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JP4056482B2 - Electrostatic machine and method of manufacturing the same - Google Patents
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Description

本発明は、一般には機械構造の製作に関し、具体的には別々に形成され、その後で、機械を形成するように選択されたスタック配列で積層された複数層の超小型構造を含む機械の製作に係わる。   The present invention relates generally to the fabrication of mechanical structures, and more particularly to the fabrication of machines comprising multiple layers of micro-structures formed separately and then stacked in a stack arrangement selected to form the machine. Related to.

マイクロマシン技術は急速に発展し続けているが、そのような機械は実際には一般にマイクロセンサとしてのみ使用されてきた。たとえば、機械的振動を検知して加速度を設定するシリコン・マイクロセンサ・チップがあり、圧力を測定するシリコン・ダイアフラム圧力センサと呼ばれるマイクロセンサもある。材料のイオン濃度、誘電特性、有機体蒸気濃度、気体濃度などを検知する化学センサもシリコン基板上に製作されている。   Although micromachine technology continues to evolve rapidly, such machines have in fact generally been used only as microsensors. For example, there is a silicon microsensor chip that detects mechanical vibration and sets acceleration, and there is also a microsensor called a silicon diaphragm pressure sensor that measures pressure. Chemical sensors that detect material ion concentration, dielectric properties, organic vapor concentration, gas concentration, and the like are also fabricated on a silicon substrate.

ダイアフラム及びマイクロブリッジなどの大部分の超小型構造は、比較的動かせない要素または部材を有する構造であった。しかし、最近、可動部材を有するマイクロアクチュエータの製作までマイクロマシン技術が広がっている。たとえば、両者とも「Electrostatic Micromotor」という名称である米国特許第4943750号及び第4997521号を参照されたい。   Most micro structures such as diaphragms and microbridges were structures with relatively immovable elements or members. Recently, however, micromachine technology has been extended to the production of microactuators having movable members. See, for example, US Pat. Nos. 4,943,750 and 4,997,521, both named “Electrostatic Micromotor”.

基本シリコン技術を使用して、機械として形成された多くの可動マイクロ物体をシリコン基板上に製作することができる。これらのマイクロマシンは、従来の大規模集積(LSI)処理または超大規模集積(VLSI)処理を用いて、単一の基板上に画定された超小型構造で構成される。残念ながら、既存のマイクロマシンの重大な欠点は、それらの素子がそれほど小型ではなく、実用的用途がほとんどないことである。たとえば、1マイクロメータ×0.1マイクロメータの静電モータは、恐らく他のマイクロマシン・ギヤ以外は何も駆動することができない。   Using basic silicon technology, many movable micro objects formed as machines can be fabricated on a silicon substrate. These micromachines are composed of micro structures defined on a single substrate using conventional large scale integration (LSI) or very large scale integration (VLSI) processing. Unfortunately, a significant drawback of existing micromachines is that they are not very small and have few practical applications. For example, a 1 micrometer × 0.1 micrometer electrostatic motor may not drive anything except perhaps other micromachine gears.

したがって、本発明は、マイクロマシン技術の実用化を追求する既存のマイクロマシン技術の新規の拡大である。本発明の目的は、マイクロマシン技術を用いて製作されるが、マイクロマシン技術で実施されるよりもかなり大きい、有用な仕事が可能な機械を提供することである。   Therefore, the present invention is a new extension of the existing micromachine technology that pursues the practical application of micromachine technology. It is an object of the present invention to provide a machine capable of useful work that is fabricated using micromachine technology, but much larger than that implemented with micromachine technology.

