JP4117746B2 - Power converter for photovoltaic power generation - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池モジュールに対して逆バイアス電圧を印加して光劣化回復を行う太陽光発電用電力変換装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
地球温暖化等の環境問題が世界的規模で取り上げられる中、環境への負荷の少ないエネルギーシステムとして太陽光発電システムが注目を集めている。現在、一般家庭に普及しつつある住宅用太陽電池システムの一例を図20に示す。住宅用太陽光発電システムは一般に、複数の太陽電池アレイ51と、複数の太陽電池アレイ51をそれぞれ逆流防止ダイオード53を介して接続する接続箱52と、接続箱52で集められた直流電力を系統電圧に同期した交流電力に変換して商用系統55と連系運転を行う電力変換装置としての系統連系インバータ装置54とから構成される。現在では接続箱52と系統連系インバータ装置54を一体化したものも存在する。
【0003】
太陽光発電を大きく分けると、発電した電力を様々な用途に使用することを目的とした電力用の発電システムと、電卓や時計等の決められた用途に用いる民生用の発電システムとがある。これまで、電力用の発電システムとしては、シリコン結晶系の太陽電池が主に用いられてきた。しかし、シリコン結晶系の太陽電池は、集積化が不可能なため、電圧値や電流値を自由に設計することができず、現状以上の軽量化が困難であり、また、原材料となるシリコンのウエハーの供給量に限界がある等の問題がある。そこで、現在、集積化、軽量化かつフレキシブル化が可能であり、少量の原料ガスで製作が可能なアモルファスシリコン薄膜太陽電池を用いた太陽電池システムが開発されている。
【0004】
アモルファスシリコン薄膜太陽電池は、集積化、軽量化、フレキシブル化が可能であり、少量の原料ガスを用いることで製作が可能であるという特徴をもち、低コスト化が可能であるため、現在注目を集めているが、光に対する安定が悪いという問題点がある。つまり、太陽光を長時間照射し続けると、次第に光電変換効率が低下し、最終的にはアモルファスシリコン薄膜太陽電池の作製直後の初期光電変換効率と比較して、10〜20%低下したところで安定化するという現象が起こる。この現象は、アモルファスシリコン太陽電池の「光劣化」と呼ばれ、様々な角度から光劣化現象の解明に向けた研究が行われているが、現在のところ光劣化現象の解明はなされておらず、光劣化をなくす方法は見つかっていない。このため、アモルファスシリコン薄膜太陽電他を用いた太陽光発電システムを構築した場合、システム設置時の総発電量と数ヶ月にわたってシステムを使用した時点での総発電量とが異なるという不安定な太陽光発電システムになるという問題点がある。また、光劣化した後の光電変換効率を基準にして太陽光発電システムを設計すると、より大面積の太陽電池が必要となり、結果としてコストも上がるという問題点がある。これは、光劣化現象が顕著に現れるアモルファスシリコン薄膜太陽電池に限らず、多少の微結晶を含んだ結晶薄膜系太陽電池や他の薄膜系太陽電池にも共通して挙げられる問題点である。
【0005】
上述した従来技術における光劣化の問題を解消するために、太陽電池に接続される電力変換器を利用して逆バイアス電圧を太陽電池に印加することが行われるようになってきている。太陽電池は逆バイアス状態で、太陽光を受光することにより光劣化を回復することができる。そこで、太陽電池で発電した直流電力を入力とする太陽光発電用電力変換装置において、逆バイアス発生手段を構成し、この太陽電池に対して日射のある所定の期間にわたって逆バイアス電圧を印加して太陽電池の特性劣化を回復させる構成とする。
【0006】
以下、逆バイアス電圧印加により太陽電池の光劣化を回復させるように工夫した先行技術の太陽光発電用電力変換装置の一例を図18に基づいて説明する(本出願人の特許出願にかかわる特願平9−347740号参照)。11 ,12 …1n は太陽電池アレイ、31 ,32 …3n は逆流防止ダイオード、81 ,82 …8n はリレー、6はインバータ主回路、7は制御回路、9は系統連系インバータ、10はカレンダー回路、5は商用系統である。リレー81 〜8n がすべて接点a側に接続されている状態では、すべての太陽電池アレイ11 〜1n がインバータ主回路6に対して並列接続の状態となるが、各太陽電池アレイ11 〜1n に太陽光が照射することにより、各太陽電池アレイ11 〜1n に発生した直流電圧が逆流防止ダイオード31 ,32 …3n を介してインバータ主回路6に供給される。制御回路7は、インバータ主回路6における電流波形制御、最大電力追従制御、連系保護制御等々を実行することにより、商用系統5との系統運転を行う。いま、カレンダー回路10が動作して太陽電池アレイ1n の太陽電池の光劣化を回復する機能が働いたとする。制御回路7からリレー8n に対してリレー制御信号Rn を送出し、リレー8n を接点b側に切り換える。すると、太陽電池アレイ1nは逆接続の状態となる。太陽電池アレイ1n 以外の太陽電池アレイ11 〜1n-1が太陽光の受光により発生した直流電圧が太陽電池アレイ1n に対して逆バイアス電圧として印加される。この逆バイアス電圧印加が太陽電池アレイ1n に太陽光が照射している状態において行われると、太陽電池アレイ1n を構成している太陽電池モジュールの光劣化が回復される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
図19に示すように、太陽電池アレイ1は複数の太陽電池モジュールMの直列接続で構成されている。このような直列接続体を太陽電池ストリングスと称することもある。ところで、太陽電池ストリングスにおいては、いずれかの太陽電池モジュールMが日陰になったときに、太陽電池ストリングスの出力電圧の和の電圧が日陰となった太陽電池モジュールMにかかってそれが破損されるのを防止するために、各太陽電池モジュールMに対してそれぞれバイパスダイオードDbを並列に接続することが行われる。
【0008】
しかしながら、このようにバイパスダイオードDbを並列接続した太陽電池アレイ1の場合にあっては、逆バイアス電圧を印加したときに、そのままでは太陽電池モジュールMをバイパスする状態でバイパスダイオードDbに電流が流れてしまい、太陽電池モジュールMには逆バイアス電圧が印加されないことになってしまう。そうなると、当然に、太陽電池アレイ1の光劣化の回復ができなくなってしまうという問題がある。
【0009】
本発明は、バイパスダイオードを有するものにおいても、太陽電池モジュールの光劣化回復を良好に行えるようにすることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1にかかわる発明は、太陽電池モジュールに対して逆バイアス電圧を印加して光劣化回復を行う太陽光発電用電力変換装置であって、前記太陽電池モジュールにバイパスダイオードが並列接続されており、逆バイアス電圧印加時にはバイパスダイオードを切り離すことで、逆バイアス電圧による電流が太陽電池モジュールをバイパス的に素通りすることはなく、逆バイアス電圧を確実に対象とする太陽電池モジュールに印加させることができ、ほぼ初期状態への光劣化回復を良好に行うことができる。
【0011】
請求項2にかかわる発明は、バイパスダイオードに直列に開閉手段が挿入されており、逆バイアス電圧印加時に前記開閉手段を開くように構成してあるもので、比較的簡単な構成をもって上記の作用を発揮させる。
【0012】
請求項3にかかわる発明は、光劣化回復の対象とする太陽電池モジュールに対して逆バイアス電圧として残りの太陽電池モジュールが太陽光発電した電力を用いるように構成したもので、太陽光の照射がある状態で、太陽光発電による電力自体で逆バイアス電圧をまかなうことができる。
【0013】
請求項4にかかわる発明は、太陽電池モジュールがアモルファスシリコン薄膜太陽電池であり、光劣化回復が必要なアモルファスシリコン薄膜太陽電池を用いる太陽光発電用電力変換装置に好適である。
【0014】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態1〕
図1は本発明の実施の形態1にかかわる太陽光発電用電力変換装置の構成図である。太陽電池モジュールとしてはアモルファスシリコン薄膜太陽電池を用いるものとする。第1の太陽電池アレイ11 は複数の太陽電池モジュールM11,M12,M13,M14を直列接続してなるものであり、太陽電池モジュールM11にはバイパスダイオードD11とリレー接点r11との直列体が並列接続され、太陽電池モジュールM12にはバイパスダイオードD12とリレー接点r12との直列体が並列接続され、太陽電池モジュールM13にはバイパスダイオードD13とリレー接点r13との直列体が並列接続され、太陽電池モジュールM14にはバイパスダイオードD14とリレー接点r14との直列体が並列接続されている。各リレー接点r11〜r14はノーマリーオンのb接点方式である。各リレー接点r11〜r14はそれぞれリレーコイルR11〜R14によって独立に制御されるようになっている。各リレーコイルR11〜R14の一端は太陽電池アレイ11 の高電位側の出力端子211に接続され、他端は個別のリレーC11〜C14を介して制御回路7の高電位側の電源端子VBBに接続されている。また、各リレーC11〜C14は制御回路7からのリレー制御信号T11〜T14によって独立に制御されるようになっている。リレーC11〜C14は系統連系インバータ9に含まれている。
【0015】
図示は省略しているが、第2の太陽電池アレイ12 も同様に構成されている。すなわち、上記の説明において、サフィックスの“1 ”,“11”,“12”,“13”,“14”の代わりに“2 ”,“21”,“22”,“23”,“24”と置き換えると、同一の説明文で示されるような構成となっている。第nの太陽電池アレイ1nも同様に構成されている。すなわち、上記の説明において、サフィックスの“1”,“11”,“12”,“13”,“14”の代わりに“n ”,“n1”,“n2”,“n3”,“n4”と置き換えると、同一の説明文で示されるような構成となっている。さらに、図示はしていないが、第3ないし第n−1の各太陽電池アレイについても同様の構成となっている。
【0016】
各太陽電池アレイ11 〜1n の高電位側の出力端子211〜2n1はそれぞれ逆流防止ダイオード31 〜3n およびトランスファ形式のリレーA1 〜An を介して系統連系インバータ9におけるインバータ主回路6の高電位側電源入力ライン6aに接続されている。また、各太陽電池アレイ11 〜1n の低電位側の出力端子212〜2n2はそれぞれトランスファ形式のリレーB1 〜Bn を介してインバータ主回路6の低電位側電源入力ライン6bに接続されている。各リレーA1 〜Anの接点aどうしを共通に結ぶラインが高電位側電源ライン11aであり、この高電位側電源ライン11aはインバータ主回路6の高電位側電源入力ライン6aに接続されている。各リレーB1 〜Bn の接点aどうしを共通に結ぶラインが低電位側電源ライン11bであり、この低電位側電源ライン11bはインバータ主回路6の低電位側電源入力ライン6bに接続されている。
【0017】
各太陽電池アレイを他の太陽電池アレイ群の太陽光発電の直流電力によって逆バイアスできるようにするため、各リレーB1 〜Bn の接点bは高電位側電源ライン11aに接続され、また、各リレーA1 〜An の接点bは低電位側電源ライン11bに接続されている。
【0018】
対のリレーA1 ,B1 は連動リレーに構成され、制御回路7からのリレー制御信号R1 によってコントロールされるようになっている。また、対のリレーA2,B2 は連動リレーに構成され、制御回路7からのリレー制御信号R2 によってコントロールされるようになっている。以下同様にして、対のリレーAn ,Bnも連動リレーに構成され、制御回路7からのリレー制御信号Rn によってコントロールされるようになっている。
【0019】
系統連系インバータ9は、インバータ主回路6と、このインバータ主回路6における電流波形制御、最大電力追従制御、連系保護制御等々を実行する制御回路7と、カレンダー回路10と、すでに説明した逆流防止ダイオード31 〜3n と、リレーA1 〜An 、リレーB1 〜Bn 、リレーC11〜Cn4などから構成されている。系統連系インバータ9におけるインバータ主回路6の出力側は商用系統5と連系運転可能に接続されている。
【0020】
次に、動作を説明する。リレーA1 〜An およびリレーB1 〜Bn がすべて接点a側に接続されている状態では、すべての太陽電池アレイ11 〜1n がインバータ主回路6に対して並列接続の状態となるが、各太陽電池アレイ11 〜1n に太陽光が照射することにより、各太陽電池アレイ11 〜1n に発生した直流電圧が逆流防止ダイオード31 〜3n を介してインバータ主回路6に供給される。制御回路7は、インバータ主回路6における電流波形制御、最大電力追従制御、連系保護制御等々を実行することにより、商用系統5との系統運転を行う。
【0021】
いま、太陽電池アレイ11 〜1n の光劣化を回復しようとする。手動により光劣化回復スイッチ12をオンにすると、第1の太陽電池アレイ11 についての連動型のリレーA1 ,B1 に対して制御回路7からリレー制御信号R1 を送出し、リレーA1 ,B1 をそれぞれ接点b側に切り換える。すると、第1の太陽電池アレイ11 の高電位側の出力端子211はインバータ主回路6の高電位側電源入力ライン6aおよび高電位側電源ライン11aから切り離されるとともに、低電位側の出力端子212は低電位側電源入力ライン6bおよび低電位側電源ライン11bから切り離され、低電位側の出力端子212は他の太陽電池アレイ群についてのリレーA2 〜An の接点aにつながっている高電位側電源ライン11aに接続され、高電位側の出力端子211は他の太陽電池アレイ群についてのリレーB2 〜Bnの接点bにつながっている低電位側電源ライン11bに接続され、第1の太陽電池アレイ11 は逆バイアスの状態となる。ただし、第1の太陽電池アレイ11 において、各太陽電池モジュールM11〜M14にそれぞれ並列接続のリレー接点r11〜r14のいずれもがオンの状態のままであると、逆バイアス電圧により高電位に反転された低電位側の出力端子212から入力した電流はバイパスダイオードD11〜D14を介して低電位に反転された高電位側の出力端子211へと短絡的に流れてしまい、いずれの太陽電池モジュールM11〜M14に対しても逆バイアスが印加されず、したがって、光劣化の回復はなされないことになる。そこで、本実施の形態1においては、制御回路7よりリレーC11に対してリレー制御信号T11を送出してリレーC11をオンにし、第1のリレーコイルR11を制御回路7の電源端子VBBに接続する。電源端子VBBからの電流がリレーC11を介して第1のリレーコイルR11を通ってこのリレーコイルR11を励磁し、低電位に反転された高電位側の出力端子211へと流れる結果、第1の太陽電池モジュールM11に並列接続のリレー接点r11がオフにされ、このリレー接点r11に直列接続のバイパスダイオードD11が第1の太陽電池モジュールM11から切り離されることになる。したがって、第1の太陽電池アレイ11 以外の太陽電池アレイ群の太陽光発電による直流電圧による電流が、高電位側電源ライン11a→リレーB1 の接点b→第1の太陽電池アレイ11 の第1の太陽電池モジュールM11→オン状態にあるリレー接点r12およびバイパスダイオードD12→オン状態にあるリレー接点r13およびバイパスダイオードD13→オン状態にあるリレー接点r14およびバイパスダイオードD14→低電位に反転された高電位側の出力端子211→逆流防止ダイオード31 →リレーA1 の接点b→低電位側電源ライン11bの経路で流れ、第1の太陽電池モジュールM11に逆バイアス電圧が印加されるため、この第1の太陽電池モジュールM11の光劣化が回復される。
【0022】
次いで、制御回路7はリレー制御信号T11を遮断してリレーコイルR11を消磁することでリレー接点r11をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーC12に対してリレー制御信号T12を送出してリレーC12をオンにし、第2のリレーコイルR12を励磁する。これにより、第2の太陽電池モジュールM12に並列接続のリレー接点r12がオフにされ、バイパスダイオードD12が第2の太陽電池モジュールM12から切り離され、第2の太陽電池モジュールM12に逆バイアス電圧が印加されるため、この第2の太陽電池モジュールM12の光劣化が回復される。次いで、制御回路7はリレー制御信号T12を遮断してリレー接点r12をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーC13に対してリレー制御信号T13を送出してリレーC13をオンにし、第3のリレーコイルR13を励磁することにより、リレー接点r13がオフにされ、バイパスダイオードD13が第3の太陽電池モジュールM13から切り離され、第3の太陽電池モジュールM13に逆バイアス電圧が印加されるため、この第3の太陽電池モジュールM13の光劣化が回復される。さらに、制御回路7はリレー制御信号T13を遮断してリレー接点r13をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーC14に対してリレー制御信号T14を送出してリレーC14をオンにし、第4のリレーコイルR14を励磁することにより、リレー接点r14がオフにされ、バイパスダイオードD14が第4の太陽電池モジュールM14から切り離され、第4の太陽電池モジュールM14に逆バイアス電圧が印加されるため、この第4の太陽電池モジュールM14の光劣化が回復される。その後、リレー制御信号T14を遮断してリレーC14をオン状態に復帰させるとともに、リレー制御信号R1 を遮断して対のリレーA1 ,B1 をそれぞれ接点a側に復帰させる。以上のようにして、第1の太陽電池アレイ11 の太陽電池モジュールM11〜M14の光劣化の回復が完了する。次いでは、図示しない第2の太陽電池アレイ12 の各太陽電池モジュールM21〜M24についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。以下同様にして各太陽電池アレイの各太陽電池モジュールに対して同様の順次的な光劣化回復を行い、最後に、第nの太陽電池アレイ1n の各太陽電池モジュールMn1〜Mn4についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。いずれの場合も、光劣化回復の対象となる太陽電池アレイに対する逆バイアス電圧は光劣化回復対象以外の太陽電池アレイ群の太陽光発電による直流電圧によってまかなわれる。また、光劣化回復は、光劣化回復対象の太陽電池アレイが太陽光の照射を受けていることを条件とする。太陽光発電による直流電力に余裕があれば、光劣化回復動作時に、並列アレイ出力が逆バイアスに必要な最低限の電圧値に低下するまでの範囲内で、インバータ主回路6にも直流電力を供給して商用系統5との連系運転を行うようにすることも可能である。
【0023】
カレンダー回路10による定期的光劣化回復も可能となっている。カレンダー回路10はあらかじめ登録されている所定の日時に逆バイアス印加指令Sを制御回路7に出力する。逆バイアス印加指令Sを受けた制御回路7は所定期間にわたって、上記と同様の動作によりすべての太陽電池モジュールの光劣化回復を行う。このとき、制御回路7は所定の逆バイアス電圧が得られるレベルまでインバータ出力を低下させるようにインバータ主回路6を制御する。カレンダー回路10はメモリ機能を有し、逆バイアス印加指令を出力する時間帯を日射の少ない朝夕の時刻を季節に応じて設定することができる。
【0024】
なお、すべての太陽電池モジュールはアモルファスシリコン薄膜太陽電池の場合のほか、結晶薄膜系太陽電池や他の薄膜系太陽電池であってもよい。結線の切り換え手段としてリレーを用いる代わりに、半導体スイッチなどのアナログスイッチを用いてもよい。リレーコイルR11〜R14…Rn1〜Rn4の各一端を高電位側の出力端子211に接続することに代えて、制御回路7のグランドGNDに接続してもよい。
【0025】
〔実施の形態2〕
実施の形態1の構成を前提として、太陽電池アレイ1j (j=1,2…n)の各太陽電池モジュールMj1〜Mj4に対してを個別的に逆バイアス電圧を印加することに代えて、すべての太陽電池モジュールMj1〜Mj4に対して同時に逆バイアス電圧を印加してもよい。図2はその構成の要部を示す。リレーコイルRj1〜Rj4を直列に接続し、1つのリレーCj によってオン/オフ制御するように構成してある。
【0026】
〔実施の形態3〕
実施の形態3にかかわる太陽光発電用電力変換装置は、個々の太陽電池アレイ1j (j=1,2…n)をm個の太陽電池ストリングスの並列接続体とするものである。図3はj番目の1つの太陽電池アレイ1j の構成を示す。太陽電池アレイ1j は第1から第mまでのm個の太陽電池ストリングスSj1〜Sjmで構成されている。このうち、第1の太陽電池ストリングスSj1と第mの太陽電池ストリングスSjmのみを図示し、あとは図示を省略している。第1の太陽電池ストリングスSj1は、複数の太陽電池モジュールMj11 ,Mj12 ,Mj13 ,Mj14 および逆流防止ダイオードDDj1を直列接続してなるものであり、第mの太陽電池ストリングスSjmは、複数の太陽電池モジュールMjm1 ,Mjm2 ,Mjm3 ,Mjm4 および逆流防止ダイオードDDjmを直列接続してなるものである。太陽電池モジュールMj11 ,Mj12 ,Mj13 ,Mj14 群は逆流防止ダイオードDDj1を介して高電位側電源出力ライン13aに接続され、第1の太陽電池モジュールMj11 の一端は低電位側電源出力ライン13bに接続されている。太陽電池モジュールMjm1,Mjm2 ,Mjm3 ,Mjm4 群は逆流防止ダイオードDDjmを介して高電位側電源出力ライン13aに接続され、第1の太陽電池モジュールMjm1 の一端は低電位側電源出力ライン13bに接続されている。太陽電池モジュールMj11 にはバイパスダイオードDj11 とリレー接点rj11 との直列体が並列接続され、太陽電池モジュールMj12 にはバイパスダイオードDj12 とリレー接点rj12 との直列体が並列接続され、太陽電池モジュールMj13 にはバイパスダイオードDj13 とリレー接点rj13 との直列体が並列接続され、太陽電池モジュールMj14 にはバイパスダイオードDj14 とリレー接点rj14 との直列体が並列接続されている。各リレー接点rj11 〜rj14 はノーマリーオンのb接点方式である。各リレー接点rj11 〜rj14 はそれぞれリレーコイルRj11 〜Rj14 によって独立に制御されるようになっている。各リレーコイルRj11 〜Rj14 の一端は太陽電池アレイ1j の高電位側電源出力ライン13aに接続され、他端は個別のリレーCj1〜Cj4を介して制御回路7の高電位側の電源端子VBBに接続されている。また、各リレーCj1〜Cj4は制御回路7からのリレー制御信号Tj1〜Tj4によって独立に制御されるようになっている。リレーCj1〜Cj4は系統連系インバータ9に含まれている。あとの太陽電池ストリングスにおいても同様となっている。第mの太陽電池ストリングスSjmについては、上記の説明において、サフィックスの“j1”,“j11 ”,“j12 ”,“j13 ”,“j14 ”の代わりに“jm”,“jm1 ”,“jm2”,“jm3 ”,“jm4 ”と置き換えると、同一の説明文で示されるような構成となっている。
【0027】
図4は以上のような構成の太陽電池アレイ1j (j=1,2…n)をn個並列に接続した太陽光発電用電力変換装置の全体の構成を示す。その他の構成については基本的に実施の形態1(図1)と同様であるので、説明を省略する。
【0028】
次に、動作を説明する。リレーA1 〜An およびリレーB1 〜Bn がすべて接点a側に接続されている状態では、すべてのストリングス構成の太陽電池アレイ11 〜1n がインバータ主回路6に対して並列接続の状態となるが、各ストリングス構成の太陽電池アレイ11 〜1n に太陽光が照射することにより、各太陽電池アレイ11 〜1n に発生した直流電圧が逆流防止ダイオード31 〜3n を介してインバータ主回路6に供給される。制御回路7は、インバータ主回路6における電流波形制御、最大電力追従制御、連系保護制御等々を実行することにより、商用系統5との系統運転を行う。
【0029】
次に、光劣化回復の動作について説明する。実施の形態1の場合と同様に1つずつの太陽電池アレイを順次に光劣化回復するとともに、その1つの太陽電池アレイでは個々の太陽電池ストリングスにおいて1つずつの太陽電池モジュールに逆バイアス電圧を印加するのであるが、本実施の形態2の特徴は、1つの太陽電池アレイ1j での光劣化回復においては、複数の太陽電池ストリングスSj1〜Sjmにおいては、同一順位の各太陽電池モジュールに対して同時に逆バイアス電圧を印加するようになっている。
【0030】
いま、太陽電池アレイ11 〜1n の光劣化を回復しようとする。手動により光劣化回復スイッチ12をオンにすると、第1の太陽電池アレイ11 についての連動型のリレーA1 ,B1 に対して制御回路7からリレー制御信号R1 を送出し、リレーA1 ,B1 をそれぞれ接点b側に切り換える。すると、第1の太陽電池アレイ11 の高電位側電源出力ライン13aはインバータ主回路6の高電位側電源入力ライン6aおよび高電位側電源ライン11aから切り離されるとともに、低電位側電源出力ライン13bは低電位側電源入力ライン6bおよび低電位側電源ライン11bから切り離され、低電位側電源出力ライン13bは他の太陽電池アレイ群についてのリレーA2 〜An の接点aにつながっている高電位側電源ライン11aに接続され、高電位側電源出力ライン13aは他の太陽電池アレイ群についてのリレーB2 〜Bn の接点bにつながっている低電位側電源ライン11bに接続され、第1の太陽電池アレイ11 は逆バイアスの状態となる。次いで、制御回路7よりリレーC11に対してリレー制御信号T11を送出してリレーC11をオンにし、第1から第mまでのすべての太陽電池ストリングスSj1〜Sjmの第1のリレーコイルR111 〜R1m1 を制御回路7の電源端子VBBに接続する。電源端子VBBからの電流がリレーC11を介してすべての第1のリレーコイルR111 〜R1m1 を通ってこのリレーコイルR111 〜R1m1 を励磁し、低電位に反転された高電位側電源出力ライン13aへと流れる結果、すべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に並列接続のリレー接点r111 〜r1m1 がオフにされ、このリレー接点r111 〜r1m1 に直列接続のバイパスダイオードD111 〜D1m1 が第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 から切り離されることになる。したがって、第1の太陽電池アレイ11 以外の太陽電池アレイ群の太陽光発電による直流電圧による電流が、高電位側電源ライン11a→リレーB1 の接点b→第1の太陽電池アレイ11 のすべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 →オン状態にあるリレー接点r112 〜r1m2 およびバイパスダイオードD112 〜D1m2 →オン状態にあるリレー接点r113 〜r1m3 およびバイパスダイオードD113 〜D1m3→オン状態にあるリレー接点r114 〜r1m4 およびバイパスダイオードD114 〜D1m4 →逆流防止ダイオードDD11〜DD1m→低電位に反転された高電位側電源出力ライン13a→逆流防止ダイオード31 →リレーA1 の接点b→低電位側電源ライン11bの経路で流れ、すべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に同時に逆バイアス電圧が印加されるため、この第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 の光劣化が回復される。
【0031】
次いで、制御回路7はリレー制御信号T11を遮断してリレーコイルR111 〜R1m1 を消磁することでリレー接点r111 〜r1m1 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーC12に対してリレー制御信号T12を送出してリレーC12をオンにし、すべての第2のリレーコイルR112 〜R1m2 を励磁する。これにより、第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に並列接続のリレー接点r112 〜r1m2 がオフにされ、バイパスダイオードD112 〜D1m2 が第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 から切り離され、すべての第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 の光劣化が回復される。次いで、制御回路7はリレー制御信号T12を遮断してリレー接点r112 〜r1m2 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーC13に対してリレー制御信号T13を送出してリレーC13をオンにし、第3のリレーコイルR113 〜R1m3 を励磁することにより、リレー接点r113 〜r1m3 がオフにされ、バイパスダイオードD113 〜D1m3 が第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 から切り離され、すべての第3の太陽電池モジュールM113〜M1m3 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 の光劣化が回復される。さらに、制御回路7はリレー制御信号T13を遮断してリレー接点r113 〜r1m3 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーC14に対してリレー制御信号T14を送出してリレーC14をオンにし、第4のリレーコイルR114 〜R1m4 を励磁することにより、リレー接点r114 〜r1m4 がオフにされ、バイパスダイオードD114 〜D1m4 が第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 から切り離され、すべての第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 の光劣化が回復される。その後、リレー制御信号T14を遮断してリレーC14をオン状態に復帰させるとともに、リレー制御信号R1 を遮断して対のリレーA1 ,B1 をそれぞれ接点a側に復帰させる。以上のようにして、第1の太陽電池アレイ11 の太陽電池モジュールM111 〜M114 …M1m1 〜M1m4 の光劣化の回復が完了する。次いでは、第2の太陽電池アレイ12の各太陽電池モジュールM211 〜M214 …M2m1 〜M2m4 についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。以下同様にして各太陽電池アレイの各太陽電池モジュールに対して同様の順次的な光劣化回復を行い、最後に、第nの太陽電池アレイ1n の各太陽電池モジュールMn11 〜Mn14 …Mnm1 〜Mnm4 についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。カレンダー回路10による動作は実施の形態1の場合と同様である。
【0032】
なお、すべての太陽電池モジュールMj11 〜Mj14 に対して実施の形態2の構成と同様に直列接続のリレーコイルRj11 〜Rj14 を用いてもよいし、同様に、すべての太陽電池モジュールMjm1 〜Mjm4 に対して実施の形態2の構成と同様に直列接続のリレーコイルRjm1 〜Rjm4 を用いてもよい。
【0033】
〔実施の形態4〕
図5は図3の太陽電池アレイ1j における1つの太陽電池ストリングスSj1に対応している。逆流防止ダイオード3j のアノードに接続されるべき高電位側電源出力ライン13aとリレーBj に接続されるべき低電位側電源出力ライン13bとがストリングスコネクタ14a,14b間を結線する状態で配電ボックス15に配線されている。第1の太陽電池モジュールMj11 のカソードKがモジュールコネクタ16aの負極端子(○−)を介して低電位側電源出力ライン13bに接続されている。第1の太陽電池モジュールMj11 のアノードAがモジュールコネクタ16aの正極端子(○+)を介してモジュールコネクタ16bの負極端子(○−)に接続されている。なお、「○+」、「○−」は明細書記述上の制約から便宜的に使っているもので、図では“○の中に+の記号が描かれたもの”、“○の中に−の記号が描かれたもの”に相当している。モジュールコネクタ16bの負極端子(○−)は第2の太陽電池モジュールMj12 のカソードKに接続され、第2の太陽電池モジュールMj12 のアノードAがモジュールコネクタ16bの正極端子(○+)を介してモジュールコネクタ16cの負極端子(○−)に接続されている。モジュールコネクタ16cの負極端子(○−)は第3の太陽電池モジュールMj13 のカソードKに接続され、第3の太陽電池モジュールMj13 のアノードAがモジュールコネクタ16cの正極端子(○+)を介してモジュールコネクタ16dの負極端子(○−)に接続されている。モジュールコネクタ16dの負極端子(○−)は第4の太陽電池モジュールMj14 のカソードKに接続され、第4の太陽電池モジュールMj14 のアノードAがモジュールコネクタ16dの正極端子(○+)を介して逆流防止ダイオードDDj1のアノードに接続され、逆流防止ダイオードDDj1のカソードが配電ボックス15内の高電位側電源出力ライン13aに接続されている。
【0034】
第1の太陽電池モジュールMj11 にはバイパスダイオードDj11 とリレー接点rj11 との直列体が並列接続され、第2の太陽電池モジュールMj12 にはバイパスダイオードDj12 とリレー接点rj12 との直列体が並列接続され、第3の太陽電池モジュールMj13 にはバイパスダイオードDj13 とリレー接点rj13 との直列体が並列接続され、第4の太陽電池モジュールMj14 にはバイパスダイオードDj14 とリレー接点rj14 との直列体が並列接続されている。各リレー接点rj11 〜rj14 はノーマリーオンのb接点方式である。各リレー接点rj11 〜rj14はそれぞれリレーコイルRj11 〜Rj14 によって独立に制御されるようになっている。各リレーコイルRj11 〜Rj14 の一端は太陽電池ストリングスSj1の高電位側電源出力ライン13aに接続され、他端は配電ボックス15内でストリングスコネクタ14a,14b間にわたって配線された4本の制御信号ライン17a〜17dにそれぞれ接続され、各制御信号ライン17a〜17dは個別のリレーCj1〜Cj4を介して制御回路7の高電位側の電源端子VBBに接続されている。また、各リレーCj1〜Cj4は制御回路7からのリレー制御信号Tj1〜Tj4によって独立に制御されるようになっている。リレーCj1〜Cj4は系統連系インバータ9に含まれている。あとの太陽電池ストリングスにおいても同様となっている。
【0035】
図6は以上のような構成の太陽電池ストリングスSj1をm個並列接続してなる太陽電池アレイ1j をさらに並列接続した太陽光発電用電力変換装置の全体の構成を示す。太陽電池ストリングスSj1〜Sjmの並列接続体よりなる太陽電池アレイ1j の構成は基本的には実施の形態3(図3)と同じである。系統連系インバータ9との接続構成については基本的に実施の形態3(図4)と同様である。すなわち、各太陽電池アレイ11 〜1n の高電位側電源出力ライン13aとつながる高電位側電源出力ライン18aと低電位側電源出力ライン13bとつながる低電位側電源出力ライン18bはそれぞれ系統連系インバータ9に接続されている。系統連系インバータ9は、インバータ主回路6と、このインバータ主回路6における電流波形制御、最大電力追従制御、連系保護制御等々を実行する制御回路7と、カレンダー回路10と、複数の逆流防止ダイオード31 〜3n と、複数のリレーA1 〜An とリレーB1 〜Bn と、リレーC11〜C14…Cn1〜Cn4などから構成されている。
【0036】
各高電位側電源出力ライン18aが逆流防止ダイオード31 〜3n を介してリレーA1 〜An のコモン端子に接続され、そのリレーの接点aがインバータ主回路6の高電位側電源入力ライン6aに接続されている。各低電位側電源出力ライン18bがリレーB1 〜Bn のコモン端子に接続され、そのリレーの接点aがインバータ主回路6の低電位側電源入力ライン6bに接続されている。
【0037】
次に、動作を説明する。リレーA1 〜An およびリレーB1 〜Bn がすべて接点a側に接続されている状態では、すべてのストリングス構成の太陽電池アレイ11 〜1n がインバータ主回路6に対して並列接続の状態となるが、各ストリングス構成の太陽電池アレイ11 〜1n に太陽光が照射することにより、各太陽電池アレイ11 〜1n に発生した直流電圧が逆流防止ダイオード31 〜3n を介してインバータ主回路6に供給される。制御回路7は、インバータ主回路6における電流波形制御、最大電力追従制御、連系保護制御等々を実行することにより、商用系統5との系統運転を行う。
【0038】
次に、光劣化回復の動作について説明する。実施の形態3の場合と同様に1つずつの太陽電池アレイを順次に光劣化回復するとともに、その1つの太陽電池アレイでは個々の太陽電池ストリングスにおいて1つずつの太陽電池モジュールに逆バイアス電圧を印加するのであるが、本実施の形態4は実施の形態3の場合と同様に、1つの太陽電池アレイ1j での光劣化回復においては、複数の太陽電池ストリングスSj1〜Sjmにおいては、同一順位の各太陽電池モジュールに対して同時に逆バイアス電圧を印加するようになっている。
【0039】
いま、太陽電池アレイ11 〜1n の光劣化を回復しようとする。手動により光劣化回復スイッチ12をオンにすると、第1の太陽電池アレイ11 についての連動型のリレーA1 ,B1 に対して制御回路7からリレー制御信号R1 を送出し、リレーA1 ,B1 をそれぞれ接点b側に切り換える。すると、第1の太陽電池アレイ11 の高電位側電源出力ライン18aはインバータ主回路6の高電位側電源入力ライン6aから切り離されるとともに、低電位側電源出力ライン18bは低電位側電源入力ライン6bから切り離され、低電位側電源出力ライン18bは他の太陽電池アレイ群についてのリレーA2 ,B2 〜An ,Bn の接点aにつながっている高電位側電源ライン11aに接続され、高電位側電源出力ライン13aは他の太陽電池アレイ群についてのリレーA2 〜An の接点bにつながっている低電位側電源ライン11bに接続され、第1の太陽電池アレイ11 は逆バイアスの状態となる。次いで、制御回路7よりリレーC11に対してリレー制御信号T11を送出してリレーC11をオンにし、第1から第mまでのすべての太陽電池ストリングスS11〜S1mの第1のリレーコイルR111 〜R1m1 を制御回路7の電源端子VBBに接続する。電源端子VBBからの電流がリレーC11を介してすべての第1のリレーコイルR111 〜R1m1 を通ってこのリレーコイルR111 〜R1m1 を励磁し、低電位に反転された高電位側電源出力ライン13aへと流れる結果、すべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に並列接続のリレー接点r111 〜r1m1 がオフにされ、このリレー接点r111 〜r1m1 に直列接続のバイパスダイオードD111 〜D1m1 が第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 から切り離されることになる。したがって、第1の太陽電池アレイ11 以外の太陽電池アレイ群の太陽光発電による直流電圧による電流が、高電位側電源ライン11a→リレーB1 の接点b→第1の太陽電池アレイ11 の高電位に反転された低電位側電源出力ライン18b→各太陽電池ストリングスS11〜S1mの高電位に反転された低電位側電源出力ライン13b→第1の太陽電池アレイ11 のすべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 →オン状態にあるリレー接点r112 〜r1m2 およびバイパスダイオードD112 〜D1m2 →オン状態にあるリレー接点r113 〜r1m3 およびバイパスダイオードD113 〜D1m3 →オン状態にあるリレー接点r114 〜r1m4 およびバイパスダイオードD114 〜D1m4 →各太陽電池ストリングスS11〜S1mの低電位に反転された高電位側電源出力ライン13a→第1の太陽電池アレイ11 の低電位に反転された高電位側電源出力ライン18a→逆流防止ダイオード31 →リレーA1 の接点b→低電位側電源ライン11bの経路で流れることになり、すべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に同時に逆バイアス電圧が印加されるため、この第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 の光劣化が回復される。
【0040】
次いで、制御回路7はリレー制御信号T11を遮断してリレーコイルR111 〜R1m1 を消磁することでリレー接点r111 〜r1m1 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーC12に対してリレー制御信号T12を送出してリレーC12をオンにし、すべての第2のリレーコイルR112 〜R1m2 を励磁する。これにより、第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に並列接続のリレー接点r112 〜r1m2 がオフにされ、バイパスダイオードD112 〜D1m2 が第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 から切り離され、すべての第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 の光劣化が回復される。次いで、制御回路7はリレー制御信号T12を遮断してリレー接点r112 〜r1m2 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーC13に対してリレー制御信号T13を送出してリレーC13をオンにし、第3のリレーコイルR113 〜R1m3 を励磁することにより、リレー接点r113 〜r1m3 がオフにされ、バイパスダイオードD113 〜D1m3 が第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 から切り離され、すべての第3の太陽電池モジュールM113〜M1m3 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 の光劣化が回復される。さらに、制御回路7はリレー制御信号T13を遮断してリレー接点r113 〜r1m3 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーC14に対してリレー制御信号T14を送出してリレーC14をオンにし、第4のリレーコイルR114 〜R1m4 を励磁することにより、リレー接点r114 〜r1m4 がオフにされ、バイパスダイオードD114 〜D1m4 が第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 から切り離され、すべての第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 の光劣化が回復される。その後、リレー制御信号T14を遮断してリレーC14をオン状態に復帰させるとともに、リレー制御信号R111 を遮断して対のリレーA1 ,B1 をそれぞれ接点a側に復帰させる。以上のようにして、第1の太陽電池アレイ11 の太陽電池モジュールM111 〜M114 …M1m1 〜M1m4 の光劣化の回復が完了する。次いでは、第2の太陽電池アレイ12 の各太陽電池モジュールM211 〜M214 …M2m1 〜M2m4 についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。以下同様にして各太陽電池アレイの各太陽電池モジュールに対して同様の順次的な光劣化回復を行い、最後に、第nの太陽電池アレイ1n の各太陽電池モジュールMn11 〜Mn14 …Mnm1 〜Mnm4 についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。カレンダー回路10による動作は実施の形態1の場合と同様である。
【0041】
〔実施の形態5〕
実施の形態5は、配電ボックスにおける制御信号ラインを3本とするものである。すなわち、それは、図7に示すように、配電ボックス15内に配線した3つの制御信号ライン19a〜19cである。図7は図3の太陽電池アレイ1j における1つの太陽電池ストリングスSj1に対応している。配電ボックス15内でストリングスコネクタ14a,14b間にわたって制御信号ライン19a〜19cが配線されている。リレーコイルRj11 の一端は第1の制御信号ライン19aに接続され、他端は逆流防止ダイオードdj11 を介して第2の制御信号ライン19bに接続されている。リレーコイルRj12 の一端は第2の制御信号ライン19bに接続され、他端は逆流防止ダイオードdj12 を介して第1の制御信号ライン19aに接続されている。リレーコイルRj13 の一端は第3の制御信号ライン19cに接続され、他端は逆流防止ダイオードdj13 を介して第2の制御信号ライン19bに接続されている。リレーコイルRj14 の一端は第2の制御信号ライン19bに接続され、他端は逆流防止ダイオードdj14 を介して第3の制御信号ライン19cに接続されている。各制御信号ライン19a〜19cは個別のリレーEj1,Fj1〜Ej4,Fj4を介して制御回路7の高電位側の電源端子VBBおよび低電位側のグランドGNDに接続されている。また、各リレーEj1,Fj1〜Ej4,Fj4は制御回路7からのリレー制御信号Tj1〜Tj4によって独立に制御されるようになっている。リレーEj1,Fj1〜Ej4,Fj4は系統連系インバータ9に含まれている。あとの太陽電池ストリングスにおいても同様となっている。
【0042】
図6と同様にして、以上のような構成の太陽電池ストリングスSj1がm個並列接続してなる太陽電池アレイ1j をさらに並列接続した太陽光発電用電力変換装置が構成されている。太陽電池ストリングスSj1〜Sjmの並列接続体よりなる太陽電池アレイ1j の構成は基本的には実施の形態3(図3)と同じである。系統連系インバータ9との接続構成については基本的に実施の形態3(図4)と同様である。
【0043】
いま、太陽電池アレイ11 〜1n の光劣化を回復しようとする。手動により光劣化回復スイッチ12をオンにすると、第1の太陽電池アレイ11 についての連動型のリレーA1 ,B1 に対して制御回路7からリレー制御信号R1 を送出し、リレーA1 ,B1 をそれぞれ接点b側に切り換える。すると、第1の太陽電池アレイ11 は逆バイアスの状態となる。次いで、制御回路7よりリレーE11,F11に対してリレー制御信号T11を送出してリレーE11,F11をオンにし、第1から第mまでのすべての太陽電池ストリングスS11〜S1mの第1のリレーコイルR111 〜R1m1 を制御回路7の電源端子VBBとグランドGNDとの間に接続する。電源端子VBBからの電流がリレーE11、制御信号ライン19aを介してすべての第1のリレーコイルR111 〜R1m1 を通ってこのリレーコイルR111 〜R1m1 を励磁し、逆流防止ダイオードd11〜d1mより制御信号ライン19bを経て、リレーF11を介してグランドGNDへと流れる結果、すべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に並列接続のリレー接点r111 〜r1m1 がオフにされ、このリレー接点r111 〜r1m1 に直列接続のバイパスダイオードD111 〜D1m1 が第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 から切り離されることになる。なお、制御信号ライン19aから第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に対しては逆流防止ダイオードd112 〜d1m2 の存在により電流は阻止される。この結果、すべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に同時に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 の光劣化が回復される。
【0044】
次いで、制御回路7はリレー制御信号T11を遮断してリレーコイルR111 〜R1m1 を消磁することでリレー接点r111 〜r1m1 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーE12,F12に対してリレー制御信号T12を送出してリレーE12,F12をオンにし、制御信号ライン19bから制御信号ライン19aに向かう電流によってすべての第2のリレーコイルR112 〜R1m2 を励磁する。これにより、第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に並列接続のリレー接点r112 〜r1m2 がオフにされ、バイパスダイオードD112 〜D1m2 が第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 から切り離され、すべての第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 の光劣化が回復される。なお、制御信号ライン19bから第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に対しては逆流防止ダイオードd111〜d1m1 の存在により電流は阻止され、また、第3の太陽電池モジュールM113〜M1m3 に対しては逆流防止ダイオードd113 〜d1m3 の存在により電流は阻止される。次いで、制御回路7はリレー制御信号T12を遮断してリレー接点r112〜r1m2 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーE13,F13に対してリレー制御信号T13を送出してリレーE13,F13をオンにし、制御信号ライン19cから制御信号ライン19bに向かう電流によってすべての第3のリレーコイルR113 〜R1m3 を励磁することにより、リレー接点r113 〜r1m3 がオフにされ、バイパスダイオードD113 〜D1m3 が第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3から切り離され、すべての第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 の光劣化が回復される。なお、制御信号ライン19cから第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 に対しては逆流防止ダイオードd114 〜d1m4 の存在により電流は阻止される。さらに、制御回路7はリレー制御信号T13を遮断してリレー接点r113 〜r1m3 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーE14,F14に対してリレー制御信号T14を送出してリレーE14,F14をオンにし、制御信号ライン19bから制御信号ライン19cに向かう電流によってすべての第4のリレーコイルR114 〜R1m4 を励磁することにより、リレー接点r114 〜r1m4がオフにされ、バイパスダイオードD114 〜D1m4 が第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 から切り離され、すべての第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 の光劣化が回復される。なお、制御信号ライン19bから第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 に対しては逆流防止ダイオードd113 〜d1m3 の存在により電流は阻止される。その後、リレー制御信号T14を遮断してリレーE14,F14をオン状態に復帰させるとともに、リレー制御信号R1 を遮断して対のリレーA1 ,B1 をそれぞれ接点a側に復帰させる。以上のようにして、第1の太陽電池アレイ11 の太陽電池モジュールM111 〜M114 …M1m1 〜M1m4 の光劣化の回復が完了する。次いでは、第2の太陽電池アレイ12 の各太陽電池モジュールM211 〜M214 …M2m1 〜M2m4 についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。以下同様にして各太陽電池アレイの各太陽電池モジュールに対して同様の順次的な光劣化回復を行い、最後に、第nの太陽電池アレイ1n の各太陽電池モジュールMn11 〜Mn14 …Mnm1 〜Mnm4 についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。カレンダー回路10による動作は実施の形態1の場合と同様である。
【0045】
〔実施の形態6〕
実施の形態6は、配電ボックスにおける制御信号ラインを2本のみとするものである。すなわち、それは、図8に示すように、配電ボックス15内に配線した2つの制御信号ライン20a,20bである。図8は図3の太陽電池アレイ1jにおける1つの太陽電池ストリングスSj1に対応している。配電ボックス15内でストリングスコネクタ14a,14b間にわたって制御信号ライン20a,20bが配線されている。リレーコイルRj11 の一端は第1の制御信号ライン20aに接続され、他端は逆流防止ダイオードdj11 を介して第2の制御信号ライン20bに接続されている。リレーコイルRj12 の一端は第2の制御信号ライン20bに接続され、他端は逆流防止ダイオードdj12 を介して第1の制御信号ライン20aに接続されている。リレーコイルRj13 の一端は第1の制御信号ライン20aに接続され、他端はNPN型のスイッチングトランジスタQj13 を介して高電位側電源出力ライン13aに接続されている。第1の制御信号ライン20aと第2の制御信号ライン20bとに2入力端子が接続されたアンドゲートANDj1の出力端子がスイッチングトランジスタQj13 のベースに接続されている。リレーコイルRj 14の一端は限流抵抗Rj1を介して低電位側電源出力ライン13bに接続され、他端はスイッチングトランジスタQj14 を介して高電位側電源出力ライン13aに接続されている。第1の制御信号ライン20aと第2の制御信号ライン20bとに2入力端子が接続されたノアゲートNORj1の出力端子がスイッチングトランジスタQj14 のベースに接続されている。各制御信号ライン20a,20bは個別のリレーGj1,Hj1〜Gj4,Hj4を介して制御回路7の高電位側の電源端子VBBおよび低電位側のグランドGNDに接続されている。また、各リレーGj1,Hj1〜Gj4,Hj4は制御回路7からのリレー制御信号Tj1〜Tj4によって独立に制御されるようになっている。リレーGj1,Hj1〜Gj4,Hj4は系統連系インバータ9に含まれている。あとの太陽電池ストリングスにおいても同様となっている。
【0046】
図6と同様にして、以上のような構成の太陽電池ストリングスSj1がm個並列接続してなる太陽電池アレイ1j をさらに並列接続した太陽光発電用電力変換装置が構成されている。太陽電池ストリングスSj1〜Sjmの並列接続体よりなる太陽電池アレイ1j の構成は基本的には実施の形態3(図3)と同じである。系統連系インバータ9との接続構成については基本的に実施の形態3(図4)と同様である。
【0047】
いま、太陽電池アレイ11 〜1n の光劣化を回復しようとする。手動により光劣化回復スイッチ12をオンにすると、第1の太陽電池アレイ11 についての連動型のリレーA1 ,B1 に対して制御回路7からリレー制御信号R1 を送出し、リレーA1 ,B1 をそれぞれ接点b側に切り換える。すると、第1の太陽電池アレイ11 は逆バイアスの状態となる。次いで、制御回路7よりリレーG11,H11に対してリレー制御信号T11を送出してリレーG11,H11をオンにし、第1から第mまでのすべての太陽電池ストリングスS11〜S1mの第1のリレーコイルR111 〜R1m1 を制御回路7の電源端子VBBとグランドGNDとの間に接続する。電源端子VBBからの電流がリレーG11、制御信号ライン20aを介してすべての第1のリレーコイルR111 〜R1m1 を通ってこのリレーコイルR111 〜R1m1 を励磁し、逆流防止ダイオードd11〜d1mより制御信号ライン20bからリレーH11を介してグランドGNDへと流れる結果、すべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に並列接続のリレー接点r111 〜r1m1 がオフにされ、このリレー接点r111 〜r1m1 に直列接続のバイパスダイオードD111 〜D1m1 が第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 から切り離されることになる。この結果、すべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に同時に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 の光劣化が回復される。なお、制御信号ライン20aから第2の太陽電池モジュールM112〜M1m2 に対しては逆流防止ダイオードd112 〜d1m2 の存在により電流は阻止される。また、アンドゲートAND11〜AND1mもノアゲートNOR11〜NOR1mも非導通であり、スイッチングトランジスタQ113 〜Q1m3 …Q114 〜Q1m4も非導通であるため、第3のリレーコイルR113 〜R1m3 、第4のリレーコイルR114 〜R1m4 には電流が流れない。
【0048】
次いで、制御回路7はリレー制御信号T11を遮断してリレーコイルR111 〜R1m1 を消磁することでリレー接点r111 〜r1m1 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーG12,H12に対してリレー制御信号T12を送出してリレーG12,H12をオンにし、制御信号ライン20bから制御信号ライン20aに向かう電流によってすべての第2のリレーコイルR112 〜R1m2 を励磁する。これにより、第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に並列接続のリレー接点r112 〜r1m2 がオフにされ、バイパスダイオードD112 〜D1m2 が第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 から切り離され、すべての第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 の光劣化が回復される。なお、制御信号ライン20bから第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に対しては逆流防止ダイオードd111〜d1m1 の存在により電流は阻止される。また、アンドゲートAND11〜AND1mもノアゲートNOR11〜NOR1mも非導通であり、スイッチングトランジスタQ113 〜Q1m3 …Q114 〜Q1m4 も非導通であるため、第3のリレーコイルR113 〜R1m3 、第4のリレーコイルR114 〜R1m4 には電流が流れない。次いで、制御回路7はリレー制御信号T12を遮断してリレー接点r112 〜r1m2 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーG13,H13に対してリレー制御信号T13を送出して、ともに電源端子VBBに接続されたリレーG13,H13をオンにし、アンドゲートAND11〜AND1mを導通させ、スイッチングトランジスタQ113 〜Q1m3 をオンにし、制御信号ライン20aから低電位に反転された高電位側電源出力ライン13aに向かう電流によってすべての第3のリレーコイルR113 〜R1m3 を励磁することにより、リレー接点r113 〜r1m3 がオフにされ、バイパスダイオードD113 〜D1m3 が第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 から切り離され、すべての第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 の光劣化が回復される。なお、また、ノアゲートNOR11〜NOR1mは非導通であり、スイッチングトランジスタQ114 〜Q1m4 が非導通であるため、第4のリレーコイルR114 〜R1m4 には電流が流れない。さらに、制御回路7はリレー制御信号T13を遮断してリレー接点r113 〜r1m3 をオン状態に復帰させるとともに、次のリレーG14,H14に対してリレー制御信号T14を送出して、ともにグランドGNDに接続されたリレーG14,H14をオンにし、ノアゲートNOR11〜NOR1mを導通させ、スイッチングトランジスタQ114 〜Q1m4 をオンにし、高電位に反転された低電位側電源出力ライン13bから低電位に反転された高電位側電源出力ライン13aに向かう電流によって限流抵抗R11〜R1mを介してすべての第4のリレーコイルR114 〜R1m4 を励磁することにより、リレー接点r114 〜r1m4 がオフにされ、バイパスダイオードD114 〜D1m4 が第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 から切り離され、すべての第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 に逆バイアス電圧が印加されるため、これらすべての第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 の光劣化が回復される。なお、アンドゲートAND11〜AND1mは非導通であり、スイッチングトランジスタQ113 〜Q1m3 が非導通であるため、第3のリレーコイルR113 〜R1m3 には電流が流れない。その後、リレー制御信号T14を遮断してリレーG14,H14をオン状態に復帰させるとともに、リレー制御信号R111 を遮断して対のリレーA1 ,B1 をそれぞれ接点a側に復帰させる。以上のようにして、第1の太陽電池アレイ11 の太陽電池モジュールM111 〜M114 …M1m1 〜M1m4 の光劣化の回復が完了する。次いでは、第2の太陽電池アレイ12の各太陽電池モジュールM211 〜M214 …M2m1 〜M1m4 についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。以下同様にして各太陽電池アレイの各太陽電池モジュールに対して同様の順次的な光劣化回復を行い、最後に、第nの太陽電池アレイ1n の各太陽電池モジュールMn11 〜Mn14 …Mnm1 〜Mnm4 についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。カレンダー回路10による動作は実施の形態1の場合と同様である。
【0049】
〔実施の形態7〕
実施の形態7は、実施の形態6の変形にかかわるもので、リレーに代えてアナログスイッチを用いるとともに、制御回路からは2ビットの制御信号を送出して、各アナログスイッチを制御するようにしたものである。図9に基づいて説明する。バイパスダイオードDj11 ,Dj12 ,Dj13 ,Dj14 のそれぞれに対して、リレー接点の代わりにスイッチングトランジスタqj11 ,qj12 ,qj13 ,qj14 を接続し、スイッチングトランジスタqj11 ,qj12 のベースにそれぞれスイッチングトランジスタqqj11 ,qqj12 を接続してあり、スイッチングトランジスタqj13 のベースにアンドゲートANDj1の出力端子を接続し、スイッチングトランジスタqj14 のベースにノアゲートNORj1の出力端子を接続してある。また、制御回路7の出力ポートP,Qにそれぞれ制御信号ライン20a,20bを接続してある。出力ポートP,Qは、(1,0)、(0,1)、(1,1)、(0,0)の4状態を取り得る。
【0050】
リレーA1 ,B1 を接点b側に切り換えた状態で、制御回路7の出力ポートP,Qを(1,0)とすると、スイッチングトランジスタqqj11 が導通し、スイッチングトランジスタqj11 が遮断され、第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に対して光劣化回復が行われる。このとき、スイッチングトランジスタqj12 は非導通、アンドゲートANDj1およびノアゲートNORj1も非導通である。出力ポートP,Qを(0,1)とすると、スイッチングトランジスタqqj12 が導通し、スイッチングトランジスタqj12 が遮断され、第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に対して光劣化回復が行われる。このとき、スイッチングトランジスタqj11 は非導通、アンドゲートANDj1およびノアゲートNORj1も非導通である。出力ポートP,Qを(1,1)とすると、アンドゲートANDj1が導通し、スイッチングトランジスタqj13 が遮断され、第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 に対して光劣化回復が行われる。このとき、スイッチングトランジスタqj11 ,qj12 は非導通、ノアゲートNORj1も非導通である。出力ポートP,Qを(0,0)とすると、ノアゲートNORj1が導通し、スイッチングトランジスタqj14 が遮断され、第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 に対して光劣化回復が行われる。このとき、スイッチングトランジスタqj11 ,qj12 は非導通、アンドゲートANDj1も非導通である。
【0051】
〔実施の形態8〕
実施の形態8は、実施の形態6の変形にかかわるもので、太陽電池モジュールを2つずつ光劣化回復するようにしたものである。図10に基づいて説明する。リレーA1 ,B1 を接点b側に切り換えた状態で、制御回路7よりリレー制御信号T11を送出してリレーK11,L11をオンにし、第1から第mまでのすべての太陽電池ストリングスS11〜S1mの第1のリレーコイルR111 〜R1m1 および第2のリレーコイルR112 〜R1m2 を同時に励磁し、リレー接点r111 〜r1m1 ,r112 〜r1m2 が同時にオフにされ、バイパスダイオードD111 〜D1m1 ,D112〜D1m2 が第1および第2の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 ,M112 〜M1m2 から切り離されることになる。この結果、すべての第1および第2の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 ,M112 〜M1m2 の光劣化回復が行われる。次いで、制御回路7よりリレー制御信号T12を送出してリレーK12,L12をオンにし、第1から第mまでのすべての太陽電池ストリングスS11〜S1mの第3のリレーコイルR113 〜R1m3 および第4のリレーコイルR114 〜R1m4 を同時に励磁し、リレー接点r113 〜r1m3 ,r114 〜r1m4 が同時にオフにされ、バイパスダイオードD113 〜D1m3 ,D114 〜D1m4 が第1の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 ,M114 〜M1m4 から切り離されることになる。この結果、すべての第3および第4の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 ,M114 〜M1m4 の光劣化回復が行われる。リレーの構成が簡単になっている。
【0052】
〔実施の形態9〕
実施の形態9は、実施の形態8の変形にかかわるもので、太陽電池モジュールを2つずつ光劣化回復する場合に、低電位に反転された高電位側電源出力ライン13aに制御のための電流を流すようにしたものである。図11に基づいて説明する。リレーA1 ,B1 を接点b側に切り換えた状態で、制御回路7よりリレー制御信号T11を送出してリレーK11をオンにし、制御回路7の電源端子VBBからの電流を制御信号ライン20aから低電位に反転された高電位側電源出力ライン13aに流すことにより、第1から第mまでのすべての太陽電池ストリングスS11〜S1mの第1のリレーコイルR111 〜R1m1 および第2のリレーコイルR112〜R1m2 を同時に励磁し、リレー接点r111 〜r1m1 ,r112 〜r1m2 が同時にオフにされ、バイパスダイオードD111 〜D1m1 ,D112 〜D1m2 が第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 ,M112 〜M1m2 から切り離されることになる。この結果、すべての第1および第2の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 ,M112 〜M1m2 の光劣化回復が行われる。次いで、制御回路7よりリレー制御信号T12を送出してリレーK12をオンにし、制御回路7の電源端子VBBからの電流を制御信号ライン20bから低電位に反転された高電位側電源出力ライン13aに流すことにより、第1から第mまでのすべての太陽電池ストリングスS11〜S1mの第3のリレーコイルR113 〜R1m3 および第4のリレーコイルR114 〜R1m4 を同時に励磁し、リレー接点r113 〜r1m3 ,r114 〜r1m4 が同時にオフにされ、バイパスダイオードD113 〜D1m3 ,D114 〜D1m4 が第1の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 ,M114 〜M1m4 から切り離されることになる。この結果、すべての第3および第4の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 ,M114 〜M1m4の光劣化回復が行われる。リレーの構成がさらに簡単になっている。
【0053】
〔実施の形態10〕
実施の形態10は、実施の形態6の変形にかかわるもので、太陽電池モジュールを4つすべて同時に光劣化回復するようにしたものである。図12に基づいて説明する。リレーA1 ,B1 を接点b側に切り換えた状態で、制御回路7よりリレー制御信号T11を送出してリレーK11,L11をオンにし、第1から第mまでのすべての太陽電池ストリングスS11〜S1mの第1のリレーコイルR111 〜R1m1、第2のリレーコイルR112 〜R1m2 、第3のリレーコイルR113 〜R1m3 および第4のリレーコイルR114 〜R1m4 を同時に励磁し、リレー接点r111 〜r1m1 ,r112 〜r1m2 ,r113 〜r1m3 ,r114 〜r1m4 が同時にオフにされ、バイパスダイオードD111 〜D1m1 ,D112 〜D1m2 ,D113 〜D1m3 ,D114 〜D1m4 が第1から第4までの太陽電池モジュールM111 〜M1m1 ,M112 〜M1m2 ,M113 〜M1m3 ,M114 〜M1m4 から切り離されることになる。この結果、すべての第1から第4までの太陽電池モジュールM111 〜M1m1 ,M112 〜M1m2 ,M113 〜M1m3 ,M114 〜M1m4 の光劣化回復が同時に行われる。リレーの構成が簡単になっている。
【0054】
〔実施の形態11〕
実施の形態11は、実施の形態10の変形にかかわるもので、制御信号ラインを1本のみとして、太陽電池モジュールを4つすべて同時に光劣化回復するようにしたものである。図13に基づいて説明する。リレーA1 ,B1 を接点b側に切り換えた状態で、制御回路7よりリレー制御信号T11を送出してリレーK11をオンにし、制御回路7の電源端子VBBからの電流を制御信号ライン20aから低電位に反転された高電位側電源出力ライン13aに流すことにより、第1から第mまでのすべての太陽電池ストリングスS11〜S1mの第1のリレーコイルR111〜R1m1 、第2のリレーコイルR112 〜R1m2 、第3のリレーコイルR113 〜R1m3 および第4のリレーコイルR114 〜R1m4 を同時に励磁し、リレー接点r111 〜r1m1 ,r112 〜r1m2 ,r113 〜r1m3 ,r114 〜r1m4 が同時にオフにされ、バイパスダイオードD111 〜D1m1 ,D112 〜D1m2 ,D113 〜D1m3 ,D114 〜D1m4 が第1から第4までの太陽電池モジュールM111 〜M1m1 ,M112 〜M1m2 ,M113 〜M1m3 ,M114 〜M1m4 から切り離されることになる。この結果、すべての第1から第4までの太陽電池モジュールM111 〜M1m1 ,M112 〜M1m2 ,M113 〜M1m3 ,M114 〜M1m4 の光劣化回復が同時に行われる。制御信号ラインおよびリレーの構成が簡単になっている。
【0055】
〔実施の形態12〕
実施の形態12も、配電ボックスにおける制御信号ラインを2本のみとするものである。すなわち、それは、図14に示すように、配電ボックス15内に配線した2つの制御信号ライン20a,20bである。図14は図3の太陽電池アレイ1j における1つの太陽電池ストリングスSj1に対応している。配電ボックス15内でストリングスコネクタ14a,14b間にわたって制御信号ライン20a,20bが配線されている。各制御信号ライン20a,20bは個別のリレーUj1,Vj1〜Uj4,Vj4を介して制御回路7の高電位側の電源端子VBBおよび低電位側のグランドGNDに接続されている。また、各リレーUj1,Vj1〜Uj4,Vj4は制御回路7からのリレー制御信号Tj1〜Tj4によって独立に制御されるようになっている。リレーUj1,Vj1〜Uj4,Vj4は系統連系インバータ9に含まれている。配電ボックス15内において、リレーコイルRj11 の一端と低電位側電源出力ライン13bとの間に逆流防止ダイオードdj11 が挿入され、低電位側電源出力ライン13bとリレーコイルRj12 の一端との間に逆流防止ダイオードdj12 が挿入され、リレーコイルRj13 の一端と低電位側電源出力ライン13bとの間に逆流防止ダイオードdj13 が挿入され、低電位側電源出力ライン13bとリレーコイルRj14 の一端との間に逆流防止ダイオードdj14 が挿入されている。あとの太陽電池ストリングスにおいても同様となっている。
【0056】
いま、太陽電池アレイ11 〜1n の光劣化を回復しようとする。カレンダー回路10が動作すると、制御回路7は次のような処理を開始する。図15はリレーについてのタイミングチャート、図16はリレー動作シーケンスである。第1の太陽電池アレイ11 についての連動型のリレーA1 ,B1 に対して制御回路7からリレー制御信号R1 を送出し、リレーA1 ,B1 をそれぞれ接点b側に切り換える。すると、第1の太陽電池アレイ11 は逆バイアスの状態となる。次いで、制御回路7よりリレーU11,V11に対してリレー制御信号T11を送出し、すべての第1のリレーコイルR111 〜R1m1 をオンにし、リレー接点r111 〜r1m1 がオフにされ、バイパスダイオードD111 〜D1m1 が第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 から切り離され、すべての第1の太陽電池モジュールM111 〜M1m1 に同時に逆バイアス電圧が印加して光劣化が回復される。次いでリレーU12,V12に対してリレー制御信号T12を送出し、同様にしてすべての第2の太陽電池モジュールM112 〜M1m2 に同時に逆バイアス電圧が印加して光劣化が回復される。さらにリレーU13,V13に対してリレー制御信号T13を送出し、同様にしてすべての第3の太陽電池モジュールM113 〜M1m3 に同時に逆バイアス電圧が印加して光劣化が回復される。またリレーU14,V14に対してリレー制御信号T14を送出し、同様にしてすべての第4の太陽電池モジュールM114 〜M1m4 に同時に逆バイアス電圧が印加して光劣化が回復される。以上のようにして、第1の太陽電池アレイ11 の太陽電池モジュールM111 〜M114 …M1m1 〜M1m4 の光劣化の回復が完了する。次いでは、第2の太陽電池アレイ12 の各太陽電池モジュールM211 〜M214 …M2m1 〜M1m4 についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。以下同様にして各太陽電池アレイの各太陽電池モジュールに対して同様の順次的な光劣化回復を行い、最後に、第nの太陽電池アレイ1n の各太陽電池モジュールMn11 〜Mn14 …Mnm1 〜Mnm4 についても上記と同様に順次に光劣化回復を行う。カレンダー回路10による動作に代えて、適時に、手動により光劣化回復スイッチ12をオンにして、光劣化回復を行ってもよい。
【0057】
上記いずれのにおいても、逆バイアス電圧は他の太陽電池アレイ群によって生成する。例えば、逆バイアス電圧を発生するための太陽電池アレイのI(電流)−V(電圧)特性を図17(a)とし、逆バイアス印加可能対象の太陽電池アレイのI−V特性を図17(b)の曲線▲2▼として、これらを結線すると、図17(a)の太陽電池アレイは、図17(b)の太陽電池アレイの短絡電流値Im2の電流値の位置が動作点となり、そのときの電圧は図17(a)のVB となる。そしてこの電圧が逆バイアスとして図17(b)の太陽電池アレイに印加され、これによって光劣化の回復が行われる。このとき、図17からも明らかなように逆バイアス発生用の太陽電池アレイの短絡電流Im3 は、逆バイアス印加対象の太陽電池アレイの短絡電流Im2 より大きくなるように結線されなければならない。
【0058】
以上の各実施の形態においては、逆バイアス電圧を他の太陽電池アレイ群が太陽光発電で起こした直流電圧を利用しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、インバータ主回路6から入力してDC−DCコンバータを構成し、そのDC−DCコンバータの出力電圧を逆バイアス電圧としてもよい。
【0059】
【発明の効果】
請求項1にかかわる発明によれば、太陽電池モジュールにバイパスダイオードが並列接続された状態となっている太陽光発電用電力変換装置においても、逆バイアス電圧による電流が太陽電池モジュールをバイパス的に素通りする状態を回避し、逆バイアス電圧を確実に印加して太陽電池モジュールのほぼ初期状態への光劣化回復を良好に行い、太陽光発電システムのシステム効率を向上させることができる。
【0060】
請求項2にかかわる発明によれば、開閉手段という比較的簡単な構成をもって上記の作用を発揮させ、また保守作業を軽減する。
【0061】
請求項3にかかわる発明によれば、太陽光の照射がある状態で太陽光発電による電力自体で逆バイアス電圧をまかなうことができ、光劣化回復にかけるコストを軽減することができる。
【0062】
請求項4にかかわる発明によれば、光劣化しやすいアモルファスシリコン薄膜太陽電池を用いる太陽光発電用電力変換装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1にかかわる太陽光発電用電力変換装置の回路構成図
【図2】 本発明の実施の形態2における太陽電池アレイの回路構成図
【図3】 本発明の実施の形態3における太陽電池アレイの回路構成図
【図4】 図3の太陽電池アレイを並列接続してなる実施の形態3にかかわる太陽光発電用電力変換装置の回路構成図
【図5】 本発明の実施の形態4における太陽電池アレイの回路構成図
【図6】 図5の太陽電池アレイを並列接続してなる実施の形態4にかかわる太陽光発電用電力変換装置の回路構成図
【図7】 本発明の実施の形態5における太陽電池ストリングスについての回路構成図
【図8】 本発明の実施の形態6における太陽電池ストリングスについての回路構成図
【図9】 本発明の実施の形態7における太陽電池ストリングスについての回路構成図
【図10】 本発明の実施の形態8における太陽電池ストリングスについての回路構成図
【図11】 本発明の実施の形態9における太陽電池ストリングスについての回路構成図
【図12】 本発明の実施の形態10における太陽電池ストリングスについての回路構成図
【図13】 本発明の実施の形態11における太陽電池ストリングスについての回路構成図
【図14】 本発明の実施の形態12における太陽電池ストリングスについての回路構成図
【図15】 実施の形態12の太陽光発電用電力変換装置におけるリレーのタイミングチャート
【図16】 実施の形態12の太陽光発電用電力変換装置におけるリレー動作シーケンス
【図17】 各実施の形態についての太陽電池アレイの電流−電圧特性図
【図18】 逆バイアス電圧印加により太陽電池の光劣化を回復させるように工夫した先行技術の太陽光発電用電力変換装置の回路構成図
【図19】 太陽電池モジュールに対してバイパスダイオードを並列接続した回路構成図
【図20】 従来の住宅用太陽電池システムの構成図
【符号の説明】
1j ……太陽電池アレイ、2j1……高電位側の出力端子、2j2……低電位側の出力端子、3j ……逆流防止ダイオード、5……商用系統、6……インバータ主回路、6a……高電位側電源入力ライン、6b……低電位側電源入力ライン、7……制御回路、9……系統連系インバータ、10……カレンダー回路、11a……高電位側電源ライン、11b……低電位側電源ライン、12……光劣化回復スイッチ、13a……高電位側電源出力ライン、13b……低電位側電源出力ライン、14a,14b……ストリングスコネクタ、15……配電ボックス、16a〜16d……モジュールコネクタ、17a〜17d……制御信号ライン、18a……高電位側電源出力ライン、18b……低電位側電源出力ライン、19a〜19c……制御信号ライン、20a,20b……制御信号ライン、ANDji……アンドゲート、Aj ……リレー、Bj ……リレー、Cji……リレー、Dji……バイパスダイオード、DDji……逆流防止ダイオード、dji……逆流防止ダイオード、Eji……リレー、Fji……リレー、Gji……リレー、Hji……リレー、Kji……リレー、Lji……リレー、Mji……太陽電池モジュール、NORji……ノアゲート、Qji……スイッチングトランジスタ、qji……スイッチングトランジスタ、qqji……スイッチングトランジスタ、Rji……リレーコイル、rji……リレー接点、Rj ……リレー制御信号、S……逆バイアス印加指令、Sji……太陽電池ストリングス、Tji……リレー制御信号、Uji……リレー、Vji……リレー、VBB……電源端子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a photovoltaic power conversion apparatus that recovers light degradation by applying a reverse bias voltage to a solar cell module.
[0002]
[Prior art]
As environmental problems such as global warming are taken up on a global scale, a photovoltaic power generation system is attracting attention as an energy system with less environmental impact. FIG. 20 shows an example of a residential solar cell system that is currently spreading to ordinary households. Generally, a residential solar power generation system is a system in which a plurality of
[0003]
Solar power generation can be broadly divided into power generation systems for the purpose of using the generated power for various purposes, and consumer power generation systems used for predetermined purposes such as calculators and watches. Until now, silicon crystal solar cells have been mainly used as power generation systems for electric power. However, since silicon crystal solar cells cannot be integrated, voltage values and current values cannot be freely designed, and it is difficult to reduce the weight more than the current level. There is a problem that the supply amount of the wafer is limited. Therefore, solar cell systems using amorphous silicon thin film solar cells that can be integrated, reduced in weight and made flexible and can be manufactured with a small amount of source gas have been developed.
[0004]
Amorphous silicon thin-film solar cells can be integrated, lightened, and flexible, and can be manufactured using a small amount of source gas. Although collected, there is a problem that the stability to light is poor. That is, if it continues to irradiate with sunlight for a long time, the photoelectric conversion efficiency gradually decreases, and finally it is stable when the initial photoelectric conversion efficiency immediately after the production of the amorphous silicon thin film solar cell is reduced by 10 to 20%. Phenomenon occurs. This phenomenon is called “photodegradation” of amorphous silicon solar cells, and research is being conducted to elucidate the photodegradation phenomenon from various angles, but at present there is no elucidation of the photodegradation phenomenon. No method has been found to eliminate photodegradation. For this reason, when a photovoltaic power generation system using amorphous silicon thin-film solar power generation or the like is constructed, the unstable solar power generation system differs from the total power generation at the time of system installation and the total power generation at the time of using the system for several months. There is a problem of becoming a photovoltaic system. In addition, when a photovoltaic power generation system is designed based on the photoelectric conversion efficiency after photodegradation, a solar cell with a larger area is required, resulting in a problem that costs increase. This is not limited to amorphous silicon thin film solar cells in which the photodegradation phenomenon appears remarkably, but is a problem that is common to crystal thin film solar cells including some microcrystals and other thin film solar cells.
[0005]
In order to solve the above-described problem of light degradation in the prior art, applying a reverse bias voltage to a solar cell by using a power converter connected to the solar cell has been performed. The solar cell can recover light degradation by receiving sunlight in a reverse bias state. Therefore, in the power converter for photovoltaic power generation using DC power generated by the solar cell as an input, a reverse bias generating means is configured, and a reverse bias voltage is applied to the solar cell over a predetermined period of solar radiation. It is set as the structure which recovers the characteristic deterioration of a solar cell.
[0006]
Hereinafter, an example of a prior art photovoltaic power conversion device devised to recover the photodegradation of a solar cell by applying a reverse bias voltage will be described based on FIG. 18 (Japanese Patent Application relating to the applicant's patent application). No. 9-347740). 11 , 12 ... 1n Is the solar cell array, 31 , 32 ... 3n Is a backflow prevention diode, 81 , 82 ... 8n Is a relay, 6 is an inverter main circuit, 7 is a control circuit, 9 is a grid-connected inverter, 10 is a calendar circuit, and 5 is a commercial system. Relay 81 ~ 8n Are connected to the contact a side, all the
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
As shown in FIG. 19, the
[0008]
However, in the case of the
[0009]
An object of the present invention is to make it possible to satisfactorily recover light degradation of a solar cell module even in a case having a bypass diode.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to
[0011]
According to the second aspect of the present invention, an opening / closing means is inserted in series with the bypass diode, and the opening / closing means is opened when a reverse bias voltage is applied. Make it work.
[0012]
The invention according to
[0013]
The invention according to
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[Embodiment 1]
FIG. 1 is a configuration diagram of a photovoltaic power conversion apparatus according to
[0015]
Although not shown, the second
[0016]
Each
[0017]
In order to allow each solar cell array to be reverse-biased by the DC power of the photovoltaic power generation of other solar cell array groups, each relay B1 ~ Bn Is connected to the high potential side
[0018]
Paired relay A1 , B1 Is configured as an interlocking relay, and a relay control signal R from the control circuit 71 Is controlled by. Paired relay A2, B2 Is configured as an interlocking relay, and a relay control signal R from the control circuit 72 Is controlled by. Similarly, paired relay An , BnIs also configured as an interlocking relay, and the relay control signal R from the control circuit 7n Is controlled by.
[0019]
The
[0020]
Next, the operation will be described. Relay A1 ~ An And relay B1 ~ Bn Are connected to the contact a side, all the
[0021]
[0022]
Next, the control circuit 7 sends a relay control signal T11Relay coil R11By demagnetizing the relay contact r11Is turned on and the next relay C12Relay control signal T12And relay C12And turn on the second relay coil R12Is excited. Thereby, the second solar cell module M12Relay contact r connected in parallel12Is turned off, bypass diode D12Is the second solar cell module M12From the second solar cell module M12Since a reverse bias voltage is applied to the second solar cell module M,12The photodegradation of is recovered. Next, the control circuit 7 sends a relay control signal T12And relay contact r12Is turned on and the next relay C13Relay control signal T13And relay C13And turn on the third relay coil R13By energizing the relay contact r13Is turned off, bypass diode D13Is the third solar cell module M13From the third solar cell module M13Since a reverse bias voltage is applied to the third solar cell module M,13The photodegradation of is recovered. Further, the control circuit 7 receives the relay control signal T13And relay contact r13Is turned on and the next relay C14Relay control signal T14And relay C14And turn on the fourth relay coil R14By energizing the relay contact r14Is turned off, bypass diode D14Is the fourth solar cell module M14The fourth solar cell module M14Since a reverse bias voltage is applied to the fourth solar cell module M,14The photodegradation of is recovered. Then, relay control signal T14And relay C14Is turned on and relay control signal R1 Is shut off and paired relay A1 , B1 To the contact a side. As described above, the first
[0023]
Periodic light deterioration recovery by the
[0024]
Note that all the solar cell modules may be crystalline thin film solar cells or other thin film solar cells in addition to amorphous silicon thin film solar cells. Instead of using a relay as the connection switching means, an analog switch such as a semiconductor switch may be used. Relay coil R11~ R14... Rn1~ Rn4One end of the
[0025]
[Embodiment 2]
Assuming the configuration of the first embodiment, the
[0026]
[Embodiment 3]
The power conversion device for photovoltaic power generation according to the third embodiment includes individual
[0027]
FIG. 4 shows the
[0028]
Next, the operation will be described. Relay A1 ~ An And relay B1 ~ Bn Are connected to the contact a side, all the
[0029]
Next, the operation for recovery from light degradation will be described. Similarly to the case of the first embodiment, each solar cell array sequentially recovers from light degradation, and in the one solar cell array, a reverse bias voltage is applied to each solar cell module in each solar cell string. Although applied, the feature of the second embodiment is that one
[0030]
[0031]
Next, the control circuit 7 sends a relay control signal T11Relay coil R111 ~ R1m1 By demagnetizing the relay contact r111 ~ R1m1 Is turned on and the next relay C12Relay control signal T12And relay C12And turn on all second relay coils R112 ~ R1m2 Is excited. Thereby, the second solar cell module M112 ~ M1m2 Relay contact r connected in parallel112 ~ R1m2 Is turned off, bypass diode D112 ~ D1m2 Is the second solar cell module M112 ~ M1m2 All the second solar cell modules M separated from112 ~ M1m2 Since a reverse bias voltage is applied to all of these second solar cell modules M112 ~ M1m2 The photodegradation of is recovered. Next, the control circuit 7 sends a relay control signal T12And relay contact r112 ~ R1m2 Is turned on and the next relay C13Relay control signal T13And relay C13And turn on the third relay coil R113 ~ R1m3 By energizing the relay contact r113 ~ R1m3 Is turned off, bypass diode D113 ~ D1m3 Is the third solar cell module M113 ~ M1m3 All third solar cell modules M disconnected from113~ M1m3 Since a reverse bias voltage is applied to all of these third solar cell modules M113 ~ M1m3 The photodegradation of is recovered. Further, the control circuit 7 receives the relay control signal T13And relay contact r113 ~ R1m3 Is turned on and the next relay C14Relay control signal T14And relay C14And turn on the fourth relay coil R114 ~ R1m4 By energizing the relay contact r114 ~ R1m4 Is turned off, bypass diode D114 ~ D1m4 Is the fourth solar cell module M114 ~ M1m4 All fourth solar cell modules M disconnected from114 ~ M1m4 Since a reverse bias voltage is applied to all of these fourth solar cell modules M114 ~ M1m4 The photodegradation of is recovered. Then, relay control signal T14And relay C14Is turned on and relay control signal R1 Is shut off and paired relay A1 , B1 To the contact a side. As described above, the first
[0032]
All solar cell modules Mj11 ~ Mj14 In contrast to the configuration of the second embodiment, the relay coil R connected in seriesj11 ~ Rj14 May be used, and similarly, all solar cell modules Mjm1 ~ Mjm4 In contrast to the configuration of the second embodiment, the relay coil R connected in seriesjm1 ~ Rjm4 May be used.
[0033]
[Embodiment 4]
FIG. 5 shows the
[0034]
First solar cell module Mj11 Bypass diode Dj11 And relay contact rj11 Are connected in parallel, and the second solar cell module Mj12 Bypass diode Dj12 And relay contact rj12 Are connected in parallel, and the third solar cell module Mj13 Bypass diode Dj13 And relay contact rj13 Are connected in parallel, and the fourth solar cell module Mj14 Bypass diode Dj14 And relay contact rj14 Is connected in parallel. Each relay contact rj11 ~ Rj14 Is a normally-on b contact system. Each relay contact rj11 ~ Rj14Is the relay coil Rj11 ~ Rj14 Are controlled independently. Each relay coil Rj11 ~ Rj14 One end of the solar cell string Sj1Is connected to the four
[0035]
FIG. 6 shows a solar cell string S configured as described above.j1
[0036]
Each high potential side power
[0037]
Next, the operation will be described. Relay A1 ~ An And relay B1 ~ Bn Are connected to the contact a side, all the
[0038]
Next, the operation for recovery from light degradation will be described. Similarly to the case of the third embodiment, each solar cell array sequentially recovers from photodegradation, and one solar cell array applies a reverse bias voltage to each solar cell module in each solar cell string. As in the case of the third embodiment, one
[0039]
[0040]
Next, the control circuit 7 sends a relay control signal T11Relay coil R111 ~ R1m1 By demagnetizing the relay contact r111 ~ R1m1 Is turned on and the next relay C12Relay control signal T12And relay C12And turn on all second relay coils R112 ~ R1m2 Is excited. Thereby, the second solar cell module M112 ~ M1m2 Relay contact r connected in parallel112 ~ R1m2 Is turned off, bypass diode D112 ~ D1m2 Is the second solar cell module M112 ~ M1m2 All the second solar cell modules M separated from112 ~ M1m2 Since a reverse bias voltage is applied to all of these second solar cell modules M112 ~ M1m2 The photodegradation of is recovered. Next, the control circuit 7 sends a relay control signal T12And relay contact r112 ~ R1m2 Is turned on and the next relay C13Relay control signal T13And relay C13And turn on the third relay coil R113 ~ R1m3 By energizing the relay contact r113 ~ R1m3 Is turned off, bypass diode D113 ~ D1m3 Is the third solar cell module M113 ~ M1m3 All third solar cell modules M disconnected from113~ M1m3 Since a reverse bias voltage is applied to all of these third solar cell modules M113 ~ M1m3 The photodegradation of is recovered. Further, the control circuit 7 receives the relay control signal T13And relay contact r113 ~ R1m3 Is turned on and the next relay C14Relay control signal T14And relay C14And turn on the fourth relay coil R114 ~ R1m4 By energizing the relay contact r114 ~ R1m4 Is turned off, bypass diode D114 ~ D1m4 Is the fourth solar cell module M114 ~ M1m4 All fourth solar cell modules M disconnected from114 ~ M1m4 Since a reverse bias voltage is applied to all of these fourth solar cell modules M114 ~ M1m4 The photodegradation of is recovered. Then, relay control signal T14And relay C14Is turned on and relay control signal R111 Is shut off and paired relay A1 , B1 To the contact a side. As described above, the first
[0041]
[Embodiment 5]
In the fifth embodiment, there are three control signal lines in the distribution box. That is, it is three
[0042]
Similar to FIG. 6, the solar cell string S having the above-described configuration.j1
[0043]
[0044]
Next, the control circuit 7 sends a relay control signal T11Relay coil R111 ~ R1m1 By demagnetizing the relay contact r111 ~ R1m1 Is turned on and the next relay E12, F12Relay control signal T12And relay E12, F12All the second relay coils R by the current from the
[0045]
[Embodiment 6]
In the sixth embodiment, only two control signal lines are provided in the distribution box. That is, it is two
[0046]
Similar to FIG. 6, the solar cell string S having the above-described configuration.j1
[0047]
[0048]
Next, the control circuit 7 sends a relay control signal T11Relay coil R111 ~ R1m1 By demagnetizing the relay contact r111 ~ R1m1 Is turned on and the next relay G12, H12Relay control signal T12And relay G12, H12All the second relay coils R by the current from the
[0049]
[Embodiment 7]
The seventh embodiment relates to a modification of the sixth embodiment, in which an analog switch is used instead of a relay, and a 2-bit control signal is sent from the control circuit to control each analog switch. Is. This will be described with reference to FIG. Bypass diode Dj11 , Dj12 , Dj13 , Dj14 For each of the switching transistors q instead of relay contactsj11 , Qj12 , Qj13 , Qj14 And switching transistor qj11 , Qj12 At the base of each switching transistor qqj11 , Qqj12 And the switching transistor qj13 AND GATE AND on the base ofj1The output terminal of the switching transistor qj14 Noah gate NOR to the base ofj1The output terminal is connected.
[0050]
Relay A1 , B1 When the output ports P and Q of the control circuit 7 are set to (1, 0) in a state in which is switched to the contact b side, the switching transistor qqj11 Becomes conductive and the switching transistor qj11 Is cut off and the first solar cell module M111 ~ M1m1 Photodegradation recovery is performed on At this time, the switching transistor qj12 Is non-conductive, AND gate ANDj1And NOR gate NORj1Is also non-conductive. When the output ports P and Q are (0, 1), the switching transistor qqj12 Becomes conductive and the switching transistor qj12 Is cut off and the second solar cell module M112 ~ M1m2 Photodegradation recovery is performed on At this time, the switching transistor qj11 Is non-conductive, AND gate ANDj1And NOR gate NORj1Is also non-conductive. When the output ports P and Q are (1, 1), the AND gate ANDj1Becomes conductive and the switching transistor qj13 Is cut off, and the third solar cell module M113 ~ M1m3 Photodegradation recovery is performed on At this time, the switching transistor qj11 , Qj12 Is non-conductive, NOR gate NORj1Is also non-conductive. When the output ports P and Q are (0, 0), the NOR gate NORj1Becomes conductive and the switching transistor qj14 Is cut off, and the fourth solar cell module M114 ~ M1m4 Photodegradation recovery is performed on At this time, the switching transistor qj11 , Qj12 Is non-conductive, AND gate ANDj1Is also non-conductive.
[0051]
[Embodiment 8]
The eighth embodiment relates to a modification of the sixth embodiment, in which two solar cell modules are recovered from light deterioration by two. This will be described with reference to FIG. Relay A1 , B1 Is switched from the control circuit 7 to the relay control signal T.11And relay K11, L11All the solar cell strings S from 1 to m11~ S1mFirst relay coil R111 ~ R1m1 And the second relay coil R112 ~ R1m2 At the same time, relay contact r111 ~ R1m1 , R112 ~ R1m2 Are simultaneously turned off and the bypass diode D111 ~ D1m1 , D112~ D1m2 Are the first and second solar cell modules M111 ~ M1m1 , M112 ~ M1m2 It will be separated from. As a result, all the first and second solar cell modules M111 ~ M1m1 , M112 ~ M1m2 Recovery of light degradation is performed. Next, the relay control signal T from the control circuit 712And relay K12, L12All the solar cell strings S from 1 to m11~ S1mThe third relay coil R113 ~ R1m3 And the fourth relay coil R114 ~ R1m4 At the same time, relay contact r113 ~ R1m3 , R114 ~ R1m4 Are simultaneously turned off and the bypass diode D113 ~ D1m3 , D114 ~ D1m4 Is the first solar cell module M113 ~ M1m3 , M114 ~ M1m4 It will be separated from. As a result, all the third and fourth solar cell modules M113 ~ M1m3 , M114 ~ M1m4 Recovery of light degradation is performed. The relay configuration is simple.
[0052]
[Embodiment 9]
The ninth embodiment relates to a modification of the eighth embodiment. When two solar cell modules are subjected to photodegradation recovery by two, a current for control is applied to the high-potential-side
[0053]
[Embodiment 10]
The tenth embodiment relates to a modification of the sixth embodiment, in which all four solar cell modules are simultaneously recovered from light degradation. This will be described with reference to FIG. Relay A1 , B1 Is switched from the control circuit 7 to the relay control signal T11And relay K11, L11All the solar cell strings S from 1 to m11~ S1mFirst relay coil R111 ~ R1m1, Second relay coil R112 ~ R1m2 , Third relay coil R113 ~ R1m3 And the fourth relay coil R114 ~ R1m4 At the same time, relay contact r111 ~ R1m1 , R112 ~ R1m2 , R113 ~ R1m3 , R114 ~ R1m4 Are simultaneously turned off and the bypass diode D111 ~ D1m1 , D112 ~ D1m2 , D113 ~ D1m3 , D114 ~ D1m4 1st to 4th solar cell modules M111 ~ M1m1 , M112 ~ M1m2 , M113 ~ M1m3 , M114 ~ M1m4 It will be separated from. As a result, all the first to fourth solar cell modules M111 ~ M1m1 , M112 ~ M1m2 , M113 ~ M1m3 , M114 ~ M1m4 The photodegradation recovery is simultaneously performed. The relay configuration is simple.
[0054]
[Embodiment 11]
The eleventh embodiment relates to a modification of the tenth embodiment, in which only one control signal line is used, and all four solar cell modules are simultaneously recovered from light degradation. This will be described with reference to FIG. Relay A1 , B1 Is switched from the control circuit 7 to the relay control signal T.11And relay K11Is turned on, the power supply terminal V of the control circuit 7BBIs caused to flow from the
[0055]
[Embodiment 12]
The twelfth embodiment also has only two control signal lines in the distribution box. That is, it is two
[0056]
[0057]
In any of the above, the reverse bias voltage is generated by another solar cell array group. For example, FIG. 17A shows an I (current) -V (voltage) characteristic of a solar cell array for generating a reverse bias voltage, and FIG. 17 shows an IV characteristic of a solar cell array to which a reverse bias can be applied. When these are connected as the curve (2) of b), the solar cell array in FIG. 17A becomes the short-circuit current value Im of the solar cell array in FIG. 17B.2The position of the current value becomes the operating point, and the voltage at that time is V in FIG.B It becomes. Then, this voltage is applied as a reverse bias to the solar cell array of FIG. 17B, thereby recovering light degradation. At this time, as is clear from FIG. 17, the short-circuit current Im of the solar cell array for reverse bias generationThree Is the short-circuit current Im of the solar cell array subject to reverse bias application2 It must be wired to be larger.
[0058]
In each of the above embodiments, the reverse bias voltage is a DC voltage generated by solar power generation by another solar cell array group, but the present invention is not limited to this, and the inverter
[0059]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the invention, even in the photovoltaic power conversion device in which the bypass diode is connected in parallel to the solar cell module, the current due to the reverse bias voltage bypasses the solar cell module. Therefore, the reverse bias voltage can be reliably applied to recover the light degradation of the solar cell module almost to the initial state, and the system efficiency of the photovoltaic power generation system can be improved.
[0060]
According to the second aspect of the present invention, the above-described action is exhibited with a relatively simple configuration of opening / closing means, and maintenance work is reduced.
[0061]
According to the third aspect of the present invention, the reverse bias voltage can be provided by the electric power generated by solar power generation in the presence of sunlight, and the cost for recovery from light degradation can be reduced.
[0062]
According to the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a power conversion device for photovoltaic power generation according to
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a solar cell array according to
FIG. 3 is a circuit configuration diagram of a solar cell array according to
4 is a circuit configuration diagram of a photovoltaic power generation power converter according to
FIG. 5 is a circuit configuration diagram of a solar cell array according to
6 is a circuit configuration diagram of a photovoltaic power generation power converter according to
FIG. 7 is a circuit configuration diagram of solar cell strings in a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a circuit configuration diagram of solar cell strings in a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a circuit configuration diagram of solar cell strings in a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a circuit configuration diagram of a solar cell string according to an eighth embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a circuit configuration diagram of solar cell strings in a ninth embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a circuit configuration diagram of solar cell strings in the tenth embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a circuit configuration diagram of solar cell strings in the eleventh embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a circuit configuration diagram of solar cell strings in a twelfth embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a relay timing chart in the power converter for photovoltaic power generation according to the twelfth embodiment.
FIG. 16 is a relay operation sequence in the power converter for photovoltaic power generation according to the twelfth embodiment.
FIG. 17 is a current-voltage characteristic diagram of a solar cell array according to each embodiment.
FIG. 18 is a circuit configuration diagram of a prior art photovoltaic power conversion device devised to recover the photodegradation of a solar cell by applying a reverse bias voltage.
FIG. 19 is a circuit configuration diagram in which bypass diodes are connected in parallel to the solar cell module.
FIG. 20 is a configuration diagram of a conventional residential solar cell system.
[Explanation of symbols]
1j ...... Solar cell array, 2j1... Output terminal on the high potential side, 2j2...... Low potential side output terminal, 3j ...... Backflow prevention diode, 5 ... Commercial system, 6 ... Inverter main circuit, 6a ... High potential side power input line, 6b ... Low potential side power input line, 7 ... Control circuit, 9 ... System connection System inverter, 10... Calendar circuit, 11a... High potential side power line, 11b... Low potential side power line, 12 .. Photodegradation recovery switch, 13a. Side power supply output line, 14a, 14b ... String connector, 15 ... Distribution box, 16a-16d ... Module connector, 17a-17d ... Control signal line, 18a ... High potential side power supply output line, 18b ... Low Potential side power supply output line, 19a to 19c... Control signal line, 20a, 20b... Control signal line, ANDji...... Andgate, Aj ... Relay, Bj ... Relay, Cji... Relay, Dji... Bypass diodes, DDji... Backflow prevention diode, dji...... Backflow prevention diode, Eji...... Relay, Fji...... Relay, Gji...... Relay, Hji...... Relay, Kji...... Relay, Lji...... Relay, Mji…… Solar cell module, NORji... Noah Gate, Qji... Switching transistors, qji... Switching transistors, qqji... Switching transistors, Rji... Relay coil, rji... Relay contact, Rj ... Relay control signal, S ... Reverse bias application command, Sji...... Solar cell strings, Tji... Relay control signal, Uji...... Relay, Vji...... Relay, VBB...... Power supply terminal
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