JP4155317B2 - 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、高コントラスト化等を目的として、ＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることがある。以上の構成要素は基板上に高密度で作り込まれ、画素開口率の向上や装置の小型化が図られる。

一方、装置の消費電力の低減等を図るために、画素スイッチング用のＴＦＴを、ゲートが半導体膜の例えば上下の両側に配置された構造、即ち、ダブルゲート或いはデュアルゲート構造を有するＴＦＴとして構成する技術が開示されている（例えば特許文献１参照）。

特開２００２−３２８６１７号公報

しかしながら、上述した技術によれば、高機能化或いは高性能化に伴って、基板上における積層構造が、基本的に複雑高度化している。このため、製造方法の複雑高度化、製造歩留まりの低下等を招くおそれがあるという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、製造プロセスの単純化を図るのに適しており、しかも高品質な表示を可能とする電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、該画素電極と電気的に接続されており、（ｉ）チャネル領域を有する半導体層と、（ｉｉ）前記半導体層よりも上層側に前記チャネル領域と重なるように形成された第１ゲート電極と、（ｉｉｉ）前記半導体層よりも下層側に前記チャネル領域と重なるように形成された第２ゲート電極とを有するトランジスタと、前記第１ゲート電極よりも上層側に形成されており、前記半導体層と第１コンタクトホールを介して接続されたデータ線と、前記半導体層及び前記画素電極と電気的に接続されており、蓄積容量を構成する画素電位側容量電極と、前記データ線と同一膜から形成されており、前記画素電位側容量電極と第２コンタクトホールを介して接続されると共に前記画素電極と電気的に接続された中継層と、前記第１及び第２ゲート電極に走査信号を供給するための走査線駆動回路と、前記データ線と同一膜から形成されており、前記走査線駆動回路から前記走査信号が出力される出力線と、前記第１ゲート電極と同一膜から形成されており、前記第１コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって開孔される第３コンタクトホール介して前記出力線と接続された第１走査線と、前記第２ゲート電極と同一膜から形成されており、前記出力線と、前記第１コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって開孔される第１開孔部と前記第２コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって開孔される第２開孔部とが互いに重なるように配置されることにより形成された第４コンタクトホールを介して接続された第２走査線とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、例えばプロジェクタのライトバルブとしての液晶装置等の電気光学装置に用いられる。その動作時には、例えば、トランジスタに対して、走査線駆動回路から第１及び第２走査線を介して走査信号をその第１及び第２ゲート電極に供給しつつ、データ線を介して画像信号をそのソース領域に供給する。これにより、トランジスタにより画像信号に応じて、そのドレイン領域に接続された画素電極をスイッチング制御でき、アクティブマトリクス駆動による表示動作が可能となる。この際、蓄積容量によって、画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。
ここで、例えば、走査線、データ線及びトランジスタは、基板上で平面的に見て、画素電極に対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線、データ線及びトランジスタは、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。

本発明では特に、トランジスタは、半導体層と、半導体層よりも例えばゲート絶縁膜を介して上層側に形成された第１ゲート電極と、半導体層よりも例えば下地絶縁膜を介して下層側に形成された第２ゲート電極とを有する。即ち、トランジスタは、ダブルゲート或いはデュアルゲート構造を有する。よって、半導体層のチャネル領域における上面側及び下面側の両方にチャネルを形成することができる。従って、仮に半導体層よりも上層側又は下層側の一方だけにゲート電極が形成される場合と比較して、トランジスタの動作時にチャネル領域に流れる電流、即ちオン電流を大きくすることができる。

本発明では、データ線は、第１ゲート電極よりも例えば第１層間絶縁膜を介して上層側に例えばアルミニウム等の低抵抗な金属等から形成される。データ線は、半導体層と、例えば第１層間絶縁膜及びゲート絶縁膜を貫通して開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続される。

中継層は、データ線と同一膜から形成されている。ここで、本発明に係る「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。尚、「同一膜から形成される」とは、一枚の膜として連続して形成されることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。中継層は、蓄積容量を構成する画素電位側容量電極と画素電極とそれぞれ電気的に接続されている。即ち、中継層は、画素電位側容量電極及び画素電極間を電気的に中継接続する機能を有する。中継層は、例えば第２層間絶縁膜に開孔された第２コンタクトホールを介して接続される。

走査線駆動回路は、例えば複数の画素電極が配列された画素領域（或いは画素アレイ領域又は画像表示領域）の周辺に位置する周辺領域に配置される。走査線駆動回路は、走査信号を、データ線と同一膜から形成された出力線へ出力する。

第１走査線は、第１ゲート電極と同一膜から形成されており、典型的には、第１走査線及び第１ゲート電極は、一枚の膜として連続して形成されている。第１走査線は、走査線駆動回路の出力線と、例えば第１層間絶縁膜に開孔された第３コンタクトホールを介して接続される。第３コンタクトホールは、第１コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって開孔される。よって、製造プロセスの単純化を図ることができる。

第２走査線は、第２ゲート電極と同一膜から形成されており、典型的には、第２走査線及び第２ゲート電極は、一枚の膜として連続して形成されている。第２走査線は、半導体層よりも例えば下地絶縁膜を介して下層側に形成されるため、走査線駆動回路の出力線よりも、少なくとも例えば第１絶縁膜及び下地絶縁膜を介して下層側に配置されることになり、第１走査線と比較して、出力線からの層間距離が大きくなっている。

本発明では特に、第２走査線は、走査線駆動回路の出力線と、第１コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって開孔される第１開孔部と第２コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって開孔される第２開孔部とが互いに重なるように配置されることにより形成された第４コンタクトホールを介して接続される。即ち、第４コンタクトホールは、先ず、第２コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって第２開孔部を形成し、次に、第１コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって、第２開孔部に重ねて或いは第２開孔部の内側の底面に第１開孔部を形成することにより、形成される。よって、出力線及び第１走査線間、並びにデータ線及び半導体層間よりも層間距離が長い、出力線及び第２走査線間を接続する第４コンタクトホールを、データ線及び半導体層間を接続する第１コンタクトホールを開孔する工程と、中継層及び画素電位側容量電極を接続する第２コンタクトホールを開孔する工程とを利用して形成することができる。言い換えれば、第１及び第２コンタクトホールの各々を開孔するためのマスクとは別個に、第４コンタクトホールを開孔するための専用のマスクを設ける必要がない。従って、製造プロセスの単純化を図ることができる。

加えて、本発明では特に、上述したように、第１及び第２ゲート電極と夫々電気的に接続された第１及び第２走査線を備える、即ち、画素電極と電気的に接続されたトランジスタに走査信号を供給するための走査線は二重配線とされた冗長構造を有している。よって、仮に第１及び第２走査線のうち一方の走査線に断線等の不具合が生じてしまったとしても、他方の走査線によってトランジスタに走査信号を供給することができる。従って、トランジスタに走査信号を供給することができないために、例えば画像上に明瞭な輝点を生じてしまうなど、画像表示に悪影響を与えてしまうことを低減或いは防止できる。これにより、高品位な画像表示が可能となると共に装置の信頼性を高めることができる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、画素電極と電気的に接続されたトランジスタのオン電流の大きくすると共に、該トランジスタに走査信号を確実に供給することができる。更に、走査線駆動回路の出力線と第２走査線とを接続するための第４コンタクトホールを製造工程の複雑化を招くことなく開孔することができる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記第２走査線は、遮光性の導電材料を含んでなる。

この態様によれば、第２走査線及び該第２走査線と同一膜からなる第２ゲート電極は、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。第２走査線及び第２ゲート電極は、トランジスタよりも下層側に、トランジスタのチャネル領域に対向する領域を含むように配置されている。よって、第２走査線及び第２ゲート電極によって、基板における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の電気光学装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してトランジスタのチャネル領域を殆ど或いは完全に遮光できる。即ち、第２走査線は、走査信号を供給する配線として機能すると共に戻り光に対するトランジスタの遮光膜として機能することが可能である。従って、装置の動作時に、トランジスタにおける光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記半導体層は、前記チャネル領域の両側の各々に設けられたＬＤＤ領域を有し、前記第２走査線は、前記ＬＤＤ領域に少なくとも部分的に重なる。

この態様では、半導体層のチャネル領域の両側には、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域がそれぞれ設けられる、即ち、トランジスタはＬＤＤ構造を有する。ＬＤＤ領域は、例えば画素における液晶の反転制御を行う際のオン電流の低下を抑制し、且つオフ電流を低減する目的で半導体層のうちチャネル領域の両側にミラー対称に設けられた領域であり、素地となる半導体層に不純物打ち込みによって不純物が打ち込まれた領域である。ＬＤＤ領域は、不純物打ち込みによって電位勾配が生じており、光リーク電流が半導体層中の他の領域に比べて相対的に流れ易くなっている領域である。しかるに本態様によれば、第２走査線が、基板上で平面的に見て、ＬＤＤ領域に少なくとも部分的に重なるので、第２走査線によって、上述したような戻り光に対してＬＤＤ領域を遮光できるため、ＬＤＤ領域に生じる光リーク電流を低減できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２走査線は、前記半導体層のソース領域及びドレイン領域と少なくとも部分的に重なる。

この態様によれば、第２走査線は、基板上で平面的に見て、ソース領域及びドレイン領域と少なくとも部分的に重なるので、第２走査線によって、上述したような戻り光に対してトランジスタを、より一層確実に、遮光できる。より具体的には、例えば、ソース領域及びドレイン領域の各々と隣接するＬＤＤ領域に対して、上述したような戻り光のうち斜めに入射される光を確実に遮光できる。よって、トランジスタにおける光リーク電流をより一層低減できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１開孔部は、前記第２開孔部が形成された後に、前記基板上で平面的に見て、前記第２開孔部の内側に形成される。

この態様によれば、画素電位側容量電極と中継層とを接続する第２コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって、所定位置に第２開孔部が形成された後に、データ線と半導体層とを接続する第１コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって、第２開孔部の内側に第１開孔部が形成される（より具体的には、第１開孔部は、第２開孔部の底面から第２走査線が露出するまで開孔されることになる）ことで、第４コンタクトホールが形成される。よって、出力線と第２走査線とを第４コンタクトホールによって確実に接続できる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１３を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線での断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺（即ち、図１中で左右の辺）に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の主要な構成について、図３及び図４を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の要部の構成を示すブロック図である。図４は、画素部の電気的構成を示すブロック図である。

図３において、本実施形態に係る液晶装置は、そのＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７等の駆動回路が形成されている。

図３に示すように、走査線駆動回路１０４には、外部回路から外部回路接続端子１０２を介してＹクロック信号ＣＬＹ（及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹ´）、Ｙスタートパルス信号、等の各種制御信号が供給される。走査線駆動回路１０４は、これらの信号に基づいて走査信号Ｇ１、…、Ｇｍをこの順に順次生成して走査線１１に出力する。但し、後述するように、走査線１１は、走査線１１ａ及び１１ｂから構成されている。また、走査線駆動回路１０４には、外部回路接続端子１０２を介して走査線駆動回路１０４を駆動するための走査線駆動回路用電源ＶＤＤＹ及びＶＳＳＹや各種制御信号が供給される。尚、走査線駆動回路用電源ＶＤＤＹの電位は、走査線駆動回路用電源ＶＳＳＹの電位よりも高く設定されている。

図３において、データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部回路接続端子１０２を介してＸクロック信号及びＸスタートパルスが供給される。データ線駆動回路１０１は、Ｘスタートパルスが入力されると、Ｘクロック信号に基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、…、Ｓｎを順次生成して出力する。また、データ線駆動回路１０１には、外部回路接続端子１０２を介してデータ線駆動回路１０１を駆動するためのデータ線駆動回路用電源ＶＤＤＸ及びＶＳＳＸや各種制御信号が供給される。尚、データ線駆動回路用電源ＶＤＤＸの電位は、データ線駆動回路用電源ＶＳＳＸの電位よりも高く設定されている。

サンプリング回路７は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ７ｓを複数備えている。

図３において、本実施形態に係る液晶装置には、更に、そのＴＦＴアレイ基板の中央を占める画像表示領域１０ａに、マトリクス状に配列された複数の画素部７００が設けられている。

図４に示すように、画素部７００は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０、液晶素子７２及び蓄積容量７０を備えている。

ＴＦＴ３０は、本発明に係る「トランジスタ」の一例であり、ソースがデータ線６ａに電気的に接続され、ゲートが走査線１１に電気的に接続され、ドレインが後述する液晶素子７２の画素電極９ａに電気的に接続されている。画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号によってオンオフが切り換えられる。尚、後述するように、本実施形態では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、２つのゲート電極を有している、即ちダブルゲート構造を有している。

液晶素子７２は、画素電極９ａ、対向電極２１並びに画素電極９ａ及び対向電極２１間に狭持された液晶から構成されている。液晶素子７２において、データ線６ａ及び画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

蓄積容量７０は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。

以上のような画素部７００が、画像表示領域１０ａにマトリクス状に配列されているので、アクティブマトリクス駆動が可能となっている。

再び図３に示すように、画像信号は、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給されるよう構成されている。尚、画像信号の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるよう構成してもよい。また、シリアル−パラレル展開しないで、データ線６ａに対して線順次に供給されるように構成してもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の走査線駆動回路について、図５及び図６を参照して説明する。ここに図５は、走査線駆動回路の電気的構成を示す回路図である。図６は、走査線駆動回路に含まれる出力バッファの電気的構成を示す回路図である。

図５において、走査線駆動回路１０４は、シフトレジスタ２４０と複数の出力バッファ２３０から構成されている。

シフトレジスタ２４０は、複数のインバータ２４１及びＮＡＮＤ回路２４２から構成されており、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹ´に基づいて、画素部７００に画像信号を供給すべきタイミングで、転送信号を順次出力し、出力バッファ２３０に転送している。

出力バッファ２３０は、インバータ２３１、２３２及び２３３が直列に電気的に接続されている。出力バッファ２３０の入力端子は、シフトレジスタ２４０の出力端子に電気的に接続されており、出力バッファ２３０の入力端子には、シフトレジスタ２４０からの転送信号が入力される。出力バッファ２３０は、シフトレジスタ２４０から転送された転送信号に駆動能力を持たせる。駆動能力（言い換えれば、電流供給能力）を得た転送信号は、最終的には走査線駆動回路１０４から走査信号として走査線１１を介して画素部７００に供給される。このように、出力バッファ２３０は、複数段のインバータ２３１、２３２及び２３３から構成されることで、転送信号を、駆動能力増大、波形整形及びタイミング調整した後に、走査信号として出力する機能を有する。加えて、各走査信号のパルス幅に制限を加えることで、相前後して出力される走査信号間に隙間を空ける波形制限回路或いはイネーブル回路を、走査線駆動回路１０４内に設けることも可能である。更に、画像表示領域１０ａを複数に分割してなる個々の領域別に走査を行う、即ち領域走査方式による走査を行うように、走査信号の出力順番に変更を加える出力制御回路を、シフトレジスタ２４０と出力バッファ２３０との間又は出力バッファ２３０と走査線１１との間に設けてもよい。

図６に詳細に示すように、インバータ２３１は、ＴＦＴ２３１ａ及びＴＦＴ２３１ｂから構成されている。同様に、インバータ２３２は、ＴＦＴ２３２ａ及び２３２ｂから構成されており、インバータ２３３はＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂから構成されている。出力バッファ２３０の入力端子は、ＴＦＴ２３１ａ及びＴＦＴ２３１ｂのゲートに電気的に接続されている。出力バッファ２３０の出力線９９は、ＴＦＴ２３３ａ及びＴＦＴ２３３ｂのドレインに電気的に接続されている。更に、出力線９９は、走査線１１を構成する走査線１１ａ及び１１ｂの各々と電気的に接続されている。尚、出力線９９は、本発明に係る「出力線」の一例である。

インバータ２３１、２３２及び２３３は、走査駆動回路用電源ＶＤＤＹ及びＶＳＳＹによって駆動される。よって、転送信号の電圧は、走査駆動回路用電源ＶＤＤＹ及びＶＳＳＹの電位間で遷移し、徐々に駆動能力を高められ、走査線駆動回路１０４から出力線９９を介して走査信号Ｇ１、Ｇ１、…、Ｇｍ−１、Ｇｍとして出力される。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の具体的な構成について、図７から図９を参照して説明する。ここに図７は、相隣接する複数の画素部の平面図である。図８は、図７のＡ−Ａ´断面図である。図９は、半導体層よりも上層側及び下層側にそれぞれ形成された走査線のレイアウトを示す平面図である。尚、図７から図９では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図７から図９では、説明の便宜上画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。

図７において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ並びに走査線１１（即ち、走査線１１ａ及び１１ｂ）が設けられている。即ち、走査線１１ａ及び１１ｂはそれぞれ、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１ａ或いは１１ｂと交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の夫々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

図７及び図８において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ、ゲート電極３ａ及び３ｂを含んで構成されている。

半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃは、本発明に係る「ＬＤＤ領域」の一例である。低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

図７及び図９に示すように、ゲート電極３ａは、走査線１１ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線１１ａは、Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´のうち該本線部分が重ならない領域と重なるようにＹ方向に沿って延在する部分を有している。このような走査線１１ａのうちチャネル領域１１ａ´と重なる部分がゲート電極３ａとして機能する。ゲート電極３ａ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２（より具体的には、２層の絶縁膜２ａ及び２ｂ）によって絶縁されている。

図７及び図９に示すように、ゲート電極３ｂは、走査線１１ｂの一部として形成されている。走査線１１ｂは、平面的にみて、Ｘ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされた本線部１１ｂｘと、該本線部１１ｂｘからＹ方向に沿って延在する延在部１１ｂｙを有している。このような走査線１１ｂのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３ｂとして機能する。走査線１１ｂは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅに対向する領域を含むように形成されている。走査線１１ｂ及び半導体層１ａ間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁層１２は、走査線１１ｂからＴＦＴ３０を絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

このように、本実施形態では特に、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、半導体層１ａよりもゲート絶縁膜２を介して上層側に形成された走査線１１ａの一部として構成されるゲート電極３ａと、半導体層１ａよりも下地絶縁膜１２を介して下層側に形成された走査線１１ｂの一部として構成されるゲート電極３ｂとを有している。即ち、ＴＦＴ３０は、ダブルゲート構造を有している。よって、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´における上面側及び下面側の両方にチャネルを形成することができる。従って、仮に半導体層１ａよりも上層側又は下層側の一方だけにゲート電極が形成される場合と比較して、ＴＦＴ３０のオン電流を大きくすることができる。

尚、本実施形態では、ゲート絶縁膜２の膜厚は、約５０〜１００ｎｍであり、下地絶縁膜１２の膜厚は、約４００ｎｍ〜６００ｎｍである。ＴＦＴ３０のオン電流を大きくする観点からは、ゲート絶縁膜２及び下地絶縁膜１２の膜厚は、より薄いほうが好ましい。但し、仮に、例えば、下地絶縁膜１２の膜厚が、６００ｎｍよりも大きい場合であっても、ゲート電極３ｂをチャネル領域１ａ´と、平面的に見て少なくとも部分的に重なるように形成することで、ＴＦＴ３０のオン電流を大きくする効果を相応に得ることができる。

更に、本実施形態では特に、走査線１１ｂは、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。加えて、図９に示すように、走査線１１ｂは、半導体層１ａよりも下層側に、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに対向する領域を含むように配置されている。よって、走査線１１ｂによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を殆ど或いは完全に遮光できる。即ち、走査線１１ｂは、走査信号を供給する配線として機能すると共に戻り光に対するＴＦＴ３０の遮光膜として機能することが可能である。従って、液晶装置の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。

図９に示すように、本実施形態では特に、走査線１１ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに対向する領域を含むように形成されている。よって、走査線１１ｂによって、上述したような戻り光に対して低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを遮光できるため、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに生じる光リーク電流を低減できる。

加えて、図９において、本実施形態では特に、走査線１１ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅと対向する領域を含むように形成されている。よって、走査線１１ｂによって、上述したような戻り光に対してＴＦＴ３０をより一層確実に遮光できる。より具体的には、例えば、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅの各々と隣接する低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに対して、上述したような戻り光のうち斜めに入射される光を確実に遮光できる。よって、ＴＦＴ３０における光リーク電流をより一層確実に低減できる。

本実施形態では特に、図７及び図８を参照して上述したように、ゲート電極３ａを一部として含む走査線１１ａとゲート電極３ｂを一部として含む走査線１１ｂとを備えている。即ち、ＴＦＴ３０に走査信号を供給するための走査線は、走査線１１ａ及び１１ｂからなる二重配線とされた冗長構造を有している。よって、仮に走査線１１ａ及び１１ｂのうち一方の走査線に断線等の不具合が生じてしまったとしても、他方の走査線によってＴＦＴ３０に走査信号を供給することができる。従って、画素スイッチング用のＴＦＴ３０に走査信号を供給することができないために、例えば画像上に明瞭な輝点が生じてしまうなど、画像表示に悪影響を与えてしまうことを低減或いは防止できる。これにより、高品位な画像表示が可能となると共に装置の信頼性を高めることができる。

図８において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。

蓄積容量７０は、下部容量電極７１及び上部容量電極３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。

上部容量電極３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００は、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。上部容量電極３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。

下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、本発明に係る「第２コンタクトホール」の一例としてのコンタクトホール８４を介して中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下部容量電極７１は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量７０は、所謂ＭＩＳ（Metal−Insulator−Semiconductor）構造を有している。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極３００とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。

誘電体膜７５ａは、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。

尚、下部容量電極７１を、上部容量電極３００と同様に金属膜から形成してもよい。即ち、蓄積容量７０を、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ（Metal−Insulator−Metal）構造を有するように形成してもよい。この場合には、ポリシリコン等を用いて下部容量電極７１を構成する場合に比べて、液晶装置の駆動時に、当該液晶装置全体で消費される消費電力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。

図８において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。層間絶縁膜４１及び層間絶縁膜４２には、部分的に絶縁膜６１が介在している。

データ線６ａは、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに、層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４２を貫通する、本発明に係る「第１コンタクトホール」の一例としてのコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。

中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。

図８において、画素電極９ａは、データ線６ａよりも層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３、８４及び８５、並びに中継層９３を介して半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。コンタクトホール８５は、層間絶縁層４３を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。

以上に説明した画素部の構成は、図７に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶装置では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。

次に、本実施形態に係る液晶装置の走査線駆動回路に含まれる出力バッファの具体的な構成について、図６及び図１０を参照して説明する。ここに図１０は、走査線駆動回路に含まれる出力バッファの具体的な構成を示す平面図である。尚、図１０では、出力バッファ２３０を構成するインバータ２３３の具体的な構成が示しているが、出力バッファ２３０を構成する他のインバータ２３１及び２３２（図６参照）についても概ね同様の構成である。ここでは、インバータ２３３の構成を中心に説明する。

図１０において、インバータ２３３は、トランジスタ２３３ａ及び２３３ｂを備えている。トランジスタ２３３ａを構成する半導体膜２３３ａａは、上述した画素部７００における半導体層１ａ（図８参照）と同一膜として形成されている。

トランジスタ２３３ａのソース領域２３３ａｓは、走査線駆動回路用電源ＶＳＳＹを供給するための電源配線９１ｓとコンタクトホール８０２を介して電気的に接続されている。電源配線９１ｓは、上述した上部容量電極３００（図８参照）と同一膜として形成されており、コンタクトホール８０２は、層間絶縁膜４１及び絶縁膜６１を貫通しつつ開孔されている。

トランジスタ２３３ｂのソース領域２３３ｂｓは、走査線駆動回路用電源ＶＤＤＹを供給するための電源配線９１ｄとコンタクトホール８０４を介して電気的に接続されている。電源配線９１ｄは、電源配線９１ｓと同様に、上述した上部容量電極３００と同一膜として形成されており、コンタクトホール８０４は、コンタクトホール８０２と同様に、層間絶縁膜４１及び絶縁膜６１を貫通しつつ開孔されている。

トランジスタ２３３ａのドレイン領域２３３ａｄは、出力線９９とコンタクトホール８０１を介して電気的に接続されている。出力線９９は、上述したデータ線６ａ（図８参照）と同一膜として形成されており、コンタクトホール８０１は、層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。

トランジスタ２３３ｂのドレイン領域２３３ｂｄは、トランジスタ２３３ａのドレイン領域２３３ａｄと同様に、出力線９９とコンタクトホール８０３を介して電気的に接続されている。コンタクトホール８０３は、コンタクトホール８０１と同様に、層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。よって、トランジスタ２３３ａのドレイン領域２３３ａｄとトランジスタ２３３ｂのドレイン領域２３３ｂｄとは、コンタクトホール８０１、出力線９９及びコンタクトホール８０３を介して電気的に接続されている。

トランジスタ２３３ａ及び２３３ｂのゲート電極としてゲート配線９５が設けられている。ゲート配線９５は、上述した画素部７００における画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極３ａ（図８参照）と同一膜から形成されている。尚、図６を参照して説明したように、ゲート配線９５は、インバータ２３２の出力端と電気的に接続されている。更に、インバータ２３２のゲート配線は、インバータ２３１の出力端と電気的に接続されており、インバータ２３１のゲート配線は、シフトレジスタの出力端と電気的に接続されている。

次に、上述した出力バッファの出力線と走査線との間の接続に係る構成について、図１０から図１３を参照して説明する。ここに図１１は、出力線及び走査線間の接続に係る構成を示す概念図である。図１２は、出力線と半導体層よりも下層側の走査線との間を電気的に接続するコンタクトホールの具体的構成を、画素部の構成と比較して示す断面図である。図１３は、出力線と半導体層よりも下層側の走査線との間を電気的に接続するコンタクトホールの製造プロセスを示す工程図である。尚、図１１から図１３では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図１１では、説明の便宜上、出力線、走査線及びこれらを互いに電気的に接続するためのコンタクトホール以外の構成要素については省略してある。

図１０及び図１１において、出力線９９は、走査線１１ａと、本発明に係る「第３コンタクトホール」の一例としてのコンタクトホール８１１を介して接続されている。上述したように、出力線９９は、データ線６ａ（図８又は図１２参照）と同一膜として形成されており、走査線１１ａはゲート電極３ａ（図８又は図１２参照）を含んで形成されている。コンタクトホール８１１は、層間絶縁膜４２、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４１を貫通して開孔されている。

尚、コンタクトホール８１１は、コンタクトホール８１（図８又は図１２参照）を開孔する工程と同一工程によって開孔することで、製造プロセスの単純化を図ることができる。

更に、図１０から図１２において、出力線９９は、走査線１１ｂと、本発明に係る「第４コンタクトホール」の一例としてのコンタクトホール８１２を介して接続されている。

図１１及び図１２に示すように、本実施形態では特に、コンタクトホール８１２は、コンタクトホール８１（図１２参照）を開孔する工程と同一工程によって開孔される第１開孔部８１２ａとコンタクトホール８４を開孔する工程と同一工程によって開孔される第２開孔部８１２ｂとが互いに重なるように配置されることにより形成されている。

即ち、先ず、図１３（ａ）に示すように、画像表示領域１０ａの周辺領域におけるコンタクトホール８１２を形成すべき領域に、コンタクトホール８４を開孔する工程と同一工程によって、層間絶縁膜４２、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４１を開孔することで第２開孔部８１２ｂを形成する。次に、図１３（ｂ）に示すように、コンタクトホール８１を開孔する工程と同一工程によって、第２開孔部８１２の内側の底面から走査線１１ｂが露出するまで（即ち、層間絶縁膜４１、絶縁膜２ａ及び下地絶縁膜１２を貫通するまで）開孔することで第１開孔部８１２ａを形成する。次に、図１３（ｃ）に示すように、出力線９９を形成する工程（言い換えれば、データ線６ａを形成する工程）と同一工程によって、第１開孔部８１２ａ及び第２開孔部８１２ｂの内壁に出力線９９（或いはデータ線６ａ）を構成するアルミニウム含有材料等の導電材料を成膜することによって、コンタクトホール８１２を形成する。よって、コンタクトホール８１２を、データ線６ａ及び半導体層１ａ間を接続するコンタクトホール８１を開孔する工程と出力線９９及び走査線１１ｂ間を接続するコンタクトホール８１１を開孔する工程とを利用して形成することができる。言い換えれば、コンタクトホール８１及び８１１の各々を開孔するためのマスクとは別個に、コンタクトホール８１２を開孔するための専用のマスクを設ける必要がない。従って、製造プロセスの単純化を図ることができる。

以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、画素スイッチング用のＴＦＴのオン電流の大きくすると共に、該ＴＦＴ３０に走査信号を確実に供給することができる。更に、走査線駆動回路１０４の出力線９９と走査線１１ｂとを接続するためのコンタクトホール８１２を製造工程の単純化を図ることが可能である。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１４に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１４を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の要部の構成を示すブロック図である。 画素部の電気的構成を示すブロック図である。 走査線駆動回路の電気的構成を示す回路図である。 走査線駆動回路に含まれる出力バッファの電気的構成を示す回路図である。 相隣接する複数の画素部の平面図である。 図７のＡ−Ａ´断面図である。 半導体層よりも上層側及び下層側の走査線のレイアウトを示す平面図である。 走査線駆動回路に含まれる出力バッファの具体的な構成を示す平面図である。 出力線及び走査線間の接続に係る構成を示す概念図である。 出力線と半導体層よりも下層側の走査線との間を接続するコンタクトホールの構成を示す断面図である。 出力線と半導体層よりも下層側の走査線との間を接続するコンタクトホールの製造プロセスを示す工程図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

３ａ、３ｂ…ゲート電極、６ａ…データ線、６…画像信号線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１、１１ａ、１１ｂ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、８１、８３、８４、８５…コンタクトホール、９９…出力線、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、２３０…出力バッファ、８１１、８１２…コンタクトホール、８１２ａ…第１開孔部、８１２ｂ…第２開孔部

Claims (6)

1. 基板上に、
   画素電極と、
   該画素電極と電気的に接続されており、（ｉ）チャネル領域を有する半導体層と、（ｉｉ）前記半導体層よりも上層側に前記チャネル領域と重なるように形成された第１ゲート電極と、（ｉｉｉ）前記半導体層よりも下層側に前記チャネル領域と重なるように形成された第２ゲート電極とを有するトランジスタと、
   前記第１ゲート電極よりも上層側に形成されており、前記半導体層と第１コンタクトホールを介して接続されたデータ線と、
   前記半導体層及び前記画素電極と電気的に接続されており、蓄積容量を構成する画素電位側容量電極と、
   前記データ線と同一膜から形成されており、前記画素電位側容量電極と第２コンタクトホールを介して接続されると共に前記画素電極と電気的に接続された中継層と、
   前記第１及び第２ゲート電極に走査信号を供給するための走査線駆動回路と、
   前記データ線と同一膜から形成されており、前記走査線駆動回路から前記走査信号が出力される出力線と、
   前記第１ゲート電極と同一膜から形成されており、前記第１コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって開孔される第３コンタクトホールを介して前記出力線と接続された第１走査線と、
   前記第２ゲート電極と同一膜から形成されており、前記出力線と、前記第１コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって開孔される第１開孔部と前記第２コンタクトホールを開孔する工程と同一工程によって開孔される第２開孔部とが互いに重なるように配置されることにより形成された第４コンタクトホールを介して接続された第２走査線と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第２走査線は、遮光性の導電材料を含んでなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記半導体層は、前記チャネル領域の両側の各々に設けられたＬＤＤ領域を有し、
   前記第２走査線は、前記ＬＤＤ領域に少なくとも部分的に重なる
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記第２走査線は、前記半導体層のソース領域及びドレイン領域と少なくとも部分的に重なることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記第１開孔部は、前記第２開孔部が形成された後に、前記基板上で平面的に見て、前記第２開孔部の内側に形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなる電子機器。

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