要約すると、本発明は主要な態様では、積層された複数の層で形成されたスタック構造を含む機械を開示する。このスタック構造は、スタック内の複数の層を含む層のうちの少なくとも1つの層の超小型構造から画定された可動部材を含む。具体的な例として、この機械は、固定子構造と、固定子を基準にして固定子に接触せずに動くように配置された回転子構造とを含むスタックを備えた静電モータを含むことができる。回転子構造は、スタックを含む複数の層内の少なくとも1つのマイクロマシン層の超小型構造から画定される。   In summary, the present invention, in a major aspect, discloses a machine that includes a stack structure formed of a plurality of stacked layers. The stack structure includes a movable member defined from a micro structure of at least one of the layers including a plurality of layers in the stack. As a specific example, the machine includes an electrostatic motor with a stack including a stator structure and a rotor structure arranged to move relative to the stator without contacting the stator. Can do. The rotor structure is defined from a micro structure of at least one micromachine layer in a plurality of layers including the stack.

他の態様では、本発明は、複数の基板を設けるステップと、少なくとも1つの穴が少なくとも1つの基板内に構造を画定する、少なくとも1枚の基板内に少なくとも1つの穴を形成するステップと、少なくとも1つの穴の少なくとも一部に犠牲材料を充填して、少なくとも1つの穴によって分離されている選択された構造を一時的に互いに固定するステップと、複数の基板を選択された配列で積み重ねてスタック構造を形成するステップと、前記穴によって基板内に画定された構造が前記スタック構造内に可動部材を含むようにして少なくとも1つの穴から犠牲材料を除去し、それによって機械を形成するステップとを含む機械製作方法を含む。   In another aspect, the invention provides providing a plurality of substrates, forming at least one hole in at least one substrate, wherein at least one hole defines a structure in at least one substrate; Filling at least a portion of at least one hole with a sacrificial material to temporarily secure selected structures separated by at least one hole, and stacking a plurality of substrates in a selected arrangement Forming a stack structure and removing a sacrificial material from at least one hole such that a structure defined in the substrate by the hole includes a movable member in the stack structure, thereby forming a machine. Includes machine fabrication methods.

他の態様では、穴が、選択された配列で基板を積み重ねたときに機械を製作する基板内の超小型構造を画定し、少なくとも2枚の基板のそれぞれの基板内に少なくとも1つの穴を形成するステップと、基板内の穴のうちの少なくともいくつかに犠牲材料を充填して穴によって分離されている選択された超小型構造を一時的に互いに固定するステップと、基板を選択された配列で積み重ねてスタックを形成するステップと、基板内の穴から犠牲材料を除去するステップとを含み、スタックを形成する少なくとも2枚の基板の積み重ねられた超小型構造によってスタック内に可動部材が画定され、それによって機械を形成する、機械製作方法を開示する。   In another aspect, the holes define a micro-structure in the substrate that makes up the machine when the substrates are stacked in a selected arrangement, forming at least one hole in each of the at least two substrates. At least some of the holes in the substrate are filled with a sacrificial material to temporarily secure selected micro structures separated by holes, and the substrate in a selected arrangement Stacking and forming a stack and removing sacrificial material from holes in the substrate, wherein the movable member is defined in the stack by a stacked micro-structure of at least two substrates forming the stack; Disclosed is a method of making a machine thereby forming a machine.

本明細書では、静電機械、特に静電モータを参照しながら説明するが、当業者なら、提示されている概念が1つまたは複数の可動部材を有する多種多様な機械の製作にも等しく適用可能であるものと理解されよう。概念的には、本発明は、一連のマスクを使用して、後で選択された配列で組み立てられる基板またはウエハ上に層またはスライスを画定して、機械を含むスタックを形成する。スタックが形成されるまで、犠牲層によって可動部材を層内で一時的に保持する。機械をスタックとして製作することによって、マイクロメータからミリメータ、センチメータまでの寸法を持つ機械を実現することができる。本質的には、提示されている概念によって、マクロ(センチメータ)の大きさの機械とミクロの大きさの機械の間の既存の間隙を満たす大きさの機械を製作することが可能である。   Although described herein with reference to electrostatic machines, particularly electrostatic motors, those skilled in the art will equally appreciate that the concepts presented are equally applicable to the fabrication of a wide variety of machines having one or more movable members. It will be understood that it is possible. Conceptually, the present invention uses a series of masks to define layers or slices on a substrate or wafer that are subsequently assembled in a selected arrangement to form a stack containing machines. The movable member is temporarily held in the layer by the sacrificial layer until the stack is formed. By manufacturing the machine as a stack, machines with dimensions from micrometers to millimeters and centimeters can be realized. In essence, the proposed concept makes it possible to produce a machine that is sized to fill an existing gap between a macro (centimeter) sized machine and a micro sized machine.

さらに、本明細書で提示されている技法を使用して、多様な機械を構築することができる。たとえば、スタックの個々の層がそれぞれ異なるマイクロマシン構造を含むことができる。または、同じ構造を含む場合には、それらの構造を異なる大きさまたは形状あるいはその両方とすることができる。たとえば、本明細書で提示されている層化手法を使用して、西洋梨形の回転子を放射状に構想し、構築することができる。本明細書の基本概念を用いて行えることにはほとんど制限がない。   In addition, a variety of machines can be constructed using the techniques presented herein. For example, each individual layer of the stack can include a different micromachine structure. Alternatively, if the same structure is included, the structures can have different sizes and / or shapes. For example, pear-shaped rotors can be conceived and constructed in a radial fashion using the stratification approach presented herein. There is almost no limit to what can be done using the basic concepts herein.

図1及び図2に、基板12内に部分的に画定されたマイクロマシン層(一般的に10で示す)の1つの実施例を示す。層10は、第1のマスク13(点線で図示されている)を使用してパターン形成された、基板12内の穴または溝14によって画定されている。マイクロマシン層は、固定子構造16と回転子構造18を含む。この実施例では、マスク13は基板内に、ハブ22を画定する第2の穴20も形成する。最終的に固定子構造16に当技術分野で周知の方式で適切な電位を加えると、このハブを中心にして回転子構造18が回転する。したがって、マイクロマシン層10は静電マイクロモータを含む。静電マイクロモータは超大規模集積(VLSI)技法を使用して画定されることが好ましい。穴14及び20によって画定された基板構造(16、18、20)を、本明細書ではマイクロマシン層10内の「超小型構造」と呼ぶ。また、この実施例ではマイクロマシン内で回転子18のみが可動部材を構成することになることにも留意されたい。   FIGS. 1 and 2 illustrate one embodiment of a micromachine layer (generally indicated at 10) partially defined in the substrate 12. Layer 10 is defined by holes or grooves 14 in substrate 12 that are patterned using first mask 13 (shown in dotted lines). The micromachine layer includes a stator structure 16 and a rotor structure 18. In this embodiment, the mask 13 also forms a second hole 20 in the substrate that defines the hub 22. Finally, when an appropriate potential is applied to the stator structure 16 in a manner well known in the art, the rotor structure 18 rotates about the hub. Therefore, the micromachine layer 10 includes an electrostatic micromotor. The electrostatic micromotor is preferably defined using very large scale integration (VLSI) techniques. The substrate structure (16, 18, 20) defined by the holes 14 and 20 is referred to herein as an “microstructure” within the micromachine layer 10. It should also be noted that in this embodiment, only the rotor 18 constitutes a movable member in the micromachine.

一例として、基板12は、方向性ウェット・エッチングを用いて穴を形成することができるように結晶学的に配向されたシリコン基板またはシリコン・ウエハを含むことができる。穴14及び20は、基板12の少なくとも半分まで通るように時間エッチングされることが好ましい。したがって、所望の深さを実現するようにウェット・エッチングすることが必要である。シリコンのウェット・エッチングは当技術分野で周知である。たとえば、「Accelerated Etching of Silicon in Anisotropic Ethylene Diamine−Water-Pyrazine-Pyrocathecol Bath」、IBMテクニカル・ディスクロージャ・ブルテン(Vol.31, No. 7, 1988年12月)に記載されているその一形態を参照されたい。   As an example, the substrate 12 can comprise a crystallographically oriented silicon substrate or silicon wafer so that holes can be formed using directional wet etching. Holes 14 and 20 are preferably time etched to pass through at least half of substrate 12. It is therefore necessary to wet etch to achieve the desired depth. Silicon wet etching is well known in the art. For example, refer to the form described in "Accelerated Etching of Silicon in Anisotropic Ethylene Diamine-Water-Pyrazine-Pyrocathecol Bath", IBM Technical Disclosure Bulletin (Vol.31, No. 7, December 1988) I want to be.

本発明によると、次に犠牲層24(図3)を基板12の上面15の上に共形に付着させ、穴14及び20が上面15と交わるようにする。穴を充填した後、犠牲材料が穴14及び20の中にのみ残るように任意の適切な方法で犠牲層24を元通りに同一平面化する。適切な犠牲材料には、ポリイミド、パラリエン(paralyene)、窒化物、または酸化物などの材料だけでなく、ある種の金属及び多結晶材料も含まれる。材料の必要条件は、選定された犠牲材料がウェット槽内できれいに除去されなければならないと同時に、シリコン基板またはその中に形成された超小型構造(たとえば固定子、回転子、ハブ)がエッチングされてはならないということである。図1には図示されていないが、当業者なら、回転子18の方に向いていない各固定子構造16の3つの面を、固い取り外し不能絶縁層を介して基板12から離隔することができることがわかるであろう。この絶縁層は、穴の残り部分を充填する犠牲材料とは異なる材料を含むことになることは明らかである。   In accordance with the present invention, sacrificial layer 24 (FIG. 3) is then conformally deposited on top surface 15 of substrate 12 such that holes 14 and 20 meet top surface 15. After filling the holes, the sacrificial layer 24 is re-planarized in any suitable manner so that the sacrificial material remains only in the holes 14 and 20. Suitable sacrificial materials include certain metals and polycrystalline materials as well as materials such as polyimide, paralyene, nitride, or oxide. The material requirement is that the selected sacrificial material must be cleanly removed in the wet bath, while the silicon substrate or the micro structure formed therein (eg, stator, rotor, hub) is etched. It must not be. Although not shown in FIG. 1, those skilled in the art are able to separate the three faces of each stator structure 16 that are not facing toward the rotor 18 from the substrate 12 via a hard non-removable insulating layer. You will understand. Obviously, this insulating layer will comprise a different material than the sacrificial material that fills the remainder of the hole.

次に、基板12の下面が最上部になるように基板12を裏返し、図1〜図3の処理を繰り返す。具体的には、基板12の上面17に第2のマスク26を形成し、第1の穴28と第2の穴30によってパターン形成する。これらの穴は、基板12上にすでに形成されている上面15と交わる穴または溝と位置合わせされるように配置する。赤外線を使用して、第2のマスクの穴を、基板12内にすでに形成済みの穴と位置合わせすることができる。この第2のエッチング操作の場合は充填された穴がエッチ・ストップの役割を果たすため、面17から基板12内への穴のエッチングは非時限式に進めることができる。次に、面17と交わる穴に、面15と交わる穴の充填に使用したもののような犠牲材料を充填する。その結果、充填されたスルーホールまたは穴14'及び20'が、基板またはウエハの主平面15と17の間に延びることになる。これらの穴内に付着させた犠牲材料は、回転子、ハブ、及び固定子構造を固定した位置関係に保持することに留意されたい。この材料をこの時点で除去したとすれば、ハブと回転子が基板から分離されることになる。構築する機械に合わせて、穴14'及び20'内で取り外し不能絶縁材料を選択的に使用することができることにも留意されたい。   Next, the substrate 12 is turned over so that the lower surface of the substrate 12 is at the top, and the processes of FIGS. 1 to 3 are repeated. Specifically, a second mask 26 is formed on the upper surface 17 of the substrate 12, and a pattern is formed by the first hole 28 and the second hole 30. These holes are arranged so as to be aligned with holes or grooves that intersect the upper surface 15 already formed on the substrate 12. Infrared radiation can be used to align the holes in the second mask with holes already formed in the substrate 12. In the case of this second etching operation, the filled hole serves as an etch stop, so that the etching of the hole from the surface 17 into the substrate 12 can proceed in a non-timed manner. Next, the hole that intersects surface 17 is filled with a sacrificial material such as that used to fill the hole that intersects surface 15. As a result, filled through holes or holes 14 'and 20' will extend between the major planes 15 and 17 of the substrate or wafer. Note that the sacrificial material deposited in these holes holds the rotor, hub, and stator structure in a fixed positional relationship. If this material is removed at this point, the hub and rotor will be separated from the substrate. It should also be noted that a non-removable insulating material can be selectively used in the holes 14 'and 20', depending on the machine being built.

図6を参照すると、同じマイクロマシン層10'を製作し、次に、選択された配列で積層してスタック構造40を形成する。本明細書では、「スタック」とは、各層の少なくとも1つの主平面が隣接する層の主平面に積層されているモノリシック構造を含む。この実施例では、スタック内の各マイクロマシン層を通る穴14'及び20'が整列するようになっている配列である。基板またはチップのスタッキングは現在当技術分野で周知である。たとえば、共通譲渡された米国特許第5202754号、第5270261号、及び第5426566号を参照されたい。   Referring to FIG. 6, the same micromachine layer 10 ′ is fabricated and then stacked in a selected arrangement to form a stack structure 40. As used herein, “stack” includes a monolithic structure in which at least one major plane of each layer is stacked on the major plane of an adjacent layer. In this embodiment, the arrangement is such that the holes 14 'and 20' through each micromachine layer in the stack are aligned. Substrate or chip stacking is now well known in the art. See, for example, commonly assigned U.S. Pat. Nos. 5,202,754, 5,270,261, and 5,426,566.

積み重ね時に、様々な手法を使用して層10'を積層することができる。たとえば、各層の外縁部上のみで接着材を使用することもできる。接着加工によって、超小型構造(たとえばハブ、回転子、固定子構造)が接触するのを妨げる厚みが生じる場合は、加工時に追加のマスクを使用して各層の外縁部を接着材を受け入れるのに十分な量だけへこませることもできる。あるいは、各基板内に穴を形成する前に各基板の主平面上にチタニウムまたはタングステンなどの層を形成し、穴が形成されたらチタニウム層またはタングステン層が穴に自己整列するようにし、後でスタック構造内にマイクロマシン層を配置するときに使用できるようにすることも可能である。チタニウム層またはタングステン層をスタック内に配置した状態で、熱処理を行うとスタック内の様々な層の整列した超小型構造間の電気ボンディングまたは機械ボンディングが強化される。   During stacking, the layer 10 'can be stacked using various techniques. For example, an adhesive can be used only on the outer edge of each layer. If the adhesive process creates a thickness that prevents the micro structure (eg, hub, rotor, stator structure) from contacting, an additional mask can be used during processing to accept the outer edge of each layer. You can also dent a sufficient amount. Alternatively, a layer such as titanium or tungsten is formed on the main plane of each substrate before forming the holes in each substrate, and the titanium or tungsten layer is self-aligned to the holes once the holes are formed, and later It is also possible to use it when placing the micromachine layer in the stack structure. When heat treatment is performed with the titanium or tungsten layer in the stack, electrical or mechanical bonding between the aligned microstructures of the various layers in the stack is enhanced.

図7及び図8に、本発明によって完成した機械70を図示する。機械70は図6のスタック構造40を使用し、図のように、機械の端部層としてエンドキャップ・マイクロマシン層50を使用する。エンドキャップ層50は、スタックの各端部に配置され、機械内の可動部材を所定位置に保持する機能を果たす。このようなキャップ構造がないと、層10'内の穴から犠牲材料を除去すると同時に、回転子構造とハブ構造がスタックの残りの部分から簡単に離れることになる。当業者なら、キャップ50は上記でマイクロマシン層10'に関して述べたのと同一または同様の工程によって製作することができるが、使用するマスクは明らかに異なることに気づくであろう。   7 and 8 illustrate a machine 70 completed according to the present invention. The machine 70 uses the stack structure 40 of FIG. 6 and, as shown, uses an end cap micromachine layer 50 as the end layer of the machine. The end cap layer 50 is disposed at each end of the stack and functions to hold the movable member in the machine in place. Without such a cap structure, the sacrificial material is removed from the holes in the layer 10 'while at the same time the rotor structure and hub structure are easily separated from the rest of the stack. One skilled in the art will recognize that the cap 50 can be fabricated by the same or similar processes as described above for the micromachine layer 10 ', but the mask used is clearly different.

