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JP4055489B2 - Manufacturing method of superconducting thin film wire - Google Patents
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  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超電導薄膜線材の製造方法に関し、特に、多層積層して巻回するのに適した超電導薄膜線材の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
酸化物超電導線材は、液体窒素温度で超電導状態を示すことから、超電導ケーブルへの応用が期待され、その開発が進められている。この超電導ケーブルとして、図13に示すように、たとえばビスマス(Bi)系2223相の酸化物超電導体101が銀シース102によって被覆された線材(以下、Bi系銀シース超電導線材と称する)110を、フォーマ上にスパイラル状に多層積層したものがある。
【0003】
しかし、銀シース102を用いていることから、Bi系銀シース超電導線材110では線材コストの低減に限界がある。そこで、図14に示すように基板201上に超電導薄膜204を形成した超電導薄膜線材210を、フォーマ上にスパイラル状に多層積層した超電導ケーブルが用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この超電導薄膜線材210は、Bi系銀シース超電導線材110と構成が異なるため、超電導ケーブルを構成した場合に超電導薄膜204に傷が付き易いという問題点があった。以下、そのことを説明する。
【0005】
超電導ケーブルを構成した場合には、線材を多層積層する必要があるため、必然的に内周側の線材と外周側の線材とにこすれが生じる。Bi系銀シース超電導線材110では、図13に示すように線材外面の銀シース102が比較的柔らかいため、線材110同士がこすれても線材外面に傷は付きにくい。
【0006】
一方、超電導薄膜線材210では、図14に示すように硬い合金基板201上に10μm以下程度の薄い超電導薄膜204が形成された構成を有しており、線材210表面に基板201が剥き出しになる可能性がある。このため、図15に示すようにフォーマ220上に、超電導薄膜204を内周側として線材210を多層積層すると、内周側の線材210の基板201が外周側の線材210の超電導薄膜204にこすれる。これにより、図16に示すように超電導薄膜204の基板201とこすれる部分に傷が付き、この傷により超電導薄膜204の超電導特性が劣化する。
【0007】
それゆえ、本発明の目的は、超電導ケーブル導体としたときに線材外面に傷が付きにくく、それにより高い超電導特性を有する超電導薄膜線材の製造方法を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の超電導薄膜線材の製造方法は、基板と、基板の表面上に形成された超電導薄膜とを有する超電導薄膜線材の製造方法であって、超電導薄膜の厚みをtとしたときに、基板の裏面側のエッジに、厚みtよりも小さい曲率半径Rを有する角部がなくなるように面取り加工することを特徴とするものである。
【0015】
本発明の超電導薄膜線材の製造方法によれば、基板の裏面側エッジは、厚みtよりも小さい曲率半径Rを有する角部を有しない、つまり厚みt以上の曲率半径Rを有する角部を有しているため、その裏面側エッジはなだらかな形状となるように面取り加工が行なわれる。このため、そのなだらかな形状の裏面側エッジが、他の線材の超電導薄膜にこすれたとしても、超電導薄膜には傷が付きにくくなる。よって、超電導薄膜に傷が付くことによる超電導特性の劣化を抑制することができる。
【0016】
上記の超電導薄膜線材の製造方法において好ましくは、面取り加工は、超電導薄膜の形成前に、基板を所定の曲率半径部分をもつスリット歯を用いてスリット加工することにより行なわれる。
【0017】
これにより、スリット加工と同時に所定の曲率半径となるように加工することができるため、加工工程を簡便にすることができる。
【0018】
上記の超電導薄膜線材の製造方法において好ましくは、面取り加工は、超電導薄膜の形成前であって基板のスリット加工後に、基板を研磨加工することにより行なわれる。
【0019】
これにより、超電導薄膜の形成前に裏面側エッジを容易に所定の曲率半径とすることができる。
【0020】
上記の超電導薄膜線材の製造方法において好ましくは、面取り加工は、超電導薄膜の形成前であって基板のスリット加工後に、基板をロール圧延加工することにより行なわれる。
【0021】
これにより、超電導薄膜の形成後に裏面側エッジを容易に所定の曲率半径とすることができる。
【0022】
上記の超電導薄膜線材の製造方法において好ましくは、面取り加工は、超電導薄膜の形成後に、基板と超電導薄膜とにロール圧延加工をすることにより行なわれる。
【0023】
これにより、裏面側エッジを容易に所定の曲率半径とすることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
【0025】
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における超電導薄膜線材の構成を示す概略断面図である。図1を参照して、本実施の形態の超電導薄膜線材10は、たとえばニッケル(Ni)合金などの高強度材料よりなる基板1と、その基板1上に順に積層された中間層2、キャップ層3、超電導薄膜4および保護層5とを有している。
【0026】
基板1の裏面側のエッジには、超電導薄膜4の厚みをtとしたときに、その厚みtよりも小さい曲率半径Rを有する角部がない。つまり、基板1の裏面側のエッジは、超電導薄膜4の厚みt以上の曲率半径Rを有している。
【0027】
なお、以下においては中間層2、キャップ層3、超電導薄膜4および保護層5をまとめて超電導層6として説明する。しかし、この超電導層6には、超電導薄膜4が含まれていればよく、中間層2、キャップ層3および保護層5のいずれか若しくは全てがなくてもよい。
【0028】
次に、図1に示す超電導薄膜線材10を用いて構成される超電導ケーブル導体について説明する。
【0029】
図2は、フォーマに図1の超電導薄膜線材を巻回させる様子を示す概略斜視図である。また図3は本発明の実施の形態1における超電導ケーブル導体の構成を示す概略斜視図であり、図4は図3のIV−IV線に沿う概略断面図である。
【0030】
図2を参照して、超電導薄膜線材10が円筒状のフォーマ20の外周面にスパイラル状に巻回される。このようにして複数本の超電導薄膜線材10をフォーマ20上にスパイラル状に多層積層させることにより図3および図4に示す超電導ケーブル導体30が構成される。超電導薄膜線材10は、図5に示すように各超電導薄膜線材10の超電導層6が内周側に、基板1が外周側にそれぞれ位置するように多層積層される。なお、図5は図4の領域Pを拡大して示す概略断面図である。
【0031】
また、第1層10aは図中右巻き、第2層10bは図中左巻き、第3層10cは図中右巻き、第4層10dは図中左巻きというように、各層毎に交互に向きを変えて巻回されている。なお、この第1層10a〜第4層10dの巻回方向はこれに限定されるものではなく、如何なる方向に巻回されていてもよい。たとえば第1層10aおよび第2層10bが図中右巻きで、第3層10cおよび第4層10dが図中左巻きであってもよく、第1層10a〜第4層10dのすべてが同じ方向に巻回されていてもよい。
【0032】
本実施の形態によれば、基板1の裏面側エッジは、図1に示すように超電導薄膜4の厚みtよりも小さい曲率半径Rを有する角部を有しない、つまり厚みt以上の曲率半径Rを有する角部を有しているため、その裏面側エッジはなだらかな形状となる。このため、そのなだらかな形状の裏面側エッジが、図5に示すように他の線材10の超電導層6にこすれたとしても、超電導層6には傷が付きにくくなる。よって、超電導層6に傷が付くことによる超電導特性の劣化を抑制することができる。
【0033】
次に、本実施の形態の超電導薄膜線材の製造方法について説明する。
図6は、本発明の実施の形態1における超電導薄膜線材の第1の製造方法を示す概略断面図である。図6を参照して、基板1を準備する際には、基板1が所定の寸法になるようにスリット加工が施される。本方法では、このスリット加工において、所定の曲率半径部分40aをもつスリット歯40が用いられる。ここで、このスリット歯40の曲率半径部分40aの曲率半径は、超電導薄膜4の厚みt以上の曲率半径とされる。
【0034】
このようなスリット歯40を用いてスリット加工することにより、所定の寸法を有するとともに、裏面側のエッジ部に面取り加工を施された基板1を得ることができる。この面取り加工により、基板1の裏面側のエッジ部は、超電導薄膜4の厚みtよりも小さい曲率半径Rを有する角部を有しない、つまり超電導薄膜4の厚みt以上の曲率半径をもつ角部を有することとなる。この後、基板1の表面上に超電導層6を形成することにより、図1に示す超電導薄膜線材が製造される。
【0035】
この方法によれば、基板1のスリット加工と同時に面取り加工を施すことが可能となるため、加工工程を簡略化することができる。
【0036】
図7は、本発明の実施の形態1における超電導薄膜線材の第2の製造方法を示す概略断面図である。図7を参照して、基板1をスリット加工した後であって超電導層6を形成する前に、基板1の裏面側エッジ部に研磨シートによる研磨加工によって面取り加工が施される。この面取り加工により、基板1の裏面側のエッジ部は、超電導薄膜4の厚みtよりも小さい曲率半径Rを有する角部を有しない、つまり超電導薄膜4の厚みt以上の曲率半径をもつ角部を有することとなる。この後、基板1の表面上に超電導層6を形成することにより、図1に示す超電導薄膜線材が製造される。
【0037】
また、この研磨加工は、図8に示すように超電導層6が基板1の表面上に形成された後に行なわれてもよい。
【0038】
図9および図10は、本発明の実施の形態1における超電導薄膜線材の第4の製造方法を工程順に示す概略断面図である。まず図9を参照して、基板1の表面上に超電導層6が形成される。次に図10を参照して、基板の裏面エッジ部に、ロール圧延加工による曲げ加工を施すことにより面取りが行なわれる。この面取り加工により、基板1の裏面側のエッジ部は、超電導薄膜4の厚みtよりも小さい曲率半径Rを有する角部を有しない、つまり超電導薄膜4の厚みt以上の曲率半径をもつ角部を有することとなる。
【0039】
なお、図9、図10においては基板1の表面上に超電導層6が形成された後に、曲げ加工による面取り加工を施したが、基板1にロール圧延加工による曲げ加工で面取りが施された後に、超電導層6が形成されてもよい。
【0040】
(実施の形態2)
図11は本発明の実施の形態2における超電導ケーブル導体の構成を示す概略斜視図であり、図12は図11のXII−XII線に沿う概略断面図である。
【0041】
図11および図12を参照して、本実施の形態の超電導ケーブル導体30では、多層積層される超電導薄膜線材10の第1層10aと第2層10bとの間、第2層10bと第3層10cとの間、第3層10cと第4層10dとの間というように、各層の間にクッション層11が設けられていてもよい。クッション層11としては、20μm〜超電導薄膜線材厚みのクラフト紙を用いることが望ましい。
【0042】
本実施の形態では、クッション層11を設けたことにより、内周側の線材10の基板1と外周側の線材10の超電導層6とが直接接することが防止できる。このため、内周側の線材10の基板1が外周側の線材10の超電導層6をこすることにより超電導層6に傷が生じることは防止でき、それによる超電導特性の劣化も生じない。
【0043】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の超電導薄膜線材の製造方法によれば、基板の裏面側エッジは、厚みtよりも小さい曲率半径Rを有する角部を有しない、つまり厚みt以上の曲率半径Rを有する角部を有しているため、その裏面側エッジはなだらかな形状となる。このため、そのなだらかな形状の裏面側エッジが、他の線材の超電導薄膜にこすれたとしても、超電導薄膜には傷が付きにくくなる。よって、超電導薄膜に傷が付くことによる超電導特性の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1における超電導薄膜線材の構成を示す概略断面図である。
【図2】 フォーマに図1の超電導薄膜線材を巻回させる様子を示す概略斜視図である。
【図3】 本発明の実施の形態1における超電導ケーブル導体の構成を示す概略斜視図である。
【図4】 図3のIV−IV線に沿う概略断面図である。
【図5】 図4の領域Pを拡大して示す概略断面図である。
【図6】 本発明の実施の形態1における超電導薄膜線材の第1の製造方法を示す概略断面図である。
【図7】 本発明の実施の形態1における超電導薄膜線材の第2の製造方法を示す概略断面図である。
【図8】 本発明の実施の形態1における超電導薄膜線材の第3の製造方法を示す概略断面図である。
【図9】 本発明の実施の形態1における超電導薄膜線材の第4の製造方法の第1工程を示す概略断面図である。
【図10】 本発明の実施の形態1における超電導薄膜線材の第4の製造方法の第2工程を示す概略断面図である。
【図11】 本発明の実施の形態2における超電導ケーブル導体の構成を示す概略断面図である。
【図12】 本発明の実施の形態2における超電導ケーブル導体の構成を示す図11のXII−XII線に沿う概略断面図である。
【図13】 従来のBi系銀シース超電導線材の構成を示す概略断面図である。
【図14】 従来の超電導薄膜線材の構成を示す概略断面図である。
【図15】 従来の超電導薄膜線材を多層積層した様子を示す概略断面図である。
【図16】 従来の超電導薄膜線材の構成では、多層積層した場合に超電導層に傷が付きやすいことを説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
1 基板、2 中間層、3 キャップ層、4 超電導薄膜、5 保護層、6 超電導層、10 超電導薄膜線材、10a 第1層、10b 第2層、10c 第3層、10d 第4層、11 クッション層、20 フォーマ、30 超電導ケーブル導体、40 スリット歯、40a 曲率半径部分。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to the production how superconducting thin film wire, and in particular relates to the production how superconducting thin film wire suitable for winding and multilayered.
