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JP4058482B2 - Substrate holding device - Google Patents
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JP4058482B2 - Substrate holding device - Google Patents

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Description

【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、基板を保持する基板保持装置に係り、特に、真空吸着により基板を保持するものに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体製造装置、測定装置、検査装置等において、シリコンウエハ、液晶パネル基板、カラーフィルタ基板、TFT基板等の基板をチャック台に載置する際に、バキュームチャックによる真空吸着によってチャック台表面に基板を保持する基板保持装置が提案されている。
【0003】
このような従来の基板保持装置の一例として、例えば特開平10−218364号公報に掲載された基板保持装置が挙げられる。図8にこの基板保持装置の構成例を示す。この基板保持装置は、ウエハ保持用ステージ10、基台11、ウエハ保持部12、回転軸16を備えている。ウエハ保持用ステージ10は、円板状の基台11と、この基台11の周縁から上方に突出するウエハ保持部12とを有し、このウエハ保持部12に、ウエハ1の周辺部が吸着保持されている。具体的に説明すると、ウエハ保持部12は、基台11の周縁に沿ってその全周にわたって伸びるよう形成され、このウエハ保持部12には、ウエハを吸着するための吸着用溝13が形成されている。基台11には、当該基台11の径方向に伸び、両端の各々が吸着用溝13に連通するよう、吸引路14が形成されている。そして、基台11には、ウエハ保持部12によって囲まれた、ウエハ1と基台11との間の空間Sを外気と連通させるための図示しない開放用通路15が、基台11の厚み方向に貫通するよう形成されている。
【0004】
ウエハ保持用ステージ10における基台11の下面には、当該基台11に対して垂直に伸びる回転軸16が設けられており、この回転軸16には、その軸方向に沿って伸び、一端が吸引路14に連通し、他端が当該回転軸16の外周面に開口する空気通路17が形成されており、空気通路17の他端には、適宜の吸引装置(図示省略)が接続されている。また、回転軸16の下端には、モータ30が設けられている。
【0005】
上記のウエハ保持用ステージ10においては、ウエハ保持部12上にウエハ1が載置された状態で吸引装置を作動させると、回転軸16の空気通路17および吸引路14を介して吸着用溝13に負圧が作用され、この負圧による吸引力により、ウエハ1の周辺部がウエハ保持部12に吸着されることによって当該ウエハ1が保持される。ここで、吸着用溝13に作用される負圧の大きさは、例えば500mmHg(絶対圧として260mmHg)である。以上において、吸着用溝13に負圧が作用されることにより、ウエハ1の裏面とウエハ保持部12の上面との間の僅かな間隙を介して、ウエハ1と基台11との間の空間Sに存在する空気が吸引されるが、この空間Sは、基台11に形成された図示しない開放用通路15によって外気と連通しているので、ウエハ1と基台11との間の空間Sが減圧状態となることが確実に防止される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来の基板保持装置は、ウエハ1の外縁部が保持されるのみであり、ウエハ1の基台11のウエハ保持部13の内側部分を支持する構成を有しないので、この内側部分が自重により下方へ撓むことを防止できないという問題があった。
【0007】
本発明は上記の点を考慮してなされたもので、表面が撓むことなく基板を保持し、さらにウエハ裏面接触面積を小さくすることが可能な基板保持装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明にかかる基板保持装置は、基板の外縁部を支持する第1の土手部(例えば本実施の形態における土手部21)と、前記第1の土手部の内側に設けられ、前記第1の土手部よりも10〜20μm低く形成された第2の土手部(例えば本実施の形態における土手部22)と、前記第1の土手部及び前記第2の土手部の間に設けられた真空経路(例えば本実施の形態における真空経路25)を介して前記基板を真空吸着する真空吸着手段(例えば本実施の形態における真空ポンプ4)と、前記第2の土手部の内側の領域を与圧する与圧手段(例えば本実施の形態における加圧ポンプ6)とを備えたものである。このような構成により、基板が載置された際に、基板の下面、第1の土手部及び第2の土手部に囲まれた空間を、真空経路を介して真空ポンプにより減圧することで基板を確実に保持することができ、また気流経路を介して加圧ポンプにより第2の土手部の内側の空間を加圧することで、基板がこの空間の減圧状態又は自重により下方に撓むことを防止することができる。また、第2の土手部の上面がウエハに接触しないので、ウエハとの接触面積を少なくしウエハ裏面の汚染をより効果的に抑えることができる。
【0009】
前記第1の土手部と前記第2の土手部との間の空間を区切る仕切り板をさらに備えていてもよい。また、前記真空吸着手段は、前記仕切り板によって区切られた前記第1の土手部と前記第2の土手部との間の空間をそれぞれ減圧して前記基板を真空吸着する。このような構成により、ノッチやオリエンテーションフラットなどが設けられた基板が載置された際に、当該ノッチ等の部分に対応する一部の区切られた空間からリークが発生しても、残りの区切られた空間により基板を保持することができる。
【0010】
さらに、外縁部にノッチ又はオリエンテーションフラットを有する基板を回転させる回転手段と、前記回転手段により回転させた基板に対してレーザービームを照射する照射手段と、前記照射手段により照射されたレーザービームの反射光を受光し、前記基板のノッチ又はウエハ外周の位置を検出することにより基板の回転角度又は基板位置を検出する検出手段とを備えても良い。このような構成により、ウエハの回転角度及び、基板が正確にチャックに載置されているか否かを確認することができる。
【0011】
上述の基板は、ウエハであっても良い。このような構成により、本発明にかかる基板保持装置をウエハに使用することも可能である。
【0012】
上述の基板は、液晶パネル基板であっても良い。このような構成により、本発明にかかる基板保持装置を液晶パネル基板に使用することも可能である。
【0013】
上述の基板は、カラーフィルタ基板であっても良い。このような構成により、カラーフィルタ基板に使用することも可能である。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図1乃至図6に基づいて説明する。
発明の実施の形態.
図1は、本実施の形態にかかる基板保持装置の構成を示す。図1に示すように、基板保持装置はチャック2、チャック台3、真空ポンプ4、圧力レギュレータ5、加圧ポンプ6を備えている。
【0015】
チャック2は、例えばシリコン製の板状部材であって、図1に示すように、上面にウエハ1を支持する輪状の第1の土手部21が設けられ、この土手部21の内側に土手部21よりも10μm程度低く形成された第2の土手部22が設けられている。土手部21の上面にはウエハ1が載置されている。また、土手部21及び22の間には、真空経路25が設けられている。この真空経路25は、チャック台3に連通しており、さらに真空ポンプ4に接続されている。真空ポンプ4により真空経路25を介して土手部21及び土手部22間の空間を減圧することにより、ウエハ1を土手部21の上面に真空吸着によって保持することが可能である。尚、真空吸着は、ある密閉空間を外気圧以下に減圧することにより吸着することを言う。また、チャック2は、土手部22よりも内側の部分に気流経路26が設けられている。気流経路26は圧力レギュレータ5を介して加圧ポンプ6に接続されている。この加圧ポンプ6により気流経路26及び圧力レギュレータ5を介してウエハ1、土手部22及びチャック2上面により囲まれる空間23に気体を送り込むことで、空間23内部を加圧することが可能である。この空間23の内部が加圧されることで、ウエハ1が空間23の減圧状態又は自重により下方に撓むことを防止することが可能である。
【0016】
図2は、図1における要部Aの拡大断面図を示す。土手部22は、図2に示すように土手部21よりも、例えば10μm程度低く形成されているため、ウエハ1の下面及び土手部22の上面間に空隙が構成されている。
【0017】
図3は、ウエハ1の平面図を示す。図3に示すように、ウエハ1はその外縁部が土手部21の上面に接触して支持され、その内側に土手部22と間隙を構成する部分を有する。
【0018】
チャック台3は、後述するビーム出力器21から出力されたビームを反射する様に表面が鏡面加工されているが、このチャック台3は散乱物体であっても良い。
【0019】
真空ポンプ4は、真空経路25を介して空気を取り込むことにより土手部21、22及びウエハ1下面により囲まれた空間24内部を減圧する機能を有する。
【0020】
圧力レギュレータ5は、気流経路26を介して加圧ポンプ6から加えられた気体の圧力を制御する機能を有する。加圧ポンプ6は、例えばモータ等により構成され、外気等の気体を気流経路26を通して送り出すことにより空間23内部を加圧することが可能である。
【0021】
ここで、ウエハ1は、例えば以下のようにしてチャック2に正確に載置される。
【0022】
まず本実施の形態における基板保持装置には、LD(レーザーダイオード)31、集光レンズ32、反射手段33及びPD(フォトダイオード)34が設けられている。またウエハ1には、図5に示すように、切り欠き部分であるノッチ13が外縁部に設けられている。ノッチ13は、例えば幅及び長さが1mm程度である。チャック台3には、図示しない回動機構が設けられている。
【0023】
LD31は、ウエハ1の位置を検出するためのレーザービームを出力する機能を有する。集光レンズ32は、LD31から出力されたレーザービームをウエハ1上の一点に集中させることが可能である。反射手段33は、ウエハ1又はチャック台3の上面を反射したレーザービームを一方向に導くことが可能である。
【0024】
PD34は、反射手段33により導かれたレーザービームの反射信号を検出する機能を有する。これらのLD31、集光レンズ32、反射手段33、PD34は、ウエハ1の上方の検査光軸上及び、図5に示すようなノッチ検出光軸上の2箇所に設置されている。
【0025】
チャック2にウエハ1が載置されると、検査光軸上及びノッチ検出光軸上に設けられた各々のLD31がレーザービームを出力する。また、チャック台3に設けられた図示しない回動機構が作動しチャック台3、チャック2及びウエハ1が一体的に回動することによってウエハ1の外縁部をレーザービームが走査する。そして、検査光軸上のPD34はウエハ1の上面を走査したレーザービームの反射信号を検出する。ノッチ検出光軸上のPD34は、ノッチ13部分を走査したレーザービームにより、図6に示すような、ウエハ1のエッジ部分により徐々に低下し、さらにチャック台3の上面を反射して徐々に上昇する反射信号を検出する。ノッチ検出光軸上のPD34が、この反射信号のデータパスに基づいてノッチ13の位置を検出することで、ウエハ1の位置を検出しチャック2に正確に載置されていることを確認する。
【0026】
次に、本実施の形態にかかる基板保持装置が上述のような構成を有することにより生じる作用効果について説明する。まず、チャック2にウエハ1が載置された際に、ウエハ1の下面、土手部21の内周面、土手部22の外周面及びチャック2の上面の外縁部により囲まれた空間24が密閉されているので、真空ポンプ4を作動させて真空経路25を介してこの空間24を減圧することによりウエハ1をチャック2の上面に確実に保持することができる。
【0027】
またこのとき、空間23内部に存在する空気がウエハ1の下面及び土手部22の上面により形成される空隙を介して、真空ポンプ4に取り込まれるが、この空間23を、加圧ポンプ6により圧力レギュレータ5及び気流経路26を介して加圧することによって、空間23が減圧することを防止できる。このため、空間23の減圧状態によりウエハ1が下方に撓むことを防止することができる。また、圧力レギュレータ5及び加圧ポンプ6により空間23の加圧状態を調整し、大気圧と同程度若しくはそれ以上に加圧することによりウエハ1が下方から押し上げられることで、ウエハ1の土手部22よりも内側の部分が空間23の減圧又は自重により下方へ撓むことを防止することができる。従って、表面が撓むことなくウエハ1を保持することが可能である。さらに、土手部21によりウエハ1の外縁部のみを支持しているので、例えばチャック2の上面全範囲にウエハ1を載置した場合における、チャック2の上面の塵やゴミがウエハ1との間に挟まることによるウエハ1の汚染の問題の発生もない。特に、ウエハ1とチャック2とは、土手部21のみ接触し、その内側の土手部22とは接触しないので、接触面積がより少なくて済み汚染の発生を抑制できる。
【0028】
なお、ウエハ1の下面及び土手部22の上面間の空隙が10μm程度に構成され狭小であるため、この空隙から空間24に流出する空気は僅かであり、空間24の減圧状態が急激に変化してウエハ1の保持が解除されることも無い。ウエハ1は真空ポンプ4による真空吸着によって継続して保持される。
【0029】
以上のような本実施の形態における基板保持装置によれば、真空ポンプ4により空間24を減圧することで、ウエハ1を土手部21の上面に確実に保持することができる。また、加圧ポンプ6により空間23を加圧することで、ウエハ1の土手部22より内側の部分が空間23の減圧状態又は自重により下方に撓むことを防止できるので、表面が撓むことなくウエハ1を保持することが可能である。さらに、ウエハ1の下面及び土手部22の上面間の空隙が狭小であり流出する空気は僅かであるので、空間23を加圧してもウエハ1を継続して確実に保持することが可能である。
【0030】
その他の実施の形態.
なお、上述の実施の形態における基板保持装置において、空間23は、例えば図7に示すように、土手部21及び22に接続された仕切り板により複数の空間に区切られ、さらにこれらの区切られた複数の空間毎に真空経路25及び真空ポンプ4が設けられて真空吸着を行うものであっても良い。また、これらの区切られた空間の中から選択したものにおいて、真空ポンプ4により真空吸着を行うとしても良い。この場合はノッチ又はオリエンテーションフラット部分からリークが有り、一部の区切られた空間の吸着圧が小さくなっても、残りの区切られた部分で真空吸着できるので、ウエハ最外周の部分のみが接触する設計とすることができる。
【0031】
また、ウエハ1の自重による撓みのみを防止する場合には、真空ポンプ4によりウエハ1の真空吸着によって保持することを行わず、加圧ポンプ6による空間23の加圧のみを行うものとしても良い。
【0032】
ウエハ1の空間23の減圧状態又は自重による撓みを防止することができれば、気流経路26、圧力レギュレータ5及び加圧ポンプ6は、土手部22の内側の任意の箇所に設けることも可能である。また複数設けることも可能である。
【0033】
また、ウエハ1の空間24を減圧状態とすることができれば、真空経路25及び真空ポンプ4は、土手部21及び22間の任意の箇所に設けることも可能である。また複数設けることも可能である。
【0034】
また、ウエハ1は、多結晶シリコン、ガラスウエハ、SiCウエハ、化合物ウエハ(例えば、GaAs、GaP等)、若しくは液晶表示装置のガラス基板等とすることもできる。
【0035】
真空経路23及び気流経路25は複数設けられていても良い。
【0036】
上述の実施の形態における基板保持装置は、ウエハ1に限られず液晶パネル基板やカラーフィルタ等に使用することも可能である。液晶パネル基板に使用する場合には、例えばチャック2の当該液晶パネル基板の下方の部分を板硝子等の透明の部材で構成することにより全面透過照明が可能となる。
【0037】
圧力レギュレータ5は、気流中のゴミや塵等を除去するためのフィルターを備えていても良い。
【0038】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の基板保持装置は、表面が撓むことなく基板を保持することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】発明の実施の形態における基板保持装置を示す概略構成図である。
【図2】発明の実施の形態における基板保持装置の要部Aを示す拡大断面図である。
【図3】発明の実施の形態における基板保持装置のウエハ1を示す図である。
【図4】発明の実施の形態における基板保持装置のノッチ13を検出する構成を示す構成図である。
【図5】発明の実施の形態における基板保持装置の検査光軸及びノッチ検出光軸を示す図である。
【図6】発明の実施の形態における基板保持装置のレーザービームの反射信号のデータパスを示す図である。
【図7】その他の実施の形態におけるチャック2を示す構成図である。
【図8】従来の基板保持装置を示す構成図である。
【符号の説明】
1 ウエハ 2 チャック 3 チャック台 4 真空ポンプ
5 圧力レギュレータ 6 加圧ポンプ 10 ウエハ保持用ステージ
11 基台 12 ウエハ保持部 13 吸着用溝 14 吸引路
15 開放用通路 16 回転軸 17 空気通路
21 土手部 22 土手部
23、24 空間 25 真空経路 26 気流経路 30 モータ
31 LD 32 集光レンズ 33 反射手段 34 PD
[0001]
[Technical field to which the invention belongs]
The present invention relates to a substrate holding apparatus that holds a substrate, and more particularly to a device that holds a substrate by vacuum suction.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, when a substrate such as a silicon wafer, a liquid crystal panel substrate, a color filter substrate, or a TFT substrate is mounted on a chuck table in a semiconductor manufacturing apparatus, a measuring apparatus, an inspection apparatus, etc., the surface of the chuck table by vacuum suction using a vacuum chuck A substrate holding device for holding a substrate has been proposed.
[0003]
As an example of such a conventional substrate holding device, for example, a substrate holding device described in JP-A-10-218364 is cited. FIG. 8 shows a configuration example of the substrate holding device. The substrate holding apparatus includes a wafer holding stage 10, a base 11, a wafer holding unit 12, and a rotating shaft 16. The wafer holding stage 10 includes a disk-shaped base 11 and a wafer holding part 12 protruding upward from the periphery of the base 11, and the peripheral part of the wafer 1 is attracted to the wafer holding part 12. Is retained. More specifically, the wafer holding unit 12 is formed so as to extend along the entire periphery of the base 11, and the wafer holding unit 12 is formed with a suction groove 13 for sucking the wafer. ing. A suction path 14 is formed in the base 11 so as to extend in the radial direction of the base 11 and to communicate with both ends of the suction groove 13. The base 11 is provided with an unillustrated opening passage 15 (not shown) for communicating the space S between the wafer 1 and the base 11 surrounded by the wafer holder 12 with the outside air. It is formed so as to penetrate through.
