JP4032932B2

JP4032932B2 - Sample surface measuring device

Info

Publication number: JP4032932B2
Application number: JP2002324972A
Authority: JP
Inventors: 道也山口
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2002-11-08
Filing date: 2002-11-08
Publication date: 2008-01-16
Anticipated expiration: 2022-11-08
Also published as: JP2004157071A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は試料表面測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の試料表面測定装置の１つとしてのＳＴＭ(走査型トンネル顕微鏡：Scanning Tunneling Microscope)装置は、試料の表面にプローブを近付けてその間のトンネル電流を検出し、この検出結果に基づいて試料の表面の凸凹を測定している（例えば、非特許文献１参照）。
また、従来のＥＰＭＡ(電子プローブ微小分析：Electron Probe Micro Analysis)装置またはＡＥＳ(オージェ電子分光：Auger Electron Spectroscopy)装置は、試料の表面に電子線を照射し、このとき試料の表面から放出される特性Ｘ線またはオージェ電子を検出し、この検出結果に基づいて試料を構成する元素の種類を測定している。（例えば、非特許文献２参照）。
【０００３】
【非特許文献１】
河東田隆編著「半導体評価技術」初版、産業図書株式会社出版、
１９８９年２月２８日、ｐ．９２−９６
【非特許文献２】
河東田隆編著「半導体評価技術」初版、産業図書株式会社出版、
１９８９年２月２８日、ｐ．２９３−２９８
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のＳＴＭ装置では、試料の表面の凸凹を測定することはできるが、試料を構成する元素の種類を測定することはできない。一方、上記従来のＥＰＭＡ装置またはＡＥＳ装置では、試料を構成する元素の種類を測定することはできるが、試料の表面の凸凹を測定することはできない。したがって、試料の表面の凸凹および試料を構成する元素の種類を測定する場合には、２台の装置が必要となり、設備費が嵩んでしまうという問題があった。
そこで、この発明は、１台の装置で、試料の表面の凸凹および試料を構成する元素の種類を測定することができる試料表面測定装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、引出電極と、該引出電極内に出し入れ可能に設けられたプローブと、前記引出電極から突出された前記プローブを試料の表面に近付けてその間のトンネル電流を検出し、この検出結果に基づいて前記試料の表面の凸凹を測定する凸凹測定手段と、前記プローブを前記引出電極内に収納させた状態でその間に引出電圧を印加して前記プローブの先端部から放出される電子線を試料の表面に照射し、このとき前記試料の表面から放出される特性Ｘ線を測定する元素測定手段とを有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記引出電圧は３．５〜４．５ｋＶ程度であることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記プローブはタングステンからなり、前記引出電極はステンレス鋼からなることを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、１つのプローブを試料の表面の凸凹を測定するときも試料を構成する元素の種類を特性Ｘ線を検出することによって測定するときも利用しているので、１台の装置で、試料の表面の凸凹および試料を構成する元素の種類を測定することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての試料表面測定装置の概略構成図を示したものである。この試料表面測定装置は、基本的にはＳＴＭ装置にＥＰＭＡ機能を付加したものであり、試料１が載置されるステージ２の上方に配置されたプローブ３および引出電極４を備えている。
【０００７】
プローブ３は、タングステンによって形成され、鋭く尖った先端を有するものからなっている。引出電極４は、ステンレス鋼等の金属によって形成され、先端が細くなった筒状のものからなっている。そして、プローブ３は、例えて言えば、ペン軸の先端部が出し入れ可能なボールペンのように、図２に示すように、全体を引出電極４内に収納された状態と、図３に示すように、先端部を引出電極４から突出された状態とのいずれかに択一的に切り換えられるようになっている。
【０００８】
プローブ３を含む引出電極４は、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向のピエゾ圧電素子５、６、７によりＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動されるようになっている。Ｘ、Ｙ方向のピエゾ圧電素子５、６は走査回路８により駆動制御されるようになっている。Ｚ方向のピエゾ圧電素子７はフィードバック回路９により駆動制御されるようになっている。
