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JP4189404B2 - Optical device - Google Patents
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JP4189404B2 - Optical device - Google Patents

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Description

本発明は、1つ以上の光ファイバを有する光ファイバアレイを具備した光デバイスに関し、特に、光ファイバを伝搬する信号光を途中でモニタする場合に好適な光デバイスに関する。  The present invention relates to an optical device including an optical fiber array having one or more optical fibers, and more particularly to an optical device suitable for monitoring signal light propagating through an optical fiber.

近時、ファイバアンプを用いた波長多重通信の発達に伴い、アンプ特性確保のため、各波長の光量をフォトダイオード(PD)でモニタし、光量を調整した上でアンプにて増幅させるという方式が採られるようになってきている。
このモニタには各種方法が知られているが、各光ファイバにモニタデバイスを搭載するため、モニタデバイスだけでかなりの大きさを必要としている。
そのため、モニタデバイスの小型化、高密度化が望まれている。また、モニタする際に、信号光の一部を取り出して行うようにしているが、信号光を大きく減衰させることなくモニタリングできるものが望まれている。
従来では、例えば特開2001−264594号公報に示すような技術が提案されている。この技術は、ガラス基板のV溝内に光ファイバを配置し、その後、ガラス基板に対して光ファイバを(その光軸に対して)斜めに横切るように平行溝を形成する。そして、前記平行溝内に光反射基体(光学部材)を挿入し、その隙間に紫外線硬化樹脂(接着剤)を充填するようにしている。
これにより、光ファイバを伝搬する信号光のうち、光反射基体で反射した光成分(反射光)がクラッド外に取り出されることになる。従って、この反射光を例えば受光素子にて検知することで、信号光のモニタが可能となる。
ところで、光ファイバ上にPDを配置する場合、そのほとんどは単心であり、金属製のパッケージタイプのPDを配置する場合が多かった(例えば特開平10−300936号公報、特開平11−133255号公報、国際公開第97/06458号パンフレット参照)。これは単心なので空間的制約が少ないことと、金属製のパッケージタイプのPDは市場に多く出回っており、価格・信頼性等での実績が大きいことによる。
一方、多心の場合は、金属製のパッケージタイプのPDを用いることは難しい。特に、光ファイバの配列ピッチが250μm等のように高密度な実装を要求される場合は、複数のベア(裸)のフォトダイオードが配列されたフォトダイオードアレイ(PDアレイ)を設置する必要がある。
この場合、PDアレイからの電極信号の導出を考慮すると、PDアレイを配線基板(サブマウント)に実装し、該サブマウントを多心の光ファイバアレイに実装することが考えられる。
しかし、あるチャンネルからの反射光のうち、PDアレイの活性層を外れた光や活性層を抜けた光がPDアレイやサブマウントの実装面(PDアレイが実装された面)において反射し、迷光となって他のチャンネルに入射することにより、クロストークが発生するおそれがある。
これは、PDアレイ及び/又はサブマウントの実装面に、高い反射率を有する材料である電極パターン又は実装用の半田層が存在することから引き起こされる。
また、上述の問題は、特に、反射光がPDアレイに対して斜め方向から入射される場合に発生する。つまり、垂直入射の場合、反射光がPDアレイの活性層に対して垂直に入射するため、同じチャンネル(所望のチャンネル)に再結合され、クロストークの問題にはならない。これが斜め入射の場合、反射光は高い反射率を有する材料に当たるので、以降、迷光となってしまい、クロストークの問題となる。
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、反射光が斜めに入射しても、クロストークの低減を有効に図ることができる光デバイスを提供することを目的とする。
Recently, with the development of wavelength division multiplexing using fiber amplifiers, in order to secure amplifier characteristics, the amount of light at each wavelength is monitored with a photodiode (PD), and the amount of light is adjusted and then amplified with an amplifier. It has come to be adopted.
Various methods are known for this monitor, but since a monitor device is mounted on each optical fiber, a considerable size is required only by the monitor device.
Therefore, miniaturization and high density of the monitor device are desired. Further, when monitoring, a part of the signal light is taken out, but what can be monitored without greatly attenuating the signal light is desired.
Conventionally, for example, a technique as disclosed in JP 2001-264594 A has been proposed. In this technique, an optical fiber is disposed in a V-groove of a glass substrate, and then a parallel groove is formed so as to obliquely cross the optical fiber (with respect to its optical axis) with respect to the glass substrate. Then, a light reflecting substrate (optical member) is inserted into the parallel groove, and an ultraviolet curable resin (adhesive) is filled in the gap.
Thereby, out of the signal light propagating through the optical fiber, the light component reflected by the light reflecting substrate (reflected light) is extracted out of the cladding. Therefore, the signal light can be monitored by detecting the reflected light with a light receiving element, for example.
By the way, when PDs are arranged on an optical fiber, most of them are single-core, and metal package type PDs are often arranged (for example, JP-A-10-300936 and JP-A-11-133255). Gazette, International Publication No. 97/06458 pamphlet). This is because there are few spatial restrictions because it is a single core, and many metal package type PDs are on the market and have a great track record in price and reliability.
On the other hand, in the case of many cores, it is difficult to use a metal package type PD. In particular, when high-density mounting is required such that the arrangement pitch of optical fibers is 250 μm, it is necessary to install a photodiode array (PD array) in which a plurality of bare photodiodes are arranged. .
In this case, considering the derivation of electrode signals from the PD array, it can be considered that the PD array is mounted on a wiring board (submount) and the submount is mounted on a multi-fiber optical fiber array.
However, of the reflected light from a certain channel, the light that has gone out of the active layer of the PD array or the light that has passed through the active layer is reflected on the mounting surface (the surface on which the PD array is mounted) of the PD array or submount, and stray light And entering into other channels may cause crosstalk.
This is caused by the presence of an electrode pattern or a solder layer for mounting on the mounting surface of the PD array and / or submount, which is a material having high reflectivity.
The above-described problem occurs particularly when reflected light is incident on the PD array from an oblique direction. That is, in the case of normal incidence, since the reflected light is perpendicularly incident on the active layer of the PD array, it is recombined with the same channel (desired channel) and does not cause a problem of crosstalk. When this is obliquely incident, the reflected light hits a material having a high reflectance, so that it becomes stray light thereafter, resulting in a problem of crosstalk.
The present invention has been made in consideration of such problems, and an object thereof is to provide an optical device capable of effectively reducing crosstalk even when reflected light is incident obliquely.