[0004]
A rotation shaft 16 extending perpendicularly to the base 11 is provided on the lower surface of the base 11 in the wafer holding stage 10. The rotation shaft 16 extends along the axial direction and has one end thereof. An air passage 17 communicating with the suction passage 14 and having the other end opened to the outer peripheral surface of the rotary shaft 16 is formed. An appropriate suction device (not shown) is connected to the other end of the air passage 17. Yes. A motor 30 is provided at the lower end of the rotating shaft 16.
[0005]
In the wafer holding stage 10 described above, when the suction device is operated in a state where the wafer 1 is placed on the wafer holding unit 12, the suction groove 13 via the air passage 17 and the suction passage 14 of the rotating shaft 16. A negative pressure is applied to the wafer 1, and the wafer 1 is held by the peripheral portion of the wafer 1 being attracted to the wafer holder 12 by the suction force of the negative pressure. Here, the magnitude of the negative pressure applied to the suction groove 13 is, for example, 500 mmHg (260 mmHg as an absolute pressure). In the above, when a negative pressure is applied to the suction groove 13, the space between the wafer 1 and the base 11 is interposed through a slight gap between the back surface of the wafer 1 and the upper surface of the wafer holding unit 12. Although the air existing in S is sucked, this space S communicates with the outside air by an unillustrated opening passage 15 formed in the base 11, so that the space S between the wafer 1 and the base 11. Is reliably prevented from becoming a reduced pressure state.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional substrate holding apparatus having such a configuration only holds the outer edge portion of the wafer 1 and does not have a configuration for supporting the inner portion of the wafer holding portion 13 of the base 11 of the wafer 1. There is a problem that it is impossible to prevent the inner portion from being bent downward due to its own weight.
[0007]
The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to provide a substrate holding device that can hold a substrate without being bent and further reduce the wafer back surface contact area.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a substrate holding apparatus according to the present invention includes a first bank portion that supports an outer edge portion of a substrate (for example, the bank portion 21 in the present embodiment), and the first bank portion. A second bank part (for example, bank part 22 in the present embodiment) provided on the inner side and formed lower by 10 to 20 μm than the first bank part, and the first bank part and the second bank part A vacuum suction means (for example, the vacuum pump 4 in the present embodiment) for vacuum-sucking the substrate via a vacuum path (for example, the vacuum path 25 in the present embodiment) provided between the sections, and the second bank And a pressurizing means (for example, the pressurizing pump 6 in the present embodiment) that pressurizes the inner region of the unit. With such a configuration, when the substrate is placed, the space surrounded by the lower surface of the substrate, the first bank portion, and the second bank portion is reduced by a vacuum pump via a vacuum path. It is possible to securely hold the substrate, and by pressurizing the space inside the second bank portion by the pressure pump through the air flow path, the substrate can be bent downward due to the decompressed state of the space or its own weight. Can be prevented. Further, since the upper surface of the second bank portion does not contact the wafer, the contact area with the wafer can be reduced and contamination of the wafer back surface can be more effectively suppressed.
[0009]
You may further provide the partition plate which divides the space between the said 1st bank part and the said 2nd bank part. The vacuum suction means vacuum-sucks the substrate by reducing the pressure between the first bank portion and the second bank portion partitioned by the partition plate. With this configuration, when a substrate with a notch or orientation flat is placed, even if a leak occurs from a part of the space corresponding to the notch, the remaining partition The substrate can be held by the formed space.
[0010]
Further, a rotating means for rotating a substrate having a notch or an orientation flat at the outer edge, an irradiating means for irradiating a laser beam to the substrate rotated by the rotating means, and reflection of the laser beam irradiated by the irradiating means Detection means for detecting the rotation angle or substrate position of the substrate by receiving light and detecting the position of the notch of the substrate or the outer periphery of the wafer may be provided. With such a configuration, it is possible to confirm the rotation angle of the wafer and whether or not the substrate is accurately placed on the chuck.
[0011]
The substrate described above may be a wafer. With such a configuration, the substrate holding apparatus according to the present invention can be used for a wafer.
[0012]
The substrate described above may be a liquid crystal panel substrate. With such a configuration, the substrate holding device according to the present invention can be used for a liquid crystal panel substrate.
[0013]
The substrate described above may be a color filter substrate. Such a configuration can also be used for a color filter substrate.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 shows a configuration of a substrate holding apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the substrate holding device includes a chuck 2, a chuck base 3, a vacuum pump 4, a pressure regulator 5, and a pressure pump 6.
[0015]
The chuck 2 is a plate-shaped member made of, for example, silicon, and as shown in FIG. 1, a ring-shaped first bank portion 21 that supports the wafer 1 is provided on the upper surface, and a bank portion is provided inside the bank portion 21. A second bank portion 22 that is formed to be lower by about 10 μm than 21 is provided. The wafer 1 is placed on the upper surface of the bank portion 21. A vacuum path 25 is provided between the bank portions 21 and 22. The vacuum path 25 communicates with the chuck base 3 and is further connected to the vacuum pump 4. By reducing the space between the bank portion 21 and the bank portion 22 via the vacuum path 25 by the vacuum pump 4, the wafer 1 can be held on the upper surface of the bank portion 21 by vacuum suction. In addition, vacuum adsorption means adsorption | suction by decompressing a certain sealed space below to external pressure. Further, the chuck 2 is provided with an air flow path 26 at a portion inside the bank portion 22. The air flow path 26 is connected to the pressurizing pump 6 through the pressure regulator 5. It is possible to pressurize the inside of the space 23 by sending gas into the space 23 surrounded by the wafer 1, the bank portion 22 and the upper surface of the chuck 2 through the air flow path 26 and the pressure regulator 5 by the pressurizing pump 6. By pressurizing the inside of the space 23, it is possible to prevent the wafer 1 from being bent downward due to the reduced pressure state or the own weight of the space 23.
[0016]
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the main part A in FIG. As shown in FIG. 2, the bank portion 22 is formed to be, for example, about 10 μm lower than the bank portion 21, so that a gap is formed between the lower surface of the wafer 1 and the upper surface of the bank portion 22.
[0017]
FIG. 3 shows a plan view of the wafer 1. As shown in FIG. 3, the wafer 1 is supported with its outer edge in contact with the upper surface of the bank portion 21, and has a portion constituting a gap with the bank portion 22 inside thereof.
[0018]
Although the surface of the chuck table 3 is mirror-finished so as to reflect a beam output from a beam output device 21 described later, the chuck table 3 may be a scattering object.
[0019]
The vacuum pump 4 has a function of depressurizing the space 24 surrounded by the bank portions 21 and 22 and the lower surface of the wafer 1 by taking in air through the vacuum path 25.
[0020]
The pressure regulator 5 has a function of controlling the pressure of the gas applied from the pressurization pump 6 through the airflow path 26. The pressurizing pump 6 is configured by, for example, a motor or the like, and can pressurize the space 23 by sending a gas such as outside air through the airflow path 26.
[0021]
Here, the wafer 1 is accurately placed on the chuck 2 as follows, for example.
[0022]
First, the substrate holding apparatus in the present embodiment is provided with an LD (laser diode) 31, a condenser lens 32, a reflecting means 33, and a PD (photodiode) 34. In addition, as shown in FIG. 5, the wafer 1 is provided with a notch 13 which is a notched portion at the outer edge portion. The notch 13 has a width and length of about 1 mm, for example. The chuck table 3 is provided with a rotation mechanism (not shown).
[0023]
The LD 31 has a function of outputting a laser beam for detecting the position of the wafer 1. The condensing lens 32 can concentrate the laser beam output from the LD 31 on one point on the wafer 1. The reflection means 33 can guide the laser beam reflected from the upper surface of the wafer 1 or the chuck table 3 in one direction.
[0024]
The PD 34 has a function of detecting a reflected signal of the laser beam guided by the reflecting means 33. The LD 31, the condenser lens 32, the reflecting means 33, and the PD 34 are installed at two places on the inspection optical axis above the wafer 1 and on the notch detection optical axis as shown in FIG.
[0025]
When the wafer 1 is placed on the chuck 2, each LD 31 provided on the inspection optical axis and the notch detection optical axis outputs a laser beam. Further, a rotation mechanism (not shown) provided on the chuck table 3 operates to rotate the chuck table 3, the chuck 2, and the wafer 1 together, whereby the outer edge portion of the wafer 1 is scanned by the laser beam. Then, the PD 34 on the inspection optical axis detects a reflection signal of a laser beam scanned on the upper surface of the wafer 1. The PD 34 on the notch detection optical axis is gradually lowered by the edge portion of the wafer 1 as shown in FIG. 6 by the laser beam scanned on the notch 13 portion, and further gradually rises by reflecting the upper surface of the chuck base 3. The reflected signal is detected. The PD 34 on the notch detection optical axis detects the position of the notch 13 based on the data path of the reflected signal, thereby detecting the position of the wafer 1 and confirming that it is accurately placed on the chuck 2.
[0026]
Next, the effect produced when the board | substrate holding | maintenance apparatus concerning this Embodiment has the above structures is demonstrated. First, when the wafer 1 is placed on the chuck 2, the space 24 surrounded by the lower surface of the wafer 1, the inner peripheral surface of the bank portion 21, the outer peripheral surface of the bank portion 22, and the outer edge portion of the upper surface of the chuck 2 is sealed. Therefore, the wafer 1 can be reliably held on the upper surface of the chuck 2 by operating the vacuum pump 4 and depressurizing the space 24 via the vacuum path 25.
[0027]
At this time, the air present in the space 23 is taken into the vacuum pump 4 through a gap formed by the lower surface of the wafer 1 and the upper surface of the bank portion 22. By pressurizing via the regulator 5 and the airflow path 26, the space 23 can be prevented from being depressurized. For this reason, it is possible to prevent the wafer 1 from being bent downward due to the decompressed state of the space 23. Further, the pressure state of the space 23 is adjusted by the pressure regulator 5 and the pressure pump 6, and the wafer 1 is pushed up from below by applying pressure equal to or higher than the atmospheric pressure, so that the bank 22 of the wafer 1 is pushed up. It is possible to prevent the inner portion from bending downward due to the reduced pressure or the dead weight of the space 23. Therefore, it is possible to hold the wafer 1 without the surface being bent. Further, since only the outer edge portion of the wafer 1 is supported by the bank portion 21, for example, when the wafer 1 is placed on the entire upper surface area of the chuck 2, dust and dust on the upper surface of the chuck 2 are not in contact with the wafer 1. There is no problem of contamination of the wafer 1 due to being pinched. In particular, since the wafer 1 and the chuck 2 are in contact with only the bank portion 21 and are not in contact with the inner bank portion 22, the contact area is smaller and the occurrence of contamination can be suppressed.
[0028]
Since the gap between the lower surface of the wafer 1 and the upper surface of the bank portion 22 is configured to be about 10 μm and is narrow, only a small amount of air flows into the space 24 from this gap, and the reduced pressure state of the space 24 changes abruptly. Thus, the holding of the wafer 1 is not released. The wafer 1 is continuously held by vacuum suction by the vacuum pump 4.
[0029]
According to the substrate holding apparatus in the present embodiment as described above, the wafer 1 can be reliably held on the upper surface of the bank portion 21 by reducing the pressure of the space 24 by the vacuum pump 4. Further, by pressurizing the space 23 with the pressurizing pump 6, it is possible to prevent a portion inside the bank portion 22 of the wafer 1 from being bent downward due to a reduced pressure state or its own weight of the space 23, so that the surface is not bent. It is possible to hold the wafer 1. Further, since the gap between the lower surface of the wafer 1 and the upper surface of the bank portion 22 is narrow and the amount of air flowing out is small, it is possible to hold the wafer 1 continuously and reliably even when the space 23 is pressurized. .
[0030]
Other embodiments.
In the substrate holding apparatus in the above-described embodiment, the space 23 is divided into a plurality of spaces by a partition plate connected to the bank portions 21 and 22, as shown in FIG. A vacuum path 25 and a vacuum pump 4 may be provided for each of a plurality of spaces to perform vacuum suction. Further, vacuum suction may be performed by the vacuum pump 4 in a space selected from these divided spaces. In this case, there is a leak from the notch or the orientation flat part, and even if the suction pressure in a part of the divided space is reduced, the remaining part can be vacuum-sucked, so only the outermost part of the wafer contacts. Can be a design.
[0031]
In order to prevent only the deflection of the wafer 1 due to its own weight, the vacuum pump 4 may not be held by vacuum suction of the wafer 1 but only the space 23 may be pressurized by the pressure pump 6. .
[0032]
The air flow path 26, the pressure regulator 5, and the pressure pump 6 can be provided at any location inside the bank portion 22 as long as the space 23 of the wafer 1 can be prevented from being bent due to the reduced pressure state or its own weight. It is also possible to provide a plurality.
[0033]
Further, if the space 24 of the wafer 1 can be in a reduced pressure state, the vacuum path 25 and the vacuum pump 4 can be provided at any location between the bank portions 21 and 22. It is also possible to provide a plurality.
[0034]
The wafer 1 can also be a polycrystalline silicon, a glass wafer, a SiC wafer, a compound wafer (for example, GaAs, GaP, etc.), a glass substrate of a liquid crystal display device, or the like.
[0035]
A plurality of vacuum paths 23 and air flow paths 25 may be provided.
[0036]
The substrate holding device in the above-described embodiment is not limited to the wafer 1 and can be used for a liquid crystal panel substrate, a color filter, and the like. When used for a liquid crystal panel substrate, for example, a portion below the liquid crystal panel substrate of the chuck 2 is formed of a transparent member such as a plate glass, thereby allowing the entire surface to be illuminated.
[0037]
The pressure regulator 5 may include a filter for removing dust, dust and the like in the airflow.
[0038]
【The invention's effect】
As described above, the substrate holding device of the present invention can hold a substrate without the surface being bent.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a substrate holding device in an embodiment of the invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a main part A of the substrate holding device in the embodiment of the invention.
FIG. 3 is a diagram showing a wafer 1 of a substrate holding device in an embodiment of the invention.
FIG. 4 is a configuration diagram showing a configuration for detecting a notch 13 of a substrate holding device in an embodiment of the invention.
FIG. 5 is a diagram showing an inspection optical axis and a notch detection optical axis of the substrate holding device in the embodiment of the invention.
FIG. 6 is a diagram showing a data path of a reflected signal of a laser beam in the substrate holding device in the embodiment of the invention.
FIG. 7 is a configuration diagram showing a chuck 2 according to another embodiment.
FIG. 8 is a configuration diagram showing a conventional substrate holding apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Chuck 3 Chuck base 4 Vacuum pump 5 Pressure regulator 6 Pressure pump 10 Wafer holding stage 11 Base 12 Wafer holding part 13 Suction groove 14 Suction path 15 Opening path 16 Rotating shaft 17 Air path 21 Bank part 22 Bank portion 23, 24 Space 25 Vacuum path 26 Airflow path 30 Motor 31 LD 32 Condensing lens 33 Reflecting means 34 PD

Claims (6)

基板の外縁部を支持する第1の土手部と、
前記第1の土手部の内側に設けられ、前記第1の土手部よりも10〜20μm低く形成された第2の土手部と、
前記第1の土手部及び前記第2の土手部の間の空間を減圧して前記基板を真空吸着する真空吸着手段と、
前記第2の土手部の内側の領域を与圧する与圧手段とを備えた基板保持装置。
A first bank for supporting the outer edge of the substrate;
A second bank portion provided inside the first bank portion and formed lower by 10 to 20 μm than the first bank portion;
A vacuum suction means for vacuum-sucking the substrate by decompressing the space between the first bank portion and the second bank portion;
A substrate holding apparatus comprising pressurizing means for pressurizing a region inside the second bank portion.
前記第1の土手部と前記第2の土手部との間の空間を区切る仕切り板をさらに備え、  A partition plate for partitioning a space between the first bank portion and the second bank portion;
前記真空吸着手段は、前記仕切り板によって区切られた前記第1の土手部と前記第2の土手部との間の空間をそれぞれ減圧して前記基板を真空吸着する請求項1に記載の基板保持装置。  2. The substrate holding according to claim 1, wherein the vacuum suction unit decompresses each of the spaces between the first bank portion and the second bank portion partitioned by the partition plate to vacuum-suck the substrate. apparatus.
外縁部にノッチ又はオリエンテーションフラットを有する基板を回転させる回転手段と、
前記回転手段により回転させた基板に対してレーザービームを照射する照射手段と、
前記照射手段により照射されたレーザービームの反射光を受光し、前記基板のノッチ又はウエハ外周の位置を検出することにより基板の回転角度又は基板位置を検出する検出手段とを備えた請求項1又は2記載の基板保持装置。
A rotating means for rotating a substrate having a notch or an orientation flat at the outer edge;
Irradiating means for irradiating the substrate rotated by the rotating means with a laser beam;
2. A detection unit that receives reflected light of the laser beam irradiated by the irradiation unit and detects a rotation angle of the substrate or a substrate position by detecting a position of the notch of the substrate or the outer periphery of the wafer. 3. The substrate holding device according to 2.
前記基板は、ウエハであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板保持装置。  The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a wafer. 前記基板は、液晶パネル基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板保持装置。  The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a liquid crystal panel substrate. 前記基板は、カラーフィルタ基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板保持装置。  The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a color filter substrate.
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