JP4174909B2 - Switch circuit - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、映像信号等の信号切替を行うスイッチ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
映像信号の切替回路として、差動タイプの切替回路が使用されている。図3に従来の電流モードスイッチ回路を示す。
従来の電流モードスイッチ回路は、SWa1、SWa2、トランジスタQa1〜トランジスタQa5、電流源Ia1〜Ia3から構成されている。トランジスタQa1とトランジスタQa2で第1の差動アンプを構成し、トランジスタQa3とトランジスタQa4で第2の差動アンプを構成している。トランジスタQa5は、出力トランジスタである。
【0003】
INa1及びINa2は映像入力端子、OUTaは出力端子である。また、VCCは電源電圧であり、GNDはグランドである。
また、スイッチSWa1、SWa2は、半導体で構成され、ロジック回路の出力で制御しても良いし、直接、ハイレベル又はローレベルを印加するように構成してもよい。
【0004】
また、スイッチSWa1が閉じている場合はSWa2は開いており、スイッチSWa2が閉じている場合はSWa1は開いている。SWa1が開くとINa1に印加されている映像信号が、トランジスタQa1のベース⇒トランジスタQa1のエミッタ⇒トランジスタQa2のエミッタ⇒トランジスタQa2のコレクタ・ベース⇒トランジスタQa5のベースを介して、出力端子OUTaから出力される。
【0005】
また、SWa2が開くとINa2に印加されている映像信号が、トランジスタQa3のベース⇒トランジスタQa3のエミッタ⇒トランジスタQa4のエミッタ⇒トランジスタQa4のコレクタ・ベース⇒トランジスタQa5のベースを介して、出力端子OUTaから出力される。このように、スイッチSWa1が開くことにより、INa1に印加されている映像信号が出力端子OUTaに出力され、イッチSWa2が開くことにより、INa2に印加されている映像信号が出力端子OUTaに出力される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、INa1又はINa2から入力された信号は、トランジスタQa2のコレクタ・ベース、トランジスタQa4のコレクタ・ベース、トランジスタQa5のベースの高インピーダンスライン(La)を通り、トランジスタQa5のエミッタを介して、OUTaに出力される。
【0007】
ところで、SWa1がONして、OUTaに入力信号V1が出力されているとき、INa2と回線La間にできる寄生のインピーダンス(Z2)とGNDと回線La間のインピーダンス(Z1)によって、信号V2が、OUTaに漏れる。つまり、図4に示すように、信号V2は、スイッチSWa1がOFFであるにも拘わらず、
V2×Z1/(Z1+Z2) ・・・・・・・(1)
の大きさのV2が、回線Laに漏れる。
【0008】
(1)式によれば、Z1が大きいと、漏れ(クロストーク)が大きくなり、Z1が小さいと漏れが小さくなる。また、Z2が大きいと、漏れが小さくなり、Z2が小さいと漏れが大きくなる。
従来のものは、GNDと回線La間のインピーダンス(Z1)が大きく、クロストークが発生するという問題があった。
【0009】
特に、映像信号のような高周波領域では、Z2が小さく、大きなクロストークが発生するという問題があった。
また、トランジスタQa2及びトランジスタQa4は、全帰還のアンプ構成になっており、良好な周波数特性が得にくく、良好な周波数特性を確保するために、電流源Ia1及び電流源Ia2の電流を増加させねばならないという問題があった。
【0010】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、スイッチ回路において、クロストークを少なくし、高周波数領域での周波数特性を向上させることを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載された発明は、エミッタを共通接続した複数のエミッタフォロワトランジスタ(例えば、図1におけるトランジスタQb2、トランジスタQb4)と、該複数のエミッタフォロワトランジスタのベースにそれぞれ接続された複数のベース接地トランジスタ(例えば、図1におけるトランジスタQb1、トランジスタQb3)と、該複数のベース接地トランジスタのコレクタにそれぞれ接続された複数の信号入力端子と、前記複数のベース接地トランジスタのベースにそれぞれ接続された複数のスイッチ回路(例えば、図1におけるスイッチSWb1、スイッチSWb2)と、前記エミッタフォロワトランジスタのエミッタに、ベースが接続された出力トランジスタ(例えば、図1におけるトランジスタQb5)とを有し、前記複数のベース接地トランジスタのベースには、それぞれ電流源が接続され、前記複数の信号入力端子には、それぞれ信号が印加され、前記複数のスイッチの一つを開くことにより、開かれたスイッチが接続されている前記ベース接地トランジスタのコレクタに接続された前記信号入力端子に印加されている信号を、前記出力トランジスタのエミッタから出力し、前記エミッタフォロワトランジスタ(例えば、図2におけるトランジスタQc2、トランジスタQc4)のエミッタと前記出力トランジスタ(例えば、図2におけるトランジスタQc5)のベース間に、前記エミッタフォロワトランジスタと差動回路を構成する差動回路構成トランジスタ(例えば、図2におけるトランジスタQc6)を設け、該差動回路構成トランジスタのエミッタは、前記エミッタフォロワトランジスタのエミッタに接続され、前記差動回路構成トランジスタは、コレクタとベースが接続され、前記差動回路構成トランジスタのコレクタとベースの接続点に、電流源と前記出力トランジスタのベースとが接続され、前記出力トランジスタのエミッタから出力信号を得ることを特徴とするスイッチ回路である。
