JP4093911B2 - Rotating developer - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、現像装置のうち特に回転によって現像液を被処理物表面に均一に拡散せしめる回転現像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
最近では基板表面に厚膜を形成する試みがなされている。例えば、ICパターン面上にパンプと称される高さ10〜20μm程度の突起状電極を、集積回路形成技術を応用して形成するには、10〜20μm程度の厚さのレジスト膜を形成する必要がある。
また、従来ではICチップを基板に搭載するのにワイヤボンディングを行っているが、ワイヤボンディングでは金線を1本づつ繋げなければならず面倒で時間がかかる。そこでワイヤボンディングの代わりにチップ自体に金属柱を複数本設け、この金属柱を介してICチップを基板に搭載するようにしている。この金属柱の高さが数10μmであり、集積回路形成技術を応用して金属柱を形成するには、数10μm程度の厚さのレジスト膜を形成する必要がある。
【0003】
上記のように現像の対象となるレジスト膜の厚さが厚くなると、通常の現像時間で現像することができず、長時間現像になってしまい処理効率が低下する。そこで、現像の化学反応速度を速めるため現像液の温度を上げることが行われている。
しかしながら、現像液の温度のみを高めても現像カップなど他の要素の温度を高めないと、現像液の温度も急激に低下してしまう。本発明者が測定したところ、供給直後の現像液温度は39.78℃であったが200秒経過後は36.14℃まで低下していた。
【0004】
一方、現像装置としてはチャックにて被処理物を吸着し、この状態で被処理物をゆっくり回転させ、被処理物表面のレジスト膜上に盛り付けた現像液を均一に拡散するものが知られている。そして、上記チャックの温度変動を抑制するために、チャックの周囲に温度調節部材を設け、その中に磁性流体を充填してチャックからの熱の伝わりを速くすることが提案されている。(特許文献1)。
【0005】
【特許文献】
(特許文献1) 特開2002−343696号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1に開示される方法では、チャックしか温度調節することができず、チャックと接する部分以外の温調を行うことができない。このため現像ムラを生じやすい。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明に係る回転現像装置は、被処理物の裏面を吸着して回転せしめるチャックがカップ内に配置され、このカップの底部には被処理物全体をカバーする大きさの温調水が循環するジャケットが設けられ、このジャケットの中心部にはチャックの軸部が配置され、このチャックの軸部には伝熱効果を高めるためのフィンが設けられた構成とした。
斯かる構成とすることで、チャックへの伝熱効果も高く被処理物全体を温調することができる。
【0008】
ジャケットの材質についてはアルミニウム製とすることが好ましい。アルミニウムの熱伝導率は133〜165(kcal/m・hr・℃)であり、一方通常のカップの材質であるPVC(ポリ塩化ビニル)の熱伝導率は0.14〜0.17(kcal/m・hr・℃)であるので温調効果が高まる。
しかしながら、アルミニウムは腐食しやすいため、少なくとも現像液に接触する上面部分にはテフロン(登録商標)コーティングを施しておくことが好ましい。
【0009】
テフロン(登録商標)コーティングの厚さは薄ければ伝熱効果は高まるが耐食性に劣ることになるので、50〜100μmとするのが好ましい。
【0010】
また、前記ジャケットの上面にリンス液噴出ノズルを取付けた構成としてもよい。この場合にはリンス液噴出ノズルにリンス液を供給する配管をジャケットの温調水流路を貫通せしめることでリンス液の温調も行える。
【0011】
また、昇降動自在とされたチャックの下降端位置は、ジャケットの上面と被処理物の裏面との間隔が2mm以下となるように定めるのが好ましい。ジャケットの上面と被処理物の裏面との間隔が2mmを超えると温調効果が低下する。
【0012】
また、前記ジャケットは調整部材によって外周部分が部分的に上下位置が微調整可能とする構成も可能である。
被処理物が大型化すると、チャックに保持されている中心部分と保持されていない外側部分とで、僅かではあるが歪みが生じる。そこで、上記の構成とすることで、僅かな歪も調整され、ひいては被処理物とジャケットの面内平行度が調節されるので、被処理物の温度分布を一定にすることができる。
【0013】
また、前記ジャケットの具体的な構造としては、縦壁にて螺旋状の温調液流路が形成されたものが考えられる。このような構成とすることで、温調水がスムーズに循環する。
【0014】
更に、現像装置の外周部には排気を一旦下向きにした後に上向きにするトラップ部を設けた構成としてもよい。このような構成とすることで、排液(余分な現像液)がドレーンパイプから確実に排出されるし、排気との分離も確実に行うことができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る回転現像装置の縦断面図、図2は図1のA−Aに沿った平断面図、図3は温調ジャケットの要部拡大断面図、図4は温調ジャケットの上面の高さ調整機構を説明した拡大断面図である。
【0016】
回転現像装置はガラス基板や半導体ウェーハなどの被処理物Wを収納して回転せしめるカップ1を備えている。このカップ1は下半体2と上半体3からなり、下半体2は下部が上部より広がった筒状内側板21と、この内側板21の下端部から略水平に外側に延びる底板22と、この底板22の外周端から外側上方に向けて立ち上がる外側板23からなり、底板22にはドレーンパイプ24がつながっている。
【0017】
また、カップ1の上半体3は被処理物Wの出し入れを行う開口を形成する筒状板31と、この筒状板31の下端から斜め下方に延びる傾斜板32と、この傾斜板32の外端から下方に延びる垂直板33とならなる。
【0018】
前記垂直板33は前記下半体2にて囲まれる空間に入り込むことで、断面視でU字状の排気通路34を形成している。この排気通路34はU字状をなすためトラップ機能を有し、排液が効率よくドレーンパイプ24の部分に集まる。尚、排気通路34のうち外側の立ち上がり通路には多数の排気口35を形成している。
【0019】
一方、前記筒状内側板21の上端開口部には温調用ジャケット4が取り付けられている。ジャケット4は上板部41、下板部42およびこれらの間に設けられる隔壁43からなり、いずれも熱伝導率に優れたアルミニウム(アルミニウム合金)を材料としている。前記上板部41の上面の面積は被処理物Wの裏面(下面)の面積と等しいかそれよりも大きく設定し、被処理物全体をカバーしている。
【0020】
尚、上板部41、下板部42および隔壁43は別々に製造して後に結合してもよいが、隔壁43と上板部41または下板部42を一体鋳造してもよい。
【0021】
また、前記隔壁43は螺旋状をなし、この隔壁43によって画成される温調水流路44も螺旋状をなしている。この温調水流路44の最内側箇所には温調水入口45が形成され、最外側箇所には温調水出口46が形成され、温調水入口45から流入した温調水は温調を行った後、温調水出口46から流出し、加熱装置で再度加熱された後、再び温調水入口45から流入するという循環経路を形成している。
【0022】
また、図3に示すように、温調水流路44を画成する上板部41の一部を外側に向かった傾斜面47とし、この傾斜面47にリンス液ノズル48を取り付け、更にこのリンス液ノズル48にリンス液を供給する配管49を温調水流路44内を貫通せしめている。このように配管49を温調水流路44内に配置することで、被処理物Wの裏面に向けて噴出されるリンス液も温調(23〜80℃)される。
【0023】
また、ジャケット4を構成する上板部41及び隔壁43の現像液と接触する可能性のある面には腐食防止のためにテフロン(登録商標)コーティング50を形成している。このテフロン(登録商標)コーティング50の厚みは50〜100μmが適当である。100μmを超えると被処理物への熱伝導性が悪くなる。
尚、図示例では隔壁43の外周面にもテフロン(登録商標)コーティング50を形成しているが、この部分は現像液が接触する機会が少ないため、テフロン(登録商標)コーティング50を形成しなくてもよい。
【0024】
また、図4に示すように、ジャケット4を構成する上板部41は微調整機構6を介してカップ1の筒状内側板21の上端部に取り付けられている。この微調整機構6は上板部41に対して出没はしないで回転可能に取り付けられたネジ61と、このネジ61が螺合する内側板21に形成されたネジ穴62からなり、ネジ61を緩めることで、図4(a)に示すように被処理物W裏面との間隔が狭くなり、ネジ61を締めることで、図4(b)に示すように被処理物W裏面との間隔が広くなる。
【0025】
前記微調整機構6は上板部41の外周部に複数個設けられ、部分的に上板部41の高さ位置を微調整できるようにしている。被処理物Wが大寸法になると、外周部において部分的に歪みが生じることがあるが、上板部41の高さ位置を部分的に調整することで基板の歪みを補正し、さらに基板とジャケットの間隔が均一になるので、温度分布も均一になる。
【0026】
