JP4151702B2 - 液晶装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置及び電子機器に関する。

従来より、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置、及びフィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置が知られている。

かかる電気光学装置の一例としての、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor :TFT）などのスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置は、高画質及び高速応答性などの利点を有するため、テレビや携帯情報端末などに用いられている。

そのような液晶装置は、画素電極、ＴＦＴ素子、複数の走査線（ゲート線）、複数の信号線（ソース線）及びドライバＩＣなどが形成若しくは実装される素子基板と、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）などの三色のカラーフィルタや対向電極などが形成される対向基板とが枠状のシール材を介して貼り合わされ、両基板間に液晶が封入されてなる。

近年、この種の液晶装置として、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に加え、さらにＷ（白）の１色を設け、４色用画素を１つのドットとして映像を表示する構成を有する液晶装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。これにより、光効率を高め、色再現性を維持しつつ輝度及び電力効率の向上が図られている。なお、この特許文献１によれば、白色用画素には、別途の色フィルタは設けられていない。

特開２００４−１０２２９２号公報

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、製品コストの低減等を図ることが可能なＲ、Ｇ、Ｂ及びＷ（透明）の各色を用いたマルチギャップ構造を有する半透過反射型の液晶装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することを課題とする。

本発明の他の観点では、Ｗの色に対応する表示画素及び前記Ｗの色とは異なる１色に対応する表示画素を有し、前記１色に対応する前記表示画素は透過領域及び反射領域を備えると共に、前記Ｗの前記表示画素は透過領域のみ備える液晶装置において、基板と、前記基板に対向して配置されてなる対向基板と、前記基板又は前記対向基板の前記１色に対応する前記表示画素に備えられてなる着色層と、前記基板又は前記対向基板に設けられてなり、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域及び前記Ｗの前記透過領域に備えられてなるセル厚調整層と、前記基板と前記対向基板に挟持されてなり、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域に対応する厚さが、前記セル厚調整層の厚さに応じて、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域に対応する厚さより厚い液晶層と、を備えることを特徴とする。

上記の液晶装置の他の態様では、少なくともＷの色に対応する表示画素及び前記Ｗの色とは異なる１色に対応する表示画素を有し、前記１色に対応する前記表示画素及び前記Ｗの前記表示画素は、各々透過領域及び反射領域を備える液晶装置において、基板と、前記基板に対向して配置されてなる対向基板と、前記基板又は前記対向基板の前記１色に対応する前記表示画素に備えられてなる着色層と、前記基板又は前記対向基板に設けられてなると共に、前記１色に対応する前記表示画素の少なくとも前記反射領域、前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域及び前記Ｗの前記表示画素の前記反射領域に備えられ、前記Ｗの前記表示画素の前記反射領域における厚さが前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域における厚さよりも厚いセル厚調整層と、前記基板と前記対向基板に挟持されてなり、前記１色に対応する前記表示画素及び前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域に対応する厚さが、前記セル厚調整層の厚さに応じて、前記１色に対応する前記表示画素及び前記Ｗの前記表示画素の前記反射領域に対応する厚さよりも厚い液晶層と、を備えることを特徴とする。

上記の液晶装置の他の態様では、前記１色に対応する前記表示画素及び前記Ｗの前記表示画素には、各々同一の材料からなる前記セル厚調整層が設けられていることを特徴とする。

上記の液晶装置の他の態様では、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域に設けられた前記セル厚調整層の厚さは、前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層の厚さと同一の厚さに設定されていることを特徴とする。

上記の液晶装置の他の態様では、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さは、前記Ｗの前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さと同一の厚さに設定されていることを特徴とする。

上記の液晶装置の他の態様では、前記透過領域に対応する前記着色層の厚さは、前記反射領域に対応する前記着色層の厚さより厚いことを特徴とする。

上記の液晶装置の他の態様では、前記基板及び前記対向基板のいずれか一方の前記反射領域に対応する位置には、光を反射する機能を有する反射層が設けられていることを特徴とする。

本発明の１つの観点では、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各色に対応する複数の表示画素を有する液晶装置は、基板と、前記基板に液晶層を介して対向配置された対向基板と、を備え、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記表示画素は各々透過領域及び反射領域を有すると共に、前記Ｗの前記表示画素は透過領域のみ有し、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さは、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さより大きく設定されており、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域及び前記Ｗの前記透過領域には、セル厚調整層が設けられている。

上記の液晶装置は、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各色に対応する複数の表示画素を有し、さらに、基板と、その基板に液晶層を介して対向配置された対向基板と、を備えて構成される。

そして、Ｒ、Ｇ、Ｂの表示画素は各々透過型表示を行う透過領域、及び反射型表示を行う反射領域を有する一方、Ｗの表示画素は透過型表示を行う透過領域のみ有する。このため、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各色に対応する表示画素を有する半透過反射型の液晶装置を構成している。

また、この液晶装置では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域に対応する液晶層の厚さは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域に対応する液晶層の厚さより大きく設定されており、透過領域と反射領域とで最適な光学特性に設定された構造、いわゆるマルチギャップ構造を有する。

ここで、一般的に、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各色に対応する表示画素を有する液晶装置では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各表示画素に、Ｗの表示画素を付加することで、高輝度及び高コントラストを実現している。ところで、Ｗの表示画素には色材がないため、Ｒ、Ｇ、Ｂの透過領域に対応する液晶層の厚さ（セル厚）と、Ｗの表示画素の透過領域に対応する液晶層の厚さ（セル厚）とを同一に設定するためには、Ｗの表示画素に対応する位置にセル厚調整用の透明樹脂層を設ける必要がある。また、マルチギャップ構造を有する半透過反射型の電気光学装置では、通常、透過領域と反射領域とで光学特性を均一にするために、反射領域にマルチギャップ用の樹脂層が形成されており、透過領域に対応する液晶層の厚さが、反射領域に対応する液晶層の厚さよりも大きく設定されている。

このようなマルチギャップ構造を有する半透過反射型の液晶装置において、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各色に対応する表示画素を有するように構成した場合（以下、比較例と呼ぶ）には、Ｗの表示画素に対応する位置にセル厚調整用の透明樹脂層と、その透明樹脂層と異なる材料からなるマルチギャップ用の樹脂層をＲ、Ｇ、Ｂの各表示画素の各反射領域に別々に設ける必要があり、その分だけ工程が増加し、これに起因して液晶装置の製品コストが増加してしまう。

この点、上記の液晶装置では、特に、Ｒ、Ｇ、Ｂの反射領域、及び、Ｗの透過領域には、例えば、透明性を有する樹脂材料などよりなるセル厚調整層が設けられている。ここで、Ｗに対応する表示画素は、赤み、青み、黄色味がかっていても良く、また、いわゆるＣＩＥ色度図において、(ｘ，ｙ)=(0.3〜0.4、0.3〜0.4)の範囲に入っているのが好ましい。

好適な例では、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域及び前記Ｗの前記透過領域には、各々同一の材料からなるセル厚調整層が設けられているのが好ましい。つまり、この液晶装置の製造過程において、Ｒ、Ｇ、Ｂの反射領域に設けられるセル厚調整層と、Ｗの透過領域に設けられるセル厚調整層とは、同一の工程により同一の材料により同時に形成されている。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各表示画素に対応する位置にマルチギャップ構造を、また、Ｗの表示画素にセル厚調整用のセル厚調整層を夫々同時に形成することができる。その結果、比較例と比較して工程の削減を図ることができ、これにより液晶装置の製品コストを低減できる。

本発明の他の観点では、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各色に対応する複数の表示画素を有する液晶装置は、基板と、前記基板に液晶層を介して対向配置された対向基板と、を備え、前記Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの前記表示画素は各々透過領域及び反射領域を有し、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの少なくとも前記反射領域、前記Ｗの前記透過領域及び前記Ｗの反射領域には、セル厚調整層が設けられるとともに、前記Ｗの前記反射領域における前記セル厚調整層の厚さは、前記Ｗの前記透過領域における前記セル厚調整層の厚さよりも厚く、前記Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さは、前記セル厚調整層の厚さに応じて、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さより厚く設定されている。

上記の液晶装置は、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各色に対応する表示画素を有し、さらに、その基板に液晶層を介して対向配置された対向基板と、を備えて構成される。そして、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの表示画素は各々透過領域及び反射領域を有している。このため、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各色に対応する表示画素を有する半透過反射型の電気光学装置を構成している。

また、この液晶装置では、特に、Ｒ、Ｇ、Ｂの少なくとも反射領域、Ｗの透過領域及びＷの反射領域にはセル厚調整層が設けられており、さらに、Ｗの反射領域におけるセル厚調整層の厚さは、Ｗの透過領域におけるセル厚調整層の厚さよりも厚く、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの透過領域に対応する液晶層の厚さは、セル厚調整層の厚さに応じて、Ｒ、Ｇ、Ｂの反射領域に対応する液晶層の厚さより厚く設定されている。ここで、Ｗに対応する表示画素は、赤み、青み、黄色味がかっていても良く、また、いわゆるＣＩＥ色度図において、(ｘ，ｙ)=(0.3〜0.4、0.3〜0.4)の範囲に入っているのが好ましい。

好適な例では、前記Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの前記反射領域及び前記透過領域には、各々同一の材料からなるセル厚調整層が設けられているのが好ましい。つまり、この液晶装置の製造過程において、Ｒ、Ｇ、Ｂの少なくとも反射領域（又は反射領域及び透過領域の両方）に設けられるセル厚調整層と、Ｗの透過領域及び反射領域に設けられるセル厚調整層とは、同一の工程により同一の材料により同時に形成されている。これにより、この液晶装置の製造過程において、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各表示画素に対応する位置にマルチギャップ構造を夫々同時に形成することができる。その結果、上記の比較例と比較して工程の削減を図ることができ、これにより液晶装置の製品コストを低減できる。

上記の液晶装置の一つの態様では、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域に設けられた前記セル厚調整層の厚さは、前記透明の前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層の厚さと同一の大きさに設定されているのが好ましい。

上記の液晶装置の他の態様では、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さは、前記Ｗの前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さと同一の大きさに設定されている。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域と、Ｗの透過領域とで適切な光学特性に設定することができる。

上記の液晶装置の他の態様では、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記表示画素に対応する位置には、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する着色層が各々設けられており、前記透過領域に対応する前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記着色層の厚さは、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域に設けられた前記着色層の厚さより厚い。

この態様では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各表示画素に対応する位置には、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する着色層が各々設けられている。そして、透過領域に対応するＲ、Ｇ、Ｂの着色層の厚さは、Ｒ、Ｇ、Ｂの反射領域に設けられた着色層の厚さより厚い。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域とで適切な光学特性に設定することができる。好適な例では、透過領域に対応するＲ、Ｇ、Ｂの各着色層の厚さは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域に設けられた着色層の厚さの約２倍程度とすることができる。

上記の液晶装置の他の態様では、前記基板及び前記対向基板のいずれか一方の前記反射領域に対応する位置には、光を反射する機能を有する反射層が設けられている。これにより、反射領域において反射型表示を行うことができる。

本発明の他の観点では、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素及びＷの色に対応する表示画素を有する液晶装置は、基板と、前記基板に液晶層を介して対向配置された対向基板と、を備え、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素は各々透過領域及び反射領域を有すると共に、前記Ｗの前記表示画素は透過領域のみ有し、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素の前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さは、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素の前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さより大きく設定されており、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素の前記反射領域及び前記Ｗの前記透過領域には、セル厚調整層が設けられている。

上記の液晶装置は、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素、及びＷの色に対応する複数の表示画素を有し、さらに、基板と、その基板に液晶層を介して対向配置された対向基板と、を備えて構成される。

そして、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素は、各々透過型表示を行う透過領域、及び反射型表示を行う反射領域を有する一方、Ｗの表示画素は透過型表示を行う透過領域のみ有する。このため、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素及びＷの色に対応する表示画素を有する半透過反射型の液晶装置を構成している。

また、この液晶装置では、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の各透過領域に対応する液晶層の厚さは、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の各反射領域に対応する液晶層の厚さより大きく設定されており、透過領域と反射領域とで最適な光学特性に設定された構造、いわゆるマルチギャップ構造を有する。

特に、この液晶装置では、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の反射領域、及び、Ｗの透過領域には、例えば、透明性を有する樹脂材料などよりなるセル厚調整層が設けられている。ここで、Ｗに対応する表示画素は、赤み、青み、黄色味がかっていても良く、また、いわゆるＣＩＥ色度図において、(ｘ，ｙ)=(0.3〜0.4、0.3〜0.4)の範囲に入っているのが好ましい。

つまり、この液晶装置の製造過程において、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の各反射領域に設けられるセル厚調整層と、Ｗの透過領域に設けられるセル厚調整層とは、同一の工程により同一の材料により同時に形成されている。これにより、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素に対応する位置にマルチギャップ構造を、また、Ｗの表示画素にセル厚調整用のセル厚調整層を夫々同時に形成することができる。その結果、上記の比較例と比較して工程の削減を図ることができ、これにより液晶装置の製品コストを低減できる。