[0002]
[Prior art]
Since the oxide superconducting wire exhibits a superconducting state at a liquid nitrogen temperature, it is expected to be applied to a superconducting cable and is being developed. As this superconducting cable, as shown in FIG. 13, for example, a wire 110 (hereinafter referred to as a Bi-based silver sheath superconducting wire) 110 in which a bismuth (Bi) -based 2223 phase oxide superconductor 101 is covered with a silver sheath 102, There is a multi-layered spiral stack on the former.
[0003]
However, since the silver sheath 102 is used, the Bi-based silver sheath superconducting wire 110 has a limit in reducing the wire cost. Therefore, as shown in FIG. 14, a superconducting cable is used in which a superconducting thin film wire 210 having a superconducting thin film 204 formed on a substrate 201 is laminated in a spiral shape on a former.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, since the superconducting thin film wire 210 has a different configuration from the Bi-based silver sheath superconducting wire 110, there is a problem that the superconducting thin film 204 is easily damaged when a superconducting cable is formed. This will be described below.
[0005]
When the superconducting cable is configured, it is necessary to laminate the wire rods in a multilayer manner, so that the inner peripheral wire rod and the outer peripheral wire rod inevitably rub. In the Bi-based silver sheath superconducting wire 110, as shown in FIG. 13, since the silver sheath 102 on the outer surface of the wire is relatively soft, even if the wires 110 are rubbed with each other, the outer surface of the wire is hardly damaged.
[0006]
On the other hand, the superconducting thin film wire 210 has a configuration in which a thin superconducting thin film 204 of about 10 μm or less is formed on a hard alloy substrate 201 as shown in FIG. 14, and the substrate 201 can be exposed on the surface of the wire 210. There is sex. For this reason, as shown in FIG. 15, when the wire 210 is laminated on the former 220 with the superconducting thin film 204 as the inner peripheral side, the substrate 201 of the inner peripheral wire 210 is rubbed against the superconducting thin film 204 of the outer peripheral wire 210. . As a result, as shown in FIG. 16, the portion of the superconducting thin film 204 that rubs against the substrate 201 is scratched, and the superconducting characteristics of the superconducting thin film 204 deteriorate due to the scratch.
[0007]
It is therefore an object of the present invention is to provide a manufacturing how superconducting thin film wire having hardly scratch the wire outer surface, the thus high superconducting properties when the superconducting cable conductor.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
A method for producing a superconducting thin film wire according to the present invention is a method for producing a superconducting thin film wire having a substrate and a superconducting thin film formed on the surface of the substrate, wherein the thickness of the superconducting thin film is t. Chamfering is performed so that a corner having a radius of curvature R smaller than the thickness t is eliminated at the edge on the back surface side.
[0015]
According to the method for manufacturing a superconducting thin film wire of the present invention, the back side edge of the substrate does not have a corner having a radius of curvature R smaller than the thickness t, that is, has a corner having a radius of curvature R equal to or greater than the thickness t. Therefore, chamfering is performed so that the back side edge has a gentle shape. For this reason, even if the gently shaped back surface side edge is rubbed into the superconducting thin film of another wire, the superconducting thin film is hardly damaged. Therefore, it is possible to suppress deterioration of superconducting characteristics due to scratching on the superconducting thin film.
[0016]
Preferably, in the above method for manufacturing a superconducting thin film wire, the chamfering is performed by slitting the substrate using slit teeth having a predetermined radius of curvature before the formation of the superconducting thin film.
[0017]
Thereby, since it can process so that it may become a predetermined curvature radius simultaneously with slit processing, a manufacturing process can be simplified.
[0018]
Preferably, in the above method for producing a superconducting thin film wire, the chamfering is performed by polishing the substrate before the formation of the superconducting thin film and after the slit processing of the substrate.
[0019]
Thereby, the backside edge can be easily set to a predetermined radius of curvature before the formation of the superconducting thin film.
[0020]
Preferably, in the above-described superconducting thin film wire manufacturing method, the chamfering is performed by rolling the substrate before forming the superconducting thin film and after slitting the substrate.
[0021]
Thereby, a back surface side edge can be easily made into a predetermined curvature radius after formation of a superconducting thin film.
[0022]
Preferably, in the above method for manufacturing a superconducting thin film wire, the chamfering is performed by rolling the substrate and the superconducting thin film after the formation of the superconducting thin film.
[0023]
Thereby, a back surface side edge can be easily made into a predetermined curvature radius.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0025]
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the superconducting thin film wire according to Embodiment 1 of the present invention. Referring to FIG. 1, superconducting thin film wire 10 of the present embodiment includes a substrate 1 made of a high-strength material such as a nickel (Ni) alloy, an intermediate layer 2 and a cap layer that are sequentially laminated on the substrate 1. 3, a superconducting thin film 4 and a protective layer 5.
[0026]
The edge on the back surface side of the substrate 1 does not have a corner portion having a radius of curvature R smaller than the thickness t when the thickness of the superconducting thin film 4 is t. That is, the edge on the back surface side of the substrate 1 has a curvature radius R equal to or greater than the thickness t of the superconducting thin film 4.
[0027]
In the following description, the intermediate layer 2, the cap layer 3, the superconducting thin film 4 and the protective layer 5 are collectively described as the superconducting layer 6. However, the superconducting layer 6 only needs to include the superconducting thin film 4, and any or all of the intermediate layer 2, the cap layer 3, and the protective layer 5 may be omitted.
[0028]
Next, a superconducting cable conductor configured using the superconducting thin film wire 10 shown in FIG. 1 will be described.
[0029]
FIG. 2 is a schematic perspective view showing a state where the superconducting thin film wire of FIG. 1 is wound around the former. 3 is a schematic perspective view showing the configuration of the superconducting cable conductor according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG.
[0030]
With reference to FIG. 2, superconducting thin film wire 10 is spirally wound around the outer peripheral surface of cylindrical former 20. Thus, the superconducting cable conductor 30 shown in FIG. 3 and FIG. 4 is comprised by laminating | stacking a plurality of superconducting thin film wires 10 on the former 20 in a multilayered manner in a spiral shape. As shown in FIG. 5, the superconducting thin film wire 10 is laminated in multiple layers so that the superconducting layer 6 of each superconducting thin film wire 10 is positioned on the inner peripheral side and the substrate 1 is positioned on the outer peripheral side. FIG. 5 is an enlarged schematic cross-sectional view showing a region P in FIG.
[0031]
In addition, the first layer 10a turns right in the figure, the second layer 10b turns left in the figure, the third layer 10c turns right in the figure, and the fourth layer 10d turns left in the figure. It is wound in a different way. The winding direction of the first layer 10a to the fourth layer 10d is not limited to this, and may be wound in any direction. For example, the first layer 10a and the second layer 10b may be right-handed in the drawing, the third layer 10c and the fourth layer 10d may be left-handed in the drawing, and all of the first layer 10a to the fourth layer 10d are in the same direction. It may be wound around.
[0032]
According to the present embodiment, the back side edge of the substrate 1 does not have a corner having a radius of curvature R smaller than the thickness t of the superconducting thin film 4 as shown in FIG. 1, that is, a radius of curvature R equal to or greater than the thickness t. Therefore, the back side edge has a gentle shape. For this reason, even if the gently shaped back side edge is rubbed into the superconducting layer 6 of another wire 10 as shown in FIG. 5, the superconducting layer 6 is hardly damaged. Therefore, it is possible to suppress deterioration of the superconducting characteristics due to scratching on the superconducting layer 6.
[0033]
Next, a method for manufacturing the superconducting thin film wire of the present embodiment will be described.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a first method of manufacturing a superconducting thin film wire according to Embodiment 1 of the present invention. Referring to FIG. 6, when preparing substrate 1, slit processing is performed so that substrate 1 has a predetermined dimension. In this method, slit teeth 40 having a predetermined radius of curvature portion 40a are used in this slit processing. Here, the curvature radius of the curvature radius portion 40 a of the slit tooth 40 is a curvature radius equal to or greater than the thickness t of the superconducting thin film 4.
[0034]
By performing slit processing using such slit teeth 40, it is possible to obtain a substrate 1 having a predetermined dimension and having a chamfered finish on the edge portion on the back surface side. By this chamfering process, the edge portion on the back side of the substrate 1 does not have a corner portion having a radius of curvature R smaller than the thickness t of the superconducting thin film 4, that is, a corner portion having a radius of curvature equal to or greater than the thickness t of the superconducting thin film 4. It will have. Thereafter, the superconducting thin film wire shown in FIG. 1 is manufactured by forming the superconducting layer 6 on the surface of the substrate 1.
[0035]
According to this method, the chamfering process can be performed simultaneously with the slit process of the substrate 1, so that the processing process can be simplified.
[0036]
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a second manufacturing method of the superconducting thin film wire according to Embodiment 1 of the present invention. Referring to FIG. 7, after the substrate 1 is slit and before the superconducting layer 6 is formed, a chamfering process is performed on the back side edge portion of the substrate 1 by a polishing process using a polishing sheet. By this chamfering process, the edge portion on the back side of the substrate 1 does not have a corner portion having a radius of curvature R smaller than the thickness t of the superconducting thin film 4, that is, a corner portion having a radius of curvature equal to or greater than the thickness t of the superconducting thin film 4. It will have. Thereafter, the superconducting thin film wire shown in FIG. 1 is manufactured by forming the superconducting layer 6 on the surface of the substrate 1.
[0037]
Further, this polishing process may be performed after the superconducting layer 6 is formed on the surface of the substrate 1 as shown in FIG.
[0038]
9 and 10 are schematic cross-sectional views showing a fourth method of manufacturing a superconducting thin film wire according to Embodiment 1 of the present invention in the order of steps. First, referring to FIG. 9, superconducting layer 6 is formed on the surface of substrate 1. Next, referring to FIG. 10, chamfering is performed by bending the back surface edge portion of the substrate by roll rolling. By this chamfering process, the edge portion on the back side of the substrate 1 does not have a corner portion having a radius of curvature R smaller than the thickness t of the superconducting thin film 4, that is, a corner portion having a radius of curvature equal to or greater than the thickness t of the superconducting thin film 4. It will have.
[0039]
In FIGS. 9 and 10, the superconducting layer 6 is formed on the surface of the substrate 1 and then chamfered by bending. However, after the substrate 1 is chamfered by bending by roll rolling. The superconducting layer 6 may be formed.
[0040]
(Embodiment 2)
FIG. 11 is a schematic perspective view showing the configuration of the superconducting cable conductor according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 12 is a schematic cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG.
[0041]
Referring to FIGS. 11 and 12, in superconducting cable conductor 30 according to the present embodiment, second layer 10b and third layer 10b are arranged between first layer 10a and second layer 10b of superconducting thin film wire 10 that are multilayered. The cushion layer 11 may be provided between the layers, such as between the layer 10c and between the third layer 10c and the fourth layer 10d. As the cushion layer 11, it is desirable to use kraft paper having a thickness of 20 μm to a superconducting thin film wire.
[0042]
In the present embodiment, by providing the cushion layer 11, it is possible to prevent the substrate 1 of the inner peripheral wire 10 and the superconducting layer 6 of the outer peripheral wire 10 from being in direct contact with each other. For this reason, it is possible to prevent the superconducting layer 6 from being scratched by the substrate 1 of the inner peripheral side wire 10 being rubbed against the superconducting layer 6 of the outer peripheral side wire 10, and the superconducting characteristics are not deteriorated.
[0043]
The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
[0044]
【The invention's effect】
According to the manufacturing how superconducting thin film wire of the present invention as described above, the back surface side edge of the substrate does not have a corner having a small radius of curvature R than the thickness t, i.e. the thickness t or radius of curvature R Therefore, the back side edge has a gentle shape. For this reason, even if the gently shaped back surface side edge is rubbed into the superconducting thin film of another wire, the superconducting thin film is hardly damaged. Therefore, it is possible to suppress deterioration of superconducting characteristics due to scratching on the superconducting thin film.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a superconducting thin film wire according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a schematic perspective view showing a state in which the superconducting thin film wire of FIG. 1 is wound around a former.
FIG. 3 is a schematic perspective view showing a configuration of a superconducting cable conductor according to Embodiment 1 of the present invention.
4 is a schematic sectional view taken along line IV-IV in FIG.
5 is an enlarged schematic sectional view showing a region P in FIG.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a first manufacturing method of the superconducting thin film wire according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a second manufacturing method of the superconducting thin film wire according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a third method for manufacturing the superconducting thin film wire according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic cross sectional view showing a first step of a fourth method for manufacturing a superconducting thin film wire according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a schematic cross sectional view showing a second step of the fourth manufacturing method of the superconducting thin film wire according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a superconducting cable conductor according to Embodiment 2 of the present invention.
12 is a schematic cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. 11, showing the configuration of the superconducting cable conductor according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a conventional Bi-based silver sheath superconducting wire.
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a conventional superconducting thin film wire.
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing a state in which multi-layered conventional superconducting thin film wires are laminated.
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view for explaining that in the configuration of a conventional superconducting thin film wire, the superconducting layer is easily damaged when multilayered.
[Explanation of symbols]
1 substrate, 2 intermediate layer, 3 cap layer, 4 superconducting thin film, 5 protective layer, 6 superconducting layer, 10 superconducting thin film wire, 10a first layer, 10b second layer, 10c third layer, 10d fourth layer, 11 cushion Layer, 20 former, 30 superconducting cable conductor, 40 slit teeth, 40a radius of curvature.

Claims (5)

基板と、前記基板の表面上に形成された超電導薄膜とを有する超電導薄膜線材の製造方法であって、前記超電導薄膜の厚みをtとしたときに、前記基板の裏面側のエッジに、厚みtよりも小さい曲率半径Rを有する角部がなくなるように面取り加工することを特徴とする、超電導薄膜線材の製造方法。  A method of manufacturing a superconducting thin film wire having a substrate and a superconducting thin film formed on the surface of the substrate, wherein the thickness of the superconducting thin film is t, and the thickness t A method for producing a superconducting thin film wire, comprising chamfering so that a corner having a smaller radius of curvature R is eliminated. 前記面取り加工は、前記超電導薄膜の形成前に、所定の曲率半径部分をもつスリット歯を用いて前記基板をスリット加工することにより行なうことを特徴とする、請求項に記載の超電導薄膜線材の製造方法。2. The superconducting thin film wire according to claim 1 , wherein the chamfering is performed by slitting the substrate using slit teeth having a predetermined radius of curvature before the formation of the superconducting thin film. Production method. 前記面取り加工は、前記超電導薄膜の形成前であって前記基板のスリット加工後に、前記基板を研磨加工することにより行なうことを特徴とする、請求項に記載の超電導薄膜線材の製造方法。2. The method of manufacturing a superconducting thin film wire according to claim 1 , wherein the chamfering is performed by polishing the substrate before the formation of the superconducting thin film and after the slit processing of the substrate. 前記面取り加工は、前記超電導薄膜の形成前であって前記基板のスリット加工後に、前記基板をロール圧延加工することにより行なうことを特徴とする、請求項に記載の超電導薄膜線材の製造方法。2. The method of manufacturing a superconducting thin film wire according to claim 1 , wherein the chamfering is performed by rolling the substrate before the formation of the superconducting thin film and after the slit processing of the substrate. 前記面取り加工は、前記超電導薄膜の形成後に、前記基板と前記超電導薄膜とにロール圧延加工をすることにより行なうことを特徴とする、請求項に記載の超電導薄膜線材の製造方法。2. The method of manufacturing a superconducting thin film wire according to claim 1 , wherein the chamfering is performed by rolling the substrate and the superconducting thin film after forming the superconducting thin film.
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