JP4124400B2

JP4124400B2 - 基板処理装置

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Publication number: JP4124400B2
Application number: JP2001011345A
Authority: JP
Inventors: 光治橋本
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-01-19
Filing date: 2001-01-19
Publication date: 2008-07-23
Anticipated expiration: 2021-01-19
Also published as: US20020098458A1; US6511315B2; JP2002217267A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体基板や液晶用ガラス基板などの薄板状基板（以下、単に「基板」と称する）に対して熱処理、薬液処理などの一連の処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロセスでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々をユニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装置が用いられている。
【０００３】
基板処理装置においては、基板に対して所定の加熱処理を行う加熱処理部、冷却処理を行う冷却処理部および薬液処理を行う薬液処理部間で搬送ロボットにより基板の搬送を行い、所定の順序で一連の基板処理を行っている。そして、このような基板処理装置は、温度、湿度およびパーティクルが管理されたクリーンルーム中に通常設置されている。
【０００４】
図７は、従来の基板処理装置における処理ユニット配置の一例を模式的に示す概念的平面配置図である。図７の基板処理装置は、処理部１１０，１２０および搬送領域１３０を有する。処理部１１０には、基板に処理液の塗布処理を行う回転式塗布ユニット（スピンコータ）１１１および基板に現像処理を行う回転式現像ユニット（スピンデベロッパ）１１２が並設されている。
【０００５】
また、処理部１２０には、基板に加熱処理を行う加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび基板に冷却処理を行う冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが複数段に配置されている。搬送領域１３０には、基板を搬送する搬送ユニット１３１が設けられている。これらの処理部１１０，１２０および搬送領域１３０の一端部側には、基板Ｗを収納するとともに基板Ｗの搬入および搬出を行う搬入搬出装置（インデクサ）１４０が配置されている。
【０００６】
搬入搬出装置１４０は、基板Ｗを収納する複数のカセット１４１および基板Ｗの搬入および搬出を行う移載ロボット１４２を備える。搬入搬出装置１４０の移載ロボット１４２は、矢印Ｕ方向に移動し、カセット１４１から基板Ｗを取り出して搬送ユニット１３１に渡し、一連の処理が施された基板Ｗを搬送ユニット１３１から受け取ってカセット１４１に戻す。搬送ユニット１３１は、搬送領域１３０内で基板Ｗを矢印Ｓ方向に搬送するとともに、上記の各処理ユニットに対して基板Ｗの搬入および搬出を行い、かつ移載ロボット１４２との間で基板Ｗの受渡しを行う。
【０００７】
ところで、近年においては、生産性の向上のために基板の大口径化がますます進み、直径が３００ｍｍ以上の基板も取り扱われるようになりつつある。基板のサイズが大きくなると、その基板を処理する各処理部も大きくなり、それにつれて基板処理装置全体が大型化し、その基板処理装置が平面的に占有する設置面積（以下、「フットプリント」と称する）が大きくなる。一方、クリーンルームの管理の都合上、基板処理装置が大型化するのは好ましくない。
【０００８】
これは、基板処理装置のフットプリントが大きくなると環境維持費のコストアップに結びつくからである。クリーンルームを維持するのに基板処理装置の内部の雰囲気を清浄に保持するために温湿調ユニットやフィルタなどの特別な設備を必要としている。そこで、フィルタ等の材料費および維持費が増加するという問題が生じる。特に最近は処理液として化学増幅型レジストに対応するための高価な化学吸着フィルタなどが必要となる場合もあるため、この化学吸着フィルタを使用する面積が増大すると、材料費や維持費の増大が大きな問題となる。
【０００９】
また、最近では、基板の処理を大量にかつ効率的に行うために、多数の処理ユニットが１台の基板処理装置に搭載されている。それゆえ、クリーンルーム内のスペースを有効に使用することができる基板処理装置が望まれる。そこで、基板処理装置のフットプリントの増大を抑制するために、上記の各処理ユニットを上方へ多段に積層した基板処理装置が提案され、使用されつつある。その結果、フットプリントの低減を図っている。
【００１０】
例えば、搬入搬出装置、各処理ユニットをすべて鉛直方向に配置する（特開昭６３−５５２３号公報）が提案されている。また、処理部において各処理ユニットを積層して構成した基板処理装置（特開平１０−２８４５６８号公報）が提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
各処理ユニットを多段に積層した基板処理装置では、フットプリントの増大は抑制できるものの、その高さは積層の程度に応じて高くなる。そして、基板処理装置の高さが高くなるにつれて、各処理部に基板の搬送を行う搬送ロボットの高さも高くなり基板の搬送が不安定になってくる。そのため、積層するのにも限度がある。
【００１２】
一方、上記のような基板処理装置には、本装置に連設される露光装置との間で、基板を受け渡すインターフェイス機構部が別途、配置されることとなる。このインターフェイス機構部も、基板処理装置と同様に基板のサイズが大きくなると、各部が大きくなり、それにつれ全体が大型化し、そのフットプリントが大きくなるという問題があった。
【００１３】
本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、設置面積の低減化を達成しつつ、高さを押さえることが可能なインターフェイス機構部を備えた基板処理装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記目的を達成するために、本発明は、基板に対して複数工程からなる処理を施す基板処理装置であって、鉛直方向に沿って延在する搬送経路と、この搬送経路の周囲に配置され、各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成される複数の処理部と、前記搬送経路を移動するとともに、前記複数の処理部の各処理ユニットに対して前記基板を搬入出する主搬送機構と、を備え、外部の露光装置及び前記主搬送機構との間で基板を受け渡しする搬送機構と、前記基板を一時的にストックする基板ストック部とを有するインターフェイス機構部を前記処理部において加熱された基板を冷却する冷却処理又は基板を加熱する加熱処理を行なう前記処理ユニットと積層されるように配置し、前記インターフェース機構部が上下方向に第１段及び第２段の２段に構成され、外部の露光装置との基板の受け渡しが前記第２段でもって行われ、前記第２段が前記第１段を介して加熱された基板を冷却する冷却処理又は基板を加熱する加熱処理を行なう前記処理ユニットから隔てられていることを特徴とする基板処理装置である。
【００１５】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記インターフェイス機構部の上方に配置された処理ユニットが、加熱された基板を所定温度に冷却する冷却処理部と、基板に加熱処理を行う加熱処理部とからなる多段熱処理ユニット部と、表面に処理液が塗布された基板の周囲を露光するエッジ露光ユニットと、を備えていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の作用は次のとおりである。請求項１に係る発明の基板処理装置においては、複数の処理部が主搬送機構の周囲に基板の処理ユニットを積層配置することで基板処理装置の設置面積も小さくなる。さらに、処理部に処理ユニットと積層してインターフェイス機構部を配置することで設置面積の低減化が計られる。
【００１７】
請求項２記載の発明は、インターフェイス機構部の上方に多段熱処理ユニットとエッジ露光ユニットが配置される。薬液処理系のユニットを配置しないことでインターフェイス機構部に対して薬液雰囲気の影響を防ぐことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明に係る基板処理装置の一実施の形態について説明する。
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
＜第１実施例＞まず、本発明に係る基板処理装置の全体構成について説明する。図１及び図２は、実施形態の装置を説明する図である。図１は、装置の平面図であり、図２は、装置の正面図である。なお、図１には、その方向関係を明確にするためＸＹＺ直交座標系を付している。ここでは、床面に平行な水平面をＸＹ面とし、鉛直方向をＺ方向としている。
【００２０】
図１において、基板処理装置１は、基板の搬入搬出領域Ａと、本実施例装置１に連設される露光装置２００との間で基板Ｗを受け渡しする受け渡し領域Ｂを含む処理領域Ｃに大別される。以下、各部の構成を説明する。
【００２１】
搬入搬出領域Ａは、インデクサＩＤより構成され、インデクサＩＤは、載置台３０に基板Ｗを収納する複数（本実施例では４個）のカセット３１を載置し、各カセット３１と所定の基板受け渡し位置Ｐ１との間で基板Ｗを搬入搬出する移載ロボット３２とを備える。カセット３１内には基板Ｗを多段に収納できるようになっている。移載ロボット３２は、全体として、ガイドレール等からなるＹ軸方向の駆動機構３３を備え、インデクサＩＤに並設された搬送経路Ｙ１に沿って、搬送経路Ｙ１上をＹ方向に往復移動可能となっている。また、その上端に基板Ｗを支持する第１アーム３２ａを備えている。この第１アーム３２ａは、上下方向に昇降自在に、かつその長手方向に伸縮自在に移動可能で、また鉛直方向に軸の周りで回動可能に構成される。なお、このインデクサＩＤの上部にはファンフィルタユニットＦＦＵａが配置される。
【００２２】
そして、この移載ロボット３２は、カセット３１に対向する状態で第１アーム３２ａを伸長させるとともに上昇させることにより、カセット３１内の所望の基板Ｗを受け取り、第１アーム３２ａを収縮させることにより、カセット３１内から基板Ｗを取り出す。また、移載ロボット３２は、基板Ｗを受け渡しポジションＰ１まで移動させて、後述する搬送ロボットＴＲ１に渡し、搬送ロボットＴＲ１によって受け渡しポジションＰ１まで搬送されてきた基板Ｗを受け取ってカセット３１中に収納するものである。
【００２３】
次に、図３を参照して更に詳細に説明する。図３は、図１の処理ユニットの配置構成を説明する図である。さらに図３は、処理領域Ｃ内における基板Ｗの搬送、受け渡し領域Ｂ内における基板の搬送、処理領域Ｃ及び受け渡し領域Ｂ間における基板の受け渡しを説明する図である。
【００２４】
処理領域Ｃは、その中央部に前記搬送経路Ｙ１に直交して鉛直方向に延在する搬送経路Ｚ１が配備されている。この搬送経路Ｚ１に沿って基板を搬送する主搬送機構としての搬送ロボットＴＲ１が配置されている。そして、搬送ロボットＴＲ１の周囲に、基板に処理を行う複数の処理部が放射状に配置されている。そして、処理部に露光装置２００と処理領域Ａとの間で基板の搬入／搬出を行うためにインターフェイス機構部ＩＦで構成されている受け渡し領域Ｂを含んでいる。
【００２５】
次に、搬送ロボットＴＲ１について説明する。処理領域Ｃの中央は、クリーンエアのダウンフローを形成するファンフィルタユニットＦＦＵｂを上端として搬送ロボットＴＲ１が上下方向に移動する搬送領域Ｚ１を有している。搬送ロボットＴＲ１は、周囲の全処理ユニットにアクセスしてこれらとの間で基板の受け渡しを行う。この搬送ロボットＴＲ１は、鉛直方向に移動可能であるとともに中心の鉛直軸回りに回転可能となっている。即ち、搬送ロボットＴＲ１は基台５０上に設置されており、基板Ｗを保持する一対の搬送アーム５１ａ，５１ｂを水平方向に移動させる水平移動機構と、鉛直方向に移動させる昇降機構と、基台５０の中心を軸として回転することができるように回転駆動機構が構成されている。そして、これらの機構によって搬送アーム５１ａ，５１ｂは３次元的に移動することが可能である。これによって搬送領域Ｚ１内で昇降および旋回移動する。
【００２６】
各搬送アーム５１ａ，５１ｂは、それぞれ各処理ユニットに対する姿勢を維持しつつ水平方向に直進する。そして、各搬送アーム５１ａ，５１ｂを互い違いに屈伸させれば、正面にある処理ユニット中の処理済み基板Ｗを取り出して、未処理の基板Ｗをこの処理ユニット中に搬入することができる。
【００２７】
処理領域Ｃでは、図４に示すように搬送経路Ｚ１の一側方（図４中の左側）に、種々の処理ユニットが５つの階層に積層されている。最下部の第１の階層Ｄ１には、化学系ユニット１１が配置されている。化学系ユニット１１は、各種処理液（薬液）、廃液を貯留するタンクや配管等を収納するケミカルキャビネットと、ポンプおよび排気系を収納する。
【００２８】
この上側であって第２の階層Ｄ２には、移載ロボット３２と搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの受け渡し位置Ｐ１を挟んで対向し、基板Ｗに処理液による処理を施す処理ユニットとして、基板にフォトレジスト等の処理液を基板を回転させつつレジスト塗布処理を行う回転式塗布ユニットＳＣ１、ＳＣ２（スピンコータ）が配置される。
【００２９】
次に第３の階層Ｄ３である回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２の上部には、ＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air ）フィルタ、化学吸着フィルタ等のフィルタおよびファンからなる空気調整ユニット１２が配置されている。
【００３０】
第４の階層Ｄ４には、塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２の上方に露光後の基板の現像処理を行う回転式現像ユニットＳＤ１、ＳＤ２（スピンデベロッパ）が配置されている。最後に、処理領域Ｃの最上部には第５の階層Ｄ５として、搬送領域Ｚ１と同様にファンフィルタユニットＦＦＵｂが設置されている。
【００３１】
以上のように、搬送ロボットＴＲ１とインデクサＩＤとの間には、回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２が装置１の前後に配置される。そして、各回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２の上方には、露光後の基板の現像処理を行う回転式現像ユニットＳＤ１、ＳＤ２が、各々同じユニット設置面積で積層されている。そして、前後の積層処理部の間は、搬送ロボットＴＲ１とインデクサＩＤとの間で基板の受け渡しを行う受け渡しポジションＰ１として機能する。
【００３２】
処理領域Ｃの、搬送経路Ｚ１の他側方（図４中の右側）にも、種々の処理ユニットが積層されている。最下部には、受け渡し領域Ｂである、露光装置２００との間で基板Ｗの受け渡しを行うインターフェイス機構部ＩＦが配置されている。インターフェイス機構部ＩＦは、処理領域Ｃにおいてレジストの塗布が終了した基板Ｗを露光装置２００側に渡したり露光後の基板Ｗを露光装置２００側から受け取るべく、かかる基板Ｗを一時的にストックする機能を有し、搬送ロボットＴＲ１との間で基板Ｗを受け渡す搬送ロボット６０と、基板を載置するバッファカセット６１とを備えている。
【００３３】
搬送ロボット６０は、上下方向および水平方向に移動可能かつ鉛直方向に軸の周りで回動可能に構成され、露光装置２００および搬送ロボットＴＲ１との間で基板Ｗの受け渡しを行う。インターフェイス機構部ＩＦの直上にも、クリーンエアのダウンフローを形成するフィルタファンユニットＦＦＵｃが設置されている。
【００３４】
インターフェイスＩＦに関しては、受け渡しポジションＰ２において基板の交換が行われる。すなわち、搬送ロボットＴＲ１は、処理領域Ｃにおいて所定の処理を終了した基板Ｗを受け渡しポジションＰ２まで移動させてここでインターフェイス機構部ＩＦとの間の基板交換を行う。
【００３５】
このインターフェイス機構部ＩＦの上方の階層には、３列の基板に熱処理を行う６段構成の多段熱処理ユニット２０，２１，２２が装置の前部（Ｙ方向の負の向き側）、及び、エッジ露光ユニットＥＥが後部（Ｙ方向の正の向き側）に配置されている。
【００３６】
多段熱処理ユニット２０，２１，２３のうち、第一の多段熱処理ユニット２０の形態としては、最下段より数えて１段目の位置には基板の冷却処理を行うクールプレート部ＣＰ１が設けられており、２段目，３段目についても同様にクールプレート部ＣＰ２，ＣＰ３が設けられている。そして、４段目には、基板の加熱処理を行うホットプレート部ＨＰ１が設けられ、５段目と６段目の位置についても同様に、ホットプレート部ＨＰ２，ＨＰ３が設けられている。
【００３７】
中央の第二の多段熱処理ユニット２１は、最下段より１段目から３段目の位置にはクールプレート部ＣＰ４〜ＣＰ６が設けられており、４段目から６段目の位置にはホットプレート部ＨＰ４〜ＨＰ６が設けられている。
【００３８】
第三の多段熱処理ユニット２２は、最下段より１段目，２段目の位置にはクールプレート部ＣＰ７，ＣＰ８が設けられており、３段目段目には、基板に対して密着強化処理を行う密着強化部ＡＨが設けられ、４段目，５段目の位置にはホットプレート部ＨＰ７，ＨＰ８が設けられている。最上段の位置には、基板に対して露光後のベーキング処理を行う露光後ベークプレート部ＰＥＢが設けられている。
【００３９】
エッジ露光ユニットＥＥは、基板Ｗを保持して低速回転させる基板回転保持機構４０と、基板Ｗの周縁に光を照射する光照射部４１などを備えて構成されている。エッジ露光された基板Ｗは、後の現像処理によって基板Ｗの周縁のフォトレジスト膜が除去される結果、基板Ｗの周縁のフォトレジスト膜が剥離してパーティクルになるという弊害が生じない。
【００４０】
そして、処理領域Ｃは、装置の前側（Ｙ方向の負の向き側）であって回転式塗布ユニットＳＣ１とインターフェイス機構部ＩＦとの間に、処理ユニットとして基板に純水等の洗浄液を供給して基板を回転洗浄する洗浄処理ユニットＳＳ（スピンスクラバ）が配置されている。
【００４１】
以上の構成により、この基板処理装置１では、例えば第４の階層Ｄ４でクールプレート部ＣＰ３により冷却処理が施された基板Ｗと、回転式現像ユニットＳＤ１において回転処理が行われた他方の基板Ｗとをそれぞれ搬送ロボットＴＲ１のアーム５１ａ，５１ｂに保持し、アーム５１ａ，５１ｂを後退させた後、１８０度旋回し、さらにアーム５１ａ，５１ｂを進行させて２つの基板Ｗを同時に入れ換えることができる。そして、上記の液処理ユニットや熱処理ユニット間を処理領域Ｃの中央部に設けられた搬送ロボットＴＲ１が順次に搬送することによって基板に対して所定の処理を施すことができる。
【００４２】
また、露光装置２００には、基板処理装置１でレジスト膜が形成された基板Ｗを露光処理する露光処理部２１０と、露光処理部２１０と上記したインターフェイス機構部ＩＦとの間で基板Ｗを搬送する搬送ロボット２２０とが備えられている。
【００４３】
ここで、本実施例における回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２、回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２、クールプレート部ＣＰ１〜８、ホットプレート部ＨＰ１〜８、密着強化部ＡＨ、露光後ベークプレート部ＰＢＥ、エッジ露光ユニットＥが処理ユニットに相当する。さらに、搬送ロボットＴＲ１が主搬送機構に相当する。
【００４４】
次に、図１の基板処理装置１の基板Ｗの処理の流れを図５を参照して説明する。図５は、各処理ユニットなどへの基板Ｗの流れを示したフロー図である。なお、図５中に符号を並べて記載したステップ、例えば「ＳＣ１、ＳＣ２」は、空いている回転式塗布ユニットに基板Ｗを搬入して基板の並行処理（この場合、フォトレジスト塗布の並行処理）を行うことを意味する。
【００４５】
インデクサＩＤの移載ロボット３２がカセット３１から未処理の基板Ｗを取り出し、基板Ｗを搬入する。搬送ロボットＴＲ１は受け渡しポジションＰ１に供給された基板Ｗを受け取る。この基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ１によって、密着強化部ＡＨＬ、クールプレート部ＣＰ１またはＣＰ２、回転式塗布ユニットＳＣ１またはＳＣ２、ホットプレート部ＨＰ１またはＨＰ２、クールプレート部ＣＰ３またはＣＰ４、エッジ露光ユニットＥＥへと順に搬送される。
【００４６】
即ち、基板Ｗを受け取ったクールプレート部ＣＰ１またはＣＰ２は、基板Ｗに冷却処理を行う。冷却処理が終了すると、搬送ロボットＴＲ１がクールプレート部ＣＰ１またはＣＰ２から基板Ｗを取り出し、回転式塗布ユニットＳＣ１に基板Ｗを受け渡す。回転式塗布ユニットＳＣ１は、受け取った基板Ｗに処理液を回転塗布する。処理が終了すると、再び搬送ロボットＴＲ１が基板Ｗを回転式塗布ユニットＳＣ１から取り出し、１８０度旋回して基板Ｗをホットプレート部ＨＰ１またはＨＰ２に搬送する。ホットプレート部ＨＰ１またはＨＰ２には受け取った基板Ｗに対して加熱処理を行う。
【００４７】
以上の処理を受けた基板Ｗは、処理が終了すると、再び搬送ユニットＴＲ１に渡され、受け渡しポジションＰ２を通して搬送ロボット６０に受け渡される。搬送ロボットＴＲ１から搬送ロボット６０を受け渡され、さらに、インターフェイス機構部ＩＦを介して露光装置２００に送られる。
【００４８】
露光装置２００で回路パターンなどが露光された基板Ｗは、インターフェイス機構部ＩＦを介して再び搬送ロボットＴＲ１に受け渡される。この基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ１によって、エッジ露光ユニットＥＥ、ホットプレート部ＨＰ５またはＨＰ６、クールプレート部ＣＰ４またはＣＰ５、回転式現像ユニットＳＤ１またはＳＤ２、ホットプレート部ＨＰ７またはＨＰ８、およびクールプレート部ＣＰ６へと順に搬送される。
【００４９】
即ち、外部の露光装置２００による処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボット６０に渡され、受け渡しポジションＰ２に供給される。その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によりエッジ露光ユニットＥＥの後、回転式現像ユニットＳＤ１またはＳＤ２に受け渡される。回転式現像ユニットＳＤ１またはＳＤ２では基板Ｗに現像処理を行う。現像処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ１により、例えばホットプレート部ＨＰ７またはＨＰ８に受け渡され、さらに搬送ロボットＴＲ１を通してクールプレート部ＣＰ６に搬送され、冷却処理が行われる。
【００５０】
冷却処理が終了すると、基板Ｗは再び搬送ロボットＴＲ１に受け渡され、受け渡しポジションＰ１を通り移載ロボット３２に受け渡される。そして、移載ロボット３２によりカセット３１に戻される。
【００５１】
以上の処理を受けた基板Ｗは、インデクサＩＤを戻されてカセット３１に収納される。以下、同様の処理が基板単位で繰り返し実行される。
【００５２】
以上説明したような上記第一の実施例による基板処理装置１は、回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２と回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２とを積層し、多段熱処理ユニット２０とエッジ露光ユニットＥＥとをインターフェイス機構部ＩＦの上面に積層し、搬送ロボットＴＲ１を中心に互いに対向する位置に配置されている。このため、基板処理装置１の平面占有面積は、水平方向に移動可能な搬送ユニットを有する搬送領域に比べ小さくすることができる。これにより、基板処理装置１のフットプリントを低減することができる。また、インターフェイス機構部ＩＦの上方も利用して各処理ユニットの平面的な配置効率が向上し、基板処理装置の高さも押さえることができる。
【００５３】
＜第２実施例＞図６は、本発明に係る基板処理装置の第２実施例の概略構成を示した平面図である。なお、図６において、図１中の符号と同一の符号で示した構成部分は、第１実施例のものと同じ構成であるので、ここでの説明は省略する。以下、本実施例の特徴部分を説明する。
【００５４】
インターフェイス機構部ＩＦ２は、図６に示すように、上下方向に２段に構成されている。その上段Ｂ１には搬送経路Ｚ１に対向して、搬送ロボットＴＲ１（図示せず）に対して基板Ｗの受け渡しを行う基板受け渡し部７１が設けられている。基板受け渡し部７１には、上段側の床の上面から突出された複数個の支持ピンがある。この支持ピンの上端に搬送ロボットＴＲ１により搬送されてきた基板Ｗを受け渡し、あるいは、支持ピンの上端に支持された基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が受け取って各処理ユニットに搬送する。基板受け渡し部７１の側方（図６では下側）に露光装置２００で露光処理された基板Ｗを待機させておくためのバッファ用のカセット７２、７３がそれぞれ設けられている。
【００５５】
インターフェイス機構部ＩＦ２の下段Ｂ２には、前記搬送経路Ｘと直交する方向に搬送経路Ｙ2 が配備されている。この搬送経路Ｙ2 に沿って搬送ロボット７４が移動自在に設けられている。搬送ロボット７４は、基板受け渡し部７１と後述する各テーブル７５、７６との間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボット７４は、その上端に基板Ｗを支持するアーム７４ａを備え、このアーム７４ａは、インターフェイス機構部ＩＦ２の下段Ｂ２から上段Ｂ１にわたって昇降するとともにその長手方向に伸縮し、かつ回動自在に構成されている。
【００５６】
また、インターフェイス機構部ＩＦ２の下段Ｂ２には、露光装置２００に基板Ｗを受け渡すための露光送り用テーブル７５と、露光装置２００で露光処理された基板Ｗを受け取るための露光戻り用テーブル７６とがそれぞれ設けられている。各テーブル７５、７６それぞれには、その上面から突出された複数個の支持ピン７７があり、この支持ピン７７の上端に基板Ｗが支持される。また、各テーブル７５、７６には、基板センタリング機構７８が備えられている。基板センタリング機構７８は、支持ピン７７を挟んで対向配備された一対のガイド板７８ａが、それぞれ遠近移動するように構成されている。各ガイド板７８ａの対向する端縁は基板Ｗに合わせて円弧状に形成されており、各ガイド板７８ａが接近した時に、各ガイド板７８ａが基板Ｗの外周縁に当接して、基板Ｗを各テーブル７５、７６の中心上に心合わせ位置決めするようになっている。
【００５７】
以上の構成の第二実施例装置によれば、インターフェイス機構部ＩＦ２が２階層を有し、露光装置２００との基板Ｗの受け渡しが下段Ｂ２でもって行われる。その結果、インターフェイス機構部ＩＦ２の上面の配置される熱処理ユニットからの熱的影響が上段Ｂ１を介することで好適に遮断される。
【００５８】
本発明は上述した実施例に限らず次のように変形実施することができる。
（１）配置される処理ユニットは上記の例に限らず、図６に示す露光送り用テーブル７５、７６と同様な位置決めユニットを別途、有する構成としてもよい。そして、エッジ露光ユニットＥＥと位置決めユニットを入れ換える、または洗浄処理ユニットＳＳと位置決めユニットとを入れ換えるように配置してもよい。
【００５９】
（２）また、上記の各実施例において処理ユニットの配置は上記の例に限らず、回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２と回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２とを入れ換えて、図３の配置とは逆になるように配置してもよい。
【００６０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば次の効果を奏する。複数の処理部が高さ方向に積層された基板処理装置であって、処理部にインターフェイス機構部を配置する、即ち、インターフェイス機構部の上方を利用して基板処理ユニットを配置するのでスペースを抑制することができ基板処理装置の占める鉛直面内での装置の設置面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態である基板処理装置を説明する平面図である。
【図２】この発明の実施の形態である基板処理装置を説明する正面図である。
【図３】図１の装置を構成する処理ユニットの配置を説明する図である。
【図４】この発明の実施の形態である基板処理装置を説明する要部正面図である。
【図５】図５は、各処理ユニットなどへの基板Ｗの流れを示したフロー図ある。
【図６】第二の実施形態である基板処理装置を構成する処理ユニットの配置を説明する図である。
【図７】従来の基板処理装置の処理ユニット配置を模型式的に示す概念的平面配置図である。
【符号の説明】
１基板処理装置
Ａ搬入搬出領域
Ｂ受け渡し領域
Ｃ処理領域
ＴＲ１、６０、７４、２１０搬送ロボット
１１１、ＳＣ１、ＳＣ２回転式塗布ユニット
１１２、ＳＤ１、ＳＤ２回転式現像ユニット
ＥＥエッジ露光ユニット
２０、２１、２２、２００、２１１、２２２多段熱処理ユニット
Ｗ基板

Claims

基板に対して複数工程からなる処理を施す基板処理装置であって、
鉛直方向に沿って延在する搬送経路と、
この搬送経路の周囲に配置され、各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成される複数の処理部と、
前記搬送経路を移動するとともに、前記複数の処理部の各処理ユニットに対して前記基板を搬入出する主搬送機構と、を備え、
外部の露光装置及び前記主搬送機構との間で基板を受け渡しする搬送機構と、前記基板を一時的にストックする基板ストック部とを有するインターフェイス機構部を前記処理部において加熱された基板を冷却する冷却処理又は基板を加熱する加熱処理を行なう前記処理ユニットと積層されるように配置し、
前記インターフェイス機構部が上下方向に第１段及び第２段の２段に構成され、外部の露光装置との基板の受け渡しが前記第２段でもって行われ、前記第２段が前記第１段を介して加熱された基板を冷却する冷却処理又は基板を加熱する加熱処理を行なう前記処理ユニットから隔てられていることを特徴とする基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記インターフェイス機構部の上方に配置された処理ユニットが、加熱された基板を所定温度に冷却する冷却処理部と、基板に加熱処理を行う加熱処理部とからなる多段熱処理ユニット部と、
表面に処理液が塗布された基板の周囲を露光するエッジ露光ユニットと、を備えていることを特徴とする基板処理装置。