JP4043871B2 - Conductivity measurement method and photosensitive material processing apparatus - Google Patents

Description

（ただし、セル定数Ｊは一対の電極によって定まる定数）
であり、インピーダンス値Ｒｔは、被測定液の電導度に対する固有の値である固有値Ｆ₁の関数で表され、温度補正係数βｔは、被測定液の液温に対する固有の値である固有値Ｆ₂の関数で表される。
【００１４】
Ｒｔ＝ｆ₁（Ｙ、Ｆ₁）
βｔ＝ｆ₂（Ｆ₂、Ｔｄ）
ここから、電導度値Ｌｒは、出力値Ｙ、液温Ｔｄ及び固有値Ｆ₁、Ｆ₂から得られる。
【００１５】
Ｌｒ＝ｆ₀（Ｙ、ｔｄ、Ｆ₁、Ｆ₂）
一方、貯留槽に最初に貯留した被測定液のインピーダンスに対する固有値Ｆｇ₁及び液温に対する固有値Ｆｇ₂と、貯留槽に補充する補充液のインピーダンスに対する固有値Ｆｈ₁及び液温に対する固有値Ｆｈ₂が異なると、貯留槽に貯留している被測定液の固有値Ｆ₁、Ｆ₂は、補充液が補充されることにより変化する。
【００１６】
ここから、固有値Ｆｇ₁、Ｆｇ₂を、固有値Ｆｈ₁、Ｆｈ₂で補正して得た固有値Ｆ₁、Ｆ₂を用いることにより、貯留槽に貯留している被測定液の電導度値Ｌｒを適正に演算することができる。
【００１７】
このような場合には、前記貯留槽へ前記補充液を補充しながら、前記貯留槽内に最初に貯留する被測定液が貯留槽に補充する補充液に入れ替わった比率である置換率を算出して、該置換率と前記補充液のインピーダンスに対する固有値と液温に対する固有値とによって、前記貯留槽に貯留している被測定液のインピーダンスに対する固有値及び液温に対する固有値を補正することが好ましい。
【００１８】
この発明によれば、貯留槽内の被測定液の固有値Ｆ₁、Ｆ₂は、貯留槽内の補充液の量に応じて変化することから、貯留槽に最初に貯留した被測定液が補充液に置き換わった比率である置換率を含めて、被測定液のインピーダンス及び液温に対する固有値を補正する。これにより、補充液の補充量に応じて、貯留槽内の被測定液のインピーダンス及び液温に対する固有値を得ることができる。
【００１９】
例えば、補充液をｎ回補充したときの置換率Ｘ(n)は、ｎ回目の補充液の補充を行う前までの置換率Ｘ(n-1)、貯留槽の容量Ｕ、今回（ｎ回目）の補充液の補充量Ｓ(n)としたときに、
Ｘ(n)＝（Ｕ・Ｘ(n-1)＋Ｓ(n)）／（Ｕ＋Ｓ(n)）
となる。また、補充液が補充液原液とこの補充液原液を希釈する希釈水等の希釈液を混合させたものであれば、補充液原液の補充量Ｒ(n)、希釈液の補充量W(n)から、
Ｓ(n)＝Ｒ(n)＋W(n)
であり、
Ｘ(n)＝（Ｕ・Ｘ(n-1)＋Ｒ(n)＋W(n)）／（Ｕ＋Ｒ(n)＋W(n)）
となる。また、前回の補充までの補充液原液に対する希釈液の比率である希釈率Ｚ(n-1)、及び補充液を最初に貯留した被測定液と同じ電導度とするための、補充液原液の希釈率Ｚ₁から、今回の補充による貯留槽内の希釈比率Ｚ₂(n)は、
Ｚ₂(n)＝（W(n)＋Ｕ・Ｘ(n-1)・Ｚ₂(n-1)／Ｚ₂(n-1)＋１））
／（Ｒ(n)＋Ｕ・Ｘ(n-1)／（Ｚ₂(n-1)＋１））
となる。
【００２０】
また、最初に貯留した被測定液の残量Ｐ及び補充液の補充量の積算値Ｑは、
Ｐ＝Ｕ・（１−Ｘ(n)）
Ｑ＝Ｕ・Ｘ(n)・Ｚ₁／Ｚ₂(n)
となり、ここから、貯留槽内に貯留されている被測定液の固有値Ｆ₁、Ｆ₂は、
Ｆ₁＝（Ｆｇ₁・Ｐ＋Ｆｈ₁・Ｑ）／（Ｐ＋Ｑ）
Ｆ₂＝（Ｆｇ₂・Ｐ＋Ｆｈ₂・Ｑ）／（Ｐ＋Ｑ）
とすることができる。
【００２１】
このように貯留槽に貯留されている被測定液の固有値Ｆ₁、Ｆ₂を補正し、補正した固有値Ｆ₁、Ｆ₂を用いて電導度値を演算することにより、補充液の補充状況に応じた適正な電導度値が得られる。
【００２２】
このような本発明が適用される感光材料処理装置は、処理液を貯留している処理槽へ処理補充液を補充しながら、処理槽に貯留している処理液によって感光材料を処理する感光材料処理装置であって、前記処理液の液温を検出する液温検出手段と、一対の電極を用いて前記処理液の電導度の演算に適用する処理液のインピーダンス値を測定する電導度センサと、前記最初に貯留する被測定液のインピーダンスに対する固有値と、液温に対する固有値を、前記貯留槽に補充する補充液のインピーダンスに対する固有値と、液温に対する固有値に基づいて補正して、補正した固有値を、前記貯留槽に貯留している被測定液のインピーダンスに対する固有値と液温に対する固有値とし、前記貯留槽に貯留している被測定液の電導度値を、前記液温検出手段によって測定した液温及び前記一対の電極によって測定したインピーダンス値から演算する電導度演算手段と、を含むものであれば良い。
これにより、例えば、印刷版を現像処理する現像液の電導度値を求めて、この電導度値を、監視することにより、現像槽内の現像液の液活性を適正にコントロールすることができ、長期にわたって印刷版を一定品質に仕上ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１には、本実施の形態に感光材料処理装置の一例として適用したＰＳ版プロセッサ１０の概略構成を示している。このＰＳ版プロセッサ１０は、図示しない露光装置によって画像露光された感光性平版印刷版（以下「ＰＳ版１２」と言う）の現像処理を行う。なお、感光材料として用いるＰＳ版１２は、アルミニウム板等の薄肉矩形平板を支持体として、この支持体に感光層を形成している。また、ＰＳ版１２としては、光接合層、光重合層及びオーバーコート層を重ねて感光層を形成し、レーザ光により画像の露光がなされることにより光重合層の画像部の重合反応が促進されるフォトポリマー版等の適用も可能である。
【００２４】
ＰＳ版プロセッサ１０は、ＰＳ版１２を現像液によって処理するための現像部１４と、現像液によって処理されたＰＳ版１２に水洗水を供給して水洗する水洗部１６と、水洗後のＰＳ版１２に版面保護用のガム液を塗布して不感脂化処理する不感脂化処理部１８と、ＰＳ版１２を乾燥させる乾燥部２０と、が配設されている。すなわち、ＰＳ版プロセッサ１０では、ＰＳ版１２の搬送方向（図１の矢印Ａ方向）に沿って、現像工程、水洗工程、不感脂化処理工程及び乾燥工程が順に配置されている。
【００２５】
ＰＳ版プロセッサ１０内には、処理タンク２２が設けられている。この処理タンク２２には、処理槽として現像部１４となる位置に現像槽２４が形成され、水洗部１６及び不感脂化処理部１８となる位置に水洗槽２６及び不感脂化処理槽２８が形成されている。また、処理タンク２２には、現像槽２４の上流側に挿入部３４のスペースが設けられ、不感脂化処理槽２８の下流側に乾燥部２０のスペースが設けられている。
【００２６】
処理タンク２２を覆う外板パネル３０には、スリット状の挿入口３２が形成され、挿入口３２から現像部１４の間が挿入部３４となっている。
【００２７】
ＰＳ版プロセッサ１０には、処理タンク２２の上部及び乾燥部２０の上部を覆うカバー３６、３８が設けられている。挿入口３２側のカバー３６は、処理タンク２２の挿入部３４から水洗部１６の上部を覆い、カバー３８は、水洗部１６の上部から乾燥部２０の上部の間を覆うように配置される。
【００２８】
また、カバー３６には、現像部１４と水洗部１６との間にＰＳ版１２を挿入するためのリエントリー用の挿入口（副挿入口）４０が設けられている。その副挿入口４０は、現像部１４での処理を除くＰＳ版プロセッサ１０での処理を行うときのＰＳ版１２の挿入用となっている。
【００２９】
挿入口３２に隣接する挿入部３４には、ゴム製の搬送ローラ対４２が配設されている。画像が焼付けられたＰＳ版１２は、挿入口３２から矢印Ａ方向に沿って挿入されることにより、搬送ローラ対４２の間に送り込まれる。
【００３０】
搬送ローラ対４２は、回転駆動されることにより、このＰＳ版１２を挿入口３２から引き入れながら、水平方向に対して約１５°から３１°の範囲の角度で現像部１４へ送り込む。なお、本実施の形態では、支持体の一方の面に感光層を形成した片面タイプのＰＳ版１２を用いており、ＰＳ版１２は、感光層が上方へ向けられた状態で挿入口３２からＰＳ版プロセッサ１０内へ挿入される。
【００３１】
処理タンク２２に形成されている現像槽２４は、底部中央が下方へ向けて突出された略山形状となっており、ＰＳ版１２の現像処理を行うための現像液を貯留する。この現像槽２４には、ＰＳ版１２の搬送方向に沿った下側にガイド板４４、４６が、底部に沿って配設されている。また、現像槽２４には、上流部（挿入部３４側）にガイドローラ対４８が配設され、中流部及び下流部（水洗部１６側）に、搬送ローラ対５０、５２が配設されている。
【００３２】
搬送ローラ対４２によって挿入口３２から引き入れられたＰＳ版１２は、ガイドローラ対４８の間へ送り込まれ、ガイドローラ対４８は、このＰＳ版１２を現像槽２４内に導く。
【００３３】
ガイド板４４は、ガイドローラ対４８と搬送ローラ対５０の間に配置され、ガイドローラ対４８によって現像槽２４内に導かれたＰＳ版１２を、斜め下方へ向けて案内する。また、ガイド板４６は、搬送ローラ対５０、５２の間に配置されて、ＰＳ版１２を現像槽２４の底面に沿って斜め上方へ向けて案内する。
【００３４】
搬送ローラ対５０は、回転駆動されることにより、ガイド板４４によって案内されてくるＰＳ版１２に搬送力を付与しながらガイド板４６へ向けて送り出す。これにより、ＰＳ版１２は、現像槽２４内を略Ｕ字状に案内搬送されながら、現像液に浸漬される。
【００３５】
また、搬送ローラ対５２は、例えば外周部がゴム製のローラによって形成されており、ガイド板４６によって案内されるＰＳ版１２を挟持して現像槽２４から引き出しながら、水洗部１６へ送り込む。ＰＳ版１２は、このようにして現像槽２４内を搬送されるときに現像液に浸漬され、露光されることにより不要となった感光層が除去される。
【００３６】
現像槽２４内には、ガイド板４４、４６の下面側にスプレーパイプ５４、５６が設けられている。また、ガイド板４４、４６のそれぞれには、多数の通液孔（図示省略）が穿設されている。
【００３７】
スプレーパイプ５４、５６には、循環ポンプ１０２によって吸引した現像槽２４内の現像液が供給され、この現像液を現像槽２４内の現像液中へ噴出することにより、現像槽２４内の現像液を攪拌して、ＰＳ版１２の均一な処理が可能となるようにしている。このとき、ガイド板４４、４６に形成さている通液孔からＰＳ版１２の搬送路側に現像液が回りこむことにより、ＰＳ版１２の迅速な現像処理と処理ムラの発生を防止するようにしている。
【００３８】
また、現像槽２４内には、ガイド板４６に対向してブラシローラ５８、ガイドローラ６０が設けられている。このブラシローラ５８は、現像液に浸漬されながらガイド板４６上を搬送されるＰＳ版１２の表面に毛材を接触させながら回転することにより、ＰＳ版１２の表面をブラッシングして、ＰＳ版１２の表面からの不要な感光層の除去を促進している。このとき、ガイドローラ６０は、ブラシローラ５８によってブラッシングされるＰＳ版１２が、ガイド板４６から浮き上がるのを防止している。
【００３９】
搬送ローラ対５２は、現像槽２４内から送り出されるＰＳ版１２を挟持して、ＰＳ版１２の表裏面に付着している現像液を絞り落としながら、このＰＳ版１２を水洗部１６へ送り込む。
【００４０】
水洗部１６には、水洗槽２６の上方に配設された搬送ローラ対６２、６４によってＰＳ版１２を略水平状態で搬送する搬送路が形成されており、ＰＳ版１２は、搬送ローラ対６２、６４に挟持されて水洗槽２６の上方を水平搬送される。
【００４１】
水洗部１６には、搬送ローラ対６２、６４の間に、ＰＳ版１２の搬送路を挟んで上下に対で、スプレーパイプ６６、６８が設けられている。スプレーパイプ６６、６８は軸線方向がＰＳ版１２の幅方向（搬送方向と直交する方向）に沿って配置され、ＰＳ版１２の搬送路に対向する複数の吐出孔（図示省略）が、軸線方向に沿って形成されている。
【００４２】
水洗槽２６には、水洗水が貯留されており、ＰＳ版プロセッサ１０では、図示しない給水ポンプによって、ＰＳ版１２の搬送に同期させて、スプレーパイプ６６、６８に水洗水を供給する。これにより、水洗水が、スプレーパイプ６６、６８からＰＳ版１２へ向けて噴出されて、ＰＳ版１２の裏面に付着している現像液を洗い流す。
【００４３】
ＰＳ版１２に供給された水洗水は、ＰＳ版１２が搬送ローラ対６４に挟持されて送り出されるときに、ＰＳ版１２の表裏面に付着していた現像液と共にＰＳ版１２から絞り落とされ、水洗槽２６内に回収される。なお、スプレーパイプ６６、６８からの水洗水の噴出方向は、スプレーパイプ６６がＰＳ版１２の搬送方向上流側で、スプレーパイプ６８がＰＳ版１２の搬送方向下流側としているが、これに限定されず他の方向であっても良い。また、水洗水の新液は、ＰＳ版１２の処理量に応じて図示しない手段によって水洗槽２６に供給される。
【００４４】
不感脂化処理部１８には、不感脂化処理槽２８の上方に搬送ローラ対７０が設けられ、ＰＳ版１２は、搬送ローラ対６４によって搬送ローラ対７０へ向けて搬送されることにより、不感脂化処理部１８内を搬送された後に、搬送ローラ対７０によって挟持されて乾燥部２０へ向けて送られる。
【００４５】
不感脂化処理部１８には、ＰＳ版１２の搬送路の上方側にスプレーパイプ７２が設けられ、搬送路の下方側にスプレーパイプ７４が設けられている。スプレーパイプ７２、７４は、長手方向（軸線方向）がＰＳ版１２の幅方向に沿い、ＰＳ版１２の搬送路を挟んで上下に配置されている。また、スプレーパイプ７２、７４には、ＰＳ版１２の幅方向に沿って複数の吐出孔が形成されている。
【００４６】
不感脂化処理槽２８には、ＰＳ版１２の版面保護に用いるガム液が貯留されており、このガム液がＰＳ版１２の搬送に同期してスプレーパイプ７２、７４に供給される。スプレーパイプ７２は、このガム液をＰＳ版１２へ向けて滴下してＰＳ版１２の表面に広げて塗布する。また、スプレーパイプ７４は、吐出孔からＰＳ版１２の裏面へ向けてガム液を吐出して、ＰＳ版１２の裏面にガム液を塗布する。
【００４７】
ＰＳ版１２は、表裏面に塗布されるこのガム液によって保護膜が形成される。なお、スプレーパイプ７２からのガム液の吐出方向は、ＰＳ版１２の搬送方向下流側に限らず、他の方向であっても良く、整流板を設け、この整流板へ向けて噴出したガム液を、整流板でＰＳ版１２の幅方向に沿って均一に拡散させながら、ＰＳ版１２の表面に流し落として塗布するようにしてもよい。また、スプレーパイプ７４に換えて、吐出したガム液にＰＳ版１２が接触しながら移動することによりＰＳ版１２の裏面にガム液を塗布する吐出ユニット等を用いても良い。
【００４８】
この不感脂化処理部１８には、搬送ローラ対７０の上方に洗浄スプレー７６が設けられ、搬送ローラ対７０の上方のローラに接触しながら回転する洗浄ローラ７８が設けられており、予め設定している所定のタイミングで、この洗浄スプレー７６から搬送ローラ対７０の上方のローラと洗浄ローラ７８の接触位置に、整流板８０を介して洗浄水を滴下することにより、洗浄水を搬送ローラ対７０の上方のローラの周面に均一に拡散させて、搬送ローラ対７０の上下のローラの周面からガム液を洗い流し、ローラの周面にガム液が固着してＰＳ版１２を損傷させてしまうのを防止するようにしている。
【００４９】
不感脂化処理部１８でガム液が塗布されたＰＳ版１２は、搬送ローラ対７０に挟持されて、表裏面にガム液が若干残った状態で乾燥部２０へ送られる。
【００５０】
ＰＳ版プロセッサ１０には、不感脂化処理部１８と乾燥部２０の間に、仕切り板８２が設けられている。この仕切り板８２は、ＰＳ版１２の搬送路の上方に、処理タンク２２の上端と対向するように配置されており、これにより、不感脂化処理部１８と乾燥部２０の間にスリット状の挿通口８４が形成されている。なお、仕切り板８２は、二重構造となっており、これにより、挿通口８４の乾燥部２０側に溝状の通気路が形成され、乾燥部２０内の空気がこの通気路内に入り込むことにより、乾燥部２０内の空気が挿通口８４から不感脂化処理部１８内に入り込んでしまうのを防止している。
【００５１】
乾燥部２０内には、挿通口８４の近傍に、ＰＳ版１２を支持する支持ローラ８６が配設され、また、ＰＳ版１２の搬送方向の中央部及び、排出口８８の近傍には、搬送ローラ対９０及び搬送ローラ対９２が配設されている。ＰＳ版１２は、支持ローラ８６及び搬送ローラ対９０、９２によって乾燥部２０内を搬送される。
【００５２】
支持ローラ８６と搬送ローラ対９０との間、及び搬送ローラ対９０と搬送ローラ対９２との間には、ＰＳ版１２の搬送路を挟んで対でダクト９４、９６が配設されている。ダクト９４、９６は、長手方向がＰＳ版１２の幅方向に沿って配設されており、ＰＳ版１２の搬送路に対向する面にスリット孔９８が設けられている。
【００５３】
ダクト９４、９６は、図示しない乾燥風発生手段によって発生された乾燥風が、長手方向の一端側から供給されると、この乾燥風をスリット孔９８からＰＳ版１２の搬送路へ向けて吐出し、ＰＳ版１２に吹き付ける。これにより、ＰＳ版１２は、表裏面に塗布されているガム液が乾燥され、保護膜が形成される。
【００５４】
なお、現像部１４には、下面が現像槽２４に貯留される現像液の液面より下方となるように遮蔽蓋１００が配置され、現像槽２４内の現像液の液面が空気と接触する面積を狭めている。また、カバー３６の副挿入口（リエントリー用の挿入口）４０は、図示しない遮蔽部材によって閉塞されており、この遮蔽部材によって外気が現像部１４内に入り込むのを防止している。さらに、遮蔽蓋１００は、液面から突出するガイドローラ対４８及び搬送ローラ対５２の上側のローラとの間が狭められており、これにより、現像槽２４内の現像液が空気中の炭酸ガス等と接触してしまうことによる劣化を防止するようにしている。なお、遮蔽蓋１００及び処理タンク２２とガイドローラ対４８及び搬送ローラ対５２等の間にシリコンゴム等によって形成したブレード状の遮蔽部材を設けて、現像槽２４内の現像液が新鮮な外気と接触したり、現像液中の水分が蒸発してしまうのを防止してもよい。
【００５５】
このように構成されているプロセッサ１０では、図示しない焼付装置によって露光されることにより画像が記録されたＰＳ版１２が、挿入口３２から挿入されると、搬送ローラ対４２を回転駆動させる。これにより、ＰＳ版１２は、搬送ローラ対４２によって挟持されて、ＰＳ版プロセッサ１０内に引き入れられる。
【００５６】
なお、ＰＳ版プロセッサ１０では、挿入口３２の近傍に、挿入口３２を通過するＰＳ版１２を検出するセンサが設けられており、このセンサがＰＳ版１２の挿入を検出することにより、搬送ローラ対４２等の回転駆動を開始するとともに、このセンサによるＰＳ版１２の検出に基づいたタイミングで、水洗部１６のスプレーパイプ６６、６８からの水洗水の吐出及び不感脂化処理部１８のスプレーパイプ７２、７４からのガム液の吐出を行うようにしている。
【００５７】
搬送ローラ対４２は、挿入口３２から引き入れたＰＳ版１２を、水平方向に対して１５°〜３１°の範囲の挿入角度で、現像槽２４へ送り込む。これにより、ＰＳ版１２は、ガイド板４４、４６によって案内されながらガイドローラ対４８、搬送ローラ対５０、５２によって現像槽２４内を搬送されて、現像槽２４内に貯留されている現像液に浸漬され、１７°〜３１°の範囲の排出角度で、現像液中から送り出される。
【００５８】
ＰＳ版１２は、現像槽２４内で現像液に浸漬されることにより、露光画像に応じて不要な感光層が膨潤し、膨潤した感光層が支持体から除去される。このとき、ＰＳ版プロセッサ１０では、現像槽２４内に配置しているブラシローラ５８によってＰＳ版１２の表面（感光層側の面）をブラッシングすることにより、ＰＳ版１２の表面からの不要な感光層の除去を促進するようにしている。なお、ＰＳ版プロセッサ１０としては、複数のブラシローラを用いてＰＳ版１２の表面をブラッシングするものであってもよい。
【００５９】
現像処理が行われて、現像槽２４から送り出されるＰＳ版１２は、搬送ローラ対５２によって水洗部１６へ送られる。このとき、搬送ローラ対５２は、ＰＳ版１２の表裏面に付着している現像液を絞り落とす。
【００６０】
水洗部１６では、このＰＳ版１２を搬送ローラ対６２、６４によって挟持して略水平状態で搬送しながら、スプレーパイプ６６、６８から水洗水を噴出する。また、ＰＳ版１２の搬送方向の下流側に配置している搬送ローラ対６４は、ＰＳ版１２の表裏面に供給した水洗水を、搬送ローラ対５２によって絞り切れずに残った現像液とともに絞り落としながら、このＰＳ版１２を不感脂化処理部１８へ送り出す。
【００６１】
これにより、ＰＳ版１２は、水洗部１６を通過するときに、表裏面に残っている現像液が洗い落とされる。
【００６２】
不感脂化処理部１８へ送られたＰＳ版１２は、スプレーパイプ７２、７４の間を通過し、搬送ローラ対７０に挟持されることにより、この搬送ローラ対７０によって不感脂化処理部１８から送り出される。
【００６３】
このとき、不感脂化処理部１８では、スプレーパイプ７２、７４からガム液を吐出して、ＰＳ版１２の表裏面にガム液を拡散させながら均一に塗布する。搬送ローラ対７０は、ＰＳ版１２を挟持搬送して、余剰となったガム液をＰＳ版１２の表裏面から絞り落とすことにより、ＰＳ版１２の表裏面にガム液の均一な薄膜を形成する。
【００６４】
ガム液が塗布されたＰＳ版１２は、搬送ローラ対７０によって挿通口８４から乾燥部２０へ送り込まれる。なお、挿通口８４にシャッタを設けているときには、ＰＳ版１２の処理開始のタイミングないしＰＳ版１２が不感脂化処理部１８から送り出されるタイミングで、シャッタを作動させて、挿通口８４を開放し、ＰＳ版１２の非通過時に乾燥部２０の乾燥風が不必要に不感脂化処理部１８へ入り込んで、搬送ローラ対７０にガム液が固着してしまうのを防止すると共に、挿通口８４から空気が入り込み、現像部１４にまで及んで空気中の炭酸ガスにより現像液が劣化するのを防止したり、現像液中の水分や水洗水さらにガム液中の水分が蒸発して挿通口８４から出てしまうのを防止している。
【００６５】
乾燥部２０では、支持ローラ８６及び搬送ローラ対９０、９２によってＰＳ版１２を搬送しながら、ダクト９４、９６からこのＰＳ版１２の表裏面に乾燥風を吹き付ける。これにより、ＰＳ版１２は、表面に塗布されているガム液による保護膜が形成されて排出口８８から排出される。
【００６６】
ところで、ＰＳ版プロセッサ１０には、補充液補充機構が設けられており、ＰＳ版１２の処理量に応じた処理補充と共に、停止時間および稼動時間のそれぞれに応じた補充液の経時補充を行うことにより、現像槽２４内の現像液、水洗槽２６内の水洗水及び不感脂化処理槽２８内のガム液(不感脂化処理液)の処理性能を一定に維持している。
【００６７】
例えば、ＰＳ版プロセッサ１０では、挿入口３２から挿入されたＰＳ版１２を、図示しない版検出センサによって検出して、ＰＳ版１２の処理量(例えば処理面積)を算出し、この処理量が所定量に達する毎に、補充用現像液の原液（補充原液）と、この補充原液を所定比率で希釈する希釈水を補充液として現像槽２４内に補充する。
【００６８】
これにより、ＰＳ版プロセッサ１０では、ＰＳ版１２の現像処理によって現像液の処理性能が低下するのを防止するようにしている。なお、補充液の補充機構及び補充タイミングは、従来公知の任意の構成及び任意のタイミングで行うものであって良く、本実施の形態では、詳細な説明を省略する。
【００６９】
一方、ＰＳ版プロセッサ１０では、現像槽24内の現像液のインピーダンス値を測定して、このインピーダンス値から現像液の電導度値を演算し、現像槽２４内の現像液の電導度値が所定範囲を外れないように監視するようにしている。
【００７０】
ＰＳ版プロセッサ１０の現像部１４に設けられている循環ポンプ１０２には、一端が吸引側に接続している配管１０４の他端が、現像槽２４の底部に開口しており、吐出側に接続している配管１０６を介してスプレーパイプ５４、５６が接続している。
【００７１】
また、配管１０６には、分岐管１０８が接続しており、循環ポンプ１０２が作動して、現像槽２４内の現像液が循環されるときに、現像槽２４内の現像液が分岐管１０８に入り込むようになっている。
【００７２】
この分岐管１０８には、現像槽２４内の現像液の電導度値の演算に用いる電導度センサ１１０が設けられており、本実施の形態では、現像液を被測定液として、電導度センサ１１０によって現像液の電導度を検出するようにしている。
【００７３】
また、ＰＳ版プロセッサ１０には、現像槽２４へ現像液の補充液を補充する補充液補充機構が設けられており、ＰＳ版プロセッサ１０では、電導度センサ１１０によって計測した現像液の電導度に基づいて現像槽２４内の現像液に対する希釈水を補充することにより、現像槽２４内の現像液の電導度を所定範囲に維持して、現像槽２４内の現像液の電導度が所定範囲を外れてしまうことによる処理性能の変化を防止するようにしている。なお、電導度センサ１１０を用いた現像補充液の補充は、例えば、特開２０００１−２９０２４９号に開示されている補充方法を適用でき、本実施の形態では、詳細な説明を省略する。
【００７４】
図２には、現像液の電導度検出に好ましい電導度センサ１１０の一例を示している。この電導度センサ１１０は、一対の電極１１２と伝熱棒１１４を備えており、この一対の電極１１２と伝熱棒１１４がホルダ１１６に取り付けられている。
【００７５】
電極１１２のそれぞには、一端側にリード線１１８が接続し、この接続部分が熱収縮チューブ１２０によって被覆されている。また、電極１１２は、長手方向の中間部が、テフロン（Ｒ）チューブ１２２によって被覆されており、これにより、電極１１２は、長手方向の端部の一定の領域のみが検知部１２４として露出して現像液に触れるようにしている。
【００７６】
また、伝熱棒１１４には、長手方向の一端側に装着孔１２６が形成されており、この装着孔１２６内に温度検出用のサーミスタ（図示省略）が挿入されて装着されることにより、この装着孔１２６からサーミスタにつながった配線１２８が引出されている。
【００７７】
ホルダ１１６は、円柱状の軸部１３０とこの軸部１３０の一端側の接続部１３２によって形成されている。接続部１３２には、軸部１３０側に雄ネジが形成されており、軸部１３０を分岐管１０８（図１参照）へ挿入して、ネジ込むことにより、分岐管１０８に取り付けられる。
【００７８】
また、ホルダ１１６の接続部１３２内には、接続孔１３４が形成されており、この接続孔１３４の底部に、一対の電極１１２のそれぞれが挿入される挿入孔１３６、１３８と伝熱棒１１４が挿入される挿入孔１４０が形成されている。挿入孔１３６、１３８、１４０のそれぞれは、軸部１３０の軸線方向に沿って延設されて、軸部１３０の先端で開口している。
【００７９】
電極１１２及び伝熱棒１１４のそれぞれは、挿入孔１３６、１３８、１４０に挿入されてホルダ１１６に取り付けられることにより、挿入孔１３６．１３８、１４０内に入り込む現像液に浸漬される。
【００８０】
なお、電極１１２の挿入孔１３６、１３８は、軸部１３０の軸線と直交する方向に沿って穿設されている連通孔１４２によって連通されている。また、一対の電極１１２及び伝熱棒１１４には、シールリング１４４が取り付けられ、ホルダ１１６の接続孔１３４内に略円筒状のスペーサ１４６が挿入されて、キャップ１４８が取り付けられることにより、挿入孔１３６、１３８、１４０の上部と拡径部１２０の下部との間で、シールリング１４４を弾性変形させて、電極１１２及び伝熱棒１１４を確実に抑え込むと共に、挿入孔１３６、１３８、１４０から接続孔１３４内に現像液が漏れ込むのを確実に防止している。
【００８１】
また、スペーサ１４６には、引出し孔１４６Ａ、１４６Ｂ、１４６Ｃが形成され、キャップ１４８には、引出し孔１４８Ａが形成されており、この引出し孔１４６Ａ〜１４６Ｃ及び引出し孔１４８Ａからリード線１１８及び配線１２８が引出されるようになっている。
【００８２】
なお、電導度センサ１１０は、一例を示すものであり、本発明の構成を限定するものではなく、電導度センサとしては、これに限らず、従来公知の一般的構成のものを適用することができる。
【００８３】
一方、図３には、ＰＳ版プロセッサ１０に形成されている電導度測定装置１５０の概略構成を示している。電導度測定装置１５０は、前記した電導度センサ１１０と、計測部１５２、Ａ／Ｄ変換器１５４及びコントローラ１５６によって形成されている。
【００８４】
コントローラ１５６は、一般的構成のマイクロコンピュータ（マイコン、図示省略）を備えており、ＰＳ版プロセッサ１０では、一例として、ＰＳ版プロセッサ１０の作動を制御するコントローラを用いている。
【００８５】
計測部１５２は、正弦波発生回路１５８、定電流回路１６０、増幅回路１６２及びオフセット回路１６４を備えた一般的構成となっている。正弦波回路１５８は、所定周波数の正弦波を発生し、この正弦波が定電流回路１６０に入力される。定電流回路１６０は、この正弦波に合わせた電流を出力する。この定電流回路１６０の出力は、増幅回路１６２に入力されると共に、現像液中に浸漬される電導度センサ１１０の一対の電極１１２に供給される。
【００８６】
増幅回路１６２は、定電流回路１６０から出力される定電流が入力されると共に、一対の電極１１２の他方が接続しており、これにより、増幅回路１６２は、一対の電極１１２間の現像液のインピーダンス値に応じた電圧を増幅して出力する。
【００８７】
また、オフセット回路１６４には、可変抵抗器１６６が設けられており、増幅回路１６２の入力信号をオフセットするときのオフセット量を、可変抵抗器１６６によって調整可能となっている。
【００８８】
コントローラ１５６には、計測部１５２の出力がＡ／Ｄ変換器１５４によってデジタル変換（Ａ／Ｄ変換）されて入力される。すなわち、電導度測定装置１５０では、電導度センサ１１０を用いた測定値が計測部１５２から出力され、Ａ／Ｄ変換器１５４によってＡ／Ｄ変換されることにより、計測部１５２の出力値として、コントローラ１５６に入力される。
【００８９】
また、コントローラ１５６には、電導度センサ１１０に設けているサーミスタ（図示省略）からの配線１２８が接続しており、これにより、現像液の液温の検出が可能となっている。
【００９０】
一方、コントローラ１５６には、Ａ／Ｄ変換器１５４から出力される出力値と、現像液の液温に基づいて現像槽２４内の現像液の電導度値を演算する演算式が予め設定されており、コントローラ１５６は、Ａ／Ｄ変換器１５４からの出力値と現像液の液温から、現像槽２４内の現像液の電導度値を演算する。
【００９１】
コントローラ１５６に入力される出力値は、一対の電極１１２の間の現像液のインピーダンス値と、一対の電極１１２からＡ／Ｄ変換器１５４までの計測部１５２の回路特性によって変化する。
【００９２】
また、Ａ／Ｄ変換された電導度センサ１１０の出力値であるＡ／Ｄ変換器１５４の出力値Ｙ（digdt）、被測定液である現像液の液温Ｔｄ（°Ｃ）とすると、現像槽２４内の現像液の電導度値Ｌｒ（mＳ／ｃｍ）は、一般に、出力値Ｙ及び液温Ｔdの関数として表される。
【００９３】
Ｌｒ＝ｆ（Ｙ，Ｔｄ）
＝１＋Ｊ・１０００／（Ｒｔ・βｔ） ・・・（１）
（ただし、Ｊは電導度センサ１１０のセル定数）
ここで、Ｒｔは、被測定液である現像液に浸漬している一対の電極１１２の間のインピーダンス値であり、このインピーダンス値Ｒｔは、一対の電極１１２からＡ／Ｄ変換器１５４までの計測部１５２の回路特性に応じたものであり、また、βｔは、温度補正係数である。
【００９４】
また、現像液には、電導度に対する固有の定数及び液温に対する固有の定数がある。ここから、現像液の電導度に対する固有の定数を固有値Ｆ₁、現像液の液温に対する固有の定数を固有値Ｆ₂とすると、インピーダンス値Ｒｔ及び温度補正係数βｔは、例えば、
Ｒｔ＝（ａ＋ｂ・Ｙ／ｃ）・Ｆ₁／１００ ・・・（２）
βｔ＝Ｆ₂・Ｔｄ＋ｄ ・・・（３）
と表すことができる。このとき、ａ、ｂ、ｃ、ｄは、入力側の条件から定まる定数である。
【００９５】
一方、ＰＳ版１２の処理に用いる現像液は、現像槽２４に最初に投入する現像液（以下「仕込み液」とする）と、ＰＳ版１２の処理に応じて補充する補充液とでは、電導度は勿論、電導度及び液温に対する固有値Ｆ₁、Ｆ₂が異なることがある。
【００９６】
また、仕込み液と補充液で固有値Ｆ₁、Ｆ₂が異なると、現像槽２４に仕込み液を投入してから、ＰＳ版１２の処理に応じて補充液を補充することにより、現像槽２４内の現像液の電導度に対する固有値Ｆ₁及び現像液の液温に対する固有値Ｆ₂が変化する。
【００９７】
すなわち、現像槽２４内の仕込み液が補充液に置き換わった比率である液置換率に応じて、現像槽２４内の現像液の固有値Ｆ₁、Ｆ₂が変化する。
【００９８】
ここから、仕込み液の電導度に対する固有値Ｆｇ₁、補充液の電導度に対する固有値Ｆｈ₁、仕込み液の液温に対する固有値Ｆｇ₂、補充液の液温に対する固有値Ｆｈ₂とすると共に、仕込み液の残量Ｐ及び補充液の積算量Ｑとすると、定数Ｆ₁及び定数Ｆ₂は、
Ｆ₁＝（Ｆｇ₁・Ｐ＋Ｆｈ₁・Ｑ）／（Ｐ＋Ｑ） ・・・（４）
Ｆ₂＝（Ｆｇ₂・Ｐ＋Ｆｈ₂・Ｑ）／（Ｐ＋Ｑ） ・・・（５）
となる。
【００９９】
ここで、現像槽２４の容量Ｕ、補充液の補充回数をｎ回としたとき、ｎ回目の補充液の補充原液の補充量Ｒ(n)、ｎ回目の補充液の補充原液を所定の比率で希釈する希釈水の補充量Ｗ(n)及び補充液の置換率Ｘ(n)を設定したときに、補充液を仕込み液と同じ電導度とするための補充液の希釈率Ｚ₁、ｎ回目の補充液の実際の希釈率Ｚ₂(n)とすると、仕込み液の残量Ｐ及び補充液の積算量Ｑは、
Ｐ＝Ｕ・（１−Ｘ(n)） ・・・（６）
Ｑ＝Ｕ・Ｘ(n)・Ｚ₁／Ｚ₂(n) ・・・（７）
となる。このとき、
Ｘ(n)＝（Ｕ・Ｘ(n-1）＋Ｒ(n)＋Ｗ(n)）／（Ｕ＋Ｒ(n)＋Ｗ(n)）・・・（８）
Ｚ₂(n)＝（W(n)＋Ｕ・Ｘ(n-1)・Ｚ₂(n-1)／Ｚ₂(n-1)＋１））
／（Ｒ(n)＋Ｕ・Ｘ(n-1)／（Ｚ₂(n-1)＋１）） ・・・（９）
ただし、ｎ＝０のときの置換率Ｘ(0)、希釈率Ｚ₂(0)は、初期値であり、Ｘ(0)＝０、Ｚ２(0)は、予め設定している希釈率である。この希釈率Ｚ₂(n)は、補充原液に対する希釈水(希釈液)の量であり、例えば補充原液の量が１、希釈水の量が８であるときには、希釈率Ｚ₂(n)＝８となる。
【０１００】
ここから、コントローラ１５６では、現像槽２４へ補充液を補充する毎、補充液の補充量を積算すると共に、補充液の積算値に基づいて、現像槽２４内の現像液の電導度に対する定数Ｆ₁と現像液の液温に対する定数Ｆ₂を補正し、この補正結果に基づいて、現像槽２４内の現像液の電導度値を演算するようにしている。
【０１０１】
なお、電導度計測装置１５０は、既知の電導度の現像液を用いて、この現像液の電導度値を演算し、演算した電導度値が既知の現像液の電導度値となるように、上記演算式の各定数を補正し、この補正結果に基づいて、実際の電導度値の計測（演算）が行われるようにしている。
【０１０２】
ここで、具体例を示して電導度値の演算を説明する。
【０１０３】
以下で説明する具体例では、仕込み液の電導度に対する固有値Ｆｇ₁、補充液の電導度に対する固有値Fｈ₁、仕込み液の液温に対する固有値Ｆｇ₁、補充液の液温に対する固有値Ｆｈ₂をそれぞれ、以下の値とする。
【０１０４】
Ｆｇ₁＝１１０．８
Ｆｈ₁＝１００．０
Ｆｇ₂＝１８７×１０^-4
Ｆｈ₂＝２２５×１０^-4
このような電導度に対する固有値Ｆ₁（Ｆｇ₁、Ｆｇ₁）及び液温に対する固有値Ｆ₂（Ｆｇ₂、Ｆｈ₂）は、例えば原液１に対して希釈液（希釈水）８の比率で希釈した電導度が４９．０mS／cmの現像液（以下「現像液Ａ」とする）を例に説明すると、まず、固有値Ｆ₁、固有値Ｆ₂を、例えばＦ₁＝１００、Ｆ₂＝１９９×１０^-4などのように、任意の値に仮設定する。
【０１０５】
この後に、この現像液Ａを現像槽２４に入れて、液温２５°Ｃでの電導度値Ｌｒを測定する。このときの電導度値Ｌｒが５０．２mS／cmであったとする。
【０１０６】
次に、液温を３０°Ｃにして、この液温での電導度値Lｒを測定する。このときの電導度値Ｌｒが４９．８mS／cmであったとする。
【０１０７】
この後に、液温が２５°Cと３０°Cのそれぞれにおいて、電導度値Ｌｒが同じ値（例えば、４９．０mS／cm、４９．８mS／cm、５０．２mS／cm又はこれら以外の値の何れでも良い）となるように固有値Ｆ₂を決定する。
【０１０８】
これにより、固有値Ｆ₂として、
Ｆ₂＝１８７×１０^-4
が得られる。このときには、現像液Ａの電導度値Ｌｒは、液温にかかわらず、５４．３mS／cm等の一定の値になる。
【０１０９】
固有値Ｆ₁は、決定した固有値Ｆ₂によって定まる電導度値Ｌｒ（５４．３mS／cm）と実際の電導度（４９．０mS／cm）の差を合わせるように決定する。すなわち、現像液Ａの電導度は、基準電導度測定器で測定すると、４９．０mS／cmとなるので、この電導度と、先に決定した固有値Ｆ₂によって定まる電導度値（５４．３mS／cm）との比及び、仮設定した値（Ｆ₁＝１００）から、固有値Ｆ₁は、
Ｆ₁＝（５４．３／４９．０）×１００
＝１１０．８
となる。
【０１１０】
このようにして、仕込み液の電導度に対する固有値Ｆｇ₁、補充液の電導度に対する固有値Fｈ₁、仕込み液の液温に対する固有値Ｆｇ₁、補充液の液温に対する固有値Ｆｈ₂のそれぞれを求めることができる。
【０１１１】
また、現像槽２４の容量Ｕ、仕込み液と同等の電導度にしたときの補充液の希釈率Ｚ₁、希釈率Ｚ₂(n)の初期値Ｚ₂(0)のそれぞれが、以下である。
【０１１２】
Ｕ＝２０（ｌ）
Ｚ₁＝１３
Ｚ₂(0)＝６．５
また、置換率Ｘ(n)の初期値Ｘ(0)＝０であることから、現像槽２４への現像液の仕込み直後の仕込み液の残量Ｐ及び補充液の積算量Ｑは、（６）式及び（７）式から、
Ｐ＝２０×（１−０）＝２０
Ｑ＝２０×０×１３／６．５＝０
となり、ここから、現像槽２４内の現像液の電導度に対する固有値Ｆ₁及び液温に対する固有値Ｆ₂は、（４）式及び（５）式から、
Ｆ₁＝(１１０．８×２０＋１００．０×０)／(２０＋０)＝１１０．８
Ｆ₂＝(１８７×１０^-4×２０＋２２５×１０^-4×０)／(２０＋０)
＝１８７×１０^-4
となる。
【０１１３】
ここで、１回目の補充液として、補充原液の補充量Ｒ(1)＝０．１(ｌ)、希釈水の補充量Ｗ(1)＝０．７(ｌ)の補充を行うことにより、（８）式及び（９）式から、置換率Ｘ(n)及び希釈率Ｚ₂(n)は、
Ｘ(n)＝(１)
＝(２０×０＋０．１＋０．７)／(２０＋０．１＋０．７)
＝０．０３８４６
Ｚ₂(n)＝Ｚ₂(１)
＝(０．７＋２０×０×６．５)／(０．１＋２０×０／(６．５＋１))
＝７
となる。したがって、（６）式及び（７）式から、仕込み液の残量Ｐ及び補充液の積算量Ｑは、
Ｐ＝２０×(１−０．０３８４６)＝１９．２３
Ｑ＝２０×０．０３８４６×１３／７＝１．４２９
となり、現像槽２４内の現像液の固有値Ｆ₁、Ｆ₂は、（４）式及び（５）式より、
Ｆ₁＝(１１０．８×１９．２３＋１００．０×１．４２９)
／(１９．２３＋１．４２９)
＝１１０．１
Ｆ₂＝(１８７×１０^-4×１９．２３＋２２５×１０^-4×１．４２９)
／(１９．２３＋１．４２９)
＝１８９．６×１０^-4
となる。
【０１１４】
ここから、１回目の補充液の補充を行った後は、次の補充液の補充が行われるまで、この固有値Ｆ₁、Ｆ₂を用いて、電導度値の演算が行われる。
【０１１５】
一方、ｎ回目の補充液の補充が、Ｒ(ｎ)＝０．１(ｌ)、Ｗ(n)＝０．７５(ｌ)で、(ｎ−１)回目の補充後の置換率Ｘ(n-1)、補充液希釈率Ｚ₂(n-1)が、
Ｘ(n-1)＝０．６９０７
Ｚ₂(n-1)＝７．３１
であれば、置換率Ｘ(n)、補充液希釈率Ｚ₂(n)は、
Ｘ(n)＝０．７０３３
Ｚ₂(n)＝７．３２
となり、仕込み液の残量Ｐ及び補充液の積算量Ｑは、
Ｐ＝５．９３４
Ｑ＝２４．９８
となる。したがって、現像槽２４内の現像液の電導度に対する固有値Ｆ₁及び液温に対する固有値Ｆ₂は、
Ｆ₁＝１０２．１
Ｆ₂＝２１７．７×１０^-4
となる。
【０１１６】
図４（Ａ）には、補充液の補充回数ｎに対する現像槽２４内の現像液の電導度に対する固有値Ｆ₁の変化の概略を示している。また、図４（Ｂ）には、補充液の補充回数ｎに対する現像槽２４内の液温に対する固有値Ｆ₂の変化の概略を示している。
【０１１７】
なお、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）では、１回の補充液の補充原液の補充量Ｒ(n)、希釈水の補充量W(n)をそれぞれ、
Ｒ(n)＝０．１
W(n)＝０．７５
としている。また、仕込み液の電導度に対する固有値Ｆｇ₁、仕込み液の液温に対する固有値Ｆｇ₂、補充液の電導度に対する固有値Ｆｈ₁及び補充液の液温に対する固有値Ｆｈ₂のそれぞれを、
Ｆｇ₁＝１１０．８
Ｆｇ₂＝１８７×１０^-4
Ｆｈ₁＝１０３．０
Ｆｈ₂＝２１９．１０^-4
としている。
【０１１８】
電導度測定装置１５０のコントローラ１５６は、このようにして、補充液の補充に応じて現像槽２４内の現像液の電導度に対する固有値Ｆ₁及び液温に対する固有値Ｆ₂を演算し、この演算結果から、（１）式〜（３）式を用いて、現像槽２４内の現像液の電導度値Ｌｒを演算する。
【０１１９】
図５には、電導度が４６．０mS／cmのし込み液に、電導度が４８．５mS／cmの補充液を一定量ずつ補充する場合の、補充回数ｎに応じた電導度値Ｌｒの変化の概略を示している。
【０１２０】
なお、本発明における補充液の補充に応じた現像槽２４内の現像液の電導度に対する固有値F₁及び液温に対する固有値F₂を補正したときの電導度値Ｌｒの変化を実線で示しており、このときの電導度センサ１１０のセル定数a、b、ｃ、ｄのそれぞれを、
Ｊ＝１０
ａ＝９０
ｂ＝２９０
ｃ＝１０２３
ｄ＝０．５３２５
としている。また、従来例として、固有値Ｆ₁、Ｆ₂を固有値Ｆｇ₁、Ｆｇ₂として補正せずに演算した電導度値Ｌｒの変化を破線で示している。
【０１２１】
このような場合、現像液の固有値Ｆ₁、Ｆ₂を補正せずに、演算された電導度値Ｌｒは、実際よりも高めとなってしまう。このために、この電導度値Ｌｒに基づいて、現像槽２４内の現像液の電導度を管理すると、現像液の液活性が必要な液活性よりも低くなってしまう。なお、他の現像液の固有値Ｆ₁、Ｆ₂の場合、補正せずに演算した電導度値Ｌｒが、図５に示した例とは逆に実際より低めになることもある。このような場合は、現像槽２４内の現像液の液活性が必要な液活性よりも高くなってしまう。
【０１２２】
これに対して、現像槽２４への補充液の補充に応じて固有値Ｆ₁、Ｆ₂を適切に補正することにより、演算される電導度値Ｌｒを適正な値とすることができる。これにより、現像槽２４内の現像液の液活性を適正に保つことが可能となる。
【０１２３】
ＰＳ版プロセッサ１０では、稼動時間および停止時間に応じた補充液の経時補充及びＰＳ版１２の処理量に応じた補充液の処理補充を行いながら、予め設定されたタイミングで、現像槽２４内の現像液の電導度値Ｌｒを演算し、この電導度値Ｌｒが、予め設定している所定の範囲を越えたときに、現像槽２４内の現像液の電導度を低下させるように希釈水等を補充することにより、現像槽２４内の現像液を、ＰＳ版１２の処理に適正な液活性に維持することができるので、ＰＳ版１２を長期にわたって一定品質に仕上げることができる。
【０１２４】
なお、以上説明した本実施の形態は、本発明の構成を限定するものではない。例えば、本実施の形態では、一定量の補充液を補充するように説明したが、補充液量及び補充液の希釈率は、その都度異なるものであっても良い。
【０１２５】
また、現像槽２４内の現像液の電導度に基づいた補充液の補充方法は、本実施の形態に限るものではなく、例えば、予め設定した所定のタイミングで、現像槽２４内の現像液の電導度値Ｌｒを演算し、この電導度値Ｌｒが、予め設定した電導度よりも低下したときに、現像槽２４に補充液を補充するものであっても良い。
【０１２６】
また、以上説明した本実施の形態は、本発明の構成を限定するものではない。例えば、本実施の形態では、感光材料としてＰＳ版１２を処理するときのＰＳ版プロセッサ１０を例に、ＰＳ版プロセッサに用いられる現像液を被測定液の一例として用いて説明したが、本発明では、フィルムや印画紙等の感光材料を処理するプロセッサなど似用いられる任意の被測定液の電導度値の測定に適用することができる。
【０１２７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、最初に貯留槽に貯留する被測定液と、貯留槽に補充する補充液の間で、インピーダンスに対する固有値及び液温に対する固有値が異なっても、貯留槽内の被測定液の電導度を適正に求めることができる。
【０１２８】
これにより、例えば印刷版を現像処理する現像液の電導度の監視を行う時の電導度値の演算に適用することにより、現像槽内の現像液の液活性を常に一定に維持して、長期にわたって印刷版を一定品質に仕上げることが可能となるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に適用したＰＳ版プロセッサの概略構成図である。
【図２】ＰＳ版プロセッサに設けた電導度センサの一例を示す概略斜視図である。
【図３】電導度測定装置の概略構成を示すブロック図である。
【図４】（Ａ）は補充液の補充回数に応じた現像液の電導度に対する固有値Ｆ₁の変化の一例を示す線図、（Ｂ）補充液の補充回数に応じた現像液の液温に対する固有値Ｆ₂の変化の一例を示す線図である。
【図５】補充液の補充回数に応じた電導度値の変化の一例を示す線図である。
【符号の説明】
１０ ＰＳ版プロセッサ
１２ ＰＳ版
１４ 現像部
２４ 現像槽（貯留槽）
１０８ 分岐管
１１０ 電導度センサ
１１２ 電極
１１４ 伝熱棒（液温検出手段）
１５０ 電導度測定装置
１５２ 計測部
１５４ Ａ／Ｄ変換器
１５６ コントローラ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a method for measuring conductivity when measuring conductivity of a developer or the like stored in a processing tank.And a photosensitive material processing apparatus for processing the photosensitive material with a processing solution stored in the processing tankAbout.
[0002]
[Prior art]
In the photosensitive material processing apparatus, a printing plate developing apparatus (hereinafter referred to as “PS plate processor”) that develops a photosensitive lithographic printing plate (hereinafter referred to as “PS plate”) in which a photosensitive layer is provided on a support such as aluminum as a photosensitive material. And). In this PS plate processor, a developing process in which the PS plate is immersed in a developing solution, a washing process in which washing water is sprayed on the front and back surfaces of the PS plate after the developing process, and a front and back surfaces of the washed PS plate. A desensitization treatment process such as applying a desensitization treatment solution such as a gum solution to the desensitization treatment is provided, and the PS plate is immersed in the developer stored in the developing tank, The photosensitive layer that has become unnecessary due to image exposure is removed from the surface of the PS plate.
[0003]
At this time, some PS plate processors measure the conductivity of the developer, and based on the measurement result, keep the conductivity of the developer in a predetermined range so that the PS plate can be processed properly.
[0004]
By the way, the electrical conductivity is measured by immersing a pair of electrodes provided in the electrical conductivity sensor in a developing solution, and the voltage output from an electric circuit that outputs a voltage corresponding to the impedance value of the developing solution is converted into an A / D converter. This is implemented by calculating the output value that has been read into the controller via the A / D conversion and A / D converted. Further, since the conductivity of the developer changes depending on the solution temperature, the solution temperature of the developer is detected by a thermistor or the like, and the output value and the solution temperature from the conductivity sensor (A / D converter) are detected. Based on this, the conductivity is calculated.
[0005]
In general, the calculation of conductivity is performed by obtaining a specific constant of the developer, a specific constant of the measurement circuit from the pair of electrodes to the A / D converter in advance, setting an arithmetic expression, The output value and the liquid temperature are used.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the developer initially charged and stored in the developing tank and the replenisher replenished according to the area of the PS plate processed per unit time and the degree of deterioration of the developer over time are used for conductivity. In some cases, specific constants are different in the calculation. For this reason, if the replenisher is replenished as the PS plate is developed, the permissible range is exceeded between the conductivity value of the first charged developer and the actual conductivity value after replenishment. An error may occur.
[0007]
  The present invention has been made in view of the above facts,Processing tank such as developing tankWhen calculating the conductivity of the measured solution such as developer stored in theIsConductivity measurement method that can obtain proper conductivity even when replenishers with different intrinsic constants are replenishedAnd photosensitive material processing apparatusThe purpose is to propose.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
  The present invention for solving the above-described problems is measured by using a pair of electrodes and the liquid temperature of the liquid to be measured, which is measured by the liquid temperature detecting means, while replenishing the replenisher to the storage tank for storing the liquid to be measured. An electrical conductivity measurement method for calculating the electrical conductivity value of the liquid to be measured stored in the storage tank based on the impedance value of the liquid to be measured.ImpedanceOf the replenisher for replenishing the storage tank with the eigenvalue for the liquid temperature and the eigenvalue for the liquid temperature.ImpedanceIs corrected based on the eigenvalue for the liquid temperature and the eigenvalue for the liquid temperature, and the corrected eigenvalue is stored in the storage tank.ImpedanceAs the eigenvalue for the liquid and the eigenvalue for the liquid temperature, the conductivity value of the liquid to be measured stored in the storage tank is the liquid temperature measured by the liquid temperature detecting means and the impedance value measured by the pair of electrodes.PerformanceIt is characterized by calculating.
[0009]
  According to this invention, the liquid to be measured stored in the storage tankImpedanceMeasure the impedance value of the liquid to be measured with the liquid temperature and a pair of electrodes, using the eigenvalue that is an eigenvalue for the liquid temperature and the eigenvalue that is the eigenvalue for the liquid temperature. Calculate by calculation.
[0010]
  On the other hand, the liquid to be measured first stored in the storage tankImpedanceAnd the specific value for the liquid temperature and the replenisherImpedanceWhen the eigenvalue for the liquid temperature is different from the eigenvalue, the eigenvalue for the impedance and the liquid temperature of the liquid to be measured in the storage tank changes by replenishing the storage tank with the replenisher.
[0011]
  Here, when calculating the conductivity value of the liquid to be measured stored in the storage tank,ImpedanceBy correcting the eigenvalue for the liquid temperature and the eigenvalue for the replenisher liquid and the eigenvalue for the liquid temperature, it is possible to appropriately calculate the conductivity value of the liquid to be measured stored in the storage tank.
[0012]
In general, the conductivity value Lr (mS / cm) of the liquid to be measured is an output value Y (digdt) obtained by amplifying and A / D converting the impedance value measured using a pair of electrodes, and the liquid temperature Td ( From (C), it is expressed as a function of the output value Y and the liquid temperature Td.
[0013]
Lr = f (Y, Td)
Further, when the impedance value Rt of the liquid to be measured between the pair of electrodes and the temperature correction coefficient βt are set,

(However, cell constant J is a constant determined by a pair of electrodes)
The impedance value Rt is an eigenvalue F that is an eigenvalue for the conductivity of the liquid to be measured.₁The temperature correction coefficient βt is expressed by a function of the characteristic value Ft that is a characteristic value with respect to the liquid temperature of the liquid to be measured.₂It is expressed by the function of
[0014]
Rt = f₁(Y, F₁)
βt = f₂(F₂, Td)
From here, the conductivity value Lr is the output value Y, the liquid temperature Td, and the eigenvalue F.₁, F₂Obtained from.
[0015]
    Lr = f₀(Y, td, F₁, F₂)
  On the other hand, the liquid to be measured first stored in the storage tankImpedanceEigenvalue Fg for₁And eigenvalue Fg for liquid temperature₂Of the replenisher to replenish the storage tankImpedanceEigenvalue Fh for₁And eigenvalue Fh for liquid temperature₂Is different, the eigenvalue F of the liquid to be measured stored in the storage tank₁, F₂Changes as the replenisher is replenished.
[0016]
From here, eigenvalue Fg₁, Fg₂To the eigenvalue Fh₁, Fh₂Eigenvalue F obtained by correcting with₁, F₂By using, the conductivity value Lr of the liquid to be measured stored in the storage tank can be appropriately calculated.
[0017]
  In such a case, while the replenisher is replenished to the storage tank, a replacement rate, which is a ratio of the liquid to be measured first stored in the storage tank replaced with the replenisher replenished to the storage tank, is calculated. The replacement rate and the replenisherImpedanceOf the liquid to be measured stored in the storage tank by the eigenvalue for the liquid temperature and the eigenvalue for the liquid temperature.ImpedanceIt is preferable to correct the eigenvalue with respect to and the eigenvalue with respect to the liquid temperature.
[0018]
  According to this invention, the eigenvalue F of the liquid to be measured in the storage tank₁, F₂Changes depending on the amount of the replenisher in the storage tank, and therefore includes the replacement rate, which is the ratio of the liquid to be measured first stored in the storage tank replaced by the replenisher.ImpedanceAnd correct the eigenvalue for the liquid temperature. As a result, according to the replenishment amount of the replenisher, the liquid to be measured in the storage tankImpedanceAnd a characteristic value for the liquid temperature can be obtained.
[0019]
For example, the replacement rate X (n) when the replenisher is replenished n times is the replacement rate X (n-1) before the replenishment of the nth replenisher, the capacity U of the storage tank, this time (nth )), The replenishment amount S (n)
X (n) = (U · X (n-1) + S (n)) / (U + S (n))
It becomes. If the replenisher is a mixture of a replenisher stock solution and a diluent such as dilution water for diluting the replenisher stock solution, the replenisher replenishment amount R (n) and the replenisher replenishment amount W (n From)
S (n) = R (n) + W (n)
And
X (n) = (U · X (n-1) + R (n) + W (n)) / (U + R (n) + W (n))
It becomes. In addition, the dilution rate Z (n-1), which is the ratio of the diluted solution to the replenisher stock solution up to the previous replenishment, and the replenisher stock solution to have the same conductivity as the solution to be measured initially stored in the replenisher solution Dilution rate Z₁From the dilution ratio Z in the storage tank by this replenishment₂(n) is
Z₂(n) = (W (n) + U ・ X (n-1) ・ Z₂(n-1) / Z₂(n-1) +1))
/ (R (n) + U · X (n-1) / (Z₂(n-1) +1))
It becomes.
[0020]
In addition, the accumulated value Q of the remaining amount P of the liquid to be measured and the replenishment amount of the replenishment solution stored first is
P = U · (1-X (n))
Q = U ・ X (n) ・ Z₁/ Z₂(n)
From here, the eigenvalue F of the liquid to be measured stored in the storage tank₁, F₂Is
F₁= (Fg₁・ P + Fh₁・ Q) / (P + Q)
F₂= (Fg₂・ P + Fh₂・ Q) / (P + Q)
It can be.
[0021]
Thus, the eigenvalue F of the liquid to be measured stored in the storage tank₁, F₂And the corrected eigenvalue F₁, F₂By calculating the conductivity value using, an appropriate conductivity value corresponding to the replenishment status of the replenisher can be obtained.
[0022]
  Such a photosensitive material processing apparatus to which the present invention is applied is a photosensitive material for processing a photosensitive material with a processing solution stored in a processing tank while replenishing the processing replenisher to the processing tank storing the processing solution. A processing apparatus, a liquid temperature detecting means for detecting a liquid temperature of the processing liquid, and an electric conductivity sensor for measuring an impedance value of the processing liquid applied to the calculation of the electric conductivity of the processing liquid using a pair of electrodes, The characteristic value with respect to the impedance of the liquid to be measured first stored and the characteristic value with respect to the liquid temperature are corrected based on the characteristic value with respect to the impedance of the replenishing liquid to be replenished in the storage tank and the characteristic value with respect to the liquid temperature. The characteristic value for the impedance of the liquid to be measured stored in the storage tank and the characteristic value for the liquid temperature, and the conductivity value of the liquid to be measured stored in the storage tank A conductivity calculating means for calculating from the impedance value measured by the liquid temperature and the pair of electrodes was measured by means as long as it contains a.
  ThisFor example, by obtaining the conductivity value of the developing solution for developing the printing plate and monitoring this conductivity value, the liquid activity of the developing solution in the developing tank can be appropriately controlled, and printing can be performed over a long period of time. The plate can be finished to a certain quality.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a PS plate processor 10 applied to the present embodiment as an example of a photosensitive material processing apparatus. The PS plate processor 10 performs development processing of a photosensitive lithographic printing plate (hereinafter referred to as “PS plate 12”) that has been image-exposed by an exposure device (not shown). The PS plate 12 used as a photosensitive material has a thin rectangular plate such as an aluminum plate as a support, and a photosensitive layer is formed on the support. Further, as the PS plate 12, a photobonding layer, a photopolymerization layer, and an overcoat layer are stacked to form a photosensitive layer, and an image is exposed by laser light, thereby promoting a polymerization reaction in an image portion of the photopolymerization layer. It is also possible to apply a photopolymer plate or the like.
[0024]
The PS plate processor 10 includes a developing unit 14 for processing the PS plate 12 with a developer, a rinsing unit 16 for supplying rinsing water to the PS plate 12 processed with the developer and rinsing, and a PS plate after rinsing. A desensitizing treatment unit 18 for applying a gum solution for protecting the plate surface to the desensitizing treatment and a drying unit 20 for drying the PS plate 12 are disposed. That is, in the PS plate processor 10, a developing step, a water washing step, a desensitizing treatment step, and a drying step are sequentially arranged along the conveyance direction of the PS plate 12 (the direction of arrow A in FIG. 1).
[0025]
A processing tank 22 is provided in the PS plate processor 10. In the processing tank 22, a developing tank 24 is formed as a processing tank at a position that becomes the developing unit 14, and a washing tank 26 and a desensitizing processing tank 28 are formed at positions that become the washing unit 16 and the desensitizing processing unit 18. Has been. Further, in the processing tank 22, a space for the insertion section 34 is provided on the upstream side of the developing tank 24, and a space for the drying section 20 is provided on the downstream side of the desensitizing processing tank 28.
[0026]
A slit-like insertion port 32 is formed in the outer panel 30 covering the processing tank 22, and an insertion portion 34 is formed between the insertion port 32 and the developing unit 14.
[0027]
The PS plate processor 10 is provided with covers 36 and 38 that cover the upper part of the processing tank 22 and the upper part of the drying unit 20. The cover 36 on the insertion port 32 side covers the upper part of the washing unit 16 from the insertion part 34 of the processing tank 22, and the cover 38 is disposed so as to cover between the upper part of the washing unit 16 and the upper part of the drying unit 20.
[0028]
The cover 36 is provided with a reentry insertion port (sub-insertion port) 40 for inserting the PS plate 12 between the developing unit 14 and the water washing unit 16. The sub insertion port 40 is used for inserting the PS plate 12 when processing by the PS plate processor 10 excluding processing by the developing unit 14 is performed.
[0029]
A rubber conveyance roller pair 42 is disposed in the insertion portion 34 adjacent to the insertion port 32. The PS plate 12 on which the image has been baked is inserted between the conveyance roller pair 42 by being inserted along the direction of arrow A from the insertion port 32.
[0030]
The transport roller pair 42 is rotationally driven to feed the PS plate 12 into the developing unit 14 at an angle in a range of about 15 ° to 31 ° with respect to the horizontal direction while pulling the PS plate 12 from the insertion port 32. In the present embodiment, a single-sided PS plate 12 in which a photosensitive layer is formed on one surface of a support is used, and the PS plate 12 is inserted into the insertion port 32 with the photosensitive layer facing upward. It is inserted into the PS processor 10.
[0031]
The developing tank 24 formed in the processing tank 22 has a substantially mountain shape with the bottom center protruding downward, and stores a developing solution for developing the PS plate 12. In the developing tank 24, guide plates 44 and 46 are disposed along the bottom on the lower side along the conveying direction of the PS plate 12. Further, the developing tank 24 is provided with a pair of guide rollers 48 on the upstream portion (insertion portion 34 side), and a pair of conveyance rollers 50 and 52 on the midstream portion and the downstream portion (water washing portion 16 side). Yes.
[0032]
The PS plate 12 drawn from the insertion port 32 by the conveying roller pair 42 is sent between the guide roller pair 48, and the guide roller pair 48 guides the PS plate 12 into the developing tank 24.
[0033]
The guide plate 44 is disposed between the guide roller pair 48 and the conveying roller pair 50, and guides the PS plate 12 guided into the developing tank 24 by the guide roller pair 48 obliquely downward. The guide plate 46 is disposed between the pair of conveyance rollers 50 and 52 and guides the PS plate 12 obliquely upward along the bottom surface of the developing tank 24.
[0034]
The transport roller pair 50 is driven to rotate and feeds it toward the guide plate 46 while applying a transport force to the PS plate 12 guided by the guide plate 44. As a result, the PS plate 12 is immersed in the developer while being guided and conveyed in the developing tank 24 in a substantially U shape.
[0035]
The conveying roller pair 52 is formed, for example, by a rubber roller at the outer peripheral portion, and feeds the washing plate 16 while holding the PS plate 12 guided by the guide plate 46 and pulling it out from the developing tank 24. The PS plate 12 is immersed in a developer when transported in the developing tank 24 in this manner, and the photosensitive layer that has become unnecessary is removed by exposure.
[0036]
In the developing tank 24, spray pipes 54 and 56 are provided on the lower surface side of the guide plates 44 and 46. Each of the guide plates 44 and 46 has a large number of liquid passage holes (not shown).
[0037]
The developing solution in the developing tank 24 sucked by the circulation pump 102 is supplied to the spray pipes 54 and 56, and the developing solution in the developing tank 24 is ejected into the developing solution in the developing tank 24. The PS plate 12 can be uniformly processed. At this time, the developer flows from the liquid passage holes formed in the guide plates 44 and 46 to the transport path side of the PS plate 12, thereby preventing rapid development processing and processing unevenness of the PS plate 12. Yes.
[0038]
Further, a brush roller 58 and a guide roller 60 are provided in the developing tank 24 so as to face the guide plate 46. The brush roller 58 is brushed on the surface of the PS plate 12 by rotating while bringing the hair material into contact with the surface of the PS plate 12 conveyed on the guide plate 46 while being immersed in the developer. The unnecessary photosensitive layer is removed from the surface of the substrate. At this time, the guide roller 60 prevents the PS plate 12 brushed by the brush roller 58 from floating from the guide plate 46.
[0039]
The conveying roller pair 52 sandwiches the PS plate 12 fed out from the developing tank 24 and feeds the PS plate 12 to the water washing section 16 while squeezing down the developer adhering to the front and back surfaces of the PS plate 12.
[0040]
In the washing section 16, a conveyance path for conveying the PS plate 12 in a substantially horizontal state is formed by a pair of conveyance rollers 62 and 64 disposed above the washing tank 26, and the PS plate 12 includes the conveyance roller pair 62. , 64 and horizontally transported above the washing tank 26.
[0041]
In the water washing section 16, spray pipes 66 and 68 are provided between the pair of transport rollers 62 and 64, with the transport path of the PS plate 12 being sandwiched up and down. The spray pipes 66 and 68 are arranged in the axial direction along the width direction of the PS plate 12 (direction orthogonal to the transport direction), and a plurality of discharge holes (not shown) facing the transport path of the PS plate 12 are provided in the axial direction. It is formed along.
[0042]
Flushing water is stored in the flush tank 26, and the PS plate processor 10 supplies flush water to the spray pipes 66 and 68 in synchronization with the conveyance of the PS plate 12 by a water supply pump (not shown). As a result, flush water is ejected from the spray pipes 66 and 68 toward the PS plate 12 to wash away the developer adhering to the back surface of the PS plate 12.
[0043]
The washing water supplied to the PS plate 12 is squeezed from the PS plate 12 together with the developer adhering to the front and back surfaces of the PS plate 12 when the PS plate 12 is sandwiched between the conveying roller pair 64 and sent out. It is collected in the water washing tank 26. The spray direction of the flush water from the spray pipes 66 and 68 is such that the spray pipe 66 is on the upstream side in the transport direction of the PS plate 12 and the spray pipe 68 is on the downstream side in the transport direction of the PS plate 12, but is not limited thereto. It may be in another direction. Further, a new washing water solution is supplied to the washing tank 26 by means (not shown) according to the processing amount of the PS plate 12.
[0044]
The desensitizing treatment unit 18 is provided with a conveying roller pair 70 above the desensitizing treatment tank 28, and the PS plate 12 is conveyed to the conveying roller pair 70 by the conveying roller pair 64. After being transported in the fat treatment unit 18, the material is nipped by the transport roller pair 70 and sent toward the drying unit 20.
[0045]
In the desensitization processing unit 18, a spray pipe 72 is provided on the upper side of the conveyance path of the PS plate 12, and a spray pipe 74 is provided on the lower side of the conveyance path. The spray pipes 72 and 74 have a longitudinal direction (axial direction) along the width direction of the PS plate 12, and are arranged above and below the PS plate 12 conveyance path. A plurality of discharge holes are formed in the spray pipes 72 and 74 along the width direction of the PS plate 12.
[0046]
The desensitizing treatment tank 28 stores a gum solution used for protecting the plate surface of the PS plate 12, and this gum solution is supplied to the spray pipes 72 and 74 in synchronization with the conveyance of the PS plate 12. The spray pipe 72 drops this gum solution toward the PS plate 12 and spreads it on the surface of the PS plate 12 and applies it. The spray pipe 74 discharges the gum solution from the discharge hole toward the back surface of the PS plate 12 and applies the gum solution to the back surface of the PS plate 12.
[0047]
The PS plate 12 has a protective film formed by the gum solution applied to the front and back surfaces. The discharge direction of the gum solution from the spray pipe 72 is not limited to the downstream side in the transport direction of the PS plate 12, but may be another direction. A gum plate is provided and a gum solution ejected toward the current plate. May be applied to the surface of the PS plate 12 while being uniformly diffused along the width direction of the PS plate 12 with a current plate. Further, instead of the spray pipe 74, a discharge unit or the like for applying the gum solution to the back surface of the PS plate 12 by moving the PS plate 12 in contact with the discharged gum solution may be used.
[0048]
The desensitization processing unit 18 is provided with a cleaning spray 76 above the conveying roller pair 70 and a cleaning roller 78 that rotates while contacting the rollers above the conveying roller pair 70. At a predetermined timing, the cleaning water is dropped from the cleaning spray 76 to the contact position between the cleaning roller 78 and the roller above the conveying roller pair 70 via the rectifying plate 80, thereby supplying the cleaning water to the conveying roller pair 70. Is uniformly diffused on the peripheral surface of the upper roller, and the gum solution is washed away from the peripheral surfaces of the upper and lower rollers of the conveying roller pair 70, and the gum solution adheres to the peripheral surfaces of the rollers and damages the PS plate 12. I try to prevent it.
[0049]
The PS plate 12 to which the gum solution has been applied by the desensitization processing unit 18 is sandwiched between the conveying roller pair 70 and sent to the drying unit 20 with the gum solution remaining slightly on the front and back surfaces.
[0050]
In the PS plate processor 10, a partition plate 82 is provided between the desensitization processing unit 18 and the drying unit 20. The partition plate 82 is disposed above the conveyance path of the PS plate 12 so as to face the upper end of the processing tank 22, and thereby, a slit-like shape is provided between the desensitizing processing unit 18 and the drying unit 20. An insertion port 84 is formed. The partition plate 82 has a double structure, whereby a groove-like air passage is formed on the drying portion 20 side of the insertion opening 84, and the air in the drying portion 20 enters the air passage. Thus, the air in the drying unit 20 is prevented from entering the desensitizing processing unit 18 from the insertion port 84.
[0051]
In the drying unit 20, a support roller 86 for supporting the PS plate 12 is disposed in the vicinity of the insertion port 84, and in the vicinity of the central portion in the transport direction of the PS plate 12 and the discharge port 88. A roller pair 90 and a conveying roller pair 92 are disposed. The PS plate 12 is transported in the drying unit 20 by a support roller 86 and transport roller pairs 90 and 92.
[0052]
Ducts 94 and 96 are disposed between the support roller 86 and the conveyance roller pair 90 and between the conveyance roller pair 90 and the conveyance roller pair 92 in pairs with the conveyance path of the PS plate 12 interposed therebetween. The ducts 94 and 96 are disposed such that the longitudinal direction thereof is along the width direction of the PS plate 12, and a slit hole 98 is provided on a surface facing the conveyance path of the PS plate 12.
[0053]
The ducts 94 and 96 discharge the dry air from the slit hole 98 toward the conveying path of the PS plate 12 when the dry air generated by the dry air generating means (not shown) is supplied from one end side in the longitudinal direction. And spray on the PS plate 12. Thereby, as for PS plate 12, the gum liquid applied to the front and back is dried, and a protective film is formed.
[0054]
The developing unit 14 is provided with a shielding lid 100 such that the lower surface is below the level of the developer stored in the developer tank 24, and the level of the developer in the developer tank 24 is in contact with air. The area is narrowed. Further, the sub insertion port (reentry insertion port) 40 of the cover 36 is closed by a shielding member (not shown), and this shielding member prevents outside air from entering the developing unit 14. Further, the shielding lid 100 is narrowed between the guide roller pair 48 projecting from the liquid surface and the upper roller of the transport roller pair 52, so that the developer in the developing tank 24 is carbon dioxide gas in the air. Degradation due to contact with the like is prevented. A blade-shaped shielding member made of silicon rubber or the like is provided between the shielding lid 100 and the processing tank 22 and the guide roller pair 48 and the conveying roller pair 52, so that the developer in the developing tank 24 is fresh from the outside air. You may prevent contact and the evaporation of water in the developer.
[0055]
In the processor 10 configured as described above, when the PS plate 12 on which an image is recorded by being exposed by a printing apparatus (not shown) is inserted from the insertion port 32, the conveyance roller pair 42 is rotationally driven. As a result, the PS plate 12 is held between the pair of transport rollers 42 and drawn into the PS plate processor 10.
[0056]
In the PS plate processor 10, a sensor for detecting the PS plate 12 passing through the insertion port 32 is provided in the vicinity of the insertion port 32. The sensor detects the insertion of the PS plate 12, thereby conveying rollers. The rotation drive of the pair 42 and the like is started, and at the timing based on the detection of the PS plate 12 by this sensor, the washing water is discharged from the spray pipes 66 and 68 of the washing unit 16 and the spray pipe of the desensitizing processing unit 18 The gum solution is discharged from 72 and 74.
[0057]
The conveying roller pair 42 feeds the PS plate 12 drawn from the insertion port 32 to the developing tank 24 at an insertion angle in the range of 15 ° to 31 ° with respect to the horizontal direction. As a result, the PS plate 12 is transported in the developing tank 24 by the guide roller pair 48 and the transport roller pairs 50 and 52 while being guided by the guide plates 44 and 46, and becomes the developer stored in the developing tank 24. It is immersed and sent out from the developer at a discharge angle in the range of 17 ° to 31 °.
[0058]
The PS plate 12 is immersed in a developing solution in the developing tank 24, so that an unnecessary photosensitive layer swells according to the exposure image, and the swollen photosensitive layer is removed from the support. At this time, the PS plate processor 10 brushes the surface of the PS plate 12 (the surface on the photosensitive layer side) with the brush roller 58 arranged in the developing tank 24, thereby unnecessary exposure from the surface of the PS plate 12. It helps to remove the layer. The PS plate processor 10 may be one that brushes the surface of the PS plate 12 using a plurality of brush rollers.
[0059]
The PS plate 12 that has been subjected to the development process and is sent out from the developing tank 24 is sent to the water washing section 16 by the conveying roller pair 52. At this time, the transport roller pair 52 squeezes down the developer adhering to the front and back surfaces of the PS plate 12.
[0060]
In the washing unit 16, washing water is ejected from the spray pipes 66 and 68 while the PS plate 12 is nipped by the conveyance roller pairs 62 and 64 and conveyed in a substantially horizontal state. Further, the transport roller pair 64 arranged on the downstream side in the transport direction of the PS plate 12 squeezes the washing water supplied to the front and back surfaces of the PS plate 12 together with the developer remaining without being squeezed by the transport roller pair 52. While dropping, the PS plate 12 is sent to the desensitizing processing unit 18.
[0061]
Thereby, when the PS plate 12 passes through the water washing part 16, the developer remaining on the front and back surfaces is washed away.
[0062]
The PS plate 12 sent to the desensitizing processing unit 18 passes between the spray pipes 72 and 74 and is sandwiched between the conveying roller pair 70, so that the conveying roller pair 70 removes the desensitizing processing unit 18 from the desensitizing processing unit 18. Sent out.
[0063]
At this time, the desensitization processing unit 18 discharges the gum solution from the spray pipes 72 and 74 and uniformly applies the gum solution to the front and back surfaces of the PS plate 12 while diffusing. The conveyance roller pair 70 sandwiches and conveys the PS plate 12 and squeezes the excess gum solution from the front and back surfaces of the PS plate 12, thereby forming a uniform thin film of the gum solution on the front and back surfaces of the PS plate 12. .
[0064]
The PS plate 12 to which the gum solution is applied is sent to the drying unit 20 from the insertion port 84 by the conveying roller pair 70. In addition, when the shutter is provided in the insertion port 84, the insertion port 84 is opened by operating the shutter at the timing of starting the processing of the PS plate 12 or when the PS plate 12 is sent out from the desensitizing processing unit 18. When the PS plate 12 does not pass through, the drying air of the drying unit 20 unnecessarily enters the desensitizing processing unit 18 to prevent the gum solution from adhering to the conveying roller pair 70, and from the insertion port 84. Air enters the developing section 14 and prevents the developer from deteriorating due to carbon dioxide in the air, or moisture in the developer, washing water, and moisture in the gum solution evaporate from the insertion port 84. It prevents it from coming out.
[0065]
In the drying unit 20, drying air is blown from the ducts 94 and 96 to the front and back surfaces of the PS plate 12 while the PS plate 12 is conveyed by the support roller 86 and the conveying roller pair 90 and 92. As a result, the PS plate 12 is discharged from the discharge port 88 with a protective film formed by the gum solution applied to the surface.
[0066]
By the way, the PS plate processor 10 is provided with a replenisher replenishment mechanism, and performs replenishment of the replenisher over time according to each of the stop time and the operation time as well as processing replenishment according to the processing amount of the PS plate 12. Thus, the processing performance of the developing solution in the developing tank 24, the washing water in the washing tank 26, and the gum solution (desensitizing treatment liquid) in the desensitizing treatment tank 28 is maintained constant.
[0067]
For example, the PS plate processor 10 detects the PS plate 12 inserted from the insertion port 32 by a plate detection sensor (not shown), calculates the processing amount (for example, processing area) of the PS plate 12, and the processing amount is determined. Each time a fixed amount is reached, a replenishment developer stock solution (replenishment stock solution) and dilution water for diluting the replenishment stock solution at a predetermined ratio are replenished in the developing tank 24 as a replenisher solution.
[0068]
Thereby, the PS plate processor 10 prevents the processing performance of the developer from being deteriorated by the development processing of the PS plate 12. Note that the replenishment mechanism and replenishment timing of the replenisher may be performed with any conventionally known configuration and arbitrary timing, and detailed description thereof is omitted in the present embodiment.
[0069]
On the other hand, the PS plate processor 10 measures the impedance value of the developer in the developer tank 24, calculates the conductivity value of the developer from this impedance value, and the conductivity value of the developer in the developer tank 24 is predetermined. I try to keep it out of range.
[0070]
In the circulation pump 102 provided in the developing unit 14 of the PS plate processor 10, the other end of the pipe 104, one end of which is connected to the suction side, opens at the bottom of the developing tank 24 and is connected to the discharge side. The spray pipes 54 and 56 are connected through the pipe 106 that is connected.
[0071]
A branch pipe 108 is connected to the pipe 106, and when the circulation pump 102 is operated and the developer in the developer tank 24 is circulated, the developer in the developer tank 24 is supplied to the branch pipe 108. It has come in.
[0072]
The branch pipe 108 is provided with an electric conductivity sensor 110 used for calculation of the electric conductivity value of the developer in the developing tank 24. In this embodiment, the electric conductivity sensor 110 uses the developer as a solution to be measured. Thus, the conductivity of the developer is detected.
[0073]
Further, the PS plate processor 10 is provided with a replenisher replenishing mechanism for replenishing the developer tank 24 with the replenisher of the developer. The PS plate processor 10 determines the conductivity of the developer measured by the conductivity sensor 110. Based on this, by replenishing dilution water to the developer in the developer tank 24, the conductivity of the developer in the developer tank 24 is maintained within a predetermined range, and the conductivity of the developer in the developer tank 24 falls within the predetermined range. Changes in processing performance due to detachment are prevented. For replenishment of the development replenisher using the conductivity sensor 110, for example, a replenishment method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 20001-290249 can be applied, and detailed description thereof is omitted in this embodiment.
[0074]
FIG. 2 shows an example of a conductivity sensor 110 preferable for detecting the conductivity of the developer. The conductivity sensor 110 includes a pair of electrodes 112 and a heat transfer rod 114, and the pair of electrodes 112 and the heat transfer rod 114 are attached to a holder 116.
[0075]
A lead wire 118 is connected to one end side of each electrode 112, and this connection portion is covered with a heat shrinkable tube 120. Further, the electrode 112 is covered with a Teflon (R) tube 122 at the middle in the longitudinal direction, so that only a certain region of the end in the longitudinal direction is exposed as the detection unit 124. The developer is touched.
[0076]
In addition, the heat transfer rod 114 has a mounting hole 126 formed at one end in the longitudinal direction, and a temperature detection thermistor (not shown) is inserted into the mounting hole 126 and mounted. A wiring 128 connected to the thermistor is drawn out from the mounting hole 126.
[0077]
The holder 116 is formed by a cylindrical shaft portion 130 and a connection portion 132 on one end side of the shaft portion 130. The connecting portion 132 is formed with a male screw on the shaft portion 130 side, and is attached to the branch tube 108 by inserting the shaft portion 130 into the branch tube 108 (see FIG. 1) and screwing it.
[0078]
Further, a connection hole 134 is formed in the connection part 132 of the holder 116, and insertion holes 136 and 138 into which the pair of electrodes 112 are inserted and a heat transfer rod 114 are respectively inserted into the bottom part of the connection hole 134. An insertion hole 140 to be inserted is formed. Each of the insertion holes 136, 138, and 140 extends along the axial direction of the shaft portion 130 and opens at the tip of the shaft portion 130.
[0079]
Each of the electrode 112 and the heat transfer rod 114 is inserted into the insertion holes 136, 138, and 140 and attached to the holder 116, so that the electrode 112 and the heat transfer rod 114 are immersed in the developer that enters the insertion holes 136.
[0080]
The insertion holes 136 and 138 of the electrode 112 are communicated by a communication hole 142 that is formed along a direction orthogonal to the axis of the shaft portion 130. In addition, a seal ring 144 is attached to the pair of electrodes 112 and the heat transfer rod 114, a substantially cylindrical spacer 146 is inserted into the connection hole 134 of the holder 116, and a cap 148 is attached, thereby inserting the insertion hole. The seal ring 144 is elastically deformed between the upper part of 136, 138, 140 and the lower part of the enlarged diameter part 120, and the electrode 112 and the heat transfer rod 114 are securely suppressed and connected from the insertion holes 136, 138, 140. The developer is surely prevented from leaking into the hole 134.
[0081]
The spacer 146 has lead-out holes 146A, 146B, and 146C, and the cap 148 has lead-out holes 148A. Lead wires 118 and wirings 128 are formed from the lead-out holes 146A to 146C and the lead-out holes 148A. It has been drawn out.
[0082]
The conductivity sensor 110 is an example, and does not limit the configuration of the present invention. The conductivity sensor is not limited to this, and a conventionally known general configuration may be applied. it can.
[0083]
On the other hand, FIG. 3 shows a schematic configuration of the conductivity measuring device 150 formed in the PS plate processor 10. The conductivity measuring device 150 is formed by the above-described conductivity sensor 110, the measuring unit 152, the A / D converter 154, and the controller 156.
[0084]
The controller 156 includes a microcomputer (microcomputer, not shown) having a general configuration, and the PS processor 10 uses a controller for controlling the operation of the PS processor 10 as an example.
[0085]
The measurement unit 152 has a general configuration including a sine wave generation circuit 158, a constant current circuit 160, an amplification circuit 162, and an offset circuit 164. The sine wave circuit 158 generates a sine wave having a predetermined frequency, and this sine wave is input to the constant current circuit 160. The constant current circuit 160 outputs a current that matches the sine wave. The output of the constant current circuit 160 is input to the amplifier circuit 162 and supplied to the pair of electrodes 112 of the conductivity sensor 110 immersed in the developer.
[0086]
The amplifying circuit 162 receives the constant current output from the constant current circuit 160 and is connected to the other of the pair of electrodes 112, whereby the amplifying circuit 162 allows the developer between the pair of electrodes 112 to flow. Amplifies and outputs a voltage according to the impedance value.
[0087]
In addition, the offset circuit 164 is provided with a variable resistor 166, and an offset amount when the input signal of the amplifier circuit 162 is offset can be adjusted by the variable resistor 166.
[0088]
The controller 156 receives the output of the measurement unit 152 after being digitally converted (A / D converted) by the A / D converter 154. That is, in the conductivity measuring device 150, the measurement value using the conductivity sensor 110 is output from the measurement unit 152, and A / D converted by the A / D converter 154, so that the output value of the measurement unit 152 is Input to the controller 156.
[0089]
In addition, the controller 156 is connected to a wiring 128 from a thermistor (not shown) provided in the conductivity sensor 110, so that the liquid temperature of the developer can be detected.
[0090]
On the other hand, the controller 156 is preset with an arithmetic expression for calculating the electric conductivity value of the developing solution in the developing tank 24 based on the output value output from the A / D converter 154 and the temperature of the developing solution. The controller 156 calculates the electric conductivity value of the developer in the developing tank 24 from the output value from the A / D converter 154 and the temperature of the developer.
[0091]
The output value input to the controller 156 varies depending on the impedance value of the developer between the pair of electrodes 112 and the circuit characteristics of the measuring unit 152 from the pair of electrodes 112 to the A / D converter 154.
[0092]
Further, assuming that the output value Y (digdt) of the A / D converter 154, which is the output value of the conductivity sensor 110 after A / D conversion, and the liquid temperature Td (° C.) of the developer that is the liquid to be measured, development The conductivity value Lr (mS / cm) of the developer in the tank 24 is generally expressed as a function of the output value Y and the liquid temperature Td.
[0093]
Lr = f (Y, Td)
= 1 + J · 1000 / (Rt · βt) (1)
(Where J is the cell constant of the conductivity sensor 110)
Here, Rt is an impedance value between the pair of electrodes 112 immersed in the developer that is the liquid to be measured, and this impedance value Rt is measured from the pair of electrodes 112 to the A / D converter 154. This is in accordance with the circuit characteristics of the unit 152, and βt is a temperature correction coefficient.
[0094]
In addition, the developer has a specific constant for conductivity and a specific constant for liquid temperature. From here, the characteristic constant for the conductivity of the developer is expressed as the characteristic value F.₁, The characteristic constant F with respect to the developer temperature₂Then, the impedance value Rt and the temperature correction coefficient βt are, for example,
Rt = (a + b · Y / c) · F₁/ 100 (2)
βt = F₂・ Td + d (3)
It can be expressed as. At this time, a, b, c, and d are constants determined from the conditions on the input side.
[0095]
On the other hand, the developer used for the processing of the PS plate 12 is electrically conductive between the developer first charged in the developing tank 24 (hereinafter referred to as “charged solution”) and the replenisher replenished according to the processing of the PS plate 12. Eigenvalue F for conductivity and liquid temperature as well as degree₁, F₂May be different.
[0096]
In addition, the eigenvalue F of the charge liquid and the replenisher liquid₁, F₂Are different from each other, the charging solution is charged into the developing tank 24 and then the replenishing liquid is replenished in accordance with the processing of the PS plate 12, whereby the intrinsic value F for the conductivity of the developing liquid in the developing tank 24 is obtained.₁And the eigenvalue F with respect to the developer temperature₂Changes.
[0097]
That is, the eigenvalue F of the developer in the developer tank 24 is determined according to the liquid replacement rate, which is the ratio of the charged solution in the developer tank 24 replaced with the replenisher.₁, F₂Changes.
[0098]
From here, the eigenvalue Fg for the conductivity of the charged liquid₁, Eigenvalue Fh for the conductivity of the replenisher₁, Eigenvalue Fg to the liquid temperature of the charged liquid₂, Eigenvalue Fh for the liquid temperature of the replenisher₂In addition, if the remaining amount P of the charged solution and the integrated amount Q of the replenisher solution are given, a constant F₁And constant F₂Is
F₁= (Fg₁・ P + Fh₁・ Q) / (P + Q) (4)
F₂= (Fg₂・ P + Fh₂・ Q) / (P + Q) (5)
It becomes.
[0099]
Here, when the capacity U of the developing tank 24 and the replenisher replenishment number are n times, the replenishment amount R (n) of the replenisher stock solution of the nth replenisher solution and the replenisher stock solution of the nth replenisher solution are a predetermined ratio. When the replenishment amount W (n) for dilution water and the replacement rate X (n) of the replenisher are set, the replenisher dilute rate Z for making the replenisher have the same conductivity as the charged solution₁, The actual dilution rate Z of the nth replenisher₂Assuming that (n), the remaining amount P of the charged solution and the cumulative amount Q of the replenisher are:
P = U · (1−X (n)) (6)
Q = U ・ X (n) ・ Z₁/ Z₂(n) (7)
It becomes. At this time,
X (n) = (U · X (n-1) + R (n) + W (n)) / (U + R (n) + W (n)) (8)
Z₂(n) = (W (n) + U ・ X (n-1) ・ Z₂(n-1) / Z₂(n-1) +1))
/ (R (n) + U · X (n-1) / (Z₂(n-1) +1)) (9)
However, the substitution rate X (0) and the dilution rate Z when n = 0₂(0) is an initial value, X (0) = 0, and Z2 (0) is a preset dilution rate. This dilution ratio Z₂(n) is the amount of dilution water (dilution solution) relative to the replenishment stock solution. For example, when the amount of replenishment stock solution is 1 and the amount of dilution water is 8, the dilution rate Z₂(n) = 8.
[0100]
From here, the controller 156 integrates the replenisher replenishment amount each time the replenisher is replenished to the developing tank 24, and based on the accumulated value of the replenisher, the constant F for the conductivity of the developer in the developer tank 24 is calculated.₁And constant F with respect to developer temperature₂And the conductivity value of the developer in the developing tank 24 is calculated based on the correction result.
[0101]
The conductivity measuring device 150 calculates the conductivity value of the developer using a developer having a known conductivity, and the calculated conductivity value becomes the conductivity value of the known developer. Each constant of the above arithmetic expression is corrected, and based on the correction result, the actual conductivity value is measured (calculated).
[0102]
Here, the calculation of the conductivity value will be described with a specific example.
[0103]
In the specific example described below, the eigenvalue Fg with respect to the conductivity of the charged liquid.₁, Eigenvalue Fh for the conductivity of the replenisher₁, Eigenvalue Fg to the liquid temperature of the charged liquid₁, Eigenvalue Fh for the liquid temperature of the replenisher₂Are the following values.
[0104]
Fg₁= 110.8
Fh₁= 100.0
Fg₂= 187 × 10^-Four
Fh₂= 225 × 10^-Four
Eigenvalue F for such conductivity₁(Fg₁, Fg₁) And eigenvalue F for the liquid temperature₂(Fg₂, Fh₂For example, a developer having a conductivity of 49.0 mS / cm (hereinafter referred to as “developer A”) diluted at a ratio of diluent (diluted water) 8 to the stock solution 1 will be described as an example. Eigenvalue F₁, Eigenvalue F₂For example F₁= 100, F₂= 199 × 10^-FourFor example, temporarily set to an arbitrary value.
[0105]
Thereafter, the developer A is put in the developing tank 24, and the conductivity value Lr at a liquid temperature of 25 ° C. is measured. It is assumed that the conductivity value Lr at this time is 50.2 mS / cm.
[0106]
Next, the liquid temperature is set to 30 ° C., and the conductivity value Lr at this liquid temperature is measured. It is assumed that the conductivity value Lr at this time is 49.8 mS / cm.
[0107]
Thereafter, at the liquid temperatures of 25 ° C. and 30 ° C., the same conductivity value Lr (for example, 49.0 mS / cm, 49.8 mS / cm, 50.2 mS / cm or other values) Eigenvalue F so that it can be any)₂To decide.
[0108]
As a result, the eigenvalue F₂As
F₂= 187 × 10^-Four
Is obtained. At this time, the conductivity value Lr of the developer A is a constant value such as 54.3 mS / cm, regardless of the solution temperature.
[0109]
Eigenvalue F₁Is the determined eigenvalue F₂Is determined so as to match the difference between the conductivity value Lr (54.3 mS / cm) determined by the above and the actual conductivity (49.0 mS / cm). That is, the conductivity of the developer A is 49.0 mS / cm when measured with a reference conductivity measuring instrument, and this conductivity and the previously determined eigenvalue F₂The electrical conductivity value determined by the ratio (54.3 mS / cm) and the temporarily set value (F₁= 100), eigenvalue F₁Is
F₁= (54.3 / 49.0) x 100
= 110.8
It becomes.
[0110]
In this way, the eigenvalue Fg for the conductivity of the charged liquid₁, Eigenvalue Fh for the conductivity of the replenisher₁, Eigenvalue Fg to the liquid temperature of the charged liquid₁, Eigenvalue Fh for the liquid temperature of the replenisher₂Each can be determined.
[0111]
Further, the volume U of the developing tank 24 and the dilution rate Z of the replenisher when the conductivity is equal to that of the charged solution₁, Dilution rate Z₂Initial value Z of (n)₂Each of (0) is as follows.
[0112]
U = 20 (l)
Z₁= 13
Z₂(0) = 6.5
In addition, since the initial value X (0) = 0 of the replacement rate X (n) is 0, the remaining amount P of the charging solution immediately after the charging of the developing solution into the developing tank 24 and the cumulative amount Q of the replenishing solution are (6 ) And (7)
P = 20 × (1-0) = 20
Q = 20 × 0 × 13 / 6.5 = 0
From this, the eigenvalue F with respect to the conductivity of the developer in the developing tank 24₁And eigenvalue F for liquid temperature₂From the equations (4) and (5)
F₁= (110.8 × 20 + 100.0 × 0) / (20 + 0) = 110.8
F₂= (187 × 10^-Four× 20 + 225 × 10^-Four× 0) / (20 + 0)
= 187 × 10^-Four
It becomes.
[0113]
Here, as the first replenisher, the replenishment amount R (1) = 0.1 (l) of the replenishment stock solution and the replenishment amount W (1) = 0.7 (l) of the dilution water are performed. From the formulas (8) and (9), the substitution rate X (n) and the dilution rate Z₂(n) is
X (n) = (1)
= (20 × 0 + 0.1 + 0.7) / (20 + 0.1 + 0.7)
= 0.03846
Z₂(n) = Z₂(1)
= (0.7 + 20 × 0 × 6.5) / (0.1 + 20 × 0 / (6.5 + 1))
= 7
It becomes. Therefore, from the equations (6) and (7), the remaining amount P of the charged solution and the integrated amount Q of the replenisher are:
P = 20 × (1-0.03846) = 19.23
Q = 20 × 0.03846 × 13/7 = 1.429
And the intrinsic value F of the developer in the developing tank 24₁, F₂From the equations (4) and (5),
F₁= (110.8 x 19.23 + 100.0 x 1.429)
/(19.23+1.429)
= 110.1
F₂= (187 × 10^-Four× 19.23 + 225 × 10^-Four(X1.429)
/(19.23+1.429)
= 189.6 × 10^-Four
It becomes.
[0114]
From this point, after the first replenisher is replenished, this eigenvalue F is maintained until the next replenisher is replenished.₁, F₂Is used to calculate the conductivity value.
[0115]
On the other hand, the replenishment of the nth replenisher is R (n) = 0.1 (l), W (n) = 0.75 (l), and the replacement rate X (( n-1), replenisher dilution ratio Z₂(n-1) is
X (n-1) = 0.6907
Z₂(n-1) = 7.31
If so, substitution rate X (n), replenisher dilution rate Z₂(n) is
X (n) = 0.7033
Z₂(n) = 7.32
The remaining amount P of the charged solution and the cumulative amount Q of the replenisher are
P = 5.934
Q = 24.98
It becomes. Therefore, the eigenvalue F with respect to the electric conductivity of the developer in the developing tank 24.₁And eigenvalue F for liquid temperature₂Is
F₁= 102.1
F₂= 217.7 × 10^-Four
It becomes.
[0116]
FIG. 4A shows an eigenvalue F with respect to the electric conductivity of the developer in the developing tank 24 with respect to the replenishment number n of the replenisher.₁The outline of the change is shown. FIG. 4B shows an eigenvalue F with respect to the liquid temperature in the developing tank 24 with respect to the replenisher replenishment count n.₂The outline of the change is shown.
[0117]
In FIGS. 4 (A) and 4 (B), the replenishment amount R (n) of the replenishment stock solution for one replenisher and the replenishment amount W (n) of the dilution water are respectively
R (n) = 0.1
W (n) = 0.75
It is said. In addition, the eigenvalue Fg with respect to the conductivity of the charged liquid₁, Eigenvalue Fg to the liquid temperature of the charged liquid₂, Eigenvalue Fh for the conductivity of the replenisher₁And eigenvalue Fh for the liquid temperature of the replenisher₂Each of
Fg₁= 110.8
Fg₂= 187 × 10^-Four
Fh₁= 103.0
Fh₂= 219.10^-Four
It is said.
[0118]
In this way, the controller 156 of the conductivity measuring device 150 performs the eigenvalue F for the conductivity of the developer in the developing tank 24 in accordance with the replenishment of the replenisher.₁And eigenvalue F for liquid temperature₂From this calculation result, the electrical conductivity value Lr of the developer in the developing tank 24 is calculated using the equations (1) to (3).
[0119]
FIG. 5 shows an electrical conductivity value Lr corresponding to the number of times of replenishment n when a constant amount of replenisher having a conductivity of 48.5 mS / cm is replenished to the infusion solution having a conductivity of 46.0 mS / cm. The outline of the change is shown.
[0120]
Note that the eigenvalue F with respect to the electric conductivity of the developer in the developing tank 24 in accordance with the replenishment of the replenisher in the present invention.₁And eigenvalue F for liquid temperature₂The change in the electrical conductivity value Lr when correcting is shown by a solid line, and each of the cell constants a, b, c, d of the electrical conductivity sensor 110 at this time is expressed as follows:
J = 10
a = 90
b = 290
c = 1023
d = 0.5325
It is said. As a conventional example, the eigenvalue F₁, F₂Is the eigenvalue Fg₁, Fg₂The change in the conductivity value Lr calculated without correction is indicated by a broken line.
[0121]
In such a case, the eigenvalue F of the developer₁, F₂Without correcting the above, the calculated conductivity value Lr becomes higher than the actual value. For this reason, when the conductivity of the developer in the developing tank 24 is managed based on the conductivity value Lr, the liquid activity of the developer is lower than the required liquid activity. It should be noted that eigenvalue F of other developer₁, F₂In this case, the conductivity value Lr calculated without correction may be lower than the actual value, contrary to the example shown in FIG. In such a case, the liquid activity of the developer in the developing tank 24 becomes higher than the required liquid activity.
[0122]
On the other hand, the eigenvalue F according to the replenishment of the replenisher into the developing tank 24.₁, F₂Is appropriately corrected, the calculated conductivity value Lr can be set to an appropriate value. Thereby, the liquid activity of the developing solution in the developing tank 24 can be maintained appropriately.
[0123]
The PS plate processor 10 replenishes the replenisher over time according to the operation time and stop time and replenishes the replenisher according to the processing amount of the PS plate 12 at a preset timing. The conductivity value Lr of the developer is calculated, and when the conductivity value Lr exceeds a predetermined range set in advance, diluted water or the like is used so as to reduce the conductivity of the developer in the developer tank 24. Since the developer in the developing tank 24 can be maintained at a liquid activity appropriate for the processing of the PS plate 12, the PS plate 12 can be finished with a constant quality over a long period of time.
[0124]
In addition, this Embodiment demonstrated above does not limit the structure of this invention. For example, in the present embodiment, it has been described that a certain amount of replenisher is replenished, but the amount of replenisher and the dilution rate of the replenisher may be different each time.
[0125]
Further, the replenisher replenishing method based on the conductivity of the developer in the developer tank 24 is not limited to the present embodiment, and for example, the developer in the developer tank 24 at a predetermined timing set in advance. The conductivity value Lr may be calculated, and the replenisher may be replenished to the developing tank 24 when the conductivity value Lr falls below a preset conductivity.
[0126]
Further, the present embodiment described above does not limit the configuration of the present invention. For example, in the present embodiment, the PS plate processor 10 when processing the PS plate 12 as the photosensitive material has been described as an example, and the developer used in the PS plate processor has been described as an example of a solution to be measured. Then, the present invention can be applied to the measurement of the electric conductivity value of an arbitrary liquid to be used such as a processor for processing a photosensitive material such as a film or photographic paper.
[0127]
【The invention's effect】
  As described above, according to the present invention, between the liquid to be measured initially stored in the storage tank and the replenishment liquid to be replenished in the storage tank,ImpedanceEven if the eigenvalue with respect to and the eigenvalue with respect to the liquid temperature are different, the electric conductivity of the liquid to be measured in the storage tank can be determined appropriately.
[0128]
Thus, for example, by applying to the calculation of the conductivity value when the conductivity of the developer for developing the printing plate is monitored, the liquid activity of the developer in the developing tank is always kept constant, An excellent effect is obtained in that the printing plate can be finished with a constant quality.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a PS plate processor applied to the present embodiment.
FIG. 2 is a schematic perspective view showing an example of a conductivity sensor provided in the PS plate processor.
FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of a conductivity measuring device.
FIG. 4A is an eigenvalue F with respect to the electric conductivity of the developer according to the number of times the replenisher is replenished.₁(B) eigenvalue F with respect to the liquid temperature of the developer according to the number of times of replenisher replenishment₂It is a diagram which shows an example of a change of.
FIG. 5 is a diagram showing an example of a change in conductivity value according to the number of times of replenishment of the replenisher.
[Explanation of symbols]
10 PS version processor
12 PS version
14 Development section
24 Development tank (storage tank)
108 branch pipe
110 Conductivity sensor
112 electrodes
114 Heat transfer rod (liquid temperature detection means)
150 Conductivity measuring device
152 Measuring unit
154 A / D converter
156 controller

Claims (3)

Based on the liquid temperature of the liquid to be measured to be measured by the liquid temperature detection means and the impedance value of the liquid to be measured to be measured using a pair of electrodes while replenishing the replenisher to the storage tank for storing the liquid to be measured, An electrical conductivity measurement method for calculating an electrical conductivity value of a liquid to be measured stored in the storage tank,
Correcting the eigenvalue for the impedance of the liquid to be measured initially stored, the eigenvalue for the liquid temperature, based on the eigenvalue for the impedance of the replenisher liquid to be replenished in the storage tank, and the eigenvalue for the liquid temperature,
The corrected eigenvalue is set as the eigenvalue for the impedance of the liquid to be measured stored in the storage tank and the eigenvalue for the liquid temperature.
Wherein the electric conductivity value of the reservoir test liquid which is stored in, the conductivity, characterized in that the liquid impedance value or et arithmetic measured by the liquid temperature and the pair of electrodes measured by the temperature detecting means Measuring method. While replenishing the replenisher to the storage tank, a replacement rate, which is a ratio of the liquid to be measured first stored in the storage tank replaced by a replenisher replenished to the storage tank, is calculated. The conductivity according to claim 1, wherein the characteristic value for the impedance of the liquid to be measured and the characteristic value for the liquid temperature are corrected by the characteristic value for the impedance of the replenishing liquid and the characteristic value for the liquid temperature. Measuring method. A photosensitive material processing apparatus for processing a photosensitive material with a processing liquid stored in a processing tank while replenishing a processing replenisher to a processing tank storing a processing liquid,
A liquid temperature detecting means for detecting a liquid temperature of the treatment liquid;
An electrical conductivity sensor for measuring the impedance value of the treatment liquid applied to the calculation of the electrical conductivity of the treatment liquid using a pair of electrodes;
Correcting the eigenvalue for the impedance of the liquid to be measured initially stored, the eigenvalue for the liquid temperature based on the eigenvalue for the impedance of the replenisher liquid to be replenished to the storage tank, and the eigenvalue for the liquid temperature, The eigenvalue for the impedance of the liquid to be measured stored in the storage tank and the eigenvalue for the liquid temperature, and the liquid temperature obtained by measuring the conductivity value of the liquid to be measured stored in the storage tank by the liquid temperature detecting means and Conductivity calculating means for calculating from the impedance value measured by the pair of electrodes,
A photosensitive material processing apparatus.

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