JP4040601B2 - セルフシード単一周波数固体リングレーザ、単一周波数レーザピーニング法、及び、そのシステム - Google Patents

Description

アメリカ合衆国政府は、ローレンス・リバモア・ナショナルライブラリの事業のためのアメリカ合衆国エネルギ省とカリフォルニア大学間の契約Ｎｏ．Ｗ−７４０５−ＥＮＧ−４８に準拠し、本発明に関する権利を有する。
本発明は、レーザを用いた狭い線幅の単一周波数出力の発生法に関し、マスタオシレータ／パワーアンプ構成における該レーザの使用に関し、また、該レーザに基づくレーザピーニング法及びシステムに関する。

金属形成及びその表面特性を改良するために機械的衝撃を与えるという方法が従来起用されてきた。現在の産業の実際場面においては、金属表面のピーニング処理は高速ショットを使用して行われている。この処理は表面特性を改良し、多くの用途に対して特に重要なことには、金属疲労欠陥及び腐食欠陥に対する耐性に一部大幅な改善が見られたことがある。航空宇宙産業や自動車産業のありとあらゆる部品で、このショット・ピーニング法が用いられてきた。しかしながら、多くの用途において、このショット・ピーニング法では、十分に強いまたは深い処理が実現できない、或いは、表面仕上げへの悪影響があるために使用できないということがあった。

レーザの発明により、ピーニングに必要とされる強い衝撃が、レーザ駆動の高密度プラズマという手法により達成されうることが急速に認識されるようになった。Ｂ．Ｐ．フェアランド他、「７０７５アルミニウムにおけるレーザ・ショットによるミクロ組織及びメカニカル特性の変化」（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４３，Ｎｏ．９, ３８９３頁 １９７２年９月）。典型的には、高エネルギ密度（約２００ｊ／ｃｍ^２）で短いパルス長（約３０ナノ秒）のレーザにより１０ｋＢから３０ｋＢのプラズマ衝撃が金属表面で生成される。金属表面の黒塗装または他の吸収材の薄膜層が、金属の削磨を防ぐ衝撃吸収体として機能する。例えば、水のような、封止された物質または高密度物質が、強化された強い衝撃を提供して表面層をカバーする。これらの衝撃は、通常のショット・ピーニング法より深く強い圧縮された力を与えることが示されている。試験においては、この処理は、金属疲労及び腐食欠陥に対して構成材を強化する点で優越していることが示されている。しかしながら、十分なエネルギと反復率を備えたレーザを、生産に見合うコストで供給するのが困難であった。

この目的で利用されてきたあるレーザシステムについては、本願出願人の先願米国特許第５，２３９，４０８号「高出力・高品質ビーム再生増幅器」に開示されている。該特許に記載のレーザシステムは、３０ナノ秒以下オーダーのパルス幅のパルス当り２０ジュールより大きな出力パルスを発生可能なマスタオシレータ／パワーアンプ（ＭＯＰＡ）構成の高出力アンプからなる。当該特許では、マスタオシレータの実施例の一つとして、米国特許第５，０２２，０３３号「単一周波数出力を有するリングレーザ」を参照している。米国特許第５，０２２，０３３号に記載のオシレータ構成では、低出力パルスしか発生しないため、米国特許第５，２３９，４０８号に記載の増幅器システムで得られるより更に多くの増幅経路を必要とする。また幾つかの用途において、米国特許第５，２３９，４０８号のシステムで使用されたマスタオシレータは、エタロン出力カプラ付きの定在波（２ミラー線形共振器）オシレータであった。

ＭＯＰＡ構成の性能は、マスタオシレータから供給されるシードパルスの質によってある程度に制限される。前記従来技術のマスタオシレータは、高品質単一周波数Ｑスイッチオシレータシードパルスを供給することができたとはいえ、十分なパルスエネルギを必要とする生産現場において、パルス幅とパルスエネルギを十分に一定に維持し続けることは困難であった。

一般に、多くの用途において、多重縦モードから変調することなく再生可能でスムーズな時間的プロファイルを生み出すために、またＳＢＳ接合仕様のアンプで最高の波面反転性能を得るためにも、固体レーザから単一周波数Ｑスイッチオシレータパルスを得るのが好ましい。ハンナ他、「高出力能動的Ｑスイッチレーザの単一縦モード選択」（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ４，２３９〜２５６頁 １９７２年）において、低出力単一周波数マスタオシレータをインジェクション・ロッキングすることにより、Ｑスイッチレーザオシレータから単一縦モードの出力されることが示されていた。しかしながら、この技術においては、マスタオシレータとスレーブオシレータ間の注意深いモードマッチング、及び、Ｑスイッチスレーブオシレータ用の積極的なキャビティ長の安定化が必要である。

単一周波数出力を得る他の方法として、米国特許第５，０２２，０３３号に開示されているように、セルフシード共振器を使用する方法もある。当該従来技術の方法では、キャビティ内損失を抑え共振器中で弱い単一周波数連続波（ＣＷ）ビームを維持し続けることでシードパルスが増幅される。Ｑスイッチパルスを作り出す共振はどんなモードよりも先に弱いＣＷビームから増幅するため、ＣＷビームの特性と同様の特性を有する出力パルスが、Ｑスイッチングにより生み出される。しかしながら、パルス当りのエネルギ及びパルス幅は、例えばフラッシュランプや他のポンプエネルギソースにより供給されるリングレーザ用のポンプエネルギのドリフトにより変動することがある。従って、パルスパラメータの一様性は比較的乏しく、できる限り一定の出力パルスを用いてレーザピーニング処理を行うには、フラッシュランプエネルギ等のシード発振器の光学パラメータを常に調整することが必要となる。この方法の主要な欠点の一つは、パルス間のＣＷシード共振を一定に保つことの非効率性に起因する長いパルスの持続（２００ｎｓ）と低パルスエネルギである。

様々なセルフシード発振器が、パーク他、「ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの単軸モード処理用電子線幅圧縮法」（ＯＰＴＩＣＡＬ ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＳ、３７，４１１〜４１６頁、１９８１年）に開示されている。
米国特許第５，２３９，４０８号明細書 米国特許第５，０２２，０３３号明細書 Ｂ．Ｐ．フェアランド他、「７０７５アルミニウムにおけるレーザ・ショットによるミクロ組織及びメカニカル特性の変化」、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４３，Ｎｏ．９, ３８９３頁 １９７２年９月 ハンナ他、「高出力能動的Ｑスイッチレーザの単一縦モード選択」、Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ４，２３９〜２５６頁 １９７２年 パーク他、「ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの単軸モード処理用電子線幅圧縮法」、ＯＰＴＩＣＡＬ ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＳ、３７，４１１〜４１６頁、１９８１年

従って、例えば、レーザピーニング等が行われる生産現場で該当するような時間間隔に亘る一連のパルスにおいて、レーザピーニングＭＯＰＡ用のシードパルスとして使用される十分に一定のエネルギとパルス幅で単一周波数の一連のパルスを提供することが望ましい。

本発明は、米国特許第５，０２２，０３３号の方法を使用した時に比べて、１０倍以上大きなエネルギと１０分の１以下のパルス持続期間を供給することが可能な単純なデザインのセルフシードレーザ発振器を提供する。セルフシードレーザ発振器は、本発明の実施例にあるようなマスタオシレータ／パワーアンプ構成を有するレーザシステムに適用される。また、改良型レーザピーニングシステムや改良型レーザピーニング方法は、生産現場でよく見られるようなタイムインターバルがある状況においてオペレータ操作なしでも実質的に一定のパルス高とパルス幅を有する本発明によって生成される一連のパルスに基づいて、提供される。

本発明の一実施例としては、単一波長の出力パルスが得られるようにレーザを操作する方法がある。該レーザには、共振器、出力カプラ、共振器内に配置されたゲイン媒体、及び、ポンプソースが含まれる。該操作方法には、共振器中に偏光回転素子を挿入し、偏光ビームスプリッタを使用して導入された出力カプラによって伝達される偏光を回転によって少しずらす等の方法で、キャビティ内損失をレーザ共振器に誘発するものがある。生じた損失は、ポンプソースからのエネルギがゲイン媒体に蓄積されている間、発振を抑制するだけの量を有する。ゲインは、ゲイン媒体内でポンプソースからのエネルギにより蓄積されたゲインが誘発された損失を超え、シードパルスを作り出すところまで増加する。該ゲインは、共振器内で単一周波数緩和発振パルスが生成されるようになるゲイン対損失比が達成された時点で損失を超える。

緩和発振パルスを検知すると、ポッケルスセルを電気的に制御してＱスイッチングを行うこと等によってキャビティ内損失は減少し、その結果、ゲイン媒体内に蓄積された増加したゲインは、単一周波数の出力パルスの形で共振器から出力される。

本発明の幾つかの実施例においては、緩和発振パルスの開始は、該緩和パルスのピークより前に検知される。また別の実施例においては、緩和発振パルスの開始は当該パルスの極めて初期段階で検知され、その時点のパルスは平均的なピークパルスの５％未満或いは１％未満であるときもある。

レーザオシレータは、共振器の出力カプラの反射率を制御することでより最適化される。出力カプラの反射率の選択は、Ｑスイッチパルス持続時間と出力パワー抽出効率において重要な意味がある。従来であれば、該反射率の選択は、様々な反射率の光学コーティングによりなされてきたが、本共振器においては、偏光ビームスプリッタを使用して出力カプラの反射率の選択が実施されている。共振器の効果的な出力カップリングは、共振器内のビームの偏光に依存し、共振器内の偏光素子により達成され、また、Ｑスイッチング中にポッケルスセルに印加されたパルス電圧に対応する。共振器内に偏光部品を設けることで、また、好ましいＱスイッチパルス保持時間が得られるように電気的にパルス電圧を制御することで、出力カップリングは簡単に最適化される。

また、本発明の実施例では、オプティカルリングを規定する出力カプラと幾つかの他のリフレクタ、好ましくは出力カプラを含め奇数個のリフレクタを有するレーザ共振器を備えてなるレーザシステムを提供する。Ｑスイッチとゲイン媒体は、共振器内に含まれる。ディテクタが、共振器内の発振エネルギを検知するように、共振器に結合されている。コントローラは、ゲイン媒体用エネルギのソース、Ｑスイッチそしてディテクタに結合されている。共振器内の構成要素は、ゲイン対損失比が緩和発振パルスを生成するのに十分になるまで、ポンプエネルギのソースでゲイン媒体中のゲインを増加させながら損失を誘発する。緩和パルスの開始が検知されると、コントローラはＱスイッチングにより損失を低下させ、単一周波数の出力パルスが生成される。

本発明の実施例は、緩和発振パルスの開始中は単一縦キャビティモードに発振を制限するために、共振器中に一組のエタロンを含んでいる。また、横モード制限用開口をレーザ共振器中に設けている。

また、本発明のある実施例では、Ｑスイッチはポッケルスセルを備えてなり、出力カプラは偏光ビームスプリッタを備えてなる。出力カプラで僅かな楕円偏光を誘発するために僅かに回転された４分の１波長板は、損失を誘発し、同時に微量の光が共振器内を循環できるようにする。コントローラは、ポッケルスセルに加えられた電圧を制御することで共振器内の損失を低下させる。Ｑスイッチング中は、共振器内の損失を低下させるために電圧パルスが印加される。Ｑスイッチング中に印加される電圧パルスの振幅を設定することで、出力カプラの反射率が、所望のパルス持続時間に設定するように選択されたレベルになる。

また別の実施例では、レーザ共振器内の奇数個のリフレクタは、反射角の設定用に調整可能なマウントを備えたフラットリフレクタを含んでいる。反射角の調整により、オプティカルリングに対する長さ調整がなされ、キャビティモードがエタロンモードに一致することができる。

本レーザシステムの実施例では、約１．０５ミクロンの波長を有する出力パルスを生成する。かかる実施例においては、ゲイン媒体は、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ガラス、または、Ｎｄ：ＹＡＧを含むがこれらに限定されないネオジムドープされた固体材料である。

ある実施例においては、ポンプエネルギのソースは、フラッシュランプまたはアークランプを備えてなる。また別の実施例では、ポンプソースはレーザダイオードやレーザダイオードアレイ等のオプティカルエネルギのソースを備えてなる。

本発明のある実施例では、レーザシステムは、パルス高とパルス幅が不変の高出力単一周波数パルスを生成するために、ＭＯＰＡ構成を呈するレーザ共振器とパワーアンプを含んでいる。

本発明によれば、レーザ衝撃ピーニングの方法は、産業現場においては複数の工作物のピーニング表面に適用される。該方法は、製造現場において相当長期間オペレータの介在なしに単一波長で実質的に一定の振幅とパルス幅を有する一連のシードパルスを生成することを含む。シードパルスが、単一周波数を有する高エネルギ出力パルスを誘導するためにレーザ増幅器に供給される。工作物は、工作物の表面上のターゲット領域をピーニングするために一連のパルスと協働して位置決めされる。

本発明の他の実施例、側面及び利点については、以下の図面、詳細な説明、及び、請求の範囲の項を参照して明らかにされる。

図１から図８を夫々参照しつつ、本発明の実施例の詳細について説明する。出力カップリングが電気的に調整可能なセルフシード単一周波数固体Ｑスイッチリングレーザについて、図１から図５を参照して説明する。図７は、図６のグラフのようなパルスを生成可能なマスタオシレータとして図１から図５に示すレーザシステムを含む、本発明のマスタオシレータ／パワーアンプ構成の実施例を示している。図８は、レーザピーニングを行う環境における本発明の応用例を示している。

図１に、本発明の一実施例における単一周波数Ｑスイッチレーザオシレータの基本的な構成が示されている。２つのミラーＭ１、Ｍ２と偏光ビームスプリッタＰ１が、三角形のオプティカルリングの形式で共振器を構成するように配置される。共振器は、気流の乱れによって共振器の動作が影響されないように箱（図示せず）の中に収容されている。ミラーＭ１から反時計回りの順番で、光学部品の基本的特性について説明する。

ミラーＭ１は、本実施例において、約１．０５ミクロンの発振波長で反射率が９９％以上の５メートルの曲率半径を有する高反射リフレクタを備えてなる。偏光ビームスプリッタＰ２、Ｐ３は、一方面に誘電体コーティングをし、他方面はそのままの溶融石英基板を備えてなる。偏光ビームスプリッタＰ２、Ｐ３は、Ｓ偏光を有する放射を反射し、Ｐ偏光を有する放射を伝送するように適合される。偏光ビームスプリッタは、ビーム中において、溶融石英用のブルースター角に対応した５７度の入射角となるように方向付けされる。こうすることで裸地面からの反射損失が抑制される。ゲイン媒体（固体ロッドＲ）がリング内で次に位置する。本実施例では、ゲイン媒体は、直径５ミリ、長さ６５〜１００ｍｍのＮｄ：ＹＬＦロッドである。約１ミクロンの波長では、Ｎｄ：ガラス、Ｎｄ：ＹＡＧを含む他のネオジムドープされた固体媒体も利用できる。また、他のゲイン媒体の構成や種類が使用されてもよい。本実施例において使用されているゲイン媒体は、フラッシュランプでポンプされる。他の実施例ではアークランプやレーザダイオード等のオプティカルエネルギの他のソースを使用している。

ミラーＭ２がリング内の次の構成部品である。ミラーＭ２は、約１ミクロンの波長で反射率９９％以上の平面高反射リフレクタからなる。ミラーＭ２は、本発明の実施例では、調整可能にマウントされ、該ミラーによる反射角の調整が可能となる。反射角を調整することで、例えば、リングのキャビティ長は、リング内の他の構成部品の再調整を必要とせず、エタロンモードに一致するように微調整できる。

ポッケルスセルＰＣがリング内の次の構成部品である。ポッケルスセルＰＣは、電子光学的に該セルを通過するビームの偏光を制御可能なように調整したＫＤ^＊Ｐ（水素成分として重水素を用いた２水素リン酸カリウム）を備えてなる。電圧パルスが共振器の損失を制御するためにポッケルスセルに印加される。ある実施例においては、３０００Ｖから５０００Ｖの調整可能なパルスが、約３８００ボルトの半波電圧を有するポッケルスセルに印加され、そこで、円偏光が生成され、出力カプラＰ１から５０％の反射が起こる。

４分の１波長板Ｗ２がリング内の次の構成部品である。４分の１波長板Ｗ２は調整可能な（９０度）偏光回転によって共振器内で損失を誘発させるように、反射防止コーティングをした石英結晶を備えてなる。４分の１波長板Ｗ２は、共振器内で僅かに楕円偏光するように位置合わせされ、微量の光が緩和発振パルスの蓄積中に循環できるようになる。

約１．２ミリの開口を有する横モード制限用開口Ａがリング内で次に位置している。

偏光ビームスプリッタＰ１は、制御可能な出力カプラとして機能し、それを通過して出力パルスＢが供給される。

２分の１波長板Ｗ１がリング内の次の構成部品である。２分の１波長板Ｗ１は、４５度の偏光回転を生じるように調整された厚みを有する反射防止コーティングをした石英結晶を備えてなる。２分の１波長板Ｗ１からリング中で反時計回りの方向に隣接するのは、ファラデー回転子で、ビームの偏光をビーム伝播方向よりむしろファラデー回転子の方向に応じて４５度回転させる。本発明の実施例では、ＴＧＧ（テルビウム・ガドリニウム・ガーネット）を用いた永久磁石ファラデー回転子を使用している。

リング内の最後の構成部品は、一連のエタロンＥ１、Ｅ２、Ｅ３である。エタロンはファブリ・ペローエタロン用の固体溶融石英を備えてなる。エタロンＥ１は、３ｍｍの厚さのコーティングなしの石英で、４％の反射率を有する。エタロンＥ２は、５ｍｍの厚さの石英で、約４０％の反射率を有する。エタロンＥ３は、３０ｍｍの厚さのクオーツで、約４０％の反射率を有する。エタロンＥ１、Ｅ２、Ｅ３は、単一波長のドリフトを防止するために温度安定化される。

共振器は、共振器内の水平方向の位置ずれをなくすため、出力カプラを含む奇数個のミラーを有する。（換言すれば、共振器は、リング共振パス経路を規定する出力カプラと偶数の他のリフレクタを有する。）従って、平面リフレクタＭ２の角度を変更する、つまりリフレクタＭ２を平行移動するのではなく傾けることで、共振器内のリングキャビティ長の微調整が可能となる。こうして単純な調整を行うことで、リングキャビティ長をエタロンに適合させることができる。

図１では、高反射リフレクタＭ１と隣接したフォトディテクタＰＤを図示しており、高反射リフレクタＭ１を通過する放射漏れから緩和発振パルスの開始を検知するために使用される。Ｍ１からの少量の光漏れが、高速フォトダイオードを用いたフォトディテクタに導かれる。

偏光は、図１のレーザシステムの動作の手掛かりと捉えられる。偏光に基づいて、共振器は、オプティカルダイオードセクションとＱスイッチセクションの２つの主たる機能セクションに分けられる。

オプティカルダイオードセクションは、偏光ビームスプリッタＰ１とＰ２の間に位置する。このセクション内に２分の１波長板Ｗ１と４５度永久磁石ファラデー回転子Ｆが位置する。２分の１波長板Ｗ１は、Ｓ偏光（電界がレーザの平面図ではページに対して垂直）またはＰ偏光（電界が同ページに対して水平）の何れかに対して４５度回転するように構成される。以下の説明を明確にするために、図中の偏光ビームスプリッタＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、常にＳ偏光を反射し、Ｐ偏光を伝送するものとする。ファラデー回転子Ｆは、ファラデー回転子Ｆと２分の１波長板Ｗ１による各４５度回転が、時計回り方向の伝播に対しては相殺され、反時計回り方向の伝播に対して９０度回転となるように足し合わされるように方向付けられる。この効果は、時計回り方向に伝播する放射に対してリングのオプティカルダイオードセクションで大きな損失をもたらすことである。特に、時計回り方向に偏光ビームスプリッタＰ２を通過して伝播するＰ偏光ビームは、ファラデー回転子Ｆと２分の１波長板Ｗ１の相互作用で回転を受けず、偏光ビームスプリッタＰ１を通して共振器を脱出するようにする。対照的に、反時計回り方向に偏光ビームスプリッタＰ１を通過して伝播するＳ偏光ビームは、９０度の回転を受け、Ｓ偏光からＰ偏光へと変換し、偏光ビームスプリッタＰ２とＰ３を通過して共振器内に留まるようにする。時計回り方向への大きな損失と反時計回り方向への極めて小さな損失の結果、図１のリング内の矢印及び出力ビームＢに示されるように、共振器内の光が反時計回り方向にのみ蓄積し、レーザ発光することが確実となる。

共振器のＱスイッチセクションは、図１の右半分に示され、偏光ビームスプリッタＰ１とＰ３の間に位置する。Ｑスイッチセクションの目的は、レーザロッドＲによって提供されるゲイン媒体内でエネルギが蓄積されている間にリング内で強いオプティカル損失を誘発することである。これにより、レーザロッドＲに大量のゲインが現出するようになるまで、オシレータがレーザ発光することを抑制する。下記に示すように、高ゲイン状態は、緩和発振パルスの開始により示唆される。高ゲインによって共振器内でオプティカル放射が高速に立ち上がり、比較的短いＱスイッチパルスを発生する。該オシレータは、半値全幅でのパルス持続時間が５０ナノ秒から２０ナノ秒或いはそれ以下の状態で、極めて高効率に動作可能である。実際には、Ｑスイッチセクション内のポッケルスセルＰＣを制御することで、その間に緩和発振パルスが生成されるまでゲイン媒体にゲインが増加していくと同時に発振が抑制される損失モードを設定でき、また、その間に出力パルスが生成される損失の低減されたモードを設定できる。

共振器内のＱスイッチセクションの他の機能としては、共振器のオプティカル出力カップリングの設定がある。電気光学ポッケルスセルＰＣに電圧が印加されないときは、ポッケルスセルを通過して伝播するビームの偏光は変化しない。つまり、Ｐ偏光で偏光ビームスプリッタＰ２、Ｐ３を通過して伝播する光は、偏光ビームスプリッタＰ１から反射せず、偏光ビームスプリッタＰ１を伝播することで、（４分の１波長板Ｗ２によって誘発される少量のＳ偏光を除き、）完全に消失する。共振器の出力カプラは、実際上偏光ビームスプリッタＰ１ということになる。ポッケルスセルに電圧が印加されるまで、出力カプラは略０の反射率で、ゲイン媒体内で高ゲインが蓄積されるときのみ共振器内の発振が可能となる。しかしながら、ポッケルスセルに適切な電圧が印加されると、ミラーＭ２から反射するＰ偏光ビームの偏光は、部分的に回転し、ビームの一部をＰ１から反射させる。このように、光学部品やコーティングを変えず、また共振器の光学的な再調整を行わずに、共振器出力の単純な電気的調整を行う方法がある。例えば、ポッケルスセルに半波電圧を印加すれば、約５０％の光線をＰ１から反射させることになる。ポッケルスセルに全波電圧を印加すれば、略１００％の光を反射させることになる。

動作において、増幅器ロッドＲ内のゲインは適切なレベルに到達するようにされ、そしてポッケルスセルに電圧が印加され、Ｐ１の反射率を増加する。印加される電圧レベルは、レーザシステムの個々の設置状況に応じたパルス持続時間を確立するよう経験的に決定される。この時点で、放射が共振器により規定されたオプティカルキャビティ内で急速に立ち上がり、ロッドＲからエネルギを抽出し、そして出力パルスＢとしてＰ１から現出する。

図１中のレーザオシレータは、単一光学周波数で出力するように指定されている。つまり、発振が単一縦キャビティモードに制限される必要があることを意味する。当該制限を行うため、少なくとも２つのエタロンＥ１，Ｅ２、より好ましくは、３つのエタロンＥ１，Ｅ２，Ｅ３を備えた一連のエタロンが、図１に示すように、共振器内に挿入されている。各エタロンは、均等に間隔を置いた周波数に対して高い光学伝送を有する。該間隔は、算出式ｃ／２ｎＬを用いて各エタロンの長さにより決定される。ここで、ｃは光速、ｎはエタロン材料の屈折率、Ｌはエタロンの長さである。また、レーザ共振器は、周波数ｃ／Ｌで均等に間隔を置いた低損失縦周波数モードを有する。ここでは、Ｌは共振器を一周する光学距離である。他の全てより低光学損失となるレーザロッド中のゲインの周波数帯域内で、３つのエタロンの周期的伝送特性の正味の効果によって単一の共振器モードとなるべく、３つのエタロンが長さを増加させて用いられる。共振器内のレーザ放射はこのキャビティモードでの周波数で増大し、結果として出力ビームは単一周波数となる。選択されたエタロンの長さとコーティングが、周知の原理によって、所望の周波数の選択を決定する。

共振器の周波数選択性の効率は、共振器内で放射が比較的ゆっくりと増大していくときに唯一完全に有効となる。もしＱスイッチパルスが極めて急激に増大できるとすると、比較的少ない共振器の周回回数（１０回未満）が要求される。放射が短時間にキャビティ内のエタロンと干渉するため、エタロンによって好ましくない周波数で生じる損失が、レーザ出力中の他のキャビティモードを抑制するのに十分でない可能性がある。当該理由より、Ｑスイッチレーザオシレータの動作にセルフシード手法が用いられる。

レーザ増幅器ロッドＲにエネルギが蓄積されている時間中、短いＱスイッチパルスが抽出される時間までは、発振は通常開始されない。しかしながら、本レーザでは、レーザのＱスイッチセクション中に追加の４分の１波長板Ｗ２が挿入されている。４分の１波長板Ｗ２の光軸がビームのＰ偏光と完全に位置合わせされていると、Ｐ偏光の回転が起こらない。しかしながら、もし４分の１波長板Ｗ２が少量だけ回転していると、キャビティ内ビームが楕円偏光となって現出し、ビームの一部が偏光ビームスプリッタＰ１で反射するようになる。別の手法では、４分の１波長板Ｗ２を回転する代わりに、ポッケルスセルに小さな電圧を印加して、ゲインが蓄積中に所望の楕円偏光を誘発させることができる。実際、楕円偏光は、レーザが増幅ゲインのピーク付近の閾値に丁度達するようにするポンピング処理中に、出力カプラＰ１に小さな反射率を付与する。４分の１波長板Ｗ２が適切に調整されると、レーザからの出力は、図２に示すように、少数（１〜３）の緩和発振パルスで構成される。これらのパルスは典型的にはかなり長い持続時間（４００ナノ秒の半値全幅）となる。これらの緩和発振パルスの一つまで発達するには何マイクロ秒もかかり、結果として、キャビティ内エタロンを何百回も通過することになる。このエタロンの多くの通過による光学損失の増倍が、非常に強力に、一つを除く全てのレーザキャビティモードの抑圧することになる。さて、この低出力で単一周波数の光が共振器内に現出すると、ポッケルスセルに電圧を印加し、短い高出力のＱスイッチパルスを生成する。高出力パルス（約１ＭＷ）は低出力緩和発振（約１００Ｗ）から発達するので、高出力パルスは緩和発振シードの周波数特性を有する。

実際に、セルフシード処理は、図１に示す外部フォトダイオードＰＤを用いて弱い緩和発振パルスの現出が一旦検知されると、ポッケルスセル（Ｑスイッチ）に電圧を印加することにより最適化される。図３に、本レーザシステムの制御システムの回路構成を示す。リング共振器は三角形５０で示され、線５１上に出力パルスを発生する。エネルギが高反射リフレクタＭ１から線５２上に漏れており、フォトダイオード５３によって検出される。フォトダイオードは、緩和発振パルスの開始の検出に対して即座に反応するために、バッテリ５４と抵抗５５によって逆バイアスが印加されている。フォトダイオードの出力はパルス増幅器５６で増幅され、トリガ発生器５７（例えば、スタンフォード・リサーチ・システムズ社製の型番ＤＧ５３５）に供給される。トリガ発生器のトリガはマルクスバンク電源を用いて構成されたＱスイッチパルサ５８に結合する。一実施例として、Ｑスイッチは、Ｑスイッチ電源、マルクスバンク、ステップアップ電圧源、及び、Ｑスイッチを含むコンティニューム社製の型番ＬＭ８１Ｍ−９９５で提供される。

ポンプエネルギソース６０は、リング共振器５０内のゲイン媒体に結合する。Ｑスイッチパルサ５８は、リング共振器５０内のポッケルスセルにパルスを印加する。フォトダイオード５３は、逆バイアス用バッテリ５４によって光導電モードになって高速応答動作する。パルス増幅器５６のゲイン、或いは、トリガ発生器５７のトリガレベルの設定により、オシレータが単一周波数でのレーザ発光の開始とともに、十分な電圧値の出力が供給される。該出力は、Ｑスイッチパルサ５８に供給されるトリガ信号を供給し、Ｑスイッチパルサ５８に対し、開成してオシレータをフルエネルギ、単一周波数で動作させるように指揮する。Ｑスイッチパルスのタイミングは、緩和発振パルスのピーク時より前であって、緩和発振パルスの開始の検出時に、好ましくは、フォトダイオードが検出した平均ピーク振幅の５％以下の検出時に、Ｑスイッチパルスが発生するように設定される。Ｑスイッチパルサ５８は、出力カプラの反射率を調整し、その結果、出力パルス幅を調整するために、ポッケルスセルに印加される電圧パルスの振幅が調整可能である。従って、電気的なコントローラが提供されることで、緩和発振パルスを生成するためにゲイン媒体のゲインの増大を可能にするレベルで、共振器内の損失を誘導する条件（つまり、ポッケルスセルに対して電圧印加しないか、或いは、低電圧印加すること）を設定し、且つ、Ｑスイッチを用いて、緩和発振パルスに応答して単一周波数の出力パルスを生成するように共振器内の損失を低下する条件（例えば、ポッケルスセルへの印加電圧の調整）を設定する。

図４は、トレース６５上のＱスイッチングの前後における緩和発振を示している。緩和発振パルスの開始を明示するために、トレース６６上において、緩和発振パルスの振幅を２５０倍に拡大している。トレース６５上において、処理を明快に示す目的のために、緩和発振パルスのピーク時より後にポッケルスセルが起動されている。ポッケルスセルをより早期に起動する方が一般的に有利であり、Ｑスイッチングの時間的なパルス形状におけるセルフシードの裾部分のサイズを最小化できる。従って、フォトダイオードの出力が、ピーク前の緩和発振パルスの平均ピークパワーの約５％以下を示すレベル、更に好ましくは、該平均ピークパワーの約１％以下を示す、例えば、図４のグラフ上のポイント６７のレベルに到達した時に、緩和発振パルスの開始が検出される。

図５は、セルフシード単一周波数パルス７５及び多重モードパルス７６を含む２つのＱスイッチパルスを比較して示す。本発明の技術を用いて発生した単一周波数パルス７５は、多重モードパルスと比較して、より滑らかな時間的形状とより短い増大（ビルドアップ）時間を呈している。

好適なシステムでは、周波数伝播ピーク間の相対的なアライメントがキャビティ内エタロン用に定常的に維持されることが重要である。金属製円筒容器内にそれらを収容することで実現できる。エタロンが非常に正確な温度に維持され、それ故、極めて一定の光学長となるように、円筒容器内の中空通路に非常に安定した温度の水を流すことも可能である。

更に、キャビティ内のエタロンＥ１、Ｅ２、Ｅ３は、好適なシステムの共振器のオプティカルダイオードセクション内に位置している。エタロンは、所望の周波数以外の周波数での光学損失を提供する機能を果たしている。エタロンは、所望でない周波数成分を反射することで当該損失を提供している。エタロンは、その表面がビーム経路に対して略９０度に（垂直入射）なるように位置合わせされていると、最大の周波数識別能を有するため、これらの望ましくない反射が共振器内へ再結合するのを回避しなければならない。このため、エタロンは、共振器のオプティカルダイオードセクション内に位置している。エタロン表面で起こりうる反射は、ファラデー回転子Ｆと２分の１波長板Ｗ１を通して、時計回り方向に逆伝播し、それらをＳ偏光からＰ偏光に変換する。この結果、反射ビームは偏光ビームスプリッタＰ１（出力カプラ）を通過して消失し、それらがレーザ共振器内で増幅してパワーが増大するのが回避される。

レーザ共振器内の弱い緩和発振パルスの開始を検知してポッケルスセルを起動することにより、重要な結論に帰着する。共振器内の光学ゲイン対光学損失比が１より大となるように十分なエネルギがレーザ増幅器ロッド中に一度蓄積された場合にのみ、レーザ発振と光の増大が起こる。つまり、増幅器ロッドのポンプ状態とは無関係に、ゲイン対損失比の実質的に同じ比において、ポッケルスセルへの電圧印加が起こり、Ｑスイッチ出力パルスが生成される。当該理由より、ロッドへのパルス間でのポンプエネルギに変動があったとしても、Ｑスイッチパルスエネルギは極めて安定に維持される。実際、もしユーザがポンプソースに対するエネルギを増加しても、Ｑスイッチパルスエネルギは変化しない。ロッド中の閾値光学ゲインが単により早くレーザ開始閾値に到達し、Ｑスイッチパルスが時間的に早く発生するだけである。

要するに、固体Ｑスイッチリングレーザは、２０〜５０ナノ秒の範囲の持続時間のパルスを生成する。正確な単一周波数動作は、発振が極めてゆっくりと（１乃至２マイクロ秒で）増大するセルフシード技術によって達成される。キャビティ内を循環する光学パワーが所定閾値に達すると、外部のフォトダイオードにより検知され、キャビティ内のポッケルスセルがＱスイッチして光学増大が起こり、非常に高いショット間のエネルギ安定性を備えた単一周波数の出力パルスが生成される。効率的な出力カップリング（即ち、出力カプラの反射率）は、ポッケルスセルに印加する電圧波形を電気的に変化させることにより、リアルタイムで簡単に調整できる。本設計では、１日２４時間の連続動作において正確且つ安定した性能を実証している。

図７は、上述のように実施されたマスタオシレータ２００の利用に適合した再生レーザ増幅器を用いたマスタオシレータ／パワーアンプ構成の回路図である。増幅器の実施例の詳細は、ここで完全に開示しているように参考のために加えた米国特許第５，２３９，４０８号で提供されている。図７の増幅器システムは、ポッケルスセルまたはファラデー回転子等の回転子２４０、リレー望遠鏡２２０、スラブ型ゲイン媒体２５０、及び、ＳＢＳ位相共役器２６０を備えて構成されている。スラブ２５０はポンプキャビティ（図示せず）内に収容されている。また、２つの偏光子２０２、２０６が、入力パルスを捕獲し、出力パルスを抽出するために含まれる。７つの平面高反射鏡２１１，２１２，２１３，２１４，２１５，２１６，２１７が、スラブ２５０、望遠鏡２２０、及び、リングをＳＢＳ位相共役器２６０に接続する偏光子２０６を通過する光学経路を規定する。

動作中は、マスタオシレータ２００は、Ｓ偏光を有する入力パルスを供給する。該パルスは、偏光子２０２に反射して、偏光を変化させずに維持しながら分離ポッケルスセル２４０を通過して進み、更に、偏光子２０６に反射して、反射鏡２１１〜２１７で規定されるリング状の光学経路に入る。

リング内では、ビームは、ビームを９０度回転してＰ偏光にする９０度回転子２０８に入る。パルスは、反射鏡２１１、２１２を通過し、光学経路２１９に沿ってリレー望遠鏡２２０を通過する。

望遠鏡２２０は、真空気密シール２２６でマウントされた第１レンズ２２４と真空気密シール２３０でマウントされた第２レンズ２２８を有する真空室２２２を含む。一実施例では、各レンズ２２４、２２８は焦点距離約１．２ｍのレンズである。レンズ２２４、２２８間の間隔は、該レンズ対が無焦点となるように約２．４ｍになっている。

ビームは、望遠鏡２２０から、反射鏡２１３を通過してスラブ２５０に入り、更に通過して、反射鏡２１４、２１５で反射して、スラブ２５０に戻って通過する。１回目のジグザグ状の通過と、伝播方向について本質的に鏡像となる２回目のジグザグ状の通過によって、ポンプ量の略単一充填量が達成される。このように、２回目のジグザグ通過により、１回目で抽出できなかった領域からゲインを抽出する。

ビームは、スラブ２５０から、反射鏡２１６に反射し、経路２４２に沿って望遠鏡２２０を通過し、反射鏡２１７に反射して偏光子２０６に戻る。ビームは回転子２０６で９０度回転してＳ偏光からＰ偏光に変換しているので、Ｐ偏光ビームは、回転子２０６によって９０度回転子２０８に伝送され、２回目のリングを通過する。しかしながら、リングの２回目の通過中は、９０度回転子が偏光を９０度回転させてＳ偏光に戻す。その結果、ビームがリングの２回目の通過の最後に偏光子２０６に到達すると、ＳＢＳ位相共役器２６０へと反射される。

ＳＢＳ位相共役器２６０から逆行してくる、まだＳ偏光であるが、反転した位相誤差を有するビームは、偏光子２０６によって反射鏡２１７へ反射され、そこでビームは経路２４２に沿って望遠鏡２２０を通過して反射鏡２１６へと進行する。ビームは、反射鏡２１６から、１回目のスラブ２５０を通過し、反射鏡２１４、２１５によって反射し、２回目のスラブ２５０を通過して戻ってくる。ビームは、スラブ２５０から進行して、反射鏡２１３に反射し、望遠鏡２２０と反射鏡２１２、２１１を通過して、９０度回転子２０８に戻る。９０度回転子２０８は、偏光を９０度回転させてＰ偏光に戻し、ビームを偏光子２０６に伝送し、リングの３回目の通過を完了するが、今回の通過は最初の２回の通過とは逆方向である。

ビームはＰ偏光を有しているので、偏光子２０６を通過して、４回目のリングの通過、或いは、逆方向の２回目の通過に進行する。この４回目の通過の最後に、９０度回転子は偏光を回転させＳ偏光に戻すと、ビームは偏光子２０６で反射して、リングから分離ポッケルスセル２４０に進む。この時点で、正味の累積位相誤差は本質的にゼロである。分離ポッケルスセル２４０またはファラデー回転子はビームを回転させＰ偏光にし、ビームを高エネルギ出力パルスとして偏光子２０２を通過させることができる。

従って、図７に示す増幅器は、位相共役器に入る前にリングを周回する２つの経路と、位相共役器を出た後の２つの等しく且つ逆の経路を用いることで、ビーム中の高ピーク摂動の可能性を最小化して、回折が減少したことを示す。更に、リングは、ポッケルスセルに代えて受動位相シフタを利用する。追加的に、全ての光学部品は、２つのリレー望遠鏡の使用によって像平面の近くに配置される。増幅器は、また、リングの通過当たり２回のスラブの通過によってより高いゲイン対損失を示す。

図７の単一周波数マスタオシレータ２００は、一貫した単一周波数を良好な振幅と時間的安定性と合わせて提供し、図１〜図５を参照して上記において説明したように構成される。図６は、図７のレーザシステムを用いて生成されたＱスイッチパルスの時間的形状を幾つか重ね合わせて表示するものである。代表的なパルス形状は、１．２ＭＷより大きいパルス高と半値全幅約２４ナノ秒のパルス幅を有する。パルス幅とパルス高は極めて一定である。本レーザは、オペレータの介在無しで、何時間、何日、何週、何ヶ月間の生産稼働中の間、実質的に一定のパルス幅、パルス高を再生する能力を備える。

本発明の緩和発振シードオシレータは、上述のようにＳＢＳ位相共役を採用した高パルスエネルギ固体マスタオシレータ／パワーアンプ・レーザシステムに適している。それはまた、周波数２倍及び３倍レーザ、ラマン周波数変換等の非線形周波数変換を備えたシステム、更に、光学パラメトリックオシレータ用のポンプソース及び光学パラメトリック増幅器として使用できる。オシレータ設計は、工業生産用の生産モード設備等のストレスのある環境に対して、特に良好に適合し、かかる環境下のエネルギソース変化、温度変化、及び、機械振動のある中で、極めて安定した出力が得られる。代表的な商業的用途として、レーザピーニング、レーザピーン加工、レーザピーンマーキング、レーザマシーニング、及び、レーザアニーリングが含まれる。

図８は、本発明を用いた工作物表面をレーザピーニングするための生産システムの簡略図である。生産システムは、図１〜図５を参照して上記において説明したように構成される緩和発振パルスシードマスタオシレータ３００を含む。プリアンプ３０１は、マスタオシレータ３００からの線３０３上の一連のパルスを増幅する。プリアンプ３０１の出力３０４は、図７を参照して説明したパワーアンプ等のパワーアンプ３０２に印加される。高出力パルスが線３０５上に出力される。

工作物操作ロボット３１０が、固定用アーム３１２を用いて工作物３１１を確保する。工作物３１１は、ジェットエンジンのタービンブレードや、レーザピーニング用に表面にターゲット領域を有するその他の金属部品が想定される。動作において、高出力パルスがスポット３０６において工作物３１１に激突し、ロボット３１０が工作物３１１を移動させ、次のパルスが印加される。本レーザシステム３００〜３０２のパルスレートは、１Ｈｚ以上で、例えば、一実施例では、約３Ｈｚである。ロボット３１０は、一連のパルスが工作物３１１の表面のターゲット領域をピーンするのに協働して、工作物３１１を移動させる。

緩和発振シードオシレータ３００によって提供されるシードパルスの安定性は、アンプ３０２の出力まで極めて良好に伝達されていると認められる。従って、シードレーザのパルス幅及びパルス高は、生産作業の間実質的に一定である。工作物がロボット３１０に取り付けられ、ターゲット領域がピーニングされ、工作物が取り外され、新たな工作物が取り付けられるという、実質的に連続的な生産環境内で、複数の工作物をレーザピーニングするのに必要な期間を通して、２乗平均平方根エネルギ安定性の変動が１％以下であると認められる。例えば、パルス当たり１５〜２０ジュールの出力パルスを生成するパワーアンプの場合、生産環境内で１００万パルス超のパルス列に亘るパルス高の変動は１５０ｍＪ未満であると認められる。実質的に一定のシードパルスに応答して、パルス当たり約１０〜１００ジュールの範囲の実質的に一定のパルス当たりエネルギと、生産環境内の相当期間に亘って、ある事例では、少なくとも１００万連続パルスに亘って、約２０〜３０ナノ秒の範囲の実質的に一定のパルス幅を有する一連の高パワー出力パルスがパワーアンプにより提供される。相当期間において、商業的生産の工作物が、本発明を用いてレーザピーニングされ、該生産中に処理された工作物に対する一貫性と信頼性の厳格な基準に適合する。或る商業的生産において、相当期間は少なくとも３日間であり、数週間または数ヶ月間の場合もある。別の商業的生産では、生産作業に対する相当期間は、生産中の一貫性と信頼性の厳格な基準を要求する一組の工作物として関係する複数の工作物をピーニングするのに十分な長さである。

実際、本発明のシステムを、オペレータが介在してマスタオシレータを調整することなく、数週間または数ヶ月間の生産作業に用いて、実質的に一定のパルス高及びパルス幅が期待される。

本発明は、上述の詳細な好適実施例及び具体例を参照して示されたが、これら実施例は、限定的な意味ではなく説明のためのものと理解されるべきである。種々の変更及び組み合わせは当業者において容易に想到するものと考えられ、また、かかる変更及び組み合わせは、本発明の趣旨及び特許請求の範囲内に含まれる。

本発明による単一周波数レーザ共振器の光学回路図 図１のシステムにおいてＱスイッチパルス増大をシードするのに使用される単一周波数緩和発振パルスを示すグラフ 図１のレーザシステムの制御回路の簡単な回路構成図 図１のシステムにおける緩和発振パルス開始の検知を示すグラフ 単一周波数及び多重周波数Ｑスイッチ出力パルス間のパルス波形とその相対的増大時間の比較図 本発明による単一周波数セルフシード操作により提供された高水準の安定性を示す増幅したＱスイッチレーザパルスの測定時間波形を重ね合わせたグラフ 本発明によるマスタオシレータ／パワーアンプの一構成例を示す光学回路図 本発明によるレーザピーニングシステム及びその方法の構成図

Claims (38)

1. 単一周波数を有するレーザ放射の出力パルスを得るためのレーザの操作方法であって、
   前記レーザは、反射率を制御可能な出力カプラを含む光学リングとして構成された共振器、前記共振器内に配置されたゲイン媒体、及び、ポンプソースを備えてなり、
   前記ポンプソースからのエネルギが前記ゲイン媒体に蓄積されている間、前記出力カプラの反射率を制限することにより、発振を抑制する量のキャビティ内損失を、前記共振器内に誘導すること、
   前記共振器内に単一周波数緩和発振パルスが形成されるまで、前記ゲイン媒体内に前記ポンプソースからのエネルギでゲインを増大させること、
   前記ゲイン媒体内に蓄積された増大したゲインが前記共振器から前記単一周波数の出力パルスとして出力されるように、前記緩和発振パルスの検出時に、前記出力カプラの反射率を増大することにより、前記共振器内に誘導された前記キャビティ内損失を減少させること、
   を有するレーザの操作方法。
2. 前記ゲイン媒体が、ネオジムドープされた固体材料を備えてなり、
   前記単一周波数の波長が約１．０５μｍである請求項１に記載のレーザの操作方法。
3. 前記ポンプソースが、光学エネルギソースを備えてなる請求項１に記載のレーザの操作方法。
4. 前記ポンプソースが、フラッシュランプを備えてなる請求項１に記載のレーザの操作方法。
5. 前記ポンプソースが、１またはそれ以上のレーザダイオードを備えてなる請求項１に記載のレーザの操作方法。
6. 前記出力カプラが反射する偏光と伝送する偏光を有する偏光ビームスプリッタを備え、
   前記共振器が、電気的に制御されるポッケルスセルを含み、
   前記出力カプラの反射率の増大が、前記偏光ビームスプリッタの前記反射する偏光の方向に前記共振器内で偏光を回転させる前記ポッケルスセルの制御を備える請求項１に記載のレーザの操作方法。
7. 前記損失の誘導と前記ゲインの増大と前記損失の減少の各工程を繰り返すことにより、実質的に一定なパルス振幅とパルス幅を有する複数の出力パルスを生成することを含む請求項１に記載のレーザの操作方法。
8. 前記出力パルスが、半値全幅３０ナノ秒より短いパルス幅を有する請求項１に記載のレーザの操作方法。
9. 所望のパルス幅を達成するために前記出力カプラの反射率の増大量を制御することを含む請求項１に記載のレーザの操作方法。
10. 前記共振器が、偏光ビームスプリッタを備えてなる出力カプラを含み、
    前記共振器内の偏光を制御することにより、前記出力カプラの反射率を制御することを含む請求項１に記載のレーザの操作方法。
11. 前記出力カプラが、偏光ビームスプリッタを備え、
    前記出力カプラの反射率を制限することによる前記キャビティ内損失の誘導は、前記偏光ビームスプリッタにより伝送される光量を設定するために前記共振器内に偏光回転素子を挿入することを含む請求項１に記載のレーザの操作方法。
12. 前記共振器が、電気的に制御されるポッケルスセルを含み、
    前記出力カプラが、偏光ビームスプリッタを備え、
    前記ポッケルスセルを用いて前記共振器内の偏光を制御することにより前記出力カプラの反射率を制御することを含む請求項１に記載のレーザの操作方法。
13. 前記共振器が、電気的に制御されるポッケルスセルを含み、
    前記ポッケルスセルに印加する電圧パルスを制御することにより、前記反射率を増大するための偏光の回転を行うことを含むことを含む請求項１に記載のレーザの操作方法。
14. 前記緩和発振パルスのピークより前に、該パルスの平均ピークパルスの５％未満で発生する時点で、前記緩和発振パルスの開始を検知することを含む請求項１に記載のレーザの操作方法。
15. 前記緩和発振パルスのピークより前に、該パルスの平均ピークパルスの１％未満で発生する時点で、前記緩和発振パルスの開始を検知することを含む請求項１に記載のレーザの操作方法。
16. 前記出力パルス内が単一横モードとなるように、前記共振器内の開口の位置決めすることを含む請求項１に記載のレーザの操作方法。
17. 単一周波数を有するレーザ放射の出力パルスを得るためのレーザの操作方法であって、
    前記レーザは、反射率を制御可能な出力カプラを含む共振器、前記共振器内に配置されたゲイン媒体、及び、ポンプソースを備えてなり、
    前記ポンプソースからのエネルギが前記ゲイン媒体に蓄積されている間、発振を抑制する量のキャビティ内損失を、前記共振器内に誘導すること、
    前記共振器内に単一周波数緩和発振パルスが形成されるまで、前記ゲイン媒体内に前記ポンプソースからのエネルギでゲインを増大させること、
    前記ゲイン媒体内に蓄積された増大したゲインが前記共振器から前記単一周波数の出力パルスとして出力されるように、前記緩和発振パルスの検出時に、前記共振器内に誘導された前記キャビティ内損失を減少させること、を有し、
    前記共振器が、光学リングを構成する前記出力カプラを含む奇数個のリフレクタを備えてなるレーザの操作方法。
18. 光学ダイオードとして作動する部品により前記光学リング内の一方向の発振を抑制することを含む請求項１に記載のレーザの操作方法。
19. 出力カプラとして構成される反射する偏光と伝送する偏光を有する偏光ビームスプリッタを備え、光学リングとして構成されたレーザ共振器と、
    電気的に制御可能な偏光回転素子を含む前記共振器内のＱスイッチと、
    前記共振器内のゲイン媒体と、
    前記ゲイン媒体に結合し、前記ゲイン媒体をポンプするエネルギソースと、
    前記共振器と結合し、前記共振器内の発振エネルギを検知するディテクタと、
    前記エネルギソース、前記電気的に制御可能な偏光回転素子、及び、前記ディテクタと結合し、緩和発振パルスを生成するために前記電気的に制御可能な偏光回転素子を用いて前記出力カプラの反射率を制限して前記ゲイン媒体内のゲインを増大させるレベルに前記共振器内に損失を誘導する条件を設定し、前記緩和発振パルスの検知に応答して前記偏光ビームスプリッタの前記反射する偏光の方向に前記共振器内で偏光を回転させて前記共振器内の損失を減少させ、単一周波数を有する出力パルスを発生させるコントローラと、
    を備えてなるレーザシステム。
20. 望ましくない波長の反射が前記共振器内に結合して戻らないように調整されたエタロンを前記共振器内に含む請求項１９のレーザシステム。
21. 発振を単一縦キャビティモードに制限するために適合された一連のエタロンを前記共振器内に含む請求項１９のレーザシステム。
22. 前記電気的に制御可能な偏光回転素子が、ポッケルスセルを備えてなる請求項１９のレーザシステム。
23. 前記ゲイン媒体が、ネオジムドープされた固体材料を備えてなり、
    前記単一周波数の波長が約１．０５μｍである請求項１９のレーザシステム。
24. 前記ポンプソースが、光学エネルギソースを備えてなる請求項１９のレーザシステム。
25. 前記ポンプソースが、フラッシュランプを備えてなる請求項１９のレーザシステム。
26. 前記ポンプソースが、レーザダイオードを備えてなる請求項１９のレーザシステム。
27. 前記ディテクタが、前記緩和発振パルスのピークより前に、前記緩和発振パルスの開始を検知する請求項１９のレーザシステム。
28. 前記ディテクタが、前記緩和発振パルスの開始を検知し、
    前記コントローラが、前記検知された開始に応答して、前記電気的に制御可能な偏光回転素子に制御信号を印加する請求項１９のレーザシステム。
29. 前記共振器内に、光学ダイオードとして作動する光学部品を含む請求項１９のレーザシステム。
30. 反射率を制御可能な出力カプラを備えるレーザ共振器と、
    前記共振器内のＱスイッチと、
    前記共振器内のゲイン媒体と、
    前記ゲイン媒体に結合し、前記ゲイン媒体をポンプするエネルギソースと、
    前記共振器と結合し、前記共振器内の発振エネルギを検知するディテクタと、
    前記エネルギソース、前記Ｑスイッチ、及び、前記ディテクタと結合し、緩和発振パルスを生成するために前記ゲイン媒体内のゲインを増大させるレベルに前記共振器内に損失を誘導する条件を設定し、前記緩和発振パルスの検知に応答して前記Ｑスイッチを用いて共振器損失を減少させ、単一周波数を有する出力パルスを発生させるコントローラと、
    を備えてなり、
    前記共振器が、前記出力カプラを含む奇数個のリフレクタを有する光学リングとして構成されているレーザシステム。
31. 前記共振器が、反射角の設定量が可変の平面リフレクタを含み、
    前記光学リングの長さの調整が、前記平面リフレクタの前記反射角の調整により可能である請求項３０のレーザシステム。
32. 前記レーザ共振器内に、横モード制限用開口を含む請求項１９のレーザシステム。
33. 前記出力カプラが、偏光ビームスプリッタを備えてなり、
    前記共振器内に、ゲインの増大中に前記偏光ビームスプリッタにより伝送される光量を設定するための静的な偏光回転素子を含む請求項１９のレーザシステム。
34. 前記コントローラが、パルス幅を確立するために前記電気的に制御可能な偏光回転素子を用いて前記緩和発振パルスの生成期間中の偏光を設定する請求項１９のレーザシステム。
35. 前記電気的に制御可能な偏光回転素子が、ポッケルスセルを備えてなり、
    前記コントローラが、前記共振器内の損失を減少させるときに、パルス幅を確立するために前記偏光ビームスプリッタの反射率の量を確立する調整可能な電圧を、前記ポッケルスセルに印加する請求項１９のレーザシステム。
36. 前記出力カプラが、偏光ビームスプリッタを備えてなり、
    前記共振器内に、ゲインの増大中に前記偏光ビームスプリッタにより伝送される光量を設定するための静的な偏光回転素子を含む請求項３０のレーザシステム。
37. 静的な偏光子と、出力カプラとして調整された反射する偏光と伝送する偏光を有する偏光ビームスプリッタを含む奇数個のリフレクタを備えて光学リングとして構成されたレーザ共振器と、
    前記共振器内の光学ダイオードと、
    前記共振器内の１またはそれ以上のエタロンと、
    前記共振器内のポッケルスセルと、
    前記共振器内のゲイン媒体と、
    前記ゲイン媒体に結合し、前記ゲイン媒体をポンプするエネルギソースと、
    前記共振器と結合し、前記共振器内の発振エネルギを検知するディテクタと、
    前記エネルギソース、前記ポッケルスセル、及び、前記ディテクタと結合し、緩和発振パルスを生成するために前記ゲイン媒体内のゲインを増大させるレベルに前記共振器内に損失を誘導する条件、及び、単一周波数を有する出力パルスが発生するように前記緩和発振パルスの検知に応答して前記ポッケルスセルを用いて前記偏光ビームスプリッタの前記反射する偏光の方向に前記共振器内で偏光を目標偏光に回転させて前記共振器内の損失を減少させる条件を設定し、更に、前記出力パルスが発生するためのパルス幅を設定するために、前記共振器内の偏光を前記目標偏光に調整するための調整可能な電圧を前記ポッケルスセルに印加するコントローラと、
    を備えてなるレーザシステム。
38. 単一波長を有するレーザ放射の出力パルスを得るためのレーザの操作方法であって、
    前記レーザは、光学リングとして構成された共振器、前記共振器内に配置されたゲイン媒体、及び、ポンプソースを備えてなり、
    光学ダイオードとして作動する部品により前記リング内の一方向の発振を抑制すること、
    前記単一波長以外の波長での前記リング内の発振を抑制すること、
    出力カプラとして偏光ビームスプリッタを使用すること、
    前記ポンプソースからのエネルギが前記ゲイン媒体に蓄積されている間、発振を抑制する量のキャビティ内損失を、前記共振器内に誘導するために、前記共振器内の偏光を設定すること、
    前記共振器内に単一周波数緩和発振パルスが形成されるまで、前記ゲイン媒体内に前記ポンプソースからのエネルギでゲインを増大させること、
    前記ゲイン媒体内に蓄積された増大したゲインが前記共振器から、変化した偏光によって規定されるパルス幅の単一周波数の出力パルスとして出力されるように、前記緩和発振パルスの検出時に、前記共振器内に誘導された前記キャビティ内損失を減少させ、前記偏光ビームスプリッタの反射率を設定するために、前記共振器内の偏光を変化させること、
    を有するレーザの操作方法。
    

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