JP4142064B2 - 液晶装置、電気光学装置、プロジェクタ、及びマイクロデバイス - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置、電気光学装置、プロジェクタ、及びマイクロデバイスに関する。

液晶プロジェクタ等の投射型表示装置の光変調手段として用いられる液晶装置は、一対の基板間の周縁部にシール材が配設され、その中央部に液晶層が封止されて構成されている。その一対の基板の内側には液晶層に電圧を印加する電極が形成され、その電極の内側には非選択電圧印加時において液晶分子の配向を制御する配向膜が形成されている。そして、非選択電圧印加時と選択電圧印加時との液晶分子の配向変化に基づいて光源からの光が変調され、画像光が作製される構成となっている。

また、上記シール材の周囲を覆うようにして、例えばエポキシからなる接着層（モールド材）を設け、該接着層によって一対の基板間の接合性を高めるとともに、機械的強度を向上させた液晶装置がある（例えば、特許文献１参照）。
ところで、一般的に、液晶装置内部に水分が混入すると表示特性が低下し、液晶装置としての信頼性を低下させてしまうことから、基板間を接合する上記のシール材及び接着層には高い防水性防湿性が望まれている。
特開２００１−２２１９９８号公報

しかしながら、上記接着層（モールド材）は、上述したように液晶装置の機械的強度を向上させるためのものであるため、基板外部から水分の浸入を良好に防止できる程度の防湿性は備えていない。そのため、基板間に混入した水分が、例えばシール材と基板との界面から液晶層に混入し、表示特性を低下させることで液晶装置の信頼性を損なうおそれがあった。

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、防湿性を向上することで安定した表示特性を有した液晶装置、及び前記液晶装置を光変調手段として備えたプロジェクタを提供することにある。また、防湿性を向上することで高い信頼性の電気光学装置、及びマイクロデバイスを提供することにある。

本発明の液晶装置は、互いが対向して配置される一対の基板と、該基板間にてシール材によって封止される液晶層と、前記シール材の外周側を覆い前記一対の基板に設けられるモールド材とを備え、前記一対の基板の少なくとも一方の基板における前記モールド材が配置される領域の全域に亘り第１の凹凸部が形成され、該第１の凹凸部上に前記モールド材が設けられてなることを特徴とする。

本発明の液晶装置によれば、基板に形成された第１の凹凸部にモールド材が設けられているので、基板表面が平坦な面となっている場合と比べて、モールド材と基板との界面距離が、前記第１の凹凸部の表面形状に沿った部分だけ伸びる。よって、例えば外部から基板間に水分が浸入した場合に、モールド材と基板間との界面距離が長くなっているので、液晶層に水分を到達させる可能性を低減することができ、したがって液晶装置の防湿性を向上できる。このような構成の液晶装置によれば、液晶層への水分の混入による表示特性の低下を軽減することができ、安定した表示特性を有した信頼性の高いものとなる。

また、前記液晶装置においては、前記一対の基板の少なくとも一方の基板には第２の凹凸部が形成され、該第２の凹凸部上に前記シール材が設けられていることが好ましい。
このようにすれば、第２の凹凸部によってシール材と基板との界面距離が伸びることとなり、例えば外部から基板間に水分が浸入した場合に、前記シール材と基板との界面を伝って液晶層に水分が到達する可能性を低減し、液晶装置の防湿性をより向上できる。

本発明の液晶装置は、互いが対向して配置される一対の基板と、該基板間にてシール材によって封止される液晶層と、前記シール材の外周側を覆い前記基板間に設けられるモールド材とを備え、前記モールド材が配置される前記基板間の間隙は、前記液晶層が配設される前記基板間の間隙よりも狭くなっていることを特徴とする。

本発明の液晶装置によれば、モールド材が配置される基板間の間隙が、液晶層が配設される基板間の間隙よりも狭くなっているので、前記間隙の体積が減少することで、この間隙中に介在しているモールド材の量が少なくなる。ここで、例えば外部から基板間に水分が浸入した場合に、基板間の間隙に介在するモールド材の量が少ないため、前記間隙におけるモールド材自体を透過する水分の量は制限される。よって、液晶層内に水分が混在する可能性を低減でき、液晶装置の防湿性を向上できる。このような構成の液晶装置によれば、液晶層への水分の混入による表示特性の低下を軽減することができ、安定した表示特性を有した信頼性の高いものとなる。

また、前記液晶装置においては、前記モールド材が配置される前記基板間の間隙をなす各基板面は、前記液晶層が配設される前記基板間の間隙をなす各基板面に対し傾斜していることが好ましい。
このように、前記間隙をなす各基板面が液晶層を配置している基板面に対し傾斜した状態とすることで、前記基板面が傾斜しない場合と比べて、前記基板を平面視した際の間隙の見掛け状の大きさを変化させること無く、間隙をなす基板の表面積を拡げることができる。よって、基板の外部に延びる間隙を大きくすることで、外部から浸入する水分の経路を長くして、液晶装置の防湿性をより向上できる。

本発明の電気光学装置は、互いが対向して配置される一対の基板と、該一対の基板間に設けられた電気光学層と、前記電気光学層を囲むように前記一対の基板に設けられたモールド材とを備え、前記一対の基板の少なくとも一方の基板における、前記モールド材が配置される領域の全域に亘って凹凸部が形成され、該凹凸部上に前記モールド材が配置されてなることを特徴とする。

本発明の電気光学装置によれば、基板に形成された凹凸部にモールド材が設けられているので、基板表面が平坦な面となっている場合と比べて、モールド材と基板との界面距離が、前記凹凸部の表面形状に沿った部分だけ伸びる。よって、例えば外部から基板間に水分が浸入した場合に、モールド材と基板間との界面距離が長くなっているので、電気光学層に水分を到達させる可能性を低減することができ、したがって電気光学装置の防湿性を向上できる。このように電気光学層への水分の混入による表示特性の低下を軽減することで、安定した表示特性を有した信頼性の高いものとなる。

本発明のプロジェクタは、光源と、該光源の光を変調する光変調手段と、該光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを備えたプロジェクタにおいて、前記光変調手段は、互いが対向して配置される一対の基板と、該基板間にてシール材によって封止される液晶層と、前記シール材の外周側を覆い前記一対の基板に設けられるモールド材とを具備し、前記一対の基板の少なくとも一方の基板における、前記モールド材が配置される領域の全域に亘り第１の凹凸部が形成され、該第１の凹凸部上に前記モールド材が設けられてなる液晶装置であることを特徴とする。

本発明のプロジェクタによれば、凹凸部上にモールド材が配置され、液晶層への水分の混入による表示特性の低下が軽減された液晶装置を光変調手段として備えているので、信頼性の高い表示特性を有したものとなる。

本発明のマイクロデバイスは、互いが対向して配置される一対の基板と、該一対の基板間に設けられたデバイス部と、該デバイス部を囲むように前記一対の基板に設けられたモールド材とを備え、前記一対の基板の少なくとも一方の基板における、前記モールド材が配置される領域の全域に亘って凹凸部が形成され、該凹凸部上に前記モールド材が配置されてなることを特徴とする。

本発明のマイクロデバイスによれば、基板に形成された凹凸部にモールド材が設けられているので、基板表面が平坦な面となっている場合と比べて、モールド材と基板との界面距離が、前記凹凸部の表面形状に沿った部分だけ伸びる。よって、例えば外部から基板間に水分が浸入した場合に、モールド材と基板間との界面距離が長くなっているので、デバイス部に水分を到達させる可能性を低減し、マイクロデバイスの防湿性が向上し、信頼性の高いものとなる。

（第１実施形態）
最初に、本発明の第１実施形態に係る液晶装置につき、図１〜図７を用いて説明する。なお本実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴという）素子を用いたアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置を例にして説明する。

（液晶装置）
図１（ａ）は、本発明の一実施の形態であるアクティブマトリクス方式の液晶装置の平面構成図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ線矢視の側断面構成図であり、図１（ａ），（ｂ）中符号６０は液晶装置である。
図１（ａ），（ｂ）に示すように、液晶装置６０は互いが対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とから構成される一対の基板間に液晶層５０が挟持され、該液晶層５０は前記ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の周縁部内面側に沿って設けられた平面視略額縁状のシール材１４によって封止されている。

ここで、対向基板２０としては、ＴＦＴアレイ基板１０よりもやや小さく、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられたシール材１４とほぼ同じ輪郭の基板が用いられており、前記シール材１４によってＴＦＴアレイ基板１０と固着されたものとなっている。そして、前記シール材１４より内側には額縁としての図示されない遮光膜がシール材１４の内側に沿って設けられていて、この遮光膜に囲まれた領域が本液晶装置６０の画像作製領域となっている。

また、図１（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、複数の接続端子１９が形成されており、この接続端子１９に接続された図示しない金属配線が上記表示領域における後述する画素電極に接続されたものとなっている。また、対向基板２０のシール材１４の外側の領域には、上記画素電極を駆動制御するための駆動回路を設けてもよく、この場合にはこの駆動回路と上記画素電極とが電気的に接続され、接続端子１９と駆動回路とが接続されたものとなる。

また、前記シール材１４の外周側を覆ってアクリルやエポキシ樹脂等からなるモールド材３０が形成されている。このモールド材３０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを接着するためのものである。このモールド材３０によって、液晶装置６０はその機械的強度を向上が図られたものとなっている。
図１（ｂ）に示すように、モールド材３０は、側断面視においては、前記ＴＦＴアレイ基板１０の上面１０ａと、シール材１４の外周面、及び対向基板２０の側端面２５ａの一部を外側から覆うように形成されており、これによって基板１０，２０内に設けられたものとなっている。なお、前記ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の内面側（対向面側）にはそれぞれ図示されない無機配向膜が形成されていて、詳細については後述するが図６に示すように、前記対向基板２０の側端面２５ａに断面視略鋸歯状の凹凸部４０が形成されており、また前記対向基板２０に対向するＴＦＴアレイ基板面の一部に断面視略鋸歯状の凹凸部４１が形成されている。そして、前記凹凸部４０，４１上に前記モールド材３０を設けることにより、モールド材と各基板１０，２０との界面距離を長く取った構造となっている。

（等価回路）
図２は、液晶装置の等価回路を示す図である。透過型の液晶装置６０の画像作製領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数のドットには、それぞれ画素電極９が形成されている。また、その画素電極９の側方には、当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子２７が形成されている。このＴＦＴ素子２７のソースにはデータ線６ａが接続されている。各データ線６ａには、上述したデータ線駆動素子から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。

また、ＴＦＴ素子２７のゲートには走査線３ａが接続されている。走査線３ａには、上述した走査線駆動素子から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。一方、ＴＦＴ素子２７のドレインには画素電極９が接続されている。そして、走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子２７を一定期間だけオンにすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極９を介して各ドットの液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。

液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極９と容量線３ｂとの間に蓄積容量１７が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光源光が変調されて、画像光が作製されるようになっている。

（平面構造）
図３は、液晶装置の平面構造の説明図である。本実施形態の液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０上に、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide、以下ＩＴＯという）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（破線９ａによりその輪郭を示す）が、マトリクス状に配列形成されている。また、画素電極９の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施形態では、各画素電極９の形成された矩形領域がドットであり、マトリクス状に配置されたドットごとに表示を行うことが可能な構造になっている。

ＴＦＴ素子２７は、ポリシリコン膜等からなる半導体層１ａを中心として形成されている。半導体層１ａのソース領域（後述）には、コンタクトホール５を介して、データ線６ａが接続されている。また、半導体層１ａのドレイン領域（後述）には、コンタクトホール８を介して、画素電極９が接続されている。一方、半導体層１ａにおける走査線３ａとの対向部分には、チャネル領域１ａ’が形成されている。

（断面構造）
図４は、液晶装置６０の断面構造の説明図であり、図３のＡ−Ａ’線矢視の側断面に対応するものである。図４に示すように、本実施形態の液晶装置６０は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された対向基板２０と、これらの間に挟持された液晶層５０とを主体として構成されている。ここで、前記ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａ、およびその内側に形成されたＴＦＴ素子２７や画素電極９、無機配向膜１６などを主体として構成されている。
一方の対向基板２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａ、およびその内側に形成された共通電極２１や無機配向膜２２などを主体として構成されている。

ＴＦＴアレイ基板１０の表面には、後述する第１遮光膜１１ａおよび第１層間絶縁膜１２が形成されている。そして、第１層間絶縁膜１２の表面に半導体層１ａが形成され、この半導体層１ａを中心としてＴＦＴ素子２７が形成されている。半導体層１ａにおける走査線３ａとの対向部分にはチャネル領域１ａ’が形成され、その両側にソース領域およびドレイン領域が形成されている。このＴＦＴ素子２７はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用しているため、ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域（ＬＤＤ領域）とが形成されている。すなわち、ソース領域には低濃度ソース領域１ｂと高濃度ソース領域１ｄとが形成され、ドレイン領域には低濃度ドレイン領域１ｃと高濃度ドレイン領域１ｅとが形成されている。

半導体層１ａの表面には、ゲート絶縁膜２が形成されている。そして、ゲート絶縁膜２の表面に走査線３ａが形成されて、チャネル領域１ａ’との対向部分がゲート電極を構成している。また、ゲート絶縁膜２および走査線３ａの表面には、第２層間絶縁膜４が形成されている。そして、第２層間絶縁膜４の表面にデータ線６ａが形成され、第２層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５を介して、そのデータ線６ａが高濃度ソース領域１ｄに接続されている。さらに、第２層間絶縁膜４およびデータ線６ａの表面には、第３層間絶縁膜７が形成されている。そして、第３層間絶縁膜７の表面に画素電極９が形成され、第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール８を介して、その画素電極９が高濃度ドレイン領域１ｅに接続されている。さらに、画素電極９を覆うように無機配向膜１６が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向を規制しうるようになっている。

なお、本実施形態では、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆが形成されている。また、ゲート絶縁膜２を延設して誘電体膜が形成され、その表面に容量線３ｂが配置されて第２蓄積容量電極が形成されている。これらにより、上述した蓄積容量１７が構成されている。
また、ＴＦＴ素子２７の形成領域に対応する基板本体１０Ａの表面に、第１遮光膜１１ａが形成されている。第１遮光膜１１ａは、液晶装置に入射した光が、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止するものである。

一方、対向基板２０における基板本体２０Ａの表面には、第２遮光膜２３が形成されている。第２遮光膜２３は、液晶装置に入射した光が半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ等に侵入するのを防止するものであり、平面視において半導体層１ａと重なる領域に設けられている。また対向基板２０の表面には、ほぼ全面にわたってＩＴＯ等の導電体からなる共通電極２１が形成されている。さらに、共通電極２１の表面には無機配向膜２２が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向を規制しうるようになっている。

そして、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、ネマチック液晶等からなる液晶層５０が挟持されている。このネマチック液晶分子は、正の誘電率異方性を有するものであり、非選択電圧印加時には基板に沿って水平配向し、選択電圧印加時には電界方向に沿って垂直配向する。またネマチック液晶分子は、正の屈折率異方性を有するものであり、その複屈折と液晶層厚との積（リタデーション）Δｎｄは、例えば約０．４０μｍ（６０℃）となっている。なお、ＴＦＴアレイ基板１０の無機配向膜１６による配向規制方向と、対向基板２０の無機配向膜２２による配向規制方向とは、約９０°ねじれた状態に設定されている。これにより、本実施形態の液晶装置６０は、ツイステッドネマチックモードで動作するようになっている。

また両基板１０，２０の外側には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素をドープした材料等からなる偏光板１８，２８が配置されている。なお各偏光板１８，２８は、サファイヤガラスや水晶等の高熱伝導率材料からなる支持基板上に装着して、液晶装置６０から離間配置することが望ましい。各偏光板１８，２８は、その吸収軸方向の直線偏光を吸収し、透過軸方向の直線偏光を透過する機能を有する。ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板１８は、その透過軸が無機配向膜１６の配向規制方向と略一致するように配置され、対向基板２０側の偏光板２８は、その透過軸が無機配向膜２２の配向規制方向と略一致するように配置されている。

液晶装置６０は、対向基板２０を光源側に向けて配置している。その光源光のうち偏光板２８の透過軸と一致する直線偏光のみが偏光板２８を透過して液晶装置６０に入射されるようになっている。非選択電圧印加時の液晶装置６０では、基板に対して水平配向した液晶分子が液晶層５０の厚さ方向に約９０°ねじれたらせん状に積層配置されている。そのため、液晶装置６０に入射した直線偏光は、約９０°旋光されて液晶装置６０から出射する。この直線偏光は、偏光板１８の透過軸と一致するため、偏光板１８を透過する。したがって、非選択電圧印加時の液晶装置６０では白表示が行われるようになっている（ノーマリーホワイトモード）。

また、選択電圧印加時の液晶装置６０では、液晶分子が基板に対して垂直配向している。そのため、液晶装置６０に入射した直線偏光は、旋光されることなく液晶装置６０から出射する。この直線偏光は、偏光板１８の透過軸と直交するため、偏光板１８を透過しない。したがって、選択電圧印加時の液晶装置６０では黒表示が行われるようになっている。

（無機配向膜）
上述したように、両基板１０，２０の内側には無機配向膜１６，２２が形成されている。以下、対向基板２０側に設けられた無機配向膜２２を例として説明するが、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられている無機配向膜１６についても同様の構成からなるものである。

無機配向膜１６，２２は、ＳｉＯ_２やＳｉＯ等のシリコン酸化物、またはＡｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＭｇＯやＩＴＯ等の金属酸化物等により、厚さ０．０２〜０．３μｍ（好ましくは、０．０２〜０．０８μｍ）程度に形成されている。無機配向膜１６，２２を製造するには、例えばイオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法等のスパッタ法、蒸着法、ゾルゲル法、自己組織化法などを利用することが可能である。

ここで、例えばイオンビームスパッタ装置を用いて前記無機配向膜１６，２２を形成する場合、イオン源から照射されたイオンビームによってターゲットから無機配向膜の形成材料となるスパッタ粒子を放射して基板上に堆積することにより、該基板上に無機配向膜を形成することができる。

図５は、無機配向膜２２が形成された対向基板２０の側面断面図である。上述したようにイオンビームスパッタ装置を用いることにより、対向基板２０を構成する基板本体２０Ａに対して略一定の入射角度でスパッタ粒子を連続入射させる。すると、スパッタ粒子が斜め柱状に堆積し、無機材料からなる柱状構造体２２ａが基板本体２０Ａ上に形成されることとなる。
この柱状構造体２２ａが基板本体２０Ａの表面に無数に形成されることにより、無機配向膜２２が構成される。なお、イオンビームスパッタ装置におけるターゲットと前記基板本体２０Ａとの角度を調整することにより、基板本体２０Ａに対しスパッタ粒子を所定の入射角度で入射して、図５に示したように柱状構造体２２ａに所定の傾斜角度を付与することができる。

そして液晶装置６０では柱状構造体２２ａに沿って液晶分子が配向するので、この無機配向膜２２により非選択電圧印加時の液晶分子を所定方向に配向規制することが可能となっている。また、液晶分子にプレティルトを付与することができる。なお、前記ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられる無機配向膜１６は、無機配向膜２２と同一の構成からなるものであり、上述した方法により同様に形成することができ同じ機能を奏するものとなっている。

なお、無機配向膜を形成する他の方法としては、例えば予め無機配向膜の下地膜表面に複数の傾斜面を形成しておき、その表面に上記スパッタ法で無機配向膜を形成して、前記複数の傾斜面の形状が無機配向膜の表面に伝達されている構成としてもよい。また上記スパッタ法で無機配向膜を形成した後に、所定角度でイオンビームを入射させるイオンミリングを行って、無機配向膜の表面に所定の方向性を有する凹部を形成してもよい。また予め無機配向膜の下地膜表面にイオンミリングを行っておき、次に上記スパッタ法で無機配向膜を形成し、さらにその表面に再度イオンミリングを行って、無機配向膜の表面に凹部を形成してもよい。いずれの場合にも、液晶分子に対して所望のプレティルト角を確実に付与することが可能な無機配向膜を提供することができる。

前記ＴＦＴアレイ基板１０と前記対向基板２０との間には、上述したように液晶層５０が封入されており、この液晶層５０を封止するとともに前記両基板１０，２０間を貼着するシール材１４が設けられている（図１参照）。このシール材１４には、例えば図示しないギャップ材が含有されており、これにより液晶装置６０における所定の液晶層厚（セルギャップ）が実現されている。さらに、シール材１４の外周側を覆ってアクリルやエポキシ樹脂等からなるモールド材３０が配設されている。
ここで、液晶装置６０におけるシール材１４と、その外周側を覆って対向する基板１０，２０間に設けられるモールド材３０とから構造をモールド構造とし、このモールド構造について図６を参照し詳しく説明する。なお、図６は、図１のＢ−Ｂ線における液晶装置６０の側断面を示し、特にモールド構造部分を拡大した図である。

（モールド構造）
図６に示すように、モールド材３０は、前記対向基板２０の側端面と、シール材１４の外周面、及びＴＦＴアレイ基板１０の上面の一部に設けられ、かつ液晶層５０を封止するシール材１４の外周側を覆った状態に配設されている。
ここで、前記モールド材３０が配設される両基板１０，２０には、前記モールド領域の全周にわたって連続形成され、その連続方向に垂直な断面が略鋸歯状となる凹凸部（第１の凹凸部）４０，４１がそれぞれ形成されている。具体的には、図６に示すように、対向基板２０の基体本体２０Ａのモールド領域となる側端面には、上記凹凸部４０が形成され、前記対向基板２０における上記のモールド領域には上記凹凸部４１が形成されている。
前記基板１０，２０にそれぞれ形成された凹凸部４０，４１は、凹凸部を設けず基板表面を平坦面とする従来の構成に比べ、モールド材３０と両基板１０，２０との界面距離が前記凹凸部４０，４１の表面形状に沿った分だけ長くなっている。

ここで、前記凹凸部４０，４１を形成する方法としては、例えばレジスト層を基板表面に形成する。次に、グレーマスクを用いてフォトリソグラフィを行うことにより、レジスト層に所望の溝形状を形成する。そして、そのレジスト層をマスクとして基板をエッチングすることにより、断面が略鋸歯状の凹凸部を形成することができる。
なお、凹凸部はフォトリソグラフィを用いて形成する方法に限られることはなく、例えば、転写型を基板本体１０Ａ，２０Ａに押圧して凹凸形状を付与する方法などを採用してもよい。

また、上述したように両基板１０，２０の対向面側には無機配向膜１６，２２がそれぞれ設けられている。よって、基板本体１０Ａの表面に形成されたＴＦＴアレイ基板１０における凹凸部４１には、その表面に倣って、無機配向膜１６が略一定の厚さで配設されている。これにより、無機配向膜１６の表面には前記凹凸部４１の表面形状に対応した深さ数μｍの凹部が形成されたものとなっている。
すなわち、本液晶装置６０は、ＴＦＴアレイ基板１０の凹凸部４１、及び対向基板２０の凹凸部４０上にモールド材３０が設けられていて、このモールド材３０によってＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを保持している。

ところで、液晶装置６０は、前記両基板１０，２０によって挟持されている液晶層５０に水分や不純物等が浸入すると、液晶装置６０の各種機能が阻害されることになり、特に分極構造を持つ液晶中に分極性分子である水が浸入すると液晶の配向不良が発生することになって表示特性を低下させるおそれがある。そのため、安定した表示特性を備えた信頼性の高い液晶装置６０を得るには、外部からの水分に対しての高い防湿性を備えたことが望ましい。

これに対して、本実施形態のモールド構造では、上述したように両基板１０，２０におけるモールド領域に凹凸部４０，４１を形成し、その凹凸部４０，４１上にモールド材３０を配設する構成とした。
この構成によれば、両基板１０，２０に形成された凹凸部４０，４１にモールド材３０が設けられているので、凹凸部が設けられず基板表面が平坦面となっている場合に比べ、前記凹凸部４０，４１の表面形状に接触する面積の分だけモールド材３０と各基板１０，２０との界面距離が伸びる。
よって、仮に液晶装置外部から基板間に水分が浸入した場合にも、モールド材３０と各基板１０，２０間との界面距離がそれぞれ長くなっているので、液晶層５０に水分が到達する可能性を低減できる。

ここで、本実施形態における液晶装置６０は、モールド材３０が設けられるＴＦＴアレイ基板１０の表面に無機配向膜１６が形成された状態となっている。無機配向膜１６は、図５に示したように柱状構造体で構成された多孔質からなるものである。そのため、モールド材３０と対向基板２０との間には特に隙間が生じるおそれがあり、モールド材３０と無機配向膜１６との界面には大きな隙間が形成されるおそれがある。よって、これらの隙間を通って、液晶装置６０の外部から水分や不純物等が液晶層に浸入し、上述したような不具合を発生させるおそれがある。
しかしながら、上述した本モールド構造によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられている無機配向膜１６に凹凸形状が付与されているので、前記無機配向膜１６とモールド材３０との界面距離を長くでき、外部から水分の浸入を好適に防止できる。

このように、本実施形態の液晶装置６０によれば、液晶層５０への水分の混入による表示特性の低下を軽減でき、安定した表示特性を有した信頼性の高い液晶装置６０とすることができる。なお、前記基板１０，２０の表面に形成される凹凸部４０，４１の高さが高いほど、モールド材３０と無機配向膜１６，２２との界面距離を長くできる。
また、後述するように、この液晶装置を光変調手段として採用することで、信頼性の高い液晶プロジェクタを提供することが可能となる。

なお、上記第１実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板１０、及び対向基板２０の双方に凹凸部を形成したが、いずれか一方に凹凸部を設けることで、モールド材３０と基板１０，２０間との界面距離を伸ばし液晶装置６０の防湿性を向上することが可能である。
また、両基板１０，２０に設けられた凹凸部４０，４１の形状は上記実施形態に限られることはない。例えば、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成された凹凸部４１は、基板本体１０Ａの面（平坦面）に対して、凹状となった状態に形成されているが凸状となる凹凸部を形成するようにしてもよい。また、基板本体１０Ａは平坦面のままで、無機配向膜１６に突起または溝を形成して凹凸部を構成してもよい。また、基板本体１０Ａおよび無機配向膜の両方に突起または溝を形成して、両者の足し合わせることで凹凸部を形成してもよい。

また、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０、及び対向基板２０における対向面の全面に無機配向膜１６，２２が形成された構造としたが、液晶層５０を挟持する領域にのみ無機配向膜を設けることで、多孔質とモールド材３０との間に大きな隙間が形成されるのを防止するようにしてもよい。
具体的には、有機材料からなる配向膜を採用する場合や、モールド領域となる基板上にのみ選択的に無機配向膜を形成しない場合には、モールド材３０と基板１０，２０との界面に大きな隙間が形成されるおそれが少なくなる。
しかしながら、これらの場合でも、モールド領域の表面に凹凸部を形成し、その凹凸部の表面にモールド材３０を塗布すれば、モールド材３０と基板１０，２０間との界面距離が長くなる。これにより、その界面の隙間を通って水分等が液晶層５０に浸入する可能性を極めて小さくすることができ、液晶装置６０の信頼性を向上させることができる。

（変形例）
次に、第１実施形態における液晶装置６０の変形例について説明する。図７（ａ），（ｂ）は、第１実施形態の変形例の説明図である。図７（ａ）は第１変形例の液晶装置６０´における平面図を示す図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）中Ａ−Ａ線矢視による側断面図である。
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置６０´は、対向基板２０の基板本体２０Ａの表面には溝９１が形成されていて、該溝９１によってモールド材が配設されるモールド領域の一部が構成されている。ここで、液晶装置６０´は、図６に示した前記液晶装置６０と異なり、対向配置されるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが平面視略同じ大きさとなっている。

この溝９１は、モールド領域の全周にわたって連続形成されていて、図７（ｂ）に示すように、その連続方向に垂直な断面が矩形状とされている。そして、その溝９１の表面に倣って、無機配向膜２２が略一定の厚さで配設されている。これにより、無機配向膜２２の表面に深さ数μｍの凹部（第１の凹凸部）９２が形成されている。この凹部９２は、モールド領域の全周にわたって連続形成され、その連続方向に垂直な断面が矩形状とされている。
また、前記基板本体２０Ａには複数の貫通孔９３が設けられている。なお、前記貫通孔９３が設けられた基板本体１０Ａには前記無機配向膜２２は設けられておらず、後述するモールド領域に連通したものとなっている。

同様に、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの表面には溝８１が形成されていて、該溝８１によってモールド材が配設されるモールド領域の一部が構成されている。
また、この溝８１は、前記溝９１と同様の構成からなるものであって、該溝９１の表面に倣って無機配向膜１６が略一定の厚さで配設されている。これにより、無機配向膜１６の表面にモールド領域の全周にわたって凹部（第１の凹凸部）８２が連続形成され、その連続方向に垂直な断面が矩形状となっている。

そして、前記ＴＦＴアレイ基板１０の凹部８２と前記対向基板２０の凹部９２とを位置合わせした状態に、前記両基板１０，２０が貼着されることにより、凹部８２，９２によってモールド領域が形成される。また、該モールド領域の内側には、前記第１実施形態と同様にシール材１４が設けられていて、該シール材１４によって液晶層５０が基板１０，２０間に封止されたものとなっている。

モールド材３０をモールド領域に配設する際には、例えば前記貫通孔９３から注入することができる。このときモールド材３０内に含まれた空気などの気泡は貫通孔９３により外部に放出されることとなる。よって、両基板１０，２０間に良好にモールド材３０を配設することができる。また、このように両基板１０，２０に設けられた凹部８２，９２によって構成されたモールド領域にはモールド材３０が多く配設されることとなり、両基板１０，２０をより確実に貼着して保持することができる。すなわち、この液晶装置６０´は、その機械的強度が高いものとなっている。

ところで、無機配向膜１６は柱状構造体１６ａで構成された多孔質であるため、上述したように特にモールド材３０と無機配向膜１６，２２との界面には大きな隙間が形成されるおそれがある。よって、これらの隙間を通って、液晶装置の外部から水分や不純物等が液晶層に浸入し、液晶装置としての表示特性を低下させるおそれがある。

これに対して、図７（ａ），（ｂ）に示した第１変形例の液晶装置では、無機配向膜１６，２２の表面に凹部８２，９２を形成し、その凹部８２，９２の表面にモールド材３０を配設する構成とした。この構成によれば、凹凸部がない場合と比べて、モールド材３０と無機配向膜１６，２２との界面距離が伸びるので、水分等の浸入経路の長さが長くなって水分等が液晶層５０に浸入する可能性をできる。よって、安定した表示特性を有した信頼性の高い液晶装置６０となる。

また、他の変形例としての第２変形例は、図８（ａ）に示すように、例えば基板１０，２０のシール材１４を配設する位置にも同様の凹凸部４０´，４１´（第２の凹凸部）を形成している。このような構成を採用することで、前記凹凸部４０´，４１´によって図８に示したように、シール材１４を挟持している基板が平坦面となっている場合と比べて、シール材１４と基板１０，２０との界面距離を伸ばすことができる。したがって、例えば外部から基板１０，２０間に水分が浸入した場合に、前記シール材１４と基板１０，２０との界面を伝って液晶層５０に水分が到達する可能性を低減し、液晶装置の防湿性をさらに向上できる。

また、図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０に凹凸部として図７に示した凹部８２の代わりに凸部８２´を設けてもよい。このとき、対向基板２０に形成された凹部９２の幅は、凸部８２´の幅より広くなっていることが好ましい。このとき、図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の凸部８２´と、対向基板２０の凹部９２とがモールド材３０を介して嵌合されるようになっている。

このように凸部８２´と凹部９２とを嵌合させた状態で、例えば、凸部８２´の側面と凹部９２の側面とを当接させることにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との水平方向のアライメントを確保することが可能となる。
このとき、前記凹部９２、及び凸部８２´によりモールド材３０と基板１０，２０との界面距離を伸ばすことができ、上述した実施形態及び変形例と同様に液晶装置の防湿性を向上する効果を奏するとができる。なお、前記の凸部８２´と凹部９２とからなる嵌合構造を、例えばシール材１４を配設する基板１０，２０間に形成するようにしてもよい。

（第２実施形態）
次に、本発明の液晶装置に係る第２実施形態につき、図９を用いて説明する。
図９は、第２実施形態に係る液晶装置１６０の側断面を示した図であり、ここで、本実施形態における前記液晶装置のうち、前記第１実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明し、第１実施形態と同様の構成となる部分については、その説明を簡略化する。また、本実施形態では、対向配置されるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが平面視した状態で略同じ大きさとなっている。

ここで、第１実施形態では、モールド領域における基板１０，２０凹凸部を形成することで基板１０，２０とモールド材３０との界面距離を伸ばして液晶装置６０の防湿性を向上していたが、前記本実施形態に係る液晶装置１６０は、後述するようにモールド材３０を配置する前記基板１０，２０間の間隙を、前記液晶層５０を挟持している基板１０，２０間の間隙（以下、液晶層厚（セルギャップ）と呼ぶ）よりも狭くする構造を採用している。

本実施形態の液晶装置１６０は、互いが対向して配置されるＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０と、該基板１０，２０間にシール材１４によって封止される液晶層５０と、前記シール材１４の外周側を覆って前記基板１０，２０間に設けられるモールド材３０とを備えている。

図９に示すように、液晶装置１６０は、両基板１０，２０の無機配向膜１６，２２の表面に凸部１９２，１８２が形成されている。この凸部１９２，１８２は、モールド領域の全周にわたって連続形成されていて、前記凸部１９２，１８２上にモールド材３０が配設されたものとなっている。

なお、両基板１０，２０の凸部１９２，１８２の内側には、前記液晶装置６０と同様に、シール材１４が充填されることで液晶層５０が封止されている。なお、前記シール材１４には、図示されないスペーサが介在していて、所望の液晶層厚（セルギャップ）ｄが確保されている。

また、モールド領域における基板１０，２０の間隙Ｄは、前記凸部１９２，１８２が形成されたことにより液晶層厚ｄよりも狭くなっている。よって、モールド材３０を配設する基板間の間隙が液晶層厚と同等の場合と比べ、前記間隙Ｄを構成する体積が減少し、したがって間隙Ｄ中に介在するモールド材３０の量を減少させた状態となっている。

ここで、外部から基板１０，２０間に水分が浸入した場合に、前記間隙Ｄに介在するモールド材３０が少ないので、前記間隙Ｄのモールド材３０中を透過する水分自体が少なくなる。
よって、液晶層５０内に水分が混在する可能性を低減でき、液晶装置１６０の防湿性を向上できる。
このような構成によれば、液晶層５０への水分の混入による表示特性の低下を軽減することができ、安定した表示特性を有した信頼性の高い液晶装置１６０となる。

（変形例）
次に、第２実施形態における液晶装置１６０の変形例について図１０を参照し説明する。図１０に示すように、前記液晶装置１６０の変形例としての液晶装置１６０´は、前記間隙Ｄをなす各基板面が、前記液晶層５０を配置している基板面に対し傾斜した状態となっている。ここで、液晶層５０を配置している基板面とは、本変形例では図１０中に示される、シール材１４及び液晶層５０を挟持しているＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との内面側を意味し、前記間隙Ｄをなす基板面によって上述したモールド領域が構成されたものとなっている。

具体的に、前記ＴＦＴアレイ基板１０における基板本体１０Ａは、図１０に示すように、液晶層５０及びシール材１４を挟持する基板面を構成する液晶保持部１０Ｒと、この液晶保持部１０Ｒにおける基板面に対し傾斜をなしモールド材３０を配設する基板面を構成するモールド保持部１０Ｍとが組み合わされて構成されている。また、対向基板２０における基板本体２０Ａも同様に、液晶保持部１０Ｒと、この液晶保持部１０Ｒの基板面に対して傾斜をなすモールド保持部２０Ｍとが組み合わされて構成されている。したがって、前記各モールド保持部２０Ｍ，１０Ｍ、及び前記各液晶保持部１０Ｒ，２０Ｒはそれぞれが互いに対向した状態に設けられていて、このような構成により上述した間隙Ｄをなす基板１０，２０の各面が、前記液晶層５０を配置している基板の面に対し傾斜した構造を備えたものとなっている。

ここで、前記液晶保持部１０Ｒ，２０Ｒを構成する各基板１０，２０の間隙は、液晶層５０の膜厚である液晶層厚（セルギャップ）ｄとなっている。また、前記モールド保持部１０Ｍ，２０Ｍを構成する基板間１０，２０の間隙Ｄは、図１０に示すように、前記液晶層厚ｄよりも薄くなっている。そして、このモールド保持部１０Ｍ，２０Ｍには前記基板１０,２０間を接合するモールド材３０が設けられている。

よって、本変形例における液晶装置１６０´は、モールド材３０を配置する各基板１０，２０（前記モールド保持部１０Ｍ，２０Ｍ）間の間隙Ｄが液晶層厚ｄよりも狭くなっているので、上記第２実施形態の液晶装置１６０と同様に間隙Ｄ中に介在するモールド材３０の量を少なくできる。
したがって、外部から基板１０，２０間に水分が浸入した場合に、前記間隙Ｄに介在しているモールド材３０の量が少ないため、前記間隙Ｄのモールド材３０中を透過する水分の量を制限できる。

また、前記モールド領域を平面視した際の見掛け状の界面距離（大きさ）は、図１０に示した距離Ｘ１で表せる。ここで、本変形例では上述したように、モールド材３０を配設するモールド保持部１０Ｍ，２０Ｍの基板面が液晶保持部１０Ｒ，２０Ｒの基板面に対して傾斜していることから、モールド材３０と基板１０，２０との間の界面距離がＸ２となる。よって、モールド領域における間隙Ｄをなす界面距離は、見掛け状の界面距離Ｘ１に比べて長く取ることが可能となる。
このようにモールド材領域における界面距離を長くすることで、液晶装置１６０´の外部から水分の浸入経路を長くし、液晶装置１６０´の防湿性をより向上したものとなる。

このような構成によれば、液晶層５０内に水分が混在する可能性を低減し、液晶装置１６０´の防湿性を向上することで液晶層５０への水分混入によって生じる表示特性の低下を軽減でき、したがって信頼性の高いものとなる。

以上、液晶装置の実施形態について説明したが、本発明は液晶装置以外の電気光学装置、例えば有機ＥＬ装置、電気泳動装置等に適応することも可能である。
まず、本発明を電気泳動装置１００に適用した実施形態について説明する。
本実施形態の電気泳動装置１００は、図１１に示すように、対向して配置された第１基板（基板）１０１と第２基板（基板）１０８との間に電気泳動層（電気光学層）１１１を備えて構成されている。なお、第１基板１と第２基板８とは、表示領域の周囲を囲むように枠状に形成された封止部材１２７によって貼り合わされ、スペーサ（図示略）により一定に離間された状態で保持されている。

前記封止部材１２７の外側には前記電気泳動層１１１を囲むようにして、モールド材１３０が配置されている。本実施形態に係る電気泳動装置１００は、図６を用いて説明した液晶装置の実施形態と同様に第１基板１０１の側端面に断面視略鋸歯状の凹凸部１４０が形成されており、第２基板１０８の一部にも断面視略鋸歯状の凹凸部１４１が形成されている。そして、凹凸部１４０，１４１上にモールド材１３０が設けられている。すなわち、前記凹凸部１４０，１４１はモールド材１３０が配置される領域の全域に亘って形成されている。

第１基板１０１は、例えば透明ガラスや透明フィルムなどの透光性を有する基板からなり、内面側（電気泳動層１１側）にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明な導電材料からなる共通電極１０２が形成されている。そして、第１基板１外面がこの電気泳動装置１００の表示面とされている。

一方、第２基板１０８は必ずしも透明である必要はなく、例えばガラス基板や樹脂フィルム基板などの他、ステンレスプレート等の金属板に絶縁層を形成したもの等を用いることができる。この第２基板１０８上には、マトリクス状に画素領域が区画形成されていて、各画素領域に対応する画素電極１０７が設けられている。また、図示しないがこの画素電極１０７には、通電制御を行うためのＴＦＴ素子（スイッチング素子）が形成されている。

そして、本実施形態の電気泳動装置１００では、基板１０１，１０８と封止部材とにより形成された閉空間に前記電気泳動層１１１として、電気泳動分散液１０５及び電気泳動粒子１０６をカプセル状の樹脂皮膜で覆ったマイクロカプセル１６１を配置した構成となっている。
なお、電気泳動層１１１の形態としては、上記マイクロカプセルに限定されることはなく、前記基板１０１，１０８間に分散媒、電気泳動粒子等を有する電気泳動分散液を封入することで電気泳動層を構成するようにしてもよい。

前記電極１０２，１０７間に電圧を印加することにより、前記マイクロカプセル１６１内の電気泳動粒子１０６はクーロン力によって共通電極２側に速やかに泳動し、電極表面に付着することで画像表示が行われる。

上記構成によれば、両基板１０１，１０８に形成された凹凸部１４０，１４１にモールド材１３０が設けられているので、凹凸部が設けられず基板表面が平坦面となっている場合に比べ、前記凹凸部１４０，１４１の表面形状に接触する面積の分だけモールド材１３０と各基板１０１，１０８との界面距離が伸びる。
よって、仮に電気泳動装置１００の外部から基板間に水分が浸入した場合にも、モールド材１３０と各基板１０１，１０８間との界面距離がそれぞれ長くなっているので、電気泳動層１１１に水分が到達する可能性を低減できる。なお、本発明の電気泳動装置に、液晶装置に適応した図７〜図１０の形態を採用するようにしてもよい。

次に、本発明を有機ＥＬ装置２００に適用した実施形態について説明する。
本実施形態の有機ＥＬ装置２００は、図１２に示すように、基板２１１上に画素電極２３１を駆動するための駆動用ＴＦＴを含む回路部（図示しない）が形成されており、その上に隔壁２４１により区画された領域に電気光学層としての発光素子（有機ＥＬ素子）２４４が多数設けられている。この発光素子２４４は、陽極として機能する画素電極２３１と、この画素電極２３１からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層２５２と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える発光層２５１と、陰極２６１とが順に形成されたことによって構成されたものである。

このような構成のもとに、発光素子はその発光層２５１において、正孔輸送層２５２から注入された正孔と陰極２６１からの電子とが結合することにより発光する。そして、前記基板２１１を覆うようにして封止基板（基板）２１０が設けられている。

いわゆるボトムエミッション型の場合には、発光光を取り出す構成であるので、基板２１１として透明あるいは半透明のものが採用される。また、封止基板２１０は、いわゆるトップエミッション型の場合には、透明あるいは半透明のものが採用される。

そして、前記有機ＥＬ素子を囲むようにしてモールド材２３０が配置されている。このモールド材２３０は、装置内部への水分の入り込むこみを防止することで、水分に弱い有機ＥＬ素子を保護するためのものである。本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、図６を用いて説明した液晶装置の実施形態と同様に封止基板２１０の側端面に断面視略鋸歯状の凹凸部２４０が形成されており、基板２１１の一部にも断面視略鋸歯状の凹凸部２４２が形成されている。そして、凹凸部２４０，２４２上にモールド材２３０が設けられている。すなわち、前記凹凸部２４０，２４２はモールド材２３０が配置される領域の全域に亘って形成されている。

上記構成によれば、基板２１１、封止基板２１０に形成された凹凸部２４０，２４２にモールド材２３０が設けられているので、凹凸部が設けられず基板表面が平坦面となっている場合に比べ、前記凹凸部２４０，２４２の表面形状に接触する面積の分だけモールド材２３０と各基板２１１，２１０との界面距離が伸びる。
よって、仮に有機ＥＬ装置２００の外部から基板間に水分が浸入した場合にも、モールド材２３０と各基板２１１，２１０間との界面距離がそれぞれ長くなっているので、発光層２５１を含む有機ＥＬ素子に水分が到達する可能性を低減できる。なお、本発明の電気泳動装置に、液晶装置に適応した図７〜図１０の形態を採用するようにしてもよい。

（プロジェクタ）
次に、本発明のプロジェクタにつき、図１３を用いて説明する。図１３は、プロジェクタ８００の要部を示す概略構成図である。このプロジェクタ８００は、上述した各実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。

図１３において、８１０は光源、８１３，８１４はダイクロイックミラー、８１５，８１６，８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２，８２３，８２４は本発明の液晶装置からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズ（投射手段）である。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。

ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。

各光変調手段８２２，８２３，８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。

上述したプロジェクタ８００は、上記各実施形態又は各変形例の液晶装置６０，１６０を光変調手段として備えている。
上述したように各実施形態又は各変形例の液晶装置は、外部から水分等が液晶層に浸入する可能性を低減するように防湿性が高く、安定した表示特性を備えた信頼性の高いものである。よって、本発明のプロジェクタ８００は、上記液晶装置を光変調手段として備えているので、液晶装置における液晶分子の配向制御機能を維持することが可能になり、信頼性が高く優れた表示特性を備えたものとなる。

なお、本発明の技術的範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、実施形態ではＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、実施形態では３板式のプロジェクタ（投射型表示装置）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。

また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、上述した各実施形態またはその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。

次にマイクロデバイスの一実施形態として、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）に適用した例について図面を参照して説明する。このＤＭＤは、例えば上述したプロジェクタにおける反射型の光変調装置として用いることができる。

図１４は、光変調装置５００の主要構成要素を示す組立分解斜視図である。同図において、この光変調装置は大別して、ミラー基板（基板）４００、及びカバーガラス基板（基板）３００から構成されている。

そして、前記ミラー基板４００とカバーガラス基板３００との間には、複数の微小ミラー（デバイス部）３０２が設けられている。
具体的には、前記ミラー基板４００に凹部４０２が形成されていて、該凹部４０２にマトリクス上に配列された複数の微小ミラー（デバイス部）３０２が設けられている。この複数の微小ミラー３０２の内、一方向例えば図１４のＸ方向に沿って配列された微小ミラー３０２は、トーションバー３０４にて連結されている。

この微小ミラー３０２の表面には、反射層３０２ａが形成されている。そして、後述する駆動により微小ミラー３０２が傾斜駆動されることで、この微小ミラー３０２に対して入射する光の反射方向が変化する。そして、所定反射方向に向けて光を反射させる時間を制御することによって、光の変調を行うことが可能となっている。

そして、前記凹部４０２内には、Ｘ方向で隣り合う２つの微小ミラー３０２間のトーションバー３０４と対向する位置に凹部４０２より突出形成される支柱部４１０が複数設けられている。
そして、トーションバー３０４と支柱部４１０とが陽極接合されることで、微小ミラー３０２が凹部２０２内に配置されたものとなっている。

さらに、前記凹部４０２には、配線パターン部４１２が形成されている。この配線パターン部４１２は、トーションバー１０４を挟んだ両側の微小ミラー１０２の裏面と対向する位置に、それぞれ第１，第２のアドレス電極４１４，４１６を有する。そして、Ｙ方向に沿って配列された第１のアドレス電極４１４は第１の共通配線４１８に共通接続されている。同様に、Ｙ方向に沿って配設された第２のアドレス電極４１６は、第２の共通配線４２０に共通接続されている。

微小ミラー３０２のＯＮ傾斜駆動の際には、図１４中Ｘ方向に沿って配列された複数の微小ミラー３０２に対して、トーションバー３０４を介して同時に通電する。一方、これと同時に第１，第２のアドレス電極４１４、４１６を一組として点順次又は線順次で駆動し、通電されるトーションバー３０４を、同図中Ｙ方向に向けて順次選択することで、マトリックス状に配列された微小ミラー３０２を所定のサイクルにてＯＮ傾斜駆動することができる。

一方、微小ミラー３０２をＯＦＦ傾斜駆動するには、第１，第２のアドレス電極４１４，４１６に加わる電圧の極性を、ＯＮ傾斜駆動時とは逆にすればよい。これにより、微小ミラー１０２はＯＮ傾斜駆動時とは逆の方向に傾斜駆動される。
このように微小ミラー３０２の傾斜を変化させることで光変調装置として機能する。

前記微小ミラー３０２が設けられた領域（図１４に示した凹部４０２）を囲むように前記ミラー基板４００の枠状の上面４０４上にモールド材が配置され、これによりミラー基板４００とカバーガラス基板３００とが接合される（図１５参照）。

図１５は、光変調装置５００の概略側断面構造を示す図である。図１５に示すように、前記ミラー基板４００と前記カバーガラス基板３００とはモールド材４３０によって貼り合わされたものとなっている。

このモールド材４３０は、前記光変調装置５００内部への水分の入り込むこみを防止し、微小ミラー３０２及び配線パターン部４１２等を保護するためのものである。本実施形態に係る光変調装置５００は、図６を用いて説明した液晶装置の実施形態と同様にカバーガラス基板３００の下面側に断面視略鋸歯状の凹凸部３４０が形成され、該凹凸部３４０が対向配置されるミラー基板４００の上面４０４にも断面視略鋸歯状の凹凸部４４０が形成されている。そして、凹凸部３４０，４４０上にモールド材４３０が設けられている。すなわち、前記凹凸部３４０，４４０はモールド材４３０が配置される領域（凹部４０２）の全域に亘って形成されている。

上記構成によれば、凹凸部３４０，４４０上にモールド材４３０が配置されているので、凹凸部が設けられず基板表面が平坦面となっている場合に比べ、前記凹凸部３４０，４４０の表面形状に接触する面積の分だけモールド材４３０と各基板３００，４００との界面距離が伸びる。
よって、仮に光変調装置５００の外部から内部に水分が浸入した場合にも、モールド材４３０と各基板３００，４００間との界面距離がそれぞれ長くなっているので、微小ミラー３０２及び配線パターン部４１２に水分が到達する可能性を低減できる。なお、本発明の光変調装置５００に、液晶装置に適応した図７〜図１０の形態を採用するようにしてもよい。

（ａ）は液晶装置の平面図、（ｂ）は液晶装置の側断面図である。 液晶装置の等価回路図である。 液晶装置の平面構造を説明する図である。 図３中Ａ−Ａ´線矢視による液晶装置の断面図である。 無機配向膜が形成された対向基板の側断面を示す図である。 モールド構造の拡大説明図である。 第１実施形態における液晶装置の第１の変形例を示す図である。 第１実施形態における液晶装置の第２の変形例を示す図である。 第２実施形態における液晶装置を示す図である。 第２実施形態における液晶装置の変形例を示す図である。 電気泳動装置の実施形態を示す図である。 有機ＥＬ装置の実施形態を示す図である。 プロジェクタの一実施形態を示す図である。 マイクロデバイスの一実施形態を示す図である。 図１４に示す光変調装置の概略断面構造を示す図である。

符号の説明

６０，６０´，１６０，１６０´…液晶装置、１０…ＴＦＴアレイ基板（一対の基板）、１０Ｒ，２０Ｒ…液晶保持部、１０Ｍ，２０Ｍ…モールド保持部、１４…シール材、２０…対向基板（一対の基板）、３０…モールド材、４０，４１，８２，９２…凹凸部（第一の凹凸部）、４０´，４１´…凹凸部（第２の凹凸部）５０…液晶層、１００…電気泳動装置（電気光学装置）、１０１…第１基板（基板）、１０８…第２基板（基板）、１１１…電気泳動層（電気光学層）、１３０…モールド材、１４０，１４１…凹凸部、２００…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、２１０…封止基板、２１１…基板、２３０…モールド材、２４０，２４２…凹凸部、２４４…発光素子（電気光学層）、３００…ミラー基板（基板）、３０２…微小ミラー（デバイス部）、３４０…凹凸部、４００…カバーガラス基板（基板）、４３０…モールド材、４４０…凹凸部、５００…光変調装置（マイクロデバイス）、８００…プロジェクタ、Ｄ…間隙、ｄ…液晶層厚（セルギャップ）

Claims (5)

1. 互いが対向して配置される一対の基板と、該基板間にてシール材によって封止される液晶層と、前記シール材の外周全体を覆い前記一対の基板に設けられるモールド材とを備え、
   前記一対の基板の少なくとも一方の基板における前記モールド材が配置される領域の全域に亘り第１の凹凸部が形成され、該第１の凹凸部上に前記モールド材が設けられてなることを特徴とする液晶装置。
2. 前記一対の基板の少なくとも一方の基板には第２の凹凸部が形成され、該第２の凹凸部上に前記シール材が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 互いが対向して配置される一対の基板と、該一対の基板間に設けられた電気光学層と、該電気光学層の全体を囲むように前記一対の基板に設けられたモールド材とを備え、
   前記一対の基板の少なくとも一方の基板における、前記モールド材が配置される領域の全域に亘って凹凸部が形成され、該凹凸部上に前記モールド材が配置されてなることを特徴とする電気光学装置。
4. 光源と、該光源の光を変調する光変調手段と、該光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを備えたプロジェクタにおいて、
   前記光変調手段は、互いが対向して配置される一対の基板と、該基板間にてシール材によって封止される液晶層と、前記シール材の外周全体を覆い前記一対の基板に設けられるモールド材とを具備し、
   前記一対の基板の少なくとも一方の基板における、前記モールド材が配置される領域の全域に亘り第１の凹凸部が形成され、該第１の凹凸部上に前記モールド材が設けられてなる液晶装置であることを特徴とするプロジェクタ。
5. 互いが対向して配置される一対の基板と、該一対の基板間に設けられた光変調デバイス部と、該光変調デバイス部の全体を囲むように前記一対の基板に設けられたモールド材とを備え、
   前記一対の基板の少なくとも一方の基板における、前記モールド材が配置される領域の全域に亘って凹凸部が形成され、該凹凸部上に前記モールド材が配置されてなることを特徴とするマイクロデバイス。

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