Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP4158922B2 - マイクロコンピュータ - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP4158922B2 - マイクロコンピュータ - Google Patents

マイクロコンピュータ Download PDF

Info

Publication number
JP4158922B2
JP4158922B2 JP2004367038A JP2004367038A JP4158922B2 JP 4158922 B2 JP4158922 B2 JP 4158922B2 JP 2004367038 A JP2004367038 A JP 2004367038A JP 2004367038 A JP2004367038 A JP 2004367038A JP 4158922 B2 JP4158922 B2 JP 4158922B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
configuration information
shift register
module
memory
microcomputer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004367038A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006172335A (ja
Inventor
政義 谷口
勇 間嶋
淳 宇佐見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Priority to JP2004367038A priority Critical patent/JP4158922B2/ja
Priority to US11/275,247 priority patent/US7477564B2/en
Publication of JP2006172335A publication Critical patent/JP2006172335A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4158922B2 publication Critical patent/JP4158922B2/ja
Priority to US12/330,936 priority patent/US7859934B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/785Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes
    • G11C29/789Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes using non-volatile cells or latches

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、単体のチップとして構成され、独立の電源から電力を供給されて動作する複数のモジュールを備えたマイクロコンピュータに関し、特にそのメモリ制御に関する。
LSIの集積度の向上に伴って、シリコン上にシステムを構成するチップ、いわゆるSoC(System on Chip)と呼ばれるLSIが実現されている。SoCでは、チップ内部にメモリを搭載する場合が多く、搭載されるメモリの記憶容量は、年々増大している。メモリの記憶容量の増大に伴い、チップの歩留まりを向上させるため、メモリに冗長性を持たせることが行われている(例えば、特許文献1参照)。そして、SoCの製造時に、搭載されたメモリ素子に故障が発見された場合、このメモリ素子を予備のメモリ素子(冗長ビット)と置き換える。メモリ素子の置き換えは、チップ内部に埋め込まれた、フューズ(Fuse)をレーザー等で焼ききることで実現される。
SoCでは、汎用のメモリとは異なり、多種多様なメモリが組み込まれるのが一般的である。このため、1つのメモリに1個のフューズという構成をとると、フューズの個数が増え、チップに占めるフューズの割合が非常に大きくなってしまうため経済的ではない。そこで従来、1個のフューズ・セルにチップ内部の全てのメモリの冗長性のための情報(コンフィギュレーション情報)を格納しておき、このコンフィギュレーション情報を各メモリに伝播させてメモリの構成(Configuration:予備のメモリ素子との置き換え制御)を実現する構成が取られる。また、一般的にデータの圧縮効率はデータ量が大きくなればなるほど顕著になるため、フューズデータ(コンフィギュレーション情報)を別々のフューズに格納するよりも、1つのセルにまとめたほうが、データ圧縮効率を上げることができる。
図8は、従来のSoCの構成を概略的に示した図である。
図8に示す例では、チップ内部の全てのメモリ(モジュール810のデータキャッシュ812とプログラムキャッシュ813およびモジュール820のデータキャッシュ822およびプログラムキャッシュ823)は、単一のフューズ・セル801の制御により、メモリ素子を予備のメモリ素子に切り替えることができる。図8において、フューズ・セル801に格納されるデータ(コンフィギュレーション情報)は、データ量を減少させるために圧縮されている。SoC800に電源が投入されると、パワーオン・リセットによりフューズ・セル801から圧縮データが出力され、解凍器(Decompression)802で解凍される。
一方、図8のSoCにおいて、DRAM(Dynamic Random Access Memory)803を含む各メモリには、図9に示すようなシフトレジスタ(フリップフロップ回路)が設けられている。そして、各メモリのシフトレジスタを連鎖的に接続させてスキャンチェーンが構成されている。そして、解凍器802で解凍されたデータ(コンフィギュレーション情報)は、このスキャンチェーンによりDRAM803およびモジュール810、820の各メモリに伝播される。
ところで、SoCとして実現された、特定の用途のために設計・製造されるASIC(Application Specific Integrated Circuit)では、消費電力を低減させるため、ボルテージ・アイランドと呼ばれる省電力設計が行われる場合がある(例えば、非特許文献1参照)。ボルテージ・アイランドでは、ASIC内の回路を複数のモジュールに分割し、電源を分割された個々のモジュールごとに独立してオン・オフ切り替え可能とする。そして、使用されていないモジュールの電源を切る(オフ)ことにより、このモジュールのリーク電流を完全になくすことができる。この技術を用いると、例えば携帯電話において、待ち受け時に、この待ち受けにおいて必要なモジュールのみに電力を供給し、必要のない大部分の回路の電源をオフにすることができるため、ASICのリーク電流を最小限に抑え、バッテリーの持続時間を大幅に向上させることができる。
図8に示したSoCにおいて、モジュール810、モジュール820がそれぞれボルテージ・アイランドの適用のために分割された回路のモジュールである。モジュール810には電源VDD1から、モジュール820には電源VDD2から、それぞれ独立に電力が供給されている(実際には、SoC全体に共通の電源VDDから独立のスイッチを介して各モジュール810、820に電力を供給することにより、独立の電源VDD1、VDD2が実現される)。そのため、電源VDD1、VDD2の一方をオフにすることにより、モジュール810、820の一方を停止させ、他方のみを動作させることができる。
特開平7−320495号公報 "デザインシステム ボルテージ・アイランド"、[online]、日本IBM、[2004年11月8日検索]、インターネット<http://www-6.ibm.com/jp/chips/asics/products/v_island.html>
上述したように、SoCでは、メモリに冗長性を持たせる構成や、また省電力設計であるボルテージ・アイランドが実現されている。しかし、冗長性を持たせたメモリを、ボルテージ・アイランドを持つSoCに搭載する場合、以下のような問題がある。
まず、SoC全体の電源が投入(オン)されたとき、全てのメモリは、初期状態で冗長回路に対する情報を持っていない。このため、パワーオン・リセットにより、フューズ・解凍器モジュール(図8のフューズ・セル801および解凍器802)を初期化する。この結果、フューズ・セル801に格納されているデータが、解凍器802で解凍され、スキャンチェーンで各メモリに伝播される。転送が終了した時点で、図10に示すように、メモリの構成(Configuration)が完了し、CPU(Central Processing Unit)等がメモリにアクセスできる状態となる。
電源が投入(オン)された後、しばらくして、モジュール820の機能が必要なくなったとする。すると、消費電力を軽減するため、モジュール820の電源VDD2がオフとなる。このとき、モジュール820では電力の供給が断たれるため、図11に示すように、モジュール820に含まれるメモリ(データキャッシュ822およびプログラムキャッシュ823)のコンフィギュレーション情報は消滅する。
その後、再び、モジュール820を使用するアプリケーションが実行されたため、モジュール820の電源VDD2がオンになったとする。しかし、モジュール820のメモリのコンフィギュレーション情報は失われているため、メモリを使用するためには、フューズ・解凍器モジュールを改めて初期化し、モジュール820のメモリに対するコンフィギュレーション情報をスキャンチェーンで伝播させなければならない。
しかし、このスキャンチェーンによるコンフィギュレーション情報の伝播が行われると、モジュール810のメモリ(データキャッシュ812およびプログラムキャッシュ813)のコンフィギュレーション情報も同時に書き換えられることとなる。そのため、スキャンチェーンによるコンフィギュレーション情報の転送が終了するまで、一時的に、モジュール810においてもCPU811によるメモリ(DRAM803を含む)へのアクセスができなくなる。
これを回避する手段として、フューズ・解凍器モジュールをドメインごとに持つ方法が考えられる。ドメイン(モジュール)ごとにフューズ・解凍器モジュールがあれば、コンフィギュレーション情報の伝播の影響はそのドメイン以外のモジュールには及ばない。したがって、上記のようにモジュール820の電源がオンになった際にモジュール810の動作が妨げられることはなくなる。しかし、このような構成とすると、チップ上に非常に大きな面積を占めるフューズ・解凍器モジュールを複数個設けることとなり、かつフューズ・セルの分散により、フューズ・セルが保持するデータの圧縮の効果が薄れてしまうため、チップ面積を増大させてしまう。
そこで本発明は、ドメイン(モジュール)ごとにフューズ・セルを設けることなく、ボルテージ・アイランドにおいて所定のモジュールの電源投入時に他のモジュールにおけるメモリアクセスができなくなることを回避する手段を提供することを目的とする。
上記の目的を達成する本発明は、単体のチップとして構成された、次のようなマイクロコンピュータとして実現される。このマイクロコンピュータは、予備のメモリ素子を備えて冗長性を持たせた複数のメモリと、この複数のメモリにおけるメモリ素子の切り替えを制御するためのコンフィギュレーション情報を格納したフューズ・セルと、個々のメモリに対応させて設けられ、フューズ・セルからメモリに対するコンフィギュレーション情報を受信して保持するシフトレジスタと、このシフトレジスタの動作を制御する制御回路とを備える。そして、シフトレジスタは、コンフィギュレーション情報のデータを受信し他のシフトレジスタに転送するためのシフト部と、このシフト部に入力されるデータを保持するラッチ部とを備える。制御回路は、シフトレジスタのシフト部に入力されたデータをラッチ部に保持させるか否かを制御する。
より詳細には、この制御回路は、マイクロコンピュータのチップ上に形成され独立の電源から電力を供給されて動作する複数のモジュールに対して個別に設けられる。そして、対応するモジュールにおける電源のオン・オフに応じて、モジュールにおけるシフトレジスタのシフト部に入力されたデータをラッチ部に保持させるか否かを制御する。さらに具体的には、フューズ・セルを含むモジュールは、コンフィギュレーション情報の送信が終了した後、送信終了を示すコンプリート信号を制御回路に送信する。そして、制御回路は、コンプリート信号を受信した場合に、シフト部に入力されるデータをラッチ部に取り込まないように、シフトレジスタを制御する。また、制御回路は、対応するモジュールにおける電源のオン・オフに伴い出力されるリセット信号を受信した場合に、シフト部に入力されるデータがラッチ部に取り込み可能となるように、シフトレジスタを制御する。
さらに、上記の目的を達成する他の本発明は、独立の電源から電力を供給されて動作する複数のモジュールを備えた、次のようなマイクロコンピュータとしても実現される。このマイクロコンピュータは、複数のモジュールに設けられ、予備のメモリ素子を備えて冗長性を持たせたメモリと、このメモリにおけるメモリ素子の切り替えを制御するためのコンフィギュレーション情報を格納したフューズ・セルと、このフューズ・セルに格納されているコンフィギュレーション情報を複数のモジュールのメモリに伝播させるためのスキャンチェーンと、複数のモジュールにそれぞれ設けられ、スキャンチェーンにより伝播されるコンフィギュレーション情報を保持する情報保持手段とを備える。そして、フューズ・セルは、個々のモジュールにおけるリセット動作に応じてコンフィギュレーション情報をスキャンチェーンに送出する。これに対して、リセット動作を行った特定のモジュールの情報保持手段は、リセット動作に応じて送出されたコンフィギュレーション情報を入力して保持する。一方、他のモジュールの情報保持手段は、特定のモジュールのリセット動作に応じて送出されたコンフィギュレーション情報を保持せず、それ以前に保持していたコンフィギュレーション情報をそのまま保持することを特徴とする。
以上のように構成された本発明によれば、電源がオフからオンに切り換えられてリセット動作が行われたモジュールでは、フューズ・セルから出力されてスキャンチェーンにより伝播されるコンフィギュレーション情報がシフトレジスタのラッチ部(記憶手段)に取り込まれてメモリの構成(Configuration)が行われるのに対し、リセット動作が行われなかったモジュールでは、コンフィギュレーション情報がシフトレジスタのラッチ部に取り込まれることなく、シフト部を通過する。したがって、リセット動作が行われなかったモジュールでは、コンフィギュレーション情報の書き換えがなされないため、メモリへのアクセス動作が妨げられることがなくなる。
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態(以下、実施形態)について詳細に説明する。
本実施形態では、SoC上の各メモリにコンフィギュレーション情報を伝播させるためのスキャンチェーンを、シフト部とラッチ部とを備えた新たな構成のシフトレジスタ(フリップフロップ回路)にて構成する。また、このシフトレジスタの動作を制御するための制御回路をボルテージ・アイランドが適用されたSoC上の各ドメイン(モジュール)に設ける。かかる構成により、所定のモジュールで電源がオフからオンに切り替えられた際に、そのモジュールでのみ(すなわち他のモジュールに影響を及ぼすことなく)メモリのコンフィギュレーション情報の書き込みが行われるような制御を実現する。
図1は、本実施形態で用いられるシフトレジスタの回路構成を示す図である。