【０００９】
フィードバック回路９は、ステージ２上の試料１とプローブ３との間にトンネル電源１０からトンネル電圧が印加された状態において、試料１とプローブ３との間のトンネル電流をトンネル電流検出回路１１が検出したとき、この検出信号の供給を受けて、トンネル電流が常に一定に保たれるように、Ｚ方向のピエゾ圧電素子７を駆動制御して、プローブ３をＺ方向に変位させるようになっている。この場合、Ｚ方向のピエゾ圧電素子７の駆動を制御する信号（フィードバック電圧）は試料１の表面の凸凹に対応するものであるので、フィードバック回路９はこの駆動制御信号をブラウン管等からなる表示部１２に供給し、表示部１２にＳＴＭ像を表示させるようになっている。
【００１０】
一方、プローブ３と引出電極４との間には引出電圧印加回路１３から引出電圧が印加されるようになっている。この場合、図２に示すように、プローブ３が引出電極４内に収納された状態において、プローブ３と引出電極４との間に３．５〜４．５ｋＶ程度の引出電圧が印加されると、プローブ３の先端部から電界放出により電子線が放出される。このときの電子線のエネルギーは、引出電圧と同等で、特性Ｘ線を励起するのに十分な加速電圧となる。
【００１１】
そして、この電子線がステージ２上の試料１の表面に照射されると、試料１の表面から特性Ｘ線が放出される。ＥＤＳ(Energy Dispersive Spectrometor)検出器等からなる特性Ｘ線検出器１４は、試料１の表面から放出される特性Ｘ線を検出すると、その検出信号を特性Ｘ線データ処理回路１５に供給するようになっている。特性Ｘ線データ処理回路１５は、特性Ｘ線検出器１４からの検出信号に基づいて、特性Ｘ線スペクトル、走査Ｘ線像（元素マッピング）等の処理を行い、その処理結果をブラウン管等からなる表示部１６に表示させるようになっている。
【００１２】
次に、この試料表面測定装置の動作について説明する。まず、ステージ２上の試料１の表面の凸凹を測定する場合について説明する。この場合には、まず、図３に示すように、プローブ３の先端部が引出電極４から突出された状態とし、また引出電極４を接地した状態とし、さらにトンネル電源１０から試料１とプローブ３との間にトンネル電圧を印加する。
【００１３】
そして、引出電極４から突出されたプローブ３の先端部を試料１の表面に近付け、その間のトンネル電流をトンネル電流検出回路１１で検出し、検出信号をフィードバック回路９に供給する。フィードバック回路９は、この検出信号の供給を受けて、トンネル電流が常に一定に保たれるように、Ｚ方向のピエゾ圧電素子７を駆動制御して、プローブ３をＺ方向に変位させる。
【００１４】
すなわち、トンネル電流が常に一定に保たれると、プローブ３の先端部の試料１の表面からの高さが常に一定となり、プローブ３の先端部の実際の高さ（Ｚ方向）位置は試料１の表面の凸凹に追従してＺ方向に変位する。このとき、走査回路８でＸ、Ｙ方向のピエゾ圧電素子５、６を駆動制御してプローブ３を含む引出電極４をＸ、Ｙ方向に移動させると、試料１の表面の凸凹が３次元的に測定され、その凸凹形状つまりＳＴＭ像は表示部１２に表示され、観察することができる。
【００１５】
次に、試料１を構成する元素の種類を測定する場合について説明する。この場合には、まず、試料１が載置されたステージ２、プローブ３、引出電極４、特性Ｘ線検出器１４等の部分は１０−３〜１０−４Ｐａ程度の真空状態とする。また、図２に示すように、プローブ３全体が引出電極４内に収容された状態とし、またトンネル電源１０から試料１とプローブ３との間にトンネル電圧が印加されない状態とする。
【００１６】
そして、引出電圧印加回路１３からプローブ３と引出電極４との間に３．５〜４．５ｋＶ程度の引出電圧を印加する。すると、プローブ３の先端部から電界放出により電子線が放出され、この電子線が試料１の表面に照射されると、試料１の表面から特性Ｘ線が放出される。
【００１７】
特性Ｘ線検出器１４は、試料１の表面から放出される特性Ｘ線を検出すると、その検出信号を特性Ｘ線データ処理回路１５に供給する。特性Ｘ線データ処理回路１５は、特性Ｘ線検出器１４からの検出信号に基づいて、特性Ｘ線スペクトル、走査Ｘ線像（元素マッピング）等の処理を行い、その処理結果を表示部１６に表示させる。そして、この表示から試料１を構成する元素の種類を特定することができる。
【００１８】
以上のように、この試料表面測定装置では、１つのプローブ３を試料１の表面の凸凹を測定するときも試料１を構成する元素の種類を測定するときも利用しているので、１台の装置で、試料１の表面の凸凹および試料１を構成する元素の種類を測定することができ、したがって設備費を低減することができる。
【００１９】
（第２実施形態）
図４はこの発明の第２実施形態としての試料表面測定装置の概略構成図を示したものである。この試料表面測定装置は、基本的にはＳＴＭ装置にＡＥＳ機能を付加したものであり、図１に示す特性Ｘ線検出器１４及び特性Ｘ線データ処理回路１５の代わりに、オージェ電子検出器１７及びオージェ電子データ処理回路１８を備えている。この試料表面測定装置での試料１の表面の凸凹の測定は上記第１実施形態の場合と同じであるので、その説明を省略する。
【００２０】
次に、この試料表面測定装置で試料１を構成する元素の種類を測定する場合について説明する。この場合には、まず、図２に示すように、プローブ３全体が引出電極４内に収容された状態とし、またトンネル電源１０から試料１とプローブ３との間にトンネル電圧が印加されない状態とする。
【００２１】
そして、引出電圧印加回路１３からプローブ３と引出電極４との間に３．５〜４．５ｋＶ程度の引出電圧を印加する。すると、プローブ３の先端部から電界放出により電子線が放出され、この電子線が試料１の表面に照射されると、試料１の表面から特性Ｘ線のほかにオージェ電子も放出される。
【００２２】
オージェ電子検出器１７は、試料１の表面から放出されるオージェ電子を検出すると、その検出信号をオージェ電子データ処理回路１８に供給する。オージェ電子データ処理回路１８は、オージェ電子検出器１７からの検出信号に基づいて、オージェ電子スペクトル、走査オージェ電子像（元素マッピング）等の処理を行い、その処理結果を表示部１６に表示させる。そして、この表示から試料１を構成する元素の種類を測定することができる。
【００２３】
以上のように、この試料表面測定装置でも、１つのプローブ３を試料１の表面の凸凹を測定するときも試料１を構成する元素の種類を測定するときも利用しているので、１台の装置で、試料１の表面の凸凹および試料１を構成する元素の種類を測定することができ、したがって設備費を低減することができる。
【００２４】
なお、上記第１実施形態および第２実施形態では、試料から放出される特性Ｘ線およびオージエ電子を測定する場合で説明したが、これに限らず、反射電子、一次電子、連続Ｘ線など、試料から放出される他の量子を測定する場合にも適用可能である。
【００２５】
（第３実施形態）
図５はこの発明の第３実施形態としての試料表面測定装置の概略構成図を示したものである。この試料表面測定装置は、基本的にはＳＴＭ装置にＳＩＭＳ(２次イオン質量分析：Secondary Ion Mass Spectroscopy)機能を付加したものであり、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向のピエゾ圧電素子５、６、７によって直接移動されるプローブ３Ａを備えている。この試料表面測定装置での試料１の表面の凸凹の測定は上記第１実施形態の場合と同じであるので、その説明を省略する。
【００２６】
次に、この試料表面測定装置で試料１を構成する元素の種類を測定する場合について説明する。この場合には、トンネル電源１０から試料１とプローブ３Ａとの間にトンネル電圧が印加されない状態として、高電圧印加回路２１から試料１とプローブ３Ａとの間に数十ｋＶの高電圧を瞬間的に印加する。すると、プローブ３Ａの先端部と試料１の表面との間にグロー放電が瞬間的に発生し、試料１の表面の元素がイオン化される。
【００２７】
四重極質量分析器２２は、試料１の表面から放出される２次イオンの質量を分析し、その分析結果を質量分析データ処理回路２３に供給する。質量分析データ処理回路２３は、四重極質量分析器２２からの分析結果に基づいて、２次イオンの質量スペクトル、イオン像等の処理を行い、その処理結果を表示部１６に表示させる。そして、この表示から試料１を構成する元素の種類を測定することができる。
【００２８】
以上のように、この試料表面測定装置でも、１つのプローブ３Ａを試料１の表面の凸凹を測定するときも試料１を構成する元素の種類を測定するときも利用しているので、１台の装置で、試料１の表面の凸凹および試料１を構成する元素の種類を測定することができ、したがって設備費を低減することができる。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、１つのプローブを試料の表面の凸凹を測定するときも試料を構成する元素の種類を特性Ｘ線を検出することによって測定するときも利用しているので、１台の装置で、試料の表面の凸凹および試料を構成する元素の種類を測定することができ、したがって設備費を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施形態としての試料表面測定装置の概略構成図。
【図２】プローブを引出電極内に収納させた状態を示す一部の断面図。
【図３】プローブを引出電極から突出させた状態を示す一部の断面図。
【図４】この発明の第２実施形態としての試料表面測定装置の概略構成図。
【図５】この発明の第３実施形態としての試料表面測定装置の概略構成図。
【符号の説明】
１試料
２ステージ
３、３Ａプローブ
４引出電極
５、６、７ピエゾ圧電素子
８走査回路
９フィードバック回路
１０トンネル電源
１１トンネル電流検出回路
１２表示部
１３引出電圧印加回路
１４特性Ｘ線検出器
１５特性Ｘ線データ処理回路
１６表示部
１７オージェ電子検出器
１８オージェ電子データ処理回路
２１高電圧印加回路
２２四重極質量分析器
２３質量分析データ処理回路[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a sample surface measuring apparatus.
[0002]
[Prior art]
The STM (Scanning Tunneling Microscope) device as one of the conventional sample surface measuring devices detects the tunnel current between the probe and the surface of the sample based on the detection result. (For example, refer nonpatent literature 1).
Further, a conventional EPMA (Electron Probe Micro Analysis) apparatus or AES (Auger Electron Spectroscopy) apparatus irradiates the surface of a sample with an electron beam and is emitted from the surface of the sample at this time. Characteristic X-rays or Auger electrons are detected, and the types of elements constituting the sample are measured based on the detection results. (For example, refer nonpatent literature 2).
[0003]
[Non-Patent Document 1]
First edition by Takashi Katoda, "Semiconductor Evaluation Technology", published by Sangyo Tosho Co., Ltd.
February 28, 1989, p. 92-96
[Non-Patent Document 2]
First edition by Takashi Katoda, "Semiconductor Evaluation Technology", published by Sangyo Tosho Co., Ltd.
February 28, 1989, p. 293-298
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional STM apparatus can measure the unevenness of the surface of the sample, but cannot measure the type of elements constituting the sample. On the other hand, the above-mentioned conventional EPMA apparatus or AES apparatus can measure the types of elements constituting the sample, but cannot measure the unevenness of the surface of the sample. Therefore, when measuring the unevenness of the surface of the sample and the types of elements constituting the sample, there is a problem that two apparatuses are required and the equipment cost increases.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a sample surface measuring apparatus capable of measuring the unevenness of the surface of the sample and the types of elements constituting the sample with a single apparatus.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, an extraction electrode, a probe provided so as to be able to be taken in and out of the extraction electrode, and the probe protruding from the extraction electrode are brought close to the surface of the sample to detect a tunnel current therebetween. The unevenness measuring means for measuring the unevenness of the surface of the sample based on the detection result, and the probe is released from the tip of the probe by applying an extraction voltage between the probe and the probe in the extraction electrode. And an element measuring means for measuring characteristic X-rays emitted from the surface of the sample at this time .
The invention according to claim 2 is the invention according to claim 1, wherein the extraction voltage is about 3.5 to 4.5 kV.
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the probe is made of tungsten, and the extraction electrode is made of stainless steel .
According to the present invention, one probe is used both when measuring the unevenness of the surface of the sample and when measuring the type of element constituting the sample by detecting characteristic X-rays. With this apparatus, the surface roughness of the sample and the types of elements constituting the sample can be measured.
[0006]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of a sample surface measuring apparatus as a first embodiment of the present invention. This sample surface measuring apparatus basically has an EPMA function added to an STM apparatus, and includes a probe 3 and an extraction electrode 4 disposed above a stage 2 on which the sample 1 is placed.
[0007]
The probe 3 is made of tungsten and has a sharp pointed tip. The extraction electrode 4 is made of a metal such as stainless steel and has a cylindrical shape with a thin tip. For example, as shown in FIG. 2, the probe 3 is housed in the extraction electrode 4 as shown in FIG. 2, like a ballpoint pen in which the tip of the pen shaft can be taken in and out, and as shown in FIG. In addition, the tip portion can be selectively switched to either the state of protruding from the extraction electrode 4.
[0008]
The extraction electrode 4 including the probe 3 is moved in the X, Y, and Z directions by piezoelectric elements 5, 6, and 7 in the X, Y, and Z directions. The piezoelectric elements 5 and 6 in the X and Y directions are driven and controlled by a scanning circuit 8. The piezo piezoelectric element 7 in the Z direction is driven and controlled by a feedback circuit 9.
[0009]
In the feedback circuit 9, the tunnel current detection circuit 11 detects the tunnel current between the sample 1 and the probe 3 in a state where the tunnel voltage is applied from the tunnel power supply 10 between the sample 1 on the stage 2 and the probe 3. When the detection signal is supplied, the piezoelectric piezoelectric element 7 in the Z direction is driven and controlled so that the tunnel current is always kept constant, and the probe 3 is displaced in the Z direction. . In this case, since the signal (feedback voltage) for controlling the driving of the piezoelectric element 7 in the Z direction corresponds to the unevenness of the surface of the sample 1, the feedback circuit 9 displays the drive control signal as a display unit comprising a cathode ray tube or the like. 12 and the STM image is displayed on the display unit 12.
[0010]
On the other hand, an extraction voltage is applied between the probe 3 and the extraction electrode 4 from an extraction voltage application circuit 13. In this case, when an extraction voltage of about 3.5 to 4.5 kV is applied between the probe 3 and the extraction electrode 4 in a state where the probe 3 is housed in the extraction electrode 4 as shown in FIG. An electron beam is emitted from the tip of the probe 3 by field emission. The energy of the electron beam at this time is equivalent to the extraction voltage, and is an acceleration voltage sufficient to excite characteristic X-rays.
[0011]
When the surface of the sample 1 on the stage 2 is irradiated with this electron beam, characteristic X-rays are emitted from the surface of the sample 1. When the characteristic X-ray detector 14 including an EDS (Energy Dispersive Spectrometer) detector detects the characteristic X-rays emitted from the surface of the sample 1, the detection signal is supplied to the characteristic X-ray data processing circuit 15. It has become. The characteristic X-ray data processing circuit 15 performs processing such as a characteristic X-ray spectrum and a scanning X-ray image (element mapping) based on the detection signal from the characteristic X-ray detector 14, and the processing result is composed of a cathode ray tube or the like. It is displayed on the display unit 16.
[0012]
Next, the operation of this sample surface measuring apparatus will be described. First, a case where unevenness on the surface of the sample 1 on the stage 2 is measured will be described. In this case, first, as shown in FIG. 3, the tip of the probe 3 is projected from the extraction electrode 4, the extraction electrode 4 is grounded, and the sample 1 and the probe 3 are connected from the tunnel power supply 10. A tunnel voltage is applied between the two.
[0013]
Then, the tip of the probe 3 protruding from the extraction electrode 4 is brought close to the surface of the sample 1, the tunnel current between them is detected by the tunnel current detection circuit 11, and the detection signal is supplied to the feedback circuit 9. Upon receiving this detection signal, the feedback circuit 9 drives and controls the piezoelectric element 7 in the Z direction so as to keep the tunnel current constant, thereby displacing the probe 3 in the Z direction.
[0014]
That is, when the tunnel current is always kept constant, the height of the tip of the probe 3 from the surface of the sample 1 is always constant, and the actual height (Z direction) position of the tip of the probe 3 is the sample 1. Displaces in the Z direction following the surface irregularities. At this time, when the scanning circuit 8 drives and controls the piezoelectric elements 5 and 6 in the X and Y directions to move the extraction electrode 4 including the probe 3 in the X and Y directions, the unevenness of the surface of the sample 1 is three-dimensional. The uneven shape, that is, the STM image is displayed on the display unit 12 and can be observed.
[0015]
Next, the case where the kind of element which comprises the sample 1 is measured is demonstrated. In this case, first, the stage 2, the probe 3, the extraction electrode 4, the characteristic X-ray detector 14 and the like on which the sample 1 is placed are in a vacuum state of about 10 −3 to 10 −4 Pa. Further, as shown in FIG. 2, the entire probe 3 is accommodated in the extraction electrode 4, and no tunnel voltage is applied between the sample 1 and the probe 3 from the tunnel power supply 10.
[0016]
Then, an extraction voltage of about 3.5 to 4.5 kV is applied between the probe 3 and the extraction electrode 4 from the extraction voltage application circuit 13. Then, an electron beam is emitted from the distal end portion of the probe 3 by field emission, and when the surface of the sample 1 is irradiated with this electron beam, characteristic X-rays are emitted from the surface of the sample 1.
[0017]
When the characteristic X-ray detector 14 detects the characteristic X-ray emitted from the surface of the sample 1, the characteristic X-ray detector 14 supplies the detection signal to the characteristic X-ray data processing circuit 15. The characteristic X-ray data processing circuit 15 performs processing such as characteristic X-ray spectrum and scanning X-ray image (element mapping) based on the detection signal from the characteristic X-ray detector 14, and the processing result is displayed on the display unit 16. Display. And the kind of element which comprises the sample 1 can be specified from this display.
[0018]
As described above, in this sample surface measuring apparatus, one probe 3 is used both when measuring the unevenness of the surface of the sample 1 and when measuring the type of elements constituting the sample 1. With the apparatus, it is possible to measure the unevenness of the surface of the sample 1 and the types of elements constituting the sample 1, thus reducing the equipment cost.
[0019]
(Second Embodiment)
FIG. 4 shows a schematic configuration diagram of a sample surface measuring apparatus as a second embodiment of the present invention. This sample surface measuring apparatus basically has an AES function added to the STM apparatus. Instead of the characteristic X-ray detector 14 and the characteristic X-ray data processing circuit 15 shown in FIG. And an Auger electronic data processing circuit 18. Since the measurement of the unevenness of the surface of the sample 1 with this sample surface measuring apparatus is the same as in the case of the first embodiment, the description thereof is omitted.
[0020]
Next, a case where the type of elements constituting the sample 1 is measured with this sample surface measuring apparatus will be described. In this case, first, as shown in FIG. 2, the entire probe 3 is accommodated in the extraction electrode 4, and no tunnel voltage is applied between the sample 1 and the probe 3 from the tunnel power supply 10. To do.
[0021]
Then, an extraction voltage of about 3.5 to 4.5 kV is applied between the probe 3 and the extraction electrode 4 from the extraction voltage application circuit 13. Then, an electron beam is emitted from the tip of the probe 3 by field emission, and when this electron beam is irradiated onto the surface of the sample 1, Auger electrons are emitted from the surface of the sample 1 in addition to characteristic X-rays.
[0022]
When the Auger electron detector 17 detects Auger electrons emitted from the surface of the sample 1, the Auger electron detector 17 supplies the detected signal to the Auger electron data processing circuit 18. The Auger electronic data processing circuit 18 performs processing such as Auger electron spectrum and scanning Auger electron image (element mapping) based on the detection signal from the Auger electron detector 17 and displays the processing result on the display unit 16. And the kind of element which comprises the sample 1 can be measured from this display.
[0023]
As described above, in this sample surface measuring apparatus, one probe 3 is used both when measuring the unevenness of the surface of the sample 1 and when measuring the types of elements constituting the sample 1, so With the apparatus, it is possible to measure the unevenness of the surface of the sample 1 and the types of elements constituting the sample 1, thus reducing the equipment cost.
[0024]
In the first embodiment and the second embodiment, the characteristic X-rays and Auger electrons emitted from the sample have been described. However, the present invention is not limited to this, and reflected electrons, primary electrons, continuous X-rays, etc. The present invention is also applicable when measuring other quanta emitted from the sample.
[0025]
(Third embodiment)
FIG. 5 shows a schematic configuration diagram of a sample surface measuring apparatus as a third embodiment of the present invention. This sample surface measuring apparatus is basically an STM apparatus with a SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy) function added thereto, and piezoelectric elements 5, 6, 7 in the X, Y, and Z directions. The probe 3 </ b> A that is directly moved by is provided. Since the measurement of the unevenness of the surface of the sample 1 with this sample surface measuring apparatus is the same as in the case of the first embodiment, the description thereof is omitted.
[0026]
Next, a case where the type of elements constituting the sample 1 is measured with this sample surface measuring apparatus will be described. In this case, the tunnel voltage is not applied between the sample 1 and the probe 3A from the tunnel power supply 10, and a high voltage of several tens of kV is instantaneously applied between the sample 1 and the probe 3A from the high voltage application circuit 21. Apply to. Then, a glow discharge is instantaneously generated between the tip of the probe 3A and the surface of the sample 1, and elements on the surface of the sample 1 are ionized.
[0027]
The quadrupole mass analyzer 22 analyzes the mass of secondary ions emitted from the surface of the sample 1 and supplies the analysis result to the mass analysis data processing circuit 23. The mass spectrometry data processing circuit 23 processes the secondary ion mass spectrum, ion image, and the like based on the analysis result from the quadrupole mass analyzer 22 and displays the processing result on the display unit 16. And the kind of element which comprises the sample 1 can be measured from this display.
[0028]
As described above, in this sample surface measuring apparatus, one probe 3A is used both when measuring the unevenness of the surface of the sample 1 and when measuring the type of elements constituting the sample 1, so With the apparatus, it is possible to measure the unevenness of the surface of the sample 1 and the types of elements constituting the sample 1, thus reducing the equipment cost.
[0029]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, one probe is used both when measuring the unevenness of the surface of the sample and when measuring the type of element constituting the sample by detecting characteristic X-rays . Therefore, the unevenness of the surface of the sample and the type of elements constituting the sample can be measured with one apparatus, and thus the equipment cost can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a sample surface measuring apparatus as a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a state where a probe is housed in an extraction electrode.
FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing a state in which a probe protrudes from an extraction electrode.
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a sample surface measuring apparatus as a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a sample surface measuring apparatus as a third embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sample 2 Stage 3, 3A Probe 4 Extraction electrodes 5, 6, 7 Piezoelectric element 8 Scanning circuit 9 Feedback circuit 10 Tunnel power supply 11 Tunnel current detection circuit 12 Display unit 13 Extraction voltage application circuit 14 Characteristic X-ray detector 15 Characteristic X Line data processing circuit 16 Display unit 17 Auger electron detector 18 Auger electron data processing circuit 21 High voltage application circuit 22 Quadrupole mass analyzer 23 Mass analysis data processing circuit

Claims

An extraction electrode, a probe provided in and out of the extraction electrode, and the probe protruding from the extraction electrode are brought close to the surface of the sample to detect a tunnel current therebetween, and based on the detection result, the sample The surface of the sample is irradiated with an electron beam emitted from the tip of the probe by applying an extraction voltage while the probe is housed in the extraction electrode while the probe is housed in the extraction electrode. And an element measuring means for measuring characteristic X-rays emitted from the surface of the sample at this time.

2. The sample surface measuring apparatus according to claim 1, wherein the extraction voltage is about 3.5 to 4.5 kV.

2. The sample surface measuring apparatus according to claim 1, wherein the probe is made of tungsten, and the extraction electrode is made of stainless steel.