JP4159889B2 - Microwave excitation gas laser apparatus and exposure apparatus - Google Patents
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- 230000005284 excitation Effects 0.000 title claims description 39
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 118
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 104
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 15
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波を励起源として動作するマイクロ波励起ガスレーザ装置およびそれを用いた露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
紫外域でレーザ動作するガスレーザ(以下、紫外レーザと呼ぶ。)としては、エキシマレーザやフッ素分子レーザ(以下、F2レーザと呼ぶ。)などがあり、例えば光リソグラフィの光源として広く用いられている。これらの紫外レーザを動作させるには、一般に直流パルス電源が用いられる。すなわち、コンデンサーに蓄えられた電気的エネルギーを、チャンバ内でパルス放電させることで、パルス状のレーザ光が発生する。なお、レーザガスの成分として、フッ素分子レーザでは、フッ素ガスとNe(ネオン)との混合ガスが用いられる。波長248nmのKrFエキシマレーザでは、F2、Kr(クリプトン)、及びNeの混合ガス、波長193nmのArFエキシマレーザでは、F2、Ar(アルゴン)、及びNeの混合ガスが一般に用いられる。なお、これらの紫外レーザ、及びリソグラフィ用光源に関しては、例えば、非特許文献1において説明されている。
一方エキシマレーザに関しては、非特許文献2に示されているように、動作源としてマイクロ波を用いる場合もあった。これはマイクロ波励起エキシマレーザと呼ばれ、一般的な構造としては、マイクロ波を発生させるマイクロ波発振器、マイクロ波を伝播させる導波管、及びレーザガスが満たされたチャンバとで構成されている。
従来のマイクロ波励起エキシマレーザの構造としては、図17に示したマイクロ波励起エキシマレーザ装置のように、マイクロ波発振器101から放射されたマイクロ波を、導波路102a、102bを通して、電極104a、104bまで導き、これらの電極104a、104b間でマイクロ波放電を起こし、それらの間にレーザチューブ105を配置することで、その内部に満たされたレーザガスを励起し、レーザ動作を行っていた。また、導波路102a、102bはインピーダンス整合器103を通っており、マイクロ波発振器101とレーザチューブ105とのインピーダンス整合を行っている。
【0003】
【非特許文献1】
レーザー研究、第27巻、第7号、第473頁から478頁(1999年7月)
【非特許文献2】
OPTICS LETTERS, Vol.12, No.3, p.169−171, 1987
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の装置では、エキシマレーザを連続的にレーザ発振させることが困難であり、一般に、パルス幅数マイクロ秒以下のパルス動作しかできなかった。すなわち、従来のマイクロ波励起紫外レーザ装置におけるマイクロ波発振器101には、パルス動作のものが用いられており、これを連続動作のものに換えても、連続的にレーザ光を発生させることは困難であった。
その第1の理由は、レーザの連続動作を行うには、連続的に動作するマイクロ波発振器を用い、連続的に発生するマイクロ波でレーザガスを励起する必要があるが、連続動作のマイクロ波はピークパワーが低いため、発振に必要な数百kW/cm3以上の高い励起密度(単位体積当たりの励起パワー)で放電させることができないことから、レーザ発振が困難であったということである。すなわち、レーザガスを十分励起させるには、マイクロ波のパワーを上げる必要があるが、連続動作のマイクロ波発振器では、得られるマイクロ波のパワーはせいぜい数kW程度であり、パルス動作によって一般に得られる数百kWから数MWのピークパワーに比べて、2桁程度も小さいからである。したがって、低ピークパワーのマイクロ波によってレーザ動作させるためには、放電体積が十分小さい構造をとる必要があるが、従来装置の多くは、放電体積が数立方センチメートル程度と大きく、数kWのマイクロ波で放電させても、励起密度は数kW/cm3にしかならない。そのため、ピークパワー数MWが大出力するパルス型マイクロ波を用いテーパールス放電させ、パルスレーザ光を発生させていた。
またレーザの連続動作が困難である第2の理由は、放電が開始すると、レーザガスに含まれるフッ素や塩素などのハロゲンが枯渇していくため、レーザ発振の基になるエキシマが生成されなくなると広く考えられていたことである。すなわち、ハロゲンが枯渇する時間は、数マイクロ秒のオーダーであると考えられていたため、マイクロ秒以内の短時間にガスを置換させることができれば、連続的にレーザ動作させることが可能と考えられていた。
これに対して、低いピークパワーのマイクロ波を励起源としてレーザ発振を行うには、レーザガスにおいて励起される体積を十分小さくして、励起密度を十分高める必要がある。この場合、体積を小さくするために光軸方向に短くするとレーザのゲインが小さくなるので、励起部の形状は光軸方向に短くするのではなく径を細くする必要がある。そこで従来の装置では、一対の電極104a、104bの間にレーザチューブ105を配置して、電極間で放電させる構造をとり、レーザチューブ105の内部体積、つまり、内径を小さくすることで、レーザガスの励起密度を高めるようにし、レーザ発振をさせていた。
ところが、レーザチューブ105の両側に配置された一対の電極104a、104bの構造などによって、電極104a、104b間で放電されるマイクロ波パワーが決定されてしまうことから、レーザチューブ105の内部体積を小さく、すなわち内径を小さくすると、内部に注入されるマイクロ波の割合が減少してしまうため、レーザガスの励起密度を高めることが困難であった。
【0005】
本発明の目的は、レーザガス内において、細く小さい体積中でマイクロ波放電を起こすことができる装置を提供することであり、それによって連続動作が可能なマイクロ波励起紫外レーザ装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の本発明のマイクロ波励起ガスレーザ装置は、マイクロ波を伝播させる導波管と、レーザガスを循環させるガス循環経路と、前記ガス循環経路の一部を構成するとともに前記導波管からマイクロ波を導入してレーザ光を発生させるチャンバとを備えたマイクロ波励起ガスレーザ装置であって、マイクロ波を透過する材料からなる部材を前記導波管のチャンバ側先端部の内部から前記チャンバ内部にわたって延在するように設置し、前記部材は前記導波管先端部の内部に伸びる第一の部分にテーパー部を設けて前記導波管を伝播するマイクロ波を受け、前記チャンバ内に伸びる第二の部分から前記チャンバ内にマイクロ波を放出させてチャンバ内のレーザガスを励起し、前記延在する部材の前記第二の部分の側面に導電体層を設け、マイクロ波を前記第二の部分の先端面から前記チャンバ内に放出させ、前記延在する部材の前記第二の部分の先端面のマイクロ波放出領域を、前記延在する部材内でのマイクロ波の波長の1/2以上の幅を有するスリット状としたことを特徴とする。
請求項2記載の本発明は、請求項1に記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記延在する部材の前記第二の部分はその前記先端面にも、前記スリット状のマイクロ波放出領域を除いて、導電体層が設けられていることを特徴とする。
請求項3記載の本発明は、請求項1または請求項2に記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記導波管の前記チャンバ側先端部が断面矩形状の筒状管で形成されており、一方の開口から注入されるマイクロ波の進行方向に沿って徐々に開口面積が小さくなるテーパーが形成されていることを特徴とする。
請求項4記載の本発明は、請求項1または請求項2に記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記導波管の前記チャンバ側先端部が断面矩形状の筒状管で形成されているストレート導波管であることを特徴とする。
請求項5記載の本発明は、請求項3または請求項4に記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記延在する部材の前記第一の部分はマイクロ波の進行方向に沿って徐々に断面積が大きくなるテーパーを有することを特徴とする。
請求項6記載の本発明は、請求項5に記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記チャンバと前記導波管との間に、前記チャンバのガスが前記導波管に洩れるのを防止するための手段を設けたことを特徴とする。
請求項7記載の本発明は、請求項6に記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記防止するための手段が、前記延在する部材の前記第一の部分と前記第二の部分との間に設けられ前記延在する部材と同一の材料またはそれと同等の熱膨張率を有する材料で構成されたつば状部材を含むことを特徴とする。
請求項8記載の本発明は、請求項7に記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記延在する部材がセラミックから成ることを特徴とする。
請求項9記載の本発明は、請求項7または請求項8に記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記延在する部材と前記つば状部材とが同一材料で一体に構成されていることを特徴とする。
請求項10記載の本発明は、請求項1から請求項8のいずれかに記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記延在する部材の前記第一の部分における前記テーパー部のうち最も大きい断面積が、前記導波管先端部の前記チャンバと接する部分の断面積とほぼ等しいことを特徴とする。
