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JP4090582B2 - Method for manufacturing built-up multilayer wiring board and method for forming insulating film - Google Patents
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Method for manufacturing built-up multilayer wiring board and method for forming insulating film Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線の微細化、高密度化に対応でき、且つ低コスト化が図れる配線基板への絶縁膜の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子機器の高密度化に伴い、プリント基板、半導体周辺に使用される回路基板、各種ディスプレイに用いられる配線基板等、各種配線基板においても、高密度化の要求が強く、これに対応するため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に多層化、薄型化が進められている。
このような中、配線基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上全面に金属配線部を形成するための金属層を形成しておき、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめっき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ法が用いられている。
サブトラクティブ法の場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層(銅箔)をエッチング加工により配線部を形成するもので、技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コスト信頼性の面で難がある。
尚、配線基板のベース基板としてはBTレジン基板等の、ガラスクロスをその中に含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形成したものが単層の配線基板である。
【0003】
多層配線基板は、ベース基板の片面ないし両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層したものである。
多層配線基板の単層配線基板同志の接続は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部に無電界メッキを施す等により行っており、その作製は煩雑で、製造コスト面でも問題があった。
また、バイアホールを作成することにより層間接続を行う場合には、複雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
【0004】
結局、サブトラックティブ法により作製された多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト面でも問題があった。
【0005】
これに対応するため、基材上に、一面にめっきにより形成された金属層(銅めっき層)をエッチングすることにより作成された金属配線(配線部)と絶縁層とを順次積層して、図7に示すような構造の多層配線基板を作製するビルトアップ法と呼ばれる多層基板の作製方法が試みられるようになってきた。
図7中、700は多層配線基板、710は配線基板、711はベース基材、715は配線、717はスルーホール、720は1層目の絶縁樹脂層、725は配線、727はビア、730は2層目の絶縁樹脂層、735は配線、737はビアである。
この方法の場合には、高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能となる。
BTレジン等からなる絶縁性のベース基材711上ないし絶縁性樹脂層720、730上への金属層(銅めっき層)からなる配線(715、725、735)およびビア727、737の形成は、通常、絶縁性の基材711上ないし絶縁性樹脂層720、730上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチングすることにより行う。
しかし、このビルトアップ法による多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複数回行うため、工程が複雑となる。
基材上に金属配線(配線部)と、絶縁層とを1層づつ積み上げる直接プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生が困難となり、且つ、製造コストが割高となるという問題がある。
【0006】
また、このビルトアップ法による多層基板の作製方法においては、層間絶縁膜や配線保護膜を得るのに一般印刷によるパターン形成は安価で量産的な方法であるが、この方法は、得られるパターンの精度が悪く、細線の印刷ができず、高精度、高密度のパターンの形成には適していない。
この為、高精度、高密度のパターンの層間絶縁膜や配線保護膜を得るための、高精度、高密度のパターンの形成には、印刷法でなく、感光性絶縁材料(樹脂)を用いたフォトリソグラフィー法による形成が用いられるが、フォトリソグラフィー法の場合、工程が長くなり、設備も高価となり、パターン形成に長時間を要し、生産コストが高くなる。更に、現像により捨てる感光性絶縁材料の量が多く、コスト高の一因となっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
このような状況のもと、ビルトアップ法による多層基板の作製方法においては、簡単に、コストも高くかからない、高精度、高密度のパターンの層間絶縁膜や配線保護膜を得る方法が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、ビルトアップ法による多層基板等、配線基板の作製方法において、簡単に、低コストで、層間絶縁膜や配線保護膜を得る方法を提供しようとするものである。
具体的には、電着により直接、あるいは電着後、転写により間接的に絶縁膜を作成する際における、電着方法を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係るビルトアップ多層配線基板の製造方法は、 基板上あるいは絶縁膜上に設けた配線部の上に、液体吐出装置により、電着剤を所定の形状に塗布し、塗布された電着剤に電気的に接するように針電極を設け、前記針電極と前記配線部との間に電圧を印加して、前記配線部上に電着生成物を形成し、前記電着生成物を前記配線部上にてそのまま乾燥、熱処理して絶縁膜とすることを特徴とするものである。また、本発明の請求項2に係るビルトアップ多層配線基板の製造方法は、配線基板とは別の、他の基板上あるいは他の基板上に設けた金属層上に、液体吐出装置により、電着剤を所定の形状に塗布し、塗布された電着剤に電気的に接するように針電極を設け、前記針電極と前記金属層との間に電圧を印加して、前記他の基板あるいは金属層上に電着生成物を形成し、前記電着生成物を配線基板に転写し、乾燥、熱処理して絶縁膜とすることを特徴とするものである。また、本発明の請求項3に係るビルトアップ多層配線基板の製造方法は、基板上あるいは絶縁膜上に設けた配線部の上に、金属からなる開口部を液体吐出部とする液体吐出装置により、電着剤を所定の形状に塗布し、前記開口部と前記配線部との間に電圧を印加して、前記配線部上に電着生成物を形成し、前記電着生成物を前記配線部上にてそのまま乾燥、熱処理して絶縁膜とすることを特徴とするものである。また、本発明の請求項4に係るビルトアップ多層配線基板の製造方法は、配線基板とは別の、他の基板上あるいは他の基板上に設けた金属層上に、金属からなる開口部を液体吐出部とする液体吐出装置により、電着剤を所定の形状に塗布し、前記開口部と前記他の基板あるいは前記金属層との間に電圧を印加して、前記金属層上に電着生成物を形成し、前記電着生成物を配線基板に転写し、乾燥、熱処理して絶縁膜とすることを特徴とするものである。また、本発明の請求項5に係るビルトアップ多層配線基板の製造方法は、請求項1または3に記載の配線部に電着用の電極となるリードを設けておき、該リードと前記針電極または前記開口部との間に、電圧を印加して電着することを特徴とするものである。また、本発明の請求項6に係るビルトアップ多層配線基板の製造方法は、請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とするものである。
【0009】
また、本発明の請求項7に係る絶縁膜の形成方法は、基板の一面である金属面上に、絶縁層を介して配線部を設け、該配線部上に液体吐出装置により、電着剤を該配線部上を覆うように塗布し、塗布液に覆われた配線部に針電極を接続し、且つ、針電極と該基板の金属面との間に、電圧を印加して、配線部表面に電着生成物を前記所定形状に形成し、これを、乾燥、熱処理して絶縁膜とすることを特徴とするものである。尚、ここで言う絶縁層は、ほぼ配線部の形状に沿うもので、ほぼ配線部の下側にのみあることが好ましいが、必ずしもこれに限定されない。基本的には、電着剤が配線部を覆い、且つ、基板の金属面に達するものであることが必要である。また、本発明の請求項8に係る絶縁膜形成方法は、請求項7に記載の電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とするものである。また、本発明の請求項9に係る配線基板は、請求項7に記載の絶縁膜形成方法による絶縁膜を用いたことを特徴とするものである。本発明の請求項9に係る配線基板は、請求項7に記載の絶縁膜形成方法による絶縁膜を用いたことを特徴とするものである。
【0010】
尚、ここでは、基板とは、単層ないし多層の基板であって、少なくとも、その一面ないし両面に、基板面を覆う金属層、あるいは配線部を設けたものを言う。
そして、基板の、単層ないし多層の各層の基材は、ガラス、金属板等リジッドなものや樹脂フィルム等フレキシビリティーを有するものでも良い。
【0011】
【作用】
本発明のビルトアップ多層配線基板の製造方法は、上記の構成にすることにより、簡単に、低コストで、層間絶縁膜や配線保護膜を得る方法の提供を可能としている。詳しくは、電着により直接、あるいは電着後、転写により間接的に、基板上に電着生成物を形成し、これを乾燥、熱処理して絶縁膜を形成する方法における、新たな電着生成物の生成方法(電着方法)の提供を可能としている。
【0012】
本発明の絶縁膜形成方法は上記の構成にすることにより、本発明の配線基板は、このような構成にすることにより、簡単に、低コストで、層間絶縁膜や配線保護膜を得る方法の提供を可能としている。詳しくは、電着により直接、あるいは電着後、転写により間接的に、基板上に電着生成物を形成し、これを乾燥、熱処理して絶縁膜を形成する方法における、新たな電着生成物の生成方法(電着方法)の提供を可能としている。また、本発明の配線基板は上記の構成にすることにより、その作製が簡単で、低コストで、層間絶縁膜や配線保護膜を設けられるものとしている。
【0013】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明のビルトアップ多層配線基板における絶縁膜または絶縁膜の形成方法の実施の形態を挙げ、図に基づいて説明する。図1は本発明の絶縁膜の形成方法の実施の形態の第1の例の工程図で、図2は実施の形態の第2の例の工程図で、図3は実施の形態の第3の例の工程図で、図4は実施の形態の第3の例の工程図である。図1〜図4中、110は基板、120は(液体吐出装置の)液体吐出部、130は電着剤(電着液)、135は電着生成物、140は針電極、160は配線部、170は絶縁層である。
【0014】
実施の形態の第1の例を、以下説明する。
本例は金属からなる基板110の一面上に(液体吐出装置の)液体吐出部120により、電着剤130を所定の形状に塗布し、塗布された塗布液面に針電極140を設け、針電極140と該基板110の電着剤130が塗布された面との間に、電圧を印加して、基板110の該一面上に電着生成物135を所定形状に形成し、これを該基板の金属面上にてそのまま、あるいは他の配線用基板に転写し、必要に応じ、乾燥、熱処理して絶縁膜とする絶縁膜形成方法である。
【0015】
金属からなる基板110としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属板が挙げられる。
【0016】
電着剤130に用いられる高分子としては、電着性を有する各種アニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、後述する製造方法においてアルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【0017】
特、絶縁信頼性の点から、好ましい電着剤130としては、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物が挙げられる。ポリイミドとしては、溶剤可溶で、耐熱性、絶縁性、機械的強度を保てれば良く、各種の芳香族酸ジ無水物と、芳香族ジアミンとを、目的、機能により選択する。
これらの芳香族酸ジ無水物と、芳香族ジアミンとを加熱、脱水してポリイミドが合成される。
電着する機能を付加させるために、官能基、イオン性基を導入する。例えば、カルボン酸を導入する。この場合の方法としては、芳香族ジアミンとして、芳香族ジアミノカルボン酸等を用いることができる。
尚、良好な接着性を持たせるためには、ジアミノジフェニルスルホンなどを導入する。
【0018】
このような、絶縁膜を形成するための電着塗料組成物を電着形成するためのポリイミドの電着液の作製については、特公昭51−15061号公報の記載、特公昭46−17415号公報の記載、特開平9−104839号公報の記載を基に、これらの記載の方法の組合せにより、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン成分とを仕込み合成した結果生じる、イミド結合とアミック酸を有するカルボン酸含有のポリイミドも合成可能である。
さらには、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン成分の他にカルボン酸含有のモノマーをあらかじめ合成時に仕込み、最終的にイミド結合、アミック酸、カルボン酸官能基を含むポリイミドワニスを合成できる。
電着液とするためには、このワニスにアミン等の塩基を添加し、イミド結合の一部を更に開環させ、中和塩を形成し、水と必要により各種溶剤を添加することにより、ポリイミドの電着液の製造ができる。
尚、特公昭51−15061号公報には、主鎖中の末端にカルボキシル基を有し、繰り返し単位中にイミド結合を有するポリイミドなどに、アンモニア、アミンあるいはその他の塩基を作用させて一部を開環させ、繰り返し単位中のイミド結合をアミドカルボン酸のアンモニウム塩、アミン塩にし、界面活性剤を含む水溶液中で強制攪拌して分散させてなる、ポリイミドの電着液の製造方法が記載されている。
また、特公昭46−17415号公報には、繰り返し単位中にイミド結合を有するポリイミドの製造方法として、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン成分とを、フェノール系溶媒中で加熱反応させて、イミド化率の高い溶剤可溶型ポリイミド樹脂を直接得る方法が記載されている。
また、特開平9−104839号公報には、芳香族ジアミンとして、芳香族ジアミノカルボン酸等を用い、他の芳香族テトラカルボン酸と他の芳香族ジアミン成分とを、フェノール系溶媒中で加熱反応させ、イミド化率の高い電着型ポリイミド樹脂を直接得る方法が記載されている。
【0019】
ここでは、ポリイミドとしては、ポリイミドの前駆体でなく、ポリイミドとすることによって、保存安定性を増している。
使用できるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸ジ無水物と芳香族ジアミンをほぼ等量用い、N−メチル−2−ピロリドンなどの有機極性溶媒中で加熱、重縮合する。必要に応じて触媒を添加して140〜200°Cに加熱し、縮合により生じた水を系外に除去する。
【0020】
電着するために導入する官能基すなわちイオン性基としては、アニオン性基であるならば、例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、フェノール基等を、カチオン性基としては、例えば、アミノ基等を用いる。アニオン性基を導入する場合、特にカルボン酸基が好ましく、モノマーとしてはジアミノ安息香酸等が用いられる。
【0021】
アニオン電着液の場合、溶媒中に溶解したアニオン性基を有する電着用ポリイミドを塩基性化合物で中和し、適当な溶剤、水を添加する。塩基性化合物としては、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、メチルモルホリンなどを使うことができる。
カチオン電着液の場合、溶媒中に溶解したカチオン性基を有する電着液用ポリイミドを酸性化合物で中和し、適当な溶剤、水を添加する。酸性化合物としては、ギ酸、乳酸、酢酸、酪酸等を使うことができる。
【0022】
溶剤としては多種用いることができる、水洗時の安定性を考慮すると、比較的親油性の材料が用いられ、適度な電着後のフロー性を調節できる。
【0023】
樹脂を乳化し、分散する方法としては、均一に攪拌できるものであれば何でも良く、超音波分散塩なども使用できる。
【0024】
第1の例を、図1に基づいて説明する。
先ず、金属からなる基板110の一面上に、(液体吐出装置の)液体吐出部120により、所定の形状に電着剤130の塗布を開始し(図1(a))、所定の形状に塗布する。(図1(b))
塗布は、基板110に対して相対的にXY移動制御された液体吐出装置(全体は図示していない)、例えばディスペンサにより所定の形状に電着剤130を塗布する。
本例では、説明を簡単にするため、液体吐出部120を相対的に、A1からA2までの移動としている。
電着剤130を所定の形状に塗布した後、電着剤に針電極140を浸し、電着剤と針電極とを電気的に接続し、更に針電極140と基板110との間に所定の電圧をかけて、電着により、基板面に電着生成物135を形成する。(図1(c))
次いで、電着生成物135を形成された基板面を洗浄して、基板上に、所定形状の電着生成物135のみが得られる。(図1(d))
この後、必要に応じ、電着生成物135に乾燥、熱処理を施して、電着生成物135を絶縁膜とする。
【0025】
第1の例の変形例としては、絶縁膜形成側のみに金属層を設けた基板、即ち、絶縁性ベース基材と金属層からなる基板を用いてたものが挙げられる。
この場合は、ベース基材としては、ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等の絶縁性樹脂基板が挙げられる。
金属層としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属材料が挙げられる。
【0026】
第1の例の他の変形例としては、電着剤を所定の領域に塗布後、針電極に代え、金属からなる開口部を有する液体吐出部を塗布した電着剤中に浸し、あるいは、電着剤を介して塗布した電着剤と液体吐出部とを接触させ、これを電極として、基板の一面に電着生成物を形成する方法も挙げられる。
【0027】
更にまた、第1の例の別の変形例としては、図1(d)のように形成された電着生成物を、必要に応じ、乾燥し、他の配線基板へ転写し、これを乾燥、熱処理して絶縁膜とする方法も挙げられる。
【0028】
次に、実施の形態の第2の例を説明する。
本例は金属からなる基板110の一面上に、液体吐出装置(全部は図示していない)の金属からなる開口部を有する液体吐出部120により、電着剤130を所定の形状に塗布しながら、且つ、液体吐出部120の金属からなる開口部と、基板110との間に、電圧を印加して、基板の一面上に電着生成物135を塗布形状に形成するもので、更に電着生成物135を乾燥、熱処理して絶縁膜とする絶縁膜形成方法である。
基板材質、電着剤等については、実施の形態の第1の例と同様である。
以下、図2に基づき本例を簡単に説明する。
先ず、液体吐出部120によりB1から、電着液130の塗布を開始する。(図2(a))
このとき、液体吐出部120と基板との間に、所定の電圧がかけられており、基板110の面に電着液が塗布された段階で、電着生成物135の基板面への生成がはじまる。
このようにして、液体吐出部120と基板との間に電圧をかけながら、相対的に液体吐出部120をB2まで、電着剤を所定の形状に塗布しながら移動し、電着剤の塗布形状の電着生成物135の基板面に形成する。(図2(b))
次いで、電圧をかけるのを止め(図2(c)、電着生成物135が形成された基板面を洗浄して、基板上に、所定形状の電着生成物135のみが得る。(図2(d))
この後、必要に応じ、電着生成物135に乾燥、熱処理を施して、電着生成物135を絶縁膜とする。
【0029】
また、第2の例の変形例としては、図2(d)のように形成された電着生成物を、必要に応じ、乾燥し、他の配線基板へ転写し、これを乾燥、熱処理して絶縁膜とする方法も挙げられる。
【0030】
次に、実施の形態の第3の例を説明する。
本例は、絶縁性基板110の一面に設けられた配線部160上に、(液体吐出装置の)液体吐出部120により、電着剤130を塗布し、塗布された電着剤130に針電極140を浸し、針電極140と基板110の配線部160との間に、所定の電圧を印加して、基板110の配線部160上に電着生成物135を配線部の形状に形成し、更にこれを乾燥、熱処理して絶縁膜とする絶縁膜形成方法である。
本例では、基板110の配線部160には電着用の電極となるリード165を設けておき、該リード165と針電極140との間に、電圧を印加して電着する。
以下、図3に基づき本例を簡単に説明する。
先ず、液体吐出部120によりC1から、電着液130の塗布を開始し(図3(a))、電着剤130が配線部160を覆うように、C2まで所定の形状に塗布する。(図3(b)(イ))
図3(b)(イ)の対応する平面図は図3(b)(ロ)である。配線部160に連結するリード165が設けられている。
次いで、塗布された電着剤130に針電極140を浸し、針電極140と、電着用の電極となるリード165との間に所定の電圧をかけ、即ち、針電極140と配線部との間に所定の電圧をかけ、配線部160の電着剤130に接する面に電着生成物135を形成する。(図3(c))
次いで、電圧をかけるのを止め、電着生成物135が形成された基板面を洗浄して、基板上に、所定形状の電着生成物135のみが得る。(図3(d))
この後、必要に応じ、電着生成物135に乾燥、熱処理を施して、電着生成物135を絶縁膜とする。
【0031】
絶縁性基板110の材質としては、ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等挙げられるが、配線としてめっき銅配線層が用いられる場合には、銅の熱膨張係数に近い熱膨張係数をもつもの、例えばBTレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂が用いられる。
めっき形成された導電性層からなる各配線としては、導電性やコスト面から、めっき銅が好ましいが、必要に応じて、Ni(ニッケル)、Au(金)、Cr(クロム)、Ag(銀)、Pt(白金)等でも良い。
めっき銅の場合、その厚さは、配線の幅にもよるが1μm以上は必要である。
【0032】
第3の例の変形例としては、第3の例の絶縁性基板110に代え、ベース基材となる金属基板の一面に1層絶縁層を設け、この上に配線部を形成した基板を用いる例が挙げられる。
この場合の金属からなるベース基材としては、通常、配線部の熱膨張係数に近い熱膨張係数をもつものが好ましい。
配線を銅とする場合には、ステンレスが挙げられる。
【0033】
第3の例の別の変形例としては、実施の形態の第2の例のように、金属からなる開口を有する液体吐出部120を用い、液体吐出部120と、電着用の電極となるリード165との間に所定の電圧をかけながら、電着液130を塗布する例が挙げられる。
【0034】
更にまた、第3の例の別の変形例としては、図3(d)のように形成された電着生成物を、必要に応じ、乾燥し、他の配線基板へ転写し、これを乾燥、熱処理して絶縁膜とする方法も挙げられる。
この場合、配線部160とともに転写しても良い。
【0035】
次に、実施の形態の第4の例を説明する。
本例は、金属からなる基板110の一面に、絶縁層170を介して設けられた配線部160上に、(液体吐出装置の)液体吐出部120により、電着剤130を塗布し、電着液130に覆われた配線部160に針電極140を接続し、且つ、針電極140と基板110との間に、所定の電圧を印加して、配線部160表面に電着生成物135を、配線部の形状に形成し、さらにこれを乾燥、熱処理して絶縁膜とする絶縁膜形成方法である。
基板材質、電着剤等については実施の形態の第1の例と同様である。
以下、図4に基づき本例を簡単に説明する。
先ず、液体吐出部120によりD1から、電着液130の塗布を開始し(図4(a))、電着剤130が配線部160を覆うように、D2まで所定の形状に塗布する。(図4(b))
次いで、電着液130に覆われた配線部160に針電極140を接続し、且つ、針電極140と基板110との間に、所定の電圧を印加して、配線部160表面に電着生成物135を、配線部の形状に形成する。(図4(c))
次いで、電圧をかけるのを止め、電着生成物135が形成された基板面を洗浄して、基板上に、所定形状の電着生成物135のみが得る。(図4(d))
この後、必要に応じ、電着生成物135に乾燥、熱処理を施して、電着生成物135を絶縁膜とする。
この場合、針電極としては、先端部のみが電気的に露出しているものか好ましい。
【0036】
また、第4の例の変形例としては、図4(d)のように形成された電着生成物を、必要に応じ、乾燥し、他の配線基板へ転写し、これを乾燥、熱処理して絶縁膜とする方法も挙げられる。
この場合、配線部160とともに、あるいは配線部160や絶縁層170とともに転写しても良い。
【0037】
本発明の絶縁膜形成方法を分かり易く説明するため、上記のように、実施の形態としては、基板上に直接所定形状に絶縁膜を形成する例や、基板上に配線部を1層設け、その上に絶縁膜を形成する例を挙げたが、本発明の絶縁膜形成方法は、配線部を2層以上の多層配線基板にも適用できることは言うまでもない。
また、本発明の絶縁膜は、配線の保護膜として用いることできるばかりでなく、配線層間の絶縁膜、絶縁膜に粘着性、接着性を持たせて接着剤層として用いることができることは、言うまでもない。
【0038】
次に、本発明の配線基板の実施の形態の第1の例を図5に示し、第2の例を図6に示し、それぞれ簡単に説明しておく。
尚、図5、図6中、110は基板、137、137Aは絶縁膜、160〜163は配線部、170は絶縁層である。
図5に示す第1の例の配線基板は、図4に示す本発明の絶縁膜形成方法の実施の形態の第4の例の方法により作製された、配線基板で配線部を1層とするもので、電着生成物(図4の135)を乾燥、熱処理して保護膜としている。
図6に示す第2の例の配線基板は、図5に示す配線基板の作製において、電着生成物(図4の135)を加熱処理せずに、さらに、この上に配線部162、163を設けた後、図4に示す本発明の絶縁膜形成方法の実施の形態の第4の例の方法により電着生成物を形成し、加熱処理したものである。
絶縁膜135Aは保護膜として、絶縁膜135は接着剤層として機能している。
尚、絶縁膜135を形成するための電着剤は、電着生成後に接着性を有するものである。
【0039】
【実施例】
(実施例1)
本例は、図1に示す絶縁膜形成方法の実施例で、図1に基づいて説明する。
まず、予め、厚さ0.025mmのステンレス材(SUS304)からなる金属板の基板110を用意した。
次いで、ディスペンサにて、所定の領域に、下記のようにして調整した電着剤を塗布し、電着剤の液温度25°C、極間500μm、電圧30Vで10sec電着した。
ウエット状態で12μmの電着生成物の塗膜を得た。
この後、300°C、30分間で電着生成物を加熱処理して硬化させ、乾燥膜厚3μmを得た。
【0040】
以下のようにポリイミドワニスを作製し、電着液の調整を行った。
<ポリイミドワニスの製造>
11容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器,窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
3、4、3’、4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物(以後BTDAと呼ぶ)32.22g(0.lモル)、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン(m−BAPS)21.63g(0.05モル),γ−バレロラクトン1.5g(0.015モル)、ピリジン2.37g(0.03モル)、NMP(N−メチル−2−ピロリドンの略)200g、トルエン30gを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中,室温で30分撹件(200rpm)、ついで昇温して180℃、l時間、200rpmに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分15mlを除去し、空冷して、BTDA16.11g(0.05モル)、3、5ジアミノ安息香酸(以後DABzと呼ぶ)15.22g(0.1モル)、NMP119g、トルエン30gを添加し、室温で30分攪拌したのち(200rpm)、次いで昇温して180℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分15mlを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、180℃、3時間、加熱、撹拌して反応を終了した。20%ポリイミドワニスを得た。
<電着液の調製>
20%濃度ポリイミドワニス100gに3SN(NMP:テトラヒドロチオフェンー1、l−ジオキシド=l:3(重量)の混合溶液)150g、ベンジルアルコール75g、メチルモルホリン5.0g(中和率200%)、水30gを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド7.4%、pH7.8、暗赤褐色透明液である。
【0041】
(実施例2)
本例は、図3に示す絶縁膜の形成方法の実施例で、図3に基づき説明する。
まず、予め、図3(a)に示すような、絶縁性の基板110の一面に配線部160を設け、且つ、配線部に電気的に接続したリード165を設けた配線基板を用意した。
この配線基板の作製は、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング加工法等により行ったが、良く知られている工程であるので説明は省く。
次いで、実施例1と同じ電着液をディスペンサにより、配線部160を覆うように所定の領域に塗布した。
電着液を図3(c)に示すようにして、電着液温度25°C、極間500μm、電圧30Vで、10sec通電し、配線層160の表面部に、ウエット膜厚12μmの電着生成物を形成した。
この後、300°C、30分間で電着生成物を加熱処理して硬化させ、乾燥膜厚3μmを得た。
【0042】
(実施例3)
本例は、図4に示す絶縁膜形成方法の実施例で、図4に基づいて説明する。
まず、予め、図4(a)に示すような、金属からなる基板110の一面上に絶縁層170を介した配線部160を形成した配線基板を用意した。
金属からなる基板110の一面上に絶縁層170を介した配線部160の形成は、転写法にて行った。
本例の転写法は、ステンレス基板等に耐メッキ性のレジストを製版して、レジストの開口部に銅めっきからなる配線部を形成し、これを配線用の基板へ転写する方法であり、この配線部を配線用の基板へを形成する際、配線用の基板の配線が転写される所定領域にはディスペンサにより、接着性の絶縁層を形成しておいた。
尚、転写に際しての絶縁層170の形成には、絶縁層を配線用の基板へ印刷、ディスペンサを用いた塗布する方法や、転写版の配線部上へディスペンサを用いて塗布する方法、転写版の配線部上へ接着性電着生成物を電着形成する方法等がある。
配線部のめっき形成、配線部を形成した転写版から接着性の絶縁層を介して配線部を基板へ転写する転写法は、良く知られており、ここでは詳しい説明は省略する。
配線部160は、第二Niめっき1μm厚、めっき銅は10μm厚からなり、絶縁性樹脂層170はポリイミド樹脂層である。
次いで、実施例1や実施例2と同じ電着剤を用い、配線部を覆うように、ディスペンサにて塗布した後、電着剤の液温度25°C、極間500μm、電圧30Vで10sec電着した。
ウエット状態で12μmの電着生成物の塗膜を得た。
この後、300°C、30分間で電着生成物を加熱処理して硬化させ、乾燥膜厚3μmを得た。
【0043】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、ビルトアップ多層基板、配線基板の作製方法において、簡単に、低コストで、層間絶縁膜や配線保護膜を得る方法の提供を可能とした。具体的には、電着により直接、あるいは電着後、転写により間接的に絶縁膜を作成する際における、簡単に、低コストでできる電着方法の提供を可能とした。この結果、配線の微細化、高密度化に対応でき、多層配線にも対応でき、且つ、量産性に対応できるまた、電着剤として、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物を用いることにより、配線基板で、配線間の絶縁性や熱的安定性にも優れた層間絶縁膜や配線保護膜を有する配線基板の提供を可能とし、該配線基板の作製を、より簡単に低コスト化することを可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の絶縁膜形成方法の実施の形態の第1の例の工程図
【図2】本発明の絶縁膜形成方法の実施の形態の第2の例の工程図
【図3】本発明の絶縁膜形成方法の実施の形態の第3の例の工程図
【図4】本発明の絶縁膜形成方法の実施の形態の第4の例の工程図
【図5】本発明の配線基板の実施の形態の第1の例を示した断面図
【図6】本発明の配線基板の実施の形態の第2の例を示した断面図
【図7】ビルトアップ法により形成された多層配線基板の断面図
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for forming an insulating film on a wiring board that can cope with miniaturization and high density of wiring and can reduce costs.
[0002]
[Prior art]
With the increase in the density of electronic equipment, printed circuit boards, circuit boards used in the periphery of semiconductors, and various wiring boards such as wiring boards used in various displays, there is a strong demand for higher density, in order to respond to this, Conversion of single-sided metal wiring to double-sided wiring, and further multilayering and thinning are being promoted.
Under such circumstances, the formation of the metal wiring of the wiring substrate is generally performed by forming a metal layer for forming the metal wiring portion on the entire surface of the insulating substrate, and forming the metal layer by etching or the like. A subtractive method in which a region is removed to form a wiring portion, or an additive method in which a metal wiring portion formed by plating or the like is added directly or indirectly to an insulating substrate is used.
In the case of the subtractive method, a wiring layer is usually formed by etching a metal layer (copper foil) affixed to an insulating substrate, which is technically highly complete and cheap, but the metal layer There is a problem that it is difficult to finely process the wiring portion due to restrictions due to the thickness of the wiring.
On the other hand, in the case of the additive method, since the metal wiring portion is formed by plating, the wiring portion can be miniaturized, but there is a difficulty in cost reliability.
As the base substrate of the wiring substrate, an insulating epoxy resin substrate including a glass cloth therein, such as a BT resin substrate, is generally used. And what formed the metal wiring part in the one surface or both surfaces of the base substrate is a single layer wiring substrate.
[0003]
A multilayer wiring board is a single-layer wiring board in which a metal wiring portion is formed on one or both sides of a base board, a plurality of layers, and a semi-cured state in which a glass cloth is impregnated with epoxy resin or the like between each single-layer wiring board. A prepreg is placed and pressure laminated.
The connection between the multilayer wiring boards of the single-layer wiring boards is usually performed by applying electroless plating to the inside of the through holes created by drilling, and the production is complicated and there is a problem in terms of manufacturing cost.
In addition, when interlayer connection is performed by creating a via hole, a complicated photolithography process is required, which hinders reduction in manufacturing cost.
[0004]
Eventually, the multilayer substrate manufactured by the subtrackive method has a limit in increasing the density because there is a limit to the miniaturization of wiring, and has a problem in terms of manufacturing and manufacturing costs.
[0005]
In order to cope with this, a metal wiring (wiring part) created by etching a metal layer (copper plating layer) formed by plating on one surface and an insulating layer are sequentially laminated on the base material. A method for producing a multilayer substrate called a built-up method for producing a multilayer wiring substrate having a structure as shown in FIG.
In FIG. 7, 700 is a multilayer wiring board, 710 is a wiring board, 711 is a base substrate, 715 is wiring, 717 is a through hole, 720 is a first insulating resin layer, 725 is wiring, 727 is a via, 730 is A second insulating resin layer, 735 is a wiring, and 737 is a via.
In the case of this method, connection between high-definition wiring and metal wiring at an arbitrary position becomes possible.
Formation of wirings (715, 725, 735) and vias 727, 737 made of a metal layer (copper plating layer) on insulating base substrate 711 made of BT resin or the like or insulating resin layers 720, 730, Usually, after forming a metal thin film to be a conductive layer directly on the insulating base material 711 or the insulating resin layers 720 and 730 by sputtering, vapor deposition, electroless plating, etc., a thickened metal layer is formed on the entire surface by electroplating or the like. Then, a resist is formed in a predetermined pattern on the metal layer, and only the portion exposed from the opening of the resist is etched using the resist as an anti-corrosion mask.
However, the multi-layer substrate manufacturing method by the built-up method is complicated because the metal layer plating process, the resist patterning process, and the etching process are alternately performed a plurality of times.
Due to the direct process of stacking metal wiring (wiring parts) and insulating layers one layer at a time on the base material, if trouble occurs in the intermediate process, it becomes difficult to regenerate the product and the manufacturing cost becomes high There is.
[0006]
Further, in this multilayer substrate manufacturing method by the built-up method, pattern formation by general printing is an inexpensive and mass-produced method for obtaining an interlayer insulating film and a wiring protective film. The precision is poor, thin lines cannot be printed, and it is not suitable for forming high-precision and high-density patterns.
For this reason, a photosensitive insulating material (resin) was used instead of a printing method for forming a high-precision, high-density pattern to obtain a high-precision, high-density pattern interlayer insulating film or wiring protective film. Formation by photolithography is used, but in the case of photolithography, the process becomes long, the equipment becomes expensive, the pattern formation takes a long time, and the production cost increases. Furthermore, the amount of the photosensitive insulating material discarded by development is large, which contributes to high costs.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Under such circumstances, the method for producing a multilayer substrate by the built-up method requires a method for easily obtaining an interlayer insulating film or a wiring protective film having a high-density and high-density pattern that is not expensive. It was.
Accordingly, the present invention is intended to provide a method for obtaining an interlayer insulating film and a wiring protective film easily and at low cost in a method for manufacturing a wiring board such as a multilayer board by a built-up method. is there.
Specifically, it is intended to provide an electrodeposition method when an insulating film is formed directly by electrodeposition or indirectly by transfer after electrodeposition.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In the manufacturing method of a built-up multilayer wiring board according to claim 1 of the present invention, an electrodeposition agent is applied in a predetermined shape by a liquid discharge device onto a wiring portion provided on a substrate or an insulating film. A needle electrode is provided so as to be in electrical contact with the deposited electrodeposition agent, and a voltage is applied between the needle electrode and the wiring portion to form an electrodeposition product on the wiring portion; The product is directly dried and heat-treated on the wiring portion to form an insulating film. According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a built-up multilayer wiring board, comprising: a liquid ejection device on a different substrate or a metal layer provided on the other substrate by a liquid ejection device; An adhesive is applied in a predetermined shape, a needle electrode is provided so as to be in electrical contact with the applied electrodeposition agent, a voltage is applied between the needle electrode and the metal layer, and the other substrate or An electrodeposition product is formed on the metal layer, the electrodeposition product is transferred to a wiring board, dried and heat-treated to form an insulating film. According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a built-up multilayer wiring board using a liquid ejecting apparatus having a liquid ejecting portion having an opening made of metal on a wiring portion provided on a substrate or an insulating film. The electrodeposition agent is applied in a predetermined shape, and a voltage is applied between the opening and the wiring portion to form an electrodeposition product on the wiring portion, and the electrodeposition product is connected to the wiring The insulating film is formed by drying and heat-treating the part as it is. According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a built-up multilayer wiring board in which an opening made of a metal is formed on another substrate or a metal layer provided on another substrate, which is different from the wiring substrate. Electrodeposition is applied to the metal layer by applying an electrodeposition agent in a predetermined shape and applying a voltage between the opening and the other substrate or the metal layer by a liquid ejection device serving as a liquid ejection unit. A product is formed, the electrodeposition product is transferred to a wiring board, dried and heat-treated to form an insulating film. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a built-up multilayer wiring board, wherein a lead serving as an electrodeposition electrode is provided in the wiring portion according to the first or third aspect, and the lead and the needle electrode or A voltage is applied between the opening and electrodeposition is performed. Moreover, the manufacturing method of the built-up multilayer wiring board which concerns on Claim 6 of this invention is the polyimide resin in which the electrodeposition agent of any one of Claim 1 thru | or 5 contains an ionic group, and the said polyimide It is an electrodeposition coating composition comprising an organic solvent capable of dissolving a resin, water, and an ionic compound having a polarity different from that of the ionic group.
[0009]
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for forming an insulating film, comprising: providing a wiring part on a metal surface, which is one surface of the substrate, via an insulating layer; Is applied so as to cover the wiring portion, a needle electrode is connected to the wiring portion covered with the coating liquid, and a voltage is applied between the needle electrode and the metal surface of the substrate to An electrodeposition product is formed on the surface in the predetermined shape, and this is dried and heat-treated to form an insulating film. Note that the insulating layer referred to here substantially conforms to the shape of the wiring portion, and is preferably only on the lower side of the wiring portion, but is not necessarily limited thereto. Basically, it is necessary that the electrodeposition agent covers the wiring part and reaches the metal surface of the substrate. Further, in the insulating film forming method according to claim 8 of the present invention, the electrodeposition agent according to claim 7 includes a polyimide resin containing an ionic group, an organic solvent capable of dissolving the polyimide resin, water, It is an electrodeposition coating composition comprising an ionic compound having a polarity different from that of an ionic group. A wiring board according to claim 9 of the present invention is characterized by using an insulating film formed by the insulating film forming method according to claim 7. A wiring board according to a ninth aspect of the present invention is characterized by using an insulating film formed by the insulating film forming method according to the seventh aspect.
[0010]
Here, the term “substrate” refers to a single-layer or multi-layer substrate having a metal layer or wiring portion covering the substrate surface on at least one surface or both surfaces thereof.
And the base material of each layer of a single layer of a board | substrate may have flexibility, such as rigid things, such as glass and a metal plate, and a resin film.
[0011]
[Action]
The manufacturing method of the built-up multilayer wiring board according to the present invention can provide a method for obtaining an interlayer insulating film and a wiring protective film easily and at low cost by adopting the above-described configuration. Specifically, new electrodeposition generation in a method in which an electrodeposition product is formed on a substrate directly by electrodeposition or indirectly after transfer, and then dried and heat-treated to form an insulating film. It is possible to provide a production method (electrodeposition method).
[0012]
The insulating film forming method of the present invention has the above-described configuration, and the wiring substrate of the present invention has such a configuration, whereby an interlayer insulating film and a wiring protective film can be obtained simply and at low cost. It is possible to provide. Specifically, new electrodeposition generation in a method in which an electrodeposition product is formed on a substrate directly by electrodeposition or indirectly after transfer, and then dried and heat-treated to form an insulating film. It is possible to provide a production method (electrodeposition method). In addition, the wiring board of the present invention is configured as described above, so that it can be easily manufactured and can be provided with an interlayer insulating film and a wiring protective film at low cost.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
First, an embodiment of an insulating film or a method for forming an insulating film in a built-up multilayer wiring board according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a process diagram of a first example of an embodiment of an insulating film forming method according to the present invention, FIG. 2 is a process diagram of a second example of the embodiment, and FIG. 3 is a third process diagram of the embodiment. FIG. 4 is a process diagram of a third example of the embodiment. 1-4, 110 is a substrate, 120 is a liquid ejection part (of a liquid ejection apparatus), 130 is an electrodeposition agent (electrodeposition liquid), 135 is an electrodeposition product, 140 is a needle electrode, 160 is a wiring part , 170 is an insulating layer.
[0014]
A first example of the embodiment will be described below.
In this example, an electrodeposition agent 130 is applied to a predetermined shape by a liquid discharge unit 120 (of a liquid discharge device) on one surface of a substrate 110 made of metal, and a needle electrode 140 is provided on the applied liquid surface. A voltage is applied between the electrode 140 and the surface of the substrate 110 on which the electrodeposition agent 130 is applied to form an electrodeposition product 135 in a predetermined shape on the one surface of the substrate 110. This is a method for forming an insulating film as it is on the metal surface, or transferred to another wiring substrate, and dried and heat-treated as necessary to form an insulating film.
[0015]
Examples of the substrate 110 made of metal include conductive metal plates such as aluminum, copper, nickel, iron, stainless steel, and titanium.
[0016]
Examples of the polymer used for the electrodeposition agent 130 include various anionic or cationic synthetic polymer resins having electrodeposition properties.
As an anionic synthetic polymer resin, an acrylic resin, a polyester resin, a maleated oil resin, a polybutadiene resin, an epoxy resin, a polyamide resin, a polyimide resin, etc. alone or as a mixture of any combination of these resins Can be used. Furthermore, you may use together said crosslinking | crosslinking resin, such as said anionic synthetic resin and a melamine resin, a phenol resin, and a urethane resin.
As the cationic synthetic polymer resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, a polybutadiene resin, a polyamide resin, a polyimide resin, or the like can be used alone or as a mixture of any combination thereof. Further, the above cationic synthetic polymer resin may be used in combination with a crosslinkable resin such as a polyester resin and a urethane resin.
In addition, in order to impart tackiness to the above polymer resin, it is possible to add tackifying resins such as rosin, terpene, and petroleum resins as necessary.
The polymer resin is subjected to an electrodeposition method in a state in which it is neutralized with an alkaline or acidic substance and solubilized in water or in a water-dispersed state in the production method described later. That is, the anionic synthetic polymer resin is neutralized with amines such as trimethylamine, diethylamine, dimethylethanolamine and diisopropanolamine, and inorganic alkalis such as ammonia and caustic potash. The cationic synthetic polymer resin is neutralized with an acid such as acetic acid, formic acid, propionic acid, or lactic acid. The polymer resin solubilized in the neutralized water is used in a state of being diluted in water as a water dispersion type or a dissolution type.
[0017]
In particular, from the viewpoint of insulation reliability, the preferred electrodeposition agent 130 includes a polyimide resin containing an ionic group, an organic solvent capable of dissolving the polyimide resin, water, and an ionic compound having a polarity different from that of the ionic group. An electrodeposition coating composition comprising: As polyimide, it is only necessary to be soluble in a solvent and to maintain heat resistance, insulation and mechanical strength, and various aromatic dianhydrides and aromatic diamines are selected depending on the purpose and function.
These aromatic acid dianhydrides and aromatic diamines are heated and dehydrated to synthesize polyimide.
In order to add a function of electrodeposition, a functional group or an ionic group is introduced. For example, carboxylic acid is introduced. In this case, an aromatic diaminocarboxylic acid or the like can be used as the aromatic diamine.
In order to give good adhesion, diaminodiphenyl sulfone or the like is introduced.
[0018]
For the preparation of the electrodeposition liquid of polyimide for electrodeposition forming such an electrodeposition coating composition for forming an insulating film, the description of Japanese Patent Publication No. 51-15061, Japanese Patent Publication No. 46-17415 And having an imide bond and an amic acid produced as a result of charging and synthesizing an aromatic tetracarboxylic acid and an aromatic diamine component by a combination of these methods based on the description of JP-A-9-104839 Carboxylic acid-containing polyimides can also be synthesized.
Furthermore, in addition to the aromatic tetracarboxylic acid and the aromatic diamine component, a carboxylic acid-containing monomer is charged in advance during synthesis, and finally a polyimide varnish containing an imide bond, an amic acid, and a carboxylic acid functional group can be synthesized.
In order to make an electrodeposition solution, a base such as amine is added to this varnish, a part of the imide bond is further opened, a neutralized salt is formed, and water and various solvents are added as necessary. A polyimide electrodeposition solution can be produced.
Incidentally, Japanese Patent Publication No. 51-15061 discloses that a part of a polyimide having a carboxyl group at the terminal in the main chain and an imide bond in the repeating unit is allowed to act on ammonia, amine or other base. A method for producing an electrodeposition solution of polyimide is described in which ring-opening is performed, and an imide bond in a repeating unit is converted into an ammonium salt or amine salt of an amide carboxylic acid and dispersed by forcibly stirring in an aqueous solution containing a surfactant. ing.
Japanese Patent Publication No. 46-17415 discloses a method for producing a polyimide having an imide bond in a repeating unit by reacting an aromatic tetracarboxylic acid and an aromatic diamine component in a phenol solvent by heating. A method for directly obtaining a solvent-soluble polyimide resin having a high conversion rate is described.
In addition, in JP-A-9-104839, aromatic diaminocarboxylic acid or the like is used as an aromatic diamine, and another aromatic tetracarboxylic acid and another aromatic diamine component are heated in a phenol solvent. And a method for directly obtaining an electrodeposition-type polyimide resin having a high imidation ratio is described.
[0019]
Here, the storage stability is increased by using polyimide as a polyimide instead of a polyimide precursor.
Polyimide that can be used is heated and polycondensed in an organic polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone using approximately equal amounts of aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine. If necessary, a catalyst is added and heated to 140 to 200 ° C. to remove water generated by the condensation out of the system.
[0020]
As a functional group to be introduced for electrodeposition, that is, an ionic group, if it is an anionic group, for example, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, a phenol group, etc. An amino group or the like is used. In the case of introducing an anionic group, a carboxylic acid group is particularly preferable, and diaminobenzoic acid or the like is used as a monomer.
[0021]
In the case of an anionic electrodeposition liquid, an electrodeposition polyimide having an anionic group dissolved in a solvent is neutralized with a basic compound, and an appropriate solvent and water are added. As the basic compound, triethylamine, triethanolamine, methylmorpholine and the like can be used.
In the case of a cationic electrodeposition solution, a polyimide for electrodeposition solution having a cationic group dissolved in a solvent is neutralized with an acidic compound, and an appropriate solvent and water are added. As the acidic compound, formic acid, lactic acid, acetic acid, butyric acid and the like can be used.
[0022]
A variety of solvents can be used. Considering the stability during washing, a relatively lipophilic material is used, and an appropriate flow property after electrodeposition can be adjusted.
[0023]
As a method of emulsifying and dispersing the resin, any method can be used as long as it can be uniformly stirred, and an ultrasonic dispersion salt or the like can be used.
[0024]
A first example will be described with reference to FIG.
First, application of the electrodeposition agent 130 to a predetermined shape is started on one surface of the substrate 110 made of metal by the liquid discharge unit 120 (of the liquid discharge device) (FIG. 1A), and then applied to the predetermined shape. To do. (Fig. 1 (b))
In the application, the electrodeposition agent 130 is applied in a predetermined shape by a liquid ejecting apparatus (not shown in the whole) whose XY movement is controlled relative to the substrate 110, for example, a dispenser.
In this example, in order to simplify the description, the liquid ejection unit 120 is relatively moved from A1 to A2.
After the electrodeposition agent 130 is applied in a predetermined shape, the needle electrode 140 is immersed in the electrodeposition agent, the electrodeposition agent and the needle electrode are electrically connected, and the electrode electrode 140 and the substrate 110 are further connected between the electrode electrode 140 and the substrate 110. An electrodeposition product 135 is formed on the substrate surface by applying a voltage and performing electrodeposition. (Fig. 1 (c))
Next, the substrate surface on which the electrodeposition product 135 is formed is washed, and only the electrodeposition product 135 having a predetermined shape is obtained on the substrate. (Fig. 1 (d))
Thereafter, if necessary, the electrodeposition product 135 is dried and heat-treated to make the electrodeposition product 135 an insulating film.
[0025]
As a modified example of the first example, a substrate in which a metal layer is provided only on the insulating film forming side, that is, a substrate using an insulating base substrate and a metal layer is used.
In this case, examples of the base substrate include an insulating resin substrate such as a glass plate, polyester, polycarbonate, polyimide, polyethylene, and acrylic.
Examples of the metal layer include conductive metal materials such as aluminum, copper, nickel, iron, stainless steel, and titanium.
[0026]
As another modified example of the first example, after applying the electrodeposition agent to a predetermined region, it is immersed in the electrodeposition agent applied with a liquid discharge portion having an opening made of metal instead of the needle electrode, or There is also a method in which an electrodeposition agent applied via an electrodeposition agent is brought into contact with the liquid discharge portion, and this is used as an electrode to form an electrodeposition product on one surface of the substrate.
[0027]
Furthermore, as another modification of the first example, the electrodeposition product formed as shown in FIG. 1 (d) is dried if necessary, transferred to another wiring board, and dried. Another example is a method of heat-treating the insulating film.
[0028]
Next, a second example of the embodiment will be described.
In this example, an electrodeposition agent 130 is applied in a predetermined shape by a liquid discharge unit 120 having an opening made of metal of a liquid discharge device (not shown) on one surface of a substrate 110 made of metal. In addition, a voltage is applied between the metal opening of the liquid discharge unit 120 and the substrate 110 to form the electrodeposition product 135 in a coating shape on one surface of the substrate. This is a method for forming an insulating film by drying and heat-treating the product 135 to form an insulating film.
The substrate material, the electrodeposition agent, and the like are the same as in the first example of the embodiment.
Hereinafter, this example will be briefly described with reference to FIG.
First, application of the electrodeposition liquid 130 is started from B <b> 1 by the liquid discharge unit 120. (Fig. 2 (a))
At this time, a predetermined voltage is applied between the liquid ejection unit 120 and the substrate, and when the electrodeposition liquid is applied to the surface of the substrate 110, the electrodeposition product 135 is generated on the substrate surface. Begins.
In this manner, while applying a voltage between the liquid discharge unit 120 and the substrate, the liquid discharge unit 120 is moved relatively to B2 while applying the electrodeposition agent in a predetermined shape, and the electrodeposition agent is applied. The electrodeposition product 135 having a shape is formed on the substrate surface. (Fig. 2 (b))
Next, the application of voltage is stopped (FIG. 2C), and the substrate surface on which the electrodeposition product 135 is formed is washed to obtain only the electrodeposition product 135 having a predetermined shape on the substrate (FIG. 2). (D))
Thereafter, if necessary, the electrodeposition product 135 is dried and heat-treated to make the electrodeposition product 135 an insulating film.
[0029]
As a modification of the second example, the electrodeposition product formed as shown in FIG. 2 (d) is dried if necessary, transferred to another wiring board, and dried and heat-treated. There is also a method of using an insulating film.
[0030]
Next, a third example of the embodiment will be described.
In this example, the electrodeposition agent 130 is applied to the wiring portion 160 provided on one surface of the insulating substrate 110 by the liquid discharge portion 120 (of the liquid discharge device), and the electrodeposition agent 130 is applied to the applied electrodeposition agent 130. 140 is immersed, a predetermined voltage is applied between the needle electrode 140 and the wiring part 160 of the substrate 110 to form the electrodeposition product 135 in the shape of the wiring part on the wiring part 160 of the substrate 110, and This is an insulating film forming method in which this is dried and heat-treated to form an insulating film.
In this example, a lead 165 serving as an electrodeposition electrode is provided on the wiring part 160 of the substrate 110, and a voltage is applied between the lead 165 and the needle electrode 140 for electrodeposition.
Hereinafter, this example will be briefly described with reference to FIG.
First, application of the electrodeposition liquid 130 is started from C1 by the liquid discharge unit 120 (FIG. 3A), and the electrodeposition agent 130 is applied in a predetermined shape up to C2 so as to cover the wiring part 160. (Fig. 3 (b) (I))
The corresponding plan views of FIGS. 3B and 3A are FIGS. 3B and 3B. Leads 165 connected to the wiring part 160 are provided.
Next, the needle electrode 140 is immersed in the applied electrodeposition agent 130, and a predetermined voltage is applied between the needle electrode 140 and the lead 165 serving as the electrodeposition electrode, that is, between the needle electrode 140 and the wiring portion. The electrodeposition product 135 is formed on the surface of the wiring portion 160 in contact with the electrodeposition agent 130 by applying a predetermined voltage to the wiring portion 160. (Fig. 3 (c))
Next, the application of voltage is stopped, and the substrate surface on which the electrodeposition product 135 is formed is washed to obtain only the electrodeposition product 135 having a predetermined shape on the substrate. (Fig. 3 (d))
Thereafter, if necessary, the electrodeposition product 135 is dried and heat-treated to make the electrodeposition product 135 an insulating film.
[0031]
Examples of the material of the insulating substrate 110 include a glass plate, polyester, polycarbonate, polyimide, polyethylene, acrylic, and the like, but when a plated copper wiring layer is used as the wiring, a thermal expansion coefficient close to that of copper is used. For example, an epoxy resin containing glass cloth used for a printed circuit board such as a BT resin is used.
Plating copper is preferable from the viewpoint of conductivity and cost as the wiring composed of the conductive layer formed by plating. However, Ni (nickel), Au (gold), Cr (chromium), Ag (silver) may be used as necessary. ), Pt (platinum), or the like.
In the case of plated copper, the thickness needs to be 1 μm or more although it depends on the width of the wiring.
[0032]
As a modified example of the third example, instead of the insulating substrate 110 of the third example, a substrate in which a one-layer insulating layer is provided on one surface of a metal substrate serving as a base substrate and a wiring portion is formed thereon is used. An example is given.
In this case, as the base substrate made of metal, a substrate having a thermal expansion coefficient close to that of the wiring portion is usually preferable.
When the wiring is made of copper, stainless steel is used.
[0033]
As another modified example of the third example, as in the second example of the embodiment, a liquid discharge unit 120 having an opening made of metal is used, and the liquid discharge unit 120 and a lead serving as an electrodeposition electrode An example in which the electrodeposition liquid 130 is applied while applying a predetermined voltage between 165 and 165 is given.
[0034]
Furthermore, as another modified example of the third example, the electrodeposition product formed as shown in FIG. 3D is dried if necessary, transferred to another wiring board, and dried. Another example is a method of heat-treating the insulating film.
In this case, it may be transferred together with the wiring part 160.
[0035]
Next, a fourth example of the embodiment will be described.
In this example, an electrodeposition agent 130 is applied to one surface of a substrate 110 made of metal on a wiring portion 160 provided via an insulating layer 170 by a liquid discharge portion 120 (of a liquid discharge device). The needle electrode 140 is connected to the wiring part 160 covered with the liquid 130, and a predetermined voltage is applied between the needle electrode 140 and the substrate 110, so that the electrodeposition product 135 is formed on the surface of the wiring part 160. This is an insulating film forming method in which the wiring portion is formed into a shape and further dried and heat-treated to form an insulating film.
The substrate material, electrodeposition agent, and the like are the same as in the first example of the embodiment.
Hereinafter, this example will be briefly described with reference to FIG.
First, application of the electrodeposition liquid 130 is started from D1 by the liquid ejection unit 120 (FIG. 4A), and the electrodeposition agent 130 is applied in a predetermined shape up to D2 so as to cover the wiring part 160. (Fig. 4 (b))
Next, the needle electrode 140 is connected to the wiring part 160 covered with the electrodeposition liquid 130, and a predetermined voltage is applied between the needle electrode 140 and the substrate 110 to generate electrodeposition on the surface of the wiring part 160. The object 135 is formed in the shape of the wiring part. (Fig. 4 (c))
Next, the application of voltage is stopped, and the substrate surface on which the electrodeposition product 135 is formed is washed to obtain only the electrodeposition product 135 having a predetermined shape on the substrate. (Fig. 4 (d))
Thereafter, if necessary, the electrodeposition product 135 is dried and heat-treated to make the electrodeposition product 135 an insulating film.
In this case, the needle electrode is preferably one in which only the tip portion is electrically exposed.
[0036]
As a modification of the fourth example, the electrodeposition product formed as shown in FIG. 4 (d) is dried if necessary, transferred to another wiring board, and dried and heat-treated. There is also a method of using an insulating film.
In this case, transfer may be performed together with the wiring part 160 or together with the wiring part 160 or the insulating layer 170.
[0037]
In order to explain the insulating film forming method of the present invention in an easy-to-understand manner, as described above, as an embodiment, an example in which an insulating film is directly formed in a predetermined shape on a substrate, or a wiring layer is provided on the substrate, Although an example in which an insulating film is formed thereon has been described, it goes without saying that the insulating film forming method of the present invention can be applied to a multilayer wiring board having two or more wiring portions.
In addition, the insulating film of the present invention can be used not only as a protective film for wiring, but also as an adhesive layer by making the insulating film and insulating film between wiring layers sticky and adhesive. Yes.
[0038]
Next, a first example of the embodiment of the wiring board according to the present invention is shown in FIG. 5, and a second example is shown in FIG.
5 and 6, reference numeral 110 denotes a substrate, 137 and 137A denote insulating films, 160 to 163 denote wiring portions, and 170 denotes an insulating layer.
The wiring board of the first example shown in FIG. 5 is a wiring board manufactured by the method of the fourth example of the embodiment of the insulating film forming method of the present invention shown in FIG. Therefore, the electrodeposition product (135 in FIG. 4) is dried and heat-treated to form a protective film.
The wiring board of the second example shown in FIG. 6 does not heat the electrodeposition product (135 in FIG. 4) in the production of the wiring board shown in FIG. Then, an electrodeposition product is formed by the method of the fourth example of the embodiment of the insulating film forming method of the present invention shown in FIG. 4 and heat-treated.
The insulating film 135A functions as a protective film, and the insulating film 135 functions as an adhesive layer.
Note that the electrodeposition agent for forming the insulating film 135 has adhesiveness after electrodeposition generation.
[0039]
【Example】
Example 1
This example is an embodiment of the insulating film forming method shown in FIG. 1, and will be described with reference to FIG.
First, a metal plate substrate 110 made of a stainless material (SUS304) having a thickness of 0.025 mm was prepared in advance.
Next, an electrodeposition agent adjusted as described below was applied to a predetermined region with a dispenser, and electrodeposition was performed for 10 sec at a liquid temperature of the electrodeposition agent of 25 ° C., a gap of 500 μm, and a voltage of 30V.
A coating film of 12 μm electrodeposition product was obtained in the wet state.
Thereafter, the electrodeposition product was heated and cured at 300 ° C. for 30 minutes to obtain a dry film thickness of 3 μm.
[0040]
A polyimide varnish was prepared as follows, and the electrodeposition solution was adjusted.
<Manufacture of polyimide varnish>
A 11-volume three-necked separable flask is equipped with a stainless steel squid stirrer, a nitrogen condenser and a reflux condenser with a ball condenser on a trap with a stopcock. While flowing in a nitrogen stream, a separable flask was attached to a silicone bath equipped with a temperature controller and heated. The reaction temperature is indicated by the bath temperature.
3,4,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as BTDA) 32.22 g (0.1 mol), bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfone (m-BAPS) ) 21.63 g (0.05 mol), γ-valerolactone 1.5 g (0.015 mol), pyridine 2.37 g (0.03 mol), NMP (abbreviation of N-methyl-2-pyrrolidone) 200 g, 30 g of toluene is added, and the mixture is stirred for 30 minutes at room temperature (200 rpm) in a silicon bath while passing nitrogen, and then the temperature is raised and the reaction is carried out at 180 ° C. for 1 hour with stirring at 200 rpm. 15 ml of toluene-water distillate was removed, air-cooled, BTDA 16.11 g (0.05 mol), 3, 5 diaminobenzoic acid (hereinafter referred to as DABz) 15.22 g (0.1 mol), NMP 119 g, toluene 30 g is added and stirred at room temperature for 30 minutes (200 rpm), then heated to 180 ° C. and heated to 180 ° C. to remove 15 ml of toluene-water distillate. Thereafter, the toluene-water distillate was removed from the system, and the reaction was terminated by heating and stirring at 180 ° C. for 3 hours. A 20% polyimide varnish was obtained.
<Preparation of electrodeposition solution>
100 g of 20% polyimide varnish, 150 g of 3SN (NMP: mixed solution of tetrahydrothiophene-1, l-dioxide = 1: 3 (weight)), 75 g of benzyl alcohol, 5.0 g of methylmorpholine (neutralization rate 200%), water Aqueous electrodeposition solution is prepared by stirring 30 g. The obtained aqueous electrodeposition liquid is a polyimide 7.4%, pH 7.8, dark reddish brown transparent liquid.
[0041]
(Example 2)
This example is an embodiment of the method for forming the insulating film shown in FIG. 3, and will be described with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 3A, a wiring board provided with a wiring portion 160 on one surface of an insulating substrate 110 and provided with leads 165 electrically connected to the wiring portion was prepared in advance.
This wiring board was manufactured by an etching method using a photolithography technique, but since it is a well-known process, description thereof will be omitted.
Next, the same electrodeposition liquid as in Example 1 was applied to a predetermined region so as to cover the wiring part 160 by a dispenser.
As shown in FIG. 3C, the electrodeposition solution was energized for 10 sec at an electrodeposition solution temperature of 25 ° C., a gap of 500 μm, and a voltage of 30 V, and a wet film thickness of 12 μm was deposited on the surface of the wiring layer 160. Product formed.
Thereafter, the electrodeposition product was heated and cured at 300 ° C. for 30 minutes to obtain a dry film thickness of 3 μm.
[0042]
(Example 3)
This example is an embodiment of the insulating film forming method shown in FIG. 4 and will be described with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 4A, a wiring board was prepared in which a wiring part 160 was formed on one surface of a substrate 110 made of metal with an insulating layer 170 interposed therebetween.
The wiring part 160 was formed on one surface of the substrate 110 made of metal via the insulating layer 170 by a transfer method.
The transfer method in this example is a method in which a plating-resistant resist is made on a stainless steel substrate or the like, a wiring portion made of copper plating is formed in the opening of the resist, and this is transferred to a wiring substrate. When forming the wiring portion on the wiring substrate, an adhesive insulating layer is formed by a dispenser in a predetermined region where the wiring of the wiring substrate is transferred.
For the formation of the insulating layer 170 during the transfer, the insulating layer is printed on a wiring substrate, applied using a dispenser, applied onto the wiring portion of the transfer plate using a dispenser, transfer plate There is a method of electrodepositing an adhesive electrodeposition product on a wiring portion.
The transfer method for transferring the wiring part to the substrate via the adhesive insulating layer from the transfer plate on which the wiring part is formed and plating is well known, and detailed description thereof is omitted here.
The wiring portion 160 has a second Ni plating thickness of 1 μm, a plated copper thickness of 10 μm, and the insulating resin layer 170 is a polyimide resin layer.
Next, using the same electrodeposition agent as in Example 1 and Example 2 and applying with a dispenser so as to cover the wiring part, the electrodeposition solution was at a liquid temperature of 25 ° C., a gap of 500 μm, and a voltage of 30 V for 10 sec. I wore it.
A coating film of 12 μm electrodeposition product was obtained in the wet state.
Thereafter, the electrodeposition product was heated and cured at 300 ° C. for 30 minutes to obtain a dry film thickness of 3 μm.
[0043]
【The invention's effect】
As described above, the present invention makes it possible to provide a method for obtaining an interlayer insulating film and a wiring protective film easily and at low cost in a method for manufacturing a built-up multilayer substrate and a wiring substrate. Specifically, it is possible to provide an electrodeposition method that can be easily and at low cost when an insulating film is formed directly by electrodeposition or indirectly by transfer after electrodeposition. As a result, it is possible to cope with the miniaturization and high density of the wiring, the multilayer wiring, and the mass productivity. As an electrodeposition agent, the polyimide resin containing an ionic group and the polyimide resin By using an electrodeposition coating composition composed of a soluble organic solvent, water, and an ionic compound having a polarity different from that of the ionic group, an interlayer having excellent insulation and thermal stability between wirings. A wiring board having an insulating film and a wiring protective film can be provided, and the production of the wiring board can be more easily reduced in cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process diagram of a first example of an embodiment of an insulating film forming method according to the present invention;
FIG. 2 is a process diagram of a second example of an embodiment of an insulating film forming method of the present invention.
FIG. 3 is a process chart of a third example of the embodiment of the insulating film forming method of the present invention;
FIG. 4 is a process chart of a fourth example of the embodiment of the insulating film forming method of the present invention;
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a first example of an embodiment of a wiring board according to the present invention;
FIG. 6 is a sectional view showing a second example of the embodiment of the wiring board according to the present invention;
FIG. 7 is a cross-sectional view of a multilayer wiring board formed by a built-up method.

Claims (9)

基板上に配線部と絶縁膜を順次積層して作製されるビルトアップ多層配線基板の製造方法であって、A method of manufacturing a built-up multilayer wiring board produced by sequentially laminating a wiring portion and an insulating film on a substrate,
基板上あるいは絶縁膜上に設けた配線部の上に、液体吐出装置により、電着剤を所定の形状に塗布し、塗布された電着剤に電気的に接するように針電極を設け、前記針電極と前記配線部との間に電圧を印加して、前記配線部上に電着生成物を形成し、前記電着生成物を前記配線部上にてそのまま乾燥、熱処理して絶縁膜とすることを特徴とするビルトアップ多層配線基板の製造方法。On the wiring part provided on the substrate or on the insulating film, the electrodeposition agent is applied in a predetermined shape by a liquid ejection device, and a needle electrode is provided so as to be in electrical contact with the applied electrodeposition agent, A voltage is applied between the needle electrode and the wiring part to form an electrodeposition product on the wiring part, and the electrodeposition product is directly dried and heat-treated on the wiring part to form an insulating film A method for producing a built-up multilayer wiring board, comprising:
基板上に配線部と絶縁膜を順次積層して作製されるビルトアップ多層配線基板の製造方法であって、A method of manufacturing a built-up multilayer wiring board produced by sequentially laminating a wiring portion and an insulating film on a substrate,
転写板上あるいは転写板上に設けた金属層上に、液体吐出装置により、電着剤を所定の形状に塗布し、塗布された電着剤に電気的に接するように針電極を設け、前記針電極と前記転写板あるいは前記金属層との間に電圧を印加して、前記転写板あるいは前記金属層上に電着生成物を形成し、該電着生成物を配線基板に転写し、乾燥、熱処理して絶縁膜とすることを特徴とするビルトアップ多層配線基板の製造方法。On the transfer plate or a metal layer provided on the transfer plate, a liquid ejection device applies an electrodeposition agent in a predetermined shape, and a needle electrode is provided so as to be in electrical contact with the applied electrodeposition agent, A voltage is applied between the needle electrode and the transfer plate or the metal layer to form an electrodeposition product on the transfer plate or the metal layer, and the electrodeposition product is transferred to a wiring board and dried. A method for manufacturing a built-up multilayer wiring board, wherein the insulating film is formed by heat treatment.
基板上に配線部と絶縁膜を順次積層して作製されるビルトアップ多層配線基板の製造方法であって、A method of manufacturing a built-up multilayer wiring board produced by sequentially laminating a wiring portion and an insulating film on a substrate,
基板上あるいは絶縁膜上に設けた配線部の上に、金属からなる開口部を液体吐出部とする液体吐出装置により、電着剤を所定の形状に塗布し、前記開口部と前記配線部との間に電圧を印加して、前記配線部上に電着生成物を形成し、前記電着生成物を前記配線部上にてそのまま乾燥、熱処理して絶縁膜とすることを特徴とするビルトアップ多層配線基板の製造方法。On the wiring part provided on the substrate or on the insulating film, an electrodeposition agent is applied in a predetermined shape by a liquid ejection device having an opening made of metal as a liquid ejection part, and the opening, the wiring part, A built-in voltage is applied to form an electrodeposition product on the wiring portion, and the electrodeposition product is directly dried and heat-treated on the wiring portion to form an insulating film. A method for manufacturing an up-layer wiring board.
基板上に配線部と絶縁部を順次積層して作製されるビルトアップ多層配線基板の製造方法であって、A method for manufacturing a built-up multilayer wiring board produced by sequentially laminating a wiring portion and an insulating portion on a substrate,
転写板上あるいは転写板上に設けた金属層上に、金属からなる開口部を液体吐出部とする液体吐出装置により、電着剤を所定の形状に塗布し、前記開口部と前記転写板あるいは前記金属層との間に電圧を印加して、前記転写板上あるいは前記金属層上に電着生成物を形成し、該電着生成物を配線基板に転写し、乾燥、熱処理して絶縁膜とすることを特徴とするビルトアップ多層配線基板の製造方法。On the transfer plate or a metal layer provided on the transfer plate, an electrodeposition agent is applied in a predetermined shape by a liquid discharge device having an opening made of metal as a liquid discharge portion, and the opening and the transfer plate or A voltage is applied between the metal layer to form an electrodeposition product on the transfer plate or the metal layer, the electrodeposition product is transferred to a wiring board, dried and heat-treated to form an insulating film A method for producing a built-up multilayer wiring board, characterized in that:
請求項1または3に記載の配線部に電着用の電極となるリードを設けておき、該リードと前記針電極または前記開口部との間に、電圧を印加して電着することを特徴とするビルトアップ多層配線基板の製造方法。A lead serving as an electrodeposition electrode is provided in the wiring portion according to claim 1 or 3, and a voltage is applied between the lead and the needle electrode or the opening to perform electrodeposition. A method for manufacturing a built-up multilayer wiring board. 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とするビルトアップ多層配線基板の製造方法。 The electrodeposition agent according to any one of claims 1 to 5 , wherein the ionicity is different from that of the polyimide resin containing an ionic group, an organic solvent capable of dissolving the polyimide resin, water, and the ionic group. A method for producing a built-up multilayer wiring board, which is an electrodeposition coating composition comprising a compound. 基板の一面である金属面上に、絶縁層を介して配線部を設け、該配線部上に液体吐出装置により、電着剤を該配線部上を覆うように塗布し、塗布液に覆われた配線部に針電極を接続し、且つ、針電極と該基板の金属面との間に、電圧を印加して、配線部表面に電着生成物を前記所定形状に形成し、これを、乾燥、熱処理して絶縁膜とすることを特徴とする絶縁膜形成方法。  A wiring part is provided on a metal surface, which is one surface of the substrate, via an insulating layer, and an electrodeposition agent is applied on the wiring part by a liquid discharge device so as to cover the wiring part, and is covered with a coating solution. A needle electrode is connected to the wiring part, and a voltage is applied between the needle electrode and the metal surface of the substrate to form an electrodeposition product on the surface of the wiring part in the predetermined shape, A method of forming an insulating film, comprising drying and heat-treating to form an insulating film. 請求項7に記載の電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とする絶縁膜形成方法。The electrodeposition coating composition according to claim 7 , wherein the electrodeposition coating composition comprises a polyimide resin containing an ionic group, an organic solvent capable of dissolving the polyimide resin, water, and an ionic compound having a polarity different from that of the ionic group. A method for forming an insulating film, comprising: 請求項7に記載の絶縁膜形成方法による絶縁膜を用いたことを特徴とする配線基板。A wiring board comprising an insulating film formed by the insulating film forming method according to claim 7 .
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