本発明に係る光デバイスは、V溝が形成された第1の基板と、前記第1の基板の前記V溝に固定され、かつ、反射機能が設けられた1以上の光ファイバと、前記光ファイバのクラッド外のうち、少なくとも前記反射機能によって発生した反射光の光路上に接着層を介して固着された光素子と、主面に前記光素子を実装するための第2の基板とを有し、前記第2の基板の前記主面と前記光素子との間隙のうち、少なくとも前記光素子の活性層と前記第2の基板の前記主面との間隙に光反射材が存在しないことを特徴とする。
つまり、前記第2の基板の前記主面と前記光素子との間隙のうち、光素子の活性層と第2の基板の主面との間隙(第1間隙)と、該第1間隙の近傍周囲の間隙(第2間隙)に金属等の光反射材が存在しない構成とすることで、光素子や第2の基板の前記主面のうち、これらの第1間隙及び第2間隙に対応する部分での反射を抑えることができる。これにより、反射光が斜めに入射しても、つまり、前記反射光の光素子への入射角度が鉛直方向に対して10°以上であってもクロストークの低減を有効に図ることができる。
そして、前記構成において、前記光素子の活性層と前記第2の基板の前記主面との間隙の屈折率が前記光素子の屈折率よりも低いことが好ましい。これにより、まず、反射光は前記第1間隙及び第2間隙に入った段階で回折で拡がるか散乱することになる。反射光が拡がれば反射光線密度が薄まり、迷光となって他チャンネルに入射したとしてもその成分は小さいものになっているため、クロストークとして検出されるまでには至らない。
第1間隙及び第2間隙において大きな回折を得るためには、屈折率の低い材料が充填されていればよく、最も好ましいのは空気である。しかしながら、空気等の低屈折率材の場合、確かに透過光は回折による光の拡がりを得ることができるが、光素子と空気との屈折率差による反射成分が発生する。この反射光は、金属物質に対する反射光よりはかなり小さいが、場合によっては問題となる。
そこで、第1間隙及び第2間隙の屈折率をある程度光素子の表面に合わせ、かつ第1間隙及び第2間隙中で散乱による光の拡がりを得るような状態にしておくことが好ましい。間隙の屈折率は、光素子表面の屈折率の±30%以下であると好ましい。
これにより、光素子と第1間隙及び第2間隙との界面での反射を抑えることができ、しかも、第1間隙及び第2間隙での反射光の拡がりを得られ、その結果、クロストークが非常に小さいという特性を得ることができる。
第1間隙及び第2間隙において散乱を得る手段としては、例えば、材料中に粒子が点在するような状態であれば、この粒子で反射光が散乱され所望の散乱を得ることができる。粒子同士が接触してしまうほど高密度な状態であると逆に反射が大きくなってしまうので、部分的には接触していたとしても、マクロ的に見て点在する状態が好ましい状態である。
このような材料として異方性導電材料が挙げられる。異方性導電材料、例えば異方性導電ペーストは、Au(金)などの導電材料をコーティングした直径3μm程度の球状ポリマーが点在しているので、第1間隙及び第2間隙中で散乱を得るのに適した材料といえる。
更に、前記第2の基板の前記主面と前記光素子との間隙のうち、前記第1間隙及び第2間隙を除く部分(反射の光路になんら影響を与えない部分)に電極層を介在させると、異方性導電材料は熱圧着することにより、Auなどの電極パターンが盛り上がっている電極間は、導電性材料をコーティングした球状ポリマーにより導通する。一方、電極層から遠い部分は前記ポリマーが互いに接することなく、しかも、密度が低く、点在した状態となる。つまり、電極層が第1間隙及び第2間隙の周辺に配されることにより、より好ましい状態を実現することが可能となる。
その結果、異方性導電材料により、光素子とサブマウントとの間の電極の導通と反射光の散乱の両方を得ることが可能となる。
上述したように、回折にしろ散乱にしろ、第1間隙及び第2間隙での光の拡がりを得ることが目的である。つまり、第1間隙及び第2間隙の間隔が長いとよりその効果を得ることができる。この観点からこの間隙は20μm以上とすることが好ましい。
この間隔を得るためには、例えばスペーサ等を配すればよいが、この観点からも上述のように電極層が配されていれば、電極層がスペーサの役割も果たすので好ましいといえる。
An optical device according to the present invention includes a first substrate having a V-groove, one or more optical fibers fixed to the V-groove of the first substrate and provided with a reflection function, and the light Out of the fiber cladding, at least an optical element fixed on an optical path of reflected light generated by the reflection function via an adhesive layer, and a second substrate for mounting the optical element on a main surface are provided. A light reflecting material is not present in at least a gap between the active layer of the optical element and the main surface of the second substrate in the gap between the main surface of the second substrate and the optical element. Features.
That is, of the gap between the main surface of the second substrate and the optical element, the gap (first gap) between the active layer of the optical element and the main surface of the second substrate, and the vicinity of the first gap By adopting a configuration in which a light reflecting material such as a metal does not exist in the peripheral gap (second gap), it corresponds to the first gap and the second gap among the main surfaces of the optical element and the second substrate. Reflection at the part can be suppressed. Thereby, even if the reflected light is incident obliquely, that is, even if the incident angle of the reflected light to the optical element is 10 ° or more with respect to the vertical direction, it is possible to effectively reduce the crosstalk.
And in the said structure, it is preferable that the refractive index of the gap | interval of the active layer of the said optical element and the said main surface of the said 2nd substrate is lower than the refractive index of the said optical element. As a result, first, the reflected light spreads or scatters by diffraction when entering the first gap and the second gap. If the reflected light spreads, the reflected light density decreases, and even if it becomes stray light and enters the other channel, its component is small, so it does not reach the point where it is detected as crosstalk.
In order to obtain a large diffraction in the first gap and the second gap, it is only necessary to be filled with a material having a low refractive index, and the most preferable is air. However, in the case of a low-refractive index material such as air, the transmitted light can surely obtain the spread of light due to diffraction, but a reflection component is generated due to the refractive index difference between the optical element and air. Although this reflected light is considerably smaller than the reflected light with respect to a metal substance, it becomes a problem in some cases.
Therefore, it is preferable that the refractive indexes of the first gap and the second gap are adjusted to the surface of the optical element to some extent, and the light spread due to scattering is obtained in the first gap and the second gap. The refractive index of the gap is preferably ± 30% or less of the refractive index of the optical element surface.
As a result, reflection at the interface between the optical element and the first gap and the second gap can be suppressed, and the spread of reflected light in the first gap and the second gap can be obtained. The characteristic of being very small can be obtained.
As a means for obtaining scattering in the first gap and the second gap, for example, if the particles are scattered in the material, the reflected light is scattered by the particles, and desired scattering can be obtained. If the particles are in such a high-density state that the particles are in contact with each other, the reflection will increase. Therefore, even if they are partially in contact with each other, a state where they are scattered in a macro view is a preferable state. .
An anisotropic conductive material is mentioned as such a material. An anisotropic conductive material, for example, an anisotropic conductive paste, is dotted with spherical polymers having a diameter of about 3 μm coated with a conductive material such as Au (gold), and thus scatters in the first gap and the second gap. It can be said that it is a material suitable for obtaining.
Further, an electrode layer is interposed in a portion of the gap between the main surface of the second substrate and the optical element excluding the first gap and the second gap (a portion that does not affect the reflection optical path). By conducting thermocompression bonding of the anisotropic conductive material, the electrodes having a raised electrode pattern such as Au are electrically connected by a spherical polymer coated with the conductive material. On the other hand, in the part far from the electrode layer, the polymer is not in contact with each other, and the density is low and scattered. That is, a more preferable state can be realized by arranging the electrode layers around the first gap and the second gap.
As a result, the anisotropic conductive material makes it possible to obtain both conduction of the electrode and scattering of reflected light between the optical element and the submount.
As described above, it is an object to obtain the spread of light in the first gap and the second gap, whether diffraction or scattering. That is, if the distance between the first gap and the second gap is long, the effect can be obtained more. From this viewpoint, the gap is preferably 20 μm or more.
In order to obtain this distance, for example, a spacer or the like may be disposed. However, from this viewpoint, it is preferable that the electrode layer is disposed as described above because the electrode layer also serves as a spacer.

図1は、第1の実施の形態に係る光デバイスの要部を光ファイバの光軸と直交する面に沿って切断して示す断面図である。
図2は、第1の実施の形態に係る光デバイスの要部を光ファイバの光軸に沿って切断して示す断面図である。
図3は、第1の実施の形態に係る光デバイスにおけるPDアレイのサブマウントへの実装形態を示す断面図である。
図4は、第2の実施の形態に係る光デバイスにおけるPDアレイのサブマウントへの実装形態を示す断面図である。
図5は、第3の実施の形態に係る光デバイスにおけるPDアレイのサブマウントへの実装形態を示す断面図である。
図6は、実施例に係る光デバイスの要部を示す断面図である。
図7は、実施例に係る光デバイスにて使用した裏面入射型のPDアレイを示す説明図である。
図8は、サブマウントの下面にPDアレイを実装した状態を示す断面図である。
図9は、PDアレイが実装されたサブマウントを光ファイバアレイに実装してオプティカルヘッドとした状態を示す斜視図である。
図10は、サブマウントの電極パッドとパッケージのピンとをワイヤボンディングした状態を示す斜視図である。
図11は、オプティカルヘッドにリングとブーツを固定し、更に、オプティカルヘッドを樹脂封止した状態を示す斜視図である。
図12は、リングの上面開口部に蓋を固定して光デバイスを完成させた状態を示す斜視図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main part of the optical device according to the first embodiment cut along a plane orthogonal to the optical axis of the optical fiber.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the main part of the optical device according to the first embodiment cut along the optical axis of the optical fiber.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a mounting form of the PD array on the submount in the optical device according to the first embodiment.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a mounting form of a PD array on a submount in the optical device according to the second embodiment.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a mounting form of a PD array on a submount in the optical device according to the third embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a main part of the optical device according to the example.
FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating a back-illuminated PD array used in the optical device according to the example.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which the PD array is mounted on the lower surface of the submount.
FIG. 9 is a perspective view showing a state where an optical head is formed by mounting a submount on which a PD array is mounted on an optical fiber array.
FIG. 10 is a perspective view showing a state where the electrode pads of the submount and the pins of the package are wire-bonded.
FIG. 11 is a perspective view showing a state in which a ring and a boot are fixed to the optical head, and the optical head is sealed with resin.
FIG. 12 is a perspective view showing a state where an optical device is completed by fixing a lid to the upper surface opening of the ring.

以下、本発明に係る光デバイスを例えばインライン型パワーモニタモジュールに適用したいくつかの実施の形態を図1〜図12を参照しながら説明する。
第1の実施の形態に係る光デバイス10Aは、基本的には、図1及び図2に示すように、ガラス基板12と、該ガラス基板12に設けられた複数のV溝14に固定され、それぞれ反射部33が設けられた複数の光ファイバ15からなる光ファイバアレイ16と、各光ファイバ15を透過する光22のうち、少なくとも反射部にて発生された光(反射光)24の光路上に接着層60を介して固着され、前記反射光24を検出するPD(フォトダイオード)アレイ28と、該PDアレイ28を実装するための配線基板(サブマウント)30とを有し、該サブマウント30は、PDアレイ28の実装面30aがガラス基板12に対向させて設置されて構成されている。
なお、ここでは、複数の光ファイバ15にて光ファイバアレイ16を構成した例を示しているため、「各光ファイバ15」というときは、「4本の光ファイバの各々」という意味になる。しかし、1本の光ファイバ15でも光ファイバアレイ16を構成することができるため、この場合、「各光ファイバ」あるいは「複数の光ファイバ」は、「1本の光ファイバ」と読み替えればよい。
そして、PDアレイ28は、図3に示すように、表面入射型の構成を有する。即ち、このPDアレイ28は、基板29と該基板29に形成されたチャンネル数に対応する数の活性層26とを有し、複数の活性層26は、基板29のうち、光ファイバアレイ16(図1参照)に近接、対向する部分に形成されている。PDアレイ28の上面(サブマウント30と対向する面)及び下面(光ファイバアレイ16と対向する面)のうち、それぞれ活性層26と対応する部分には反射防止膜(ARコート)100及び102が形成されている。
PDアレイ28のサブマウント30側には、アノード電極及びカソード電極がAu電極パターン104で形成され、サブマウント30の実装面30aには共通のカソード電極と各チャンネルのアノード電極がAu電極パターン64で形成されている。
PDアレイ28に形成されたAu電極パターン104とサブマウント30のAu電極パターン64とは、例えば半田層、ACP(異方性導電ペースト)、ACF(異方性導電フィルム)等の導電層106によって電気的に接続されている。なお、上述のPDアレイ28は、カソードコモンのものを使用したが、アノードコモンのものを使用しても同様の効果を得ることができる。
そして、この第1の実施の形態に係る光デバイス10Aは、PDアレイ28とサブマウント30の実装面30aとの間隙110のうち、活性層26と対応する部分の間隙(第1間隙)112と該第1間隙112の近傍周囲の間隙(第2間隙)114が空気116となっている。
この構成により、あるチャンネルからの反射光24のうち、PDアレイ28の活性層26を外れた光や活性層26を抜けた光は、第1間隙112及び第2間隙114における空気116とPDアレイ28における基板29との界面や、第1間隙112及び第2間隙114における空気116と反射防止膜102との界面、並びに第1間隙112及び第2間隙114における前記空気116を通ってサブマウント30の実装面30aに到達する。
このサブマウント30の実装面30aは、Au電極パターン64のような高い反射率をもった面ではないため、PDアレイ28やサブマウント30の実装面30aのうち、これらの第1間隙112及び第2間隙114に対応する部分での反射を抑えることができる。これにより、反射光24が斜めに入射しても、つまり、反射光24のPDアレイ28への入射角度が鉛直方向に対して10°以上であってもクロストークの低減を有効に図ることができる。
ところで、例えばPDアレイ28の基板29がInPで構成されている場合、基板29の屈折率は3.2程度で、基板29の表面に反射防止膜102としてSiNを成膜した場合、該反射防止膜102の屈折率は1.9程度となる。
反射光24は、PDアレイ28の基板29や反射防止膜102を抜けてくることになるが、第1間隙112及び第2間隙114において反射光24が回折で拡がるか、散乱により拡がることが好ましい。反射光24が拡がれば反射光24の線密度が薄まり、迷光となって他のチャンネルに入射したとしてもその成分は小さいものになっているからである。
第1間隙112及び第2間隙114において大きな回折を得るためには屈折率の低い材料が充填されていればよいが、この第1の実施の形態では、PDアレイ28の基板29や反射防止膜102の各屈折率よりも低い空気116を充填させているため、第1間隙112及び第2間隙114において大きな回折を得ることができる。
そして、サブマウント30は、セラミック多結晶材であることが好ましい。金属製の場合、反射率も高いが、金属なので反射光の散乱も小さく、迷光となりやすい。これに対し、サブマウント30がセラミック多結晶材であれば、たとえサブマウント30の実装面30aがAu電極パターン64の形成のために鏡面に近い面であったとしても、結晶粒界により光の散乱が起こる。このため、迷光として、他のチャンネルに入射する反射光量は小さくなり、クロストークの問題を低減できる。
なお、空気116等の低屈折率材の場合、確かに反射光24は、回折による光の拡がりを得ることができるが、屈折率差による反射成分が発生する。この反射は、金属物質での反射よりはかなり小さいが、場合によっては問題となる。
そこで、第1間隙112及び第2間隙114の屈折率をある程度PDアレイ28における基板29の屈折率に合わせ、かつ、第1間隙112及び第2間隙114で散乱による光の拡がりを得るような状態にしておくことが好ましい。第1間隙112及び第2間隙114の屈折率は、PDアレイ28における基板29の屈折率の±30%以下であると好ましい。この第1の実施の形態では、PDアレイ28の表面(サブマウント30と対向する面)にSiN等の反射防止膜102を形成するようにしたので、好ましい屈折率差を実現させることができる。
従って、PDアレイ28と第1間隙112及び第2間隙114との界面での反射を抑えることができ、しかも、第1間隙112及び第2間隙114での反射光24の拡がりを得られ、その結果、クロストークが非常に小さいという特性を得ることができる。
次に、第2の実施の形態に係る光デバイス10Bについて図4を参照しながら説明する。
この第2の実施の形態に係る光デバイス10Bは、上述した第1の実施の形態に係る光デバイス10Aとほぼ同様の構成を有するが、図4に示すように、第1間隙112及び第2間隙114に、ACP(異方性導電ペースト)あるいはACF(異方性導電フィルム)等の異方性導電材料120を充填している点で異なる。
この場合、異方性導電材料120は、該材料120中に金などの導電材料をコーティングした球状ポリマーが点在するような状態となっており、これら粒子で反射光24が散乱され所望の散乱を得ることができる。なお、粒子同士が接触してしまうほど高密度な状態であると逆に反射が大きくなってしまうので、部分的には接触していたとしても、マクロ的に見て点在する状態が好ましい。
このように、第2の実施の形態に係る光デバイス10Bにおいても、第1の実施の形態に係る光デバイス10Aと同様に、PDアレイ28と第1間隙112及び第2間隙114との界面での反射を抑えることができ、しかも、第1間隙112及び第2間隙114での反射光24の拡がりを得られ、その結果、クロストークが非常に小さいという特性を得ることができる。
次に、第3の実施の形態に係る光デバイス10Cについて図5を参照しながら説明する。なお、図4と対応する部分については同じ符号を付してその重複説明を省略する。
この第3の実施の形態に係る光デバイス10Cは、図5に示すように、PDアレイ28が裏面入射型の構成を有する点で異なる。
即ち、このPDアレイ28は、基板29と該基板29に形成されたチャンネル数に対応する数の活性層26とを有し、複数の活性層26は、基板29のうち、サブマウント30に近接し、該サブマウント30の実装面30aと対向する部分に形成されている。
また、この光デバイス10Cは、PDアレイ28に形成されたAu電極パターン104とサブマウント30のAu電極パターン64とは、例えばACP(異方性導電ペースト)、ACF(異方性導電フィルム)等の導電層106とAuバンプ122によって電気的に接続されている。
また、この第3の実施の形態に係る光デバイス10Cにおいては、第2の実施の形態に係る光デバイス10Bと同様に、第1間隙112及び第2間隙114に、ACP(異方性導電ペースト)あるいはACF(異方性導電フィルム)等の異方性導電材料120が充填されている。
従って、この光デバイス10Cにおいては、第2の実施の形態に係る光デバイス10Bと同様に、PDアレイ28と第1間隙112及び第2間隙114との界面での反射を抑えることができ、しかも、第1間隙112及び第2間隙114での反射光24の拡がりを得られ、その結果、クロストークが非常に小さいという特性を得ることができる。
更に、この光デバイス10Cにおいては、サブマウント30の実装面30aとPDアレイ28との間隙110のうち、第1間隙112及び第2間隙114を除く部分(反射光24の光路になんら影響を与えない部分)にAuバンプ122を介在させるようにしている。従って、第1間隙112及び第2間隙114に充填された異方性導電材料120中の球状ポリマーが前記Auバンプ122に引き寄せられることになる。
そのため、異方性導電材料120のうち、Auバンプ122の周辺は球状ポリマーが接し合う程度に密度が高くなり、Auバンプ122から遠い部分(例えば第1間隙112の部分)は、球状ポリマーの密度が低く適度に点在した状態となる。この状態は反射光24の散乱には適した状態であり、第1間隙112及び第2間隙114での反射光24の更なる拡がりを得ることができる。
その結果、前記異方性導電材料120により、PDアレイ28とサブマウント30との間の電気的導通と反射光24の散乱の両方を得ることが可能となる。
上述したように、回折にしろ散乱にしろ、第1間隙112及び第2間隙114での反射光24の拡がりを得ることを目的とする。つまり、第1間隙112及び第2間隙114の間隔Lが長ければ、よりその効果を得ることができる。この観点からこの間隙Lは20μm以上とすることが好ましい。
この間隔Lを得るためには、例えばスペーサ等を配すればよいが、この観点からも上述のようにサブマウント30とPDアレイ28間に前記Auバンプ122が配されていれば、Auバンプ122がスペーサの役割も果たすので、第1間隙112及び第2間隙114の間隔LをAuバンプ122にて容易に調整することができ好ましい。
次に、第3の実施の形態に係る光デバイス10Cの実施例について図6〜図12を参照しながら説明する。
この実施例に係る光デバイス10Caは、図6に示すように、ガラス基板12と、該ガラス基板12に設けられた複数のV溝14に固定された複数の光ファイバ15からなる光ファイバアレイ16と、該各光ファイバ15の各上面からガラス基板12にかけて設けられたスリット18と、該スリット18内に挿入された分岐部材20と、各光ファイバ15を透過する光22のうち、少なくとも反射部33にて発生された反射光24の光路上に接着層60を介して固着され、前記反射光24を検出する活性層26が複数配列されたPDアレイ28と、該PDアレイ28が実装され、かつ、PDアレイ28を光ファイバアレイ16に向けて固定するためのサブマウント30と、少なくともPDアレイ28を安定に固定するためのスペーサ32とを有する。なお、スリット18の2つの端面と分岐部材20の表面及び裏面は光ファイバ15を透過する光22の一部を反射する反射部33として機能することになる。
ここで、この実施例に係る光デバイス10Caの作製方法について説明する。まず、インラインの光ファイバアレイ16に使用するガラス基板12を研削加工にて作製した。
ガラス基板12の材料は、ホウケイ酸ガラス材料(ここでは特にパイレックス(登録商標)ガラス)を使用した。ガラス基板12の寸法は、長さ16mm、厚さ1mmとし、光ファイバアレイ16を整列させるためのV溝14は、250μmピッチ、深さ約90μmにて12本研削加工により形成した。
次に、光ファイバアレイ16の組み立てを行った。光ファイバアレイ16は250μmピッチの12芯テープ心線46(図9参照)を用いた。12芯テープ心線46を、途中の被覆除去部(中剥き部)が12mmになるように中剥きし、ガラス基板12のV溝14へ載置し、紫外線硬化型接着剤52(図9参照)にて固定した。
次に、光ファイバアレイ16に対するスリット18の加工を行った。スリット18は厚さ30μm、深さ200μm、傾斜角度αは20°(図6参照)とした。
次に、分岐部材20の製作を行った。分岐部材20の基板124は石英ガラスとした。この石英ガラス基板124に分岐用の多層膜126を形成した。傾斜設計は20°、分岐比率は透過93%、反射7%とした。この石英ガラス基板124に例えばSiO、TiO、Alの多層膜126を蒸着法にて形成した。この多層膜126を付した石英ガラス基板124を6mm×2mmの寸法に切断してチップ化した。チップ化した基板124を25μmまで研磨し、薄板加工を行った。
その後、前記分岐部材20をスリット18へ挿入し、紫外線硬化型接着剤を塗布、紫外線照射により硬化させて分岐部材20の実装を行った。
PDアレイ28の設計は、下記の通りとした。まず、PDアレイ28のチャンネル数は12chとし、寸法は、高さ150μm、幅420μm、長さ3mmとした。
PDアレイ28の構造は、第3の実施の形態に係る光デバイス10Cと同様に、裏面入射型を採用した。活性層26の上部(サブマウント30側)は異方性導電材料120を充填した。
裏面入射型のPDアレイ28とした理由は、下記の通りである。即ち、例えば図3に示すような表面入射型のPDアレイ28を使用した場合、裏面での反射を抑えたとしても、わずかな反射光24が表面に到達して他のチャンネルの活性層26に再結合する場合がある。これに対し、裏面入射型の場合、表面の反射光24の一部はすぐ近傍の所定のチャンネルの活性層26に吸収されるので、反射光24がこれによりかなり低減するからである。
この裏面入射型のPDアレイ28の入射面側(表面)には、図7に示すように、複数のφ70μmの入射窓56を有する金属膜58を付したメタルマスク構造を採用した。入射窓56の径はφ40〜80μmであることが望ましい。クロストークは−30dBという次元で問題となるため、そのごくわずかな光の他チャンネルへの入射でも問題となる。この視点に立った場合、反射光24を見ると、スリット18内の接着剤、スリット18の端面、光ファイバ15のコア、光ファイバ15のクラッド、PDアレイ28を固定するための接着層60など、様々な状態を抜けた上でPDアレイ28に到達するので、回折や散乱の影響を受けている。更に、スリット18の2つの端面や分岐部材20の裏面でのわずかな反射等もそれに合成されてPDアレイ28に到達する。このようなわずかな成分まで加味した場合、PDアレイ28へ入射してくる光はφ80〜100μm程度の広がりをもって入射してくる。この広がりをもったままPDアレイ28へ入射してしまうと、一部の光は活性層26からはみ出してしまうために、迷光の原因となってしまう。従って、PDアレイ28の入射面側において、開口を制限することでクロストーク特性を向上させることが可能となる。入射窓56の寸法は、40μm未満の場合、開口を絞りすぎてしまうために、PD受光効率(活性層26での受光効率)を低下させる。80μm以上の窓を開けてしまうと、クロストーク特性が悪化する。
なお、反射部33からの反射光24はある角度(鉛直方向に対して10°以上の角度)をもってPDアレイ28に入射するので、反射光24が最適に活性層26に入射する位置に入射窓56を設けることはいうまでもない。
裏面入射型のPDアレイ28の受光部分(活性層26)はφ約60μmとした。受光部分(活性層26)の大きさはφ40〜80μmであることが望ましい。これは、40μm未満の場合、受光部分(活性層26)の大きさが小さすぎるためにPD受光効率の低下が懸念される。80μm以上の場合、迷光を拾いやすくなるためにクロストーク特性が悪化するおそれがあるためである。
また、図7に示すように、裏面入射型のPDアレイ28におけるチャンネル間のブロックには、物理的な溝62を形成することで個々の切り離しを行った。通常、こうしたチャンネル間のブロックには、n型基板のチャンネル間にp型エリアを形成し、チャンネル間に障壁を形成する方法が考えられる。しかし、この実施例では、受光エリアの周囲に深さ2〜20μmの活性層26の厚み以上の深さの物理的な溝62を形成することでチャンネル間の切り離しをより確実にした。
また、サブマウント30の取付け構成として、光ファイバ15−PDアレイ28−サブマウント30という構成を取った。光ファイバ15−サブマウント30−PDアレイ28という構成も取り得るが、この場合、サブマウント30が光ファイバ15とPDアレイ28間に存在してしまうため、反射光24の光路長が長くなり、反射光24の拡がりが大きくなってしまい、PD受光効率やクロストークの観点で好ましくない。
光ファイバ15−PDアレイ28−サブマウント30という構成の場合、PDアレイ28を表面入射の状態とすると、表面からサブマウント30への導通のためにワイヤボンディングが必要となる。この場合、ワイヤボンディングのために100μm程度は空間が必要となる。この空間は、光ファイバ15(石英)との屈折率整合や信頼性という意味で接着層60で埋める必要がある。つまり、表面入射の場合、100μmもの接着層60が光路に存在することになり、この接着層60がPDLや波長依存等特性に不安定性を招く。また、ワイアは通常Auなどの金属を用いるため、そこに光が当ると光が散乱し、迷光になりクロストーク悪化の原因となる。
裏面入射の場合、理論的には光ファイバ15にPDアレイ28を接することも可能である。PDアレイ28と光ファイバ15が接することは、物理的な欠陥を招くおそれがあるので10μm程度は安全をみて、この空間を接着層60とすればよい。
この両者の光学的光路長を比較する。活性層26がPDアレイ28の基板表面(光ファイバ15と対向する面)に存在していると仮定すると、表面入射の場合が光ファイバ15の表面と活性層26との間の距離が100μmなので接着層60の屈折率が石英と同じ1.45とすると、100/1.45≒69μmとなる。裏面入射の場合、接着層60の厚みを10μm、一般的なPDアレイ28の厚みを150μmとすると、10/1.45+150/3.5≒50μmとなり、光学的には裏面入射の方が光路長を短くでき、この観点からも好ましいといえる。
更に、表面入射と裏面入射の場合、活性層26への光の入射角が大きく異なる。表面入射の場合、表面が窒化珪素(屈折率1.94)のコーティングが施されている場合でもスリット18の傾斜角αが20°であるとPDアレイ28への入射角は約35°となる。これに対して、裏面入射の場合は18.5°と表面入射の場合と比較して非常に小さい値となり、PD受光効率等の観点から好ましい。
次に、PDアレイ28のサブマウント30への実装を行った。後述するように(図10参照)、光ファイバアレイ16側をパッケージ72に搭載し、パッケージ72のピン74とサブマウント30の電極パッドをワイヤボンディング76で導通確保する構成とするために、図8に示すように、サブマウント30の下面にAu電極パターン64を形成した。PDアレイ28の実装の形態は、サブマウント30の下面にPDアレイ28を配置し、スルーホール66にて電極パターン64をサブマウント30の上面へ引き回す構成とした。従って、サブマウント30の上面には、各電極パターン64に応じてそれぞれ電極パッド65が形成された形となる。なお、サブマウント30の構成材料はAlとした。
異方性導電材料120は熱圧着することにより、該材料120内にあるAuなどの導電性物質をコーティングした直径3μm程度の球状ポリマーが、盛り上がったAuバンプ122と電極パターン64にのみに挟まり、電極パターン64とAuバンプ122との間に導通をもたらすのである。また、PDアレイ28に形成された入射窓56(図7参照)の下にも異方性導電材料122内の球状ポリマーは残るが、球状ポリマーは、表面に導電性材料がコーティングされて構成されており、窓56より出てきた光を散乱させることから、PDアレイ28内に戻っていくことを防ぐ役割も期待できる。
なお、サブマウント30の下面のうち、活性層26に対応する部分にも屈折率差による反射を抑える目的で反射防止膜(SiN)100のコーティングを行った。
次に、PDアレイ28の調芯を行った。具体的には、まず、図6に示すように、サブマウント30に光ファイバアレイ16とPDアレイ28とのギャップを決定するためのスペーサ32を取り付けた。
スペーサ32の構成材料はホウケイ酸ガラス、この場合、特にパイレックス(登録商標)ガラス材料とした。また、ギャップ長は10μmに設定した。つまり、Auバンプ122も含めPDアレイ28の厚みが190μmなので、スペーサ32を200μmとした。
そして、反射光24の光路となる光ファイバ15の上部に必要量の接着層60を塗布した。PDアレイ28とのアライメントは、光ファイバアレイ16の両端のチャンネルに光を入射し、反射光24のPD受光パワー(両端チャンネルに対応する活性層26での受光パワー)が最大になるように、アクティブアライメントにて行った。このときのPD受光パワーのモニタは、両端チャンネルに対応する活性層26からの出力を、サブマウント30にプローブを当て、電流値を見ながら行った。その後、紫外線によりPDアレイ28を光ファイバアレイ16に固定した。この段階で、図9に示すオプティカルヘッド70が完成する。
次に、図10に示すように、オプティカルヘッド70をパッケージ72の中央部分に固着する、いわゆるダイボンディングを行った。
パッケージ72は、14ピンの金属製のパッケージを使用した。外寸は、長さ20mm×幅12.5mmとした。このパッケージ72にオプティカルヘッド70を熱硬化型接着剤にて固定した。
次に、パッケージ72の両側に固定された複数のピン74とサブマウント30の電極パッド65(図8参照)間についてワイヤボンディングを行った。ワイヤ76はφ20μmのAl−Siワイヤを使用した。ワイヤ条件は、1st側をパッケージ72のピン74とし、2nd側をサブマウント30の電極パッド65とした。
次に、図11に示すように、オプティカルヘッド70を囲むようにリング78を固定し、オプティカルヘッド70における光ファイバアレイ16の導出部分にブーツ80を固定し、更に、オプティカルヘッド70に対して樹脂82による封止を行った。
リング78は、樹脂封止の際にダムの役割を果たす。リング78の構成材料はステンレス材料を使用した。コスト削減の観点から樹脂成形品を用いてもよい。リング78の高さは約4mmとした。リング78の固定には熱硬化型接着剤を使用した。また、ブーツ80はゴム製の汎用ブーツをリング78に固定した。
封止用の樹脂82にはSiゲル材料を用いた。これをワイヤ74が完全に覆われるようにポッティングし、紫外線照射と熱養生にて硬化させた。また、電極パッド65(Au)とワイヤ76(Al)の接触抵抗が高くなるパープルプレイグ(purple plague)が起こると、150℃程度までプロセス温度が上がらないのであれば、封止用の樹脂82はなくてもよい。コスト低減のため、樹脂82を減らす場合は、耐湿性を考え、ワイヤ76のフット(圧着部分)からワイヤ76の高さの1/3の程度まで埋まる範囲の量が望ましい。
次に、図12に示すように、リング78の上面開口部に蓋84を被せて固定した。蓋84はステンレス製の板を使用した。もちろん、コスト削減の観点から樹脂成形品を用いてもよい。蓋84を熱硬化型接着剤にて固定し、完成品とした。
以上の工程を経て完成したインライン型パワーモニタモジュール(本実施例に係る光デバイス10Ca)について完成検査を実施した。
透過側特性、分岐側特性について各項目を検査した。透過側特性については挿入損失、偏光依存ロス、波長依存性について各チャンネルの特性を測定した。結果として、挿入損失<0.8dB、偏光依存ロス<0.05dB、波長依存性<0.1dBと使用上問題ないレベルの結果を得た。
分岐側特性については、PD受光効率、PD受光効率の偏光依存性、波長依存性、PDアレイ側のチャンネル間クロストークについて、各チャンネルの特性を測定した。その結果、PD受光効率50〜70mA/W、PD受光効率の偏光依存性<0.3dB、波長依存性<0.5dBであり、実使用上問題のないレベルであることを確認した。また、クロストークについては、トータルクロストークとして検査を行った。すなわち、12チャンネル中、いずれか1チャンネルを光らせた状態にて、他のチャンネルにどれだけの電流が流れたかの総和をとり、この入力チャンネルにおける電流と他チャンネルの電流の総和の比を10logで表記した。その結果、いずれのチャンネルも−34dB以下となり、極めて優れた特性を示すことが確認された。
なお、本発明に係る光デバイスは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
Hereinafter, several embodiments in which an optical device according to the present invention is applied to, for example, an in-line type power monitor module will be described with reference to FIGS.
The optical device 10A according to the first embodiment is basically fixed to a glass substrate 12 and a plurality of V grooves 14 provided on the glass substrate 12, as shown in FIGS. On the optical path of the light (reflected light) 24 generated at least in the optical fiber array 16 composed of a plurality of optical fibers 15 each provided with a reflective part 33 and the light 22 transmitted through each optical fiber 15. And a PD (photodiode) array 28 that detects the reflected light 24, and a wiring board (submount) 30 for mounting the PD array 28. The submount 30 is configured such that the mounting surface 30 a of the PD array 28 is placed facing the glass substrate 12.
Here, since an example in which the optical fiber array 16 is configured by a plurality of optical fibers 15 is shown, “each optical fiber 15” means “each of four optical fibers”. However, since the optical fiber array 16 can be configured with a single optical fiber 15, in this case, “each optical fiber” or “a plurality of optical fibers” may be read as “one optical fiber”. .
The PD array 28 has a front-illuminated configuration as shown in FIG. That is, the PD array 28 includes a substrate 29 and a number of active layers 26 corresponding to the number of channels formed in the substrate 29, and the plurality of active layers 26 include the optical fiber array 16 ( (See FIG. 1). Of the upper surface (surface facing the submount 30) and the lower surface (surface facing the optical fiber array 16) of the PD array 28, antireflection films (AR coatings) 100 and 102 are provided on the portions corresponding to the active layer 26, respectively. Is formed.
On the submount 30 side of the PD array 28, an anode electrode and a cathode electrode are formed by an Au electrode pattern 104, and a common cathode electrode and an anode electrode of each channel are formed by an Au electrode pattern 64 on the mounting surface 30a of the submount 30. Is formed.
The Au electrode pattern 104 formed on the PD array 28 and the Au electrode pattern 64 of the submount 30 are formed by a conductive layer 106 such as a solder layer, ACP (anisotropic conductive paste), or ACF (anisotropic conductive film). Electrically connected. In addition, although the above-mentioned PD array 28 uses the cathode common type, the same effect can be obtained even if the anode common type is used.
The optical device 10A according to the first embodiment includes a gap (first gap) 112 corresponding to the active layer 26 in the gap 110 between the PD array 28 and the mounting surface 30a of the submount 30. A gap (second gap) 114 around the first gap 112 is air 116.
With this configuration, of the reflected light 24 from a certain channel, the light that has passed through the active layer 26 of the PD array 28 or the light that has passed through the active layer 26 is reflected by the air 116 and the PD array in the first gap 112 and the second gap 114. The submount 30 passes through the interface with the substrate 29 at 28, the interface between the air 116 and the antireflection film 102 in the first gap 112 and the second gap 114, and the air 116 in the first gap 112 and the second gap 114. The mounting surface 30a is reached.
Since the mounting surface 30a of the submount 30 is not a surface having a high reflectance like the Au electrode pattern 64, the first gap 112 and the first gap among the mounting surface 30a of the PD array 28 and the submount 30 are included. The reflection at the portion corresponding to the two gaps 114 can be suppressed. Thereby, even if the reflected light 24 is incident obliquely, that is, even if the incident angle of the reflected light 24 to the PD array 28 is 10 ° or more with respect to the vertical direction, it is possible to effectively reduce the crosstalk. it can.
By the way, for example, when the substrate 29 of the PD array 28 is made of InP, the refractive index of the substrate 29 is about 3.2. When SiN is formed on the surface of the substrate 29 as the antireflection film 102, the antireflection is performed. The refractive index of the film 102 is about 1.9.
The reflected light 24 passes through the substrate 29 and the antireflection film 102 of the PD array 28, but it is preferable that the reflected light 24 spreads by diffraction or by scattering in the first gap 112 and the second gap 114. . This is because when the reflected light 24 spreads, the linear density of the reflected light 24 is reduced, and even if it becomes stray light and enters other channels, its component is small.
In order to obtain a large diffraction in the first gap 112 and the second gap 114, it is sufficient that a material having a low refractive index is filled. In the first embodiment, the substrate 29 and the antireflection film of the PD array 28 are used. Since air 116 having a refractive index lower than the respective refractive indexes of 102 is filled, large diffraction can be obtained in the first gap 112 and the second gap 114.
The submount 30 is preferably a ceramic polycrystalline material. In the case of a metal, the reflectance is high, but since it is a metal, scattering of reflected light is small, and stray light is likely to occur. On the other hand, if the submount 30 is a ceramic polycrystalline material, even if the mounting surface 30a of the submount 30 is a surface close to a mirror surface for forming the Au electrode pattern 64, light is transmitted by the crystal grain boundary. Scattering occurs. For this reason, the amount of reflected light incident on other channels as stray light is reduced, and the problem of crosstalk can be reduced.
In the case of a low-refractive index material such as air 116, the reflected light 24 can surely obtain a light spread due to diffraction, but a reflected component due to a difference in refractive index is generated. This reflection is much less than that of metallic materials, but in some cases it is problematic.
Therefore, the refractive index of the first gap 112 and the second gap 114 is adjusted to some extent to the refractive index of the substrate 29 in the PD array 28, and the light spread due to scattering is obtained in the first gap 112 and the second gap 114. It is preferable to keep it. The refractive index of the first gap 112 and the second gap 114 is preferably ± 30% or less of the refractive index of the substrate 29 in the PD array 28. In the first embodiment, since the antireflection film 102 such as SiN is formed on the surface of the PD array 28 (the surface facing the submount 30), a preferable refractive index difference can be realized.
Therefore, reflection at the interface between the PD array 28 and the first gap 112 and the second gap 114 can be suppressed, and the spread of the reflected light 24 in the first gap 112 and the second gap 114 can be obtained. As a result, a characteristic that crosstalk is very small can be obtained.
Next, an optical device 10B according to a second embodiment will be described with reference to FIG.
The optical device 10B according to the second embodiment has substantially the same configuration as the optical device 10A according to the first embodiment described above. However, as shown in FIG. The difference is that the gap 114 is filled with an anisotropic conductive material 120 such as ACP (anisotropic conductive paste) or ACF (anisotropic conductive film).
In this case, the anisotropic conductive material 120 is in a state in which a spherical polymer coated with a conductive material such as gold is scattered in the material 120, and the reflected light 24 is scattered by these particles, and the desired scattering is achieved. Can be obtained. In addition, since a reflection will become large conversely if it is a high density state so that particles may contact, even if it contacts partially, the state which is scattered macroscopically is preferable.
Thus, also in the optical device 10B according to the second embodiment, similarly to the optical device 10A according to the first embodiment, at the interface between the PD array 28, the first gap 112, and the second gap 114. In addition, the spread of the reflected light 24 in the first gap 112 and the second gap 114 can be obtained, and as a result, the characteristic that the crosstalk is very small can be obtained.
Next, an optical device 10C according to a third embodiment will be described with reference to FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the part corresponding to FIG. 4, and the duplication description is abbreviate | omitted.
The optical device 10C according to the third embodiment is different in that the PD array 28 has a back-illuminated configuration as shown in FIG.
That is, the PD array 28 has a substrate 29 and a number of active layers 26 corresponding to the number of channels formed in the substrate 29, and the plurality of active layers 26 are close to the submount 30 in the substrate 29. The submount 30 is formed in a portion facing the mounting surface 30a.
In the optical device 10C, the Au electrode pattern 104 formed on the PD array 28 and the Au electrode pattern 64 of the submount 30 are, for example, ACP (anisotropic conductive paste), ACF (anisotropic conductive film), etc. The conductive layer 106 and the Au bump 122 are electrically connected.
Further, in the optical device 10C according to the third embodiment, the ACP (anisotropic conductive paste) is provided in the first gap 112 and the second gap 114, similarly to the optical device 10B according to the second embodiment. ) Or an anisotropic conductive material 120 such as ACF (anisotropic conductive film).
Therefore, in this optical device 10C, similarly to the optical device 10B according to the second embodiment, reflection at the interface between the PD array 28 and the first gap 112 and the second gap 114 can be suppressed. The spread of the reflected light 24 in the first gap 112 and the second gap 114 can be obtained, and as a result, the characteristic that the crosstalk is very small can be obtained.
Further, in this optical device 10C, a portion of the gap 110 between the mounting surface 30a of the submount 30 and the PD array 28 excluding the first gap 112 and the second gap 114 (which has an effect on the optical path of the reflected light 24). The Au bump 122 is interposed in the non-existing portion. Accordingly, the spherical polymer in the anisotropic conductive material 120 filled in the first gap 112 and the second gap 114 is attracted to the Au bump 122.
Therefore, in the anisotropic conductive material 120, the density around the Au bump 122 is high enough to make contact with the spherical polymer, and the portion far from the Au bump 122 (for example, the portion of the first gap 112) is the density of the spherical polymer. Is low and moderately scattered. This state is suitable for scattering of the reflected light 24, and further spread of the reflected light 24 in the first gap 112 and the second gap 114 can be obtained.
As a result, the anisotropic conductive material 120 makes it possible to obtain both electrical conduction between the PD array 28 and the submount 30 and scattering of the reflected light 24.
As described above, the object is to obtain the spread of the reflected light 24 in the first gap 112 and the second gap 114, whether it is diffraction or scattering. That is, if the distance L between the first gap 112 and the second gap 114 is long, the effect can be obtained more. From this viewpoint, the gap L is preferably 20 μm or more.
In order to obtain this distance L, for example, a spacer or the like may be provided. From this viewpoint, if the Au bump 122 is provided between the submount 30 and the PD array 28 as described above, the Au bump 122 is provided. Since this also serves as a spacer, the interval L between the first gap 112 and the second gap 114 can be easily adjusted by the Au bump 122, which is preferable.
Next, an example of the optical device 10C according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 6, an optical device 10Ca according to this embodiment includes an optical fiber array 16 including a glass substrate 12 and a plurality of optical fibers 15 fixed to a plurality of V grooves 14 provided on the glass substrate 12. A slit 18 provided from each upper surface of each optical fiber 15 to the glass substrate 12, a branch member 20 inserted into the slit 18, and light 22 transmitted through each optical fiber 15. A PD array 28 that is fixed on the optical path of the reflected light 24 generated at 33 via an adhesive layer 60 and in which a plurality of active layers 26 that detect the reflected light 24 are arranged; and the PD array 28 is mounted, Further, a submount 30 for fixing the PD array 28 toward the optical fiber array 16 and a spacer 32 for stably fixing at least the PD array 28 are provided. To. The two end surfaces of the slit 18 and the front and back surfaces of the branching member 20 function as a reflecting portion 33 that reflects a part of the light 22 that passes through the optical fiber 15.
Here, a manufacturing method of the optical device 10Ca according to this embodiment will be described. First, the glass substrate 12 used for the in-line optical fiber array 16 was produced by grinding.
As the material of the glass substrate 12, a borosilicate glass material (here, in particular Pyrex (registered trademark) glass) was used. The glass substrate 12 had a length of 16 mm and a thickness of 1 mm. The V-grooves 14 for aligning the optical fiber array 16 were formed by grinding 12 pieces at a pitch of 250 μm and a depth of about 90 μm.
Next, the optical fiber array 16 was assembled. As the optical fiber array 16, a 12-core fiber core 46 (see FIG. 9) having a pitch of 250 μm was used. The 12-core tape core wire 46 is peeled in the middle so that the coating removal portion (striped portion) in the middle is 12 mm, placed on the V-groove 14 of the glass substrate 12, and the ultraviolet curable adhesive 52 (see FIG. 9). ).
Next, the slit 18 for the optical fiber array 16 was processed. The slit 18 had a thickness of 30 μm, a depth of 200 μm, and an inclination angle α of 20 ° (see FIG. 6).
Next, the branch member 20 was manufactured. The substrate 124 of the branch member 20 is made of quartz glass. A branching multilayer film 126 was formed on the quartz glass substrate 124. The inclination design was 20 °, the branching ratio was 93% transmission, and 7% reflection. For example, a multilayer film 126 of SiO 2 , TiO 2 , and Al 2 O 3 was formed on the quartz glass substrate 124 by an evaporation method. The quartz glass substrate 124 provided with the multilayer film 126 was cut into a size of 6 mm × 2 mm to form a chip. The chip-formed substrate 124 was polished to 25 μm and thin plate processing was performed.
Thereafter, the branch member 20 was inserted into the slit 18, an ultraviolet curable adhesive was applied, and the branch member 20 was mounted by being cured by ultraviolet irradiation.
The design of the PD array 28 was as follows. First, the number of channels of the PD array 28 was 12 ch, and the dimensions were a height of 150 μm, a width of 420 μm, and a length of 3 mm.
The structure of the PD array 28 is a back-illuminated type as in the optical device 10C according to the third embodiment. The upper part (on the submount 30 side) of the active layer 26 was filled with the anisotropic conductive material 120.
The reason why the back-illuminated PD array 28 is used is as follows. That is, for example, when a front-illuminated PD array 28 as shown in FIG. 3 is used, even if reflection on the back surface is suppressed, a slight amount of reflected light 24 reaches the front surface and reaches the active layer 26 of another channel. May recombine. On the other hand, in the case of the back-illuminated type, a part of the reflected light 24 on the front surface is absorbed by the active layer 26 of a predetermined channel in the immediate vicinity, so that the reflected light 24 is considerably reduced.
As shown in FIG. 7, a metal mask structure provided with a metal film 58 having a plurality of φ70 μm entrance windows 56 is employed on the incident surface side (front surface) of the back-illuminated PD array 28. The diameter of the entrance window 56 is preferably φ40 to 80 μm. Since crosstalk becomes a problem in the dimension of −30 dB, even a very small amount of light is incident on other channels. From this viewpoint, when the reflected light 24 is viewed, the adhesive in the slit 18, the end face of the slit 18, the core of the optical fiber 15, the cladding of the optical fiber 15, the adhesive layer 60 for fixing the PD array 28, etc. Since the PD array 28 is reached after passing through various states, it is affected by diffraction and scattering. Furthermore, slight reflections on the two end surfaces of the slit 18 and the back surface of the branch member 20 are combined therewith and reach the PD array 28. When such a slight component is taken into consideration, the light incident on the PD array 28 enters with a spread of about φ80 to 100 μm. If the light enters the PD array 28 with this spread, a part of the light protrudes from the active layer 26, causing stray light. Therefore, it is possible to improve crosstalk characteristics by restricting the opening on the incident surface side of the PD array 28. When the size of the incident window 56 is less than 40 μm, the aperture is excessively narrowed, so that the PD light receiving efficiency (light receiving efficiency in the active layer 26) is lowered. If a window of 80 μm or more is opened, the crosstalk characteristics deteriorate.
The reflected light 24 from the reflecting portion 33 is incident on the PD array 28 at an angle (an angle of 10 ° or more with respect to the vertical direction), so that the incident window is located at a position where the reflected light 24 is optimally incident on the active layer 26. Needless to say, 56 is provided.
The light receiving portion (active layer 26) of the back-illuminated PD array 28 was set to about 60 μm. The size of the light receiving portion (active layer 26) is preferably φ40 to 80 μm. If the thickness is less than 40 μm, the size of the light receiving portion (active layer 26) is too small, and there is a concern that the PD light receiving efficiency may decrease. This is because, when the thickness is 80 μm or more, stray light is easily picked up, so that the crosstalk characteristic may be deteriorated.
Further, as shown in FIG. 7, physical separation is performed by forming a physical groove 62 in the block between channels in the back-illuminated PD array 28. In general, a method of forming a p-type area between channels of an n-type substrate and forming a barrier between the channels is conceivable for such a block between channels. However, in this embodiment, the channel between the channels is more reliably separated by forming the physical groove 62 having a depth not less than the thickness of the active layer 26 having a depth of 2 to 20 μm around the light receiving area.
Further, as the mounting configuration of the submount 30, the configuration of the optical fiber 15-PD array 28-submount 30 was adopted. Although the configuration of the optical fiber 15-the submount 30-the PD array 28 can be taken, in this case, since the submount 30 exists between the optical fiber 15 and the PD array 28, the optical path length of the reflected light 24 becomes long. The spread of the reflected light 24 becomes large, which is not preferable from the viewpoint of PD light receiving efficiency and crosstalk.
In the case of the configuration of the optical fiber 15 -PD array 28 -submount 30, if the PD array 28 is in a surface incident state, wire bonding is required for conduction from the surface to the submount 30. In this case, a space of about 100 μm is required for wire bonding. This space needs to be filled with the adhesive layer 60 in terms of refractive index matching and reliability with the optical fiber 15 (quartz). That is, in the case of surface incidence, an adhesive layer 60 of 100 μm exists in the optical path, and this adhesive layer 60 causes instability in characteristics such as PDL and wavelength dependency. In addition, since a wire usually uses a metal such as Au, when light hits the wire, the light is scattered and becomes stray light, which causes deterioration of crosstalk.
In the case of back incidence, theoretically, the PD array 28 can be in contact with the optical fiber 15. Since the contact between the PD array 28 and the optical fiber 15 may cause a physical defect, the space of about 10 μm may be used as the adhesive layer 60 for safety.
The optical path lengths of these two are compared. Assuming that the active layer 26 exists on the substrate surface of the PD array 28 (the surface facing the optical fiber 15), the distance between the surface of the optical fiber 15 and the active layer 26 is 100 μm in the case of surface incidence. When the refractive index of the adhesive layer 60 is 1.45, which is the same as that of quartz, 100 / 1.45≈69 μm. In the case of backside incidence, if the thickness of the adhesive layer 60 is 10 μm and the thickness of a general PD array 28 is 150 μm, the optical path length is 10 / 1.45 + 150 / 3.5≈50 μm. It can be said that this is preferable from this point of view.
Furthermore, in the case of front-side incidence and back-side incidence, the incident angle of light to the active layer 26 is greatly different. In the case of surface incidence, even when the surface is coated with silicon nitride (refractive index 1.94), if the inclination angle α of the slit 18 is 20 °, the incident angle to the PD array 28 is about 35 °. . On the other hand, the back incident is 18.5 °, which is very small compared to the front incident, which is preferable from the viewpoint of PD light receiving efficiency and the like.
Next, the PD array 28 was mounted on the submount 30. As will be described later (see FIG. 10), the optical fiber array 16 side is mounted on the package 72 and the pin 74 of the package 72 and the electrode pad of the submount 30 are secured by wire bonding 76. As shown in FIG. 3, an Au electrode pattern 64 was formed on the lower surface of the submount 30. As a mounting form of the PD array 28, the PD array 28 is arranged on the lower surface of the submount 30, and the electrode pattern 64 is routed to the upper surface of the submount 30 through the through hole 66. Accordingly, the electrode pad 65 is formed on the upper surface of the submount 30 in accordance with each electrode pattern 64. The constituent material of the submount 30 was Al 2 O 3 .
The anisotropic conductive material 120 is thermocompression bonded so that a spherical polymer having a diameter of about 3 μm coated with a conductive substance such as Au in the material 120 is sandwiched only between the raised Au bump 122 and the electrode pattern 64, This provides conduction between the electrode pattern 64 and the Au bump 122. Further, although the spherical polymer in the anisotropic conductive material 122 remains under the entrance window 56 (see FIG. 7) formed in the PD array 28, the spherical polymer has a surface coated with a conductive material. Since the light emitted from the window 56 is scattered, it can be expected to prevent the light from returning to the PD array 28.
In addition, the antireflection film (SiN) 100 was coated on the lower surface of the submount 30 for the purpose of suppressing reflection due to the difference in refractive index on the portion corresponding to the active layer 26.
Next, alignment of the PD array 28 was performed. Specifically, first, as shown in FIG. 6, a spacer 32 for determining a gap between the optical fiber array 16 and the PD array 28 was attached to the submount 30.
The constituent material of the spacer 32 is borosilicate glass, in this case, in particular, Pyrex (registered trademark) glass material. The gap length was set to 10 μm. That is, since the thickness of the PD array 28 including the Au bump 122 is 190 μm, the spacer 32 is set to 200 μm.
Then, a necessary amount of the adhesive layer 60 was applied to the upper part of the optical fiber 15 that becomes the optical path of the reflected light 24. The alignment with the PD array 28 is such that light enters the channels at both ends of the optical fiber array 16 and the PD light receiving power of the reflected light 24 (light receiving power at the active layer 26 corresponding to the both end channels) is maximized. Active alignment was performed. At this time, the PD light receiving power was monitored while the output from the active layer 26 corresponding to the both-ends channel was applied to the submount 30 while the current value was observed. Thereafter, the PD array 28 was fixed to the optical fiber array 16 with ultraviolet rays. At this stage, the optical head 70 shown in FIG. 9 is completed.
Next, as shown in FIG. 10, so-called die bonding was performed in which the optical head 70 is fixed to the central portion of the package 72.
As the package 72, a 14-pin metal package was used. The external dimensions were 20 mm long x 12.5 mm wide. The optical head 70 was fixed to the package 72 with a thermosetting adhesive.
Next, wire bonding was performed between the plurality of pins 74 fixed on both sides of the package 72 and the electrode pads 65 (see FIG. 8) of the submount 30. The wire 76 was an Al-Si wire having a diameter of 20 μm. As for the wire condition, the 1st side was the pin 74 of the package 72, and the 2nd side was the electrode pad 65 of the submount 30.
Next, as shown in FIG. 11, a ring 78 is fixed so as to surround the optical head 70, and a boot 80 is fixed to a lead-out portion of the optical fiber array 16 in the optical head 70. Sealing with 82 was performed.
The ring 78 serves as a dam during resin sealing. The constituent material of the ring 78 was a stainless steel material. A resin molded product may be used from the viewpoint of cost reduction. The height of the ring 78 was about 4 mm. A thermosetting adhesive was used to fix the ring 78. The boot 80 is a rubber general-purpose boot fixed to the ring 78.
Si gel material was used for the sealing resin 82. This was potted so that the wire 74 was completely covered, and cured by ultraviolet irradiation and heat curing. In addition, if a purple plug in which the contact resistance between the electrode pad 65 (Au) and the wire 76 (Al) is increased, if the process temperature does not rise to about 150 ° C., the sealing resin 82 is It does not have to be. In order to reduce the cost, when reducing the resin 82, considering the moisture resistance, an amount in the range from the foot (crimped portion) of the wire 76 to about 1/3 of the height of the wire 76 is desirable.
Next, as shown in FIG. 12, the upper surface opening of the ring 78 was covered with a lid 84 and fixed. The lid 84 was a stainless steel plate. Of course, a resin molded product may be used from the viewpoint of cost reduction. The lid 84 was fixed with a thermosetting adhesive to obtain a finished product.
A completion inspection was performed on the inline-type power monitor module (the optical device 10Ca according to this example) completed through the above steps.
Each item was inspected for transmission side characteristics and branch side characteristics. For the transmission side characteristics, the characteristics of each channel were measured for insertion loss, polarization dependent loss, and wavelength dependence. As a result, the insertion loss <0.8 dB, the polarization dependent loss <0.05 dB, and the wavelength dependency <0.1 dB were obtained so that there was no problem in use.
Regarding the branching side characteristics, the characteristics of each channel were measured with respect to the PD light receiving efficiency, the polarization dependence of the PD light receiving efficiency, the wavelength dependence, and the crosstalk between channels on the PD array side. As a result, it was confirmed that the PD light receiving efficiency was 50 to 70 mA / W, the polarization dependency of the PD light receiving efficiency was <0.3 dB, and the wavelength dependency was <0.5 dB. Moreover, about crosstalk, it inspected as total crosstalk. That is, the sum of how much current has flown through the other channels in the state where any one of the 12 channels is lit, and the ratio of the current in this input channel to the sum of the currents in the other channels is expressed in 10 logs. did. As a result, it was confirmed that all the channels were -34 dB or less and showed extremely excellent characteristics.
The optical device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can of course have various configurations without departing from the gist of the present invention.

Claims (4)

V溝(14)が形成された第1の基板(12)と、
前記第1の基板(12)の前記V溝(14)に固定され、かつ、反射機能が設けられた1以上の光ファイバ(15)と、
前記光ファイバ(15)のクラッド外のうち、少なくとも前記反射機能によって発生した反射光(24)の光路上に接着層(60)を介して固着された光素子(28)と、
主面(30a)に前記光素子(28)を実装するための第2の基板(30)とを有し、
前記第2の基板(30)の前記主面(30a)と前記光素子(28)との第1間隙(110)のうち、少なくとも前記光素子(28)の活性層(26)と前記第2の基板(30)の前記主面(30a)との第2間隙(112)に光反射材が存在せず、前記第2間隙(112)の屈折率が前記光素子(28)表面の屈折率よりも低く、且つ、前記第2間隙(112)に異方性導電材料(120)が充填されていることを特徴とする光デバイス。
A first substrate (12) having a V-groove (14) formed thereon;
One or more optical fibers (15) fixed to the V-groove (14) of the first substrate (12) and provided with a reflection function;
An optical element (28) fixed through an adhesive layer (60) on at least an optical path of reflected light (24) generated by the reflection function out of the cladding of the optical fiber (15);
A second substrate (30) for mounting the optical element (28) on the main surface (30a);
Of the first gap (110) between the main surface (30a) of the second substrate (30) and the optical element (28), at least the active layer (26) of the optical element (28) and the second element. There is no light reflecting material in the second gap (112) between the substrate (30) and the main surface (30a), and the refractive index of the second gap (112) is the refractive index of the surface of the optical element (28). And the second gap (112) is filled with an anisotropic conductive material (120) .
請求項記載の光デバイスにおいて、
前記第1間隙(110)のうち、少なくとも前記第2間隙(112)を除く部分に電極層(106)が介在されていることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to claim 1 .
An optical device, wherein an electrode layer (106) is interposed in at least a portion of the first gap (110) excluding the second gap (112).
請求項1又は2記載の光デバイスにおいて、
少なくとも前記第2間隙(112)が20μmであることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to claim 1 or 2 ,
An optical device characterized in that at least the second gap (112) is 20 μm.
請求項1〜のいずれか1項に記載の光デバイスにおいて、
前記反射光(24)の前記光素子(28)への入射角度が鉛直方向に対して10°以上であることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to any one of claims 1 to 3 ,
An optical device, wherein an incident angle of the reflected light (24) to the optical element (28) is 10 ° or more with respect to a vertical direction.
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