JP4113438B2

JP4113438B2 - レジスト剥離方法

Info

Publication number: JP4113438B2
Application number: JP2003030007A
Authority: JP
Inventors: 誠高妻
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2003-02-06
Filing date: 2003-02-06
Publication date: 2008-07-09
Anticipated expiration: 2023-02-06
Also published as: JP2004241656A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程などにおいて基板（基材を含む）上に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離方法及びレジスト剥離装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ、液晶ディスプレイ製造等の半導体製造工程や、多層プリント配線板等の製造工程においては、パターン形成の際に、目的に応じて感光性樹脂などの各種のレジストが用いられている。これらレジストはパターン形成後の工程において除去（剥離）される。
【０００３】
レジストの剥離方法としては、薬液を用いたウェット処理や、低圧プラズマを用いた処理が一般に採用されている。
【０００４】
ところで、薬液を用いたウェット処理では、後工程として処理薬液の洗浄及び乾燥などの処理が必要である。また、乾燥が不十分であれば残存薬品が品質不良を起こすという問題がある。
【０００５】
また、低圧プラズマを用いた処理では、減圧のプロセスであることから、真空引きに多くの時間を要し、スループットが悪いという問題がある。さらに、大面積の基板を処理する場合には、大容量の真空容器・真空排気装置が必要となり、装置コストが高くなる。
【０００６】
そこで、大気圧近傍でプラズマを発生させて処理する方法が提案されている。例えば、不活性で安定なハロゲン系ガスを放電ユニットに供給し、大気圧付近の圧力下で放電を発生させることにより反応性ガスを生成し、その反応性ガスを処理室内のレジスト基板に導いて、基板上のレジストを除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。なお、レジストが表面に形成された基板（基材を含む）をレジスト基板という。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−５８５０５号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した特許文献１（特開２０００−５８５０５号公報）に記載の方法では、放電ユニットの放電部でハロゲンガスとＨ₂Ｏを一度にプラズマ化しているので、放電部においてＨＦ等の反応ガスが生成されてしまい、放電ユニットの放電電極が劣化する。そのため、電極材料を工夫することが必要となり、コスト高となるという問題がある。
【０００９】
本発明はそのような実情に鑑みてなされたもので、大気圧近傍の圧力下でのプラズマ処理にて基板上のレジストを剥離するにあたり、プラズマ発生用の放電電極のダメージを少なくすることが可能なレジスト剥離方法及びレジスト剥離装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の剥離方法は、基板（基材を含む）上にＳｉＯ₂層を介して積層されたレジストを剥離する方法であって、大気圧近傍の圧力下でプラズマ化したハロゲン系ガスを適度な湿度を持つ大気中に導入して活性な反応ガスを生成する処理と、その活性な反応ガスを基板に照射することにより、活性な反応ガスがレジストを透過してＳｉＯ₂層をエッチングし、かつ、加水分解する機能基をレジストに付与する処理と、前記ガス処理にて改質されたレジストを加水分解により分解するとともに、前記エッチングにより略剥離されたレジストをリフトオフする処理を含むことを特徴としている。
【００１１】
本発明の特許請求しない剥離装置は、基板（基材を含む）上に形成されたレジストを剥離する装置であって、大気圧近傍の圧力下でプラズマ空間を発生させるプラズマ発生部と、そのプラズマ空間にハロゲン系ガスを供給するガス供給源を有し、プラズマ化したハロゲン系ガスを適度な湿度を持つ大気中に導入して活性な反応ガスを生成して基板上のレジストに照射するガス処理系と、そのガス処理系でガス処理されたレジストに加水分解処理を施す分解処理系を備えている。
【００１２】
本発明において、プラズマ化したハロゲン系ガスを導入する大気（プラズマ発生部の周辺雰囲気）の湿度は、室温において２０％以上であり、上限は結露しない範囲である。より好ましい湿度範囲は４０〜６０％程度である。
【００１３】
＜作用＞
本発明では以下の処理（１）〜（３）にてレジストを剥離する。
【００１４】
（１）大気圧近傍でプラズマ化したハロゲン系ガスを適度な湿度を持つ大気中に導入して活性な反応ガスを生成する。
【００１５】
例えば、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆等のハロゲン化ガスを電離するとＣＦ₁〜₃ラジカル（活性な反応ガス）が生成し、それらのラジカルを大気中に噴射すると、大気中のＯ₂、Ｈ₂Ｏと反応してＣＯＦ₂が生成され、また、ＣＯＦ₂がＨ₂Ｏと反応したのちにＨＦが生成される。
【００１６】
ここで、前記したように、プラズマ発生部においてハロゲン系ガスとＨ₂Ｏを一度にプラズマ化すると、ＨＦ等の反応ガスが生成し電極材料が劣化する原因となるため、電極材料に工夫が必要となりコスト高となる。そこで、本発明では、プラズマ発生部（放電電極間のプラズマ空間）にドライなハロゲン系ガスのみを供給することで、電極材料の劣化を防止している。また、プラズマ発生部でガスを活性化するにあたり、単体のガス（ハロゲン系ガスのみ）をプラズマ発生部に導入すると、処理に必要な複数のガスの全てを放電させるよりも、放電の制御性が良くなるという利点もある。
【００１７】
（２）大気中の反応で生成した活性ガスをレジスト基板に照射して、レジスト下層のＳｉＯ₂層をエッチング（活性ガスのレジスト透過によるエッチング）するとともに、加水分解する官能基を付与する。具体的には［−ＣＯＦ₂基］を導入する。
【００１８】
（３）ガス処理されたレジスト基板を純水等で洗浄し、改質されたレジストを加水分解する。具体的には、［−ＣＯＦ₂］を加水分解（−ＣＯＦ₂＋Ｈ₂Ｏ→ＣＯＯＨ＋ＨＦ）し、略剥離されたレジストを純水等でリフトオフにて除去する。
【００１９】
次に、本発明を更に詳しく説明する。
【００２０】
本発明においては、大気圧近傍の圧力下での放電プラズマ処理にてハロゲン系ガスをプラズマ化する。大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａの圧力条件を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａの範囲が好ましい。
【００２１】
本発明において、ハロゲン系ガスをプラズマ化するプラズマ発生部としては、例えば対向電極間に電界を印加することによりグロー放電プラズマを発生させる装置などを挙げることができる。
【００２２】
前記プラズマを発生させる電極の材質としては、例えば、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金あるいは金属間化合物などが挙げられる。対向電極を構成する一対の電極の形態は、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、対向電極間（プラズマ空間）の距離が一定となる構造であることが好ましい。具体的な電極構造としては、平行平板型、ロール−平板型、ロール−ロール型、同軸円筒型の構造などが挙げられる。
【００２３】
前記対向電極間には固体誘電体が配置されている必要がある。具体的には、対向電極を構成する一対の電極のうち、少なくとも一方の対向面に固体誘電体が配置されていればよい。この際、固体誘電体と設置される側の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うようにすることが好ましい。固体誘電体によって覆われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じやすくなる。
【００２４】
前記固体誘電体の形状は、シート状もしくはフィルム状のいずれであってもよい。固体誘電体の厚みは、０．０１〜４ｍｍであることが好ましい。固体誘電体の厚みが厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。なお、固体誘電体は溶射法にて電極表面にコーティングされた膜であってもよい。
【００２５】
上記固体誘電体としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
【００２６】
また、固体誘電体は、比誘電率が２以上（２５℃環境下、以下同じ）であることが好ましい。比誘電率が２以上の固体誘電体の具体例としては、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。さらに高密度の放電プラズマを安定して発生させるためには、比誘電率が１０以上の固体誘電体を用いることが好ましい。比誘電率の上限は特に限定されるものではないが、現実の材料では１８，５００程度のものが知られている。上記比誘電率が１０以上である固体誘電体としては、例えば、酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０〜９５重量％で混合された金属酸化物被膜、または、酸化ジルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなるものを挙げることができる。
【００２７】
本発明に用いる対向電極の電極間距離は、固体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して適宜決定されるが、０．１〜５ｍｍであることが好ましい。電極間距離が０．１ｍｍ未満であると、一対の電極を電極間距離を置いて設置するのに十分でないことがあり、一方、５ｍｍを超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。さらに好ましい電極間距離は、放電が安定しやすい０．５〜３ｍｍである。
【００２８】
上記対向電極の電極間には、高周波、パルス波、マイクロ波等の電界が印加され、プラズマを発生させるが、パルス電界を印加することが好ましく、特に、電界の立ち上がり及び／または立ち下がり時間が１０μｓ以下であるパルス電界が好ましい。１０μｓを超えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しにくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界を実現することは、実際には困難である。立ち上がり時間及び立ち下がり時間のより好ましい範囲は５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する時間を指すものとする。
【００２９】
上記パルス電界の電界強度は、１〜１０００ｋＶ／ｃｍであり、好ましくは２０〜３００ｋＶ／ｃｍである。電界強度が１ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。
【００３０】
上記パルス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であるとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上限は特に限定されないが、常用されている１３．５６ＭＨｚ、試験的に使用されている５００ＭＨｚといった高周波帯でも構わない。負荷との整合性のとり易さや取扱い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。このようなパルス電界を印加することにより、処理速度を大きく向上させることができる。
【００３１】
また、上記パルス電界における１つのパルス継続時間は、２００μｓ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜２００μｓである。２００μｓを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。ここで、１つのパルス継続時間とは、ＯＮ／ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界における、１つのパルスの連続するＯＮ時間を言う。
【００３２】
本発明において、ガス処理系で使用するハロゲン系ガスとしては、例えばＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆などを挙げることができる。また、プラズマ化したハロゲン系ガスを導入する大気（プラズマ発生部の周辺雰囲気）の湿度は、室温において２０％以上であり、上限は結露しない範囲である。より好ましい湿度範囲は４０〜６０％程度である。
【００３３】
本発明において分解処理系で行う加水分解処理としては、純水をレジスト基板上に噴射する処理、あるいはレジスト基板を純水槽に浸漬させる処理などの純水処理方法を挙げることができる。また、純水に替えて、加水分解効果のある薬液を用いて加水分解を行うようにしてもよい。その場合、薬液としては、各種酸の水溶液、各種アルカリの水溶液などが挙げられる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３５】
図１は本発明のレジスト剥離装置の実施形態の構成を模式的に示す図である。
【００３６】
図１に示すレジスト剥離装置は、ガス処理系１００、純水処理系２００及び搬送ユニット３００などを備えている。なお、本実施形態において処理を行うレジスト基板Ｓは、図３に示すように、ガラス基板Ｓ１上に、レジストＳ３がＨＭＤＳ（ヒドラメチルジシラザン）Ｓ２を介して積層されたものである。ＨＭＤＳはＳｉＯ₂の一種で、レジストの接着性を上げるために積層されている。
【００３７】
搬送ユニット３００は、例えばベルトコンベア等の搬送用コンベアによって構成されており、処理を行うレジスト基板Ｓをガス処理系１００のプラズマ処理室１０１及び純水処理系２００の洗浄処理室２０１に順次搬送する。プラズマ処理室１０１と洗浄処理室２０１とは互いに隣接した状態で配置されている。
【００３８】
プラズマ処理室１０１には雰囲気ガス導入口１０２が上部に設けられており、下部に排気口１０３が設けられている。雰囲気ガス導入口１０２には雰囲気ガス供給ユニット５（図２）が接続されており、プラズマ処理室１０１内部のガス雰囲気を、例えば気温２０℃、湿度５０％大気（大気圧近傍の圧力下）に維持することができる。
【００３９】
洗浄処理室２０１にはクリーンエア導入口２０２が上部に設けられており、下部に排水口２０３が設けられている。洗浄処理室２０１の内部には純水噴射装置６が配置されている。純水噴射装置６は、搬送ユニット３００（搬送ベルト）の上方に配置されており、プラズマ処理室１０１を通過し、洗浄処理室２０１内に搬送されたレジスト基板Ｓの表面（レジスト形成面）に純水を照射する。
【００４０】
次に、ガス処理系１００の構成を図１及び図２を参照しながら説明する。
【００４１】
ガス処理系１００は、プラズマ発生部１、電源２、ガス供給ユニット３、ガス供給ライン４、雰囲気ガス供給ユニット５、及び、前記したプラズマ処理室１０１などを備えている。
【００４２】
プラズマ発生部１は、プラズマ処理室１０１内部で、搬送ユニット３００にて搬送されるレジスト基板Ｓの上方となる位置に配置されている。プラズマ発生部１は、電圧印加電極１１と接地電極１２からなる平行平板型の対向電極１０によって構成されている。
【００４３】
対向電極１０の電圧印加電極１１と接地電極１２とは、所定の距離（電極間距離）をあけて互いに平行となるように対向配置されており、これら電圧印加電極１１と接地電極１２との間にプラズマ空間１３が形成される。電圧印加電極１１及び接地電極１２の各表面はそれぞれ固体誘電体（図示せず）によって被覆されている。
【００４４】
対向電極１０におけるプラズマ空間１３の一端（上端）側にガス導入口１０ａが設けられ、他端（下端）側にガス吹き出し口１０ｂが設けられている。ガス導入口１０ａには、ガス供給ユニット３がガス供給ライン４を介して接続されており、電圧印加電極１１と接地電極１２との間にドライなハロゲン系ガス（例えばＣＦ₄：１００％）を供給することができる。そして、ガス供給状態で電圧印加電極１１と接地電極１２との間に電源１３からの電界（パルス電界）を印加することにより、電圧印加電極１１と接地電極１２との間にグロー放電プラズマが発生してハロゲン系ガスがプラズマ化され、そのプラズマガスがガス吹き出し口１０ｂから下方に向けて吹き出す。
【００４５】
以上の構造のレジスト剥離装置において、プラズマ処理室１０１内を、大気圧近傍の圧力下で所定のガス雰囲気（気温２０℃、湿度５０％大気）の状態にするとともに、プラズマ発生部１の電圧印加電極１１と接地電極１２との間のプラズマ空間１３に、ガス供給ユニット３からハロゲン系ガス（ＣＦ₄：１００％）を供給して大気圧近傍の圧力下の状態とし、電圧印加電極１１と接地電極１２との間に電源２からの電界（例えばパルス電界）を印加する。この電界印加により、電圧印加電極１１と接地電極１２との間のプラズマ空間１３にグロー放電プラズマが発生し、プラズマ化されたハロゲン系ガス（プラズマガス）がガス吹き出し口１０ｂを通じてプラズマ空間１３の外に吹き出す。
【００４６】
そして、ガス吹き出し口１０ｂから吹き出したプラズマガスが、プラズマ処理室１０１内のガス雰囲気（気温２０℃、湿度５０％大気）中に導入することにより活性な反応ガスが生成され、その活性な反応ガスがレジスト基板Ｓに照射されることで、レジスト基板Ｓ上のレジストを反応ガスが透過して（図３（Ｂ）参照）、ＨＭＤＳをエッチングするとともに、加水分解する機能基がレジストに付与される（［−ＣＯＦ₂基］の導入）。これにより、レジストはガラス基板から略剥離した状態になる。
【００４７】
なお、レジスト基板Ｓは搬送ユニット３００にて所定のスキャンスピード（例えば５００ｍｍ／ｍｉｎまたは１０００ｍｍ／ｍｉｎ）で搬送された状態でガス処理（プラズマ処理）が施される。
【００４８】
以上のガス処理が施されたレジスト基板Ｓは、搬送ユニット３００にて洗浄処理室２０１内に搬送され、純水噴射装置６からの純水にて洗浄される。このような純水による洗浄により、上記ガス処理にて改質されたレジストが加水分解により分解する。具体的には、［−ＣＯＦ₂］が加水分解（−ＣＯＦ₂＋Ｈ₂Ｏ→ＣＯＯＨ＋ＨＦ）され、さらに略剥離されたレジストが純水でリフトオフにて除去（レジスト剥離）される。
【００４９】
以上の実施形態では、プラズマ化を行うハロゲン系ガスとしてＣＦ₄を用いているが、これに替えてＣ₂Ｆ₆を用いても同等の効果を得ることができる。
【００５０】
また、プラズマ処理にて改質を行ったレジストを純水照射による洗浄にて加水分解しているが、これに替えて、プラズマ処理後のレジスト基板を純水槽に浸漬することにより、レジストの加水分解を行うようにしてもよい。
【００５１】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
【００５２】
＜実施例１＞
［レジスト基板］
ガラス基板上に、レジストの接着性を上げるためにＨＭＤＳ（ヒドラメチルジシラザン）を塗布し、その上に１．５ｍｍのレジストを全面に塗布した後に、１５０℃でベークしてレジスト基板を作製した。
【００５３】
［ガス処理装置］
図２に示すガス処理系１００を使用
［プラズマ条件］
ハロゲン系ガス：ＣＦ₄（１００％）
プラズマ処理雰囲気：気温２０℃、湿度５０％大気
［電源条件］
印加電圧：１０ｋＶ
周波数：２５ｋＨｚ（パルス電界）
［搬送速度］
５００ｍｍ／ｍｉｎ、１０００ｍｍ／ｍｉｎ
上記装置構成・条件で、プラズマ発生部１においてハロゲン系ガスをプラズマ化し、活性な反応ガスを生成した状態で、そのプラズマ発生部１の下方に、上記レジスト基板Ｓを５００ｍｍ／ｍｉｎと１０００ｍｍ／ｍｉｎの各スキャンスピードで通過させて、レジスト基板Ｓにプラズマガスを照射してレジストの改質処理を行った。次に、プラズマ処理後のレジスト基板Ｓを純水中に浸漬して純水処理（加水分解処理）を行った。
【００５４】
以上の処理において、レジスト基板Ｓを５００ｍｍ／ｍｉｎで搬送したときにはガラス基板上のレジストが完全に剥離された。また、純水処理前のレジスト基板Ｓを観察すると、レジストに皺や膨らみが発生しており、レジストを全面塗布したにもかかわらず、略剥離していた。大気圧という高圧力下により、反応ガスがレジストを透過してＨＭＤＳをエッチングしていることがわかった。
【００５５】
一方、レジスト基板Ｓを１０００ｍｍ／ｍｉｎで搬送した場合、ガラス基板上には、レジストの一部が剥離した部分と、レジストが残存する部分が存在しており、さらに残存したレジストにはひび割れが生じていた。
【００５６】
また、搬送速度が５００ｍｍ／ｍｉｎの場合と１０００ｍｍ／ｍｉｎの場合のいずれの条件でも、レジストが剥離された後のガラス基板の表面には白濁等の変化が見られず、ガラス基板へのダメージは観察されなかった。
【００５７】
ここで、上記のプラズマ処理後で純水処理前のレジスト材料をＥＳＣＡ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｆｏｒＣｈｅｍｉｃａｌＡｎａｌｙｓｉｓ）で分析したところ、Ｃ結合の部分で［−ＣＯＦ₂基］の導入が観察された。従って、この点（［−ＣＯＦ₂基］の導入）と、レジストが剥離する過程でひび割れが生じている点から、［−ＣＯＦ₂基］の加水分解及び活性なハロゲン化ガスによりレジストが脆弱化される効果によって、レジストが剥離されたと考えられる。
【００５８】
＜実施例２＞
シリコンウエハ上にレジストを０．５μｍ塗布し、１１０℃でベークした後、Ｂ（ホウ素）をインプラ処理したサンプルを用意した。このサンプルに対して、大気の湿度（ガス雰囲気の湿度）を１５〜６０％の範囲で変化させて上記プラズマ処理を行い、その処理後のレジストの剥離量を評価した。
【００５９】
その結果、２５％以上の湿度範囲では３０ｓｅｃのプラズマ処理でレジストを剥離することが可能であったが、１５〜２０％程度の湿度範囲では６０ｓｅｃ以上のプラズマ処理が必要であった。この結果から、プラズマ化したハロゲン化ガスを導入する大気の湿度が２０％以上であると、レジスト剥離を効率よく行えることが判る。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、大気圧近傍の圧力下でプラズマ化したハロゲン系ガスを適度な湿度を持つ大気中に導入して活性な反応ガスを生成する処理と、その活性な反応ガスをレジスト基板に照射してレジスト下層のＳｉＯ₂層をエッチングし、かつ、加水分解する機能基をレジストに付与する処理と、前記ガス処理にて改質されたレジストを純水等により加水分解するとともに、エッチングにより略剥離されたレジストを純水等によりリフトオフする処理によって基板上のレジストを剥離するので、基板表面にダメージを与えることなく、レジストの剥離処理を行うことができる。
【００６１】
しかも、ドライなハロゲン系ガスのみをプラズマ化し、そのプラズマ化したハロゲン系ガスを大気中に導入して活性な反応ガスを生成しているので、プラズマ発生用の放電電極の劣化を防ぐことができ、放電電極のコストダウンを達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のレジスト剥離装置の実施形態の構成を模式的に示す図である。
【図２】図１の実施形態に用いるガス処理系の構成を模式的に示す図である。
【図３】本発明の実施形態において処理を行うレジスト基板を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１プラズマ発生部
１０対向電極
１０ａガス導入口
１０ｂガス吹き出し口
１１電圧印加電極
１２接地電極
１３プラズマ空間
２電源
３ガス供給ユニット
４ガス供給ライン
５雰囲気ガス供給ユニット
６純水噴射装置
１００ガス処理系
１０１プラズマ処理室
１０２雰囲気ガス導入口
１０３排気口
２００純水処理系（分解処理系）
２０１洗浄処理室
２０２クリーンエア導入口
２０３排水口
３００搬送ユニット
Ｓレジスト基板
Ｓ１ガラス基板
Ｓ２ＨＭＤＳ（ＳｉＯ₂）
Ｓ３レジスト

Claims

基板上にＳｉＯ_２層を介して積層されたレジストを剥離する方法であって、大気圧近傍の圧力下でプラズマ化したハロゲン系ガスを適度な湿度を持つ大気中に導入して活性な反応ガスを生成する処理と、その活性な反応ガスを基板に照射することにより、活性な反応ガスがレジストを透過してＳｉＯ_２層をエッチングし、かつ、加水分解する機能基をレジストに付与する処理と、前記ガス処理にて改質されたレジストを加水分解により分解するとともに、レジストをリフトオフする処理を含むことを特徴とするレジスト剥離方法。