【0012】
請求項1記載の発明によれば、エミッタを共通接続した複数のエミッタフォロワトランジスタと、複数のエミッタフォロワトランジスタの各ベースにそれぞれ接続されたベース接地トランジスタとを有し、ベース接地トランジスタの各コレクタには信号入力端子が接続され、ベース接地トランジスタの各ベースにはスイッチ回路が接続され、ベースに接続されたスイッチが開くことにより、ベース接地トランジスタのコレクタに接続された前記信号入力端子からの信号を、エミッタフォロワトランジスタのエミッタから出力することにより、高周波数におけるクロストークを少なくし、高周波数領域での周波数特性を向上させることができる。
また、エミッタフォロワトランジスタのエミッタと出力トランジスタのベース間に、順方向にダイオードを設けたことにより、トランジスタのベース・エミッタ間電圧に基づく温度特性が半分となり、さらに、電源電圧VCCに対して使用できる電圧も電源電圧VCC−VF(VF:トランジスタのベース・エミッタ間電圧 ) まで使用することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
本発明の電流モードスイッチ回路を図1に示す。
本発明の電流モードスイッチ回路は、SWb1、SWb2、トランジスタQb1〜トランジスタQb5、電流源Ib1〜Ib4から構成されている。トランジスタQb2とトランジスタQb4は、エミッタフォロワ回路である。またトランジスタQb2とトランジスタQb4のエミッタは直接接続されている。トランジスタQb5は、出力トランジスタである。
【0016】
INb1及びINb2は、映像入力端子、OUTbは出力端子である。また、VCCは電源電圧であり、GNDはグランドである。
また、スイッチSWb1、SWb2は、半導体で構成され、ロジック回路の出力で制御しても良いし、直接、ハイレベル又はローレベルを印加するように構成してもよい。
【0017】
また、スイッチSWb1が閉じている場合はSWb2は開いており、スイッチSWb2が閉じている場合はSWb1は開いている。SWb1が開くとINb1に印加されている映像信号が、トランジスタQb1のコレクタ⇒トランジスタQb1のエミッタ⇒トランジスタQb2のベース⇒トランジスタQb2のエミッタ⇒トランジスタQb5のベースを介して、出力端子OUTbから出力される。
【0018】
また、SWb2が開くとINb2に印加されている映像信号が、トランジスタQb3のコレクタ⇒トランジスタQb3のエミッタ⇒トランジスタQb4のベース⇒トランジスタQb4のエミッタ⇒トランジスタQb5のベースを介して、出力端子OUTbから出力される。このように、スイッチSWb1が開くことにより、INb1に印加されている映像信号が出力端子OUTbに出力され、スイッチSWb2が開くことにより、INb2に印加されている映像信号が出力端子OUTbに出力される。
【0019】
この電流モードスイッチ回路では、INb1又はINb2から入力された信号は、トランジスタQb2のエミッタ、トランジスタQb4のエミッタ、トランジスタQb5のベースの低インピーダンスライン(Lb)を通り、OUTbに出力される。
また、信号が、低インピーダンスラインを流れるので、他の信号が飛び込みにくいということであり、特に、寄生容量により、高周波数におけるクロストークに対して有利である。
【0020】
また、トランジスタQb2及びトランジスタQb4は、エミッタフォロワ回路を構成したので、高周波数領域での周波数特性を確保することができる。
また、図1の回路は、差動増幅器の構成としていないので、図3のようにトランジスタQa1とトランジスタQa2及びトランジスタQa3とトランジスタQa4の特性を揃える必要がない。
【0021】
ところで、図1の電流モードスイッチ回路では、トランジスタQb2又はトランジスタQb4のエミッタは、電源電圧VCCに対して、トランジスタのベース・エミッタ間電圧(VF)だけ下がった電位である。また、トランジスタQb5のエミッタは、トランジスタQb5のベースに対して、さらに、トランジスタのベース・エミッタ間電圧(VF)だけ下がった電位である。従って、トランジスタQb5のエミッタは、入力INb1、INb2に対して、トランジスタQb1及びQb3のコレクタ・エミッタ間のサチレーション電圧(約0.2V)を無視すれば、2倍のトランジスタのベース・エミッタ間電圧(2×VF)だけ下がった電位である。
【0022】
また、トランジスタのベース・エミッタ間電圧は、−2mV/℃の温度特性を有し、二つのベース・エミッタ間電圧を介して出力されるので、図3の一つのベース・エミッタ間電圧を介して出力される従来例に比しても、2倍の温度特性となっている。また、2×VFは固定で、増幅に使用できる幅は、電源電圧VCC−2×VFであり、従来例より、使用幅が小さい。つまり、トランジスタのベース・エミッタ間電圧は、約0.7Vであるから、電源電圧VCCが、3Vとした場合は、トランジスタQb1及びQb3のコレクタ・エミッタ間のサチレーション電圧を無視すれば、1.4V(3−1.4×2=1.4)しか使用できない。
【0023】
これを改良した電流モードスイッチ回路を図2に示す。
改良した電流モードスイッチ回路は、SWc1、SWc2、トランジスタQc1〜トランジスタQc6、電流源Ic1〜Ic5から構成されている。トランジスタQc2とトランジスタQc4は、エミッタフォロワ回路である。またトランジスタQc2とトランジスタQc4のエミッタは直接接続されている。トランジスタQc5は、出力トランジスタである。トランジスタQc6は、トランジスタのベース・エミッタ間電圧(VF)だけトランジスタQc5のエミッタ電位を上げるためのトランジスタである。図2の電流モードスイッチ回路は、図1に対して、電流源Ic5とトランジスタQc6が付加された点が異なる。
【0024】
INc1及びINc2は、映像入力端子、OUTcは出力端子である。また、VCCは電源電圧であり、GNDはグランドである。
SWc1が閉じるとINc1に印加されている映像信号が、トランジスタQc1のコレクタ⇒トランジスタQc1のエミッタ⇒トランジスタQc2のベース⇒トランジスタQc2のエミッタ⇒トランジスタQc6のエミッタ⇒トランジスタQc6のベース⇒トランジスタQc5のベースを介して、出力端子OUTcから出力される。
【0025】
また、SWc2が開くとINc2に印加されている映像信号が、トランジスタQc3のコレクタ⇒トランジスタQc3のエミッタ⇒トランジスタQc4のベース⇒トランジスタQc4のエミッタ⇒トランジスタQc6のエミッタ⇒トランジスタQc6のベース⇒トランジスタQc5のベースを介して、出力端子OUTcから出力される。
【0026】
このように、スイッチSWc1が開くことにより、INc1に印加されている映像信号が出力端子OUTcに出力され、スイッチSWc2が開くことにより、INc2に印加されている映像信号が出力端子OUTcに出力される。また、トランジスタQc6は、トランジスタのベース・エミッタ間電圧(VF)だけトランジスタQc5のエミッタ電位を上げる機能を有する。
【0027】
その結果、図1の電流モードスイッチ回路に比して温度特性が半分となり、使用幅も電源電圧VCC−VFと広くなる。なお、上記実施の形態では、トランジスタを用いた例について説明したが、FETを用いても同様に実施することができる。また、上記実施の形態では、二つの信号入力の例について説明したが、入力信号は二つに限ることなく、複数の入力信号に対応することができる。この場合、出力される信号が印加された入力端子に接続されたベース接地トランジスタのスイッチが開くことにより、所望の信号を出力させる。
【0028】
また、上記実施の形態では、映像信号の例について説明したが、映像信号に限らず他の信号でもよい。
また、回線Lb、Lcのインピーダンス、寄生容量で、クロストークの量がほぼ決まるが、回線Lb、Lcは、低インピーダンスに保たれ、クロストークを低減することができる。
【0029】
また、エミッタフォロワ回路を用いているので、高い周波数特性を得ることができる。例えば、従来、20MHZ 程度のものが、100〜200MHZ まで延ばすことができる。
【0030】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を奏することができる。
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を奏することができる。
請求項1記載の発明によれば、エミッタを共通接続した複数のエミッタフォロワトランジスタと、該複数のエミッタフォロワトランジスタのベースにそれぞれ接続された複数のベース接地トランジスタと、該複数のベース接地トランジスタのコレクタにそれぞれ接続された複数の信号入力端子と、前記複数のベース接地トランジスタのベースにそれぞれ接続された複数のスイッチ回路とを有し、前記複数の信号入力端子には、それぞれ信号が印加され、前記複数のスイッチの一つを開くことにより、開かれたスイッチが接続されている前記ベース接地トランジスタのコレクタに接続された前記信号入力端子に印加されている信号を、前記エミッタフォロワトランジスタのエミッタから出力することにより、高周波数におけるクロストークを少なくし、高周波数領域での周波数特性を向上させることができる。
また、エミッタフォロワトランジスタのエミッタと出力トランジスタのベース間に、順方向にダイオードを設けたことにより、トランジスタのベース・エミッタ間電圧に基づく温度特性が半分となり、さらに、電源電圧VCCに対して使用できる電圧も電源電圧VCC−VF(VF:トランジスタのベース・エミッタ間電圧 ) まで使用することができる。
【0031】
請求項2記載の発明によれば、エミッタフォロワトランジスタのエミッタと出力トランジスタのベース間に、順方向にダイオードを設けたことにより、トランジスタのベース・エミッタ間電圧に基づく温度特性が半分となり、さらに、電源電圧VCCに対して使用できる電圧も電源電圧VCC−VF(VF:トランジスタのベース・エミッタ間電圧) まで使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を説明するための図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態を説明するための図である。
【図3】従来例を説明するための図である。
【図4】クロストークを説明するための図である。
【符号の説明】
Qa1〜Qa5、Qb1〜Qb5、Qc1〜Qc6 トランジスタ
Ia1〜Ia3、Ib1〜Ib4、Ic1〜Ic5 電流源
INa1、INa2、INb1、INb2、INc1、INc2 入力端子
OUTa、OUTb、OUTc 出力端子
VCC 電源電圧
SWa1、SWa2、SWb1、SWb2、SWc1、SWc2 スイッチ
V クロストーク源
Z1、Z2 インピーダンス[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a switch circuit for switching a signal such as a video signal.
[0002]
[Prior art]
As a video signal switching circuit, a differential type switching circuit is used. FIG. 3 shows a conventional current mode switch circuit.
The conventional current mode switch circuit includes SWa1 and SWa2, transistors Qa1 to Qa5, and current sources Ia1 to Ia3. Transistor Qa1 and transistor Qa2 constitute a first differential amplifier, and transistor Qa3 and transistor Qa4 constitute a second differential amplifier. The transistor Qa5 is an output transistor.
[0003]
INa1 and INa2 are video input terminals, and OUTa is an output terminal. VCC is a power supply voltage, and GND is a ground.
The switches SWa1 and SWa2 are made of semiconductors and may be controlled by the output of the logic circuit, or may be configured to directly apply a high level or a low level.
[0004]
When the switch SWa1 is closed, SWa2 is open, and when the switch SWa2 is closed, SWa1 is open. When SWa1 is opened , the video signal applied to INa1 is output from the output terminal OUTa via the base of transistor Qa1, the emitter of transistor Qa1, the emitter of transistor Qa2, the collector and base of transistor Qa2, and the base of transistor Qa5. The
[0005]
When SWa2 is opened , the video signal applied to INa2 is output from the output terminal OUTa via the base of transistor Qa3 → the emitter of transistor Qa3 → the emitter of transistor Qa4 → the collector / base of transistor Qa4 → the base of transistor Qa5. Is output. Thus, when the switch SWa1 is opened , the video signal applied to the INa1 is output to the output terminal OUTa, and when the switch SWa2 is opened , the video signal applied to the INa2 is output to the output terminal OUTa. .
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the signal input from INa1 or INa2 passes through the high impedance line (La) of the collector / base of the transistor Qa2, the collector / base of the transistor Qa4, and the base of the transistor Qa5, and passes through the emitter of the transistor Qa5 to OUTa. Is output.
[0007]
By the way, when SWa1 is turned on and the input signal V1 is output to OUTa, the signal V2 is caused by the parasitic impedance (Z2) formed between INa2 and the line La and the impedance (Z1) between GND and the line La. Leak into OUTa. That is, as shown in FIG. 4, the signal V <b> 2 is generated even though the switch SWa <b> 1 is OFF.
V2 × Z1 / (Z1 + Z2) (1)
Of V2 leaks to the line La.
[0008]
According to equation (1), when Z1 is large, leakage (crosstalk) increases, and when Z1 is small, leakage decreases. Further, when Z2 is large, the leakage is small, and when Z2 is small, the leakage is large.
The conventional device has a problem that the impedance (Z1) between the GND and the line La is large, and crosstalk occurs.
[0009]
In particular, in a high frequency region such as a video signal, there is a problem that Z2 is small and large crosstalk occurs.
The transistors Qa2 and Qa4 have a full feedback amplifier configuration, and it is difficult to obtain good frequency characteristics. To ensure good frequency characteristics, the currents of the current source Ia1 and the current source Ia2 must be increased. There was a problem of not becoming.
[0010]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to reduce crosstalk and improve frequency characteristics in a high frequency region in a switch circuit.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
Multiple The invention described in
[0012]
According to the first aspect of the present invention, there are provided a plurality of emitter follower transistors having emitters connected in common, and a grounded base transistor connected to each base of the plurality of emitter follower transistors. The signal input terminal is connected, a switch circuit is connected to each base of the base-grounded transistor, and a signal connected to the collector of the base-grounded transistor is opened by opening a switch connected to the base. By outputting from the emitter of the emitter follower transistor, crosstalk at high frequencies can be reduced and frequency characteristics in the high frequency region can be improved.
Further, by providing a diode in the forward direction between the emitter of the emitter-follower transistor and the base of the output transistor, the temperature characteristic based on the base-emitter voltage of the transistor is halved and can be used for the power supply voltage VCC. The voltage can also be used up to the power supply voltage VCC-VF (VF: voltage between the base and emitter of the transistor ) .
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
A current mode switch circuit of the present invention is shown in FIG.
The current mode switch circuit of the present invention includes SWb1 and SWb2, transistors Qb1 to Qb5, and current sources Ib1 to Ib4. Transistors Qb2 and Qb4 are emitter follower circuits. The emitters of the transistors Qb2 and Qb4 are directly connected. The transistor Qb5 is an output transistor.
[0016]
INb1 and INb2 are video input terminals, and OUTb is an output terminal. VCC is a power supply voltage, and GND is a ground.
Further, the switches SWb1 and SWb2 are made of a semiconductor and may be controlled by an output of a logic circuit, or may be configured to directly apply a high level or a low level.
[0017]
Further, SWb2 is open when the switch SWb1 is closed, and SWb1 is open when the switch SWb2 is closed. When SWb1 is opened, the video signal applied to INb1 is output from the output terminal OUTb via the collector of transistor Qb1, the emitter of transistor Qb1, the base of transistor Qb2, the emitter of transistor Qb2, and the base of transistor Qb5.
[0018]
When SWb2 is opened , the video signal applied to INb2 is output from the output terminal OUTb via the collector of transistor Qb3 → the emitter of transistor Qb3 → the base of transistor Qb4 → the emitter of transistor Qb4 → the base of transistor Qb5. The Thus, when the switch SWb1 is opened , the video signal applied to the INb1 is output to the output terminal OUTb, and when the switch SWb2 is opened , the video signal applied to the INb2 is output to the output terminal OUTb. .
[0019]
In this current mode switch circuit, a signal input from INb1 or INb2 passes through the low impedance line (Lb) of the emitter of transistor Qb2, the emitter of transistor Qb4, and the base of transistor Qb5, and is output to OUTb.
Further, since the signal flows through the low impedance line, it is difficult for other signals to jump in. In particular, the parasitic capacitance is advantageous for crosstalk at a high frequency.
[0020]
In addition, since the transistor Qb2 and the transistor Qb4 constitute an emitter follower circuit, it is possible to ensure frequency characteristics in a high frequency region.
Further, since the circuit of FIG. 1 is not configured as a differential amplifier, it is not necessary to make the characteristics of the transistors Qa1 and Qa2 and the transistors Qa3 and Qa4 uniform as shown in FIG.
[0021]
By the way, in the current mode switch circuit of FIG. 1, the emitter of the transistor Qb2 or the transistor Qb4 has a potential that is lower than the power supply voltage VCC by the base-emitter voltage (VF) of the transistor. Further, the emitter of the transistor Qb5 is a potential that is further lower than the base of the transistor Qb5 by the base-emitter voltage (VF) of the transistor. Therefore, if the saturation voltage (about 0.2 V) between the collectors and emitters of the transistors Qb1 and Qb3 is ignored with respect to the inputs INb1 and INb2, the emitter of the transistor Qb5 is twice the base-emitter voltage of the transistor (approximately The potential is lowered by 2 × VF).
[0022]
Further, the base-emitter voltage of the transistor has a temperature characteristic of −2 mV / ° C. and is output via two base-emitter voltages. Even compared with the conventional example that is output, the temperature characteristic is doubled. Further, 2 × VF is fixed, and the width that can be used for amplification is the power supply voltage VCC-2 × VF, which is smaller than the conventional example. That is, since the base-emitter voltage of the transistor is about 0.7V, when the power supply voltage VCC is 3V, if the saturation voltage between the collectors and emitters of the transistors Qb1 and Qb3 is ignored, 1.4V Only (3-1.4 × 2 = 1.4) can be used.
[0023]
An improved current mode switch circuit is shown in FIG.
The improved current mode switch circuit includes SWc1 and SWc2, transistors Qc1 to Qc6, and current sources Ic1 to Ic5. Transistors Qc2 and Qc4 are emitter follower circuits. The emitters of the transistors Qc2 and Qc4 are directly connected. The transistor Qc5 is an output transistor. The transistor Qc6 is a transistor for raising the emitter potential of the transistor Qc5 by the base-emitter voltage (VF) of the transistor. The current mode switch circuit of FIG. 2 differs from FIG. 1 in that a current source Ic5 and a transistor Qc6 are added.
[0024]
INc1 and INc2 are video input terminals, and OUTc is an output terminal. VCC is a power supply voltage, and GND is a ground.
When SWc1 is closed, the video signal applied to INc1 passes through the collector of transistor Qc1, the emitter of transistor Qc1, the base of transistor Qc2, the emitter of transistor Qc2, the emitter of transistor Qc6, the base of transistor Qc6, and the base of transistor Qc5. And output from the output terminal OUTc.
[0025]
When SWc2 is opened , the video signal applied to INc2 is changed from the collector of transistor Qc3 to the emitter of transistor Qc3 to the base of transistor Qc4 to the emitter of transistor Qc4 to the emitter of transistor Qc6 to the base of transistor Qc6 to the base of transistor Qc5. Through the output terminal OUTc.
[0026]
Thus, when the switch SWc1 is opened , the video signal applied to the INc1 is output to the output terminal OUTc, and when the switch SWc2 is opened , the video signal applied to the INc2 is output to the output terminal OUTc. . The transistor Qc6 has a function of increasing the emitter potential of the transistor Qc5 by the base-emitter voltage (VF) of the transistor.
[0027]
As a result, the temperature characteristic is halved as compared with the current mode switch circuit of FIG. 1, and the use width is widened to the power supply voltage VCC-VF. In the above-described embodiment, an example using a transistor has been described. However, the present invention can also be implemented using an FET. In the above embodiment, an example of two signal inputs has been described. However, the number of input signals is not limited to two, and a plurality of input signals can be handled. In this case, a desired signal is output by opening the switch of the grounded base transistor connected to the input terminal to which the output signal is applied.
[0028]
In the above embodiment, an example of a video signal has been described. However, the present invention is not limited to a video signal and may be another signal.
Further, although the amount of crosstalk is substantially determined by the impedance and parasitic capacitance of the lines Lb and Lc, the lines Lb and Lc are kept at a low impedance, and the crosstalk can be reduced.
[0029]
In addition, since the emitter follower circuit is used, high frequency characteristics can be obtained. For example, the conventional one of about 20 MHz can be extended to 100 to 200 MHz.
[0030]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the following various effects can be achieved.
As described above, according to the present invention, the following various effects can be achieved.
According to the first aspect of the invention, a plurality of emitter-follower transistors connected in common emitter jitter, and a plurality of common base transistor connected to the bases of the emitter follower transistor of the plurality, the plurality of common base transistor A plurality of signal input terminals respectively connected to the collectors of the plurality of transistors, and a plurality of switch circuits respectively connected to the bases of the plurality of grounded base transistors, and signals are applied to the plurality of signal input terminals, respectively. The signal applied to the signal input terminal connected to the collector of the grounded base transistor to which the opened switch is connected by opening one of the plurality of switches, the emitter of the emitter follower transistor To reduce crosstalk at high frequencies. Comb, it is possible to improve the frequency characteristic in the high frequency range.
Further, by providing a diode in the forward direction between the emitter of the emitter-follower transistor and the base of the output transistor, the temperature characteristic based on the base-emitter voltage of the transistor is halved and can be used for the power supply voltage VCC. The voltage can also be used up to the power supply voltage VCC-VF (VF: voltage between the base and emitter of the transistor ) .
[0031]
According to the invention of
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram for explaining a first embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a diagram for explaining a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram for explaining a conventional example.
FIG. 4 is a diagram for explaining crosstalk.
[Explanation of symbols]
Qa1 to Qa5, Qb1 to Qb5, Qc1 to Qc6 Transistors Ia1 to Ia3, Ib1 to Ib4, Ic1 to Ic5 Current sources INa1, INa2, INb1, INb2, INc1, INc2 Input terminals OUTa, OUTb, OUTc Output terminals VCC Power supply voltage SWa1, SWa2, SWb1, SWb2, SWc1, SWc2 Switch V Crosstalk source Z1, Z2 Impedance
Claims (1)
前記複数のベース接地トランジスタのベースには、それぞれ電流源が接続され、
前記複数の信号入力端子には、それぞれ信号が印加され、
前記複数のスイッチの一つを開くことにより、開かれたスイッチが接続されている前記ベース接地トランジスタのコレクタに接続された前記信号入力端子に印加されている信号を、前記出力トランジスタのエミッタから出力し、
前記エミッタフォロワトランジスタのエミッタと前記出力トランジスタのベース間に、前記エミッタフォロワトランジスタと差動回路を構成する差動回路構成トランジスタを設け、
該差動回路構成トランジスタのエミッタは、前記エミッタフォロワトランジスタのエミッタに接続され、
前記差動回路構成トランジスタは、コレクタとベースが接続され、
前記差動回路構成トランジスタのコレクタとベースの接続点に、電流源と前記出力トランジスタのベースとが接続され、
前記出力トランジスタのエミッタから出力信号を得ることを特徴とするスイッチ回路。A plurality of emitter-follower transistors commonly connected to an emitter, a plurality of grounded base transistors connected to the bases of the plurality of emitter-follower transistors, and a plurality of signal input terminals respectively connected to collectors of the plurality of grounded base transistors A plurality of switch circuits respectively connected to the bases of the plurality of grounded base transistors, and an output transistor having a base connected to the emitter of the emitter follower transistor,
A current source is connected to each of the bases of the plurality of grounded base transistors,
A signal is applied to each of the plurality of signal input terminals,
By opening one of the plurality of switches, a signal applied to the signal input terminal connected to the collector of the grounded base transistor to which the opened switch is connected is output from the emitter of the output transistor. And
A differential circuit configuration transistor is provided between the emitter of the emitter follower transistor and the base of the output transistor to form a differential circuit with the emitter follower transistor,
An emitter of the differential circuit constituting transistor is connected to an emitter of the emitter follower transistor;
In the differential circuit configuration transistor, a collector and a base are connected,
A current source and a base of the output transistor are connected to a connection point between a collector and a base of the differential circuit configuration transistor,
An output signal is obtained from an emitter of the output transistor .
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