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JP4130274B2 - 広視野角液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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JP4130274B2 - 広視野角液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

広視野角液晶表示装置及びその製造方法 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は垂直配向液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に一つの画素領域内で液晶分子の配向方向が分割されて広視野角を具現する液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置は二枚の基板の間に液晶を注入して、ここに印加する電場の強さを調節して光透過量を調節する構造からなる。
【０００３】
垂直配向ねじれネマチック方式の液晶表示装置は内側に透明電極が形成されている一組の透明基板、二つの透明基板の間の液晶物質、それぞれの透明基板の外側に付着されて光を偏向させる二枚の偏光板からなる。電場を印加しない状態において液晶分子は二つの基板に対して垂直に配向しており、電場を印加すると二つの基板の間に詰められた液晶分子が基板に平行して一定のピッチを有して螺旋状にねじれるようになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ＶＡＴＮ液晶表示装置の場合、電界が印加されない状態において液晶分子が基板に対して垂直に配向しているため、直交する偏光板を用いる場合電界が印加されない状態において完全に光が遮断できる。すなわち、ノーマリブラックモード（ｎｏｒｍａｌｌｙｂｌａｃｋｍｏｄｅ）においてオフ状態の輝度が非常に低いので、従来のねじれネマチック液晶表示装置に比べて高い対比度を得ることができる。しかし、電界が印加された状態、特に階調電圧が印加された状態においては通常のねじれネマッチクモードと同様に液晶表示装置を見る方向によって光の遅延に大きい差異が生じて視野角が狭いという問題点がある。
【０００５】
本発明の目的は多重分割のためのパターン構造を形成して視野角を拡大し、分割配向のためのパターンを形成する工程を単純化することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は多重分割領域の境界付近においての光漏れ現象を減少させて対比度を向上させる電極及びブラックマトリックス構造を具現することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明による液晶表示装置においては、下部基板の画素電極に開口パターンを形成して、前記基板に突起パターンを形成して液晶分子を分割配向する。
【０００８】
二つの基板の間に負の誘電率異方性を有する液晶物質が注入されており、該液晶物質の分子軸を垂直に配向する配向膜をさらに含むことができる。
【０００９】
二つの基板の外側に透過軸が互いに直交する偏光板が付着されていることもある。
【００１０】
ａプレート一軸性補償フィルム及びｃプレート一軸性補償フィルムが偏光板と薄膜トランジスタ基板及びカラーフィルター基板の間にそれぞれ付着されることもあり、この時、補償フィルムの屈折率が一番大きい方向が偏光板の透過軸と一致するか直交するように付着するのが好ましい。
【００１１】
開口パターン及び突起パターンは偏向軸を基準に４５度の角度を有する山型形状に形成されていることもある。
【００１２】
一方、開口パターンは偏向軸と９０度の角度を有する十字状またはＸ状に形成されており、突起パターンは十字状またはＸ状を取り囲む四角形に形成していることがあるが、十字状の場合、中央から外側へ行くほどその幅が狭くなるのが好ましい。
【００１３】
開口パターンの幅、突起パターンの幅と高さはそれぞれ３〜２０μm、３〜２０μm、０．３〜３μmであるのが適当である。
【００１４】
突起パターンと重なるように上部基板の上にブラックマトリックスが形成されていることもあり、下部基板の上に開口パターンと重なる配線を含むこともできる。
【００１５】
本発明による他の液晶表示装置において下部基板の上に山型形状の開口パターンを有する画素電極を形成しており、対応するほかの上部基板の上には開口パターンと平行するように交互に配列されている山型形状の突起パターンが形成されている。
【００１６】
上部基板には突起パターンと重なる第１部分及び山型形状に形成されている開口パターンと突起パターンとの折曲部分を横切る形態に形成されている第２部分及び開口パターンと突起パターンとが画素電極の境界と会う部分を遮る第３部分を有するブラックマトリックスが上部基板の上に形成されていることがある。
【００１７】
この時、ブラックマトリックスの第２部分は三角形に形成されていることがあり、ブラックマトリックスは開口パターンと重なる第４部分をさらに有することがある。
【００１８】
一方、開口パターンと突起パターンとの間の画素電極の端部が開口パターンと９０度の角度を成すことも可能である。
【００１９】
前記のような本発明の実施例による液晶表示装置の製造方法においては薄膜トランジスタ基板の開口パターンを画素電極パターニング段階において同時に形成し、カラーフィルター基板には領域を分割するための突起パターンを開口パターンと平行するように交互に配列されるように形成する。
【００２０】
突起は感光性膜で塗布、露光、現像または焼き付けて形成できる。
【００２１】
前記のように薄膜トランジスタ基板の場合にはＩＴＯ画素電極のパターニング段階において開口部が同時に形成されて、カラーフィルター基板の場合はカラーフィルターの上に保護膜を塗布する必要がないので工程が単純化する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例による垂直配向液晶表示装置及びその製造方法について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図１(Ａ)及び(Ｂ)は垂直配向液晶表示装置において液晶分子の配列を電界が印加されない状態と電界が十分に印加された状態とに分けて図示した図面である。
【００２４】
図１(Ａ)及び(Ｂ)に図示されたように、ガラスや石英などで作られた二つの基盤１、２が互いに対向しており、二つの基板１、２の内側面にはＩＴＯ（ｉｎｄ−ｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）などの透明導電物質からなる透明電極１２、２２及び配向膜１４、２４が順次に形成されている。二つの基板１、２の間には負の誘電率異方性を有する液晶物質からなる液晶層１００がある。それぞれの基板１、２の外側面には液晶層１００に入射する光及び液晶層１００を透過して出る光を偏向させる偏光板１３、２３がそれぞれ付着されており、下部基板１に付着された偏光板１３の偏向軸Ｂは上部基板２に付着された偏光板２３の偏向軸Ａに対して９０度の角度を成している。配向膜１４はラビング処理することもあり、処理しないこともある。
【００２５】
図１(Ａ)は電界を印加しない場合を示したものであって、液晶層１００の液晶分子３は配向膜１４の配向力によって二つの基板１、２の表面に対して垂直方向に配列されている。この時、下部基板１に付着されている偏光板１３を通過した光は偏光方向が変わらず液晶層１００を通過する。次に、前記光は上部基板２に付着されている偏光板２３によって遮断されてブラック状態を示す。
【００２６】
図１(Ｂ)は電界を十分に印加する場合を示すものであって、液晶分子３は下部基板１から上部基板２に至るまで９０度の角度を成すように螺旋状にねじられているため、液晶分子３の長軸方向が連続的に変化するねじられた構造を有する。ここで、二つの基板１、２に隣接した部分においては印加された電場による力よりは配向膜１４の配向力が強いので、液晶分子３は垂直に配向された元来の状態を維持する。この時、下部基板１が付着された偏光板１３を通過して偏向された光が液晶層１００を通過しながらその偏向軸が液晶分子３の長軸方向のねじれに沿って９０度回転するようになり、したがって、反対側の基板２に付着されている偏光板２３を通過するようになってホワイト状態になる。
【００２７】
一方、電圧が印加された状態においては角度による視野角の依存性が大きく現われる。したがって、垂直配向方式自体では広視野角の効果があるといえないので、単位画素内で領域を分割するか補償フィルムを用いることで視野角を補償することがある。
【００２８】
図２と図３(Ａ)及び(Ｂ)は本発明の第１実施例による垂直配向液晶表示装置において視野角を補償するために提案された構造及び原理を図示したものである。
【００２９】
図２に示したように、下部基板の透明画素電極１５に一方向に長く開口部４が空いており、このような下部基板は透明共通電極２５が前面に形成されている上部基板と対向するように対応される。二つの電極１５、２５に電圧が印加されると液晶分子３は開口部４によって生成されるフリンジフィールドによって開口部４を境界にして左右対称的に配列される。開口部４の代わりに、突起が形成されていても同一な効果を得ることができる。
【００３０】
図３(Ａ)及び(Ｂ)は前記のパターンによって分割配向を具現した場合の液晶分子の配列をそれぞれ図示した断面図である。
【００３１】
先ず、図３(Ａ)を見ると、下部基板１に形成されているＩＴＯ電極１５の一部が除去されて開口パターン４が形成されている。電界を印加しない状態においては図１(Ａ)に示したように液晶分子３は二つの基板１、２に垂直に配列された状態を維持するので、電極がオープンされない時と同一なブラック状態を現す。電界を印加すると、ほとんどの領域においては基板１、２に垂直である電場が形成されるがＩＴＯ電極１５が除去された開口パターン４の付近の電場は二つの基板１、２に対して完全に垂直には形成されない。このようにオープンされた部分の付近に形成される曲がった電場をフリンジフィールド（ｆｒｉｎｇｅｆｉｅｌｄ）という。
【００３２】
液晶が負の誘電率異方性を有するため、液晶分子３の配列方向は電場の方向と垂直になろうとする。したがって、このようなフリンジフィールドによってオープンされた開口パターン４付近の液晶分子３の長軸は二つの基板１、２の表面に対して傾いたままねじれるようになる。すると、ＩＴＯ電極がオープンされた部分の中心線を基準に両側で液晶分子の傾く方向が反対になる二つの領域が生じるようになり、二つの領域の光学的特性が互いに補償されて視野角が広がる。
【００３３】
次に、図３(Ｂ)を見ると、下側基板１に山型形状の突起５が形成されており、その上に垂直配向膜１４が形成されている。液晶分子３は垂直配向膜１４の配向力によって表面に対して垂直に配列しようとするので、電界が印加されない状態において突起５の周辺の液晶分子３は突起５の表面に垂直である方向に傾くようになる。
【００３４】
十分な電界が二つの基板１、２の間に印加されると、液晶分子３は電界の方向に対して垂直に配列しようとするので、ねじれて基板１、２に対して平行に配列される。図２と同様に突起５の中心線を基準に両側で液晶分子３の傾く方向が反対になる二つの領域が生じるので、二つの領域の光学的特性が互いに補償されて視野角が広がる。
【００３５】
しかし、上部基板２の端部の表面に位置する液晶分子３´と下部基板１の開口パターン４または突起５の付近に位置する液晶分子３の傾く程度が異なって駆動の際、液晶配列の変動が大きく現われることがある。
【００３６】
液晶配列の変動を小さくして駆動を安定的にするためのパターン構造及び配向原理が図４(Ａ)及び(Ｂ)に図示されている。
【００３７】
図３(Ａ)と同様に、下部基板１に形成されているＩＴＯ画素電極１５の一部が除去された開口パターン４が形成されている。また、上部基板２のＩＴＯ共通電極２５の一部が除去されているが、下部基板１のオープンされた部分とは一定距離をはずれて形成されている。ＩＴＯ画素電極１５と共通電極２５とに電界を印加すると、画素電極１５と共通電極２５とのオープンされた部分の付近ではフリンジフィールドが形成される。
【００３８】
したがって、画素電極１５及び共通電極２５がオープンされた部分の中心線を基準に両側で液晶分子の傾く方向が反対になる二つの領域が生じるようになり、二つの領域の光学的特性が互いに補償されて視野角が広がる。のみならず、上部基板２のオープンされた部分と下部基板２のオープンされた部分との液晶分子３が互いに平行に傾いている。したがって、液晶配列が安定的になり、応答速度においても有利である。
【００３９】
次に、図４(Ｂ)では下側基板１に山型形状の突起５が形成されており、その上に垂直配向膜１４が形成されている。また、上側基板２にも突起５及び垂直配向膜２４が形成されている。前記図４(Ａ)のように、それぞれの突起５を基準に両側で視野角の補償が成されて、液晶分子３が分割された領域内で平行に配列されるので、安定的な配列が成される。
【００４０】
しかし、一つの画素領域が二分割配向された構造であるため、四分割方向に比べて視野角が不完全に補償される問題点を依然として有している。
【００４１】
また、突起パターンを上部及び下部基板に形成した場合、電圧が印加されない時にも突起パターン５の周囲で液晶分子３が完全に垂直配向されず一定の傾斜を有して配列されるので、複屈折現象によって光が漏れる現象が深刻に発生する。したがって、ブラック状態の輝度が増加して対比度が減少する問題点がある。
【００４２】
さらに、図４(Ａ)及び(Ｂ)の構造の液晶表示装置を形成する工程が増加する短所がある。
【００４３】
すなわち、図４(Ａ)でのカラーフィルター基板の場合、ＩＴＯ共通電極２５内に開口パターンを形成するためにはＩＴＯエッチ液を用いた湿式エッチングを実施せねばならず、エッチング工程の間、エッチ液がカラーフィルターに染み入ることがある。カラーフィルター内に染み入るエッチ液はカラーフィルターを汚染するか損傷するため、ＩＴＯ工程以前に有機物質または無機物質の保護膜を追加して覆うべきである。したがって、工程が増加する。
【００４４】
図４(Ｂ)では画素電極及び共通電極を上部及び下部基板にそれぞれ形成した後、その上に突起を形成する工程が追加されるべきである。
【００４５】
前記のように、画素領域の多重分割、対比度、工程の単純化を同時に具現するのは難しい。
【００４６】
図５は本発明の第５乃至１２の実施例による垂直配向液晶表示装置の分割配向を図示した断面図である。
【００４７】
図５に示したように、下部基板１０の上のＩＴＯ画素電極２００には一部が除去された開口部２７０が形成されており、その上には液晶分子３０を基板１０面に垂直に配列するための垂直配向膜２４０が形成されている。上部基板２０には突起パターンが形成されており、突起パターン１７０が下部基板１０の開口部２７０と交互に繰返されて配列されるように二つの基板１０、２０が対応している。二つの基板１０、２０の間には負の誘電率異方性液晶物質３０が注入されている。
【００４８】
また、上部及び下部基板１０、２０の外側面には偏光板１３、２３が付着されている。偏光板１３、２３の透過軸は互いに直角に置かれ、透過軸は突起１７０及び開口部２７０の方向と４５度または９０度になるように置かれる。
【００４９】
また、偏光板１３、２３と基板１０、２０面の間には補償フィルム１３３、２３３がそれぞれ付着されている。この時、二つの基板の中の一つにはａプレート一軸性補償フィルムを、反対側にはｃプレート一軸性補償フィルムを付着するか、ｃプレート一軸性補償フィルムを両側に付着することができる。一軸性補償フィルムの代わりに二軸性補償フィルムを用いることもできるが、この場合は二つの基板の中の一方にだけ二軸性補償フィルムを付着することもできる。補償フィルムの付着方向はａプレートまたは二軸性補償フィルムで屈折率が一番大きい方向、つまり遅い軸が偏光板の透過軸と一致するか直交するように付着する。
【００５０】
前記のような液晶表示装置に電圧が印加されると、画素電極２００の開口部２７０の付近でフリンジフィールドが形成されて開口部２７０を基準に両側で液晶分子３０が対称的に配列され、上部基板の突起パターン１７０を中心に液晶分子３０が両側で対称的に配列されて画素領域が開口部２７０と突起パターンとを中心に分割配向される。
【００５１】
前記のような構造のパターンは従来より単純な工程から形成されるが、製造方法については後に説明する。
【００５２】
前記のように、分割配向をするようになると、配向の形態によって輝度や応答速度、残像などパネルの特性が異なるようになる。したがって、ＩＴＯ電極に形成される開口部や突起などのような分割配向のためのパターンをどのような形態に作るかが重要な問題となる。
【００５３】
本発明の実施例による液晶表示装置は四分割配向領域を一つの画素領域に形成して広視野角を得ることができる液晶表示装置である。
【００５４】
本発明の第５実施例による分割配向のためのパターンが図６に示されている。
【００５５】
カラーフィルター基板に形成された突起パターン１７０と薄膜トラジスタ基板１０との画素電極２００にオープンされた開口パターン２７０は全て画素の縦方向の中央の部分で山型形状に折れた形態で形成されており、二つの基板に形成された突起パターン１７０と開口パターン２７０とは交互に形成されている。このようなパターン１７０、２７０を有する液晶表示装置の場合、画素の中央の折れた位置を中心に下側半分または上側半分に当たる領域の液晶分子は二つの基板に形成された互いに平行したパターンの間で互いに反対する方向に倒れて二分割を得ることができる。そして、画素の中央の折れた位置を中心に下側半分と上側半分とのパターンが中央で折れていてパターンの傾斜方向が反対になっているため、画素全体として見ると、配向が異なる四つの領域が存在するようになって、視野角を広げることができる。
【００５６】
図６に示したような液晶表示装置の一つの画素内のほとんどの領域で液晶分子の方向子は互いに対向するか反対方向に配列されるので、配向が非常に安定的に現われる。
【００５７】
偏光板の一つの透過軸１１１を基準にパターンを見ると、一透過軸１１１に対して上部及び下部両側に４５度角度に開口パターン２７０及び突起パターン１７０が形成されていて液晶分子の方向子が偏光板の透過軸１１１、２２２方向と４５度角度を有するので視野角の特性が向上する。
【００５８】
前記に説明したように、補償フィルムが用いられる場合ａプレートまたは二軸性補償フィルムで屈折率が一番大きい方向が偏光板の透過軸１１１、２２２と一致するか直交するように補償フィルムが付着される。
【００５９】
パターンの中央の部分が折れず直線を形成する場合さらに速い応答速度を得ることができるが、視野角の側面で見ると四分割配向が有利であるため、この二つの要件をできるだけ同時に満足するための方法として提示されたのが本発明の第５実施例による分割配向のためのパターンである。
【００６０】
しかし、この場合山型形状に折れた部分で液晶分子の配列が乱れるようになり、下側基板の画素電極開口パターン２７０と画素電極２００との境界が会う部分が鋭角を成してこの部分でもディスクリネーションが発生する。
【００６１】
図７は図６のａ部分を拡大して示した平面図であって、画素電極開口パターン２７０と画素電極２００との境界が会う部分の液晶分子の配列を示している。
【００６２】
図７に示したようにＡ部分で液晶分子の配列が乱れているため、輝度が低下する現象が現われることもある。また、このような乱れた配列は液晶表示装置に画像を表示するために互いに異なる画素電圧を印加する過程において動くことがあるため、残像の原因になることもある。
【００６３】
図８(Ａ)と(Ｂ)に示された本発明の第６実施例による液晶表示装置は第１実施例で生じるディスクリネーションを無くすことができる構造を有している。
【００６４】
基本的なパターンの形態は第５実施例と類似している。すなわち、カラーフィルター基板に形成された突起パターン１７０と薄膜トランジスタ基板に形成された開口パターン２７０とはすべて画素の横方向の中央の部分で山型形状に折れた形態で形成されており、二つの基板に形成されたパターン１７０、２７０は交互に形成されている。
【００６５】
そして、山型形態に折れた部分の中央を横切るように延長開口パターン２７２と第２枝突起パターン１７２とが形成されており、画素電極２０の境界と突起パターン１７０とが会う地点から開口パターン２７０側へ画素電極２００の端部に沿って第１枝突起パターン１７１が延長されている。このようにすると、上下板のパターンの端部が互いに近くなり、パターンが鈍角に形成されてディスクリネーションを無くすことができる。
【００６６】
第１及び２枝突起パターン１７１、１７２及び延長開口パターン２７２は山型形状に連結される部分からその端部に行くほど厚さが薄くなるように形成するのが好ましく、山型形状のパターン１７、２７の幅は３〜２０μm程度に形成するのが好ましい。また、パターンの間の間隔は５〜１５μmが好ましい。
【００６７】
図９は図８(Ａ)のｂ部分の拡大図であって、第６実施例に追加された枝パターンによって液晶分子が整然と配列されていることが分かる。
【００６８】
本発明の第７実施例では第５実施例の構造で現われるディスクリネーションによる問題を解決するためにディスクリネーションを生じる領域をゲート配線またはブラックマトリックスを用いて遮る。
【００６９】
図１０と１１とはそれぞれ本発明の第７実施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板の平面図である。
【００７０】
図１０に示されたように、走射信号を伝達するゲート線２１０が下辺がない梯形に形成されており、分割配向を形成するためのパターン２７０が梯形の斜辺に位置するゲート線２１０と重なる。すると、金属からなるゲート線２１０が後面光源から入る光を遮断して薄膜トランジスタ基板の画素電極の開口パターン２７０による光漏れや輝度の低下を防止することができる。
【００７１】
次に、図１１に示したように、カラーフィルター基板にはディスクリネーションが発生する領域とカラーフィルター基板側の突起パターン１７０、１７１、１７２が形成された部分を遮るようにブラックマトリックス１１０が形成されている。ディスクリネーションが発生する領域は薄膜トランジスタ基板の開口パターン２７０と画素電極２００の境界領域との間の領域と山型形状のパターン１７０、２７０が折れた部分である。
【００７２】
前記のようなディスクリネーションを遮るためのブラックマトリックスパターンは図１１に示されたように下側基板に画素電極２００が形成されている領域を取り囲む形態で形成されて画素領域を定義している端部と分割配向を形成するためのパターン１７０が形成された部分を遮るために山型形状に形成された部分、山型形状の突起パターン１７０の間で生じるディスクリネーションを遮るために三角形に形成された部分、山型形状のパターン１７０、２７０が折れる部分で生じるディスクリネーションを遮るために画素領域の中央を横切る部分から構成される。
【００７３】
これによって、ディスクリネーションが発生する部分やパターンによって生じる光漏れをブラックマトリックス１１０を用いて遮断することができ、明るい色を表示する時、周辺より暗く現われることから生じる輝度の低下を防止することができるなど対比度が向上する。また、このようにブラックマトリックス１１０を比較的広い面積で形成してもパターンが形成されている部分やディスクリネーションが発生する部分は元来表示に寄与する部分と見ることができないので、開口率が減少する問題は発生しない。
【００７４】
図１２は図１０と１１とに示されたように二つの基板を結合して形成した液晶表示装置の平面図であり、図１３は図１２のXIII−XIII′線に沿って図示した断面図である。
【００７５】
図１２と１３に示されたように、下側基板である薄膜トランジスタ基板１０にはゲート線２１０が下辺のない梯形状に形成されており、その上を絶縁膜２２０が覆っている。絶縁膜の上には画素電極２００が形成されているが、下辺のない梯形状に形成されたゲート線２１０の斜辺と一致する位置に画素電極２００の一部が除去された開口パターンが形成されている。画素電極２００の上には液晶分子を垂直に配向するための垂直配向膜２４０が形成されている。
【００７６】
一方、上側基板であるカラーフィルター基板２０にはブラックマトリックス１１０が画素の外側のみならず、分割配向のための突起パターン１７０が形成される部分とディスクリネーションが発生する部分とを同時に遮るように形成されている。ブラックマトリックス１１０の間の画素領域にはカラーフィルター１２０が形成されており、その上にはＩＴＯなどの透明導電物質からなる共通電極１３０が形成されている。ブラックマトリックス１１０の上の共通電極１３０の上には有機膜または無機膜で突起パターンが形成されている。上側基板に形成された突起パターン１７０はブラックマトリックス１１０と重なるように形成されており、下側基板の開口パターン２７０と平行するように交代に形成されている。突起パターン１７０が形成されている共通電極の上にも垂直配向膜１４０が形成されている。
【００７７】
二つの基板１０、２０の外側面には透過軸が互いに直交するように偏光板１３、２３がそれぞれ付着されている。補償フィルム２３３、１３３がさらに付着されていることもある。
【００７８】
二つの基板の間には負の誘電率異方性を有する液晶物質３０が注入されており、二つの基板１０、２０に形成されている垂直配向膜１４０、２４０の配向力によって二つの基板１０、２０に対して垂直に配向されており、突起パターン１７０の周辺の液晶分子は突起パターン１７０の表面に対して垂直の状態で配列されている。
【００７９】
ゲート線は通常の方法と同様に直線に形成され、下板に分割配向のための開口パターンが形成されている部分もブラックマトリックスを用いて遮ることができる。図１４は本発明の第８実施例による液晶表示装置の平面図である。
【００８０】
ブラックマトリックス１１０が図１２に示された本発明の第７実施例のように画素の外側、上板の突起パターン１７０が形成される部分、ディスクリネーションが発生する部分を遮っており、下板の開口パターン２７０が形成される部分まで遮ることができるように形成されている。
【００８１】
本発明の第８実施例のように、ブラックマトリックスを用いてパターンが形成される部分とディスクリネーションが発生する部分とを遮る場合、ゲート線パターンの変形による影響を考慮しなくてもいいし、追加の工程無しに単純な工程で垂直配向液晶表示装置の視野角を広げながら対比度を向上させることができる。
【００８２】
図１５で図示した本発明の第９実施例においては、画素電極開口パターン２７０と画素電極２００との境界が会う部分で液晶分子の配列が乱れて現われる輝度の低下を防止するために画素電極の模様を変形する。
【００８３】
前記のように、ディスクリネーションが発生する部分は薄膜トランジスタ基板の画素電極２００の開口パターン２７０と画素電極２００との境界が会う部分である。
【００８４】
したがって、本発明の第１０実施例においては画素電極の開口パターン２７０とカラーフィルターの突起パターン１７０との間の画素電極２００の境界が開口パターン２７０と９０度の角度を成すようにする。この時、開口パターン及び突起パターン１７０、２７０の幅は３〜２０μm、パターンの間の間隔は５〜１５μmであるのが好ましい。
【００８５】
一つの画素領域を四分割配向するためのパターンを有する本発明による第１０実施例が図１６に示されている。
【００８６】
図１６に示したように、薄膜トランジスタ基板１０の画素電極には交差部分が９０度であるＸ型開口パターン２８０が形成されており、カラーフィルター基板には突起パターン１７０が形成されている。突起パターン１７０は画素電極の端部領域とＸ型開口パターン２８０と開口パターンとを横切る領域とで分れる。
【００８７】
このような開口パターン２８０と突起パターン１７０とによって液晶の四分割配向がなされ、この時、隣接した領域の液晶分子の方向子は互いに９０度を成す。
【００８８】
二つの偏光板の透過軸５５５、６６６の方向がそれぞれ直角になるように付着する。この時、液晶方向子の方向と透過軸５５５、６６６とは４５度を成すようにするのが好ましい。
【００８９】
図１７及び１８は本発明の第１１及び１２実施例による分割配向パターンを図示した平面図であって、図１７は突起パターンが画素電極の端部と重なるか端部内側に形成されている構造であり、図１８は突起パターンが画素電極の外側に形成されている構造である。
【００９０】
図１７及び１８に図示したように、薄膜トランジスタ基板１０の画素電極２００には十字状の開口パターン２５０が繰返し凹んでおり、カラーフィルター基板には突起パターン１７０が十字状の開口パターン２５０の外側を取り囲む形態で形成されている。
【００９１】
このような開口パターン２５０と突起パターン１７０とによって液晶の四分割配向がなされ、この時、連接した領域の液晶分子の方向子は互いに９０度を成す。
【００９２】
この時、十字状の開口パターン２５０は十字パターンが分れる内側のダイヤモンド型の部分２５１とダイヤモンド型部分の四つの角部から延長した枝パターン２５２からなり、枝パターン２５２は内側から外側へ行くほど幅が狭くなる。
【００９３】
突起パターン１７０は開口パターン２５０と斜めに形成されているだけで同一な形態を有するので、開口パターン２５０のダイヤモンド型部分２５１の斜辺と対向する突起パターン１７０の斜辺は互いに平行する。
【００９４】
したがって、二つの基板に形成されたパターンの間で液晶分子は殆ど一定の方向に倒れるようになり、このような方向は既に相当安定的であるため、再配列される過程を経る必要がなくて応答速度は向上する。
【００９５】
この時、二つの基板の偏光板の偏光方向はそれぞれ横方向と縦方向に互いに交差するように付着して偏向方向が液晶方向子の方向と４５度を成すようにするのが好ましい。
【００９６】
また、この時、パターン１７０、２５０の間の幅は３〜２０μm程度に形成し、突起パターン１７０の高さは０．３〜３．０μm程度に形成されるのが好ましい。
【００９７】
パターン１７０、２５０の幅が狭すぎるとフリンジフィールドや突起によって液晶分子が傾く領域が狭くて分割配向の効果を得るのが難しく、反対に広すぎるとパターンによって光が透過されない部分が広くて開口率の減少をもたらす。
【００９８】
また、突起パターン１７０と開口パターン２５０との間の間隔は１０〜５０μmに形成されるのが好ましい。
【００９９】
開口率をさらに向上させるためには突起パターン１７０が画素電極２００の端部と一部重なるか端部の内側に形成されている図１７の実施例よりは画素電極２００の端部の外側に突起パターン１７０が形成されている図１８の実施例を選択するのが好ましい。
【０１００】
では、次に本発明の多重分割パターンを形成するための液晶表示装置の製造方法について説明する。
【０１０１】
図１９(Ａ)乃至(Ｅ)はカラーフィフィルター基板の製造方法を工程順に従って図示した断面図である。
【０１０２】
先ず、透明な絶縁基板の上にブラックマトリックス１１０を形成して（図１９(Ａ)参照）、カラーフィルターパターン１２０を形成する（図１９(Ｂ)参照）。
【０１０３】
その上にＩＴＯ物質で共通電極１３０を全面に形成する（図１９(Ｃ)参照）。
【０１０４】
フォトレジストまたはポリイミドなどのような感光性膜を３〜２０μm程度の厚さで共通電極１３０の上に塗布（図１９(Ｄ)参照）、露光、現像した後、焼き付け工程を実施して０．３〜３μm幅の突起パターン１７０を形成する（図１９(Ｅ)参照）。この時、突起パターン１７０がブラックマトリックス１１０と重なるように形成することもできる。
【０１０５】
終りに、垂直配向膜１４０を塗布してカラーフィルター基板を完成する。
【０１０６】
前記のように、共通電極を一部除去した開口パターンを形成する場合、追加するべきカラーフィルター保護用保護膜形成工程を実施する必要がなく、突起パターン１７０を無機または有機絶縁膜から形成する場合に必要なフォトレジスト除去工程を経る必要がないので工程が単純になる。
【０１０７】
図２０(Ａ)乃至(Ｄ)は薄膜トランジスタ基板の製造方法を工程順に図示した断面図である。
【０１０８】
透明絶縁基板１０の上にゲート線２１０などのゲート配線を形成し（図２０(Ａ)参照）、その上にゲート絶縁膜２２０を覆った後、半導体層（図示せず）及びデータ配線を形成する工程を実施して薄膜トラジスタを形成する（図２０(Ｂ)参照）。
【０１０９】
保護膜（図示せず）を形成し、ＩＴＯのような透明導電物質を積層かつパターニングして画素電極２００を形成する。この段階において、画素電極２００の内部に３〜２０μm幅の開口パターン２７０を形成する（図２０(Ｃ)参照）。
【０１１０】
次に、垂直配向膜２４０を塗布して薄膜トランジスタ基板を完成する。
【０１１１】
前記のように、薄膜トランジスタ基板の開口パターンは画素電極をパターニングする段階において同時に形成されるので別途の工程が要らない。
【０１１２】
図１９(Ａ)乃至(Ｃ)と図２０(Ａ)乃至(Ｄ)との過程を通じて製作された薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板を突起パターン１７０と開口パターン２７０とがはずれて位置するように組み立て、二つの基板の間に陰の誘電率異方性を有する液晶を注入した後、透過軸が互いに直交するように偏光板を基板の外側面に付ける。
【０１１３】
この時、偏光板の透過軸は突起パターン１７０及び開口パターン２７０と４５度または９０度の角度を有するように付着する。
【０１１４】
偏光板２３、１３と基板２０、１０との面の間に補償フィルム２３３、１３３を付着する。
【０１１５】
この時、二つの基板の中で一方にはａプレート一軸性補償フィルム２３３を、反対側基板にはｃプレート一軸性補償フィルムを付着するか、ｃプレート一軸性フィルムを両側に付着することができる。一軸性補償フィルムの代わりに一軸性補償フィルムを一方にだけ付着することもできる。補償フィルム２３３、１３３の付着方向はａプレートまたは二軸性補償フィルムで屈折率が一番大きい方向が偏光板の透過軸と一致するか直交するように付着する。
【０１１６】
前記のように、薄膜トランジスタ基板の開口パターン２７０は画素電極２００をパターニングする段階で同時に形成し、カラーフィルター基板の突起パターン１７０を形成する以前に保護膜工程を追加する必要がない。
【０１１７】
【発明の効果】
以上のように、本発明による液晶表示装置及びその製造方法においては開口パターンを画素電極をパターニングする段階で形成し、突起パターンを形成する以前に保護膜を形成する必要がないので、工程を追加せず四分割垂直配向液晶表示装置を具現することができる。したがって、広視野角が実現される。
【０１１８】
また、突起パターンと開口パターンとが形成されるところにブラックマトリックスまたはゲート線を対応するか画素電極の構造を変形することによって輝度を高めて対比度を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】垂直配向液晶表示装置において液晶分子の配向をブラックモード及びホワイトモードによって図示した概念図である。
【図２】本発明の第１実施例による液晶表示装置の分割配向のためのパターンの平面図である。
【図３】本発明の第１及び２実施例による垂直配向液晶表示装置の分割配向を図示した断面図である。
【図４】本発明の第３及び４実施例による垂直配向液晶表示装置の分割配向を図示した他の断面図である。
【図５】本発明の第５及び１２実施例による垂直配向液晶表示装置の分割配向を図示した断面図である。
【図６】本発明の第５実施例による垂直配向液晶表示装置の分割配向のためのパターンを図示した平面図である。
【図７】図６のａ部分の拡大図である。
【図８】本発明の第６実施例による垂直配向液晶表示装置の分割配向のためのパターンを図示した断面図である。
【図９】図８(Ａ)のｂ部分の拡大図である。
【図１０】ゲート線の変形された形態を示す平面図である。
【図１１】本発明の第７実施例によるカラーフィルター基板のブラックマトリックス及び突起パターンを示す平面図である。
【図１２】図１０と図１１とを対応させた平面図である。
【図１３】図１２のXIII−XIII′線に対する断面図である。
【図１４】本発明の第８実施例によるカラー基板のブラックマトリックスを示す平面図である。
【図１５】本発明の第９実施例による画素電極の変形された形態を示す平面図である。
【図１６】本発明の第１０実施例による垂直配向液晶表示装置の分割配向のためのパターンを図示した平面図である。
【図１７】本発明の第１１実施例による垂直配向液晶表示装置の分割配向のためのパターンを図示した平面図である。
【図１８】本発明の第１２実施例による垂直配向液晶表示装置の分割配向のためのパターンを図示した平面図である。
【図１９】本発明の実施例によるカラーフィルター基板の製造方法を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１、２ 基板
３、３０ 液晶分子
４、２７０ 開口部
５ 突起
１２、２２ 透明電極
１３、２３ 偏光板
１４、２４、２４０ 配向膜
１５、２５ 電極
１００ 液晶層
１１０ ブラックマトリックス
１１１、２２２、３３３、４４４ 透過軸
１２０ カラーフィルタ
１３３、２３３ 補償フィルム
１４０、２４０ 垂直配向膜
１７０、１７１、１７２ 突起パターン
２００ 画素電極
２１０ ゲート線
２２０ ゲート絶縁膜
２５１ ダイヤモンド型部分

Claims (60)

  1. 第１基板、前記第１基板の上に形成されている共通電極、前記共通電極の上に領域を分割するために形成されている突起パターン、前記第１基板と対向するように対応している第２基板、前記第２基板の上に形成されており、領域を分割するための開口パターンを有している画素電極を含み、
    前記突起パターンは前記画素電極の境界に沿って延長された第１枝突起をさらに含み、前記第１枝突起は前記開口パターンと前記画素電極との境界が成す角度が鋭角である部分に形成されており、
    前記開口パターンは山型形状に形成されており、前記突起パターンは前記開口パターンと平行するように交互に配列されている山型形状に形成されており、
    前記共通電極には前記山型形状の突出部分から前記開口パターンの方に伸びている第２枝突起が形成されており、
    前記画素電極には前記開口パターンの前記山型形状の突出部分から前記突起パターンの方へ伸びている延長開口部が形成されており、
    前記第２枝突起と前記延長開口部は交互に形成されている液晶表示装置。
  2. 前記第１基板と前記第２基板との間に注入されており、負の誘電率異方性（anisotropy）を有する液晶物質をさらに含んでなる請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 前記第１基板及び第２基板は前記液晶物質の分子軸を垂直に配向する配向膜をさらに含んでなる請求項２に記載の液晶表示装置。
  4. 前記第１及び第２基板の外側に付着されている第１及び第２偏光板をさらに含み、前記第１及び第２偏光板の透過軸は互いに直交する請求項１に記載の液晶表示装置。
  5. 前記第１及び第２偏光板の中の一つの内側に付着されている第１補償フィルムをさらに含んでなる請求項４に記載の液晶表示装置。
  6. 前記第１補償フィルムは二軸性補償フィルムである請求項５に記載の液晶表示装置。
  7. 前記第１補償フィルムにおいて一番大きい屈折率を有する方向が前記第１及び第２偏光板の透過軸と一致するか直交する請求項６に記載の液晶表示装置。
  8. 前記第１及び２偏光板の中の一つの内側に付着されている第２補償フィルムをさらに含んでなる請求項５に記載の液晶表示装置。
  9. 前記第１及び第２補償フィルムはそれぞれaプレート及びｃプレート（plate）一軸性補償フィルムである請求項８に記載の液晶表示装置。
  10. 前記aプレート一軸性補償フィルムにおいて一番大きい屈折率を有する方向が前記第１及び第２偏光板の透過軸と一致するか直交する請求項９に記載の液晶表示装置。
  11. 前記第１枝突起は前記開口パターンの方へ行くほどその幅が狭くなる請求項１に記載の液晶表示装置。
  12. 前記延長開口部は前記突起パターンの方へ行くほどその幅が狭くなり、前記第２枝突起は前記画素電極の端部側に行くほどその幅が狭くなる請求項１に記載の液晶表示装置。
  13. 前記開口パターン及び前記突起パターンは前記第１及び第２偏光板の透過軸に対してそれぞれ４５度の方向に形成されている請求項１１に記載の液晶表示装置。
  14. 前記開口パターンの幅は３〜２０μｍである請求項１に記載の液晶表示装置。
  15. 前記突起パターンの幅は３〜２０μｍである請求項１４に記載の液晶表示装置。
  16. 前記開口パターンと前記突起パターンとの間の間隔は５〜１５μｍである請求項１５に記載の液晶表示装置。
  17. 前記突起パターンの高さは０．３〜３μｍである請求項１６に記載の液晶表示装置。
  18. 前記突起パターンはポリイミドから形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
  19. 前記突起パターンはフォトレジストから形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
  20. 前記突起パターンと重なるように前記第２基板の上に形成されているブラックマトリックスをさらに含んでなる請求項１に記載の液晶表示装置。
  21. 前記第１基板の上に形成されており、前記開口パターンと重なる配線をさらに含んでなる請求項２０に記載の液晶表示装置。
  22. 前記配線はゲート配線である請求項２１に記載の液晶表示装置。
  23. 山型形状の開口パターンが形成されている画素電極を有する第１基板、共通電極、前記共通電極の上に形成されており、前記開口パターンと互いに平行するように交互に配列されている山型形状の突起パターンを有する第２基板を含み、
    前記突起パターンは前記画素電極の境界に沿って延長された第１枝突起をさらに含み、前記第１枝突起は前記開口パターンと前記画素電極との境界が成す角度が鋭角である部分に形成されており、
    前記共通電極には前記山型形状の突出部分から前記開口パターンの方に伸びている第２枝突起が形成されており、
    前記画素電極には前記開口パターンの前記山型形状の突出部分から前記突起パターンの方へ伸びている延長開口部が形成されており、
    前記第２枝突起と前記延長開口部は交互に形成されている液晶表示装置。
  24. 前記第１基板の上にブラックマトリックスが形成されており、前記ブラックマトリックスは前記突起パターンと重なる第１部分と、前記山型形状に形 成されている開口パターンと突起パターンとの折曲部分を横切る形態で形成されている第２部分と、前記開口パターンと突起パターンとが前記画素電極の境界と 会う部分を遮る第３部分を有している請求項２３に記載の液晶表示装置。
  25. 前記ブラックマトリックスは前記開口パターンと重なる第４部分をさらに含む請求項２４に記載の液晶表示装置。
  26. 前記ブラックマトリックスの前記第３部分は三角形に形成されている請求項２４に記載の液晶表示装置。
  27. 前記第１基板には前記開口パターンと重なる配線がさらに形成されている請求項２３に記載の液晶表示装置。
  28. 前記配線はゲート配線である請求項２７に記載の液晶表示装置。
  29. 前記開口パターンと前記突起パターンとの間の画素電極の端部が前記開口パターンと９０度の角度を成している請求項２３に記載の液晶表示装置。
  30. 第１基板、前記第１基板の上に形成されている共通電極、前記共通電極の上に領域を分割するために形成されている突起パターン、前記第１基板と対向するように対応している第２基板、前記第２基板の上に形成されており、領域を分割するための開口パターンを有している画素電極、前記第１基板と前記第２基板との間に注入されており、負の誘電率異方性を有する液晶物質を含み、前記液晶物質は前記突起パターンと前記開口パターンとによって多数の領域に分割されて、隣接した前記領域の液晶の方向子が９０度を成し、
    前記突起パターンは前記画素電極の境界に沿って延長された第１枝突起をさらに含み、前記第１枝突起は前記開口パターンと前記画素電極との境界が成す角度が鋭角である部分に形成されており、
    前記開口パターンは山型形状に形成されており、前記突起パターンは前記開口パターンと平行するように交互に配列されている山型形状に形成されており、
    前記共通電極には前記山型形状の突出部分から前記開口パターンの方に伸びている第２枝突起が形成されており、
    前記画素電極には前記開口パターンの前記山型形状の突出部分から前記突起パターンの方へ伸びている延長開口部が形成されており、
    前記第２枝突起と前記延長開口部は交互に形成されている液晶表示装置。
  31. 第１基板の上に領域を分割するための突起を形成する段階、第２基板の上部に薄膜トランジスタを形成する段階、前記第２基板の上に開口部を有する画素電極を形成する段階、前記突起が前記開口部と交互に配列するように前記第１基板と前記第２基板とを組み立てる段階、前記第１基板の上にブラックマトリックスを形成する段階を含み、前記ブラックマトリックスは、前記突起と重なる第１部分と、前記山型形状に形成されている開口部と突起との折曲部分を横切る形態に形成されている第２部分と、前記開口部と突起とが前記画素電極の境界と会う部分を遮る第３部分を有するように形成する液晶表示装置の製造方法。
  32. 前記突起は感光性膜から形成される請求項３１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  33. 前記突起を形成する段階は、前記感光性膜を塗布する段階、前記感光性膜を露光する段階、前記感光性膜を現像する段階、前記感光性膜を焼き付ける段階を含んでなる請求項３２に記載の液晶表示装置の製造方法。
  34. 前記突起及び前記開口部の上に垂直配向膜をそれぞれ形成する段階をさらに含んでなる請求項３１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  35. 前記突起は０．３〜３μｍの高さで形成される請求項３１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  36. 前記突起は３〜２０μｍの幅を有するように形成される請求項３５に記載の液晶表示装置の製造方法。
  37. 前記開口部は３〜２０μｍの幅を有するように形成される請求項３６に記載の液晶表示装置の製造方法。
  38. 前記開口部は山型形状に形成される請求項３１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  39. 前記突起は山型形状に形成される請求項３８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  40. 前記ブラックマトリックスは前記開口部と重なる第４部分をさらに有している請求項３９に記載の液晶表示装置の製造方法。
  41. 前記ブラックマトリックスの前記第３部分は三角形に形成される請求項３９に記載の液晶表示装置の製造方法。
  42. 前記第１基板に前記開口部と重なる配線を形成する段階をさらに含んでなる請求項３９に記載の液晶表示装置の製造方法。
  43. 前記配線はゲート配線である請求項４２に記載の液晶表示装置の製造方法。
  44. 前記開口部と前記突起との間の画素電極の端部が前記開口部と９０度の角度を成すように形成する請求項３９に記載の液晶表示装置の製造方法。
  45. 前記第１基板と前記第２基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶物質を注入する段階をさらに含んでなる請求項３１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  46. 前記第１基板及び第２基板は前記液晶物質の分子軸を垂直に配向する配向膜をさらに含んでなる請求項４５に記載の液晶表示装置の製造方法。
  47. 前記第１及び第２基板の外側に第１及び第２偏光板を付着する段階をさらに含んでなる請求項３１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  48. 前記第１及び第２偏光板の透過軸は互いに直交する請求項４７に記載の液晶表示装置の製造方法。
  49. 前記第１及び第２偏光板の中の一つの内側に第１補償フィルムを付着する段階をさらに含んでなる請求項４８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  50. 前記第１補償フィルムは二軸性補償フィルムである請求項４９に記載の液晶表示装置の製造方法。
  51. 前記第１補償フィルムにおいて一番大きい屈折率を有する方向が前記第１及び第２偏光板の透過軸と一致するか直交するようにする請求項５０に記載の液晶表示装置の製造方法。
  52. 前記第１及び第２偏光板の中の一つの内側に第２補償フィルムを付着する段階をさらに含んでなる請求項４９に記載の液晶表示装置の製造方法。
  53. 前記第１及び第２補償フィルムはそれぞれaプレート及びｃプレート一軸性補償フィルムである請求項５２に記載の液晶表示装置の製造方法。
  54. 前記aプレート一軸性補償フィルムにおいて一番大きい屈折率を有する方向が前記第１及び第２偏光板の透過軸と一致するか直交するようにする請求項５３に記載の液晶表示装置の製造方法。
  55. 前記開口部は十字状に形成する請求項３１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  56. 前記開口部は前記十字状の中央から外側へ行くほど、その幅が狭くなるように形成する請求項５５に記載の液晶表示装置の製造方法。
  57. 前記開口部は前記十字状の中央の部分がダイヤモンド型になるように形成する請求項５６に記載の液晶表示装置の製造方法。
  58. 前記突起は前記開口部の十字状を取り囲む四角形に形成する請求項５７に記載の液晶表示装置の製造方法。
  59. 前記開口部は交差部分が互いに直交するＸ状に形成する請求項３１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  60. 前記突起は前記開口部のＸ状を取り囲む四角形に形成する請求項５９に記載の液晶表示装置の製造方法。
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Families Citing this family (510)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3966614B2 (ja) * 1997-05-29 2007-08-29 三星電子株式会社 広視野角液晶表示装置
TW589504B (en) * 1997-06-12 2004-06-01 Sharp Kk Liquid crystal display device
KR100309918B1 (ko) * 1998-05-16 2001-12-17 윤종용 광시야각액정표시장치및그제조방법
KR100354904B1 (ko) * 1998-05-19 2002-12-26 삼성전자 주식회사 광시야각액정표시장치
KR100283511B1 (ko) * 1998-05-20 2001-03-02 윤종용 광시야각 액정 표시장치
JP3957430B2 (ja) * 1998-09-18 2007-08-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6879364B1 (en) * 1998-09-18 2005-04-12 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display apparatus having alignment control for brightness and response
JP3926056B2 (ja) * 1999-03-16 2007-06-06 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3969887B2 (ja) * 1999-03-19 2007-09-05 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US6657695B1 (en) * 1999-06-30 2003-12-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display wherein pixel electrode having openings and protrusions in the same substrate
JP4468529B2 (ja) * 1999-07-09 2010-05-26 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4401538B2 (ja) * 1999-07-30 2010-01-20 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
TWI288284B (en) 1999-09-16 2007-10-11 Sharp Kk Liquid crystal display device and thin film transistor substrate
KR100354906B1 (ko) * 1999-10-01 2002-09-30 삼성전자 주식회사 광시야각 액정 표시 장치
JP2001142073A (ja) * 1999-11-05 2001-05-25 Koninkl Philips Electronics Nv 液晶表示装置
KR100606958B1 (ko) * 2000-01-14 2006-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100512071B1 (ko) * 1999-12-09 2005-09-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 광시야각을 갖는 액정표시장치
KR100504532B1 (ko) * 1999-12-28 2005-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100587364B1 (ko) * 2000-01-12 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100612995B1 (ko) * 2000-03-13 2006-08-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판
US6803979B2 (en) * 2000-04-19 2004-10-12 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching LCD panel with transverse dielectric protrusions
KR100612994B1 (ko) * 2000-05-12 2006-08-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 기판
TW573190B (en) 2000-08-14 2004-01-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display and fabricating method thereof
KR100345961B1 (en) * 2001-01-12 2002-08-01 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display with wide viewing angle
KR100656911B1 (ko) * 2000-09-19 2006-12-12 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판
US7408605B2 (en) 2000-09-19 2008-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel
JP3877129B2 (ja) 2000-09-27 2007-02-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100720093B1 (ko) * 2000-10-04 2007-05-18 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100482468B1 (ko) * 2000-10-10 2005-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
TW562976B (en) 2000-11-27 2003-11-21 Au Optronics Corp Pixel structure in liquid crystal display
KR100448045B1 (ko) * 2000-12-05 2004-09-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치
KR100685915B1 (ko) * 2000-12-13 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정셀의 두께 공차가 큰 액정 프로젝터
KR100674237B1 (ko) * 2000-12-29 2007-01-25 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 광시야각의 수직배향 액정표시장치
TW535966U (en) * 2001-02-02 2003-06-01 Koninkl Philips Electronics Nv Display device
JP4511058B2 (ja) * 2001-02-06 2010-07-28 シャープ株式会社 液晶表示装置及び液晶配向方法
KR100507275B1 (ko) * 2001-03-28 2005-08-09 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Han모드를 적용한 프린지 필드 구동 모드 액정표시장치
US6977704B2 (en) * 2001-03-30 2005-12-20 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display
KR100717179B1 (ko) * 2001-03-31 2007-05-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정표시장치 제조방법
JP4148657B2 (ja) 2001-04-04 2008-09-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100471397B1 (ko) * 2001-05-31 2005-02-21 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100466395B1 (ko) * 2001-05-31 2005-01-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시장치
JP4334166B2 (ja) 2001-08-01 2009-09-30 シャープ株式会社 液晶表示装置及び配向膜の露光装置及び配向膜の処理方法
KR100764591B1 (ko) * 2001-09-28 2007-10-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 필름 전사법에 의한 액정표시장치용 컬러필터 기판 및그의 제조방법
US7079210B2 (en) * 2001-11-22 2006-07-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel
KR100628262B1 (ko) * 2001-12-13 2006-09-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
JP3974451B2 (ja) 2002-05-15 2007-09-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR100853778B1 (ko) * 2002-06-21 2008-08-25 엘지디스플레이 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100880216B1 (ko) * 2002-06-28 2009-01-28 엘지디스플레이 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100840326B1 (ko) 2002-06-28 2008-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판
KR20040008920A (ko) * 2002-07-19 2004-01-31 삼성전자주식회사 수직 배향형 액정 표시 장치
JP4056326B2 (ja) * 2002-08-30 2008-03-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
US20040075791A1 (en) * 2002-10-16 2004-04-22 Hong-Da Liu Wide view angle ultra minimal transflective-type vertically aligned liquid crystal display
JP4156342B2 (ja) * 2002-10-31 2008-09-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
TW594234B (en) * 2002-12-02 2004-06-21 Ind Tech Res Inst Wide viewing angle LCD device with laterally driven electric field and its manufacturing method
KR100720450B1 (ko) * 2002-12-23 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100945372B1 (ko) * 2002-12-31 2010-03-08 엘지디스플레이 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
JP3900141B2 (ja) 2003-03-13 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
KR101023974B1 (ko) * 2003-05-13 2011-03-28 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR100569718B1 (ko) * 2003-05-20 2006-04-10 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치
JP3642489B2 (ja) * 2003-06-11 2005-04-27 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2005055880A (ja) * 2003-07-24 2005-03-03 Sharp Corp 液晶表示装置およびその駆動方法
KR100617612B1 (ko) * 2003-08-26 2006-09-01 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치
KR100983577B1 (ko) * 2003-09-05 2010-09-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자
JP3879727B2 (ja) * 2003-10-02 2007-02-14 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
CN1605916B (zh) 2003-10-10 2010-05-05 乐金显示有限公司 具有薄膜晶体管阵列基板的液晶显示板及它们的制造方法
JP4813050B2 (ja) 2003-12-03 2011-11-09 三星電子株式会社 表示板及びこれを含む液晶表示装置
US7646459B2 (en) * 2003-12-26 2010-01-12 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
KR101022560B1 (ko) * 2003-12-30 2011-03-16 엘지디스플레이 주식회사 광효율 향상 필름 및 이를 이용한 액정표시장치
JP2005250361A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Sharp Corp 液晶表示装置
TWI317451B (en) * 2004-03-11 2009-11-21 Au Optronics Corp Multi-domain vertical alignment liquid crystal display
JP2005265891A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sharp Corp 液晶表示装置およびその駆動方法
JP4155227B2 (ja) * 2004-05-07 2008-09-24 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP4844027B2 (ja) * 2004-07-16 2011-12-21 カシオ計算機株式会社 垂直配向型の液晶表示素子
CN100476554C (zh) * 2004-08-31 2009-04-08 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
JP4372648B2 (ja) 2004-09-13 2009-11-25 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US20060066791A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment active matrix liquid crystal display device
CN101604087A (zh) * 2004-09-30 2009-12-16 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
JP2006106101A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示パネル
TWI282002B (en) * 2004-10-26 2007-06-01 Au Optronics Corp A multi-domain vertical alignment liquid crystal display device
KR100719920B1 (ko) * 2004-11-17 2007-05-18 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 브이브이에이 모드 액정표시장치
JP4639797B2 (ja) * 2004-12-24 2011-02-23 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
US8068200B2 (en) * 2004-12-24 2011-11-29 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment liquid crystal display device in which a pixel electrode has slits which divide the pixel electrode into electrode portions
JP4658622B2 (ja) * 2005-01-19 2011-03-23 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及び液晶表示装置
CN100434987C (zh) * 2005-01-19 2008-11-19 友达光电股份有限公司 多区域垂直排列液晶显示装置
KR20060104707A (ko) 2005-03-31 2006-10-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4666398B2 (ja) * 2005-05-13 2011-04-06 シャープ株式会社 液晶表示装置
DE102006023993A1 (de) * 2005-05-23 2007-03-08 Wang, Ran-Hong, Tustin Polarisationssteuerung für Flüssigkristallanzeigen
US7995177B2 (en) * 2005-06-09 2011-08-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP4738096B2 (ja) * 2005-08-18 2011-08-03 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US7630033B2 (en) * 2005-09-15 2009-12-08 Hiap L. Ong Large pixel multi-domain vertical alignment liquid crystal display using fringe fields
US20070145700A1 (en) * 2005-10-17 2007-06-28 Richard Ambrose Method and apparatus for portable container with integrated seat and stabilization mechanism
KR101264682B1 (ko) * 2005-12-13 2013-05-16 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI357517B (en) * 2006-01-27 2012-02-01 Au Optronics Corp Optical compensated bend type lcd
US20070195251A1 (en) * 2006-02-22 2007-08-23 Toppoly Optoelectronics Corp. Systems for displaying images involving alignment liquid crystal displays
TW200732793A (en) * 2006-02-23 2007-09-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Protrusions dispositon of an MVA LCD
TWI335456B (en) * 2006-03-24 2011-01-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display
US20070229744A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Casio Computer Co., Ltd. Vertically aligned liquid crystal display device
TWI274212B (en) * 2006-06-14 2007-02-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and driving method thereof
WO2008035471A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP5217154B2 (ja) * 2006-11-16 2013-06-19 凸版印刷株式会社 カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ
KR101319595B1 (ko) * 2007-03-13 2013-10-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US7948596B2 (en) * 2007-04-25 2011-05-24 Au Optronics Corporation Multi-domain vertical alignment liquid crystal display
US7940359B2 (en) * 2007-04-25 2011-05-10 Au Optronics Corporation Liquid crystal display comprising a dielectric layer having a first opening surrounding a patterned structure and exposing a portion of a first pixel electrode and a second pixel electrode formed on the dielectric layer
TWI372279B (en) * 2007-08-28 2012-09-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and pixel structure
CN101571654A (zh) * 2008-04-28 2009-11-04 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置
KR101460652B1 (ko) * 2008-05-14 2014-11-13 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
TWI381215B (zh) * 2009-02-26 2013-01-01 Au Optronics Corp 垂直配向液晶顯示面板
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
TWI390287B (zh) * 2009-04-21 2013-03-21 Chimei Innolux Corp 液晶顯示裝置
WO2011004841A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 シャープ株式会社 タッチセンサ機能付き表示装置、及び集光遮光フィルム
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20120182491A1 (en) * 2009-10-16 2012-07-19 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
KR20120027710A (ko) * 2010-09-13 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 액정 표시 패널
US8466411B2 (en) 2011-03-03 2013-06-18 Asm Japan K.K. Calibration method of UV sensor for UV curing
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
JP6003192B2 (ja) * 2012-04-27 2016-10-05 ソニー株式会社 液晶表示装置
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
KR101944701B1 (ko) * 2012-09-05 2019-02-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
CN103744216B (zh) * 2014-01-02 2018-01-05 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
CN112666759A (zh) * 2020-12-30 2021-04-16 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及曲面显示装置
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
CN113703231B (zh) * 2021-08-30 2022-12-23 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1462978A (en) 1974-04-17 1977-01-26 Rank Organisation Ltd Optical apparatus
US4385806A (en) * 1978-06-08 1983-05-31 Fergason James L Liquid crystal display with improved angle of view and response times
FR2564605B1 (fr) * 1984-05-18 1987-12-24 Commissariat Energie Atomique Cellule a cristal liquide susceptible de presenter une structure homeotrope, a birefringence compensee pour cette structure
FR2568393B1 (fr) * 1984-07-26 1986-11-14 Commissariat Energie Atomique Cellule a cristal liquide nematique faiblement dope par un solute chiral, et du type a birefringence controlee electriquement
JPS61170778A (ja) * 1985-01-25 1986-08-01 日本電気株式会社 アクテイブマトリツクスカラ−液晶表示パネル
FR2595156B1 (fr) * 1986-02-28 1988-04-29 Commissariat Energie Atomique Cellule a cristal liquide utilisant l'effet de birefringence controlee electriquement et procedes de fabrication de la cellule et d'un milieu uniaxe d'anisotropie optique negative, utilisable dans celle-ci
US4878742A (en) * 1986-08-04 1989-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal optical modulator
JPH01189629A (ja) 1988-01-26 1989-07-28 Seiko Instr & Electron Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JPH01196020A (ja) 1988-02-01 1989-08-07 Bio Toron:Kk プラスチックフィルム基板を有する液晶セル並びに該液晶セルに用いるプラスチックフィルム基板の表面洗浄方法及びその表面処理方法
JPH0235416A (ja) 1988-07-26 1990-02-06 Toshiba Corp 液晶表示素子
JPH02151830A (ja) 1988-12-05 1990-06-11 Seiko Epson Corp 液晶電気光学素子
JPH02190825A (ja) 1989-01-20 1990-07-26 Seiko Epson Corp 液晶電気光学素子
JPH0754363B2 (ja) 1989-07-11 1995-06-07 凸版印刷株式会社 カラーフィルタの剥離方法
JPH03209220A (ja) 1990-01-11 1991-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学変調素子の製造法
JP2507122B2 (ja) 1990-03-08 1996-06-12 スタンレー電気株式会社 液晶表示装置
JPH03261914A (ja) 1990-03-13 1991-11-21 Asahi Glass Co Ltd 液晶表示素子
EP0462571B1 (en) 1990-06-21 1996-10-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Loudspeaker arrangement in television receiver cabinet
JPH07104450B2 (ja) * 1990-10-17 1995-11-13 スタンレー電気株式会社 二軸性光学素子とその製造方法
JPH0786622B2 (ja) * 1990-11-02 1995-09-20 スタンレー電気株式会社 液晶表示装置
JP3047477B2 (ja) 1991-01-09 2000-05-29 松下電器産業株式会社 液晶表示装置およびそれを用いた投写型表示装置
JPH05203933A (ja) 1992-01-24 1993-08-13 Canon Inc 強誘電性液晶素子
DE69221102T2 (de) * 1991-12-20 1998-01-08 Fujitsu Ltd Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit verschiedenen aufgeteilten Orientierungsbereichen
JP3087193B2 (ja) 1991-12-20 2000-09-11 富士通株式会社 液晶表示装置
US5473450A (en) 1992-04-28 1995-12-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with a polymer between liquid crystal regions
US5309264A (en) * 1992-04-30 1994-05-03 International Business Machines Corporation Liquid crystal displays having multi-domain cells
JP3206133B2 (ja) 1992-09-07 2001-09-04 住友化学工業株式会社 液晶表示装置
JP3108768B2 (ja) 1992-12-24 2000-11-13 スタンレー電気株式会社 Ｔｎ液晶表示素子
JP2921813B2 (ja) 1993-03-04 1999-07-19 シャープ株式会社 液晶表示装置の電極構造
JPH06301036A (ja) 1993-04-12 1994-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
US5579140A (en) * 1993-04-22 1996-11-26 Sharp Kabushiki Kaisha Multiple domain liquid crystal display element and a manufacturing method of the same
JP2975844B2 (ja) 1993-06-24 1999-11-10 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP2859093B2 (ja) 1993-06-28 1999-02-17 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JPH0720469A (ja) 1993-06-29 1995-01-24 Tokuo Koma 液晶表示装置
JP3234357B2 (ja) 1993-07-08 2001-12-04 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP3164702B2 (ja) 1993-07-27 2001-05-08 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3529434B2 (ja) 1993-07-27 2004-05-24 株式会社東芝 液晶表示素子
DE69434302T2 (de) * 1993-07-27 2005-12-29 Sharp K.K. Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
US5434690A (en) * 1993-07-27 1995-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal device with pixel electrodes in an opposed striped form
JPH0764089A (ja) 1993-08-31 1995-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3220827B2 (ja) 1993-10-07 2001-10-22 コニカ株式会社 ハロゲン化銀写真感光材料の処理方法
JP3071076B2 (ja) 1993-10-28 2000-07-31 三洋電機株式会社 液晶表示セルの製造方法
JPH07147426A (ja) 1993-11-24 1995-06-06 Nec Corp 半導体装置
JPH07199205A (ja) 1993-12-28 1995-08-04 Toshiba Corp 液晶表示素子
JP2972514B2 (ja) 1993-12-28 1999-11-08 日本電気株式会社 液晶表示装置
JPH07225389A (ja) 1994-02-16 1995-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子とその製造方法
JPH07230097A (ja) 1994-02-18 1995-08-29 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3732242B2 (ja) * 1994-02-18 2006-01-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2547523B2 (ja) 1994-04-04 1996-10-23 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置及びその製造方法
JP3005418B2 (ja) * 1994-05-18 2000-01-31 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JPH07318950A (ja) 1994-05-27 1995-12-08 Sony Corp 電気光学表示セルのスペーサ形成方法
DE19519928B4 (de) * 1994-05-31 2006-04-27 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara Optische Kompensationsfolie und Flüssigkristall-Anzeigeeinheit
JP3292591B2 (ja) 1994-06-03 2002-06-17 株式会社東芝 液晶表示素子
JPH086052A (ja) 1994-06-24 1996-01-12 Dainippon Printing Co Ltd 液晶光学素子
JPH0815714A (ja) 1994-06-28 1996-01-19 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JPH0822023A (ja) 1994-07-05 1996-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子とその製造方法
JPH0829790A (ja) 1994-07-18 1996-02-02 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH0829812A (ja) 1994-07-19 1996-02-02 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH0843825A (ja) 1994-07-27 1996-02-16 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル
JP3066255B2 (ja) 1994-08-31 2000-07-17 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP3077962B2 (ja) 1994-09-22 2000-08-21 シャープ株式会社 液晶表示素子およびその製造方法
JP3081468B2 (ja) 1994-09-30 2000-08-28 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP2951853B2 (ja) 1994-09-30 1999-09-20 松下電器産業株式会社 液晶表示装置
US5673092A (en) * 1994-10-14 1997-09-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and method for fabricating the same
JP3193267B2 (ja) 1994-10-14 2001-07-30 シャープ株式会社 液晶素子およびその製造方法
EP0752120B1 (en) * 1995-01-23 2002-08-14 Asahi Glass Company Ltd. Color liquid crystal display apparatus
JPH08220524A (ja) 1995-02-20 1996-08-30 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3448384B2 (ja) 1995-02-20 2003-09-22 三洋電機株式会社 液晶表示装置
US5831700A (en) * 1995-05-19 1998-11-03 Kent State University Polymer stabilized four domain twisted nematic liquid crystal display
JPH0933882A (ja) 1995-07-14 1997-02-07 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP3358400B2 (ja) 1995-08-02 2002-12-16 東レ株式会社 カラー液晶表示素子
JPH09120075A (ja) 1995-08-21 1997-05-06 Toshiba Electron Eng Corp 液晶表示素子
JP3999824B2 (ja) * 1995-08-21 2007-10-31 東芝電子エンジニアリング株式会社 液晶表示素子
JPH0980447A (ja) * 1995-09-08 1997-03-28 Toshiba Electron Eng Corp 液晶表示素子
AU7095996A (en) 1995-09-26 1997-04-17 Chisso Corporation Homeotropic sprayed-nematic liquid crystal display device
JPH09105908A (ja) 1995-10-09 1997-04-22 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
TW454101B (en) * 1995-10-04 2001-09-11 Hitachi Ltd In-plane field type liquid crystal display device comprising liquid crystal molecules with more than two different kinds of reorientation directions and its manufacturing method
JPH09160061A (ja) 1995-12-08 1997-06-20 Toshiba Corp 液晶表示素子
JPH09304757A (ja) * 1996-03-11 1997-11-28 Sharp Corp 液晶表示素子及びその製造方法
JP3468986B2 (ja) * 1996-04-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス回路および表示装置
JPH1048634A (ja) 1996-07-30 1998-02-20 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示セル及びその製造方法
JP3949759B2 (ja) * 1996-10-29 2007-07-25 東芝電子エンジニアリング株式会社 カラーフィルタ基板および液晶表示素子
US6191836B1 (en) * 1996-11-07 2001-02-20 Lg Philips Lcd, Co., Ltd. Method for fabricating a liquid crystal cell
US6344883B2 (en) 1996-12-20 2002-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
JP4009344B2 (ja) * 1997-04-28 2007-11-14 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3916722B2 (ja) 1997-04-30 2007-05-23 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3966614B2 (ja) * 1997-05-29 2007-08-29 三星電子株式会社 広視野角液晶表示装置
US6704083B1 (en) * 1997-05-30 2004-03-09 Samsung Electronics, Co., Ltd. Liquid crystal display including polarizing plate having polarizing directions neither parallel nor perpendicular to average alignment direction of molecules
TW589504B (en) * 1997-06-12 2004-06-01 Sharp Kk Liquid crystal display device
KR19990001949A (ko) 1997-06-18 1999-01-15 윤종용 반도체 웨이퍼 고정장치
JP3208363B2 (ja) 1997-10-01 2001-09-10 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP3398025B2 (ja) 1997-10-01 2003-04-21 三洋電機株式会社 液晶表示装置
US5907380A (en) * 1997-10-30 1999-05-25 International Business Machines Corporation Liquid crystal cell employing thin wall for pre-tilt control
JPH11305236A (ja) 1998-04-23 1999-11-05 Hitachi Ltd 液晶表示素子
KR100309918B1 (ko) 1998-05-16 2001-12-17 윤종용 광시야각액정표시장치및그제조방법
KR100354904B1 (ko) * 1998-05-19 2002-12-26 삼성전자 주식회사 광시야각액정표시장치
KR100283511B1 (ko) * 1998-05-20 2001-03-02 윤종용 광시야각 액정 표시장치
US6266166B1 (en) * 1999-03-08 2001-07-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Self-adhesive film for hologram formation, dry plate for photographing hologram, and method for image formation using the same
US6256080B1 (en) * 1999-06-23 2001-07-03 International Business Machines Corporation Self-aligned structures for improved wide viewing angle for liquid crystal displays
KR100354906B1 (ko) * 1999-10-01 2002-09-30 삼성전자 주식회사 광시야각 액정 표시 장치

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