JP4159719B2 - 電力用真空遮断器の接点材料の製造方法 - Google Patents
電力用真空遮断器の接点材料の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4159719B2 JP4159719B2 JP2000047979A JP2000047979A JP4159719B2 JP 4159719 B2 JP4159719 B2 JP 4159719B2 JP 2000047979 A JP2000047979 A JP 2000047979A JP 2000047979 A JP2000047979 A JP 2000047979A JP 4159719 B2 JP4159719 B2 JP 4159719B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- phase
- contact
- interruption
- characteristic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
- Contacts (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、すぐれた遮断特性と再点弧抑制特性とを備えた真空バルブ等からなる電力用真空遮断器の接点材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空中でのアーク拡散性を利用して、高真空中で電流遮断を行わせる真空バルブの接点は、対向する固定、可動の２つの接点から構成されている。
【０００３】
真空遮断器には、大電流断性能、耐電圧性能、耐溶着性能の基本的３要件の他に再点弧現象の発生の抑制が重要な要件となっている。
【０００４】
しかしながら、これらの要件の中には相反するものがある関係上、単一の金属種によって総ての要件を満足させることは不可能である。この為実用されている多くの接点材料に於いては、不足する性能を相互に補るような２種以上の元素を組合せることによって、例えば大電流用、高耐圧用などのように特定の用途に合った接点材料の選択採用が行われ、それなりに優れた特性を持つ真空バルブが開発されているが、さらに強まる要求を充分満足する真空バルブは未だ得られていないのが実情である。
【０００５】
例えば、大電流遮断性を目的とした接点として、Ｃｒを５０ｗｔ％程度含有させたＣｕ−Ｃｒ合金（特公昭４５−３５１０１号）が知られている。この合金は、Ｃｒ自体がＣｕと略同等の蒸気圧特性を保持しかつ強力なガスのゲッタ作用を示す等の効果で高電圧大電流断性を実現し、高耐圧特性と大容量遮断とを両立させ得る接点として多用されている。
【０００６】
この合金は、活性度の高いＣｒを使用していることから、原料粉の選択、不純物の混入、雰囲気の管理などに十分に配慮しながら接点素材を製造（焼結工程など）したり、接点素材から接点片へと加工に配慮しながら接点製品としている。
【０００７】
しかし再点弧の発生が引金となって遮断性能を低下させる場合が見られ、その改善が望まれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ＣｕＣｒ接点は、両者の高温度での蒸気圧特性が近似していることなどが主因となって、電流遮断後でも接点表面は比較的平滑な損傷特性を示し、安定した電気特性（安定した接触抵抗特性、優れた遮断特性、再点弧抑制など）を発揮している。しかし近年では一層の大電流遮断やより高電圧が印加される可能性のある回路への適応が日常的に行われる結果、接点として加工した新品時の表面状態、電流遮断後の接点表面の損傷状態などによっては、再点弧の誘発が見られるようになってきた。すなわち加工時の表面状態や、電流遮断によって異常的に損傷・消耗した接点表面では、次の定常電流の開閉時の接触抵抗の異常上昇や温度の異常上昇を引起こす原因となったり、耐電圧不良を示し、再点弧発生の一因となっている。
【０００９】
研究によれば、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性と遮断特性は、合金中のＣｒ量の変動、Ｃｒ粒子の粒度分布、Ｃｒ粒子の偏析の程度、合金中に存在する空孔の程度などに依存することが判明した。また、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性と遮断特性は、合金中のＣｕ相の特に遮断前と遮断後との表面状態の変化状況にも依存することが判明した。
【００１０】
しかしその最適化を進めているにも拘らず、上述した近年の適応状況では、まだばらつきが見られ、両特性を兼備した真空バルブが必要となって来た。
【００１１】
この発明は、このような点に鑑み為されたもので、その目的は、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性を安定化させ電流遮断特性の優れた電力用真空遮断器の接点材料の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記発明の目的を達成する為に、請求項１に記載の本発明は、Ｃｕ又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成されるＣｕ相より成る導電性成分と、Ｃｒより成る耐弧性成分とで構成された１０〜９０重量％Ｃｕを含有するＣｕ−Ｃｒ合金からなる電力用真空遮断器の接点材料の製造方法に於いて、先ず、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金をＣｕ相の持つ融解温度の直下温度の１０３０℃〜１０８０℃に加熱し、これを常温にまで冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子のマイクロビッカース硬さ値Ｈｒを求めておき、次いで、粒径が０．１〜１５０μｍのＣｒ粉と粒径が４４〜６２μｍのＣｕ粉とを所定比率で混合して所定値で加圧後、所定温度で焼結、若しくは所定量の前記Ｃｒ粉を所定値で加圧し、８００〜１４００℃で焼結後、１１００〜１４００℃でＣｕ塊を溶浸し、常温にまで所定速度で冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子のマイクロビッカース硬さ値をＨｓとしたとき、［Ｈｓ／Ｈｒ］比が１．０〜１．６の範囲になるように、前記加圧時の圧力、前記焼結時の温度および前記冷却時の速度の１つ以上を調整したことを特徴とする電力用真空遮断器の接点材料の製造方法である。
【００１３】
ここで、上記接点材料製造時（焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後）のＣｒ粒子の硬度値Ｈｓは、原料Ｃｒの内容や焼結、溶浸時に選択した熱処理条件や接点材料加工時の残存歪みの程度などが互いに関連し合って決定され、例えばＨｓのビッカース硬さは２００近傍の値を示す。
【００１４】
ところで、この接点材料を真空バルブとして組み込み実際に稼働させると、定常電流開閉時や事故電流遮断時にアーク熱を受け、接点面は次第に変化（軟化）し最後には一定の硬度値ＨBを示す様になり、その間に最初のビッカース硬さ２００近傍の硬度値Ｈｓから大きく低下する。実際に真空バルブを稼働させた後最後に一定となった時の硬度値ＨBと、上記Ｃｕ相の融解温度の直下温度Ｔ１に加熱した後、常温にまで冷却した時のＣｒ粒子の硬度値Ｈｒとを対比すると、両者（ＨB、Ｈｒ）はほぼ近似の硬度値を示していることが判った。
【００１５】
ところでＨBの測定には真空バルブを製造すること、実際に電流の遮断や開閉の作業を要することなどで経済的、時間的負担が大きく不利の為、ＨBとＨｒとがほぼ近似した値となる前記性質を利用して、ＨｒによってＨBを代用すること、すなわち測定の困難なＨBに代わって、測定の容易なＨｒによって、定常電流開閉時や事故電流遮断時の接点面の軟化の状況をおきかえることが可能であり有益である。
【００１６】
また上記接点材料製造時のＣｒ粒子の硬度値Ｈｓが大で、常温にまで冷却した時の硬度値Ｈｒとの差が大きい程（すなわち［Ｈｓ／Ｈｒ］比が大）、再点弧の発生頻度が大の傾向になることも判った。[Ｈｓ／Ｈｒ]比として１．６を越えた接点を選択すると、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が大となり、接点の機械的仕上げ加工に際し硬さの差によって安定した加工表面状態が得られず、目標とする低再点弧化に対して好ましくない。
【００１８】
ここで、Ｃｕ相の持つ融解温度の直下温度Ｔ１より低い温度（ｌ０３０℃より低い温度）で熱処理した時のＣｒの硬さ値と、電流遮断・開閉経過後のＣｒの硬さ値ＨBとが一致しない。その為、Ｔ１より低い温度で熱処理した時のＣｒの硬さ値を使用すると、[Ｈｓ／Ｈｒ]比と再点弧発生頻度との間の関係は、十分には対応が取れず製品の管理が出来なくなる。
【００２６】
また、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の量が１０重量％未満では、電流遮断特性が大幅に低下する。Ｃｕ相の量が９０重量％を越えると、１．６以下の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を確保することが困難となり、再点弧発生頻度が増大する。
【００３５】
また、請求項２に記載の本発明は、Ｃｕ又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成されるＣｕ相より成る導電性成分と、Ｃｒより成る耐弧性成分とで構成された１０〜９０重量％Ｃｕを含有するＣｕ−Ｃｒ合金からなる電力用真空遮断器の接点材料の製造方法に於いて、先ず、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金をＣｕ相の持つ融解温度の直下温度の１０３０℃〜１０８０℃に加熱し、これを常温にまで冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相のマイクロビッカース硬さ値Ｈｏを求めておき、次いで、粒径が０．１〜１５０μｍのＣｒ粉と粒径が４４〜６２μｍのＣｕ粉とを所定比率で混合して所定値で加圧後、所定温度で焼結、若しくは所定量の前記Ｃｒ粉を所定値で加圧し、８００〜１４００℃で焼結後、１１００〜１４００℃でＣｕ塊を溶浸し、常温にまで所定速度で冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相のマイクロビッカース硬さ値をＨｍとしたとき、［Ｈｍ／Ｈｏ］比が１．０〜２．０の範囲になるように、前記加圧時の圧力、前記焼結時の温度および前記冷却時の速度の１つ以上を調整したことを特徴とする電力用真空遮断器の接点材料の製造方法である。
【００３６】
ここで、上記接点材料製造時（焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後）のＣｕ相の硬度値Ｈｍは、焼結、溶浸時に選択した熱処理条件（例えば冷却速度など）や接点加工時の残存歪みの程度などが互いに関連し合って決定され、Ｈｍのビッカース硬さは１００近傍の値である。
【００３７】
ところで、この接点材料を真空バルブとして組み込み実際に稼働させると、定常電流の開閉時や事故電流の遮断時のアーク熱により、接点面は次第に変化（軟化）し、最後には一定の硬度値Ｈｂを示すようになり、その間に初期のビッカース硬さ１００近傍の硬度値Ｈｍから大きく変化（低下）する。実際に真空バルブを稼働させて最後に一定となった時の硬度値Ｈｂと、上記Ｃｕ相の融解温度の直下温度Ｔ１に加熱した後、常温にまで冷却した時のＣｕ相の硬度値Ｈｏとを対比すると、両者（Ｈｂ、Ｈｏ）は、ほぼ近似の硬度値を示していることが判った。
【００３８】
ところでＨｂの測定には，真空バルブを製造しなければならないこと、実際の電流の遮断や開閉作業をしなければならないことなどで経済的、時間的負担が大きく不利の為、ＨｂとＨｏとがほぼ近似した値となる前記性質を利用して、ＨｏによってＨｂを代用すること、すなわち測定の困難なＨｂに代わって、測定の容易なＨｏによって、定常電流開閉時や事故電流遮断時の接点面の軟化の状況をおきかえることが可能であり有益である。
【００３９】
また上記接点材料の焼結・溶浸後のＣｕ相の硬度値Ｈｍが大で、常温にまで冷却した時のＣｕ相の硬度値Ｈｏとの差（すなわちＨｍ／Ｈｏ］比）が大きい程、再点弧の発生頻度が大の傾向になることも判った。[Ｈｍ／Ｈｏ］比として２．０を越えた接点を選択すると、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相とＣｒ粒子との硬度の差が大となり、接点の機械的仕上げ加工に際し硬さの差によって安定した加工表面状態が得られず、目標とする低再点弧化に対して好ましくない。
【００４１】
ここで、Ｃｕ相の持つ融解温度の直下温度Ｔ１より低い温度（１０３０℃より低い温度）で熱処理した時のＣｕ相の硬さ値と、電流遮断・開閉経過後のＣｕ相の硬さ値Ｈｂとが一致しない。その為、Ｔ１より低い温度で熱処理した時のＣｕ相の硬さ値を使用すると、[Ｈｍ／Ｈｏ]比と再点弧発生頻度との間の関係は、十分には対応が取れず製品の品質管理が出来なくなる。
【００４９】
また、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の量が１０重量％未満では、電流遮断特性が大幅に低下する。Ｃｕ相の量が９０重量％を越えると、接点表面の消耗が大となり再点弧発生頻度が増大する。
【００５８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００５９】
Ｃｕ−Ｃｒ接点の材料状態と再点弧発生について、発明者らの観察では、遮断前後の材料特性と、再点弧のバラツキ発生との間の関連性について、以下の様な知見を得た。
▲１▼Ｃｕ−Ｃｒ接点は、研磨、研削や切削手段によって仕上げ加工するのが一般である。しかしＣｕ−Ｃｒの諸内容（製造条件や加工条件など）を一定としても、なお再点弧の発生にバラツキが見られる。発明者らの観察の結果、接点表面にはＣｒ粒子の脱落、Ｃｕ相部分の脱落、流れ（ＣｕがＣｒ粒子上にまでかぶる）や剥離、Ｃｒ粒子端部の欠け、引っかき状の傷など種々存在していた。その一因として接点面上の特にミクロ領域での加工性の差異、すなわち再点弧発生のバラツキとミクロ領域での硬度の均一度の違いとの間に相関性を認めた。この傾向は、接点素材の製造ロット間で、および１枚の接点のミクロ領域中でも観察された。
▲２▼更に、定常電流開閉動作や事故電流遮断動作の経過によって、次第に再点弧発生頻度は、ほぼ一定値に安定してゆく場合が認められた。この状況はアーク熱を受け接点面が次第に変化（軟化）し最後には一定の硬度値となる現象を示していると考えられる。
【００６０】
そこで、実際の真空バルブに対して、事故電流遮断動作を多数回与えてほぼ一定値となった接点のＣｒ粒子の硬度値ＨB、及びＣｕ相の硬度値Ｈｂを測定した。その接点のＣｕ相部分の融解温度の直下温度を選択し、その温度で十分加熱した後、常温にまで冷却した時の、同接点中のＣｒ粒子の硬度値Ｈｒ及びＣｕ相の硬度値Ｈｏとそれぞれ対比すると、両者は、それぞれ、ほぼ近似の値（ＨB＝Ｈｒ、Ｈｂ＝Ｈｏ）を示していることが判った。
▲３▼更に、Ｃｒ粒子の硬度値については、焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｓとして、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｒとした時、Ｈｓが大で、Ｈｒとの差が大きい程（すなわち［Ｈｓ／Ｈｒ］比が大の程）、再点弧の発生頻度が大の傾向にあることを認めた。［Ｈｓ／Ｈｒ］比として１．６を越えた接点を選択すると、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が大となり、接点の機械的仕上げ加工の際に好ましい加工表面状態が得られず、目標とする低再点弧化に対して好ましくない。これに対して、［Ｈｓ／Ｈｒ］比として１．６以下好ましくは１．３以下の接点を選択すると、Ｃｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が小となり、接点の機械的仕上げ加工に際し、好ましい加工表面状態が得られ、常に一定の安定した表面状態を得て、アークの停滞、集中が低減化される結果、接点面の局部的異常蒸発現象の阻止や表面荒れの軽減化などによって、低再点弧化の利益と共に遮断特性の向上に寄与する。
【００６１】
また、Ｃｕ相の硬度値についても、焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程直後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍとして、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｏとした時、Ｈｍが大で、Ｈｏとの差が大きい程（すなわち［Ｈｍ／Ｈｏ］比が大の程）、再点弧の発生頻度が大の傾向にあることを認めた。［Ｈｍ／Ｈｏ］比として２．０を越えた接点を選択すると、Ｃｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が大となり、接点の機械的仕上げ加工の際に好ましい加工表面状態が得られず、目標とする低再点弧化に対して好ましくない。これに対して、[Ｈｍ／Ｈｏ]比として２．０以下好ましくは１．３以下の接点を選択すると、Ｃｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が小となり、接点の機械的仕上げ加工に際し、好ましい加工表面状態が得られ、常に一定の安定した表面状態を得て、アークの停滞、集中が低減化される結果、接点面のＣｕ相部分の局部的な異常蒸発現象を阻止、表面荒れの軽減化などによって、低再点弧化の利益と共に遮断特性の向上に寄与する。
▲４▼このような接点に外部磁界（例えば縦磁界）を与えると、遮断により発生したアークは、接点面上に一様に拡がり移動拡散し、電流遮断特性を向上させることが出来る。観察によれば、一定値以上の電流値を遮断すると、アークは予測出来ない一点もしくは複数点の場所で停滞する傾向を示すが、〔Ｈｓ／Ｈｒ］比が１．６以下の接点の方が、１．６を越えた接点よりもその程度は低く優れている傾向にあり、また［Ｈｍ／Ｈｏ］比が２．０以下の接点の方が、２．０を越えた接点よりもその程度は低く優れている傾向にある。最終的には接点の一部分を異常融解させ遮断限界に至る。また異常融解によって瞬時的爆発的な蒸発によって発生した金属蒸気は、開極過程にあった真空遮断器の絶縁回復性を著しく阻害し、遮断限界の一層の劣化を招く。さらに異常融解は、巨大な融滴を作り接点面の荒れを招き耐電圧特性の低下、再点弧発生率の増加、材料の異常な消耗をも招く。これらの現象の一因となるアークが、接点面上のどこで停滞するかは全く予測出来ない以上、発生したアークが停滞させることなく移動拡散できるような表面条件と移動拡散を促進させる手段とを接点に与えることが望ましい。本発明では、その望ましい条件として、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子に関する［Ｈｓ／Ｈｒ］比、またはＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比が重要となる。
【００６２】
