JP4183369B2

JP4183369B2 - Manufacturing method of integrated photovoltaic device

Info

Publication number: JP4183369B2
Application number: JP2000188035A
Authority: JP
Inventors: 朗寺川
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2000-06-22
Filing date: 2000-06-22
Publication date: 2008-11-19
Anticipated expiration: 2020-06-22
Also published as: JP2002009308A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板上に複数の光電変換素子を直列接続して形成される集積型光起電力装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
太陽光の光を直接電気エネルギーに変換する光起電力装置の本格的な普及が始まっている。このなかで非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）系半導体を光活性層に用いた光起電力装置が色々な用途に用いられている。これは、１枚の基板上に多数の光電変換素子をカスケード接続することにより、高電圧を取り出せるようにした集積型光起電力装置の開発に負うところが大きい。
【０００３】
図３は、上記した集積型光起電力装置の基本構造を示す断面図である。この集積型光起電力装置は、ガラス、プラスチックのような透明基板１上にＳｎＯ₂、ＺｎＯのような透明電極からなる表面電極層２とａ−Ｓｉからなるｐｉｎ型の半導体層３と、Ａｇ、Ａｌ等の高反射金属からなる背面電極層４を有し、各層が所定の位置で短冊状に分離されることで複数の光電変換素子が基板１上に形成されている。そして、接続用開口部６を介して互いに隣接し合う光電変換素子が電気的に直列に接続されている。また、各光電変換素子は分離溝７により分離されている。
【０００４】
上記した集積型光起電力装置における各層の分離は、通常レーザー加工法を用いて行われる。以下、レーザー加工法を用いた集積型光起電力装置の製造方法につき図３を参照して説明する。
【０００５】
透明基板１上に表面電極層２を堆積した後、レーザー照射により、表面電極層２を発電領域に対応して短冊状に分離する。そして、レーザー照射での溶融飛散物を除去するための洗浄を行い、プラズマＣＶＤ法により、ａ−Ｓｉからなるｐｉｎ型の半導体層３を基板全面にわたって形成する。続いて、レーザー照射により、半導体層３を分離し接続開口部６を形成した後、溶融飛散物を除去するための洗浄を行う。その後、背面電極層４を堆積し、表面電極２と背面電極４とを接続開口部６を介して接続する。この後、この背面電極４をレーザー照射により、分離して集積型光起電力装置が形成される。
【０００６】
ところで、特開平９−８３３７号公報には、上記したレーザー加工により集積型光起電力装置を形成した場合、半導体層３のレーザー照射後の洗浄により、半導体層表面状態が劣化し、曲線因子（Ｆ．Ｆ．）が低下することが示されており、かかる問題点を解決するために、半導体層３の表面状態を良好に保つ方法が提案されている。
【０００７】
特開平９−８３３７号公報においては、半導体層上の接続開口部を除く領域にＩＴＯ、ＺｎＯなどからなる透明導電膜を設け、この導体層上に接続開口部を介して表面電極と接続した金属背面電極を形成した集積型光起電力装置が提案されている。
【０００８】
上記した背面電極４を透明導電膜４ａと金属背面電極４ｂで構成した集積型光起電力装置の製造方法につき、図２を参照して説明する。
【０００９】
基板１上にＳｎＯ₂、ＺｎＯのような透明電極からなる表面電極２を形成し、レーザービームの照射によって表面電極層の隣接間各部をライン状に除去し短冊状に分離する。そして、レーザー照射での溶融飛散物を除去するための洗浄を行い、プラズマＣＶＤ法により、ａ−Ｓｉからなるｐｉｎ型の半導体層３を基板全面にわたって形成する。
【００１０】
次に、スパッタリング法で半導体層３上にＺｎＯ等の透明導電膜４ａを形成し、レーザービームの照射によって半導体層３と透明導電膜４ａを一括除去加工し、接続開口部６を形成する。この後、溶融飛散物を除去するための水洗による洗浄を行う。このとき、半導体層３は透明導電膜４ａにより、表面が覆われているので、その表面に自然酸化膜が形成されることはなくなり、半導体層３の表面状態を良好に維持できる。
【００１１】
続いて、Ａｌ等の高反射金属からなる金属背面電極4ｂを形成し、表面電極２と背面電極４ｂとを接続する。接続用開口部６の近傍における少なくとも透明導電膜４ａと金属背面電極４ｂからなる背面電極４をレーザービームの照射により除去して分離溝７にて複数の光電変換素子に分割することにより、透明電極からなる表面電極層２と高反射金属からなる金属背面電極４ｂで接続される構造を実現できる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した方法においては、透明導電膜４ａの材質及びレーザー分離加工の条件によっては、接続用開口部６に溶融飛散物５が付着することがあり、接続部の抵抗損失を増大させてしまう。これらの飛散物５は溶着しており単純なエアブロアーや水洗いでは除去することはできず、この部分の接続抵抗が大きくなるという問題が生じる。
【００１３】
この発明は、上述した従来の問題点に鑑みなされたものにして、表面電極と背面電極との接続部の抵抗損失を無くし、特性の良好な集積型光起電力装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明は、透明な基板上に複数の発電領域に対応した透明電極からなる第1の電極層を形成する工程と、この複数の発電領域にわたる第1の電極層上に光活性層となる半導体層とＺｎＯからなる導体層を順次形成する工程と、前記第1の電極層の一部が露出する接続開口部を形成するように、レーザービームを照射して前記半導体層と導体層を一括除去した後、、前記接続開口部を含んで前記導体層の表面に酸性溶液を用いてエッチング加工を施すことにより、前記接続開口部に付着した溶融飛散物を除去すると共に前記導体層の表面に凹凸を形成する工程と、前記導体層上に高反射性金属からなる第２の電極層を形成して、接続開口部を介して前記第１の電極層と第２の電極層とを接続した後、前記接続開口部の近傍における前記導体層と第２の電極層とを除去する工程と、からなることを特徴とする。
【００１５】
上記したように、半導体層と導体層を一括除去加工した後に、膜面にエッチング加工を施すことによって、接続開口部の第１の電極層と第２の電極層界面に加工飛散物が残留することが防止でき、接続部の抵抗を低減できる。
【００１６】
前記エッチング加工を酸性溶液による化学的エッチングにより行うとよい。
【００１７】
また、上記した化学的エッチングによって導体層と第２の電極層界面に凹凸が形成されて、光閉じ込め効果が増大して出力電流を向上できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態につき、図１に従い説明する。図１は、この発明により製造された集積型光起電力装置を示す断面図である。
【００２０】
ガラス、プラスチックからなる透明な基板１上にＳｎＯ₂、ＺｎＯのような透明電極からなる第１の電極層としての表面電極層２を形成する。この実施形態においては、基板１上に熱ＣＶＤ法でＳｎＯ₂からなる膜厚８０００Åの表面電極層２を形成する。その後、レーザービームの照射によって表面電極層２の隣接間隔部をライン状に除去し発電領域に対応する短冊状に分離する。
【００２１】
このレーザー分離加工には、波長約１．０６μｍ、エネルギー密度１３Ｊ／ｃｍ³、パルス周波数３ｋＨｚのＮｄ：ＹＡＧレーザーを使用する。
【００２２】
次に、プラズマＣＶＤ法で光活性層がａ−Ｓｉ：Ｈおよびａ−ＳｉＧｅ：Ｈからなるタンデム構造のｐｉｎ型の半導体層３を順次形成する。プラズマＣＶＤによる半導体層の形成条件を表１に示す。尚、この光活性層となる半導体層３はタンデム構造に限らず、ｐｉｎ型のａ−Ｓｉ：Ｈからなる半導体層を用いてもよい。また、半導体層３の主たる材料として、水素化アモルファスシリコン系半導体に限らず、微結晶シリコン半導体やこれらを組み合わせたものでもよい。
【００２３】
【表１】

【００２４】
次に、スパッタリング法で厚さ５００〜１００００ÅのＺｎＯからなる導体層となる第１の背面電極層４ａを形成する。この後、レーザービームの照射によって半導体層３と第１の背面電極層４ａを一括除去加工して、接続開口部６を形成する。ＺｎＯからなる第１の背面電極層の形成条件を表２に示す。レーザー分離加工には、エネルギー密度０．７Ｊ／ｃｍ³、パルス周波数３ｋＨｚのＮｄ：ＹＡＧレーザーを使用する。
【００２５】
【表２】

【００２６】
第１の背面電極層４ａの材質及びレーザー分離加工の条件によっては加工部（接続開口部６）に溶融飛散物が付着することがある。上述したように、溶融飛散物が付着すると接続部の抵抗損失を増大させてしまう。これらの飛散物は容着しており単純なエアブロアーや水洗いでは除去できない。
【００２７】
そこで、この実施形態においては、半導体層３と第１の背面電極層４ａを一括除去した加工の後に、ＤＣ逆スパッタ法により接続開口部６内を含みエッチング加工を施す。この処理により接続開口部６内に付着した飛散物５が物理エッチングにより除去される。これにより、隣接する光電変換素子の接続開口部６の表面電極層２と次の工程で形成される第２の背面電極層４ｂで界面の接触抵抗を低減することができる。逆スパッタによるエッチング条件を表３に示す。
【００２８】
【表３】

【００２９】
その後、第２の電極層として厚さ２０００ÅのＡｌなどの高反射金属からなる第２の背面電極層４ｂをスパッタリング法で形成する。この後、接続開口部６の近傍でレーザービームの照射によって少なくとも第１の背面電極層４ａと第２の背面電極4Bからなる背面電極４を一括除去してライン状の分離溝７を形成し、分離加工する。Ａｌからなる第１の背面電極層４ｂの形成条件を表４に示す。また、レーザー分離加工には、エネルギー密度０．７Ｊ／ｃｍ³、パルス周波数４ｋＨｚのＮｄ：ＹＡＧレーザーを使用する。
【００３０】
【表４】

【００３１】
上記した実施形態においては、第１の背面電極層４ａのレーザー加工時における溶融飛散物の除去に逆スパッタを用いたが、酸性溶液による化学的エッチングを使用する方法も有効である。例えば、１％塩酸（ＨＣｌ）水溶液に５〜３０秒間浸した後に、１０〜２０秒間純水洗浄することによっても、逆スパッタによる物理的エッチングと同様の飛散物除去効果が得られる。さらに、ＺｎＯは酸性水溶液に浸すと異方性エッチングが生じてＺｎＯの膜組織構造を反映した凹凸が形成されることが知られている。
【００３２】
この効果により、化学エッチングを使用した場合には、飛散物を除去すると同時にＺｎＯからなる第１の背面電極層４ａの表面に深さ約３５０〜１０００Åの凹凸４ｃが形成される。これにより、表面側からの入射光が背面で拡散反射するいわゆる光閉じ込め効果が生じ、出力電流が向上するという副次的な効果も得られる。
【００３３】
この発明による集積型太陽電池の出力を表５に示す。光照射条件はＡＭ１．５、１ｓｕｎ、２５℃である。
【００３４】
【表５】

【００３５】
表５において、１は、図２に示した従来の方法により形成した光起電力装置、２及び３はこの発明により形成した光起電力装置である。表５から明らかなように、この発明によれば、接続開口部６の抵抗が低下したことにより、従来例のものに比べて太陽電池特性が向上していることが分かる。
【発明の効果】
以上説明したように、この発明は、半導体層と導体層を一括除去加工した後に膜面にエッチング加工を施すことによって、接続開口部に加工飛散物が残留するのを防止し、接続部の抵抗を低減することができる。また、エッチングによって導体層と第２の電極層界面に凹凸が形成されて、光閉じ込め効果が増大して出力電流を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による方法により形成した光起電力装置を示す断面図である。
【図２】従来の方法により形成した光起電力装置を示す断面図である。
【図３】従来の方法により形成した光起電力装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１基板
２表面電極層
３半導体層
４背面電極層
４ａ第１の背面電極層
４ｂ第２の背面電極層
６接続開口部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an integrated photovoltaic device formed by connecting a plurality of photoelectric conversion elements in series on a substrate.
[0002]
[Prior art]
A full-scale spread of photovoltaic devices that directly convert sunlight into electrical energy has begun. Among these, photovoltaic devices using an amorphous silicon (a-Si) based semiconductor as a photoactive layer are used for various applications. This largely depends on the development of an integrated photovoltaic device that can extract a high voltage by cascading a large number of photoelectric conversion elements on a single substrate.
[0003]
FIG. 3 is a sectional view showing the basic structure of the integrated photovoltaic device described above. This integrated photovoltaic device includes a transparent electrode 1 made of glass or plastic, a surface electrode layer 2 made of a transparent electrode such as SnO ₂ or ZnO, a pin-type semiconductor layer 3 made of a-Si, and Ag. A back electrode layer 4 made of a highly reflective metal such as Al is provided, and a plurality of photoelectric conversion elements are formed on the substrate 1 by separating each layer into a strip shape at a predetermined position. And the photoelectric conversion element which mutually adjoins through the opening part 6 for a connection is electrically connected in series. Each photoelectric conversion element is separated by a separation groove 7.
[0004]
Separation of each layer in the integrated photovoltaic device described above is usually performed using a laser processing method. Hereinafter, a method for manufacturing an integrated photovoltaic device using a laser processing method will be described with reference to FIG.
[0005]
After the surface electrode layer 2 is deposited on the transparent substrate 1, the surface electrode layer 2 is separated into strips corresponding to the power generation region by laser irradiation. Then, cleaning is performed to remove melted and scattered matter by laser irradiation, and a pin-type semiconductor layer 3 made of a-Si is formed over the entire surface of the substrate by plasma CVD. Subsequently, after the semiconductor layer 3 is separated and the connection opening 6 is formed by laser irradiation, cleaning for removing the molten scattered matter is performed. Thereafter, the back electrode layer 4 is deposited, and the surface electrode 2 and the back electrode 4 are connected through the connection opening 6. Thereafter, the back electrode 4 is separated by laser irradiation to form an integrated photovoltaic device.
[0006]
By the way, in Japanese Patent Laid-Open No. 9-8337, when an integrated photovoltaic device is formed by the laser processing described above, the semiconductor layer surface state deteriorates due to the cleaning of the semiconductor layer 3 after laser irradiation, and the fill factor ( F. F.) has been shown to decrease, and in order to solve this problem, a method of maintaining a good surface state of the semiconductor layer 3 has been proposed.
[0007]
In Japanese Patent Laid-Open No. 9-8337, a transparent conductive film made of ITO, ZnO, or the like is provided in a region excluding a connection opening on a semiconductor layer, and a metal connected to a surface electrode through the connection opening on the conductor layer. An integrated photovoltaic device in which a back electrode is formed has been proposed.
[0008]
A method for manufacturing an integrated photovoltaic device in which the back electrode 4 is composed of a transparent conductive film 4a and a metal back electrode 4b will be described with reference to FIG.
[0009]
A surface electrode 2 made of a transparent electrode such as SnO ₂ or ZnO is formed on the substrate 1, and each portion between adjacent surface electrode layers is removed in a line shape by laser beam irradiation and separated into a strip shape. Then, cleaning is performed to remove melted and scattered matter by laser irradiation, and a pin-type semiconductor layer 3 made of a-Si is formed over the entire surface of the substrate by plasma CVD.
[0010]
Next, a transparent conductive film 4a such as ZnO is formed on the semiconductor layer 3 by a sputtering method, and the semiconductor layer 3 and the transparent conductive film 4a are collectively removed by laser beam irradiation to form the connection openings 6. Thereafter, washing with water for removing the molten scattered matter is performed. At this time, since the surface of the semiconductor layer 3 is covered with the transparent conductive film 4a, a natural oxide film is not formed on the surface, and the surface state of the semiconductor layer 3 can be maintained well.
[0011]
Subsequently, a metal back electrode 4b made of a highly reflective metal such as Al is formed, and the surface electrode 2 and the back electrode 4b are connected. By removing the back electrode 4 composed of at least the transparent conductive film 4a and the metal back electrode 4b in the vicinity of the connection opening 6 by laser beam irradiation and dividing it into a plurality of photoelectric conversion elements by the separation groove 7, a transparent electrode is obtained. It is possible to realize a structure in which the surface electrode layer 2 made of metal and the metal back electrode 4b made of highly reflective metal are connected.
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described method, depending on the material of the transparent conductive film 4a and the laser separation processing conditions, the molten scattered matter 5 may adhere to the connection opening 6, thereby increasing the resistance loss of the connection. . These scattered objects 5 are welded and cannot be removed by a simple air blower or washing with water, resulting in a problem that the connection resistance of this portion increases.
[0013]
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and aims to provide an integrated photovoltaic device having good characteristics by eliminating the resistance loss of the connection portion between the front electrode and the rear electrode. To do.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The present invention includes a step of forming a first electrode layer made of a transparent electrode corresponding to a plurality of power generation regions on a transparent substrate, and a semiconductor serving as a photoactive layer on the first electrode layer over the plurality of power generation regions Forming a layer and a conductor layer made of ZnO in sequence, and removing the semiconductor layer and the conductor layer collectively by irradiating a laser beam so as to form a connection opening in which a part of the first electrode layer is exposed After that, the surface of the conductor layer including the connection opening is etched using an acidic solution to remove the molten scattered matter adhering to the connection opening and the surface of the conductor layer is uneven. Forming a second electrode layer made of a highly reflective metal on the conductor layer, and connecting the first electrode layer and the second electrode layer through a connection opening The conductor layer in the vicinity of the connection opening and the second Removing the electrode layer, characterized in that it consists.
[0015]
As described above, after the semiconductor layer and the conductor layer are collectively removed, the processed surface remains etched at the interface between the first electrode layer and the second electrode layer in the connection opening by etching the film surface. Can be prevented, and the resistance of the connection portion can be reduced.
[0016]
The etching process may be performed by chemical etching using an acidic solution.
[0017]
In addition, the above-described chemical etching forms irregularities at the interface between the conductor layer and the second electrode layer, thereby increasing the light confinement effect and improving the output current.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view showing an integrated photovoltaic device manufactured according to the present invention.
[0020]
A surface electrode layer 2 as a first electrode layer made of a transparent electrode such as SnO ₂ or ZnO is formed on a transparent substrate 1 made of glass or plastic. In this embodiment, a film thickness 8000Å surface electrode layer 2 made of SnO ₂ by a thermal CVD method on the substrate 1. Then, the adjacent space | interval part of the surface electrode layer 2 is removed in a line form by laser beam irradiation, and it isolate | separates into the strip shape corresponding to a power generation area | region.
[0021]
For this laser separation processing, an Nd: YAG laser having a wavelength of about 1.06 μm, an energy density of 13 J / cm ³ and a pulse frequency of 3 kHz is used.
[0022]
Next, a pin type semiconductor layer 3 having a tandem structure in which the photoactive layer is made of a-Si: H and a-SiGe: H is sequentially formed by plasma CVD. Table 1 shows the conditions for forming the semiconductor layer by plasma CVD. The semiconductor layer 3 serving as the photoactive layer is not limited to the tandem structure, and a semiconductor layer made of pin-type a-Si: H may be used. The main material of the semiconductor layer 3 is not limited to a hydrogenated amorphous silicon semiconductor, but may be a microcrystalline silicon semiconductor or a combination thereof.
[0023]
[Table 1]

[0024]
Next, the 1st back electrode layer 4a used as the conductor layer which consists of 500-10000-thick ZnO by sputtering method is formed. Thereafter, the semiconductor layer 3 and the first back electrode layer 4a are collectively removed by laser beam irradiation to form connection openings 6. Table 2 shows the conditions for forming the first back electrode layer made of ZnO. For the laser separation processing, an Nd: YAG laser having an energy density of 0.7 J / cm ³ and a pulse frequency of 3 kHz is used.
[0025]
[Table 2]

[0026]
Depending on the material of the first back electrode layer 4a and the conditions of laser separation processing, molten scattered matter may adhere to the processed portion (connection opening 6). As described above, when the molten scattered matter adheres, the resistance loss of the connection portion is increased. These scattered objects are attached and cannot be removed by simple air blower or water washing.
[0027]
Therefore, in this embodiment, after the processing in which the semiconductor layer 3 and the first back electrode layer 4a are removed at once, the etching including the inside of the connection opening 6 is performed by DC reverse sputtering. By this processing, the scattered matter 5 attached in the connection opening 6 is removed by physical etching. Thereby, the contact resistance of an interface can be reduced by the surface electrode layer 2 of the connection opening part 6 of an adjacent photoelectric conversion element, and the 2nd back electrode layer 4b formed at the following process. Table 3 shows the etching conditions by reverse sputtering.
[0028]
[Table 3]

[0029]
Thereafter, a second back electrode layer 4b made of a highly reflective metal such as Al having a thickness of 2000 mm is formed as a second electrode layer by a sputtering method. Thereafter, at least the first back electrode layer 4a and the second back electrode 4B formed by laser beam irradiation in the vicinity of the connection opening 6 are collectively removed to form a line-like separation groove 7. Separate processing. Table 4 shows the conditions for forming the first back electrode layer 4b made of Al. In the laser separation process, an Nd: YAG laser having an energy density of 0.7 J / cm ³ and a pulse frequency of 4 kHz is used.
[0030]
[Table 4]

[0031]
In the above-described embodiment, although using a reverse sputtering to remove the molten debris during the laser processing of the first back electrode layer 4a, a method of using histological etching of an acidic solution is also effective. For example, the same scattered substance removal effect as that of physical etching by reverse sputtering can be obtained by immersing in a 1% hydrochloric acid (HCl) aqueous solution for 5 to 30 seconds and then washing with pure water for 10 to 20 seconds. Furthermore, it is known that when ZnO is immersed in an acidic aqueous solution, anisotropic etching occurs and irregularities reflecting the film structure of ZnO are formed.
[0032]
Due to this effect, when chemical etching is used, irregularities 4c having a depth of about 350 to 1000 mm are formed on the surface of the first back electrode layer 4a made of ZnO at the same time as the scattered matter is removed. As a result, a so-called light confinement effect in which incident light from the front side is diffusely reflected on the back surface is produced, and a secondary effect of improving the output current is also obtained.
[0033]
Table 5 shows the output of the integrated solar cell according to the present invention. The light irradiation conditions are AM1.5, 1 sun, and 25 ° C.
[0034]
[Table 5]

[0035]
In Table 5, 1 is a photovoltaic device formed by the conventional method shown in FIG. 2, and 2 and 3 are photovoltaic devices formed by the present invention. As can be seen from Table 5, according to the present invention, the resistance of the connection opening 6 is reduced, so that the solar cell characteristics are improved as compared with the conventional example.
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, after the semiconductor layer and the conductor layer are collectively removed, an etching process is performed on the film surface, thereby preventing the processing scattered matter from remaining in the connection opening and the resistance of the connection part. Can be reduced. In addition, unevenness is formed at the interface between the conductor layer and the second electrode layer by etching, so that the light confinement effect is increased and the output current can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a photovoltaic device formed by a method according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a photovoltaic device formed by a conventional method.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a photovoltaic device formed by a conventional method.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Surface electrode layer 3 Semiconductor layer 4 Back electrode layer 4a 1st back electrode layer 4b 2nd back electrode layer 6 Connection opening

Claims

A step of forming a first electrode layer comprising a transparent electrode corresponding to a plurality of power generation regions on a transparent substrate; and a semiconductor layer serving as a photoactive layer on the first electrode layer extending over the plurality of power generation regions and ZnO And sequentially removing the semiconductor layer and the conductor layer by irradiating with a laser beam so as to form a connection opening in which a part of the first electrode layer is exposed, The step of etching the surface of the conductor layer including the connection opening using an acidic solution to remove the molten scattered matter adhering to the connection opening and forming irregularities on the surface of the conductor layer And forming a second electrode layer made of a highly reflective metal on the conductor layer, connecting the first electrode layer and the second electrode layer through a connection opening, and then connecting the connection opening. The conductor layer in the vicinity of the portion and the second Removing the electrode layer, manufacturing method of an integrated photovoltaic device comprising a.