請求項11記載の本発明は、請求項1から請求項9のいずれかに記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記延在する部材の前記第二の部分がマイクロ波の進行方向において断面積が小さくなるように構成されていることを特徴とする。
請求項12記載の本発明は、請求項1から請求項9のいずれかに記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置において、前記延在する部材の前記第二の部分がその先端部を除きマイクロ波の進行方向において断面積が実質的に変わらないように構成されていることを特徴とする。
請求項13記載の本発明の露光装置は、請求項1から請求項12のいずれかに記載のマイクロ波励起ガスレーザ装置を光源に用いたことを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の第1の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置は、マイクロ波を透過する材料からなる部材を導波管のチャンバ側先端部の内部からチャンバ内部にわたって延在するように設置し、この部材は導波管先端部の内部に伸びる第一の部分にテーパー部を設けて導波管を伝播するマイクロ波を受け、チャンバ内に伸びる第二の部分からチャンバ内にマイクロ波を放出させてチャンバ内のレーザガスを励起し、延在する部材の第二の部分の側面に導電体層を設け、マイクロ波を第二の部分の先端面からチャンバ内に放出させ、延在する部材の第二の部分の先端面のマイクロ波放出領域を、延在する部材内でのマイクロ波の波長の1/2以上の幅を有するスリット状としたものである。この構成により、導波管内の空気中を伝わってきたマイクロ波を第一の部分から部材中に入射させ、第二の部分からマイクロ波をレーザガス中に放出するので、レーザガス内において、マイクロ波放電を起こすことができ、連続動作が可能なマイクロ波励起紫外レーザ装置を実現することができる。また、部材が第一の部分にテーパー部を有するので、マイクロ波を反射無くセラミック中に入射させることができる。また、レーザガス中で発生させるプラズマを第二の部分の先端面に集中できる。また、細く小さい体積中で高いパワーのマイクロ波放電を起こすことができる。
本発明の第2の実施の形態は、第1の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、延在する部材の第二の部分はその先端面にも、スリット状のマイクロ波放出領域を除いて、導電体層が設けられているものである。この構成により、細く小さい体積中で高いパワーのマイクロ波放電を起こすことができる。
本発明の第3の実施の形態は、第1または第2の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、導波管のチャンバ側先端部が断面矩形状の筒状管で形成されており、一方の開口から注入されるマイクロ波の進行方向に沿って徐々に開口面積が小さくなるテーパーが形成されているものである。この構成により、マイクロ波を反射無くセラミック中に入射させることができる。
本発明の第4の実施の形態は、第1または第2の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、導波管のチャンバ側先端部が断面矩形状の筒状管で形成されているストレート導波管としたものである。この構成により、導波管として通常のストレート導波管を利用しているので安価に製作できる。
本発明の第5の実施の形態は、第3または第4の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、延在する部材の第一の部分はマイクロ波の進行方向に沿って徐々に断面積が大きくなるテーパーを有するものである。この構成により、マイクロ波を反射無くセラミック中に入射させ、セラミックからチャンバ内に放射させることができる。
本発明の第6の実施の形態は、第5の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、チャンバと導波管との間に、チャンバのガスが導波管に洩れるのを防止するための手段を設けたものである。
本発明の第7の実施の形態は、第6の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、防止するための手段が、延在する部材の第一の部分と第二の部分との間に設けられ延在する部材と同一の材料またはそれと同等の熱膨張率を有する材料で構成されたつば状部材を含むものである。この構成により、ロウ付けする2つの部材の熱膨張係数を一致させることができるため、ロウ付けの際に延在する部材だけでなくつば状部材にもひびが入ることを防止することができる。
本発明の第8の実施の形態は、第7の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、延在する部材がセラミックから成るものである。この構成により、ガスレーザとしてフッ素ガスを用いることができる。
本発明の第9の実施の形態は、第7または第8の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、延在する部材とつば状部材とが同一材料で一体に構成されているものである。この構成により、部材間の熱膨張係数を考慮する必要が無くなる。
本発明の第10の実施の形態は、第1から第8の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、延在する部材の第一の部分におけるテーパー部のうち最も大きい断面積が、導波管先端部のチャンバと接する部分の断面積とほぼ等しいものである。この構成により、導波管内を進行してきたマイクロ波を延在する部材に効率よく伝播させることができる。
本発明の第11の実施の形態は、第1から第9の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、延在する部材の第二の部分がマイクロ波の進行方向において断面積が小さくなるように構成されるものである。この構成により、高いパワー密度のマイクロ波を放出することができる。
本発明の第12の実施の形態は、第1から第9の実施の形態によるマイクロ波励起ガスレーザ装置において、延在する部材の第二の部分がその先端部を除きマイクロ波の進行方向において断面積が実質的に変わらないように構成されるものである。この構成により、第二の部分でのマイクロ波の損失を減らすことができる。
本発明の第13の実施の形態による露光装置は、第1から第12の実施の形態のいずれかのマイクロ波励起ガスレーザ装置を光源に用いたものである。この構成により、露光光源からのレーザパワーを増加しても、露光機本体内の光学部品の寿命が短くなることがない露光装置を提供することができる。
【0008】
【実施例】
以下、本発明の一実施例によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置を図面に基づいて説明する。
(実施例1)
図1は、本発明の一実施例であるマイクロ波励エキシマレーザなどのマイクロ波励紫外域ガスレーザ装置100の構成図である。
マイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置100は、電源1から供給された電力によってマイクロ波を発生させるマイクロ波発振器2と、このマイクロ波発振器2で発振させたマイクロ波を伝播させる導波管3a、3b、L字導波管6、テーパー導波管7と、レーザガスを循環させるガス循環経路9と、テーパー導波管7からマイクロ波を導入してレーザ光を発生させるチャンバ8とを備えている。マイクロ波発振器2で発振させるマイクロ波の周波数は、Sバンドの2.45GHzが好ましいが、Lバンドの1.3GHzや、約9GHzのXバンドを用いてもよい。また、マイクロ波発振器2の出力は、レーザを発振させるためには2〜3kWで行えるが、この閾値よりできる限り大きい方が、電気効率が高くなるため、10kW程度が好ましい。また、KrFエキシマレーザにおけるレーザガスの成分は、F2:Kr:He=0.1%:5%:94.9%であり、全圧は2気圧である。なお、バッファガスであるHeの代わりにNeを用いてもよい。
【0009】
導波管は、導波管3a、3b、L字導波管6、及びテーパー導波管7とから構成されている。導波管3aは、マイクロ波発振器2とアイソレータ4とを接続し、導波管3bは、アイソレータ4とチューナ5とを接続し、L字導波管6とテーパー導波管7は、チューナ5とチャンバ8とを接続している。テーパー導波管7内では、マイクロ波発振器2から導波管3a、アイソレータ4、導波管3b、チューナ5およびL字導波管6を経て伝わってきたマイクロ波がチャンバ8内のレーザガス中に注入されるようになっている。詳細は後述する。
テーパー導波管7が取り付けられたチャンバ8内に満たされたレーザガスは、ループ状に構成されているガス循環経路9内を循環する。ガス循環経路9は、配管によって熱交換器11、チャンバ8、及びブロア10とを環状に接続して構成される。熱交換器11はチャンバ8の下流側に配置されており、マイクロ波によって加熱されたレーザガスを冷却する作用を有する。ブロア10はレーザガスを高速に流す作用を有している。
チャンバ8内では、レーザガスはX軸方向に流れ、マイクロ波はY軸方向から注入され、発生するレーザ光L1はチャンバ8の外側に配置されたレーザミラー12からガスの流れ方向及びマイクロ波の発振方向と直交する方向(Z軸)に取り出される。
【0010】
次に、このマイクロ波励紫外域ガスレーザ装置100の動作について以下に説明する。電源1から供給された電力により、マイクロ波発振器2からは、マイクロ波(ここでは2.45GHz)が発生する。マイクロ波は、導波管3a、アイソレータ4、導波管3b、チューナ5を順次通過し、L字導波管6で下方に曲がり、テーパー導波管7に進み、テーパー導波管7からチャンバ8内のレーザガス中に注入される。
一方、レーザガスは、ブロア10によって、ループ状に構成されているガス循環経路9内を高速で循環し、チャンバ8内に満たされる。チャンバ8内に満たされたレーザガスは、テーパー導波管7から注入されたマイクロ波による放電によって励起されレーザ発振を行う。レーザ光L1は、チャンバ8の外側に配置されたレーザミラー12から外部に取り出される。
【0011】