図1に示すシフトレジスタ10は、シフト部11とラッチ部12とを備える。このシフトレジスタ10は、SoC上の各メモリに設けられ、メモリ素子の切り替え制御を行うためのコンフィギュレーション情報を伝播するために用いられる。
シフト部11は、図9に示した従来のシフトレジスタと同一の構成を有するフリップフロップ回路である。このシフト部11は、スキャンクロック(Scan clk)に同期して、データ(コンフィギュレーション情報)をスキャンイン(Scan in)から入力し、スキャンアウト(Scan out)から出力して、順次後方のシフトレジスタ10へシフトしていく。
ラッチ部12は、シフト部11に入力されたデータを入力して保持するフリップフロップ回路である。また、ラッチ部12は、後述するイネーブル信号(Enable)によりシフト部11からのデータ入力を制御される。本実施形態では、イネーブル信号とスキャンクロックとがAND回路13を介してラッチ部12に入力されているので、イネーブル信号の値が「1」であるときには、スキャンクロックにしたがってシフト部11に入力されたデータがラッチ部12にも入力される。一方、イネーブル信号の値が「0」のときは、ラッチ部12にはスキャンクロックが入力されないので、シフト部11に入力されたデータはラッチ部12に入力されない。このため、イネーブル信号の値が「0」となっていれば、所定のデータがスキャンチェーンを伝播しても、その所定のデータはシフト部11を通過するだけであり、ラッチ部12にはそれ以前のデータが保持されることとなる。
図2は、上述したシフトレジスタ10にイネーブル信号を供給してシフトレジスタ10の動作を制御する制御回路の回路構成を示す図である。
図2に示す制御回路20は、コンプリート信号(Comp)の入力によりセットされ、リセット信号(Power on ResetまたはDomain Reset)の入力によりリセットされるフリップフロップ回路を有する。そして、コンプリート信号がアクティブとなったときに出力であるイネーブル信号の値が「0」となり、リセット信号が入力されたときにイネーブル信号の値が「1」となる。この制御回路20は、SoC上に設けられたボルテージ・アイランドによるドメイン(モジュール)ごとに設けられる。
コンプリート信号は、メモリの構成(Configuration)に用いられるコンフィギュレーション情報の転送が終了した後にSoCのフューズ・解凍器モジュールから出力される。また、制御回路20が入力するリセット信号は、SoC全体のパワーオン・リセット(Power on Reset)またはその制御回路20が存在するドメインの個別のパワーオン・リセット(Domain Reset)である。
図3は、本実施形態のシフトレジスタ10および制御回路20の動作を説明するフローチャートである。
図3を参照すると、SoC100の電源が投入されたとき、または個々のドメインがリセットされたときに(ステップ301)、制御回路20はそのリセット信号に応じて、イネーブル信号を「1」にする(ステップ302)。そして、各メモリのシフトレジスタ10のシフト部11が、スキャンクロックに同期してコンフィギュレーション情報をシフトしていく(ステップ303)。このとき、各シフトレジスタ10のラッチ部12は、シフト部11に入力されたデータを取り込んでいく。コンフィギュレーション情報の送信が終了すると、解凍器102からコンプリート信号が出力される(ステップ304)。これに応じて、制御回路20はイネーブル信号を「0」にする(ステップ305)。
図4は、上述したシフトレジスタ10および制御回路20を備えたSoCの構成例を示す図である。
図4に示すSoC100は、フューズ・セル101、解凍器102、DRAM103と、2つのモジュール110、120を備える。DRAM103には、SoC100全体の電源VDDから直接電力が供給されており、モジュール110、120には、独立の電源VDD1、VDD2から電力が供給されている。
図4において、モジュール110は、CPU111と、メモリとしてデータキャッシュ112およびプログラムキャッシュ113と、制御回路20−1(制御回路20に添え字1を付記)とを備える。また、データキャッシュ112およびプログラムキャッシュ113にはそれぞれシフトレジスタ10が設けられており、このシフトレジスタ10は制御回路20−1により制御される。モジュール120は、DSP(Digital Signal Processor)121と、メモリとしてデータキャッシュ122およびプログラムキャッシュ123と、制御回路20−2(制御回路20に添え字2を付記)とを備える。また、データキャッシュ122およびプログラムキャッシュ123にはそれぞれシフトレジスタ10が設けられており、このシフトレジスタ10は制御回路20−2により制御される。さらに、DRAM103にもシフトレジスタ10が設けられており、このシフトレジスタ10は独立の制御回路20−0(制御回路20に添え字0を付記)により制御される。
上記の各メモリに設けられたシフトレジスタ10は、連鎖的に接続されてスキャンチェーンを構成している。したがって、図中、矢印で示したように、フューズ・セル101から送出されたデータ(各メモリのコンフィギュレーション情報)は、解凍器102で解凍された後、DRAM103、モジュール110のデータキャッシュ112、プログラムキャッシュ113、次いでモジュール120のプログラムキャッシュ123、データキャッシュ122と、順に伝播されていく。
解凍器102は、フューズ・セル101に格納されたデータを全て送出した時点でコンプリート信号(Comp)を出力する。このコンプリート信号は、制御回路20−0、20−1、20−2に供給される。各制御回路20−0、20−1、20−2は、このコンプリート信号を受信すると、シフトレジスタ10を制御するイネーブル信号を「0」にする。
また、SoC100には、SoC100全体の電源VDDがオンとなった際に、これを検知してリセット信号(Power on Reset)を出力するリセット信号出力回路(POR)104が設けられている。一方、モジュール110には、モジュール110単体で電源VDD1がオフからオンに切り替えられた際に、これを検知してリセット信号(Domain Reset)を出力するリセット信号出力回路(POR)114が設けられている。同様に、モジュール120には、モジュール120単体で電源VDD2がオフからオンに切り替えられた際に、これを検知してリセット信号(Domain Reset)を出力するリセット信号出力回路(POR)124が設けられている。
フューズ・セル101および解凍器102からなるフューズ・解凍器モジュールは、これらのPOR104、114、124のいずれかからリセット信号が出力されると、これを受信して、コンフィギュレーション情報を送出する。制御回路20−0は、POR104から出力されたリセット信号を受信し、これに応じてシフトレジスタ10を制御するイネーブル信号を「1」にする。制御回路20−1は、POR104から出力されたリセット信号とモジュール110のPOR114から出力されたリセット信号のいずれかが受信されると、これに応じてシフトレジスタ10を制御するイネーブル信号を「1」にする。同様に、制御回路20−2は、POR104から出力されたリセット信号とモジュール120のPOR124から出力されたリセット信号のいずれかが受信されると、これに応じてシフトレジスタ10を制御するイネーブル信号を「1」にする。
すなわち、本実施形態のSoC100では、全体の電源VDDがオンになったときだけでなく、個々のモジュール110、120において電源VDD1、VDD2がオフからオンに切り替えられたときにもコンフィギュレーション情報が送出される。そして、モジュール110では、全体の電源VDDがオンになったときと、モジュール110の電源VDD1がオフからオンに切り替わったときにのみ、スキャンチェーンにより伝播されるコンフィギュレーション情報がシフトレジスタ10のラッチ部12に取り込まれる。同様に、モジュール120では、全体の電源VDDがオンになったときと、モジュール120の電源VDD2がオフからオンに切り替わったときにのみ、スキャンチェーンにより伝播されるコンフィギュレーション情報がシフトレジスタ10のラッチ部12に取り込まれる。
言い換えれば、モジュール110では、モジュール110以外のモジュールが独立にリセットされた場合(図4の例ではモジュール120の電源VDD2がオフからオンに切り替わりリセット信号が出力された場合)は、スキャンチェーンにより伝播されるコンフィギュレーション情報は、シフトレジスタ10のシフト部11を通過するのみであり、ラッチ部12には取り込まれない。同様に、モジュール120では、モジュール120以外のモジュールが独立にリセットされた場合(図4の例ではモジュール110の電源VDD1がオフからオンに切り替わりリセット信号が出力された場合)は、スキャンチェーンにより伝播されるコンフィギュレーション情報は、シフトレジスタ10のシフト部11を通過するのみであり、ラッチ部12には取り込まれない。
このように本実施形態では、シフトレジスタ10のラッチ部12と制御回路20とで情報保持手段として機能し、シフトレジスタ10のシフト部11はコンフィギュレーション情報を伝播するための情報転送手段として動作する。以下、図5乃至図7を参照して、本実施形態のSoC100の具体的な動作を説明する。
まず、SoC100全体の電源VDDが投入(オン)されたとき、POR104からリセット信号が出力されて、フューズ・解凍器モジュール(図4のフューズ・セル101および解凍器102)を初期化する。そして、フューズ・セル101に格納されているデータが、解凍器102で解凍され、スキャンチェーンで各メモリ(DRAM103、モジュール110のデータキャッシュ112およびプログラムキャッシュ113、モジュール120のデータキャッシュ122およびプログラムキャッシュ123)に伝播される。また、POR104から出力されたリセット信号は、制御回路20−0、モジュール110の制御回路20−1およびモジュール120の制御回路20−2に入力される。そして、このリセット信号を入力した制御回路20−0、20−1、20−2は、イネーブル信号を「1」にする。これにより、各メモリのシフトレジスタ10は、シフト部11に入力されたデータをラッチ部12に保持できることとなる。
コンフィギュレーション情報の送信が終了した時点で、SoC100上の各メモリのシフトレジスタ10は、各々自身のコンフィギュレーション情報をラッチ部12に保持する。これにより、図5に示すように、メモリの構成(Configuration)が完了し、各モジュール110、120においてCPU111およびDSP121がメモリにアクセスできる状態となる。なお、図ではコンフィギュレーション情報をシフトレジスタのラッチ部12に保持してメモリの構成(Configuration)が完了した状態を「Configured」と記載している。
また、コンフィギュレーション情報の送信終了に伴い、解凍器102からコンプリート信号が出力され、制御回路20−0、20−1、20−2に送信される。そして、このコンプリート信号を受信した制御回路20−0、20−1、20−2は、イネーブル信号を「0」にする。これにより、各メモリのシフトレジスタ10は、これ以後シフト部11に入力されたデータをラッチ部12に取り込まなくなる。
電源が投入(オン)された後、しばらくして、モジュール120の機能が必要なくなったとする。すると、消費電力を軽減するため、モジュール120の電源VDD2がオフとなる。このとき、モジュール120では電力の供給が断たれるため、図6に示すように、モジュール120のデータキャッシュ122およびプログラムキャッシュ123のコンフィギュレーション情報は消滅する。なお、図ではコンフィギュレーション情報が消失した状態を「Unknown」と記載している。
その後、再び、モジュール120を使用するアプリケーションが実行されたため、モジュール120の電源VDD2がオンになったとする。しかし、モジュール120におけるデータキャッシュ122およびプログラムキャッシュ123のコンフィギュレーション情報は失われているため、メモリを使用するためには、改めて、モジュール120のメモリに対するコンフィギュレーション情報をスキャンチェーンで伝播させる必要がある。
そこで、モジュール120では、電源VDD2がオンになった際に、POR124からリセット信号が出力される。このリセット信号により、フューズ・解凍器モジュールが初期化され、コンフィギュレーション情報の送出が行われる。一方、このリセット信号は、モジュール120の制御回路20−2に受信され、制御回路20−2のイネーブル信号を「1」にする。これによりモジュール120におけるデータキャッシュ122およびプログラムキャッシュ123のシフトレジスタ10は、シフト部11に入力されたデータをラッチ部12に保持できることとなる。
この状態で、コンフィギュレーション情報の送信が終了すると、モジュール120では、データキャッシュ122およびプログラムキャッシュ123のシフトレジスタ10が、シフト部11に入力された自身のコンフィギュレーション情報をラッチ部12に保持し、図7に示すように、メモリの構成(Configuration)が完了する。
一方、DRAM103やモジュール110のデータキャッシュ112およびプログラムキャッシュ113では、制御回路20−0、20−1のイネーブル信号が「0」のままなので、シフトレジスタ10のシフト部11に何らかのデータが入力されても、そのデータはラッチ部12に取り込まれない。したがって、今回送信されたコンフィギュレーション情報は、シフト部11を通過するのみであり、ラッチ部12に保持されたデータは書き換えられてしまうことがない。そのため、モジュール120の電源VDD2がオンとなってからコンフィギュレーション情報が伝播されてモジュール120のデータキャッシュ122およびプログラムキャッシュ123の構成(Configuration)が完了するまでの間、モジュール110のCPU111は、通常通り、データキャッシュ112やプログラムキャッシュ113、DRAM103へのアクセスが可能となる。
以上、本実施形態について説明したが、実際のSoCの回路構成は、図4に示した回路構成に限定されるものではなく、シフトレジスタ10および制御回路20の構成についても、図1、図2に示した構成に限定されるものではない。これらの具体的な回路構成は、本発明の技術的思想の範囲内で適宜の構成を取り得るものであることは言うまでもない。
本実施形態で用いられるシフトレジスタの回路構成を示す図である。 本実施形態で用いられる制御回路の回路構成を示す図である。 本実施形態のシフトレジスタおよび制御回路の動作を説明するフローチャートである。 本実施形態のシフトレジスタおよび制御回路を備えたSoCの構成例を示す図である。 図4のSoCにおいて、各メモリの構成(Configuration)が完了した状態を示す図である。 図5のSoCにおいて、特定のモジュールの電源がオフとなった場合のメモリの状態を示す図である。 図6のSoCにおいて、特定のモジュールの電源が再びオンとなった場合のメモリの状態を示す図である。 従来のSoCの構成を示す図である。 従来のSoCのメモリに設けられるシフトレジスタの回路構成を示す図である。 図8のSoCにおいて、各メモリの構成(Configuration)が完了した状態を示す図である。 図10のSoCにおいて、特定のモジュールの電源がオフとなった場合のメモリの状態を示す図である。
符号の説明
10…シフトレジスタ、11…シフト部、12…ラッチ部、20…制御回路、100…SoC、101…フューズ・セル、102…解凍器、103…DRAM、104、114、124…リセット信号出力回路(POR)、110、120…モジュール、112、122…データキャッシュ、113、123…プログラムキャッシュ、VDD、VDD1、VDD2…電源