一方、ジャケット4の中央部に形成された開口にはチャック7が配置されている。被処理物を吸着するチャックには静電チャックと真空チャックがあるが、この実施例では真空チャックを用いている。このチャック7の軸部内には真空ポンプにつながる通路71が形成され、軸部の外周部には伝熱効果を高めるためのフィン72を設けている。
【0027】
また、チャック7は回転自在且つ昇降動可能とされ、上昇端では筒状板31の上端部よりも高い位置まで上昇して被処理物Wの受け渡しを行い。また下降端の位置は吸着した被処理物Wの裏面とジャケット4の上面との間隔が2mm以下となるように設定する。尚、2mm以下には被処理物Wとジャケット4とが接触することまで含まない。接触すると、被処理物Wの裏面が汚れるおそれがある。
【0028】
以上において、ジャケット4の温調水流路44に23〜80℃の温調水を循環させながらチャック7にて吸着した被処理物Wをチャックとともにゆっくり回転させ、被処理物W表面に盛り付けた現像液を遠心力で拡散して現像処理を行う。
【0029】
このとき、現像液供給直後の被処理物W表面の現像液の温度は39.46℃であったが、200秒経過後の現像液の温度は39.36℃で、殆んど変化しなかった。
【0030】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明に係る回転現像装置によれば、温調水を循環させるジャケットと前記ジャケットとから熱を伝達しするために、チャック軸部にフィンを形成する構成にすることで、被処理物全体を均一に温調することができる。したがって、被処理物表面に盛り付けられた現像液の温度が低下することなく、現像時間を短縮することができる。
また、被処理物全体が均一に温調されているので、現像ムラが生じることがない。
また、ジャケットの材質をアルミニウム製とし、且つ必要な箇所にはテフロン(登録商標)コーティングを施したので、腐食を防止しつつ伝熱効果を高めることができる。
【0031】
また、リンス液についても温調を施すことで、被処理物の温度が変化するのを抑制でき、現像ムラを防止できる。
また、ジャケット上面の外周部分を部分的に上下位置が微調整可能とすることで被処理物が大型化に伴う歪を解消することができ、さらにジャケットと被処理物の間隔を均一にすることができるので、温度分布を均一にできる。
また、ジャケット内に螺旋状の温調水流路を形成することで温調水がスムーズに循環する。
更に、現像装置の外周部には排気を一旦下向きにした後に上向きにするトラップ部を設けることで、排気と排液の分離が確実に行われ、排液がドレーンパイプから削除排出される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る回転現像装置の縦断面図
【図2】図1のA−Aに沿った平断面図
【図3】温調ジャケットの要部拡大断面図
【図4】(a)および(b)は温調ジャケットの上面の高さ調整機構を説明した拡大断面図
【符号の説明】
1…カップ、2…カップの下半体、21…筒状内側板、22…底板、23…外側板、24…ドレーンパイプ、3…カップの上半体、31…筒状板、32…傾斜板、33…垂直板、34…排気通路、35…排気口、4…温調用ジャケット、41…上板部、42…下板部、43…隔壁、44…温調水流路、45…温調水入口、46…温調水出口、47…傾斜面、48…リンス液ノズル、49…配管、50…テフロン(登録商標)コーティング、6…微調整機構、61…ネジ、62…ネジ穴、7…チャック、71…真空ポンプにつながる通路、72…フィン、W…被処理物。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a rotary developing device that uniformly diffuses a developing solution on the surface of an object to be processed by rotation.
[0002]
[Prior art]
Recently, attempts have been made to form a thick film on the substrate surface. For example, in order to form a protruding electrode called a bump having a height of about 10 to 20 μm on the IC pattern surface by applying an integrated circuit forming technique, a resist film having a thickness of about 10 to 20 μm is formed. There is a need.
Conventionally, wire bonding is performed to mount an IC chip on a substrate. However, in wire bonding, gold wires must be connected one by one, which is troublesome and takes time. Therefore, instead of wire bonding, a plurality of metal columns are provided on the chip itself, and the IC chip is mounted on the substrate via the metal columns. The height of the metal pillar is several tens of micrometers, and it is necessary to form a resist film with a thickness of several tens of micrometers in order to form the metal pillar by applying the integrated circuit forming technique.
[0003]
As described above, when the thickness of the resist film to be developed becomes thick, development cannot be performed in a normal development time, and the development is performed for a long time, resulting in a reduction in processing efficiency. Therefore, in order to increase the chemical reaction rate of development, the temperature of the developer is increased.
However, even if only the temperature of the developing solution is increased, the temperature of the developing solution is rapidly decreased unless the temperature of other elements such as the developing cup is increased. As measured by the present inventor, the developer temperature immediately after supply was 39.78 ° C., but after 200 seconds had elapsed, it decreased to 36.14 ° C.
[0004]
On the other hand, a developing device is known that adsorbs an object to be processed by a chuck, slowly rotates the object to be processed in this state, and uniformly diffuses the developer placed on the resist film on the surface of the object to be processed. Yes. In order to suppress the temperature fluctuation of the chuck, it has been proposed to provide a temperature adjusting member around the chuck and to fill the magnetic fluid in the chuck so as to increase the heat transfer from the chuck. (Patent Document 1).
[0005]
[Patent Literature]
(Patent Document 1) JP 2002-343696 A
[Problems to be solved by the invention]
In the method disclosed in Patent Document 1, only the chuck can adjust the temperature, and the temperature of the portion other than the portion in contact with the chuck cannot be adjusted. For this reason, uneven development tends to occur.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, in the rotary developing device according to the present invention, a chuck for adsorbing and rotating the back surface of the object to be processed is arranged in the cup, and the bottom of the cup is large enough to cover the entire object to be processed. A jacket in which temperature-controlled water circulates is provided. A chuck shaft is disposed at the center of the jacket, and fins for enhancing the heat transfer effect are provided at the chuck shaft.
By setting it as such a structure, the heat-transfer effect to a chuck | zipper is also high and the whole to-be-processed object can be temperature-controlled.
[0008]
The jacket material is preferably made of aluminum. The thermal conductivity of aluminum is 133 to 165 (kcal / m · hr · ° C.), whereas the thermal conductivity of PVC (polyvinyl chloride), which is a normal cup material, is 0.14 to 0.17 (kcal / m · hr · ° C.), the temperature control effect is enhanced.
However, since aluminum is easily corroded, it is preferable to apply a Teflon (registered trademark) coating on at least the upper surface portion in contact with the developer.
[0009]
If the thickness of the Teflon (registered trademark) coating is thin, the heat transfer effect is enhanced but the corrosion resistance is inferior. Therefore, the thickness is preferably 50 to 100 μm.
[0010]
Moreover, it is good also as a structure which attached the rinse liquid ejection nozzle to the upper surface of the said jacket. In this case, the temperature of the rinsing liquid can also be controlled by penetrating the pipe for supplying the rinsing liquid to the rinsing liquid jet nozzle through the temperature adjusting water flow path of the jacket.
[0011]
The lower end position of the chuck that can be moved up and down is preferably determined so that the distance between the upper surface of the jacket and the rear surface of the object to be processed is 2 mm or less. When the distance between the upper surface of the jacket and the back surface of the object to be processed exceeds 2 mm, the temperature control effect is lowered.
[0012]
Further, the jacket may be configured such that the vertical position can be finely adjusted partially by the adjusting member.
When the object to be processed is enlarged, a slight distortion occurs between the central portion held by the chuck and the outer portion not held. Therefore, with the above-described configuration, slight distortion is also adjusted, and consequently, the in-plane parallelism between the workpiece and the jacket is adjusted, so that the temperature distribution of the workpiece can be made constant.
[0013]
Further, as a specific structure of the jacket, a structure in which a spiral temperature adjusting liquid flow path is formed on a vertical wall is conceivable. By setting it as such a structure, temperature control water circulates smoothly.
[0014]
Furthermore, the outer peripheral portion of the developing device may be provided with a trap portion that once exhausts downward and then upwards. With such a configuration, the drainage liquid (excess developer) can be reliably discharged from the drain pipe, and can be reliably separated from the exhaust gas.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. 1 is a longitudinal sectional view of a rotary developing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a plan sectional view taken along the line A-A in FIG. 1, FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of the temperature control jacket, and FIG. It is an expanded sectional view explaining the height adjustment mechanism of the upper surface.
[0016]
The rotary developing device includes a cup 1 that accommodates and rotates a workpiece W such as a glass substrate or a semiconductor wafer. The cup 1 includes a lower half 2 and an upper half 3, and the lower half 2 has a cylindrical
[0017]
The upper half 3 of the cup 1 has a
[0018]
The
[0019]
On the other hand, a temperature adjustment jacket 4 is attached to the upper end opening of the cylindrical
[0020]
The
[0021]
Further, the
[0022]
Further, as shown in FIG. 3, a part of the
[0023]
Further, a Teflon (registered trademark)
In the illustrated example, the Teflon (registered trademark)
[0024]
As shown in FIG. 4, the
[0025]
A plurality of the
[0026]
On the other hand, a
[0027]
Further, the
[0028]
In the above, the processing object W adsorbed by the
[0029]
At this time, the temperature of the developer on the surface of the workpiece W immediately after the supply of the developer was 39.46 ° C., but the temperature of the developer after 200 seconds was 39.36 ° C. and hardly changed. It was.
[0030]
【The invention's effect】
As described above, according to the rotary developing device of the present invention, in order to transmit heat from the jacket for circulating the temperature-controlled water and the jacket, the fin is formed on the chuck shaft portion. Thus, the temperature of the entire object to be processed can be uniformly controlled. Therefore, the developing time can be shortened without lowering the temperature of the developer placed on the surface of the object to be processed.
Further, since the temperature of the entire object to be processed is uniformly controlled, development unevenness does not occur.
In addition, since the jacket is made of aluminum and necessary portions are provided with Teflon (registered trademark) coating, the heat transfer effect can be enhanced while preventing corrosion.
[0031]
Further, by adjusting the temperature of the rinsing liquid as well, it is possible to suppress the temperature of the object to be changed and to prevent development unevenness.
In addition, by making it possible to finely adjust the vertical position of the outer peripheral part of the upper surface of the jacket, it is possible to eliminate distortion caused by the increase in the size of the object to be processed, and to make the distance between the jacket and the object to be processed uniform. Temperature distribution can be made uniform.
Moreover, the temperature-controlled water circulates smoothly by forming a spiral temperature-controlled water flow path in the jacket.
Further, by providing a trap portion that once turns the exhaust gas downward and then upwards on the outer peripheral portion of the developing device, separation of the exhaust gas and the drainage is performed reliably, and the drainage is removed and discharged from the drain pipe.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a rotary developing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a plan sectional view taken along line AA in FIG. 1. FIG. ) And (b) are enlarged sectional views explaining the height adjustment mechanism of the upper surface of the temperature control jacket.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cup, 2 ... Lower half of cup, 21 ... Cylindrical inner plate, 22 ... Bottom plate, 23 ... Outer plate, 24 ... Drain pipe, 3 ... Upper half of cup, 31 ... Cylindrical plate, 32 ... Inclined Plate, 33 ... Vertical plate, 34 ... Exhaust passage, 35 ... Exhaust port, 4 ... Temperature control jacket, 41 ... Upper plate part, 42 ... Lower plate part, 43 ... Bulkhead, 44 ... Temperature control water channel, 45 ... Temperature control Water inlet, 46 ... Temperature control water outlet, 47 ... Inclined surface, 48 ... Rinsing liquid nozzle, 49 ... Piping, 50 ... Teflon (registered trademark) coating, 6 ... Fine adjustment mechanism, 61 ... Screw, 62 ... Screw hole, 7 ... Chuck, 71 ... Passage connected to vacuum pump, 72 ... Fin, W ... Workpiece.
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