エンドキャップ層50は、マイクロマシン層10'の積み重ねられた固定子超小型構造に電気的に接続する構造54を、電気的に絶縁するための窒化物などの硬質絶縁材56を含む。回転子の領域内の隣接するマイクロマシン層10'とエンドキャップ・マイクロマシン層50との間にギャップ60を設けて、回転子がエンドキャップ層と接触することなく自由に回転することができるようにする。この実施例では、固定されたハブ構造58を、ハブ構造が隣接するマイクロマシン層10'に接触するように配置する。しかし、ハブ構造はマイクロマシン層内の回転子構造に接続することも接続しないことも可能であることに留意されたい。ハブ構造を回転子に接続した場合、エンドキャップ層50の構成は明らかに異なることになる。たとえば、ハブが機械の外部の機構を駆動する必要がある場合は、ハブを回転子構造に接続しなければならず、エンドキャップ層は外部シャフトを駆動するように設計することになる。   The end cap layer 50 includes a hard insulator 56, such as a nitride, to electrically insulate the structure 54 that electrically connects to the stacked stator microstructures of the micromachine layer 10 '. A gap 60 is provided between adjacent micromachine layer 10 ′ and endcap micromachine layer 50 in the region of the rotor to allow the rotor to rotate freely without contacting the endcap layer. . In this embodiment, the fixed hub structure 58 is positioned so that the hub structure contacts the adjacent micromachine layer 10 '. However, it should be noted that the hub structure may or may not be connected to the rotor structure in the micromachine layer. When the hub structure is connected to the rotor, the configuration of the end cap layer 50 is clearly different. For example, if the hub needs to drive a mechanism external to the machine, the hub must be connected to the rotor structure and the end cap layer will be designed to drive the external shaft.

図8は、様々な層から犠牲材料を除去するために腐食液に浸漬した後の図7の構造である。犠牲材料との連絡及び犠牲材料のエッチングは、エンドキャップ層50内のアクセス穴(図示せず)を通して行われることになる。最終パッケージ化の前に、固定子構造に電気信号線を接続する。既存のVLSI技法を使用して、本明細書で提示している基本静電モータに強化機構(図示せず)を設けることもできる。たとえば、ブッシング、軸受、マイクロ潤滑剤、タイミング素子などを付加することができる。   FIG. 8 is the structure of FIG. 7 after immersion in an etchant to remove the sacrificial material from the various layers. Communication with the sacrificial material and etching of the sacrificial material will be done through access holes (not shown) in the end cap layer 50. Prior to final packaging, electrical signal lines are connected to the stator structure. Existing VLSI techniques can be used to provide a strengthening mechanism (not shown) in the basic electrostatic motor presented herein. For example, bushings, bearings, micro lubricants, timing elements, etc. can be added.

本明細書では静電機械、特に静電モータを参照しながら説明したが、当業者なら、提示されている概念が1つまたは複数の可動部材を有する多種多様な機械の製作に等しく適用可能であることがわかるであろう。たとえば、静電機械において、回転部材を含む層を接続せず、異なる速度で回転するように異なる薄さにすることができ、所望であれば異なる方向に回転するように制御することさえもできる。これは2つの回転子セグメントが、固定子構造に積層スタックの各端部で別々に接触し、中央付近で分離するようにすれば、実現することができる。さらに、少なくとも1つの固定子構造を速度センサとして使用すれば、フィードバックを使用して回転子構造の速度を制御することができる。たとえば、回転速度を回転子内にエッチングされた溝と関連させることができる。   Although described herein with reference to electrostatic machines, particularly electrostatic motors, those skilled in the art will be equally applicable to the fabrication of a wide variety of machines having one or more movable members. You will see that there is. For example, in an electrostatic machine, the layers containing the rotating members are not connected, can be made differently thin to rotate at different speeds, and can even be controlled to rotate in different directions if desired. . This can be achieved if the two rotor segments are in contact with the stator structure separately at each end of the stack and separated near the center. Furthermore, if at least one stator structure is used as a speed sensor, the speed of the rotor structure can be controlled using feedback. For example, the rotational speed can be related to a groove etched into the rotor.

概念的には、本発明は、一連のマスクを使用して基板上またはウエハ上に層またはスライスを画定し、後で選択された配列で組み立ててスタックを形成し、それによって機械を形成する。スタックが形成されるまで、犠牲層によって層内に可動部材を一時的に保持する。機械をスタックとして製作することによって、マイクロメータからミリメータ、センチメータまでの寸法の機械を実現することができる。本質的には、提示されている概念によってマクロ(センチメータ)の大きさの機械とミクロの大きさの機械の間の既存の間隙を埋める大きさの機械を製作することができる。   Conceptually, the present invention uses a series of masks to define layers or slices on a substrate or wafer and later assemble in a selected arrangement to form a stack, thereby forming a machine. The movable member is temporarily held in the layer by the sacrificial layer until the stack is formed. By manufacturing the machine as a stack, it is possible to realize machines with dimensions from micrometers to millimeters and centimeters. In essence, the concepts presented can produce a machine that is sized to fill an existing gap between a macro (centimeter) sized machine and a micro sized machine.

さらに、本明細書で提示されている技法を使用して、多様な機械を構築することができる。たとえば、スタックの個々の層がそれぞれ異なるマイクロマシン構造を含むことができる。または、同じ構造を含む場合には、それらの構造を異なる大きさまたは形状あるいはその両方とすることができる。たとえば、本明細書で提示されている層化手法を使用して、西洋なし形の回転子を放射状に構想し、構築することができる。本明細書の基本概念を用いて行えることにはほとんど制限がない。   In addition, a variety of machines can be constructed using the techniques presented herein. For example, each individual layer of the stack can include a different micromachine structure. Alternatively, if the same structure is included, the structures can have different sizes and / or shapes. For example, the stratified approach presented herein can be used to conceive and construct a radialless rotor. There is almost no limit to what can be done using the basic concepts herein.

以上、本明細書では本発明について本発明の特定の好ましい実施例に従って詳細に説明したが、当業者なら本発明に多くの修正及び変更を加えることができる。したがって、特許請求の範囲によってそのような修正及び変更はすべて本発明の真の精神及び範囲に含まれるものと意図される。   Although the present invention has been described in detail herein according to certain preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can make many modifications and variations to the present invention. Accordingly, it is intended by the appended claims to cover all such modifications and changes as fall within the true spirit and scope of the invention.

本発明により製作した静電マイクロマシン層の平面図である。It is a top view of the electrostatic micromachine layer manufactured by this invention. 線A−Aに沿って切り取った図1のマイクロマシン層の断面図である。2 is a cross-sectional view of the micromachine layer of FIG. 1 taken along line AA. FIG. 画定された穴に犠牲材料を付着させ、同一平面化した後の図2のマイクロマシン層の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the micromachine layer of FIG. 2 after sacrificial material is deposited and coplanarized in a defined hole. 反転し、マイクロマシン層にすでに形成されている穴に穴を位置合わせしてパターン・マスクを配置した、図3のマイクロマシン層の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the micromachine layer of FIG. 3 inverted and with the pattern mask placed in alignment with the holes already formed in the micromachine layer. パターン形成面内に穴を形成し、それらの穴に犠牲材料を充填した後の図4のマイクロマシン層の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the micromachine layer of FIG. 4 after forming holes in the patterning surface and filling the holes with a sacrificial material. 各層が図5の構造を含む、複数のマイクロマシン層の積層から形成されたスタックの部分断面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a stack formed from a stack of multiple micromachine layers, each layer including the structure of FIG. 犠牲材料が入った状態のままの、本発明により図6から製作された機械の部分断面図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view of a machine made from FIG. 6 in accordance with the present invention, still with sacrificial material. 機械が複数のマイクロマシン層によって画定された可動部材を含むようにして、犠牲材料を除去した後の、図7の機械の部分断面図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional view of the machine of FIG. 7 after the sacrificial material is removed such that the machine includes a movable member defined by a plurality of micromachine layers.

符号の説明Explanation of symbols

10 マイクロマシン層
12 基板
13 マスク
14 穴
15 主平面(上面)
16 固定子構造
17 主平面(上面)
18 回転子構造
20 穴
22 ハブ
24 犠牲層
28 穴
30 穴
40 スタック構造
50 エンドキャップ層
56 絶縁材
58 ハブ構造
60 ギャップ
70 機械
10 Micromachine layer 12 Substrate 13 Mask 14 Hole 15 Main plane (upper surface)
16 Stator structure 17 Main plane (upper surface)
18 Rotor Structure 20 Hole 22 Hub 24 Sacrificial Layer 28 Hole 30 Hole 40 Stack Structure 50 End Cap Layer 56 Insulating Material 58 Hub Structure 60 Gap 70 Machine

Claims (5)

独自に形成されて相互にスタック状に積層された複数の層を含むスタック構造を有し、該スタック構造の前記複数の層は、少なくとも2つのマイクロマシン層を含み、該マイクロマシン層のそれぞれは、ハブ、回転子構造及び該回転子構造の周囲に隣接して配置された複数個の固定子構造を含む同一の形状の超小型構造を有し、前記複数のマイクロマシン層のそれぞれの前記ハブ同士がボンディングされ、前記複数のマイクロマシン層のそれぞれの前記回転子構造同士がボンディングされ、前記複数のマイクロマシン層のそれぞれの前記固定子構造同士がボンディングされていることを特徴とする静電機械。   A stack structure including a plurality of layers formed independently and stacked in a stack, the plurality of layers of the stack structure including at least two micromachine layers, each of the micromachine layers being a hub A micro structure having the same shape including a rotor structure and a plurality of stator structures arranged adjacent to the periphery of the rotor structure, and the hubs of the plurality of micromachine layers are bonded to each other. An electrostatic machine, wherein the rotor structures of the plurality of micromachine layers are bonded to each other, and the stator structures of the plurality of micromachine layers are bonded to each other. 前記少なくとも2つのマイクロマシン層を挟むように2つのエンドキャップ層が設けられ、該2つのエンドキャップ層のそれぞれは、前記ハブに接続し且つ前記回転子構造からギャップを介して配置されているハブ構造を有することを特徴とする請求項1に記載の静電機械。   Two end cap layers are provided so as to sandwich the at least two micromachine layers, and each of the two end cap layers is connected to the hub and is disposed via a gap from the rotor structure. The electrostatic machine according to claim 1, comprising: 前記2つのエンドキャップ層の少なくとも一方に、前記複数個の固定子構造のそれぞれに接続する電気的接続部が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の静電機械。   The electrostatic machine according to claim 2, wherein an electrical connection portion connected to each of the plurality of stator structures is provided on at least one of the two end cap layers. 前記回転子構造が前記ハブの周りで回転することを特徴とする請求項1に記載の静電機械。   The electrostatic machine of claim 1, wherein the rotor structure rotates about the hub. 前記回転子構造が前記ハブを介して前記2つのエンドキャップ層の少なくとも一方の前記ハブ構造に接続されており、前記ハブ構造が前記回転子構造により回転されることを特徴とする請求項2に記載の静電機械。 Wherein and rotor structure is connected to at least one of the hub structure of the two end caps layer via the hub, according to claim 2 wherein said hub structure and said and rotated Turkey by the rotor structure Electrostatic machine as described in.
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