［１］［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整する実施例
上述のように、ＣｕＣｒ合金の接点特性の安定化には、合金中のＣｒ量の変動、Ｃｒ粒子の粒度、粒度分布、Ｃｒの偏析の程度、合金中に存在する空孔の程度などに依存することを認めたが、特に再点弧特性のより一層の安定化には、上記に加えてＣｕＣｒ合金中のＣｒ粒子の挙動が極めて重要であることが判った。すなわち真空バルブの再点弧の発生頻度は、遮断前後の合金中のＣｒの硬度の変化について注目する必要があることが判った。
【００６３】
そこで、まずＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子に関する［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整して接点材料を製造する実施例及び比較例について説明する。なお、実施例及び比較例の試作の条件を図１及び図２に、またこれらの実施例及び比較例の評価結果を図３及び図４に示す。
【００６４】
（遮断特性の評価）
表面粗さを５μｍに仕上げたフラット接点と、同じ表面粗さを持つ曲率半径１００Ｒの凸状接点とを対向させ、両接点を、開閉機構を持つ真空度１０-3Ｐａ．以下に排気した着脱可能な真空遮断実験装置に取り付け、荷重４０ｋｇ、７．２ｋＶ−２０ｋＡ〜３１．５ｋＡで投入・遮断を１０回操り返し、溶着や再点弧の発生が軽微の時を「合格」とし、投入・遮断を１０回繰り返し、溶着や再点弧の発生多発の時を「不合格」とした。
【００６５】
（再点弧特性の評価）
６ｋＶ×５００Ａの回路を１０００回遮断させた時の再点弧発生頻度を６台の真空バルブについて測定した。発生率（×１０-3（％））が０．３以下を評価Ｓ、０．３〜１の範囲を評価Ａ、１〜３の範囲を評価Ｂ、３〜１０の範囲を評価Ｃ、１０〜１００の範囲を評価Ｙ、１００以上を評価Ｚとした。
【００６６】
（硬さの測定）
Ｃｕ相部分、Ｃｒ粒子を個別にマイクロビッカース硬度計を用いて荷重１０〜２５ｇｒ．にて測定した。
【００６７】
（［Ｈｓ／Ｈｒ］比の調整）
接点は固相焼結法、固相・溶浸法のいずれでも製造は可能であるが、ここではＣｒスケルトンを製造し、その空隙にＣｕを溶浸させる方法で製造した例について示す。粒子直径が４４〜６２μｍの範囲にあるＣｕ粉（全Ｃｕ粉中に９５〜９９％占める）を用意した。粒子直径が０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粉（全Ｃｒ粉中に９５〜９９％占める）の中から、これと近似した粒子直径を持つＣｕを用意した。
【００６８】
焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｓ、該Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の持つ融解温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｒとした時の［Ｈｓ／Ｈｒ］比は、次のようにして調整した。
▲１▼Ｃｒ粉を成形する時にＣｒ粉に与える加圧力を、０〜８トン／ｃｍ2（Ｃｒを容器にいれそのまま焼結した時を加圧力０とする）の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、高加圧力値を選択する。
▲２▼Ｃｒスケルトンを製造する時の焼結温度を、８００〜１４００℃の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、この温度範囲の中から低めの温度を選択する。
▲３▼Ｃｒスケルトン中にＣｕを溶浸する時の温度を、１１００〜１４００℃の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、溶浸温度は低目を選択する。
▲４▼溶浸後の常温にまで冷却する時の冷却速度を、０．１〜１０℃／分の範囲に調整する。例えば同比率を大とする時には、小さい冷却速度を選択する。
▲５▼焼結、焼結・溶浸後の接点に対して、再加熱処理を追加し、その温度を、５００〜１０７０℃の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、例えば低めの６５０〜７５０℃での再加熱処理温度を選択する。
▲６▼焼結、焼結・溶浸後の接点に対して、再加圧処理を追加し、再加圧力を４〜１０トン／ｃｍ2の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、再加圧処理前の相対密度が大となるよう、高めの再加圧力を選択する。
▲７▼［Ｈｓ／Ｈｒ］比を更に微調整する際には、Ｃｕ相に対してはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つを適宜量添加する。
▲８▼Ｃｒ粒子に対してＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つ、または第１の補助成分としてのＡｌ，Ｓｉの少なくとも一方を適宜量添加することによって、前記比率の微調整は可能である。
【００６９】
これら▲１▼▲２▼▲３▼▲４▼▲５▼▲６▼▲７▼▲８▼などを適宜組合わせることによって［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整した接点を得た。
【００７０】
（実施例１〜３、比較例１〜２）
上述のように用意したＣｕ粉とＣｒ粉とを用いて、固相・溶浸法によって所定の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を有する７５％Ｃｕ−残部Ｃｒ合金を製造した（実施例１〜３、比較例１〜２）。［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整する為に、接点製造に際しては上記▲１▼〜▲８▼の適宜選択又は組み合わせによって、１．０〜１．６（実施例１〜３）、１．９〜２．３（比較例１〜２）の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を有する接点を選出した。
【００７１】
これらの接点を評価用真空パルプに搭載し、前記所定条件で再点弧発生頻度（×１０-3％で示した数値）と遮断特性とを測定した。［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．０の場合では、６台のバルブを評価したところ、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性は、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である。評価前の接点加工表面の観察によれば、Ｃｒ粒子部分、Ｃｕ相部分の区別なくほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、極めて安定した接点表面状態を示し、Ｃｒ粒子の脱落、研磨傷などによる表面荒れは見られていない。評価後の接点の最表面層の顕微鏡的観察でも、最表面層領域からのＣｒ粒子の脱落もなかった（実施例１）。
【００７２】
また、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．３の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性は、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である。Ｃｒ粒子部分、Ｃｕ相部分の区別なくほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、極めて安定した接点表面の加工状態を示し、Ｃｒ粒子の脱落、研磨傷などによる表面荒れは見られていない（実施例２）。
【００７３】
更に、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．６の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性は、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である。Ｃｒ粒子部分、Ｃｕ相部分の区別なくほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、Ｃｒ粒子の脱落、研磨傷などによる表面荒れはなく、極めて安定した接点表面状態を示している（実施例３）。
【００７４】
これに対して、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．９の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｙ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。遮断前の加工表面にはＣｒ粒子の脱落跡が観察されている。遮断後の接点面には局所的な荒れが存在している（比較例１）。
【００７５】
また、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝２．３の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られる。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。加工面の静耐圧値に大きなバラツキが見られている（比較例２）。
【００７６】
以上から、再点弧特性と遮断特性との両立に対して、［Ｈｓ／Ｈｒ］比の管理が極めて重要であると共に、同比率を１．０〜１．６の範囲を選択する時に目的を達する。
【００７７】
（実施例４〜６、比較例３〜４）
前記実施例では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を７５％に一定とした時の、［Ｈｓ／Ｈｒ］比を変動させた場合の再点弧特性と遮断特性に及ぼす効果を示したが、本発明技術はＣｕ量７５％に限ることなく、Ｃｕの量が９０〜１０％（実施例４〜６）に於いても効果を発揮する。
【００７８】
すなわち、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．４に一定とした時、Ｃｕ量が９０％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４）。
【００７９】
Ｃｕ量が５０％の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５）。
【００８０】
Ｃｕ量が１０％の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例６）。
【００８１】
これに対して、Ｃｕ量が９５％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｙ）を示し、再点弧特性に大福な劣化が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。但し遮断特性は、２０ｋＡの遮断に成功し遮断特性では「合格」であったが、総合的には目的達成に対して好ましくない（比較例３）。
【００８２】
一方、Ｃｕ量が５％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大福な劣化が見られる共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。遮断特性が著しく低下していると共に遮断テスト中の温度上昇特性、遮断テスト後の接触抵抗特性共に低下が顕著に示された（比較例４）。
【００８３】
（実施例７〜１２）
前記実施例１〜６では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相中には、０．０１％のＣｒ成分を含有したＣｕを使用した例についてその効果を示したが、本発明技術はＣｕ相中の成分は、０．０１％のＣｒに限ることなく効果を発揮する。
【００８４】
すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を７５％に一定とした時、Ｃｕ相中に、０．２％のＣｒ成分を含有した７５％Ｃｕ接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例７）。
【００８５】
Ｃｕ相中に、０．５％のＴｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例８）。
【００８６】
Ｃｕ相中に、１．０％のＶを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例９）。
【００８７】
Ｃｕ相中に、１．０％のＢを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１０）。
【００８８】
Ｃｕ相中に、１０％のＮｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１０）。
【００８９】
Ｃｕ相中に、２０％のＴａを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１２）。
【００９０】
（実施例１３〜１６）
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子中の成分として、Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有したＣｒを使用した場合には、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。
【００９１】
すなわち、Ｃｒ粒子中１．０％のＴｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１３）。
【００９２】
Ｃｒ粒子中２．０％のＶを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１４）。
【００９３】
Ｃｒ粒子中２５％のＮｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１５）。
【００９４】
Ｃｒ粒子中５０％のＴａを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１６）。
【００９５】
（実施例１７〜１８、比較例５）
前記実施例１〜１６では、０．１〜１５０μｍの平均粒子直径を有するＣｒ粒子が全Ｃｒ粒子の９５％（容積％）以上を占める例についてその効果を示したが、本発明技術では全Ｃｒ粒子中に占める０．１〜１５０μｍの平均粒子直径を有するＣｒ粒子は９５％以上の場合に限ることなく効果を発揮する。
【００９６】
すなわち、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が８５％（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１７）。
【００９７】
全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が７５％（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１８）。
【００９８】
これに対して、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径０．１〜１５０μｍのＣｒの比率必５０％（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断に成功と２０ｋＡの遮断に失敗とが存在しバラツキが大で遮断特性は「不合格」である（比較例５）。
【００９９】
（実施例１９〜２３、比較例６）
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子中の第１の補助成分として、１．０％以下のＡｌ，Ｓｉを含有したＣｒを使用した場合には、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。
【０１００】
すなわち、Ｃｒ粒子中に１．０％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１９）。
【０１０１】
Ｃｒ粒子中に０．１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２０）。
【０１０２】
Ｃｒ粒子中に０．０１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２１）。
【０１０３】
Ｃｒ粒子中に０．００１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２２）。
【０１０４】
Ｃｒ粒子中に０．０１％のＳｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２３）。
【０１０５】
これに対して、Ｃｒ粒子中に１．５％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し好ましくない。遮断特性も、３１．５ｋＡの遮断テストに於いて１０回中８回再点弧発生したバルブがあり「不合格」である（比較例６）。
【０１０６】
（実施例２４〜２９、比較例７〜８）
第２の補助成分として、１．０％以下のＢｉ，Ｓｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合には、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。また他の第２の補助成分として、５．０％以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合にも、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。
【０１０７】
すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、０．１％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２４）。
【０１０８】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として１．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２５）。
【０１０９】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、０．２％のＳｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２６）。
【０１１０】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、２．５％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２７）。
【０１１１】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、５．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２８）。
【０１１２】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、２．５％のＳｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２９）。
【０１１３】
また、第２の補助成分として、０．２％のＰｂを含有させた接点でも同等の再点弧発生頻度および遮断特性を発揮し「合格」である。
【０１１４】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、３．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られ好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡ以下の遮断で再点弧が多発し遮断特性は「不合格」である（比較例７）。遮断テスト後の接点表面には著しい荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見られた。
【０１１５】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、８．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大福な劣化が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断に成功と２０ｋＡの遮断に失敗とが存在しバラツキが大で遮断特性は「不合格」である（比較例８）。遮断テスト後の接点表面には著しい荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見られた。
【０１１６】
（その他の実施例）
焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後のＣｕ−Ｃｒを、非酸化性雰囲気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常温にまで冷却することとし、この場合も焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｓ、非酸化性雰囲気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｒとした時の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を、１．０〜１．６の範囲に調整することとしてもよい。
【０１１７】
このように、Ｃｕ−Ｃｒ接点材料の製造雰囲気として、非酸化性雰囲気を選択することにより、特に再点弧発生頻度の低減化を図ることができる。
【０１１８】
［２］［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整する実施例
また、上述のように、ＣｕＣｒ合金の接点特性の安定化には、合金中のＣｕ相の状態（表面荒れ、空孔の程度）、Ｃｕ相の大きさ（粒度、粒度分布析の程度）などに依存することを認めたが、特に再点弧特性のより一層の安定化には、上記に加えてＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の挙動が極めて重要であることが判った。すなわち真空バルブの再点弧の発生頻度は、遮断前後の合金中のＣｕの硬度の変化について注目する必要があることが判った。
【０１１９】
そこで、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整して接点材料を製造する実施例及び比較例について説明する。なお、実施例及び比較例の試作の条件を図５及び図６に、またこれらの実施例及び比較例の評価結果を図７及び図８に示す。
【０１２０】
（遮断特性の評価）
この［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整する実施例の場合も、［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整する実施例の場合と同様に、表面粗さを５μmに仕上げたフラット接点と、同じ表面粗さを持つ曲率半径１００Ｒの凸状接点とを対向させ、両接点を開閉機構を持つ真空度１０-3Ｐａ．以下に排気した着脱可能な真空遮断実験装置に取り付け、荷重４０ｋｇ、７．２ｋＶ−２０ｋＡ〜３１．５ｋＡで投入・遮断を１０回繰り返し、溶着や再点弧の発生が軽徴の時を「合格」とした。投入・遮断を１０回繰り返し、再点弧や溶着の発生多発の時を「不合格」とした。
【０１２１】
（再点弧特性の評価）
６ｋＶ×５００Ａの回路を１０００回遮断させた時の再点弧発生頻度を６台の真空バルブについて測定した。発生率（×１０-3（％））が０．３以下を評価Ｓ、０．３から〜１の範囲を評価Ａ、１〜３の範囲を評価Ｂ、３〜１０の範囲を評価Ｃ、１０〜１００の範囲を評価Ｙ、１００以上を評価Ｚとした。
【０１２２】
（硬さの測定）
Ｃｕ相部分を、マイクロビッカース硬度計を用いて荷重１０〜２５ｇｒ．にて測定した。
【０１２３】
（［Ｈｍ／Ｈｏ］の調整）
接点は固相焼結法、焼結・溶浸法のいずれでも製造は可能である。焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後のＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍ、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の持つ融解温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｏとした時の所定の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を持つ接点は、次のようにして調整した。
（１）前者の固相焼結法を採用した製造では、粒子直径が０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粉（全Ｃｒ粉中に９５〜９９％占める）を用意し、これと近似した粒子直径を持つＣｕとして、４４〜６２μｍの範囲にあるＣｕ粉（全Ｃｕ粉中に９５〜９９％占める）を用意する。所定比率のＣｕとＣｒとを混合、成型した後、例えば１０３０℃で固相焼結してＣｕ−Ｃｒ合金を製造する。なおＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ量が５〜９５％の総ての範囲の合金に対して採用可能であるが、主としてＣｕ量が６０〜９５％、５〜４５％の範囲の合金に対して適用した。
【０１２４】
Ａ）Ｃｕ−Ｃｒ混合粉を成形する時に混合粉に与える加圧力を、０〜８トン／ｃｍ2（Ｃｒを容器に入れそのまま焼結した時を加圧力０とする）の範囲で［Ｈｍ／Ｈｏ］比を小さく調整する。
【０１２５】
Ｂ）固相焼結後の常温にまで冷却する時の冷却速度を、０．１〜１０℃／分の範囲に調整する。例えば冷却速度をより小さく選択すると、Ｃｕ相の硬度値Ｈｍは小となり、［Ｈｍ／Ｈｏ］比率を小とするのに有益である。
【０１２６】
Ｃ）固相焼結後の接点に対して、再加圧力が４〜１０トン／ｃｍ2の範囲の再加圧処理を追加し、[Ｈｍ／Ｈｏ］比を小さく調整する。
【０１２７】
Ｄ）［Ｈｍ／Ｈｏ］比を更に微調整する際には、Ｃｕ相に対してはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つを適宜量添加することによって、または第１の補助成分としてのＡｌ，Ｓｉの少なくとも一方を適宜量添加することによって、前記比率の微調整は可能である。これらＡ）Ｂ）Ｃ）Ｄ）などを適宜組合わせることによって［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整した接点を得た。
（２）後者の溶浸法を採用した製造では、粒子直径が０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粉（全Ｃｒ粉中に９５〜９９％占める）を用意する。溶浸用のＣｕ塊を用意する。このＣｒを用いて例えば１２００℃でＣｒスケルトンを製造した後、その空隙にＣｕを溶浸させＣｕ−Ｃｒ合金を製造する。なおＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ量が４５〜６０％の範囲の合金に対して適用した。
▲１▼Ｃｒ粉を成形する時にＣｒ粉に与える加圧力を、０〜８トン／ｃｍ2（Ｃｒを容器にいれそのまま焼結した時を加圧力０とする）の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、高加圧力値を選択する。
▲２▼Ｃｒスケルトン中にＣｕを溶浸する時の温度を、１１００〜１４００℃の範囲で調整する。
▲３▼溶浸後の常温にまで冷却する時の冷却速度を、０．１〜１０℃／分の範囲に調整する。例えば冷却速度をより小さく選択すると、Ｃｕ相の硬度Ｈｍは小となり、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を小とするのに有益である。
▲４▼溶浸後の接点に対して、再加熱処理を追加し、その温度を、５００〜１０７０℃の範囲、実質的には６５０〜７５０℃での再加熱処理温度を選択し、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を小さく謂整する。
▲５▼溶浸後の接点に対して、再加圧力が４〜１０トン／ｃｍ2の範囲の再加圧処理を追加し、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を小さく調整する。
▲６▼［Ｈｍ／Ｈｏ］比を更に微調整する際には、Ｃｕ相に対してはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つを適宜量添加することによって、または第１の補助成分としてのＡｌ，Ｓｉの少なくとも一方を適宜量添加することによって、前記比率の微調整は可能である。これら▲１▼▲２▼▲３▼▲４▼▲５▼▲６▼などを適宜組合わせることによって［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整した接点を得た。
【０１２８】
（実施例３０〜３２、比較例９〜１０）
上述のように用意したＣｕ粉とＣｒ粉とを用いて、固相焼結法によって所定の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を有する７５％Ｃｕ−残部Ｃｒ合金を製造した（実施例３０〜３２、比較例９〜１０）。
【０１２９】
[Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整する為に、接点製造に際しては上記Ａ）Ｂ）Ｃ）Ｄ）の適宜選択又は組み合わせによって、１．０〜２．０（実施例３０〜３２）、２．６〜３．０（比較例９〜１０）の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を有する接点を選出した。
【０１３０】
これらの接点を評価用真空バルブに搭載し、前記所定条件で再点弧発生頻度（×１０-3％で示した数値）と遮断特性とを測定した。［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝１．０の場合では、６台のバルブを評価したところ、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４．ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である。評価前の接点加工表面の観察によれば、Ｃｕ相部分は完全に均一に切削研磨された状況が見られ、極めて安定した接点表面状態を示し、Ｃｕ相の脱落、研磨傷などによる表面荒れは見られていない。評価後の接点の最表面層の顕微鏡的観察でも、最表面層領域からのＣｕ相の脱落はなかった（実施例３０）。なお［Ｈｍ／Ｈｏ］比が１．０未満の合金でも特性的には同等の良好な性能を発揮する。
【０１３１】
また、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝１．３とした場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も２４ｋＡの１０回遮断に成功し「合格」である。Ｃｕ相部分はほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、極めて安定した接点表面の加工状態を示し、Ｃｕ相の脱落、研磨傷などによる表面荒れは見られていない。評価後の接点の最表面層の顕微鏡的観察でも、最表面層領域からのＣｕ相の脱落はなかった（実施例３１）。
【０１３２】
更に、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝２．０とした場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である。Ｃｕ相部分はほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、Ｃｕ相の脱落、研磨傷などによる表面荒れはなく、極めて安定した接点表面状態を示している（実施例３２）。
【０１３３】
これに対して、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝２．６の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。遮断前の加工表面にはＣｕ相の脱落跡が観察されている。遮断後の接点面には局所的な荒れが存在している（比較例９）。
【０１３４】
また、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝３．０の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られる。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。加工面の静耐圧値に大きなバラツキが見られている（比較例１０）。
【０１３５】
以上から、再点弧特性と遮断特性との両立に対して、［Ｈｍ／Ｈｏ］比の管理が極めて重要であると共に、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を２．０以下の範囲を選択する時に目的を達する。
【０１３６】
（実施例３３〜３５、比較例１１〜１２）
前記実施例では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を７５％に一定とした時の、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を変動させた場合の、［Ｈｍ／Ｈｏ］比が再点弧特性と遮断特性に及ぼす効果を示したが、本発明技術ではＣｕ量は７５％に限ることなく、Ｃｕの量が９０〜１０％（実施例３３〜３５）に於いても効果を発揮する。
【０１３７】
すなわち、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝１．２〜１．４に一定とした時，Ｃｕ量が９０％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３３）。最表面層の顕微鏡的観察では、加工面からのＣｕ相の脱落や加工傷も無く、評価後の接点面からもＣｕ相の脱落はなかった。
【０１３８】
Ｃｕ量が６０％の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３４）。
【０１３９】
Ｃｕ量が１０％の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３５）。最表面層の顕微鏡的観察では、加工面からのＣｕ相の脱落や加工傷も無く、評価後の接点面からのＣｕ相の脱落もなかった。
【０１４０】
これに対して、Ｃｕ量が９５％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｙ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大幅なバラツキも示し好ましくない。但し遮断特性は、２０ｋＡの遮断に成功し遮断特性では「合格」であったが、一部に溶着の発生が見られ総合的には目的達成に対して好ましくない（比較例１１）。
【０１４１】
一方、Ｃｕ量が５％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られる共に大福なバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。遮断特性の著しく低下していると共に遮断テスト中の温度上昇特性、遮断テスト後の接触抵抗特性の安定性に乏しい（比較例１２）。最表面層の顕微鏡的観察では、加工面上には著しい加工傷が見られた。この加工傷が原因となって静耐圧値が低下している。また加工時の機械的衝撃によってＣｕ相部分の一部に脱落が見られた。遮断評価後の接点面からもＣｕ相の脱落が認められた。
【０１４２】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の量が９０〜１０％の時にその効果を発揮する。
【０１４３】
（実施例３６〜４１）
前記実施例３０〜３５では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相中に存在する成分については、注目していなかったが、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を管理する本発明技術は、Ｃｕ相中への所定量のＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有したＣｕを使用したＣｕ（Ｃｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つ）−Ｃｒ合金に対しても、再点弧特性、遮断特性が安定化する。
【０１４４】
すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を７５％に一定とした時、Ｃｕ相中に、０．１％のＣｒ成分を含有した７５％Ｃｕ接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４．ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３６）。
【０１４５】
Ｃｕ相中に、０．３％のＴｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３７）。
【０１４６】
Ｃｕ相中に、０．５％のＢを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３８）。
【０１４７】
Ｃｕ相中に、１．５％のＶを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３９）。
【０１４８】
Ｃｕ相中に、１０％のＮｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４０）。
【０１４９】
Ｃｕ相中に、２０％のＴａを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４１）。
【０１５０】
実施例３６〜４１で示したように、Ｃｕ相中への所定量のＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの添加は、Ｃｕ相の脱落を抑制し再点弧特性の安定化に寄与する。
【０１５１】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、Ｃｕ相中に所定量のＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つを含有したＣｕを採用したＣｕ−Ｃｒ合金に対しても有効に発揮される。
【０１５２】
（実施例４２〜４５）
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を管理する本発明技術は、Ｃｒ粒子中に所定量のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有したＣｒを使用したＣｕ−Ｃｒ（Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つ）合金に対しても、再点弧特性、遮断特性が安定化する。
【０１５３】
すなわち、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を１．２〜１．４に一定とした上で、Ｃｒ粒子中に０．５％のＴｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４．ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４２）。
【０１５４】
Ｃｒ粒子中に２．０％のＶを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４３）。
【０１５５】
Ｃｒ粒子中に２５％のＮｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４４）。
【０１５６】
Ｃｒ粒子中に５０％のＴａを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４５）。
【０１５７】
Ｃｒ粒子中での所定量のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの存在効果は、Ｃｕ相とＣｒ粒子との界面に作用し合金全体としての耐消耗性や耐電圧特性を改善し、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術との相乗的効果によって、再点弧発生頻度のバラツキ幅を圧縮し接点特性の安定化に寄与している。
【０１５８】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、Ｃｒ粒子中に所定量のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有したＣｒを採用したＣｕ−Ｃｒ（Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つ）合金に対しても有効に発揮される。
【０１５９】
（実施例４６〜４７、比較例１３）
前記実施例３０〜４５では、０．１〜１５０μｍの平均粒子直径を有するＣｒ粒子が、全Ｃｒ粒子の９５％（容積％）以上（０．９５〜０．９９）を占める例についてその効果を示したが、本発明技術では、全Ｃｒ粒子中に占める０．１〜１５０μｍの平均粒子直径を有するＣｒ粒子は、９５％（容積％）以上のＣｕ−Ｃｒ合金の場合に限ることなく適応が可能である。
【０１６０】
すなわち、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径が、０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が８５％（容積％）のＣｒを使用したＣｕ−Ｃｒ接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４６）。
【０１６１】
全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径が、０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が７５％（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４７）。
【０１６２】
これに対して、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径が、０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が５０％（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大幅なバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、評価したバルブのうちの１本のみ２０ｋＡの遮断に成功しているが、他の５本の総てのバルブでは２０ｋＡの遮断不能多発し、バラツキが大で遮断特性は「不合格」である（比較例１３）。
【０１６３】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径の比率が７５％（容積％）以上のＣｒ粒子を採用したＣｕ−Ｃｒ合金に於いて有効に発揮される。
【０１６４】
（実施例４８〜５２、比較例１４）
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子中の第１の補助成分として、１．０％以下のＡｌ，Ｓｉを含有したＣｒを使用した場合には、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。
【０１６５】
すなわち、Ｃｒ粒子中に１．０％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４８）。
【０１６６】
Ｃｒ粒子中に０．１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４９）。
【０１６７】
Ｃｒ粒子中に０．０１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５０）。
【０１６８】
Ｃｒ粒子中に０．００１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５１）。
【０１６９】
Ｃｒ粒子中に０．０１％のＳｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５２）。
【０１７０】
いずれもＣｕ相の脱落や剥離がなく安定した接点面となっている。
【０１７１】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子中の第１の補助成分として、１．５％のＡｌを含有したＣｒを使用した場合には、再点弧発生頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られ好ましくない。遮断特性も、１０回の２４ｋＡ遮断中に８回、２０ｋＡ遮断中に２回の再点弧発生を記録し、遮断不能が多発し遮断特性は「不合格」である（比較例１４）。加工直後の接点面にはすでにＣｕ相の脱落が見られ、これが最初の再点弧発生の引き金となっている。
【０１７２】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、Ｃｒ粒子中の第１の補助成分として、１．０％以下のＡｌ，Ｓｉを含有したＣｒ粒子を採用したＣｕ−Ｃｒ合金に対しても適用が可能である。
【０１７３】
（実施例５３〜５８、比較例１５〜１６）
第２の補助成分として、１．０％以下のＢｉ，Ｓｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合には、再点粉特性、遮断特性の安定化に有益である。また他の第２の補助成分として、５．０％以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合にも、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。
【０１７４】
すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、０．１％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５３）。
【０１７５】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として１．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５４）。
【０１７６】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、０．２％のＳｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５５）。
【０１７７】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、２．５％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５６）。
【０１７８】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、５．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５７）。
【０１７９】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、２．５％のＳｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５８）。
【０１８０】
また、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、０．２％のＰｂを含有させた接点でも同等の再点弧発生頻度および遮断特性を発揮し「合格」である。
【０１８１】
いずれもＣｕ相の脱落や剥離がなく安定した接点面となっている。
【０１８２】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、３．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られ好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡ以下の遮断で再点弧が多発し遮断特性は「不合格」である（比較例１５）。遮断テスト後の接点表面には著しい荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見られた。
【０１８３】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、８．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られれ好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断に成功と２０ｋＡの遮断失敗が多発し遮断特性は「不合格」である（比較例１６）。遮断テスト後の接点表面には著しい荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見られた。
【０１８４】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、Ｃｒ粒子中の第２の補助成分として、１．０％以下のＢｉ，Ｓｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金、または他の第２の補助成分として、５．０％以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金に対しても適用が可能である。
【０１８５】
（その他の実施例）
焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後のＣｕ−Ｃｒを、非酸化性雰囲気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常温にまで冷却することとし、この場合も焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍ、非酸化性雰囲気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｏとした時の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を、１．０〜２．０の範囲に調整することとしてもよい。
【０１８６】
このように、Ｃｕ−Ｃｒ接点材料の製造雰囲気として、非酸化性雰囲気を選択することにより、特に再点弧発生頻度の低減化を図ることができる。
【０１８７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性を安定化させ電流遮断特性の優れた電力用真空遮断器の接点材料の製造方法を提供することができるので、その工業的価値は大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例１〜１６及び比較例１〜４の評価条件を示す表図。
【図２】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例１７〜２９及び比較例５〜８の評価条件を示す表図。
【図３】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例１〜１６及び比較例１〜４の評価結果を示す表図。
【図４】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例１７〜２９及び比較例５〜８の評価結果を示す表図。
【図５】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例３０〜４５及び比較例９〜１２の評価条件を示す表図。
【図６】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例４６〜５８及び比較例１３〜１６の評価条件を示す表図。
【図７】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例３０〜４５及び比較例９〜１２の評価結果を示す表図。
【図８】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例４６〜５８及び比較例１３〜１６の評価結果を示す表図。
【発明の属する技術分野】
この発明は、すぐれた遮断特性と再点弧抑制特性とを備えた真空バルブ等からなる電力用真空遮断器の接点材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空中でのアーク拡散性を利用して、高真空中で電流遮断を行わせる真空バルブの接点は、対向する固定、可動の２つの接点から構成されている。
【０００３】
真空遮断器には、大電流断性能、耐電圧性能、耐溶着性能の基本的３要件の他に再点弧現象の発生の抑制が重要な要件となっている。
【０００４】
しかしながら、これらの要件の中には相反するものがある関係上、単一の金属種によって総ての要件を満足させることは不可能である。この為実用されている多くの接点材料に於いては、不足する性能を相互に補るような２種以上の元素を組合せることによって、例えば大電流用、高耐圧用などのように特定の用途に合った接点材料の選択採用が行われ、それなりに優れた特性を持つ真空バルブが開発されているが、さらに強まる要求を充分満足する真空バルブは未だ得られていないのが実情である。
【０００５】
例えば、大電流遮断性を目的とした接点として、Ｃｒを５０ｗｔ％程度含有させたＣｕ−Ｃｒ合金（特公昭４５−３５１０１号）が知られている。この合金は、Ｃｒ自体がＣｕと略同等の蒸気圧特性を保持しかつ強力なガスのゲッタ作用を示す等の効果で高電圧大電流断性を実現し、高耐圧特性と大容量遮断とを両立させ得る接点として多用されている。
【０００６】
この合金は、活性度の高いＣｒを使用していることから、原料粉の選択、不純物の混入、雰囲気の管理などに十分に配慮しながら接点素材を製造（焼結工程など）したり、接点素材から接点片へと加工に配慮しながら接点製品としている。
【０００７】
しかし再点弧の発生が引金となって遮断性能を低下させる場合が見られ、その改善が望まれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ＣｕＣｒ接点は、両者の高温度での蒸気圧特性が近似していることなどが主因となって、電流遮断後でも接点表面は比較的平滑な損傷特性を示し、安定した電気特性（安定した接触抵抗特性、優れた遮断特性、再点弧抑制など）を発揮している。しかし近年では一層の大電流遮断やより高電圧が印加される可能性のある回路への適応が日常的に行われる結果、接点として加工した新品時の表面状態、電流遮断後の接点表面の損傷状態などによっては、再点弧の誘発が見られるようになってきた。すなわち加工時の表面状態や、電流遮断によって異常的に損傷・消耗した接点表面では、次の定常電流の開閉時の接触抵抗の異常上昇や温度の異常上昇を引起こす原因となったり、耐電圧不良を示し、再点弧発生の一因となっている。
【０００９】
研究によれば、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性と遮断特性は、合金中のＣｒ量の変動、Ｃｒ粒子の粒度分布、Ｃｒ粒子の偏析の程度、合金中に存在する空孔の程度などに依存することが判明した。また、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性と遮断特性は、合金中のＣｕ相の特に遮断前と遮断後との表面状態の変化状況にも依存することが判明した。
【００１０】
しかしその最適化を進めているにも拘らず、上述した近年の適応状況では、まだばらつきが見られ、両特性を兼備した真空バルブが必要となって来た。
【００１１】
この発明は、このような点に鑑み為されたもので、その目的は、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性を安定化させ電流遮断特性の優れた電力用真空遮断器の接点材料の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記発明の目的を達成する為に、請求項１に記載の本発明は、Ｃｕ又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成されるＣｕ相より成る導電性成分と、Ｃｒより成る耐弧性成分とで構成された１０〜９０重量％Ｃｕを含有するＣｕ−Ｃｒ合金からなる電力用真空遮断器の接点材料の製造方法に於いて、先ず、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金をＣｕ相の持つ融解温度の直下温度の１０３０℃〜１０８０℃に加熱し、これを常温にまで冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子のマイクロビッカース硬さ値Ｈｒを求めておき、次いで、粒径が０．１〜１５０μｍのＣｒ粉と粒径が４４〜６２μｍのＣｕ粉とを所定比率で混合して所定値で加圧後、所定温度で焼結、若しくは所定量の前記Ｃｒ粉を所定値で加圧し、８００〜１４００℃で焼結後、１１００〜１４００℃でＣｕ塊を溶浸し、常温にまで所定速度で冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子のマイクロビッカース硬さ値をＨｓとしたとき、［Ｈｓ／Ｈｒ］比が１．０〜１．６の範囲になるように、前記加圧時の圧力、前記焼結時の温度および前記冷却時の速度の１つ以上を調整したことを特徴とする電力用真空遮断器の接点材料の製造方法である。
【００１３】
ここで、上記接点材料製造時（焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後）のＣｒ粒子の硬度値Ｈｓは、原料Ｃｒの内容や焼結、溶浸時に選択した熱処理条件や接点材料加工時の残存歪みの程度などが互いに関連し合って決定され、例えばＨｓのビッカース硬さは２００近傍の値を示す。
【００１４】
ところで、この接点材料を真空バルブとして組み込み実際に稼働させると、定常電流開閉時や事故電流遮断時にアーク熱を受け、接点面は次第に変化（軟化）し最後には一定の硬度値ＨBを示す様になり、その間に最初のビッカース硬さ２００近傍の硬度値Ｈｓから大きく低下する。実際に真空バルブを稼働させた後最後に一定となった時の硬度値ＨBと、上記Ｃｕ相の融解温度の直下温度Ｔ１に加熱した後、常温にまで冷却した時のＣｒ粒子の硬度値Ｈｒとを対比すると、両者（ＨB、Ｈｒ）はほぼ近似の硬度値を示していることが判った。
【００１５】
ところでＨBの測定には真空バルブを製造すること、実際に電流の遮断や開閉の作業を要することなどで経済的、時間的負担が大きく不利の為、ＨBとＨｒとがほぼ近似した値となる前記性質を利用して、ＨｒによってＨBを代用すること、すなわち測定の困難なＨBに代わって、測定の容易なＨｒによって、定常電流開閉時や事故電流遮断時の接点面の軟化の状況をおきかえることが可能であり有益である。
【００１６】
また上記接点材料製造時のＣｒ粒子の硬度値Ｈｓが大で、常温にまで冷却した時の硬度値Ｈｒとの差が大きい程（すなわち［Ｈｓ／Ｈｒ］比が大）、再点弧の発生頻度が大の傾向になることも判った。[Ｈｓ／Ｈｒ]比として１．６を越えた接点を選択すると、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が大となり、接点の機械的仕上げ加工に際し硬さの差によって安定した加工表面状態が得られず、目標とする低再点弧化に対して好ましくない。
【００１８】
ここで、Ｃｕ相の持つ融解温度の直下温度Ｔ１より低い温度（ｌ０３０℃より低い温度）で熱処理した時のＣｒの硬さ値と、電流遮断・開閉経過後のＣｒの硬さ値ＨBとが一致しない。その為、Ｔ１より低い温度で熱処理した時のＣｒの硬さ値を使用すると、[Ｈｓ／Ｈｒ]比と再点弧発生頻度との間の関係は、十分には対応が取れず製品の管理が出来なくなる。
【００２６】
また、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の量が１０重量％未満では、電流遮断特性が大幅に低下する。Ｃｕ相の量が９０重量％を越えると、１．６以下の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を確保することが困難となり、再点弧発生頻度が増大する。
【００３５】
また、請求項２に記載の本発明は、Ｃｕ又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成されるＣｕ相より成る導電性成分と、Ｃｒより成る耐弧性成分とで構成された１０〜９０重量％Ｃｕを含有するＣｕ−Ｃｒ合金からなる電力用真空遮断器の接点材料の製造方法に於いて、先ず、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金をＣｕ相の持つ融解温度の直下温度の１０３０℃〜１０８０℃に加熱し、これを常温にまで冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相のマイクロビッカース硬さ値Ｈｏを求めておき、次いで、粒径が０．１〜１５０μｍのＣｒ粉と粒径が４４〜６２μｍのＣｕ粉とを所定比率で混合して所定値で加圧後、所定温度で焼結、若しくは所定量の前記Ｃｒ粉を所定値で加圧し、８００〜１４００℃で焼結後、１１００〜１４００℃でＣｕ塊を溶浸し、常温にまで所定速度で冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相のマイクロビッカース硬さ値をＨｍとしたとき、［Ｈｍ／Ｈｏ］比が１．０〜２．０の範囲になるように、前記加圧時の圧力、前記焼結時の温度および前記冷却時の速度の１つ以上を調整したことを特徴とする電力用真空遮断器の接点材料の製造方法である。
【００３６】
ここで、上記接点材料製造時（焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後）のＣｕ相の硬度値Ｈｍは、焼結、溶浸時に選択した熱処理条件（例えば冷却速度など）や接点加工時の残存歪みの程度などが互いに関連し合って決定され、Ｈｍのビッカース硬さは１００近傍の値である。
【００３７】
ところで、この接点材料を真空バルブとして組み込み実際に稼働させると、定常電流の開閉時や事故電流の遮断時のアーク熱により、接点面は次第に変化（軟化）し、最後には一定の硬度値Ｈｂを示すようになり、その間に初期のビッカース硬さ１００近傍の硬度値Ｈｍから大きく変化（低下）する。実際に真空バルブを稼働させて最後に一定となった時の硬度値Ｈｂと、上記Ｃｕ相の融解温度の直下温度Ｔ１に加熱した後、常温にまで冷却した時のＣｕ相の硬度値Ｈｏとを対比すると、両者（Ｈｂ、Ｈｏ）は、ほぼ近似の硬度値を示していることが判った。
【００３８】
ところでＨｂの測定には，真空バルブを製造しなければならないこと、実際の電流の遮断や開閉作業をしなければならないことなどで経済的、時間的負担が大きく不利の為、ＨｂとＨｏとがほぼ近似した値となる前記性質を利用して、ＨｏによってＨｂを代用すること、すなわち測定の困難なＨｂに代わって、測定の容易なＨｏによって、定常電流開閉時や事故電流遮断時の接点面の軟化の状況をおきかえることが可能であり有益である。
【００３９】
また上記接点材料の焼結・溶浸後のＣｕ相の硬度値Ｈｍが大で、常温にまで冷却した時のＣｕ相の硬度値Ｈｏとの差（すなわちＨｍ／Ｈｏ］比）が大きい程、再点弧の発生頻度が大の傾向になることも判った。[Ｈｍ／Ｈｏ］比として２．０を越えた接点を選択すると、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相とＣｒ粒子との硬度の差が大となり、接点の機械的仕上げ加工に際し硬さの差によって安定した加工表面状態が得られず、目標とする低再点弧化に対して好ましくない。
【００４１】
ここで、Ｃｕ相の持つ融解温度の直下温度Ｔ１より低い温度（１０３０℃より低い温度）で熱処理した時のＣｕ相の硬さ値と、電流遮断・開閉経過後のＣｕ相の硬さ値Ｈｂとが一致しない。その為、Ｔ１より低い温度で熱処理した時のＣｕ相の硬さ値を使用すると、[Ｈｍ／Ｈｏ]比と再点弧発生頻度との間の関係は、十分には対応が取れず製品の品質管理が出来なくなる。
【００４９】
また、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の量が１０重量％未満では、電流遮断特性が大幅に低下する。Ｃｕ相の量が９０重量％を越えると、接点表面の消耗が大となり再点弧発生頻度が増大する。
【００５８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００５９】
Ｃｕ−Ｃｒ接点の材料状態と再点弧発生について、発明者らの観察では、遮断前後の材料特性と、再点弧のバラツキ発生との間の関連性について、以下の様な知見を得た。
▲１▼Ｃｕ−Ｃｒ接点は、研磨、研削や切削手段によって仕上げ加工するのが一般である。しかしＣｕ−Ｃｒの諸内容（製造条件や加工条件など）を一定としても、なお再点弧の発生にバラツキが見られる。発明者らの観察の結果、接点表面にはＣｒ粒子の脱落、Ｃｕ相部分の脱落、流れ（ＣｕがＣｒ粒子上にまでかぶる）や剥離、Ｃｒ粒子端部の欠け、引っかき状の傷など種々存在していた。その一因として接点面上の特にミクロ領域での加工性の差異、すなわち再点弧発生のバラツキとミクロ領域での硬度の均一度の違いとの間に相関性を認めた。この傾向は、接点素材の製造ロット間で、および１枚の接点のミクロ領域中でも観察された。
▲２▼更に、定常電流開閉動作や事故電流遮断動作の経過によって、次第に再点弧発生頻度は、ほぼ一定値に安定してゆく場合が認められた。この状況はアーク熱を受け接点面が次第に変化（軟化）し最後には一定の硬度値となる現象を示していると考えられる。
【００６０】
そこで、実際の真空バルブに対して、事故電流遮断動作を多数回与えてほぼ一定値となった接点のＣｒ粒子の硬度値ＨB、及びＣｕ相の硬度値Ｈｂを測定した。その接点のＣｕ相部分の融解温度の直下温度を選択し、その温度で十分加熱した後、常温にまで冷却した時の、同接点中のＣｒ粒子の硬度値Ｈｒ及びＣｕ相の硬度値Ｈｏとそれぞれ対比すると、両者は、それぞれ、ほぼ近似の値（ＨB＝Ｈｒ、Ｈｂ＝Ｈｏ）を示していることが判った。
▲３▼更に、Ｃｒ粒子の硬度値については、焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｓとして、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｒとした時、Ｈｓが大で、Ｈｒとの差が大きい程（すなわち［Ｈｓ／Ｈｒ］比が大の程）、再点弧の発生頻度が大の傾向にあることを認めた。［Ｈｓ／Ｈｒ］比として１．６を越えた接点を選択すると、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が大となり、接点の機械的仕上げ加工の際に好ましい加工表面状態が得られず、目標とする低再点弧化に対して好ましくない。これに対して、［Ｈｓ／Ｈｒ］比として１．６以下好ましくは１．３以下の接点を選択すると、Ｃｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が小となり、接点の機械的仕上げ加工に際し、好ましい加工表面状態が得られ、常に一定の安定した表面状態を得て、アークの停滞、集中が低減化される結果、接点面の局部的異常蒸発現象の阻止や表面荒れの軽減化などによって、低再点弧化の利益と共に遮断特性の向上に寄与する。
【００６１】
また、Ｃｕ相の硬度値についても、焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程直後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍとして、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｏとした時、Ｈｍが大で、Ｈｏとの差が大きい程（すなわち［Ｈｍ／Ｈｏ］比が大の程）、再点弧の発生頻度が大の傾向にあることを認めた。［Ｈｍ／Ｈｏ］比として２．０を越えた接点を選択すると、Ｃｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が大となり、接点の機械的仕上げ加工の際に好ましい加工表面状態が得られず、目標とする低再点弧化に対して好ましくない。これに対して、[Ｈｍ／Ｈｏ]比として２．０以下好ましくは１．３以下の接点を選択すると、Ｃｒ粒子とＣｕ相との硬度の差が小となり、接点の機械的仕上げ加工に際し、好ましい加工表面状態が得られ、常に一定の安定した表面状態を得て、アークの停滞、集中が低減化される結果、接点面のＣｕ相部分の局部的な異常蒸発現象を阻止、表面荒れの軽減化などによって、低再点弧化の利益と共に遮断特性の向上に寄与する。
▲４▼このような接点に外部磁界（例えば縦磁界）を与えると、遮断により発生したアークは、接点面上に一様に拡がり移動拡散し、電流遮断特性を向上させることが出来る。観察によれば、一定値以上の電流値を遮断すると、アークは予測出来ない一点もしくは複数点の場所で停滞する傾向を示すが、〔Ｈｓ／Ｈｒ］比が１．６以下の接点の方が、１．６を越えた接点よりもその程度は低く優れている傾向にあり、また［Ｈｍ／Ｈｏ］比が２．０以下の接点の方が、２．０を越えた接点よりもその程度は低く優れている傾向にある。最終的には接点の一部分を異常融解させ遮断限界に至る。また異常融解によって瞬時的爆発的な蒸発によって発生した金属蒸気は、開極過程にあった真空遮断器の絶縁回復性を著しく阻害し、遮断限界の一層の劣化を招く。さらに異常融解は、巨大な融滴を作り接点面の荒れを招き耐電圧特性の低下、再点弧発生率の増加、材料の異常な消耗をも招く。これらの現象の一因となるアークが、接点面上のどこで停滞するかは全く予測出来ない以上、発生したアークが停滞させることなく移動拡散できるような表面条件と移動拡散を促進させる手段とを接点に与えることが望ましい。本発明では、その望ましい条件として、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子に関する［Ｈｓ／Ｈｒ］比、またはＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比が重要となる。
【００６２】
［１］［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整する実施例
上述のように、ＣｕＣｒ合金の接点特性の安定化には、合金中のＣｒ量の変動、Ｃｒ粒子の粒度、粒度分布、Ｃｒの偏析の程度、合金中に存在する空孔の程度などに依存することを認めたが、特に再点弧特性のより一層の安定化には、上記に加えてＣｕＣｒ合金中のＣｒ粒子の挙動が極めて重要であることが判った。すなわち真空バルブの再点弧の発生頻度は、遮断前後の合金中のＣｒの硬度の変化について注目する必要があることが判った。
【００６３】
そこで、まずＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子に関する［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整して接点材料を製造する実施例及び比較例について説明する。なお、実施例及び比較例の試作の条件を図１及び図２に、またこれらの実施例及び比較例の評価結果を図３及び図４に示す。
【００６４】
（遮断特性の評価）
表面粗さを５μｍに仕上げたフラット接点と、同じ表面粗さを持つ曲率半径１００Ｒの凸状接点とを対向させ、両接点を、開閉機構を持つ真空度１０-3Ｐａ．以下に排気した着脱可能な真空遮断実験装置に取り付け、荷重４０ｋｇ、７．２ｋＶ−２０ｋＡ〜３１．５ｋＡで投入・遮断を１０回操り返し、溶着や再点弧の発生が軽微の時を「合格」とし、投入・遮断を１０回繰り返し、溶着や再点弧の発生多発の時を「不合格」とした。
【００６５】
（再点弧特性の評価）
６ｋＶ×５００Ａの回路を１０００回遮断させた時の再点弧発生頻度を６台の真空バルブについて測定した。発生率（×１０-3（％））が０．３以下を評価Ｓ、０．３〜１の範囲を評価Ａ、１〜３の範囲を評価Ｂ、３〜１０の範囲を評価Ｃ、１０〜１００の範囲を評価Ｙ、１００以上を評価Ｚとした。
【００６６】
（硬さの測定）
Ｃｕ相部分、Ｃｒ粒子を個別にマイクロビッカース硬度計を用いて荷重１０〜２５ｇｒ．にて測定した。
【００６７】
（［Ｈｓ／Ｈｒ］比の調整）
接点は固相焼結法、固相・溶浸法のいずれでも製造は可能であるが、ここではＣｒスケルトンを製造し、その空隙にＣｕを溶浸させる方法で製造した例について示す。粒子直径が４４〜６２μｍの範囲にあるＣｕ粉（全Ｃｕ粉中に９５〜９９％占める）を用意した。粒子直径が０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粉（全Ｃｒ粉中に９５〜９９％占める）の中から、これと近似した粒子直径を持つＣｕを用意した。
【００６８】
焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｓ、該Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の持つ融解温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｒとした時の［Ｈｓ／Ｈｒ］比は、次のようにして調整した。
▲１▼Ｃｒ粉を成形する時にＣｒ粉に与える加圧力を、０〜８トン／ｃｍ2（Ｃｒを容器にいれそのまま焼結した時を加圧力０とする）の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、高加圧力値を選択する。
▲２▼Ｃｒスケルトンを製造する時の焼結温度を、８００〜１４００℃の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、この温度範囲の中から低めの温度を選択する。
▲３▼Ｃｒスケルトン中にＣｕを溶浸する時の温度を、１１００〜１４００℃の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、溶浸温度は低目を選択する。
▲４▼溶浸後の常温にまで冷却する時の冷却速度を、０．１〜１０℃／分の範囲に調整する。例えば同比率を大とする時には、小さい冷却速度を選択する。
▲５▼焼結、焼結・溶浸後の接点に対して、再加熱処理を追加し、その温度を、５００〜１０７０℃の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、例えば低めの６５０〜７５０℃での再加熱処理温度を選択する。
▲６▼焼結、焼結・溶浸後の接点に対して、再加圧処理を追加し、再加圧力を４〜１０トン／ｃｍ2の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、再加圧処理前の相対密度が大となるよう、高めの再加圧力を選択する。
▲７▼［Ｈｓ／Ｈｒ］比を更に微調整する際には、Ｃｕ相に対してはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つを適宜量添加する。
▲８▼Ｃｒ粒子に対してＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つ、または第１の補助成分としてのＡｌ，Ｓｉの少なくとも一方を適宜量添加することによって、前記比率の微調整は可能である。
【００６９】
これら▲１▼▲２▼▲３▼▲４▼▲５▼▲６▼▲７▼▲８▼などを適宜組合わせることによって［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整した接点を得た。
【００７０】
（実施例１〜３、比較例１〜２）
上述のように用意したＣｕ粉とＣｒ粉とを用いて、固相・溶浸法によって所定の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を有する７５％Ｃｕ−残部Ｃｒ合金を製造した（実施例１〜３、比較例１〜２）。［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整する為に、接点製造に際しては上記▲１▼〜▲８▼の適宜選択又は組み合わせによって、１．０〜１．６（実施例１〜３）、１．９〜２．３（比較例１〜２）の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を有する接点を選出した。
【００７１】
これらの接点を評価用真空パルプに搭載し、前記所定条件で再点弧発生頻度（×１０-3％で示した数値）と遮断特性とを測定した。［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．０の場合では、６台のバルブを評価したところ、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性は、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である。評価前の接点加工表面の観察によれば、Ｃｒ粒子部分、Ｃｕ相部分の区別なくほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、極めて安定した接点表面状態を示し、Ｃｒ粒子の脱落、研磨傷などによる表面荒れは見られていない。評価後の接点の最表面層の顕微鏡的観察でも、最表面層領域からのＣｒ粒子の脱落もなかった（実施例１）。
【００７２】
また、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．３の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性は、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である。Ｃｒ粒子部分、Ｃｕ相部分の区別なくほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、極めて安定した接点表面の加工状態を示し、Ｃｒ粒子の脱落、研磨傷などによる表面荒れは見られていない（実施例２）。
【００７３】
更に、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．６の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性は、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である。Ｃｒ粒子部分、Ｃｕ相部分の区別なくほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、Ｃｒ粒子の脱落、研磨傷などによる表面荒れはなく、極めて安定した接点表面状態を示している（実施例３）。
【００７４】
これに対して、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．９の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｙ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。遮断前の加工表面にはＣｒ粒子の脱落跡が観察されている。遮断後の接点面には局所的な荒れが存在している（比較例１）。
【００７５】
また、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝２．３の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られる。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。加工面の静耐圧値に大きなバラツキが見られている（比較例２）。
【００７６】
以上から、再点弧特性と遮断特性との両立に対して、［Ｈｓ／Ｈｒ］比の管理が極めて重要であると共に、同比率を１．０〜１．６の範囲を選択する時に目的を達する。
【００７７】
（実施例４〜６、比較例３〜４）
前記実施例では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を７５％に一定とした時の、［Ｈｓ／Ｈｒ］比を変動させた場合の再点弧特性と遮断特性に及ぼす効果を示したが、本発明技術はＣｕ量７５％に限ることなく、Ｃｕの量が９０〜１０％（実施例４〜６）に於いても効果を発揮する。
【００７８】
すなわち、［Ｈｓ／Ｈｒ］比＝１．４に一定とした時、Ｃｕ量が９０％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４）。
【００７９】
Ｃｕ量が５０％の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５）。
【００８０】
Ｃｕ量が１０％の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例６）。
【００８１】
これに対して、Ｃｕ量が９５％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｙ）を示し、再点弧特性に大福な劣化が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。但し遮断特性は、２０ｋＡの遮断に成功し遮断特性では「合格」であったが、総合的には目的達成に対して好ましくない（比較例３）。
【００８２】
一方、Ｃｕ量が５％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大福な劣化が見られる共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。遮断特性が著しく低下していると共に遮断テスト中の温度上昇特性、遮断テスト後の接触抵抗特性共に低下が顕著に示された（比較例４）。
【００８３】
（実施例７〜１２）
前記実施例１〜６では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相中には、０．０１％のＣｒ成分を含有したＣｕを使用した例についてその効果を示したが、本発明技術はＣｕ相中の成分は、０．０１％のＣｒに限ることなく効果を発揮する。
【００８４】
すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を７５％に一定とした時、Ｃｕ相中に、０．２％のＣｒ成分を含有した７５％Ｃｕ接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例７）。
【００８５】
Ｃｕ相中に、０．５％のＴｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例８）。
【００８６】
Ｃｕ相中に、１．０％のＶを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例９）。
【００８７】
Ｃｕ相中に、１．０％のＢを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１０）。
【００８８】
Ｃｕ相中に、１０％のＮｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１０）。
【００８９】
Ｃｕ相中に、２０％のＴａを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１２）。
【００９０】
（実施例１３〜１６）
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子中の成分として、Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有したＣｒを使用した場合には、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。
【００９１】
すなわち、Ｃｒ粒子中１．０％のＴｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１３）。
【００９２】
Ｃｒ粒子中２．０％のＶを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１４）。
【００９３】
Ｃｒ粒子中２５％のＮｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１５）。
【００９４】
Ｃｒ粒子中５０％のＴａを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１６）。
【００９５】
（実施例１７〜１８、比較例５）
前記実施例１〜１６では、０．１〜１５０μｍの平均粒子直径を有するＣｒ粒子が全Ｃｒ粒子の９５％（容積％）以上を占める例についてその効果を示したが、本発明技術では全Ｃｒ粒子中に占める０．１〜１５０μｍの平均粒子直径を有するＣｒ粒子は９５％以上の場合に限ることなく効果を発揮する。
【００９６】
すなわち、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が８５％（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１７）。
【００９７】
全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が７５％（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１８）。
【００９８】
これに対して、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径０．１〜１５０μｍのＣｒの比率必５０％（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断に成功と２０ｋＡの遮断に失敗とが存在しバラツキが大で遮断特性は「不合格」である（比較例５）。
【００９９】
（実施例１９〜２３、比較例６）
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子中の第１の補助成分として、１．０％以下のＡｌ，Ｓｉを含有したＣｒを使用した場合には、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。
【０１００】
すなわち、Ｃｒ粒子中に１．０％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例１９）。
【０１０１】
Ｃｒ粒子中に０．１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２０）。
【０１０２】
Ｃｒ粒子中に０．０１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２１）。
【０１０３】
Ｃｒ粒子中に０．００１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２２）。
【０１０４】
Ｃｒ粒子中に０．０１％のＳｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２３）。
【０１０５】
これに対して、Ｃｒ粒子中に１．５％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し好ましくない。遮断特性も、３１．５ｋＡの遮断テストに於いて１０回中８回再点弧発生したバルブがあり「不合格」である（比較例６）。
【０１０６】
（実施例２４〜２９、比較例７〜８）
第２の補助成分として、１．０％以下のＢｉ，Ｓｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合には、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。また他の第２の補助成分として、５．０％以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合にも、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。
【０１０７】
すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、０．１％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２４）。
【０１０８】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として１．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２５）。
【０１０９】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、０．２％のＳｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２６）。
【０１１０】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、２．５％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２７）。
【０１１１】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、５．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２８）。
【０１１２】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、２．５％のＳｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例２９）。
【０１１３】
また、第２の補助成分として、０．２％のＰｂを含有させた接点でも同等の再点弧発生頻度および遮断特性を発揮し「合格」である。
【０１１４】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、３．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られ好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡ以下の遮断で再点弧が多発し遮断特性は「不合格」である（比較例７）。遮断テスト後の接点表面には著しい荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見られた。
【０１１５】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、８．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大福な劣化が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断に成功と２０ｋＡの遮断に失敗とが存在しバラツキが大で遮断特性は「不合格」である（比較例８）。遮断テスト後の接点表面には著しい荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見られた。
【０１１６】
（その他の実施例）
焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後のＣｕ−Ｃｒを、非酸化性雰囲気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常温にまで冷却することとし、この場合も焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｓ、非酸化性雰囲気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｒとした時の［Ｈｓ／Ｈｒ］比を、１．０〜１．６の範囲に調整することとしてもよい。
【０１１７】
このように、Ｃｕ−Ｃｒ接点材料の製造雰囲気として、非酸化性雰囲気を選択することにより、特に再点弧発生頻度の低減化を図ることができる。
【０１１８】
［２］［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整する実施例
また、上述のように、ＣｕＣｒ合金の接点特性の安定化には、合金中のＣｕ相の状態（表面荒れ、空孔の程度）、Ｃｕ相の大きさ（粒度、粒度分布析の程度）などに依存することを認めたが、特に再点弧特性のより一層の安定化には、上記に加えてＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の挙動が極めて重要であることが判った。すなわち真空バルブの再点弧の発生頻度は、遮断前後の合金中のＣｕの硬度の変化について注目する必要があることが判った。
【０１１９】
そこで、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整して接点材料を製造する実施例及び比較例について説明する。なお、実施例及び比較例の試作の条件を図５及び図６に、またこれらの実施例及び比較例の評価結果を図７及び図８に示す。
【０１２０】
（遮断特性の評価）
この［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整する実施例の場合も、［Ｈｓ／Ｈｒ］比を調整する実施例の場合と同様に、表面粗さを５μmに仕上げたフラット接点と、同じ表面粗さを持つ曲率半径１００Ｒの凸状接点とを対向させ、両接点を開閉機構を持つ真空度１０-3Ｐａ．以下に排気した着脱可能な真空遮断実験装置に取り付け、荷重４０ｋｇ、７．２ｋＶ−２０ｋＡ〜３１．５ｋＡで投入・遮断を１０回繰り返し、溶着や再点弧の発生が軽徴の時を「合格」とした。投入・遮断を１０回繰り返し、再点弧や溶着の発生多発の時を「不合格」とした。
【０１２１】
（再点弧特性の評価）
６ｋＶ×５００Ａの回路を１０００回遮断させた時の再点弧発生頻度を６台の真空バルブについて測定した。発生率（×１０-3（％））が０．３以下を評価Ｓ、０．３から〜１の範囲を評価Ａ、１〜３の範囲を評価Ｂ、３〜１０の範囲を評価Ｃ、１０〜１００の範囲を評価Ｙ、１００以上を評価Ｚとした。
【０１２２】
（硬さの測定）
Ｃｕ相部分を、マイクロビッカース硬度計を用いて荷重１０〜２５ｇｒ．にて測定した。
【０１２３】
（［Ｈｍ／Ｈｏ］の調整）
接点は固相焼結法、焼結・溶浸法のいずれでも製造は可能である。焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後のＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍ、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の持つ融解温度の直下温度に加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｏとした時の所定の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を持つ接点は、次のようにして調整した。
（１）前者の固相焼結法を採用した製造では、粒子直径が０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粉（全Ｃｒ粉中に９５〜９９％占める）を用意し、これと近似した粒子直径を持つＣｕとして、４４〜６２μｍの範囲にあるＣｕ粉（全Ｃｕ粉中に９５〜９９％占める）を用意する。所定比率のＣｕとＣｒとを混合、成型した後、例えば１０３０℃で固相焼結してＣｕ−Ｃｒ合金を製造する。なおＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ量が５〜９５％の総ての範囲の合金に対して採用可能であるが、主としてＣｕ量が６０〜９５％、５〜４５％の範囲の合金に対して適用した。
【０１２４】
Ａ）Ｃｕ−Ｃｒ混合粉を成形する時に混合粉に与える加圧力を、０〜８トン／ｃｍ2（Ｃｒを容器に入れそのまま焼結した時を加圧力０とする）の範囲で［Ｈｍ／Ｈｏ］比を小さく調整する。
【０１２５】
Ｂ）固相焼結後の常温にまで冷却する時の冷却速度を、０．１〜１０℃／分の範囲に調整する。例えば冷却速度をより小さく選択すると、Ｃｕ相の硬度値Ｈｍは小となり、［Ｈｍ／Ｈｏ］比率を小とするのに有益である。
【０１２６】
Ｃ）固相焼結後の接点に対して、再加圧力が４〜１０トン／ｃｍ2の範囲の再加圧処理を追加し、[Ｈｍ／Ｈｏ］比を小さく調整する。
【０１２７】
Ｄ）［Ｈｍ／Ｈｏ］比を更に微調整する際には、Ｃｕ相に対してはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つを適宜量添加することによって、または第１の補助成分としてのＡｌ，Ｓｉの少なくとも一方を適宜量添加することによって、前記比率の微調整は可能である。これらＡ）Ｂ）Ｃ）Ｄ）などを適宜組合わせることによって［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整した接点を得た。
（２）後者の溶浸法を採用した製造では、粒子直径が０．１〜１５０μｍの範囲にあるＣｒ粉（全Ｃｒ粉中に９５〜９９％占める）を用意する。溶浸用のＣｕ塊を用意する。このＣｒを用いて例えば１２００℃でＣｒスケルトンを製造した後、その空隙にＣｕを溶浸させＣｕ−Ｃｒ合金を製造する。なおＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ量が４５〜６０％の範囲の合金に対して適用した。
▲１▼Ｃｒ粉を成形する時にＣｒ粉に与える加圧力を、０〜８トン／ｃｍ2（Ｃｒを容器にいれそのまま焼結した時を加圧力０とする）の範囲で調整する。例えば同比率を大とする時には、高加圧力値を選択する。
▲２▼Ｃｒスケルトン中にＣｕを溶浸する時の温度を、１１００〜１４００℃の範囲で調整する。
▲３▼溶浸後の常温にまで冷却する時の冷却速度を、０．１〜１０℃／分の範囲に調整する。例えば冷却速度をより小さく選択すると、Ｃｕ相の硬度Ｈｍは小となり、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を小とするのに有益である。
▲４▼溶浸後の接点に対して、再加熱処理を追加し、その温度を、５００〜１０７０℃の範囲、実質的には６５０〜７５０℃での再加熱処理温度を選択し、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を小さく謂整する。
▲５▼溶浸後の接点に対して、再加圧力が４〜１０トン／ｃｍ2の範囲の再加圧処理を追加し、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を小さく調整する。
▲６▼［Ｈｍ／Ｈｏ］比を更に微調整する際には、Ｃｕ相に対してはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ，Ｎｂ，Ｔａより選ばれた１つを適宜量添加することによって、または第１の補助成分としてのＡｌ，Ｓｉの少なくとも一方を適宜量添加することによって、前記比率の微調整は可能である。これら▲１▼▲２▼▲３▼▲４▼▲５▼▲６▼などを適宜組合わせることによって［Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整した接点を得た。
【０１２８】
（実施例３０〜３２、比較例９〜１０）
上述のように用意したＣｕ粉とＣｒ粉とを用いて、固相焼結法によって所定の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を有する７５％Ｃｕ−残部Ｃｒ合金を製造した（実施例３０〜３２、比較例９〜１０）。
【０１２９】
[Ｈｍ／Ｈｏ］比を調整する為に、接点製造に際しては上記Ａ）Ｂ）Ｃ）Ｄ）の適宜選択又は組み合わせによって、１．０〜２．０（実施例３０〜３２）、２．６〜３．０（比較例９〜１０）の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を有する接点を選出した。
【０１３０】
これらの接点を評価用真空バルブに搭載し、前記所定条件で再点弧発生頻度（×１０-3％で示した数値）と遮断特性とを測定した。［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝１．０の場合では、６台のバルブを評価したところ、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４．ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である。評価前の接点加工表面の観察によれば、Ｃｕ相部分は完全に均一に切削研磨された状況が見られ、極めて安定した接点表面状態を示し、Ｃｕ相の脱落、研磨傷などによる表面荒れは見られていない。評価後の接点の最表面層の顕微鏡的観察でも、最表面層領域からのＣｕ相の脱落はなかった（実施例３０）。なお［Ｈｍ／Ｈｏ］比が１．０未満の合金でも特性的には同等の良好な性能を発揮する。
【０１３１】
また、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝１．３とした場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も２４ｋＡの１０回遮断に成功し「合格」である。Ｃｕ相部分はほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、極めて安定した接点表面の加工状態を示し、Ｃｕ相の脱落、研磨傷などによる表面荒れは見られていない。評価後の接点の最表面層の顕微鏡的観察でも、最表面層領域からのＣｕ相の脱落はなかった（実施例３１）。
【０１３２】
更に、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝２．０とした場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である。Ｃｕ相部分はほぼ均一に切削研磨された状況が見られ、Ｃｕ相の脱落、研磨傷などによる表面荒れはなく、極めて安定した接点表面状態を示している（実施例３２）。
【０１３３】
これに対して、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝２．６の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大きなバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。遮断前の加工表面にはＣｕ相の脱落跡が観察されている。遮断後の接点面には局所的な荒れが存在している（比較例９）。
【０１３４】
また、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝３．０の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られる。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。加工面の静耐圧値に大きなバラツキが見られている（比較例１０）。
【０１３５】
以上から、再点弧特性と遮断特性との両立に対して、［Ｈｍ／Ｈｏ］比の管理が極めて重要であると共に、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を２．０以下の範囲を選択する時に目的を達する。
【０１３６】
（実施例３３〜３５、比較例１１〜１２）
前記実施例では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を７５％に一定とした時の、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を変動させた場合の、［Ｈｍ／Ｈｏ］比が再点弧特性と遮断特性に及ぼす効果を示したが、本発明技術ではＣｕ量は７５％に限ることなく、Ｃｕの量が９０〜１０％（実施例３３〜３５）に於いても効果を発揮する。
【０１３７】
すなわち、［Ｈｍ／Ｈｏ］比＝１．２〜１．４に一定とした時，Ｃｕ量が９０％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３３）。最表面層の顕微鏡的観察では、加工面からのＣｕ相の脱落や加工傷も無く、評価後の接点面からもＣｕ相の脱落はなかった。
【０１３８】
Ｃｕ量が６０％の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３４）。
【０１３９】
Ｃｕ量が１０％の場合でも、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３５）。最表面層の顕微鏡的観察では、加工面からのＣｕ相の脱落や加工傷も無く、評価後の接点面からのＣｕ相の脱落もなかった。
【０１４０】
これに対して、Ｃｕ量が９５％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｙ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大幅なバラツキも示し好ましくない。但し遮断特性は、２０ｋＡの遮断に成功し遮断特性では「合格」であったが、一部に溶着の発生が見られ総合的には目的達成に対して好ましくない（比較例１１）。
【０１４１】
一方、Ｃｕ量が５％の場合では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られる共に大福なバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断テストに於いて多数の遮断不能を示し「不合格」である。遮断特性の著しく低下していると共に遮断テスト中の温度上昇特性、遮断テスト後の接触抵抗特性の安定性に乏しい（比較例１２）。最表面層の顕微鏡的観察では、加工面上には著しい加工傷が見られた。この加工傷が原因となって静耐圧値が低下している。また加工時の機械的衝撃によってＣｕ相部分の一部に脱落が見られた。遮断評価後の接点面からもＣｕ相の脱落が認められた。
【０１４２】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の量が９０〜１０％の時にその効果を発揮する。
【０１４３】
（実施例３６〜４１）
前記実施例３０〜３５では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相中に存在する成分については、注目していなかったが、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を管理する本発明技術は、Ｃｕ相中への所定量のＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有したＣｕを使用したＣｕ（Ｃｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つ）−Ｃｒ合金に対しても、再点弧特性、遮断特性が安定化する。
【０１４４】
すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕの量を７５％に一定とした時、Ｃｕ相中に、０．１％のＣｒ成分を含有した７５％Ｃｕ接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４．ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３６）。
【０１４５】
Ｃｕ相中に、０．３％のＴｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３７）。
【０１４６】
Ｃｕ相中に、０．５％のＢを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３８）。
【０１４７】
Ｃｕ相中に、１．５％のＶを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例３９）。
【０１４８】
Ｃｕ相中に、１０％のＮｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４０）。
【０１４９】
Ｃｕ相中に、２０％のＴａを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４１）。
【０１５０】
実施例３６〜４１で示したように、Ｃｕ相中への所定量のＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの添加は、Ｃｕ相の脱落を抑制し再点弧特性の安定化に寄与する。
【０１５１】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、Ｃｕ相中に所定量のＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つを含有したＣｕを採用したＣｕ−Ｃｒ合金に対しても有効に発揮される。
【０１５２】
（実施例４２〜４５）
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を管理する本発明技術は、Ｃｒ粒子中に所定量のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有したＣｒを使用したＣｕ−Ｃｒ（Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つ）合金に対しても、再点弧特性、遮断特性が安定化する。
【０１５３】
すなわち、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を１．２〜１．４に一定とした上で、Ｃｒ粒子中に０．５％のＴｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ〜Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４．ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４２）。
【０１５４】
Ｃｒ粒子中に２．０％のＶを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４３）。
【０１５５】
Ｃｒ粒子中に２５％のＮｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４４）。
【０１５６】
Ｃｒ粒子中に５０％のＴａを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４５）。
【０１５７】
Ｃｒ粒子中での所定量のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの存在効果は、Ｃｕ相とＣｒ粒子との界面に作用し合金全体としての耐消耗性や耐電圧特性を改善し、［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術との相乗的効果によって、再点弧発生頻度のバラツキ幅を圧縮し接点特性の安定化に寄与している。
【０１５８】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、Ｃｒ粒子中に所定量のＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを含有したＣｒを採用したＣｕ−Ｃｒ（Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つ）合金に対しても有効に発揮される。
【０１５９】
（実施例４６〜４７、比較例１３）
前記実施例３０〜４５では、０．１〜１５０μｍの平均粒子直径を有するＣｒ粒子が、全Ｃｒ粒子の９５％（容積％）以上（０．９５〜０．９９）を占める例についてその効果を示したが、本発明技術では、全Ｃｒ粒子中に占める０．１〜１５０μｍの平均粒子直径を有するＣｒ粒子は、９５％（容積％）以上のＣｕ−Ｃｒ合金の場合に限ることなく適応が可能である。
【０１６０】
すなわち、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径が、０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が８５％（容積％）のＣｒを使用したＣｕ−Ｃｒ接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４６）。
【０１６１】
全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径が、０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が７５％（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４７）。
【０１６２】
これに対して、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径が、０．１〜１５０μｍのＣｒの比率が５０％（容積％）のＣｒを使用した接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られると共に大幅なバラツキも示し好ましくない。遮断特性も、評価したバルブのうちの１本のみ２０ｋＡの遮断に成功しているが、他の５本の総てのバルブでは２０ｋＡの遮断不能多発し、バラツキが大で遮断特性は「不合格」である（比較例１３）。
【０１６３】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、全Ｃｒ粒子中に占める平均粒子直径の比率が７５％（容積％）以上のＣｒ粒子を採用したＣｕ−Ｃｒ合金に於いて有効に発揮される。
【０１６４】
（実施例４８〜５２、比較例１４）
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子中の第１の補助成分として、１．０％以下のＡｌ，Ｓｉを含有したＣｒを使用した場合には、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。
【０１６５】
すなわち、Ｃｒ粒子中に１．０％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４８）。
【０１６６】
Ｃｒ粒子中に０．１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例４９）。
【０１６７】
Ｃｒ粒子中に０．０１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５０）。
【０１６８】
Ｃｒ粒子中に０．００１％のＡｌを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５１）。
【０１６９】
Ｃｒ粒子中に０．０１％のＳｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｓ〜Ａ）を示し極めて良好な特性を発揮した。遮断特性も、３１．５ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５２）。
【０１７０】
いずれもＣｕ相の脱落や剥離がなく安定した接点面となっている。
【０１７１】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子中の第１の補助成分として、１．５％のＡｌを含有したＣｒを使用した場合には、再点弧発生頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られ好ましくない。遮断特性も、１０回の２４ｋＡ遮断中に８回、２０ｋＡ遮断中に２回の再点弧発生を記録し、遮断不能が多発し遮断特性は「不合格」である（比較例１４）。加工直後の接点面にはすでにＣｕ相の脱落が見られ、これが最初の再点弧発生の引き金となっている。
【０１７２】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、Ｃｒ粒子中の第１の補助成分として、１．０％以下のＡｌ，Ｓｉを含有したＣｒ粒子を採用したＣｕ−Ｃｒ合金に対しても適用が可能である。
【０１７３】
（実施例５３〜５８、比較例１５〜１６）
第２の補助成分として、１．０％以下のＢｉ，Ｓｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合には、再点粉特性、遮断特性の安定化に有益である。また他の第２の補助成分として、５．０％以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合にも、再点弧特性、遮断特性の安定化に有益である。
【０１７４】
すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、０．１％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２４ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５３）。
【０１７５】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として１．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５４）。
【０１７６】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、０．２％のＳｂを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５５）。
【０１７７】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、２．５％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｂ〜Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５６）。
【０１７８】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、５．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５７）。
【０１７９】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、２．５％のＳｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｃ）を示し良好な特性を発揮した。遮断特性も、２０ｋＡの１０回遮断に成功し遮断特性も「合格」である（実施例５８）。
【０１８０】
また、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、０．２％のＰｂを含有させた接点でも同等の再点弧発生頻度および遮断特性を発揮し「合格」である。
【０１８１】
いずれもＣｕ相の脱落や剥離がなく安定した接点面となっている。
【０１８２】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、３．０％のＢｉを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｙ〜Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られ好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡ以下の遮断で再点弧が多発し遮断特性は「不合格」である（比較例１５）。遮断テスト後の接点表面には著しい荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見られた。
【０１８３】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中の第２の補助成分として、８．０％のＴｅを含有させた接点では、再点弧発生頻度は、評価（Ｚ）を示し再点弧特性に大幅な劣化が見られれ好ましくない。遮断特性も、２０ｋＡの遮断に成功と２０ｋＡの遮断失敗が多発し遮断特性は「不合格」である（比較例１６）。遮断テスト後の接点表面には著しい荒れが見られる。接触抵抗にもバラツキが見られた。
【０１８４】
以上から、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相に関する［Ｈｍ／Ｈｏ］比を所定量に管理する本発明技術は、Ｃｒ粒子中の第２の補助成分として、１．０％以下のＢｉ，Ｓｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金、または他の第２の補助成分として、５．０％以下のＴｅ，Ｓｅ，Ｐｂを含有したＣｕ−Ｃｒ合金に対しても適用が可能である。
【０１８５】
（その他の実施例）
焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後のＣｕ−Ｃｒを、非酸化性雰囲気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常温にまで冷却することとし、この場合も焼結工程後若しくは焼結・溶浸工程後の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｍ、非酸化性雰囲気中で、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の融解温度以下の温度またはＣｕ相の融解温度以上の温度で加熱し、これを常温にまで冷却した時の、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬度値（マイクロビッカース硬さ値）をＨｏとした時の［Ｈｍ／Ｈｏ］比を、１．０〜２．０の範囲に調整することとしてもよい。
【０１８６】
このように、Ｃｕ−Ｃｒ接点材料の製造雰囲気として、非酸化性雰囲気を選択することにより、特に再点弧発生頻度の低減化を図ることができる。
【０１８７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性を安定化させ電流遮断特性の優れた電力用真空遮断器の接点材料の製造方法を提供することができるので、その工業的価値は大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例１〜１６及び比較例１〜４の評価条件を示す表図。
【図２】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例１７〜２９及び比較例５〜８の評価条件を示す表図。
【図３】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例１〜１６及び比較例１〜４の評価結果を示す表図。
【図４】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例１７〜２９及び比較例５〜８の評価結果を示す表図。
【図５】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例３０〜４５及び比較例９〜１２の評価条件を示す表図。
【図６】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例４６〜５８及び比較例１３〜１６の評価条件を示す表図。
【図７】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例３０〜４５及び比較例９〜１２の評価結果を示す表図。
【図８】 本発明に係る電力用真空遮断器の接点材料の実施例４６〜５８及び比較例１３〜１６の評価結果を示す表図。
Claims (2)
- Ｃｕ又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成されるＣｕ相より成る導電性成分と、Ｃｒより成る耐弧性成分とで構成された１０〜９０重量％Ｃｕを含有するＣｕ−Ｃｒ合金からなる電力用真空遮断器の接点材料の製造方法に於いて、
先ず、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金をＣｕ相の持つ融解温度の直下温度の１０３０℃〜１０８０℃に加熱し、これを常温にまで冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子のマイクロビッカース硬さ値Ｈｒを求めておき、
次いで、粒径が０．１〜１５０μｍのＣｒ粉と粒径が４４〜６２μｍのＣｕ粉とを所定比率で混合して所定値で加圧後、所定温度で焼結、若しくは所定量の前記Ｃｒ粉を所定値で加圧し、８００〜１４００℃で焼結後、１１００〜１４００℃でＣｕ塊を溶浸し、常温にまで所定速度で冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ粒子のマイクロビッカース硬さ値をＨｓとしたとき、
［Ｈｓ／Ｈｒ］比が１．０〜１．６の範囲になるように、前記加圧時の圧力、前記焼結時の温度および前記冷却時の速度の１つ以上を調整したことを特徴とする電力用真空遮断器の接点材料の製造方法。 - Ｃｕ又はＣｕを主成分とするＣｕ合金で構成されるＣｕ相より成る導電性成分と、Ｃｒより成る耐弧性成分とで構成された１０〜９０重量％Ｃｕを含有するＣｕ−Ｃｒ合金からなる電力用真空遮断器の接点材料の製造方法に於いて、
先ず、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金をＣｕ相の持つ融解温度の直下温度の１０３０℃〜１０８０℃に加熱し、これを常温にまで冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相のマイクロビッカース硬さ値Ｈｏを求めておき、
次いで、粒径が０．１〜１５０μｍのＣｒ粉と粒径が４４〜６２μｍのＣｕ粉とを所定比率で混合して所定値で加圧後、所定温度で焼結、若しくは所定量の前記Ｃｒ粉を所定値で加圧し、８００〜１４００℃で焼結後、１１００〜１４００℃でＣｕ塊を溶浸し、常温にまで所定速度で冷却したときの、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相のマイクロビッカース硬さ値をＨｍとしたとき、
［Ｈｍ／Ｈｏ］比が１．０〜２．０の範囲になるように、前記加圧時の圧力、前記焼結時の温度および前記冷却時の速度の１つ以上を調整したことを特徴とする電力用真空遮断器の接点材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000047979A JP4159719B2 (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 電力用真空遮断器の接点材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000047979A JP4159719B2 (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 電力用真空遮断器の接点材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001236864A JP2001236864A (ja) | 2001-08-31 |
| JP4159719B2 true JP4159719B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=18570139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000047979A Expired - Lifetime JP4159719B2 (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 電力用真空遮断器の接点材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4159719B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112458385A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-03-09 | 陕西斯瑞新材料股份有限公司 | 一种CuCrTe金属型材的锻造变形及热处理方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5211314B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-06-12 | Ｊｆｅ精密株式会社 | Ｃｒ−Ｃｕ合金板およびそれを用いた電子機器用放熱板と電子機器用放熱部品 |
| CN108456798B (zh) * | 2018-03-30 | 2020-06-26 | 中国科学院金属研究所 | 含微量Bi元素的Cu-Cr合金及其凝固制备方法 |
| CN114951665B (zh) * | 2022-05-17 | 2024-04-16 | 浙江省冶金研究院有限公司 | 一种低成本高致密高导电铜铬触头的制备方法 |
-
2000
- 2000-02-24 JP JP2000047979A patent/JP4159719B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112458385A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-03-09 | 陕西斯瑞新材料股份有限公司 | 一种CuCrTe金属型材的锻造变形及热处理方法 |
| CN112458385B (zh) * | 2020-10-16 | 2021-09-21 | 陕西斯瑞新材料股份有限公司 | 一种CuCrTe金属型材的锻造变形及热处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001236864A (ja) | 2001-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2778826B2 (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
| JP3598195B2 (ja) | 接点材料 | |
| JP3773644B2 (ja) | 接点材料 | |
| JP4159719B2 (ja) | 電力用真空遮断器の接点材料の製造方法 | |
| JP3663038B2 (ja) | 真空バルブ | |
| KR950006738B1 (ko) | 진공 인터럽터용 접점 | |
| JP4404980B2 (ja) | 真空バルブ | |
| JP4515696B2 (ja) | 真空遮断器用接点材料 | |
| JP3442644B2 (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
| JP2001236865A (ja) | 真空バルブ | |
| JP2002008499A (ja) | 真空遮断器 | |
| JP3840044B2 (ja) | 真空遮断器 | |
| JP4156867B2 (ja) | 接点及びそれを搭載した真空遮断器 | |
| JP3688473B2 (ja) | 真空バルブ用接点材料の製造方法 | |
| JP2878787B2 (ja) | 真空バルブ用接点 | |
| JP2004332046A (ja) | 遮断器用接点材料及び真空遮断器 | |
| JPH07320608A (ja) | 接点材料の製造方法 | |
| JPH10199379A (ja) | 真空遮断器用接点材料 | |
| JP2695939B2 (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
| JP2001243857A (ja) | 真空バルブ | |
| JP4607554B2 (ja) | 真空バルブ用接点 | |
| JP4515695B2 (ja) | 真空遮断器用接点材料 | |
| JP3068880B2 (ja) | 真空バルブ用接点 | |
| JP3827991B2 (ja) | 真空遮断器用接点材料 | |
| JPH05101752A (ja) | 真空バルブ用接点の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060323 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060512 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060727 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080620 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080716 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4159719 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725 Year of fee payment: 5 |
|
| R154 | Certificate of patent or utility model (reissue) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313122 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |