JP4077752B2 - Large substrate for multiple acquisition - Google Patents
Large substrate for multiple acquisition Download PDFInfo
- Publication number
- JP4077752B2 JP4077752B2 JP2003086185A JP2003086185A JP4077752B2 JP 4077752 B2 JP4077752 B2 JP 4077752B2 JP 2003086185 A JP2003086185 A JP 2003086185A JP 2003086185 A JP2003086185 A JP 2003086185A JP 4077752 B2 JP4077752 B2 JP 4077752B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- dividing groove
- weight
- substrate
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板の製造に用いられる複数個取り用大型基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
回路基板は、半導体装置や複合電子部品等に幅広く用いられており、複数個取り用大型基板から分割処理することにより得られていた。
従来の複数個取り用大型基板は、複数の絶縁層からなる積層体の上面に、分割溝が形成されており、分割溝によって複数の基板領域が有してなる構成のものがあり、形成された分割溝を基準にして、隣接し合う基板領域を抗折するような応力を加えることにより、複数の回路基板に分割されるようにしている。尚、分割溝の形成を上面に加えて下面にも形成することで、分割処理によるバリやカケの発生を少なくすることが可能となり、更には、分割溝を深く形成することで、その効果を大きくした構成のものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
このような複数個取り用大型基板は、図3(a)〜(c)に示すように、無機組成物を含む複数個のグリーンシート31a〜31cを用意し、積層する工程と、得られた積層体31の上面に、ブレードの刃先を垂直に押し当てて、縦横方向に延びる分割溝32を形成する工程と、積層体31を所定の温度条件にて焼成することにより、無機組成物を焼結させて複数個取り用大型基板30を得る工程とによって製作される。
【0004】
【特許文献1】
特開平6−310821号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の複数個取り用大型基30板は、積層体31を焼成して、無機組成物を焼結させる工程において、積層体31が焼結に伴って収縮することから、上面に形成された分割溝32は深さが浅くなるとともに、幅についても狭くなり、分割溝の側面が最深部付近で再接合することもあった。従って、焼結後の分割溝が浅くなり、分割処理した際にバリやカケが発生しやすくなるという欠点を有していた。
【0006】
また、分割処理をスムーズに行うために、分割溝を深く形成した複数個取り用大型基板においては、実装時のハンドリングによって割れが発生してしまうことがあり、更には、深く形成するとともに分割溝の幅も広くなってしまうので、実装密度も低下してしまう欠点を有していた。
【0007】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、分割処理によるバリ、カケ及び実装時のハンドリングによる割れの発生を低減することが可能な高実装密度の複数個取り用大型基板を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の複数個取り用大型基板は、第1の無機組成物を焼結させてなる第1絶縁層と、該第1絶縁層よりも厚みが厚く、第2の無機組成物を第1の無機組成物よりも高温で焼結させてなる第2絶縁層とを積層し、かつ、前記第1絶縁層を最上層に位置させた積層体の上面に分割溝を形成してなる複数個取り用大型基板であって、前記分割溝の深さD1を前記積層体の最上層に配設されている第1絶縁層の厚みTよりも大となしたことを特徴とするものである。
【0009】
また、本発明の複数個取り用大型基板は、前記分割溝が断面V字状をなしており、その下方に前記分割溝の最深部を起点とするスリットが下方に向かって形成されていることを特徴とするものである。
【0010】
更に、本発明の複数個取り用大型基板は、前記スリットの長さD2が前記分割溝の深さD1に対し2%〜30%に設定されていることを特徴とするものである。
【0011】
本発明の複数個取り用大型基板によれば、積層体1の焼成時に、第1絶縁層を焼結させる温度領域では、第1絶縁層の焼結に伴う収縮の面方向を、未焼結状態の第2絶縁層が抑制するので、第1絶縁層は、厚み方向に大きく焼結して面方向の寸法がほぼ維持されることとなる。従って、最上層には第1絶縁層が形成されているので、分割溝の上方部の幅は、焼成前とほぼ同じ幅を維持した状態となる。加えて、前記分割溝の深さD1を前記積層体の最上層に配設されている第1絶縁層の厚みTよりも大となしたことにより、第2絶縁層を焼結させる温度領域では、分割溝の上方部で焼結完了した第1絶縁層が、第2絶縁層の焼結に伴う収縮の面方向を抑制するので、分割溝の側面は、焼結に伴って収縮が働いても接近しないので再接合は起こりにくくなり、分割処理によるバリやカケの発生を低減することが可能となる。
【0012】
また、本発明の複数個取り用大型基板によれば、分割溝の上方部で焼結完了した第1絶縁層が、分割溝の側面を焼結に伴って広がるような応力が働く。加えて、前記分割溝が断面V字状をなしておることにより、その下方に前記分割溝の最深部を起点とするスリットが下方に向かって形成されるので、断面V字状をなす分割溝の最上層における幅は狭くても、実質的には深い分割溝が形成されて分割処理を行いやすいものとなり、実装密度を高くすることができる。
【0013】
更に、本発明の複数個取り用大型基板によれば、前記スリットの長さD2が前記分割溝の深さD1に対し2%〜30%に設定されていることにより、実装時のハンドリングによる割れが発生を低減することが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明の複数個取り用大型基板の断面図、図2は図1の複数個取り用大型基板の要部拡大断面図であり、図中の1は積層体であり、積層体1の上面には、分割溝2が形成されている。
【0015】
前記積層体1は、第1絶縁層1aと、第2絶縁層1bとを積層した構造を有している。多層回路基板1の内部及び表層には、図示しない配線導体が形成されており、表層の配線導体は、主に電子部品素子の搭載部となる接続パッドとして機能し、内部の配線導体及びビアホール導体は、主に各回路素子を電気的に接続する配線や、インダクタやキャパシタ等の回路素子として機能する。
【0016】
第1絶縁層1aは第1の無機組成物から、また第2絶縁層1bは第2の無機組成物から成り、これら無機組成物の材料としては、例えば800℃〜1200℃の比較的低い温度で焼成が可能なガラス−セラミック材料が好適に用いられる。ガラス−セラミック材料にはガラス粉末及びセラミック粉末が含まれ、ガラス粉末は30〜100重量部含まれており、ガラス粉末を除く材料がセラミック粉末となる。
【0017】
本実施形態においては、例えば、第1絶縁層1aをガラス粉末が85重量部、第2絶縁層1bはガラス粉末を55重量部の組成から成る材料により製作した。
【0018】
ガラス粉末の具体的な組成としては、例えば、必須成分として、SiO2を20〜70重量部、Al2O3を0.5〜30重量部、MgOを3〜60重量部、また任意成分として、CaOを0〜35重量部、BaOを0〜35重量部、SrOを0〜35重量部、B2O3を0〜20重量部、ZnOを0〜30重量部、TiO2を0〜10重量部、Na2Oを0〜3重量部、Li2Oを0〜5重量部含むものが用いられる。
【0019】
セラミック粉末としては、Al2O3、SiO2、MgTiO3、CaZrO3、CaTiO3、Mg2SiO4、BaTi4O9、ZrTiO4、SrTiO3、BaTiO3、TiO2から選ばれる1種以上が用いられる。
【0020】
上記組成のガラス粉末とセラミック粉末との組み合わせによれば、1000℃以下での低温焼結が可能となるとともに、配線導体として、銀(融点960℃)、銅(融点1083℃)、金(融点1063℃)などの低抵抗導体を用いて形成することが可能となり、低損失な回路を作成できる。また、誘電率の制御も可能であり、高誘電率化による回路の小型化、低損失化、あるいは、低誘電率化による高速伝送化に適している。しかも、上記の範囲で種々組成を制御することによって、焼成収縮挙動を容易に制御、変更することができる。
【0021】
尚、配線導体やビアホール導体は銀、銅、金のいずれか一種を含む導電材料からから成り、その厚みは例えば5〜25μmに設定される。
【0022】
また、ビアホール導体の直径は任意に設定することができ、ビアホール導体が埋設される絶縁層の厚みが10〜300μmの場合、ビアホール導体の直径は例えば50〜300μmに設定される。
【0023】
上述した複数個取り用大型基板は、以下の工程を含むものである。
(工程1)
第1の無機組成物から成る第1絶縁層1a、第2の無機組成物から成る第2絶縁層1bは、例えば上述したガラス粉末とセラミック粉末とを組み合わせた粉末に、有機バインダと有機溶剤及び必要に応じて可塑剤とを混合してスラリー化し、このスラリーを用いてドクターブレード法などによりテープ成形を行い、所定寸法に切断することによって得られるセラミックグリーンシートである。
【0024】
このとき、第1絶縁層1aは、第2絶縁層1bに比して厚みが薄く形成されており、第1絶縁層1aの各々の厚みは、例えば2〜150μmに設定され、第2絶縁層1bの各々の厚みは、例えば10〜300μmに設定される。
【0025】
次に、第1絶縁層と第2絶縁層とを貼り合わせ、得られたシートにパンチングなどによって貫通孔を形成し、その貫通孔内に導体ペーストを充填してビアホール導体3を形成し、シートの主面には導体ペーストをスクリーン印刷法などによって被着させて配線導体2を形成する。
【0026】
本実施形態においては、例えば、第1の無機組成物はガラス粉末が、SiO2を40重量部、Al2O3を2重量部、MgOを15重量部、CaOを1重量部、BaOを15重量部、BO3を20重量部、ZnOを1重量部、TiO2を0.5重量部、Na2Oを0.5重量部、Li2Oを5重量部と、セラミック粉末が、MgTiO3を15重量部の組成から成り、また第2の無機組成物はガラス粉末が、SiO2を40重量部、Al2O3を2重量部、MgOを15重量部、CaOを1重量部、BaOを15重量部、BO3を20重量部、ZnOを1重量部、TiO2を0.5重量部、Na2Oを0.5重量部、Li2Oを5重量部、セラミック粉末が、Al2O3を45重量部含む材料から成っている。
【0027】
これらの無機組成物に、有機バインダとしてアクリルバインダ、有機溶剤としてトルエンを添加してなるスラリーを調整し、それぞれ第1絶縁層1a、第2絶縁層1bとなるセラミックグリーンシートを形成した。
【0028】
そして、配線導体とビアホール導体の材料は、例えば、銀粉末に、有機バインダとしてエチルセルロース、有機溶剤として2−2−4−トリメチル−3−3−ペンタジオールモノイソブチレートを添加して成るペーストを用いた。
【0029】
このようにして得られた各シートを、所定の積層順序に応じて積層して積層体1を形成する。
【0030】
(工程2)
次に、得られた積層体1の上面に、ブレードの刃先を垂直に押し込んで、深さが第1絶縁層1aの厚みよりも大となるように、分割溝2を形成する。本実施形態においては、ブレードの刃先の角度は、20〜40度に設定されており、積層体1の厚みの7〜13%の深さまで押し込むことにより、分割溝2を形成した。
【0031】
このような分割溝2は、縦横方向に延びるようにして形成することで、複数の基板領域を形成している。
【0032】
尚、本実施形態においては、分割溝2を、縦、横にそれぞれ平行して複数形成するようにしている。
【0033】
(工程3)
そして最後に、上述の分割溝2を形成した積層体1を、第1の無機組成物を焼結させる温度領域と、第2の無機組成物を焼結させる温度領域とを経て、一体焼成することにより、図1に示すような複数個取り用大型基板10が得られる。
【0034】
上述の工程1〜3を経て得られた複数個取り用大型基板は、複数の絶縁層からなる積層体1の上面に、分割溝2が形成されており、分割溝2によって複数の回路基板領域を有した構成となり、形成された分割溝2を基準にして、隣接し合う回路基板領域を抗折するような応力を加えることにより、複数の回路基板に分割されるようになっている。
【0035】
積層体1の焼成時に、第1絶縁層1aを焼結させる温度領域では、第1絶縁層1aの焼結に伴う収縮の面方向を、未焼結状態の第2絶縁層1bが抑制するので、第1絶縁層1aは、厚み方向に大きく焼結して面方向の寸法がほぼ維持されることとなる。
【0036】
従って、最上層には第1絶縁層1aが形成されているので、分割溝2の上方部の幅は、焼成前とほぼ同じ幅を維持した状態となる。
【0037】
加えて、分割溝2の深さD1を積層体1の最上層に配設されている第1絶縁層1aの厚みTよりも大となしたことにより、第2絶縁層1bを焼結させる温度領域では、分割溝2の上方部で焼結完了した第1絶縁層が、第2絶縁層の焼結に伴う収縮の面方向を抑制するので、分割溝2の側面は、焼結に伴って収縮が働いても接近しないので再接合は起こりにくくなり、分割処理によるバリやカケの発生を低減することが可能となる。
【0038】
本実施形態においては、第1絶縁層1aは焼結に伴って収縮が開始する温度が690℃、第2絶縁層1bは焼結に伴って収縮が開始する温度が783℃となる無機組成物により形成しており、この結果、積層体1の焼成収縮が終了した時の面方向の線収縮率が3%と小さい複数個取り用大型基板10を得ることができた。
【0039】
焼成における体積収縮については、工程3において第2絶縁層1bが収縮を開始するまでの間に、第1絶縁層1aは、その全収縮量に対し90%に相当する体積収縮が完了していることが望ましく、更に望ましくは95%以上完了していることである。
【0040】
ここで収縮の開始とは、無機組成物の焼結に伴う収縮が開始されることを意味している。絶縁層に含まれる有機バインダは加熱により分解、除去され、この際、0〜1%程度の収縮が発生することがあるが、これはバインダの除去に伴うものであり、無機組成物の焼結による実質的な収縮とは別のものである。脱バインダ温度は使用するバインダにより異なるが、アクリルあるいはメタクリルバインダでは500℃、ブチラールバインダでは600℃程度までに終了する。
【0041】
一方、焼成における収縮開始温度については、その温度の差が10℃以上であることが望ましく、更に望ましくは20℃以上である。このような工程3を経て積層体は焼成収縮が終了するが、本発明において、この焼成収縮の終了とは、全体積収縮が99%以上進行した時点を意味する。
【0042】
また、分割溝2の上方部で焼結完了した第1絶縁層1aが、分割溝2の側面を焼結に伴って広がるような応力が働く。加えて、分割溝2が断面V字状をなしていることにより、その下方に分割溝2の最深部を起点とするスリット3が下方に向かって形成されるので、断面V字状をなす分割溝2の最上層における幅は狭くても、実質的には深い分割溝2が形成されて分割処理を行いやすいものとなり、実装密度を高くすることができる。
【0043】
更に、本実施形態の複数個取り用大型基板10においては、スリット3の長さD2が分割溝2の深さD1に対し2%〜30%に設定されていることにより、実装時のハンドリングによる割れが発生を低減することが可能となる。
【0044】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更、改良等が可能である。
【0045】
例えば上述の実施形態では、第1絶縁層の形成にセラミックグリーンシートを用い、これを第2絶縁層の形成に用いられるセラミックグリーンシートと貼り合わせて使用するようにしたが、これに代えて、第1絶縁層の形成にペースト状になした第1の無機組成物を用い、これを第2絶縁層の形成に用いられるセラミックグリーンシートの主面に、印刷等で塗布して直接形成するようにしても良い。この場合、厚みの薄い第1絶縁層がペーストの塗布等によって比較的簡単に形成されるようになり、厚みの薄い第1絶縁層をセラミックグリーンシート等で構成する場合に比し第1絶縁層を形成する際の作業性が良好となり、多層回路基板の生産性を向上させることができる利点もある。
【0046】
また、上述の実施形態では、積層体の上面に分割溝を形成するようにしたが、これに加えて分割溝を下面にも形成してもよく、このような構成にすれば、分割処理時の破断面が精度良く形成されやすくなり、バリやカケの発生を少なくすることが可能となる。
【0047】
【発明の効果】
本発明の複数個取り用大型基板によれば、積層体1の焼成時に、第1絶縁層を焼結させる温度領域では、第1絶縁層の焼結に伴う収縮の面方向を、未焼結状態の第2絶縁層が抑制するので、第1絶縁層は、厚み方向に大きく焼結して面方向の寸法がほぼ維持されることとなる。従って、最上層には第1絶縁層が形成されているので、分割溝の上方部の幅は、焼成前とほぼ同じ幅を維持した状態となる。加えて、前記分割溝の深さD1を前記積層体の最上層に配設されている第1絶縁層の厚みTよりも大となしたことにより、第2絶縁層を焼結させる温度領域では、分割溝の上方部で焼結完了した第1絶縁層が、第2絶縁層の焼結に伴う収縮の面方向を抑制するので、分割溝の側面は、焼結に伴って収縮が働いても接近しないので再接合は起こりにくくなり、分割処理によるバリやカケの発生を低減することが可能となる。
【0048】
また、本発明の複数個取り用大型基板によれば、分割溝の上方部で焼結完了した第1絶縁層が、分割溝の側面を焼結に伴って広がるような応力が働く。加えて、前記分割溝が断面V字状をなしておることにより、その下方に前記分割溝の最深部を起点とするスリットが下方に向かって形成されるので、断面V字状をなす分割溝の最上層における幅は狭くても、実質的には深い分割溝が形成されて分割処理を行いやすいものとなり、実装密度を高くすることができる。
【0049】
更に、本発明の複数個取り用大型基板によれば、前記スリットの長さD2が前記分割溝の深さD1に対し2%〜30%に設定されていることにより、実装時のハンドリングによる割れが発生を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る複数個取り用大型基板の外観斜視図である。
【図2】図1の複数個取り用大型基板の要部拡大断面図である。
【図3】従来の複数個取り用大型基板の製造工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
1・・・積層体
1a・・・第1絶縁層
1g・・・第2絶縁層
2・・・分割溝
3・・・スリット[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a large-sized multiple substrate used for manufacturing a circuit board.
[0002]
[Prior art]
Circuit boards are widely used in semiconductor devices, composite electronic components, and the like, and have been obtained by dividing a large number of large substrates.
A conventional large-sized multiple substrate has a structure in which a dividing groove is formed on the upper surface of a laminate composed of a plurality of insulating layers, and a plurality of substrate regions are formed by the dividing groove. By using the split grooves as a reference, stress is applied to the adjacent substrate regions to be bent, so that the substrate is divided into a plurality of circuit boards. In addition, by forming the dividing groove on the lower surface in addition to the upper surface, it becomes possible to reduce the generation of burrs and chips due to the dividing process, and further, by forming the dividing groove deeply, the effect can be obtained. The thing of the enlarged structure is known (for example, refer patent document 1).
[0003]
As shown in FIGS. 3 (a) to 3 (c), such a large-sized substrate for obtaining a plurality of sheets was obtained by preparing and laminating a plurality of
[0004]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 6-310821
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described conventional large-sized base plate 30 for multiple-capturing has an upper surface because the
[0006]
In addition, in order to perform the dividing process smoothly, in a large-sized substrate for taking a plurality of parts having deep dividing grooves, cracks may occur due to handling during mounting. However, the mounting density is also lowered.
