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JP4130971B2 - Coating film forming apparatus and coating film forming method - Google Patents
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Description

本発明は、処理液を被処理基板に塗布し膜形成する際に、ノズル先端部における処理液の着液不足を防ぎ、被処理基板に処理液を均一に塗布することのできる塗布膜形成装置および塗布膜形成方法に関する。   The present invention relates to a coating film forming apparatus capable of preventing a shortage of the processing liquid from being deposited at the nozzle tip and applying the processing liquid uniformly to the substrate to be processed when the processing liquid is applied to the substrate to be processed to form a film. And a coating film forming method.

例えばLCDの製造においては、被処理基板であるLCD基板に所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により回路パターンを形成する。このフォトリソグラフィ技術では、被処理基板であるLCD基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン(疎水化)処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。   For example, in LCD manufacturing, a predetermined film is formed on an LCD substrate, which is a substrate to be processed, and then a photoresist film is applied to form a resist film, and the resist film is exposed in accordance with a circuit pattern. A circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique of developing the film. In this photolithography technology, the LCD substrate, which is the substrate to be processed, undergoes a series of processes such as cleaning processing → dehydration baking → adhesion (hydrophobization) processing → resist coating → prebaking → exposure → development → post baking. A predetermined circuit pattern is formed on the resist layer.

従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。このような処理システムは、基本的にランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高い。   Conventionally, in such processing, processing units for performing each processing are arranged on both sides of the transport path in consideration of the process flow, and a substrate to be processed is carried into each processing unit by a central transport apparatus that can travel on the transport path. This is performed by a processing system in which one or a plurality of process blocks to be output are arranged. Since such a processing system is basically random access, the degree of freedom of processing is extremely high.

このような処理システムにおいて、LCD基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する方法として、レジスト液を帯状に塗布するレジスト供給ノズルとLCD基板とを、ノズル吐出口の長手方向と直交する方向に相対的に移動させて塗布する方法がある。この場合、レジスト供給ノズルには、基板の幅方向に延びる微小隙間を有するスリット状吐出口が設けられ、このスリット状吐出口から帯状に吐出されるレジスト液を基板の表面全体に供給することによりレジスト膜を形成する。   In such a processing system, as a method of forming a resist film by applying a resist solution to the LCD substrate, a resist supply nozzle for applying the resist solution in a strip shape and the LCD substrate are arranged in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle discharge port. There is a method in which the coating is carried out by moving it relatively. In this case, the resist supply nozzle is provided with a slit-like discharge port having a minute gap extending in the width direction of the substrate, and a resist solution discharged in a strip shape from the slit-like discharge port is supplied to the entire surface of the substrate. A resist film is formed.

この方法によれば、基板一辺から他辺に亘ってレジスト液を帯状に吐出(供給)するため、レジスト液を無駄にすることなく、角型の基板の全面に平均してレジスト膜を形成することができる。なお、このような塗布膜形成方法を採用した塗布膜形成装置については特許文献1(特開平10−156255号公報)に開示されている。
特開平10−156255号公報(第3頁右欄第5行乃至第4頁左欄第6行、第1図)
According to this method, since the resist solution is discharged (supplied) from one side of the substrate to the other side in a strip shape, a resist film is formed on the entire surface of the square substrate on average without wasting the resist solution. be able to. A coating film forming apparatus employing such a coating film forming method is disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 10-156255).
JP-A-10-156255 (page 3, right column, line 5 to page 4, left column, line 6, FIG. 1)

前記した塗布膜形成方法では、塗布処理中において、ノズルから吐出されたレジスト液が吐出口周辺に付着するため、塗布処理後においては、吐出口周辺には全体に亘りレジスト液が不均一な状態で付着している。すなわち、その状態で次回の塗布処理を行うと、吐出口からのレジスト液の吐出が乱れ、基板面に対して均一な塗布処理を行うことが出来ない。   In the coating film forming method described above, the resist solution discharged from the nozzles adheres to the periphery of the discharge port during the coating process. Therefore, after the coating process, the resist solution is not uniform throughout the periphery of the discharge port. It is attached with. That is, when the next coating process is performed in that state, the discharge of the resist solution from the ejection port is disturbed, and the uniform coating process cannot be performed on the substrate surface.

この問題を回避するため従来は、図13に示すように、待機中において、ノズル201を回転するプライミングローラ202に近接し、所定量のレジスト液Rをプライミングローラ202の周面に吐出することにより、ノズル先端に付着するレジスト液Rを均一化していた(以下、プライミング処理と呼ぶ)。なお、図13に示す従来例では、プライミングローラ202の周面に付着したレジスト液を除去し易くするため、プライミングローラ202の下部を溶剤たるシンナー204中に浸漬している。すなわち、このプライミングローラ202の周面に付着したレジスト液をシンナー204中で溶かすようになされている。さらに、この構成においては、固定式のワイパ203をプライミングローラ202の周面に摺接させて、プライミングローラ202に付着した余分なレジスト液Rを除去するようになされている。   In order to avoid this problem, conventionally, as shown in FIG. 13, during standby, a predetermined amount of resist solution R is discharged onto the peripheral surface of the priming roller 202 in the vicinity of the priming roller 202 that rotates the nozzle 201. The resist solution R adhering to the nozzle tip was made uniform (hereinafter referred to as priming process). In the conventional example shown in FIG. 13, the lower part of the priming roller 202 is immersed in a thinner 204 as a solvent in order to easily remove the resist solution adhering to the peripheral surface of the priming roller 202. That is, the resist solution adhering to the peripheral surface of the priming roller 202 is dissolved in the thinner 204. Furthermore, in this configuration, the fixed wiper 203 is brought into sliding contact with the peripheral surface of the priming roller 202 to remove excess resist solution R adhering to the priming roller 202.

図14は、図13に示したノズル201先端をその短手側から見た拡大断面図である。前記ノズル201の先端部は、その短手側から見てテーパ状とされ、ノズル短手方向に沿って吐出口201aの前後には、下端面201bおよび傾斜面201cが夫々形成されている。
図示するようにプライミング処理においては、回転するプライミングローラ202の周面に対して吐出口201aからレジスト液Rが吐出される。そのときレジスト液Rは、プライミングローラ202の回転方向に沿って流されるため、ノズル先端部においては図示するように、ローラ回転方向側の下端面201bおよび傾斜面201cの一部がレジスト液Rによって濡れた状態(レジスト液Rが付着した状態)となる。
FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view of the tip of the nozzle 201 shown in FIG. 13 as viewed from the short side. The tip of the nozzle 201 is tapered when viewed from its short side, and a lower end surface 201b and an inclined surface 201c are formed in front and rear of the discharge port 201a along the nozzle short direction.
As shown in the figure, in the priming process, the resist solution R is discharged from the discharge port 201a to the peripheral surface of the rotating priming roller 202. At that time, since the resist solution R flows along the rotation direction of the priming roller 202, a part of the lower end surface 201 b and the inclined surface 201 c on the roller rotation direction side is formed by the resist solution R at the nozzle tip as shown in the figure. A wet state (a state in which the resist solution R is attached) is obtained.

従来のプライミング処理では、プライミングローラ202の回転開始のタイミングとノズル201からのレジスト液Rの吐出タイミングとが略同時とされている。その場合、ノズル201から吐出されたレジスト液Rは、すぐさまプライミングローラ202によって巻き取られる。このとき、図15のノズル長手側の拡大図に示すように、ノズル先端部へのレジスト液の着液不足に起因して、傾斜面201cの下部においては、レジスト液Rによって濡れた部分と濡れていない部分とが生じていた。   In the conventional priming process, the timing for starting the rotation of the priming roller 202 and the timing for discharging the resist solution R from the nozzle 201 are substantially the same. In that case, the resist solution R discharged from the nozzle 201 is immediately wound up by the priming roller 202. At this time, as shown in the enlarged view of the longitudinal side of the nozzle in FIG. 15, due to the shortage of the resist solution on the nozzle tip, the portion wetted by the resist solution R and the lower portion of the inclined surface 201c are wet. The part that did not occur.

ところで、このプライミング処理後、図16に示すように基板Gに対するレジスト液Rの塗布時においては、傾斜面201cに付着したレジスト液Rは吐出口201aから吐出したレジスト液Rをノズル進行方向の逆方向に引っ張ると共に、ノズル進行方向と直交方向(ノズル長手方向)にも引っ張る。
すなわち、図15に示したノズル先端の状態で基板Gにレジスト液Rを塗布処理すると、傾斜面201cに付着したレジスト液Rが吐出口201aから吐出したレジスト液Rを引っ張るため、その部分の膜厚のみが厚くなっていた。このため、塗布開始位置におけるレジスト膜厚が不均一となり、図17に示すように箒スジL等が生じるという問題があった。
By the way, after this priming process, as shown in FIG. 16, when the resist solution R is applied to the substrate G, the resist solution R adhering to the inclined surface 201c is the resist solution R discharged from the discharge port 201a opposite to the nozzle traveling direction. In addition to pulling in the direction, it also pulls in the direction perpendicular to the nozzle traveling direction (nozzle longitudinal direction).
That is, when the resist solution R is applied to the substrate G in the state of the nozzle tip shown in FIG. 15, the resist solution R attached to the inclined surface 201c pulls the resist solution R discharged from the discharge port 201a. Only the thickness was thick. For this reason, there is a problem that the resist film thickness at the application start position becomes non-uniform, and wrinkles L and the like are generated as shown in FIG.

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、処理液を被処理基板に塗布し膜形成する際に、ノズル先端部における処理液の着液不足を防ぎ、被処理基板に処理液を均一に塗布することのできる塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made under the circumstances as described above, and when forming a film by applying a treatment liquid to a substrate to be treated, the liquid deposition of the treatment liquid at the nozzle tip is prevented from being insufficient. It is an object of the present invention to provide a coating film forming apparatus and a coating film forming method capable of uniformly applying a treatment liquid.

前記した課題を解決するために、本発明に係る塗布膜形成装置は、被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルからの処理液吐出を制御する吐出制御手段と、前記処理液供給ノズルの待機位置に設置され回転自在に形成されたローラと、前記ローラの回転を制御するローラ回転制御手段と、前記被処理基板に対して前記処理液供給ノズルを移動させるノズル移動手段とを備え、前記吐出口から処理液を前記ローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成装置であって、前記待機位置において、前記吐出制御手段が処理液供給ノズルから所定量の処理液を吐出させた後に、前記ローラ回転制御手段は、所定時間を空けて、前記処理液供給ノズルの吐出口に付着する処理液が前記吐出口の長手方向を境に一方の側に多く付着するよう前記ローラを一方向に回転させ、前記処理液供給ノズルの使用位置において、前記ノズル移動手段は、前記吐出口の長手方向を境に処理液の付着が少ない側を進行方向として処理液供給ノズルを移動させることに特徴を有する。 In order to solve the above-described problems, a coating film forming apparatus according to the present invention includes a processing liquid supply nozzle having a slit-like discharge port extending in the width direction of a substrate to be processed, and a processing liquid discharge from the processing liquid supply nozzle. Discharge control means for controlling the process, a roller installed at a standby position of the treatment liquid supply nozzle and formed to be rotatable, a roller rotation control means for controlling the rotation of the roller, and the process on the substrate to be processed. And a nozzle moving means for moving the liquid supply nozzle. The processing liquid is discharged from the discharge port onto the peripheral surface of the roller, and the processing liquid adhering to the discharge port is made uniform by rotating the roller. a coating film forming apparatus in the standby position, after the ejection control means has discharged a predetermined amount of the treatment liquid from the treatment liquid supply nozzle, said rollers rotating control means, Rotate the roller in one direction so that a large amount of processing liquid adhering to the discharge port of the processing liquid supply nozzle adheres to one side of the discharge port in the longitudinal direction, with a fixed time interval, and supplying the processing liquid In the nozzle use position, the nozzle moving means is characterized in that the processing liquid supply nozzle is moved from the longitudinal direction of the ejection port as a traveling direction on a side where the processing liquid is less attached .

この構成によれば、処理液供給ノズルからの処理液の吐出開始後、所定時間を空けてローラを回転開始するように制御がなされる。このようにすることによって、吐出口周辺に処理液が滞留した状態となり、吐出口周辺に十分な量の処理液を付着させることができる。
そして、プライミング処理後に、この処理液供給ノズルを用いて被処理基板に対する塗布処理を行う際には、吐出口周辺に一様に十分な処理液が付着しているため、塗布開始位置においては膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
また、プライミング処理後において、吐出口周辺には、少なくともローラの回転方向側に一様に十分な処理液を付着させることができる。そして、前記構成によれば、被処理基板への塗布開始時において、その一様かつ十分に付着した処理液が、吐出口から吐出した処理液をノズル進行方向の逆方向に均一に引っ張ると共に、ノズル進行方向と直交方向(ノズル長手方向)にも均一に引っ張る。その結果、塗布開始位置において、より確実に膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
According to this configuration, after starting the discharge of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle, control is performed so that the roller starts rotating after a predetermined time. By doing so, the processing liquid stays in the vicinity of the discharge port, and a sufficient amount of the processing liquid can be attached around the discharge port.
After the priming process, when the coating process is performed on the substrate to be processed using the processing liquid supply nozzle, a sufficient amount of the processing liquid is uniformly attached around the discharge port. The thickness can be made uniform, and the generation of wrinkles and the like can be suppressed.
In addition, after the priming process, a sufficient amount of processing liquid can be uniformly attached to the periphery of the discharge port at least on the rotation direction side of the roller. And according to the above-described configuration, at the start of application to the substrate to be processed, the uniformly and sufficiently attached processing liquid uniformly pulls the processing liquid discharged from the discharge port in the direction opposite to the nozzle traveling direction, Pull evenly in the direction perpendicular to the nozzle travel direction (nozzle longitudinal direction). As a result, the film thickness can be made more uniform at the application start position, and the generation of wrinkles and the like can be suppressed.

或いは、前記した課題を解決するために、本発明に係る塗布膜形成装置は、被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルからの処理液吐出を制御する吐出制御手段と、前記処理液供給ノズルの待機位置に設置され回転自在に形成されたローラと、前記ローラの回転を制御するローラ回転制御手段とを備え、前記吐出口から処理液を前記ローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成装置であって、前記待機位置において、前記吐出制御手段が処理液供給ノズルから所定量の処理液を吐出させて処理液の吐出を終了した後、前記所定量の処理液の吐出から所定時間を空けて前記ローラ回転制御手段が前記ローラを回転開始させることに特徴を有する。Alternatively, in order to solve the above-described problem, the coating film forming apparatus according to the present invention includes a processing liquid supply nozzle having a slit-like discharge port extending in the width direction of the substrate to be processed, and a process from the processing liquid supply nozzle. Discharge control means for controlling liquid discharge, a roller installed at a standby position of the treatment liquid supply nozzle and formed to be rotatable, and roller rotation control means for controlling rotation of the roller, and processing from the discharge port A coating film forming apparatus that discharges the liquid onto the peripheral surface of the roller and uniformizes the processing liquid adhering to the discharge port by rotating the roller, wherein the discharge control means at the standby position After discharging a predetermined amount of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle and ending the discharge of the processing liquid, the roller rotation control means moves forward after a predetermined time from the discharge of the predetermined amount of the processing liquid. Having said roller to be started rotating.

この構成によれば、前記処理液供給ノズルから所定量の処理液を吐出させて処理液の吐出を終了した後、前記所定量の処理液の吐出から所定時間を空けてローラを回転開始するように制御がなされる。このようにすることによって、吐出口周辺に処理液が滞留した状態となり、吐出口周辺に十分な量の処理液を付着させることができる。According to this configuration, after discharging a predetermined amount of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle and finishing the discharge of the processing liquid, the roller is started to rotate after a predetermined time from the discharge of the predetermined amount of the processing liquid. Control is performed. By doing so, the processing liquid stays in the vicinity of the discharge port, and a sufficient amount of the processing liquid can be attached around the discharge port.
そして、プライミング処理後に、この処理液供給ノズルを用いて被処理基板に対する塗布処理を行う際には、吐出口周辺に一様に十分な処理液が付着しているため、塗布開始位置においては膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。After the priming process, when the coating process is performed on the substrate to be processed using the processing liquid supply nozzle, a sufficient amount of the processing liquid is uniformly attached around the discharge port. The thickness can be made uniform, and the generation of wrinkles and the like can be suppressed.

また、前記した課題を解決するために、本発明に係る塗布膜形成方法は、被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルから、所定量の処理液を回転自在に形成されたローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成方法であって、前記処理液供給ノズルの待機位置において、前記処理液供給ノズルから処理液を吐出開始させた後に所定時間を空けて前記ローラを回転開始させる工程と、前記処理液供給ノズルを待機位置から被処理基板上に移動し、前記処理液供給ノズルから吐出される処理液により前記被処理基板を成膜する工程とを含み、前記ローラを回転開始させる工程において、前記ローラを一方向に回転させることにより、処理液を前記吐出口の長手方向を境に一方の側に多く付着させ、前記被処理基板を成膜する工程において、前記吐出口の長手方向を境に処理液の付着が少ない側を処理液供給ノズルの進行方向とすることに特徴を有する。 In order to solve the above-described problem, the coating film forming method according to the present invention is capable of rotating a predetermined amount of processing liquid from a processing liquid supply nozzle having a slit-like discharge port extending in the width direction of the substrate to be processed. A coating film forming method for discharging the processing liquid adhering to the peripheral surface of the formed roller and uniforming the processing liquid adhering to the discharge port by rotating the roller, the standby position of the processing liquid supply nozzle A process of starting the rotation of the roller after a predetermined time has elapsed after starting the discharge of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle, and moving the processing liquid supply nozzle from the standby position onto the substrate to be processed. and a step of forming the substrate to be processed by the processing liquid ejected from the supply nozzle, in the step of start of rotation of the roller, to rotate the roller in one direction In the step of depositing the substrate to be processed by depositing a large amount of processing liquid on one side of the ejection port in the longitudinal direction, the side on which the treatment liquid is less adhered on the boundary of the longitudinal direction of the ejection port is processed. It is characterized by the direction of travel of the liquid supply nozzle.

このようにすれば、処理液供給ノズルからの処理液の吐出開始後、所定時間を空けてローラを回転開始するように制御がなされる。このようにすることによって、吐出口周辺は処理液が滞留した状態となり、吐出口周辺には十分な処理液を付着させることができる。
そして、プライミング処理後に、この処理液供給ノズルを用いて被処理基板に対する塗布処理を行う際には、吐出口周辺に一様に十分な処理液が付着しているため、塗布開始位置においては膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
また、吐出口周辺において、少なくともローラの回転方向側に、一様に十分な処理液を付着させることができる。そして、被処理基板への塗布開始時においては、その一様かつ十分に付着した処理液が、吐出口から吐出した処理液をノズル進行方向の逆方向に均一に引っ張ると共に、ノズル進行方向と直交方向にも均一に引っ張る。その結果、塗布開始位置において、より確実に膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
In this way, after starting the discharge of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle, control is performed so that the roller starts rotating after a predetermined time. By doing so, the treatment liquid stays in the vicinity of the discharge port, and sufficient treatment liquid can be attached to the periphery of the discharge port.
After the priming process, when the coating process is performed on the substrate to be processed using the processing liquid supply nozzle, a sufficient amount of the processing liquid is uniformly attached around the discharge port. The thickness can be made uniform, and the generation of wrinkles and the like can be suppressed.
In addition, a sufficient amount of processing liquid can be uniformly attached around at least the rotation direction of the roller around the discharge port. At the start of application to the substrate to be processed, the uniformly and sufficiently attached processing liquid uniformly pulls the processing liquid discharged from the discharge port in the direction opposite to the nozzle moving direction and is orthogonal to the nozzle moving direction. Pull evenly in the direction. As a result, the film thickness can be made more uniform at the application start position, and the generation of wrinkles and the like can be suppressed.

或いは、前記した課題を解決するために、本発明に係る塗布膜形成方法は、被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルから、所定量の処理液を回転自在に形成されたローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成方法であって、前記処理液供給ノズルの待機位置において、前記処理液供給ノズルから処理液を吐出開始させた後に所定時間を空け、且つ前記処理液の吐出終了後に前記ローラを回転開始させる工程と、前記処理液供給ノズルを待機位置から被処理基板上に移動し、前記処理液供給ノズルから吐出される処理液により前記被処理基板を成膜する工程とを含むことに特徴を有する。Alternatively, in order to solve the above-described problem, the coating film forming method according to the present invention can freely rotate a predetermined amount of processing liquid from a processing liquid supply nozzle having a slit-like discharge port extending in the width direction of the substrate to be processed. A coating film forming method for discharging the processing liquid adhering to the peripheral surface of the formed roller and uniforming the processing liquid adhering to the discharge port by rotating the roller, the standby position of the processing liquid supply nozzle And a step of starting the rotation of the roller after completion of the discharge of the processing liquid after starting the discharge of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle, and the substrate to be processed from the standby position. And a step of forming a film on the substrate to be processed by the processing liquid discharged from the processing liquid supply nozzle.

このようにすることによって、吐出口周辺に処理液が滞留した状態となり、吐出口周辺に十分な量の処理液を付着させることができる。By doing so, the processing liquid stays in the vicinity of the discharge port, and a sufficient amount of the processing liquid can be attached around the discharge port.
そして、プライミング処理後に、この処理液供給ノズルを用いて被処理基板に対する塗布処理を行う際には、吐出口周辺に一様に十分な処理液が付着しているため、塗布開始位置においては膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。After the priming process, when the coating process is performed on the substrate to be processed using the processing liquid supply nozzle, a sufficient amount of the processing liquid is uniformly attached around the discharge port. The thickness can be made uniform, and the generation of wrinkles and the like can be suppressed.

本発明によれば、処理液を被処理基板に塗布し膜形成する際に、ノズル先端部における処理液の着液不足を防ぎ、被処理基板に処理液を均一に塗布することのできる塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供することができる。   According to the present invention, when a film is formed by applying a processing liquid to a substrate to be processed, the coating film can prevent the liquid from being insufficiently applied to the nozzle tip, and can uniformly apply the processing liquid to the substrate to be processed. A forming apparatus and a coating film forming method can be provided.

以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図1は、本発明に係る塗布膜形成装置(レジスト塗布装置)を備えるレジスト塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
このレジスト塗布現像処理装置100は、被処理基板である複数のLCD基板G(以下、基板Gと呼ぶ)を収容する複数のカセットCを載置するカセットステーション1と、基板Gに処理液であるレジスト液の塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション2と、露光装置4との間で基板Gの受け渡しを行うためのインタフェイスステーション3とを備えている。
なお、前記処理ステーション2の両端に、前記カセットステーション1およびインタフェイスステーション3が夫々配置されている。また、図1において、レジスト塗布現像処理装置100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a resist coating and developing apparatus provided with a coating film forming apparatus (resist coating apparatus) according to the present invention.
This resist coating and developing apparatus 100 is a cassette station 1 on which a plurality of cassettes C for accommodating a plurality of LCD substrates G (hereinafter referred to as substrates G), which are substrates to be processed, and a processing liquid on the substrates G. A processing station 2 including a plurality of processing units for performing a series of processes including application and development of a resist solution, and an interface station 3 for transferring the substrate G to and from the exposure apparatus 4 are provided. Yes.
The cassette station 1 and the interface station 3 are arranged at both ends of the processing station 2, respectively. In FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating and developing apparatus 100 is defined as the X direction, and the direction perpendicular to the X direction on the plane is defined as the Y direction.

カセットステーション1は、カセットCと処理ステーション2との間で基板Gの搬入出を行うための搬送装置11を備えている。この搬送装置11は搬送アーム11aを有し、カセットCの配列方向であるY方向に沿って設けられた搬送路10上を移動可能であり、搬送アーム11aによってカセットCと処理ステーション2との間で基板Gの搬入出が行われる。   The cassette station 1 includes a transfer device 11 for carrying in and out the substrate G between the cassette C and the processing station 2. This transfer device 11 has a transfer arm 11a, and can move on a transfer path 10 provided along the Y direction which is the arrangement direction of the cassettes C. Between the cassette C and the processing station 2 by the transfer arm 11a. Then, the substrate G is carried in and out.

処理ステーション2は、X方向に伸びる基板G搬送用の平行な2列の搬送ラインA、Bを有しており、搬送ラインAに沿ってカセットステーション1側からインタフェイスステーション3に向けてスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、第1の熱処理ユニットセクション26、レジスト処理ユニット23および第2の熱処理ユニットセクション27の一部が配列されている。
なお、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上の一部にはエキシマUV照射ユニット(e−UV)22が設けられている。
The processing station 2 has two parallel rows of transfer lines A and B for transferring the substrate G extending in the X direction, and scrub cleaning is performed from the cassette station 1 side to the interface station 3 along the transfer line A. A part of the processing unit (SCR) 21, the first heat treatment unit section 26, the resist processing unit 23, and the second heat treatment unit section 27 are arranged.
An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning unit (SCR) 21.

また、搬送ラインBに沿ってインタフェイスステーション3側からカセットステーション1に向けて第2の熱処理ユニットセクション27の一部、現像処理ユニット(DEV)24、i線UV照射ユニット(i−UV)25および第3の熱処理ユニット28が配列されている。   Further, a part of the second heat treatment unit section 27, the development processing unit (DEV) 24, and the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 from the interface station 3 side toward the cassette station 1 along the transfer line B. And the 3rd heat processing unit 28 is arranged.

また、処理ステーション2では、前記2列の搬送ラインA,Bを構成するように、且つ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインA、Bの間には、空間部40が設けられている。そして、この空間部40を往復移動可能にシャトル41が設けられている。このシャトル41は基板Gを保持可能に構成されており、搬送ラインA、Bとの間で基板Gが受け渡し可能となっている。   In the processing station 2, the processing units and the transfer devices are arranged so as to constitute the two rows of transfer lines A and B and basically in the order of processing. A space 40 is provided between them. And the shuttle 41 is provided so that this space part 40 can be reciprocated. The shuttle 41 is configured to hold the substrate G, and the substrate G can be transferred to and from the transfer lines A and B.

また、インタフェイスステーション3は、処理ステーション2と露光装置4との間での間で基板Gの搬入出を行う搬送装置42と、バッファカセットを配置するバッファステージ(BUF)43と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44とを有しており、タイトラ(TITLER)と周辺露光装置(EE)とが上下に積層された外部装置ブロック45が搬送装置42に隣接して設けられている。なお、搬送装置42は搬送アーム42aを備え、この搬送アーム42aにより処理ステーション2と露光装置4との間で基板Gの搬入出が行われる。   In addition, the interface station 3 has a transfer device 42 for loading and unloading the substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4, a buffer stage (BUF) 43 for arranging a buffer cassette, and a cooling function. An extension / cooling stage (EXT / COL) 44, which is a substrate transfer section, is provided, and an external apparatus block 45 in which a tiger (TITLER) and a peripheral exposure apparatus (EE) are vertically stacked is a transport apparatus 42. It is provided adjacent to. The transfer device 42 includes a transfer arm 42a, and the transfer arm 42a carries in and out the substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4.

このように構成されたレジスト塗布現像装置100においては、まず、カセットステーション1に配置されたカセットC内の基板Gが、搬送装置11により処理ステーション2に搬入された後、先ず、エキシマUV照射ユニット(e―UV)22によるスクラブ前処理、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21によるスクラブ洗浄処理が行なわれる。
次いで、基板Gは、第1の熱処理ユニットセクション26に属する熱処理ユニットブロック(TB)31、32に搬入され、一連の熱処理(脱水ベーク処理、疎水化処理等)が行われる。なお、第1の熱処理ユニットセクション26内における基板搬送は搬送装置33により行われる。
In the resist coating and developing apparatus 100 configured in this way, first, after the substrate G in the cassette C arranged in the cassette station 1 is carried into the processing station 2 by the transport apparatus 11, first, the excimer UV irradiation unit. A scrub pretreatment by (e-UV) 22 and a scrub cleaning treatment by a scrub cleaning unit (SCR) 21 are performed.
Next, the substrate G is loaded into heat treatment unit blocks (TB) 31 and 32 belonging to the first heat treatment unit section 26, and a series of heat treatments (dehydration baking treatment, hydrophobization treatment, etc.) are performed. The substrate is transferred in the first heat treatment unit section 26 by the transfer device 33.

その後、基板Gはレジスト塗布処理ユニット23に搬入され、レジスト液の膜形成処理が施される。このレジスト塗布処理ユニット23では、先ずレジスト塗布装置(CT)23aにおいて基板Gにレジスト液が塗布され、次いで減圧乾燥ユニット(VD)23bにおいて減圧乾燥処理がなされる。
なお、このレジスト塗布処理ユニット23は、本発明に係る塗布膜形成装置としてのレジスト塗布装置(CT)23aを含むユニットであり、詳細に後述する。
前記レジスト塗布処理ユニット23でのレジスト成膜処理後、基板Gは、第2の熱処理ユニットセクション27に属する熱処理ユニットブロック(TB)34、35に搬入され、一連の熱処理(プリベーク処理等)が行われる。なお、第2の熱処理ユニットセクション27内における基板搬送は搬送装置36により行われる。
Thereafter, the substrate G is carried into the resist coating processing unit 23 and subjected to a resist liquid film forming process. In the resist coating processing unit 23, first, a resist solution is applied to the substrate G in the resist coating apparatus (CT) 23a, and then a vacuum drying process is performed in the vacuum drying unit (VD) 23b.
The resist coating processing unit 23 includes a resist coating apparatus (CT) 23a as a coating film forming apparatus according to the present invention, and will be described in detail later.
After the resist film forming process in the resist coating unit 23, the substrate G is carried into the heat treatment unit blocks (TB) 34 and 35 belonging to the second heat treatment unit section 27, and a series of heat treatments (such as pre-bake treatment) are performed. Is called. The substrate is transferred in the second heat treatment unit section 27 by the transfer device 36.

次いで、基板Gは搬送装置36によりインタフェイスステーション3のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44へ搬送され、搬送装置42により外部装置ブロック45の周辺露光装置(EE)に搬送される。そこで基板Gに対し、周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置42により露光装置4に搬送され、基板G上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。なお、場合によってはバッファステージ(BUF)43上のバッファカセットに基板Gを収容してから露光装置4に搬送される。   Next, the substrate G is transferred to the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 of the interface station 3 by the transfer device 36, and is transferred to the peripheral exposure device (EE) of the external device block 45 by the transfer device 42. Therefore, the substrate G is exposed to remove the peripheral resist, and is then transported to the exposure device 4 by the transport device 42, and the resist film on the substrate G is exposed to form a predetermined pattern. In some cases, the substrate G is accommodated in a buffer cassette on the buffer stage (BUF) 43 and then transferred to the exposure apparatus 4.

露光終了後、基板Gはインタフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の上段のタイトラ(TITLER)に搬送されて基板Gに所定の情報が記される。その後、基板Gはエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に載置され、そこから再び処理ステーション2に搬送される。そして例えばコロ搬送機構により基板Gが現像処理ユニット(DEV)24へ搬送され、そこで現像処理が施される。   After the exposure is completed, the substrate G is transported to the upper TITER of the external device block 45 by the transport device 42 of the interface station 3, and predetermined information is written on the substrate G. Thereafter, the substrate G is placed on an extension / cooling stage (EXT / COL) 44, and then transferred to the processing station 2 again. For example, the substrate G is transported to the development processing unit (DEV) 24 by a roller transport mechanism, where development processing is performed.

現像処理終了後、基板Gは現像処理ユニット(DEV)24からi線UV照射ユニット(i−UV)25に搬入され、基板Gに対して脱色処理が施される。その後、基板Gは第3の熱処理ユニットセクション28に搬入され、熱処理ユニットブロック(TB)37、38において一連の熱処理(ポストベーク処理等)が施される。なお、第3の熱処理ユニットセクション28内における基板搬送は搬送装置39によって行われる。
そして基板Gは、第3の熱処理ユニットセクション28において所定温度に冷却された後、カセットステーション1の搬送装置11によって所定のカセットCに収容される。
After completion of the development processing, the substrate G is carried from the development processing unit (DEV) 24 to the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25, and the substrate G is subjected to decoloring processing. Thereafter, the substrate G is carried into the third heat treatment unit section 28 and subjected to a series of heat treatments (post-bake treatment or the like) in the heat treatment unit blocks (TB) 37 and 38. Note that the substrate transport in the third heat treatment unit section 28 is performed by the transport device 39.
The substrate G is cooled to a predetermined temperature in the third heat treatment unit section 28 and then accommodated in a predetermined cassette C by the transfer device 11 of the cassette station 1.

次に、レジスト塗布処理ユニット23について図2に基づき説明する。図2は、レジスト塗布処理ユニット23を構成するレジスト塗布装置(CT)23a、および減圧乾燥ユニット(VD)23bの平面図である。これらレジスト塗布装置(CT)23a、減圧乾燥ユニット(VD)23bは、支持台60の上に処理工程の順序に従い横一列に配置されている。支持台60の両側には一対のガイドレール62が敷設され、このガイドレール62に沿って平行移動する一組または複数組の搬送アーム64により、ユニット間で基板Gを直接やりとりできるようになっている。   Next, the resist coating unit 23 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plan view of a resist coating apparatus (CT) 23a and a reduced pressure drying unit (VD) 23b constituting the resist coating processing unit 23. The resist coating device (CT) 23a and the reduced pressure drying unit (VD) 23b are arranged in a horizontal row on the support base 60 in the order of processing steps. A pair of guide rails 62 are laid on both sides of the support base 60, and the substrate G can be directly exchanged between the units by one or a plurality of pairs of transfer arms 64 moving in parallel along the guide rails 62. Yes.

図2に示す減圧乾燥ユニット(VD)23bは、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ66と、この下部チャンバ66の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ(図示せず)とを有している。下部チャンバ66は略四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して支持するためのステージ70が配置され、底面の四隅には排気口72が設けられている。また、各排気口72に接続された排気管(図示せず)は真空ポンプ(図示せず)に通じている。そして、下部チャンバ66に前記上部チャンバを被せた状態で、両チャンバ内の処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。   A vacuum drying unit (VD) 23b shown in FIG. 2 includes a tray or bottom shallow container type lower chamber 66 having an open top surface, and a lid configured to be tightly fitted or fitted to the top surface of the lower chamber 66. And an upper chamber (not shown). The lower chamber 66 has a substantially rectangular shape, a stage 70 for horizontally placing and supporting the substrate G is disposed at the center, and exhaust ports 72 are provided at the four corners of the bottom surface. Further, an exhaust pipe (not shown) connected to each exhaust port 72 communicates with a vacuum pump (not shown). Then, the processing space in both chambers can be depressurized to a predetermined degree of vacuum by the vacuum pump while the lower chamber 66 is covered with the upper chamber.

このように構成された減圧乾燥ユニット(VD)23bにおいては、レジスト塗布装置(CT)23aにおいてレジスト液が塗布された基板Gに対し、加熱に依らない減圧乾燥が施される。すなわち、減圧乾燥にあっては、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じないため、この減圧乾燥ユニット(VD)23bでは、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥が促進される。   In the vacuum drying unit (VD) 23b configured in this way, the substrate G coated with the resist solution in the resist coating apparatus (CT) 23a is subjected to vacuum drying that does not depend on heating. That is, in the drying under reduced pressure, the solvent in the resist is gradually released, and rapid drying as in the case of drying by heating does not occur. Therefore, this reduced pressure drying unit (VD) 23b has an adverse effect on the resist. The drying of the resist is promoted without giving.

更に、レジスト塗布装置(CT)23aについて図2、図3に基づき詳細に説明する。図3は、レジスト塗布装置(CT)23aの外観を示す斜視図である。図示するように、このレジスト塗布装置(CT)23aは、基板Gを水平に保持する水平移動可能な保持手段である載置台50と、この載置台50の上方に配設されるレジスト供給ノズル(処理液供給ノズル)51と、このレジスト供給ノズル51(以下、ノズル51と呼ぶ)を水平移動させるノズル移動手段86とを具備している。   Further, the resist coating apparatus (CT) 23a will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 3 is a perspective view showing the appearance of the resist coating apparatus (CT) 23a. As shown in the figure, the resist coating apparatus (CT) 23a includes a mounting table 50 that is a horizontally movable holding unit that holds the substrate G horizontally, and a resist supply nozzle (above the mounting table 50). A treatment liquid supply nozzle) 51 and nozzle moving means 86 for horizontally moving the resist supply nozzle 51 (hereinafter referred to as nozzle 51).

この構成において、ノズル51をノズル移動手段86によって水平移動することにより、載置台50上の基板Gとノズル51とを相対的に水平移動し得るようになされている。
なお、載置台50におけるノズル51の移動方向の一端部には、待機時におけるノズル51の先端に付着したレジスト液を均一化するための回転自在なプライミングローラ(ローラ)52と、このプライミングローラ52をシンナーに浸漬する容器53とを有する待機部55が設けられている。
In this configuration, the nozzle 51 is horizontally moved by the nozzle moving means 86 so that the substrate G on the mounting table 50 and the nozzle 51 can be relatively horizontally moved.
Note that, at one end portion of the mounting table 50 in the moving direction of the nozzle 51, a rotatable priming roller (roller) 52 for uniformizing the resist solution adhering to the tip of the nozzle 51 during standby, and the priming roller 52 A standby section 55 having a container 53 for immersing the container in the thinner is provided.

前記ノズル51は、基板Gの幅方向に延びるスリット状の吐出口51aと、この吐出口51aに連通するレジスト液収容室(図示せず)とを有しており、このレジスト液収容室に接続するレジスト液供給チューブ57を介してレジスト液供給源95が接続されている。なお、ノズル51の先端部は、その短手側から見てテーパ状とされ、ノズル短手方向に沿って吐出口51aの前後には、下端面51bおよび傾斜面51cが夫々形成されている。   The nozzle 51 has a slit-like discharge port 51a extending in the width direction of the substrate G, and a resist solution storage chamber (not shown) communicating with the discharge port 51a, and is connected to the resist solution storage chamber. A resist solution supply source 95 is connected through a resist solution supply tube 57 to be used. The tip of the nozzle 51 is tapered when viewed from its short side, and a lower end surface 51b and an inclined surface 51c are formed in front and rear of the discharge port 51a along the nozzle short direction.

また、吐出口51aの長手方向の両側には、この吐出口51aから吐出されるレジスト液Rの吐出圧を低減する膜厚制御手段80が設けられている。この膜厚制御手段80は、吐出口51aの長手方向の両側に連通する連通路81にそれぞれ接続する吸引管82と、吸引管82に設けられた例えばダイヤフラムポンプのような吸引ポンプ83とで構成されており、吸引ポンプ83の駆動によって吐出口51aの両側の吐出圧が低減されるように構成されている。なお、吸引管82における吸引ポンプ83の吸引側すなわちノズル51側には開閉弁84が介設されている。   Further, on both sides of the discharge port 51a in the longitudinal direction, film thickness control means 80 for reducing the discharge pressure of the resist solution R discharged from the discharge port 51a is provided. The film thickness control means 80 includes a suction pipe 82 connected to the communication passage 81 communicating with both sides in the longitudinal direction of the discharge port 51a, and a suction pump 83 such as a diaphragm pump provided in the suction pipe 82. The discharge pressure on both sides of the discharge port 51a is reduced by driving the suction pump 83. Note that an opening / closing valve 84 is interposed on the suction side of the suction pump 83 in the suction pipe 82, that is, on the nozzle 51 side.

次に、前記構成のレジスト塗布装置(CT)23aによるレジスト液塗布処理時の動作態様について説明する。まず、ノズル51を待機部55のプライミングローラ52に近接させた状態において、搬送アーム64によって搬送された基板Gを載置台50上に吸着保持する。次に、レジスト液供給源95からレジスト液Rをノズル51内のレジスト液収容室に供給すると共に、ノズル移動手段86によってノズル51を待機部55から基板G上に移動する。   Next, an operation mode at the time of resist solution coating processing by the resist coating apparatus (CT) 23a having the above-described configuration will be described. First, the substrate G transported by the transport arm 64 is sucked and held on the mounting table 50 in a state where the nozzle 51 is brought close to the priming roller 52 of the standby unit 55. Next, the resist solution R is supplied from the resist solution supply source 95 to the resist solution storage chamber in the nozzle 51, and the nozzle 51 is moved from the standby unit 55 onto the substrate G by the nozzle moving means 86.

次いで、ノズル51は、吐出口51aからレジスト液Rを吐出しながら、基板G上を移動する。なお、図3においては、その構成を説明するため、吐出口51aと基板G間の距離を拡大して図示しているが、吐出口51aと基板Gとの距離は、40〜150μmの程度に設置され、好ましくは60μmに設定される。
また、この際、吸引ポンプ83を駆動して吐出口51aの長手方向の両側を吸引することにより、吐出口51aの両側におけるレジスト液Rの吐出圧が減少され、吐出口51aの中央部側の吐出圧と両側の吐出圧がほぼ等しくなった状態、すなわちレジスト液Rの液厚が等しくなった状態で基板G上に帯状に吐出(供給)される。したがって、基板Gとノズル51が相対的に水平移動することによって基板Gの表面にレジスト液Rが帯状に供給され、基板Gの表面全体に均一な膜厚のレジスト膜が形成される。
Next, the nozzle 51 moves on the substrate G while discharging the resist solution R from the discharge port 51a. In FIG. 3, the distance between the discharge port 51a and the substrate G is illustrated in an enlarged manner for explaining the configuration, but the distance between the discharge port 51a and the substrate G is about 40 to 150 μm. Installed, preferably set to 60 μm.
At this time, the suction pump 83 is driven to suck both sides of the discharge port 51a in the longitudinal direction, whereby the discharge pressure of the resist solution R on both sides of the discharge port 51a is reduced, and the central side of the discharge port 51a is reduced. The discharge pressure is discharged (supplied) onto the substrate G in a state where the discharge pressure is substantially equal to the discharge pressure on both sides, that is, in the state where the liquid thickness of the resist solution R is equal. Therefore, when the substrate G and the nozzle 51 move relatively horizontally, the resist solution R is supplied in a strip shape to the surface of the substrate G, and a resist film having a uniform film thickness is formed on the entire surface of the substrate G.

このようにして、基板G表面にレジスト膜を形成した後、レジスト液Rの供給が停止されると共に、ノズル51を待機位置に移動し、ノズル51の吐出口51aを待機部55内のプライミングローラ52に近接して、次の塗布処理に備える。また、レジスト膜が形成された基板Gは、搬送アーム64によって載置台50から減圧乾燥ユニット(VD)23bに搬送される。   After the resist film is formed on the surface of the substrate G in this way, the supply of the resist solution R is stopped, the nozzle 51 is moved to the standby position, and the discharge port 51a of the nozzle 51 is moved to the priming roller in the standby unit 55. Close to 52, prepare for the next coating process. Further, the substrate G on which the resist film is formed is transported from the mounting table 50 to the vacuum drying unit (VD) 23b by the transport arm 64.

続いて、レジスト塗布装置(CT)23aにおいて、ノズル51が待機位置にあるときの動作について図4乃至図6に基づき説明する。図4はレジスト塗布装置(CT)23aの待機状態での機能構成を示すブロック図、図5はノズル51先端に付着したレジスト液の均一化処理(プライミング処理)を説明するための工程図、図6は、図5の工程フローである。   Next, the operation when the nozzle 51 is in the standby position in the resist coating apparatus (CT) 23a will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a block diagram showing a functional configuration of the resist coating apparatus (CT) 23a in a standby state, and FIG. 5 is a process diagram for explaining a uniform process (priming process) of the resist solution adhering to the tip of the nozzle 51. 6 is a process flow of FIG.

図4において、基板Gへのレジスト膜形成後においては、全体制御部85によりノズル移動手段86が制御され、塗布操作を終えたノズル51は使用位置bから待機位置aへと移動され、次回の塗布に備える。この待機位置aには、光センサからなる待機位置検出器87が設けられており、ノズル51が待機位置aにある場合には、その旨の待機位置検知信号P1が発生され、全体制御部85に入力される。
すなわち、前記待機位置検知信号P1が入力される間、全体制御部85はノズル51が待機位置aにあると判断し、待機状態でのレジスト塗布装置(CT)23aの動作制御を適切に行うようになされている。
In FIG. 4, after the resist film is formed on the substrate G, the nozzle moving means 86 is controlled by the overall control unit 85, and the nozzle 51 that has finished the coating operation is moved from the use position b to the standby position a. Prepare for application. At this standby position a, a standby position detector 87 composed of an optical sensor is provided. When the nozzle 51 is at the standby position a, a standby position detection signal P1 to that effect is generated, and the overall control unit 85. Is input.
That is, while the standby position detection signal P1 is input, the overall control unit 85 determines that the nozzle 51 is at the standby position a, and appropriately controls the operation of the resist coating apparatus (CT) 23a in the standby state. Has been made.

ノズル51が待機位置aにある場合、ノズル先端はプライミングローラ52の周面に近接して配置される(図6のステップS1)。なお、ノズル先端の吐出口51aとプライミングローラ52との距離は、塗布処理時における吐出口51aと基板Gとの距離と同じに設定される。すなわち、その距離は40〜150μmの程度に設定され、好ましくは60μmに設定される。
そして、全体制御部85からの指示によりレジスト液供給源95の吐出制御手段(例えばエアオペレーションバルブ等)88が開放され、図5(a)に示すようにノズル51の吐出口51aから所定量のレジスト液R(例えば粘度4cps)がプライミングローラ52の周面に対して吐出される(例えば0.1ccのレジスト液Rが0.03〜0.05secで吐出される)。このとき、プライミングローラ52は未だ回転停止状態である(図6のステップS2)。
When the nozzle 51 is in the standby position a, the nozzle tip is disposed close to the peripheral surface of the priming roller 52 (step S1 in FIG. 6). The distance between the discharge port 51a at the nozzle tip and the priming roller 52 is set to be the same as the distance between the discharge port 51a and the substrate G during the coating process. That is, the distance is set to about 40 to 150 μm, preferably 60 μm.
The discharge control means (for example, an air operation valve) 88 of the resist solution supply source 95 is opened by an instruction from the overall control unit 85, and a predetermined amount is discharged from the discharge port 51a of the nozzle 51 as shown in FIG. Resist solution R (for example, viscosity 4 cps) is discharged onto the peripheral surface of priming roller 52 (for example, 0.1 cc of resist solution R is discharged in 0.03 to 0.05 sec). At this time, the priming roller 52 is still in a rotation stopped state (step S2 in FIG. 6).

ここで、吐出口51aから吐出されたレジスト液Rはプライミングローラ52の周面上に滞留するため、ノズル51先端は一時的にレジスト液R中に浸漬した状態となり、傾斜面51cの下部には、例えば10〜20μmの高さ幅で全体に亘りレジスト液Rが十分に付着した状態となる。   Here, since the resist solution R discharged from the discharge port 51a stays on the peripheral surface of the priming roller 52, the tip of the nozzle 51 is temporarily immersed in the resist solution R, and below the inclined surface 51c. For example, the resist solution R is sufficiently adhered over the entire width of 10 to 20 μm.

次いで、ノズル51からのレジスト液吐出開始後、所定時間Tが経過したならば(図6のステップS3)、図5(b)に示すようにローラ回転制御手段92によりプライミングローラ52が一方向に回転を開始し(例えば、ローラ直径90mmで、速度60mm/sec)、吐出口51a周辺に付着するレジスト液Rが均一に整えられる(図6のステップS4)。   Next, after a predetermined time T has elapsed after the start of discharge of the resist solution from the nozzle 51 (step S3 in FIG. 6), the priming roller 52 is moved in one direction by the roller rotation control means 92 as shown in FIG. 5B. The rotation is started (for example, the roller diameter is 90 mm and the speed is 60 mm / sec), and the resist solution R adhering to the periphery of the discharge port 51a is uniformly prepared (step S4 in FIG. 6).

ここで、ノズル51の吐出口51aから吐出されたレジスト液Rは、プライミングローラ52の回転方向に沿って流れるため、ノズル51先端に付着するレジスト液Rも吐出口51aの長手方向を境にプライミングローラ52の回転方向側に多く付着するようになされている。特に、プライミングローラ52の回転開始前にノズル51先端の傾斜面51cの下部は全体に亘りレジスト液Rにより濡れた状態となっているため、プライミングローラ52の回転により流されたレジスト液Rは、プライミングローラ52の周面に巻き取られると同時に、傾斜面51cにも流れ易くなっている。これにより傾斜面51cの下部において、プライミングローラ52の回転方向側には、一様に多くのレジスト液Rが付着することになる。   Here, since the resist solution R discharged from the discharge port 51a of the nozzle 51 flows along the rotation direction of the priming roller 52, the resist solution R adhering to the tip of the nozzle 51 is also primed with respect to the longitudinal direction of the discharge port 51a. A large amount adheres to the rotation direction side of the roller 52. In particular, since the lower part of the inclined surface 51c at the tip of the nozzle 51 is wetted by the resist solution R throughout before the rotation of the priming roller 52, the resist solution R flowed by the rotation of the priming roller 52 is At the same time as being wound around the peripheral surface of the priming roller 52, it is easy to flow on the inclined surface 51c. As a result, a large amount of the resist solution R uniformly adheres to the rotational direction side of the priming roller 52 below the inclined surface 51c.

図5(c)に示すように所定量のレジスト液吐出が終了しているならば(図6のステップS5)、図5(d)に示すようにノズル51は、ノズル移動手段86によりプライミングローラ52から引き離される(図6のステップS6)。なお、図6に示すフローは、吐出口51aからのレジスト液Rの吐出終了のタイミングと、プライミングローラ52の回転開始のタイミングの順序を限定するものではなく、例えばどちらが先であってもよい。   If the discharge of the predetermined amount of resist solution has been completed as shown in FIG. 5C (step S5 in FIG. 6), the nozzle 51 is moved to the priming roller by the nozzle moving means 86 as shown in FIG. 52 (step S6 in FIG. 6). The flow shown in FIG. 6 does not limit the order of the end timing of the discharge of the resist solution R from the discharge port 51a and the timing of the start timing of the rotation of the priming roller 52. For example, either one may be first.

前記したプライミング処理によれば、傾斜面51cの下部において、少なくともプライミングローラ52の回転方向側には、図7に示すように一様にレジスト液Rが付着した状態となっている。この状態のノズル51を用いて基板Gへの塗布処理を行う際には、傾斜面51cの下部において、プライミングローラ52の回転方向側、すなわちレジスト液Rがより多く一様に付着した側をノズル進行方向の反対側(裏側)に配置し、ノズル51の移動が行なわれる。そして、その塗布処理開始時においては、傾斜面51cの下部に付着したレジスト液Rが吐出口51aから吐出されるレジスト液Rをノズル進行方向の逆方向に引っ張ると共に、ノズル進行方向と直交方向(ノズル長手方向)にも引っ張る。しかしながら、その傾斜面51cの下部にはレジスト液Rが一様に付着しているため、図8に示すように基板G上の塗布処理開始位置における膜厚は略均一となり、箒スジ等の発生が抑制される。   According to the priming process described above, the resist solution R is uniformly attached as shown in FIG. 7 at least on the rotational direction side of the priming roller 52 below the inclined surface 51c. When performing the coating process on the substrate G using the nozzle 51 in this state, the nozzle side is disposed on the lower side of the inclined surface 51c in the rotation direction of the priming roller 52, that is, the side where the resist solution R is more uniformly attached. The nozzle 51 is moved on the opposite side (back side) of the traveling direction. At the start of the coating process, the resist solution R adhering to the lower portion of the inclined surface 51c pulls the resist solution R discharged from the discharge port 51a in the direction opposite to the nozzle moving direction, and is orthogonal to the nozzle moving direction ( Pull also in the nozzle longitudinal direction). However, since the resist solution R uniformly adheres to the lower portion of the inclined surface 51c, the film thickness at the coating processing start position on the substrate G becomes substantially uniform as shown in FIG. Is suppressed.

なお、図4に示すように、本構成においては、プライミングローラ52の周面に付着したレジスト液Rを除去し易くするため、プライミングローラ52の下部を溶剤たるシンナー89中に浸漬させている。すなわち、プライミングローラ52の周面に付着したレジスト液をシンナー89中で溶かすようになされている。   As shown in FIG. 4, in this configuration, the lower part of the priming roller 52 is immersed in a thinner 89 that is a solvent in order to easily remove the resist solution R adhering to the peripheral surface of the priming roller 52. That is, the resist solution adhering to the peripheral surface of the priming roller 52 is dissolved in the thinner 89.

また、プライミングローラ52の途中には、ワイパ91が設けられている。このワイパ91は、耐薬品性の樹脂から成り、先端がプライミングローラ52の周面に摺接して周面上の不要な前回の回り込みレジスト液やシンナー89を除去できるようになっている。
なお、ワイパ91の先端形状は、このレジスト液除去機能が発揮できるものであれば良く、この例で用いている楔形の断面の他、矩形断面や二股状の断面形状の任意の形状を採用することができる。
また、このワイパ91は、エアシリンダ90によりプライミングローラ52周面に接触する下位置とプライミングローラ52周面から離れた上位置との間を昇降可能に構成されており、必要に応じて、その位置を変更可能になされている。
A wiper 91 is provided in the middle of the priming roller 52. The wiper 91 is made of a chemical-resistant resin, and the tip of the wiper 91 is in sliding contact with the peripheral surface of the priming roller 52 so that unnecessary previous wraparound resist solution and thinner 89 on the peripheral surface can be removed.
The tip shape of the wiper 91 may be any shape that can exhibit this resist solution removing function, and an arbitrary shape such as a rectangular cross section or a bifurcated cross section is adopted in addition to the wedge-shaped cross section used in this example. be able to.
Further, the wiper 91 is configured to be able to move up and down between a lower position in contact with the peripheral surface of the priming roller 52 by an air cylinder 90 and an upper position away from the peripheral surface of the priming roller 52. The position can be changed.

以上の実施の形態によれば、待機中におけるプライミング処理においては、ノズル51からのレジスト液Rの吐出開始後、所定時間Tを空けてプライミングローラ52を回転開始するように制御がなされる。このようにすることによって、ノズル51先端にレジスト液Rが滞留した状態となり、プライミング処理後においてもノズル51先端における傾斜面51cの下部には全体に亘り十分にレジスト液Rが付着した状態とすることができる。
そして、プライミング処理後に、このノズル51を用いて基板Gに対する塗布処理を行う際には、塗布開始時において傾斜面51cの下部に付着したレジスト液Rが吐出口51aから吐出されるレジスト液Rをノズル進行方向の逆方向に引っ張ると共に、ノズル進行方向と直交方向(ノズル長手方向)にも引っ張る。しかしながら、傾斜面51cの下部には全体に亘り一様にレジスト液Rが付着しているため、塗布開始位置においては膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
According to the above-described embodiment, in the priming process during standby, after the discharge of the resist solution R from the nozzle 51 is started, the priming roller 52 is controlled to start rotating after a predetermined time T. By doing so, the resist solution R stays at the tip of the nozzle 51, and the resist solution R is sufficiently adhered to the lower part of the inclined surface 51c at the tip of the nozzle 51 even after the priming process. be able to.
Then, when performing the coating process on the substrate G using the nozzle 51 after the priming process, the resist liquid R adhered to the lower portion of the inclined surface 51c at the start of coating is used as the resist liquid R discharged from the discharge port 51a. In addition to pulling in the direction opposite to the nozzle traveling direction, it is also pulled in the direction orthogonal to the nozzle traveling direction (the nozzle longitudinal direction). However, since the resist solution R uniformly adheres to the lower portion of the inclined surface 51c, the film thickness can be made uniform at the coating start position, and generation of wrinkles and the like can be suppressed. it can.

また、本実施の形態によれば、ノズル51先端においては、吐出口51aの長手方向を境にプライミングローラ52の回転方向側に多く付着するようになされる。そして、基板Gへのレジスト膜形成処理においては、吐出口51aの長手方向を境にレジスト液が少なく付着している側が進行方向となるように制御される。すなわち、ノズル51先端の傾斜面51cの下部において、少なくともプライミングローラ52の回転方向側には、レジスト液Rが一様に付着しているため、塗布開始位置において、より確実に膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。   Further, according to the present embodiment, the tip of the nozzle 51 is attached to the rotation direction side of the priming roller 52 with the longitudinal direction of the discharge port 51a as a boundary. Then, in the resist film forming process on the substrate G, control is performed so that the side on which the resist solution is less adhering to the longitudinal direction of the discharge port 51a is the traveling direction. That is, since the resist solution R uniformly adheres at least on the rotational direction side of the priming roller 52 at the lower part of the inclined surface 51c at the tip of the nozzle 51, the film thickness can be more uniformly made uniform at the application start position. And the occurrence of wrinkle streaks can be suppressed.

なお、前記した実施の形態においては、LCD基板にレジスト膜を塗布形成する場合を例としたが、これに限らず処理液を被処理基板上に供給する任意の塗布膜形成装置に適用可能である。本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、例えば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の液体も可能である。また、本発明における被処理基板は、LCD基板に限らず、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。   In the above-described embodiment, the resist film is applied and formed on the LCD substrate. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to any coating film forming apparatus that supplies the processing liquid onto the substrate to be processed. is there. In addition to the resist solution, the processing solution in the present invention may be a liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, or a wiring material. Further, the substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, but may be a semiconductor wafer, a CD substrate, a glass substrate, a photomask, a printed substrate, or the like.

続いて、本発明に係る塗布膜形成装置について、実施例に基づき、さらに説明する。
[比較例]
待機時におけるノズル先端に付着したレジスト液の均一化処理(プライミング処理)において、ノズルからのレジスト液吐出開始のタイミングとプライミングローラの回転開始のタイミングを同時(従来タイミングと呼ぶ)として実験を行った。この実験では、先ず、前記従来タイミングによりノズル先端に付着したレジスト液の均一化処理を行った後、基板面へのレジスト膜形成処理を行った。そして、膜形成状態を観察すると共に、塗布開始位置における膜厚の測定を行った。なお、実験条件を以下の表1に示す。






Next, the coating film forming apparatus according to the present invention will be further described based on examples.
[Comparative example]
In the process of homogenizing the resist solution adhering to the tip of the nozzle during standby (priming process), an experiment was performed in which the timing of starting the discharge of the resist solution from the nozzle and the timing of starting the rotation of the priming roller were simultaneous (referred to as conventional timing). . In this experiment, first, the resist solution adhering to the nozzle tip was homogenized at the conventional timing, and then the resist film was formed on the substrate surface. And while observing a film formation state, the film thickness in the application | coating start position was measured. The experimental conditions are shown in Table 1 below.






Figure 0004130971
Figure 0004130971

この実験による膜厚測定結果を図9(a)の表および図10のグラフに示す。尚、これらの結果は、図9(b)に示す基板上の異なるポジション(Back、1/2Back、Center、1/2Front、Front)の夫々において、ノズル進行方向に沿って基板端部(0mm)から100mmまでの間(塗布開始位置)における膜厚を測定した結果である。
図10のグラフに示すように、測定位置が30mm以上であれば基板上の各ポジション間で膜厚は略均一に安定しているが、測定位置が0〜30mmの間では、基板上のポジション間で膜厚にばらつきが見られた。また、膜形成状態を観察した結果、塗布開始位置において、箒状のスジや粒状の跡が見られた。
The results of film thickness measurement by this experiment are shown in the table of FIG. 9A and the graph of FIG. These results are shown in FIG. 9B. The substrate end (0 mm) along the nozzle traveling direction at each of the different positions (Back, 1 / 2Back, Center, 1 / 2Front, Front) shown in FIG. It is the result of having measured the film thickness in a period from 100 to 100 mm (application start position).
As shown in the graph of FIG. 10, when the measurement position is 30 mm or more, the film thickness is substantially uniform between the positions on the substrate, but when the measurement position is between 0 and 30 mm, the position on the substrate is stable. There was a variation in film thickness between the two. Further, as a result of observing the film formation state, wrinkled streaks and granular marks were observed at the application start position.

[実施例]
前記実施の形態に示した構成のレジスト塗布装置を用いて実験を行った。この実験では、先ず、ノズル先端のレジスト液均一化処理を行った後、基板面へのレジスト膜形成処理を行った。そして、膜形成状態を観察すると共に、塗布開始位置における膜厚の測定を行った。なお、実験条件を以下の表2に示す。
[Example]
Experiments were performed using the resist coating apparatus having the configuration shown in the above embodiment. In this experiment, first, a resist solution homogenization process at the nozzle tip was performed, followed by a resist film formation process on the substrate surface. And while observing a film formation state, the film thickness in the application | coating start position was measured. The experimental conditions are shown in Table 2 below.

Figure 0004130971
Figure 0004130971

この実験による膜厚測定結果を図11(a)の表および図12のグラフに示す。尚、これらの結果は、図11(b)に示す基板上の異なるポジション(Back、1/2Back、Center、1/2Front、Front)の夫々において、ノズル進行方向に沿って基板端部(0mm)から100mmまでの間(塗布開始位置)における膜厚を測定した結果である。
図12のグラフに示すように、本実験では、すべての測定位置において、基板上の各ポジション間での膜厚が略均一に安定していることを確認した。また、膜形成状態を観察した結果、塗布開始位置において、箒状のスジや粒状の跡は見られなかった。
The film thickness measurement results by this experiment are shown in the table of FIG. 11A and the graph of FIG. In addition, these results are shown in FIG. 11 (b) at different positions (Back, 1 / 2Back, Center, 1 / 2Front, Front) on the substrate along the nozzle traveling direction (0 mm). It is the result of having measured the film thickness in a period from 100 to 100 mm (application start position).
As shown in the graph of FIG. 12, in this experiment, it was confirmed that the film thickness between each position on the substrate was stabilized substantially uniformly at all measurement positions. Further, as a result of observing the film formation state, no wrinkle-like streaks or granular marks were observed at the application start position.

以上の実施例の結果から、本発明に係る塗布膜形成装置および塗布膜形成方法にあっては、処理液を基板に塗布し膜形成を行う際に、ノズル先端部における処理液の着液不足を防ぐことができ、基板に処理液を均一に塗布することができることを確認した。   From the results of the above examples, in the coating film forming apparatus and the coating film forming method according to the present invention, when the processing liquid is applied to the substrate and the film is formed, the liquid deposition of the processing liquid at the nozzle tip is insufficient. It was confirmed that the treatment liquid can be uniformly applied to the substrate.

本発明は、LCD基板や半導体ウエハ等に処理液を成膜する塗布膜形成装置に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。   The present invention can be applied to a coating film forming apparatus for forming a processing liquid on an LCD substrate, a semiconductor wafer or the like, and can be suitably used in the semiconductor manufacturing industry, the electronic device manufacturing industry, and the like.

図1は、本発明に係る塗布膜形成装置(レジスト塗布装置)を備えるレジスト塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a resist coating and developing apparatus provided with a coating film forming apparatus (resist coating apparatus) according to the present invention. 図2は、図1のレジスト塗布現像処理装置が備えるレジスト塗布処理ユニットの平面図である。FIG. 2 is a plan view of a resist coating unit provided in the resist coating and developing apparatus of FIG. 図3は、図2のレジスト塗布処理ユニットを構成するレジスト塗布装置の外観を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an appearance of a resist coating apparatus constituting the resist coating processing unit of FIG. 図4は、図3のレジスト塗布装置の待機状態での機能構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a functional configuration of the resist coating apparatus of FIG. 3 in a standby state. 図5は、レジスト塗布装置が備えるレジスト供給ノズルの吐出口付近のレジスト液均一化処理を説明するための工程図である。FIG. 5 is a process diagram for explaining a resist solution equalization process in the vicinity of a discharge port of a resist supply nozzle provided in the resist coating apparatus. 図6は、図5の工程フローである。FIG. 6 is a process flow of FIG. 図7は、図5の工程により均一化処理されたノズル先端の状態を説明するためのノズル先端拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of the nozzle tip for explaining the state of the nozzle tip that has been homogenized by the process of FIG. 図8は、図5の工程により均一化処理されたレジスト供給ノズルを用いて塗布処理を行った基板の状態を説明するための平面図である。FIG. 8 is a plan view for explaining the state of the substrate subjected to the coating process using the resist supply nozzle that has been subjected to the uniform process in the process of FIG. 図9は、比較例として従来のレジスト塗布装置を用いてレジスト液の塗布処理を行い、塗布開始時における膜厚を測定した結果を示す表である。FIG. 9 is a table showing the result of measuring the film thickness at the start of coating by applying a resist solution using a conventional resist coating apparatus as a comparative example. 図10は、図9をグラフ化したものである。FIG. 10 is a graph of FIG. 図11は、図3および図4に示す構成のレジスト塗布装置を用いてレジスト液の塗布処理を行い、塗布開始時における膜厚を測定した結果を示す表である。FIG. 11 is a table showing the result of measuring the film thickness at the start of coating by applying a resist solution using the resist coating apparatus having the configuration shown in FIGS. 3 and 4. 図12は、図11をグラフ化したものである。FIG. 12 is a graph of FIG. 図13は、従来のレジスト供給ノズルの吐出口付近のレジスト液均一化処理を説明するための図である。FIG. 13 is a diagram for explaining a resist solution equalizing process in the vicinity of a discharge port of a conventional resist supply nozzle. 図14は、図13に示すノズルの先端部の拡大断面図である。FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view of the tip of the nozzle shown in FIG. 図15は、従来の均一化処理によるノズル先端の状態を説明するためのノズル先端拡大図である。FIG. 15 is an enlarged view of the nozzle tip for explaining the state of the nozzle tip by the conventional homogenization process. 図16は、基板に対して塗布処理を行う状態を説明するためのノズル先端の拡大断面図である。FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view of the nozzle tip for explaining a state in which the coating process is performed on the substrate. 図17は、従来のレジスト塗布装置において発生していたレジスト液の塗布開始時における箒スジを示す平面図である。FIG. 17 is a plan view showing wrinkle lines at the start of application of a resist solution that has occurred in a conventional resist coating apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

23 レジスト塗布処理ユニット
23a レジスト塗布装置(塗布膜形成装置)
51 レジスト供給ノズル(処理液供給ノズル)
51a 吐出口
51b 下端面
51c 傾斜面
52 プライミングローラ(ローラ)
86 ノズル移動手段
88 吐出制御手段
92 ローラ回転制御手段
100 レジスト塗布現像処理装置
G LCD基板(被処理基板)
R レジスト液(処理液)
23 resist coating processing unit 23a resist coating apparatus (coating film forming apparatus)
51 Resist supply nozzle (Processing liquid supply nozzle)
51a Discharge port 51b Lower end surface 51c Inclined surface 52 Priming roller (roller)
86 Nozzle moving means 88 Discharge control means 92 Roller rotation control means 100 Resist coating and developing processing apparatus G LCD substrate (substrate to be processed)
R resist solution (treatment solution)

Claims (4)

被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルからの処理液吐出を制御する吐出制御手段と、前記処理液供給ノズルの待機位置に設置され回転自在に形成されたローラと、前記ローラの回転を制御するローラ回転制御手段と、前記被処理基板に対して前記処理液供給ノズルを移動させるノズル移動手段とを備え、
前記吐出口から処理液を前記ローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成装置であって、
前記待機位置において、前記吐出制御手段が処理液供給ノズルから所定量の処理液を吐出させた後に、前記ローラ回転制御手段は、所定時間を空けて、前記処理液供給ノズルの吐出口に付着する処理液が前記吐出口の長手方向を境に一方の側に多く付着するよう前記ローラを一方向に回転させ、
前記処理液供給ノズルの使用位置において、前記ノズル移動手段は、前記吐出口の長手方向を境に処理液の付着が少ない側を進行方向として処理液供給ノズルを移動させることを特徴とする塗布膜形成装置。
A processing liquid supply nozzle having a slit-like discharge port extending in the width direction of the substrate to be processed, discharge control means for controlling discharge of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle, and a standby position of the processing liquid supply nozzle A roller formed to be rotatable, roller rotation control means for controlling the rotation of the roller, and nozzle moving means for moving the processing liquid supply nozzle relative to the substrate to be processed,
A coating film forming apparatus that discharges a processing liquid from the discharge port onto the peripheral surface of the roller and uniformizes the processing liquid adhering to the discharge port by rotating the roller,
At the standby position, after the discharge control means discharges a predetermined amount of processing liquid from the processing liquid supply nozzle, the roller rotation control means attaches to the discharge port of the processing liquid supply nozzle after a predetermined time. Rotate the roller in one direction so that the treatment liquid adheres more on one side with respect to the longitudinal direction of the discharge port,
In the use position of the processing liquid supply nozzle, the nozzle moving means moves the processing liquid supply nozzle from the longitudinal direction of the discharge port as a traveling direction on the side where the processing liquid is less attached. Forming equipment.
被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルからの処理液吐出を制御する吐出制御手段と、前記処理液供給ノズルの待機位置に設置され回転自在に形成されたローラと、前記ローラの回転を制御するローラ回転制御手段とを備え、
前記吐出口から処理液を前記ローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成装置であって、
前記待機位置において、前記吐出制御手段が処理液供給ノズルから所定量の処理液を吐出させて処理液の吐出を終了した後、前記所定量の処理液の吐出から所定時間を空けて前記ローラ回転制御手段が前記ローラを回転開始させることを特徴とする塗布膜形成装置。
A processing liquid supply nozzle having a slit-like discharge port extending in the width direction of the substrate to be processed, discharge control means for controlling discharge of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle, and a standby position of the processing liquid supply nozzle A roller formed rotatably, and a roller rotation control means for controlling the rotation of the roller,
A coating film forming apparatus that discharges a processing liquid from the discharge port onto the peripheral surface of the roller and uniformizes the processing liquid adhering to the discharge port by rotating the roller,
At the standby position, after the discharge control means discharges a predetermined amount of processing liquid from the processing liquid supply nozzle and finishes discharging the processing liquid, the roller rotates after a predetermined time from the discharge of the predetermined amount of processing liquid. A coating film forming apparatus, wherein the control means starts rotating the roller .
被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルから、所定量の処理液を回転自在に形成されたローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成方法であって、
前記処理液供給ノズルの待機位置において、前記処理液供給ノズルから処理液を吐出開始させた後に所定時間を空けて前記ローラを回転開始させる工程と、
前記処理液供給ノズルを待機位置から被処理基板上に移動し、前記処理液供給ノズルから吐出される処理液により前記被処理基板を成膜する工程とを含み、
前記ローラを回転開始させる工程において、前記ローラを一方向に回転させることにより、処理液を前記吐出口の長手方向を境に一方の側に多く付着させ、
前記被処理基板を成膜する工程において、前記吐出口の長手方向を境に処理液の付着が少ない側を処理液供給ノズルの進行方向とすることを特徴とする塗布膜形成方法。
A processing liquid that discharges a predetermined amount of processing liquid from a processing liquid supply nozzle having a slit-like discharge port extending in the width direction of the substrate to be processed to a circumferential surface of a roller formed to be rotatable, and adheres to the discharge port Is a coating film forming method for performing a homogenization process by rotating the roller,
Starting the rotation of the roller after a predetermined time after starting the discharge of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle at the standby position of the processing liquid supply nozzle;
Moving the processing liquid supply nozzle from the standby position onto the substrate to be processed, and forming the substrate to be processed with the processing liquid discharged from the processing liquid supply nozzle,
In the step of starting the rotation of the roller, by rotating the roller in one direction, a large amount of processing liquid is adhered to one side with respect to the longitudinal direction of the discharge port,
In the step of forming a film on the substrate to be processed, a method of forming a coating film, wherein the side where the processing liquid is less adhered with respect to the longitudinal direction of the discharge port is the traveling direction of the processing liquid supply nozzle.
被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルから、所定量の処理液を回転自在に形成されたローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成方法であって、A processing liquid that discharges a predetermined amount of processing liquid from a processing liquid supply nozzle having a slit-like discharge port extending in the width direction of the substrate to be processed to a circumferential surface of a roller formed to be rotatable, and adheres to the discharge port Is a coating film forming method for performing a homogenization process by rotating the roller,
前記処理液供給ノズルの待機位置において、前記処理液供給ノズルから処理液を吐出開始させた後に所定時間を空け、且つ前記処理液の吐出終了後に前記ローラを回転開始させる工程と、At a standby position of the processing liquid supply nozzle, after a predetermined time has elapsed after starting the discharge of the processing liquid from the processing liquid supply nozzle, and after the discharge of the processing liquid has ended, starting the rotation of the roller;
前記処理液供給ノズルを待機位置から被処理基板上に移動し、前記処理液供給ノズルから吐出される処理液により前記被処理基板を成膜する工程とを含むことを特徴とする塗布膜形成方法。Moving the processing liquid supply nozzle onto the substrate to be processed from a standby position, and forming the substrate to be processed with the processing liquid discharged from the processing liquid supply nozzle. .
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