本発明の他の観点では、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素及びＷの色に対応する表示画素を有する液晶装置は、基板と、前記基板に液晶層を介して対向配置された対向基板と、を備え、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素及びＷの前記表示画素は各々透過領域及び反射領域を有し、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素の少なくとも前記反射領域、前記Ｗの前記透過領域及び前記Ｗの反射領域には、セル厚調整層が設けられるとともに、前記Ｗの前記反射領域における前記セル厚調整層の厚さは、前記Ｗの前記透過領域における前記セル厚調整層の厚さよりも厚く、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素の前記透過領域及びＷの前記透過領域の各々に対応する前記液晶層の厚さは、前記セル厚調整層の厚さに応じて、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素の前記反射領域の各々に対応する前記液晶層の厚さより厚く設定されている。

上記の液晶装置は、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素、及びＷの色に対応する表示画素を有し、さらに、その基板に液晶層を介して対向配置された対向基板と、を備えて構成される。そして、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素及びＷの表示画素は各々透過領域及び反射領域を有している。このため、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素及びＷの色に対応する表示画素を有する半透過反射型の電気光学装置を構成している。

また、この液晶装置では、特に、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の少なくとも反射領域、Ｗの透過領域及びＷの反射領域にはセル厚調整層が設けられており、さらに、Ｗの反射領域におけるセル厚調整層の厚さは、Ｗの透過領域におけるセル厚調整層の厚さよりも厚く、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の各透過領域及びＷの透過領域の各々に対応する液晶層の厚さは、セル厚調整層の厚さに応じて、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の反射領域の各々に対応する液晶層の厚さより厚く設定されている。ここで、Ｗに対応する表示画素は、赤み、青み、黄色味がかっていても良く、また、いわゆるＣＩＥ色度図において、（ｘ，ｙ）=(0.3〜0.4、0.3〜0.4)の範囲に入っているのが好ましい。

つまり、この液晶装置の製造過程において、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の少なくとも反射領域（又は反射領域及び透過領域の両方）に設けられるセル厚調整層と、Ｗの透過領域及び反射領域に設けられるセル厚調整層とは、同一の工程により同一の材料により同時に形成されている。これにより、この液晶装置の製造過程において、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素及びＷの表示画素に対応する位置にマルチギャップ構造を夫々同時に形成することができる。その結果、上記の比較例と比較して工程の削減を図ることができ、これにより液晶装置の製品コストを低減できる。

また、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。

本発明の他の観点では、少なくともＷに対応する表示画素及び前記Ｗの色とは異なる１色に対応する表示画素を有し、前記１色に対応する前記表示画素は透過領域及び反射領域を備えると共に、前記Ｗの前記表示画素は少なくとも透過領域を備え、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域に対応する液晶層の厚さが、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域に対応する液晶層の厚さより厚く設定された液晶装置の製造方法であって、基材上において、前記１色に対応する前記表示画素に、着色層を形成する着色層形成工程と、前記基材上において、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域及び前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域に、透明材料からなるセル厚調整層を同時に形成するセル厚調整層形成工程と、を備えることを特徴とする。

上記の液晶装置の製造方法の一つの態様では、前記Ｗの前記表示画素は、前記反射領域を備えていないことを特徴とする。

上記の液晶装置の製造方法の一つの態様では、前記Ｗの前記表示画素は、反射領域を備え、前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域に対応する液晶層の厚さは、前記Ｗの前記表示画素の前記反射領域に対応する液晶層の厚さより厚く、前記セル厚調整層形成工程は、前記基材上において、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域、前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域及び前記反射領域に、前記セル厚調整層を同時に形成することを特徴とする。

上記の液晶装置の製造方法の一つの態様では、前記着色層形成工程は、前記反射領域に位置する前記着色層に開口を形成することを特徴とする。

前記セル厚調整層形成工程は、前記セル厚調整層を前記着色層と同一の厚さに形成することを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。

上記の液晶装置の製造方法の一つの態様では、前記セル厚調整層形成工程は、前記Ｗの前記表示画素及び前記１色に対応する前記表示画素の前記着色層上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、光を完全に透過する完全露光領域及び前記光を完全に遮光する完全遮光領域を含む第１マスクを通じて前記レジストに対して１回露光した後、現像及びエッチング処理を施す第１露光工程と、前記レジスト塗布工程を再び実施した後に、前記完全露光領域及び前記完全遮光領域を含み、前記第１マスクと構成の異なる第２マスクを通じて前記レジストに対して１回露光した後、現像及びエッチング処理を施す第２露光工程と、を含む層厚調整工程を有し、前記層厚調整工程は、少なくとも前記Ｗの前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層と、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域における前記着色層の厚さと、を同一に設定することを特徴とする。

上記の液晶装置の製造方法の一つの態様では、前記セル厚調整層形成工程は、前記Ｗの前記表示画素及び前記１色に対応する前記表示画素の前記着色層上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、光を完全に透過する完全露光領域、前記光を完全に遮光する完全遮光領域及び半透過膜よりなるハーフトーン露光領域を含むマスクを通じて前記レジストに対して少なくとも１回露光した後に、現像及びエッチング処理を施すハーフトーン露光工程と、を含む層厚調整工程を有し、前記層厚調整工程は、少なくとも前記Ｗの前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層と、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域における前記着色層の厚さと、を同一に設定することを特徴とする。

上記の液晶装置の製造方法の一つの態様では、前記着色層形成工程と、前記セル厚調整層形成工程と、の間に、前記１色に対応する前記表示画素の前記着色層上に保護膜を形成する保護膜形成工程を有し、前記セル厚調整層形成工程は、前記Ｗの前記表示画素及び前記１色に対応する前記表示画素の前記反射表示領域における前記保護膜上に前記セル厚調整層を形成し、前記層厚調整工程は、少なくとも前記Ｗの前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層と、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域における前記着色層の厚さと、を同一に設定することを特徴とする。

上記の液晶装置の製造方法の一つの態様では、前記着色層形成工程の前工程として、前記基材上において、前記反射領域に反射層を形成する反射層形成工程を有することを特徴とする。

本発明の他の観点では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色にそれぞれ対応する複数の表示画素内に透過領域及び反射領域を有すると共に、Ｗに対応する表示画素内に透過領域のみ有し、且つ、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記透過領域に対応する液晶層の厚さが、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域に対応する液晶層の厚さより大きく設定された液晶装置の製造方法は、基材上において、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記各色に対応する前記表示画素が形成されるべき領域に、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記各色を有する着色層を形成する着色層形成工程と、前記基材上において、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域及び前記Ｗの前記透過領域が形成されるべき領域に、透明材料からなるセル厚調整層を同時に形成するセル厚調整層形成工程と、を備える。

上記の液晶装置の製造方法は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色にそれぞれ対応する表示画素内に透過領域及び反射領域を有すると共に、Ｗに対応する表示画素内に透過領域のみ有し、且つ、Ｒ、Ｇ、Ｂの透過領域に対応する液晶層の厚さが、Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域に対応する液晶層の厚さより大きく設定されたマルチギャップ構造を有する液晶装置の製造方法である。

この液晶装置の製造方法は、まず、着色層形成工程により、ガラスや石英などの材料よりなる基材上において、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色にそれぞれ対応する複数の表示画素が形成されるべき領域に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色を有する着色層が形成される。次に、セル厚調整層形成工程により、基材上において、Ｒ、Ｇ、Ｂの反射領域、及び、Ｗの透過領域が形成されるべき領域に、透明材料（例えば、透明性を有する樹脂材料など）からなるセル厚調整層が同時に形成される。

これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各表示画素に対応する位置にマルチギャップ構造を、また、Ｗの表示画素にセル厚調整用のセル厚調整層を夫々同時に形成することができる。よって、上記の比較例に係る液晶装置の製造方法と比較して、工程の削減を図ることができ、液晶装置の製品コストを低減できる。

本発明の他の観点では、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各色にそれぞれ対応する複数の表示画素内に透過領域及び反射領域を有し、且つ、前記Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの前記透過領域に対応する液晶層の厚さが、前記Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの前記反射領域に対応する液晶層の厚さより大きく設定された液晶装置の製造方法は、基材上において、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記各色に対応する前記表示画素が形成されるべき領域に、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記各色を有する着色層を形成する着色層形成工程と、前記基材上において、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域並びに前記Ｗの前記透過領域及び前記反射領域が形成されるべき領域に、透明材料からなるセル厚調整層を同時に形成するセル厚調整層形成工程と、を備える。

上記の液晶装置の製造方法は、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各色にそれぞれ対応する複数の表示画素内に透過領域及び反射領域を有し、且つ、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各透過領域に対応する液晶層の厚さが、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各反射領域に対応する液晶層の厚さより大きく設定されたマルチギャップ構造を有する液晶装置の製造方法である。

この液晶装置の製造方法は、まず、着色層形成工程により、ガラスや石英などの材料よりなる基材上において、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する表示画素が形成されるべき領域に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色を有する着色層が形成される。次に、セル厚調整層形成工程により、基材上において、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域、並びに、透明の透過領域及び反射領域が形成されるべき領域に、透明材料（例えば、透明性を有する樹脂材料など）からなるセル厚調整層が同時に形成される。

これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各表示画素に対応する位置にマルチギャップ構造を夫々同時に形成することができる。よって、上記の比較例に係る液晶装置の製造方法と比較して、工程の削減を図ることができ、液晶装置の製品コストを低減できる。

上記の液晶装置の製造方法の一つの態様では、前記着色層形成工程は、前記反射領域に位置する前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記着色層の各々に開口を形成する。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域とで適切な光学特性に設定することができる。

上記の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記セル厚調整層形成工程は、前記セル厚調整層を前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記着色層と同一の厚さに形成することができる。

上記の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記セル厚調整層形成工程は、前記セル厚調整層の厚さが前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記着色層の厚さより厚い場合に、少なくとも前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域、並びに前記Ｗの前記透過領域及び／又は前記反射領域の各々に形成された前記セル厚調整層の上、並びに、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記透過領域に形成された前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記着色層の上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、光を完全に透過する完全露光領域及び前記光を完全に遮光する完全遮光領域を含む第１マスクを通じて前記レジストに対して１回露光した後、現像及びエッチング処理を施す第１露光工程と、前記レジスト塗布工程を再び実施した後に、前記完全露光領域及び前記完全遮光領域を含み、前記第１マスクと構成の異なる第２マスクを通じて前記レジストに対して１回露光した後、現像及びエッチング処理を施す第２露光工程と、を含む層厚調整工程を有し、前記層厚調整工程は、少なくとも前記Ｗの前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層と、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記透過領域の前記着色層の厚さとを同一に設定する。

この態様では、セル厚調整層形成工程は、層厚調整工程を有する。そして、層厚調整工程は、レジスト塗布工程と、第１露光工程と、第２露光工程とを含んでいる。まず、レジスト塗布工程は、前記セル厚調整層の厚さが前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記着色層の厚さより厚い場合に、少なくともＲ、Ｇ、Ｂの各反射領域、並びに、Ｗの透過領域及び／又は反射領域の各々に形成されたセル厚調整層の上、並びに、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域に形成されたＲ、Ｇ、Ｂの各着色層の上にレジスト（感光性樹脂）を塗布する。

次に、第１露光工程は、光（紫外線やｉ線などの光、以下同じ）を完全に透過する完全露光領域、及び光を完全に遮光する完全遮光領域を含む第１マスクを通じて、レジストに対して１回露光した後、現像、及びエッチング処理を施す。

次に、第２露光工程は、レジスト塗布工程を再び実施した後に、完全露光領域及び完全遮光領域を含み、第１マスクと構成の異なる第２マスクを通じて、レジスト（感光性樹脂）に対して１回露光した後、現像及びエッチング処理を施す。これら一連の工程（２重露光方法）により、層厚調整工程は、少なくともＷの透過領域に設けられたセル厚調整層と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域の着色層の厚さとを同一に設定する。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域と、Ｗの透過領域とで適切な光学特性に設定することができる。

上記の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記セル厚調整層形成工程は、前記セル厚調整層の厚さが前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記着色層の厚さより大きい場合に、少なくとも前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域、並びに前記Ｗの前記透過領域及び／又は前記反射領域の各々に形成された前記セル厚調整層の上、並びに、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記透過領域に形成された前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記着色層の上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、光を完全に透過する完全露光領域、前記光を完全に遮光する完全遮光領域及び半透過膜よりなるハーフトーン露光領域を含むマスクを通じて前記レジストに対して少なくとも１回露光した後に、現像及びエッチング処理を施すハーフトーン露光工程と、を含む層厚調整工程を有し、前記層厚調整工程は、少なくとも前記Ｗの前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層と、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記透過領域の前記着色層の厚さとを同一に設定する。

この態様では、セル厚調整層形成工程は、層厚調整工程を有する。そして、層厚調整工程は、レジスト塗布工程と、ハーフトーン露光工程とを含んでいる。

まず、レジスト塗布工程は、前記セル厚調整層の厚さが前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記着色層の厚さより大きい場合に、少なくともＲ、Ｇ、Ｂの各反射領域、並びに、Ｗの透過領域及び／又は反射領域の各々に形成されたセル厚調整層の上、並びに、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域に形成されたＲ、Ｇ、Ｂの各着色層の上にレジスト（感光性樹脂）を塗布する。

次に、ハーフトーン露光工程は、光を完全に透過する完全露光領域、光を完全に遮光する完全遮光領域及び半透過膜よりなるハーフトーン露光領域を含むマスクを通じて、レジストに対して少なくとも１回露光した後に、現像及びエッチング処理を施す。これら一連の工程（ハーフトーン露光方法）により、層厚調整工程は、少なくともＷの透過領域に設けられたセル厚調整層と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域の各着色層の厚さとを同一に設定する。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域と、Ｗの透過領域とで適切な光学特性に設定することができる。

上記の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記着色層形成工程の前工程として、前記基材上において、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域に反射層を形成する反射層形成工程を有する。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの反射領域において各色に対応した反射型表示を行うことができる。

上記の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記着色層形成工程の前工程として、前記基材上において、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの前記反射領域並びに前記Ｗの前記反射領域に反射層を形成する反射層形成工程を有する。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各反射領域において各色に対応した反射型表示を行うことができる。

本発明の他の観点では、１色に対応する表示画素内又は複数色に対応する複数の表示画素内に各々透過領域及び反射領域を有すると共に、Ｗに対応する表示画素内に透過領域のみ有し、且つ、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素の前記透過領域の各々に対応する液晶層の厚さが、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素の前記反射領域の各々に対応する液晶層の厚さより大きく設定された液晶装置の製造方法は、基材上において、前記１色又は前記複数色に対応する前記表示画素が形成されるべき領域に、前記１色又は前記複数色を有する着色層を形成する着色層形成工程と、前記基材上において、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素の前記反射領域の各々及び前記Ｗの前記透過領域が形成されるべき領域に、透明材料からなるセル厚調整層を同時に形成するセル厚調整層形成工程と、を備える。

上記の液晶装置の製造方法は、１色に対応する表示画素内又は複数色に対応する複数の表示画素内に各々透過領域及び反射領域を有すると共に、Ｗに対応する表示画素内に透過領域のみ有し、且つ、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の透過領域の各々に対応する液晶層の厚さが、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の反射領域の各々に対応する液晶層の厚さより大きく設定されたマルチギャップ構造を有する液晶装置の製造方法である。

この液晶装置の製造方法は、まず、着色層形成工程により、ガラスや石英などの材料よりなる基材上において、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素が形成されるべき領域に、１色又は複数色を有する着色層が形成される。次に、セル厚調整層形成工程により、基材上において、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の反射領域の各々、及び、Ｗの透過領域が形成されるべき領域に、透明材料（例えば、透明性を有する樹脂材料など）からなるセル厚調整層が同時に形成される。

これにより、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素のそれぞれに対応する位置にマルチギャップ構造を、また、Ｗの表示画素にセル厚調整用のセル厚調整層を夫々同時に形成することができる。よって、上記の比較例に係る液晶装置の製造方法と比較して、工程の削減を図ることができ、液晶装置の製品コストを低減できる。

本発明の他の観点では、１色に対応する表示画素内又は複数色に対応する複数の表示画素内及びＷの色に対応する表示画素内に各々透過領域及び反射領域を有し、且つ、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素及びＷの前記表示画素の前記透過領域の各々に対応する液晶層の厚さが、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素及びＷの前記表示画素の前記反射領域の各々に対応する液晶層の厚さより大きく設定された液晶装置の製造方法は、基材上において、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素が形成されるべき領域に、前記１色又は前記複数色を有する着色層を形成する着色層形成工程と、前記基材上において、前記１色に対応する前記表示画素又は前記複数色に対応する前記複数の表示画素の前記反射領域の各々並びに前記Ｗの前記透過領域及び前記反射領域が形成されるべき領域に、透明材料からなるセル厚調整層を同時に形成するセル厚調整層形成工程と、を備える。

上記の液晶装置の製造方法は、１色に対応する表示画素内又は複数色に対応する複数の表示画素内及びＷの色に対応する表示画素内に各々透過領域及び反射領域を有し、且つ、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素及びＷの表示画素の透過領域の各々に対応する液晶層の厚さが、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素及びＷの表示画素の反射領域の各々に対応する液晶層の厚さより大きく設定されたマルチギャップ構造を有する液晶装置の製造方法である。

この液晶装置の製造方法は、まず、着色層形成工程により、ガラスや石英などの材料よりなる基材上において、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素が形成されるべき領域に、１色又は複数色を有する着色層が形成される。次に、セル厚調整層形成工程により、基材上において、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素の反射領域の各々、並びに、Ｗの透過領域及び反射領域が形成されるべき領域に、透明材料（例えば、透明性を有する樹脂材料など）からなるセル厚調整層が同時に形成される。

これにより、１色に対応する表示画素又は複数色に対応する複数の表示画素、及び、Ｗの表示画素に対応する位置にマルチギャップ構造を夫々同時に形成することができる。よって、上記の比較例に係る液晶装置の製造方法と比較して、工程の削減を図ることができ、液晶装置の製品コストを低減できる。

以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の各種実施形態は、本発明を電気光学装置の一例としての液晶装置に適用したものである。

［第１実施形態］
第１実施形態は、本発明を、三端子素子の一例としてのａ−Ｓｉ型ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置に適用する。

（液晶装置の構成）
まず、図１乃至図５を参照して、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００の構成等について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、紙面手前側（観察側）にカラーフィルタ基板９２が、また、紙面奥側に素子基板９１が夫々配置されている。なお、図１では、紙面縦方向（列方向）をＹ方向と、また、紙面横方向（行方向）をＸ方向と規定する。また、図１において、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（透明）に対応する各領域は１つのサブ画素領域ＳＧを示していると共に、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗに対応する２行２列のサブ画素領域ＳＧは、１つの画素領域ＡＧを示している。

本発明において、画素領域ＡＧは、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗで構成されており、従来よく用いられているＲ、Ｇ、Ｂで１つの画素領域を構成するものとは異なっている。そのため、本発明では、従来とは異なる描画操作技術（レンダリング）を用いて表示を行なっている。レンダリングは、任意の１つの画素領域ＡＧにおいてRGB各色の色層をそれぞれ備えたサブ画素領域ＳＧに印加される階調信号を、自画素領域ＡＧ内のサブ画素領域ＳＧのみならず、自画素領域ＡＧの周辺の同一色相のサブ画素領域ＳＧにも重畳させて印加するという画像処理技術を用いるものである。つまり、１つの画素領域ＡＧ（表示画素）におけるＲＧＢの各色のサブ画素領域ＳＧ（サブ画素）は、１つの表示画素の周辺の表示画素における同一色相のサブ画素にも、１つの表示画素内のサブ画素の表示に寄与する階調信号を重畳して印加することにより表示を行なうものである。

これにより、実際の画素数よりも高い解像度感を視認でき、例えば、ＱＶＧＡ（Quarter Video Graphics Array）規格に対応する画面表示解像度を有する液晶装置を用いた場合に、ＶＧＡ（Video Graphics Array）規格に対応する画面表示解像度を実現できる。

液晶装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール材５を介して貼り合わされ、そのシール材５の内側に液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。

ここに、液晶装置１００は、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの４色を用いて構成されるカラー表示用の液晶装置であると共に、スイッチング素子としてａ−Ｓｉ型ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。また、液晶装置１００は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧ内に透過領域及び反射領域を有する半透過反射型の液晶装置であると共に、当該透過領域と当該反射領域とで液晶層４の厚さが異なるマルチギャップ構造を有する液晶装置でもある。

まず、素子基板９１の平面構成について説明する。素子基板９１の内面上には、主として、複数のソース線３２、複数のゲート線３３、複数のａ−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、複数の画素電極１０、ドライバＩＣ４０、外部接続用配線３５及びＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）４１などが形成若しくは実装されている。

図１に示すように、素子基板９１は、カラーフィルタ基板９２の一辺側から外側へ張り出してなる張り出し領域３１を有しており、その張り出し領域３１上には、ドライバＩＣ４０が実装されている。ドライバＩＣ４０の入力側の端子（図示略）は、複数の外部接続用配線３５の一端側と電気的に接続されていると共に、複数の外部接続用配線３５の他端側はＦＰＣと電気的に接続されている。各ソース線３２は、Ｙ方向に延在するように且つＸ方向に適宜の間隔をおいて形成されており、各ソース線３２の一端側は、ドライバＩＣ４０の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。

各ゲート線３３は、Ｙ方向に延在するように形成された第１配線３３ａと、その第１配線３３ａの終端部からＸ方向に延在するように形成された第２配線３３ｂとを備えている。各ゲート線３３の第２配線３３ｂは、各ソース線３２と交差する方向、即ちＸ方向に延在するように且つＹ方向に適宜の間隔をおいて形成されており、各ゲート線３３の第１配線３３ａの一端側は、ドライバＩＣ４０の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。各ソース線３２と各ゲート線３３の第２配線３３ｂの交差に対応する位置にはＴＦＴ素子２１が設けられており、各ＴＦＴ素子２１は各ソース線３２、各ゲート線３３及び各画素電極１０等に電気的に接続されている。各ＴＦＴ素子２１及び各画素電極１０は、各サブ画素領域ＳＧに対応する位置に設けられている。各画素電極１０は、例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明導電材料により形成されている。

１つの画素領域ＡＧがＸ方向及びＹ方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、有効表示領域Ｖの外側の領域は表示に寄与しない額縁領域３８となっている。また、各ソース線３２、各ゲート線３３、各ＴＦＴ素子２１、及び各画素電極１０等の内面上には、図示しない配向膜が形成されている。

次に、カラーフィルタ基板９２の平面構成について説明する。カラーフィルタ基板９２は、遮光層（一般に「ブラックマトリクス」と呼ばれ、以下では、単に「ＢＭ」と略記する）、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ、及び共通電極８などを有する。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。ＢＭは、各サブ画素領域ＳＧを区画する位置に形成されている。図１においてＷに対応する各サブ画素領域ＳＧには、着色層は特に設けられていない。共通電極８は、画素電極と同様にＩＴＯなどの透明導電材料からなり、カラーフィルタ基板９２の略一面に亘って形成されている。共通電極８は、シール材５の隅の領域Ｅ１において配線１５の一端側と電気的に接続されていると共に、当該配線１５の他端側は、ドライバＩＣ４０のＣＯＭに対応する出力端子と電気的に接続されている。

以上の構成を有する液晶装置１００では、電子機器等と接続されたＦＰＣ４１側からの信号及び電力等に基づき、ドライバＩＣ４０によって、Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍ−１、Ｇｍ（ｍは自然数）の順にゲート線３３が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択されたゲート線３３には、選択電圧のゲート信号が供給される一方、他の非選択のゲート線３３には、非選択電圧のゲート信号が供給される。そして、ドライバＩＣ４０は、選択されたゲート線３３に対応する位置にある画素電極１０に対し、表示内容に応じたソース信号を、それぞれ対応するＳ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎ−１、Ｓｎ（ｎは自然数）のソース線３２及びＴＦＴ素子２１を介して供給する。その結果、液晶層４の表示状態が、非表示状態または中間表示状態に切り替えられ、液晶層４の配向状態が制御されることとなる。

（画素構成）
次に、図２等を参照して、１つの画素領域ＡＧの構成について説明する。図２は、図１における１つの画素領域ＡＧ（破線にて囲まれた部分）に対応する部分拡大平面図である。

図２に示すように、１つの画素領域ＡＧは、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗに対応する、２行２列のサブ画素領域ＳＧを備えて構成される。さらに、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する各サブ画素領域ＳＧは、透過型表示が行われる透過領域Ｅ１０と、反射型表示が行われる反射領域Ｅ１１とを備えて構成される。これに対し、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧは、透過領域Ｅ１０のみを備えて構成され、反射領域Ｅ１１は有しない。

次に、図３を参照して、図２におけるＲ、Ｇ、Ｂに対応する各サブ画素領域ＳＧの構成を、反射領域Ｅ１１の構成と透過領域Ｅ１０の構成とに分けて説明する。

図３（ａ）は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧに対応する素子基板９１の構成を示す部分拡大平面図である。一方、図３（ｂ）は、図３（ａ）の素子基板９１と対向配置される、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧに対応するカラーフィルタ基板９２の構成を示す部分拡大平面図である。図４（ａ）は、図３（ａ）及び（ｂ）における切断線Ａ−Ａ’に沿った部分断面図であり、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する液晶装置１００の断面構成を示す。一方、図４（ｂ）は、図３（ａ）及び（ｂ）における切断線Ｂ−Ｂ’に沿った部分断面図であり、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧに対応する液晶装置１００の断面構成を示す。

まず、Ｒ、Ｇ、Ｂの１つのサブ画素領域ＳＧ内における反射領域Ｅ１１の構成について説明する。

ガラスや石英などの材料により形成された下側基板１上には、ゲート線３３が形成されている。図３（ａ）において、ゲート線３３の要素である第２配線３３ｂは、Ｘ方向に延在する本線部分３３ｂａと、その本線部分３３ｂａからＹ方向に折れ曲がるように分岐する支線部分３３ｂｂとを有する。下側基板１及びゲート線３３上には、絶縁性を有するゲート絶縁層５０が形成されている。ゲート絶縁層５０上であって、且つ、ゲート線３３の支線部分３３ｂｂと平面的に重なるに位置には、ＴＦＴ素子２１の要素であるａ−Ｓｉ層５２が設けられている。ソース線３２は、ゲート絶縁層５０上において、ゲート線３３と交差する方向に延在するように形成されている。

ソース線３２は、図３（ａ）に示すように、Ｙ方向に延在する本線部分３２ａと、その本線部分３２ａからＸ方向に折れ曲がるように分岐する支線部分３２ｂとを有する。ソース線３２の支線部分３２ｂの一部分は、ａ−Ｓｉ層５２の一端側の一部分上に形成されている。ａ−Ｓｉ層５２の他端側の一部分上、及び、ゲート絶縁層５０上には、金属などよりなる保持容量電極１６が形成されている。このため、ａ−Ｓｉ層５２は、ソース線３２及び保持容量電極１６に夫々電気的に接続されている。そして、ａ−Ｓｉ層５２に対応する位置には、その層を要素として含むＴＦＴ素子２１が形成されている。