[0007]
The present invention has been devised in view of the above-mentioned drawbacks, and its purpose is to provide a large mounting large-capacity substrate with a high mounting density that can reduce the occurrence of burrs, chipping, and cracks due to handling during mounting. Is to provide.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The large-sized multiple substrate according to the present invention includes a first insulating layer formed by sintering the first inorganic composition, a thickness larger than the first insulating layer, and the second inorganic composition as the first insulating layer. A plurality of layers are formed by laminating a second insulating layer that is sintered at a higher temperature than the inorganic composition, and forming a dividing groove on the upper surface of the laminate in which the first insulating layer is positioned as the uppermost layer. a use large substrate, is characterized in that no larger than the thickness T of the first insulating layer disposed depth D 1 of the said dividing grooves on the uppermost layer of the laminate.
[0009]
Further, in the large-sized substrate for multiple taking according to the present invention, the dividing groove has a V-shaped cross section, and a slit starting from the deepest part of the dividing groove is formed below the dividing groove. It is characterized by.
[0010]
Furthermore, a plurality large substrate for removal of the present invention is characterized in that the length D 2 of the slit is set to 2% to 30% with respect to the depth D 1 of the said dividing groove.
[0011]
According to the large-sized substrate for multiple acquisition of the present invention, in the temperature region in which the first insulating layer is sintered at the time of firing the laminated body 1, the surface direction of shrinkage accompanying the sintering of the first insulating layer is unsintered. Since the second insulating layer in the state is suppressed, the first insulating layer is largely sintered in the thickness direction, and the dimension in the plane direction is substantially maintained. Therefore, since the first insulating layer is formed on the uppermost layer, the width of the upper part of the dividing groove is maintained in the same state as that before firing. In addition, by the depth D 1 of the said dividing grooves without larger than the thickness T of the first insulating layer disposed on the uppermost layer of the laminate, a temperature range for sintering the second insulating layer Then, since the first insulating layer that has been sintered at the upper part of the dividing groove suppresses the surface direction of shrinkage that accompanies the sintering of the second insulating layer, the side surface of the dividing groove undergoes shrinkage along with the sintering. However, since it does not approach, rejoining is unlikely to occur, and it is possible to reduce the occurrence of burrs and chipping due to the division process.
[0012]
In addition, according to the large-sized multiple substrate of the present invention, the first insulating layer, which has been sintered at the upper part of the dividing groove, exerts a stress that spreads the side surface of the dividing groove as it is sintered. In addition, since the dividing groove has a V-shaped cross section, a slit starting from the deepest part of the dividing groove is formed below the dividing groove, so that the dividing groove having a V-shaped cross section is formed. Even if the width of the uppermost layer is narrow, substantially deep division grooves are formed so that the division processing can be easily performed, and the mounting density can be increased.
[0013]
Furthermore, according to the large-sized substrate for multiple acquisition of the present invention, the length D 2 of the slit is set to 2% to 30% with respect to the depth D 1 of the dividing groove, so It is possible to reduce the occurrence of cracks due to.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view of a large-sized substrate for multiple acquisition of the present invention, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the main part of the large-sized substrate for multiple acquisition of FIG. A dividing groove 2 is formed on the upper surface of the substrate.
[0015]
The stacked body 1 has a structure in which a first insulating layer 1a and a second insulating layer 1b are stacked. Wiring conductors (not shown) are formed inside and on the surface of the multilayer circuit board 1, and the surface wiring conductors mainly function as connection pads that serve as mounting portions for electronic component elements. Mainly functions as wiring for electrically connecting each circuit element, and circuit elements such as inductors and capacitors.
[0016]
The 1st insulating layer 1a consists of a 1st inorganic composition, and the 2nd insulating layer 1b consists of a 2nd inorganic composition, As a material of these inorganic compositions, it is a comparatively low temperature of 800 to 1200 degreeC, for example. A glass-ceramic material that can be fired at is preferably used. The glass-ceramic material includes glass powder and ceramic powder. The glass powder is contained in an amount of 30 to 100 parts by weight, and the material excluding the glass powder is the ceramic powder.
[0017]
In the present embodiment, for example, the first insulating layer 1a is made of a material having a composition of 85 parts by weight of glass powder, and the second insulating layer 1b is made of a material having a composition of 55 parts by weight of glass powder.
[0018]
As a specific composition of the glass powder, for example, as essential components, 20 to 70 parts by weight of SiO 2 , 0.5 to 30 parts by weight of Al 2 O 3 , 3 to 60 parts by weight of MgO, and optional components 0 to 35 parts by weight of CaO, 0 to 35 parts by weight of BaO, 0 to 35 parts by weight of SrO, 0 to 20 parts by weight of B 2 O 3 , 0 to 30 parts by weight of ZnO, 0 to 10 parts of TiO 2 A part containing 0 to 3 parts by weight of Na 2 O and 0 to 5 parts by weight of Li 2 O is used.
[0019]
The ceramic powder includes at least one selected from Al 2 O 3 , SiO 2 , MgTiO 3 , CaZrO 3 , CaTiO 3 , Mg 2 SiO 4 , BaTi 4 O 9 , ZrTiO 4 , SrTiO 3 , BaTiO 3 and TiO 2. Used.
[0020]
According to the combination of glass powder and ceramic powder having the above composition, low temperature sintering at 1000 ° C. or less is possible, and silver (melting point 960 ° C.), copper (melting point 1083 ° C.), gold (melting point) as a wiring conductor. 1063 ° C.) or the like, and a low-loss circuit can be created. Also, the dielectric constant can be controlled, which is suitable for circuit miniaturization and low loss due to high dielectric constant, or high-speed transmission due to low dielectric constant. In addition, by controlling various compositions within the above range, the firing shrinkage behavior can be easily controlled and changed.
[0021]
The wiring conductor and via-hole conductor are made of a conductive material containing any one of silver, copper, and gold, and the thickness is set to 5 to 25 μm, for example.
[0022]
The diameter of the via hole conductor can be arbitrarily set. When the thickness of the insulating layer in which the via hole conductor is embedded is 10 to 300 μm, the diameter of the via hole conductor is set to 50 to 300 μm, for example.
[0023]
The above-described large-sized substrate for multiple acquisition includes the following steps.
(Process 1)
The first insulating layer 1a made of the first inorganic composition and the second insulating layer 1b made of the second inorganic composition include, for example, a powder obtained by combining the glass powder and the ceramic powder described above, an organic binder, an organic solvent, and It is a ceramic green sheet obtained by mixing with a plasticizer as necessary to form a slurry, tape-molding the slurry by a doctor blade method or the like, and cutting into a predetermined dimension.
[0024]
At this time, the first insulating layer 1a is formed thinner than the second insulating layer 1b, and the thickness of each of the first insulating layers 1a is set to 2 to 150 μm, for example. Each thickness of 1b is set to 10-300 micrometers, for example.
[0025]
Next, the first insulating layer and the second insulating layer are bonded together, a through hole is formed in the obtained sheet by punching or the like, a conductor paste is filled in the through hole, and the via
[0026]
In this embodiment, for example, the first inorganic composition is made of glass powder, 40 parts by weight of SiO 2 , 2 parts by weight of Al 2 O 3 , 15 parts by weight of MgO, 1 part by weight of CaO, and 15 parts of BaO. Parts by weight, 20 parts by weight of BO 3 , 1 part by weight of ZnO, 0.5 part by weight of TiO 2 , 0.5 part by weight of Na 2 O, 5 parts by weight of Li 2 O, and the ceramic powder is MgTiO 3. In the second inorganic composition, the glass powder is composed of 40 parts by weight of SiO 2 , 2 parts by weight of Al 2 O 3 , 15 parts by weight of MgO, 1 part by weight of CaO, and BaO. 15 parts by weight, BO 3 20 parts by weight, ZnO 1 part by weight, TiO 2 0.5 part by weight, Na 2 O 0.5 part by weight, Li 2 O 5 part by weight, ceramic powder is Al It is made of a material containing 45 parts by weight of 2 O 3 .
[0027]
A slurry obtained by adding an acrylic binder as an organic binder and toluene as an organic solvent to these inorganic compositions was prepared to form ceramic green sheets serving as the first insulating layer 1a and the second insulating layer 1b, respectively.
[0028]
The material of the wiring conductor and via-hole conductor is, for example, a paste formed by adding ethyl cellulose as an organic binder and 2-2-4-trimethyl-3-3-pentadiol monoisobutyrate as an organic solvent to silver powder. Using.
[0029]
The sheets thus obtained are laminated according to a predetermined lamination order to form the laminated body 1.
[0030]
(Process 2)
Next, the cutting edge of the blade is pushed vertically into the upper surface of the obtained laminate 1 to form the division grooves 2 so that the depth is larger than the thickness of the first insulating layer 1a. In the present embodiment, the angle of the blade edge of the blade is set to 20 to 40 degrees, and the dividing groove 2 is formed by pushing down to a depth of 7 to 13% of the thickness of the laminated body 1.
[0031]
Such dividing grooves 2 are formed so as to extend in the vertical and horizontal directions, thereby forming a plurality of substrate regions.
[0032]
In the present embodiment, a plurality of dividing grooves 2 are formed in parallel in the vertical and horizontal directions.
[0033]
(Process 3)
And finally, the laminated body 1 in which the above-described divided grooves 2 are formed is integrally fired through a temperature region in which the first inorganic composition is sintered and a temperature region in which the second inorganic composition is sintered. As a result, a large-
[0034]
In the large-sized multiple substrate obtained through the above-described steps 1 to 3, the divided grooves 2 are formed on the upper surface of the laminate 1 composed of a plurality of insulating layers, and a plurality of circuit board regions are formed by the divided grooves 2. The circuit board is divided into a plurality of circuit boards by applying a stress such that the adjacent circuit board regions are bent with reference to the formed dividing groove 2.
[0035]
In the temperature region where the first insulating layer 1a is sintered at the time of firing the laminated body 1, the unsintered second insulating layer 1b suppresses the surface direction of shrinkage accompanying the sintering of the first insulating layer 1a. The first insulating layer 1a is largely sintered in the thickness direction so that the dimension in the plane direction is substantially maintained.
[0036]
Therefore, since the first insulating layer 1a is formed in the uppermost layer, the width of the upper portion of the dividing groove 2 is maintained in a state that is substantially the same as that before firing.
[0037]
In addition, by having no greater than the thickness T of the first insulating layer 1a which is disposed a depth D 1 of the dividing groove 2 on the uppermost layer of the laminate 1, to sinter the second insulating layer 1b In the temperature region, the first insulating layer that has been sintered at the upper portion of the dividing groove 2 suppresses the shrinking surface direction associated with the sintering of the second insulating layer. Therefore, even if the shrinkage works, it does not come close, so rejoining is less likely to occur, and it is possible to reduce the occurrence of burrs and chips due to the division process.
[0038]
In the present embodiment, the first insulating layer 1a is an inorganic composition in which the temperature at which shrinkage starts with sintering is 690 ° C., and the second insulating layer 1b has a temperature at which shrinkage starts with sintering becomes 783 ° C. As a result, it was possible to obtain a large-
[0039]
Regarding the volume shrinkage in firing, the volume shrinkage corresponding to 90% of the total shrinkage amount of the first insulating layer 1a is completed before the second insulation layer 1b starts shrinking in
[0040]
Here, the start of shrinkage means that shrinkage accompanying the sintering of the inorganic composition is started. The organic binder contained in the insulating layer is decomposed and removed by heating. At this time, shrinkage of about 0 to 1% may occur. This is due to the removal of the binder, and the inorganic composition is sintered. This is different from the substantial shrinkage caused by. The binder removal temperature varies depending on the binder to be used, but it ends by about 500 ° C. for an acrylic or methacrylic binder and about 600 ° C. for a butyral binder.
[0041]
On the other hand, regarding the shrinkage start temperature in firing, the difference in temperature is preferably 10 ° C. or higher, more preferably 20 ° C. or higher. Through the
[0042]
Further, the first insulating layer 1a that has been sintered at the upper portion of the dividing groove 2 is subjected to a stress that spreads the side surface of the dividing groove 2 with the sintering. In addition, since the dividing groove 2 has a V-shaped cross section, a
[0043]
Furthermore, in the large-
[0044]
In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change, improvement, etc. are possible within the range which does not deviate from the summary of this invention.
[0045]
For example, in the above-described embodiment, the ceramic green sheet is used for forming the first insulating layer, and this is used by being bonded to the ceramic green sheet used for forming the second insulating layer. The first inorganic composition in paste form is used for forming the first insulating layer, and this is applied directly to the main surface of the ceramic green sheet used for forming the second insulating layer by printing or the like. Anyway. In this case, the first insulating layer having a small thickness can be formed relatively easily by applying a paste or the like, and the first insulating layer is compared with the case where the first insulating layer having a small thickness is made of a ceramic green sheet or the like. There is an advantage that the workability in forming the substrate becomes good and the productivity of the multilayer circuit board can be improved.
[0046]
Further, in the above-described embodiment, the dividing groove is formed on the upper surface of the laminate, but in addition to this, the dividing groove may be formed on the lower surface. This makes it easy to form a fractured surface of the material with high accuracy and to reduce the occurrence of burrs and burrs.
[0047]
【The invention's effect】
According to the large-sized substrate for multiple acquisition of the present invention, in the temperature region in which the first insulating layer is sintered at the time of firing the laminated body 1, the surface direction of shrinkage accompanying the sintering of the first insulating layer is unsintered. Since the second insulating layer in the state is suppressed, the first insulating layer is largely sintered in the thickness direction, and the dimension in the plane direction is substantially maintained. Therefore, since the first insulating layer is formed on the uppermost layer, the width of the upper part of the dividing groove is maintained in the same state as that before firing. In addition, by the depth D 1 of the said dividing grooves without larger than the thickness T of the first insulating layer disposed on the uppermost layer of the laminate, a temperature range for sintering the second insulating layer Then, since the first insulating layer that has been sintered at the upper part of the dividing groove suppresses the surface direction of shrinkage that accompanies the sintering of the second insulating layer, the side surface of the dividing groove undergoes shrinkage along with the sintering. However, since it does not approach, rejoining is unlikely to occur, and it is possible to reduce the occurrence of burrs and chipping due to the division process.
[0048]
In addition, according to the large-sized multiple substrate of the present invention, the first insulating layer, which has been sintered at the upper part of the dividing groove, exerts a stress that spreads the side surface of the dividing groove as it is sintered. In addition, since the dividing groove has a V-shaped cross section, a slit starting from the deepest part of the dividing groove is formed below the dividing groove, so that the dividing groove having a V-shaped cross section is formed. Even if the width of the uppermost layer is narrow, substantially deep division grooves are formed so that the division processing can be easily performed, and the mounting density can be increased.
[0049]
Furthermore, according to the large-sized substrate for multiple acquisition of the present invention, the length D 2 of the slit is set to 2% to 30% with respect to the depth D 1 of the dividing groove, so It is possible to reduce the occurrence of cracks due to.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of the appearance of a large-sized multiple substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the large-sized substrate for taking multiple pieces of FIG. 1;
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a conventional manufacturing process of a large-sized multiple substrate.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laminated body 1a ... 1st insulating layer 1g ... 2nd insulating layer 2 ... Dividing
Claims (3)
前記分割溝の深さD1を前記積層体の最上層に配設されている第1絶縁層の厚みTよりも大となしたことを特徴とする複数個取り用大型基板。A first insulating layer formed by sintering the first inorganic composition, and a thickness greater than that of the first insulating layer, and the second inorganic composition is sintered at a higher temperature than the first inorganic composition. A plurality of large-sized substrates formed by laminating a second insulating layer and forming a dividing groove on the upper surface of the laminate in which the first insulating layer is positioned as the uppermost layer,
Plurality large substrate for removal, characterized in that no larger than the thickness T of the first insulating layer disposed on the uppermost layer of depth D 1 of the laminate of the dividing groove.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003086185A JP4077752B2 (en) | 2003-03-26 | 2003-03-26 | Large substrate for multiple acquisition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003086185A JP4077752B2 (en) | 2003-03-26 | 2003-03-26 | Large substrate for multiple acquisition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004296721A JP2004296721A (en) | 2004-10-21 |
| JP4077752B2 true JP4077752B2 (en) | 2008-04-23 |
Family
ID=33400913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003086185A Expired - Fee Related JP4077752B2 (en) | 2003-03-26 | 2003-03-26 | Large substrate for multiple acquisition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4077752B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008159725A (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | Ceramic multilayer substrate and manufacturing method thereof |
| JP4841448B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-12-21 | 京セラ株式会社 | Divided grooved wiring board and manufacturing method thereof |
| JP4678382B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-04-27 | Tdk株式会社 | Collective substrate, method for manufacturing the same, and method for manufacturing electronic components |
-
2003
- 2003-03-26 JP JP2003086185A patent/JP4077752B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004296721A (en) | 2004-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101011196B1 (en) | Method of producing multilayer ceramic substrate | |
| JP2002094244A (en) | Manufacturing method of ceramic multilayer substrate and unfired ceramic laminate | |
| CN1229209C (en) | Method for producing ceramic multilayer substrate and unfired composite laminate | |
| JP4077752B2 (en) | Large substrate for multiple acquisition | |
| JP2004200679A (en) | Method for manufacturing multilayer circuit board | |
| JP4261949B2 (en) | Ceramic multilayer substrate | |
| JP2008186909A (en) | Ceramic multilayer substrate | |
| JP2009231414A (en) | Multilayer wiring board, and manufacturing method thereof | |
| JP2008109063A (en) | Ceramic multilayer substrate | |
| JP4508625B2 (en) | Multilayer substrate and manufacturing method thereof | |
| JP2010278117A (en) | Wiring board manufacturing method | |
| JP4888564B2 (en) | Manufacturing method of ceramic multilayer substrate with cavity | |
| JP4167517B2 (en) | Multilayer circuit board manufacturing method | |
| JP2009010141A (en) | Ceramic multilayer substrate | |
| JP4069772B2 (en) | Multilayer circuit board manufacturing method | |
| JP4841448B2 (en) | Divided grooved wiring board and manufacturing method thereof | |
| JP2006270083A (en) | Collective substrate and manufacturing method thereof | |
| JP4416346B2 (en) | Circuit board manufacturing method | |
| JP2006237493A (en) | Wiring board | |
| JP2008135523A (en) | Multilayer substrate and manufacturing method thereof | |
| JP2006013354A (en) | Multilayer circuit board manufacturing method | |
| JP2011233685A (en) | Multilayer wiring board and method for manufacturing the same | |
| JP2004235374A (en) | Substrate with built-in capacitor and chip capacitor | |
| JP2009231542A (en) | Glass ceramic multilayer wiring board and method for manufacturing the same | |
| JP2009181987A (en) | Manufacturing method of ceramic multilayer substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060307 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071214 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080201 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4077752 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140208 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |