JP4192236B2

JP4192236B2 - Solar cell

Info

Publication number: JP4192236B2
Application number: JP2003127299A
Authority: JP
Inventors: 和裕齊藤; 真之近松; 哲也當摩; 郵司吉田; 清志八瀬
Original assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 2003-05-02
Filing date: 2003-05-02
Publication date: 2008-12-10
Anticipated expiration: 2023-05-02
Also published as: JP2004335610A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ｎ導電型の有機半導体を用いた半導体デバイスに関し、特に、C60に代表されるフラーレンをｎ導電型の有機半導体として用いた、太陽電池として有用な半導体デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機半導体はそのままでｐ型になりやすく、ｐ型のものは良好な特性を有するものが多く知られている。これに対し、有機半導体はｎ型になりにくくその特性がｐ型のものと比較して大きく劣っていた。比較的良好な特性を有するｎ型半導体としてはC60に代表されるフラーレンが知られているが、いまだｐ型有機半導体に匹敵する特性は得られていない。そのため、低コストで作製できることが期待されている有機半導体太陽電池も良好な特性を示すものが得られていない（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平６−２４４４４０号公報
【特許文献２】
特開平７−７４３７７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
フラーレンはまたドーピングにより超伝導特性を示す材料として知られ、フラーレンへのドーピングはこの面からの研究が主として行われ、半導体材料としてのドーピングについてはほとんど研究がなされていないのが実情であり、そのためもあって満足のいく特性のｎ型半導体を得ることができなかった。
本願発明の課題は、良好な特性を有するｎ型有機半導体を提供することであり、これにより有機半導体太陽電池をはじめとする有機半導体デバイスの特性の向上を図ろうとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本願発明によれば、ｎ導電型のフラーレンとｐ導電型の有機半導体とが混合された混合有機半導体層と、前記混合有機半導体層の一方の面に形成されたＭｇを含むｎ極電極と、前記混合有機半導体層の他方の面に形成されたｐ極電極とを有する太陽電池であって、該ｎ極電極が、Ｍｇ薄層と該Ｍｇ薄層上に形成された該Ｍｇ薄層より膜厚の厚い金属電極層とを有していることを特徴とする太陽電池、が提供される。
【０００７】
上記のMgを含む材料からなる電極は、Mgを含む合金材料により形成された電極であるか、もしくは、Mg薄層と該Mg薄層上に形成された該Mg薄層より膜厚の厚い金属電極層とを有する電極である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態を示す断面図である。同図に示すように、ｐ型有機半導体層１に接してこれとｐｎ接合を形成するｎ型有機半導体層２が形成されており、各半導体層のｐｎ接合と反対側の表面にはそれぞれの半導体層とオーミックに接触するｐ側電極３とｎ側電極４とが形成されている。
ｐ型有機半導体層１の材料としては、無金属フタロシアニン、各種金属フタロシアニン、トリフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン系誘導体、スチルベン系誘導体等を用いることができる。また、ｐ型有機半導体層１の形成方法としては、真空蒸着法や溶媒塗布法を挙げることができる。ｐ型有機半導体が特別なドーピング工程を経ることなくｐ型を呈している場合にはそのまま用いてもよい。
【０００９】
ｎ型有機半導体層２のドーパントにはMgが用いられる。このドーパントは、Mgを含む材料から構成される電極からドープされる。そして、その半導体材料には、Ｃ60、Ｃ70等のフラーレンが有利に用いられる。フラーレン膜の形成方法としては真空蒸着法が用いられる。あるいは、溶媒への溶解度を高めたフラーレン誘導体を形成し、溶媒塗布法を用いて形成する。
【００１０】
ｐ側電極３の材料としては、Al、Au、Ni等の金属材料、ITO、SnO₂、ZnO等の透明導電材等が用いられるが、太陽電池の応用を考える場合には、透明導電材を用いることが望ましい。金属材料を薄く成膜することにより、透明導電膜として用いることもできる。
ｎ側電極の材料としては、金属材料一般が用い得るが少なくとも半導体層と接触する部分にはMgを含む金属材料が用いられる。すなわち、図１（ａ）に示すように、単一材料からなる電極を用いる場合には、Mgを構成要素とする合金の電極が用いられ、また、図１（ｂ）に示すように、２層の金属膜により電極を構成する場合には、ｎ側電極４を、膜厚の薄いMg薄層４_１と、それを覆うAl、Au等の高導電率材料からなる、Mg薄層４_１より膜厚の厚い低抵抗電極膜４_２とから構成される。Mg薄層４_１と低抵抗電極膜４_２との間にバリア膜や密着層を介在させることができる。
【００１１】
本発明においては、電極からの拡散によりｎ型半導体のドーパントを実現しているため、合金材料電極としては、Mg含有率が85mol％以上99 mol％以下とすることが望ましい。85％以下である場合には半導体への十分なドーパントの供給が期待できなくなるからであり、99％以上では合金としての性質が失われ酸化などの好ましくない現象が現れるからである。また、Mg薄層４_１を下層としてｎ側電極４を形成する場合には、Mg薄層の膜厚は２nm以上20nm以下とすることが好ましい。２nm以下では面内均一な膜厚の成膜が困難となり、均一なドーピングが困難となるからであり、20nm以上では側面からの酸化などの好ましくない現象が生じるからである。
【００１２】
図１に示される本実施の形態の有機半導体デバイスは、一般的には支持体上に形成される。支持体としては、ガラス、セラミックスなどの無機材料、Alやステンレスなどの金属、ポリエチレンテレフタレートや液晶ポリマーなどの有機材料のものが使用可能である。ｐ側電極、ｎ側電極のいずれの側を支持体側とすることもできる。金属支持体を用いる場合には、支持体により図１（ｂ）に示す低抵抗電極膜４_２を兼ねるようにしてもよい。ｐ側電極３が透明導電膜であってこれが支持体上に設けられる場合には、支持体はガラスやポリエチレンテレフタレート等の無機または有機の透明基板が用いられる。
【００１３】
図２は、本発明の第２の実施の形態を示す断面図である。同図に示すように、ｎ型有機半導体層２の一方の面にはこれとショットキー接合を形成するショットキー電極５が設けられ、ｎ型有機半導体層２の他方の面にはこれとオーミックに接触するオーミック電極６が設けられる。本実施の形態におけるｎ型有機半導体層２とオーミック電極６とは、図１に示した第１の実施の形態のｎ型有機半導体層２とｎ側電極２と同様であるので、これらに関する説明は省略する。ショットキー電極５の材料としては、Al、Au、Ni等の金属材料、ITO、SnO₂、ZnO等の透明導電材等が用いられるが、太陽電池の応用を考える場合には、透明導電材を用いることが望ましい。
図２に示される本実施の形態の有機半導体デバイスも、一般的には支持体上に形成される。その支持体は第１の実施の形態の場合と同様である。
【００１４】
図３は、本発明の第３の実施の形態を示す断面図である。本実施の形態においては、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合物が用いられる。すなわち、図３に示すように、ｐ・ｎ有機半導体混合薄膜７が用いられ、その表裏面にｎ側電極４とｐ側電極３とが形成される。ｎ側電極４はｎ型有機半導体とオーミックに接触しており、ｐ側電極３はｐ型有機半導体とオーミックに接触している。ｎ側電極４とｐ側電極３の材料、構成は第１の実施の形態の場合と同様であり、また、ｎ型有機半導体のｎ型ドーパントがMgであり、このドーパントがMgを含む材料から構成される電極からドープされる点も第１の実施の形態の場合と同様である。
ｐ型有機半導体の材料としては、無金属フタロシアニン、各種金属フタロシアニン、トリフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン系誘導体、スチルベン系誘導体等を用いることができる。ｎ型有機半導体材料には、Ｃ60、Ｃ70等のフラーレンが有利に用いられる。
【００１５】
また、ｐ・ｎ有機半導体混合薄膜の形成方法としては、真空蒸着法(共蒸着)や溶媒塗布法を挙げることができる。溶媒に溶けにくい材料を塗布法により形成する場合にはその材料について溶媒可溶化処理が行われる。
ｐ・ｎ有機半導体混合薄膜中のｎ型有機半導体とｐ型有機半導体の混合比（ｎ型有機半導体/ｐ型有機半導体）は、低分子量分子同士の場合にはmol比で、少なくとも一方が高分子材料であるときには重量比で、0.8以上1.25以下である。この範囲を外れると高い変換効率が得られなくなるからである。一層好ましいmol比または重量比は0.9以上1.11以下である。
【００１６】
【実施例】
次に、本発明の具体的な実施例について図面を参照して説明する。
［実施例１］
図４は、本発明の実施例１を示す断面図である。ガラス基板１５上に設けられたITO電極１３上に、ｐ型半導体層として化１に示されるポリ（２−メトキシ、５−（２’−エチル−ヘキシロキシ）−パラ−フェニレンビニレン（MEH-PPV）をスピンコート法により成膜して、厚さ約15nmのMEH-PPV薄膜１１を形成した。
【００１７】
【化１】

その上にｎ型半導体層として、フラーレン（C60）を真空蒸着法により堆積して厚さ約60nmのC60薄膜１２を形成した。次に、ｎ型半導体であるC60層へMgによるドーピングを施す目的で、真空蒸着法によりMgAg合金を堆積してMgAg電極１４を形成した。MgAg合金のMg含有率は、98mol％であった。このようにして形成されたMgAg電極１４からのMgドーピングによりC60層１２のｎ型化が促進される。太陽電池としての有効電極面積は4mm²であった。
このように作製された太陽電池に対し、強度約100mW/cm²の擬似太陽光をITO電極側から照射した状態で、電流−電圧特性を測定したところ、図５に示す特性が得られ、そのエネルギー変換効率は0.5％であった。
【００１８】
［比較例１］
比較例１として、図６に示すように、実施例１と同様の方法でガラス基板上にC60薄膜１２までを形成し、MgAg電極に代えて、C60薄膜１２上に真空蒸着法によりAl電極２４を形成した。このように作製された太陽電池に対し、実施例１と同じ条件で電流−電圧特性を測定したところ、図７に示す特性が得られ、そのエネルギー変換効率は、0.0015％と、実施例１に比較して非常に低い値しか得られなかった。
【００１９】
［実施例２］
図８は、本発明の実施例２を示す断面図である。ガラス基板３５上に設けられたITO電極３３上に、ｐ型半導体層として化２に示されるメロシアニン色素（MC）を厚さ約100nmに真空蒸着法により堆積し、MC薄膜３１を形成した。
【００２０】
【化２】

その上にｎ型半導体層となるフラーレン（C60）を真空蒸着法により厚さ約100nmに堆積して、C60薄膜３２を形成した。次に、ｎ型半導体であるC60薄膜へのMgドーピングを目的として、C60薄膜３２の上にMgを真空蒸着法により約10nmの厚さに堆積してMg薄層３６を形成した。その上にさらにAlを真空蒸着して厚さ約50nmのAl電極３４を形成した。太陽電池としての有効電極面積は4mm²であった。このように形成されたMg薄層３６からのC60薄膜３２へのMg拡散により、C60薄膜のｎ型化が促進される。
図８に示すように作製された太陽電池に対し、強度約100mW/cm²の擬似太陽光をITO電極側から照射した状態で、電流−電圧特性を測定したところ、図９の示す特性が得られ、そのエネルギー変換効率は0.15％であった。
【００２１】
［比較例２］
比較例２として、図１０に示すように、実施例２と同様の方法でガラス基板上にC60薄膜３２までを形成し、Mg/Al電極に代えて、C60薄膜３２上に真空蒸着法により膜厚50nmのAl電極４４を形成した。このように作製された太陽電池に対し、実施例２と同じ条件で電流−電圧特性を測定したところ、図１１に示す特性が得られ、そのエネルギー変換効率は、0.0028％であった。
【００２２】
［実施例３］
図１２は、本発明の実施例３を示す断面図である。ガラス基板５５上に設けられたITO電極５３上に、ｎ型半導体層となるフラーレン（C60）を真空蒸着法により堆積して厚さ約100nmのC60薄膜５２を形成した。ITO電極５３はC60薄膜５２に対してショットキー電極となる。次に、ｎ型半導体であるC60薄膜へのMgドーピングを目的として、C60薄膜５２の上にMgを真空蒸着法により約10nmの厚さに堆積してMg薄層５６を形成した。その上にさらにAlを真空蒸着して厚さ約50nmのAl電極５４を形成した。太陽電池としての有効電極面積は4mm²であった。
図１２に示すように作製された太陽電池に対し、強度約100mW/cm²の擬似太陽光をITO電極側から照射した状態で、電流−電圧特性を測定したところ、そのエネルギー変換効率は0.15％であった。
【００２３】
［実施例４］
