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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、基板の表面に所定の処理を施す基板処理装置等において基板を支持する目的で使用される基板支持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板の表面に所定の処理を施すことは、LSI(大規模集積回路)、LCD(液晶ディスプレイ)、情報記録ディスク等の製作において盛んに行われている。このうち、ハードディスク等の情報記録ディスクの製作の分野では、中央に開口を有する基板を垂直に支持する基板支持装置が使用される場合がある。
【0003】
図6は従来の基板支持装置の構成を示す正面概略図、図7は図6に示す基板支持装置の動作を説明する斜視概略図である。図6及び図7に示す基板支持装置は、垂直に立てて配置されたベース板11と、このベース板11に設けられた固定支持爪12及び可動支持爪13によって主に構成されている。
【0004】
図6及び図7に示すように、ベース板11は、方形の板部材に「J」の字の形状の切り欠きを設けたような形状のものである。そして、その「J」の字の切り欠きの曲線部分(以下、曲線部)に四つの固定支持爪12が設けられている。四つの固定支持爪12は、図6及び図7に示すように、「J」の字の最下点を通る垂直な線(以下、中心軸線10)に対して線対称となる位置関係で配置されている。
【0005】
各々の固定支持爪12は、短い帯板状の部材を曲げてL字状にしたような形状の部材である。ベース板11の切り欠き部分には、段差が設けられており、この段差に係止させるようにして各固定支持爪12が配置され、ネジ止め等の方法によってベース板11に対して固定されている。そして、各固定支持爪12の先端は、曲線部の曲率の中心点に向かっており、その先端部分は、図7に示すようなV字状の凹部が形成されている。
【0006】
一方、可動支持爪13はベース板11の上面に固定されている。可動支持爪13は、帯板状の部材の先端をL字状に曲げた形状を有する。可動支持爪13の後端はベース板11の上端面にネジ止め等によって固定されており、L字状の先端部分はちょうど中心軸線10上に位置して下方に向いている。そして、下方に向いた先端部分には、固定支持爪12と同様にV字状の凹部が形成されている。
【0007】
上記従来の基板支持装置の動作について説明する。
上記基板支持装置は、ハードディスク用の基板のような円形の板状で中央に開口20を有する基板2を支持するよう構成され、基板2を保持する基板ピックアップ3を備えた搬送機構4によって基板2が着脱されるようになっている。
【0008】
また、図7に示すように、基板支持装置1の付近には、基板支持装置1の可動支持爪13を開閉する開閉装置5が設けられる。上述した可動支持爪13は板ばねになっており、開閉装置5は、可動支持爪13の先端を上方に変位させて可動支持爪13を撓ませる開閉ピン51と、開閉ピン51を水平方向及び垂直方向に移動させる移動機構52とから構成されている。
【0009】
まず、上記基板支持装置1に基板2を装着する場合について説明する。基板ピックアップ3は基板2の中央の開口20に先端を挿入させて基板2を保持しながら、基板2を基板支持装置1の近傍まで水平に搬送する。この際、開閉装置5の開閉ピン51は移動機構52によって予め水平に移動して基板支持装置1の可動支持爪13の下方に進入し、さらに所定距離上方に移動して図6に点線で示すように可動支持爪13を撓ませて可動支持爪13が開いた状態にしている。
【0010】
基板ピックアップ3は、基板支持装置1のベース板11の位置まで基板2を移動させ、可動支持爪13と固定支持爪12との間の位置に基板2を位置させる。そして、搬送機構4が基板ピックアップ3を少し下降させ、基板2が固定支持爪12の上に載って支持されるようにする。
【0011】
次に、開閉装置5の移動機構52が開閉ピン51を所定距離下降させ、可動支持爪13の撓みを解消させて可動支持爪13がほぼ水平な姿勢になるようにする。この結果、可動支持爪13の先端部分が基板2の上縁に当接し、基板2を上から抑える状態となる。その後、基板ピックアップ3は後退し、別の基板2の保持等のため、搬送機構4によって所定の位置まで送られる。また、開閉ピン51も後退して所定の退避位置に退避する。
【0012】
基板2を基板支持装置1から取り外す場合は上記の手順と逆であり、まず開閉装置5の移動機構52が開閉ピン51を水平移動させて可動支持爪13の下方に進入させ、所定距離上昇させて可動支持爪13を撓ませる。そして、搬送機構4が基板ピックアップ3を駆動し、基板ピックアップ3の先端を基板2の中央の開口20に挿入させる。この状態で基板ピックアップ3が少し上昇して基板2を保持して持ち上げ、基板ピックアップ3が後退して基板2を基板支持装置1から引き抜くことで取り外しが完了する。
【0013】
次に、上述したような基板支持装置1を使用した基板処理装置について説明する。図8は、図6及び図7に示す基板支持装置を使用した基板処理装置の例の概略構成を示す平面図である。
図8に示す基板処理装置は、基板着脱チャンバー61と処理チャンバー62とをゲートバルブ66を介在させて隣接して配置した構造である。処理される基板2は基板着脱チャンバー61で基板支持装置1に装着され、基板支持装置1ごと処理チャンバー62に送られる。そして、処理チャンバー62で処理を行った後、再び基板着脱チャンバー61に戻され、基板支持装置1から取り外される。
【0014】
図8には、基板処理装置の一例として、磁性薄膜を作成するスパッタリング装置が示されている。即ち、処理チャンバー62内には、スパッタリングカソード63が設けられている。スパッタリングカソード63は、スパッタされるターゲット631と、ターゲット631の背後に設けられた磁石機構633とから構成されている。また、ターゲット631にターゲット所定の電圧を印加するスパッタ電源632が設けられている。
【0015】
磁石機構633は、中央に設けられた柱状の中心磁石634と中心磁石634を取り囲むリング状の周辺磁石635とからなる構成であり、ターゲット631を貫くアーチ状の磁力線636を設定するようになっている。この磁力線636によってマグネトロンスパッタリングが可能となり、高効率の成膜が行える。
【0016】
処理チャンバー62は、排気系64や内部に所定のガスを導入するガス導入手段65を備えている。処理チャンバー62内を所定のガスを導入しながら、スパッタ電源632を動作させると、ターゲット633を臨む空間にスパッタ放電が生じ、プラズマPが形成される。
【0017】
図8に示すように、スパッタリングカソード63は、基板支持装置1に支持された基板2の両側に位置するように一対設けられている。従って、プラズマPは基板2の両側に形成され、基板2の両側の面に対して同時に成膜できるようになっている。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の基板支持装置が使用される基板処理装置では、基板の表面に対して隅々まで良質な処理が行えることが要請されている。例えば、情報記録媒体用の基板に対する磁性薄膜の作成処理においては、一枚の基板への記録容量を大きくするため、なるべく基板の周縁に近い領域まで良質な磁性薄膜を作成することが要請されている。
発明者の研究によると、上述した構成の基板支持装置を使用した場合、基板の中央部分では良質な磁性薄膜が作成できるが、基板の周辺部特に基板の周縁に近い部分では、局所的に異常な性質の薄膜が作成されてしまう問題があることが判明した。
【0019】
図9は、この従来の基板支持装置の問題を説明した図である。より具体的には、図9は、図6及び図7に示す基板支持装置を使用して作成した磁性薄膜のモジュレーション特性を示したものである。モジュレーション特性とは、モジュレーション即ち出力信号の異常な変動がないかどうかの特性を意味し、ここでは、基板に作成された磁性薄膜の磁気特性が周方向での均一であるかどうかを意味している。具体的には、図9は、基板の周方向での保持力及び残留磁束の大きさを電気信号に置き換えて表したものである。
【0020】
図9には、直径95mmの基板のモジュレーション特性が示されている。このうち、図9(A)は中心から半径40mmの位置でもモジュレーション特性を、図9(B)は中心から半径46.5mmの位置でのモジュレーション特性を示している。
図9から分かる通り、中心から半径40mmの位置では、周方向での磁気特性は均一であり、モジュレーションは生じていないが、半径46.5mmの位置では、局所的に磁気特性な急激を示すピークが五カ所観察されており、モジュレーションが生じている。このようなモジュレーションが生ずると、磁気記録の際にエラーになり易く、不良セクタの原因になり易い。
【0021】
発明者がこのピークの原因について鋭意検討を加えた結果、このピークの位置は、図6に示す支持爪の位置に対応していることを発見した。即ち、ピークの周方向の位置は、成膜の際に支持爪が位置していた周方向の位置と一致していた。このようなことから、ピークの原因は、支持爪の存在が原因していると考えられた。
【0022】
発明者の更なる研究によると、支持爪の存在による磁気特性のピークの発生は、成膜の際に形成するプラズマの挙動に関連していることが分かってきた。即ち、図6に示すような従来の基板支持装置では、ベース板の切り欠きの縁と基板の周縁の間の空間にもプラズマは進入してくる。特に、基板に0〜−400V程度の負のバイアス電圧を印加したときのプラズマの進入が問題となっている。
【0023】
この場合、基板の周囲の空間の電気的条件を考えると、支持爪は通常ステンレス等の金属で形成されているので、支持爪が例えば接地電位に維持される場合、プラズマから電子やイオンが盛んに支持爪を通って接地部に流れる。このため、支持爪の存在している場所だけプラズマの状態が局所的に変化していると考えられる。このような原因で、図9(B)に示すような磁気特性の局所的な変化が生じてしまうものと考えられる。
【0024】
また、基板に対して負のバイアス電圧を与えてプラズマ中から正イオンを引き出して処理に利用することも検討されている。この場合、支持爪は負のバイアス電圧を与える電極としても兼用される。このような場合、基板とベース板との間の隙間にプラズマが進入すると、支持爪の存在によってプラズマの空間的条件が大きく変化し、図9(B)に示すような磁気特性の局所的な変化がさらにひどくなると予想される。
【0025】
本願発明は、かかる課題を解決するためになされたものである。即ち、支持爪の存在が原因で、処理の特性が局所的に変化することのない均質な基板処理が行える基板支持装置を提供することを目的としている。
【0026】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項1記載の発明は、基板を臨む空間にプラズマを形成しながら基板に所定の処理を施す基板処理装置において基板を垂直に立てて支持するために使用される基板支持装置であって、
垂直に立てられた姿勢のベース板と、ベース板に取り付けられた複数の支持爪とを備えており、
複数の支持爪は、垂直に立てられた基板の周縁に当接して基板を支持するものであり、これら複数の支持爪の少なくとも一つは、基板の周縁に当接したり周縁から離れたりすることが可能な可動支持爪であり、
ベース板は縁を有し、この縁は、基板が前記複数の支持爪によって支持された際、基板の周縁に沿った方向である周方向に延びるものであり、ベース板は、この縁と基板の周縁との間に隙間が形成される形状を有しており、
ベース板は、前記隙間が、すべての前記支持爪の前記周方向の前後の箇所において他の箇所より狭くなる形状を有しているという構成を有する。
上記課題を解決するため、本願の請求項2記載の発明は、基板を臨む空間にプラズマを形成しながら基板に所定の処理を施す基板処理装置において基板を垂直に立てて支持するために使用される基板支持装置であって、
垂直に立てられた姿勢のベース板と、ベース板に取り付けられた複数の支持爪と、ベース板に軸支された開閉アームとを備えており、
複数の支持爪は、垂直に立てられた基板の周縁に当接して基板を支持するものであり、これら複数の支持爪の少なくとも一つは、基板の周縁に当接したり周縁から離れたりすることが可能な可動支持爪であり、
可動支持爪は、前記開閉アームに固定されていて前記開閉アームを介してベース板に取り付けられており、
前記開閉アームは、前記可動支持爪が基板を支持するために基板に接触した状態が閉じた状態であり、基板の着脱の際に前記可動支持爪が基板から離間した状態が開いた状態であり、
前記ベース板は縁を有し、この縁は、基板が前記複数の支持爪によって支持された際、基板の周縁に沿った方向である周方向に延びるものであり、前記ベース板は、この縁と基板の周縁との間に第1の隙間が形成される形状を有しており、
前記開閉アームは縁を有し、この縁は、基板が前記複数の支持爪によって支持された際、基板の周縁に沿った方向である周方向に延びるものであり、前記開閉アームは、この縁と基板の周縁との間に第2の隙間が形成される形状を有しており、
前記ベース板及び前記開閉アームは、前記第1の隙間及び第2の隙間が、すべての前記支持爪の前記周方向の前後の箇所において他の箇所より狭くなる形状を有しているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項3記載の発明は、上記請求項1の構成において、すべての前記支持爪の前記周方向の前後の位置では、前記隙間は7mm以下であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項4の発明は、上記請求項2の構成において、すべての前記支持爪の前記周方向の前後の位置では、前記第1隙間及び第2の隙間は7mm以下であるという構成を有する。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。
図1は、本願発明の実施形態の基板支持装置の概略構成を示す正面図である。このうち、図1(A)は、基板が基板支持装置に装着された状態を示し、図1(B)は、基板支持装置への基板の着脱の際に基板が上昇位置に位置した一時的な状態を示している。
図1に示す基板支持装置は、ベース板11と、基板2の周縁に当接して基板2を垂直に支持するようベース板11に取り付けられた複数の支持爪141,142,143とを備えている。
【0028】
ベース板11は、全体がほぼ方形の板状である。ベース板11の下部には、不図示の搬送キャリアに取り付ける取り付け部110が形成されている。搬送キャリアは、基板2を支持した基板支持装置を水平方向に搬送させる機構である。
ベース板11のほぼ中央の位置には、図1に示すように、ほぼ円周の一部を成す切り欠きが形成されている。この円周の中心は、基板2が装着された際に基板2の中心が位置する点(以下、支持中心)に一致している。
【0029】
図1上、時計の針の進む向きに従って円周角で表すと、83度から147度程度までの部分111では、切り欠きの縁は円周の一部を成している(以下、第一円周部111)。また、233度から277度程度までの部分112でも、切り欠きの縁は円周の一部を成している(以下、第二円周部112)。
【0030】
第一円周部111と第二円周部112とは、同一半径の円周の一部である。そして、この半径は、基板2の半径よりも3mm程度大きくなっている。つまり、図1(A)に示すように基板2が装着された状態では、第一円周部111及び第二円周部112では、基板2の縁とベース板11の縁が同一の3mmの間隔(以下、円周離間間隔と呼ぶ)を隔てて向かい合う状態となる。
尚、図1(A)に示すように、第一円周部111と第二円周部112との間の部分では、円周上よりもえぐられた形状となっている。これは、後述するように、基板2を保持した基板ピックアップの待避位置を確保するためである。
【0031】
そして、時計の針の進む向きを前、逆を後ろとすると、第一円周部111の前側の端部の少し後ろよりの位置には、円周に対して垂直な方向(円の径方向)に沿って細長い第一の隘路151が形成されている。そして、この隘路151内には、第一の支持爪141が配置されている。
第一の支持爪141は、図1に示すようなL字状の部材である。即ち、帯状の板を図1に示すようにL字状に折り曲げた形状である。一方、第一の隘路151の終端には、第一の爪固定用開口152が形成されている。第一の爪固定用開口152の縁には、第一の支持爪141を固定する第一の固定部153が設けられている。第一の支持爪141の終端は、この第一の固定部153にネジ止めによって固定されている。
【0032】
図2を使用して、第一の支持爪141の先端の形状及び第一の支持爪141の突出長さについて説明する。図2は、第一の支持爪141の先端の形状及び第一の支持爪141の突出長さについて説明する斜視概略図である。
図2に示すように、第一の支持爪141の先端は、浅いV字状に形成されている。V字の深さは0.5mm程度である。従って、第一の支持爪141の先端から第一円周部111の成す円周までの距離(突出長さ)は、円周離間間隔dよりも僅かに大きく、3.5mm程度である。但し、この突出長さは、図6に示す従来の基板支持装置において、切り欠きの縁から固定支持爪12が突出する長さ(例えば10mm程度)より遙かに小さい。
尚、V字の深さを2mm程度に深くして突出長さを5mm程度にすると、基板2の支持は安定する。しかし、V字の深さをあまり深くすると、支持爪141の先端部分が影になって基板2の周縁に近い領域での処理が阻害されるというシャドー効果の問題が大きくなる欠点がある。
【0033】
また、図1に戻り、第二円周部112の後ろよりの端部から少し前よりの位置には、第二の隘路154が形成されている。この隘路154も、円周に対して垂直な方向に沿って長いものである。そして、この第二の隘路154に、第二の支持爪142が配置されている。
第二の支持爪142も、図1に示すようなL字状の部材である。そして、第二の隘路154の終端には、第二の爪固定用開口155が形成され、第二の爪固定用開口155の縁には、第二の支持爪142を固定する第二の固定部156が設けられている。第二の支持爪142の終端は、この第二の固定部156にネジ止めによって固定されている。そして、第二の支持爪142の先端も、図2に示す第一の支持爪141の先端と同じ形状であり、第一の支持爪141の場合と同じ突出長さで第二円周部112から支持中心に向けて突出している。
【0034】
第一円周部111の後ろ側の部分の切り欠きの縁も、円周の一部を成すようになっている。この部分を第三円周部113と呼ぶが、この第三円周部113の中心は、図1(B)に示すように基板2が着脱の際に一時的に位置する上昇位置(以下、単に上昇位置という)に位置した際の基板2の中心の点(以下、上昇中心という)に一致している。そして、上昇位置に位置した基板2の周縁と第三円周部113の縁との距離は、第一円周部111等と同様に3mm程度である。
また、第二円周部112の前側の部分114の切り欠きの縁も、上昇中心と同心の円周の一部を成している。この部分を第四円周部114と呼ぶと、この第四円周部114と症状位置の基板2の周縁との距離も、同様に3mm程度である。
【0035】
このようなベース板11の上辺部分には、開閉アーム16が設けられている。開閉アーム16は、図1に示すように、一端がベース板11の左側の上端部に軸支されている。即ち、開閉アーム16は、上端部に設けられた回転軸161の回りに所定角度の範囲内で回転可能となっている。
【0036】
開閉アーム16は、図1に示すように、上側に位置する直線状部162と、直線状部162の下側に位置する円周状部163と、直線状部162と円周状部163とをつなぐ三つの中継部164とからなる形状である。そして、円周状部163の下側の縁は、装着された基板2の上側の一部分に沿って等距離を保って延びる形状となっている。以下、この部分の開閉アーム16の縁を第五円周部115と呼ぶ。
【0037】
即ち、図1(A)に示す通り、基板2が装着された状態では、340度(−20度)から43度程度の周方向の位置において、基板2の周縁と第五円周部115が等距離を保って延びる状態となっている。そして、ここでも、基板2の周縁と第五円周部115との間の円周離間間隔は3mmに設定されている。
【0038】
尚、第五円周部115の周方向後ろ側においても、開閉アーム16の縁は円周状となっている(以下、第六円周部116)。この第六円周部116は、第三円周部113や第四円周部114と同じく、図1(B)に示すように上昇中心と同心上に円周状の形状になっている。
【0039】
このような開閉アーム16の長さ方向の真ん中より少し先端側の位置には、図1に示すように可動支持爪143が設けられている。開閉アーム16は、直線状部162と円周状部163とを繋ぐ三つの中継部164によって左右に二つの中空が設けられている。そして、左側の中空の部分から周方向前側の端から円周状部163を貫通して第三の隘路157が形成されている。
【0040】
可動支持爪143は、帯板状の部材をL字状に折り曲げた形状であり、折り曲げた先端側の部分が第三の隘路157に挿通されている。可動支持爪143の後端側の部分は、開閉アーム16の左側の中空内に位置し、直線状部162の下面に固定されている。
【0041】
可動支持爪143の先端は、第五円周状部163の円周の方向に対して垂直に突出している。そして、この可動支持爪143の先端の形状寸法も第一の支持爪141の同じであり、先端の突出長さも第一の支持爪141と同様に3.5mmである。尚、図1(A)に示すように、基板2が装着された際には、可動支持爪143の先端側の部分は、支持中心を結ぶ線上に位置する。
【0042】
また一方、開閉アーム16の先端には、コイルスプリング17の一端171が係止されている。このコイルスプリング17の他端172は、ベース板11の右側の上端部に係止されている。開閉アーム16が回転軸161を支点として回転した際、コイルスプリング17は、他端172を支点にして所定角度範囲で回転するようになっている。
【0043】
このコイルスプリング17は、図1(A)にすように基板22が装着された際、開閉アーム16を下側に回転させる弾性力を発生させて基板2を下方に押し付け、基板2の支持を安定化させる作用を持つものである。
即ち、図1(A)に示すように、第一第二の支持爪141,142の上に載せられて基板2が装着された状態で、基板2が何らかの弾みで第一第二の支持爪141,142から跳ね上がろうとすると、基板2は可動支持爪143を押して開閉アーム16を上方に(反時計回りに)向けて回転させるようにする。
【0044】
しかしながら、開閉アーム16がこの向きに回転すると、コイルスプリング17は、開閉アーム16の先端に固定されたコイルスプリング17の一端171とベース板11に固定された他端172との間隔が狭まりながら他端172を中心にして上方に(反時計回りに)回転する。
コイルスプリング17の一端171と他端172との間隔が狭まると、コイルスプリング17の弾性力はそれに逆らうように作用するから、開閉アーム16の上方への回転を抑えるよう作用する。このため、基板2が第一第二の支持爪141,142から跳ね上がるのが抑えられる。
しかしながら、開閉アーム16が上方にさらに回転して、ある位置を越えてしまうと、今度はコイルスプリング17の一端171と他端172が遠ざかる動きになり、コイルスプリング17の弾性力は、開閉アーム16を上方に弾き出すように作用する。
【0045】
このコイルスプリング17の作用が変化する臨界点は、コイルスプリング17の一端171と他端172との距離が最も接近した地点である。この地点は、開閉アーム16の回転中心(回転軸)とコイルスプリング17の一端171と他端172とが一直線上になる状態であり、デッドポイントと呼ばれる。
デッドポイントを越えて開閉アーム16が反時計回りに回転すると、コイルスプリング17の弾性力は、開閉アーム16を下方に抑える向きから上々に弾き出す向きに変化する。但し、現実のデッドポイントは、開閉アーム16の自重や回転軸161の部分での摩擦等から上記地点から僅かに下方の地点になる。
【0046】
尚、基板2の装着状態、即ち、基板2が第一第二の支持爪141,142に支持されその上に可動支持爪143が載っている状態では、コイルスプリング17の一端171と他端172との間隔は、自由状態(外から力が加わらない状態)の間隔よりも少し狭い間隔になっている。即ち、基板2が装着された状態では、コイルスプリング17の弾性力は基板2を下方に僅かに抑えるよう作用する。但し、基板2が装着された状態でコイルスプリング17の一端171と他端172の間隔が丁度自由状態の間隔になるよう構成してもよい。
【0047】
一方、開閉アーム16の右側の中空部分には、基板着脱装置の基板ピックアップが備える開閉棒38が挿通され、開閉アーム16が開閉されるようになっている。図3を使用してこの開閉棒38による開閉アーム16の開閉動作を説明する。図3は、図1に示す基板支持装置への基板2の着脱の際に使用される基板着脱装置の基板ピックアップの斜視概略図である。
【0048】
この基板ピックアップ3は、基板2の中央の開口の縁を支持する垂直な姿勢の第一の支持板31と、第一の支持板31を先端に固定した第一の水平板32と、基板2の下縁を支持する垂直な姿勢の第二の支持板33と、第二の支持板33を先端に固定した第二の水平板34と、第一の水平板32と第二の水平板34とを一体に保持した垂直な姿勢の保持板35と、保持板35に先端が固定された駆動ロッド36と、保持板35の上端から側方に延びる取り付け板37と、取り付け板37から前方に延びるように固定した開閉棒38とから主に構成されている。尚、駆動ロッド36には、基板ピックアップ3全体を水平方向及び垂直方向に移動させる不図示の移動機構が設けられている。
【0049】
図1(A)、図1(B)及び図3を使用して、本実施形態の基板支持装置への基板2の着脱動作について説明する。最初に、基板支持装置に基板2を装着する動作について説明する。
まず、図3に示すように基板2が基板ピックアップ3に支持され、不図示の移動機構が基板ピックアップ3を移動させ、基板2を図1(B)に示す位置に位置させる。即ち、基板2をベース板11の切り欠き内に位置させるとともに、基板2の中心が上昇中心の位置に一致した状態とする。この状態では、開閉アーム16は、図1(B)に示すように、直線状部162がほぼ水平な状態にある。この状態は、開閉アーム16が開いた状態である。そして、上記のように基板ピックアップ3が基板2を上昇位置に位置させるように移動して停止すると、基板ピックアップ3に備えられた開閉棒38の先端が、開閉アーム16の右側の中空内に挿通された状態となる。
【0050】
この状態で不図示の移動機構が、基板ピックアップ3を所定のストロークで下降させる。この結果、基板2が下降して第一の支持爪141及び第二の支持爪142の上に載り、基板2の中心が支持中心に一致した状態即ち装着状態となる。この下降動作の際には、開閉棒38も同時に下降し、開閉アーム16を下方に(時計回りに)押し下げる。そして、開閉アーム16に設けられた可動支持爪143が、図1(A)に示すように基板2の上縁に当接する。また、開閉アーム16の下方への回転に伴い、コイルスプリング17は上述したようにデッドポイントを越えて反時計回りに回転し、開閉アーム16を下方に押し下げるよう弾性力を作用させる。このため、装着された基板2の跳ね上がりが防止される。
【0051】
尚、装着動作が終了した際、基板ピックアップ3の第二の支持板33は、ベース板11の第一円周部111と第二円周部112との間のえぐられた部分に位置する。また、装着動作が終了した際、基板ピックアップ3の第一第二の支持板31,33は、それらの上縁が基板2から僅かに離間した位置(以下、装着終了位置)にある。不図示の移動機構は、基板ピックアップ3をこの装着終了位置から水平方向に移動させて後退させ、所定の待機位置に位置させる。
【0052】
基板2の取り外し動作は、上記基板2の装着動作とは逆の手順で行われる。即ち、所定の待機位置にある基板ピックアップ3を移動させ、上記装着終了位置に位置させる。この際、図1(A)に示すように、基板ピックアップ3に備えられた開閉棒38は、閉じた状態である開閉アーム16の右側の中空内に挿通される。
【0053】
この状態で、移動機構は基板ピックアップ3を所定のストロークで上昇させる。この結果、図3に示すように基板2が第一の支持板31及び第二の支持板33によって支持された状態となる。移動機構は、基板ピックアップ3をさらに上昇させ、基板2を上昇位置に位置させる。この動作の際、開閉棒38が開閉アーム16に引っ掛かって開閉アーム16を上方に押し上げる。この結果、コイルスプリング17はデッドポイントを越え、図1(B)に示すように開閉アーム16は開いた状態となる。尚、ベース板11の右側の上端部にはストッパ18が設けられており、開閉アーム16の先端は、このストッパ18に当たってそれ以上は開かないようになっている。
【0054】
このようにして基板2を上昇位置に位置させた後、移動機構は基板ピックアップ3を水平に後退させる。これによって、基板2が基板支持装置から引き抜かれて取り外される。その後、移動機構は、所定の場所まで基板ピックアップ3を移動させて基板2を搬送する。
【0055】
さて、上記構成及び動作に係る本実施形態の基板支持装置においては、図1の図示状態及び上述した説明から分かるように、三つの支持爪141,142,143の周方向前後においては、他の周方向の位置よりも基板2の周囲に形成される隙間が狭くなっている。これは、前述したプラズマの挙動に関する発明者の研究に基づいている。
即ち、図6に示す従来の基板支持装置のように、基板2の周縁とベース板11(又はベース板11に固定された他の部材)との間に形成される隙間が広い場合や、隙間ではなくで外側に開いた空間等である場合、プラズマはその隙間や空間を埋めるように進入してくる。しかしながら、ある限度以上に狭い空間についてはプラズマは一般にそこに進入してくることはない。
【0056】
本実施形態で、支持爪141,142,143の前後の隙間を狭くしているのは、このような理由に基づいている。即ち、支持爪141,142,143の前後の隙間を狭くしておくと、少なくともこの部分にはプラズマは進入してこない。従って、支持爪141,142,143の存在によってプラズマの空間的条件が変化することはなく、磁気特性の局所的な変化を抑制することができる。
【0057】
図4は、上記支持爪141,142,143の前後の隙間を狭くすることによる磁気特性の改善の効果を確認した実験の結果を示すものである。この図4は、本実施形態の基板支持装置を使用してスパッタリングにより磁性薄膜を作成した基板2の磁性薄膜のモジュレーション特性を示したものである。図4の(A)(B)は、図9の(A)(B)と同様であり、(A)は中心から半径40mmの位置でもモジュレーション特性を、図9(B)は中心から半径46.5mmの位置でのモジュレーション特性を示している。
【0058】
図4から分かる通り、本実施形態の基板支持装置を使用して磁性薄膜を作成した基板2では、図9(B)に見られたようなモジュレーションは全く観察されていない。これは、支持爪の存在によってモジュレーション特性に影響を与えるようなプラズマの空間的条件の変化が生じていないことを示している。
【0059】
次に、基板2の周囲の隙間とモジュレーション特性との関係について検討を加えた結果について説明する。図5は、基板2の周囲の隙間とモジュレーションの大きさとの関係を示す図である。
上述した通り、隙間が狭くなるとプラズマが進入しにくくなるのでモジュレーションは小さくなるが、どの程度まで隙間が狭くなるとプラズマの進入が無くなるかは、プラズマの条件によって若干異なってくる。最も大きな影響を与える因子は圧力である。この図5には、圧力5mTorrでアルゴンガスのプラズマを形成し、支持爪141,142,143の前後の空間の隙間即ち支持爪141,142,143の突出長さを変化させた実験を結果を示している。尚、図5において、モジュレーションの大きさは、図9(B)に示すピークの相対的な高さ((a/b)×100(%))を示している。
【0060】
図5に示すように、圧力5mTorrの条件では、隙間が3mmぐらいまではモジュレーションの大きさは3%以下に抑えられ、実用上殆ど問題とならない。また、隙間が7mmより大きくなると、モジュレーションの大きさは5%を越えるようになり、実用上の問題が発生してくる。
一般に、圧力が低くなると、より狭い隙間でもプラズマは進入し易くなる。しかしながら、発明者の研究によると、隙間が3mm以下である場合、モジュレーションはいずれの圧力条件でも殆ど問題とならない大きさになる。また、隙間が7mm以下である場合でも、基板処理で採用されるであろう多くの圧力条件においてはモジュレーションは実用上問題とならない大きさとなる。従って、隙間は理想的には3mm以下であるが、実用的には隙間は7mm以下であることが好ましい。
【0061】
上述した本実施形態の基板支持装置では、基板ピックアップ3の上下動に連動して開閉アーム16が開閉されるようになっている。この構成は、基板2の着脱動作に要する時間を短縮できるメリットがあるが、本願発明の構成はこれに限定されるものではない。即ち、基板ピックアップ3とは別に開閉アーム16の開閉機構を設けるようにしても良い。開閉機構は、例えば開閉アーム16の右側の中空に進入する開閉ピンと、開閉ピンを水平方向及び垂直方向に移動させる機構とによって構成できる。
【0062】
また、上述した基板支持装置は、図8に示すような薄膜作成装置に採用されるが、これ以外にも、エッチング装置や表面改質装置等の処理装置に採用することが可能である。
さらに、基板2は円形であるもののみが説明されたが、液晶基板のような方形の基板2であっても差し支えない。
【0063】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願発明によれば、基板の周囲に形成される隙間が支持爪の前後で狭くなっているので、支持爪の存在が原因で基板処理の特性に影響が出ることがなく、均質な処理が行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の実施形態の基板支持装置の概略構成を示す正面図であり、(A)は基板が基板支持装置に装着された状態、(B)は基板が基板支持装置への基板の着脱の際に基板が上昇位置に位置した一時的な状態を示している。
【図2】第一の支持爪141の先端の形状及び第一の支持爪141の突出長さについて説明する斜視概略図である。
【図3】図1に示す基板支持装置への基板2の着脱の際に使用される基板着脱装置の基板ピックアップの斜視概略図である。
【図4】支持爪141,142,143の前後の隙間を狭くすることによる磁気特性の改善の効果を確認した実験の結果を示すものである。
【図5】基板2の周囲の隙間とモジュレーションの大きさとの関係を示す図である。
【図6】従来の基板支持装置の構成を示す正面概略図である。
【図7】図6に示す基板支持装置の動作を説明する斜視概略図である。
【図8】図6及び図7に示す基板支持装置を採用した薄膜作成装置の例の概略構成を示す正面図である。
【図9】従来の基板支持装置の問題を説明した図であり、図6及び図7に示す基板支持装置を使用して作成した磁性薄膜のモジュレーション特性を示したものである。
【符号の説明】
1 基板支持装置
11 ベース板
111 第一円周部
112 第二円周部
115 第五円周部
141 第一の支持爪
142 第二の支持爪
143 可動支持爪
16 開閉アーム
162 円周状部
17 コイルスプリング
2 基板
3 基板ピックアップ
38 開閉棒[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate support apparatus used for the purpose of supporting a substrate in a substrate processing apparatus or the like that performs a predetermined process on the surface of the substrate.
[0002]
[Prior art]
Applying a predetermined treatment to the surface of a substrate is actively performed in the manufacture of LSI (Large Scale Integrated Circuit), LCD (Liquid Crystal Display), information recording disk, and the like. Among these, in the field of manufacturing information recording disks such as hard disks, there are cases where a substrate support device that vertically supports a substrate having an opening in the center is used.
[0003]
6 is a schematic front view showing the configuration of a conventional substrate support apparatus, and FIG. 7 is a schematic perspective view for explaining the operation of the substrate support apparatus shown in FIG. The substrate support apparatus shown in FIGS. 6 and 7 is mainly configured by a
[0004]
As shown in FIGS. 6 and 7, the
[0005]
Each of the
[0006]
On the other hand, the
[0007]
The operation of the conventional substrate support apparatus will be described.
The substrate support device is configured to support a
[0008]
As shown in FIG. 7, an opening /
[0009]
First, the case where the board |
[0010]
The
[0011]
Next, the
[0012]
When the
[0013]
Next, a substrate processing apparatus using the
The substrate processing apparatus shown in FIG. 8 has a structure in which a substrate attaching / detaching
[0014]
FIG. 8 shows a sputtering apparatus for producing a magnetic thin film as an example of a substrate processing apparatus. That is, a
[0015]
The
[0016]
The
[0017]
As shown in FIG. 8, a pair of sputtering
[0018]
[Problems to be solved by the invention]
A substrate processing apparatus using the above-described conventional substrate support apparatus is required to perform high-quality processing to every corner of the surface of the substrate. For example, in the process of creating a magnetic thin film on a substrate for an information recording medium, in order to increase the recording capacity on a single substrate, it is required to produce a high-quality magnetic thin film as close to the periphery of the substrate as possible. Yes.
According to the inventor's research, when the substrate support apparatus having the above-described configuration is used, a high-quality magnetic thin film can be formed in the central portion of the substrate, but locally anomalies in the peripheral portion of the substrate, particularly in the portion close to the peripheral edge of the substrate. It has been found that there is a problem that a thin film having a proper property is produced.
[0019]
FIG. 9 is a diagram for explaining a problem of this conventional substrate support apparatus. More specifically, FIG. 9 shows the modulation characteristics of a magnetic thin film prepared using the substrate support apparatus shown in FIGS. The modulation characteristic means the characteristic of whether there is no abnormal fluctuation of the modulation signal, that is, the output signal. Here, it means that the magnetic characteristic of the magnetic thin film formed on the substrate is uniform in the circumferential direction. Yes. Specifically, FIG. 9 shows the holding force in the circumferential direction of the substrate and the magnitude of the residual magnetic flux replaced with electric signals.
[0020]
FIG. 9 shows the modulation characteristics of a substrate having a diameter of 95 mm. Of these, FIG. 9A shows the modulation characteristic even at a position with a radius of 40 mm from the center, and FIG. 9B shows the modulation characteristic at a position with a radius of 46.5 mm from the center.
As can be seen from FIG. 9, the magnetic characteristics in the circumferential direction are uniform at the position of the radius of 40 mm from the center and no modulation occurs, but at the position of the radius of 46.5 mm, the peak that shows a sharp local magnetic characteristic sharply appears. Are observed in five places, and modulation occurs. When such modulation occurs, an error is likely to occur during magnetic recording, and a defective sector is likely to be caused.
[0021]
As a result of the inventor's earnest examination about the cause of this peak, it was found that the position of this peak corresponds to the position of the support claw shown in FIG. In other words, the circumferential position of the peak coincided with the circumferential position where the support claws were located during film formation. From this, it was considered that the cause of the peak was caused by the presence of the supporting nails.
[0022]
Further research by the inventor has shown that the occurrence of a peak in magnetic properties due to the presence of the supporting claws is related to the behavior of the plasma formed during film formation. That is, in the conventional substrate support apparatus as shown in FIG. 6, the plasma enters the space between the notch edge of the base plate and the peripheral edge of the substrate. In particular, there is a problem of plasma intrusion when a negative bias voltage of about 0 to −400 V is applied to the substrate.
[0023]
In this case, considering the electrical conditions of the space around the substrate, the support claws are usually formed of a metal such as stainless steel. Therefore, when the support claws are maintained at a ground potential, for example, electrons and ions are proliferated from the plasma. It flows to the grounding part through the support claw. For this reason, it is considered that the plasma state is locally changed only in the places where the support claws are present. For this reason, it is considered that a local change in magnetic characteristics as shown in FIG. 9B occurs.
[0024]
In addition, it has been studied to apply a negative bias voltage to the substrate to extract positive ions from the plasma and use it for processing. In this case, the support claw is also used as an electrode for applying a negative bias voltage. In such a case, when the plasma enters the gap between the substrate and the base plate, the spatial conditions of the plasma greatly change due to the presence of the support claws, and the local magnetic characteristics as shown in FIG. The change is expected to be even worse.
[0025]
The present invention has been made to solve this problem. That is, an object of the present invention is to provide a substrate support apparatus that can perform uniform substrate processing without locally changing processing characteristics due to the presence of support claws.
[0026]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention according to
It is equipped with a base plate in a vertical position and a plurality of support claws attached to the base plate,
The plurality of support claws abut the peripheral edge of the vertically erected substrate to support the substrate, and at least one of the plurality of support claws abuts on or away from the peripheral edge of the substrate. Is a movable support nail,
The base plate has an edge, and the edge extends in a circumferential direction that is a direction along the periphery of the substrate when the substrate is supported by the plurality of support claws. Has a shape in which a gap is formed between
The base plate has a configuration in which the gap has a shape that is narrower than other portions in the circumferential front and rear portions of all the support claws.
In order to solve the above problems, the invention according to
A base plate in a vertically standing position, and a plurality of support claws attached to the base plateOpen / close arm pivotally supported by the base plateWith
The plurality of support claws abut the peripheral edge of the vertically erected substrate to support the substrate, and at least one of the plurality of support claws abuts on or away from the peripheral edge of the substrate. Is a movable support nail,
The movable support claw is fixed to the open / close arm and attached to the base plate via the open / close arm,
The open / close arm is in a closed state in which the movable support claw is in contact with the substrate to support the substrate, and is in a state in which the movable support claw is separated from the substrate when the substrate is attached or detached. ,
The base plate has an edge, and the edge extends in a circumferential direction that is a direction along the periphery of the substrate when the substrate is supported by the plurality of support claws. And a shape in which a first gap is formed between the peripheral edge of the substrate and
Opening / closing armHas an edge, and this edge extends in a circumferential direction, which is a direction along the periphery of the substrate when the substrate is supported by the plurality of support claws.Opening / closing armBetween this edge and the edge of the substrateSecondIt has a shape that forms a gap,
The base plate and the opening / closing armSaidFirst gap and second gapHowever, it has the structure that it has a shape which becomes narrower than another location in the location before and behind the said circumferential direction of all the said support claws.
Moreover, in order to solve the said subject, a claim3The described
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 4 is the configuration according to
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below.
FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of a substrate support apparatus according to an embodiment of the present invention. 1A shows a state in which the substrate is mounted on the substrate support device, and FIG. 1B shows a temporary state in which the substrate is located at the raised position when the substrate is attached to or detached from the substrate support device. It shows the state.
The substrate support apparatus shown in FIG. 1 includes a
[0028]
The
As shown in FIG. 1, a cutout that is substantially part of the circumference is formed at a position substantially at the center of the
[0029]
In FIG. 1, when expressed by a circumferential angle according to the direction in which the hands of the watch move, in the portion 111 from about 83 degrees to about 147 degrees, the edge of the notch forms a part of the circumference (hereinafter referred to as the first). Circumference 111). Further, even in the portion 112 from about 233 degrees to about 277 degrees, the edge of the notch forms a part of the circumference (hereinafter, the second circumferential portion 112).
[0030]
The first circumferential portion 111 and the second circumferential portion 112 are part of the circumference having the same radius. This radius is about 3 mm larger than the radius of the
In addition, as shown to FIG. 1 (A), in the part between the 1st circumference part 111 and the 2nd circumference part 112, it has a shape which was digging out rather than on the circumference. This is for securing a retracted position of the substrate pickup holding the
[0031]
When the forward direction of the clock hands is forward and the reverse is backward, the direction perpendicular to the circumference (the radial direction of the circle) is slightly behind the front end of the first circumferential portion 111. ) And a first
The
[0032]
The shape of the tip of the
As shown in FIG. 2, the tip of the
Note that when the V-shaped depth is increased to about 2 mm and the protruding length is set to about 5 mm, the support of the
[0033]
Returning to FIG. 1, a
The
[0034]
The edge of the notch in the rear side portion of the first circumferential portion 111 also forms a part of the circumference. This portion is referred to as a third
The notched edge of the
[0035]
An opening /
[0036]
As shown in FIG. 1, the open /
[0037]
That is, as shown in FIG. 1A, in the state where the
[0038]
Note that the edge of the opening /
[0039]
thislikeAs shown in FIG. 1, a
[0040]
The
[0041]
The distal end of the
[0042]
On the other hand, one
[0043]
When the substrate 22 is mounted as shown in FIG. 1A, the
That is, as shown in FIG. 1 (A), in a state where the
[0044]
However, when the opening /
When the distance between the one
However, when the opening /
[0045]
The critical point at which the action of the
When the open /
[0046]
When the
[0047]
On the other hand, an opening /
[0048]
The
[0049]
The attaching / detaching operation of the
First, as shown in FIG. 3, the
[0050]
In this state, a moving mechanism (not shown) lowers the
[0051]
When the mounting operation is finished, the
[0052]
The removal operation of the
[0053]
In this state, the moving mechanism raises the
[0054]
After the
[0055]
Now, in the substrate support apparatus of the present embodiment relating to the above-described configuration and operation, as can be seen from the illustrated state of FIG. The gap formed around the
That is, as in the conventional substrate support apparatus shown in FIG. 6, when the gap formed between the peripheral edge of the
[0056]
In this embodiment, the gap between the front and rear of the
[0057]
FIG. 4 shows the results of an experiment confirming the effect of improving the magnetic characteristics by narrowing the gaps before and after the
[0058]
As can be seen from FIG. 4, the modulation as shown in FIG. 9B is not observed at all on the
[0059]
Next, the result of studying the relationship between the gap around the
As described above, the plasma becomes difficult to enter when the gap is narrowed, and thus the modulation is small. However, the extent to which the gap is narrowed is slightly different depending on the plasma conditions. The most influential factor is pressure. FIG. 5 shows the result of an experiment in which argon gas plasma was formed at a pressure of 5 mTorr, and the clearance between the front and rear of the
[0060]
As shown in FIG. 5, under the condition of a pressure of 5 mTorr, the magnitude of the modulation is suppressed to 3% or less until the gap is about 3 mm, and there is almost no problem in practical use. Further, when the gap is larger than 7 mm, the size of the modulation exceeds 5%, which causes a practical problem.
Generally, when the pressure is lowered, the plasma is likely to enter even in a narrower gap. However, according to the inventor's research, when the gap is 3 mm or less, the modulation becomes a size that hardly causes a problem under any pressure condition. Even when the gap is 7 mm or less, the modulation does not cause a problem in practical use under many pressure conditions that will be employed in substrate processing. Therefore, the gap is ideally 3 mm or less, but practically the gap is preferably 7 mm or less.
[0061]
In the substrate support apparatus of this embodiment described above, the open /
[0062]
Moreover, although the substrate support apparatus described above is employed in a thin film forming apparatus as shown in FIG. 8, it can also be employed in a processing apparatus such as an etching apparatus or a surface modification apparatus.
Furthermore, although only the
[0063]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, since the gap formed around the substrate is narrow before and after the support claw, the substrate processing characteristics are not affected due to the presence of the support claw, Homogeneous processing can be performed.
[Brief description of the drawings]
1A and 1B are front views showing a schematic configuration of a substrate support device according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A shows a state where a substrate is mounted on the substrate support device, and FIG. 1B shows a substrate mounted on the substrate support device; The temporary state which the board | substrate was located in the raising position at the time of attachment or detachment of is shown.
FIG. 2 is a schematic perspective view illustrating the shape of the tip of the
3 is a schematic perspective view of a substrate pickup of the substrate attaching / detaching device used when attaching / detaching the
FIG. 4 shows the result of an experiment for confirming the effect of improving the magnetic characteristics by narrowing the gaps before and after the
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the gap around the
FIG. 6 is a schematic front view showing a configuration of a conventional substrate support apparatus.
7 is a schematic perspective view for explaining the operation of the substrate support apparatus shown in FIG. 6. FIG.
8 is a front view showing a schematic configuration of an example of a thin film forming apparatus employing the substrate support apparatus shown in FIGS. 6 and 7. FIG.
FIG. 9 is a diagram for explaining a problem of a conventional substrate support apparatus, showing the modulation characteristics of a magnetic thin film prepared using the substrate support apparatus shown in FIGS. 6 and 7;
[Explanation of symbols]
1 Substrate support device
11 Base plate
111 First circumference
112 Second circumference
115 Fifth Circle Circumference
141 First support nail
142 Second support claw
143 Movable support claws
16 Opening and closing arm
162 Circumferential part
17 Coil spring
2 Substrate
3 Substrate pickup
38 Opening and closing bar
Claims (4)
垂直に立てられた姿勢のベース板と、ベース板に取り付けられた複数の支持爪とを備えており、
複数の支持爪は、垂直に立てられた基板の周縁に当接して基板を支持するものであり、これら複数の支持爪の少なくとも一つは、基板の周縁に当接したり周縁から離れたりすることが可能な可動支持爪であり、
ベース板は縁を有し、この縁は、基板が前記複数の支持爪によって支持された際、基板の周縁に沿った方向である周方向に延びるものであり、ベース板は、この縁と基板の周縁との間に隙間が形成される形状を有しており、
ベース板は、前記隙間が、すべての前記支持爪の前記周方向の前後の箇所において他の箇所より狭くなる形状を有していることを特徴とする基板支持装置。A substrate support device used for vertically supporting a substrate in a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate while forming plasma in a space facing the substrate,
It is equipped with a base plate in a vertical position and a plurality of support claws attached to the base plate,
The plurality of support claws abut the peripheral edge of the vertically erected substrate to support the substrate, and at least one of the plurality of support claws abuts on or away from the peripheral edge of the substrate. Is a movable support nail,
The base plate has an edge, and the edge extends in a circumferential direction that is a direction along the periphery of the substrate when the substrate is supported by the plurality of support claws. Has a shape in which a gap is formed between
The base plate has a shape in which the gap is narrower than other portions in the circumferential front and rear portions of all the support claws.
垂直に立てられた姿勢のベース板と、ベース板に取り付けられた複数の支持爪と、ベース板に軸支された開閉アームとを備えており、
複数の支持爪は、垂直に立てられた基板の周縁に当接して基板を支持するものであり、これら複数の支持爪の少なくとも一つは、基板の周縁に当接したり周縁から離れたりすることが可能な可動支持爪であり、
可動支持爪は、前記開閉アームに固定されていて前記開閉アームを介してベース板に取り付けられており、
前記開閉アームは、前記可動支持爪が基板を支持するために基板に接触した状態が閉じた状態であり、基板の着脱の際に前記可動支持爪が基板から離間した状態が開いた状態であり、
前記ベース板は縁を有し、この縁は、基板が前記複数の支持爪によって支持された際、基板の周縁に沿った方向である周方向に延びるものであり、前記ベース板は、この縁と基板の周縁との間に第1の隙間が形成される形状を有しており、
前記開閉アームは縁を有し、この縁は、基板が前記複数の支持爪によって支持された際、基板の周縁に沿った方向である周方向に延びるものであり、前記開閉アームは、この縁と基板の周縁との間に第2の隙間が形成される形状を有しており、
前記ベース板及び前記開閉アームは、前記第1の隙間及び第2の隙間が、すべての前記支持爪の前記周方向の前後の箇所において他の箇所より狭くなる形状を有していることを特徴とする基板支持装置。A substrate support device used for vertically supporting a substrate in a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate while forming plasma in a space facing the substrate,
It is equipped with a base plate in an upright posture, a plurality of support claws attached to the base plate, and an open / close arm pivotally supported on the base plate .
The plurality of support claws abut the peripheral edge of the vertically erected substrate to support the substrate, and at least one of the plurality of support claws abuts on or away from the peripheral edge of the substrate. Is a movable support nail,
The movable support claw is fixed to the open / close arm and attached to the base plate via the open / close arm,
The open / close arm is in a closed state in which the movable support claw is in contact with the substrate to support the substrate, and is in a state in which the movable support claw is separated from the substrate when the substrate is attached or detached. ,
The base plate has an edge, and the edge extends in a circumferential direction that is a direction along the periphery of the substrate when the substrate is supported by the plurality of support claws. And a shape in which a first gap is formed between the peripheral edge of the substrate and
Has the opening arm edge, this edge, when the substrate is supported by said plurality of supporting claws, which extend in the circumferential direction is a direction along the periphery of the substrate, the opening and closing arm, this edge And a shape in which a second gap is formed between the peripheral edge of the substrate and
The base plate and the open / close arm have a shape in which the first gap and the second gap are narrower than the other places in the front and rear portions of the support claws in the circumferential direction. A substrate support apparatus.
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