Claims (10)

  1. 単体のチップとして構成されたマイクロコンピュータにおいて、
    予備のメモリ素子を備えて冗長性を持たせた複数のメモリと、
    前記複数のメモリにおけるメモリ素子の切り替えを制御するためのコンフィギュレーション情報を格納したフューズ・セルと、
    個々のメモリに対応させて設けられ、前記フューズ・セルから当該メモリに対する前記コンフィギュレーション情報を受信して保持するシフトレジスタと、
    前記マイクロコンピュータのチップ上に形成され独立の電源から電力を供給されて動作する複数のモジュールに対して個別に設けられ、前記シフトレジスタの動作を制御する制御回路とを備え、
    前記シフトレジスタは、
    前記コンフィギュレーション情報のデータを受信し他のシフトレジスタに転送するためのシフト部と、
    前記シフト部に入力されるデータを保持するラッチ部とを備え、
    前記制御回路の各々が、対応する前記モジュールにおける電源のオン・オフに応じて、当該モジュールにおける前記シフトレジスタの前記シフト部に入力されたデータを前記ラッチ部に保持させるか否かを制御することを特徴とするマイクロコンピュータ。
  2. 前記制御回路は、前記フューズ・セルから前記コンフィギュレーション情報が送信された後、前記シフト部に入力されるデータを前記ラッチ部に取り込まないように、前記シフトレジスタを制御することを特徴とする請求項1に記載のマイクロコンピュータ。
  3. 前記フューズ・セルを含むモジュールは、前記コンフィギュレーション情報の送信が終了した後、送信終了を示すコンプリート信号を前記制御回路に送信し、
    前記制御回路は、前記コンプリート信号を受信した場合に、前記シフト部に入力されるデータを前記ラッチ部に取り込まないように、前記シフトレジスタを制御することを特徴とする請求項1に記載のマイクロコンピュータ。
  4. 前記制御回路は、対応する前記モジュールにおける電源のオン・オフに伴い出力されるリセット信号を受信した場合に、シフト部に入力されるデータがラッチ部に取り込み可能となるように、前記シフトレジスタを制御することを特徴とする請求項1に記載のマイクロコンピュータ。
  5. 前記複数のメモリに対応する複数の前記シフトレジスタは、連鎖的に接続されて、前記フューズ・セルから送信される前記コンフィギュレーション情報を伝播させるスキャンチェーンを構成することを特徴とする請求項1に記載のマイクロコンピュータ。
  6. 独立の電源から電力を供給されて動作する複数のモジュールを備えたマイクロコンピュータにおいて、
    前記複数のモジュールに設けられ、予備のメモリ素子を備えて冗長性を持たせたメモリと、
    前記メモリにおけるメモリ素子の切り替えを制御するためのコンフィギュレーション情報を格納したフューズ・セルと、
    前記フューズ・セルに格納されている前記コンフィギュレーション情報を前記複数のモジュールの前記メモリに伝播させるためのスキャンチェーンと、
    前記複数のモジュールにそれぞれ設けられ、前記スキャンチェーンにより伝播される前記コンフィギュレーション情報を保持する情報保持手段とを備え、
    前記フューズ・セルは、個々の前記モジュールにおけるリセット動作に応じて前記コンフィギュレーション情報を前記スキャンチェーンに送出し、
    リセット動作を行った特定のモジュールの前記情報保持手段は、前記リセット動作に応じて送出された前記コンフィギュレーション情報を入力して保持し、
    他の前記モジュールの前記情報保持手段は、前記特定のモジュールのリセット動作に応じて送出された前記コンフィギュレーション情報を保持せず、それ以前に保持していたコンフィギュレーション情報をそのまま保持することを特徴とするマイクロコンピュータ。
  7. 前記情報保持手段は、
    前記スキャンチェーンを構成するシフトレジスタに入力されたデータを保持する記憶手段と、
    対応する前記モジュールの動作状態に応じて、前記シフトレジスタに入力されたデータを取り込むか否かを制御する制御手段と
    を備えることを特徴とする請求項6に記載のマイクロコンピュータ。
  8. 前記制御手段は、前記フューズ・セルから前記コンフィギュレーション情報が送信された後、前記シフトレジスタに入力されるデータを前記記憶手段に取り込まず、それ以前に保持していたデータをそのまま保持するように制御することを特徴とする請求項7に記載のマイクロコンピュータ。
  9. 前記制御手段は、対応する前記モジュールがリセット動作を行った場合に、その後に前記シフトレジスタに入力されるデータを前記記憶手段に取り込んで記憶内容を書き換えるように、当該記憶手段を制御することを特徴とする請求項7に記載のマイクロコンピュータ。
  10. 前記記憶手段は、前記フューズ・セルから出力されるスキャンクロックにしたがって、前記シフトレジスタに入力されたデータを取り込むフリップフロップ回路であり、
    前記制御手段は、前記フリップフロップ回路に入力されるスキャンクロックを打ち消す信号を当該フリップフロップ回路に送信する回路であることを特徴とする請求項7に記載のマイクロコンピュータ。
JP2004367038A 2004-12-20 2004-12-20 マイクロコンピュータ Expired - Fee Related JP4158922B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004367038A JP4158922B2 (ja) 2004-12-20 2004-12-20 マイクロコンピュータ
US11/275,247 US7477564B2 (en) 2004-12-20 2005-12-20 Method and apparatus for redundant memory configuration in voltage island
US12/330,936 US7859934B2 (en) 2004-12-20 2008-12-09 Method and apparatus for redundant memory configuration in voltage island

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004367038A JP4158922B2 (ja) 2004-12-20 2004-12-20 マイクロコンピュータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006172335A JP2006172335A (ja) 2006-06-29
JP4158922B2 true JP4158922B2 (ja) 2008-10-01

Family

ID=36672998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004367038A Expired - Fee Related JP4158922B2 (ja) 2004-12-20 2004-12-20 マイクロコンピュータ

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7477564B2 (ja)
JP (1) JP4158922B2 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4158922B2 (ja) * 2004-12-20 2008-10-01 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション マイクロコンピュータ
US7710800B2 (en) * 2007-12-12 2010-05-04 International Business Machines Corporation Managing redundant memory in a voltage island
WO2009076680A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Purdue Research Foundation Low-cost process-independent rf mems switch
US8073996B2 (en) * 2008-01-09 2011-12-06 Synopsys, Inc. Programmable modular circuit for testing and controlling a system-on-a-chip integrated circuit, and applications thereof
WO2009095858A1 (en) * 2008-01-29 2009-08-06 Nxp B.V. Electronic clamps for integrated circuits and methods of use
US7750694B1 (en) * 2008-11-11 2010-07-06 Altera Corporation Power on reset circuitry for manufacturability and security using a fuse
KR101009337B1 (ko) 2008-12-30 2011-01-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
US8775880B2 (en) * 2009-06-11 2014-07-08 STMicroelectronics Intenational N.V. Shared fuse wrapper architecture for memory repair
US8502590B2 (en) * 2009-12-14 2013-08-06 The Boeing Company System and method of controlling devices operating within different voltage ranges
US9001609B2 (en) * 2013-01-02 2015-04-07 International Business Machines Corporation Hybrid latch and fuse scheme for memory repair
JP6178410B2 (ja) 2013-04-02 2017-08-09 太陽誘電株式会社 半導体装置
US9348690B2 (en) 2013-08-21 2016-05-24 Via Alliance Semiconductor Co., Ltd. Correctable configuration data compression and decompression system
US9223715B2 (en) 2013-08-21 2015-12-29 Via Alliance Semiconductor Co., Ltd. Microprocessor mechanism for decompression of cache correction data
US20150221352A1 (en) * 2014-02-06 2015-08-06 SK Hynix Inc. Semiconductor devices including e-fuse arrays
US9606933B2 (en) * 2014-05-22 2017-03-28 Via Alliance Semiconductor Co., Ltd. Multi-core apparatus and method for restoring data arrays following a power gating event
US9395802B2 (en) * 2014-05-22 2016-07-19 Via Alliance Semiconductor Co., Ltd. Multi-core data array power gating restoral mechanism
US9524241B2 (en) * 2014-05-22 2016-12-20 Via Alliance Semiconductor Co., Ltd. Multi-core microprocessor power gating cache restoral mechanism
US9665490B2 (en) 2014-05-22 2017-05-30 Via Alliance Semiconductor Co., Ltd. Apparatus and method for repairing cache arrays in a multi-core microprocessor
US9659616B2 (en) * 2014-08-14 2017-05-23 Apple Inc. Configuration fuse data management in a partial power-on state
US10662755B2 (en) 2018-02-05 2020-05-26 Baker Hughes Oilfield Operations Llc Sensors in earth-boring tools, related systems, and related methods
US12608527B2 (en) * 2021-01-18 2026-04-21 Texas Instruments Incorporated Systems and methods for programming electrical fuse
CN115985356B (zh) * 2021-10-15 2024-09-13 长鑫存储技术有限公司 数据合成器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0426999A (ja) 1990-05-19 1992-01-30 Fujitsu Ltd 冗長情報読み出し回路
JP3530574B2 (ja) 1994-05-20 2004-05-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
US6084803A (en) * 1998-10-23 2000-07-04 Mosel Vitelic, Inc. Initialization of non-volatile programmable latches in circuits in which an initialization operation is performed
JP4026999B2 (ja) 1999-11-30 2007-12-26 トッパン・フォームズ株式会社 ディスク状記録媒体の送付用封筒ユニット
KR100498610B1 (ko) * 1999-12-22 2005-07-01 주식회사 하이닉스반도체 뱅크 구분없이 휴즈 박스를 사용하는 로우 리던던시 회로
US6577156B2 (en) 2000-12-05 2003-06-10 International Business Machines Corporation Method and apparatus for initializing an integrated circuit using compressed data from a remote fusebox
JP2003109395A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Toshiba Corp 半導体集積回路
US6798272B2 (en) * 2002-07-02 2004-09-28 Infineon Technologies North America Corp. Shift register for sequential fuse latch operation
US6768694B2 (en) * 2002-10-07 2004-07-27 International Business Machines Corporation Method of electrically blowing fuses under control of an on-chip tester interface apparatus
JP3790208B2 (ja) 2002-10-08 2006-06-28 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JP3898682B2 (ja) * 2003-10-03 2007-03-28 株式会社東芝 半導体集積回路
JP4439950B2 (ja) * 2004-03-10 2010-03-24 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
JP4158922B2 (ja) * 2004-12-20 2008-10-01 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション マイクロコンピュータ

Also Published As

Publication number Publication date
US7477564B2 (en) 2009-01-13
US20090097335A1 (en) 2009-04-16
JP2006172335A (ja) 2006-06-29
US20070109882A1 (en) 2007-05-17
US7859934B2 (en) 2010-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4158922B2 (ja) マイクロコンピュータ
JP4156067B2 (ja) 冗長性半導体メモリにおける融通的ヒューズ配置構成
US20110248759A1 (en) Retention flip-flop
US20110216578A1 (en) System for Retaining State Data
JP2002196846A (ja) Lsiのリーク電流低減方法
JP2005158061A (ja) メモリの回復方法及び回復能力を有するメモリデバイス
US8078838B2 (en) Multiprocessor system having multiport semiconductor memory with processor wake-up function responsive to stored messages in an internal register
US20050149799A1 (en) Integrated circuit with leakage control and method for leakage control
JP2007122437A (ja) 半導体集積回路装置
JP2003187600A (ja) 半導体集積回路装置
JP4035923B2 (ja) ラッチ回路
CN115104084B (zh) 存储器、芯片及存储器的修复信息的保存方法
KR102591208B1 (ko) 저전력 리텐션 플립플롭
JP2012069565A (ja) 半導体集積回路及び制御方法
US20080303573A1 (en) Data-retention latch for sleep mode application
JP4883621B2 (ja) 半導体集積回路
US20060067102A1 (en) Non-volatile logic circuit and system LSI having the same
JP4209064B2 (ja) 半導体記憶装置
JP2007226632A (ja) マイクロコンピュータ
JP2007128603A (ja) メモリ回路
JP2016031768A (ja) データ転送回路
JP2008192264A (ja) 半導体記憶装置
JP5627163B2 (ja) 動作モード及びスリープモードでのデータ保持方法および回路
US11562774B2 (en) Semiconductor device having a memory and method of controlling the same between operation modes
JP4143515B2 (ja) 半導体記憶装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071029

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20071227

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20080121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080430

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080602

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080701

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

RD14 Notification of resignation of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434

Effective date: 20080707

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080709

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees