JP4120210B2 - 圧電セラミックの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は圧電セラミック、特にチタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする圧電セラミックの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
従来より、アクチュエータやトランスなどの電子部品には、電気機械結合係数が大きいチタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする圧電セラミックが用いられている。一般に、このチタン酸ジルコン酸鉛を合成するにあたっては、出発原料として、酸化鉛（ＰｂＯ）粉末、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）粉末、および酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末を秤量して混合・粉砕した後、熱処理を行うという固相法が採られている。熱処理時には、まず約５００℃から、酸化鉛と酸化チタンが反応してチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）が生成され、次いでチタン酸鉛の生成途中である約６００〜７００℃から、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3）が生成される。そして、約８００〜１０００℃から、このチタン酸鉛とジルコン酸鉛が反応して、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3）が得られている。
【０００３】
しかしながら、出発原料を混合し、熱処理する固相反応おいて、ジルコン酸鉛とチタン酸鉛とを反応させて、均一な結晶構造を有するチタン酸ジルコン酸鉛を得るためには、生成されたジルコン酸鉛を固溶させてチタン酸鉛と反応させる必要がある。したがって、一旦ジルコン酸鉛の生成が開始されてしまうと、ジルコン酸鉛の生成・固溶温度が高いために、結果的にチタン酸ジルコン酸鉛を得るための合成温度が上昇することになり、得られるチタン酸ジルコン酸鉛粒子の粒成長を促して粒子の粗大化が生じる。このため、チタン酸ジルコン酸鉛粒子の反応性が低下し、焼結温度が上昇してしまう。また、焼結温度が上昇することにより、チタン酸ジルコン酸鉛の焼成時に鉛成分の一部が揮発し、組成比ずれを生じてしまう。
【０００４】
そこで、チタン酸ジルコン酸鉛の低温焼結を目的として、特開平５−３０６１２２号には、鉛以外の構成元素のアルコキシドを加水分解して得られた単分散状複合酸化物の微粉末に鉛酸化物の粉末を添加混合し、熱処理することによって、中間化合物を生じることなく、直接チタン酸ジルコン酸鉛を得ることができるという技術が開示されている。
【０００５】
しかしながら、出発原料にアルコキシドを用いるという方法は、工程が煩雑になって手間がかかるうえ、出発原料自体のコストも高く、量産には向かないという問題点がある。そこで、固相法を用いて、かつ焼成温度を低く抑えることができる圧電セラミックの製造方法が求められている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものである。本願第１の発明の圧電セラミックの製造方法は、酸化鉛粉末、酸化ジルコニウム粉末、および酸化チタン粉末を含む圧電セラミック原料を合成してチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックを得る圧電セラミックの製造方法であって、前記酸化鉛粉末の一部と前記酸化チタン粉末とを反応させてチタン酸鉛を得た後、未反応の前記酸化鉛粉末と前記酸化ジルコニウム粉末と前記チタン酸鉛とを反応させてチタン酸ジルコン酸鉛を得ることを特徴とする。
【０００７】
また、本願第２の発明の圧電セラミックの製造方法は、酸化鉛粉末と酸化チタン粉末とを反応させてチタン酸鉛を得る工程と、前記チタン酸鉛と酸化鉛粉末と酸化ジルコニウム粉末とを混合し、反応させてチタン酸ジルコン酸鉛を得る工程とからなることを特徴とする。
【０００８】
このような製造方法にすることにより、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、高温で熱処理する必要があるジルコン酸鉛の生成を抑制することができ、圧電セラミックを得るのに必要な熱処理温度を低く抑えることができる。
さらに、上記のような製造方法によって得られるチタン酸ジルコン酸鉛は、反応性が向上されており、圧電セラミックとしたときの粒界に存在する未反応の酸化鉛を低減できることを本発明者らは見出した。
【０００９】
また、本願第３の発明の圧電セラミックの製造方法は、前記圧電セラミックの原料のうち、酸化ジルコニウム粉末の比表面積をｘ（ｍ2／ｇ）、前記酸化チタン粉末の比表面積をｙ（ｍ2／ｇ）としたとき、
ｙ≧１．２１８ｅ0.117x（ただし、ｘ≧１）
を満たすことが好ましい。
【００１０】
酸化チタン粉末および酸化ジルコニウム粉末の比表面積をこのような関係にすることによって、通常の粉砕、混合レベルで、鉛に対する酸化チタン粉末の反応性を、鉛に対する酸化ジルコニウム粉末の反応性に比べて相対的に高くすることができるので、ＰｂＯ，ＴｉＯ2，およびＺｒＯ2を同時に合成しても、ジルコン酸鉛の生成を抑制することができる。すなわち、まずチタン酸鉛が合成され、次にジルコン酸鉛の生成が始まる前にチタン酸ジルコン酸鉛の生成が開始されるため、結果的にジルコン酸鉛の生成が抑制されるのである。
【００１１】
また、本願第４の発明の圧電セラミックの製造方法は、前記チタン酸鉛を得る工程、または前記チタン酸ジルコン酸鉛の得る工程の少なくともいずれか一方に酸化ニオブ粉末を添加して反応させることが好ましい。
【００１２】
さらに、本願第５の発明の圧電セラミックの製造方法は、前記圧電セラミック原料に酸化ニオブ粉末を含まれることが好ましい。
【００１３】
上記のような製造方法にすることによって、圧電セラミックを得るのに必要な熱処理温度を低くし、圧電セラミックとしたときの粒界に存在する未反応の酸化鉛を低減できるのに加え、圧電特性に優れた、特に電気機械結合係数、機械的品質係数、キュリー点の高い圧電セラミックを得ることができる。
【００１４】
また、鉛元素を含有する圧電セラミック中にニオブ元素が含まれる場合、Ｂサイト元素をあらかじめ仮焼しておくといった特殊な製造方法を用いる場合を除き、仮焼時に出発原料の鉛元素とニオブ元素とが選択的に反応を起こし、パイロクロア相を生じるが、上記のような製造方法をすることによって、このパイロクロア相による圧電セラミックへの悪影響もなくすことができる。以下、その理由について説明する。パイロクロア相とチタン酸ジルコン酸鉛のペロブスカイト相とが混在する仮焼粉末を成形して、焼成した場合、パイロクロア相とペロブスカイト相との収縮率が異なるため焼結体にクラックが生じる恐れがある。しかし、上記のような製造方法にすることにより、ペロブスカイト相が生成される温度に達するまでに、パイロクロア相を問題ないレベルまで消滅させ、パイロクロア相とペロブスカイト相とが混在することを防ぐことができる。その結果、焼結体の外観にクラックを生じない緻密な圧電セラミックを得ることができる。
【００１５】
また、本願第６の発明の圧電セラミックの製造方法においては、粉砕後の前記圧電セラミック原料の比表面積が、粉砕前の前記圧電セラミック原料の比表面積の１．４倍以上になるように、前記圧電セラミック原料を粉砕することが好ましい。
【００１６】
このような比表面積になるまで圧電セラミック原料を粉砕することによって、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する際、ＰｂＯ、ＴｉＯ2、およびＺｒＯ2を同時に合成しても、ジルコン酸鉛の生成を抑制することができる。すなわち、出発原料である酸化チタン粉末、酸化ジルコニウム粉末が本願第３の発明のような範囲になくても、これらを混合した圧電セラミック原料の比表面積が上記のようになるまで粉砕することによって、ジルコン酸鉛の生成が抑制できるものである。これは、酸化チタン粉末が酸化ジルコニウム粉末に比べて粉砕されやすいため、圧電セラミック原料の比表面積を上記のような範囲になるまで粉砕することによって、結果的に酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末との間に反応性の差が生じているためと考えられる。
【００１９】
本発明の製造方法によって得られた圧電セラミックは、未反応のＰｂ成分が少なく、圧電セラミック素子としたときの圧電特性を大幅に向上させることができる。また、上記圧電セラミックを用いた圧電セラミック素子は、その圧電セラミック素子に応じた圧電特性の大幅な向上を図ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の圧電セラミックの製造方法は、酸化鉛粉末と、酸化チタン粉末と、酸化ジルコニウム粉末とを含む圧電セラミック原料から、チタン酸ジルコン酸鉛を合成するにあたり、酸化鉛粉末と酸化チタン粉末とを合成してチタン酸鉛を合成し、チタン酸鉛と酸化鉛粉末と酸化ジルコニウム粉末とを合成するという反応過程にすることによって、チタン酸ジルコン酸鉛が合成されるまでにジルコン酸鉛の生成を抑制したものである。なお、ジルコン酸鉛の生成は完全に抑制しなければならないというものではなく、若干量の生成があっても十分な効果が得られる。若干量とはチタン酸ジルコン酸鉛の合成過程中に、ＸＲＤ測定器によってジルコン酸鉛のＸＲＤピーク強度とチタン酸ジルコン酸鉛のＸＲＤピーク強度とを同時に測定した場合、ジルコン酸鉛のＸＲＤピーク強度がチタン酸ジルコン酸鉛のＸＲＤピーク強度の約０．４倍以下である。
【００２１】
ここで、出発原料としての酸化鉛粉末はＰｂＯ，Ｐｂ3Ｏ4等が挙げられるが、特に限定はしない。また、酸化チタン粉末はどのようなものを用いても構わないが、圧電セラミックとしたときの圧電特性が低下する恐れがあるため、その比表面積が５ｍ2／ｇ以上のものが好ましく、出発原料として酸化ジルコニウム粉末を同時に添加する場合は、酸化ジルコニウム粉末より反応性の高いものを用いることが好ましい。また、酸化ジルコニウム粉末はどのようなものを用いても構わないが、圧電セラミックとしたときの圧電特性が低下する恐れがあるため、その比表面積が１ｍ2／ｇ以上のものが好ましく、出発原料として酸化ジルコニウム粉末を同時に添加する場合は、酸化チタン粉末より反応性の低いものを用いることが好ましい。
【００２２】
また、本発明の圧電セラミックの製造方法においては、出発原料として酸化ジルコニウムを同時に添加する場合は、出発原料の酸化チタン粉末および酸化ジルコニウム粉末の比表面積を上記範囲とする代わりに、これらを含む圧電セラミック原料の粉砕前の比表面積を基準とし、この基準に対して粉砕後の圧電セラミック原料の比表面積が１．４倍以上となるようにしてもよい。なお、ここでいう比表面積の理論値とは以下の式によって算出したものを指す。
圧電セラミック原料の比表面積＝（酸化鉛粉末の比表面積×重量比）＋（酸化チタン粉末の比表面積×重量比）＋（酸化ジルコニウム粉末の比表面積×重量比）＋（その他の出発原料の比表面積×重量比）
また、本発明の圧電セラミックの製造方法において、酸化ジルコニウム粉末を出発原料として他の原料粉末と同時添加する場合に限り、仮焼工程と焼成工程を連続して行ってもよい。その場合には、圧電セラミック原料にあらかじめバインダーを添加しておき、所望の形状に成形して熱処理することになる。
【００２３】
また、本発明の圧電セラミックの製造方法は、２成分系のＰｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3系の圧電セラミックだけに限らず、複合ペロブスカイト型酸化物を第３成分として固溶させた３成分系の圧電セラミックにも適用することができる。このような３成分系の圧電セラミックとしては、例えば、Ｐｂ(Ｍｎ1/3Ｓｂ2/3)(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3系、Ｐｂ(Ｃｏ1/2Ｗ1/2)(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3系等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。また、必要に応じてＰｂの一部をＳｒ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃａ等で置換したり、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3等を添加してもよい。また、Ｎｂは添加物として添加してもよいが、複合ペロブスカイト型第３成分として、例えば、Ｐｂ(Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3)(Ｚｒ、Ｔｉ)Ｏ3系、Ｐｂ(Ｍｎ1/3Ｎｂ2/3)(Ｚｒ、Ｔｉ)Ｏ3系、Ｐｂ(Ｃｏ1/3Ｎｂ2/3)(Ｚｒ、Ｔｉ)Ｏ3系とした場合は、特に優れた圧電特性を有する圧電セラミックとなる。
【００２４】
次に、本発明の圧電セラミックの製造方法を実施例を用いてさらに具体的に説明する。
【００２５】
【実施例】
（実施例１）本実施例は請求項１に対応するものである。まず、出発原料として、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、ＴｉＯ2（比表面積：２１ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）、Ｃｒ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）の各粉末を
Ｐｂ1.00(Ｚｒ0.49Ｔｉ0.51)Ｏ3＋１．０mol％Ｃｒ2Ｏ3
となるように秤量し、ボールミルで粉砕、混合を行い、圧電セラミック原料とした。このときの圧電セラミック原料の比表面積は１０ｍ2／ｇであった。得られた圧電セラミック原料を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、９００℃で２時間保持して仮焼し、粉砕して得られた仮焼粉末にバインダーを添加して造粒した。次に、一辺が１５mmで肉厚が１mmの正方板に成形した後、焼成して焼結体を得た。さらに、得られた焼結体の主面に分極用電極を形成し、６０℃の絶縁オイル中３０００Ｖで６０分間分極処理をし、圧電セラミックとした。
【００２６】
ここで、上記のようにして得られた圧電セラミックの仮焼時に起こる反応と、生成される化合物を調べるために、上記組成の試料を複数用意し、所定の温度まで昇温した時点でその温度を３分間保持して、その試料のＸＲＤピーク強度比を測定した。その結果を図１に示す。なお、各試料の仮焼においては、保持する仮焼温度以外はすべて同じ条件で実験を行った。また、比較例として、ＴｉＯ2粉末（比表面積：５ｍ2／ｇ），ＺｒＯ2粉末（比表面積：２４ｍ2／ｇ）とした以外は上記方法と同様にしてＸＲＤピーク強度比を測定したものを図２に示す。
【００２７】
また、上記圧電セラミックを得るにあたり、焼成温度を変動させ、それぞれの温度で３時間焼成したときの焼結密度および正方板の面積振動の電気機械結合係数を測定し、それぞれ図３、図４に示した。
【００２８】
（実施例２）本実施例は請求項２に対応するものである。まず、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、ＴｉＯ2（比表面積：５ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）、Ｃｒ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）の各粉末を
Ｐｂ1.00(Ｚｒ0.49Ｔｉ0.51)Ｏ3＋１．０mol％Ｃｒ2Ｏ3
となるように秤量した。このうち、ＺｒＯ2を除く粉末を出発原料としてボールミルで粉砕、混合して混合物とし、この混合物を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、７００℃で２時間保持して仮焼し、未反応の酸化鉛を含むＰｂＴｉＯ3を合成した。次いで、この未反応の酸化鉛を含むＰｂＴｉＯ3を粉砕し、ＺｒＯ2粉末を加えて昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、９００℃で２時間保持して再度仮焼し、粉砕して得られた仮焼粉末にバインダーを添加して造粒した。次に、一辺が１５mmで肉厚が１mmの正方板に成形した後、焼成して焼結体を得た。さらに、得られた焼結体の主面に分極用電極を形成し、６０℃の絶縁オイル中３０００Ｖで６０分間分極処理をし、圧電セラミックとした。
【００２９】
ここで、実施例１と同様に、焼結密度および正方板の面積振動の電気機械結合係数を測定し、それぞれ図３、図４に示した。
【００３０】
（実施例３）本実施例は請求項３に対応するものである。実施例１と同様の組成の圧電セラミックにおいて、酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末の比表面積を変動させた。この酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末とを用いて、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程におけるジルコン酸鉛の生成の有無を調べ、さらに得られた圧電セラミックの正方板の面積振動の電気機械結合係数を測定した。なお、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程におけるジルコン酸鉛の生成の有無の確認方法、および圧電セラミックの製造方法については実施例１と同様とした。その結果を表１および図５に示す。また、本発明の範囲外となる試料については、表１中では＊印、図５中では×印で示している。なお、参考のため実施例１において作製した比較例についても表１に示している。
【００３１】
【表１】
【００３２】
表１および図５に示すように、酸化ジルコニウム粉末の比表面積ｘと酸化チタン粉末の比表面積ｙとの関係がｙ≧１．２１８ｅ0.117xかつ、ｘ≧１の範囲にあるものは、酸化チタン粉末と、酸化ジルコニウム粉末とを出発原料として同時に添加し、仮焼しても、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛が生成していないことがわかる。また、上記範囲にある酸化チタン粉末および酸化ジルコニウム粉末を用いて作製した圧電セラミックは、その焼成温度を低減できることがわかる。
【００３３】
ここで、請求項３において、酸化ジルコニウム粉末の比表面積ｘと酸化チタン粉末の比表面積ｙとの関係をｙ≧１．２１８ｅ0.117xかつ、ｘ≧１に限定した理由を説明する。請求項３において、ｙ≧１．２１８ｅ0.117xとしたのは、試料番号７，１２，１６，１８〜２１のように、酸化チタン粉末の比表面積と酸化ジルコニウム粉末の比表面積との関係が、図５におけるｙ＝１．２１８ｅ0.117xを示すグラフの右下側の領域に位置する（ｙ＜１．２１８ｅ0.117x）場合は、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛が生成され、圧電セラミックの焼成温度が高く好ましくないからである。
【００３４】
また、ｘ≧１としたのは、ｙ≧１．２１８ｅ0.117xの範囲内にあっても、ｘ＜１の場合は、出発原料である酸化ジルコニウム粉末が粗粒のためチタン酸ジルコン酸鉛の合成が阻害され、好ましくないからである。
【００３５】
（実施例４）本実施例は請求項４に対応するものである。まず、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）ＴｉＯ2（比表面積：５ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）、Ｎｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）ＭｎＣＯ3（比表面積：２０ｍ2／ｇ）の各粉末を用意した。これらの原料を、
Ｐｂ1.00((Ｍｎ1/3Ｎｂ2/3)0.10Ｚｒ0.49Ｔｉ0.41)Ｏ3
となるように秤量した。このうち、ＺｒＯ2を除く粉末を出発原料としてボールミルで粉砕、混合して混合物とした。この混合物を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、７００℃で２時間保持して仮焼した。このとき、酸化鉛の一部は反応せずに残っている。次に、未反応の酸化鉛を含むＰｂＴｉＯ3を粉砕し、ＺｒＯ2を加えて昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、９００℃で２時間保持して再度仮焼した後、粉砕して仮焼粉末を得た。次にこの仮焼粉末にバインダーを添加して造粒し、一辺が１５ｍｍで肉厚が１ｍｍの正方板にプレス成形した後、焼成して焼結体を得た。さらに、得られた焼結体の主面に分極用電極を形成し、６０℃の絶縁オイル中３０００Ｖで６０分間分極処理をし、圧電セラミックとした（試料２３）。また、ＺｒＯ2の比表面積を２４ｍ2／ｇ、ＴｉＯ2の比表面積を２１ｍ2／ｇとした以外、上記と同様の方法で圧電セラミックを作製した（試料２４）。
【００３６】
一方、出発原料および組成を試料２３と同じにし、これを全て一度にボールミルで粉砕し、混合して混合物とした。この混合物を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、９００℃で２時間保持して仮焼し、粉砕して得られた仮焼粉末にバインダーを添加して造粒したこと以外は試料２３と同様にして圧電セラミックを作製し比較例１とした。また、Ｐｂ3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2以外の原料として、ＭｎＣＯ3とＮｂ2Ｏ5とを含む場合以外に、Ｍｇ(ＯＨ)2（比表面積：２０ｍ2／ｇ）とＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）とを含む場合（試料２５）、ＣｏＣＯ3（比表面積：１００ｍ2／ｇ）とＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）とを含む場合（試料２６）、及びＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）のみを含む場合（試料２７）のそれぞれについて、表２に示す組成式を満たすように秤量し、それ以外は試料２３と同様の方法で圧電セラミックを作製した。また、実施例２で作製したＮｂを含まない試料を比較例２とした。
【００３７】
ここで、試料２３〜２７、比較例１及び比較例２の圧電セラミックの焼成温度を１１００℃とし、３時間焼成したときの焼結密度、及び正方板の面積振動の電気機械結合係数Ｋを測定した。さらに、圧電セラミック素子の焼結体におけるクラック発生有無を目視により観察した。その結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】
試料２３〜２７ともに、Ｎｂを含まない比較例２よりも電気機械結合係数Kが優れていることがわかる。また、Ｎｂを含む場合でも請求項２を満たす試料２３〜２７についてはパイロクロア相が問題ないレベルに消滅する温度が低く、ペロブスカイト相の生成時に実質的にパイロクロア相が存在していないため、焼結体にクラックが発生していないことがわかる。このため、焼成温度が１１００℃と低い場合でもパイロクロア相とペロブスカイト相とが実質的に混在していないため高い焼結密度を保ち、電気機械結合係数Ｋも高いことがわかる。一方、Ｎｂを含むが請求項２の範囲外である比較例１についてはパイロクロア相が問題ないレベルにまで消滅する温度が高く、焼結する際にパイロクロア相とペロブスカイト相とが実質的に混在しているため、焼結密度及び電気機械結合係数Ｋが試料２３〜２７よりも劣り、焼結体にクラックが発生している。
【００４０】
（実施例５）本実施例は請求項５に対応するものである。まず、出発原料としてＴｉＯ2（比表面積：２１ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、Ｎｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）、Ｃｒ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）の各粉末をＰｂ１．００｛（Ｃｒ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3Ｔｉ0.49Ｚｒ0.48｝Ｏ3となるように秤量し、ボールミルで粉砕、混合を行い、圧電セラミック原料とした。この時の圧電セラミック原料の比表面積は１０ｍ2／ｇであった。得られた圧電セラミック原料を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、９００℃で２時間保持して仮焼し、粉砕して得られた仮焼粉末にバインダーを添加して造粒した。次に一辺が１５ｍｍで肉厚が１ｍｍの正方板に成形した後、焼成して焼結体を得た。さらに、得られた焼結体の主面に分極用電極を形成し、６０℃の絶縁オイル中３０００Ｖで６０分間分極処理をし、圧電セラミックとした。
【００４１】
ここで上記のようにして得られた圧電セラミックの仮焼時に起こる反応と、生成される化合物を調べるために、上記組成の試料を複数用意し、所定の温度まで昇温した時点でその温度を３分間保持して、その試料のＸＲＤピーク強度比を測定した。その結果を図６に示す。なお、各試料においては、保持する仮焼温度以外は全て同じ条件で実験を行った。また、比較例として、請求項５の範囲外であるＴｉＯ2粉末（比表面積：５ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2粉末（比表面積：２４ｍ2／ｇ）とした以外は上記方法と同様にしてＸＲＤピーク強度比を測定したものを図７に示す。
【００４２】
図６に示す実施例においては、ＰｂＺｒＯ3が若干生成されるが、問題ない程度にしか発生していないため、低温からＰＺＴが生成されることがわかる。また、パイロクロア相についても若干生成されるが、低温で問題ない程度にまで消滅していることがわかる。一方、図７に示す比較例においては、ＰｂＺｒＯ3が１０００℃という高温になるまで存在するため、ＰＺＴの合成される温度も高くなることがわかる。また、パイロクロア相の生成についても、高温になるまで存在することがわかる。
【００４３】
（実施例６）本実施例は請求項５に対応するものである。まず、出発原料としてＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、Ｎｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）、Ｃｒ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）の各粉末を用意し、この出発原料のうちＴｉＯ2及びＺｒＯ2の比表面積が表３（試料２８〜３５）の組み合わせとなるようにした。そして、これらの出発原料をＰｂ1.00｛（Ｃｒ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3Ｔｉ0.49Ｚｒ0.48｝Ｏ3となるように秤量し、ボールミルで粉砕、混合を行い、圧電セラミック原料とした。
【００４４】
また、Ｐｂ3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2以外の出発原料として、ＭｎＣＯ3（比表面積：２０ｍ2／ｇ）とＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）とを含む場合、Ｍｇ(ＯＨ)2（比表面積：２０ｍ2／ｇ）とＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）とを含む場合、ＣｏＣＯ3（比表面積：１００ｍ2／ｇ）とＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）とを含む場合、及びＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）のみを含む場合とを用意し、かつＴｉＯ2及びＺｒＯ2の比表面積が表３（試料３６〜５８）の組み合わせとなるようにしたものを、表３に示す組成式を満たすように秤量し、ボールミルで粉砕、混合を行い、圧電セラミック原料とした。さらに、本実施例で作製した出発原料にＮｂを含まないものを比較例とした。
【００４５】
上記組成の試料を複数用意し、所定の温度まで昇温し、その温度で３分間保持して、上記試料のパイロクロア相（ＸＲＤで３３°付近）のＸＲＤピーク強度とペロブスカイト相（ＸＲＤで４４°付近）のＸＲＤピーク強度を測定し、パイロクロア相が問題ないレベルまで消滅する温度を調べた。続いて、各圧電セラミック原料を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、表３に示すパイロクロア相が問題ないレベルまでに消滅する温度で２時間保持して仮焼し、粉砕して得られた仮焼粉末にバインダを添加して造粒した。次に、一辺が１５ｍｍで肉厚が１ｍｍの正方板に成形した後、１１００℃で３時間焼成した時の焼結密度、及び正方板の面積振動の電気機械結合係数Ｋを測定した。また、得られた焼結体の主面に分極用電極を形成し、６０℃の絶縁オイル中３０００Ｖで６０分間の分極処理をして圧電セラミック素子とした。この圧電セラミック素子の焼結体におけるクラック発生有無を目視により観察した。これらの結果を表３に示す。特に、Ｐｂ3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2以外の出発原料として、ＭｎＣＯ3とＮｂ2Ｏ5とを含む試料のうち、試料４０及び試料４１については、各温度のパイロクロア相とペロブスカイト相とＸＲＤピーク強度の変化を調べ、図８及び図９に示す。
【００４６】
【表３】
【００４７】
まず、試料２８〜５８から分かるように、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たす試料の方が、請求項３の範囲を満たしていない試料よりも優れた焼結密度及び電気機械結合係数Ｋが得られることがわかる。また、請求項３の範囲を満たしていない試料であっても、Ｎｂを含まない比較例に比べて焼結密度及び電気機械結合係数Ｋが優れている点がわかる。
【００４８】
また、Ｐｂ3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2以外の出発原料として、Ｃｒ２Ｏ３とＮｂ2Ｏ5を含む場合（試料２８〜３５）は、一旦パイロクロア相が生成されても、素体が焼結され収縮し始める温度になる前にパイロクロア相が消滅する性質を有しているため、焼結体にクラックが生じることはないが、非常に低温でパイロクロア相が消滅している点がわかる。一方、Ｐｂ3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2以外の出発原料として、ＭｎＣＯ3とＮｂ2Ｏ5を含んだ場合（試料３６〜５０）は、パイロクロア相が多量に生じ、素体が焼結され収縮し始める温度を超えてもパイロクロア相が残存するため、クラックが生じやすい。この場合、試料３６〜５０からわかるように、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たす試料は、パイロクロア相が問題ないレベルまで消滅する温度も低く、ペロブスカイト相の生成時に実質的にパイロクロア相が存在していないため、焼結体のクラックも発生していないことが分かる。一方、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たしていない試料は、パイロクロア相が問題ないレベルにまで消滅する温度が１１００℃以上と高く、圧電セラミック素子の焼結体にはクラックがはっきりと確認される。
【００４９】
また、同じ昇温条件でＸＲＤピーク強度を測定した図８及び図９を見ると、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たす試料４１の方は請求項３の範囲を満たしていない試料４０よりも低い温度でパイロクロア相が問題ない程度にまで消滅しており、かつパイロクロア相とペロブスカイト相が実質的に混在していないことがわかる。
【００５０】
また、それぞれの原料においても、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たす試料の方が、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たしていない試料よりもパイロクロア相が問題ないレベルまでに消滅する温度が低く、パイロクロア相とペロブスカイト相とが実質的に混在しないため、高い焼結密度を保つことができ、電気機械結合係数Ｋも高いことがわかる。
【００５１】
（実施例７）本実施例は請求項６に対応するものである。組成および酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末との比表面積の組み合わせが実施例３の試料番号７，１２の圧電セラミック原料において、粉砕前の比表面積の理論値を算出した。次に、ボールミルによる粉砕の時間を変えて、圧電セラミック原料の比表面積を変動させ、それぞれ粉砕後の比表面積を測定した。さらに、この圧電セラミック原料からチタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛の生成の有無を調べ、得られた圧電セラミックの電気機械結合係数Ｋを調べた。なお、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程におけるジルコン酸鉛の生成の有無、および圧電セラミックの製造方法については実施例１と同様とした。その結果を表４に示す。また、表４における試料番号６０について、実施例1，実施例２と同様に焼結密度および正方板の面積振動の電気機械結合係数Ｋを測定し、それぞれ図３，図４に示している。
【００５２】
【表４】
【００５３】
表４に示すように、圧電セラミック原料の比表面積を粉砕前に比べ１．４倍以上となるまで粉砕したものを用いた場合は、酸化チタン粉末と、酸化ジルコニウム粉末とを出発原料として同時に添加し、仮焼しても、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛が生成していないことがわかる。また、上記範囲にある圧電セラミック原料を用いて作製した圧電セラミックは、その焼成温度を低減でき、高い電気機械結合係数Ｋが得られていることがわかる。なお、圧電セラミック原料の比表面積を粉砕前に比べ１．４倍以上となるまで粉砕したものを用いたものは、酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末とが請求項３に記載の範囲外にあったとしても、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛が生成しない。
【００５４】
一方、試料番号５９、６２のように、酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末とが請求項３に記載の範囲外にあり、かつ圧電セラミック原料の比表面積を粉砕前に比べ１．４倍未満となるようにしか粉砕しなかった場合は、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛が生成してしまい、その焼成温度を低減することができない。
【００５５】
ここで、実施例１のようにして得られる圧電セラミックの焼成温度を変動させ、それぞれの温度で３時間焼成したときの焼結密度および正方板の面積振動の電気機械結合係数Ｋを測定し、それぞれ図３、図４に示した。
【００５６】
図３、図４に示すように、実施例１、実施例２、実施例７、および比較例の焼結密度、電気機械結合係数Ｋの値と焼成温度との関係から、ジルコン酸鉛を生成させないようにしてチタン酸ジルコン酸鉛を合成した圧電セラミックは、チタン酸ジルコン酸鉛の合成時にジルコン酸鉛が生成した圧電セラミックに比べ、良好な電気機械結合係数Ｋを実現しつつ、その焼成温度を大幅に低減できることがわかる。
【００５７】
（実施例８）本実施例は本発明に係る製造方法によって製造される圧電セラミック素子 の一実施例である。以下、本発明の圧電セラミック素子として、圧電フィルタについて説明する。なお、図１０は本実施例の圧電フィルタを構成する積層体の分解斜視図、図１１は本実施例の圧電フィルタの概略斜視図を示す。まず、出発原料として、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、ＴｉＯ2（比表面積：７８ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：３２ｍ2／ｇ）、Ｃｒ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）、Ｓｂ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）を用意した。この出発原料を
Ｐｂ(Ｚｒ0.47Ｔｉ0.53)Ｏ3＋１ｗｔ％Ｃｒ2Ｏ3＋２ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3
となるように秤量して、ボールミルで湿式混合を行い、混合粉末を得た。この混合粉末を８５０℃２時間で仮焼し、得られた仮焼粉末にバインダー溶液を加えてセラミックスラリーとした。このセラミックスラリーをシート状に成形して乾燥し、セラミックグリーンシートを得た。さらに図１０のように、セラミックグリーンシート２ａ上に所望のパターンの内部電極ペースト３ａを印刷したものを積層して積層体１ａとし、１０５０℃３時間で焼成して積層焼結体とした。次に、内部電極に電気的に接続するように、この積層焼結体の表面に分極用電極を形成し、絶縁オイル中６０℃で１時間分極処理を行った。その後、積層焼結体を所定の大きさに切断して圧電フィルタとした。
【００５８】
図１１に示すように、本発明の圧電フィルタ１０は、圧電セラミック層２と内部電極層３とが交互に積層されており、全体として四角柱形状の積層焼結体１を形成している。また、それぞれの内部電極層３は積層焼結体１の同一側面上に引き出されており、それぞれの内部電極層３に電気的に接続するように積層焼結体の長手方向に沿って２つの外部電極４が形成されている。
【００５９】
なお、本発明の圧電セラミック素子を上記のような圧電フィルタとして適用すれば、フィルタ帯域を大きくすることができる。
【００６０】
（実施例９）本実施例は本発明に係る製造方法によって製造される圧電セラミック素子の一実施例である。以下、本発明の圧電セラミック素子として、圧電トランスについて説明する。なお、図１２は本発明の圧電トランスの一部切り欠き斜視図を示す。まず、出発原料として、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、ＴｉＯ2（比表面積：５２ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）、ＳｎＯ2（比表面積：５ｍ2／ｇ）、Ｓｂ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）を用意した。この出発原料を
Ｐｂ( (Ｓｎ1/3Ｓｂ2/3)0.10Ｚｒ0.45Ｔｉ0.45)Ｏ3
となるように秤量して、ボールミルで湿式混合を行い、混合粉末を得た。この混合粉末を８００℃２時間で仮焼し、得られた仮焼粉末にバインダー溶液を加えてセラミックスラリーとした。このセラミックスラリーを長方形のシート状に成形して乾燥し、セラミックグリーンシートとした後、それぞれ対向する方向へ引き出されるようにセラミックグリーンシートの一端側に内部電極ペーストを印刷したものを積層して積層体とし、１０６０℃３時間で焼成して圧電セラミック層２と内部電極３との積層体である積層焼結体１とした。次に、各内部電極３に接続するように、この積層焼結体１の表面に第１外部電極４ａ及び第２部外部電極４ｂを積層焼結体１の対向である側面上に形成した。さらに、第１，２外部電極４ａ，４ｂが形成されたのと長手方向でみて反対側の端面に第３外部電極４ｃを形成した。次に、第１，２外部電極間で厚み方向に分極した後、第１，２外部電極４ａ，４ｂと第３外部電極４ｃとの間で長手方向に分極し、本発明の圧電トランス２０とした。
【００６１】
ここで、上記のようにして得られた圧電トランスと、比較例として、ＴｉＯ2（比表面積：５ｍ2／ｇ），ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）を出発原料に用いた圧電トランスとを用意し、６Ｗ出力時における発熱温度を測定した。その結果、比較例の圧電トランスでは発熱による温度上昇が５０℃であったのに対し、本実施例の圧電トランスでは発熱による温度上昇が３７℃であり、上昇温度の２６％もの低減が実現できた。したがって、本発明の圧電セラミック素子を上記のような圧電トランスとして適用すれば、発熱特性を低く抑えられることがわかる。
【００６２】
（実施例１０）本実施例は本発明に係る製造方法によって製造される圧電セラミック素子の一実施例である。以下、本発明の圧電セラミック素子として、圧電アクチュエータについて説明する。なお、図１３は本発明の圧電アクチュエータの概略断面図を示す。まず、出発原料として、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、ＴｉＯ2（比表面積：２１ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：１２ｍ2／ｇ）、ＳｒＣＯ3（比表面積：５ｍ2／ｇ）を用意した。この出発原料を
Ｐｂ0.98Ｓｒ0.02(Ｚｒ0.45Ｔｉ0.55)Ｏ3
となるように秤量して、ボールミルで湿式混合を行い、混合粉末を得た。この混合粉末を８００℃２時間で仮焼し、得られた仮焼粉末にバインダー溶液を加えてセラミックスラリーとした。このセラミックスラリーをシート状に成形して乾燥し、所望のパターンの内部電極ペーストを印刷したものを積層して積層体とし、１０２０℃３時間で焼成して圧電セラミック層と内部電極とを積層した積層焼結体とした。次に、内部電極に電気的に接続するように、この積層焼結体の表面に分極用電極を形成し、絶縁オイル中６０℃で１時間分極処理を行った。その後、積層焼結体を所定の大きさに切断して圧電アクチュエータとした。
【００６３】
図１３に示すように、本発明の圧電アクチュエータ３０は、圧電セラミック層２と内部電極３とが交互に積層されており、内部電極３が積層焼結体１の対向する側面に引き出されており、それぞれ外部電極４と電気的に接続するような構造になっている。
【００６４】
ここで、上記のようにして得られた圧電アクチュエータと、比較例として、ＴｉＯ2（比表面積：２１ｍ2／ｇ），ＺｒＯ2（比表面積：３２ｍ2／ｇ）を出発原料に用いた圧電アクチュエータとを用意し、圧電定数ｄ31を測定した。その結果、比較例の圧電トランスではｄ31が２００×１０-12／ｍＶであったのに対し、本実施例の圧電アクチュエータではｄ31が２１０×１０-12／ｍＶであり、圧電定数の５％もの向上が実現できた。したがって、本発明の圧電セラミック素子を上記のような圧電アクチュエータとして適用すれば、その変位量を大きくできることがわかる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明の圧電セラミックの製造方法を用いれば、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛の生成を抑制することができるので、圧電セラミックの焼成温度を低減することができ、かつ圧電セラミックの電気機械結合係数を大幅に向上させることができる。
【００６６】
また、本発明の製造方法によって製造された圧電セラミック、ならびにこれを用いた圧電セラミック素子を用いれば、圧電セラミック素子の諸特性を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 チタン酸ジルコン酸鉛の合成過程における、実施例１の各化合物のＸＲＤピーク強度比を示すグラフ。
【図２】 チタン酸ジルコン酸鉛の合成過程における、比較例の各化合物のＸＲＤピーク強度比を示すグラフ。
【図３】 実施例１、実施例２、実施例７および比較例における、圧電セラミックの焼成温度と焼結密度との関係を示すグラフ。
【図４】 実施例１、実施例２、実施例７および比較例における、圧電セラミックの焼成温度と電気機械結合係数との関係を示すグラフ。
【図５】 チタン酸ジルコン酸鉛の合成過程における、酸化チタン粉末および酸化ジルコニウム粉末の比表面積とジルコン酸鉛の生成との関係を示すグラフ。
【図６】 酸化ニオブ粉末を添加したチタン酸ジルコン酸鉛の合成過程における、実施例５の各化合物のＸＲＤピーク強度比を示すグラフ。
【図７】 酸化ニオブ粉末を添加したチタン酸ジルコン酸鉛の合成過程における、実施例５の比較例の各化合物のＸＲＤピーク強度比を示すグラフ。
【図８】 実施例６における、試料番号４０のパイロクロア相及びペロブスカイト相のＸＲＤピーク強度と仮焼温度との関係を示すグラフ。
【図９】 実施例６における、試料番号４１のパイロクロア相及びペロブスカイト相のＸＲＤピーク強度と仮焼温度との関係を示すグラフ。
【図１０】 実施例８の圧電フィルタを構成する積層体を示す分解斜視図。
【図１１】 実施例８の圧電フィルタを示す概略斜視図。
【図１２】 実施例９の圧電トランスを示す一部切り欠き斜視図。
【図１３】 実施例１０の圧電アクチュエータを示す概略断面図。
【符号の説明】
１ 積層焼結体
１ａ 積層体
２ 圧電セラミック層
２ａ セラミックグリーンシート
３ 内部電極
３ａ 内部電極ペースト
４ 外部電極
４ａ 第１外部電極
４ｂ 第２外部電極
４ｃ 第３外部電極
１０ 圧電フィルタ
２０ 圧電トランス
３０ 圧電アクチュエータ
【発明の属する技術分野】
本発明は圧電セラミック、特にチタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする圧電セラミックの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
従来より、アクチュエータやトランスなどの電子部品には、電気機械結合係数が大きいチタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする圧電セラミックが用いられている。一般に、このチタン酸ジルコン酸鉛を合成するにあたっては、出発原料として、酸化鉛（ＰｂＯ）粉末、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）粉末、および酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末を秤量して混合・粉砕した後、熱処理を行うという固相法が採られている。熱処理時には、まず約５００℃から、酸化鉛と酸化チタンが反応してチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）が生成され、次いでチタン酸鉛の生成途中である約６００〜７００℃から、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3）が生成される。そして、約８００〜１０００℃から、このチタン酸鉛とジルコン酸鉛が反応して、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3）が得られている。
【０００３】
しかしながら、出発原料を混合し、熱処理する固相反応おいて、ジルコン酸鉛とチタン酸鉛とを反応させて、均一な結晶構造を有するチタン酸ジルコン酸鉛を得るためには、生成されたジルコン酸鉛を固溶させてチタン酸鉛と反応させる必要がある。したがって、一旦ジルコン酸鉛の生成が開始されてしまうと、ジルコン酸鉛の生成・固溶温度が高いために、結果的にチタン酸ジルコン酸鉛を得るための合成温度が上昇することになり、得られるチタン酸ジルコン酸鉛粒子の粒成長を促して粒子の粗大化が生じる。このため、チタン酸ジルコン酸鉛粒子の反応性が低下し、焼結温度が上昇してしまう。また、焼結温度が上昇することにより、チタン酸ジルコン酸鉛の焼成時に鉛成分の一部が揮発し、組成比ずれを生じてしまう。
【０００４】
そこで、チタン酸ジルコン酸鉛の低温焼結を目的として、特開平５−３０６１２２号には、鉛以外の構成元素のアルコキシドを加水分解して得られた単分散状複合酸化物の微粉末に鉛酸化物の粉末を添加混合し、熱処理することによって、中間化合物を生じることなく、直接チタン酸ジルコン酸鉛を得ることができるという技術が開示されている。
【０００５】
しかしながら、出発原料にアルコキシドを用いるという方法は、工程が煩雑になって手間がかかるうえ、出発原料自体のコストも高く、量産には向かないという問題点がある。そこで、固相法を用いて、かつ焼成温度を低く抑えることができる圧電セラミックの製造方法が求められている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものである。本願第１の発明の圧電セラミックの製造方法は、酸化鉛粉末、酸化ジルコニウム粉末、および酸化チタン粉末を含む圧電セラミック原料を合成してチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックを得る圧電セラミックの製造方法であって、前記酸化鉛粉末の一部と前記酸化チタン粉末とを反応させてチタン酸鉛を得た後、未反応の前記酸化鉛粉末と前記酸化ジルコニウム粉末と前記チタン酸鉛とを反応させてチタン酸ジルコン酸鉛を得ることを特徴とする。
【０００７】
また、本願第２の発明の圧電セラミックの製造方法は、酸化鉛粉末と酸化チタン粉末とを反応させてチタン酸鉛を得る工程と、前記チタン酸鉛と酸化鉛粉末と酸化ジルコニウム粉末とを混合し、反応させてチタン酸ジルコン酸鉛を得る工程とからなることを特徴とする。
【０００８】
このような製造方法にすることにより、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、高温で熱処理する必要があるジルコン酸鉛の生成を抑制することができ、圧電セラミックを得るのに必要な熱処理温度を低く抑えることができる。
さらに、上記のような製造方法によって得られるチタン酸ジルコン酸鉛は、反応性が向上されており、圧電セラミックとしたときの粒界に存在する未反応の酸化鉛を低減できることを本発明者らは見出した。
【０００９】
また、本願第３の発明の圧電セラミックの製造方法は、前記圧電セラミックの原料のうち、酸化ジルコニウム粉末の比表面積をｘ（ｍ2／ｇ）、前記酸化チタン粉末の比表面積をｙ（ｍ2／ｇ）としたとき、
ｙ≧１．２１８ｅ0.117x（ただし、ｘ≧１）
を満たすことが好ましい。
【００１０】
酸化チタン粉末および酸化ジルコニウム粉末の比表面積をこのような関係にすることによって、通常の粉砕、混合レベルで、鉛に対する酸化チタン粉末の反応性を、鉛に対する酸化ジルコニウム粉末の反応性に比べて相対的に高くすることができるので、ＰｂＯ，ＴｉＯ2，およびＺｒＯ2を同時に合成しても、ジルコン酸鉛の生成を抑制することができる。すなわち、まずチタン酸鉛が合成され、次にジルコン酸鉛の生成が始まる前にチタン酸ジルコン酸鉛の生成が開始されるため、結果的にジルコン酸鉛の生成が抑制されるのである。
【００１１】
また、本願第４の発明の圧電セラミックの製造方法は、前記チタン酸鉛を得る工程、または前記チタン酸ジルコン酸鉛の得る工程の少なくともいずれか一方に酸化ニオブ粉末を添加して反応させることが好ましい。
【００１２】
さらに、本願第５の発明の圧電セラミックの製造方法は、前記圧電セラミック原料に酸化ニオブ粉末を含まれることが好ましい。
【００１３】
上記のような製造方法にすることによって、圧電セラミックを得るのに必要な熱処理温度を低くし、圧電セラミックとしたときの粒界に存在する未反応の酸化鉛を低減できるのに加え、圧電特性に優れた、特に電気機械結合係数、機械的品質係数、キュリー点の高い圧電セラミックを得ることができる。
【００１４】
また、鉛元素を含有する圧電セラミック中にニオブ元素が含まれる場合、Ｂサイト元素をあらかじめ仮焼しておくといった特殊な製造方法を用いる場合を除き、仮焼時に出発原料の鉛元素とニオブ元素とが選択的に反応を起こし、パイロクロア相を生じるが、上記のような製造方法をすることによって、このパイロクロア相による圧電セラミックへの悪影響もなくすことができる。以下、その理由について説明する。パイロクロア相とチタン酸ジルコン酸鉛のペロブスカイト相とが混在する仮焼粉末を成形して、焼成した場合、パイロクロア相とペロブスカイト相との収縮率が異なるため焼結体にクラックが生じる恐れがある。しかし、上記のような製造方法にすることにより、ペロブスカイト相が生成される温度に達するまでに、パイロクロア相を問題ないレベルまで消滅させ、パイロクロア相とペロブスカイト相とが混在することを防ぐことができる。その結果、焼結体の外観にクラックを生じない緻密な圧電セラミックを得ることができる。
【００１５】
また、本願第６の発明の圧電セラミックの製造方法においては、粉砕後の前記圧電セラミック原料の比表面積が、粉砕前の前記圧電セラミック原料の比表面積の１．４倍以上になるように、前記圧電セラミック原料を粉砕することが好ましい。
【００１６】
このような比表面積になるまで圧電セラミック原料を粉砕することによって、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する際、ＰｂＯ、ＴｉＯ2、およびＺｒＯ2を同時に合成しても、ジルコン酸鉛の生成を抑制することができる。すなわち、出発原料である酸化チタン粉末、酸化ジルコニウム粉末が本願第３の発明のような範囲になくても、これらを混合した圧電セラミック原料の比表面積が上記のようになるまで粉砕することによって、ジルコン酸鉛の生成が抑制できるものである。これは、酸化チタン粉末が酸化ジルコニウム粉末に比べて粉砕されやすいため、圧電セラミック原料の比表面積を上記のような範囲になるまで粉砕することによって、結果的に酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末との間に反応性の差が生じているためと考えられる。
【００１９】
本発明の製造方法によって得られた圧電セラミックは、未反応のＰｂ成分が少なく、圧電セラミック素子としたときの圧電特性を大幅に向上させることができる。また、上記圧電セラミックを用いた圧電セラミック素子は、その圧電セラミック素子に応じた圧電特性の大幅な向上を図ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の圧電セラミックの製造方法は、酸化鉛粉末と、酸化チタン粉末と、酸化ジルコニウム粉末とを含む圧電セラミック原料から、チタン酸ジルコン酸鉛を合成するにあたり、酸化鉛粉末と酸化チタン粉末とを合成してチタン酸鉛を合成し、チタン酸鉛と酸化鉛粉末と酸化ジルコニウム粉末とを合成するという反応過程にすることによって、チタン酸ジルコン酸鉛が合成されるまでにジルコン酸鉛の生成を抑制したものである。なお、ジルコン酸鉛の生成は完全に抑制しなければならないというものではなく、若干量の生成があっても十分な効果が得られる。若干量とはチタン酸ジルコン酸鉛の合成過程中に、ＸＲＤ測定器によってジルコン酸鉛のＸＲＤピーク強度とチタン酸ジルコン酸鉛のＸＲＤピーク強度とを同時に測定した場合、ジルコン酸鉛のＸＲＤピーク強度がチタン酸ジルコン酸鉛のＸＲＤピーク強度の約０．４倍以下である。
【００２１】
ここで、出発原料としての酸化鉛粉末はＰｂＯ，Ｐｂ3Ｏ4等が挙げられるが、特に限定はしない。また、酸化チタン粉末はどのようなものを用いても構わないが、圧電セラミックとしたときの圧電特性が低下する恐れがあるため、その比表面積が５ｍ2／ｇ以上のものが好ましく、出発原料として酸化ジルコニウム粉末を同時に添加する場合は、酸化ジルコニウム粉末より反応性の高いものを用いることが好ましい。また、酸化ジルコニウム粉末はどのようなものを用いても構わないが、圧電セラミックとしたときの圧電特性が低下する恐れがあるため、その比表面積が１ｍ2／ｇ以上のものが好ましく、出発原料として酸化ジルコニウム粉末を同時に添加する場合は、酸化チタン粉末より反応性の低いものを用いることが好ましい。
【００２２】
また、本発明の圧電セラミックの製造方法においては、出発原料として酸化ジルコニウムを同時に添加する場合は、出発原料の酸化チタン粉末および酸化ジルコニウム粉末の比表面積を上記範囲とする代わりに、これらを含む圧電セラミック原料の粉砕前の比表面積を基準とし、この基準に対して粉砕後の圧電セラミック原料の比表面積が１．４倍以上となるようにしてもよい。なお、ここでいう比表面積の理論値とは以下の式によって算出したものを指す。
圧電セラミック原料の比表面積＝（酸化鉛粉末の比表面積×重量比）＋（酸化チタン粉末の比表面積×重量比）＋（酸化ジルコニウム粉末の比表面積×重量比）＋（その他の出発原料の比表面積×重量比）
また、本発明の圧電セラミックの製造方法において、酸化ジルコニウム粉末を出発原料として他の原料粉末と同時添加する場合に限り、仮焼工程と焼成工程を連続して行ってもよい。その場合には、圧電セラミック原料にあらかじめバインダーを添加しておき、所望の形状に成形して熱処理することになる。
【００２３】
また、本発明の圧電セラミックの製造方法は、２成分系のＰｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3系の圧電セラミックだけに限らず、複合ペロブスカイト型酸化物を第３成分として固溶させた３成分系の圧電セラミックにも適用することができる。このような３成分系の圧電セラミックとしては、例えば、Ｐｂ(Ｍｎ1/3Ｓｂ2/3)(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3系、Ｐｂ(Ｃｏ1/2Ｗ1/2)(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3系等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。また、必要に応じてＰｂの一部をＳｒ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃａ等で置換したり、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3等を添加してもよい。また、Ｎｂは添加物として添加してもよいが、複合ペロブスカイト型第３成分として、例えば、Ｐｂ(Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3)(Ｚｒ、Ｔｉ)Ｏ3系、Ｐｂ(Ｍｎ1/3Ｎｂ2/3)(Ｚｒ、Ｔｉ)Ｏ3系、Ｐｂ(Ｃｏ1/3Ｎｂ2/3)(Ｚｒ、Ｔｉ)Ｏ3系とした場合は、特に優れた圧電特性を有する圧電セラミックとなる。
【００２４】
次に、本発明の圧電セラミックの製造方法を実施例を用いてさらに具体的に説明する。
【００２５】
【実施例】
（実施例１）本実施例は請求項１に対応するものである。まず、出発原料として、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、ＴｉＯ2（比表面積：２１ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）、Ｃｒ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）の各粉末を
Ｐｂ1.00(Ｚｒ0.49Ｔｉ0.51)Ｏ3＋１．０mol％Ｃｒ2Ｏ3
となるように秤量し、ボールミルで粉砕、混合を行い、圧電セラミック原料とした。このときの圧電セラミック原料の比表面積は１０ｍ2／ｇであった。得られた圧電セラミック原料を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、９００℃で２時間保持して仮焼し、粉砕して得られた仮焼粉末にバインダーを添加して造粒した。次に、一辺が１５mmで肉厚が１mmの正方板に成形した後、焼成して焼結体を得た。さらに、得られた焼結体の主面に分極用電極を形成し、６０℃の絶縁オイル中３０００Ｖで６０分間分極処理をし、圧電セラミックとした。
【００２６】
ここで、上記のようにして得られた圧電セラミックの仮焼時に起こる反応と、生成される化合物を調べるために、上記組成の試料を複数用意し、所定の温度まで昇温した時点でその温度を３分間保持して、その試料のＸＲＤピーク強度比を測定した。その結果を図１に示す。なお、各試料の仮焼においては、保持する仮焼温度以外はすべて同じ条件で実験を行った。また、比較例として、ＴｉＯ2粉末（比表面積：５ｍ2／ｇ），ＺｒＯ2粉末（比表面積：２４ｍ2／ｇ）とした以外は上記方法と同様にしてＸＲＤピーク強度比を測定したものを図２に示す。
【００２７】
また、上記圧電セラミックを得るにあたり、焼成温度を変動させ、それぞれの温度で３時間焼成したときの焼結密度および正方板の面積振動の電気機械結合係数を測定し、それぞれ図３、図４に示した。
【００２８】
（実施例２）本実施例は請求項２に対応するものである。まず、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、ＴｉＯ2（比表面積：５ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）、Ｃｒ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）の各粉末を
Ｐｂ1.00(Ｚｒ0.49Ｔｉ0.51)Ｏ3＋１．０mol％Ｃｒ2Ｏ3
となるように秤量した。このうち、ＺｒＯ2を除く粉末を出発原料としてボールミルで粉砕、混合して混合物とし、この混合物を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、７００℃で２時間保持して仮焼し、未反応の酸化鉛を含むＰｂＴｉＯ3を合成した。次いで、この未反応の酸化鉛を含むＰｂＴｉＯ3を粉砕し、ＺｒＯ2粉末を加えて昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、９００℃で２時間保持して再度仮焼し、粉砕して得られた仮焼粉末にバインダーを添加して造粒した。次に、一辺が１５mmで肉厚が１mmの正方板に成形した後、焼成して焼結体を得た。さらに、得られた焼結体の主面に分極用電極を形成し、６０℃の絶縁オイル中３０００Ｖで６０分間分極処理をし、圧電セラミックとした。
【００２９】
ここで、実施例１と同様に、焼結密度および正方板の面積振動の電気機械結合係数を測定し、それぞれ図３、図４に示した。
【００３０】
（実施例３）本実施例は請求項３に対応するものである。実施例１と同様の組成の圧電セラミックにおいて、酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末の比表面積を変動させた。この酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末とを用いて、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程におけるジルコン酸鉛の生成の有無を調べ、さらに得られた圧電セラミックの正方板の面積振動の電気機械結合係数を測定した。なお、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程におけるジルコン酸鉛の生成の有無の確認方法、および圧電セラミックの製造方法については実施例１と同様とした。その結果を表１および図５に示す。また、本発明の範囲外となる試料については、表１中では＊印、図５中では×印で示している。なお、参考のため実施例１において作製した比較例についても表１に示している。
【００３１】
【表１】
【００３２】
表１および図５に示すように、酸化ジルコニウム粉末の比表面積ｘと酸化チタン粉末の比表面積ｙとの関係がｙ≧１．２１８ｅ0.117xかつ、ｘ≧１の範囲にあるものは、酸化チタン粉末と、酸化ジルコニウム粉末とを出発原料として同時に添加し、仮焼しても、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛が生成していないことがわかる。また、上記範囲にある酸化チタン粉末および酸化ジルコニウム粉末を用いて作製した圧電セラミックは、その焼成温度を低減できることがわかる。
【００３３】
ここで、請求項３において、酸化ジルコニウム粉末の比表面積ｘと酸化チタン粉末の比表面積ｙとの関係をｙ≧１．２１８ｅ0.117xかつ、ｘ≧１に限定した理由を説明する。請求項３において、ｙ≧１．２１８ｅ0.117xとしたのは、試料番号７，１２，１６，１８〜２１のように、酸化チタン粉末の比表面積と酸化ジルコニウム粉末の比表面積との関係が、図５におけるｙ＝１．２１８ｅ0.117xを示すグラフの右下側の領域に位置する（ｙ＜１．２１８ｅ0.117x）場合は、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛が生成され、圧電セラミックの焼成温度が高く好ましくないからである。
【００３４】
また、ｘ≧１としたのは、ｙ≧１．２１８ｅ0.117xの範囲内にあっても、ｘ＜１の場合は、出発原料である酸化ジルコニウム粉末が粗粒のためチタン酸ジルコン酸鉛の合成が阻害され、好ましくないからである。
【００３５】
（実施例４）本実施例は請求項４に対応するものである。まず、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）ＴｉＯ2（比表面積：５ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）、Ｎｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）ＭｎＣＯ3（比表面積：２０ｍ2／ｇ）の各粉末を用意した。これらの原料を、
Ｐｂ1.00((Ｍｎ1/3Ｎｂ2/3)0.10Ｚｒ0.49Ｔｉ0.41)Ｏ3
となるように秤量した。このうち、ＺｒＯ2を除く粉末を出発原料としてボールミルで粉砕、混合して混合物とした。この混合物を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、７００℃で２時間保持して仮焼した。このとき、酸化鉛の一部は反応せずに残っている。次に、未反応の酸化鉛を含むＰｂＴｉＯ3を粉砕し、ＺｒＯ2を加えて昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、９００℃で２時間保持して再度仮焼した後、粉砕して仮焼粉末を得た。次にこの仮焼粉末にバインダーを添加して造粒し、一辺が１５ｍｍで肉厚が１ｍｍの正方板にプレス成形した後、焼成して焼結体を得た。さらに、得られた焼結体の主面に分極用電極を形成し、６０℃の絶縁オイル中３０００Ｖで６０分間分極処理をし、圧電セラミックとした（試料２３）。また、ＺｒＯ2の比表面積を２４ｍ2／ｇ、ＴｉＯ2の比表面積を２１ｍ2／ｇとした以外、上記と同様の方法で圧電セラミックを作製した（試料２４）。
【００３６】
一方、出発原料および組成を試料２３と同じにし、これを全て一度にボールミルで粉砕し、混合して混合物とした。この混合物を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、９００℃で２時間保持して仮焼し、粉砕して得られた仮焼粉末にバインダーを添加して造粒したこと以外は試料２３と同様にして圧電セラミックを作製し比較例１とした。また、Ｐｂ3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2以外の原料として、ＭｎＣＯ3とＮｂ2Ｏ5とを含む場合以外に、Ｍｇ(ＯＨ)2（比表面積：２０ｍ2／ｇ）とＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）とを含む場合（試料２５）、ＣｏＣＯ3（比表面積：１００ｍ2／ｇ）とＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）とを含む場合（試料２６）、及びＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）のみを含む場合（試料２７）のそれぞれについて、表２に示す組成式を満たすように秤量し、それ以外は試料２３と同様の方法で圧電セラミックを作製した。また、実施例２で作製したＮｂを含まない試料を比較例２とした。
【００３７】
ここで、試料２３〜２７、比較例１及び比較例２の圧電セラミックの焼成温度を１１００℃とし、３時間焼成したときの焼結密度、及び正方板の面積振動の電気機械結合係数Ｋを測定した。さらに、圧電セラミック素子の焼結体におけるクラック発生有無を目視により観察した。その結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】
試料２３〜２７ともに、Ｎｂを含まない比較例２よりも電気機械結合係数Kが優れていることがわかる。また、Ｎｂを含む場合でも請求項２を満たす試料２３〜２７についてはパイロクロア相が問題ないレベルに消滅する温度が低く、ペロブスカイト相の生成時に実質的にパイロクロア相が存在していないため、焼結体にクラックが発生していないことがわかる。このため、焼成温度が１１００℃と低い場合でもパイロクロア相とペロブスカイト相とが実質的に混在していないため高い焼結密度を保ち、電気機械結合係数Ｋも高いことがわかる。一方、Ｎｂを含むが請求項２の範囲外である比較例１についてはパイロクロア相が問題ないレベルにまで消滅する温度が高く、焼結する際にパイロクロア相とペロブスカイト相とが実質的に混在しているため、焼結密度及び電気機械結合係数Ｋが試料２３〜２７よりも劣り、焼結体にクラックが発生している。
【００４０】
（実施例５）本実施例は請求項５に対応するものである。まず、出発原料としてＴｉＯ2（比表面積：２１ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、Ｎｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）、Ｃｒ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）の各粉末をＰｂ１．００｛（Ｃｒ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3Ｔｉ0.49Ｚｒ0.48｝Ｏ3となるように秤量し、ボールミルで粉砕、混合を行い、圧電セラミック原料とした。この時の圧電セラミック原料の比表面積は１０ｍ2／ｇであった。得られた圧電セラミック原料を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、９００℃で２時間保持して仮焼し、粉砕して得られた仮焼粉末にバインダーを添加して造粒した。次に一辺が１５ｍｍで肉厚が１ｍｍの正方板に成形した後、焼成して焼結体を得た。さらに、得られた焼結体の主面に分極用電極を形成し、６０℃の絶縁オイル中３０００Ｖで６０分間分極処理をし、圧電セラミックとした。
【００４１】
ここで上記のようにして得られた圧電セラミックの仮焼時に起こる反応と、生成される化合物を調べるために、上記組成の試料を複数用意し、所定の温度まで昇温した時点でその温度を３分間保持して、その試料のＸＲＤピーク強度比を測定した。その結果を図６に示す。なお、各試料においては、保持する仮焼温度以外は全て同じ条件で実験を行った。また、比較例として、請求項５の範囲外であるＴｉＯ2粉末（比表面積：５ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2粉末（比表面積：２４ｍ2／ｇ）とした以外は上記方法と同様にしてＸＲＤピーク強度比を測定したものを図７に示す。
【００４２】
図６に示す実施例においては、ＰｂＺｒＯ3が若干生成されるが、問題ない程度にしか発生していないため、低温からＰＺＴが生成されることがわかる。また、パイロクロア相についても若干生成されるが、低温で問題ない程度にまで消滅していることがわかる。一方、図７に示す比較例においては、ＰｂＺｒＯ3が１０００℃という高温になるまで存在するため、ＰＺＴの合成される温度も高くなることがわかる。また、パイロクロア相の生成についても、高温になるまで存在することがわかる。
【００４３】
（実施例６）本実施例は請求項５に対応するものである。まず、出発原料としてＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、Ｎｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）、Ｃｒ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）の各粉末を用意し、この出発原料のうちＴｉＯ2及びＺｒＯ2の比表面積が表３（試料２８〜３５）の組み合わせとなるようにした。そして、これらの出発原料をＰｂ1.00｛（Ｃｒ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3Ｔｉ0.49Ｚｒ0.48｝Ｏ3となるように秤量し、ボールミルで粉砕、混合を行い、圧電セラミック原料とした。
【００４４】
また、Ｐｂ3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2以外の出発原料として、ＭｎＣＯ3（比表面積：２０ｍ2／ｇ）とＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）とを含む場合、Ｍｇ(ＯＨ)2（比表面積：２０ｍ2／ｇ）とＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）とを含む場合、ＣｏＣＯ3（比表面積：１００ｍ2／ｇ）とＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）とを含む場合、及びＮｂ2Ｏ5（比表面積：５ｍ2／ｇ）のみを含む場合とを用意し、かつＴｉＯ2及びＺｒＯ2の比表面積が表３（試料３６〜５８）の組み合わせとなるようにしたものを、表３に示す組成式を満たすように秤量し、ボールミルで粉砕、混合を行い、圧電セラミック原料とした。さらに、本実施例で作製した出発原料にＮｂを含まないものを比較例とした。
【００４５】
上記組成の試料を複数用意し、所定の温度まで昇温し、その温度で３分間保持して、上記試料のパイロクロア相（ＸＲＤで３３°付近）のＸＲＤピーク強度とペロブスカイト相（ＸＲＤで４４°付近）のＸＲＤピーク強度を測定し、パイロクロア相が問題ないレベルまで消滅する温度を調べた。続いて、各圧電セラミック原料を昇温速度２℃／ｍｉｎで昇温し、表３に示すパイロクロア相が問題ないレベルまでに消滅する温度で２時間保持して仮焼し、粉砕して得られた仮焼粉末にバインダを添加して造粒した。次に、一辺が１５ｍｍで肉厚が１ｍｍの正方板に成形した後、１１００℃で３時間焼成した時の焼結密度、及び正方板の面積振動の電気機械結合係数Ｋを測定した。また、得られた焼結体の主面に分極用電極を形成し、６０℃の絶縁オイル中３０００Ｖで６０分間の分極処理をして圧電セラミック素子とした。この圧電セラミック素子の焼結体におけるクラック発生有無を目視により観察した。これらの結果を表３に示す。特に、Ｐｂ3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2以外の出発原料として、ＭｎＣＯ3とＮｂ2Ｏ5とを含む試料のうち、試料４０及び試料４１については、各温度のパイロクロア相とペロブスカイト相とＸＲＤピーク強度の変化を調べ、図８及び図９に示す。
【００４６】
【表３】
【００４７】
まず、試料２８〜５８から分かるように、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たす試料の方が、請求項３の範囲を満たしていない試料よりも優れた焼結密度及び電気機械結合係数Ｋが得られることがわかる。また、請求項３の範囲を満たしていない試料であっても、Ｎｂを含まない比較例に比べて焼結密度及び電気機械結合係数Ｋが優れている点がわかる。
【００４８】
また、Ｐｂ3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2以外の出発原料として、Ｃｒ２Ｏ３とＮｂ2Ｏ5を含む場合（試料２８〜３５）は、一旦パイロクロア相が生成されても、素体が焼結され収縮し始める温度になる前にパイロクロア相が消滅する性質を有しているため、焼結体にクラックが生じることはないが、非常に低温でパイロクロア相が消滅している点がわかる。一方、Ｐｂ3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2以外の出発原料として、ＭｎＣＯ3とＮｂ2Ｏ5を含んだ場合（試料３６〜５０）は、パイロクロア相が多量に生じ、素体が焼結され収縮し始める温度を超えてもパイロクロア相が残存するため、クラックが生じやすい。この場合、試料３６〜５０からわかるように、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たす試料は、パイロクロア相が問題ないレベルまで消滅する温度も低く、ペロブスカイト相の生成時に実質的にパイロクロア相が存在していないため、焼結体のクラックも発生していないことが分かる。一方、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たしていない試料は、パイロクロア相が問題ないレベルにまで消滅する温度が１１００℃以上と高く、圧電セラミック素子の焼結体にはクラックがはっきりと確認される。
【００４９】
また、同じ昇温条件でＸＲＤピーク強度を測定した図８及び図９を見ると、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たす試料４１の方は請求項３の範囲を満たしていない試料４０よりも低い温度でパイロクロア相が問題ない程度にまで消滅しており、かつパイロクロア相とペロブスカイト相が実質的に混在していないことがわかる。
【００５０】
また、それぞれの原料においても、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たす試料の方が、ＺｒＯ2とＴｉＯ2の比表面積の割合が請求項３の範囲を満たしていない試料よりもパイロクロア相が問題ないレベルまでに消滅する温度が低く、パイロクロア相とペロブスカイト相とが実質的に混在しないため、高い焼結密度を保つことができ、電気機械結合係数Ｋも高いことがわかる。
【００５１】
（実施例７）本実施例は請求項６に対応するものである。組成および酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末との比表面積の組み合わせが実施例３の試料番号７，１２の圧電セラミック原料において、粉砕前の比表面積の理論値を算出した。次に、ボールミルによる粉砕の時間を変えて、圧電セラミック原料の比表面積を変動させ、それぞれ粉砕後の比表面積を測定した。さらに、この圧電セラミック原料からチタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛の生成の有無を調べ、得られた圧電セラミックの電気機械結合係数Ｋを調べた。なお、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程におけるジルコン酸鉛の生成の有無、および圧電セラミックの製造方法については実施例１と同様とした。その結果を表４に示す。また、表４における試料番号６０について、実施例1，実施例２と同様に焼結密度および正方板の面積振動の電気機械結合係数Ｋを測定し、それぞれ図３，図４に示している。
【００５２】
【表４】
【００５３】
表４に示すように、圧電セラミック原料の比表面積を粉砕前に比べ１．４倍以上となるまで粉砕したものを用いた場合は、酸化チタン粉末と、酸化ジルコニウム粉末とを出発原料として同時に添加し、仮焼しても、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛が生成していないことがわかる。また、上記範囲にある圧電セラミック原料を用いて作製した圧電セラミックは、その焼成温度を低減でき、高い電気機械結合係数Ｋが得られていることがわかる。なお、圧電セラミック原料の比表面積を粉砕前に比べ１．４倍以上となるまで粉砕したものを用いたものは、酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末とが請求項３に記載の範囲外にあったとしても、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛が生成しない。
【００５４】
一方、試料番号５９、６２のように、酸化チタン粉末と酸化ジルコニウム粉末とが請求項３に記載の範囲外にあり、かつ圧電セラミック原料の比表面積を粉砕前に比べ１．４倍未満となるようにしか粉砕しなかった場合は、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛が生成してしまい、その焼成温度を低減することができない。
【００５５】
ここで、実施例１のようにして得られる圧電セラミックの焼成温度を変動させ、それぞれの温度で３時間焼成したときの焼結密度および正方板の面積振動の電気機械結合係数Ｋを測定し、それぞれ図３、図４に示した。
【００５６】
図３、図４に示すように、実施例１、実施例２、実施例７、および比較例の焼結密度、電気機械結合係数Ｋの値と焼成温度との関係から、ジルコン酸鉛を生成させないようにしてチタン酸ジルコン酸鉛を合成した圧電セラミックは、チタン酸ジルコン酸鉛の合成時にジルコン酸鉛が生成した圧電セラミックに比べ、良好な電気機械結合係数Ｋを実現しつつ、その焼成温度を大幅に低減できることがわかる。
【００５７】
（実施例８）本実施例は本発明に係る製造方法によって製造される圧電セラミック素子 の一実施例である。以下、本発明の圧電セラミック素子として、圧電フィルタについて説明する。なお、図１０は本実施例の圧電フィルタを構成する積層体の分解斜視図、図１１は本実施例の圧電フィルタの概略斜視図を示す。まず、出発原料として、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、ＴｉＯ2（比表面積：７８ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：３２ｍ2／ｇ）、Ｃｒ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）、Ｓｂ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）を用意した。この出発原料を
Ｐｂ(Ｚｒ0.47Ｔｉ0.53)Ｏ3＋１ｗｔ％Ｃｒ2Ｏ3＋２ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3
となるように秤量して、ボールミルで湿式混合を行い、混合粉末を得た。この混合粉末を８５０℃２時間で仮焼し、得られた仮焼粉末にバインダー溶液を加えてセラミックスラリーとした。このセラミックスラリーをシート状に成形して乾燥し、セラミックグリーンシートを得た。さらに図１０のように、セラミックグリーンシート２ａ上に所望のパターンの内部電極ペースト３ａを印刷したものを積層して積層体１ａとし、１０５０℃３時間で焼成して積層焼結体とした。次に、内部電極に電気的に接続するように、この積層焼結体の表面に分極用電極を形成し、絶縁オイル中６０℃で１時間分極処理を行った。その後、積層焼結体を所定の大きさに切断して圧電フィルタとした。
【００５８】
図１１に示すように、本発明の圧電フィルタ１０は、圧電セラミック層２と内部電極層３とが交互に積層されており、全体として四角柱形状の積層焼結体１を形成している。また、それぞれの内部電極層３は積層焼結体１の同一側面上に引き出されており、それぞれの内部電極層３に電気的に接続するように積層焼結体の長手方向に沿って２つの外部電極４が形成されている。
【００５９】
なお、本発明の圧電セラミック素子を上記のような圧電フィルタとして適用すれば、フィルタ帯域を大きくすることができる。
【００６０】
（実施例９）本実施例は本発明に係る製造方法によって製造される圧電セラミック素子の一実施例である。以下、本発明の圧電セラミック素子として、圧電トランスについて説明する。なお、図１２は本発明の圧電トランスの一部切り欠き斜視図を示す。まず、出発原料として、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、ＴｉＯ2（比表面積：５２ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）、ＳｎＯ2（比表面積：５ｍ2／ｇ）、Ｓｂ2Ｏ3（比表面積：１０ｍ2／ｇ）を用意した。この出発原料を
Ｐｂ( (Ｓｎ1/3Ｓｂ2/3)0.10Ｚｒ0.45Ｔｉ0.45)Ｏ3
となるように秤量して、ボールミルで湿式混合を行い、混合粉末を得た。この混合粉末を８００℃２時間で仮焼し、得られた仮焼粉末にバインダー溶液を加えてセラミックスラリーとした。このセラミックスラリーを長方形のシート状に成形して乾燥し、セラミックグリーンシートとした後、それぞれ対向する方向へ引き出されるようにセラミックグリーンシートの一端側に内部電極ペーストを印刷したものを積層して積層体とし、１０６０℃３時間で焼成して圧電セラミック層２と内部電極３との積層体である積層焼結体１とした。次に、各内部電極３に接続するように、この積層焼結体１の表面に第１外部電極４ａ及び第２部外部電極４ｂを積層焼結体１の対向である側面上に形成した。さらに、第１，２外部電極４ａ，４ｂが形成されたのと長手方向でみて反対側の端面に第３外部電極４ｃを形成した。次に、第１，２外部電極間で厚み方向に分極した後、第１，２外部電極４ａ，４ｂと第３外部電極４ｃとの間で長手方向に分極し、本発明の圧電トランス２０とした。
【００６１】
ここで、上記のようにして得られた圧電トランスと、比較例として、ＴｉＯ2（比表面積：５ｍ2／ｇ），ＺｒＯ2（比表面積：２４ｍ2／ｇ）を出発原料に用いた圧電トランスとを用意し、６Ｗ出力時における発熱温度を測定した。その結果、比較例の圧電トランスでは発熱による温度上昇が５０℃であったのに対し、本実施例の圧電トランスでは発熱による温度上昇が３７℃であり、上昇温度の２６％もの低減が実現できた。したがって、本発明の圧電セラミック素子を上記のような圧電トランスとして適用すれば、発熱特性を低く抑えられることがわかる。
【００６２】
（実施例１０）本実施例は本発明に係る製造方法によって製造される圧電セラミック素子の一実施例である。以下、本発明の圧電セラミック素子として、圧電アクチュエータについて説明する。なお、図１３は本発明の圧電アクチュエータの概略断面図を示す。まず、出発原料として、Ｐｂ3Ｏ4（比表面積：２ｍ2／ｇ）、ＴｉＯ2（比表面積：２１ｍ2／ｇ）、ＺｒＯ2（比表面積：１２ｍ2／ｇ）、ＳｒＣＯ3（比表面積：５ｍ2／ｇ）を用意した。この出発原料を
Ｐｂ0.98Ｓｒ0.02(Ｚｒ0.45Ｔｉ0.55)Ｏ3
となるように秤量して、ボールミルで湿式混合を行い、混合粉末を得た。この混合粉末を８００℃２時間で仮焼し、得られた仮焼粉末にバインダー溶液を加えてセラミックスラリーとした。このセラミックスラリーをシート状に成形して乾燥し、所望のパターンの内部電極ペーストを印刷したものを積層して積層体とし、１０２０℃３時間で焼成して圧電セラミック層と内部電極とを積層した積層焼結体とした。次に、内部電極に電気的に接続するように、この積層焼結体の表面に分極用電極を形成し、絶縁オイル中６０℃で１時間分極処理を行った。その後、積層焼結体を所定の大きさに切断して圧電アクチュエータとした。
【００６３】
図１３に示すように、本発明の圧電アクチュエータ３０は、圧電セラミック層２と内部電極３とが交互に積層されており、内部電極３が積層焼結体１の対向する側面に引き出されており、それぞれ外部電極４と電気的に接続するような構造になっている。
【００６４】
ここで、上記のようにして得られた圧電アクチュエータと、比較例として、ＴｉＯ2（比表面積：２１ｍ2／ｇ），ＺｒＯ2（比表面積：３２ｍ2／ｇ）を出発原料に用いた圧電アクチュエータとを用意し、圧電定数ｄ31を測定した。その結果、比較例の圧電トランスではｄ31が２００×１０-12／ｍＶであったのに対し、本実施例の圧電アクチュエータではｄ31が２１０×１０-12／ｍＶであり、圧電定数の５％もの向上が実現できた。したがって、本発明の圧電セラミック素子を上記のような圧電アクチュエータとして適用すれば、その変位量を大きくできることがわかる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明の圧電セラミックの製造方法を用いれば、チタン酸ジルコン酸鉛を合成する過程において、ジルコン酸鉛の生成を抑制することができるので、圧電セラミックの焼成温度を低減することができ、かつ圧電セラミックの電気機械結合係数を大幅に向上させることができる。
【００６６】
また、本発明の製造方法によって製造された圧電セラミック、ならびにこれを用いた圧電セラミック素子を用いれば、圧電セラミック素子の諸特性を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 チタン酸ジルコン酸鉛の合成過程における、実施例１の各化合物のＸＲＤピーク強度比を示すグラフ。
【図２】 チタン酸ジルコン酸鉛の合成過程における、比較例の各化合物のＸＲＤピーク強度比を示すグラフ。
【図３】 実施例１、実施例２、実施例７および比較例における、圧電セラミックの焼成温度と焼結密度との関係を示すグラフ。
【図４】 実施例１、実施例２、実施例７および比較例における、圧電セラミックの焼成温度と電気機械結合係数との関係を示すグラフ。
【図５】 チタン酸ジルコン酸鉛の合成過程における、酸化チタン粉末および酸化ジルコニウム粉末の比表面積とジルコン酸鉛の生成との関係を示すグラフ。
【図６】 酸化ニオブ粉末を添加したチタン酸ジルコン酸鉛の合成過程における、実施例５の各化合物のＸＲＤピーク強度比を示すグラフ。
【図７】 酸化ニオブ粉末を添加したチタン酸ジルコン酸鉛の合成過程における、実施例５の比較例の各化合物のＸＲＤピーク強度比を示すグラフ。
【図８】 実施例６における、試料番号４０のパイロクロア相及びペロブスカイト相のＸＲＤピーク強度と仮焼温度との関係を示すグラフ。
【図９】 実施例６における、試料番号４１のパイロクロア相及びペロブスカイト相のＸＲＤピーク強度と仮焼温度との関係を示すグラフ。
【図１０】 実施例８の圧電フィルタを構成する積層体を示す分解斜視図。
【図１１】 実施例８の圧電フィルタを示す概略斜視図。
【図１２】 実施例９の圧電トランスを示す一部切り欠き斜視図。
【図１３】 実施例１０の圧電アクチュエータを示す概略断面図。
【符号の説明】
１ 積層焼結体
１ａ 積層体
２ 圧電セラミック層
２ａ セラミックグリーンシート
３ 内部電極
３ａ 内部電極ペースト
４ 外部電極
４ａ 第１外部電極
４ｂ 第２外部電極
４ｃ 第３外部電極
１０ 圧電フィルタ
２０ 圧電トランス
３０ 圧電アクチュエータ
Claims (6)
- 酸化鉛粉末、酸化ジルコニウム粉末、および酸化チタン粉末を含む圧電セラミック原料を合成してチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックを得る圧電セラミックの製造方法であって、
前記酸化鉛粉末の一部と前記酸化チタン粉末とを反応させてチタン酸鉛を得た後、未反応の前記酸化鉛粉末と前記酸化ジルコニウム粉末と前記チタン酸鉛とを反応させてチタン酸ジルコン酸鉛を得ることを特徴とする圧電セラミックの製造方法。 - 酸化鉛粉末と酸化チタン粉末とを反応させてチタン酸鉛を得る工程と、
前記チタン酸鉛と酸化鉛粉末と酸化ジルコニウム粉末とを混合し、反応させてチタン酸ジルコン酸鉛を得る工程と、を含むことを特徴とする圧電セラミックの製造方法。 - 前記圧電セラミック原料のうち、酸化ジルコニウム粉末の比表面積をｘ（ｍ2／ｇ）、酸化チタン粉末の比表面積をｙ（ｍ2／ｇ）としたとき、
ｙ≧１．２１８ｅ0.117x（ただし、ｘ≧１）
を満たすことを特徴とする請求項１に記載の圧電セラミックの製造方法。 - 前記チタン酸鉛を得る工程、または前記チタン酸ジルコン酸鉛を得る工程の少なくともいずれか一方に酸化ニオブ粉末を添加して反応させることを特徴とする請求項２に記載の圧電セラミックの製造方法。
- 前記圧電セラミック原料に酸化ニオブ粉末が含まれることを特徴とする請求項３に記載の圧電セラミックの製造方法。
- 粉砕後の前記圧電セラミック原料の比表面積が、粉砕前の前記圧電セラミック原料の比表面積の１．４倍以上になるように、前記圧電セラミック原料を粉砕することを特徴とする請求項１または請求項３に記載の圧電セラミックの製造方法。
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