ソース線３２、保持容量電極１６及びゲート絶縁層５０等の上には、絶縁性を有するパシベーション層（反応防止層）５１が形成されている。パシベーション層５１は、保持容量電極１６と平面的に重なる位置にコンタクトホール（開口）５１ａを有する。パシベーション層５１上には、樹脂材料などよりなる樹脂層１７が形成されている。樹脂層１７の表面上には、光を散乱させる機能を有する微小な凹凸が複数形成されている。樹脂層１７は、パシベーション層５１のコンタクトホール５１ａに対応する位置にコンタクトホール１７ａを有する。樹脂層１７上には、Ａｌ（アルミニウム）などにより形成され反射機能を有する反射電極５が形成されている。反射電極５は、微小な凹凸を複数有する樹脂層１７上に形成されているため、当該反射電極５は、その微小な複数の凹凸を反映した形状に形成されている。コンタクトホール５１ａ及び１７ａに対応する反射電極５の位置には、光を透過させる透過開口領域８０が形成されている。反射電極５上には、画素電極１０が形成されている。

また、下側基板１の外面上には、位相差板１３（１／４波長板）が配置されていると共に、位相差板１３の外面上には偏光板１４が配置されている。また、偏光板１４の外面上には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好適である。

一方、Ｒ、Ｇ、Ｂの１つのサブ画素領域ＳＧ内における反射領域Ｅ１１に対応するカラーフィルタ基板９２の構成は次の通りである。

下側基板１と同一の材料によりなる上側基板２上であって、且つ、反射領域Ｅ１１に対応する位置には、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層６が形成されている。各着色層６の厚さはｄ３に設定されている。着色層６は、透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１とで均一な色を表示させる機能を有する開口６ａを有する。相隣接する着色層６を区画する位置には、ＢＭが形成されている。着色層６上には、樹脂材料などよりなるセル厚調整用絶縁層１８が形成されている。セル厚調整用絶縁層１８は、後述するように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さ（セルの厚さ）と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する液晶層４の厚さとを最適な値に設定し、その両者の領域において光学特性を均一に設定する機能、いわゆるマルチギャップ構造を有する機能と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さと、Ｗのサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）に対応する液晶層４の厚さとを同一に設定し、その両者の領域において光学特性を同一に設定する機能とを兼ねている。セル厚調整用絶縁層１８の厚さは、各着色層６の厚さｄ３と同一の値に設定されている。セル厚調整用絶縁層１８等の上には、共通電極８が形成されている。

また、上側基板２の外面上には、位相差板１１（１／４波長板）が配置されていると共に、位相差板１１の外面上には偏光板１２が配置されている。

以上に述べた反射領域Ｅ１１に対応する素子基板９１と、当該反射領域Ｅ１１に対応するカラーフィルタ基板９２とは液晶層４を介して対向している。そして、反射領域Ｅ１１に対応する液晶層４の厚さはｄ２に設定されている。

さて、以上の構成を有する反射領域Ｅ１１において反射型表示がなされる場合、液晶装置１００に入射した外光は、図４（ａ）及び（ｂ）に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶装置１００に入射した外光は、反射電極５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６、共通電極８、及び画素電極１０等が形成されている領域を通過して、その画素電極１０の下側に位置する反射電極５により反射され、再度、画素電極１０、共通電極８、及び着色層６等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。

次に、Ｒ、Ｇ、Ｂの１つのサブ画素領域ＳＧ内における透過領域Ｅ１０の構成について説明する。

下側基板１上には、図４（ｂ）に示すように、ゲート絶縁層５０が形成されている。ゲート絶縁層５０上には、パシベーション層５１が形成されている。パシベーション層５１上には、樹脂層１７が形成されている。上記したように、反射領域Ｅ１１に形成された樹脂層１７は、その表面上に微小な凹凸が形成されているのに対し、透過領域Ｅ１０に形成された樹脂層１５は、その表面上に微小な凹凸は形成されていない。即ち、透過領域Ｅ１０に形成された樹脂層１７の表面は略平坦性を有するように形成されている。樹脂層１７上には、画素電極１０が形成されている。また、下側基板１の外面上には位相差板１３が配置されていると共に、位相差板１３の外面上には偏光板１４が配置されている。また、偏光板１４の外面上にはバックライト１５が配置されている。

一方、Ｒ、Ｇ、Ｂの１つのサブ画素領域ＳＧ内における透過領域Ｅ１０に対応するカラーフィルタ基板９２の構成は次の通りである。上側基板２上には、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層６が形成されている。その各着色層６上には、共通電極８が形成されている。また、上側基板２の外面上には位相差板１１が配置されていると共に、位相差板１１の外面上には偏光板１２が配置されている。

以上に述べた透過領域Ｅ１０に対応する素子基板９１と、当該透過領域Ｅ１０に対応するカラーフィルタ基板９２とは液晶層４を介して対向している。また、透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さｄ１は、反射領域Ｅ１１に対応する液晶層４の厚さｄ２より大きく設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。

さて、以上の構成を有する透過領域Ｅ１０において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図４（ｂ）に示す経路Ｔに沿って進行し、ゲート絶縁層５０、パシベーション層５１、画素電極１０及び着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層６を透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。

次に、図５を参照して、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧの構成について説明する。

図５は、図２における切断線Ｃ−Ｃ’に沿った部分断面図であり、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧを含む断面構成を示す。なお、図５では、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧの断面構成と、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するサブ画素領域ＳＧの断面構成との相違する部分の理解を容易とするため、その３色のうち、Ｇに対応するサブ画素領域ＳＧの断面構成も示す。また、図５において、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧをＳＧ（Ｗ）と、また、Ｇに対応するサブ画素領域ＳＧをＳＧ（Ｇ）と夫々略記する。さらに、以下では、上記で説明した要素については同一の符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。

まず、Ｗのサブ画素領域ＳＧに対応する素子基板９１の構成について、Ｇのサブ画素領域ＳＧに対応する素子基板９１の構成と対比して説明する。

その両者の構成を対比して理解されるように、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧでは、樹脂層１７と画素電極１０の間には反射電極５は設けられていない。また、その他の構成については、両者は略同様である。このため、Ｗのサブ画素領域ＳＧは、透過領域Ｅ１０のみ有する構成となっている。一方、Ｗのサブ画素領域ＳＧに対応するカラーフィルタ基板９２の構成は次の通りである。上側基板２上には、セル厚調整用絶縁層１８が所定の厚さｄ３にて形成されていると共に、そのセル厚調整用絶縁層１８上には、共通電極８が形成されている。なお、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧには、上記したように白色の色材を用いた着色層は設けられていない。

以上に述べたＷのサブ画素領域ＳＧに対応する素子基板９１と、当該透過領域Ｅ１０に対応するカラーフィルタ基板９２は液晶層４を介して対向している。そして、Ｗのサブ画素領域ＳＧに対応する液晶層４の厚さは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さｄ１（≒ｄ２＋ｄ３）と同一の値に設定されている。

なお、Ｗのサブ画素領域ＳＧにおける透過型表示が行われる原理は、上記と略同様である。即ち、Ｗのサブ画素領域ＳＧにおいて透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図５に示す経路Ｔに沿って進行し、ゲート絶縁層５０、パシベーション層５１、画素電極１０、共通電極８及びセル厚調整用絶縁層１８等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、上記の要素を透過することにより所定の明るさを呈する。これにより、高輝度及び高コントラストの向上が図られている。

次に、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００の作用効果について説明する。

一般的に、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷ（透明）の各色に対応する表示画素を有する液晶装置では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各表示画素に、Ｗの表示画素を付加することで、高輝度及び高コントラストを実現している。ところで、Ｗの表示画素には色材がないため、Ｒ、Ｇ、Ｂの透過領域に対応する液晶層の厚さ（セル厚）と、Ｗの表示画素の透過領域に対応する液晶層の厚さ（セル厚）とを同一に設定するためには、Ｗの表示画素に対応する位置にセル厚調整用の透明樹脂層を設ける必要がある。また、マルチギャップ構造を有する半透過反射型の液晶装置では、通常、透過領域と反射領域とで光学特性を均一にするために、反射領域にマルチギャップ用の樹脂層が形成されており、透過領域に対応する液晶層の厚さが、反射領域に対応する液晶層の厚さよりも大きく設定されている。

このようなマルチギャップ構造を有する半透過反射型の液晶装置において、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷ（透明）の各色に対応する表示画素を有するように構成した場合（以下、比較例と呼ぶ）には、Ｗの表示画素に対応する位置にセル厚調整用の透明樹脂層と、その透明樹脂層と異なる材料からなるマルチギャップ用の樹脂層をＲ、Ｇ、Ｂの各表示画素の各反射領域に別々に設ける必要があり、その分だけ工程が増加し、これに起因して液晶装置の製品コストが増加してしまう。

この点、第１実施形態に係る液晶装置１００では、特に、Ｒ、Ｇ、Ｂの反射領域Ｅ１１、及び、Ｗ（透明）の透過領域Ｅ１０には、同一の透明材料（例えば、透明樹脂材料）よりなるセル厚調整用絶縁層１８が設けられている。つまり、この液晶装置１００の製造過程において、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１における各着色層６上に設けられるセル厚調整用絶縁層１８と、Ｗ（透明）の透過領域Ｅ１０に設けられるセル厚調整用絶縁層１８とは、同一の工程により同一の透明材料により同時に形成されている。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧに対応する位置にマルチギャップ構造を、また、Ｗのサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）にセル厚調整用のセル厚調整用絶縁層１８を夫々同時に形成することができる。その結果、上記の比較例と比較して工程の削減を図ることができ、これにより液晶装置１００の製品コストを低減できる。

上記のように、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さｄ１と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する液晶層４の厚さｄ２と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応するセル厚調整用絶縁層１８の厚さｄ３と、Ｗの各透過領域Ｅ１０に対応するセル厚調整用絶縁層１８の厚さｄ３と、各着色層６の厚さｄ３との関係は、ｄ１≒ｄ２＋ｄ３となるように設定されているのが好ましい。また、厚さｄ１を４μｍに設定し、また、厚さｄ２を２μｍに設定した場合には、厚さｄ３は約２μｍに設定されているのが好ましい。

［第２実施形態］
第２実施形態は、本発明を、二端子素子の一例としてのＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置に適用する。

（液晶装置の構成）
次に、本発明の第２実施形態に係る液晶装置２００の構成について説明する。なお、以下において、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。

図６は、第２実施形態に係る液晶装置２００の概略構成を模式的に示す平面図である。図６に示すように、液晶装置２００は、素子基板９３と、その素子基板９３に対向して配置されるカラーフィルタ基板９４とが、複数の金属粒子などの導通部材７が混入された枠状のシール材５を介して貼り合わされ、そのシール材５の内側に液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。図６では、紙面手前側（観察側）に素子基板９３が、また、紙面奥側にカラーフィルタ基板９４が夫々配置されており、その両基板の配置は第１実施形態と逆になっている。

ここに、液晶装置２００は、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの４色を用いて構成されるカラー表示用の液晶装置であると共に、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。また、液晶装置２００は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧ内に透過領域及び反射領域を有する半透過反射型の液晶装置であると共に、当該透過領域と当該反射領域とで液晶層４の厚さが異なるマルチギャップ構造を有する液晶装置である。

まず、素子基板９３の平面構成について説明する。素子基板９３は、主として、複数のデータ線６２、複数のＴＦＤ素子６３、複数の画素電極１０、複数の引き回し配線６１、ＹドライバＩＣ６７、複数のＸドライバＩＣ６６、複数の外部接続用配線３５、及びＦＰＣ４１を備えている。

複数のデータ線６２は、Ｙ方向に延在する直線状の配線であり、張り出し領域３１から有効表示領域Ｖにかけて形成されている。各データ線６２はＸ方向に一定の間隔をおいて形成されている。また、各データ線６２は、対応する各ＴＦＤ素子６３に接続されており、各ＴＦＤ素子６３は、対応する各画素電極１０に接続されている。このため、各データ線６２と各画素電極１０は、各ＴＦＤ素子６３を介して電気的に接続されている。

複数の引き回し配線６１は、Ｙ方向に延在する本線部分６１ａと、その本線部分６１ａに対してＸ方向に略直角に折れ曲がる屈曲部分６１ｂとにより構成されている。各本線部分６１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３１からＹ方向に延在するように形成されている。また、各本線部分６１ａは、各データ線６２に対して略平行で、且つ、一定の間隔をおいて形成されている。各屈曲部分６１ｂは、額縁領域３８内において、左右に位置するシール材５内までＸ方向に延在している。そして、その屈曲部分６１ｂの終端部は、シール材５内において導通部材７に電気的に接続されている。

素子基板９３の張り出し領域３１上には、ＹドライバＩＣ６７、及び複数のＸドライバＩＣ６６が実装されている。また、張り出し領域３１上には、複数の外部接続用配線３５が形成されている。

各ＸドライバＩＣ６６の入力側は、外部接続用配線３５の一端側に電気的に接続されている一方、各ＸドライバＩＣ６６の出力側は、各引き回し配線６１の一端側に電気的に接続されている。これにより、各ＸドライバＩＣ６６は、各引き回し配線６１に走査信号を出力することが可能となっている。

ＹドライバＩＣ６７の入力側は、外部接続用配線３５の一端側に電気的に接続されている一方、ＹドライバＩＣ６７の出力側は、各データ線６２の一端側に電気的に接続されている。これにより、ＹドライバＩＣ６７は各データ線６２にデータ信号を出力することが可能となっている。

ＦＰＣ４１は、後述の電子機器、及び複数の外部接続用配線３５の他端側に電気的に接続されている。

以上の構成を有する素子基板９３では、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器からＦＰＣ４１、ＹドライバＩＣ６７及び各ＸドライバＩＣ６６等を介して、各データ線６２にデータ信号を、また、各引き回し配線６１に走査信号を夫々出力する。

次に、カラーフィルタ基板９４の平面構成について説明する。図６に示すように、カラーフィルタ基板９４は、主として、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６、ストライプ状の形状を有する走査電極６４等を備えて構成される。

各着色層６は、画素電極１０に対応する位置に形成されている。Ｙ方向に相隣接する着色層６の間には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６のうち、任意の２色を重ねて形成された遮光層６７（図９（ａ）等を参照）が形成されている一方、Ｘ方向に相隣接する着色層６の間には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６のうち、任意の３色を重ねて形成された遮光層６８（図９（ｂ）等を参照）が形成されている。各走査電極６４は、Ｘ方向に延在するように且つＹ方向に一定の間隔をおいて形成されている。各走査電極６４の左端部或いは右端部は、図６に示すように、シール材５内まで延在しており、且つ、そのシール材５内に混入された複数の導通部材７と電気的に接続されている。

以上に述べた、カラーフィルタ基板９４と素子基板９３とがシール材５を介して貼り合わせられた状態が図６に示されている。図示のように、カラーフィルタ基板９４の各走査電極６４は、素子基板９３の各データ線６２に対して交差しており、且つ、Ｘ方向に列をなす複数の画素電極１０と平面的に重なり合っている。このように、走査電極６４と各画素電極１０とが重なり合う領域が１つのサブ画素領域ＳＧを構成している。

また、カラーフィルタ基板９４の各走査電極６４と、素子基板９３の各引き回し配線６１とは、図示のように左辺２００ａ側と右辺２００ｂ側との間で交互に重なり合っており、各走査電極６４と各引き回し配線６１とは、シール材５内の導通部材７を介して上下導通している。つまり、カラーフィルタ基板９４の各走査電極６４と、素子基板９３の各引き回し配線６１との導通は、図示のように左辺２００ａ側と右辺２００ｂ側との間で交互に実現されている。このため、カラーフィルタ基板９４の各走査電極６４は、素子基板９３の各引き回し配線６１を介して、紙面左右に夫々位置する各ＸドライバＩＣ６６に電気的に接続されている。

以上の構成を有する液晶装置２００では、電子機器と接続されたＦＰＣ４１側からの信号及び電力等に基づき、各ＸドライバＩＣ６６によって、各引き回し配線６１を介して各走査電極６４が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択された走査電極６４には、選択電圧の走査信号が供給される一方、他の非選択の走査電極６４には、非選択電圧の走査信号が供給される。そして、ＹドライバＩＣ６７は、選択された走査電極６４に対応する位置にある画素電極１０に対し、表示内容に応じたデータ信号を、それぞれ対応するデータ線６２及びＴＦＤ素子６３を介して供給する。その結果、液晶層４の表示状態が、非表示状態または中間表示状態に切り替えられ、液晶層４の配向状態が制御されることとなる。

（画素構成）
次に、図７等を参照して、１つの画素領域ＡＧの構成について説明する。図７は、図６における１つの画素領域ＡＧ（破線にて囲まれた部分）に対応する部分拡大平面図である。

図７に示すように、１つの画素領域ＡＧは、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗに対応する、２行２列のサブ画素領域ＳＧを備えて構成される。さらに、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する各サブ画素領域ＳＧは、透過型表示が行われる透過領域Ｅ１０と、反射型表示が行われる反射領域Ｅ１１とを備えて構成される。これに対し、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧは、透過領域Ｅ１０のみを備えて構成され、反射領域Ｅ１１は有しない。

次に、図８を参照して、図７におけるＲ、Ｇ、Ｂに対応する各サブ画素領域ＳＧの構成について説明する。

図８（ａ）は、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素領域ＳＧに対応する素子基板９３の構成を示す部分拡大平面図である。一方、図８（ｂ）は、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素領域ＳＧに対応するカラーフィルタ基板９４の構成を示す部分拡大平面図である。図９（ａ）は、図８（ａ）における切断線Ｄ−Ｄ’に沿った部分断面図であり、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する液晶装置２００の断面構成を示す。図９（ｂ）は、図８（ａ）における切断線Ｅ−Ｅ’に沿った部分断面図であり、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧに対応する液晶装置２００の断面構成を示す。

まず、Ｒ、Ｇ、Ｂの１つのサブ画素領域ＳＧ内に対応する素子基板９３の構成について説明する。ガラスなどよりなる下側基板８１上には、データ線６２、ＴＦＤ素子６３及び画素電極１０等が形成されている。データ線６２は、図８に示すように、サブ画素領域ＳＧの右端付近において、Ｙ方向に延在するように形成されている。ＴＦＤ素子６３は、サブ画素領域ＳＧの隅の位置付近に設けられている。画素電極１０は、サブ画素領域ＳＧ内に設けられており、ＴＦＤ素子６３と電気的に接続されている。このため、データ線６２は、ＴＦＤ素子６３を介して画素電極１０に電気的に接続されている。なお、画素電極１０等の上には、図示しない配向膜が形成されている。

次に、１つのサブ画素領域ＳＧに対応するカラーフィルタ基板９４の構成について、透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１とに分けて説明する。

まず、Ｒ、Ｇ、Ｂの１つのサブ画素領域ＳＧ内における反射領域Ｅ１１の構成について説明する。

ガラスなどよりなる上側基板８２上には、樹脂層１７が形成されている。樹脂層１７の表面上には、光を散乱させる機能を有する複数の微小な凹凸が形成されている。樹脂層１７上には、Ａｌなどからなる反射層６５が形成されている。このため、反射層６５は、樹脂層１７の複数の微小な凹凸を反映した形状に形成されている。反射層６５上には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６が形成されている。Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６は、透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１とで均一な色を表示する機能を有する開口６ａを有する。また、図８（ｂ）において、サブ画素領域ＳＧと破線領域Ｅ３０とにより区画された領域は、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層６うち、任意の２色の着色層６が相互に重ね合わされた遮光層６７が形成された領域と、任意の３色の着色層６が相互に重ね合わされた遮光層６８が形成された領域とを含んでいる。開口６ａ内に位置する反射層６５上、及び着色層６上には、絶縁性を有する保護層１９が形成されている。この保護層１９は、カラーフィルタ基板９４の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６を保護する機能を有する。樹脂層１７上から保護層１９上までの距離はｄ７に設定されている。保護層１９上には、セル厚調整用絶縁層１８が形成されている。セル厚調整用絶縁層１８の厚さはｄ７に設定されている。セル厚調整用絶縁層１８上には、走査電極６４が形成されている。なお、走査電極６４上には、図示しない配向膜が形成されている。

また、下側基板８１の外面上には、位相差板１３が配置されていると共に、位相差板１３の外面上には偏光板１４が配置されている。また、偏光板１４の外面上にはバックライト１５が配置されている。

以上に述べた反射領域Ｅ１１に対応する素子基板９３と、当該反射領域Ｅ１１に対応するカラーフィルタ基板９４は液晶層４を介して対向している。そして、反射領域Ｅ１１に対応する液晶層４の厚さはｄ６に設定されている。

さて、以上の構成を有する反射領域Ｅ１１において反射型表示がなされる場合、液晶装置２００に入射した外光は、図９（ａ）及び（ｂ）に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶装置２００に入射した外光は、反射層６５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、画素電極１０、セル厚調整用絶縁層１８、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６等が形成されている領域を通過して、その各着色層６の下側に位置する反射層６５及び各開口６ａ内に位置する反射層６５により反射され、再度、各着色層６、セル厚調整用絶縁層１８、及び画素電極１０等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。

次に、Ｒ、Ｇ、Ｂの１つのサブ画素領域ＳＧ内における透過領域Ｅ１０の構成について説明する。

図９（ｂ）に示すように、下側基板８１上には、樹脂層１７が形成されていると共に、その樹脂層１７上には、光を透過させる透過開口領域８５等が形成されている。そして、透過開口領域８５内に位置する樹脂層１７上には、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層６等が形成されている。Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層６上には、保護層１９が形成されている。また、保護層１９上には、走査電極６４が形成されている。なお、走査電極６４の上には、図示しない配向膜が形成されている。

また、下側基板８１の外面上には、位相差板１３が配置されていると共に、位相差板１３の外面上には偏光板１４が配置されている。また、偏光板１４の外面上にはバックライト１５が配置されている。一方、上側基板８２上には、画素電極１０が形成されている。なお、画素電極１０の上には、図示しない配向膜が形成されている。

以上に述べた透過領域Ｅ１０に対応する素子基板９３と、当該透過領域Ｅ１０に対応するカラーフィルタ基板９４は液晶層４を介して対向している。また、透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さｄ５（≒ｄ６＋ｄ７）は、反射領域Ｅ１１に対応する液晶層４の厚さｄ６より大きく設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。

さて、以上の構成を有する透過領域Ｅ１０において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図９（ｂ）に示す経路Ｔに沿って進行し、樹脂層１７、着色層６、保護層１９、走査電極６４及び画素電極１０等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層６を透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。

次に、図１０を参照して、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧの構成について説明する。

図１０は、図７における切断線Ｆ−Ｆ’に沿った部分断面図であり、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧを含む断面構成を示す。なお、図１０では、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧの断面構成と、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するサブ画素領域ＳＧの断面構成との相違する部分の理解を容易とするため、その３色のうち、Ｇに対応するサブ画素領域ＳＧの断面構成も示す。また、図１０において、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧをＳＧ（Ｗ）と、また、Ｇに対応するサブ画素領域ＳＧをＳＧ（Ｇ）と夫々略記する。さらに、以下では、上記で説明した要素については同一の符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。

まず、Ｗのサブ画素領域ＳＧに対応するカラーフィルタ基板９４の構成について説明する。下側基板８１上には樹脂層１７等が形成されている。透過領域Ｅ１０に形成された樹脂層１７の表面は略平坦性を有するように形成されている。樹脂層１７上にはセル厚調整用絶縁層１８等が形成されている。セル厚調整用絶縁層１８上には走査電極６４が形成されている。なお、走査電極６４の上には、図示しない配向膜が形成されている。このため、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧは、透過領域Ｅ１０のみ有する構成となっている。なお、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧには、白色の色材を用いた着色層は設けられていない。一方、Ｗに対応するサブ画素領域ＳＧに対応する素子基板９３の構成は、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素領域ＳＧに対応する素子基板９３の構成と同様である。

以上に述べたＷのサブ画素領域ＳＧに対応する素子基板９３と、当該透過領域Ｅ１０に対応するカラーフィルタ基板９４は液晶層４を介して対向している。そして、Ｗのサブ画素領域ＳＧに対応する液晶層４の厚さは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さｄ５と同一の値に設定されている。

なお、Ｗのサブ画素領域ＳＧにおける透過型表示が行われる原理は、上記と略同様である。即ち、Ｗのサブ画素領域ＳＧにおいて透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図１０に示す経路Ｔに沿って進行し、樹脂層１７、セル厚調整用絶縁層１８、走査電極６４及び画素電極１０等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、上記の要素を透過することにより所定の明るさを呈する。これにより、高輝度及び高コントラストの向上が図られている。

次に、本発明の第２実施形態に係る液晶装置２００の作用効果について説明すると、第２実施形態に係る液晶装置２００は、上記した第１実施形態と同様の作用効果を奏する。

即ち、この液晶装置２００では、特に、Ｒ、Ｇ、Ｂの反射領域Ｅ１１、及び、Ｗ（透明）の透過領域Ｅ１０には、同一の透明材料（例えば、透明樹脂材料）よりなるセル厚調整用絶縁層１８が設けられている。つまり、この液晶装置２００の製造過程において、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１における各保護層１９上に設けられるセル厚調整用絶縁層１８と、Ｗ（透明）の透過領域Ｅ１０に設けられるセル厚調整用絶縁層１８とは、同一の工程により同一の透明材料により同時に形成されている。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧに対応する位置にマルチギャップ構造を、また、Ｗのサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）にセル厚調整用のセル厚調整用絶縁層１８を夫々同時に形成することができる。その結果、上記の比較例と比較して工程の削減を図ることができ、これにより液晶装置１００の製品コストを低減できる。

上記のように、Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷの各透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さｄ５と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する液晶層４の厚さｄ６と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応するセル厚調整用絶縁層１８及びＷの各透過領域Ｅ１０に対応するセル厚調整用絶縁層１８の厚さｄ７との関係は、ｄ５≒ｄ６＋ｄ７となるように設定されているのが好ましい。また、厚さｄ５を４μｍに設定し、また、厚さｄ６を２μｍに設定した場合には、厚さｄ７は約２μｍに設定されているのが好ましい。

［変形例］
上記の第１実施形態では、カラーフィルタ基板９２側のＲ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧにおいて、透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１とで均一な色を表示するために、反射領域Ｅ１１に形成される着色層６に開口６ａを設けるように構成した。これに限らず、本発明では、着色層６に開口６ａを設けるのではなく、透過領域Ｅ１０に形成される着色層６の厚さを、反射領域Ｅ１１に形成される着色層６の厚さより大きくすることにより、上記同様の作用効果を得るようにしても構わない。

かかる構成について、図１１を参照して簡単に説明する。図１１は、図５に対応する断面図であるが、Ｇのサブ画素領域ＳＧを着目してわかるように、透過領域Ｅ１０に形成された着色層６の厚さと、反射領域Ｅ１１に形成された着色層６の厚さとが夫々異なっている。

即ち、図１１に示すように、着色層６Ｇに対応するサブ画素領域ＳＧに着目した場合、その透過領域Ｅ１０及び反射領域Ｅ１１の構成は次の通りとなっている。まず、透過領域Ｅ１０では、上側基板２上に着色層６Ｇが形成されていると共に、その着色層６Ｇ上に共通電極８が形成されている。一方、反射領域Ｅ１１では、上側基板２上に樹脂材料よりなる樹脂層２０が形成されていると共に、その樹脂層２０上には着色層６Ｇが形成されており、さらに、その着色層６Ｇ上にはセル厚調整用絶縁層１８が形成されている。また、セル厚調整用絶縁層１８上には共通電極８が形成されている。そして、透過領域Ｅ１０に形成された着色層６Ｇの厚さはｄ８に、また、反射領域Ｅ１１に形成された着色層６Ｇの厚さはｄ９（＜ｄ８）に設定されている。好適な例では、透過領域Ｅ１０に形成された着色層６Ｇの厚さｄ８は、反射領域Ｅ１１に形成された着色層６Ｇの厚さｄ９の約２倍に設定されているのが好ましい。

かかる構成において透過型表示を行う場合、バックライト１５から出射された照明光は経路Ｔに沿って透過領域Ｅ１０の着色層６Ｇを１回通過するのに対し、反射型表示を行う場合、外光は経路Ｒに沿って反射領域Ｅ１１の着色層６Ｇをまず１回通過し、続いて、その通過した外光は着色層６Ｇの下側に配置された反射電極５により反射されて再び経路Ｒに沿って着色層６Ｇをもう１回通過するため、その光は合計で着色層６Ｇを２回通過することになる。つまり、反射型表示を行う場合には、透過型表示を行う場合と比較して、光が着色層６Ｇを１回だけ余計に通過する。

このため、透過領域Ｅ１０に形成された着色層６Ｇの厚さｄ８が、反射領域Ｅ１１に形成された着色層６Ｇの厚さｄ９に対して約２倍に設定されている場合には、透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１とで同一の長さだけ光が通過することになるので、その両者の領域では均一な色を表示することが可能となる。なお、ここでは、特に説明を省略するが、勿論、Ｒ及びＢの各サブ画素領域ＳＧの構成も上記した変形例と同様の構成とすることができる。

また、第２実施形態も第１実施形態と同様に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧにおいて、透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１とで均一な色を表示するために、反射領域Ｅ１１に形成される着色層６に開口６ａを設けるように構成していた。

この構成に限らず、本発明では、第２実施形態も、上記した変形例と同様の構成を採用することができる。この点について、図１２を参照して簡単に説明する。図１２は、図１０に対応する断面図であるが、Ｇのサブ画素領域ＳＧを着目してわかるように、透過領域Ｅ１０に形成される着色層６の厚さと、反射領域Ｅ１１に形成される着色層６の厚さとが夫々異なっている。

即ち、図１２に示すように、着色層６Ｇに対応するサブ画素領域ＳＧに着目した場合、その透過領域Ｅ１０及び反射領域Ｅ１１の構成は次の通りとなっている。まず、透過領域Ｅ１０では、下側基板８１上に着色層６Ｇが形成されていると共に、その着色層６Ｇ上には保護層１９が形成されており、さらに、その保護層１９上には走査電極６４が形成されている。一方、反射領域Ｅ１１では、下側基板８１上に樹脂層１７が形成されていると共に、その樹脂層１７上には反射層６５が形成されている。また、その反射層６５上には着色層６Ｇが形成されていると共に、その着色層６Ｇ上には保護層１９が形成されている。さらに、その保護層１９上には、セル厚調整用絶縁層１８が形成されていると共に、そのセル厚調整用絶縁層１８上には走査電極６４が形成されている。

そして、透過領域Ｅ１０に形成された着色層６Ｇの厚さはｄ１０に、一方、反射領域Ｅ１１に形成された着色層６Ｇの厚さはｄ１１（＜ｄ１０）に設定されている。好適な例では、透過領域Ｅ１０に形成された着色層６Ｇの厚さｄ１０は、反射領域Ｅ１１に形成された着色層６Ｇの厚さｄ１１の約２倍に設定されているのが好ましい。これにより、上記した原理と同様の方法で、透過領域Ｅ１０及び反射領域Ｅ１１を夫々光が通過することにより、透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１とで均一な色を表示することが可能となる。なお、Ｒ及びＢの各サブ画素領域ＳＧの構成も、勿論、上記した変形例と同様の構成とすることができる。

また、上記の第１及び第２実施形態（上記した各変形例も含む）では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧには透過領域Ｅ１０及び反射領域Ｅ１１を夫々設ける一方、Ｗのサブ画素領域ＳＧには透過領域Ｅ１０のみ設けるように構成した。これに限らず、本発明では、第１及び第２実施形態において、Ｗのサブ画素領域ＳＧの構成も、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧの構成と同様に、透過領域Ｅ１０及び反射領域Ｅ１１を夫々設けるようにしても構わない。かかる構成を採用した１つの画素領域ＡＧの平面的な構成を図１３（ａ）及び（ｂ）に夫々示す。ここで、図１３（ａ）は、第１実施形態に係る、図２に対応する部分平面図であり、Ｗのサブ画素領域ＳＧ内に透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１を設けた構成図を示している。一方、図１３（ｂ）は、第２実施形態に係る、図７に対応する部分平面図であり、Ｗのサブ画素領域ＳＧ内に透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１を設けた構成図を示している。

なお、この場合、第１実施形態（上記の変形例を含む）では、素子基板９１側において、Ｗの反射領域Ｅ１１に対応する、樹脂層１７と画素電極１０の間に反射電極５を設ける必要がある。一方、第２実施形態（上記の変形例を含む）では、カラーフィルタ基板９４において、Ｗの反射領域Ｅ１１の樹脂層１７とセル厚調整用絶縁層１８の間に反射層６５を設ける必要がある。

また、第１及び第２実施形態では、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの着色層６を含む２行２列のサブ画素領域ＳＧによって１つの画素領域ＡＧを構成したが、これに限らず、本発明では、図１４（ａ）に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの着色層６を含む１行４列のサブ画素領域ＳＧ（全て同一の面積）によって１つの画素領域ＡＧを構成するようにしても構わない。なお、このとき、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの配列順序は図１４（ａ）の構成に限定されず、必要に応じてその配列順序は適宜変更可能である。また、上記のようにＷを１つの画素領域ＡＧ内に設ければ、輝度が向上する反面、高輝度での色濃度が低下することがある。したがって、輝度を向上させつつ色濃度の低下を防止するためには、図１４（ｂ）に示すように、Ｗのサブ画素領域ＳＧの面積を、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧの面積と比べて、相対的に小さくなるよう設定することが有効である。また、本発明では、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの着色層６を含む１つの画素領域ＳＧの構成は、上記の構成に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

また、本発明では、上記の第１及び第２実施形態において、セル厚調整用絶縁層１８は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６の保護膜を兼ねる場合があるので、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域の着色層６上には、そのセル厚調整用絶縁層１８を薄肉部として残しても構わない。

また、本発明では、上記の第１及び第２実施形態において、セル厚調整用絶縁層１８と着色層を同一の基板に配置したが、これに限らず、本発明では、セル厚調整用絶縁層１８と着色層６を別の基板に配置しても構わない。具体的には、スイッチング素子が設けられてなる基板にセル厚調整用絶縁層１８を配置し、その基板と対向する基板に着色層６を配置しても良い。この時、セル厚調整用絶縁層１８上に反射電極５又は反射層６５を配置しても良い。要は、セル厚調整用絶縁層１８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６を備える表示画素における透過領域と、着色層を備えないＷの表示画素における透過領域と、の間で液晶層厚の厚さが大きく異なるのを防ぐことができれば良いのである。

［液晶装置の製造方法］
次に、上記した本発明の第１及び第２実施形態に係る液晶装置１００及び２００の製造方法等について説明する。

（第１実施形態に係る液晶装置の製造方法）
まず、図１５乃至図２１を参照して、第１実施形態に係る液晶装置１００の製造方法について説明する。図１５は、第１及び第２実施形態に係る液晶装置１００及び２００の製造方法を示すフローチャートである。図１６は、第１実施形態に係るカラーフィルタ基板９２の製造方法を示すフローチャートである。図１７乃至図２１は、図１５における工程Ｓ１に対応する各工程図を示す。図１７乃至図２１において、ＳＧ（Ｗ）はＷ（透明）に対応するサブ画素領域ＳＧを、また、ＳＧ（Ｇ）はＧ（緑）に対応するサブ画素領域ＳＧを夫々示している。また、Ｅ１０は透過領域となるべき領域を、また、Ｅ１１は反射領域となるべき領域を夫々示している。なお、以下では、図５に示されるカラーフィルタ基板９２の断面構成を一例にとり説明する。

まず、上記したカラーフィルタ基板９２を作製する（工程Ｓ１）。このカラーフィルタ基板９２は、工程Ｐ１乃至工程Ｐ６を経ることにより作製される。

具体的には、まず、ガラスや石英などの材料よりなる上側基板２を用意し、次いで、フォトリソグラフィー技術を用いて、その上側基板２上に、例えば黒色樹脂材料よりなるＢＭを成膜し、その後エッチング処理を施す。これにより、図１７（ａ）に示すように、サブ画素領域ＳＧの周囲に額縁状の形状を有するようにＢＭを形成する（工程Ｐ１）。

次に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６を形成する（工程Ｐ２）。具体的には、図１７（ｂ）に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６を、上記した図１等の配列パターンとなるように各サブ画素領域ＳＧ内にフォトリソグラフィー技術を用いて形成する。このとき、各着色層６の厚さはｄ３に設定される。好適な例では、各着色層６の厚さｄ３は約２μｍに設定されるのが好ましい。また、このとき、反射領域Ｅ１１に対応する各着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂには透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１とで均一な色を表示する機能を有する開口６ａが設けられる。また、このとき、Ｗのサブ画素領域ＳＧに形成された着色層６は全てエッチング処理により除去される。

次に、セル厚調整用絶縁層を形成する（工程Ｐ３）。具体的には、上側基板２の一部、ＢＭ及び着色層６の上に一面に亘って透明樹脂材料などよりなるセル厚調整用絶縁層１８を成膜し、その後エッチング処理を施す。このとき、セル厚調整用絶縁層１８の厚さは、着色層６と同一の厚さｄ３に設定される。これにより、本製造方法により液晶装置１００が製造されたときに、Ｗの透過領域Ｅ１０の液晶層４の厚さと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０の液晶層４の厚さを同一に設定できると共に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０の液晶層４の厚さと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１の液晶層４の厚さとを最適な厚さに設定することができる。

特に、この工程では、Ｗのサブ画素領域ＳＧ、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に、夫々同一の透明樹脂材料よりなるセル厚調整用絶縁層１８を同時に形成するようにしている。よって、Ｗのサブ画素領域ＳＧと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１とに対して、それぞれ、セル厚調整用絶縁層１８を独立に形成するような工程を有する製造方法（比較例）と比較した場合、その分だけ工程の削減を図ることができる。その結果、本製造方法により製造される液晶装置１００の製品コストの低減を図ることができる。

しかしながら、プロセス上の理由等により、セル厚調整用絶縁層１８の厚さが、上記の各着色層６の厚さより大きく形成されてしまう場合がある。

このような場合、Ｗ（透明）のサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）に対応する液晶層４の厚さは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さと非同一となってしまい、その両者の領域では光学特性にバラツキが生じてしまう。

そこで、このような場合には、次工程としての工程Ｐ４を実行することにより、Ｗのサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）に対応するセル厚調整用絶縁層１８の厚さと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する各着色層６の厚さとを同一にする。なお、セル厚調整用絶縁層１８の厚さと、各着色層６の厚さとが同一の厚さに設定されている場合には、勿論、工程Ｐ４を実行する必要はない。また、工程Ｐ４は、工程Ｐ３の次工程としてではなく、工程Ｐ３に含まれるようにしても構わない。

ここで、図１９及び図２０を参照して、工程Ｐ４について説明する。上記のように、セル厚調整用絶縁層１８の厚さが各着色層６の厚さより大きい場合には、上記の不具合を解消するため、工程Ｐ４において、レジスト塗布工程、予備乾燥（プリベーク）工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程を含むフォトリソグラフィー技術により、セル厚調整用絶縁層１８の厚さと、各着色層６の厚さとを一致させる。このとき露光方法としては、例えば２重露光方法、或いは、ハーフトーン露光方法を用いるのが好ましい。ここで、「２重露光方法」とは、構成の異なる２種類のマスク７０及び７５を用いて、上記の工程で作製された基板に対して１回づつ露光（合計２回の露光）を実施する方法をいう。一方、「ハーフトーン露光方法」とは、透明膜と比べて光透過率の低い半透過膜を一部に含むマスク７６を用いて、上記の工程で作製された基板に対して１回だけ露光を実施する方法をいう。

まず、図１９を参照して、２重露光方法により、Ｗのサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）に対応するセル厚調整用絶縁層１８の厚さと、各着色層６の厚さとを同一に設定する方法について説明する。なお、以下では、フォトリソグラフィー技術において、露光工程以外の各工程についての説明は省略又は簡略化する。

上記したように、マスク７０とマスク７５の構成は各々異なっている。マスク７０は、上記の基板に対して１回目に露光するときに用いられる一方、マスク７５は、上記の基板に対して２回目に露光するときに用いられる。なお、図１９（ａ）及び（ｂ）に示される複数の矢印はＵＶ（紫外線）又はｉ線などの光の進行方向を示している。

まず、図１９（ａ）において、上記の工程Ｐ３にて作製された基板上に、セル厚調整用絶縁層１８となるべき感光性樹脂（レジスト）１８ｘを塗布する。このとき、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６の厚さをｄ２０とした場合、レジスト１８は所定の厚さｄ２１（＝２×ｄ２０）だけ塗布される。次いで、上記の基板上の所定位置に配置されたマスク７０を通じて１回目の露光を実施し、その後、現像、エッチング処理を施して、所定の領域の不要なレジスト１８ｘを除去する。なお、このとき用いるレジスト１８ｘは、マスクにより遮光された領域のレジストが硬化される一方、マスクにより露光された領域のレジスト等が除去されるポジ型レジストを用いるのが好ましい。

ここで、マスク７０は、図１９（ａ）に示すように、左から順に、光を完全に通過させる開口が形成された完全露光の領域（ＳＧ（Ｗ）の領域に対応する位置に配置される）と、光を完全に遮光する材料よりなる完全遮光の領域（ＳＧ（Ｇ）、ＳＧ（Ｒ）、ＳＧ（Ｂ）の各反射領域Ｅ１１に対応する位置に配置される）と、完全露光の領域（ＳＧ（Ｇ）、ＳＧ（Ｒ）、ＳＧ（Ｂ）の各透過領域Ｅ１０に対応する位置に配置される）とを備えて構成される。

これにより、マスク７０により完全露光された、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０の各着色層６上に形成された領域Ｅ５０に対応するレジスト１８ｘ（厚さｄ２０に相当）、及び、Ｗのサブ画素領域ＳＧの領域Ｅ５１に対応するレジスト１８ｘ（厚さｄ２０に相当）が夫々除去される一方、マスク７０により完全遮光された、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応するレジスト１８ｘは除去されることなく残存する。

続いて、マスク７５を用いて２回目の露光を実施する。まず、図１９（ｂ）に示すように、上記の基板上の所定位置にマスク７５を配置して、そのマスク７５を通じて２回目の露光を実施し、その後、現像、エッチング処理を施して不要なレジスト等を除去する。

ここで、マスク７５は、図１９（ｂ）に示すように、左から順に、完全遮光の領域（ＳＧ（Ｗ）の領域に対応する位置に配置される）と、同じく完全遮光の領域（ＳＧ（Ｇ）、ＳＧ（Ｒ）、ＳＧ（Ｂ）の各反射領域Ｅ１１に対応する位置に配置される）と、完全露光の領域（ＳＧ（Ｇ）、ＳＧ（Ｒ）、ＳＧ（Ｂ）の各透過領域Ｅ１０に対応する位置に配置される）とを備えて構成される。

これにより、マスク７５により完全露光された、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０の領域Ｅ５２に対応するレジスト１８ｘ（厚さｄ２１に相当）は完全に除去される一方、マスク７５により完全遮光された、Ｗのサブ画素領域ＳＧに対応するレジスト１８ｘ、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応するレジスト１８ｘは除去されることなく残存する。

以上に述べた２重露光方法を採用することにより、図１８に示される基板と略同様の状態、即ち、Ｗのサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）に対応するセル厚調整用絶縁層１８の厚さと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する各着色層６の厚さとを同一に設定することができる。これにより、Ｗ（透明）のサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）に対応する液晶層４の厚さと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さとを同一に設定でき、その両者の領域において光学特性を同一に設定することが可能となる。

次に、図２０を参照して、２重露光方法に代えて、ハーフトーン露光方法により、Ｗのサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）に対応するセル厚調整用絶縁層１８の厚さと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する各着色層６の厚さとを同一の厚さに設定する方法について説明する。

まず、図２０に示すように、上記の工程Ｐ３にて作製された基板に、レジスト１８ｘを塗布する。このとき、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６の厚さをｄ２０とした場合、レジスト１８は所定の厚さｄ２１（＝２×ｄ２０）だけ塗布される。次いで、上記の基板上の所定位置に配置されたマスク７６を通じて露光を１回だけ実施し、その後、その基板に対して現像、エッチング処理を施して不要なレジスト等を除去する。

ここで、マスク７６は、図２０に示すように、左から順に、透明膜と比べて光透過率の低い半透過膜によりなるハーフトーン露光の領域（ＳＧ（Ｗ）の領域に対応する位置に配置される）と、完全遮光の領域（ＳＧ（Ｇ）、ＳＧ（Ｒ）、ＳＧ（Ｂ）の各反射領域Ｅ１１に対応する位置に配置される）と、完全露光の領域（ＳＧ（Ｇ）、ＳＧ（Ｒ）、ＳＧ（Ｂ）の各透過領域Ｅ１０に対応する位置に配置される）とを備えて構成される。

これにより、マスク７６によりハーフトーン露光されたＷのサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）の領域Ｅ５４に対応するレジスト１８ｘは所定厚さｄ２０分だけエッチングにより除去されて、その厚さが薄くなるように形成され、また、マスク７６により完全遮光されたＲ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応するレジスト１８ｘは除去されることなく残存し、また、マスク７６により完全露光された、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０の領域Ｅ５３に対応するレジスト１８ｘ（厚さｄ２１に相当）は完全に除去される。

以上に述べたハーフトーン露光方法を採用することにより、上記した２重露光方法と同様に、Ｗ（透明）のサブ画素領域ＳＧ（透過領域Ｅ１０）に対応する液晶層４の厚さと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さとを同一に設定でき、その両者の領域において光学特性を同様にすることができる。

次に、図２１に示すように、セル厚調整用絶縁層１８及び各着色層６等の上に、ＩＴＯなどよりなる共通電極８を形成すると共に、その共通電極８上に図示しない配向膜を形成し（工程Ｐ５）、続いて、その他の構成要素、例えば、上側基板２の外面側に位相差板１１及び偏光板１２等を取り付ける（工程Ｐ６）。こうして、図５等に示される、第１実施形態のカラーフィルタ基板９２が作製される。

次に、図１５に戻り、図５等に示される第１実施形態の素子基板９１を周知の方法によって作製する（工程Ｓ２）。続いて、カラーフィルタ基板９２と素子基板９１とを図示しない枠状のシール材５を介して貼り合わせ、そのシール材５に設けられた開口を通じて、その両基板の内部に液晶を封入し、さらに、樹脂材料等を用いてその開口を封止処理する（工程Ｓ３）。その他、必要な要素を取り付けることにより（工程Ｓ４）、図１及び図５等に示される、第１実施形態の液晶装置１００が作製される。

（第２実施形態に係る液晶装置の製造方法）
次に、図１５、図２２乃至図２５等を参照して、第２実施形態に係る液晶装置２００の製造方法について説明する。図２２は、第２実施形態に係るカラーフィルタ基板９４の製造方法を示すフローチャートである。図２３乃至図２５は、図１５における工程Ｓ１に対応する各工程図を示す。図２３乃至図２５において、ＳＧ（Ｗ）はＷに対応するサブ画素領域ＳＧを、また、ＳＧ（Ｇ）はＧに対応するサブ画素領域ＳＧを夫々示している。また、Ｅ１０は透過領域となるべき領域を、また、Ｅ１１は反射領域となるべき領域を夫々示している。なお、以下では、図１０に示されるカラーフィルタ基板９４の断面構成を一例にとり説明する。

まず、上記したカラーフィルタ基板９４を作製する（工程Ｓ１）。このカラーフィルタ基板９４は、工程Ｒ１乃至工程Ｒ８を経ることにより作製される。

具体的には、まず、ガラスや石英などの材料よりなる下側基板８１を用意し、次いで、フォトリソグラフィー技術を用いて、その下側基板８１上に、樹脂材料などよりなる樹脂層１７を成膜し、続いて、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧに対応する樹脂層１７の表面をエッチング処理等することにより、その表面上に微小な複数の凹凸を形成する（工程Ｒ１）。

次に、反射層６５を形成する（工程Ｒ２）。具体的には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１等に対応する樹脂層１７上に、Ａｌなどを成膜し、続いて、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０等に対応する樹脂層１７上に成膜された反射層６５の一部分をエッチングにより除去する。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に光を透過させる機能を有する透過開口領域８５が形成されると共に、少なくともＲ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に反射層６５が形成される。

次に、周知の方法にて、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６を形成する（工程Ｒ３）。このとき、例えば、着色層６Ｂ、着色層６Ｒ、着色層６Ｇの順に、それらが形成されるべきサブ画素領域ＳＧに、当該各着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを形成する。なお、各着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの形成する順番に特に限定はない。このとき、同時に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する着色層６には透過領域Ｅ１０と反射領域Ｅ１１とで均一な色を表示する機能を有する開口６ａが形成されると共に、各着色層６を区画する領域には、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂのうち、任意の２色が重ね合わされた遮光層６７、及び３色の着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが重ね合わされた遮光層６８が形成される（図８（ｂ）を参照）。

次に、周知の方法にて、アクリル樹脂などよりなる保護膜１９を、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧに対応する位置に形成する（工程Ｒ４）。このとき、樹脂層１７上から保護層１９上までの距離はｄ７に設定される。

次に、セル厚調整用絶縁層１８を形成する（工程Ｒ５）。具体的には、第１実施形態のカラーフィルタ基板９２と同様の方法により、Ｗのサブ画素領域ＳＧに対応する樹脂層１７、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧに対応する保護層１９上に透明樹脂材料よりなるセル厚調整用絶縁層１８を成膜し、その後、その基板に対してエッチング処理を施す。このとき、セル厚調整用絶縁層１８の厚さはｄ７に設定される。これにより、本製造方法により液晶装置１００が製造されたときに、Ｗの透過領域Ｅ１０の液晶層４の厚さと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０の液晶層４の厚さを同一に設定できると共に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０の液晶層４の厚さと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１の液晶層４の厚さとを最適な厚さに設定することができる。

特に、この工程では、Ｗのサブ画素領域ＳＧ、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に、夫々同一の透明樹脂材料よりなるセル厚調整用絶縁層１８を同時に形成するようにしている。よって、Ｗのサブ画素領域ＳＧと、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１とに対して、セル厚調整用絶縁層１８を独立に形成するような工程を有する製造方法（比較例）と比較した場合、その分だけ工程の削減を図ることができる。その結果、本製造方法により製造される液晶装置の製品コストの削減を図ることができる。また、必要に応じて、上記した第１実施形態に係るカラーフィルタ基板９２の作製方法と同様の趣旨で、セル厚調整用絶縁層１８の層厚を調整する工程を実行することができる（工程Ｒ６）。なお、工程Ｒ６は、工程Ｒ５の次工程としてではなく、工程Ｒ５に含まれるようにしても構わない。

次に、樹脂層１７及びセル厚調整用絶縁層１８等の上に、ＩＴＯなどよりなるストライプ状の走査電極６４を形成し、続いて、その走査電極６４等の上に図示しない配向膜を形成する（工程Ｒ７）。続いて、その他の構成要素、例えば、下側基板８１の外面側に位相差板１３、偏光板１４及びバックライト１５等を取り付ける（工程Ｒ８）。こうして、図１０等に示される、第２実施形態のカラーフィルタ基板９４が作製される。

次に、図１５に戻り、図１０等に示される第２実施形態の素子基板９３を周知の方法によって作製する（工程Ｓ２）。続いて、カラーフィルタ基板９４と素子基板９３とを、図示しない複数の導通部材７が混入された、額縁状のシール材５を介して貼り合わせ、そのシール材５に設けられた開口を通じて、その両基板の内部に液晶を封入し、さらに、その開口を樹脂材料等を用いて封止処理する（工程Ｓ３）。その他、必要な要素を取り付けることにより（工程Ｓ４）、図６及び図１０等に示される、第２実施形態の液晶装置２００が作製される。

［カラーフィルタ基板の製造方法（変形例）］
次に、図１２に示す変形例の構成に類似した構成を有するカラーフィルタ基板９６の製造方法について説明する。

カラーフィルタ基板９６は、図１２に示す構成と略同様であるが、さらに、図１２の構成において、Ｗのサブ画素領域ＳＧに透過領域Ｅ１０及び反射領域Ｅ１１を有して構成される（即ち、図１３（ｂ）に対応する構成を含む）。図２６（ａ）は、そのカラーフィルタ基板９６の構成を示す部分断面図である。

まず、図２６（ａ）を参照して、カラーフィルタ基板９６の構成について簡単に説明する。なお、以下では、上記で説明した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は省略又は簡略化する。

図示のように、カラーフィルタ基板９６は、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの各サブ画素領域ＳＧは、それぞれ、透過領域Ｅ１０及び反射領域Ｅ１１を有して構成される。Ｗの反射領域Ｅ１１に対応する下側基板８１上、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する下側基板８１上には、それぞれＡｌなどからなる反射層７１が形成されている。そして、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する下側基板８１上、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する各反射層７１上には、それぞれ、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが形成されている。このため、図示のように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する各着色層６の厚さは、各反射層７１上に形成された着色層６の厚さより大きく設定されている。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する各着色層６上、及び、Ｗの透過領域Ｅ１０に対応する下側基板８１上、及び、Ｗの反射領域Ｅ１１に対応する反射層７１上には、それぞれ、同一の材料よりなるセル厚調整用絶縁層１８が形成されている。図示を省略するが、かかる構成を有するカラーフィルタ基板９６では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さは、Ｗの透過領域Ｅ１０に対応する液晶層４の厚さと同一に設定されていると共に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する液晶層４の厚さは、Ｗの反射領域Ｅ１１に対応する液晶層４の厚さと同一に設定されている。

続いて、図２６（ｂ）及び（ｃ）を参照して、かかる構成を有するカラーフィルタ基板９６の製造方法について簡略化して説明する。なお、ここでは、図１６の工程Ｐ３及びＰ４、若しくは、図２２の工程Ｒ５及びＲ６に相当する工程についてのみ説明する。

カラーフィルタ基板９６は、工程Ｔ１と、その次工程としての工程Ｔ２等を経て製造される。まず、図２６（ｂ）においてセル厚調整用絶縁層１８を除去した構成を有する基板を周知の方法により製造し、続いて、その基板上にセル厚調整用絶縁層１８を一定の厚さに成膜する（工程Ｔ１）。

次に、図２６（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー技術においてハーフトーン露光方法等を実施して、不要なセル厚調整用絶縁層１８を除去する。このとき用いられるマスク７９は、左から順に、完全露光（Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する位置に配置される）と、ハーフトーン露光（Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する位置に配置される）と、同じくハーフトーン露光（Ｗの透過領域Ｅ１０に対応する位置に配置される）と、完全遮光（Ｗの反射領域Ｅ１１に対応する位置に配置される）とを備えて構成される。

これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素領域ＳＧにおいて、領域Ｅ５０（鉤状の領域）に対応するセル厚調整用絶縁層１８は除去されると共に、領域Ｅ５１（破線部分で囲まれた領域）に対応するセル厚調整用絶縁層１８は残存し、また、Ｗの透過領域Ｅ１０において、領域Ｅ５２（破線部分で囲まれた領域）に対応するセル厚調整用絶縁層１８は除去されると共に、Ｗのサブ画素領域ＳＧにおいて、領域Ｅ５３に対応するセル厚調整用絶縁層１８は残存する。こうして、上記の構成を有するカラーフィルタ基板９６が製造される。

この製造方法では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各透過領域Ｅ１０に対応する着色層６の厚さと、Ｗの各透過領域Ｅ１０に対応するセル厚調整用絶縁層１８の厚さは同一に設定されるのが好ましく、また、Ｒ、Ｇ、Ｂの各反射領域Ｅ１１に対応する、着色層６及びセル厚調整用絶縁層１８を含む厚さと、Ｗの各反射領域Ｅ１１に対応するセル厚調整用絶縁層１８の厚さは同一に設定されるのが好ましい。

これにより、上記した第１及び第２実施形態の液晶装置における本発明の作用効果を得ることができる。なお、この例では、ハーフトーン露光方法を用いてカラーフィルタ基板９６を作製するようにしたが、これに限らず、本発明では、２重露光方法を用いてカラーフィルタ基板９６を作製するようにしても勿論構わない。

［電子機器］
次に、本発明に係る第１及び第２実施形態（上記の各種変形例を含む、以下同様）の液晶装置１００又は２００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。

図２７は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶装置１００又は２００等と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶装置１００又は２００等を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。

表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。

表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。

次に、本発明の第１及び第２実施形態（上記の各種変形例を含む）の液晶装置１００又は２００を適用可能な電子機器の具体例について図２８を参照して説明する。

まず、本発明の第１及び第２実施形態（上記の各種変形例を含む、以下同様）の液晶装置１００又は２００等を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図２８（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶装置をパネルとして適用した表示部７１３とを備えている。

続いて、本発明の第１及び第２実施形態（上記の各種変形例を含む）の液晶装置１００又は２００等を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図２８（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明の第１乃至第３実施形態に係る液晶装置を適用した表示部７２４を備える。

なお、本発明の第１及び第２実施形態（上記の各種変形例を含む）の液晶装置１００又は２００等を適用可能な電子機器としては、図２８（ａ）に示したパーソナルコンピュータや、図２８（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。

本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成を模式的に示す平面図。 第１実施形態のＲ、Ｇ、Ｂ及びＷを含む１つの画素構成を示す平面図。 第１実施形態のＲ、Ｇ、Ｂの各サブ画素の構成を示す平面図。 図３における切断線Ａ−Ａ’及び切断線Ｂ−Ｂ’に沿った部分断面図。 図３における切断線Ｂ−Ｂ’に沿った部分断面図。 図２における切断線Ｃ−Ｃ’に沿った部分断面図。 第２実施形態のＲ、Ｇ、Ｂ及びＷを含む１つの画素構成を示す平面図。 第２実施形態のＲ、Ｇ、Ｂの各サブ画素の構成を示す平面図。 図８における切断線Ｄ−Ｄ’及び切断線Ｅ−Ｅ’に沿った部分断面図。 図７における切断線Ｆ−Ｆ’に沿った部分断面図。 第１実施形態の液晶装置を変形した構成を示す部分断面図。 第２実施形態の液晶装置を変形した構成を示す部分断面図。 Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷを含む１つの画素構成の各種変形例を示す平面図。 Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＷを含む１つの画素構成の各種変形例を示す平面図。 第１及び第２実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 第１実施形態のカラーフィルタ基板の製造方法を示すフローチャート。 第１実施形態に係るカラーフィルタ基板の製造工程を示す断面図。 第１実施形態に係るカラーフィルタ基板の製造工程を示す断面図。 第１実施形態に係るカラーフィルタ基板の製造工程を示す断面図。 第１実施形態に係るカラーフィルタ基板の製造工程を示す断面図。 第１実施形態に係るカラーフィルタ基板の製造工程を示す断面図。 第２実施形態のカラーフィルタ基板の製造方法を示すフローチャート。 第２実施形態に係るカラーフィルタ基板の製造工程を示す断面図。 第２実施形態に係るカラーフィルタ基板の製造工程を示す断面図。 第２実施形態に係るカラーフィルタ基板の製造工程を示す断面図。 変形例に係るカラーフィルタ基板の製造工程等を示す断面図。 本発明の液晶装置を適用した電子機器の回路ブロック図。 本発明の液晶装置を適用した電子機器の例。

符号の説明

４ 液晶層、 ５ 反射電極、 ６ 着色層、 ８ 共通電極、 １０ 画素電極、 １８ セル厚調整用絶縁層、 ２１ ＴＦＴ素子、３２ ソース線、 ３３ ゲート線、
６２ データ線、 ６３ ＴＦＤ素子、 ６４ 走査電極、 ６５ 反射層、 ７０、７５、７６、７９ マスク、 ４０ ドライバＩＣ、 ４１ ＦＰＣ、 ９１、９３ 素子基板、 ９２、９４、９６ カラーフィルタ基板、 １００、２００ 液晶装置。

Claims (17)

1. 少なくともＷの色に対応する表示画素及び前記Ｗの色とは異なる１色に対応する表示画素を有し、前記１色に対応する前記表示画素は透過領域及び反射領域を備えると共に、前記Ｗの前記表示画素は透過領域のみ備える液晶装置において、
   基板と、
   前記基板に対向して配置されてなる対向基板と、
   前記基板又は前記対向基板の前記１色に対応する前記表示画素に備えられてなる着色層と、
   前記基板又は前記対向基板に設けられてなり、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域及び前記Ｗの前記透過領域に備えられてなるセル厚調整層と、
   前記基板と前記対向基板に挟持されてなり、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域に対応する厚さが、前記セル厚調整層の厚さに応じて、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域に対応する厚さより厚い液晶層と、を備えることを特徴とする液晶装置。
2. 少なくともＷの色に対応する表示画素及び前記Ｗの色とは異なる１色に対応する表示画素を有し、前記１色に対応する前記表示画素及び前記Ｗの前記表示画素は、各々透過領域及び反射領域を備える液晶装置において、
   基板と、
   前記基板に対向して配置されてなる対向基板と、
   前記基板又は前記対向基板の前記１色に対応する前記表示画素に備えられてなる着色層と、
   前記基板又は前記対向基板に設けられてなると共に、前記１色に対応する前記表示画素の少なくとも前記反射領域、前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域及び前記Ｗの前記表示画素の前記反射領域に備えられ、前記Ｗの前記表示画素の前記反射領域における厚さが前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域における厚さよりも厚いセル厚調整層と、
   前記基板と前記対向基板に挟持されてなり、前記１色に対応する前記表示画素及び前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域に対応する厚さが、前記セル厚調整層の厚さに応じて、前記１色に対応する前記表示画素及び前記Ｗの前記表示画素の前記反射領域に対応する厚さよりも厚い液晶層と、を備えることを特徴とする液晶装置。
3. 前記１色に対応する前記表示画素及び前記Ｗの前記表示画素には、各々同一の材料からなる前記セル厚調整層が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
4. 前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域に設けられた前記セル厚調整層の厚さは、前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層の厚さと同一の厚さに設定されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
5. 前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さは、前記Ｗの前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さと同一の厚さに設定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
6. 前記透過領域に対応する前記着色層の厚さは、前記反射領域に対応する前記着色層の厚さより厚いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
7. 前記基板及び前記対向基板のいずれか一方の前記反射領域に対応する位置には、光を反射する機能を有する反射層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
9. 少なくともＷの色に対応する表示画素及び前記Ｗの色とは異なる１色に対応する表示画素を有し、前記１色に対応する前記表示画素は透過領域及び反射領域を備えると共に、前記Ｗの前記表示画素は少なくとも透過領域を備え、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域に対応する液晶層の厚さが、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域に対応する液晶層の厚さより厚く設定された液晶装置の製造方法であって、
   基材上において、前記１色に対応する前記表示画素に、着色層を形成する着色層形成工程と、
   前記基材上において、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域及び前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域に、透明材料からなるセル厚調整層を同時に形成するセル厚調整層形成工程と、を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
10. 前記Ｗの前記表示画素は、前記反射領域を備えていないことを特徴とする請求項９に記載の液晶装置の製造方法。
11. 前記Ｗの前記表示画素は、反射領域を備え、
    前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域に対応する液晶層の厚さは、前記Ｗの前記表示画素の前記反射領域に対応する液晶層の厚さより厚く、
    前記セル厚調整層形成工程は、前記基材上において、前記１色に対応する前記表示画素の前記反射領域、前記Ｗの前記表示画素の前記透過領域及び前記反射領域に、前記セル厚調整層を同時に形成することを特徴とする請求項９に記載の液晶装置の製造方法。
12. 前記着色層形成工程は、前記反射領域に位置する前記着色層に開口を形成することを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
13. 前記セル厚調整層形成工程は、前記セル厚調整層を前記着色層と同一の厚さに形成することを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
14. 前記セル厚調整層形成工程は、
    前記Ｗの前記表示画素及び前記１色に対応する前記表示画素の前記着色層上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
    光を完全に透過する完全露光領域及び前記光を完全に遮光する完全遮光領域を含む第１マスクを通じて前記レジストに対して１回露光した後、現像及びエッチング処理を施す第１露光工程と、
    前記レジスト塗布工程を再び実施した後に、前記完全露光領域及び前記完全遮光領域を含み、前記第１マスクと構成の異なる第２マスクを通じて前記レジストに対して１回露光した後、現像及びエッチング処理を施す第２露光工程と、を含む層厚調整工程を有し、
    前記層厚調整工程は、少なくとも前記Ｗの前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層と、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域における前記着色層の厚さと、を同一に設定することを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
15. 前記セル厚調整層形成工程は、
    前記Ｗの前記表示画素及び前記１色に対応する前記表示画素の前記着色層上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
    光を完全に透過する完全露光領域、前記光を完全に遮光する完全遮光領域及び半透過膜よりなるハーフトーン露光領域を含むマスクを通じて前記レジストに対して少なくとも１回露光した後に、現像及びエッチング処理を施すハーフトーン露光工程と、を含む層厚調整工程を有し、
    前記層厚調整工程は、少なくとも前記Ｗの前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層と、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域における前記着色層の厚さと、を同一に設定することを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
16. 前記着色層形成工程と、前記セル厚調整層形成工程と、の間に、前記１色に対応する前記表示画素の前記着色層上に保護膜を形成する保護膜形成工程を有し、
    前記セル厚調整層形成工程は、
    前記Ｗの前記表示画素及び前記１色に対応する前記表示画素の前記反射表示領域における前記保護膜上に前記セル厚調整層を形成し、
    前記層厚調整工程は、少なくとも前記Ｗの前記透過領域に設けられた前記セル厚調整層と、前記１色に対応する前記表示画素の前記透過領域における前記着色層の厚さと、を同一に設定することを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
17. 前記着色層形成工程の前工程として、
    前記基材上において、前記反射領域に反射層を形成する反射層形成工程を有することを特徴とする請求項９乃至１６のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。

Images