JP4042387B2

JP4042387B2 - Cleaning method, electro-optical device manufacturing method, electro-optical device, electronic apparatus, and cleaning device

Info

Publication number: JP4042387B2
Application number: JP2001342454A
Authority: JP
Inventors: 昭塚原
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-11-07
Filing date: 2001-11-07
Publication date: 2008-02-06
Anticipated expiration: 2021-11-07
Also published as: JP2003145066A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、洗浄方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器、および洗浄装置に関するものである。さらに詳しくは、洗浄に用いた水に対する処理負荷を軽減するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、液晶装置などの電気光学装置が広く用いられている。この液晶装置を製造するにあたっては、例えば、ガラス基板などといった一対の大型基板の各々に半導体プロセスを利用して電極パターンなどを形成した後、当該一対の大型基板を貼り合せて空の大型パネル構造体とする。次に、この大型パネル構造体を短冊状のパネル構造体に切断して注入口を開口させ、この注入口から液晶を注入した後、注入口を封止する。次に、短冊状のパネル構造体を単品の液晶装置サイズに切断する。
【０００３】
ここで、基板にガラス粉や液晶などの異物が付着していると、液晶装置の品質や信頼性が低下してしまう。そこで、液晶装置の製造工程では、所定のタイミングで洗浄が行われている。
【０００４】
このような洗浄を行うにあたって、従来は、図１２に示す洗浄装置が用いられている。ここに示す洗浄装置は、液晶装置を製造する際の仕掛途中品をワークとして洗浄するための洗浄液が貯留された洗浄槽５１５と、ワークを粗濯ぎするための水が貯留された粗濯ぎ槽５６０と、ワークを仕上げ濯ぎするための水が貯留された３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０とを有しており、洗浄槽５１５においてワークを超音波洗浄した後、粗濯ぎ槽５６０で粗濯ぎを行い、しかる後に、仕上げ濯ぎを行う。この仕上げ濯ぎでは、前段の仕上げ濯ぎ槽５７０で超音波洗浄が行われた後、中段および後段の仕上げ濯ぎ槽５８０、５９０では浸漬洗浄が行われる。
【０００５】
ここで、洗浄槽５１５では、洗浄液がフィルタ装置（図示せず）で汚染度合いが所定のレベル以下に維持されている。粗濯ぎ槽５６０の水は、洗浄液で汚れているので、使用済みの洗浄液とともに産業廃棄物として処理されている。また、仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０では、後段から前段へ水がオーバーフローにより供給され、前段の仕上げ濯ぎ槽５７０で使用された水は、排水処理施設に送られた後、一般排水として処理される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の洗浄装置において、粗濯ぎを行ったワークを仕上げ濯ぎ槽５７０に移す際、ワークには粗濯ぎに用いた水が大量に付着しており、この水は洗浄液でかなり汚染されている。このため、従来の洗浄装置では、仕上げ濯ぎ槽５７０に洗浄液が大量に持ち込まれるので、排水処理施設での負荷が大きいという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、排水処理施設での負荷を軽減することのできる洗浄方法、および洗浄装置を提供することにある。また、本発明の課題は、このような洗浄方法および洗浄装置を用いた電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の第１の形態では、ワークを洗浄液で洗浄する洗浄工程と、ワークを粗濯ぎ槽内の水中に浸漬する粗濯ぎ工程と、次にワークを仕上げ濯ぎ槽内の水中に浸漬する仕上げ濯ぎ工程とを有する洗浄方法において、前記粗濯ぎ工程を行った後、前記仕上げ濯ぎ工程を行う前にワークに水を吹き付けるシャワー濯ぎ工程を行うことを特徴とする。
【０００９】
このような洗浄方法を実施するにあたって、本発明の第１の形態では、ワークを洗浄するための洗浄液が貯留された洗浄槽と、ワークを粗濯ぎするための水が貯留された粗濯ぎ槽と、ワークを仕上げ濯ぎするための水が貯留された仕上げ濯ぎ槽とを有する洗浄装置において、前記粗濯ぎ槽から出されたワークを前記仕上げ濯ぎ槽に移す前にワークに水を吹き付けてシャワー濯ぎを行うシャワー装置を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明では、粗濯ぎを行ったワークを仕上げ濯ぎ槽に移す際、シャワー濯ぎを行うので、ワークは、粗濯ぎに用いた水がシャワー濯ぎで洗い落とされてから仕上げ濯ぎ槽に移される。このため、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽に持ち込まれないので、仕上げ濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。従って、仕上げ濯ぎに用いた水は所定のＢＯＤ、ＣＯＤ排水基準以下なのでそのまま排出できる。また、排水処理施設で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設で対応することができる。
【００１１】
本発明において、前記シャワー濯ぎ工程で用いた水を前記粗濯ぎ槽で受けることが好ましい。このように構成すると、洗浄装置の構成を簡略化できるとともに、水の使用量を削減できる。また、シャワー濯ぎで用いた水は、少なくとも粗濯ぎ槽で用いる水よりも洗浄液の濃度が低いので、シャワー濯ぎで用いた水を粗濯ぎ槽で用いても支障がない。
【００１２】
本発明において、前記粗濯ぎ槽内の水については汚れを監視しながら粗濯ぎ液予備槽との間で循環して用いるとともに、汚染が所定レベルに達したときには産業廃棄物として処理することが好ましい。すなわち、本発明に係る洗浄装置には、前記粗濯ぎ槽との間で水が循環する粗濯ぎ液予備槽と、該粗濯ぎ液予備槽内の水の汚染度合いを監視する監視装置と、汚染が所定レベルに達したときに前記粗濯ぎ液予備槽内の水を産業廃棄物として処理するための排水経路とを設けることが好ましい。シャワー濯ぎで用いた水、および粗濯ぎ槽で用いた水は、いずれも洗浄液の濃度が高いので、排水処理施設で処理すると負荷が著しく高くなる。従って、シャワー濯ぎで用いた水、および粗濯ぎ槽で用いた水は、産業廃棄物として処理した方が処理コストが低く済む。
【００１３】
また、本発明の第２の形態では、ワークを洗浄液で洗浄する洗浄工程と、ワークを粗濯ぎ槽内の水中に浸漬する粗濯ぎ工程と、次にワークを仕上げ濯ぎ槽内の水中に浸漬する仕上げ濯ぎ工程とを有する洗浄方法において、前記洗浄工程を行った後、前記粗濯ぎ工程を行う前にワークに水を吹き付けるシャワー濯ぎ工程を行うことを特徴とする。
【００１４】
このような洗浄方法を実施するにあたって、本発明の第２の形態では、ワークを洗浄するための洗浄液が貯留された洗浄槽と、ワークを粗濯ぎするための水が貯留された粗濯ぎ槽と、ワークを仕上げ濯ぎするための水が貯留された仕上げ濯ぎ槽とを有する洗浄装置において、前記洗浄槽から出されたワークを前記粗濯ぎ槽に移す前にワークに水を吹き付けてシャワー濯ぎを行うシャワー装置を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明では、洗浄を行ったワークを粗濯ぎ槽に移す際、シャワー濯ぎを行うので、ワークは、洗浄液シャワー濯ぎで洗い落とされてから粗濯ぎ槽に移される。このため、洗浄液が粗濯ぎ槽に大量に持ち込まれないので、粗濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。従って、粗濯ぎを行ったワークを仕上げ濯ぎ槽に移す際、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽に持ち込まれたとしても、仕上げ濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。それ故、仕上げ濯ぎに用いた水は所定のＢＯＤ、ＣＯＤ排水基準以下なのでそのまま排出できる。また、仕上げ濯ぎに用いた水を排水処理施設で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設で対応することができる。
【００１６】
この場合、前記シャワー濯ぎ工程で用いた水と、前記粗濯ぎ工程で用いた水とを別系統で扱うことが好ましい。すなわち、前記シャワー装置がワークに吹き付けた水を産業廃棄物として処理するための第１の排水経路を設けることが好ましい。シャワー濯ぎで用いた水は、粗濯ぎ槽で用いる水と比較して洗浄液の濃度が高いので、シャワー濯ぎで用いた水については、そのまま産業廃棄物として処理することが好ましい。
【００１７】
本発明の第２の形態では、前記シャワー濯ぎ工程で用いた水についてはそのまま産業廃棄物とする一方、前記粗濯ぎ槽内の水については汚れを監視しながら粗濯ぎ液予備槽との間で循環して用い、汚染が所定レベルに達したときには産業廃棄物とすることが好ましい。すなわち、前記粗濯ぎ槽との間で水が循環する粗濯ぎ液予備槽と、該粗濯ぎ液予備槽内の水の汚染度合いを監視する定量値測定できる糖度計、ＰＨ測定機、比抵抗計の監視装置と、汚染が所定レベルに達したときに前記粗濯ぎ液予備槽の水を産業廃棄物として処理するための第２の排水経路とを有することが好ましい。粗濯ぎで用いた水は、シャワー濯ぎで用いた水よりも洗浄液の濃度は低いが、それでも仕上げ濯ぎで用いた水よりも洗浄液の濃度が高いので、排水処理施設で処理すると負荷が著しく高くなる。従って、シャワー濯ぎで用いた水、および粗濯ぎ槽で用いた水は、産業廃棄物として処理した方が処理コストが低く済む。
【００１８】
本発明の第１の形態、および第２の形態のいずれにおいても、前記仕上げ濯ぎ工程で用いた水については排水処理施設で処理した後、排水することが好ましい。すなわち、本発明では、前記仕上げ濯ぎ槽で用いた水を排水処理施設に送る第３の排水経路を有することが好ましい。本発明によれば、仕上げ濯ぎに用いた水は、洗浄液の濃度が低い。従って、仕上げ濯ぎに用いた水は所定のＢＯＤ、ＣＯＤ排水基準以下なのでそのまま排出できる。また、排水処理施設で処理するとしても負荷が低いので、小規模の排水処理施設で対応することができる。
【００１９】
本発明に係る洗浄方法は、例えば、基板によって電気光学物質が保持される電気光学装置を製造する際の仕掛途中品を前記ワークとして洗浄する工程で行われる。ここで、前記電気光学物質は、例えば、液晶である。このような電気光学装置は、例えば、携帯電話機、モバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置のうち、パッシブマトリクス方式の液晶装置の製造工程に本発明を適用した例に説明する。
【００２１】
［実施の形態１］
（電気光学装置の構成）
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置としての液晶装置の斜視図、および分解斜視図である。図３は、本発明を適用した液晶装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ′側の端部の断面図である。なお、図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の液晶装置では、より多数の電極パターンや端子が形成されている。
【００２２】
図１および図２において、本形態の液晶装置１は、携帯電話などの電子機器に搭載されているパッシブマトリクスタイプの液晶表示装置である。この液晶装置１に用いたパネル１′において、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形の無アルカリガラス、耐熱ガラス、石英ガラスなどのガラス基板からなる一対の基板１０、２０間には、シール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内に電気光学物質としての液晶３６が封入されている。
【００２３】
ここで、シール材３０は、基板間に液晶３６を注入するための注入口３２として一部が途切れているが、この注入口３２は、基板間に液晶３６を注入した後、塗布、硬化された封止材３１で塞がれている。
【００２４】
ここに示す液晶装置１は透過型の例であり、第２の基板２０の外側表面に偏光板６１が貼られ、第１の基板１０の外側表面にも偏光板６２が貼られている。また、第２の基板２０の外側にはバックライト装置９が配置されている。
【００２５】
第１の基板１０には、図３に示すように、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に絶縁性の平坦化膜１３、第１の電極パターン４０および配向膜１２がこの順に形成されている。また、各カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの境界部分には、各カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの下層側に遮光膜１６が形成されている。これに対して、第２の基板２０には、第２の電極パターン５０、オーバーコート膜２９、および配向膜２２がこの順に形成されている。
【００２６】
本形態の液晶装置１において、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれも、ＩＴＯ膜（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）に代表される透明導電膜によって形成されている。なお、第２の電極パターン５０の下に絶縁膜を介してパターニングされたアルミニウム等の膜を薄く形成すれば、半透過・半反射型の液晶装置を構成できる。さらに、偏向板６１に半透過反射板をラミネートすることでも半透過・半反射型の液晶装置１を構成できる。さらにまた、第２の電極パターン５０の下に反射性の膜を配置すれば、反射型の液晶装置を構成でき、この場合には、第２の基板２０の裏面側からバックライト装置９を省略すればよい。
【００２７】
（電極パターンおよび端子の構成）
再び図１および図２において、本形態の液晶装置１では、外部からの信号入力および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の基板１０および第２の基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近に形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。従って、第２の基板２０としては、第１の基板１０よりも大きな基板が用いられ、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板１０の基板辺１０１から第２の基板２０が張り出す部分２５を利用して、駆動用ＩＣ７００をＣＯＦ実装したフレキシブル基板９０の接続などが行われる。
【００２８】
第１の基板１０において、第１の端子形成領域１１は第１の基板１０の基板辺１０１の中央部分に沿って形成され、この第１の端子形成領域１１では、基板辺１０１に沿って複数の第１の基板間導通用端子６０が所定の間隔をもって並んでいる。また、第１の基板１０では、第１の基板間導通用端子６０から対向する基板辺１０２に向かって複数列の液晶駆動用の第１の電極パターン４０が両側に斜めに延びた後、液晶封入領域３５内で基板辺１０１、１０２に直交する方向に延びている。
【００２９】
第２の基板２０において、第２の端子形成領域２１も基板辺２０１に沿って形成され、第２の端子形成領域２１には、その中央領域で基板辺２０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第１の外部入力用端子８１、およびこれらの第１の外部入力用端子８１が形成されている領域の両側２箇所で基板辺２０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第２の外部入力用端子８２が形成されている。ここで、第１の外部入力用端子８１からは、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板間導通用端子６０と重なる複数の第２の基板間導通用端子７０が基板辺２０２に向かって直線的に延びている。これに対して、第２の外部入力用端子８２からは、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の電極パターン４０の形成領域の両側に相当する領域を回り込むように複数列の液晶駆動用の第２の電極パターン５０が形成され、これらの第２の電極パターン５０は、液晶封入領域３５内において第１の電極パターン４０と交差するように延びている。
【００３０】
従って、第１の基板１０と第２の基板２０とをシール材３０を介して貼り合わせる際に、シール材３０にギャップ材および導通材を配合しておくとともに、シール材３０を第１の基板間導通用端子６０および第２の基板間導通用端子７０が重なる領域にも形成しておくと、導電材は、第１の基板１０と第２の基板２０との間で押し潰された状態で第１の基板間導通用端子６０と第２の基板間導通用端子７０とを導通させる。また、この状態で、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交差部分によって画素がマトリクス状に形成されるため、第２の基板２０の第２の端子形成領域２１の基板辺２０１側の端部に対してフレキシブル基板９０を異方性導電材などを用いて実装した後、このフレキシブル基板９０を介して第２の基板２０の第１の外部入力用端子８１および第２の外部入力用端子８２に信号入力すると、第２の基板２０に形成されている第２の電極パターン５０には第２の外部入力用端子８２を介して走査信号を直接、印加することができ、かつ、第１の基板１０に形成されている第１の電極パターン４０には、第１の外部入力用端子８１、第２の基板間導通用端子７０、導通材および第１の基板間導通用端子６０を介して画像データを信号入力することができる。よって、これらの画像データおよび走査信号によって、各画素５において第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との間に位置する液晶の配向状態を制御することができるので、所定の画像を表示することができる。
【００３１】
（液晶装置１の製造方法）
図４、および図５（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、液晶装置１の製造方法を示す工程図、およびこれらの各工程への仕掛途中品の様子を示す説明図である。
【００３２】
図４、および図５（Ａ）、（Ｂ）において、本形態の液晶装置１を製造するにあたって、第１の基板１０および第２の基板２０はいずれも、これらの基板１０、２０を各々、多数枚取りできる大型基板１００、２００の状態で、半導体プロセスを利用して電極パターン４０、５０などの形成工程が行われる。すなわち、第１の基板１０を多数枚取りできる大型基板１００の状態で、遮光膜１６の形成工程ＳＴ１１、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの形成工程ＳＴ２、平坦化膜１３の形成工程ＳＴ１３、電極パターン４０の形成工程ＳＴ１４、配向膜１２の形成・ラビング工程、シール材３０の塗布工程が行われる。
【００３３】
また、第２の基板２０を多数枚取りできる大型基板２００の状態で、電極パターン５０の形成工程ＳＴ２１、オーバコート膜２９の形成工程ＳＴ２２、配向膜２２の形成・ラビング工程ＳＴ２３、ギャップ材の散布工程ＳＴ２４が行われる。
【００３４】
そして、貼合せ工程ＳＴ３１において、図５（Ｃ）に示すように、大型基板１００、２００同士を貼り合せて、大型のパネル構造体３００を形成した後、１次ブレイク工程ＳＴ３２において、大型のパネル構造体３００を、図５（Ｄ）に示す短冊状のパネル構造体４００に切断して注入口３１を開口させる。次に、液晶封入・封止工程ＳＴ３３において、短冊状のパネル構造体４００の内部に液晶３６を注入した後、注入口３１を封止材３２で封止し、次に、１次ブレイク工程ＳＴ３４において、短冊状のパネル構造体４００を、図１に示すように、単品のパネル１′に切断し、しかる後、実装工程ＳＴ３５で、単品のパネル１′に対してフレキシブル基板９０を実装する。
【００３５】
（洗浄方法および洗浄装置
このような製造方法において、パネル１′にガラス粉や液晶などの異物が付着していると、液晶装置１の品質や信頼性が低下してしまう。そこで、液晶装置１の製造工程では、例えば、図４に示す１次ブレイク工程ＳＴ３２の後、液晶封入・封止工程ＳＴ３３の後、２次ブレイク工程ＳＴ３４の後など、所定のタイミングで洗浄工程が行われる。このような洗浄工程を、図６および図７を参照して説明する。
【００３６】
図６は、本発明が適用された洗浄方法および洗浄装置で用いられるカセットおよび洗浄かごの説明図である。図７は、本発明の実施の形態１に係る洗浄装置の構成図である。
【００３７】
本形態では、例えば、図６に示すように、パネル１′などのワークＷをカセット６８０に収容し、この状態で、複数のカセット６８０を洗浄かご６８５に搭載して、図７に示す洗浄装置５１０で洗浄を行う。
【００３８】
図７において、洗浄装置５０１は、液晶装置１を製造する際の仕掛途中品をワークＷとして洗浄するための洗浄液が貯留された３つの洗浄槽５１０、５２０、５３０と、ワークＷを粗濯ぎするための水が貯留された１つの粗濯ぎ槽５６０と、ワークＷを仕上げ濯ぎするための水が貯留された３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０とを有している。本形態において、洗浄液は、水で濯ぐことができるものならその種類を問わないが、本形態では、ポリオキシアルキレンアルキル（フェニル）エーテルなどの非イオン系界面活性剤と、ジオクチルスルホコハク酸塩などのイオン系界面活性剤とをそのまま、あるは、水やアルコールに溶解したものが用いられている。
【００３９】
３つの洗浄槽５１０、５２０、５３０のうち、前段の洗浄槽５１０は、予備洗浄用であり、この洗浄槽５１０において、ワークＷは、複数回、浸漬、引き上げが繰り返された後、中段の洗浄槽５２０で超音波洗浄され、しかる後、後段の洗浄槽５３０で再度、超音波洗浄される。
【００４０】
ここで、前段の洗浄槽５１０は、排水経路５１１を介して産業廃棄水ユニット６１０に接続されている。また、中段の洗浄槽５２０、および後段の洗浄槽５３０のいずれに対しても、予備槽５２２、５３２が形成され、中段の洗浄槽５２０、および後段の洗浄槽５３０の洗浄液は、給排水経路および循環ポンプなどを備えた循環系５２１、５３１によって、予備槽５２２、５３２との間で濾過処理されながら循環し、洗浄に用いられる。また、２つの予備槽５２２、５３２は、いずれも排水経路５２３、５３３を介して産業廃水ユニット６１０に接続されている。このため、前段の洗浄槽５１０、および予備槽５２２、５３２から排出された使用済みの洗浄液は、産業廃棄ユニット６１０で一時貯留された後、産業廃棄物として処理される。
【００４１】
粗濯ぎ槽５６０に対しては予備槽５６２（粗濯ぎ液予備槽）が形成され、粗濯ぎ槽５６０の水は、給排水経路および循環ポンプなどを備えた循環系５６１によって、予備槽５６２との間で濾過されながら循環し、粗濯ぎに用いられる。この予備槽５６２は、排水経路５６３を介して産業廃水ユニット６１０に接続されている。なお、予備槽５６２は、排水経路５６４を介して排水処理施設６２０にも接続されているが、この排水経路５６４は、例えば、粗濯ぎ槽５６０や予備槽５６２を洗浄した時の排水を排水処理施設６２０に送るもので洗浄時には使用されない。
【００４２】
さらに、粗濯ぎ槽５６０に対する予備槽５６２には、ここに貯留されている水の汚れを監視する比抵抗計や糖度計などの監視装置５６５が配置され、汚染が所定レベルに達したときには、予備槽５６２内の水は、排水経路５６３を介して産業廃棄ユニット６１０に自動的に送られる。
【００４３】
３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０のうち、前段および中段の仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０では、ワークＷに対して純水による超音波洗浄が行われ、後段の仕上げ濯ぎ槽５９０では、純水による浸漬洗浄が行われる。
【００４４】
中段の仕上げ濯ぎ槽５８０、および後段の仕上げ濯ぎ槽５９０のいずれに対しても予備槽５８２、５９２が形成され、中段の仕上げ濯ぎ槽５８０、および後段の仕上げ濯ぎ槽５９０の水は、給排水経路および循環ポンプなどを備えた循環系５８１、５９１によって、予備槽５８２、５９２との間で濾過されながら循環し、仕上げ濯ぎに用いられる。また、中段の仕上げ濯ぎ槽５８０、および後段の仕上げ濯ぎ槽５９０に対する予備槽５８２、５９２には、純水供給経路５９５から純水が供給され、ここから中段の仕上げ濯ぎ槽５８０、および後段の仕上げ濯ぎ槽５９０に水が供給される。また、予備槽５８２から前段の仕上げ濯ぎ槽５７０にも水が供給される。
【００４５】
前段の仕上げ濯ぎ槽５７０は、排水経路５７１を介して排水処理施設６２０に接続され、前段の仕上げ濯ぎ槽５７０から排出された水は、排水処理施設６２０でＢＯＤやＣＯＤなどが所定のレベル以下になるまで処理された後、一般排水として排出される。
【００４６】
このように構成した洗浄装置５０１では、３つの洗浄槽５１０、５２０、５３０でワークＷを洗浄した後（洗浄工程）、ワークＷを粗濯ぎ槽５６０内に浸漬して粗濯ぎを行い（粗濯ぎ工程）、次にワークＷを３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０内に順次、浸漬した後（仕上げ濯ぎ工程）、乾燥工程が行われる。従って、ガラス粉や液晶などの異物が付着していないパネル１′で液晶装置１を製造できるので、液晶装置１の品質や信頼性が高い。但し、このままでは、粗濯ぎ槽５６０から、汚染された水が前段の仕上げ濯ぎ槽５７０に大量に持ち込まれてしまう。
【００４７】
そこで、本形態では、粗濯ぎ槽５６０の上方位置には、粗濯ぎ槽５６０から出されたワークＷを仕上げ濯ぎ槽５７０に移す前にワークＷに純水を吹き付けてシャワー濯ぎ工程を行うためのシャワー装置５４０が配置されている。ここで、仕上げ濯ぎ槽５６０の上方位置は、周りがカバー５４１で囲まれているので、シャワー濯ぎを行った水は周囲に飛び散らない。また、シャワー濯ぎに用いた水は、そのまま、粗濯ぎ槽５６０で受けられる。なお、シャワー装置５４０には、純水供給経路５４５を介して純水が供給される。この純水供給経路５４５は、途中で前段の仕上げ濯ぎ槽５７０に純水を供給する経路５７５に分岐している。
【００４８】
このように構成した洗浄装置５０１では、粗濯ぎ槽５６０で粗濯ぎを行ったワークＷを仕上げ濯ぎ槽５７０に移す際、シャワー装置５４０によってシャワー濯ぎを行う。従って、ワークＷは、粗濯ぎに用いた水がシャワー濯ぎで洗い落とされてから仕上げ濯ぎ槽５７０に移されることになる。このため、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽５７０に持ち込まれないので、仕上げ濯ぎ槽５７０では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。例えば、シャワー濯ぎを行わない場合と比較して、排水処理施設６２０に送られる水の洗浄液の濃度を１／１０にまで低下することができる。それ故、仕上げ濯ぎに用いた水を排水処理施設６２０で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設６２０の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設６２０で対応することができる。
【００４９】
また、シャワー濯ぎ工程で用いた水を粗濯ぎ槽５６０で受けるため、洗浄装置５０１の構成を簡略化できるとともに、水の使用量を削減できる。この際、シャワー濯ぎで用いた水は、少なくとも粗濯ぎ槽５６０で用いる水よりも洗浄液の濃度が低いので、シャワー濯ぎで用いた水を粗濯ぎ槽５６０で受けても支障がない。
【００５０】
さらに、シャワー濯ぎで用いた水、および粗濯ぎ槽５６０で用いた水は、いずれも洗浄液の濃度が高いので、排水処理施設６２０で処理すると負荷が著しく高くなるが、本形態では、シャワー濯ぎで用いた水、および粗濯ぎ槽５６０で用いた水は、産業廃棄物として処理するので、処理コストが低く済む。
【００５１】
［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る洗浄装置の構成図である。
【００５２】
図８に示すように、本形態の洗浄装置５０２も、実施の形態１と同様、液晶装置１を製造する際の仕掛途中品をワークＷとして洗浄するための洗浄液が貯留された３つの洗浄槽５１０、５２０、５３０と、ワークＷを粗濯ぎするための水が貯留された１つの粗濯ぎ槽５６０と、ワークＷを仕上げ濯ぎするための水が貯留された３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０とを有している。本形態において、洗浄液は、水で濯ぐことができるものならその種類を問わないが、本形態では、ポリオキシアルキレンアルキル（フェニル）エーテルなどの非イオン系界面活性剤と、ジオクチルスルホコハク酸塩などのイオン系界面活性剤とをそのまま、あるいは、水やアルコールに溶解したものが用いられている。
【００５３】
粗濯ぎ槽５６０に対しては予備槽５６２が形成され、粗濯ぎ槽５６０の水は、給排水経路および循環ポンプなどを備えた循環系５６１によって、予備槽５６２（粗濯ぎ液予備槽）との間で濾過されながら循環し、粗濯ぎに用いられる。この予備槽５６２は、排水経路５６３を介して産業廃水ユニット６１０に接続されている。
【００５４】
粗濯ぎ槽５６０に対する予備槽５６２には、ここに貯留されている水の汚れを監視する比抵抗計や糖度計などの監視装置５６５が配置され、汚染が所定レベルに達したときには、予備槽５６２内の水は、排水経路５６３を介して産業廃棄ユニット６１０に自動的に送られる。
【００５５】
また、前段の仕上げ濯ぎ槽５７０は、排水経路５７１を介して排水処理施設６２０に接続され、前段の仕上げ濯ぎ槽５７０から排出された水は、排水処理施設６２０でＢＯＤやＣＯＤなどが所定のレベル以下になるまで処理された後、一般排水として排出される。
【００５６】
本形態の洗浄装置５０２でも、３つの洗浄槽５１０、５２０、５３０でワークＷを洗浄した後（洗浄工程）、ワークＷを粗濯ぎ槽５６０内に浸漬して粗濯ぎを行い（粗濯ぎ工程）、次にワークＷを３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０内に順次、浸漬した後（仕上げ濯ぎ工程）、乾燥工程が行われる。但し、このままでは、粗濯ぎ槽５６０から、汚染された水が前段の仕上げ濯ぎ槽５７０に大量に持ち込まれてしまう。
【００５７】
そこで、本形態では、粗濯ぎ槽５６０の近傍には、洗浄槽５３０から出されたワークＷを粗濯ぎ槽５６０に移す前にワークＷに純水を吹き付けてシャワー濯ぎ工程を行うためのシャワー装置５５０が配置されている。シャワー濯ぎを行うエリアの周りはカバー５５１で囲まれ、かつ、シャワー濯ぎに用いた水は、そのまま、受け槽５５２で受けられる。この受け槽５５２は、排水経路５５３を介して産業廃棄ユニット６１０に接続されている。
【００５８】
その他の構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの説明を省略する。
【００５９】
このように構成した洗浄装置５０２では、洗浄を行ったワークＷを粗濯ぎ槽５６０に移す際、シャワー濯ぎを行うので、ワークＷは、シャワー濯ぎで洗い落とされてから粗濯ぎ槽５６０に移される。このため、洗浄液が粗濯ぎ槽５６０に大量に持ち込まれないので、粗濯ぎ槽５６０では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。従って、粗濯ぎを行ったワークＷを仕上げ濯ぎ槽５７０に移す際、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽５７０に持ち込まれたとしても、仕上げ濯ぎ槽５７０では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。例えば、シャワー濯ぎを行わない場合と比較して、排水処理施設６２０に送られる水の洗浄液の濃度を１／１０にまで低下することができる。それ故、仕上げ濯ぎに用いた水を排水処理施設６２０で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設６２０の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設６２０で対応することができる。
【００６０】
また、本形態では、シャワー濯ぎで用いた水と、粗濯ぎで用いた水とを別系統で扱っている。すなわち、シャワー濯ぎで用いた水は、粗濯ぎ槽５６０で用いる水と比較して洗浄液の濃度が高いので、排水経路５５３を介して直接、産業廃棄水ユニット６１０に送るので、シャワー濯ぎで用いた水が粗濯ぎ槽５６０で用いる水を汚染することがない。
【００６１】
さらに、粗濯ぎで用いた水は、シャワー濯ぎで用いた水よりも洗浄液の濃度は低いが、仕上げ濯ぎで用いた水よりも洗浄液の濃度が高いので、排水処理施設６２０で処理すると負荷が著しく高くなる。しかるに本形態では、粗濯ぎ槽５６０で用いた水も、排水経路５６３を介して産業廃棄水ユニット６１０に送るので、処理コストが低く済む。
【００６２】
［その他の実施の形態］
上記の実施形態では、パッシブマトリクス型の液晶装置１の製造に本発明を適用した例を説明したが、能動素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置、あるいは能動素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置等々、各種の電気光学装置の製造に本発明を適用してもよい。また、電気光学装置の製造に限らず、各種の製造現場において各種ワークの洗浄に本発明を適用してもよい。
【００６３】
［電子機器の実施形態］
図９は、本発明に係る電気光学装置（液晶装置１）を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および駆動回路７６を有する。液晶装置７４および液晶パネル７５としては、前述した液晶装置１、および単品のパネル１′を用いることができる。
【００６４】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００６５】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００６６】
図１０は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８６を備えた本体部８７と、液晶表示ユニット８８とを有する。液晶表示ユニット８８は、前述した液晶装置１を含んで構成される。
【００６７】
図１１は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と液晶装置１を有している。
【００６８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、粗濯ぎを行ったワークを仕上げ濯ぎ槽に移す際、シャワー濯ぎを行うので、ワークは、粗濯ぎに用いた水がシャワー濯ぎで洗い落とされてから仕上げ濯ぎ槽に移される。このため、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽に持ち込まれないので、仕上げ濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。従って、仕上げ濯ぎに用いた水は所定のＢＯＤ、ＣＯＤ排水基準以下なので一般排水として排出できる。また、排水処理施設で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設で対応することができる。
【００６９】
また、本発明の別の形態では、洗浄を行ったワークを粗濯ぎ槽に移す際、シャワー濯ぎを行うので、ワークは、洗浄液シャワー濯ぎで洗い落とされてから粗濯ぎ槽に移される。このため、洗浄液が粗濯ぎ槽に大量に持ち込まれないので、粗濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。従って、粗濯ぎを行ったワークを仕上げ濯ぎ槽に移す際、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽に持ち込まれたとしても、仕上げ濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。それ故、仕上げ濯ぎに用いた水は所定のＢＯＤ、ＣＯＤ排水基準以下なので一般排水として排出できる。また、排水処理施設で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設で対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される液晶装置の斜視図である。
【図２】図１に示す液晶装置の分解斜視図である。
【図３】図１に示す液晶装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ′側の端部の断面図である。
【図４】図１に示す液晶装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、図１に係る液晶装置の製造工程の仕掛途中品の様子を示す説明図である。
【図６】本発明が適用された洗浄方法および洗浄装置で用いられるカセットおよび洗浄かごの説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る洗浄装置の構成図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る洗浄装置の構成図である。
【図９】本発明に係る液晶装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図１０】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１１】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図１２】従来の洗浄装置の構成図である。
【符号の説明】
１液晶装置（電気光学装置）
１′ 液晶パネル（ワーク／仕掛途中品）
１０第１の基板
２０第２の基板
３０シール材
３２注入口
３５液晶封入領域
３６液晶（電気光学物質）
４０第１の電極パターン
５０第２の電極パターン
１００、２００大型基板（仕掛途中品）
４００パネル構造体（ワーク／仕掛途中品）
５０１、５０２洗浄装置
５１０、５２０、５３０洗浄槽
５４０、５５０シャワー装置
５４１、５５１カバー
５４５純水供給経路
５５２受け槽
５５３排水経路（第１の排水経路）
５６０粗濯ぎ槽
５６１循環系
５６２予備槽（粗濯ぎ液予備槽）
５６３排水経路（第２の排水経路）
５６５監視装置
５７０、５８０、５９０仕上げ濯ぎ槽
５７１排水経路（第３の排水経路）
５８２、５９２予備槽
５８１、５９１循環系
５９５純水供給経路
６１０産業廃棄水ユニット
６２０排水処理施設
６８０カセット
６８５洗浄かご
Ｗ仕掛途中品（ワーク）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a cleaning method, a method for manufacturing an electro-optical device, an electro-optical device, an electronic apparatus, and a cleaning device. More specifically, the present invention relates to a technique for reducing the processing load on water used for cleaning.
[0002]
[Prior art]
In recent years, electro-optical devices such as liquid crystal devices have been widely used as display units of electronic devices such as mobile phones, portable computers, and video cameras. In manufacturing this liquid crystal device, for example, after forming an electrode pattern or the like on each of a pair of large substrates such as a glass substrate using a semiconductor process, the pair of large substrates are bonded together to form an empty large panel structure. Let it be the body. Next, the large panel structure is cut into a strip-shaped panel structure to open an injection port, and after injecting liquid crystal from the injection port, the injection port is sealed. Next, the strip-shaped panel structure is cut into a single liquid crystal device size.
[0003]
Here, when a foreign substance such as glass powder or liquid crystal adheres to the substrate, the quality and reliability of the liquid crystal device are deteriorated. Therefore, in the manufacturing process of the liquid crystal device, cleaning is performed at a predetermined timing.
[0004]
Conventionally, a cleaning apparatus shown in FIG. 12 is used to perform such cleaning. The cleaning apparatus shown here includes a cleaning tank 515 storing a cleaning liquid for cleaning a work in progress when manufacturing a liquid crystal device as a workpiece, and a rough rinsing tank 560 storing water for roughly rinsing the workpiece. And three finishing rinsing tanks 570, 580, and 590 in which water for rinsing the work is stored. After the work is ultrasonically cleaned in the cleaning tank 515, the rough rinsing tank 560 is used for rough rinsing. And then a final rinse. In this final rinsing, ultrasonic cleaning is performed in the preceding final rinsing tank 570 and then immersion cleaning is performed in the intermediate and subsequent final rinsing tanks 580 and 590.
[0005]
Here, in the cleaning tank 515, the degree of contamination of the cleaning liquid is maintained at a predetermined level or less by a filter device (not shown). Since the water in the coarse rinsing tank 560 is contaminated with the cleaning liquid, it is treated as industrial waste together with the used cleaning liquid. Further, in the final rinsing tanks 570, 580, and 590, water is supplied from the subsequent stage to the previous stage by overflow, and the water used in the previous final rinsing tank 570 is sent to the waste water treatment facility and then processed as general waste water. The
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional cleaning apparatus, when the work subjected to the rough rinsing is transferred to the finishing rinsing tank 570, a large amount of water used for the rough rinsing adheres to the work, and this water is considerably contaminated with the cleaning liquid. For this reason, in the conventional cleaning apparatus, a large amount of cleaning liquid is brought into the finishing rinsing tank 570, so that there is a problem that the load on the wastewater treatment facility is large.
[0007]
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a cleaning method and a cleaning apparatus that can reduce a load on a wastewater treatment facility. Another object of the present invention is to provide an electro-optical device manufacturing method, an electro-optical device, and an electronic apparatus using such a cleaning method and cleaning device.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, in the first embodiment of the present invention, a cleaning step of cleaning a workpiece with a cleaning liquid, a rough rinsing step of immersing the workpiece in water in a rough rinsing bath, and then a work in a finish rinsing bath In the cleaning method having a final rinsing step of immersing in water, a shower rinsing step of spraying water on the work is performed after the rough rinsing step and before the final rinsing step.
[0009]
In carrying out such a cleaning method, in the first embodiment of the present invention, a cleaning tank storing a cleaning liquid for cleaning a workpiece, and a rough rinsing tank storing water for roughly rinsing the workpiece, And a finishing rinsing tank in which water for rinsing the work is stored, and before the work taken out from the rough rinsing tank is transferred to the finishing rinsing tank, water is sprayed on the work to perform shower rinsing. It has the shower apparatus to perform.
[0010]
In the present invention, when the work subjected to the rough rinsing is transferred to the finishing rinsing tank, shower rinsing is performed, and thus the work is transferred to the finishing rinsing tank after the water used for the rough rinsing is washed away by the shower rinsing. For this reason, since the water used for rough rinsing is not brought into the finishing rinsing tank, the concentration of the cleaning liquid can be kept low in the finishing rinsing tank. Accordingly, the water used for the final rinsing can be discharged as it is because it is below the predetermined BOD and COD drainage standards. Further, even when the wastewater treatment facility treats and discharges the wastewater as general wastewater, the load on the wastewater treatment facility is small, so it can be handled by a small-scale wastewater treatment facility.
[0011]
In the present invention, the water used in the shower rinsing step is preferably received in the coarse rinsing tank. If comprised in this way, while being able to simplify the structure of a washing | cleaning apparatus, the usage-amount of water can be reduced. In addition, since the water used in the shower rinsing has a lower concentration of the cleaning liquid than at least the water used in the coarse rinsing tank, there is no problem even if the water used in the shower rinsing is used in the coarse rinsing tank.
[0012]
In the present invention, the water in the coarse rinsing tank is preferably used by circulating between the coarse rinsing liquid preparatory tank while monitoring dirt, and is treated as industrial waste when the contamination reaches a predetermined level. . That is, the cleaning device according to the present invention includes a rough rinsing liquid preliminary tank in which water circulates between the rough rinsing tank, a monitoring device for monitoring the degree of contamination of water in the rough rinsing liquid preliminary tank, It is preferable to provide a drainage path for treating the water in the coarse rinsing liquid reserve tank as industrial waste when the water reaches a predetermined level. Both the water used in the shower rinsing and the water used in the coarse rinsing tank have a high concentration of the cleaning solution, and therefore the load becomes extremely high when treated in the wastewater treatment facility. Accordingly, the water used in the shower rinsing and the water used in the coarse rinsing tank are processed at lower costs when treated as industrial waste.
[0013]
In the second embodiment of the present invention, the cleaning step of cleaning the workpiece with the cleaning liquid, the rough rinsing step of immersing the workpiece in the water in the rough rinsing tank, and then the workpiece is immersed in the water in the finishing rinsing tank. In the cleaning method including a final rinsing step, a shower rinsing step of spraying water on the work is performed after the cleaning step and before the rough rinsing step.
[0014]
In carrying out such a cleaning method, in the second embodiment of the present invention, a cleaning tank storing a cleaning liquid for cleaning the workpiece, and a rough rinsing tank storing water for roughly rinsing the workpiece, In a cleaning device having a finishing rinsing tank in which water for rinsing the work is stored, showering is performed by spraying water onto the work before the work taken out from the cleaning tank is transferred to the rough rinsing tank. It has a shower device.
[0015]
In the present invention, since shower rinsing is performed when the cleaned workpiece is transferred to the coarse rinsing tank, the workpiece is washed away by the cleaning liquid shower rinsing and then transferred to the coarse rinsing tank. For this reason, since a large amount of the cleaning liquid is not brought into the rough rinsing tank, the concentration of the cleaning liquid can be kept low in the rough rinsing tank. Therefore, when transferring the work subjected to the rough rinsing to the finishing rinsing tank, even if the water used for the rough rinsing is brought into the finishing rinsing tank, the concentration of the cleaning liquid can be kept low in the finishing rinsing tank. Therefore, the water used for the final rinsing can be discharged as it is because it is below the predetermined BOD and COD drainage standards. Further, even when the water used for the final rinsing is processed at the wastewater treatment facility and discharged as general wastewater, the load on the wastewater treatment facility is small, so it can be handled by a small-scale wastewater treatment facility.
[0016]
In this case, it is preferable to handle the water used in the shower rinsing step and the water used in the rough rinsing step in different systems. That is, it is preferable to provide the 1st drainage path for processing the water which the said shower apparatus sprayed on the workpiece | work as industrial waste. Since the water used in the shower rinsing has a higher concentration of the cleaning liquid than the water used in the coarse rinsing tank, the water used in the shower rinsing is preferably treated as industrial waste as it is.
[0017]
In the second embodiment of the present invention, the water used in the shower rinsing step is used as industrial waste as it is, while the water in the coarse rinsing tank is monitored between the coarse rinsing liquid preliminary tank while monitoring dirt. It is preferably recycled and used as industrial waste when contamination reaches a predetermined level. That is, a rough rinsing liquid preliminary tank in which water circulates between the coarse rinsing tanks, a saccharimeter, a PH measuring machine, and a specific resistance meter capable of measuring quantitative values for monitoring the degree of water contamination in the rough rinsing liquid preliminary tank And a second drainage channel for treating the water in the coarse rinsing liquid reserve tank as industrial waste when contamination reaches a predetermined level. The water used for rough rinsing has a lower concentration of cleaning liquid than the water used for shower rinsing, but the concentration of the cleaning liquid is still higher than the water used for finishing rinsing, so the load is significantly higher when treated in a wastewater treatment facility. . Accordingly, the water used in the shower rinsing and the water used in the coarse rinsing tank are processed at lower costs when treated as industrial waste.
[0018]
In any of the first and second embodiments of the present invention, it is preferable that the water used in the finishing rinsing process is drained after being treated in a wastewater treatment facility. That is, in this invention, it is preferable to have the 3rd drainage path which sends the water used by the said finishing rinse tank to a wastewater treatment facility. According to the present invention, the water used for the final rinse has a low concentration of the cleaning liquid. Accordingly, the water used for the final rinsing can be discharged as it is because it is below the predetermined BOD and COD drainage standards. Moreover, even if it processes in a wastewater treatment facility, since a load is low, it can respond by a small-scale wastewater treatment facility.
[0019]
The cleaning method according to the present invention is performed, for example, in a process of cleaning an in-process product when manufacturing an electro-optical device in which an electro-optical material is held by a substrate as the workpiece. Here, the electro-optical material is, for example, a liquid crystal. Such an electro-optical device is used in electronic devices such as a mobile phone and a mobile computer.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the embodiments, an example in which the present invention is applied to a manufacturing process of a passive matrix liquid crystal device among various electro-optical devices will be described.
[0021]
[Embodiment 1]
(Configuration of electro-optical device)
1 and 2 are a perspective view and an exploded perspective view, respectively, of a liquid crystal device as an electro-optical device to which the present invention is applied. 3 is a cross-sectional view of the end portion on the I ′ side when the liquid crystal device to which the present invention is applied is cut along the line II ′ of FIG. 1 and 2 only schematically show electrode patterns, terminals, and the like. In an actual liquid crystal device, a larger number of electrode patterns and terminals are formed.
[0022]
1 and 2, the liquid crystal device 1 of this embodiment is a passive matrix type liquid crystal display device mounted on an electronic device such as a mobile phone. In the panel 1 ′ used in the liquid crystal device 1, between a pair of substrates 10 and 20 made of a glass substrate such as a rectangular non-alkali glass, heat-resistant glass, quartz glass, and the like, which are bonded together by a sealing material 30 through a predetermined gap. The liquid crystal sealing region 35 is partitioned by the sealing material 30, and the liquid crystal 36 as an electro-optical material is sealed in the liquid crystal sealing region 35.
[0023]
Here, the sealing material 30 is partially cut off as an injection port 32 for injecting the liquid crystal 36 between the substrates. The injection port 32 is applied and cured after injecting the liquid crystal 36 between the substrates. The sealing material 31 is closed.
[0024]
The liquid crystal device 1 shown here is a transmission type example, and a polarizing plate 61 is attached to the outer surface of the second substrate 20, and a polarizing plate 62 is also attached to the outer surface of the first substrate 10. In addition, a backlight device 9 is disposed outside the second substrate 20.
[0025]
As shown in FIG. 3, the first substrate 10 has red (R), green (G), and blue (B) in regions corresponding to the intersections of the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50. The color filters 7R, 7G, and 7B are formed, and the insulating planarizing film 13, the first electrode pattern 40, and the alignment film 12 are formed in this order on the surface side of the color filters 7R, 7G, and 7B. . A light shielding film 16 is formed on the lower layer side of each color filter 7R, 7G, 7B at the boundary between each color filter 7R, 7G, 7B. On the other hand, the second electrode pattern 50, the overcoat film 29, and the alignment film 22 are formed on the second substrate 20 in this order.
[0026]
In the liquid crystal device 1 of the present embodiment, both the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 are formed of a transparent conductive film typified by an ITO film (Indium Tin Oxide). Note that a semi-transmissive / semi-reflective liquid crystal device can be formed by forming a thin film of aluminum or the like patterned through an insulating film under the second electrode pattern 50. Further, the transflective liquid crystal device 1 can also be configured by laminating a transflective plate on the deflecting plate 61. Furthermore, if a reflective film is disposed under the second electrode pattern 50, a reflective liquid crystal device can be formed. In this case, the backlight device 9 is omitted from the back side of the second substrate 20. do it.
[0027]
(Electrode pattern and terminal configuration)
1 and 2 again, in the liquid crystal device 1 of the present embodiment, the first substrate 10 and the second substrate 20 are positioned in the same direction for both external signal input and conduction between the substrates. The first terminal formation region 11 and the second terminal formation region 21 formed in the vicinity of the substrate sides 101 and 201 are used. Therefore, a substrate larger than the first substrate 10 is used as the second substrate 20, and the substrate side 101 of the first substrate 10 is bonded when the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded together. The flexible substrate 90 on which the driving IC 700 is COF-mounted is connected using the portion 25 from which the second substrate 20 protrudes.
[0028]
In the first substrate 10, the first terminal formation region 11 is formed along the central portion of the substrate side 101 of the first substrate 10, and a plurality of the first terminal formation region 11 is formed along the substrate side 101 in the first terminal formation region 11. The first inter-substrate conduction terminals 60 are arranged at a predetermined interval. In the first substrate 10, after the first electrode patterns 40 for driving a plurality of columns of liquid crystals extend obliquely from both sides toward the opposite substrate side 102 from the first inter-substrate conduction terminal 60, the liquid crystal It extends in a direction orthogonal to the substrate sides 101 and 102 in the enclosing region 35.
[0029]
In the second substrate 20, the second terminal formation region 21 is also formed along the substrate side 201. A plurality of second terminal formation regions 21 are arranged at predetermined intervals along the substrate side 201 in the central region. First external input terminals 81 and a plurality of second external inputs arranged at predetermined intervals along the substrate side 201 at two locations on both sides of the region where the first external input terminals 81 are formed. A terminal 82 is formed. Here, from the first external input terminal 81, when the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded together, the plurality of second substrates overlap with the first inter-substrate conduction terminal 60. The conduction terminal 70 extends linearly toward the substrate side 202. On the other hand, from the second external input terminal 82, regions corresponding to both sides of the first electrode pattern 40 forming region when the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded together. A plurality of columns of second electrode patterns 50 for driving the liquid crystal are formed to wrap around, and these second electrode patterns 50 extend so as to intersect the first electrode pattern 40 in the liquid crystal sealing region 35. .
[0030]
Therefore, when the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded together via the sealing material 30, the gap material and the conductive material are blended in the sealing material 30, and the sealing material 30 is used as the first substrate. If the inter-conductive terminal 60 and the second inter-substrate conductive terminal 70 are also formed in an overlapping region, the conductive material is crushed between the first substrate 10 and the second substrate 20. Thus, the first inter-substrate conduction terminal 60 and the second inter-substrate conduction terminal 70 are made conductive. Further, in this state, since the pixels are formed in a matrix form by the intersections of the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50, the substrate side of the second terminal formation region 21 of the second substrate 20. After the flexible substrate 90 is mounted on the end portion on the 201 side using an anisotropic conductive material or the like, the first external input terminal 81 and the second second input terminal of the second substrate 20 are passed through the flexible substrate 90. When a signal is input to the external input terminal 82, a scanning signal can be directly applied to the second electrode pattern 50 formed on the second substrate 20 via the second external input terminal 82. In addition, the first electrode pattern 40 formed on the first substrate 10 includes a first external input terminal 81, a second inter-substrate conduction terminal 70, a conducting material, and a first inter-substrate conduction. Image data via terminal 60 It is possible to signal input. Therefore, the alignment state of the liquid crystal positioned between the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 in each pixel 5 can be controlled by these image data and scanning signals, so that a predetermined image can be displayed. Can be displayed.
[0031]
(Manufacturing method of the liquid crystal device 1)
FIG. 4 and FIGS. 5A to 5D are a process diagram showing a method of manufacturing the liquid crystal device 1 and an explanatory diagram showing a state of an in-process product to each of these processes.
[0032]
4 and FIGS. 5A and 5B, in manufacturing the liquid crystal device 1 of the present embodiment, the first substrate 10 and the second substrate 20 are both the substrates 10 and 20, respectively. In the state of the large substrates 100 and 200 that can be obtained in large numbers, the formation process of the electrode patterns 40 and 50 and the like is performed using a semiconductor process. That is, in the state of a large substrate 100 that can take a large number of first substrates 10, the light shielding film 16 formation step ST11, the color filters 7R, 7G, and 7B formation step ST2, the planarization film 13 formation step ST13, and the electrode pattern 40 forming step ST14, forming and rubbing the alignment film 12, and applying the sealing material 30 are performed.
[0033]
Further, in the state of a large substrate 200 on which a large number of second substrates 20 can be obtained, the electrode pattern 50 forming step ST21, the overcoat film 29 forming step ST22, the alignment film 22 forming / rubbing step ST23, and the gap material spraying. Step ST24 is performed.
[0034]
Then, in the bonding step ST31, as shown in FIG. 5C, the large substrates 100 and 200 are bonded together to form a large panel structure 300, and then in the primary break step ST32, a large panel is formed. The structure 300 is cut into a strip-shaped panel structure 400 shown in FIG. 5D, and the injection port 31 is opened. Next, in the liquid crystal encapsulation / sealing step ST33, after the liquid crystal 36 is injected into the strip-shaped panel structure 400, the injection port 31 is sealed with the sealing material 32, and then the primary breaking step ST34. 1, the strip-shaped panel structure 400 is cut into a single panel 1 ′ as shown in FIG. 1, and then the flexible substrate 90 is mounted on the single panel 1 ′ in a mounting step ST35.
[0035]
(Cleaning method and cleaning device
In such a manufacturing method, if a foreign substance such as glass powder or liquid crystal adheres to the panel 1 ′, the quality and reliability of the liquid crystal device 1 deteriorates. Therefore, in the manufacturing process of the liquid crystal device 1, for example, after the primary break process ST32 shown in FIG. 4, after the liquid crystal encapsulation / sealing process ST33, after the secondary break process ST34, the cleaning process is performed at a predetermined timing. Done. Such a cleaning process will be described with reference to FIGS.
[0036]
FIG. 6 is an explanatory diagram of a cassette and a cleaning basket used in a cleaning method and a cleaning apparatus to which the present invention is applied. FIG. 7 is a configuration diagram of the cleaning apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
[0037]
In this embodiment, for example, as shown in FIG. 6, a work W such as a panel 1 ′ is accommodated in a cassette 680, and in this state, a plurality of cassettes 680 are mounted on a cleaning basket 685, and the cleaning apparatus shown in FIG. Cleaning is performed at 510.
[0038]
In FIG. 7, the cleaning device 501 roughly rinses the workpiece W with three cleaning tanks 510, 520, and 530 in which cleaning liquid for cleaning an in-process product when the liquid crystal device 1 is manufactured is stored as the workpiece W. There are one rough rinsing tank 560 in which water for storing water is stored, and three finishing rinsing tanks 570, 580, and 590 in which water for finishing rinsing the workpiece W is stored. In this embodiment, the washing liquid may be of any type as long as it can be rinsed with water. In this embodiment, a nonionic surfactant such as polyoxyalkylene alkyl (phenyl) ether, dioctyl sulfosuccinate, etc. The ionic surfactant is used as it is or dissolved in water or alcohol.
[0039]
Of the three cleaning tanks 510, 520, and 530, the preceding cleaning tank 510 is for preliminary cleaning. In this cleaning tank 510, the work W is repeatedly immersed, pulled up, and then the middle cleaning is performed. Ultrasonic cleaning is performed in the tank 520, and then ultrasonic cleaning is performed again in the subsequent cleaning tank 530.
[0040]
Here, the preceding cleaning tank 510 is connected to the industrial waste water unit 610 via the drainage path 511. Further, spare tanks 522 and 532 are formed for both the middle-stage washing tank 520 and the latter-stage washing tank 530, and the washing liquids in the middle-stage washing tank 520 and the latter-stage washing tank 530 are supplied to and from the water supply / drainage path and the circulation. Circulation is performed between the preparatory tanks 522 and 532 by circulation systems 521 and 531 equipped with pumps and the like, and they are used for cleaning. Further, the two preliminary tanks 522 and 532 are both connected to the industrial wastewater unit 610 via drainage paths 523 and 533. For this reason, the used cleaning liquid discharged from the previous cleaning tank 510 and the preliminary tanks 522 and 532 is temporarily stored in the industrial waste unit 610 and then processed as industrial waste.
[0041]
A preliminary tank 562 (coarse rinse liquid preliminary tank) is formed for the coarse rinse tank 560, and water in the coarse rinse tank 560 is separated from the preliminary tank 562 by a circulation system 561 including a water supply / drain path and a circulation pump. It is circulated while being filtered through and used for coarse rinsing. The spare tank 562 is connected to the industrial wastewater unit 610 through a drainage path 563. The preliminary tank 562 is also connected to the wastewater treatment facility 620 via the drainage path 564. For example, the drainage path 564 drains wastewater when the rough rinsing tank 560 and the preliminary tank 562 are washed. It is sent to the facility 620 and is not used during cleaning.
[0042]
Further, a monitoring device 565 such as a resistivity meter or a saccharimeter for monitoring the dirt of the water stored therein is arranged in the reserve tank 562 for the rough rinse tank 560. When the contamination reaches a predetermined level, The water in the tank 562 is automatically sent to the industrial waste unit 610 through the drainage path 563.
[0043]
Of the three finishing rinsing tanks 570, 580, and 590, in the front and middle finishing rinsing tanks 570 and 580, the workpiece W is subjected to ultrasonic cleaning with pure water, and in the subsequent finishing rinsing tank 590, pure water is used. Immersion cleaning is performed.
[0044]
Preliminary tanks 582 and 592 are formed for both of the middle finishing rinse tank 580 and the latter finishing rinse tank 590. It is circulated while being filtered between the preliminary tanks 582 and 592 by circulation systems 581 and 591 equipped with a circulation pump and the like, and used for finishing rinsing. Further, pure water is supplied from the pure water supply path 595 to the preliminary finishing rinsing tank 580 and the reserve tanks 582 and 592 for the subsequent finishing rinsing tank 590, from which the intermediate finishing rinsing tank 580 and the subsequent finishing rinsing tank 580 are finished. Water is supplied to the rinsing tank 590. Further, water is also supplied from the preliminary tank 582 to the finishing rinse tank 570 at the preceding stage.
[0045]
The front finishing rinsing tank 570 is connected to the waste water treatment facility 620 via the drainage path 571, and the water discharged from the front finishing rinsing tank 570 has a BOD, COD, etc. below a predetermined level in the waste water treatment facility 620. After being treated, it is discharged as general waste water.
[0046]
In the cleaning apparatus 501 configured as described above, the workpiece W is cleaned by the three cleaning tanks 510, 520, and 530 (cleaning step), and then the workpiece W is immersed in the rough rinsing tank 560 to perform rough rinsing (coarse rinsing). Step) Next, the work W is sequentially immersed in the three finishing rinse tanks 570, 580, and 590 (finish rinsing step), and then a drying step is performed. Accordingly, the liquid crystal device 1 can be manufactured using the panel 1 ′ to which no foreign matter such as glass powder or liquid crystal is attached, so that the quality and reliability of the liquid crystal device 1 are high. However, in this state, a large amount of contaminated water is brought from the rough rinsing tank 560 into the finishing rinsing tank 570 in the previous stage.
[0047]
Therefore, in the present embodiment, a shower rinsing process is performed by spraying pure water onto the work W before the work W taken out from the rough rinsing tank 560 is transferred to the finishing rinsing tank 570 at a position above the rough rinsing tank 560. A shower device 540 is arranged. Here, since the upper position of the finishing rinsing tank 560 is surrounded by the cover 541, the water subjected to the shower rinsing is not scattered around. Further, the water used for shower rinsing is received in the coarse rinsing tank 560 as it is. Note that pure water is supplied to the shower device 540 via the pure water supply path 545. The pure water supply path 545 branches to a path 575 for supplying pure water to the preceding finishing rinsing tank 570 on the way.
[0048]
In the cleaning apparatus 501 configured as described above, the shower apparatus 540 performs shower rinsing when the workpiece W that has been subjected to the rough rinsing in the rough rinsing tank 560 is transferred to the finishing rinsing tank 570. Accordingly, the work W is transferred to the finishing rinse tank 570 after the water used for the rough rinse is washed away by the shower rinse. For this reason, since the water used for the rough rinsing is not brought into the finishing rinse tank 570, the concentration of the cleaning liquid can be kept low in the finishing rinse tank 570. For example, compared with the case where shower rinsing is not performed, the concentration of the cleaning solution of water sent to the wastewater treatment facility 620 can be reduced to 1/10. Therefore, even when the water used for the final rinsing is processed at the wastewater treatment facility 620 and discharged as general wastewater, the load on the wastewater treatment facility 620 is small, and therefore, the small-scale wastewater treatment facility 620 can cope with it.
[0049]
In addition, since the water used in the shower rinsing process is received by the rough rinsing tank 560, the configuration of the cleaning device 501 can be simplified and the amount of water used can be reduced. At this time, since the concentration of the cleaning liquid is lower than that of water used in at least the rough rinsing tank 560, there is no problem even if the water used in the shower rinsing is received by the rough rinsing tank 560.
[0050]
Furthermore, since the water used in the shower rinsing and the water used in the rough rinsing tank 560 both have a high concentration of the cleaning liquid, the load is significantly increased when treated in the wastewater treatment facility 620. Since the used water and the water used in the rough rinsing tank 560 are processed as industrial waste, the processing cost is low.
[0051]
[Embodiment 2]
FIG. These are the block diagrams of the washing | cleaning apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention.
[0052]
FIG. As shown in FIG. 3, the cleaning apparatus 502 of the present embodiment also has three cleaning tanks 510 in which a cleaning liquid for cleaning a work in progress at the time of manufacturing the liquid crystal device 1 as a work W is stored, as in the first embodiment. 520, 530, one coarse rinsing tank 560 storing water for roughly rinsing the workpiece W, and three finishing rinsing tanks 570, 580, 590 storing water for finishing rinsing the workpiece W have. In this embodiment, the washing liquid may be of any type as long as it can be rinsed with water. In this embodiment, a nonionic surfactant such as polyoxyalkylene alkyl (phenyl) ether, dioctyl sulfosuccinate, etc. These ionic surfactants are used as they are or dissolved in water or alcohol.
[0053]
A preliminary tank 562 is formed for the coarse rinsing tank 560, and the water in the coarse rinsing tank 560 is separated from the preliminary tank 562 (coarse rinsing liquid preliminary tank) by a circulation system 561 including a water supply / drainage path and a circulation pump. It is circulated while being filtered through and used for coarse rinsing. The spare tank 562 is connected to the industrial wastewater unit 610 through a drainage path 563.
[0054]
A monitoring device 565 such as a resistivity meter or a saccharimeter for monitoring the dirt of water stored therein is arranged in the spare tank 562 for the rough rinsing tank 560. When the contamination reaches a predetermined level, the spare tank 562 The water inside is automatically sent to the industrial waste unit 610 through the drainage path 563.
[0055]
In addition, the first stage finish rinsing tank 570 is connected to the waste water treatment facility 620 via the drainage path 571, and the water discharged from the first stage finish rinse tank 570 has a predetermined level of BOD, COD, etc. in the waste water treatment facility 620. After being treated until the following, it is discharged as general waste water.
[0056]
Also in the cleaning apparatus 502 of this embodiment, after the workpiece W is cleaned in the three cleaning tanks 510, 520, and 530 (cleaning process), the workpiece W is immersed in the rough rinsing tank 560 to perform rough rinsing (coarse rinsing process). Next, the workpiece W is sequentially immersed in the three finishing rinse tanks 570, 580, and 590 (finish rinsing step), and then a drying step is performed. However, in this state, a large amount of contaminated water is brought from the rough rinsing tank 560 into the finishing rinsing tank 570 in the previous stage.
[0057]
Therefore, in this embodiment, a shower device for performing a shower rinsing process by spraying pure water onto the work W before the work W taken out from the washing tank 530 is transferred to the rough rinsing tank 560 is provided in the vicinity of the rough rinsing tank 560. 550 is arranged. The area where shower rinsing is performed is surrounded by a cover 551, and water used for shower rinsing is received as it is in a receiving tank 552. The receiving tank 552 is connected to the industrial waste unit 610 through a drainage path 553.
[0058]
Since other configurations are the same as those of the first embodiment, portions having common functions are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
[0059]
In the cleaning apparatus 502 configured as described above, shower rinsing is performed when the cleaned work W is transferred to the rough rinsing tank 560. Therefore, the work W is washed out by shower rinsing and then transferred to the rough rinsing tank 560. . For this reason, since a large amount of the cleaning liquid is not brought into the rough rinsing tank 560, the concentration of the cleaning liquid can be kept low in the rough rinsing tank 560. Therefore, when the work W that has been subjected to the rough rinsing is transferred to the finishing rinsing tank 570, even if the water used for the rough rinsing is brought into the finishing rinsing tank 570, the finishing rinsing tank 570 maintains the concentration of the cleaning liquid at a low level. it can. For example, compared with the case where shower rinsing is not performed, the concentration of the cleaning solution of water sent to the wastewater treatment facility 620 can be reduced to 1/10. Therefore, even when the water used for the final rinsing is processed at the wastewater treatment facility 620 and discharged as general wastewater, the load on the wastewater treatment facility 620 is small, and therefore, the small-scale wastewater treatment facility 620 can cope with it.
[0060]
In this embodiment, the water used for shower rinsing and the water used for coarse rinsing are handled in different systems. That is, since the water used in the shower rinsing has a higher concentration of the cleaning liquid than the water used in the rough rinsing tank 560, the water is sent directly to the industrial waste water unit 610 through the drainage path 553, so that it was used in the shower rinsing. The water does not contaminate the water used in the coarse rinsing tank 560.
[0061]
Furthermore, although the concentration of the cleaning liquid is lower than that of the water used in the shower rinsing, the concentration of the cleaning liquid is higher than that of the water used in the final rinsing. Get higher. However, in this embodiment, since the water used in the rough rinsing tank 560 is also sent to the industrial waste water unit 610 via the drainage path 563, the processing cost can be reduced.
[0062]
[Other embodiments]
In the above embodiment, an example in which the present invention is applied to the manufacture of the passive matrix type liquid crystal device 1 has been described. However, an active matrix type liquid crystal device using a TFD element as an active element or a thin film transistor as an active element is used. The present invention may be applied to the manufacture of various electro-optical devices such as active matrix liquid crystal devices. Further, the present invention may be applied not only to the manufacture of electro-optical devices but also to cleaning of various workpieces at various manufacturing sites.
[0063]
[Embodiment of Electronic Device]
FIG. 9 shows an embodiment in which the electro-optical device (liquid crystal device 1) according to the present invention is used as a display device of various electronic devices. The electronic device shown here includes a display information output source 70, a display information processing circuit 71, a power supply circuit 72, a timing generator 73, and a liquid crystal device 74. The liquid crystal device 74 includes a liquid crystal display panel 75 and a drive circuit 76. As the liquid crystal device 74 and the liquid crystal panel 75, the liquid crystal device 1 described above and the single panel 1 ′ can be used.
[0064]
The display information output source 70 includes a storage unit such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and the like, and is generated by a timing generator 73. Display information such as an image signal in a predetermined format is supplied to the display information processing circuit 71 based on the various clock signals.
[0065]
The display information processing circuit 71 includes various known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, a clamp circuit, and the like, executes processing of input display information, The signal is supplied to the drive circuit 76 together with the clock signal CLK. The power supply circuit 72 supplies a predetermined voltage to each component.
[0066]
FIG. 10 shows a mobile personal computer which is an embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. The personal computer 80 shown here has a main body 87 having a keyboard 86 and a liquid crystal display unit 88. The liquid crystal display unit 88 includes the liquid crystal device 1 described above.
[0067]
FIG. 11 shows a mobile phone which is another embodiment of the electronic apparatus according to the invention. The cellular phone 90 shown here has a plurality of operation buttons 91 and the liquid crystal device 1.
[0068]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when the work subjected to the rough rinsing is transferred to the finishing rinsing tank, the shower rinsing is performed. Moved to the tank. For this reason, since the water used for rough rinsing is not brought into the finishing rinsing tank, the concentration of the cleaning liquid can be kept low in the finishing rinsing tank. Accordingly, the water used for the final rinsing can be discharged as general waste water because it is below the predetermined BOD and COD waste water standards. Further, even when the wastewater treatment facility treats and discharges the wastewater as general wastewater, the load on the wastewater treatment facility is small, so it can be handled by a small-scale wastewater treatment facility.
[0069]
In another embodiment of the present invention, when the cleaned workpiece is transferred to the coarse rinsing tank, shower rinsing is performed. Therefore, the workpiece is washed away by the cleaning liquid shower rinse and then transferred to the coarse rinsing tank. For this reason, since a large amount of the cleaning liquid is not brought into the rough rinsing tank, the concentration of the cleaning liquid can be kept low in the rough rinsing tank. Therefore, when transferring the work subjected to the rough rinsing to the finishing rinsing tank, even if the water used for the rough rinsing is brought into the finishing rinsing tank, the concentration of the cleaning liquid can be kept low in the finishing rinsing tank. Therefore, the water used for the final rinse can be discharged as general waste water because it is below the predetermined BOD and COD waste water standards. Further, even when the wastewater treatment facility treats and discharges the wastewater as general wastewater, the load on the wastewater treatment facility is small, so it can be handled by a small-scale wastewater treatment facility.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of a liquid crystal device to which the present invention is applied.
FIG. 2 is an exploded perspective view of the liquid crystal device shown in FIG.
3 is a cross-sectional view of an end portion on the I ′ side when the liquid crystal device shown in FIG. 1 is cut along the line II ′ of FIG. 1;
4 is a process diagram showing a manufacturing method of the liquid crystal device shown in FIG. 1. FIG.
FIGS. 5A to 5D are explanatory views showing a state of an in-process product in a manufacturing process of the liquid crystal device according to FIG.
FIG. 6 is an explanatory diagram of a cassette and a cleaning basket used in a cleaning method and a cleaning apparatus to which the present invention is applied.
FIG. 7 is a configuration diagram of a cleaning apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 8 is a configuration diagram of a cleaning device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a block diagram illustrating a configuration of various electronic devices using the liquid crystal device according to the invention.
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a mobile personal computer as an embodiment of an electronic apparatus using the liquid crystal device according to the invention.
FIG. 11 is an explanatory diagram of a mobile phone as an embodiment of an electronic apparatus using the liquid crystal device according to the invention.
FIG. 12 is a configuration diagram of a conventional cleaning apparatus.
[Explanation of symbols]
1 Liquid crystal device (electro-optical device)
1 'LCD panel (work piece / finished product)
10 First substrate
20 Second substrate
30 Sealing material
32 Inlet
35 Liquid crystal sealing area
36 Liquid crystal (electro-optic material)
40 First electrode pattern
50 Second electrode pattern
100, 200 Large substrate (finished product)
400 Panel structure (work piece / finished product)
501, 502 Cleaning device
510, 520, 530 Cleaning tank
540, 550 shower device
541, 551 Cover
545 Pure water supply route
552 receiving tank
553 Drainage route (first drainage route)
560 Coarse rinse tank
561 Circulation system
562 Spare tank (Coarse rinse liquid spare tank)
563 Drainage route (second drainage route)
565 Monitoring device
570, 580, 590 Finishing rinsing tank
571 Drainage route (third drainage route)
582, 592 Reserve tank
581, 591 Circulation system
595 Pure water supply route
610 Industrial wastewater unit
620 Wastewater treatment facility
680 cassette
685 Washing basket
W Work in process (work)

Claims

A cleaning tank storing a cleaning solution for cleaning the workpiece;
A rough rinsing tank in which water for rinsing the work is stored;
A finishing rinse tank in which water for finishing and rinsing the work is stored ;
The crude rinsing line shower rinsed by spraying water on the workpiece prior to transferring the issued work in the finishing rinsing tank from tank Utotomoni, arranged so the water used in the shower rinsing is received by the rough rinsing tank A shower device,
A rough rinsing liquid preliminary tank in which water used for rough rinsing of the workpiece circulates between the rough rinsing tank and
A monitoring device for monitoring the degree of water contamination in the coarse rinsing liquid reserve tank;
An industrial waste water unit that stores used cleaning liquid discharged from the cleaning tank and into which water discharged from the rough rinsing liquid preliminary tank is introduced,
A wastewater treatment facility for treating water discharged from the finishing rinse tank .

A cleaning tank storing a cleaning solution for cleaning the workpiece;
A rough rinsing tank in which water for rinsing the work is stored;
A finishing rinse tank in which water for finishing and rinsing the work is stored ;
A shower device for performing shower rinsing by spraying water on the work before transferring the work taken out of the washing tank to the rough rinsing tank;
A rough rinsing liquid preliminary tank in which water used for rough rinsing of the workpiece circulates between the rough rinsing tank and
A monitoring device for monitoring the degree of water contamination in the coarse rinsing liquid reserve tank;
An industrial waste water unit for storing used cleaning liquid discharged from the cleaning tank and introducing water discharged from the shower device and water discharged from the coarse rinsing liquid preliminary tank;
A wastewater treatment facility for treating water discharged from the finishing rinse tank .

The cleaning tank has three cleaning tanks, a front stage, a middle stage, and a rear stage,
A preceding washing tank is connected to the industrial waste water unit via a drainage channel;
Each of the middle-stage washing tank and the latter-stage washing tank is provided with a spare tank in which the cleaning liquid circulates between the washing tank and the spare tank is connected to the industrial waste water unit via a drainage path. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein:

The finishing rinsing tank has three finishing rinsing tanks, a front stage, a middle stage, and a rear stage,
Each of the middle finishing rinsing tank and the latter finishing rinsing tank is provided with a spare tank in which water circulates between the finishing rinsing tank and the preliminary rinsing tank. The cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein water is supplied .

A cleaning method, wherein the workpiece is cleaned using the cleaning apparatus according to claim 1 .

6. A method of manufacturing an electro-optical device, wherein a work in progress when manufacturing an electro-optical device in which an electro-optical material is held by a substrate is cleaned as the workpiece using the cleaning method according to claim 5 .

An electro-optical device manufactured by the method for manufacturing an electro-optical device according to claim 6 .

An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 7 .