JP4074751B2

JP4074751B2 - Electronic components

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Publication number: JP4074751B2
Application number: JP2001129373A
Authority: JP
Inventors: 和久斉藤; 明日香細田; 比呂志秋元
Original assignee: Japan Aviation Electronics Industry Ltd
Current assignee: Japan Aviation Electronics Industry Ltd
Priority date: 2000-10-25
Filing date: 2001-04-26
Publication date: 2008-04-09
Anticipated expiration: 2021-04-26
Also published as: JP2002203627A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、鑞接用コンタクトを持った電子部品およびその製法に関し、特に、コンタクトに、その表面に形成される溶接鑞剤の高濡れ性皮膜である仕上げメッキ層上を這い上がる溶接鑞剤の這い上がりを阻止する領域を形成する新規な方法、及びかかる阻止領域を持った電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来例を図１及び２を参照して説明する。
電子部品１０は、コンタクト１１と、このコンタクト１１を一体にモールド成型して保持した絶縁材料より成る端子保持部材１２とから成り、コンタクト１１は、配線基板２に形成される貫通孔２１の内周部に形成された貫通孔メッキ層２１Aに鑞付けされる端子部１１１と他の電子部品に電気接触する接触部１１２より成る。３は配線基板２の下面に形成された配線（図示せず）の鑞接パッド２２に予め付与されている半田の如き溶接鑞剤を示す。
【０００３】
コンタクト１１の端子部１１１は、その表面に溶接鑞剤の高濡れ性物質である錫或いは金がメッキされている。この端子部１１１を配線基板２のメッキ層２１Aを持った貫通孔２１に挿入した状態（図１）で、配線基板２の下面に付与されている溶接鑞剤３を加熱溶融することにより、端子部１１１と貫通孔メッキ層２１A及び鑞接パッド２２は電気機械的に鑞接で接続され、電気端子１は配線基板２に実装されて、電子部品１０を構成する。
この鑞付けに際して、加熱溶融した溶接鑞剤３は、端子部１１１の表面の高い濡れ性を持ったメッキ層を濡らしながら吸い上げられ（以下これを「這い上がり」と称する）、端子部１１１と貫通孔メッキ層２１Aの間の接合領域における溶接鑞剤３の量が減少する。加熱の回数が複数回にも及ぶと、溶接鑞剤は不足するに到り、端子部１１１と貫通孔メッキ層２１Aの間の電気機械的接続が不完全になる。
【０００４】
溶接鑞剤の這い上がりに起因して端子部１１１とメッキ貫通孔２１の間の溶接鑞剤が不足する問題を解消するための一方策として、図１及び２に示される如く、コンタクト１１の端子部１１１の一部の領域に這い上がり阻止用の酸化物被膜領域１１３を形成することが行なわれている（詳細は特開平８−２１３０７０号公報参照）。
即ち、コンタクト１１の端子部１１１の高濡れ性領域を形成している錫メッキ層表面、或いは金メッキ層表面の一部の領域であって、溶融鑞剤が這い上がって到達する部分を帯状に強制酸化して表面層物質の酸化された被膜領域１１３を形成してこの領域を加熱溶融した溶接鑞剤３に濡れない低濡れ性領域にして、加熱溶融した溶接鑞剤３が越えることができない領域としている。
【０００５】
しかし、この酸化物被膜は表層を構成する錫の原子或いは金の原子に酸素原子が結合したものに過ぎないので、端子部１１１の表面に被着された錫メッキ層或いは金メッキ層の表面に実際に酸化被膜形成処理が施されているか否か、或いは酸化被膜形成処理が端子部１１１の適正な位置、形状、寸法に施されているか否かを目視により確認することはできない。
コンタクトの端子部の溶接鑞剤が不足する問題を解消する他の手法として、図３ａ〜３ｃに示した如く、コンタクト１１の全面にニッケルメッキ層１１Ａを下地層として形成した後に、接触部１１２と端子部１１１との間に所定の間隔（０.３ｍｍ）を空けて、接触部１１２には厚く（０.４(ｍ）金メッキ１１２Ａを施し、端子部１１１には鑞付け用として薄く（０.０５(ｍ）金メッキ１１１Ａを施し、両者の間に残されたニッケルメッキ層の露出部１１Ｂを陽極酸化により酸化ニッケル層１１３’として溶融した鑞剤の這い上がり阻止領域として形成する従来例がある（詳細は特開平１０−２４７５３５号公報参照）。
【０００６】
この酸化ニッケル層１１３’も低濡れ性領域であり、加熱溶融した溶接鑞剤３が越えることができずに、これ以上這い上がり移動することはない。
ところが、図３ａ〜３ｂの従来例において、この酸化ニッケル層１１３’の幅を０. ２ｍｍ未満の狭い幅に形成することは困難である。
液体を用いて加工（メッキや塗布加工）することはその位置・範囲の精度が低く、特にメッキ領域の形成位置の精度は、液面を調整したりテープ或いは治具を用いてマスキングすることが必要であり１ｍｍ以下の公差で安定した加工を行うことは困難である。
【０００７】
すなわち、形成される酸化ニッケル層の位置および幅の精度は、接触部１１２の金メッキ層の加工位置精度、端子部１１１の鑞付け用金メッキ層の加工位置精度の影響を受けるので、高くはなく、端子長が２ｍｍ以下の微細なコンタクトの場合に量産性に乏しくなる。
更に、形成された酸化物被膜は、その処理が行なわれているか否かを、目視により確認することができない。陽極酸化による酸化ニッケル層の加工を接触部１２の金メッキ層、端子部１１１の鑞付け用金メッキ層の形成に先だって実施する場合も同様の問題を生ずる。
【０００８】
さらに、他の形式のコンタクトでも問題があることを以下に説明する。
図４ａを参照するに、これは配線基板２の表面に鑞接パッド２２を形成し、鑞接パッド２２上に溶接鑞剤３を載置し、この溶接鑞剤３を溶融加熱してコンタクト１１の端子部１１１を鑞接パッド２２に鑞接する従来例である。
図４ａに示した従来例の場合は、溶接鑞剤３が加熱溶融されると、図４ｂに示される如く溶融した溶接鑞剤３が、端子部１１１の表面１１１Ａを濡らしながら吸い上げられ、図４ｃに示される如く接触部１１２の表面１１２Ａにも到達してその表面を濡らし、それだけ端子部１１１と鑞接パッド２２の間の接合領域における溶接鑞剤３の量が不足する。なお図においてＢは両表面１１１Ａと１１２Ａの境界線である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
