JP4075225B2 - セラミックス・樹脂複合板、セラミックス・樹脂複合基板およびその製造方法 - Google Patents
セラミックス・樹脂複合板、セラミックス・樹脂複合基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4075225B2 JP4075225B2 JP19546399A JP19546399A JP4075225B2 JP 4075225 B2 JP4075225 B2 JP 4075225B2 JP 19546399 A JP19546399 A JP 19546399A JP 19546399 A JP19546399 A JP 19546399A JP 4075225 B2 JP4075225 B2 JP 4075225B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- composite plate
- resin
- ceramics
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Insulating Bodies (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、電子部品実装用の絶縁基板等に使用される熱伝導性が良くかつ絶縁性が良好な絶縁板、絶縁基板およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子などの電子部品搭載用の絶縁板としては、絶縁性のセラミックスである酸化アルミニウム(以下酸化アルミと記す)や窒化アルミニウム(以下窒化アルミと記す)などセラミックスを使用したものと、エポキシやポリイミドなどの樹脂を使用したものがある。一般的には、これらセラミックスや樹脂板の片面または両面に用途に応じた金属を付帯した絶縁基板として使用されており、それぞれセラミックス基板、樹脂基板と呼ばれている。
【0003】
図8は、セラミックス基板に半導体素子を搭載した状態の断面図である。
半導体チップ6を取り付けたリードフレーム7が、例えば酸化アルミの絶縁板8を介してアルミニウム板9に取り付けられている。アルミニウム板9の他方の側には放熱用のフィン10が取り付けられている。
【0004】
熱を多量に発生する大容量のトランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(以下IGBTと略す)等のパワーモジュールの絶縁放熱基板としては、一般にセラミックス基板が使われている。セラミックスとしては、絶縁性が良好であり熱伝導率が高く強度も高いことから酸化アルミが広く使用されてきた。近年、パワーモジュールの小型化、高機能化に向けて放熱性改善のために、さらに熱伝導率が高い絶縁材料として窒化アルミや窒化珪素が使用されつつある。
【0005】
小容量のトランジスタ、IGBTなどのモジュールの絶縁放熱基板としては、一般に樹脂基板が使われている。これは、アルミニウム、鉄や銅などの金属の上に厚さ数10〜数100μm程度のエポキシ樹脂等の高分子化合物からなる有機絶縁体層を設け、その上に銅箔や銅板を貼着したものである。
【0006】
また、熱伝導率向上のためにアルミナなどのセラミックス粉末の無機充填材(無機フィラー)を分散させた樹脂板も使われている。
図9は、フィラー入り樹脂板の半透視斜視図である。樹脂2中に、直径10〜50μmの球状のセラミックスフィラー5が一様に分散している様子が見られる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述のセラミックス基板、樹脂基板、フィラー入り樹脂基板の特性を表1に示す。
【表1】
セラミックス基板は、酸化アルミで熱伝導率が約20W/(m・K)、窒化アルミで熱伝導率が180W/(m・K) と高く、放熱性に優れる。しかしながら、伸縮やたわみなどの変形性に劣り、特にパワーモジュールの絶縁放熱基板として用いた場合、ネジ締め付け時のたわみ変形やヒートサイクルで割れることがあり、その信頼性に問題があった。例えば、電極として銅を接合した窒化アルミ基板では、スパン50mmの三点曲げ試験で破壊時のたわみ量が0.6mm以下しかない。また、酸化アルミ、窒化アルミのセラミックス基板とも−40℃×1時間〜RT×30分間〜125℃×1時間のヒートサイクル500回をおこなった後では、電極端にクラックが発生することがあった。
【0008】
電極として銅を接合した樹脂基板は、スパン50mmの三点曲げ試験で破壊時のたわみ量が2.0mm以上であった。また、−40℃×1時間〜室温(以下RTと記す)×30分間〜125℃×1時間のヒートサイクル500回をおこなった後でもクラックの発生はなく、たわみ変形やヒートサイクルに対して信頼性を満足する。しかしながら、樹脂のみの場合では熱伝導率が1W/(m・K)以下、酸化アルミや窒化アルミまたは窒化珪素などフィラーを高充填させたものでも熱伝導率が2〜5W/(m・K)程度しかなく、その放熱性に課題がある。
【0009】
樹脂基板は上記のようにたわみ量が大きくヒートサイクルに強いため、セラミックス板の厚さ0.635mmに対し、樹脂板の厚さを0.200mmまで薄くすることができる。しかしながら、樹脂板の熱伝導率の低さから大きな熱抵抗を受けてしまっている。
【0010】
従来のセラミックスフィラーを充填した樹脂板では、フィラーが基板厚さに対して小さく、高充填させても、表面から裏面への断面方向のパス中に必ず樹脂が多数含まれる。そのため断面方向では熱伝導率が小さくなってしまう。
【0011】
以上のような問題に鑑み本発明の目的は、半導体素子搭載用絶縁基板や熱関連部品に適する、セラミックス並の高熱伝導率で、樹脂板なみの高信頼性を持つ絶縁板、および金属板を接合した絶縁基板、並びにその製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題解決のため本発明は、絶縁性樹脂と絶縁性セラミックスとからなる電気絶縁性の複合板において、セラミックスが、複合板の上面と下面である複合板の対向する主面に対して垂直な方向に配向して配置されているものとする。
【0013】
表裏面に対して垂直方向に配向して配置制御されているセラミックスは、基板の表面から裏面へ熱の伝導パスとして働き、セラミックスフィラーを充填した樹脂板と違いスムーズに熱が伝わる。平面的には樹脂が網の目状に回り込んでいるため、たわみや面方向の引張りや圧縮応力に対して強い。
【0014】
特に、セラミックスが対向する主面間にほぼ貫通するように配置されていれば、複合板の表面から裏面への熱伝導率が大幅に向上できる。
セラミックスは、繊維状であっても、また板状であっても、球状であっても、主面間にほぼ貫通するように配置されていれば良い。
セラミックスの割合が20〜80vol%の範囲にあることが重要である。
【0015】
後記の実施の形態で説明するように、20vol%未満では熱伝導率の向上が不十分であり、80vol%を越えると、弾性を失い、ヒートサイクルでクラックを発生し易くなる。
上記の複合板の上下に、金属板を接合すればセラミックス・樹脂複合基板とすることができる。
【0016】
絶縁性樹脂と絶縁性セラミックスとからなる電気絶縁性の複合板の製造方法としては、複合板の上面と下面である複合板の対向する主面に対して垂直な方向に配向させた繊維状セラミックスを含有する樹脂ブロックを、繊維状セラミックスの配向方向にほぼ垂直な方向、すなわち複合板の主面にほぼ水平な方向に切断してもよいし、シートを打ち抜いた穴にセラミックスのスラリーを流し込み、乾燥、焼成して得た板状のセラミックスを用いても良い。いずれの方法でも、セラミックスが複合板の上面と下面である主面間にほぼ貫通するように配置された樹脂板が得られる。
【0017】
特にシートを打ち抜いた穴にセラミックスのスラリーを流し込み、乾燥、焼成して板状のセラミックスを得る方法では、シートに打ち抜く穴径または、穴間隔を調節してセラミックスの割合を制御するものとする。
そのような方法でセラミックスの割合を、適当な割合に制御することができる。
【0018】
絶縁性樹脂と球状セラミックスとからなる電気絶縁性の複合板の製造方法の場合には、板厚とほぼ等しい直径の球状セラミックスと樹脂とを混合した杯土を押出し成形し、球状のセラミックスを二次元的に配置すればよい。
【0019】
そのような簡単な方法で球状のセラミックスを二次元的に配置した複合板を得ることができる。
セラミックス・樹脂複合基板の製造方法としては、セラミックスを挟んで配置した二枚の金属板間に樹脂を注入することを行えば極めて容易である。
【0020】
【発明の実施の形態】
[実施例1]
図1は、本発明第一の実施例のセラミックス・樹脂複合板の半透視斜視図である。樹脂2中にセラミックス繊維1が主面に垂直方向に埋め込まれている様子が見られる。セラミックス・樹脂複合板の寸法は例えば、幅26mm、長さ59mm、厚さ0.4mmである。
【0021】
セラミックス繊維1として酸化アルミ繊維を、樹脂2としてエポキシ樹脂を用いたセラミックス・樹脂複合板の作製方法を以下に説明する。
先ず、直径0.2mmのレーヨン繊維に塩化アルミニウム水溶液を含浸させる。含浸させたレーヨン繊維を電気炉内に吊るし、450℃の大気中で4時間仮焼し、その後、1600℃の大気中で2時間焼成した。これにより、直径0.05mmの酸化アルミ繊維が得られた。
【0022】
内寸26×59mm、深さ101×の成形型に、100mmの長さに切断した酸化アルミ繊維を方向を揃えて入れ、エポキシ樹脂を静かに流し入れた。そのまま、1×10-1Paの真空中で30分間脱泡して内部の気泡を取り除いた。それを、150℃で1時間保持し、硬化させた。
硬化させた複合体をアルミナ繊維と垂直方向に0.4mmの厚さにスライスし、26×59×0.4mmの複合板を得た。
【0023】
次にこの複合板の両面を# 1500の研磨紙で3分間研磨し、更にバフ研磨した。これにより、固い酸化アルミ繊維部分は殆ど研磨されず、専ら樹脂の部分のみ研磨されてアルミ繊維が露出する。
【0024】
樹脂部分が研磨されて凹んだ複合板の両面にエポキシ樹脂を塗布し、裏面にアルミニウム板、表面に銅製リードフレームを真空中で貼り合せ、150℃の大気中で1時間で硬化させ、電極付きの複合基板を作製した。
【0025】
作製した複合板は密度測定の結果からセラミックスの体積割合が70vol%であった。
【0026】
この基板の特性を表2に示す(試料番号1−1)。
【表2】
熱抵抗測定から計算された複合板の熱伝導率は12W/(m・ k)、スパン50mmの三点曲げ試験で破壊時のたわみ量は1.5mmあり、非常に良好な特性を示した。また、−40℃×1時間〜RT×30分〜125℃1時間のヒートサイクル500回を行った後でもクラックはなく良好な特性を示した。
【0027】
[実施例2]
図2は、本発明第二の実施例のセラミックス・樹脂複合板の半透視斜視図である。樹脂2中に円板状セラミックス3が主面に垂直方向に埋め込まれている様子が見られる。セラミックス・樹脂複合板の寸法は例えば、幅25mm、長さ58mm、厚さ0.4mmである。
【0028】
円板状セラミックス3として酸化アルミを、樹脂2としてエポキシ樹脂を用いたセラミックス・樹脂複合板の作製方法を以下に説明する。
市販のアルミナ原料粉末にポリビニルアルコール(以下PVAと記す)バインダーを5wt% 加えたものを、内径2.5mmの金型に入れ、1t/cm2 でプレス成形した。それを、450℃の大気中で4時間仮焼し、1600℃の大気中で2時間焼成し、直径1.8mm厚さ0.4mmの円板状のセラミックスチップを得た。
【0029】
図3は、本実施例2の複合基板の製造工程の説明図である。
アルミニウム板9の上に内寸25×58mmの成形枠11を置き、その中に円板状セラミックス3を所定間隔で敷き詰め、真空中で樹脂を注入し、図示していない銅製のリードフレームで押さえつける。そのまま、1×10-1Paの真空中で30分脱泡し内部の気泡を取り除いた後、150℃で1時間保持し、硬化させ、電極付きの複合基板を作製する。
【0030】
セラミックスの割合を70〜88% の間で変えたものを試作し、それらの特性も表2に示した(試料番号2−1〜2−4)。
セラミックスの割合を増すに従って熱伝導率は向上している。しかし、同時に破壊時のたわみ量が急減している。セラミックスの割合が85% 以上のものは、−40℃×1時間〜RT×30分〜125℃1時間のヒートサイクル500回でクラックが発生した。
【0031】
円板状のセラミックスとして窒化アルミと窒化珪素を使用したものも同様に作製した。セラミックスの割合は75% とした。それらの特性も表2に示した(試料番号2−5、2−6)。
【0032】
窒化アルミを用いた複合基板は、酸化アルミの複合板の8倍近い熱伝導率を示し、破壊時のたわみ量は同等であり、ヒートサイクル500回後もクラックが発生しなかった。
【0033】
窒化珪素を用いた複合基板は、酸化アルミの複合板の3倍近い熱伝導率を示し、破壊時のたわみ量は同等であり、ヒートサイクル500回後もクラックが発生しなかった。
なお、セラミックスチップの形状が、円板状に限られないことはいうまでも無い。
【0034】
[実施例3]
セラミックスとして円板状のアルミナを樹脂としてエポキシ樹脂を用いた図2のような複合基板は、以下の方法によっても作製できた。図4はその作製工程のフロー図である。
市販のアルミナ原料粉末にPVAバインダーと水を加え、よく混合してスラリーを作製する。
【0035】
また、厚さ0.6mmのポリエチレンテレフタレート(以下PETと記す)フィルムを準備し、φ2mmの貫通穴を所定間隔にパンチングで打抜き、別の打抜いていないPETフィルムと貼り合せる。
その穴にスラリーを流し入れ乾燥させる。
【0036】
焼成冶具を上に載せてから反転させ、セラミックスグリーンシートを焼成冶具の上に残してPETフィルムをはずす。
そのまま、450℃の大気中で4時間仮焼した後、1600℃の大気中で2時間焼成する。
【0037】
アルミニウム板で押え込んで反転させ、焼成冶具を取り除いて、銅製のリードフレームをのせることにより、アルミニウム板と銅製のリードフレームで挟み込む。
1×10-1Paの真空中でアルミニウム板とリードフレームと間にエポキシ樹脂を流し込み、150℃で1時間保持し、硬化させる。
このようにして、電極付きの複合基板を作製した。
【0038】
この方法で、セラミックスの体積割合が20〜82vol%の複合板を作製した。これらの複合板、複合基板についての特性も表2に示した(試料番号3−1〜3−7)。なお、セラミックスの割合は密度測定の結果から算出した。
【0039】
セラミックスの割合が20% のもので、従来の80% フィラー入りと同等の熱伝導率が得られることは驚くべきことである。これは、円板状セラミックスがほぼ、複合板の上下面に達しているのに対し、フィラーは小さく、上下方向に連続していなかったためである。
【0040】
更にセラミックスの割合が増す程、熱伝導率が向上しているのは実施例2と同様であり、同じセラミック割合では同程度の熱伝導率を示している。
セラミックスの体積割合が80vol%以下では、三点曲げ試験での破壊時のたわみ量が1mm以上あり、ヒートサイクル後でもクラックがなく良好な特性を示した。
【0041】
セラミックスの体積割合がほぼ同じである実施例2のものと比較すると、ほぼ同じ特性であることから、製造方法の違いは小さいと考えられる。また、実施例1の繊維状セラミックスのものでも同じ特性を示しているので、セラミックスの形状の違いの影響も小さい。
【0042】
本実施例3の製造方法では、PETフィルムの打ち抜き穴径、または打抜き間隔を変えることにより、熱伝導率、破壊時のたわみ量を調整できることがわかった。
なおこの場合も、セラミックスチップの形状が、円板状に限られないことはいうまでも無い。
【0043】
[実施例4]
図5は、本発明第四の実施例のセラミックス・樹脂複合板の半透視斜視図である。樹脂2中に球状セラミックス4が埋め込まれている様子が見られる。セラミックス・樹脂複合板の寸法は例えば、幅25mm、長さ58mm、厚さ0.4mmである。
球状セラミックス4として酸化アルミを、樹脂2としてエポキシ樹脂を用いたセラミックス・樹脂複合基板の作製方法を以下に説明する。
【0044】
図6は、本実施例4の複合板の製造工程の説明図である。
アルミニウム板9の上に内寸25×58mmの成形枠11を置き、その中に市販のφ0.4mmのアルミナボールを敷き詰める。真空中で樹脂を注入し、図示していない銅製のリードフレームで押さえつける。そのまま、1×10-1Paの真空中で30分間脱泡して内部の気泡を取り除いた後、150℃で1時間保持し、硬化させ、電極付きの複合基板を作製する。
このようにして作製した複合板は、密度測定の結果からセラミックスの割合が55vol%であった。その特性を表2に示す(試料番号4−1)。
【0045】
熱抵抗測定から計算された熱伝導率は8W/(m・k) であり、三点曲げ試験による破壊時のたわみ量は1.6mmであり、良好な特性を示した。また、−40℃×1時間〜RT×30分間〜125℃1時間のヒートサイクル500回をおこなった後でもクラックの発生はなかった。
【0046】
セラミックスの体積割合がほぼ同じで、実施例3の板状セラミックスのものと比較すると、ほぼ同じ特性であることから、セラミックスの形状の違いの影響は小さいと考えられる。
【0047】
[実施例5]
セラミックスとして球状のアルミナを樹脂としてエポキシ樹脂を用いた図3のような複合基板は、以下の方法によっても作製できた。図7は、その作製工程のフロー図である。
エポキシ樹脂と市販の直径0.4mmの酸化アルミボールをよく混合し、杯土を作製する。
【0048】
その杯土を押出し成形機に入れ、断面が59×0.4mmの口金から押出して、厚さ0.4mmの複合シートを得る。
その複合シートを26mm間隔で切断し、裏側にアルミニウム板、表側に銅リードフレームを密着させた後、150℃で1時間硬化させる。
このようにして、電極付きの複合基板を作製した。
【0049】
作製した複合板は密度測定の結果からセラミックスの割合が52vol%であった。その特性を表2に示す(試料番号5−1)。電極付きの複合基板は、スパン50mmの三点曲げ試験で破壊時のたわみ量は1.8mm であり、その熱抵抗測定から計算された熱伝導率は7W/(m・k) であり、良好な特性を示した。また、−40℃×1時間〜RT×30分間〜125℃1時間のヒートサイクル500回をおこなった後でもクラックの発生はなかった。実施例4のものと比較すると、ほぼ同じ特性であることから、製造方法の違いは小さいと考えられる。
【0050】
以上の実施例では樹脂としてエポキシ樹脂を用いたがエポキシ樹脂だけでなく、シリコーン樹脂等のセラミックスや金属との接合性のよい樹脂であれば、同様の効果が期待できる。
【0051】
以上説明したように本発明によれば、セラミックスが、複合板の上面と下面である複合板の対向する主面に対して垂直な方向に配向して配置されているセラミックス・樹脂複合板とすることによって、従来のフィラー入り樹脂板に比べて熱伝導率が高く、従来のセラミックス板に比べたわみ量が大きく機械的強度も良好な絶縁板とすることができる。
【0052】
複合板の主面に垂直な方向に配向している繊維状セラミックスや板厚がほぼ複合板の板厚に等しい板状セラミックスを有するものは、表面の熱がセラミックスを通ってスムーズに裏面に伝わることにより、高熱伝導率となる。
【0053】
複合絶縁板の両側に金属板を接合した本発明の複合絶縁基板は、耐ヒートサイクル性も優れ、セラミックス板に比べ高い信頼性をもつので、特にパワーデバイス搭載用の絶縁基板として極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の複合板の半透視斜視図
【図2】実施例2の複合板の半透視斜視図
【図3】実施例2の複合基板の製造工程の説明図
【図4】実施例3の複合基板の製造工程のフロー図
【図5】実施例4の複合板の半透視斜視図
【図6】実施例4の複合基板の製造工程の説明図
【図7】実施例5の複合基板の製造工程のフロー図
【図8】パワーモジュールの断面図
【図9】従来のフィラー入り絶縁基板の半透視斜視図
【符号の説明】
1 セラミックス繊維
2 樹脂
3 円板状セラミックス
4 球状セラミックス
5 フィラー
6 半導体チップ
7 リードフレーム
8 絶縁板
9 アルミニウム板
10 フィン
11 成形枠
Claims (11)
- 絶縁性樹脂と絶縁性セラミックスとからなる電気絶縁性の複合板において、セラミックスが、複合板の上面と下面である複合板の対向する主面に対して垂直な方向に配向して配置されていることを特徴とするセラミックス・樹脂複合板。
- セラミックスが、複合板の上面と下面である複合板の対向する主面間にほぼ貫通するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載のセラミックス・樹脂複合板。
- セラミックスが繊維状であり、繊維状セラミックスが複合板の主面である複合板の上面と下面に垂直な方向に配向していることを特徴とする請求項2に記載のセラミックス・樹脂複合板。
- セラミックスが板状であり、その板厚がほぼ複合板の板厚に等しく、複合板内に平面的に分散配置されていることを特徴とする請求項2に記載のセラミックス・樹脂複合板。
- セラミックスが球状であり、その直径がほぼ複合板の板厚に等しく、複合板内に平面的に分散配置されていることを特徴とする請求項2に記載のセラミックス・樹脂複合板。
- セラミックスの割合が20〜80vol%の範囲にあることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載のセラミックス・樹脂複合板。
- 請求項1ないし6のいずれかの複合板の主面に、金属板を接合したことを特徴とするセラミックス・樹脂複合基板。
- 絶縁性樹脂と絶縁性セラミックスとからなる電気絶縁性の複合板の製造方法において、複合板の上面と下面である複合板の対向する主面に対して垂直な方向に配向させた繊維状セラミックスを含有する樹脂ブロックを、繊維状セラミックスの配向方向にほぼ垂直な方向に切断することを特徴とするセラミックス・樹脂複合板の製造方法。
- 絶縁性樹脂と絶縁性セラミックスとからなる電気絶縁性の複合板の製造方法において、シートを打ち抜いた穴にセラミックスのスラリーを流し込み、乾燥、焼成して得たセラミックスを用いることを特徴とするセラミックス・樹脂複合板の製造方法。
- シートに打ち抜く穴径または、穴間隔を調節してセラミックスの割合を制御することを特徴とする請求項9に記載のセラミックス・樹脂複合板の製造方法。
- 絶縁性樹脂と絶縁性セラミックスとからなる電気絶縁性の複合板の製造方法において、板厚とほぼ等しい直径の球状セラミックスと樹脂とを混合した杯土を押出し成形し、球状のセラミックスを二次元的に配置することを特徴とするセラミックス・樹脂複合板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19546399A JP4075225B2 (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | セラミックス・樹脂複合板、セラミックス・樹脂複合基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19546399A JP4075225B2 (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | セラミックス・樹脂複合板、セラミックス・樹脂複合基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001023465A JP2001023465A (ja) | 2001-01-26 |
| JP4075225B2 true JP4075225B2 (ja) | 2008-04-16 |
Family
ID=16341506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19546399A Expired - Lifetime JP4075225B2 (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | セラミックス・樹脂複合板、セラミックス・樹脂複合基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4075225B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7147313B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-10-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属ベース基板 |
| JP7143659B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-09-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属ベース基板 |
-
1999
- 1999-07-09 JP JP19546399A patent/JP4075225B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001023465A (ja) | 2001-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109791918B (zh) | 电路装置的散热结构 | |
| WO2007026547A1 (ja) | 回路基板及びこれを用いた半導体モジュール、回路基板の製造方法 | |
| US10490491B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2012531036A (ja) | 圧電性セラミック本体を製造する方法 | |
| DE112016005409B4 (de) | Leistungs-halbleitereinrichtung | |
| KR20180050392A (ko) | 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치 | |
| EP4635733A1 (en) | High-strength graphene heat-conducting pad and preparation method therefor | |
| US20220369468A1 (en) | Substrate structures and methods of manufacture | |
| TW202100716A (zh) | 導熱性樹脂片、積層散熱片、散熱性電路基板、以及功率半導體裝置 | |
| JP2883787B2 (ja) | パワー半導体装置用基板 | |
| JP3176815B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| US10937714B2 (en) | Electrical device having a covering material | |
| JP4075225B2 (ja) | セラミックス・樹脂複合板、セラミックス・樹脂複合基板およびその製造方法 | |
| JP4582144B2 (ja) | 熱伝導シートおよびその製造方法、並びに熱伝導シートを用いたパワーモジュール | |
| KR101630879B1 (ko) | 반도체 배열체 | |
| JP2014120727A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| EP4084062A1 (en) | Power semiconductor module arrangement | |
| US20210166986A1 (en) | Package with encapsulant under compressive stress | |
| CN110943057B (zh) | 功率半导体模块装置 | |
| CN114156240A (zh) | 用于半导体模块的底板和用于制造底板的方法 | |
| JPH1067560A (ja) | 高熱伝導率セラミックスおよびその製造方法 | |
| WO2014073038A1 (ja) | 発光ダイオード用基板 | |
| CN104868042A (zh) | 一种高导热复合陶瓷基板及其制作方法 | |
| EP3416186A1 (en) | Semiconductor substrate arrangement with a connection layer with regions of different porosity and method for producing the same | |
| US11309230B1 (en) | Power electronic modules including one or more layers including a polymer produced via a frontal ring-opening polymerization process |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040115 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060703 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060704 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060801 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071023 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071128 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080121 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4075225 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 4 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |