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JP4176751B2 - 平板表示装置および平板表示装置の製造方法 - Google Patents
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JP4176751B2 - 平板表示装置および平板表示装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は，導電体にキャッピング層が備えられた平板表示装置および平板表示装置の製造方法に関する。
液晶ディスプレイ素子や有機電界発光ディスプレイ素子，無機電界発光ディスプレイ素子などの平板表示装置に使用される薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下「ＴＦＴ」という）は，各ピクセルの動作を制御するスイッチング素子，およびピクセルを駆動させる駆動素子として用いられる。
このようなＴＦＴは，ソース／ドレイン領域と，このソース／ドレイン領域の間に形成されたチャネル領域とを有する半導体層と，この半導体層に対して絶縁され，上記チャネル領域に対応する領域に位置するゲート電極と，上記ソース／ドレイン領域にそれぞれ接触するソース／ドレイン電極とを含む。
一方，最近の平板ディスプレイ装置は，薄型化とともに，フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）な特性も要求されている。
このようなフレキシブルな特性のために，ディスプレイ装置の基板として，従来のガラス製基板とは異なるプラスチック基板を使用しようとする試みが多く行われているが，上記のようにプラスチック基板を使用する場合には，高温工程を採用せず，低温工程を採用しなければならない。したがって，従来のポリシリコン系薄膜トランジスタを使用し難いという問題点があった。
かかる問題点を解決するために，最近，有機半導体が台頭している。有機半導体は，低温工程で形成することができるため，低価格型薄膜トランジスタを実現することができるという利点を持つ。
ところが，上記有機半導体は，後続の湿式工程によって損傷し易いので，工程上注意を要する。
一方，このような薄膜トランジスタを採用して平板表示装置を製造する場合，薄膜トランジスタを含むピクセル回路形成工程や画素電極の形成工程などの後続工程が非常に複雑であるという問題点があった。
また，このような平板表示装置において，各種電極または配線は，その表面粗さによってその上に積層される絶縁膜を突き抜いて上部の他の導電体と接触することができるため，回路，特にピクセル回路との電気的短絡をもたらす。
そこで，本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので，本発明の目的とするところは，可能な，新規かつ改良されたピクセル回路の電気的短絡を防止する平板表示装置およびその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，開口部を備える絶縁膜と，上記絶縁膜の開口部によって一部分が露出する画素電極と，上記絶縁膜上に備えられた導電体と，上記導電体を覆うキャッピング層とを含む，平板表示装置が提供される。
上記平板表示装置は少なくとも前記画素電極の露出した部分を覆う発光層と，少なくとも前記発光層上に形成され，前記画素電極と絶縁された対向電極とをさらに含んでもよい。
上記平板表示装置の画素電極は外光を反射する透明電極であり，上記対向電極は電極が透明な反射電極であってもよい。
上記平板表示装置の画素電極は反射電極であり，上記対向電極は透明電極であってもよい。
上記平板表示装置の画素電極および上記対向電極は透明電極であってもよい。
上記平板表示装置の画素電極に対向している共通電極と，上記画素電極と上記共通電極との間に介在されている液晶とをさらに含んでもよい。
上記平板表示装置の画素電極は透明電極であってもよい。
上記平板表示装置の導電体は，導電粒子を含むペーストからなってもよい。
上記平板表示装置のキャッピング層は無機物を含んでもよい。
上記平板表示装置の無機物は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴおよびＰＺＴよりなる群から選択された少なくとも一つであってもよい。
上記平板表示装置のキャッピング層は有機物を含んでもよい。
上記平板表示装置の有機物は，ＰＭＭＡ，ＰＳ，フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系構高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子，およびこれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも一つであってもよい。
また，本発明の別の観点によれば，基板上に形成された画素電極と，上記基板上に形成された少なくとも一つの導電体と，上記導電体を覆うキャッピング層とを含む，平板表示装置が提供される。
上記平板表示装置は上記基板上に形成され，上記画素電極の所定の部分を露出させる絶縁膜と，少なくとも上記画素電極の露出した部分を覆う発光層と，少なくとも上記発光層上に形成され，上記画素電極と絶縁された対向電極とを含んでもよい。
上記平板表示装置の上記画素電極は透明電極であり，上記対向電極は反射電極であってもよい。
上記平板表示装置の上記画素電極は反射電極であり，上記対向電極は透明電極であってもよい。
上記平板表示装置の画素電極および上記対向電極は透明電極であってもよい。
上記平板表示装置は上記画素電極と対向している共通電極と，上記画素電極と上記共通電極との間に介在されている液晶とをさらに含んでもよい。
上記平板表示装置の画素電極は透明電極であってよい。
上記平板表示装置の導電体は導電粒子を含むペーストからなってもよい。
上記平板表示装置のキャッピング層は無機物を含むことを特徴としてよい。
上記平板表示装置の無機物は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴおよびＰＺＴよりなる群から選択された少なくとも一つであることを特徴としてよい。
上記平板表示装置のキャッピング層は有機物を含むことを特徴としてよい。
上記平板表示装置の有機物は，ＰＭＭＡ，ＰＳ，フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系構高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子，およびこれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも一つであってもよい。
また，本発明の別の観点によれば，基板上に形成された薄膜トランジスタを含むもので，上記薄膜トランジスタは，ソースおよびドレイン電極と，上記ソースおよびドレイン電極にコンタクトされる半導体層と，上記ソースおよびドレイン電極，上記半導体層に対して絶縁されたゲート電極と，上記ソースおよびドレイン電極と上記ゲート電極の少なくとも一つを覆うキャッピング層とを含む，平板表示装置が提供される。
上記平板表示装置のキャッピング層は上記ゲート電極を覆ってもよい。
上記平板表示装置のゲート電極は，導電粒子を含むペーストからなってもよい。
上記平板表示装置のキャッピング層は無機物を含んでもよい。
上記平板表示装置の無機物は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴ，およびＰＺＴよりなる群から選択された少なくとも一つであってもよい。
上記平板表示装置のキャッピング層は有機物を含んでもよい。
上記平板表示装置の有機物は，ＰＭＭＡ，ＰＳ，フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系構高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子，およびこれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも一つであってもよい。
上記平板表示装置のキャッピング層は上記ソースおよび上記ドレイン電極を覆ってもよい。
上記平板表示装置のソースおよびドレイン電極は，導電粒子を含むペーストからなってもよい。
上記平板表示装置のキャッピング層は無機物を含んでもよい。
上記平板表示装置の無機物は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴ，およびＰＺＴよりなる群から選択された少なくとも一つであってもよい。
上記平板表示装置のキャッピング層は有機物を含んでもよい。
上記平板表示装置の有機物は，ＰＭＭＡ，ＰＳ，フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系構高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子，およびこれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも一つであってもよい。
また，本発明の別の観点によれば，基板上に，導電粒子を含むペーストを塗布する段階と，上記ペーストが導電体となるように形成する段階と，上記導電体を覆うようにキャッピング層を形成する段階とを含む，平板表示装置の製造方法が提供される。
上記平板表示装置の製造方法の導電粒子を含むペーストは，前記基板上にインクジェット法でプリントされてもよい。
上記平板表示装置の製造方法のキャッピング層は無機物を含んでもよい。
上記平板表示装置の製造方法の無機物は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴ，およびＰＺＴよりなる群から選択された少なくとも一つであってもよい。
上記平板表示装置の製造方法のキャッピング層は有機物を含んでもよい。
上記平板表示装置の製造方法の有機物は，ＰＭＭＡ，ＰＳ，フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系構高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子，およびこれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも一つであってもよい。
以上，説明したように本発明によれば，キャッピング層に覆われた導電体の表面粗さを補完することができ，これにより導電体と対向電極との電気的短絡を予め防止することができる。
また，本発明によれば，導電体または電極を伝導性ペーストを用いてプリントする場合，ペーストの厚さが不均一であり，ピーク部が現われるとき，これにより上部に絶縁された他の電極と電気的短絡を引き起こすことを防止することができる。
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１の実施形態）
図１は本発明の好適な第１の実施形態に係るＡＭ有機電界発光表示装置の一画素を示す回路図であって，ピクセル回路の一例を示す。
図１を参照すると，本発明の好適な第１の実施形態に係るＡＭ有機電界発光表示装置の各画素は，スイッチングＴＦＴ（Ｍ２），駆動ＴＦＴ（Ｍ１）の少なくとも２つの薄膜トランジスタ，ストレジキャパシタＣｓｔ，および有機電界発光素子ＯＬＥＤを備える。
上記スイッチングＴＦＴ（Ｍ２）は，スキャンラインＳＣＡＮに印加されるスキャン信号によってオン／オフされ，データラインＤＡＴＡに印加されるデータ信号をストレジキャパシタＣｓｔおよび駆動ＴＦＴ（Ｍ１）に伝達する。上記駆動ＴＦＴ（Ｍ１）は，スイッチングＴＦＴ（Ｍ２）を介して伝達されるデータ信号に基づいて，有機電界発光素子ＯＬＥＤに流入する電流量を決定する。上記ストレジキャパシタＣｓｔは，スイッチングＴＦＴ（Ｍ２）を介して伝達されるデータ信号を１フレームの期間保存する。
図１の回路図において，駆動ＴＦＴ（Ｍ１）およびスイッチングＴＦＴ（Ｍ２）は，ＰＭＯＳ ＴＦＴで表現されているが，本発明は，必ずしも限定されるものではなく，上記駆動ＴＦＴ（Ｍ１）およびスイッチングＴＦＴ（Ｍ２）の少なくとも一つをＮＭＯＳ ＴＦＴで形成することもできる。このような薄膜トランジスタおよびキャパシタの個数は，必ずしも限定されるのではなく，上記よりさらに多くすることができる。
図２はこのようなＡＭ有機電界発光表示装置の断面構造の一例を示す。
図２に示すように，本発明の好適な第１の実施形態に係るＡＭ有機電界発光表示装置は，ＴＦＴ基板１００上に形成された画素電極１３１と，画素電極１３１上に形成された有機発光層１３２と，有機発光層１３２を覆う対向電極１３３とを含む。上記ＴＦＴ基板１００は，ガラス，プラスチックまたは金属製の基板上に薄膜トランジスタ（以下，「ＴＦＴ」という）を始めとしてキャパシタなどが備えられて図１のようなピクセル回路が形成されたもので，ピクセル回路についてのより詳細な説明は後述する。画素電極１３１は，上記ＴＦＴ基板１００上の各画素に対応するパターンで形成される。また，画素電極１３１は，図２には示していないが，ＴＦＴ基板１００に備えられたピクセル回路に電気的に連結されている。
上記画素電極１３１を覆うように絶縁体としての画素定義膜１２０が形成され，この画素定義膜１２０に開口部１２１が形成されることにより，画素電極１３１が露出されるようにする。画素定義膜１２０の露出した開口部１２１に対応するように有機発光層１３２が画素電極１３１を覆って形成され，有機発光層１３２上に対向電極１３３が形成される。上記対向電極１３３は，全体画素を全て覆うように形成できるが，必ずしもこれに限定されるのではなく，パターン化されることもできる。
上記画素電極１３１はアノード電極の機能を担い，上記対向電極１３３はカソード電極の機能を担うことができるが，その逆になっても構わない。以下の全ての実施例では，画素電極１３１がアノード電極の機能を担う場合を例として説明したが，下記の実施例においてもその反対の場合も構わない。
一方，背面発光型（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）の場合，上記画素電極１３１は透明電極とし，対向電極１３３は反射電極とすることができる。この際，上記のような透明電極は，仕事関数が高くて透明なＩＴＯ，ＩＺＯ，Ｉｎ２Ｏ３およびＺｎＯなどから形成することができ，対向電極１３３になる反射電極は，仕事関数の低いＡｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｌｉ，Ｃａおよびこれらの化合物などの金属材から形成することができる。
前面発光型（ｔｏｐ
ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）の場合，上記画素電極１３１は反射電極とし，対向電極１３３は透明電極とすることができる。この際，画素電極１３１になる反射電極は，Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｌｉ，Ｃａおよびこれらの化合物などで反射膜を形成した後，この反射膜上に仕事関数の高いＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などを形成して製造することができる。そして，対向電極１３３になる透明電極は，仕事関数の小さい金属，すなわちＡｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｌｉ，Ｃａおよびこれらの化合物を蒸着した後，その上にＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質で補助電極層またはバス電極ラインを形成することができる。
両面発光型の場合，上記画素電極１３１と上記対向電極１３３の両方ともを透明電極とすることができる。
上記画素電極１３１および上記対向電極１３３は，必ずしも前述した物質で形成するのではなく，伝導性有機物，またはＡｇ，Ｍｇ，Ｃｕなどの導電粒子の含まれた伝導性ペーストなどで形成することもできる。このような伝導性ペーストを使用する場合，インクジェットプリント方法を用いてプリントすることができ，プリント後には焼成して電極に形成することができる。
上記有機発光層１３２は，低分子有機層または高分子有機層が使用できる。有機発光層は，低分子有機層を使用する場合には，ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ），ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ），有機発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ），電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ），電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成でき，有機材料としても，銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ），Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ），トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（ｔｒｉｓ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ）（Ａｌｑ３）などを始めとして様々に適用可能である。これら低分子有機層は，真空蒸着の方法で形成される。
これに対し，高分子有機層を使用する場合には，有機発光層は，ホール輸送層（ＨＴＬ）および発光層（ＥＭＬ）からなる構造を持つことができる。この際，有機発光層は，上記ホール輸送層としてＰＥＤＯＴを使用し，上記発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系およびポリフルオレン（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系などの高分子有機物質を使用して，スクリーンプリント法やインクジェットプリント法などで形成することができる。このように有機電界発光素子ＯＬＥＤを形成した後には，ＯＬＥＤの上部を密封して外気から遮断する。
一方，上記画素定義膜１２０は，有機絶縁膜，無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜で形成でき，これらの単一構造または多層構造からなる。
有機絶縁膜としては，ポリマー材を使用することができるが，その例として，一般汎用高分子（ＰＭＭＡ，ＰＳ），フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子およびこれらの混合物などが可能である。無機絶縁膜としては，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴおよびＰＺＴなどが使用可能である。
このような画素定義膜１２０は，インクジェット法によって形成できる。まず，上記画素電極１３１の一部分を表面処理する。この際，表面処理工程は，フッ素系プラズマを用いて表面を疎水性に作る。フッ素系プラズマを用いた表面処理工程は，ＣＦ４またはＣ３Ｆ８などのフッ素系ガスを用いる。そして，基板上に画素定義膜のための絶縁物質を含む溶液をインクジェットヘッドから吐き出させて画素定義膜１２０を形成する。この際，上記画素電極１３１のうち表面処理された部分には，画素定義膜１２０が形成されず，上記画素電極１３１を露出させる開口部１２１が形成される。
基板の表面とインクとの接着力が良好でない場合，すなわち基板の表面が疎水性を呈する場合には，画素電極１３１の一部分を露出させる開口部１２１に対応する部分を除いた基板の表面を表面処理し，開口部１２１を備える画素定義膜１２０を形成することも可能である。
すなわち，開口部１２１に対応する画素電極１３１の表面を除いた基板の全面に対するＡｒおよびＯ２プラズマを用いた表面処理工程を行い，基板の表面を親水性に改質して接着力を向上させる。次に，画素定義膜形成用絶縁物質を含むインクを基板の表面に吐き出すと，表面処理されて接着力の向上した部分にのみ画素定義膜１２０がコートされる。したがって，プラズマ表面処理が施されない画素電極１３１の表面には画素定義膜１２０が形成されなくなる。
一方，本発明によれば，上記のような画素定義膜１２０上に導電体１４０が形成できる。
この導電体１４０は，各種配線または電極となることができるが，例えば，図１の回路図を参照すると，データ配線ＤＡＴＡ，スキャン配線ＳＣＡＮ，Ｖｄｄ配線，またはこれらの電圧降下を防ぐためのバス配線となり，あるいは後述するようにＴＦＴやキャパシタなどの電極となる。導電体１４０は，Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｌｉ，Ｃａおよびこれらの化合物といった金属物質を含み，あるいはＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質を含むことができる。また，導電体１４０は，伝導性有機物，またはＡｇ，Ｍｇ，Ｃｕなどの導電粒子の含まれた伝導性ペーストを用いて形成することができる。
このような導電体１４０が画素定義膜１２０上に形成される場合，図２に示すように，対向電極１３３との電気的絶縁のためにキャッピング層１５０を形成する。
このキャッピング層１５０は，導電体１４０と対向電極１３３との電気的絶縁のためのもので，導電体１４０の表面粗さをパッシベーションする機能を行う。
このキャッピング層１５０は，図３に示すように，導電体１４０と対向電極１３３との間に有機発光層１３２が介在されている場合にも，導電体１４０を覆うように形成し，導電体１４０の表面粗さが不均一であって導電体１４０と対向電極１３３とが短絡する危険を遮断することができる。実際，有機発光層１３２が１０００〜２０００Åの厚さに形成されるため，導電体１４０の表面粗さは導電体１４０と対向電極１３３との短絡をもたらすことができる。したがって，上記キャッピング層１５０を形成することにより，このような問題を予め防止することができる。
このようなキャッピング層１５０は，導電体１４０を前述の伝導性ペーストを用いて形成する場合にさらに有用である。
すなわち，上記導電体１４０をＡｇ，Ｍｇ，Ｃｕなどの導電粒子の含まれた伝導性ペーストをインクジェット法によってプリントした後，焼成して形成する場合，導電体１４０の中央部または縁部の厚さがピークを成しながら厚く形成される。したがって，この場合には，絶縁物質からなるキャッピング層１５０を導電体１４０を覆うように形成することにより，キャッピング層１５０上の対向電極１３３と導電体１４０間の短絡が起こらないようにする。
一方，上記キャッピング層１５０は，有機膜，無機膜または有機−無機ハイブリッド膜で形成でき，これらの単一構造または多層構造からなってもよい。
上記キャッピング層１５０を形成することができる無機物としては，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴおよびＰＺＴなどが使用可能である。
上記キャッピング層１５０を形成することができる有機物としては，ポリマー材が適用可能であるが，その例としては，一般汎用高分子（ＰＭＭＡ，ＰＳ），フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子およびこれらの混合物などが挙げられる。
前述したように，キャッピング層１５０は，無機物または有機物の単一膜に限定されず，有機物と無機物が混合して積層された構造を採用することが可能である。
一方，上記キャッピング層１５０としては，このような絶縁膜の他にも，表面粗さに優れた素材であればいずれでも構わない。これは，導電体であってもよく，半導体であってもよい。すなわち，上記キャッピング層１５０は，その下部の導電体１４０の表面粗さが不規則な場合，これを緩和させることができる材質であればいずれでも適用可能である。このようなキャッピング層の材質は，以下の全ての実施例においても同様である。
（第２の実施形態）
図４は本発明の好適な第２の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示すもので，導電体１４０が画素電極１３１と同一の層に形成されたものである。すなわち，導電体１４０が，ＴＦＴ基板１０１上に形成されたもので，画素電極１３１と同一の物質，または画素電極１３１とは異なるその他の導電物質で形成された場合である。
上記の際にも，前述したように，導電体１４０を覆うようにキャッピング層１５０が形成されていると，導電体１４０の表面平坦化を向上させることができると同時に，この導電体１４０を覆う絶縁膜としての画素定義膜１２０が十分薄く形成される場合にも，導電体１４０と対向電極１３３間の短絡が起こるおそれがなくなる。このようなキャッピング層１５０も，前述したように，有機膜，無機膜または有機−無機ハイブリッド膜で形成でき，これらの単一構造または多層構造からなってもよい。
前述したように，導電体を覆うキャッピング層の構造は，上記の他にも，画像を実現する発光領域内に存在する全ての導電体に適用可能である。
（第３の実施形態）
図５は本発明の好適な第３の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す。図５を参照すると，基板１０１上にソース／ドレイン電極１１１が形成され，画素電極１３１が上記ソース／ドレイン電極１１１のいずれか一つ，例えばドレイン電極から延長して形成される。上記ソース／ドレイン電極１１１上には，ソース／ドレイン電極１１１とコンタクトされるように半導体層１１２が形成される。上記の基板１０１上に画素定義膜１２０が形成され，上記画素定義膜１２０上にゲート電極１１４が形成される。したがって，上記画素定義膜１２０は，ゲート絶縁膜の機能を兼ねる。上記画素定義膜１２０は，上記画素電極１３１に対応する部分に開口部１２１を備え，画素電極１３１の所定の部分を露出させる。上記開口部１２１の画素電極１３１上に有機発光層１３２が形成され，この有機発光層１３２の上には対向電極１３３が形成されることにより，有機電界発光素子ＯＬＥＤを構成する。
上記基板１０１は，ガラス基板，プラスチック基板または金属基板を含む。上記金属基板は，金属製箔，たとえばステンレススチール，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｉｎｖａｒ合金，Ｉｎｃｏｎｅｌ合金およびＫｏｖａｒ合金などで形成できる。上記プラスチック基板は，ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ，ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ），ポリアクリレート（ＰＡＲ，ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ），ポリエーテルイミド（ＰＥＩ，ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ），ナフタル酸ポリエチレン（ＰＥＮ，ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ），テレフタル酸ポリエチレン（ＰＥＴ，ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ），ポリフェニレンサルファイド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｓｕｌｆｉｄｅ：ＰＰＳ），ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ），ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ），ポリカーボネート（ＰＣ），三酢酸セルロース（ＴＡＣ），酢酸プロピオン酸セルロース（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ａｃｅｔａｔｅ ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ：ＣＡＰ）よりなる群から選択されるプラスチックフィルムを含む。
基板１０１の片面または両面にはバッファ層，バリア層または不純元素の拡散防止層などが形成できる。
上記半導体層１１２は，無機半導体または有機半導体を使用することができる。
無機半導体としては，ＣｄＳ，ＧａＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，ＣａＳｅ，ＺｎＳｅ，ＣｄＴｅ，ＳｉＣおよびＳｉを含むことができる。有機半導体としては，ペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ），テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ），アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ），ナフタレン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ），α−６−チオフェン，α−４−チオフェン，フェリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）およびその誘導体，ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）およびその誘導体，コロネン（ｃｏｒｏｎｅｎｅ）およびその誘導体，フェリレンテトラカルボン酸ジイミド（ｐｅｒｙｌｅｎｅ ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉｉｍｉｄｅ）およびその誘導体，フェリレンテトラカルボン酸二無水物（ｐｅｒｙｌｅｎｅ ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）およびその誘導体，ナフタレンのオリゴアセンおよびこれらの誘導体，α−５−チオフェンのオリゴチオフェンおよびこれらの誘導体，金属を含有しあるいは含有していないフタロシアニンおよびこれらの誘導体，ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉｉｍｉｄｅ）およびその誘導体，ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）およびその誘導体，ピロメリット酸二無水物およびその誘導体，ピロメリット酸ジイミドおよびこれらの誘導体，チオフェンを含む共役系高分子およびその誘導体，およびフルオレンを含む高分子およびその誘導体などを使用することができる。
基板１０１上に形成されるソース／ドレイン電極１１１は，互いに異なる物質からなってもよい。
例えば，図５に示すように，ドレイン電極１１１ｂが画素電極１３１と一体に形成された場合，ソース電極１１１ａは，半導体層１１２とのコンタクト抵抗が重要なので，上記半導体層１１２と仕事関数が同じ物質を含むようにし，上記ドレイン電極１１１ｂは，前述した画素電極１３１を形成する物質を含むようにすることが好ましい。上記ソース電極１１１ａは，半導体層１１２より仕事関数の大きい電極物質を含むようにすることが好ましいが，半導体層１１２が有機半導体で形成される場合，Ａｕ，ＰｔおよびＰｄから選択される金属電極物質を含むようにすることができる。
一方，上記ゲート電極１１４は，キャッピング層１５０によって覆われることができる。このキャッピング層１５０によって，ゲート電極１１４として例えば粗さの多少良くない材質を使用する場合でも，粗さを十分に補完することができ，ゲート電極１１４と対向電極１３３との短絡を防止することができる。
図５を参照すると，有機発光層１３２は，キャッピング層１５０の上部まで延長されるように形成する。これにより，有機発光層１３２がキャッピング層１５０のゲート電極１１４におけるキャッピング効果をさらに高めることができる。このようなキャッピング層１５０も，前述したように，有機膜，無機膜または有機−無機ハイブリッド膜で形成でき，これらの単一構造または多層構造からなってもよい。
（第４の実施形態）
図６は本発明の第４の実施形態に関するものである。図６の実施形態は，図５の実施形態と比較するとき，ゲート電極１１４と半導体層１１２との間にゲート絶縁膜１１３が介在され，キャッピング層１５０上に画素定義膜１２０が別途に備えられた構造である。ゲート絶縁膜１１３は，前述した画素定義膜と同様に，有機絶縁膜，無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜で形成でき，これらの単一構造または多層構造からなってもよい。
画素電極１３１を露出させる開口部１２１は，ゲート絶縁膜１１３と画素定義膜１２０と共に形成され，露出した画素電極１３１上に有機発光層１３２および対向電極１３３が順次積層される。上記以外の構造は，前述した図５の実施形態と同一なので，詳細な説明を省略する。
（第５の実施形態）
図７は本発明の第５の実施形態に関するものである。図７の実施形態は，図６の実施形態と比較するとき，画素電極１３１をゲート絶縁膜１１３上に形成し，別途のコンタクトホール１１３ａをゲート絶縁膜１１３に形成して，画素電極１３１をソース／ドレイン電極１１１のいずれか一方とコンタクトさせたものである。この場合，コンタクトホール１１３ａは，レーザエッチング法やフォトリソグラフィ法などで形成できる。
この場合，ソース／ドレイン電極１１１は，画素電極１３１とは関係なく形成されるので，ソース／ドレイン電極１１１を同一の物質で形成することができる。画素電極１３１は，前述した画素電極形成用の物質で形成する。
（第６の実施形態）
図８は本発明の第６の実施形態に関するものである。図８の実施形態は，図５の実施形態と比較するとき，ソース／ドレイン電極１１１と半導体層１１２との積層順序を変えたものである。それ以外の全ての特徴は図５の実施形態と同一なので，詳細な説明は省略する。
（第７の実施形態）
図９は本発明の第７の実施形態に関するものである。図９の実施形態は，図６の実施形態と比較するとき，ソース／ドレイン電極１１１と半導体層１１２との積層順序を変えたものである。それ以外の全ての特徴は図６の実施形態と同一なので，詳細な説明は省略する。
（第８の実施形態）
図１０は本発明の第８の実施形態に関するものである。図１０の実施形態は，図７の実施形態と比較するとき，ソース／ドレイン電極１１１と半導体層１１２との積層順序を変えたものである。それ以外の全ての特徴は図７の実施形態と同一なので，詳細な説明は省略する。
以上は，ゲート電極がソース／ドレイン電極および半導体層の上部に位置するトップゲート構造について説明したが，下記に説明する図１１〜図１４による実施形態の場合には，ゲート電極が下部に位置したボトムゲート構造を示す。
（第９の実施形態）
まず，図１１の実施形態では，基板１０１上にゲート電極１１４が形成され，このゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜１１３が形成された後，ゲート絶縁膜１１３上にソース電極１１１ａおよびドレイン電極１１１ｂがそれぞれ形成され，画素電極１３１はドレイン電極１１１ｂと一体に形成されている。これらを覆うように画素定義膜１２０が形成され，画素定義膜１２０に所定の開口部１２１が形成され，露出した画素電極１３１上に有機発光層１３２および対向電極１３３が順次積層される。該当構成要素の形成物質は，前述した実施形態と同一である。
上記の場合，キャッピング層１５０は，半導体層１１２およびソース／ドレイン電極１１１のいずれか一方を覆うように形成できる。
（第１０の実施形態）
図１２は本発明の第１０の実施形態に関するものである。図１２の実施形態は，図１１の実施形態と比較するとき，ソース／ドレイン電極１１１と半導体層１１２との積層順序を変えたものである。それ以外の全ての特徴は図１１の実施形態と同一なので，詳細な説明は省略する。
（第１１の実施形態）
図１３は本発明の第１１の実施形態に関するものである。図１３の実施形態では，ゲート絶縁膜１１３上にソース／ドレイン電極１１１が形成され，その間に半導体層１１２が形成された後，キャッピング層１５０が半導体層１１２およびソース／ドレイン電極１１１のいずれか一方を覆うように形成される。そして，これらを覆うように平坦化絶縁膜１１５がさらに形成され，平坦化絶縁膜１１５上に，ソース／ドレイン電極１１１のいずれか一方とコンタクトされる画素電極１３１が形成される。画素電極１３１を覆うように画素定義膜１２０が形成され，画素定義膜１２０に所定の開口部１２１が形成され，露出した画素電極１３１上に有機発光層１３２および対向電極１３３が順次積層される。該当構成要素の形成物質は，前述した実施形態と同様である。
（第１２の実施形態）
図１４は本発明の第１２の実施形態に関するものである。図１４の実施形態は，図１３の実施形態と比較するとき，ソース／ドレイン電極１１１と半導体層１１２との積層順序を変えたものである。それ以外の全ての特徴は図１３の実施形態と同一なので，詳細な説明は省略する。以上は，本発明の一具現例である有機電界発光表示装置について説明したが，本発明は，液晶表示装置のような別の形態の平板表示装置にも同様に適用することができる。
（第１３の実施形態）
図１５は本発明の好適な第１３の実施形態に係る液晶表示装置の一画素を示す回路図であって，ピクセル回路の一例を示す。
図１５を参照すると，本発明の好適な第１３の実施形態に係る液晶表示装置の各画素は，スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ），ストレジキャパシタＣｓｔおよび液晶表示素子ＣＬＣを備える。
上記スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ）は，スキャンラインＳＣＡＮに印加されるスキャン信号によってオン／オフされ，データラインＤＡＴＡに印加されるデータ信号をストレジスキャパシタＣｓｔおよび液晶表示素子ＣＬＣに伝達する。上記ストレジキャパシタＣｓｔは，スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ）を介して伝達されるデータ信号を１フレームの間に保存する。
図１６はこのような液晶表示装置の断面構造の一例を示す。図１６を参照すると，基板２０１上にソース電極２１１ａおよびドレイン電極２１１ｂが形成され，画素電極２３１がドレイン電極２１１ｂから延長して形成される。上記ソース／ドレイン電極２１１上には，ソース／ドレイン電極２１１とコンタクトされるように半導体層２１２が形成される。この基板２０１上に画素定義膜２２０が形成され，上記画素定義膜２２０上にゲート電極２１４が形成される。したがって，上記画素定義膜２２０は，ゲート絶縁膜の機能を兼ねる。上記画素定義膜２２０は，上記画素電極２３１に対応する部分に開口部２２１を備えて画素電極２３１の所定の部分を露出させる。
ゲート電極２１４上にはキャッピング層２５０が形成され，ゲート電極２１４を保護する。
一方，基板２０１に対向して対向基板２０２が配置され，対向基板２０２の底面にはカラーフィルタ２３４および共通電極２３５が順次形成される。
図示してはいないが，上記画素電極２３１の上面と共通電極２３５の底面には配向膜がさらに配置できる。
このような構造の液晶表示装置においても，ゲート電極２１４は，キャッピング層２５０によって覆われている。よって，ゲート電極を十分保護することができ，ゲート電極２１４が液晶２３６層に露出することを防止することができる。
液晶表示装置に対する実施形態は，図１６の場合のみを示したが，必ずしもこれに限定されるのではない。図２〜図１５の実施形態が全て適用可能である。
それだけでなく，本発明は，有機電界発光表示装置，液晶表示装置の他にも電子放出表示装置などの各種平板表示装置に全て適用可能である。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は，各種携帯機器のディスプレイ装置に適用可能であり，上記の他にもテレビジョンやモニターなどに適用可能である。
本実施形態に係るＡＭ有機電界発光表示装置の一画素を示す回路図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 図１による有機電界発光表示装置の実施形態を示す断面図である。 本実施形態に係る液晶表示装置の一画素を回路で示す説明図である。 図１５による液晶表示装置の実施形態を示す断面図である。
符号の説明
１００，１０１ ＴＦＴ基板
１１０ ＴＦＴ
１１１，２１１ ソース／ドレイン電極
１１１ａ，２１１ａ ソース電極
１１１ｂ，２１１ｂ ドレイン電極
１１２，２１２ 半導体層
１１３ ゲート絶縁膜
１１４，２１４ ゲート電極
１１５ 平坦化絶縁膜
１２０ 画素定義膜
１２１，２２１ 開口部
１３１，２３１ 画素電極
１３２ 有機発光層
１３３ 対向電極
１４０ 導電体
１５０，２５０ キャッピング層
２０１ 基板
２０２ 対向基板
２２０ 画素定義膜
２３４ カラーフィルタ
２３５ 共通電極
２３６ 液晶

Claims (44)

  1. 開口部を備える絶縁膜と；
    前記絶縁膜の開口部によって一部分が露出する画素電極と；
    前記絶縁膜上に備えられた導電体と；
    前記導電体を覆うキャッピング層と；
    を含み，
    前記キャッピング層の表面粗さは、前記導電体の表面粗さより低いことを特徴とする，平板表示装置。
  2. 前記画素電極の露出した部分を覆う発光層と；
    前記発光層上に形成され，前記画素電極と絶縁された対向電極と；
    をさらに含むことを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
  3. 前記画素電極は透明電極であり，前記対向電極は反射電極であること；
    を特徴とする，請求項１または２に記載の平板表示装置。
  4. 前記画素電極は反射電極であり，前記対向電極は透明電極であること；
    を特徴とする，請求項１または２に記載の平板表示装置。
  5. 前記画素電極および前記対向電極は透明電極であること；
    を特徴とする，請求項１または２に記載の平板表示装置。
  6. 前記画素電極に対向している共通電極と；
    前記画素電極と前記共通電極との間に介在されている液晶と；
    をさらに含むことを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
  7. 前記画素電極は透明電極であること；
    を特徴とする，請求項６に記載の平板表示装置。
  8. 前記導電体は，導電粒子を含むペーストからなること；
    を特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の平板表示装置。
  9. 前記キャッピング層は無機物を含むこと；
    を特徴とする，請求項１〜８のいずれかに記載の平板表示装置。
  10. 前記無機物は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴおよびＰＺＴよりなる群から選択された少なくとも一つであること；
    を特徴とする，請求項１〜９のいずれかに記載の平板表示装置。
  11. 前記キャッピング層は有機物を含むこと；
    を特徴とする，請求項１〜１０のいずれかに記載の平板表示装置。
  12. 前記有機物は，ＰＭＭＡ，ＰＳ，フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系構高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子，およびこれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも一つであること；
    を特徴とする，請求項１〜１１のいずれかに記載の平板表示装置。
  13. 基板上に形成された画素電極と；
    前記基板上に形成された少なくとも一つの導電体と；
    前記導電体を覆うキャッピング層と；
    を含み，
    前記キャッピング層の表面粗さは、前記導電体の表面粗さより低いことを特徴とする，平板表示装置。
  14. 前記基板上に形成され，前記画素電極の一部分を露出させる絶縁膜と；
    少なくとも前記画素電極の露出した部分を覆う発光層と；
    少なくとも前記発光層上に形成され，前記画素電極と絶縁された対向電極と；
    を含むことを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
  15. 前記画素電極は透明電極であり，前記対向電極は反射電極であること；
    を特徴とする，請求項１３または１４に記載の平板表示装置。
  16. 前記画素電極は反射電極であり，前記対向電極は透明電極であること；
    を特徴とする，請求項１３または１４に記載の平板表示装置。
  17. 前記画素電極および前記対向電極は透明電極であること；
    を特徴とする，請求項１３または１４に記載の平板表示装置。
  18. 前記画素電極と対向している共通電極と；
    前記画素電極と前記共通電極との間に介在されている液晶と；
    をさらに含むことを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
  19. 前記画素電極は透明電極であること；
    を特徴とする，請求項１８に記載の平板表示装置。
  20. 前記導電体は導電粒子を含むペーストからなること；
    を特徴とする，請求項１３〜１９のいずれかに記載の平板表示装置。
  21. 前記キャッピング層は無機物を含むこと；
    を特徴とする，請求項１３〜２０のいずれかに記載の平板表示装置。
  22. 前記無機物は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴおよびＰＺＴよりなる群から選択された少なくとも一つであること；
    を特徴とする，請求項１３〜２１のいずれかに記載の平板表示装置。
  23. 前記キャッピング層は有機物を含むこと；
    を特徴とする，請求項１３〜２２のいずれかに記載の平板表示装置。
  24. 前記有機物は，ＰＭＭＡ，ＰＳ，フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系構高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子，およびこれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも一つであること；
    を特徴とする，請求項１３〜２３のいずれかに記載の平板表示装置。
  25. 前記基板は，少なくとも一つの薄膜トランジスタを含むこと；
    を特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
  26. 前記薄膜トランジスタは，
    ソースおよびドレイン電極と；
    前記ソースおよびドレイン電極とコンタクトされる半導体層と；
    前記ソースおよびドレイン電極と前記半導体層に対して絶縁されたゲート電極と；
    前記ソースおよびドレイン電極と前記ゲート電極の少なくとも一つを覆うキャッピング層と；
    を含むことを特徴とする，請求項２５に記載の平板表示装置。
  27. 前記キャッピング層は前記ゲート電極を覆うこと；
    を特徴とする，請求項２６に記載の平板表示装置。
  28. 前記ゲート電極は，導電粒子を含むペーストからなること；
    を特徴とする，請求項２６または２７に記載の平板表示装置。
  29. 前記キャッピング層は無機物を含むこと；
    を特徴とする，請求項２６〜２８のいずれかに記載の平板表示装置。
  30. 前記無機物は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴ，およびＰＺＴよりなる群から選択された少なくとも一つであること；
    を特徴とする，請求項２６〜２９のいずれかに記載の平板表示装置。
  31. 前記キャッピング層は有機物を含むこと；
    を特徴とする，請求項２６〜３０のいずれかに記載の平板表示装置。
  32. 前記有機物は，ＰＭＭＡ，ＰＳ，フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系構高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子，およびこれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも一つであること；
    を特徴とする，請求項２６〜３１のいずれかに記載の平板表示装置。
  33. 前記キャッピング層は前記ソースおよび前記ドレイン電極を覆うこと；
    を特徴とする，請求項２６〜３２のいずれかに記載の平板表示装置。
  34. 前記ソースおよびドレイン電極は，導電粒子を含むペーストからなること；
    を特徴とする，請求項２６〜３３のいずれかに記載の平板表示装置。
  35. 前記キャッピング層は無機物を含むこと；
    を特徴とする，請求項２６〜３４のいずれかに記載の平板表示装置。
  36. 前記無機物は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴ，およびＰＺＴよりなる群から選択された少なくとも一つであること；
    を特徴とする，請求項２６〜３５のいずれかに記載の平板表示装置。
  37. 前記キャッピング層は有機物を含むこと；
    を特徴とする，請求項２６〜３６のいずれかに記載の平板表示装置。
  38. 前記有機物は，ＰＭＭＡ，ＰＳ，フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系構高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子，およびこれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも一つであること；
    を特徴とする，請求項２６〜３７のいずれかに記載の平板表示装置。
  39. 基板上に，導電粒子を含むペーストを塗布する段階と；
    前記ペーストが導電体となるように形成する段階と；
    前記導電体を覆うように、前記導電体の表面粗さより低い表面粗さを有するキャッピング層を形成する段階と；
    を含むことを特徴とする，平板表示装置の製造方法。
  40. 前記導電粒子を含むペーストは，前記基板上にインクジェット法でプリントされること；
    を特徴とする，請求項３９に記載の平板表示装置の製造方法。
  41. 前記キャッピング層は無機物を含むこと；
    を特徴とする，請求項３９または４０に記載の平板表示装置の製造方法。
  42. 前記無機物は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，ＢＳＴ，およびＰＺＴよりなる群から選択された少なくとも一つであること；
    を特徴とする，請求項４１に記載の平板表示装置の製造方法。
  43. 前記キャッピング層は有機物を含むこと；
    を特徴とする，請求項３９〜４２のいずれかに記載の平板表示装置の製造方法。
  44. 前記有機物は，ＰＭＭＡ，ＰＳ，フェノール基を有する高分子誘導体，アクリル系構高分子，イミド系高分子，アリールエーテル系高分子，アミド系高分子，フッ素系高分子，ｐ−キシリレン系高分子，ビニルアルコール系高分子，およびこれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも一つであること；
    を特徴とする，請求項４３に記載の平板表示装置の製造方法。
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