JP4094093B2 - Laser annealing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非晶質の薄膜にレーザ光を照射してアニールにより結晶化させるレーザアニール装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
レーザアニール処理装置は、多結晶半導体薄膜の製造等に使用されており、上記製造に際しては、非晶質半導体薄膜にレーザ光を照射して該薄膜を多結晶化している。
従来のレーザアニール装置の一例を図3に基づいて説明すると、絶縁板上に非晶質半導体薄膜を形成した基板1を水平に載置する移動載置台21が移動可能に配置されており、基板1は、生産性を上げるために上記移動載置台21に近接して配置した基板収納カセット23に積層された状態で収納されている。また、この基板収納カセット23と移動載置台21との間には、基板1をカセット23から移動載置台21へと移動させる基板搬送装置25が配置されている。
また、レーザアニール装置には、上記基板1に上方からレーザ光27を照射するエキシマレーザ照射装置26が配置されており、該レーザ照射装置26は、レーザ出力部26aと、レーザ光を反射させて偏向するミラー26b1、26b2、26b3と、レーザ光を集光するシリンドリカルレンズ26cとを有している。上記ミラー26bは、一般的にレーザ照射装置より出力されるレーザ光が水平に出射されることから、このレーザ光の進行方向をミラーによる反射によって基板に対して垂直の方向に変換(偏向)させるために設けられている。
【0003】
上記装置を用いたレーザアニール処理は、例えば次の手順で行われる。
基板収納カセット23に収納された未処理の基板1を基板搬送装置25によって取り出し、移動載置台21の上に水平のまま載置する。次いで、レーザ光27が基板1の照射スタート点に位置するように移動載置台21を移動させ、エキシマレーザ照射装置26からレーザ光27を発生させる。レーザ光27は、レーザ出力部26aから出力された後、ミラー26bにおいて反射により3回偏向され、さらに、シリンドリカルレンズ26cで集光されて基板1の上方から基板1の表面に略垂直に照射される。この状態で移動載置台21を移動することによりレーザ光で基板1の非晶質半導体薄膜の全面を走査することができる。このレーザ光の照射により、基板1の非晶質半導体薄膜が結晶化される。
上記により処理された基板1は、基板搬送装置25によって移動載置台21の上から取り出して再度カセット23に収納し、他の未処理の基板1をカセット23から取り出して上記と同様の処理を繰り返し行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記した従来のレーザアニール装置では、以下の問題点がある。
(1)ミラーを設置したことにより光軸ずれが生じ、レーザ光のエネルギーロスが生ずる。
(2)基板が水平に置かれるため、基板表面にパーティクルが付着しやすい。
(3)基板の設置時にたわみを消して、基板の平行度を保つために、載置台が必要となるが、基板はその上に置かれるため基板裏面が載置台と接触して、傷が付きやすく、また静電気発生の原因となり種々の問題を招く。
本発明は、上記問題点を解決することを基本的な目的とし、レーザ光のエネルギーロスが避けられるとともに載置台等との接触が避けられ、よって品質の低下を招くことなくアニール処理を行うことができるレーザアニール装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明のレーザアニール装置は、基板を縦にした状態で複数枚収納する基板収納カセットと、該基板収納カセットに連結され、前記基板がレーザ光照射位置の上下方向または横方向に位置するまで前記基板の並列方向に前記基板収納カセットを移動するカセット駆動手段と、前記基板を上下方向または横方向に移動させて前記基板収納カセットから取り出しレーザ光と交差させる基板保持手段と、レーザ光を出力した後、該レーザ光を反射によって偏向させることなく、前記基板保持手段によって移動された前記基板に照射するレーザ照射手段とを有することを特徴とする。
【0006】
なお、本発明のレーザアニール装置の使用分野は特に限定されず、各種分野に利用することができ、例えば多結晶シリコン薄膜の形成に使用するレーザアニール装置として有用である。
また、本発明で用いられるレーザ光は、その発生方法や波長、断面形状等について特に限定されるものではなく、また、反射による偏向を行わないことを前提に任意の光学系を有することが可能である。
さらに、基板保持手段は、基板を縦にした状態で保持できるものであればよく、その保持構造は特に限定されないが、基板との接触面積が小さい状態で保持するのが望ましい。なお、この保持に際し基板を直立させることは必須ではないが、基板をたわみ等がなく安定して保持するという点から直立状態で保持するのが望ましい。また、保持手段は、レーザ光を基板上で走査させるためにレーザ光と交差する方向に移動するものであればよく、その方向は、装置の設計によって上下方向でも横方向であってもよい。ただし、その移動ではレーザ光の光路長を一定に保つのが望ましく、基板を直立させている場合にはレーザ光と直交する方向に移動させるのが望ましい。
【0007】
なお、基板は、上記基板保持手段に縦にした状態で供給してもよく、横にして供給したものを保持手段において回転させて縦にするものであってもよい。また、生産性を上げるために、複数の基板を収納カセットに納め、このカセットから基板保持手段に基板を供給する。この場合、収納カセットに基板を縦にした状態で収納し、そのままの状態で基板保持手段に供給するものとすれば、一層効率的に基板の搬送を行うことができ、また、基板の損傷等も防ぐことができる。
【0008】
すなわち、本発明によれば、基板を縦にしてレーザ光を照射できるので、反射による偏向を行うことなくレーザ光を基板に照射することができ、反射によるレーザ光の光軸のずれを避けることができる。また、アニール中に基板が縦に配置されているため、表面にパーティクルが付着しにくく、さらに載置台との接触による傷の発生や静電気の発生が避けられるため、基板の品質を良好に保つことが可能になる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図1を参照して本発明の一実施形態について説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
非晶質薄膜が表面に形成された基板1は、基板収納カセット2に立てた状態で複数枚収納されており、該基板収納カセット2には、基板1の並列方向に該カセット2を移動できるようにカセット駆動手段3が連結されている。また、基板収納カセット2の下方には基板保持手段4が配置されている。該基板保持手段4は、その駆動部4aと上方に向けた伸縮部材4bと、伸縮部材4bの先端に設けた保持部4cとにより構成されている。なお、保持部4cは、基板1の底部を保持するように収納凹部が形成されている。一方、カセット2の底部には、各基板1毎に、上記保持部4cが貫通できるスリット2aが基板1の底辺方向に沿って形成されており、基板1は、その底辺両端部をカセット2の底部に載せることによって落下することなく支持されている。 また、上記カセット2の側方には、カセット2の上方側にレーザ光を照射するべく、レーザ出力部5aが配置されており、該レーザ出力部5aの出力方向にレーザ光を集光するシリンドリカルレンズ5bが配置されており、上記レーザ出力部5aとシリンドリカルレンズ5bとは、レーザ照射手段を構成している。
【0010】
上記装置を用いたアニール処理を以下に説明する。
基板収納カセット2に収納された基板1のうち、所望の基板を取り出すように、カセット駆動手段3を作動させてカセット2を水平方向に移動させ、所望の基板1を保持部4cの上方に位置させる。なお、この際に保持部4cは、基板保持手段4の伸縮部材4bを十分に縮めてカセット2と干渉しない位置にまで下降させてある。
上記により所望の基板1を保持部4c上に位置させた後は、駆動部4aを作動させて伸縮部材4bを伸張させ、その先端の保持部4cに基板1の底部を納めた状態で基板1を上昇させる。基板1は、上記レーザ照射手段によるレーザ光照射位置(初期位置)に達するまで上昇させる。
【0011】
基板1をレーザ光照射位置に配置した状態で、レーザ出力部5aからレーザ光6を照射すると、レーザ光6は、反射によって偏向されることなくシリンドリカルレンズ5bに入射され、このレンズ5bで集光された後、上記基板1に照射される。この状態で、駆動部4aによって伸縮部材4bを伸縮動作させると、基板1はこれに連れて上昇又は下降するので、レーザ光6が相対的に走査されることになり、基板1表面の非晶質薄膜がアニールにより結晶化される。
結晶化させた基板1は、駆動部4aの動作により伸縮部材4bを縮めることにより下降させて再度基板収納カセット2に収納し、保持部4cによる保持を解く。その後は、他の基板を処理すべく、カセット駆動手段3を作動させて上記操作を繰り返すことにより複数の基板に連続してアニール処理を行うことができる。
【0012】
なお、上記実施形態では、基板を上下動させることによってレーザ光の走査を行ったが、図2に示すように、基板収納カセット12に立てた状態で収納された基板1を基板保持手段14の保持部14cで横方向に移動させることによってもアニール処理を行うことができる。この場合、レーザ光は、図2の紙面を貫通する方向に照射される。また、基板収納カセット12は、カセット台15にスライド可能に載置されており、カセット駆動手段13によって、基板1の並列方向に移動される。
【0013】
なお、上記各実施形態では、アニール処理の雰囲気については説明しなかったが、例えばレーザ照射手段を除く上記装置をアニール室に収納し、このアニール室を特定の雰囲気に調整してアニールするものであってもよく、また、レーザアニール装置に、基板を予備加熱したり、アニール時に基板を加熱する装置を具備させることも可能である。
また、上記各実施形態では、レーザ光照射時の基板の移動方向は一方向としたが、例えば横方向移動と上下方向移動とを組み合わせてレーザ光の走査が行われるようにしてもよい。但し、レーザ光がラインビームであれば、基板を一方向に移動させることによって基板表面全体の走査が行われることになり、複数方向への移動は不要になる。この場合、基板の移動方向がラインビームの長辺側と直交するように基板の配置やラインビームの方向を定める。
また、上記各実施形態では、基板のカセットからの取り出し方向とレーザ光照射時の基板の移動方向とを一致させている。取り出し方向と移動方向とを変えると、運動機構が複雑になるので、カセットからの取り出し方向と、レーザ光を照射している際の基板の移動方向とは一致させる。より望ましくは、基板保持手段によってカセットから基板を押し出し、または引き出してその方向に沿って基板を移動させることにより上記走査を行う。
【0014】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のレーザアニール装置によれば、基板を縦にした状態で複数枚収納する基板収納カセットと、該基板収納カセットに連結され、前記基板がレーザ光照射位置の上下方向または横方向に位置するまで前記基板の並列方向に前記基板収納カセットを移動するカセット駆動手段と、前記基板を上下方向または横方向に移動させて前記基板収納カセットから取り出しレーザ光と交差させる基板保持手段と、レーザ光を出力した後、該レーザ光を反射によって偏向させることなく、前記基板保持手段によって移動された前記基板に照射するレーザ照射手段とを有するので、レーザ光の反射によるエネルギーロスを避けることができ、また、アニール時に基板にパーティクルが付着したり、損傷や静電気が発生したりして品質が低下することも避けられ、品質の高いアニール処理基板を効率的に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態にかかるレーザアニール装置の要部断面図である。
【図2】 同じく他の実施形態を示すレーザアニール装置の要部断面図である。
【図3】 従来のレーザアニール装置の一例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 基板収納カセット
3 カセット駆動手段
4 基板保持手段
4a 駆動部
4b 伸縮部材
4c 保持部
5a レーザ出力部
5b シリンドリカルレンズ
6 レーザ光
12 基板収納カセット
13 カセット駆動手段
14 基板保持手段
14c 保持部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a laser annealing apparatus for crystallizing an amorphous thin film by irradiating it with laser light.
[0002]
[Prior art]
The laser annealing treatment apparatus is used for manufacturing a polycrystalline semiconductor thin film and the like, and in the above manufacturing, the amorphous semiconductor thin film is irradiated with laser light to be polycrystalline.
An example of a conventional laser annealing apparatus will be described with reference to FIG. 3. A movable mounting table 21 for horizontally mounting a substrate 1 on which an amorphous semiconductor thin film is formed on an insulating plate is movably disposed. 1 is stored in a stacked state on a
The laser annealing apparatus is provided with an excimer
[0003]
Laser annealing using the above apparatus is performed, for example, according to the following procedure.
The unprocessed substrate 1 stored in the
The substrate 1 processed as described above is taken out from the movable mounting table 21 by the
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional laser annealing apparatus described above has the following problems.
(1) The optical axis shift occurs due to the installation of the mirror, and the energy loss of the laser beam occurs.
(2) Since the substrate is placed horizontally, particles are likely to adhere to the substrate surface.
(3) A mounting table is required to eliminate deflection when the substrate is installed and maintain the parallelism of the substrate, but the substrate is placed on it, so the back of the substrate contacts the mounting table and is damaged. It easily causes static electricity and causes various problems.
The basic object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and it is possible to avoid laser beam energy loss and avoid contact with a mounting table, etc., so that annealing is performed without degrading quality. An object of the present invention is to provide a laser annealing apparatus capable of achieving the above.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The laser annealing apparatus of the present invention for solving the aforementioned problems is a substrate storage cassette plurality housed in a state where the substrate vertically, is connected to the substrate storage cassette, the vertical or horizontal substrate laser beam irradiation position Cassette driving means for moving the substrate storage cassette in the parallel direction of the substrates until it is positioned in a direction, and substrate holding means for moving the substrate up and down or laterally to take it out of the substrate storage cassette and cross the laser beam And laser irradiation means for irradiating the substrate moved by the substrate holding means without deflecting the laser light by reflection after outputting the laser light.
[0006]
The field of use of the laser annealing apparatus of the present invention is not particularly limited and can be used in various fields. For example, it is useful as a laser annealing apparatus used for forming a polycrystalline silicon thin film.
In addition, the laser beam used in the present invention is not particularly limited with respect to the generation method, wavelength, cross-sectional shape, etc., and can have any optical system on the assumption that no deflection by reflection is performed. It is.
Further, the substrate holding means is not particularly limited as long as it can hold the substrate in a vertical state, and the holding structure is not particularly limited, but it is desirable to hold the substrate with a small contact area. Note that it is not essential to stand the substrate upright for this holding, but it is desirable to hold the substrate in an upright state from the standpoint of stably holding the substrate without bending or the like. Further, the holding means only needs to move in a direction intersecting with the laser beam in order to scan the laser beam on the substrate, and the direction may be the vertical direction or the horizontal direction depending on the design of the apparatus. However, in this movement, it is desirable to keep the optical path length of the laser light constant, and when the substrate is upright, it is desirable to move in the direction perpendicular to the laser light.
[0007]
The substrate may be supplied in a vertical state to the substrate holding means, or the substrate supplied horizontally may be rotated by the holding means to be vertical. In order to increase productivity, a plurality of substrates are stored in a storage cassette, and the substrates are supplied from the cassette to the substrate holding means . In this case, if the substrate is stored vertically in the storage cassette and supplied to the substrate holding means as it is, the substrate can be transported more efficiently, and the substrate may be damaged. Can also prevent.
[0008]
That is, according to the present invention, the substrate can be irradiated with the laser beam vertically, so that the substrate can be irradiated with the laser beam without being deflected by reflection, and the optical axis of the laser beam is prevented from shifting due to reflection. Can do. In addition, since the substrate is placed vertically during annealing, it is difficult for particles to adhere to the surface, and furthermore, generation of scratches and static electricity due to contact with the mounting table can be avoided, so that the substrate quality is kept good. Is possible.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that the present invention is not limited thereby.
A plurality of substrates 1 having an amorphous thin film formed thereon are stored in a standing state in a
[0010]
An annealing process using the above apparatus will be described below.
Of the substrates 1 stored in the
After the desired substrate 1 is positioned on the holding
[0011]
When the
The crystallized substrate 1 is lowered by contracting the expansion /
[0012]
In the above embodiment, the laser beam is scanned by moving the substrate up and down. However, as shown in FIG. 2, the substrate 1 stored in the
[0013]
In each of the above embodiments, the atmosphere of the annealing process has not been described. For example, the apparatus except for the laser irradiation means is accommodated in an annealing chamber, and the annealing chamber is adjusted to a specific atmosphere for annealing. In addition, the laser annealing apparatus may be provided with an apparatus for preheating the substrate or heating the substrate at the time of annealing.
In each of the above embodiments, the direction of movement of the substrate during laser light irradiation is one direction. However, for example, scanning of laser light may be performed by combining lateral movement and vertical movement. However, if the laser beam is a line beam, the entire substrate surface is scanned by moving the substrate in one direction, and movement in a plurality of directions is not necessary. In this case, the arrangement of the substrate and the direction of the line beam are determined so that the moving direction of the substrate is orthogonal to the long side of the line beam.
In each of the above embodiments, the direction in which the substrate is taken out from the cassette and the direction in which the substrate moves during laser light irradiation are matched . Changing the take-out direction and the moving direction, the movement mechanism is complicated, and take-out direction from the cassette, Ru match to the moving direction of the substrate when being irradiated with laser light. More preferably, the scanning is performed by pushing or pulling out the substrate from the cassette by the substrate holding means and moving the substrate along that direction.
[0014]
【The invention's effect】
As described above, according to the laser annealing apparatus of the present invention, a substrate storage cassette that stores a plurality of substrates in a vertical state, and the substrate is connected to the substrate storage cassette, and the substrate is vertically aligned with a laser beam irradiation position. Alternatively, cassette driving means for moving the substrate storage cassette in the parallel direction of the substrate until it is positioned in the horizontal direction, and substrate holding for moving the substrate up and down or laterally and taking it out of the substrate storage cassette and intersecting with the laser beam And laser irradiation means for irradiating the substrate moved by the substrate holding means without deflecting the laser light by reflection after outputting the laser light, so that energy loss due to reflection of the laser light is reduced. It can be avoided, and the quality of the particles can be adhered to the substrate during annealing, or damage and static electricity can be generated. It is also inevitable to deteriorate, it is possible to obtain a high quality annealing the substrate efficiently.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of a laser annealing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of a laser annealing apparatus showing another embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view of an essential part showing an example of a conventional laser annealing apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
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