図１及び２に示された従来例では、形成された酸化物被膜は、その処理が行なわれているか否かを、目視により確認することができないという欠点がある。
図３に示された従来例では、メッキ領域の形成位置の精度が低く、安定した加工を行うことは困難であり、微細なコンタクトの場合に量産性に乏しくなる。また形成された酸化物被膜を目視により確認することはできない。
図４に示された従来例では、溶接鑞剤３の量が不足する。
このように、図１〜４に示された従来例において、溶接鑞剤３の這い上がり問題が解消されていないことを説明した。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上述の溶接鑞剤の這い上がり問題を解消した電子部品およびその新規な製法を提供するものである。
本願発明の一つの観点として、コンタクト１１の素材に端子部と接触部とを形成しかつ溶接鑞剤３に対する低濡れ性表面を持たせ、その表面上に溶接鑞剤３に対する高濡れ性物質で構成した仕上げメッキ層を形成し、溶融した鑞剤が這い上がってくる端子部１１１の高濡れ性仕上げメッキ層の一部を選択的に取り除いて素材の低濡れ性表面の露出部１１４を形成し、この露出部を溶融した鑞剤の這い上がりを阻止する阻止部として働かせるように構成した改良したコンタクト１１を得て、この改良したコンタクト１１を用いて基板に鑞接して電子部品１０を構成する。
【００１１】
本願発明の他の一つの観点として、コンタクト１１の素材を溶接鑞剤３に対する低濡れ性物質で構成し、この素材の上に下地メッキ層を形成し、その表面に溶接鑞剤３に対する高濡れ性物質で構成した仕上げメッキ層を形成し、溶融した鑞剤が這い上がってくる端子部１１１の高濡れ性仕上げメッキ層の一部と、その下の下地メッキ層の一部の両方を、選択的に取り除いて低濡れ性物質の素材の露出部１１４を形成し、この露出部を溶融した鑞剤の這い上がり阻止部として働かせるように構成した改良したコンタクト１１を得て、この改良したコンタクト１１を用いて基板に鑞接して電子部品１０を構成する。
【００１２】
そして、コンタクト１１の素材１１Ｘを露出させて上記溶融した鑞剤の這い上がり阻止部を形成する場合には、素材の構成材料として、例えばＣｕ、並びにＣｕとＴｉ、Ｂｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎとの銅合金（Ｐ、Ｓｉなどの添加物を含んでも良い）が使用可能であるが、このほかにＣｏ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｆｅ、ＳＵＳなどの金属も使用可能である。
コンタクト１１の表面に施される仕上げメッキは、たとえば金メッキ、錫或いはＳｎとＡｇ、ＳｎとＣｕ、ＳｎとＣｕ及びＡｇとの錫合金メッキ、鉛或いはＰｂとＳｎとの鉛合金メッキ、Ｐｄ或いはＰｄとＮｉまたはＰｄとＣｏのＰｄ合金が使用可能である。
【００１３】
また、本願発明のさらに他の観点として、仕上げメッキ層の形成の前に、素材上に仕上げメッキ層の被着を助成するためのＮｉとＰ、ＮｉとＳ、またはＮｉとＢとのニッケル合金メッキ層から成る下地メッキ層を形成する。そしてこの下地メッキ層の上に高濡れ性物質の仕上げメッキ層を形成する。
この下地メッキ層の材質は、溶接鑞剤３に対して低い濡れ性を持った導電材料なので、仕上げメッキ層のみを除去して下地メッキ層を露出させて、この下地メッキ層の露出部によって上記溶融した鑞剤の這い上がり阻止部を形成することもできる。
【００１４】
この場合には、素材の構成材料として導電材料に限らず、プラスチックス、セラミックス、ガラスなどの非導電材料も使用できるので、予め、これらの材料を用いて成型によって接触部と端子部をもったコンタクトを形成し、その表面全面に無電解メッキによってニッケル合金の無電解メッキ層を形成し、その上に全面に仕上げ金メッキ層を形成した後に、端子部の仕上げメッキ層の一部を除去して、下地層の露出部を以って鑞剤の這い上がり阻止部を形成する。
また、低い濡れ性を持った導電材料で構成した素材の上に高濡れ性物質で構成した下地メッキ層を形成し、その上に仕上げメッキ層を形成した場合には、仕上げメッキ層および下地メッキ層の双方を取り除いて露出部１１４を得る。
【００１５】
コンタクト１１の表面に形成された高濡れ性物質のメッキ領域の一部を選択的に取り除いて、低濡れ性表面の露出部１１４を形成する加工は、低濡れ性表面露出部１１４が形成されるべき高濡れ性物質のメッキ領域に、機械的な切削或いは研磨技術、放電加工或いは電子ビーム加工技術、レーザ加工技術を適用する。この加工技術は、良好な加工位置精度で容易に実施することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態を図５〜図９に示した電子部品を参照して説明する。なお、従来例で示したものと同一物については同一記号を付す。
図６（ｆ）に斜視図で示したように、電子部品１０は、コンタクト１１とインシュレータハウジング１２とからなる。
配線基板２の表面には鑞接パッド２２が形成されている。周知の如く、この配線基板２には印刷配線（図示せず）が設けられ、鑞接パッド２２と結合している。なお、図１の如く、印刷配線が基板の裏面（図において基板２の下側）に設けられ、貫通孔と貫通孔メッキ層とを介して基板表面の鑞接パッドに結合するように構成しても良い。
【００１７】
そして、鑞接パッド２２上に半田の如き溶接鑞剤３を介して電子部品１０のコンタクト１１の端子部１１１を載置し、この溶接鑞剤３を溶融加熱することにより、配線基板２の表面の鑞接パッド２２に鑞接する。
コンタクト１１の素材を導体で構成する場合には、銅合金で構成する。
コンタクト１１の表面に施される仕上げメッキは、金メッキ、錫或いは錫合金メッキ、鉛或いは鉛合金メッキの何れかで構成する。
そして、仕上げメッキに先だって、コンタクト１１を構成する金属材料に対する仕上げメッキの密着を良好にするために、素材１１Ｘの表面に形成する下地メッキ層１１Ａはニッケル合金メッキ層とする。
【００１８】
仕上げメッキ層を一部分除去して下地のニッケル合金メッキ層を露出させた場合、ニッケル合金メッキ層は、本来的に、或いは表面層の除去処理中に自然酸化により、低濡れ性なので、強制的に酸化させなくても、溶融溶接鑞剤３の這い上がりが阻止されることは実験的に確認されている。このため酸化被膜形成の確認作業を必要としない。
更に、低濡れ性物質の露出部１１４は、コンタクト１１の端子部１１１の表面に形成された鑞接用仕上げメッキ層１１１Ａの一部で接触部１１２に近い部分であって、従来鑞剤が這い上がってくる領域に帯状形状で、所定幅寸法に形成し、この露出部によって端子部の仕上げメッキ層が１１１Ａ−１と１１１Ａ−２とに２分される。
【００１９】
このコンタクトの第１の実施例は、図５〜図６に示す。
図５（ａ）を参照するに、これは配線基板２の表面に形成された鑞接パッド２２に溶接鑞剤３が載置され、溶接鑞剤３表面に仕上げメッキを施されたコンタクト１１の端子部１１１が係合せしめられた非加熱の状態を示す。
図５（ｂ）は、溶融した溶接鑞剤３が端子部１１１の表面を濡らしながら這い上がり始めたところを示している。なお、端子部１１１と接触部１１２とは、この実施例においては、接触部１１２が外部とより良好に接触するように、接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの材質及びメッキ層厚を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの材質及びメッキ層厚と異ならせ、したがって、端子部１１１仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの間に、境界線Ｂがあるものとして示す。
【００２０】
図６（ｄ）は、図５（ｂ）の５ｄ−５ｄ線における断面図である。
図５（ｃ）は溶融した溶接鑞剤３が端子部１１１の表面を濡らし、この発明による低濡れ性露出部１１４に到達してこれを越えることができないことを示し、溶融した溶接鑞剤３がこれ以上這い上がり移動することはない。
図６（ｅ）は、図５（ｃ）の５ｅ−５ｅ線における断面図である。ここで、従来例の如く低濡れ性露出部１１４が存在しない場合、図４（ｃ）を参照するに、端子部１１１の全表面に到達した溶融溶接鑞剤３は更に接触部１１２表面を這い上がるので、端子部１１１と鑞接パッド２２の間の接合領域における溶接鑞剤３の量が不足するが、本願発明に依れば低濡れ性露出部１１４を形成することによりこの更なる這い上がり移動は阻止される。
【００２１】
図７（ｇ）〜（ｋ）に、露出部１１４の各種の形成方法を示す。ここでは、低濡れ性物質で構成された下地メッキ層１１Ａを露出部１１４として露出させる場合であり、この場合には素材の材質は導体、非導体の区別なくあらゆる物質が使用できる。
この実施例においては、コンタクト１１の表面に形成される高濡れ性物質で構成された仕上げメッキ層のうち、端子部１１１の領域１１１Ａの一部を帯状に選択的に取り除き、端子部１１１の下地メッキ層を露出させて低濡れ性露出部１１４を形成する。
【００２２】
図７（ｇ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが同一材質、同一厚さに形成し、下地メッキ層の露出部１１４を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域内に形成した場合を示す。この場合には境界線Ｂは実際には存在しない。
図７（ｈ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より薄く形成し、下地メッキ層の露出部１１４を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域内に形成した場合を示す。（この図は図６（ｄ）と同じ）
図７（ｉ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より厚く形成し、下地メッキ層の露出部１１４を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域内に形成した場合を示す。
【００２３】
図７（ｊ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より厚く形成し、下地メッキ層の露出部１１４を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの領域内に形成した場合を示す。
図７（ｋ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より薄く形成し、下地メッキ層の露出部１１４を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの領域内に形成した場合を示す。
【００２４】
図８（ｌ）〜（ｐ）は、低濡れ性表面を持つ素材１１Ｘを露出部１１４として露出させる場合であり、端子部１１１の仕上げメッキ層およびその下に形成されている下地メッキ層を両方とも選択的に一部除去して素材の表面を露出させる。
この場合には素材の材質は低濡れ性の導体が望ましいが、例えばレーザー照射によるメッキ層の一部除去工程によって低濡れ性をもつに至るような物質を使用することも可能である。また、下地メッキ層の材質は、その濡れ性に限定はない。
【００２５】
図８（ｌ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが同一材質、同一厚さに形成し、素材１１Ｘの露出部を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域とその下の下地層を共に一部除去して形成した場合を示す。この場合には境界線Ｂは実際には存在しない。
図８（ｍ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より薄く形成し、素材１１Ｘの露出部１１４を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域とその下の下地層を共に一部除去して形成した場合を示す。
【００２６】
図８（ｎ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より厚く形成し、素地１１Ｘの露出部１１４を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域とその下の下地層を共に一部除去して形成した場合を示す。
図８（ｏ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より厚く形成し、素地１１Ｘの露出部１１４を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの領域とその下の下地層を共に一部除去して形成した場合を示す。
【００２７】
図８（ｐ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より薄く形成し、素地１１Ｘの露出部１１４を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの領域とその下の下地層を共に除去して形成した場合を示す。
なお、これら図７または図８において、下地メッキ層が存在しない場合には、仕上げメッキ層のみを削除することによって、素材１１Ｘの露出部１１４を形成できることは容易に理解できるであろう。
【００２８】
また、低濡れ性表面の露出部１１４を形成するために、本願発明では、レーザー光の照射による仕上げメッキ層の除去方法を開示したがこれ以外の除去方法も使用できることも理解できるであろう。
またここで露出部１１４を形成する位置、及びその形状も、帯状に限るものではない。
例えば、図９（ｑ）〜（ｓ）に示す如く、端子部１１１の領域に形成することが望ましい。
【００２９】
なお、図９（ｓ）に示した如く、露出部を複数個形成し、隣り合った露出部間に残された鑞材の流路となる高濡れ性仕上げメッキ層の狭められた領域を形成することによっても、実質的に鑞材の這い上がりを阻止することができる。
同じように、この露出部１１４が、帯状に形成される場合であっても、端子部１１１を一周することが望ましいが、完全に連続して一周することなく、不連続であっても、その不連続部が、狭められた這い上がり領域を形成していれば、這い上がり阻止の効果がある。
【００３０】
図１０に本願発明の他の実施例を示す。
この実施例は、図３に示した従来例のコンタクトを改良したものである。（図１０（ａ））この実施例においても、他の図面に示したものと同一物は同一符号を付す。
この従来例が前述した如く、メッキ技術を用いて、ニッケルメッキ層の下地層１１Ａをコンタクト１１の素材表面に形成した後、所定の間隔（０.３ｍｍ）を持った露出部１１Ｂとして露出させるように、上記所定の間隔だけ空けて接触部１１２用の厚い（０.４(ｍ）金メッキ部１１２Ａと端子部１１１鑞付け用の薄い（０.０５(ｍ）金メッキ部１１１Ａを形成し（図３（ｂ））、その後上記ニッケルメッキ層の露出部を陽極酸化によって酸化ニッケル層１１３’を形成し（図３（ｃ））、これを溶融鑞剤の這い上がり阻止領域として用いているのに対し、本願発明においては、図１０（ｂ）に示す如く、コンタクト素材１１Ｘの表面に下地層１１Ａを形成した後、接触部１１２側には接触用の金メッキ部１１２Ａと、端子部１１１側には鑞付け用の金メッキ部１１１Ａを形成する。この時両者の間には従来例のように所定の間隔だけ空けることは要しない。
【００３１】
次いで、図１０（ｃ）に示す如く、端子部側の金メッキ部１１１Ａの接触部に近い領域にレーザ加工技術を適用して、帯状に端子部表面を一周するように金メッキ部１１１Ａを除去して下地層１１Ａを露出させ低濡れ性露出部１１４を形成する。
これにより、金メッキ部１１１Ａが、２つの部分１１１Ａ−１と１１１Ａ−２に２分される。
このコンタクトを、図２の如く貫通孔２１と、貫通孔メッキ層２１Ａと、溶接鑞剤３とを持った基板２に装着し、鑞剤３を溶融したとき、この鑞剤３は、２分された端子部側金メッキ部の一方１１１Ａ−１を這い上がってくるが、図１０（ｄ）に示す如く低濡れ性露出部１１４によってそれ以上の這い上がりが阻止され、２分された端子部側金メッキ部の他方１１１Ａ−２及び接触部側金メッキ部１１２Ａには到達しない。
【００３２】
なお、低濡れ性露出部１１４の形成位置は、端子部側金メッキ部１１１Ａと接触部側金メッキ部１１２Ａの接合領域に形成しても、或いは、接触部側金メッキ部１１２Ａの端子部に近い領域に形成しても良い。
【００３３】
【発明の効果】
この発明によれば、電子部品のコンタクトにおいて、その溶接鑞剤に対する高い濡れ性の表面層を選択的に一部除去し、低濡れ性の表面を持った下地メッキ層或いは素地を露出させることにより、低濡れ性表面の露出部１１４を形成し、溶接鑞剤の這い上がりをその箇所で阻止することができる。
なお、これまで素材は低濡れ性表面を有するものと言う説明において、下地メッキ層は別体として説明してきたが、下地メッキ層が素材と一体となったものを以って素材と考えることもできる。この考えによれば、下地メッキ層の表面が、素材の表面と定義できる。
【００３４】
この低濡れ性表面の露出部の形成位置精度および幅精度についても、下地メッキおよび仕上げメッキ加工精度に影響を受けず、コンタクトの基準寸法から適正な低濡れ性露出部形成位置を直接に測定設定し、そこに先の加工技術を適用することにより、高濡れ性皮膜の除去位置および範囲を高精度で加工して低濡れ性露出部を得ることができる。
また、メッキ、塗布の如く液体による加工技術と比較して、高濡れ性皮膜の除去の如く固体を取り扱う加工技術はその位置精度および、範囲の精度を高める上において好適な技術であり、量産性を向上することができる。
更に、除去形成した低濡れ性露出部の位置および範囲を目視で容易に確認することができるので、寸法管理も容易に実施することができ、量産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】１つの従来例を説明する図。
【図２】図１の部分拡大図
【図３】他の従来例を説明する図。
【図４】更なる他の従来例を説明する図。
【図５】この発明の１つの実施例を説明する図。
【図６】この発明の実施例を更に説明する図。
【図７】この発明の実施例を更に説明する図。
【図８】この発明の実施例を更に説明する図。
【図９】この発明の実施例を更に説明する図。
【図１０】この発明の他の実施例を説明する図。
【符号の説明】
２配線基板
３溶接鑞剤
１０電子部品
１１コンタクト
１１Ａ下地ニッケルメッキ層
１１Ｂ下地ニッケルメッキ層の露出部
１１Ｘ素材
１２端子保持部材
２１貫通孔
２１Ａ貫通孔メッキ層
２２鑞接パッド
１１１端子部
１１１Ａ、１１１Ａ-１、１１１Ａ-２端子部メッキ層
１１２接触部
１１２Ａ、１１２Ａ-１、１１２Ａ-２接触部メッキ層
１１４低濡れ性物質の露出された領域
１１３酸化被膜
１１３’ 酸化ニッケル層
Ｂ境界線[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electronic component having a contact for welding and a method for producing the same, and in particular, a welding glaze that crawls on a finish plating layer that is a highly wettable film of a welding glaze formed on the surface of the contact. The present invention relates to a novel method for forming a region for preventing creeping and an electronic component having such a blocking region.
[0002]
[Prior art]
A conventional example will be described with reference to FIGS.
The electronic component 10 includes a contact 11 and a terminal holding member 12 made of an insulating material that is molded and held integrally with the contact 11, and the contact 11 is an inner periphery of a through hole 21 formed in the wiring board 2. The terminal portion 111 is brazed to the through-hole plating layer 21A formed in the portion, and the contact portion 112 is in electrical contact with other electronic components. Reference numeral 3 denotes a welding glaze such as solder applied in advance to the welding pad 22 of the wiring (not shown) formed on the lower surface of the wiring board 2.
[0003]
The terminal portion 111 of the contact 11 has a surface plated with tin or gold, which is a highly wettable material of the welding glaze. In a state where the terminal portion 111 is inserted into the through-hole 21 having the plated layer 21A of the wiring board 2 (FIG. 1), the welding glaze 3 applied to the lower surface of the wiring board 2 is heated and melted, whereby the terminal The portion 111, the through-hole plating layer 21A, and the contact pad 22 are connected by electromechanical contact, and the electric terminal 1 is mounted on the wiring board 2 to constitute the electronic component 10.
At the time of brazing, the heat-melted welding glaze 3 is sucked up while the plating layer having high wettability on the surface of the terminal portion 111 is wetted (hereinafter referred to as “scooping up”), and penetrates the terminal portion 111. The amount of the welding glaze 3 in the joining area between the hole plating layers 21A is reduced. When the number of times of heating reaches a plurality of times, the welding glaze is insufficient, and the electromechanical connection between the terminal portion 111 and the through-hole plated layer 21A becomes incomplete.
[0004]
As one measure for solving the problem that the welding glaze between the terminal portion 111 and the plated through hole 21 is insufficient due to the creeping of the welding glaze, as shown in FIGS. An oxide film region 113 for preventing creeping is formed in a partial region of the portion 111 (refer to Japanese Patent Laid-Open No. 8-213070 for details).
That is, a portion of the surface of the tin plating layer forming the highly wettable region of the terminal portion 111 of the contact 11 or the surface of the gold plating layer, where the molten glaze crawls up and reaches, is forced into a band shape. Oxidized to form an oxidized coating region 113 of the surface layer material, and make this region a low wettability region that is not wetted by the heated and melted welding glaze 3 so that the heated and melted welding glaze 3 cannot be exceeded. It is said.
[0005]
However, since this oxide film is merely an oxygen atom bonded to a tin atom or a gold atom constituting the surface layer, the oxide film is actually formed on the surface of the tin plating layer or the gold plating layer deposited on the surface of the terminal portion 111. It is impossible to visually confirm whether or not the oxide film forming process is applied to the terminal portion 111 and whether or not the oxide film forming process is applied to an appropriate position, shape and size of the terminal portion 111.
As another method for solving the problem of shortage of the welding glaze at the terminal portion of the contact, as shown in FIGS. 3a to 3c, after forming the nickel plating layer 11A as the underlayer on the entire surface of the contact 11, the contact portion 112 and A predetermined interval (0.3 mm) is provided between the terminal portion 111 and the contact portion 112 is thick (0.4 (m) gold plating 112A, and the terminal portion 111 is thin (0.0. There is a conventional example in which a 05 (m) gold plating 111A is applied, and the exposed portion 11B of the nickel plating layer remaining between the two is formed as a nickel oxide layer 113 'by anodic oxidation as a molten soot preventing region. For details, see JP-A-10-247535.
[0006]
This nickel oxide layer 113 ′ is also a low wettability region, and the heated and melted welding glaze 3 cannot exceed and does not move up further.
However, in the conventional example of FIGS. 3a to 3b, it is difficult to form the nickel oxide layer 113 ′ with a narrow width of less than 0.2 mm.
Processing with liquid (plating or coating processing) has low accuracy in its position and range, and in particular, the accuracy of the formation position of the plating area can be adjusted by adjusting the liquid level or masking with a tape or jig. It is necessary to perform stable machining with a tolerance of 1 mm or less.
[0007]
That is, the accuracy of the position and width of the nickel oxide layer to be formed is not high because it is affected by the processing position accuracy of the gold plating layer of the contact portion 112 and the processing position accuracy of the brazing gold plating layer of the terminal portion 111. In the case of a fine contact with a terminal length of 2 mm or less, the productivity is poor.
Furthermore, the formed oxide film cannot be visually confirmed as to whether or not the treatment is being performed. A similar problem occurs when the nickel oxide layer is processed by anodization prior to the formation of the gold plating layer of the contact portion 12 and the brazing gold plating layer of the terminal portion 111.
[0008]
Furthermore, it will be described below that there are problems with other types of contacts.
Referring to FIG. 4a, a contact pad 22 is formed on the surface of the wiring board 2, a welding glaze 3 is placed on the welding pad 22, and the welding glaze 3 is melted and heated to form a contact 11. This is a conventional example in which the terminal portion 111 is in contact with the contact pad 22.
In the case of the conventional example shown in FIG. 4a, when the welding glaze 3 is heated and melted, the molten welding glaze 3 is sucked up while wetting the surface 111A of the terminal portion 111 as shown in FIG. As shown in FIG. 5, the surface 112A of the contact portion 112 is also reached to wet the surface, so that the amount of the welding glaze 3 in the joining region between the terminal portion 111 and the welding pad 22 is insufficient. In the figure, B is a boundary line between both surfaces 111A and 112A.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional example shown in FIGS. 1 and 2, the formed oxide film has a drawback that it cannot be visually confirmed whether or not the treatment is being performed.
In the conventional example shown in FIG. 3, the accuracy of the formation position of the plating region is low, and it is difficult to perform stable processing, and the mass productivity is poor in the case of a fine contact. In addition, the formed oxide film cannot be visually confirmed.
In the conventional example shown in FIG. 4, the amount of the welding glaze 3 is insufficient.
As described above, in the conventional example shown in FIGS. 1 to 4, it has been explained that the problem of the creeping of the welding glaze 3 has not been solved.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The present invention provides an electronic component that solves the above-described problem of creeping-up of the welding glaze and a novel manufacturing method thereof.
As one aspect of the present invention, a terminal portion and a contact portion are formed on the material of the contact 11 and a low wettability surface with respect to the welding glaze 3 is provided, and a high wettability substance with respect to the welding glaze 3 is formed on the surface. Forming the finished finish plating layer and selectively removing a part of the high wettability finish plating layer of the terminal portion 111 from which the molten glaze crawls up to form the exposed portion 114 of the low wettability surface of the material; Then, an improved contact 11 configured to use the exposed portion as a blocking portion for preventing the molten glaze from creeping up is obtained, and the electronic component 10 is configured by being in contact with the substrate using the improved contact 11. .
[0011]
As another aspect of the present invention, the material of the contact 11 is made of a low wettability substance for the welding glaze 3, a base plating layer is formed on the material, and the surface is highly wetted for the welding glaze 3. Select a part of the high wettability finish plating layer of the terminal portion 111 where the molten plating agent crawls up and a part of the underlying plating layer below the finish plating layer composed of the active material The exposed portion 114 of the material of low wettability material is removed to obtain an improved contact 11 configured to act as a scooping-up preventing portion of the molten glaze, and this improved contact 11 is obtained. The electronic component 10 is configured in contact with the substrate using
[0012]
When the material 11X of the contact 11 is exposed to form the above-described melted scooping prevention portion, for example, Cu, and Cu and Ti, Be, Sn, Mg, Ni, A copper alloy with Zn (which may contain additives such as P and Si) can be used, but metals such as Co, Mn, Pb, Al, Fe, and SUS can also be used.
The finish plating applied to the surface of the contact 11 is, for example, gold plating, tin or Sn and Ag, Sn and Cu, Sn and Cu and Ag alloy plating, lead or Pb and Sn lead alloy plating, Pd or Pd And Pd alloy of Ni or Pd and Co can be used.
[0013]
Further, as another aspect of the present invention, prior to the formation of the finish plating layer, the nickel alloy of Ni and P, Ni and S, or Ni and B for assisting the deposition of the finish plating layer on the material. A base plating layer made of a gold plating layer is formed. Then, a finish plating layer of a highly wettable substance is formed on the base plating layer.
Since the material of the base plating layer is a conductive material having low wettability with respect to the welding glaze 3, only the finish plating layer is removed to expose the base plating layer, and the exposed portion of the base plating layer causes the above-mentioned It is also possible to form a scooping prevention portion for the molten glaze.
[0014]
In this case, not only conductive materials but also non-conductive materials such as plastics, ceramics, and glass can be used as the constituent material of the material. Therefore, the contact portion and the terminal portion were previously formed by molding using these materials. A contact is formed, an electroless plating layer of nickel alloy is formed on the entire surface by electroless plating, and a finish gold plating layer is formed on the entire surface. Then, a part of the finish plating layer of the terminal portion is removed. Then, a scooping-up preventing portion of the glaze is formed with the exposed portion of the underlayer.
In addition, when a base plating layer composed of a highly wettable substance is formed on a material composed of a conductive material having low wettability, and a finish plating layer is formed thereon, the finish plating layer and the base plating are formed. Both layers are removed to obtain an exposed portion 114.
[0015]
In the process of selectively removing a part of the plating region of the high wettability substance formed on the surface of the contact 11 to form the exposed portion 114 of the low wettability surface, the low wettability surface exposed portion 114 is formed. Mechanical cutting or polishing technology, electrical discharge machining or electron beam machining technology, or laser machining technology is applied to the plating region of the highly wettable material. This processing technique can be easily implemented with good processing position accuracy.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to the electronic components shown in FIGS. In addition, the same symbol is attached | subjected about the same thing as what was shown in the prior art example.
As shown in the perspective view of FIG. 6 (f), the electronic component 10 includes a contact 11 and an insulator housing 12.
A contact pad 22 is formed on the surface of the wiring board 2. As is well known, the wiring board 2 is provided with a printed wiring (not shown) and coupled to the contact pad 22. As shown in FIG. 1, the printed wiring is provided on the back surface of the substrate (the lower side of the substrate 2 in the figure), and is configured to be coupled to the contact pad on the substrate surface through the through hole and the through hole plating layer. May be.
[0017]
Then, the terminal portion 111 of the contact 11 of the electronic component 10 is placed on the welding pad 22 via the welding glaze 3 such as solder, and the welding glaze 3 is melted and heated, whereby the surface of the wiring board 2 is obtained. The contact pad 22 is contacted.
When the contact 11 is made of a conductor, it is made of a copper alloy.
The finish plating applied to the surface of the contact 11 is composed of gold plating, tin or tin alloy plating, lead or lead alloy plating.
Prior to the finish plating, in order to improve the adhesion of the finish plating to the metal material constituting the contact 11, the base plating layer 11A formed on the surface of the material 11X is a nickel alloy plating layer.
[0018]
When a part of the finish plating layer is removed to expose the underlying nickel alloy plating layer, the nickel alloy plating layer is inherently or naturally oxidized during the surface layer removal process, so it has low wettability. It has been experimentally confirmed that the creep of the melt-welded glaze 3 is prevented without oxidation. For this reason, the confirmation work of oxide film formation is not required.
Further, the exposed portion 114 of the low wettability substance is a part of the plating finish plating layer 111A formed on the surface of the terminal portion 111 of the contact 11 and is close to the contact portion 112, and a conventional glaze is used. A band-like shape is formed in the ascending region, and a predetermined width is formed. The exposed plated portion divides the finish plating layer of the terminal portion into 111A-1 and 111A-2.
[0019]
A first embodiment of this contact is shown in FIGS.
Referring to FIG. 5 (a), this is the contact 11 having the welded glaze 3 placed on the soldering pad 22 formed on the surface of the wiring substrate 2, and the surface of the welded glaze 3 being subjected to finish plating. An unheated state in which the terminal portion 111 is engaged is shown.
FIG. 5 (b) shows that the molten welding glaze 3 begins to creep up while wetting the surface of the terminal portion 111. In this embodiment, the terminal portion 111 and the contact portion 112 are formed by changing the material of the finish plating layer 112A and the plating layer thickness of the contact portion 112 so that the contact portion 112 is in better contact with the outside. Therefore, it is shown that there is a boundary line B between the terminal 111 finish plating layer 111A and the contact plating 112 finish plating layer 112A.
[0020]
FIG.6 (d) is sectional drawing in the 5d-5d line | wire of FIG.5 (b).
FIG. 5 (c) shows that the molten welding glaze 3 wets the surface of the terminal portion 111 and reaches the low wettability exposed portion 114 according to the present invention and cannot exceed it. Will no longer crawl and move.
FIG.6 (e) is sectional drawing in the 5e-5e line | wire of FIG.5 (c). Here, when the low wettability exposed portion 114 does not exist as in the conventional example, as shown in FIG. 4C, the molten welding glaze 3 that has reached the entire surface of the terminal portion 111 further scoops the surface of the contact portion 112. The amount of the welding glaze 3 in the joining region between the terminal portion 111 and the brazing pad 22 is insufficient. However, according to the present invention, this further creeping is achieved by forming the low wettability exposed portion 114. Movement is blocked.
[0021]
7 (g) to 7 (k) show various methods for forming the exposed portion 114. FIG. Here, the base plating layer 11A made of a low wettability material is exposed as the exposed portion 114. In this case, any material can be used regardless of whether the material is a conductor or a nonconductor.
In this embodiment, a part of the region 111A of the terminal portion 111 is selectively removed in a band shape from the finish plating layer made of a highly wettable material formed on the surface of the contact 11, and the base of the terminal portion 111 is removed. The plating layer is exposed to form a low wettability exposed portion 114.
[0022]
7G, the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the finish plating layer 112A of the contact portion 112 are formed of the same material and the same thickness, and the exposed portion 114 of the base plating layer is the finish plating of the terminal portion 111. The case where it forms in the area | region of the layer 111A is shown. In this case, the boundary line B does not actually exist.
FIG. 7 (h) shows that the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the finish plating layer 112A of the contact portion 112 are made of different materials or the same material, but the film thickness of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 is in contact. A case is shown in which the film thickness of the finish plating layer 112A of the portion 112 is formed to be thinner than the exposed portion 114 of the base plating layer in the region of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111. (This figure is the same as FIG. 6 (d))
FIG. 7 (i) shows that the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the finish plating layer 112A of the contact portion 112 are made of different materials or the same material, and the film thickness of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 is contacted. The case is shown in which the film thickness of the finish plating layer 112A of the portion 112 is formed to be thicker and the exposed portion 114 of the base plating layer is formed in the region of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111.
[0023]
FIG. 7J shows that the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the finish plating layer 112A of the contact portion 112 are made of different materials or the same material, and the film thickness of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 is in contact. A case is shown in which the film thickness of the finish plating layer 112A of the portion 112 is formed thicker and the exposed portion 114 of the base plating layer is formed in the region of the finish plating layer 112A of the contact portion 112.
FIG. 7 (k) shows that the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the finish plating layer 112A of the contact portion 112 are made of different materials or the same material, and the film thickness of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 is in contact. The case where the film thickness of the finish plating layer 112A of the portion 112 is formed to be thinner than the exposed portion 114 of the base plating layer in the region of the finish plating layer 112A of the contact portion 112 is shown.
[0024]
FIGS. 8L to 8P show a case where the material 11X having a low wettability surface is exposed as the exposed portion 114. Both the finish plating layer of the terminal portion 111 and the underlying plating layer formed thereunder are both shown. Both parts are selectively removed to expose the surface of the material.
In this case, the material of the material is preferably a low wettability conductor, but it is also possible to use a material that has low wettability by, for example, a partial removal process of the plating layer by laser irradiation. Further, the material of the base plating layer is not limited to its wettability.
[0025]
In FIG. 8L, the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the finish plating layer 112A of the contact portion 112 are formed of the same material and the same thickness, and the exposed portion of the material 11X is used as the finish plating layer 111A of the terminal portion 111. In this case, a part of the region and the underlying layer are partially removed. In this case, the boundary line B does not actually exist.
FIG. 8 (m) shows that the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the finish plating layer 112A of the contact portion 112 are made of different materials or the same material, and the film thickness of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 is in contact. In this example, the exposed portion 114 of the material 11X is formed by partially removing the region of the finished plating layer 111A of the terminal portion 111 and the underlying layer below the formed plating layer 112A. .
[0026]
FIG. 8 (n) shows the case where the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the finish plating layer 112A of the contact portion 112 are made of different materials or the same material, and the film thickness of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 is in contact. A case is shown in which the thickness of the finish plating layer 112A of the portion 112 is formed to be thicker than that, and the exposed portion 114 of the substrate 11X is formed by partially removing both the region of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the underlying layer thereunder. .
FIG. 8 (o) shows the case where the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the finish plating layer 112A of the contact portion 112 are made of different materials or the same material, and the film thickness of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 is contacted. A case is shown in which the thickness of the finish plating layer 112A of the portion 112 is formed to be thicker than that, and the exposed portion 114 of the substrate 11X is formed by partially removing both the region of the finish plating layer 112A of the contact portion 112 and the underlying layer thereunder. .
[0027]
In FIG. 8 (p), even if the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 and the finish plating layer 112A of the contact portion 112 are made of different materials or the same material, the thickness of the finish plating layer 111A of the terminal portion 111 is contacted. A case is shown in which the film thickness of the finish plating layer 112A of the portion 112 is formed thinner than that, and the exposed portion 114 of the substrate 11X is formed by removing both the region of the finish plating layer 112A of the contact portion 112 and the underlying layer thereunder.
In FIG. 7 or FIG. 8, it can be easily understood that when the underlying plating layer does not exist, the exposed portion 114 of the material 11X can be formed by deleting only the finish plating layer.
[0028]
Further, in order to form the exposed portion 114 of the low wettability surface, the present invention discloses a method for removing the finish plating layer by laser light irradiation, but it will be understood that other removal methods can be used.
In addition, the position where the exposed portion 114 is formed and the shape thereof are not limited to the belt shape.
For example, it is desirable to form in the region of the terminal portion 111 as shown in FIGS.
[0029]
As shown in FIG. 9 (s), a plurality of exposed portions are formed to form a narrowed region of the highly wettable finish plating layer that serves as a flow path for the brazing material left between adjacent exposed portions. By doing so, it is possible to substantially prevent the creeping of the brazing material.
Similarly, even when the exposed portion 114 is formed in a strip shape, it is desirable to make a round of the terminal portion 111, but even if it is discontinuous without making a full continuous round, If the discontinuous portion forms a narrowed rising region, there is an effect of preventing the rising.
[0030]
FIG. 10 shows another embodiment of the present invention.
This embodiment is an improvement of the conventional contact shown in FIG. (FIG. 10A) Also in this embodiment, the same components as those shown in other drawings are denoted by the same reference numerals.
As described above, in this conventional example, the base layer 11A of the nickel plating layer is formed on the material surface of the contact 11 by using the plating technique, and then exposed as the exposed portion 11B having a predetermined interval (0.3 mm). In addition, a thick (0.4 (m) gold-plated portion 112A for the contact portion 112 and a thin (0.05 (m) gold-plated portion 111A) for brazing the terminal portion 111 are formed at a predetermined interval (see FIG. 3). (B)) After that, an exposed portion of the nickel plating layer is formed by anodic oxidation to form a nickel oxide layer 113 ′ (FIG. 3C), which is used as an area for preventing the molten glaze from rising. In the present invention, as shown in FIG. 10 (b), after the base layer 11A is formed on the surface of the contact material 11X, a contact gold plating portion 112A is formed on the contact portion 112 side, and a contact portion 112A is formed on the terminal portion 111 side. Date Forming a gold plated portion 111A. During this time both need not be spaced by a predetermined distance as in the conventional example.
[0031]
Next, as shown in FIG. 10C, a laser processing technique is applied to a region near the contact portion of the gold plating portion 111A on the terminal portion side, and the gold plating portion 111A is removed so as to go around the terminal portion surface in a strip shape. The underlying layer 11A is exposed to form a low wettability exposed portion 114.
Thereby, the gold plating part 111A is divided into two parts 111A-1 and 111A-2.
When this contact is mounted on the substrate 2 having the through hole 21, the through hole plating layer 21A, and the welding glaze 3 as shown in FIG. 2, the glaze 3 is melted for 2 minutes. As shown in FIG. 10 (d), further creeping is prevented by the low wettability exposed portion 114, and the terminal portion side divided into two parts. It does not reach the other gold plating part 111A-2 and the contact part side gold plating part 112A.
[0032]
It should be noted that the low wettability exposed portion 114 is formed in the junction region between the terminal portion side gold plating portion 111A and the contact portion side gold plating portion 112A or in a region close to the terminal portion of the contact portion side gold plating portion 112A. It may be formed.
[0033]
【The invention's effect】
According to this invention, in the contact of the electronic component, by selectively removing a part of the surface layer having high wettability with respect to the welding glaze, the base plating layer or the base having the surface having low wettability is exposed. The exposed portion 114 of the low wettability surface can be formed to prevent the welding glaze from creeping up at that location.
Until now, in the explanation that the material has a low wettability surface, the base plating layer has been explained as a separate body, but it can also be considered as a material if the base plating layer is integrated with the material. it can. According to this idea, the surface of the base plating layer can be defined as the surface of the material.
[0034]
The formation position accuracy and width accuracy of the exposed portion of this low wettability surface are also not affected by the base plating and finish plating accuracy, and the appropriate low wettability exposed portion formation position is directly measured and set from the reference dimensions of the contact. In addition, by applying the above-described processing technique, the removal position and range of the high wettability film can be processed with high accuracy to obtain the low wettability exposed portion.
Compared with processing techniques using liquids such as plating and coating, processing techniques that handle solids such as removal of highly wettable films are suitable techniques for improving the positional accuracy and range accuracy. Can be improved.
Furthermore, since the position and range of the low wettability exposed portion formed by removal can be easily confirmed visually, dimensional management can be easily performed, and mass productivity is improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating one conventional example.
2 is a partially enlarged view of FIG. 1. FIG. 3 is a diagram for explaining another conventional example.
FIG. 4 is a diagram for explaining still another conventional example.
FIG. 5 is a diagram for explaining one embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram for further explaining an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram for further explaining an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram for further explaining an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram for further explaining an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram for explaining another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
2 Wiring board 3 Welding glaze 10 Electronic component 11 Contact 11A Underlying nickel plating layer 11B Exposed portion 11X of underlaying nickel plating layer Material 12 Terminal holding member 21 Through hole 21A Through hole plating layer 22 Inclining pad 111 Terminal portion 111A, 111A- 1, 111A-2 Terminal part plating layer 112 Contact part 112A, 112A-1, 112A-2 Contact part plating layer 114 Area where low wettability substance is exposed 113 Oxide film 113 'Nickel oxide layer B Boundary line

Claims

An electronic component having a plate-like contact having a terminal part and a contact part to be in contact with each other,
The above contact
A contact material having a low wettability surface with respect to the welding glaze formed with a terminal part and a contact part;
A finish plating layer formed on the low wettability surface of the contact material and made of a material having high wettability with respect to the welding glaze;
An exposed area of the low wettability surface of the contact material that acts as a creeping-up area of the welding glaze,
The contact material has a base plating layer made of a material having low wettability with respect to the welding glaze formed thereon, and the surface of the base plating layer constitutes the low wettability surface of the contact material. And
The blocking area is composed of an exposed area of the low wettability surface of the base plating layer, and a partial area of the finish plating layer is selectively selected by a laser processing technique without making a round of the terminal portion continuously. It is formed in the removed part,
An electronic component characterized by that .