次にチャンバ8内に取り付けられたテーパー導波管7の構造について、図2から図4を用いて説明する。図2は、テーパー導波管7およびその内部に配置されるテーパー状セラミック棒21の斜視図である。テーパー導波管7は断面矩形状の筒状管で形成されており、一方の開口から注入されるマイクロ波Mの進行方向に沿って徐々に開口面積が小さくなるようにテーパーが形成されている。図2では、マイクロ波MはY方向に注入される場合を示しており、テーパーはX方向に形成されている場合を示しているが、Z方向あるいはX方向とZ方向の両方にテーパーが形成されるようにしてもよい。
テーパー状セラミック棒21はマイクロ波の進行方向に沿って徐々に断面積が大きくなるテーパーを有するテーパー部22および表面に金属層を形成したメタライズ部23を有しており、テーパー状セラミック棒21自体がテーパー導波管を形成している。テーパー部22はテーパー導波管7内に収納され、メタライズ部23は図1で説明したチャンバ8内に挿入される。テーパー部22はマイクロ波Mが進行する方向に沿ってX軸およびZ軸の両方向において徐々に断面積が大きくなるようなテーパーを有している。テーパー状セラミック棒21の材質としてセラミックを用いる理由は、紫外域で動作するガスレーザではフッ素ガスを用いる場合が多いので、フッ素に耐性を有する材料が好ましいからである。テーパー状部材21の材料としては、マイクロ波を透過する材料であれば、フッ素に耐性を有する他の誘電体でもよく、またフッ素ガスを用いない場合はセラミック以外のマイクロ波を透過する材料を用いることができる。
【0012】
テーパー状セラミック棒21のメタライズ部23側の先端部には、スリット部24が形成されている。図3にスリット部24の斜視図を示す。スリット部24は、メタライズ部23の先端部のメタライズをスリット状に剥離してテーパー状セラミック棒21のセラミックをスリット状に露出させて構成する。スリット部24の幅Wは、テーパー状部材21の材料、たとえばセラミック、中でのマイクロ波の波長の1/2以上の必要がある。すなわち、スリット部24のスリット形状が長方形の場合は、長辺がカットオフ波長の1/2以上で、短辺の長さLをこれより短くする。マイクロ波の発振周波数が工業用として広く利用されている2.45GHzの場合、セラミックの比誘電率が約10であることから、テーパー状部材21の材料、たとえばセラミック、中でのマイクロ波の波長λc=39mmになる。したがって、スリット部24の幅Wは約19.5mm以上の必要がある。スリット部24の幅Wを19.5mm以下にすると、マイクロ波を放出できなくなる。スリット部24の長方形の断面形状において、幅Wがλc/2以上であれば、もう一方の辺の長さLがいかに小さくてもマイクロ波を伝播させることが可能である。したがって、長さLの寸法を十分小さくすることで、高いパワー密度のマイクロ波をレーザガス中に放出させることができる。
【0013】
図4は、テーパー導波管7およびテーパー状セラミック棒21とチャンバ8との連結部の断面図で、(a)は図1におけるZ軸方向から見たZ軸断面図、(b)は図1におけるX軸方向から見たX軸断面図である。
テーパー導波管7内をY軸方向に、紙面では上方から下方に伝わってきたマイクロ波Mは、テーパー状セラミック棒21に当ることで、伝わる媒体が空気から徐々にセラミックに移っていく。マイクロ波Mが全てセラミック内に伝わる(つまり導波管内が全てセラミックで満たされる)位置にチャンバ8の一部であるチャンバボディ30が結合されている。テーパー導波管7の端部にはフランジ部70が形成され、フランジ部70とチャンバボディ30がボルト26で連結される。
テーパー状セラミック棒21は、空気で満たされているテーパー導波管7とレーザガスで満されているチャンバ8との両方の内部空間にまたがって配置され、これら2つの空間を仕切る位置に、中央部に穴を有する穴空き板25が配置される。テーパー状セラミック棒21は穴空き板25の穴内を貫通しており、両者はロウ付けにより固定されている。穴空き板25にはテーパー導波管7のフランジ部70と接する面にメタライズが施されている。穴空き板25はチャンバボディ30に対してOリング27でシールされており、穴空き板25の上側のつばの部分がテーパー導波管7のフランジ部70で押さえつけられる。チャンバボディ30内におけるテーパー状セラミック棒21の4つの側面のメタライズ部23には、セラミック製のブロック29がロウ付けされている。
【0014】
次に、テーパー状セラミック棒21、穴空き板25、及びブロック29の一体部品としての製作方法について説明する。図5において、テーパー状セラミック棒21の先端のテーパー表面にメタライズ面31が形成される。メタライズ面31は図2に示したメタライズ部23に相当する。穴空き板25の穴34の内表面にはメタライズ面32が、一主面(図5では上面)にはメタライズ面33が形成される。ブロック29のテーパー状セラミック棒21に接する側の面にはメタライズ面35が形成される。テーパー状セラミック棒21のメタライズ面31が形成された部分を穴空き板25の穴34に挿通してブロック29で挟持し、各々のメタライズ面31、32、35をロウ付けにより固定する。ロウ付けに用いられるロウとしては耐フッ素ガス性の金ロウが好ましい。その理由は、紫外域レーザでは、レーザガス中にフッ素ガスが含まれることが多く、フッ素ガスと反応する銀ロウは好ましくないからである。
【0015】
穴空き板25とブロック29の材質としては、テーパー状セラミック棒21と同じ種類のセラミックまたはこれと同等の線膨張率を有するチタンなどの金属を用いるのが望ましい。この場合は、テーパー状セラミック棒21、穴空き板25およびブロック29の材質の線膨張率を一致ないし近い値とすることで、ロウ付け時に穴空き板25およびブロック29にひびが入りにくくなる。穴空き板25とブロック29の材質としてセラミック以外の材料、たとえば、フッ素耐性を有し安価であるステンレスを用いると、線膨張率がセラミックの7.9×10−6/Kに対し14.7×10−6/Kと2倍程度あるためロウ付けが困難である。これは、ロウ付けの際に、最高1200度を越える高温になるため、ロウ付け後室温まで冷やされる際に生じる材料寸法の変形量が、テーパー状セラミック棒21と穴空き板25およびブロック29の線膨張率の差により大きく異なってしまうからである。
なお、穴空き板25の材料として、テーパー状セラミック棒21と同じセラミックを用い、両者を一体構造として構成するのも好ましい。この場合、テーパー状セラミック棒21の中央部(チャンバと導波管との間の部分)につば状部材が突出した構造になる。なお、このような一体化構造において、その材料としてはセラミックに限らず、先に述べた通り他の誘電材料としてもよい。
穴空き板25の一主面に形成されたメタライズ面33は、図4(a)、(b)に示すようにテーパー導波管7のフランジ部70と接触する面であり、このメタライズ面33によりテーパー導波管7のフランジ部70と穴空き板25とが電気的に接触するため、テーパー導波管7の内部を伝播してくるマイクロ波Mをリーク無しにテーパー状セラミック棒21内に進ませることができる。したがって、マイクロ波Mはテーパー状セラミック棒21の先端部のスリット部24から効率的に外部へ放出させることができる。
図4および図1に示すように、テーパー導波管7内にマイクロ波Mが注入されると、マイクロ波Mはテーパー導波管7からテーパー状セラミック棒21に伝播し、テーパー状セラミック棒21の先端のスリット部24から高いパワー密度のマイクロ波が放出される。このマイクロ波はチャンバ8に注入され、チャンバ8内のレーザガスを励起してプラズマ28を発生する。このプラズマ28から紫外レーザ光L1がZ軸方向に取り出される。
【0016】
プラズマ28の発生領域は、テーパー状セラミック棒21の構成およびブロック29の有無により変化する。その様子を図6を用いて説明する。図6は、図4(a)におけるブロック29を省略した図である。図6のように、ブロック29が無い場合、テーパー状セラミック棒21とチャンバボディ30との間に僅かでも隙間が生じると、その隙間内にマイクロ波によってプラズマが発生し、テーパー状セラミック棒21の長さ方向に沿ってプラズマ28が広がってしまう。これはプラズマ28が金属面に沿って広がりやすいからである。プラズマ28の発生がテーパー状セラミック棒21とチャンバボディ30の隙間に広がると、プラズマ28によるレーザガスの励起効率が減少し、派生発生する紫外レーザ光L1のパワーが小さくなってしまう。この現象はチャンバ8内におけるテーパー状セラミック棒21がメタライズ部23を有しているか否かにかかわらず発生する。
一方、図4(a)、(b)のように、チャンバ8内におけるテーパー状セラミック棒21の4つの側面のメタライズ部23にセラミック製のブロック29をロウ付けすると、プラズマ28はテーパー状セラミック棒21の先端のスリット部24付近に集中して細く発生し、チャンバ8内に広がることはない。したがって、プラズマ密度を高くできるので、紫外レーザ光L1を高いパワーでZ軸方向に取り出すことができ、レーザの連続動作に必要な高い励起密度を達成することができる。また、後に図10や図11で述べるようなストレート構成にするのも効果がある。
【0017】
(実施例2)
図7は、本発明の実施例2によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置の導波管とテーパー状セラミック棒の構成を示す斜視図である。図2と同一部分には同一符号を付与する。図2と異なる部分は、導波管がテーパー導波管ではなくテーパーを有しないストレート導波管41を使用した点である。
本実施例において、ストレート導波管41内におけるテーパー状セラミック棒21はテーパー部22を有しているので、ストレート導波管41内のマイクロ波の伝播媒体である空気経路の断面積はマイクロ波の進行方向に徐々に小さくなり、一方テーパー状セラミック棒21による伝播媒体であるセラミックの断面積はマイクロ波の進行方向に徐々に大きくなる。したがって、ストレート導波管41に注入されたマイクロ波は図2における場合と同様にストレート導波管41からテーパー状セラミック棒21に伝播する。その他の構成および動作は図2の場合と同様であるので説明を省略する。
本実施例によれば、導波管として通常のストレート導波管41を利用しているので安価に製作できる。
【0018】
(実施例3)
図8は、本発明の実施例3によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置の導波管とテーパー状セラミック棒の構成を示す斜視図である。図7と同一部分には同一符号を付与する。図7と異なる部分は、テーパー状セラミック棒42のテーパー部43の形状がX方向の一方向のみテーパー状に形成され、Z方向にはテーパー形成されていない点である。
本実施例においても、ストレート導波管41内におけるテーパー状セラミック棒42はX方向に形成されたテーパーを有するテーパー部43を有しているので、ストレート導波管41内のマイクロ波の伝播媒体である空気経路の断面積はマイクロ波の進行方向に徐々に小さくなり、一方テーパー状セラミック棒42による伝播媒体であるセラミックの断面積はマイクロ波の進行方向に徐々に大きくなる。したがって、ストレート導波管41に注入されたマイクロ波は図2、図7における場合と同様にストレート導波管41からテーパー状セラミック棒42に伝播する。その他の構成および動作は図2の場合と同様であるので説明を省略する。
本実施例によれば、実施例2と同様に、導波管として通常のストレート導波管41を利用しているので安価に製作できる。
【0019】
(実施例4)
図9は、本発明の実施例4によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置の導波管とテーパー状セラミック棒の構成を示す斜視図である。
本実施例では、ストレート導波管41にテーパー状セラミック棒45のテーパー部22が挿入されている。テーパー状セラミック棒45のチャンバ8側のメタライズ部46はほとんどテーパーになっておらず、実質的にストレート状に形成されている。その結果、テーパー状セラミック棒45におけるマイクロ波が進む断面部のマイクロ波の進行方向に対して面積が小さくならないため、テーパー状セラミック棒45内部でのマイクロ波パワー密度が抑制され、テーパー状セラミック棒45のマイクロ波耐性が高い特徴がある。
テーパー状セラミック棒45は、図10に示すように、チャンバ8側で導波管を形成するメタライズ部46の外側にアルミナ面47を溶着させる。アルミナ面47には、テーパー状セラミック棒45の先端部においてテーパー状セラミック棒45のセラミックが露出するようにスリット48が形成されており、このスリット48からマイクロ波が放出される。メタライズ46部の外側にアルミナ面47を溶着させることにより、スリット48から放出されるマイクロ波により発生するプラズマが左右方向に広がらなくなりプラズマ密度を高くできる。スリット48の寸法等の構成は、図3を参照して説明したスリット部24と同じである。また、実施例1、2、3において、チャンバ8側のテーパー状セラミック棒21、42のメタライズ部23の表面にアルミナ層47を付着させても効果がある。
【0020】
(実施例5)
図11は、本発明の実施例5によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置のテーパー導波管7とチャンバ8の一部を示したZ軸断面図である。本実施例におけるテーパー状セラミック棒51は、図4(a)、(b)に示したテーパー状セラミック棒21と穴空き板25が一体化した形状になっている。すなわち、テーパー状セラミック棒51の中央部に全周にわたって突起させたツバ部が形成され、そこにOリング52が当たってシールする構造になっている。
本実施例の特徴は、実施例1、実施例4のように穴空き板25をロウ付けする必要がなく製作が容易になることである。穴空き板25をロウ付けする場合には、テーパー状セラミック棒21の表面にニッケルを蒸着してメタライズを施す必要があるが、ニッケルは金属の中では導電性があまり高くなく、その電気抵抗は100℃において10.3/Ωmであるため、テーパー状セラミック棒21の表面に流れる電流が小さくなるので内部を伝播するマイクロ波の損失が大きくなる傾向にある。ところが、本実施例ではロウ付が不要になったことから、テーパー状セラミック棒51のメタライズとして金ペースト53を溶着させて作成することが可能である。金の電気抵抗は100℃において2.88/Ωmであり、ニッケルの1/3以下と小さいことから、金ペースト53をセラミック表面に直接溶着することによりその表面を電流が流れやすくなり、テーパー状セラミック棒51の内部に伝播するマイクロ波の損失を低減させることができる。なお、金ペーストの代わりに、他の電気伝導度の高い金属、例えば同程度に電気伝導度が高くより安価な銅を用いてもよい。
なお、金ペースト53が溶着された部分においてチャンバボディ54の内部に対向する位置にさらにアルミナを溶着することによって、マイクロ波により発生するプラズマ55が広がらないようにすることができる。
【0021】
(実施例6)
図12は、本発明の実施例6によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置のテーパー導波管7とチャンバ8の一部を示した図で、(a)はZ軸断面図、(b)はX軸断面図である。
本実施例では、テーパー状セラミック棒61のマイクロ波を放出させる端部がマイクロ波の進行方向Yに直交するZ軸方向から見た場合に、図12(a)のようにT字型に形成されている。T字型の端部はT字型の先端面の少なくとも一部を露出させて穴空き部材62で覆われている。また、この穴空き部材62がテーパー導波管7のフランジ部70と接する面(上の面)にはメタライズ(図示省略)が施されている。穴空き部材62はチャンバボディ30に対してOリング63でシールされている。穴空き部材62の上側のつばの部分はテーパー導波管7の端部のフランジ部70で押さえつけられており、フランジ部70はボルト64によってチャンバボディ30に固定される。
テーパー状セラミック棒61のT字部の先端から放出されたマイクロ波によってチャンバ8内のレーザガスが励起され、プラズマ65が発生し、ここから紫外のレーザ光がZ軸方向に取り出される。
【0022】
図13は、テーパー状セラミック棒61と穴空き部材62とを一体部品として製作する方法を説明する概念図で、(a)は斜視図、(b)はZ軸断面図である。テーパー状セラミック棒61のチャンバ側の端部はZ軸方向から見た場合にT字型部66が形成され、一方穴空き部材62に形成される穴は、テーパー状セラミック棒61のT字型部66と嵌合する形状の貫通穴67が形成されている。T字型部66の表面および貫通穴67の内面にはメタライズ面68、69が形成され、テーパー状セラミック棒61のT字型部66を穴空き部材62の貫通穴67に挿入し、両者のメタライズ面68、69をロウ付けにより固定して一体部品として形成する。
【0023】
テーパー状セラミック棒61におけるT字型部66の寸法は、図14に示したように、T字型部66の足の長さHをそこを通過するマイクロ波の管内波長λgの1/4倍にすることが好ましい。また、T字型部66の横の長さをD1、足の長さをD2、先端部のスリット長さをD3とすると、D3をD1とD2の積の平方根に近い値にすることにより、テーパー状セラミック棒61内をチャンバ側に伝播するマイクロ波の反射を抑制することができる。すなわち、このT字型部66をλg/4形変成器として作用させることができる。λg/4形変成器とは、異なる長さの2つの導波管(長さb1と長さb2とする。)を整合させるために、それらの間にb1とb2の積の平方根の長さを有し、かつ長さHがλg/4の導波管を設けることである。本実施例では長さD3のスリットがb2の長さの導波管と考えることができるため、前記寸法のT字型部66を設けることで、マイクロ波を反射無くT字型部を通過させることができる。
たとえば、D1=16mm、D3=0.4mmとすると、D2=2.5mmになる。また、H=λg/4=12mmになる。
T字型部66の各部の長さD1、D2、D3は、正確に前記条件通りに設定する必要はなく、D3の大きさがD1とD2の間であれば、多少前記条件値からずれてもマイクロ波の整合器として機能し、反射を抑制することができる。ただし、足の長さHはλgの1/4前後における整合作用を有する範囲内である必要がある。たとえば、足の長さHがλgの1/2まで大きくなると、逆に反射波が増大してしまう。したがって、本実施例では、足の長さHはλgの1/8から3/8(1/4の前後)倍とすることが好ましい。実験によれば常に正確にλg/4が最適ではなく、λg/4よりも1mm前後短くする方が、実際にはマイクロ波の放出効率が高い場合が多い。これは、実際のマイクロ波の伝播特性は、公式的な寸法とは多少異なる場合が多いからであり、最適寸法はマイクロ波の導波特性を実測してから決定するのが好ましい。
テーパー状セラミック棒61は、マイクロ波を放出させるために、T字型部66の先端面に、D3の長さでセラミックが剥き出しになっている。すなわち、D3の長さの外側までメタライズ68で覆われている。D3の長さだけメタライズ68を剥す作業としては、はじめにT字型部66の先端面全面をメタライズ68で覆ってから、D3の長さだけメタライズ68を切削する。また、テーパー状セラミック棒61を製作する際に、T字型部66の先端面にあらかじめD3の長さだけ1mm程度突起を残すように仕上げて、その突起も含めてT字型部66の先端面全面にメタライズ68を形成してから突起を取り外すようにしてもよい。後者の手法にすると、メタライズ68が剥されたD3の長さをより正確に作り出すことができる。
本実施例のように、テーパー状セラミック棒61のマイクロ波出射側をT字型にし、穴空き部材62でT字部を覆うようにすることができる。この結果、テーパー状セラミック棒61と穴空き部材62とをロウ付けする際に、ロウが流れ落ちることが無いためロウ付けしやすくなる。
【0024】
(実施例7)
図15は、本発明の実施例7によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置におけるマイクロ波をレーザチャンバ内に導く部分の斜視図である。本実施例においては、図1に示したL字型導波管6の出口に長さが管内波長λgのほぼ1/4のストレート導波管71を接続し、その次に小型のテーパー導波管72を接続する。テーパー導波管72の内部には、図12〜図14で説明した先端部がT字型をしたテーパー状セラミック棒73がはめられている。T字型の先端は狭い幅のスリット状にメタライズが剥されており、L字型導波管6から導波管71、テーパー導波管72、テーパー状セラミック棒73を経て進行したマイクロ波75aは、T字型の先端のスリットからマイクロ波75bとして放出される。
本実施例では、L字型導波管6にL字型導波管6の断面部よりも小さい断面部を有するストレート導波管71がつながっており、その長さが管内波長λgのほぼ1/4であるため、λg/4変成器として機能している。したがって、入射するマイクロ波75aはほとんど反射せずに進むことができる。このようにλg/4変成器を適用することで、テーパー導波管72とテーパー状セラミック棒73の断面寸法を小さくできる。その結果、チャンバ8内に放出させるマイクロ波75bの断面積をさらに小さい断面積とすることができるので、単位面積当たりのマイクロ波パワーが増大し、高密度プラズマを発生しやすくなる。また、テーパー状セラミック棒72の長さを短くできるので、テーパー状セラミック棒72中でのマイクロ波の損失を減らせるようになり、マイクロ波の伝送効率が向上する。
【0025】
(実施例8)
次に、図1に示した本発明のマイクロ波励起エキシマレーザ装置100を露光光源として用いた露光装置の一実施例に関して、図16を用いて説明する。
図16は、露光装置200の構成図である。露光装置200では、図1に示したマイクロ波励起エキシマレーザ装置100が露光光源81として使われている。露光装置200を構成する露光光源81と露光機本体82は、グレーチング83上に設置されている。
露光光源81から取り出された紫外域のレーザ光L1は、露光機本体82内に進み、ミラー84aで反射して上方に進み、均一化光学系85内を進む。これによってビーム断面内の光強度分布が均一化されたレーザ光L2が作られ、ミラー84bで反射して整形光学系86に進み、ビームが拡大される。ここを出射したレーザ光L3は、ミラー84cで反射して、コンデンサレンズ87を通過し、レチクル88に入射する。レチクル88から出射したレーザ光L4は、縮小投影レンズ89を通過してレーザ光L5となり、このレーザ光L5はレジストが塗布されたウエハー90を照射する。この際に、レチクル88上でのパターンを有する光が、ウエハー90上に転写されることで、パターン状に露光される。なお、ウエハー90は、ステージ91上に乗せられており、露光のショットごとにウエハー90が瞬時に移動できるようになっている。
本実施例では、マイクロ波励起エキシマレーザ装置100が、露光光源81として用いられていることから、利用されるレーザ光L1は連続波である。したがって、均一化光学系85、整形光学系86、コンデンサレンズ87、縮小投影レンズ89などの光学部品にダメージが生じない。特に、露光光源81であるマイクロ波励起エキシマレーザ装置100では、従来装置に比べて効率良く、マイクロ波のパワーをプラズマの生成に利用できるため、レーザ光の出力が向上している。その結果、露光装置200としての露光処理速度も向上する。従来のパルス型のエキシマレーザを露光光源に用いた場合、レーザ出力の増加は前述した種々の光学部品へのダメージを増加させて、寿命を減らすことがあったが、本実施例によれば、露光光源81からのレーザパワーを増加しても、露光機本体82内の光学部品の寿命が短くなることはない。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、マイクロ波を伝播させる導波管とレーザガスが満たされるチャンバとの両方の内部空間にまたがってテーパー状セラミック棒を配置し、このセラミック棒のチャンバ側にマイクロ波の出射口以外の表面にメタライズを施すことにより、導波管内の空気中を伝わってきたマイクロ波をテーパー状セラミック棒中に入射させ、出射口から放出されるマイクロ波によってレーザガスを細く小さい領域でのみ励起することができる。したがって、十分高いパワー密度のマイクロ波を放出でき、レーザの連続動作に必要な高い励起密度を達成することができる。
また、テーパー状セラミック棒をセラミックと同等の熱膨張率を有する材料の穴空き板にロウ付けしてチャンバに取り付けることにより、ロウ付けする2つの部材の熱膨張率を一致させることができ、ロウ付けの際に、テーパー状セラミック棒だけでなく穴空き板にもひびが入ることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例であるマイクロ波励起エキシマレーザ装置の全体構成図
【図2】 本発明の第1の実施例におけるテーパー導波管およびその内部に配置されるテーパー状セラミック棒の斜視図
【図3】 本発明の第1の実施例におけるテーパー状セラミック棒のスリット部の斜視図
【図4】 本発明の第1の実施例におけるテーパー導波管およびテーパー状セラミック棒とチャンバとの連結部の断面図
【図5】 本発明の第1の実施例におけるテーパー状セラミック棒、穴空き板、及びブロックの一体部品としての製作方法を説明する概念図
【図6】 本発明の第1の実施例におけるプラズマの発生領域を説明するためのテーパー導波管およびテーパー状セラミック棒とチャンバとの連結部の断面図
【図7】 本発明の実施例2によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置の導波管とテーパー状セラミック棒の構成を示す斜視図
【図8】 本発明の実施例3によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置の導波管とテーパー状セラミック棒の構成を示す斜視図
【図9】 本発明の実施例4によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置の導波管とテーパー状セラミック棒の構成を示す斜視図
【図10】 本発明の実施例4によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置のテーパー状セラミック棒とチャンバとの連結部の一部の断面図
【図11】 本発明の実施例5によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置のテーパー導波管とチャンバの一部を示した断面図
【図12】 本発明の実施例6によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置のテーパー導波管とチャンバの連結部の一部の断面図
【図13】 本発明の実施例6によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置のテーパー状セラミック棒と穴空き部材とを一体部品として製作する製作方法を説明する概念図
【図14】 図13の一部拡大図
【図15】 本発明の実施例7によるマイクロ波励起紫外域ガスレーザ装置におけるマイクロ波をレーザチャンバ内に導く部分の斜視図
【図16】 本発明のマイクロ波励起エキシマレーザ装置を露光光源として用いた露光装置の一実施例における構成図
【図17】 従来のマイクロ波励起紫外レーザ装置の構成図
【符号の説明】
2 マイクロ波発振器
3、3a、3b 導波管
4 アイソレータ
5 チューナ
6 L字導波管
7、72 テーパー導波管
8 チャンバ
9 ガス循環経路
10 ブロア
11 熱交換器
21、42、45、51、61、73 テーパー状セラミック棒
22、43 テーパー部
23、46 メタライズ部
24 スリット部
25 穴空き板
27、52、63 Oリング
28、55、65 プラズマ
29 ブロック
30、54 チャンバボディ
31、32、33、35、68、69 メタライズ面
41、71 ストレート導波管
47 アルミナ面
48 スリット
53 金ペースト
62 穴空き部材
66 T字型部
70 フランジ部
81 露光光源
82 露光機本体
83 グレーチング
84a、84b ミラー
85 均一化光学系
86 整形光学系
87 コンデンサレンズ
88 レチクル
89 縮小投影レンズ
90 ウエハー
91 ステージ
100 マイクロ波励起エキシマレーザ装置
200 露光装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a microwave-excited gas laser apparatus that operates using a microwave as an excitation source, and an exposure apparatus using the same.
[0002]
[Prior art]
Examples of gas lasers that operate in the ultraviolet region (hereinafter referred to as ultraviolet lasers) include excimer lasers and fluorine molecular lasers (hereinafter referred to as F2 lasers), which are widely used as light sources for optical lithography, for example. In order to operate these ultraviolet lasers, a direct current pulse power supply is generally used. That is, pulsed laser light is generated by pulse-discharging the electrical energy stored in the capacitor in the chamber. As a component of the laser gas, in the fluorine molecular laser, a mixed gas of fluorine gas and Ne (neon) is used. In a KrF excimer laser with a wavelength of 248 nm, a mixed gas of F2, Kr (krypton), and Ne is used. In an ArF excimer laser with a wavelength of 193 nm, a mixed gas of F2, Ar (argon), and Ne is generally used. The ultraviolet laser and the light source for lithography are described in Non-Patent Document 1, for example.
On the other hand, as for the excimer laser, as shown in Non-Patent Document 2, a microwave may be used as an operation source. This is called a microwave-excited excimer laser, and has a general structure including a microwave oscillator that generates a microwave, a waveguide that propagates the microwave, and a chamber filled with a laser gas.
As a structure of the conventional microwave excitation excimer laser, as in the microwave excitation excimer laser apparatus shown in FIG. 17, the microwaves radiated from the
[0003]
[Non-Patent Document 1]
Laser Research, Vol. 27, No. 7, pp. 473-478 (July 1999)
[Non-Patent Document 2]
OPTICS LETTERS, Vol. 12, no. 3, p. 169-171, 1987
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional apparatus, it is difficult to continuously oscillate an excimer laser, and generally only a pulse operation with a pulse width of several microseconds or less can be performed. That is, the
The first reason is that in order to perform continuous operation of the laser, it is necessary to excite the laser gas with the continuously generated microwave oscillator, and the microwave of continuous operation is Several hundred kW / cm required for oscillation due to low peak power3This means that it was difficult to oscillate the laser because it was not possible to discharge at such a high excitation density (excitation power per unit volume). That is, in order to sufficiently excite the laser gas, it is necessary to increase the power of the microwave. However, in a continuous operation microwave oscillator, the microwave power obtained is about several kW at most, which is generally obtained by pulse operation. This is because it is about two orders of magnitude smaller than the peak power of 100 kW to several MW. Therefore, in order to operate the laser with microwaves with low peak power, it is necessary to take a structure with a sufficiently small discharge volume. However, many of the conventional devices have a large discharge volume of about several cubic centimeters, and a microwave of several kW is used. Even when discharged, the excitation density is several kW / cm.3It can only be. For this reason, the pulsed microwave is generated by using a pulsed microwave having a large peak power number MW to generate a pulsed laser beam.
Further, the second reason why it is difficult to operate the laser continuously is that when the discharge is started, halogens such as fluorine and chlorine contained in the laser gas are exhausted. That was what was thought. In other words, the halogen depletion time was thought to be on the order of a few microseconds, so it is considered possible to operate the laser continuously if the gas can be replaced within a short time within microseconds. It was.
On the other hand, in order to perform laser oscillation using a low peak power microwave as an excitation source, it is necessary to sufficiently reduce the volume excited in the laser gas and sufficiently increase the excitation density. In this case, if the length is shortened in the optical axis direction in order to reduce the volume, the gain of the laser is reduced. Therefore, the shape of the excitation part needs to be reduced rather than shortened in the optical axis direction. Therefore, in the conventional apparatus, the
However, since the microwave power discharged between the electrodes 104a and 104b is determined by the structure of the pair of electrodes 104a and 104b arranged on both sides of the
[0005]
An object of the present invention is to provide an apparatus capable of causing a microwave discharge in a thin and small volume in a laser gas, and thereby to provide a microwave excitation ultraviolet laser apparatus capable of continuous operation. .
[0006]
[Means for Solving the Problems]
A microwave-excited gas laser device according to a first aspect of the present invention includes a waveguide for propagating microwaves, a gas circulation path for circulating a laser gas, a part of the gas circulation path, and the waveguide. A microwave-excited gas laser device comprising a chamber for introducing a microwave to generate laser light, wherein a member made of a material that transmits microwaves is inserted from the inside of the chamber-side tip of the waveguide into the chamber. The member is provided with a tapered portion in a first portion extending inside the waveguide tip, receives the microwave propagating through the waveguide, and extends into the chamber. Microwaves are emitted from the second part into the chamber to excite the laser gas in the chamberA conductor layer is provided on a side surface of the second portion of the extending member, and microwaves are emitted from the tip end surface of the second portion into the chamber; The microwave emission region of the tip surface of the portion is made into a slit shape having a width of 1/2 or more of the wavelength of the microwave in the extending memberIt is characterized by that.
Claim 2The invention described isClaim 1In the microwave excited gas laser device according to claim 1, the second portion of the extending member is also provided with a conductor layer on the distal end surface except for the slit-like microwave emission region. It is characterized by.
Claim 3The invention as described is claimed in claim 1.Or claim 2In the microwave excitation gas laser device described in 1., the chamber side tip of the waveguide is formed of a cylindrical tube having a rectangular cross section, and gradually along the traveling direction of the microwave injected from one opening. A taper with a small opening area is formed on the substrate.
Claim 4The invention as described is claimed in claim 1.Or claim 2The microwave-excited gas laser device according to claim 1, wherein the chamber-side tip of the waveguide is a straight waveguide formed of a cylindrical tube having a rectangular cross section.
Claim 5The described invention is, Claim 3OrClaim 4In the microwave excitation gas laser device described in 1), the first portion of the extending member has a taper having a gradually increasing cross-sectional area along the traveling direction of the microwave.
Claim 6The invention described isClaim 5In the microwave excitation gas laser device described in 1), a means for preventing gas in the chamber from leaking into the waveguide is provided between the chamber and the waveguide.
Claim 7The invention described isClaim 6The microwave-excited gas laser device according to claim 1, wherein the means for preventing is provided between the first part and the second part of the extending member and is made of the same material as the extending member. Alternatively, it includes a collar-like member made of a material having a thermal expansion coefficient equivalent thereto.
Claim 8The invention described isClaim 7The microwave-excited gas laser device described in 1) is characterized in that the extending member is made of ceramic.
Claim 9The invention described isClaim 7OrClaim 8In the microwave excitation gas laser device described in 1), the extending member and the collar member are integrally formed of the same material.
Claim 10The invention as described is from claim 1Any one of Claim 8In the microwave excited gas laser device according to claim 1, a largest cross-sectional area of the tapered portion in the first portion of the extending member is substantially equal to a cross-sectional area of a portion in contact with the chamber at the distal end portion of the waveguide. It is characterized by being equal.
Claim 11The invention as described is from claim 1Claim 9In the microwave excitation gas laser device according to any one of the above, the second portion of the extending member is configured so that a cross-sectional area is reduced in a microwave traveling direction.
Claim 12The invention as described is from claim 1Claim 9In the microwave excitation gas laser device according to any one of the above, the second portion of the extending member is configured such that the cross-sectional area does not substantially change in the traveling direction of the microwave except for the tip portion. It is characterized by that.
Claim 13An exposure apparatus according to the present invention as set forth in claim 1.Claim 12The microwave-excited gas laser device according to any one of the above is used as a light source.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The microwave excited gas laser device according to the first embodiment of the present invention is configured such that a member made of a material that transmits microwaves is installed so as to extend from the inside of the chamber-side tip of the waveguide to the inside of the chamber. The member receives a microwave propagating through the waveguide by providing a tapered portion at the first portion extending inside the waveguide tip, and emits the microwave into the chamber from the second portion extending into the chamber. Excitation of laser gas in the chamberA conductor layer is provided on the side surface of the second part of the extending member, microwaves are emitted from the tip surface of the second part into the chamber, and the tip surface of the second part of the extending member is The microwave emission region has a slit shape having a width of 1/2 or more of the wavelength of the microwave in the extending member.Is. With this configuration, the microwave transmitted through the air in the waveguide is incident on the member from the first portion, and the microwave is emitted from the second portion into the laser gas. Therefore, a microwave-excited ultraviolet laser device capable of continuous operation can be realized. Further, since the member has a tapered portion in the first portion, the microwave can be incident on the ceramic without reflection.Further, the plasma generated in the laser gas can be concentrated on the tip surface of the second portion. Moreover, high power microwave discharge can be caused in a thin and small volume.
Of the present inventionSecondThe embodiment ofFirstIn the microwave-excited gas laser device according to the embodiment, the second part of the extending member is also provided with a conductor layer on the tip surface except for the slit-like microwave emission region. . With this configuration, high power microwave discharge can be generated in a thin and small volume.
Of the present inventionThirdThe first embodiment is the firstOr secondIn the microwave-excited gas laser device according to the embodiment, the chamber-side tip portion of the waveguide is formed of a cylindrical tube having a rectangular cross section, and gradually along the traveling direction of the microwave injected from one opening. A taper with a small opening area is formed. With this configuration, the microwave can be incident on the ceramic without reflection.
Of the present invention4thThe first embodiment is the firstOr secondThe microwave-excited gas laser device according to the embodiment is a straight waveguide in which the chamber-side tip portion of the waveguide is formed of a cylindrical tube having a rectangular cross section. With this configuration, since a normal straight waveguide is used as the waveguide, it can be manufactured at low cost.
Of the present invention5thThe embodiment ofThirdOr4thIn the microwave-excited gas laser device according to the embodiment, the first part of the extending member has a taper that gradually increases in cross-sectional area along the traveling direction of the microwave. With this configuration, microwaves can be incident on the ceramic without reflection and radiated from the ceramic into the chamber.
Of the present invention6thThe embodiment of5thIn the microwave-excited gas laser device according to this embodiment, means for preventing the gas in the chamber from leaking into the waveguide is provided between the chamber and the waveguide.
Of the present invention7thThe embodiment of6thIn the microwave excitation gas laser device according to the embodiment, the means for preventing is the same material as or equivalent to the extending member provided between the first portion and the second portion of the extending member. It includes a collar-shaped member made of a material having a thermal expansion coefficient. With this configuration, since the thermal expansion coefficients of the two members to be brazed can be matched, it is possible to prevent not only the members extending during brazing but also the brim-like members from cracking.
Of the present invention8thThe embodiment of7thIn the microwave excited gas laser device according to the embodiment, the extending member is made of ceramic. With this configuration, fluorine gas can be used as the gas laser.
Of the present invention9thThe embodiment of7thOr8thIn the microwave excitation gas laser device according to the embodiment, the extending member and the collar-like member are integrally formed of the same material. With this configuration, it is not necessary to consider the coefficient of thermal expansion between members.
Of the present invention10thThe first embodiment is from the first8thIn the microwave-excited gas laser device according to the embodiment, the largest cross-sectional area of the tapered portion in the first portion of the extending member is substantially equal to the cross-sectional area of the portion in contact with the chamber at the distal end portion of the waveguide. is there. With this configuration, the microwave traveling in the waveguide can be efficiently propagated to the extending member.
Of the present invention11thThe first embodiment is from the first9thIn the microwave excitation gas laser device according to the embodiment, the second portion of the extending member is configured so that the cross-sectional area becomes small in the traveling direction of the microwave. With this configuration, microwaves with high power density can be emitted.
Of the present invention12thThe first embodiment is from the first9thIn the microwave excited gas laser device according to the embodiment, the second portion of the extending member is configured so that the cross-sectional area does not substantially change in the traveling direction of the microwave except for the tip portion. With this configuration, it is possible to reduce microwave loss in the second portion.
Of the present invention13thThe exposure apparatus according to the embodiment is from the first12thThe microwave excitation gas laser device according to any of the embodiments is used as a light source. With this configuration, it is possible to provide an exposure apparatus that does not shorten the lifetime of the optical components in the main body of the exposure apparatus even when the laser power from the exposure light source is increased.
[0008]
【Example】
Hereinafter, a microwave-excited ultraviolet gas laser device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
Example 1
FIG. 1 is a configuration diagram of a microwave-excited ultraviolet gas laser device 100 such as a microwave-excited excimer laser according to an embodiment of the present invention.
A microwave-excited ultraviolet gas laser device 100 includes a microwave oscillator 2 that generates a microwave by electric power supplied from a power supply 1, and waveguides 3a and 3b that propagate the microwaves oscillated by the microwave oscillator 2. An L-shaped waveguide 6, a tapered waveguide 7, a gas circulation path 9 for circulating laser gas, and a chamber 8 for introducing a microwave from the tapered waveguide 7 to generate laser light are provided. The frequency of the microwave oscillated by the microwave oscillator 2 is preferably 2.45 GHz in the S band, but an X band of 1.3 GHz in the L band or about 9 GHz may be used. The output of the microwave oscillator 2 can be 2 to 3 kW in order to oscillate the laser. However, it is preferably about 10 kW because the electric efficiency is higher as much as possible than this threshold value. The components of the laser gas in the KrF excimer laser are F2: Kr: He = 0.1%: 5%: 94.9%, and the total pressure is 2 atm. Note that Ne may be used instead of He as the buffer gas.
[0009]
The waveguide is composed of waveguides 3 a and 3 b, an L-shaped waveguide 6, and a tapered waveguide 7. The waveguide 3 a connects the microwave oscillator 2 and the isolator 4, the waveguide 3 b connects the isolator 4 and the tuner 5, and the L-shaped waveguide 6 and the tapered waveguide 7 are connected to the tuner 5. And the chamber 8 are connected. In the tapered waveguide 7, the microwave transmitted from the microwave oscillator 2 through the waveguide 3 a, the isolator 4, the waveguide 3 b, the tuner 5, and the L-shaped waveguide 6 into the laser gas in the chamber 8. Injected. Details will be described later.
The laser gas filled in the chamber 8 to which the tapered waveguide 7 is attached circulates in the gas circulation path 9 configured in a loop shape. The gas circulation path 9 is configured by connecting the heat exchanger 11, the chamber 8, and the blower 10 in a ring shape by piping. The heat exchanger 11 is disposed on the downstream side of the chamber 8 and has a function of cooling the laser gas heated by the microwave. The blower 10 has a function of flowing laser gas at a high speed.
In the chamber 8, the laser gas flows in the X-axis direction, the microwave is injected from the Y-axis direction, and the generated laser light L 1 is emitted from the
[0010]
Next, the operation of the microwave-excited ultraviolet gas laser device 100 will be described below. Microwaves (2.45 GHz in this case) are generated from the microwave oscillator 2 by the power supplied from the power supply 1. The microwave sequentially passes through the waveguide 3 a, the isolator 4, the waveguide 3 b, and the tuner 5, bends downward at the L-shaped waveguide 6, proceeds to the tapered waveguide 7, and passes from the tapered waveguide 7 to the chamber. 8 is injected into the laser gas.
On the other hand, the laser gas is circulated at high speed in the gas circulation path 9 configured in a loop shape by the blower 10 and is filled in the chamber 8. The laser gas filled in the chamber 8 is excited by the discharge by the microwave injected from the tapered waveguide 7 and oscillates. The laser beam L1 is taken out from the
[0011]
Next, the structure of the tapered waveguide 7 attached in the chamber 8 will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a perspective view of the tapered waveguide 7 and the tapered
The tapered
[0012]
A
[0013]
4 is a cross-sectional view of a connecting portion between the tapered waveguide 7 and the tapered
The microwave M transmitted in the taper waveguide 7 in the Y-axis direction and from the upper side to the lower side on the paper surface hits the tapered
The tapered
[0014]
Next, a manufacturing method as an integral part of the tapered
[0015]
As the material of the perforated plate 25 and the block 29, it is desirable to use the same kind of ceramic as the tapered
In addition, it is also preferable to use the same ceramic as the taper-shaped
The metallized surface 33 formed on one main surface of the perforated plate 25 is a surface that contacts the flange portion 70 of the tapered waveguide 7 as shown in FIGS. Because of this, the flange portion 70 of the tapered waveguide 7 and the perforated plate 25 are in electrical contact with each other, so that the microwave M propagating inside the tapered waveguide 7 can enter the tapered
As shown in FIGS. 4 and 1, when the microwave M is injected into the tapered waveguide 7, the microwave M propagates from the tapered waveguide 7 to the tapered
[0016]
The region where the
On the other hand, as shown in FIGS. 4A and 4B, when a ceramic block 29 is brazed to the metallized
[0017]
(Example 2)
FIG. 7 is a perspective view showing a configuration of a waveguide and a tapered ceramic rod of a microwave-excited ultraviolet gas laser device according to Embodiment 2 of the present invention. The same parts as those in FIG. A difference from FIG. 2 is that a straight waveguide 41 having no taper is used instead of a tapered waveguide.
In the present embodiment, since the tapered
According to this embodiment, since a normal straight waveguide 41 is used as a waveguide, it can be manufactured at a low cost.
[0018]
(Example 3)
FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of a waveguide and a tapered ceramic rod of a microwave excitation ultraviolet gas laser device according to Embodiment 3 of the present invention. The same parts as those in FIG. The difference from FIG. 7 is that the shape of the tapered
Also in this embodiment, the tapered
According to the present embodiment, similar to the second embodiment, since a normal straight waveguide 41 is used as a waveguide, it can be manufactured at low cost.
[0019]
Example 4
FIG. 9 is a perspective view showing a configuration of a waveguide and a tapered ceramic rod of a microwave-excited ultraviolet gas laser device according to Embodiment 4 of the present invention.
In this embodiment, the tapered
As shown in FIG. 10, the taper-shaped ceramic rod 45 welds an alumina surface 47 to the outside of the metallized portion 46 that forms a waveguide on the chamber 8 side. A slit 48 is formed on the alumina surface 47 so that the ceramic of the tapered ceramic rod 45 is exposed at the tip of the tapered ceramic rod 45, and microwaves are emitted from the slit 48. By welding the alumina surface 47 to the outside of the metallized portion 46, the plasma generated by the microwaves emitted from the slits 48 does not spread in the left-right direction, and the plasma density can be increased. The dimensions and the like of the slit 48 are the same as those of the
[0020]
(Example 5)
FIG. 11 is a Z-axis sectional view showing a part of the tapered waveguide 7 and the chamber 8 of the microwave excitation ultraviolet gas laser apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. The tapered ceramic rod 51 in the present embodiment has a shape in which the tapered
The feature of the present embodiment is that it is not necessary to braze the perforated plate 25 as in the first embodiment and the fourth embodiment, and the manufacture becomes easy. When brazing the perforated plate 25, it is necessary to deposit metal on the surface of the tapered
Note that the plasma 55 generated by the microwave can be prevented from spreading by further welding alumina at a position facing the inside of the chamber body 54 at the portion where the gold paste 53 is welded.
[0021]
(Example 6)
12A and 12B are views showing a part of a tapered waveguide 7 and a chamber 8 of a microwave-excited ultraviolet gas laser device according to a sixth embodiment of the present invention. FIG. 12A is a Z-axis sectional view, and FIG. It is an axial sectional view.
In this embodiment, when the end portion of the tapered
The laser gas in the chamber 8 is excited by the microwave emitted from the tip of the T-shaped portion of the tapered
[0022]
13A and 13B are conceptual diagrams for explaining a method of manufacturing the tapered
[0023]
As shown in FIG. 14, the dimension of the T-shaped
For example, if D1 = 16 mm and D3 = 0.4 mm, D2 = 2.5 mm. Further, H = λg / 4 = 12 mm.
It is not necessary to set the lengths D1, D2, and D3 of each part of the T-shaped
In the tapered
As in this embodiment, the microwave emitting side of the tapered
[0024]
(Example 7)
FIG. 15 is a perspective view of a portion for guiding the microwave into the laser chamber in the microwave excited ultraviolet gas laser apparatus according to the seventh embodiment of the present invention. In this embodiment, a straight waveguide 71 having a length of approximately ¼ of the guide wavelength λg is connected to the outlet of the L-shaped waveguide 6 shown in FIG. Connect the tube 72. Inside the tapered waveguide 72, a tapered ceramic rod 73 having a T-shaped tip as described in FIGS. 12 to 14 is fitted. The metallization is peeled off in the shape of a narrow slit at the tip of the T-shape, and the microwave 75 a that travels from the L-shaped waveguide 6 through the waveguide 71, the tapered waveguide 72, and the tapered ceramic rod 73. Is emitted as microwave 75b from the slit at the tip of the T-shape.
In this embodiment, a straight waveguide 71 having a cross-sectional portion smaller than the cross-sectional portion of the L-shaped waveguide 6 is connected to the L-shaped waveguide 6, and the length thereof is approximately 1 of the in-tube wavelength λg. Since it is / 4, it functions as a λg / 4 transformer. Therefore, the incident microwave 75a can travel with almost no reflection. Thus, by applying the λg / 4 transformer, the cross-sectional dimensions of the tapered waveguide 72 and the tapered ceramic rod 73 can be reduced. As a result, the cross-sectional area of the microwave 75b emitted into the chamber 8 can be further reduced, so that the microwave power per unit area is increased and high-density plasma is easily generated. Further, since the length of the tapered ceramic rod 72 can be shortened, the loss of microwaves in the tapered ceramic rod 72 can be reduced, and the microwave transmission efficiency is improved.
[0025]
(Example 8)
Next, an embodiment of an exposure apparatus using the microwave excitation excimer laser device 100 of the present invention shown in FIG. 1 as an exposure light source will be described with reference to FIG.
FIG. 16 is a block diagram of the exposure apparatus 200. In the exposure apparatus 200, the microwave excitation excimer laser apparatus 100 shown in FIG. 1 is used as the exposure light source 81. An exposure light source 81 and an exposure machine main body 82 constituting the exposure apparatus 200 are installed on a grating 83.
The ultraviolet laser beam L1 extracted from the exposure light source 81 travels into the exposure apparatus main body 82, is reflected by the mirror 84a, travels upward, and travels through the uniformizing optical system 85. As a result, a laser beam L2 having a uniform light intensity distribution in the beam cross section is produced, reflected by the mirror 84b, proceeds to the shaping optical system 86, and the beam is expanded. The laser beam L3 emitted therefrom is reflected by the mirror 84c, passes through the condenser lens 87, and enters the reticle 88. The laser beam L4 emitted from the reticle 88 passes through the reduction projection lens 89 to become the laser beam L5, and this laser beam L5 irradiates the wafer 90 coated with a resist. At this time, light having a pattern on the reticle 88 is transferred onto the wafer 90 to be exposed in a pattern. The wafer 90 is placed on the stage 91 so that the wafer 90 can be instantaneously moved for each exposure shot.
In this embodiment, since the microwave excitation excimer laser device 100 is used as the exposure light source 81, the laser beam L1 used is a continuous wave. Therefore, the optical components such as the homogenizing optical system 85, the shaping optical system 86, the condenser lens 87, and the reduction projection lens 89 are not damaged. In particular, the microwave-excited excimer laser device 100 that is the exposure light source 81 is more efficient than the conventional device, and the microwave power can be used to generate plasma, so that the output of the laser beam is improved. As a result, the exposure processing speed as the exposure apparatus 200 is also improved. When a conventional pulse type excimer laser is used as an exposure light source, the increase in laser output may increase the damage to the various optical components described above and reduce the lifetime, but according to this embodiment, Even if the laser power from the exposure light source 81 is increased, the lifetime of the optical components in the exposure machine main body 82 is not shortened.
[0026]
【The invention's effect】
According to the present invention, the tapered ceramic rod is disposed across the internal space of both the waveguide for propagating the microwave and the chamber filled with the laser gas, and other than the microwave exit port on the chamber side of the ceramic rod. By applying metallization to the surface, the microwave that has been transmitted through the air in the waveguide is incident on the tapered ceramic rod, and the laser gas is excited only in a narrow and small area by the microwave emitted from the exit port. Can do. Therefore, a sufficiently high power density microwave can be emitted, and a high excitation density required for continuous operation of the laser can be achieved.
In addition, the taper-shaped ceramic rod is brazed to a perforated plate made of a material having the same thermal expansion coefficient as that of the ceramic and attached to the chamber, so that the thermal expansion coefficients of the two members to be brazed can be matched. When attaching, not only the tapered ceramic rod but also the perforated plate will not crack.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a microwave-excited excimer laser device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view of a tapered waveguide and a tapered ceramic rod disposed therein according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view of a slit portion of a tapered ceramic rod in the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a connecting portion between a tapered waveguide and a tapered ceramic rod and a chamber in the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining a manufacturing method as an integral part of a tapered ceramic rod, a perforated plate, and a block in the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a sectional view of a tapered waveguide and a connecting portion between a tapered ceramic rod and a chamber for explaining a plasma generation region in the first embodiment of the present invention;
FIG. 7 is a perspective view showing a configuration of a waveguide and a tapered ceramic rod of a microwave-excited ultraviolet gas laser device according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of a waveguide and a tapered ceramic rod of a microwave excited ultraviolet gas laser device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a perspective view showing a configuration of a waveguide and a tapered ceramic rod of a microwave-excited ultraviolet gas laser device according to Embodiment 4 of the present invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view of a part of a connecting portion between a tapered ceramic rod and a chamber of a microwave-excited ultraviolet gas laser device according to Embodiment 4 of the present invention.
FIG. 11 is a sectional view showing a part of a tapered waveguide and a chamber of a microwave-excited ultraviolet gas laser apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view of a part of a coupling portion between a tapered waveguide and a chamber of a microwave-excited ultraviolet gas laser apparatus according to Embodiment 6 of the present invention
FIG. 13 is a conceptual diagram illustrating a manufacturing method for manufacturing a tapered ceramic rod and a perforated member as an integral part of a microwave-excited ultraviolet gas laser apparatus according to Embodiment 6 of the present invention.
14 is a partially enlarged view of FIG.
FIG. 15 is a perspective view of a portion for guiding microwaves into a laser chamber in a microwave-excited ultraviolet gas laser apparatus according to Embodiment 7 of the present invention.
FIG. 16 is a block diagram of an embodiment of an exposure apparatus using the microwave-excited excimer laser device of the present invention as an exposure light source.
FIG. 17 is a configuration diagram of a conventional microwave excitation ultraviolet laser device.
[Explanation of symbols]
2 Microwave oscillator
3, 3a, 3b waveguide
4 Isolator
5 Tuner
6 L-shaped waveguide
7, 72 Tapered waveguide
8 chambers
9 Gas circulation route
10 Blower
11 Heat exchanger
21, 42, 45, 51, 61, 73 Tapered ceramic rod
22, 43 Taper part
23, 46 Metallization part
24 Slit
25 hole plate
27, 52, 63 O-ring
28, 55, 65 Plasma
29 blocks
30, 54 Chamber body
31, 32, 33, 35, 68, 69 Metallized surface
41, 71 Straight waveguide
47 Alumina surface
48 slits
53 Gold paste
62 Hole member
66 T-shaped part
70 Flange
81 Exposure light source
82 Exposure machine
83 Grating
84a, 84b Mirror
85 Homogenizing optical system
86 Shaping optics
87 condenser lens
88 reticle
89 Reduction projection lens
90 wafers
91 stages
100 Microwave excitation excimer laser device
200 Exposure equipment
Claims (13)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003011878A JP4159889B2 (en) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | Microwave excitation gas laser apparatus and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003011878A JP4159889B2 (en) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | Microwave excitation gas laser apparatus and exposure apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004228183A JP2004228183A (en) | 2004-08-12 |
| JP4159889B2 true JP4159889B2 (en) | 2008-10-01 |
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ID=32900652
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003011878A Expired - Fee Related JP4159889B2 (en) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | Microwave excitation gas laser apparatus and exposure apparatus |
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| Country | Link |
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-
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|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060118 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060810 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080117 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080204 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080204 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080204 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080204 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080624 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080716 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 4 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |