的に説明する図を図1に示す。次いで液温30℃の2%炭酸ナトリウム水溶液でスプレー現像(圧1kg/cm2 、60秒間)した。こうしてパターン化した皮膜を、1mol/lのCu2+イオンを含有するpH約5.5の水溶液に1時間浸漬して表面のキレート配位子にCu2+イオンを捕捉させ、そして更にこの皮膜表面に上記の紫外線を1000mJ照射して光硬化させた。この処理を概念的に説明する図を図2に示す。続いて、皮膜を180℃で1時間加熱硬化させて、絶縁層を形成した。この処理を概念的に説明する図を図3に示す。
【0025】
こうして絶縁層を形成した銅箔を、その後シプレイ社製クリーナーコンディショナー211溶液(45℃)に5分浸漬して脱脂処理を行い、同社製無電解銅めっき液キューポジットカッパーミックス328Lに室温で30分浸漬したところ、銅めっき膜の形成が確認された。
【0026】
〔実施例2〕
実施例1で用いたノボラック型フェノール樹脂に導入したキレート配位子をβ−ジケトン型のもの(このキレート配位子を導入した樹脂も関東化学社より入手した)に代えたことを除き、実施例1を繰返したところ、同様に銅めっき膜の形成が認められた。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の組成物を用いれば、従来のサブトラクティブ法において不可欠であった無電解めっきに先立つ煩雑な粗化・触媒化処理を省いて、絶縁層上に直接無電解めっきにより金属被膜を形成することが可能になる。また、このように絶縁層表面の粗化を省くことにより、高周波回路用配線基板や、導体パターンの微細な配線基板の製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の処理を概念的に説明する第一の図である。
【図2】実施例1の処理を概念的に説明する第二の図である。
【図3】実施例1の処理を概念的に説明する第三の図である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a resin insulating layer composition that enables electroless plating, and a method of manufacturing a wiring board using the composition. More specifically, the composition for a resin insulation layer of the present invention is a composition capable of directly forming an electroless plating film on a cured product of the composition, and this composition is a printed wiring board, particularly a printed wiring for a high frequency circuit. It is particularly useful as an insulating material for substrates and high-density multilayer printed wiring boards.
[0002]
[Prior art]
For example, a high-density multilayer printed wiring board includes a build-up multilayer wiring board in which conductor circuit layers and resin insulating layers are alternately stacked, and internal and external circuits are connected and conducted. As a pattern forming method for this build-up wiring board, the subtractive method is currently mainstream. In this subtractive method, the copper foil of the copper-clad core substrate is etched to form an interior wiring, and a liquid photosensitive resin is applied and dried thereon, exposed through a mask in contact with the resin surface, and then developed. After forming a pattern and curing the patterned resin by heating to form a resin insulating layer, a conductor circuit layer is formed on the resin insulating layer. By repeating this series of steps, the necessary number of resin insulation layers and conductor circuit layers are stacked.
[0003]
Usually, a plating method is used to form a conductor layer on the resin insulating layer. However, since the resin “insulating” layer is literally non-conductive, the surface of the resin layer must be made conductive in order to plate on it. And when making this resin layer surface electroconductive, the method called catalysis is used.
[0004]
The most widely used means for catalyzing the resin layer surface is a method of forming a layer of metallic palladium particles on the resin layer surface using tin chloride and palladium chloride. In this case, the surface of the resin layer is first eroded with an oxidizing agent such as permanganic acid to form a hole having a diameter of about 2 to 5 μm over the entire surface. This treatment is known as “roughening” of the resin layer surface. The hole formed by this roughening becomes a state in which the plating film bites into the resin later when the plating enters there (anchor effect), and functions to strengthen the adhesion between the resin layer and the plating film. Next, palladium nuclei serving as a catalyst for electroless plating are deposited on the roughened surface to catalyze the resin layer surface. The resin layer whose surface is thus catalyzed is immersed in an electroless plating solution to form a thin conductive film layer. Thereafter, in order to form a conductor layer having a desired thickness, electroplating is performed this time to complete the formation of the conductor layer.
[0005]
Such a method of catalyzing for plating the resin insulating layer has been established and is generally suitable.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the method of roughening and catalyzing such a resin insulating layer and plating it to form a conductor layer has a difficulty in requiring a multi-step process. In addition, according to such a conventional method, in order to obtain an appropriate adhesion between the resin insulating layer and the conductor layer, a hole having a diameter of 2 to 5 μm must be formed on the entire surface of the resin layer. In particular, when the signal becomes a high frequency signal of GHz or more, it becomes effective as a resistor, and therefore, in a high frequency circuit, it becomes a source of conductor loss as a transmission line. Further, the diameter of 2 to 5 μm of the hole formed on the surface of the resin layer can be an obstacle to miniaturization of the conductor pattern formed on the resin layer. Therefore, the conventional subtractive method, which is known to be able to manufacture a multilayer wiring board at a low cost, requires many steps and is troublesome, and cannot be applied to a wiring board for a high-frequency circuit. I can't adapt.
[0007]
The present invention enables direct electroless plating that enables a conductor layer to be formed on a resin insulating layer with a small number of processes and enables the production of a wiring board for a high-frequency circuit or a wiring board with a fine conductor pattern. Another object of the present invention is to provide a composition for a resin insulating layer and to provide a method for producing a wiring board using the composition.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The composition for a resin insulating layer capable of direct electroless plating of the present invention has a carboxylic acid type, an azo type, a polyamine type, a polyimine type, an alcoholic or phenolic hydroxyl type, or β on the formed insulating layer. -A polymer compound containing a chelate ligand composed of a diketone type ligand, or a metal ion to be plated on the formed insulating layer, or this plating It is characterized by containing a polymer compound containing a chelate ligand capable of capturing metal ions serving as a catalyst for promoting the precipitation of the metal. This composition may be a photosensitive or thermosetting composition, or may be a composition having both photosensitivity and thermosetting properties.
[0009]
The wiring board manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing a wiring board by forming a resin insulating layer with a resin material on a substrate to be processed and forming a conductor circuit layer thereon by plating, and the insulating layer formed In addition, a polymer compound containing a chelate ligand composed of a carboxylic acid type, azo type, polyamine type, polyimine type, alcoholic or phenolic hydroxyl type, or β-diketone type ligand is included. Using the resin insulating layer composition, a film is formed on the substrate to be treated, and in the uncured or semi-cured state of the film, the chelate ligand on the surface of the film is supplemented with ions of the metal, then the metal to form an insulating layer by curing the coating, and this by electroless plating on an insulating layer and wherein the precipitating plating, or to be plated forming the insulating layer Using a composition for a resin insulating layer containing a polymer compound containing a chelate ligand capable of capturing ions or a metal ion serving as a catalyst for promoting the deposition of the metal to be plated In the uncured or semi-cured state of the film, a chelating ligand on the surface of the film is supplemented with the metal ions, and then the film is cured to form an insulating layer. Forming and depositing the plating on the insulating layer by electroless plating.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The composition for a resin insulating layer of the present invention enables a desired metal film to be formed directly on an insulating layer formed using the same by electroless plating. On the metal film thus formed by electroless plating, plating having a required thickness can be deposited by electroplating.
[0011]
A polymer compound containing a chelate ligand capable of capturing ions of a metal to be plated on the formed insulating layer or a metal ion serving as a catalyst for promoting the deposition of the metal to be plated has a chelate coordination. The ligand captures ions of a given metal, allowing the metal to be plated to be deposited directly on the insulating layer by electroless plating. Whether the chelating ligand directly captures the ions of the metal to be plated or the metal ions that serve as a catalyst to promote the deposition of the metal to be plated, The deposited metal can continue to be deposited with the metal trapped by the chelate ligand as a nucleus to form a film. Therefore, the polymer compound is desirably a main component of the resin composition of the present invention that forms the insulating layer.
[0012]
A representative example of the metal used for plating is copper (Cu). However, the metal used for plating is not limited to this. In the present invention, after the formation of the insulating layer, the polymer compound, which is the main component of the composition forming the insulating layer, contains a chelate ligand having the ability to capture metal ions used in the plating. It is possible to perform direct plating by electroless plating on the insulating layer without the need to roughen or catalyze the surface as in the prior art.
[0013]
Depending on the type of the polymer compound used as the insulating layer material, the chelate ligand that can be contained therein may not always easily capture the metal ions to be plated. In such a case, a chelate ligand capable of capturing metal ions that serve as a catalyst for promoting the deposition of the metal to be plated can be used. When the metal to be plated is copper, Ni 2+ , Co 2+ , Sn 2+ , Pd 2+ , Ag + , Au +, etc. can be cited as effective metal ions for promoting the precipitation. it can.
[0014]
The chelating ligand is required to have the ability to capture metal ions to be plated or metal ions to be used as a catalyst, but further, characteristics of the resin as an insulating material, such as chemical resistance, heat resistance, or The resolution for patterning the insulating layer should be as low as possible. Examples of compositions that can be developed in an alkaline aqueous solution include carboxylic acid type, azo type, polyamine or polyimine type, alcoholic or phenolic hydroxyl type, β-diketone, as typified by iminodiacetic acid. It is believed that ligands such as molds are hydrophilic and appropriate. Needless to say, the ligand that can be introduced into the polymer compound is not limited thereto.
[0015]
As explained above, it is desirable to introduce the chelate ligand into the polymer compound which is the main component of the composition, and more specifically, it is introduced into the prepolymer which is the main component of the composition of the present invention. So it is appropriate. When it is difficult to introduce into the prepolymer of the main component or there is a possibility that the properties of the resin may be significantly impaired by the introduction, those introduced into the prepolymer of another polymer component may be used. It is desirable that the prepolymer into which the chelate ligand is introduced contains at least one chelate ligand in its repeating unit. It is also possible to use a copolymer into which a chelate ligand is introduced. In this case, the chelate ligand is introduced into at least one of a plurality of structural repeating units.
[0016]
The composition of the present invention includes, in addition to the above-described polymer compound (prepolymer) containing a chelate ligand, a curing agent that accelerates curing, a polymerization initiator that initiates a curing reaction, and the like. In addition, other components generally used in the resin composition used for forming the insulating layer on the substrate to be treated can be optionally contained. The polymer compound used to form the insulating layer, the curing agent, the initiator, and other components are well known in the art and need not be described in detail here.
[0017]
The chelating ligand on the surface of the film formed on the substrate to be processed using the composition of the present invention captures metal ions before the polymer compound of the resin component contained in the composition is completely cured. That is, it must be performed while the film formed is in an uncured or semi-cured state. This is because the amount of metal ions adsorbed to the chelate ligand on the surface of the film is remarkably reduced as the formed film is crosslinked by light or heat and the polymerization reaction proceeds.
[0018]
Therefore, the capture (complex formation) of metal ions to the chelate ligand can be carried out when the composition of the composition for resin insulation layer of the present invention is liquid and solvent-type, on the base material (substrate to be treated). It must be applied after drying for the purpose of removing the solvent or after pattern formation by exposure / development. If the composition is liquid and non-solvent type, it should be applied on the substrate. Alternatively, it is necessary to carry out after pattern formation by exposure / development, and when the composition is a dry film, it is necessary to carry out after lamination on the substrate or after pattern formation by exposure / development. At this time, the curing of the resin composition (mainly heat curing in the case of a liquid and mainly photocuring in the case of a dry film) does not prevent the progress of the resin composition to a certain extent. In some cases, it is preferably 50% or less.
[0019]
Any method may be employed for adsorbing metal ions on the surface of the film formed on the substrate to be treated and capturing the metal ions in the chelate ligand. In general, the target substrate on which a film is formed is immersed in an aqueous solution adjusted to a pH suitable for dissolving the target metal ions and forming a chelate bond until complex equilibrium is reached. The immersion time varies depending on the chelate ligand contained in the polymer compound and the degree of curing of the coating surface, but is generally several minutes to several tens of minutes.
[0020]
After the surface of the film forms a chelate bond to capture ions of the metal to be electrolessly plated or metal ions to be a catalyst, the film is sufficiently cured by light or heat, and then the normal electroless plating is performed. A conductive coating layer can be formed by a bath. The plating film that grows with the metal trapped by complex formation on the surface of the insulating layer has a sufficiently strong adhesion to the insulating layer, so sufficient adhesion without the need to roughen or catalyze the surface of the insulating layer It is possible to form an electroless plating film provided with. After the conductive coating layer is thus formed by electroless plating, a conductor film having a desired thickness can be easily formed by ordinary electroplating.
[0021]
As described above, according to the present invention, since the metal coating can be formed directly on the insulating layer by electroless plating without the roughening / catalyzing treatment on the surface of the resin insulating layer, Thus, it becomes possible to manufacture a wiring board with a fine conductor pattern. However, the wiring board that can be manufactured by applying the present invention is not limited thereto, and is manufactured by a method that involves the formation of a resin insulating layer and the formation of a conductor layer by plating, including, for example, a printed wiring board and a motherboard. In addition, all wiring boards are targeted.
[0022]
【Example】
Next, examples are given to describe the present invention more specifically. Note that the present invention is not limited to this.
In these examples, application of the present invention was attempted to a photosensitive insulating material for buildup.
[0023]
[Example 1]
50 parts by weight of novolak type phenolic resin containing 1 iminodiacetic acid group per repeating unit (this resin was obtained from Kanto Chemical Co., Inc.), 30 parts by weight of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), pentaerythritol 20 parts by weight of tetraacrylate (photoinitiator), 2 parts by weight of Irgacure 907 (curing agent manufactured by Ciba Geigy), 1 part by weight of triphenylphosphine (thermal polymerization initiator), and ethyl celloacetate (diluent) 10 parts by weight and 1 part by weight of cyanine green (colorant) were weighed and kneaded with a roll mill to prepare a build-up insulating material composition. Next, this was coated on a copper foil to a thickness of 30 μm by blade coating to form a film.
[0024]
Thereafter, the film was dried at 80 ° C. for 20 minutes, and ultraviolet light having a light intensity of 50 mW / cm 2 at a wavelength of 365 nm was exposed in a desired pattern for 30 seconds to semi-cur the film. A diagram for conceptually explaining this process is shown in FIG. Subsequently, spray development (pressure 1 kg / cm 2 , 60 seconds) with a 2% sodium carbonate aqueous solution at a liquid temperature of 30 ° C. was performed. The film thus patterned is immersed in an aqueous solution having a pH of about 5.5 containing 1 mol / l of Cu 2+ ions for 1 hour so that the chelate ligand on the surface captures Cu 2+ ions, and this film is further coated. The surface was photocured by irradiating the above ultraviolet rays with 1000 mJ. A diagram conceptually illustrating this process is shown in FIG. Subsequently, the coating was heated and cured at 180 ° C. for 1 hour to form an insulating layer. FIG. 3 conceptually illustrates this process.
[0025]
The copper foil thus formed with the insulating layer is then degreased by immersing it in a cleaner conditioner 211 solution (45 ° C.) manufactured by Shipley Co., Ltd. for 5 minutes, and then electroless copper plating solution Cueposit Copper Mix 328L for 30 minutes at room temperature. When immersed, formation of a copper plating film was confirmed.
[0026]
[Example 2]
Except that the chelate ligand introduced into the novolac type phenol resin used in Example 1 was replaced with a β-diketone type resin (the resin into which this chelate ligand was introduced was also obtained from Kanto Chemical Co., Inc.) When Example 1 was repeated, formation of a copper plating film was observed in the same manner.
[0027]
【The invention's effect】
As described above, when the composition of the present invention is used, the electroless plating directly on the insulating layer can be performed without the complicated roughening / catalyzing treatment prior to the electroless plating, which was indispensable in the conventional subtractive method. This makes it possible to form a metal film. Further, by omitting the roughening of the surface of the insulating layer as described above, it is possible to manufacture a high-frequency circuit wiring board or a wiring board with a fine conductor pattern.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a first diagram conceptually illustrating a process according to a first embodiment.
FIG. 2 is a second diagram conceptually illustrating the process of the first embodiment.
FIG. 3 is a third diagram conceptually illustrating the process of the first embodiment.
Claims (5)
カルボン酸型、アゾ型、ポリアミン型、ポリイミン型、アルコール性もしくはフェノール性のヒドロキシル型、又はβ−ジケトン型の配位子からなるキレート配位子を含有する高分子化合物を含有している樹脂絶縁層用組成物を用いて、被処理基板上に皮膜を形成し、
この皮膜の未硬化又は半硬化の状態で、当該皮膜表面のキレート配位子に、めっきしようとする金属のイオン、又はこのめっきしようとする金属の析出を促進する触媒となる金属のイオンを捕捉させ、次いで当該皮膜を硬化させて絶縁層を形成し、
そしてこの絶縁層上に無電解めっきによりめっきを析出させることを特徴とする配線基板製造方法。A method of manufacturing a wiring board by forming a resin insulating layer with a resin material on a substrate to be processed and forming a conductor circuit layer thereon by plating,
Ca carboxylic acid type, azo type, polyamine type, polyimine type, alcoholic or phenolic hydroxyl type, or resins containing a polymer compound containing a chelate ligand comprising a β- diketone ligand Using the composition for the insulating layer, a film is formed on the substrate to be processed,
In the uncured or semi-cured state of the film, the chelate ligand on the surface of the film captures ions of the metal to be plated or metal ions that serve as a catalyst for promoting the deposition of the metal to be plated. And then curing the film to form an insulating layer,
And the wiring board manufacturing method characterized by depositing plating on this insulating layer by electroless plating.
めっきしようとする金属のイオン、又はこのめっきしようとする金属の析出を促進する触媒となる金属のイオンを捕捉する能力のあるキレート配位子を含有する高分子化合物を含有している樹脂絶縁層用組成物を用いて、被処理基板上に皮膜を形成し、
この皮膜の未硬化又は半硬化の状態で、当該皮膜表面のキレート配位子に上記金属のイオンを捕捉させ、次いで当該皮膜を硬化させて絶縁層を形成し、
そしてこの絶縁層上に無電解めっきによりめっきを析出させることを特徴とする配線基板製造方法。A method of manufacturing a wiring board by forming a resin insulating layer with a resin material on a substrate to be processed and forming a conductor circuit layer thereon by plating,
Metal ions to be fit Kki, or resin containing a polymer compound containing a chelate ligand capable of capturing the metal ions as a catalyst to promote the deposition of the metal to be the plating Using the composition for the insulating layer, a film is formed on the substrate to be processed,
In the uncured or semi-cured state of this film, the chelate ligand on the surface of the film captures the ions of the metal, and then the film is cured to form an insulating layer,
And the wiring board manufacturing method characterized by depositing plating on this insulating layer by electroless plating.
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