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JP4060360B2 - 電子部品 - Google Patents
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Description

この発明は、基板上に設けられた導電構造がキャップ状のカバーにより周囲の影響に対して気密に封じられている電子部品、特に弾性表面波で作動する部品(SAW(Surface Acoustic Wave)部品)であって、表面実装デバイス(SMD(Surface Mount Device))・アセンブリーに適した接触部を有する電子部品に関する。
先のドイツ連邦共和国特許出願第P4415411.9号明細書には基板上の部品構造を封止するキャップを有する電子部品の密封構造が記載されており、そのキャップは基板上に設けられたカバーにより形成され、そのカバーは部品構造の範囲において部品構造を収容する凹所を有している。このような密封構造は部品構造を周囲の影響から保護し、従ってこのように密封された電子部品は別の容器なしでそのまま使用することができる。
小型化が進むにつれて、最小の容器容積で高さの低い部品が求められている。この種の要求は、例えば電子部品を例えばテレホンカード又はクレジットカードのようなチップカードに使用する場合に生じる。上述の先のドイツ連邦共和国特許出願明細書による密封構造を備えた部品はこのような要求を最もよく満たしている。
この発明の課題は、上述の形式の表面実装デバイス・アセンブリーに適した電子部品を提供することにある。
この課題はこの発明によれば、基板上に設けられた導電構造がキャップ状のカバーにより周囲の影響に対して気密に封じられた電子部品において、カバーに形成された窓に導電構造の接続面と電気的に接触する金属化部が設けられ、またカバー上にろう接可能な金属化部が設けられ、このろう接可能な金属化部が導電構造の接続面と接触する金属化部と導電性のスルーホールを介して接続され、導電構造の接続面と接触する金属化部、導電性のスルーホール及びカバー上のろう接可能な金属化部が同じ材料の積層体から形成されることにより解決される。
この発明の実施態様は請求項2以下に記載するとおりである。
次にこの発明を図示の実施例に基づき詳述する。
図1はこの発明による表面実装デバイス・アセンブリーに適した弾性表面波部品の概略図、図2は図1の部品の概略部分平面図を示す。
図1はこの発明による表面実装デバイス・アセンブリーに適した弾性表面波部品の概略を示すもので、その弾性表面波部品は一般に圧電基板1及びその上に備えられている導電構造3からなり、その導電構造3は電子部品の機能を生ぜしめる構成要素、例えばインタデジタル変換器、共振器又は反射器の電極フィンガーが対象となり得る。導電構造3は、冒頭に記載した先のドイツ連邦共和国特許出願明細書に記載されているように、導電構造を周囲の影響から保護するカバー2により覆われている。この部品はカバー2及び基板1を容器として直接更に使用することができる。
この発明によれば表面実装デバイス・アセンブリーに適した導電構造3の電気的接触のための接触部が設けられている。図1に見られるようにカバー2には窓7が設けられており、窓7には金属化部4が存在し、この金属化部4は導電構造3の図示されていない接続面(パッド)と接触している。更にカバー2上には表面実装デバイス・アセンブリーに適したろう接可能な金属化部6が設けられており、この金属化部6はスルーホール5を介して金属化部4と接続されている。
この発明においてはさらにパッド金属化部4、スルーホール5及びカバー2上のろう接可能な金属化部6を同じ材料から形成することによって、僅かな経費で製造し得る利点を有することができる。
少なくとも、カバー2上にあるろう接可能な金属化部6はチタン、タングステン、ニッケル、金の材料積層体により形成することができ、その際チタン及びタングステンはカバー2に対する接着性を、ニッケルはろう接性を、金は酸化保護を保証する。これらの性質を保証する値として、チタン及びタングステンの層厚は0.1μm以下、ニッケルの層厚は約1μm、金の層厚は約0.1μmであると有利であることが実験的に示された。
価格的に特に有利な変形例は、TiW、Cu又はNi及びAuから蒸着により形成された積層体で、その厚さは全体で10μm以下で、0.3μmが有利であり、この層はパルスレーザ照射により構造化され、Cuにより無電流補強される。
スルーホール5は多数の部品システムを含んでいる基板ウェハ上に形成されるので、スルーホールはそれぞれスルーホールの一部が1つの部品システムに割り当てられるように、即ち2つの部品システムに対し1つのスルーホールで間に合うように配置することも可能である。
またスルーホールを余分に形成することによって、即ち1つのパッドに2つのスルーホールを割り当てることによって信頼性を高めることができる。

Claims (7)

  1. 基板(1)上に設けられ電子部品の機能を備える導電構造(3)がキャップ状のカバー(2)により周囲の影響に対して気密に封じられている電子部品において、カバー(2)に形成された窓(7)に導電構造(3)の接続面と電気的に接触する金属化部(4)が設けられ、またカバー(2)上にろう接可能な金属化部(6)が設けられ、このろう接可能な金属化部(6)が導電構造(3)の接続面と接触する金属化部(4)と電動性のスルーホール(5)を介して接続され、導電構造(3)の接続面と接触する金属化部(4)、導電性のスルーホール(5)及びろう接可能な金属化部(6)は、それぞれカバー(2)に形成された窓(7)の底部、カバー(2)に形成された窓(7)の内側部及びカバー(2)の上部に同じ材料から積層形成され1つの連続する導電層をなしていることを特徴とする電子部品。
  2. 導電構造(3)の接続面と接触する金属化部(4)、導電性のスルーホール(5)及びカバー(2)上のろう接可能な金属化部(6)がチタン、タングステン、ニッケル及び金の各材料を順次積層した積層体により形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
  3. 導電構造(3)の接続面と接触する金属化部(4)、導電性のスルーホール(5)及びカバー(2)上のろう接可能な金属化部(6)を形成する積層体のチタン及びタングステンが0.1μm以下の層厚を、ニッケルが約1μmの層厚を、また金が約0.1μmの層厚を有していることを特徴とする請求項2記載の電子部品。
  4. 導電構造(3)の接続面と接触する金属化部(4)、導電性のスルーホール(5)及びカバー(2)上のろう接可能な金属化部(6)がTiW、Cu又はNi及び金の各材料の順次の蒸着、パルスレーザ照射による構造化及び銅による無電流補強により形成された積層体からなることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
  5. 導電構造(3)の接続面と接触する金属化部(4)、導電性のスルーホール(5)及びカバー(2)上のろう接可能な金属化部(6)を形成する積層体がその積層体上に析出された0.1μmの厚さの金を有することを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の電子部品。
  6. ろう接可能な金属化部(6)がスルーホール(5)上に延びていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の電子部品。
  7. 導電構造(3)の接続面と接触する金属化部(4)にそれぞれ少なくとも2つのスルーホール(5)が割り当てられていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の電子部品。
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