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JP4143564B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description

本発明は、回路基板上に半導体チップを搭載した半導体装置に関し、特にワイヤーボンディング法を用いて回路基板と半導体チップとの電気的接続を行い、トランスファーモールド法により回路基板上を樹脂封止した半導体装置およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a circuit board, and in particular, a semiconductor in which a circuit board and a semiconductor chip are electrically connected using a wire bonding method and the circuit board is resin-sealed by a transfer molding method. The present invention relates to an apparatus and a manufacturing method thereof.

フレキシブル性を有する基板上に半導体チップが搭載されてなる半導体装置では、携帯機器等に搭載するために、実装面積の低減が必要である。そのため、一つの半導体チップの中に複数個の半導体チップの機能を統合して1チップ化して部品搭載数を低減した半導体装置が近年増加する傾向にある。複数個の半導体チップの機能を統合して1チップ化することから、電気接続端子の数は増大する。   In a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a flexible substrate, it is necessary to reduce the mounting area in order to mount it on a portable device or the like. For this reason, there has been a tendency in recent years to increase the number of semiconductor devices in which the functions of a plurality of semiconductor chips are integrated into one semiconductor chip to reduce the number of components mounted. Since the functions of a plurality of semiconductor chips are integrated into one chip, the number of electrical connection terminals increases.

中でも基板やリードフレーム等と半導体チップとをワイヤーボンディング法により電気的に接続した半導体装置では、電気接続端子の増加によりワイヤー長が増大し、隣り合うワイヤー同士の間隔が非常に狭くなってしまう。そのため、半導体パッケージの樹脂封止に、トランスファーモールド法を用いる場合はワイヤー流れによるワイヤー同士の接触による短絡不良を発生させる恐れがある。ワイヤー流れとは、樹脂注入時の圧力によりワイヤーが変形してしまうことである。   In particular, in a semiconductor device in which a substrate, a lead frame, and the like and a semiconductor chip are electrically connected by a wire bonding method, the wire length increases due to an increase in electrical connection terminals, and the interval between adjacent wires becomes very narrow. Therefore, when the transfer mold method is used for resin sealing of the semiconductor package, there is a risk of causing a short circuit failure due to contact between wires due to wire flow. The wire flow means that the wire is deformed by the pressure at the time of resin injection.

ここで、図15(a)(b)を用いて、ワイヤー流れについて説明する。ワイヤー流れは、樹脂封止時の樹脂の圧力によりワイヤーが3次元的に変形することで発生する。注入される樹脂の圧力により、ワイヤーが最も高く張られた場所や、撓んだ形状の場所が倒れる(変形する)。図15(a)は、ワイヤー100を張った場合における、樹脂注入前のワイヤー100近傍を上方と側方より見た図面であり、図15(b)は、樹脂注入後のワイヤー100近傍を上方と側方より見た図面である。○印を付したワイヤー100におけるがもっとも高く張られた部分が樹脂の圧力で倒れてしまい、上面からみたワイヤー長さ(2次元的なワイヤー長さ)が長くなり、ワイヤー流れが発生する。ワイヤー流れが発生すると、流れ量にもよるが、隣り合うワイヤー同士が接触する可能性が発生する。なお、図15(a)における矢印102は樹脂の注入方向を示している。   Here, a wire flow is demonstrated using Fig.15 (a) (b). The wire flow is generated by three-dimensional deformation of the wire due to the pressure of the resin at the time of resin sealing. Due to the pressure of the injected resin, the place where the wire is stretched the highest or the place where the wire is bent falls down (deforms). FIG. 15A is a view of the vicinity of the wire 100 before resin injection when viewed from above and from the side when the wire 100 is stretched, and FIG. 15B is the upper view of the vicinity of the wire 100 after resin injection. It is the drawing seen from the side. The highest stretched portion of the wire 100 marked with ○ is collapsed by the pressure of the resin, the wire length (two-dimensional wire length) seen from the upper surface is increased, and the wire flow is generated. When a wire flow occurs, there is a possibility that adjacent wires come into contact with each other depending on the flow amount. In addition, the arrow 102 in Fig.15 (a) has shown the injection direction of resin.

このようなワイヤー流れによる不具合を解決するための従来技術として、半導体パッケージ形態や封止金型形状に適合した樹脂を開発することで、ワイヤー流れの発生自体を防止することや、或いは、予め樹脂等で絶縁被覆されたワイヤーを用いることにより、ワイヤー流れ発生時の短絡不良を防いだりする手法がある。さらに、特許文献1には、トランスファーモールドによる樹脂封止前にワイヤーのみを液樹脂で封止することによりワイヤー流れを防ぐ手法が記載されている。
特開2002−299494号公報(平成14年10月11日公開)
As a conventional technique for solving such a problem caused by the wire flow, the development of a resin suitable for the semiconductor package form and the sealing mold shape can prevent the occurrence of the wire flow itself, or in advance the resin There is a technique of preventing short circuit failure when a wire flow is generated by using a wire that is insulated and coated. Furthermore, Patent Document 1 describes a technique for preventing wire flow by sealing only a wire with a liquid resin before resin sealing by transfer molding.
JP 2002-299494 A (published on October 11, 2002)

しかしながら、ワイヤー流れに対する上記従来の対策では、コストアップを招来したり、適用し得る半導体パッケージ形態が限定されてしまって多種多様なワイヤーに適用できなかったり、或いは、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とするなどの問題がある。   However, the conventional measures for the wire flow cause an increase in cost, the applicable semiconductor package form is limited, and cannot be applied to a wide variety of wires, or the volume of resin supply that is very difficult There are problems such as requiring control.

つまり、半導体パッケージ形態や封止金型形状に適合した樹脂を開発することでワイヤー流れを防ぐ手法は、その都度新しい樹脂の開発・検討を伴うため、労力・開発時間を要しコストアップ要因となる。また、半導体パッケージ形態によっては樹脂開発でのワイヤー流れ対策が非常に困難な場合もある。   In other words, the method of preventing wire flow by developing a resin that is compatible with the semiconductor package form and sealing mold shape involves the development and study of a new resin each time. Become. Also, depending on the semiconductor package form, wire flow countermeasures in resin development may be very difficult.

予め樹脂により絶縁被覆されたワイヤーを用いることによりワイヤー流れ発生時の短絡不良を防ぐ手法は、ワイヤーを絶縁被覆しているためにワイヤーの自由度が低下し、ワイヤーボンディングデザインが大幅に縮小され、ワイヤーボンディング可能な半導体パッケージが大幅に減少する。   The method of preventing short-circuit failure at the time of wire flow generation by using a wire that has been pre-insulated with a resin reduces the degree of freedom of the wire because the wire is insulated, and the wire bonding design is greatly reduced. The number of wire-bondable semiconductor packages is greatly reduced.

特許文献1に開示されている、トランスファーモールド法による樹脂封止前にワイヤーのみを液樹脂で封止することによりワイヤー流れを防ぐ手法は、ワイヤーへの液樹脂の滴下を行うため、滴下方法によっては滴下ノズルとワイヤーとの接触が懸念される。また、滴下時の気泡の巻き込みによる信頼性低下も懸念され、樹脂供給の体積をコントロールすることが非常に困難である。さらに、半導体チップのワイヤーボンディングデザイン毎に適した、樹脂滴下および樹脂供給量の検討が必要となり多品種の半導体パッケージに適用する場合は生産性の低下を招き、樹脂開発の場合と同様、コストアップ要因となる。   The technique disclosed in Patent Document 1 that prevents the flow of the wire by sealing only the wire with the liquid resin before the resin sealing by the transfer molding method is to drop the liquid resin onto the wire. Is concerned about contact between the dripping nozzle and the wire. In addition, there is a concern about a decrease in reliability due to entrainment of bubbles at the time of dropping, and it is very difficult to control the volume of resin supply. In addition, it is necessary to study the resin dripping and the resin supply amount suitable for each wire bonding design of the semiconductor chip, and when applied to a wide variety of semiconductor packages, the productivity is lowered, and the cost is increased as in the case of resin development. It becomes a factor.

本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、その目的は、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置、及びその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is not to increase the cost or reduce the reliability of the semiconductor device, and to limit the applicable semiconductor package form. Semiconductor device capable of reliably preventing short-circuit failure due to wire flow of a wide variety of wires by an inexpensive method and ensuring a stable yield rate without requiring difficult resin supply volume control, and its It is to provide a manufacturing method.

本発明の第1の半導体装置は、上記の課題を解決するために、回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群を上方より覆い、かつ、隣接するワイヤー間の間隔を保持した状態で上記ワイヤー群を固定するシート状樹脂層が設けられていることを特徴としている。   In order to solve the above problems, a first semiconductor device of the present invention includes a semiconductor chip mounted on a circuit board with a circuit formation surface facing upward and connected to the circuit board by wire bonding, In a semiconductor device in which the circuit board is resin-sealed by a transfer mold method, a sheet that covers the wire group formed by wire bonding from above and that holds the wire group in a state of maintaining a distance between adjacent wires. It is characterized in that a shaped resin layer is provided.

これによれば、ワイヤーボンディングによるワイヤー群を上方より覆うシート状樹脂層が、隣接するワイヤー間の間隔を保持した状態でワイヤー群を固定しているので、トランスファーモールド法にて樹脂封止する際の樹脂の圧力に対してもワイヤー間の間隔を維持することが可能となり、ワイヤー流れによるワイヤー同士の短絡不良を無くすることができる。   According to this, since the sheet-shaped resin layer covering the wire group by wire bonding from above is fixing the wire group in a state where the interval between adjacent wires is maintained, when resin-sealing by the transfer molding method It becomes possible to maintain the space | interval between wires also with respect to the pressure of this resin, and the short circuit defect of the wires by a wire flow can be eliminated.

ここで、シート状樹脂層は、ワイヤー群を上方より覆い、かつ、隣接するワイヤー間の間隔を保持した状態でワイヤー群を固定するものであればよい。したがって、シート状樹脂層を構成する樹脂は、半導体パッケージ形態に関わらず、共通の樹脂を使用することができる。   Here, the sheet-like resin layer only needs to cover the wire group from above and fix the wire group in a state in which the interval between adjacent wires is maintained. Therefore, a common resin can be used as the resin constituting the sheet-shaped resin layer regardless of the semiconductor package form.

しかも、このようなシート状樹脂層は、ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上にシート状の樹脂(以下、樹脂シート)を載置し、これを軟化・溶融するなどしてワイヤー群の形状に沿わせると共に、各ワイヤーの少なくとも樹脂シートと接する面を樹脂シートに埋没させ、その後、硬化することで簡単に形成できるので、半導体パッケージの形態によらず適用できる。   In addition, such a sheet-like resin layer is placed on a wire group formed by wire bonding, and a sheet-like resin (hereinafter referred to as a resin sheet) is placed and softened / melted to conform to the shape of the wire group. At the same time, since at least the surface of each wire in contact with the resin sheet is buried in the resin sheet and then cured, it can be easily formed, so that it can be applied regardless of the form of the semiconductor package.

また、シート状樹脂層は、樹脂シートをワイヤー群の上に配置することで形成できるので、ワイヤーへの液樹脂の滴下する場合のように、滴下ノズルとワイヤーとの接触や、滴下時の気泡の巻き込み等も発生せず、不良品の発生率を低く抑えることができる。さらに、固体の樹脂シートであるので、その厚みを均一としておくことで、サイズにて樹脂供給の体積コントロールが可能となり、液体樹脂に比べて、製造が容易である。   In addition, since the sheet-like resin layer can be formed by placing the resin sheet on the wire group, as in the case of dripping the liquid resin onto the wire, contact between the dripping nozzle and the wire, or bubbles at the time of dripping The occurrence rate of defective products can be kept low. Furthermore, since it is a solid resin sheet, it is possible to control the volume of resin supply by the size by keeping the thickness uniform, and manufacture is easier compared to liquid resin.

それゆえ、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置を提供することができる。   Therefore, there is no increase in cost or reduction in reliability of the semiconductor device, and there is no need to limit the semiconductor package form that can be applied, or to control the volume of the resin supply that is very difficult. Therefore, it is possible to provide a semiconductor device that can reliably prevent short-circuit defects due to wire flows of a wide variety of wires by an inexpensive method and ensure a stable yield rate.

また、このようなシート状樹脂層を具備した本発明の第1の半導体装置は、回路基板上に搭載される半導体チップは1つに限るものではなく、複数個の半導体チップが回路基板上にエリアアレイ状に整列して配されており、各々の半導体チップにおけるワイヤーボンディングによるワイヤー群の上にシート状樹脂層が形成されている構成としてもよい。   The first semiconductor device of the present invention having such a sheet-like resin layer is not limited to one semiconductor chip mounted on the circuit board, and a plurality of semiconductor chips are mounted on the circuit board. It is good also as a structure by which the sheet-like resin layer is formed on the wire group by the wire bonding in each semiconductor chip arranged in the area array form.

また、このように半導体チップが複数個エリアアレイ状に整列して配置されている場合は、半導体チップの配列に応じた複数の半導体チップを1単位として単位毎にシート状樹脂層が配置されている構成とすることで、製造を容易にすることができる。   In addition, when a plurality of semiconductor chips are arranged in an area array, a sheet-like resin layer is arranged for each unit with a plurality of semiconductor chips corresponding to the arrangement of the semiconductor chips as one unit. With the configuration, manufacturing can be facilitated.

上記シート状樹脂層は、例えば熱硬化性樹脂を主成分とすることができ、中でもエポキシ樹脂を主成分とすることが好ましい。   The said sheet-like resin layer can have a thermosetting resin as a main component, for example, and it is preferable to have an epoxy resin as a main component especially.

本発明の第2の半導体装置は、上記課題を解決するために、回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群は、該ワイヤー群の上に配置された樹脂シートが溶融されることによりそれぞれ樹脂被覆されていることを特徴としている。   In order to solve the above problems, a second semiconductor device of the present invention includes a semiconductor chip mounted on a circuit board with a circuit formation surface facing upward and connected to the circuit board by wire bonding, In the semiconductor device in which the circuit board is resin-sealed by the transfer molding method, the wire group by the wire bonding is respectively resin-coated by melting the resin sheet disposed on the wire group. It is characterized by.

これによれば、ワイヤーボンディングによるワイヤー群を構成する各ワイヤーは、ワイヤー群の上に配置された樹脂シートが溶融されることによりそれぞれ樹脂被覆されているので、トランスファーモールド法にて樹脂封止する際の樹脂の圧力に対してワイヤー流れが生じても、ワイヤー流れによるワイヤー同士の短絡不良を無くすることができる。   According to this, since each wire which comprises the wire group by wire bonding is each resin-coated by the resin sheet arrange | positioned on a wire group being fuse | melted, it resin-seal | transfers by the transfer mold method Even if a wire flow occurs with respect to the pressure of the resin at the time, a short circuit failure between wires due to the wire flow can be eliminated.

ここで、樹脂シートは、ワイヤー群の上に配置され、溶融されることで各ワイヤーをそれぞれ樹脂被覆し得るものであればよい。したがって、樹脂シートを構成する樹脂は、半導体パッケージの形態に関わらず、共通の樹脂を使用することができる。   Here, the resin sheet should just be what can arrange | position each wire by resin arrangement | positioning by being arrange | positioned on a wire group and being fuse | melted. Therefore, the resin constituting the resin sheet can use a common resin regardless of the form of the semiconductor package.

しかも、ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを載置し、これを溶融(液化)するなどして各ワイヤーを被覆させ、その後硬化することで簡単に形成できるので、半導体パッケージの形態によらず適用でき、かつ、上記した第1の半導体装置よりも一層簡単に適用することができる。   Moreover, it can be easily formed by placing a resin sheet on a wire group by wire bonding, melting (liquefying) it, covering each wire, and then curing the resin sheet. And can be applied more easily than the first semiconductor device described above.

これはつまり、樹脂シートは、ここでは溶融(液化)されるので、第1の半導体装置のように、樹脂シート配置時の形状が残ることはなく、回路基板上に半導体チップが複数配置されている場合でも、レイアウトによらず一括して載置でき、また、各ワイヤーを被覆する以外の余分な樹脂にて、たとえ半導体チップが積層されており、ワイヤーボンディングによるワイヤーが3次元的に配置されていても各層のワイヤー群を同時に樹脂被覆することができからである。   This means that the resin sheet is melted (liquefied) here, so that the shape at the time of resin sheet arrangement does not remain unlike the first semiconductor device, and a plurality of semiconductor chips are arranged on the circuit board. Even if it is, it can be placed in a batch regardless of the layout, and even if the semiconductor chip is laminated with extra resin other than covering each wire, the wires by wire bonding are arranged three-dimensionally This is because the wire group of each layer can be coated with the resin at the same time.

また、この場合も、シート状樹脂層と同様、樹脂シートをワイヤー群の上に配置することで形成できるので、ワイヤーへの液樹脂の滴下する場合のように、滴下ノズルとワイヤーとの接触や、滴下時の気泡の巻き込み等も発生せず、不良品の発生率を低く抑えることができる。さらに、固体の樹脂シートであるので、その厚みを均一としておくことで、サイズにて樹脂供給の体積コントロールが可能となり、液体樹脂に比べて、製造が容易である。   Also in this case, as in the case of the sheet-like resin layer, the resin sheet can be formed by placing it on the wire group, so that the contact between the dropping nozzle and the wire or In addition, entrainment of bubbles at the time of dropping does not occur, and the occurrence rate of defective products can be kept low. Furthermore, since it is a solid resin sheet, it is possible to control the volume of resin supply by the size by keeping the thickness uniform, and manufacture is easier compared to liquid resin.

それゆえ、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置を提供することができる。   Therefore, there is no increase in cost or reduction in reliability of the semiconductor device, and there is no need to limit the semiconductor package form that can be applied, or to control the volume of the resin supply that is very difficult. Therefore, it is possible to provide a semiconductor device that can reliably prevent short-circuit defects due to wire flows of a wide variety of wires by an inexpensive method and ensure a stable yield rate.

また、このように、樹脂シートが溶融されることでワイヤー群のワイヤーがそれぞれ樹脂被覆されている本発明の第2の半導体装置は、回路基板上に搭載される半導体チップは1つに限るものではなく、複数個の半導体チップが回路基板上にエリアアレイ状に整列して配されており、各々の半導体チップにおけるワイヤーボンディングによるワイヤー群が樹脂シートを溶融したことで樹脂被覆されている構成としてもよい。   As described above, the second semiconductor device of the present invention in which the wires of the wire group are respectively coated with the resin by melting the resin sheet is limited to one semiconductor chip mounted on the circuit board. Instead, a plurality of semiconductor chips are arranged in an area array on the circuit board, and a wire group by wire bonding in each semiconductor chip is coated with resin by melting a resin sheet Also good.

上記樹脂シートも、シート状樹脂層と同様、例えば熱硬化性樹脂を主成分とすることができ、中でもエポキシ樹脂を主成分とすることが好ましい。
樹脂シートが溶融されることでワイヤー群のワイヤーがそれぞれ樹脂被覆されている本発明の第2の半導体装置は、回路基板における半導体チップの搭載面で、樹脂封止される部位の端部内側に、樹脂シートが溶融することにより流れ出た樹脂を溜めるための陥没部、或いは、樹脂シートが溶融することにより流れ出た樹脂を堰きとめるための凸部が形成されている構成とすることが好ましい。
Similarly to the sheet-like resin layer, the resin sheet can also contain, for example, a thermosetting resin as a main component, and preferably has an epoxy resin as a main component.
The second semiconductor device of the present invention, in which the wires of the wire group are respectively coated with the resin by melting the resin sheet, is located on the inner side of the end portion of the resin-sealed portion on the mounting surface of the semiconductor chip on the circuit board. It is preferable that a depressed portion for collecting the resin that has flowed out when the resin sheet is melted or a convex portion for blocking the resin that has flowed out when the resin sheet is melted is formed.

溶融して液化した樹脂は、回路基板上を広がるが、ここで樹脂封止時にモールド金型でクランプする部分まで樹脂が広がると、モールド金型での封止ができなくなり、樹脂封止が実施できなくなる。これによれば、回路基板上を広がる樹脂は、回路基板に設けられた陥没部に溜められる、或いは回路基板に設けられた凸部に堰きとめられることで、モールド金型でクランプする部分にまで広がらず、モールド金型での封止ができなくなるといった不具合を回避することができる。   The melted and liquefied resin spreads on the circuit board, but if the resin spreads to the part clamped by the mold during resin sealing, sealing with the mold becomes impossible and resin sealing is performed. become unable. According to this, the resin spreading on the circuit board is accumulated in the recessed portion provided on the circuit board, or is dammed by the convex part provided on the circuit board, so that the resin is clamped by the mold. It is possible to avoid problems such as not spreading and being unable to be sealed with a mold.

なお、上記した本発明の第1、第2の半導体装置において、ワイヤーボンディングにて回路基板と接続されている半導体チップは、別の半導体チップと積層されている構成であってもよく、該別の半導体チップがワイヤーボンディングにて上記回路基板に接続されている構成など、種々考えられる。   In the first and second semiconductor devices of the present invention described above, the semiconductor chip connected to the circuit board by wire bonding may be stacked with another semiconductor chip. Various configurations such as a configuration in which the semiconductor chip is connected to the circuit board by wire bonding are conceivable.

本発明の第1の、半導体装置の製造方法は、上記課題を解決するために、回路基板上に少なくとも1つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、上記樹脂シートを熱することで、ワイヤー群を上方より覆い、かつ、ワイヤー群を構成する各ワイヤーの少なくとも上記樹脂シートと接する側の面が上記樹脂シート内に埋没するように、樹脂シートを変形させる工程と、上記樹脂シートを上記変形を生じた状態で硬化させる工程と、上記樹脂シートの硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴としている。   In order to solve the above problems, a first method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of mounting at least one semiconductor chip on a circuit board with a circuit formation surface facing upward, the circuit board, and the circuit board A step of connecting the semiconductor chip mounted on the substrate by wire bonding, a step of arranging a resin sheet on the wire group by the wire bonding, and heating the resin sheet to cover the wire group from above And the process of deforming the resin sheet so that at least the surface on the side in contact with the resin sheet of each wire constituting the wire group is buried in the resin sheet; A step of curing, and a step of resin-sealing the circuit board by transfer molding after the resin sheet is cured. It is characterized in.

これにより、ワイヤー流れによるワイヤー同士の短絡不良を無くすることができる上記した本発明の第1の半導体装置を得ることができる。   Thereby, the above-described first semiconductor device of the present invention that can eliminate the short-circuit failure between the wires due to the wire flow can be obtained.

そして、既に説明したように、このような製造方法では、シート状樹脂層を構成する樹脂は、半導体パッケージの形態に関わらず、共通の樹脂を使用することができ、かつ、半導体パッケージの形態によらず適用できる。また、ワイヤーへの液樹脂の滴下する場合のように、滴下ノズルとワイヤーとの接触や、滴下時の気泡の巻き込み等も発生せず、不良品の発生率を低く抑えることができる。さらに、固体の樹脂シートであるので、その厚みを均一としておくことで、サイズにて樹脂供給の体積コントロールが可能となり、液体樹脂に比べて、製造が容易である。   And as already demonstrated, in such a manufacturing method, resin which comprises a sheet-like resin layer can use common resin irrespective of the form of a semiconductor package, and is in the form of a semiconductor package. Applicable regardless. Further, unlike the case where the liquid resin is dripped onto the wire, contact between the dripping nozzle and the wire, entrapment of bubbles at the time of dripping, and the like do not occur, and the generation rate of defective products can be kept low. Furthermore, since it is a solid resin sheet, it is possible to control the volume of resin supply by the size by keeping the thickness uniform, and manufacture is easier compared to liquid resin.

それゆえ、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。   Therefore, there is no increase in cost or reduction in reliability of the semiconductor device, and there is no need to limit the semiconductor package form that can be applied, or to control the volume of the resin supply that is very difficult. Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of reliably preventing short-circuit defects due to wire flows of a wide variety of wires by an inexpensive method and ensuring a stable yield rate.

また、該第1の製造方法においては、さらに、半導体チップを回路基板上に搭載する上記工程では、複数の半導体チップをエリアアレイ状に配置し、樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、半導体チップの配列に応じる、樹脂封止する後続工程での樹脂の圧力方向と直交する方向に並ぶ複数の半導体チップを1単位とし、単位毎に樹脂シートを配置するようにすることが好ましい。   Further, in the first manufacturing method, in the step of mounting the semiconductor chip on the circuit board, the step of disposing a plurality of semiconductor chips in an area array and disposing the resin sheet on the wire group. Then, it is preferable that a plurality of semiconductor chips arranged in a direction orthogonal to the resin pressure direction in the subsequent process of resin sealing according to the arrangement of the semiconductor chips be one unit, and a resin sheet be arranged for each unit. .

このようにすることで、本発明の第1の半導体装置であって、複数の半導体チップがエリアアレイ状に配置されてなる第1の半導体装置を、樹脂シートを半導体チップ毎に配置するのではなく複数の半導体チップを一まとめとして配置しながらも、樹脂封止時に樹脂の流れを阻害することなく構成とすることできる。   By doing in this way, it is the 1st semiconductor device of the present invention, Comprising: The 1st semiconductor device by which a plurality of semiconductor chips are arranged in an area array form does not arrange a resin sheet for every semiconductor chip In addition, a plurality of semiconductor chips can be arranged together, and the resin flow can be prevented from being hindered during resin sealing.

本発明の第2の、半導体装置の製造方法は、上記課題を解決するために、回路基板上に少なくとも1つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、上記樹脂シートを熱して溶融し、上記ワイヤー群を構成する各ワイヤーそれぞれを樹脂にて被覆する工程と、上記各ワイヤーそれぞれを樹脂被覆した状態で溶融した樹脂を硬化させる工程と、上記樹脂の硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴としている。   In order to solve the above-described problem, a second method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of mounting at least one semiconductor chip on a circuit board with a circuit forming surface facing upward, the circuit board, and the circuit board. The step of connecting the semiconductor chip mounted on the wire by wire bonding, the step of placing a resin sheet on the wire group by the wire bonding, and heating and melting the resin sheet to constitute the wire group A step of coating each wire with a resin, a step of curing a molten resin in a state where each of the wires is coated with a resin, and a step of resin-sealing the circuit board by a transfer molding method after the resin is cured It is characterized by having.

これにより、ワイヤー流れによるワイヤー同士の短絡不良を無くすることができる上記した本発明の第2の半導体装置を得ることができる。   Thereby, the above-mentioned 2nd semiconductor device of this invention which can eliminate the short circuit defect of the wires by a wire flow can be obtained.

そして、既に説明したように、このような製造方法では、樹脂シートを構成する樹脂は、半導体パッケージの形態に関わらず、共通の樹脂を使用することができ、かつ、半導体パッケージの形態によらず適用できる。   And as already explained, in such a manufacturing method, the resin constituting the resin sheet can use a common resin regardless of the form of the semiconductor package, and regardless of the form of the semiconductor package. Applicable.

また、ワイヤーへの液樹脂の滴下する場合のように、滴下ノズルとワイヤーとの接触や、滴下時の気泡の巻き込み等も発生せず、不良品の発生率を低く抑えることができる。さらに、固体の樹脂シートであるので、その厚みを均一としておくことで、サイズにて樹脂供給の体積コントロールが可能となり、液体樹脂に比べて、製造が容易である。   Further, unlike the case where the liquid resin is dripped onto the wire, contact between the dripping nozzle and the wire, entrapment of bubbles at the time of dripping, and the like do not occur, and the generation rate of defective products can be kept low. Furthermore, since it is a solid resin sheet, it is possible to control the volume of resin supply by the size by keeping the thickness uniform, and manufacture is easier compared to liquid resin.

加えて、樹脂シートは、ここでは溶融(液化)されるので、第1の製造方法のように、樹脂シート配置時の形状が残ることはなく、回路基板上に半導体チップが複数配置されている場合でも、レイアウトによらず一括して載置できる。また、各ワイヤーを被覆する以外の余分な樹脂にて、たとえ半導体チップが積層されており、ワイヤーボンディングによるワイヤーが3次元的に配置されていても各層のワイヤー群を同時に樹脂被覆することができる。したがって、上記した第1の製造方法よりも一層簡単にさまざまな形態の半導体パッケージに簡単に適用することができる。   In addition, since the resin sheet is melted (liquefied) here, the shape at the time of resin sheet arrangement does not remain unlike the first manufacturing method, and a plurality of semiconductor chips are arranged on the circuit board. Even in this case, it can be placed all at once regardless of the layout. Moreover, even if the semiconductor chip is laminated with an extra resin other than covering each wire and the wires by wire bonding are arranged three-dimensionally, the wire group of each layer can be coated with the resin simultaneously. . Therefore, the present invention can be easily applied to various forms of semiconductor packages more easily than the first manufacturing method described above.

それゆえ、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。   Therefore, there is no increase in cost or reduction in reliability of the semiconductor device, and there is no need to limit the semiconductor package form that can be applied, or to control the volume of the resin supply that is very difficult. Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of reliably preventing short-circuit defects due to wire flows of a wide variety of wires by an inexpensive method and ensuring a stable yield rate.

また、該第2の製造方法においては、さらに、半導体チップを回路基板上に搭載する上記工程では、複数の半導体チップをエリアアレイ状に配置し、樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、全半導体チップに対応する樹脂シートを一括して配置することが好ましい。   Further, in the second manufacturing method, in the step of mounting the semiconductor chip on the circuit board, the step of disposing a plurality of semiconductor chips in an area array and disposing the resin sheet on the wire group. Then, it is preferable to arrange the resin sheets corresponding to all the semiconductor chips together.

上述したように、樹脂シートは、ここでは溶融(液化)されるので、回路基板上に半導体チップが複数配置されている場合でも、レイアウトによらず一括して載置することができ、製造が容易になる。   As described above, since the resin sheet is melted (liquefied) here, even when a plurality of semiconductor chips are arranged on the circuit board, they can be placed in a lump regardless of the layout, and manufacturing is possible. It becomes easy.

また、上記した第1、第2の製造方法においては、樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、樹脂シートを耐熱性のキャリアシートに保持させておき、熱を利用して上記キャリアシートより上記樹脂シートを剥離するようにすることが好ましい。   In the first and second manufacturing methods described above, in the step of placing the resin sheet on the wire group, the resin sheet is held on a heat-resistant carrier sheet, and the carrier is utilized using heat. The resin sheet is preferably peeled from the sheet.

これによれば、キャリアシートを熱すること樹脂シートをワイヤー群の上に搭載できるので、樹脂シートをハンドリングして搭載する場合に比べて、薄い樹脂シートでも困難なくワイヤー群の上に配置できると共に、ワイヤーへのダメージを軽減することができる。   According to this, since the resin sheet can be mounted on the wire group by heating the carrier sheet, it can be arranged on the wire group without difficulty even with a thin resin sheet, as compared with the case where the resin sheet is handled and mounted. , Can reduce the damage to the wire.

そして、この場合、さらに、樹脂シートとこれを保持するキャリアシートとをロール状とし、一端を巻き取ることで連続的に樹脂シートをワイヤー群の上に供給するようにすることが、生産性向上の観点から言っても好ましい。   In this case, the productivity is improved by further rolling the resin sheet and the carrier sheet holding the resin sheet, and continuously feeding the resin sheet onto the wire group by winding up one end. From the point of view, it is preferable.

本発明の第1の半導体装置は、以上のように、回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群を上方より覆い、かつ、隣接するワイヤー間の間隔を保持した状態で上記ワイヤー群を固定するシート状樹脂層が設けられていることを特徴としている。   As described above, the first semiconductor device of the present invention includes the semiconductor chip mounted on the circuit board with the circuit formation surface facing upward and connected to the circuit board by wire bonding. In a semiconductor device that is resin-sealed by a transfer molding method, a sheet-like resin layer that covers the wire group formed by wire bonding from above and that fixes the wire group in a state in which an interval between adjacent wires is maintained. It is characterized by being provided.

本発明の第2の半導体装置は、以上のように、回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群は、該ワイヤー群の上に配置された樹脂シートが溶融されることによりそれぞれ樹脂被覆されていることを特徴としている。   As described above, the second semiconductor device of the present invention includes the semiconductor chip mounted on the circuit board with the circuit formation surface facing upward and connected to the circuit board by wire bonding. In the semiconductor device which is resin-sealed by the transfer molding method, the wire group by the wire bonding is characterized in that the resin sheet disposed on the wire group is respectively resin-coated by melting. Yes.

本発明の第1の、半導体装置の製造方法は、以上のように、回路基板上に少なくとも1つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、上記樹脂シートを熱することで、ワイヤー群を上方より覆い、かつ、ワイヤー群を構成する各ワイヤーの少なくとも上記樹脂シートと接する側の面が上記樹脂シート内に埋没するように、樹脂シートを変形させる工程と、上記樹脂シートを上記変形を生じた状態で硬化させる工程と、上記樹脂シートの硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴としている。   As described above, the first method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of mounting at least one semiconductor chip on a circuit board with a circuit formation surface facing upward, and the circuit board and the circuit board. The step of connecting the semiconductor chip by wire bonding, the step of placing a resin sheet on the wire group by the wire bonding, and heating the resin sheet, covering the wire group from above, and A step of deforming the resin sheet so that at least a surface in contact with the resin sheet of each wire constituting the wire group is buried in the resin sheet, and a step of curing the resin sheet in a state where the deformation is caused And a step of resin-sealing the circuit board by a transfer molding method after the resin sheet is cured. There.

本発明の第2の、半導体装置の製造方法は、以上のように、回路基板上に少なくとも1つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、上記樹脂シートを熱して溶融し、上記ワイヤー群を構成する各ワイヤーそれぞれを樹脂にて被覆する工程と、上記各ワイヤーそれぞれを樹脂被覆した状態で溶融した樹脂を硬化させる工程と、上記樹脂の硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴としている。   As described above, the second method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of mounting at least one semiconductor chip on a circuit board with a circuit formation surface facing upward, and the circuit board and the circuit board. The step of connecting the semiconductor chip by wire bonding, the step of arranging a resin sheet on the wire group by the wire bonding, and heating and melting the resin sheet, each wire constituting the wire group A step of curing the melted resin in a state where each of the wires is coated with a resin, and a step of resin-sealing the circuit board by a transfer molding method after the resin is cured. It is characterized by that.

それゆえ、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置、及びその製造方法を提供することができるという効果を奏する。   Therefore, there is no increase in cost or reduction in reliability of the semiconductor device, and there is no need to limit the semiconductor package form that can be applied, or to control the volume of the resin supply that is very difficult. There is an effect that it is possible to provide a semiconductor device capable of reliably preventing a short circuit failure due to a wire flow of a wide variety of wires by an inexpensive method and ensuring a stable yield rate and a manufacturing method thereof.

本発明に係る実施の形態について、図1ないし図14に基づいて説明すると以下の通りである。   Embodiments according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

図1は、本発明の第1の実施形態である半導体装置30の構成を示す斜視図であり、図2は、図1のA−A’線断面図である。但し、図1において、モールド樹脂9は記載を省略している。   FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a semiconductor device 30 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 1. However, in FIG. 1, the description of the mold resin 9 is omitted.

半導体装置30は、CSP(Chip Size(Scale) Package)であり、回路基板2を有し、該回路基板2上に半導体チップ1が1つフェイスアップで搭載されている。回路基板2と半導体チップ1とは、ペースト状接着剤或いはシート状接着剤等にて機械的に接続されている。   The semiconductor device 30 is a CSP (Chip Size (Scale) Package), has a circuit board 2, and one semiconductor chip 1 is mounted face-up on the circuit board 2. The circuit board 2 and the semiconductor chip 1 are mechanically connected with a paste adhesive or a sheet adhesive.

一方、回路基板2と半導体チップ1との電気的な接続は、ワイヤーボンディング法を用いて行われている。詳細には、半導体チップ1の回路形成面1aの複数の電極(不図示)と、回路基板2における半導体チップ1を搭載した面(以下、チップ搭載面)に形成された複数の接続パッド10…とが、ワイヤーボンディングによるワイヤー3…(ワイヤー群)にて接続されている。   On the other hand, the electrical connection between the circuit board 2 and the semiconductor chip 1 is performed using a wire bonding method. Specifically, a plurality of electrodes (not shown) on the circuit formation surface 1a of the semiconductor chip 1 and a plurality of connection pads 10 formed on the surface (hereinafter referred to as a chip mounting surface) on the circuit board 2 on which the semiconductor chip 1 is mounted. Are connected by wires 3 (wire group) by wire bonding.

回路基板2のチップ搭載面は、半導体チップ1を搭載した状態でトランスファーモールド法にて樹脂封止されており、モールド樹脂9にて覆われている。また、回路基板2におけるチップ搭載面の反対側(裏面)には、外部接続用のバンプ11が複数形成されている。   The chip mounting surface of the circuit board 2 is resin-sealed by the transfer molding method with the semiconductor chip 1 mounted, and is covered with the mold resin 9. A plurality of bumps 11 for external connection are formed on the opposite side (back side) of the chip mounting surface of the circuit board 2.

なお、回路基板2とワイヤーボンディングされる半導体チップ1の構成は、本実施形態を含め以下に示すどの実施形態においても特に限定されず、どのような種類の半導体チップでも使用可能である。また、回路基板2も同様であり、以下に示す何れの実施形態でも、金属製のリードフレームや、BT(ビスマレイミド・トリアジン)レジン、ポリイミド等の有機基板等の各種基板の使用が可能である。   Note that the configuration of the semiconductor chip 1 wire-bonded to the circuit board 2 is not particularly limited in any of the embodiments described below including this embodiment, and any type of semiconductor chip can be used. The circuit board 2 is also the same. In any of the embodiments described below, various substrates such as a metal lead frame, an organic substrate such as a BT (bismaleimide / triazine) resin, and polyimide can be used. .

そして、本実施形態である半導体装置30においては、注目すべき構成として、回路基板2と半導体チップ1とを接続するワイヤーボンディングによるワイヤー3…を覆うように、シート状樹脂層4が設けられ、各ワイヤー3がシート状樹脂層4に埋没するような形となっている。   And in the semiconductor device 30 which is this embodiment, the sheet-like resin layer 4 is provided so that the wire 3 by wire bonding which connects the circuit board 2 and the semiconductor chip 1 may be covered as a remarkable structure, Each wire 3 is shaped to be buried in the sheet-like resin layer 4.

シート状樹脂層4は、半導体チップ1と回路基板2とを接続するワイヤー3…が、後工程のトランスファーモールド法によって樹脂封止する際に、樹脂(モールド樹脂9)の圧力にて前述したワイヤー流れを発生し、それによる短絡不良を防止するためのものである。   The sheet-like resin layer 4 is formed by the wire 3 that connects the semiconductor chip 1 and the circuit board 2 with the pressure of the resin (mold resin 9) described above when the resin sealing is performed by a transfer molding method in a later step. It is for generating a flow and preventing a short circuit failure due to the flow.

ワイヤー3…は、少なくともシート状樹脂層4と接する側の面でシート状樹脂層4内に埋没されており、シート状樹脂層4によって、隣接するワイヤー3・3間の間隔を保持した状態で固定されている。したがって、樹脂封止の際にモールド樹脂が注入されても、その圧力にて各ワイヤー3が変形するワイヤー流れは発生せず、隣接するワイヤー3・3間の間隔は確実に保持され、ワイヤー3・3同士は接触することなく短絡不良は発生しない。   The wires 3 are embedded in the sheet-shaped resin layer 4 at least on the surface in contact with the sheet-shaped resin layer 4, and the sheet-shaped resin layer 4 maintains a gap between the adjacent wires 3 and 3. It is fixed. Therefore, even if the mold resin is injected at the time of resin sealing, the wire flow in which each wire 3 is deformed by the pressure does not occur, and the interval between the adjacent wires 3 and 3 is reliably maintained.・ Three shorts do not contact each other and no short circuit failure occurs.

なお、シート状樹脂層4はワイヤー3…のワイヤー流れを阻止するものであればよいので、必ずしもワイヤー3…を埋没するようにワイヤー3…を保持する必要はなく、ワイヤー3…を互いの間隔を確保した状態で固定できればよい。   In addition, since the sheet-like resin layer 4 should just be what prevents the wire flow of wire 3 ..., it is not necessary to hold | maintain wire 3 ... so that wire 3 ... may be buried, and wire 3 ... is mutually spaced. What is necessary is just to be able to fix in the state which secured.

このようなワイヤー流れの阻止を目的としたシート状樹脂層4の材料としては、樹脂シート4’を半導体チップ1上に搭載した時、もしくは搭載後に加熱することにより軟化し、或いは溶融し、その後、硬化するような樹脂材料を用いることが好ましい。中でも常温では固体状態を保ち、熱した時に溶融して液状となり、その後の熱処理により完全に固体化する熱硬化性樹脂を用いた材料を使用するのが望ましく、熱硬化性樹脂の中でも特にエポキシ樹脂を用いたものが望ましい。   As a material of the sheet-like resin layer 4 for the purpose of preventing such a wire flow, the resin sheet 4 ′ is softened or melted by heating when mounted on the semiconductor chip 1 or after mounting, and thereafter It is preferable to use a resin material that cures. In particular, it is desirable to use a material that uses a thermosetting resin that maintains a solid state at room temperature, melts into a liquid state when heated, and then solidifies completely by heat treatment. The one using is desirable.

また、半導体チップ1上に供給する樹脂シート4’の供給サイズとしては、ワイヤーボンディングされたワイヤー3…の全長をすべて被覆できるサイズとすることで、ワイヤー流れを確実に防止できるが、図15(a)(b)を用いて説明したように、ワイヤー100の最も高い部分が変形することで、ワイヤー流れは発生する。したがって、少なくともワイヤー3…の最も高い部分を固定することで、流れ量を小さくしてワイヤー流れを抑えることができるので、樹脂シート4’の供給サイズは、半導体チップ1の回路形成面1aから、ワイヤー3…の高さが最も高い部分までを被覆するようなサイズとしてもよい。   Further, as the supply size of the resin sheet 4 ′ supplied onto the semiconductor chip 1, the wire flow can be surely prevented by setting the size to be able to cover the entire length of the wire bonded wires 3. As described with reference to a) and (b), the highest part of the wire 100 is deformed to generate a wire flow. Therefore, by fixing at least the highest part of the wires 3 ..., the flow amount can be reduced and the wire flow can be suppressed. Therefore, the supply size of the resin sheet 4 ′ is determined from the circuit formation surface 1 a of the semiconductor chip 1. It is good also as a size which covers even the part with the highest height of wire 3 ....

なお、ワイヤーに撓んで部分がある場合は、撓み部分が変形することでワイヤー流れは発生するので、その場合は、樹脂シートの供給サイズとしては、半導体チップの回路形成面からワイヤーの撓んだ部分までを被覆するようなサイズとすればよい。   In addition, when there is a bent part in the wire, a wire flow is generated by the deformation of the bent part. In that case, as the supply size of the resin sheet, the wire is bent from the circuit forming surface of the semiconductor chip. What is necessary is just to set it as the size which covers even a part.

さらに、半導体チップ1上に供給する樹脂シート4’の形状として、ここでは半導体チップ1の回路形成面1aを含めてワイヤー3…を覆う矩形形状としていたが、ワイヤー3…の最も高さが高い部分のみを被覆することでワイヤー流れの発生を防止できるので、矩形の中央部が開口された中抜き状であってもよい。但し、薄い樹脂シート4’の取り扱いを考慮すると、矩形形状とする方が好ましい。   Further, as the shape of the resin sheet 4 ′ supplied onto the semiconductor chip 1, a rectangular shape covering the wires 3 including the circuit forming surface 1 a of the semiconductor chip 1 is used here, but the height of the wires 3 is the highest. Since the generation of the wire flow can be prevented by covering only the portion, a hollow shape in which the central portion of the rectangle is opened may be used. However, considering the handling of the thin resin sheet 4 ′, the rectangular shape is preferable.

続いて、半導体装置30の製造方法を説明する。まず、回路基板2上に半導体チップ1を、回路形成面1aを上向きに(フェイスアップ)搭載し、ペースト状接着剤或いはシート状接着剤等を用いて両者を接着する。次に、回路基板2の接続パッド10…と半導体チップ1の電極とをワイヤーボンディング装置を用いてワイヤーボンディングにて接続する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device 30 will be described. First, the semiconductor chip 1 is mounted on the circuit board 2 with the circuit formation surface 1a facing upward (face up), and both are bonded using a paste adhesive or a sheet adhesive. Next, the connection pads 10 of the circuit board 2 and the electrodes of the semiconductor chip 1 are connected by wire bonding using a wire bonding apparatus.

ワイヤーボンディングが済むと、図3、図4(a)(b)に示すように、シート状樹脂層4となる樹脂シート4’を、半導体チップ1の上方より、半導体チップ1を含めてワイヤー3…を覆うように搭載する。続いて、図4(c)に示すように、樹脂シート4’を加熱して溶融(軟化)させ、ワイヤー3…の形状に沿わせると共に、各ワイヤー3を樹脂シート4’に埋没させた後、その状態で樹脂シート4’を硬化する。これにより、半導体チップ1をワイヤー3…を含めて覆う上記のようなシート状樹脂層4を形成することがきる。   After the wire bonding, as shown in FIGS. 3, 4 (a) and 4 (b), the resin sheet 4 ′ to be the sheet-like resin layer 4 is placed on the wire 3 including the semiconductor chip 1 from above the semiconductor chip 1. It is mounted to cover ... Subsequently, as shown in FIG. 4C, after the resin sheet 4 ′ is heated and melted (softened) to conform to the shape of the wires 3 ..., each wire 3 is buried in the resin sheet 4 ′. In this state, the resin sheet 4 ′ is cured. Thereby, the sheet-like resin layer 4 as described above that covers the semiconductor chip 1 including the wires 3 can be formed.

その後、回路基板2上をトランスファーモールド法にて樹脂封止する。詳細には、回路基板2に後述するモールド金型5(図8、図11、図12参照)をクランプし、回路基板2と金型5との間にモールド樹脂9を注入する空間部を形成し、これにモールド樹脂9を注入する。このような工程を経ることで、上記半導体装置30を得ることができる。   Thereafter, the circuit board 2 is resin-sealed by a transfer molding method. Specifically, a mold die 5 (see FIGS. 8, 11, and 12), which will be described later, is clamped on the circuit board 2, and a space for injecting the mold resin 9 is formed between the circuit board 2 and the die 5. Then, mold resin 9 is injected into this. The semiconductor device 30 can be obtained through such steps.

次に、本発明の第2の実施形態である半導体装置31について説明する。なお、説明の便宜上、前述の実施の形態で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付してその説明を省略する。   Next, the semiconductor device 31 which is the 2nd Embodiment of this invention is demonstrated. For convenience of explanation, members having the same functions as those used in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図5は、半導体装置31の斜視図であり、ここでもモールド樹脂9は記載を省略している。図1の半導体装置30との構造上の違いは、シート状の形状を保持した状態でワイヤー3…を固定していたシート状樹脂層4に代えて、ワイヤー3…の上に配置された樹脂シート11’(図4(a)(b)参照)が完全に溶融され液化されることで、各ワイヤー3が1本ずつ、樹脂11で被覆されている点である。また、半導体装置30との製造上の違いは、ワイヤー3…の上に配置された樹脂シート11’(図4(a)(b)参照)を溶融して完全に液化させる点である。   FIG. 5 is a perspective view of the semiconductor device 31, and the description of the mold resin 9 is also omitted here. 1 differs from the semiconductor device 30 in FIG. 1 in that the resin disposed on the wires 3 instead of the sheet-like resin layer 4 that has fixed the wires 3 while maintaining the sheet-like shape. The sheet 11 ′ (see FIGS. 4A and 4B) is completely melted and liquefied, so that each wire 3 is covered with the resin 11 one by one. Further, the difference in manufacturing from the semiconductor device 30 is that the resin sheet 11 ′ (see FIGS. 4A and 4B) disposed on the wires 3 is melted and completely liquefied.

このように各ワイヤー3が個々に樹脂11にて被覆されることで、後工程のトランスファーモールド法による樹脂封止工程で、モールド樹脂9の注入圧力にてワイヤー3…にワイヤー流れが発生したとしても、短絡不良は発生しない。また、ワイヤー3自身も樹脂11にて被覆されることで、変形し難く、ワイヤー流れが生じたとしても、その流れ量は僅かである。   In this way, each wire 3 is individually coated with the resin 11, so that a wire flow is generated in the wires 3... However, a short circuit failure does not occur. Further, the wire 3 itself is also covered with the resin 11 so that it is difficult to be deformed, and even if a wire flow occurs, the flow amount is small.

なお、このように樹脂シート11’を溶融させて完全に液化する方法では、溶融した樹脂であって、ワイヤー3の被覆に用いられなかった樹脂は、回路基板2上に広がることとなり、図5では、参照符号11aにて広がった樹脂を示している。半導体チップ1の回路形成面1aを始めとして、回路基板2の搭載面は、後工程でモールド樹脂9にて樹脂封止される部位であるので、樹脂11aにて被覆されても何ら問題ない。   In this way, in the method in which the resin sheet 11 ′ is melted and completely liquefied, the molten resin that is not used for covering the wire 3 spreads on the circuit board 2, and FIG. Shows the resin spread by reference numeral 11a. The mounting surface of the circuit board 2 including the circuit forming surface 1a of the semiconductor chip 1 is a part that is resin-sealed with the mold resin 9 in a later process, and therefore there is no problem even if it is covered with the resin 11a.

このような樹脂シート11’としては、半導体チップ1上に搭載した時、もしくは搭載後に加熱することにより溶融して完全に液化し、その後、硬化するような樹脂材料を用いることが好ましい。中でも常温では固体状態を保ち、熱した時に溶融して液状となり、その後の熱処理により完全に固体化する熱硬化性樹脂を用いた材料を使用するのが望ましく、熱硬化性樹脂の中でも特にエポキシ樹脂を用いたものが望ましい。   As such a resin sheet 11 ′, it is preferable to use a resin material that is melted and liquefied completely by heating when mounted on the semiconductor chip 1 or after mounting, and then cured. In particular, it is desirable to use a material that uses a thermosetting resin that maintains a solid state at normal temperature, melts into a liquid state when heated, and then solidifies completely by heat treatment, and is particularly an epoxy resin among thermosetting resins. The one using is desirable.

なお、このような樹脂シート11’を完全に溶融して液化させ、各ワイヤー3を樹脂被覆することで、ワイヤー流れによる短絡不良を防止する構成は、実施の形態4にて後述するように、回路基板上に半導体チップが複数搭載されている構成により適している。   In addition, the structure which prevents the short circuit defect by a wire flow by melt | dissolving and liquefying such resin sheet 11 'completely, and coat | covering each wire 3 is mentioned later in Embodiment 4. A configuration in which a plurality of semiconductor chips are mounted on a circuit board is more suitable.

次に、本発明の第3の実施形態である半導体装置について説明する。なお、説明の便宜上、前述の実施の形態で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付してその説明を省略する。   Next, a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention will be described. For convenience of explanation, members having the same functions as those used in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

本実施形態の半導体装置は、図7に示すように、回路基板2上に、半導体チップ1が複数個、エリアアレイ状に整列して配されており、この点が、第1の実施形態である図1の半導体装置30と異なる。図7は、モールド金型5封止状態でのモールド樹脂9封入時の概略図である。   As shown in FIG. 7, the semiconductor device of this embodiment has a plurality of semiconductor chips 1 arranged in an area array on a circuit board 2, and this point is the same as that of the first embodiment. It differs from the semiconductor device 30 of FIG. FIG. 7 is a schematic view when the mold resin 9 is sealed in a state where the mold 5 is sealed.

図6(a)に示すように、本半導体装置でも、回路基板2上のワイヤーボンディング済みの半導体チップ1上に、樹脂シート4’が搭載され、図6(b)に示すように、該樹脂シート4’が加熱して軟化・溶融され、ワイヤー3…の形状に沿い、かつ、各ワイヤー3が樹脂シート4’に埋没した状態で、樹脂シート4’を硬化させる。   As shown in FIG. 6A, also in this semiconductor device, the resin sheet 4 ′ is mounted on the semiconductor chip 1 on the circuit board 2 on which wire bonding has been completed. The sheet 4 ′ is heated and softened and melted, and the resin sheet 4 ′ is cured in a state along the shape of the wires 3 and each wire 3 embedded in the resin sheet 4 ′.

そして、本半導体装置のように、複数個の半導体チップ1が回路基板2上にエリアアレイ状に搭載されている構成において、シート形状を確保したシート状樹脂層4を具備させる場合は、樹脂封止時のモールド樹脂9の樹脂流路を妨害しないように、樹脂シート4’を搭載する必要がある。   In the configuration in which a plurality of semiconductor chips 1 are mounted on the circuit board 2 in an area array like the semiconductor device, when the sheet-shaped resin layer 4 having a secured sheet shape is provided, It is necessary to mount the resin sheet 4 ′ so as not to obstruct the resin flow path of the mold resin 9 when stopped.

そのため、ここでは、図7に示すように、矢印25にて示す、樹脂封止する後続工程でのモールド樹脂9の圧力方向(流路方向に同じ)と直交する方向(行方向)に並ぶ複数の半導体チップ1…を1単位とし、単位毎に樹脂シート4’を配置している。このように樹脂シート4’を配置することで、樹脂シート4’を半導体チップ1毎に配置するのではなくある程度一まとめとして配置しながらも、樹脂封止時にモールド樹脂9の流れを阻害することがなく、モールド樹脂9を回路基板2上の隅々に十分に行きわたらせることができる。樹脂シート4’の厚みとしては、20umから50umくらいが、取り扱い等の面で適宜である。なお、図中ライン12で囲う領域が、モールド樹脂9にて樹脂封止するエリアである。また、図7では、便宜上、樹脂シート4’を記載しているが、樹脂封止時、樹脂シート4’は既に加熱されているので、シート状樹脂層4となっている。   Therefore, here, as shown in FIG. 7, a plurality of lines arranged in the direction (row direction) orthogonal to the pressure direction (same as the flow path direction) of the mold resin 9 in the subsequent process of resin sealing, as indicated by an arrow 25. The semiconductor chips 1 are defined as one unit, and a resin sheet 4 ′ is arranged for each unit. By disposing the resin sheet 4 ′ in this way, the resin sheet 4 ′ is not disposed for each semiconductor chip 1 but arranged to some extent, but the flow of the mold resin 9 is inhibited during resin sealing. Therefore, the mold resin 9 can be sufficiently distributed to every corner on the circuit board 2. The thickness of the resin sheet 4 ′ is about 20 μm to 50 μm in view of handling. In addition, the area | region enclosed with the line 12 in the figure is an area sealed with the mold resin 9. In FIG. 7, the resin sheet 4 ′ is shown for convenience. However, the resin sheet 4 ′ is already heated at the time of resin sealing, so that the sheet-like resin layer 4 is formed.

また、図8に、複数の半導体チップ1…を1単位として樹脂シート4’を搭載するときの搭載位置の例を示す。半導体チップ1には、ワイヤー3…が4方向に接続されている。樹脂シート4’は、樹脂封止時のモールド樹脂9の流路方向25と直交するように載置されている。このような場合、モールド樹脂9の流路方向25に対しては、垂直方向にワイヤー接続した部分は必然的にワイヤー全てが被覆される。流路方向25に対して、同方向にワイヤー接続した部分の樹脂シート4’の被覆範囲としては、最小限ワイヤー3高さが高い部分までとなる。   8 shows an example of a mounting position when the resin sheet 4 'is mounted with a plurality of semiconductor chips 1 as a unit. Wires 3 are connected to the semiconductor chip 1 in four directions. The resin sheet 4 ′ is placed so as to be orthogonal to the flow path direction 25 of the mold resin 9 at the time of resin sealing. In such a case, with respect to the flow path direction 25 of the mold resin 9, all the wires are inevitably covered with the portion that is wire-connected in the vertical direction. The covering range of the resin sheet 4 ′ in the portion wire-connected in the same direction with respect to the flow path direction 25 is a portion having a minimum height of the wire 3.

次に、本発明の第4の実施形態である半導体装置について説明する。なお、説明の便宜上、前述の実施の形態で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付してその説明を省略する。   Next, a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention will be described. For convenience of explanation, members having the same functions as those used in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

本実施形態の半導体装置と図5の半導体装置31との違いは、回路基板2上に、半導体チップ1が複数個、エリアアレイ状に整列して配されている点である。   A difference between the semiconductor device of this embodiment and the semiconductor device 31 of FIG. 5 is that a plurality of semiconductor chips 1 are arranged on the circuit board 2 in an array of areas.

図9(a)に示すように、本実施形態の半導体装置でも、回路基板2上の半導体チップ1(ワイヤーボンディング済み)上に、樹脂シート11’が搭載される。但し、樹脂シート11’の供給サイズは、エリアアレイ状に並ぶ複数の半導体チップ1…を全部覆うようなサイズであり、全半導体チップ1に対して一括して搭載される。そして、図9(b)(c)に示すように、該樹脂シート11’が加熱され、溶融して完全に液化されることで、各ワイヤー3が1本ずつ樹脂11で被覆されて硬化され、その後、トランスファーモールド法にて樹脂封止される。なお、参照符号11aは、ワイヤー3の被覆に用いられず、回路基板2上に広がった樹脂11aである。   As shown in FIG. 9A, also in the semiconductor device of this embodiment, the resin sheet 11 'is mounted on the semiconductor chip 1 (wire-bonded) on the circuit board 2. However, the supply size of the resin sheet 11 ′ is a size that covers all of the plurality of semiconductor chips 1 arranged in an area array, and is mounted on all the semiconductor chips 1 at a time. Then, as shown in FIGS. 9B and 9C, the resin sheet 11 ′ is heated, melted and completely liquefied, so that each wire 3 is coated with the resin 11 one by one and cured. Thereafter, resin sealing is performed by a transfer molding method. Reference numeral 11 a is a resin 11 a that is not used for covering the wire 3 and spreads on the circuit board 2.

複数個の半導体チップ1…が回路基板2上にエリアアレイ状に搭載され、その後、一括で樹脂封止を行うような基板デザインの場合については、実施の形態3の半導体装置のようにシート状樹脂層4として、樹脂シート4’の形状を留めた状態とするよりも、本実施形態のように、樹脂シート11’の搭載時もしくは搭載後に加熱することで完全に液化して、各ワイヤー3表面を絶縁被覆する方法とするほうが効率的である。   In the case of a substrate design in which a plurality of semiconductor chips 1... Are mounted in an area array on a circuit board 2 and then encapsulated with resin, a sheet shape as in the semiconductor device of the third embodiment. The resin layer 4 is completely liquefied by heating at the time of mounting or after mounting the resin sheet 11 ′, as in this embodiment, rather than the state in which the shape of the resin sheet 4 ′ is fixed. It is more efficient to use an insulating coating on the surface.

その理由としては、樹脂シート11’が完全に液化されて元々のシート形状を留めないので、ワイヤー流れ防止のための樹脂シート11’の材料供給に際して、全半導体チップ1…全てを覆うようなサイズのものを供給することで全半導体チップ1…に対して一括供給できる点、半導体チップ1の配置のレイアウトの違いに依存することなく供給できる点、半導体チップ1が後述の図14に示すように、他の半導体チップと積層され3次元的であっても被覆が可能であること等を挙げることができる。   The reason is that the resin sheet 11 ′ is completely liquefied and does not retain its original sheet shape, so that the size of the entire semiconductor chip 1 is covered when supplying the material of the resin sheet 11 ′ for preventing wire flow. Can be supplied to all the semiconductor chips 1 at a time, and can be supplied without depending on the layout difference of the arrangement of the semiconductor chips 1, as shown in FIG. It can be mentioned that it is possible to coat even if it is laminated with another semiconductor chip and is three-dimensional.

ところで、第2の実施形態の半導体装置31でも同様であるが、本実施形態のように、樹脂シート11’を完全に液化して各ワイヤー3を被覆する場合、図10(a)(b)に示すように、液化した樹脂は回路基板2上を広がるが、もしもその場合に、参照符号11bにて示すように、樹脂封止時にモールド金型5でクランプする部分にまで広がってしまうと、金型5での封止ができなくなってしまう恐れがある。   By the way, although it is the same also with the semiconductor device 31 of 2nd Embodiment, when resin sheet | seat 11 'is completely liquefied and each wire 3 is coat | covered like this embodiment, Fig.10 (a) (b) The liquefied resin spreads on the circuit board 2, as shown by reference numeral 11b, in that case, if it spreads to the part clamped by the mold die 5 at the time of resin sealing, There is a risk that the mold 5 cannot be sealed.

このような不具合を防ぐためには、回路基板2の半導体チップ1を搭載する面であり、樹脂封止される部位の端部内側に、図11(a)(b)に示すように、樹脂溜め機能を果たす陥没部6を設けたり、図12(a)(b)のように、回路基板2上を流れる樹脂の流動を堰きとめて阻止する凸部(ダムバー)7を設けたりすることが好ましい。   In order to prevent such a problem, a resin reservoir is provided on the surface of the circuit board 2 on which the semiconductor chip 1 is mounted and inside the end portion of the resin-sealed portion, as shown in FIGS. It is preferable to provide a depressed portion 6 that performs a function, or to provide a convex portion (dam bar) 7 that dams and prevents the flow of resin flowing on the circuit board 2 as shown in FIGS. .

樹脂溜めの機能を果たす陥没部6は、例えば、回路基板2上の接続パッド10以外の部分に被覆されているソルダーレジスト14を用いて形成することができる。図11(a)(b)のように、モールド金型5のクランプ部近傍のソルダーレジスト14を開口することで陥没部を作成することが可能である。該陥没部6は、モールド金型5のクランプ部近傍の内側部分に一続きの枠状にて形成しても、部分的に形成してもよい。   The depressed portion 6 that functions as a resin reservoir can be formed using, for example, a solder resist 14 that is coated on a portion other than the connection pads 10 on the circuit board 2. As shown in FIGS. 11A and 11B, it is possible to create a depressed portion by opening the solder resist 14 in the vicinity of the clamp portion of the mold 5. The depressed portion 6 may be formed in a continuous frame shape in the inner portion near the clamp portion of the mold 5 or may be partially formed.

樹脂の流動を阻止する凸部7について、例えば、図12(a)(b)のように、モールド金型5のクランプ部近傍に、ガラスエポキシ基板等を切断した部品を、半導体用接着剤を用いて搭載することで作成することが可能である。該凸部7も、モールド金型5のクランプ部近傍の内側部分に一続きの壁状に形成しても、部分的に形成してもよい。   About the convex part 7 which blocks | prevents resin flow, for example, as shown in FIGS. 12A and 12B, a part obtained by cutting a glass epoxy substrate or the like in the vicinity of the clamp part of the mold 5 is bonded with a semiconductor adhesive. It is possible to create it by using it. The convex portion 7 may also be formed in a continuous wall shape in the inner portion near the clamp portion of the mold 5 or may be partially formed.

また、樹脂シート4’・11’のワイヤーボンディング済みの半導体チップ1上への供給方法に関しては、樹脂シート4’・11’のみをハンドリングして搭載する方法が一般的であるが、樹脂シート4’・11’が薄い場合、ハンドリングが困難となる。ハンドリングが困難な場合は、図13(a)〜(c)に示すように、樹脂シート4’・11’が必要な供給サイズ毎に耐熱性のキャリアテープ(支持体)8に担持され、キャリアテープと一体にロール状に巻き取られてなる樹脂シートロール15を用いることが好ましい。   As for the method of supplying the resin sheets 4 ′ and 11 ′ onto the wire-bonded semiconductor chip 1, a method of handling and mounting only the resin sheets 4 ′ and 11 ′ is generally used. When “11” is thin, handling becomes difficult. When handling is difficult, as shown in FIGS. 13A to 13C, resin sheets 4 ′ and 11 ′ are carried on a heat-resistant carrier tape (support) 8 for each required supply size, and the carrier It is preferable to use a resin sheet roll 15 that is wound into a roll integrally with the tape.

該樹脂シートロール15を用い、その一端を回転軸19等で巻き取らせる構成とすることで、樹脂シート4’・11’を連続的に、供給位置下方に設置される半導体チップ1…に供給することが可能となる。また、耐熱性のキャリアテープを用いることで、熱を使うことで樹脂シート4’・11’とキャリアレープとが分離して半導体チップ1…上へ載置できるので、ワイヤー3へのダメージも軽減できる。なお、テープキャリアを加熱する過熱手段は図示していない。また、ローラ16・16は、供給位置のキャリアテープに張り持たせるテンションローラである。   By using the resin sheet roll 15 and having one end wound up by the rotary shaft 19 or the like, the resin sheets 4 'and 11' are continuously supplied to the semiconductor chips 1 installed below the supply position. It becomes possible to do. In addition, by using heat-resistant carrier tape, resin sheets 4 'and 11' and carrier rape can be separated and placed on the semiconductor chip 1 ... by using heat, thus reducing damage to the wire 3 it can. Note that superheating means for heating the tape carrier is not shown. The rollers 16 and 16 are tension rollers for holding the carrier tape at the supply position.

最後に、前述の第1〜第4の実施形態においては、ワイヤーボンディングにて回路基板2と接続された半導体チップ1は、他の半導体チップとは積層されていない構成として説明してきたが、ワイヤーボンディングにて回路基板2と接続された半導体チップ1は、回路基板2上で他の半導体チップと積層されていてもよい。   Finally, in the first to fourth embodiments described above, the semiconductor chip 1 connected to the circuit board 2 by wire bonding has been described as being not stacked with other semiconductor chips. The semiconductor chip 1 connected to the circuit board 2 by bonding may be stacked on the circuit board 2 with other semiconductor chips.

その場合、積層される第2の半導体チップは、該ワイヤーボンディングによって接続されている半導体チップ1の上に積層されていても、反対にその下(半導体チップ1と回路基板2との間)に積層されていても、上下両方に配置されていても、また、同方向に複数個配置されていてもよい。   In that case, the second semiconductor chip to be stacked is stacked on the semiconductor chip 1 connected by the wire bonding, but on the contrary (between the semiconductor chip 1 and the circuit board 2). Even if it is laminated, it may be arranged on both upper and lower sides, or a plurality may be arranged in the same direction.

例えば、半導体チップ1の下に積層される場合、第2の半導体チップは回路形成面を上方に向けたフェイスアップタイプでも、回路形成面を回路基板2側に向け、回路基板2とフィリップチップボンディングにより電気的・機械的に接続されたフェイスダウンタイプでもよい。   For example, when the second semiconductor chip is stacked under the semiconductor chip 1, even if the second semiconductor chip is a face-up type with the circuit formation surface facing upward, the circuit formation surface faces the circuit substrate 2 and the circuit board 2 and the Philip chip bonding are performed. It may be a face-down type connected electrically and mechanically.

同様に、半導体チップ1の上に積層される場合は、第2の半導体チップは回路形成面を上方に向けたフェイスアップタイプでも、回路形成面を半導体チップ1の回路形成面に向け、半導体チップ1とフィリップチップボンディングにより電気的・機械的に接続されたフェイスダウンタイプでもよい。   Similarly, when stacked on the semiconductor chip 1, even if the second semiconductor chip is a face-up type with the circuit formation surface facing upward, the circuit formation surface faces the circuit formation surface of the semiconductor chip 1. 1 may be a face-down type electrically and mechanically connected to each other by Philip chip bonding.

つまり、2つ以上の半導体チップが積層配置されている場合は、そのうちの少なくとも一つの半導体チップがワイヤーボンディング法で回路基板と接続されている構造をとっていればよい。   That is, when two or more semiconductor chips are stacked, it is sufficient that at least one of them is connected to the circuit board by the wire bonding method.

図14に、回路基板2上にフェイスアップで搭載され、ワイヤーボンディングにて回路基板2と接続された半導体チップ1上に、第2の半導体チップ18が回路形成面を上にしてフェイスアップで搭載され、回路基板2とワイヤーボンディングによるワイヤー18…にて接続されている状態において、ワイヤー3…とワイヤー18…とを覆うように、樹脂シート4’或いは樹脂シート11’が搭載されている状態を示す。   In FIG. 14, the second semiconductor chip 18 is mounted face-up on the circuit board 2 on the circuit board 2. The second semiconductor chip 18 is mounted face-up on the semiconductor chip 1 connected to the circuit board 2 by wire bonding. In a state where the circuit board 2 is connected to the wires 18 by wire bonding, the resin sheet 4 ′ or the resin sheet 11 ′ is mounted so as to cover the wires 3 and 18. Show.

本発明の実施の一形態を示すもので、半導体装置の構成を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating a configuration of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 図1のA−A線断面図である。It is the sectional view on the AA line of FIG. 図1の半導体装置の製造途中の一状態を示すもので、半導体チップ上に樹脂シートが配置された状態を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a state in the process of manufacturing the semiconductor device of FIG. 1 and showing a state in which a resin sheet is arranged on a semiconductor chip. 図4(a)〜図4(c)共に、図1の半導体装置における、樹脂シートがワイヤーを固定する工程を説明するための図面である。4 (a) to 4 (c) are drawings for explaining a process in which a resin sheet fixes a wire in the semiconductor device of FIG. 本発明の実施のその他の形態を示すもので、半導体装置の構成を示す斜視図である。FIG. 25 is a perspective view illustrating another configuration of the present invention and illustrating a configuration of a semiconductor device. 本発明の実施の他の形態を示すもので、図6(a)(b)共に、半導体装置における、樹脂シートがワイヤーを固定する工程を説明するための図面である。The other form of implementation of this invention is shown, and both FIG. 6 (a) (b) is drawing for demonstrating the process in which the resin sheet in a semiconductor device fixes a wire. 樹脂封止時の樹脂流路を妨害しないようなレイアウトを説明するための、モールド金型封止状態でのモールド樹脂封入時の概略図である。It is the schematic at the time of mold resin sealing in the mold die sealing state for demonstrating the layout which does not obstruct the resin flow path at the time of resin sealing. 半導体チップ上へ樹脂シートを搭載する位置を説明するための図面である。It is drawing for demonstrating the position which mounts a resin sheet on a semiconductor chip. 本発明の実施の他の形態を示すもので、図9(a)〜(c)共に、半導体装置における、樹脂シートがワイヤーを固定する工程を説明するための図面である。FIG. 9 shows another embodiment of the present invention, and FIGS. 9A to 9C are views for explaining a process in which a resin sheet fixes a wire in a semiconductor device. 図10(a)(b)共に、樹脂シートを溶融して完全に液化した場合に発生する樹脂の流れ出しによる不具合を説明するための図面である。FIGS. 10 (a) and 10 (b) are diagrams for explaining a problem caused by the flow of resin that occurs when a resin sheet is melted and completely liquefied. 図11(a)(b)共に、樹脂シートを溶融して完全に液化した場合に発生する樹脂の流れ出しによる不具合を回避する陥没部を説明するための図面である。11 (a) and 11 (b) are diagrams for explaining a depressed portion that avoids a problem caused by a resin flow that occurs when a resin sheet is melted and completely liquefied. 図12(a)(b)共に、樹脂シートを溶融して完全に液化した場合に発生する樹脂の流れ出しによる不具合を回避する凸部を説明するための図面である。12 (a) and 12 (b) are drawings for explaining a convex portion for avoiding a problem caused by a resin flow that occurs when a resin sheet is melted and completely liquefied. 図13(a)〜(c)共に、樹脂シートを半導体チップ上に搭載する工程で、耐熱キャリアテープを利用することで、連続的に樹脂シートを供給する状態を説明するための図面である。FIGS. 13A to 13C are diagrams for explaining a state in which a resin sheet is continuously supplied by using a heat-resistant carrier tape in a process of mounting the resin sheet on a semiconductor chip. 本発明の実施の他の形態を示すもので、複数の半導体チップが積層されている半導体装置の製造途中の一状態を示すもので、半導体チップ上に樹脂シートが配置された状態を示す斜視図であるThe perspective view which shows the other state of embodiment of this invention, shows one state in the middle of manufacture of the semiconductor device by which the several semiconductor chip is laminated | stacked, and shows the state by which the resin sheet has been arrange | positioned on the semiconductor chip Is 図15(a)(b)共に、ワイヤー流れについて説明するための図面である。15 (a) and 15 (b) are drawings for explaining the wire flow.

符号の説明Explanation of symbols

1 半導体チップ
2 回路基板
3 ワイヤー
4 シート状樹脂層
4’ 樹脂シート
5 モールド金型
6 陥没部
7 凸部
8 キャリアテープ
9 モールド樹脂
10 接続パッド
11 樹脂
11’ 樹脂シート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 2 Circuit board 3 Wire 4 Sheet-like resin layer 4 'Resin sheet 5 Mold die 6 Depressed part 7 Convex part 8 Carrier tape 9 Mold resin 10 Connection pad 11 Resin 11' Resin sheet

Claims (12)

回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、
上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群を上方より覆い、かつ、隣接するワイヤー間の間隔を保持した状態で上記ワイヤー群を固定するシート状樹脂層が設けられており、
上記半導体チップは、上記回路基板上にエリアアレイ状に複数個、整列して配されており、
上記シート状樹脂層は、半導体チップの配列に応じた複数の半導体チップを1単位として単位毎に配置されていることを特徴とする半導体装置。
In a semiconductor device comprising a semiconductor chip mounted on a circuit board with the circuit forming surface facing upward and connected to the circuit board by wire bonding, and the circuit board is resin-sealed by a transfer molding method.
Covering the wire group by the wire bonding from above, and a sheet-like resin layer is provided to fix the wire group in a state of maintaining the interval between adjacent wires,
A plurality of the semiconductor chips are arranged in an array on the circuit board in an area array,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the sheet-like resin layer is arranged for each unit with a plurality of semiconductor chips corresponding to the arrangement of the semiconductor chips as one unit.
上記シート状樹脂層が熱硬化性樹脂を主成分としていることを特徴する請求項1に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the sheet-like resin layer contains a thermosetting resin as a main component. 回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、
上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群は、該ワイヤー群の上に配置された樹脂シートが溶融されることにより、上記ワイヤー群を構成する個々のワイヤーが、それぞれ個別に樹脂被覆されており、
上記回路基板における上記半導体チップの搭載面で、上記樹脂封止される部位の端部内側に、上記樹脂シートが溶融することにより流れ出た樹脂を溜めるための陥没部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
In a semiconductor device comprising a semiconductor chip mounted on a circuit board with the circuit forming surface facing upward and connected to the circuit board by wire bonding, and the circuit board is resin-sealed by a transfer molding method.
The wire group by the wire bonding is individually coated with the individual wires constituting the wire group by melting the resin sheet disposed on the wire group ,
The semiconductor chip mounting surface of the circuit board is provided with a recessed portion for collecting the resin that has flowed out when the resin sheet is melted inside the end of the resin-sealed portion. A semiconductor device.
回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、
上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群は、該ワイヤー群の上に配置された樹脂シートが溶融されることにより、上記ワイヤー群を構成する個々のワイヤーが、それぞれ個別に樹脂被覆されており、
上記回路基板における上記半導体チップの搭載面で、上記樹脂封止される部位の端部内側に、上記樹脂シートが溶融することにより流れ出た樹脂を堰きとめるための凸部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
In a semiconductor device comprising a semiconductor chip mounted on a circuit board with the circuit forming surface facing upward and connected to the circuit board by wire bonding, and the circuit board is resin-sealed by a transfer molding method.
The wire group by the wire bonding is individually coated with the individual wires constituting the wire group by melting the resin sheet disposed on the wire group ,
On the mounting surface of the semiconductor chip on the circuit board, on the inner side of the end portion of the portion to be sealed with the resin, a convex portion for damming the resin that has flowed out by melting the resin sheet is formed. A featured semiconductor device.
上記半導体チップは上記回路基板上にエリアアレイ状に複数個、整列して配されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置。 5. The semiconductor device according to claim 3 , wherein a plurality of the semiconductor chips are arranged in an area array on the circuit board. 上記樹脂シートが熱硬化性樹脂を主成分としていることを特徴する請求項3から5までのいずれか1項に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 3, wherein the resin sheet contains a thermosetting resin as a main component. 上記ワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された上記半導体チップは、別の半導体チップと積層されていることを特徴とする請求項1、3、4又は5に記載の半導体装置。 6. The semiconductor device according to claim 1 , wherein the semiconductor chip connected to the circuit board by the wire bonding is stacked with another semiconductor chip. 回路基板上に少なくとも1つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、
上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、
上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、
上記樹脂シートを熱することで、ワイヤー群を上方より覆い、かつ、ワイヤー群を構成する各ワイヤーの少なくとも上記樹脂シートと接する側の面が上記樹脂シート内に埋没するように、樹脂シートを変形させる工程と、
上記樹脂シートを上記変形を生じた状態で硬化させる工程と、
上記樹脂シートの硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
半導体チップを回路基板上に搭載する上記工程では、複数の半導体チップをエリアアレイ状に配置し、
樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、半導体チップの配列に応じる、樹脂封止する後続工程での樹脂の圧力方向と直交する方向に並ぶ複数の半導体チップを1単位とし、単位毎に樹脂シートを配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Mounting at least one semiconductor chip on a circuit board with a circuit forming surface facing upward;
Connecting the circuit board and the semiconductor chip mounted thereon by wire bonding;
Arranging the resin sheet on the wire group by the wire bonding;
By heating the resin sheet, the resin sheet is deformed so that the wire group is covered from above and at least the surface of each wire constituting the wire group that is in contact with the resin sheet is buried in the resin sheet. A process of
Curing the resin sheet in a state where the deformation occurs,
And a step of resin-sealing the circuit board by transfer molding after the resin sheet is cured,
In the above process of mounting semiconductor chips on a circuit board, a plurality of semiconductor chips are arranged in an area array,
In the above step of arranging the resin sheet on the wire group, a plurality of semiconductor chips arranged in a direction orthogonal to the pressure direction of the resin in the subsequent step of resin sealing according to the arrangement of the semiconductor chips is defined as one unit, A method of manufacturing a semiconductor device, comprising disposing a resin sheet on the substrate.
回路基板上に少なくとも1つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、
上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、
上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、
上記樹脂シートを熱して溶融し、上記ワイヤー群を構成する個々のワイヤーを、それぞれ個別に樹脂にて被覆する工程と、
上記個々のワイヤーを、それぞれ個別に樹脂被覆した状態で溶融した樹脂を硬化させる工程と、
上記樹脂の硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Mounting at least one semiconductor chip on a circuit board with a circuit forming surface facing upward;
Connecting the circuit board and the semiconductor chip mounted thereon by wire bonding;
Arranging the resin sheet on the wire group by the wire bonding;
Heating and melting the resin sheet, and individually coating each wire constituting the wire group with a resin; and
Curing the molten resin in a state where the individual wires are individually coated with the resin,
And a step of resin-sealing the circuit board by transfer molding after the resin is cured.
半導体チップを回路基板上に搭載する上記工程では、複数の半導体チップをエリアアレイ状に配置し、
樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、全半導体チップに対応する樹脂シートを一括して配置することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
In the above process of mounting semiconductor chips on a circuit board, a plurality of semiconductor chips are arranged in an area array,
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 9 , wherein in the step of arranging the resin sheet on the wire group, resin sheets corresponding to all semiconductor chips are collectively arranged.
樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、樹脂シートを耐熱性のキャリアシートに保持させておき、熱を利用して上記キャリアシートより上記樹脂シートを剥離することを特徴とする請求項8、9又は10に記載の半導体装置の製造方法。 In the step of placing a resin sheet on top of the wire group, claims, characterized in that peeling off the resin sheet allowed to retain the heat resistance of the carrier sheet, by utilizing the heat from the carrier sheet to the resin sheet A method for manufacturing a semiconductor device according to 8, 9 or 10 . 上記樹脂シートとこれを保持する上記キャリアシートとはロール状をなし、一端を巻き取ることで連続的に樹脂シートを上記ワイヤー群の上に供給することを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 The semiconductor according to claim 11 , wherein the resin sheet and the carrier sheet holding the resin sheet are in a roll shape, and the resin sheet is continuously supplied onto the wire group by winding up one end. Device manufacturing method.
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