JP4030429B2 - ゼオライトまたは類似分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体の製造方法及びこれにより製造された複合体 - Google Patents
ゼオライトまたは類似分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体の製造方法及びこれにより製造された複合体 Download PDFInfo
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- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 195
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 title claims abstract description 194
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 185
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 239000002356 single layer Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 34
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 83
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 title claims description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 53
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VEUMANXWQDHAJV-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[(2-hydroxyphenyl)methylideneamino]ethyliminomethyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=NCCN=CC1=CC=CC=C1O VEUMANXWQDHAJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000008065 acid anhydrides Chemical group 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 claims description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims 2
- ZNZYKNKBJPZETN-WELNAUFTSA-N Dialdehyde 11678 Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1[C@H](C[C@H](/C(=C/O)C(=O)OC)[C@@H](C=C)C=O)NCC2 ZNZYKNKBJPZETN-WELNAUFTSA-N 0.000 claims 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 110
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 93
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 58
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 29
- -1 zeolites Chemical compound 0.000 description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 12
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003012 bilayer membrane Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 9
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NRZZLYODXDSLEK-UHFFFAOYSA-N (6-ethoxy-6-oxohexyl) 3,5-diacetamido-2,4,6-triiodobenzoate Chemical compound CCOC(=O)CCCCCOC(=O)C1=C(I)C(NC(C)=O)=C(I)C(NC(C)=O)=C1I NRZZLYODXDSLEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical group [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 4
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NILZGRNPRBIQOG-UHFFFAOYSA-N 3-iodopropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCI NILZGRNPRBIQOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- JYIMWRSJCRRYNK-UHFFFAOYSA-N dialuminum;disodium;oxygen(2-);silicon(4+);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Na+].[Na+].[Al+3].[Al+3].[Si+4] JYIMWRSJCRRYNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 2
- HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N niobium dioxide Chemical compound O=[Nb]=O HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N trifluoroacetic anhydride Chemical compound FC(F)(F)C(=O)OC(=O)C(F)(F)F QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUGGFUSCPLPUFY-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN.CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN TUGGFUSCPLPUFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMFFOEBLYHLRQN-UHFFFAOYSA-N 4-trichlorosilylbutanenitrile Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCCC#N HMFFOEBLYHLRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000945 Amylopectin Polymers 0.000 description 1
- 229920000856 Amylose Polymers 0.000 description 1
- 241000269350 Anura Species 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLEBVUCQZUXTJV-UHFFFAOYSA-N FC(C(=O)OC(CC(=O)C)=O)(F)F Chemical compound FC(C(=O)OC(CC(=O)C)=O)(F)F FLEBVUCQZUXTJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKJPEAGHQZHRQV-UHFFFAOYSA-N Triiodomethane Chemical group IC(I)I OKJPEAGHQZHRQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N aluminum;sodium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Na+].[Al+3] ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010779 crude oil Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 description 1
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical group IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000001261 isocyanato group Chemical group *N=C=O 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229920005610 lignin Polymers 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000682 polycarbomethylsilane Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920013730 reactive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001388 sodium aluminate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005369 trialkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はゼオライトまたは類似分子ふるい(zeotype molecular sieve)のパターン化された単層または多層複合体及びこれの製造方法に関するものである。具体的には、本発明は表面にハイドロキシ基を有する物質、チオル基(-SH)またはアミノ基(-NH2)と反応できる金属、そして反応性作用基を有する高分子重合体から選択された基質を使用して、基質表面に連結化合物を結合した後、紫外線を選択的に照射するか、基質表面の一部に連結化合物またはオクタデシルトリクロロシランのような遮蔽化合物を選択的に塗布するか、または基質表面の一部に白金のような金属を蒸着法で選択的に塗布した後連結化合物を結合させることにより、連結化合物のパターンを基質表面に鋳型して、及び前記パターンに従ってゼオライトまたは類似分子ふるいを選択的に結合させることで構成された、ゼオライトまたは類似分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体の製造方法及びこのように製造された複合体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ゼオライトを始めとした多様な分子ふるいは実生活と産業界で非常に広範囲に使用される重要な物質である。このようなゼオライト粒子は普通微細な粉末で存在するため使用上利点もあるが、短所もたくさん有している。このようなゼオライト粒子を多様な基質に化学結合により堅く結合させると産業的に多様な有用性を有する。また、分子ふるい粒子が基質に対して一定な配向性(orientation)を有するように調節するということも新しい物性が期待できるということから大きい意味を有する。さらに、基質表面に対して選択的にゼオライトを結合することができる方法があれば既存物質から見つけられない新しい特性を期待することができる。また、分子ふるい粒子が基質に対して一定な配向性を有するように調節することができれば新素材分野で画期的な発展を達成することができる。
【0003】
ゼオライトは結晶性アルミノシリケート(crystalline aluminosilicate)を総称して、骨格をなすアルミノシリケートはアルミニウムがある所ごとに陰電荷を帯びているので電荷相殺のための陽イオンが細孔(pore)の中に存在して細孔内の余りの空間は普通水分子で湛えられている。ゼオライトが有する3次元的な細孔構造は形と大きさによって多様であるが細孔の直径が大抵分子の大きさに該当する。従って、ゼオライトは細孔の大きさと形によって細孔の中に受け入れる分子に対した形状選択性(shape selectivity)を有するため分子ふるい(molecular sieve)とも称する。
【0004】
このようなゼオライトは化学的組成と構造、前処理方法などによって多様な化学的、物理的性質を示している。特に、水素イオンが陽イオンに置換されたゼオライトは高温でもよく耐えるゼオライトの特性と結び付けられて石油化学産業で原油のクレッキング触媒として広く使用されている。その他にもゼオライトは脱水乾燥剤、吸着剤、気体浄化剤、イオン交換剤、洗剤添加剤、土壌改良剤など広範囲に使用されていて、センサー担体としての応用に関する研究も活発に進行されている。
【0005】
一方、ゼオライトの骨格構造をなす元素であるシリコン(Si)とアルミニウム(Al)の代わりに他の元素でこれらを一部または全体的に置換させたゼオライト類似分子ふるい(zeotype molecular sieves)が知られている。例えば、アルミニウムを完全に除去させた多孔性シリカ(MCM-series mesoporous silica 及びsilicaliteなど)とシリコンを燐(P)に代替させたアルポ(AlPO4)系分子ふるい、そしてこのようなゼオライト及び類似分子ふるいの骨格にTi、Mn、Co、Fe、Znなどの多様な金属元素を一部置換させて得られる類似分子ふるいが知られていて広く応用されている。
【0006】
このようなゼオライト及び類似分子ふるいの特性をさらに効果的に利用するためにガラス、セラミック、重合体、金属などのような基質の表面にゼオライトを付着させようとする研究が活発に進行されてきた[参照:L.C.Boudreau, J.A. Kuck, M.Tsapatsis, J.Membr.Sci.1999, 152, 41-59; Z. Li, C.Lai, T.E.Mallouk, Inorg.Chem.1989, 28, 178-182; L.C.Boudreau, J.A.Kuck, M.Tsapatsis, J.Membr.Sci.1999, 152, 41-59; J.C.Jansen, D.Kashchiev, A.Erdem-Senatalar, Stud.Surf.Sci.Catal.1994, 85, 215-250; R. Althoff, K. Unger, F. Schuff, Microporous Mater. 1994, 2, 557-562]。
【0007】
しかし、既存の方法では、ゼオライト単層膜の厚さ及び配向性を完全に調節することは難しくて、本発明者らは基質とゼオライトに各々反応性の作用基を有する連結化合物を使用して基質及びゼオライトの表面を化学的に変形することにより、基質-連結化合物-ゼオライト複合体を簡便かつ経済的に製造する方法を開発して特許出願した(参考:韓国特許出願第2000-19667号)。
【0008】
一方、ガラス、セラミック、重合体、金属などのような基質の表面にパターンを鋳型する方法も既に多い研究が進行されている。既存に知られているパターン鋳型方法は大いに三つに分けられる。一番目は、紫外線を照射する際、光マスク(photomask)を用いて選択的にパターンを鋳型する方式である。二番目は、ポリジメチルシロキサン(polydimethylsiloxane、PCMS)を用いて予め鋳型をとってこれにオクタデシルトリクロロシランのような遮蔽化合物または連結化合物をつけて基質にスタンプを押すようにパターンを鋳型する方法である。三番目はパターン化されたメタルグリド(metal grid)を基質に密着させてこれに白金のような金属の蒸着膜を選択的に付着してパターンを鋳型する方法である。
【0009】
以上のように、基質表面にパターンを鋳型することにより基質表面に刻まれたパターンによって相互異なる化学的な反応性を有するように表面を変形することはよく知られている技術である。しかし、ゼオライトのような粒子の表面を化学的な反応性を有するように変形して、粒子を基質表面に化学結合させることは技術的に難しい問題を有している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
これに本発明者らは既存に知られていた溶液状態での化学反応が物体の表面で選択的に起こるように工程(procedure)上の大きい発展を成した。また、このように開発した方法を通じて多様な複合体を製造するために広範囲な研究を進行した。
【0011】
その結果、基質に対して紫外線(UV)、遮蔽化合物及び金属蒸着(例:白金)などを用いてパターンを鋳型して、このように得られたパターン化された基質表面に化学反応を通じてゼオライトを接合することによってパターン化されたゼオライト単層膜及び多層膜を製造しようとし、このような複合体の耐久性及び配向性を高めようとした。
【0012】
前述したように、紫外線(UV)、連結化合物または遮蔽化合物(例:オクタデシルトリクロロシラン)及び金属(例:白金)蒸着などを用いて基質表面にパターンを鋳型することにより基質の表面がパターンに従って異なる化学的な反応性を有するように変形することはよく知られている過程であるが、このように表面-変性された基質の表面にパターン化されたゼオライト層を形成するのは現在まで知られたことがない。
【0013】
しかし、前述したように本発明者らが出願した特許出願第2000-19667号に記載された方法、即ちゼオライトを、連結化合物を仲介とする化学結合を通じて基質上に結合させる方法を用いる場合、パターンが鋳型された基質上にゼオライト層を前記パターンに従って容易に積層させることができ、単層だけではなく多層積層が可能であり、各層ごとにパターンの形態及び材質(分子ふるいの類型)を多様に調節することができるということを発見した。
【0014】
【発明の構成】
本発明は、基質-連結化合物-ゼオライトまたは類似分子ふるいからなる複合体の製造方法において、表面にハイドロキシ基を有する物質、チオル基(-SH)またはアミノ基(-NH2)と反応できる金属、そして反応性作用基を有する高分子重合体から選択された基質を使用して、基質表面に連結化合物を結合した後紫外線を選択的に照射するか、基質表面の一部に連結化合物またはオクタデシルトリクロロシランのような遮蔽化合物を選択的に塗布するか、または基質表面の一部に白金のような金属を蒸着法で選択的に塗布した後連結化合物を結合させることにより、連結化合物のパターンを基質表面に鋳型して、及び前記パターンに従ってゼオライトまたは類似分子ふるいを選択的に結合させることで構成された、ゼオライトまたは類似分子ふるいのパターン化された単層及び多層複合体及びこれの製造方法に関するものである。
【0015】
従って、本発明の一番目の目的は、基質-連結化合物-ゼオライトまたは類似分子ふるいからなる複合体の製造方法において、(i) 基質表面に連結化合物を結合させて、(ii)パターンを有する光マスクを使用し基質をUV-照射させて基質に結合された連結化合物またはこれの作用基を変性させて、(iii)UV-照射された部分またはUV-照射されてない部分にゼオライト層または類似分子ふるい層を選択的に形成させて、(iv)必要に応じて焼成することで構成されることを特徴とするゼオライトまたは類似分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体の製造方法を提供することである。
【0016】
また、前記一番目の目的の製造方法において、UV-照射された部分またはUV-照射されていない部分を除去した後、ゼオライトまたは類似分子ふるいからなる層を形成させることもできる。
【0017】
本発明の二番目の目的は、基質-連結化合物-ゼオライトまたは類似分子ふるいからなる複合体の製造方法において、(i) 基質表面の一部に、連結化合物または遮蔽化合物を所定のパターンを有するように結合させて、(ii)余りの基質表面には遮蔽化合物または連結化合物を結合させて、(iii)連結化合物が結合された部分にゼオライト層または類似分子ふるい層を選択的に形成させて、(iv)必要に応じて焼成することで構成されることを特徴とするゼオライトまたは類似分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体の製造方法を提供することである。
【0018】
前記二番目の目的の製造方法において、基質表面の一部に連結化合物または遮蔽化合物をスタンプ法で塗布することができる。
【0019】
本発明の三番目の目的は、基質-連結化合物-ゼオライトまたは類似分子ふるいからなる複合体の製造方法において、(i) 基質表面の一部に所定のパターンを有するように白金のような金属膜を蒸着して、(ii)余りの部分でゼオライトまたは類似分子ふるいを結晶成長で形成させるか、ゼオライト(または類似分子ふるい)-連結化合物を結合させることによりゼオライト層または類似分子ふるい層を形成させて、(iii)必要に応じて焼成することで構成されることを特徴とするゼオライトまたは類似分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体の製造方法を提供することである。
【0020】
本発明の四番目の目的は、前記製造方法に従って製造されたゼオライトまたは類似分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体を提供することであり、各々の層において、ゼオライトまたは類似分子ふるいの類型及び種類、そのパターン様式は同一または相異なる。
【0021】
以下、本発明に対してさらに具体的に説明する。
【0022】
1. 基質の種類及び範囲
本発明に用いられる基質は次のようである。
表面にハイドロキシル基を有するすべての物質:例えば、シリコン、アルミニウム、チタン、錫、インジウムなど各種金属及び非金属元素が単独または複合的に含まれている酸化物として、例えば石英、雲母、ガラス、ITOガラス(インジウム錫酸化物が蒸着されたガラス)、錫酸化物(SnO2)など各種伝導性ガラス、シリカ、多孔性シリカ、アルミナ、多孔性アルミナ、二酸化チタン、多孔性二酸化チタン、シリコンウェファーなど。
チオル基またはアミノ基と結合できる金属:例えば、金、白金、銀、銅など。表面に多様な作用基を有する重合体:例えば、PVC、メリフィールド樹脂(Merrifield peptide resin)のような重合体。
半導体:例えば、セレニウム化亜鉛(ZnSe)、砒素化ガリウム(GaAs)及び燐化インジウム(InP)など。
表面にハイドロキシル基を有する天然高分子:例えば、セルロース、澱粉(例:アミロース及びアミロペクチン)及びリグニン(lignin)など。
下記に定義する天然または合成ゼオライト及び類似分子ふるい
【0023】
2.分子ふるいの種類及び範囲
本発明に利用できる分子ふるいは次のようである。
(1)天然及び合成ゼオライト。
(2)ゼオライト骨格のシリコン元素全部または一部を燐(P)などの他の元素に置換した分子ふるい(例:AlPO4、SAPO、MeAPO、MeAPSO系などの分子ふるい)。
(3)ゼオライト骨格のアルミニウム元素をボロン(B)、ガリウム(Ga)、チタン(Ti)などの他の元素に一部または全部置換した分子ふるい。
(4)前記2項と3項の変化を組み合わせた分子ふるい。
(5)多孔性金属またはシリコン酸化物(例:シリカライト、MCM系多孔性シリカ、多孔性二酸化チタン、二酸化ニオビウムなど)及びこれらの複合酸化物。
(6)その他各種元素を単独または複合的に使用して製造した多孔性分子ふるい。
【0024】
3.連結化合物の種類及び範囲
本発明において、連結化合物というのは、基質またはゼオライトと化学的な結合が可能な作用基を両側末端に各々有している化合物を意味する。基質またはゼオライトと化学的な結合ができる作用基というのは、表面ハイドロキシル基を有するゼオライト及びガラスに対してはハイドロキシル基と反応して結合できるトリクロロシリル基(−SiCl3)及びトリメトキシシリル基(−Si(CH3)3)またはイソシアナト基(−N=C=O)を意味して、金のような基質に対してはチオル基を意味する。これら作用基が結合された化合物は基質と反応する場合、基質表面に自記組立単分子層(self-assembled monolayers;SAMs)を形成することができると知られている。
【0025】
もちろん、基質の表面の性質(機能性、functionality)によりそれと化学的な結合ができる適切な作用基を選択することができ、このような作用基は当業界の通常的な知識を有している技術人によって適切に選択されることができる。
【0026】
本発明で使用できる連結化合物は望ましくは化学式1〜6の化合物を含む:
R3Si-L-X (1)
MR´4 (2)
Y-L-Y (3)
R3Si-L-Y (4)
HS-L-X (5)
HS-L-SiR3 (6)
HS-L-Y (7)
(前記式から、Rはハロゲン族元素、C1-C4アルコキシまたはアルキル基を示して;Lは炭化水素残基、例えば置換または非置換されたC1-C17アルキル、アルアルキルまたはアリル基を示して、これらは一つ以上の酸素、窒素、硫黄原子を含むことができて;Xはハロゲンのような離脱基を示して、ただし、三つのRの少なくとも一つはハロゲンまたはアルコキシであり;R´はRと同一であり、四つのR´の少なくとも二つはハロゲンまたはアルコキシであって;MはSi、TiまたはZrであり;Yはハイドロキシル基、チオル基、アミン基、アンモニウム基、スルホン基及びこれの塩、カルボキシル酸及びこれの塩、酸無水物、エポキシ基、アルデヒド基、エステル基、アクリル基、イソシアネート基(-NCO)、糖類(saccharides)残基、二重結合、三重結合、ジエン(diene)、ジイン(diyne)、アルキルホスフィン、アルキルアミンなど一般によく知られている有機作用基を始めとしてリガンド交換をすることができる各種配位化合物などの反応性作用基を示す、ただし、前記反応性作用基は連結化合物分子の両末端ではなく中間に位置することもできる。)
【0027】
基質及びゼオライトに結合された連結化合物は二次的な化学結合を形成するために連結化合物骨格内に化学的な機能基を一つ以上有することができる。例えば、基質に結合された連結化合物がその分子内にフォルミル基(−CHO)を含んでいて、ゼオライト表面に付いている連結化合物がその分子内にアミノ基(−NH2)を含んでいると、アミノ基とフォルミル基の間に化学的な反応が容易に起こるためゼオライトが基質に連結化合物−連結化合物の結合により化学的に接合することができるようになる。
【0028】
前記のように連結化合物−連結化合物の結合はまた他の連結化合物や2機能性化合物により仲介されることができるが、例えば次のような仲介化合物が挙げられる:フラーレン(C60、C70)、炭素ナノチューブ、α、ω−ジアルデヒド、ジカルボキシル酸、ジカルボキシル酸無水物、アミン−デンドリマー、ポリエチレンイミン、α、ω−ジアミン、着化合物[M(salen)](式中、MはCo、Ni、Cr、Mn、Feを示して、salenはN、N´−ビス(サリシリデン)エチレンジアミンを示す)、金属ポルフィリン(porphyrin)などで選択される一つ以上の化合物。
【0029】
前述のことを纏めてみると、連結化合物は基質と化学結合できる作用基一つと他のゼオライトまたはこれの粒子表面に結合されている他の連結化合物の作用基と化学反応できる作用基一つ、即ち、少なくとも二つの作用基を有していなければならない。連結化合物と作用基及びこれらの組合は無数に可変的で、当業界で通常的な知識を有した技術人により必要に応じて容易に変化または組合されることができて、これらすべては本発明の概念を利用する場合には本発明の範囲に含まれる。
【0030】
4.基質または分子ふるいと連結化合物間の化学反応
ガラスのような基質及び分子ふるいは前述したように表面にハイドロキシル基を有しているためにハイドロキシル基と反応できる適切な作用基を有する連結化合物と反応して基質−連結化合物または連結化合物−分子ふるいの複合体を形成させることができる。また、ある一つの作用基は適切な処理により新しい作用基に変性または変形されることができるため、適切な機能性(functionality)を有する物質の表面は化学的な処理を通じて新しい機能性を有するように変形することができる。このような反応及び反応条件に対しては当業界に周知されている。
【0031】
金のような金属は表面にハイドロキシル基がないが、チオル基に非常に優れた反応性を示すので、一側末端にチオル基を導入した連結化合物と非常に容易に結合することにより、本発明で基質に使用することができて、チオル基を一側末端に有する化合物は金基質に対した連結化合物または遮蔽化合物として使用することができる。
【0032】
基質(substrate)または分子ふるい粒子はトルエンのような有機溶媒が入っている反応容器に入れて連結化合物を添加し加熱する。ここでトルエンの代わりにヘキサン、ベンゼン、四塩化炭素、アルコールなど一般的によく知られている他の有機溶媒らを反応に適当に使用することもできる。反応が終わると基質を取り出してトルエンでよく洗滌する。このように分子ふるい表面に化学的な結合を形成させる際、時によって有機化合物の蒸気を用いて直接化学結合が起こるようにすることもできる。分散液の中にある分子ふるいは濾紙を用いて濾過して有機溶媒でよく洗滌する。この際分子ふるい粒子が小さすぎて濾紙を用いることができない場合には遠心分離機(centrifuger)を用いて粒子を分離し出す。分子ふるい結晶をトルエンの入っている反応容器に入れて超音波洗滌器を用いてよく分散させる。また真空減圧下で溶媒なしにこれらの化合物を蒸発させて基質または分子ふるいと結合させることができる。
【0033】
5.基質表面にパターンを鋳型する方法
基質表面にパターンの鋳型を鋳型する方法は様々であるが、本発明では下記のような三つの方法を使用した。本発明でパターンの形成はゼオライトまたは類似分子ふるいを選択的に反応するようにするかまたは選択的に反応しないように遮蔽されることを意味する。本発明の方法は下記三つの方法に限定されず、これらの変法及び同一な効果を与える方法はすべて本発明の範疇から外れない。
【0034】
一番目は紫外線(UV)を用いて連結化合物を変性させる方法である。
【0035】
連結化合物が結合されている基質にパターンが刻まれた光マスク(photomask)を当てて紫外線(UV;λ=254nm)を適当な時間だけ照射する。この際、紫外線に露出された領域ではその表面に結合された連結化合物の一側末端の機能性が変形される。そして、紫外線に露出されていない領域ではその機能性がそのまま維持される。従って、基質の表面はパターンの形態によってその化学的な機能性の差が生じるようになる。UV照射による機能性の変化は逆にも可能である。
【0036】
二番目は遮蔽化合物または連結化合物を直接基質にマイクロコンタクト(microcontact)する方法である。
【0037】
本発明において、遮蔽化合物というのは、両側末端に作用基を有する連結化合物とは異なって、基質とは反応できる作用基を有するが一側末端には分子ふるいや他の連結化合物とは反応できる作用基がない化合物を意味して、例えばトリアルコキシアルキルシラン(RSi(OR)3、R=アルキル)またはトリクロロアルキルシラン(RSiCl3、R=アルキル)が挙げられる。前述した遮蔽化合物でアルキル基はC6以上、望ましくはC10以上の長鎖であることが望ましい。
【0038】
パターンが鋳型されたPDMS(polydimethylsiloxane)スタンプ(stamp)のオクタデシルトリクロロシラン(octadecyltrichlorosilane;OTS)が溶けられているヘキサン溶液を塗った後、回転コーティング機(spin coater)の装着する。PDMSスタンプを回転させてオクタデシルトリクロロシランをスタンプに均一に分布させて、ガラス板にこのスタンプを押す。ガラス板を室温で一時間以上放置した後120℃で5分間乾燥させる。オクタデシルトリクロロシランがガラスのシラノール(silanol)と反応してオクタデシル単分子層がパターンに従って形成されるようになる。即ち、ガラス表面にスタンプが触れた領域にはオクタデシル単分子層が形成されて触れていない領域はガラス表面のシラノールがそのまま残っているようになる。このようにオクタデシル基がパターン化されたガラス板を前述のように連結化合物でその表面を処理すると、オクタデシル基が予め結合されている領域はそのまま残っていて、ガラス表面のハイドロキシル基(-OH)がある領域だけ連結化合物が結合し新しい機能性を有することができるようになる。従ってパターンの形態によってその化学的な機能性の差があるようになる。
【0039】
三番目は非反応性金属で表面の一部を蒸着することにより、金属−蒸着された表面を遮蔽する方法である。一般的に化学蒸着に使用されるすべての金属を使用することができて、本発明では白金蒸着を使用したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0040】
紫外線を用いる方法と同様にパターンが鋳型されているマスクを基質の上に当てて、真空加熱蒸着機を使用して白金を約15ナノメートル(nm)の厚さで蒸着する。マスクにより接触される領域は白金が蒸着されずそのまま基質の機能性を有するようになり、露出された領域は白金が蒸着されるため白金の機能性を有するようになる。従って、基質表面に相互異なる化学的な機能性を有するように鋳型することができる。
【0041】
6.基質表面にパターン化されたゼオライト単層膜及び多層膜を形成する
方法
化学的な機能性が相異なるようにパターン化された基質をゼオライト粒子と化学結合させるとその機能性の差によりパターン化された形態とおりにゼオライトが接合されるようになる。パターン化されたゼオライト単層膜複合体はその製造過程でゼオライト粒子が単純に物理的に付いているようになる。この場合に超音波洗滌をすることにより物理的に付いているゼオライト粒子を除去することができる。
【0042】
パターン化されたゼオライト多層膜複合体は前記列挙した方法を繰り返して行うことにより容易に製造することができる。即ち、パターン化されたゼオライト単層膜に結合されている連結化合物の機能基と化学反応できる機能基を有したゼオライト粒子を再び処理すると二層膜が形成されて、このような過程を繰り返すことにより所望のパターン化されたゼオライト多層膜複合体を製造することができる。
【0043】
多層膜複合体において、上部層と下部層を構成するゼオライトまたは類似分子ふるいは相互同一または相異なり、上部層と下部層を構成するパターンも相互同一または相異なる。
【0044】
【実施例】
以下、実施例を参考に本発明をさらに詳細に説明する。
【0045】
実施例1:基質の前処理
ガラス、シリコンウェファーなどのような基質を約10%の塩酸溶液に入れて1時間以上加熱するか、過硫酸アンモニウム((NH4)2S2O8)と硫酸溶液に一時間以上浸漬する。基質を取り出して蒸留水でよく洗滌しアンモニア水に15分、さらに酢酸に30分ほど浸漬させてからよく洗滌する。蒸留水に入れて保管し、使用する前に乾燥させる。
【0046】
実施例2:金板の製造
ガラス、シリコンウェファーなどのような基質に先ずチタンまたはクロムを約100Åの厚さで真空加熱蒸着をする。チタンまたはクロム層の上に真空加熱蒸着法を用いて金を約1000Åの厚さで蒸着する。硫酸と過酸化水素水を7:3に混合したピランハ(piranha)溶液で洗滌して、使用する直前に300℃の真空下で3時間加熱して冷やす。
【0047】
実施例3:紫外線( UV ;λ= 254nm )を用いて製造したパターンの上に、化学的なイオン結合を通じたパターン化されたゼオライト単層膜の製造;イオン結合
ガラス板を(3−シアノプロピル)トリクロロシラン(Cl3Si-(CH2)3-CN;0.05ml)が入っているヘキサン(50ml)溶液に浸して室温で24時間放置する。3-シアノプロピル基が結合したガラス板を取り出し濃い塩酸が入っているフラスコに入れて95-100℃で2時間加熱する。シアノ基は加水分解を通じてカルボキシル酸に転換される。カルボキシル酸基が結合したガラス板[ガラス-(CH2)3-CO2H]を取り出し炭酸水素ナトリウム(NaHCO3)飽和水溶液に12時間浸漬させておく。中和反応を通じて水素イオンがナトリウムイオンに置換されて(CH2)3-CO2 -・Na+基が結合されたガラス板を得ることができる。これを1モル濃度の硝酸銀(AgNO3)水溶液に再び12時間浸漬させておく。イオン交換を通じてナトリウムイオンが銀イオンに置換されて(CH2)3-CO2 -・Ag+基が結合されたガラス板を得ることができる。
【0048】
-(CH2)3-CO2 -・Ag+基が結合されたガラス板の上にパターンが刻まれた光マスク(photomask)を当てて紫外線(UV;λ=254nm)を約1時間照射する。紫外線に露出された部分に結合されている銀イオンが銀に還元されて、露出されていない部分は銀イオンがそのまま残っているようになる。従って-(CH2)3-CO2 -・Ag+基がパターン化されたガラス板を得ることができる。
【0049】
ゼオライト粒子をトルエンが入っている反応容器に入れて3-アミノプロピルトリエトキシシラン(APS)を加えて加熱する。反応が終わると3-アミノプロピル基が結合されたゼオライトを濾過してトルエン及びエタノールでよく洗滌する。3-アミノプロピル基が結合したゼオライトを炭酸水素ナトリウム及びヨードメタン(CH3I)が溶けている90%エタノール溶液に入れて60℃で24時間攪拌する。-(CH2)3-N(CH3)3 +・I-基が結合されたゼオライトを濾紙で濾過した後、エタノール及び蒸留水で洗滌する。
【0050】
(CH2)3-N(CH3)3 +・I-基が結合されたゼオライトをエタノールが入っている反応容器に入れてよく分散させた後(CH2)3-CO2 -・Ag+基がパターン化して結合されたガラス板を浸漬する。60乃至78℃に温度を上げて10分間放置して、間歇的に超音波洗滌器を用いて振動させる。ガラス板を取り出しトルエンが入っているガラス瓶に入れて超音波振動をさせて単層膜上に単純に物理的に付いているゼオライトを除去するとパターン化されたゼオライト単層膜を製造することができる。
【0051】
以上の製造方法は金板を使用しても同様にパターン化されたゼオライト単層膜を製造することができる。ただし、金板を使用する場合、金板に結合する有機分子の一側末端がトリクロロシリル基(-SiCl3)またはトリアルコキシシリル基(-Si(OR)3;R=メチルまたはエチル)の代わりにチオル(-SH)基を有しなければならない。その理由はチオル基だけが金表面に強く結合できるからである。
【0052】
実施例4:紫外線( UV ;水銀光原)を用いて製造したパターンの上に、化学的な共有結合を通じたパターン化されたゼオライト単層膜の製造
ガラス板をトルエンが入っている反応容器に入れて(3-ヨードプロピル)トリメトキシシランを加える。3時間加熱した後ガラス板をトルエンでよく洗滌する。
【0053】
3-ヨードプロピル基が結合されたガラス板を実施例3で言及した紫外線パターン過程を経ると、紫外線に露出された部分はヨード基が分解されて露出されてない部分は3-ヨードプロピル基がそのまま残っているパターン化されたガラス板を得ることができる。
【0054】
ゼオライトをトルエンが入っている反応容器に入れてよく分散させた後、3-ヨードプロピル基がパターン化して結合されたガラス板を浸漬する。3時間加熱してガラス板を取り出しトルエンが入っているガラス瓶にいれる。超音波振動をさせて単層膜上に単純に物理的に付いているゼオライトを除去するとパターン化されたゼオライト単層膜を製造することができる。
【0055】
実施例5:紫外線( UV ;水銀光原)を用いて製造したパターンの上に、共有結合を通じたパターン化されたゼオライト単層膜の製造
ガラス板をトルエンが入っている反応容器に入れて1,4-ジイソシアネートブタンを加える。3時間加熱した後ガラス板をトルエンでよく洗滌する。二つのイソシアネート基中一つはガラス板と反応してウレタン結合を形成し、他のイソシアネート基は未反応状態でガラス表面に残っているようになる。
【0056】
イソシアネート基が結合されたガラス板を実施例3で言及した紫外線パターン過程を経ると、紫外線に露出された部分はウレタン基が分解されて露出されてない部分はウレタン結合によるイソシアネート基がそのまま残っているパターン化されたガラス板を得ることができる。
【0057】
ゼオライトをトルエンが入っている反応容器に入れてよく分散させた後、イソシアネート基がパターン化して結合されたガラス板を浸漬する。3時間加熱してガラス板を取り出しトルエンが入っているガラス瓶に入れる。超音波振動をさせて単層膜上に単純に物理的に付いているゼオライトを除去するとパターン化されたゼオライト単層膜を製造することができる。
【0058】
実施例6:金板の上で紫外線( UV ;水銀光原)を用いて製造したパターンの上に、化学的な共有結合を通じたパターン化されたゼオライト単層膜の製造
1-メルカプト-11,13-ペンタコサジン酸[1-mercapto-11,13-pentacosadiynoic acid;HS(CH2)10C≡C-C≡C(CH2)11COOH]の1mMクロロフォルム溶液に金板を24時間浸漬してから取り出しクロロフォルムで洗滌する。窒素環境で実施例3で言及した紫外線パターン過程を経ると、紫外線に露出された部分に結合されている単分子層では重合反応が起こって分子鎖間にネットワークを形成する。紫外線に露出されてない部分の自記組立単分子層(self-assembled monolayers;SEMs)を除去すると有機物が金板上に選択的に結合されているパターン化された金板を得ることができる。
【0059】
紫外線に露出されてない部分を除去する方法は一般的にチオルを金表面から着脱させる方法を使用する。例えば次の三つの方法が代表的である:
一番目は電気化学的に還元させる方法;
二番目は熱処理を通じた方法;
三番目は腐食性溶媒を用いる方法。
【0060】
このようにチオル化合物を金表面から着脱させる方法は当業界ではよく周知されていることである。
【0061】
ジシクロヘキシルカルボジイミド(dicyclohexylcarbodiimide;DCC)のようなカップリング剤(coupling agent)及び4-ジメチルアミノピリジン(4-dimethylaminopyridine;DMAP)のような塩基触媒が溶けている適当な有機溶媒(例:トルエンまたはジクロロメタン)に実施例3で用意した3-アミノプロピル基が結合されたゼオライトをよく分散させた後パターン化された金板を入れて80℃で48時間加熱する。金板を取り出しトルエンが入っているガラス瓶に入れ超音波振動をさせて単純に物理的に付いているゼオライトを除去するとパターン化されたゼオライト単層膜を製造することができる。
【0062】
カップリング剤(coupling agent)は当業界で一般的に使用される他のカップリング剤(coupling agent)に代替することができる。
【0063】
また、基質のカルボキシル酸基とゼオライトのアミノ基との間に化学的な反応を通じてゼオライトが基質に結合できるため基質のカルボキシル酸を活性化してアミノ基との化学反応が容易になるようにしても金板上にパターン化されたゼオライト単層膜を製造することができる。例として、パターン化された金板をトリフルオロアセト酸無水物[(CF3CO)2O]及びトリエチルアミンが溶けているジメチルフォルムアミド溶液に20分間浸漬する。金板表面の末端がカルボキシル酸(R-COOH)からアセト酸トリフルオロアセト酸無水物(R-COOCOCF3)に転換されるようになるが、このような形態はカルボキシル酸の活性化された状態としてアミノ基との反応を容易にする。金板を取り出し有機溶媒で洗滌して3-アミノプロピル基が結合されたゼオライトが分散されているトルエンに浸漬する。室温で48時間反応を進行させて、金板を取り出しトルエンが入っているガラス瓶に浸漬した後超音波振動をさせて単層膜上に物理的に付いているゼオライトを除去すると、前述のように金板上にパターン化されたゼオライト単層膜を製造することができる。
【0064】
実施例7:紫外線( UV ;水銀光原)を用いて製造したパターンの上に、ゼオライト結晶の直接的な成長によるパターン化されたゼオライト単層膜の製造
実施例3及び4に記載の手順と同様であるが、有機シラン化合物として3-アミノプロピルメチルジエトキシシラン((3-aminopropyl)methyldiethoxysilane)、プロピルトリメトキシシラン(propyltrimethoxysilane)、3-ヨードプロピルトリメトキシシラン((3-iodopropyl)trimethoxysilane)、または3-アミノプロピルトリエトキシシラン((3-aminopropyl)triethoxysilane)を使用して各々3-アミノプロピルメチル基、プロピル基、3-ヨードプロピル基及び3-アミノプロピル基が結合されたガラス板を製造する。
【0065】
有機シランで結合されたガラス板の上に実施例3で言及したように、パターンが刻まれた光マスク(photomask)を当てて紫外線を照射する。照射時間は有機シランの種類によって異なり、望ましくは大抵10分乃至1時間である。紫外線に露出された部分は分解が起こる。従って有機シラン層がパターン化されたガラス板を得ることができる。
【0066】
パターン化されたガラス板をゼオライト合成ゲルに入れてゼオライトをガラス板の上で直接的に成長させる。ゼオライトの直接結晶成長(direct growth of crystal)は紫外線に露出された部分だけで起こるようになる。このようにガラス表面での選択的な結晶成長によりパターン化されたゼオライト単層膜を得ることができる。例として、ZSM-5ゼオライト成長ゲルの準備過程をみると、先ずゼオライト鋳型(template)として水酸化テトラプロピルアンモニウム (tetrapropylammonium hydroxide;TPAOH)を水に溶けて、シリコンソース (source)としてテトラエチルオルソシリケート(tetraethyl orthosilicate;TEOS)を添加して均質な液体になるまで攪拌する。これにアルミニウムソース (source)としてナトリウムアルミネート(sodium aluminate)を添加して均質な液体になるまで攪拌する。最終ゲルの組成はSiO2:Al2O3:TPAOH:Na2O:H2O=0.1-1:0-0.035:0.1:0-0.017:20-150である。このように得られた合成ゲル及びパターン化されたガラス板を圧力反応器(autoclave)の中に入れて、120〜180℃で3〜12時間反応を進行する。ガラス板を取り出しトルエンが入っているガラス瓶に入れ超音波振動をさせて単層膜上に物理的に付いているゼオライトを除去すると、パターン化されたゼオライト単層膜を製造することができる。
【0067】
ゼオライトの種類によって合成ゲルを異なるようにすると多様にパターン化されたゼオライト単層膜を得ることができて、ゼオライト合成ゲルの製造は当業界ではよく周知されていることである。
【0068】
実施例8:化学薬品を用いて製造したパターンの上に、化学的な共有結合を通じたパターン化されたゼオライト単層膜の製造
【0069】
【式1】
【0070】
PDMS(polydimethylsiloxane)でパターンを鋳型したスタンプ(stamp)にオクタデシルトリクロロシラン(octadecyltrichlorosilane;OTS)が溶けているヘキサン溶液を塗った後、回転コーティング器(spin coater)に装着する。PDMSスタンプを回転させてオクタデシルトリクロロシランをスタンプに均一に分布させて、ガラス板にこのスタンプを押す。
【0071】
ガラス板を室温で一時間以上放置した後120℃で5分間乾燥させる。オクタデシルトリクロロシランがガラスのシラノール(silanol)と反応してオクタデシル単分子層がパターンの形により形成されるようになる。即ち、ガラス表面にスタンプが触れた領域にはオクタデシル単分子層が形成されて触れていない部分はガラス表面のシラノールがそのまま残っているようになる。
【0072】
このように得られたオクタデシル基がパターン化されたガラス板をトルエンが入っている反応容器に入れて(3-クロロプロピル)トリメトキシシランを加える。3時間加熱してガラス板をトルエンで洗滌するとオクタデシル基及び3-クロロプロピル基がパターン化されたガラス板を収得する。
【0073】
ゼオライトを分散させたトルエンにオクタデシル基及び3-クロロプロピル基がパターン化されたガラス板を浸漬して、12時間加熱する。ガラス板を取り出しトルエンが入っているガラス瓶に入れて超音波振動をさせて物理的に付いているゼオライトを除去する。
【0074】
実施例9:化学薬品を用いて製造したパターンの上に、ゼオライト結晶の直接的な成長によるパターン化されたゼオライト単層膜の製造
実施例8に記述した手順に従って、PDMS(polydimethylsiloxane)としてパターンが鋳型されたスタンプを用いてオクタデシル基単分子層がパターン化されたガラス板を製造する。
【0075】
実施例7で記述したように、ゼオライト合成用ゲルが入っている圧力反応器にオクタデシル基でパターン化されたガラス板を入れて、ガラス表面上にゼオライトを直接結晶成長(direct growth of crystal)させる。オクタデシル基が結合されていない部分だけでゼオライト結晶が形成されて成長して、パターン化されたゼオライト単層膜を製造する。
【0076】
実施例10:白金蒸着を用いて製造したパターン上に、化学的な共有結合を通じたパターン化されたゼオライト単層膜の製造
ガラス板上に、パターンが鋳型されているマスク(mask)を当てて、真空加熱蒸着機を使用して白金を約15nmの厚さで蒸着する。マスクと接触して遮蔽された部分は白金が蒸着されなく、露出された部分は白金が蒸着される。このように白金パターンが刻まれたガラス板を実施例8から言及したような過程を経て、白金及び3-クロロプロピル基がパターン化されたガラス板を得て、パターン化されたゼオライト単層膜を製造する。
【0077】
実施例4に記述したような手順に従って、先ず3-クロロプロピル基が結合されたガラス板を用意し、後に白金蒸着膜からなるパターンを鋳型して、同様にパターン化されたゼオライト単層膜を製造することができた。
【0078】
実施例11:白金蒸着を用いて製造したパターンの上に、ゼオライト結晶の直接的な成長によるパターン化されたゼオライト単層膜の製造
実施例10に記述したような手順に従って、白金蒸着法を用いてガラス板上に白金パターンを刻む。このガラス板を実施例7に記述したような手順に従って、ゼオライト合成用ゲルに入れて結晶を成長させる。結晶の成長は白金が刻まれてない部分だけで起こる。
【0079】
実施例12:紫外線( UV ;水銀光原)を用いて製造したパターンの上に、化学的なイオン結合を通じたパターン化されたゼオライト二層膜( bilayer )の製造
実施例3に記述したような手順に従って、先ずパターン化されたゼオライト単層膜を形成したガラス板を製造する。
【0080】
別途に-(CH2)3-CO2 -・Na+基が結合されたゼオライトを生成して、これをトルエンに分散させた後、ゼオライト単層膜がパターン化されたガラス板を浸漬する。60乃至78℃に温度を上げて10分間放置して、間歇的に超音波洗滌器を用いて振動させる。ガラス板を取り出してトルエンが入っているガラス瓶に浸した後超音波振動をさせて二層膜の上に単純に物理的に付いているゼオライトを除去してパターン化されたゼオライト二層膜を製造する。
【0081】
実施例13:紫外線( UV ;水銀光原)を用いて製造したパターンの上に、化学的な共有結合を通じたパターン化されたゼオライト二層膜( bilayer )の製造
実施例4に記述したような手順に従って、パターン化されたゼオライト単層膜を形成したガラス板を製造する。
【0082】
別途に3-ヨードプロピル基が結合されたゼオライトを製造して、これをトルエンに分散させた後、ゼオライト単層膜がパターン化されたガラス板を浸漬する。3時間加熱してガラス板を取り出しトルエンが入っているガラス瓶に入れる。超音波振動をさせて二層膜の上に単純に物理的に付いているゼオライトを除去してパターン化されたゼオライト二層膜を製造する。
【0083】
実施例14:白金蒸着を用いて製造したパターンの上に、化学的な共有結合を通じたパターン化されたゼオライト二層膜の製造
実施例9に記述したような手順に従って、パターン化されたゼオライト単層膜を形成したガラス板を製造する。
【0084】
別途に3-ヨードプロピル基が結合されたゼオライトを生成して、これをトルエンに分散させた後、ゼオライト単層膜がパターン化されたガラス板を浸漬する。3時間加熱してガラス板を取り出しトルエンが入っているガラス瓶に入れる。超音波振動をさせて二層膜の上に単純に物理的に付いているゼオライトを除去してパターン化されたゼオライト二層膜を製造する。
【0085】
実施例15:パターン化されたゼオライト多層膜の製造
実施例12に記述したような手順に従って、パターン化されたゼオライト二層膜を形成したガラス板を製造する。
【0086】
これに(CH2)3-N(CH3)3 +・I-基が結合されたゼオライトをエタノールが入っている反応容器に入れてよく分散させた後、ゼオライト二層膜がパターン化されたガラス板を浸漬する。60乃至78℃に温度を上げて10分間放置して、間歇的に超音波洗滌器を用いて振動させる。ガラス板を取り出しトルエンが入っているガラス瓶に入れる。超音波振動をさせて二層膜の上に単純に物理的に付いているゼオライトを除去してパターン化されたゼオライト三層膜(tri-layer)を製造する。
【0087】
このような過程を繰り返すとその繰り返し回数に従って生成されるゼオライト多層膜の層数を調節することができる。また実施例13及び14の過程も繰り返すことによりゼオライト多層膜を製造することができる。
【0088】
実施例16:紫外線( UV ;水銀光原)を用いて製造したパターンの上に、パターン化された複合ゼオライト単層膜の製造
実施例7に記述したような手順に従って、パターン化されたゼオライト単層膜を形成したガラス板を製造する。
【0089】
このガラス板を焼成して(calcination)してゼオライトが成長(または結合)してない部分にある有機物を除去する。ガラス板を再び新しいゼオライト合成用ゲルに入れてガラス表面で二次的な結晶成長をさせる。一次的にZSM-5ゼオライトを結晶成長させてゼオライトパターンが得られたら二次的にはゼオライト-Aを結晶成長させると複合ゼオライトからなるパターンが得られる。これはゼオライト合成ゲルで結晶が成長する速度がガラス表面でとゼオライト表面で相互異なるため可能である。
【0090】
前述とは異なるゼオライト類型の組合を用いることもできる。
【0091】
実施例17:走査電子顕微鏡( scanning electron microscope ; SEM )分析
前記言及した実施例に従って製造されたゼオライト単層膜または多層膜に、約15nmの厚さで白金/パラジウムコーティングをして走査電子顕微鏡(model;Hitachi S-4300)を用いてSEMイメージを得た。図1から図16までは各実施例に従って製造された様々な複合体のSEMイメージの中で代表的なものが示されている。
【0092】
【発明の効果】
本発明に従ってゼオライトのような多孔性分子ふるいが化学結合を通じて単層膜及び多層膜でパターン化された複合体を製造することができる。また、基質及び分子ふるい末端に機能基を変形させることにより接合させる方法に多様性を与えるだけではなく、必要に応じてパターンの形態、多層膜で各層のパターン形態、及びパターンを構成する分子ふるいの類型を調節及び変形させることができるため、実用性の側面で有利である。
本発明に従って製造されたパターン化された分子ふるい単層膜及び多層膜複合体はガスや液体の分離膜、線形及び非線形光学用デバイス、光電子工学(opto-electronics)、膜(membrane)、膜触媒、センサー(sensor)担体、光電池(photocell)、ゼオライト二次成長(second growth)などを用いたフィルム形成などに有用に使用されることができる。また分子ふるい粒子がパターンを形成することにより現れる新しい物性も期待される。従って、このような新しい複合体は学問的な面だけではなく実用的な面でも画期的な新素材(new materials)としての効果が期待される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5単層膜のSEM(走査電子顕微鏡)写真(倍率:30倍)であり、実施例8(遮蔽化合物)の方法に従って製造したものである。
【図2】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5単層膜のSEM(走査電子顕微鏡)写真(倍率:30倍)であり、実施例8(遮蔽化合物)の方法に従って製造したものである。
【図3】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5単層膜のSEM写真(倍率:30倍)であり、実施例4(紫外線)の方法に従って製造したものである。
【図4】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5単層膜のSEM写真(倍率:100倍)であり、実施例4(紫外線)の方法に従って製造したものである。
【図5】 金板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5単層膜のSEM写真(倍率:100倍)であり、実施例6(紫外線)の方法に従って製造したものである。
【図6】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5単層膜のSEM写真(倍率:30倍)であり、実施例10(白金蒸着)の方法に従って製造したものである。
【図7】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5単層膜のSEM写真(倍率:30倍)であり、実施例7(紫外線)及び11(白金蒸着)の方法に従って製造したものである。
【図8】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5単層膜のSEM写真(倍率:180倍)であり、実施例7(紫外線)及び11(白金蒸着)の方法に従って製造したものである。
【図9】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5単層膜のSEM写真(倍率:800倍)であり、実施例7(紫外線)及び11(白金蒸着)の方法に従って製造したものである。
【図10】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5単層膜のSEM写真(倍率:5000倍)であり、ゼオライト単層膜の部分を大きく拡大したものである。
【図11】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライト-A単層膜のSEM写真(倍率:5000倍)であり、ゼオライト単層膜の部分を大きく拡大したものである。
【図12】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5二層膜のSEM写真(倍率:100倍)であり、実施例13(紫外線)の方法に従って製造したものである。
【図13】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5二層膜のSEM写真(倍率:40000倍)であり、実施例13(紫外線)の方法に従って製造したものである。
【図14】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5二層膜のSEM写真(倍率:60000倍)であり、実施例13(紫外線)の方法に従って製造したものである。
【図15】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5多層膜のSEM写真(倍率:70000倍)であり、多層膜の断面を示している。
【図16】 ガラス板の上にパターン化されたゼオライトZSM-5多層膜のSEM写真(倍率:70000倍)であり、多層膜の断面を示している。
Claims (15)
- 基質-作用基を両側末端の少なくとも一方の末端に有している連結化合物-ゼオライトまたは多孔性分子ふるいからなる複合体の製造方法において、
(i)基質表面に、作用基を両側末端の少なくとも一方の末端に有している連結化合物を結合させて、
(ii)パターンを有する光マスクを使用し基質をUV−照射させて、基質に結合された、作用基を両側末端の少なくとも一方の末端に有している連結化合物、またはこれの作用基を変性させて、
(iii)UV−照射された部分またはUV−照射されてない部分に、ゼオライト層または多孔性分子ふるい層を選択的に形成させて、
(iv)選択的に焼成することから構成されることを特徴とするゼオライトまたは多孔性分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体の製造方法。 - 基質-作用基を両側末端の少なくとも一方の末端に有している連結化合物-ゼオライトまたは多孔性分子ふるいからなる複合体の製造方法において、
(i)基質表面の一部に、作用基を両側末端にそれぞれ有している、以下の化学式1〜7から選択された少なくともいずれか1つの連結化合物、または作用基を両側末端のいずれか一方の末端に有している、以下の化学式1〜7から選択された少なくともいずれか1つの遮蔽化合物を、所定のパターンを有するように塗布し結合させて、
(ii)残りの基質表面には前記遮蔽化合物または前記連結化合物を結合させて、
(iii)作用基を両側末端にそれぞれ有している連結化合物が結合された部分にゼオライト層または多孔性分子ふるい層を選択的に形成させて、
(iv)選択的に焼成することから構成されることを特徴とするゼオライトまたは多孔性分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体の製造方法。
「化学式1」
R3Si−L−X
「化学式2」
MR´4
「化学式3」
Y−L−Y
「化学式4」
R3Si−L−Y
「化学式5」
HS−L−X
「化学式6」
HS−L−SiR3
「化学式7」
HS−L−Y
前記式で、Rはハロゲン族元素、C1−C4アルコキシまたはアルキル基を示し;Lは炭化水素残基、例えば置換または非置換されたC1−C17アルキル、アルアルキルまたはアリル基を示し、これらは一つ以上の酸素、窒素、硫黄原子を含むことができる;Xはハロゲンのような離脱基を示し、ただし、三つのRの中で少なくとも一つはハロゲンまたはアルコキシである;R´はRと同一であって、四つのR´中少なくとも二つはハロゲンまたはアルコキシであり;MはSi、TiまたはZrであって;Yはハイドロキシル基、チオル基、アミン基、アンモニウム基、スルホン基及びこれの塩、カルボキシル酸及びこれの塩、酸無水物、エポキシ基、アルデヒド基、エステル基、アクリル基、イソシアネート基(−NCO)、糖類(saccharides)残基、二重結合、三重結合、ジエン(diene)、ジイン(diyne)、アルキルホスフィン、及びアルキルアミンから構成される有機作用基群から選択されるいずれか一つであるか、またはリガンド交換できる配位化合物からなる反応性作用基を示す(但し、上記化学式4において、RがC1〜C4アルコキシである場合、Lは、酸素原子を含まず、Yは、アミン基またはエポキシ基の場合を除き、前記反応性作用基は、連結化合物分子の両側末端ではなく、中間に位置することもできる。) - 基質-作用基を両側末端の少なくとも一方の末端に有している連結化合物-ゼオライトまたは多孔性分子ふるいからなる複合体の製造方法において、
(i)基質表面の一部に予め定められたパターンを有するように金属膜を蒸着して、
(ii)残りの部分でゼオライトまたは多孔性分子ふるいを結晶成長で形成させるか、ゼオライト(または多孔性分子ふるい)-作用基を両側末端の少なくとも一方の末端に有している連結化合物を結合させることにより、ゼオライト層または多孔性分子ふるい層を形成させて、
(iii)選択的に焼成することから構成されることを特徴とするゼオライトまたは多孔性分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体の製造方法。 - UV−照射された部分またはUV−照射されてない部分を除去した後に、ゼオライトまたは多孔性分子ふるいからなる層を形成させることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 基質表面の一部に、作用基を両側末端のいずれか一方の末端に有しているトリアルコキシアルキルシランまたはトリクロロアルキルシランから選択された遮蔽化合物をスタンプ(stamp)法で塗布して結合させることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 基質表面の一部または全部にゼオライトまたは多孔性分子ふるいのパターン化または非パターン化された層が予め形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つの項に記載の製造方法。
- 基質は各々下記から選択されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つの項に記載の製造方法。
表面にハイドロキシル基を有するすべての物質、
チオル基またはアミノ基と結合する金属、
表面に反応性作用基を有する重合体、
半導体物質、及び
天然または合成ゼオライト及び多孔性分子ふるい。 - 基質-作用基を両側末端の少なくとも一方の末端に有している連結化合物は同一または相異なっていて、下記化学式1〜7から選択されることを特徴とする請求項1、3、4、または5のいずれか一つの項に記載の製造方法。
「化学式1」
R3Si−L−X
「化学式2」
MR´4
「化学式3」
Y−L−Y
「化学式4」
R3Si−L−Y
「化学式5」
HS−L−X
「化学式6」
HS−L−SiR3
「化学式7」
HS−L−Y
前記式で、Rはハロゲン族元素、C1−C4アルコキシまたはアルキル基を示して;Lは炭化水素残基、例えば置換または非置換されたC1−C17アルキル、アルアルキルまたはアリル基を示して、これらは一つ以上の酸素、窒素、硫黄原子を含むことができて;Xはハロゲンのような離脱基を示して、ただし、三つのRの中で少なくとも一つはハロゲンまたはアルコキシであり;R´はRと同一であって、四つのR´中少なくとも二つはハロゲンまたはアルコキシであり;MはSi、TiまたはZrであって;Yはハイドロキシル基、チオル基、アミン基、アンモニウム基、スルホン基及びこれの塩、カルボキシル酸及びこれの塩、酸無水物、エポキシ基、アルデヒド基、エステル基、アクリル基、イソシアネート基(−NCO)、糖類(saccharides)残基、二重結合、三重結合、ジエン(diene)、ジイン(diyne)、アルキルホスフィン、及びアルキルアミンから構成される有機作用基群から選択されるいずれか一つであるか、またはリガンド交換できる配位化合物からなる反応性作用基を示す(但し、上記化学式4において、RがC1〜C4アルコキシである場合、Lは、酸素原子を含まず、Yは、アミン基またはエポキシ基の場合を除き、前記反応性作用基は、連結化合物分子の両側末端ではなく、中間に位置することもできる。) - ゼオライトまたは多孔性分子ふるいは下記から選択されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つの項に記載の製造方法。
天然及び合成ゼオライト、
ゼオライト骨格のシリコン元素の一部または全部を燐(P)に置換した分子ふるい、または、ゼオライト骨格のアルミニウム元素の一部または全部をボロン(B)、ガルウム(Ga)、またはチタン(Ti)に置換した分子ふるい、またはこれらの混合物、
多孔性金属、シリコン酸化物、またはこれらの混合物、及び
単一元素または複合元素からなる多孔性分子ふるい。 - 前述の連結化合物は、次の化合物から構成された群から選択される中間連結鎖をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の製造方法。
フラーレン(C60、C70)、炭素ナノチューブ、α,ω-ジアルデヒド、ジカルボキシル酸、ジカルボキシル酸無水物、アミン-デンドリマー、ポリエチレンイミン、α、ω-ジアミン、錯化合物[M(salen)](式中、MはCo、Ni、Cr、Mn、Feを示して、salenはN、N´-ビス(サリシリデン)エチレンジアミンを示す)、金属ポルフィリン(porphyrin)。 - ゼオライト層または多孔性分子ふるい層は、ゼオライト(または多孔性分子ふるい)、ゼオライト(または多孔性分子ふるい)-作用基を両側末端の少なくとも一方の末端に有している連結化合物、または結晶成長されたゼオライトまたは多孔性分子ふるいから形成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つの項に記載の製造方法。
- パターン化されたゼオライト層または多孔性分子ふるい層の上に、同一または相異なる種類のゼオライトまたは多孔性分子ふるいからなる上部層を形成させることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つの項に記載の製造方法。
- 上部層は下部層と同一または相異なるパターンを有するように形成されることを特徴とする請求項12に記載の製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれか一つの項に従って製造されたパターン化されたゼオライトまたは多孔性分子ふるいの複合体。
- 同一または相異なるパターンからなる複数のゼオライト層または多孔性分子ふるい層で構成されて、各層は同一または相異なる種類のゼオライトまたは多孔性分子ふるいから構成されることを特徴とする請求項14に記載の複合体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0064534A KR100395902B1 (ko) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 제올라이트 또는 유사분자체의 패턴화된 단층 또는 다층복합체의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 복합체 |
| PCT/KR2001/001854 WO2002036340A1 (en) | 2000-11-01 | 2001-11-01 | A zeolite-substrate composite comprising a patterned zeolite layer on a substrate and preparation thereof |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004513051A JP2004513051A (ja) | 2004-04-30 |
| JP2004513051A5 JP2004513051A5 (ja) | 2007-10-18 |
| JP4030429B2 true JP4030429B2 (ja) | 2008-01-09 |
Family
ID=19696587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002539130A Expired - Fee Related JP4030429B2 (ja) | 2000-11-01 | 2001-11-01 | ゼオライトまたは類似分子ふるいのパターン化された単層または多層複合体の製造方法及びこれにより製造された複合体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6693055B2 (ja) |
| EP (1) | EP1337397A4 (ja) |
| JP (1) | JP4030429B2 (ja) |
| KR (1) | KR100395902B1 (ja) |
| WO (1) | WO2002036340A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100583349B1 (ko) * | 2001-02-22 | 2006-05-25 | 학교법인 서강대학교 | 기질(셀룰로오스, 면, 아마, 대마 등과 같은 섬유)에제올라이트 분자체 또는 이의 유사체를 결합시킨 복합체및 이의 제조방법 |
| US6723299B1 (en) | 2001-05-17 | 2004-04-20 | Zyvex Corporation | System and method for manipulating nanotubes |
| US20040034177A1 (en) | 2002-05-02 | 2004-02-19 | Jian Chen | Polymer and method for using the polymer for solubilizing nanotubes |
| US6905667B1 (en) | 2002-05-02 | 2005-06-14 | Zyvex Corporation | Polymer and method for using the polymer for noncovalently functionalizing nanotubes |
| KR100827861B1 (ko) * | 2003-05-22 | 2008-05-07 | 지벡스 퍼포먼스 머티리얼즈, 엘엘씨 | 나노복합물 및 이의 제조 방법 |
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| AU2004294182C1 (en) * | 2003-11-21 | 2014-01-16 | Visual Physics, Llc | Micro-optic security and image presentation system |
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| KR102125317B1 (ko) | 2017-05-02 | 2020-06-23 | 주식회사 지오엔 | 액중 분사를 이용하는 미세입자 코팅 장치 및 이를 이용하는 기질-미세입자막 복합체의 제조방법 |
| US11406960B2 (en) * | 2019-09-26 | 2022-08-09 | Uchicago Argonne, Llc | Materials and methods for selective noble gas adsorption |
| CN112408418A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-02-26 | 黑龙江大学 | 一种酸性温和的超细纳米zsm-5分子筛的合成方法 |
| CN112657462A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-04-16 | 江西茂盛环境有限公司 | 一种废气吸附材料及其制备方法 |
| CN115028176B (zh) * | 2022-06-28 | 2023-11-28 | 安阳工学院 | 超高正弦孔道暴露比zsm-5分子筛及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6120891A (en) * | 1997-10-29 | 2000-09-19 | Board Of Regemts. The University Of Texas System | Mesoporous transition metal oxide thin films and methods of making and uses thereof |
| KR100335966B1 (ko) * | 2000-04-14 | 2002-05-10 | 정한채 | 기질에 제올라이트 분자체 또는 이의 유사체를 단층 또는다층으로 결합시킨 복합체 및 이의 제조 방법 |
| US6573131B2 (en) * | 2000-07-13 | 2003-06-03 | The Regents Of The University Of California | Silica zeolite low-k dielectric thin films and methods for their production |
| JP2004082008A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Bio Nanotec Research Institute Inc | 種結晶の担持方法によって分離係数が決定されるゼオライト膜の製造方法 |
-
2000
- 2000-11-01 KR KR10-2000-0064534A patent/KR100395902B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-01 EP EP01983838A patent/EP1337397A4/en not_active Withdrawn
- 2001-11-01 WO PCT/KR2001/001854 patent/WO2002036340A1/en not_active Ceased
- 2001-11-01 JP JP2002539130A patent/JP4030429B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-01 US US10/169,187 patent/US6693055B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004513051A (ja) | 2004-04-30 |
| WO2002036340A1 (en) | 2002-05-10 |
| US6693055B2 (en) | 2004-02-17 |
| EP1337397A1 (en) | 2003-08-27 |
| EP1337397A4 (en) | 2005-06-08 |
| KR20020034340A (ko) | 2002-05-09 |
| KR100395902B1 (ko) | 2003-08-25 |
| US20030017936A1 (en) | 2003-01-23 |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070105 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070410 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121026 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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