図１３は、本発明の実施例４を示す断面図である。ガラス基板６５上に設けられたITO電極６３上に、ｎ型半導体であるフラーレン（C60）とｐ型半導体であるMCとをmol比が１となるように真空蒸着法により共蒸着して厚さ約200nmのC60-MC混合薄膜６２を形成した。次に、ｎ型半導体であるC60へのMgドーピングを目的として、C60-MC混合薄膜６２の上にMgを真空蒸着法により約10nmの厚さに堆積してMg薄層６６を形成した。その上にさらにAlを真空蒸着して厚さ約50nmのAl電極６４を形成した。太陽電池としての有効電極面積は4mm²であった。
図１３に示すように作製された太陽電池に対し、強度約100mW/cm²の擬似太陽光をITO電極側から照射した状態で、電流−電圧特性を測定したところ、そのエネルギー変換効率は0.45％であった。
【００２４】
以上好ましい実施例について説明したが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能なものである。例えば、実施例は太陽電池に係るものであったが、本発明は太陽電池に限定されるものではなく、Mg電極からMgのドーピングを受けたｎ型有機半導体を備えた他の半導体デバイスについても適用が可能なものである。
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、Mgを含有する電極からのMgドーピングによって形成したｎ導電型有機半導体を用いて半導体デバイスを構成するものであるので、良好な特性を有するｎ導電型有機半導体を用いた半導体デバイスを提供することができる。したがって、本発明によるｎ導電型有機半導体を用いて太陽電池を構成する場合には、低コストの有機半導体太陽電池の特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す断面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す断面図。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示す断面図。
【図４】本発明の実施例１の断面図。
【図５】本発明の実施例１の電流−電圧特性図。
【図６】比較例１の断面図。
【図７】比較例１の電流−電圧特性図。
【図８】本発明の実施例２の断面図。
【図９】本発明の実施例２の電流−電圧特性図。
【図１０】比較例２の断面図。
【図１１】比較例２の電流−電圧特性図。
【図１２】本発明の実施例３の断面図。
【図１３】本発明の実施例４の断面図。
【符号の説明】
１ｐ型有機半導体層
２ｎ型有機半導体層
３ｐ側電極
４ｎ側電極
４_１ Mg薄層
４_２低抵抗電極膜
５ショットキー電極
６オーミック電極
７ｐ・ｎ有機半導体混合薄膜
１１ MEH-PPV薄膜
３１ MC薄膜
１２、３２、５２ C60薄膜
１３、３３、５３、６３ ITO電極
１４ MgAg電極
２４、３４、４４、５４、６４ Al電極
１５、３５、５５、６５ガラス基板
３６、５６、６６ Mg薄層
６２ C60-MC混合薄膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device using an n-conductivity type organic semiconductor, and more particularly to a semiconductor device useful as a solar cell using a fullerene represented by C60 as an n-conduction type organic semiconductor.
[0002]
[Prior art]
Organic semiconductors tend to be p-type as they are, and many p-types have good characteristics. On the other hand, the organic semiconductor is not easily n-type and its characteristics are greatly inferior to those of the p-type. As n-type semiconductors having relatively good characteristics, fullerenes typified by C60 are known, but characteristics comparable to p-type organic semiconductors have not yet been obtained. For this reason, organic semiconductor solar cells that are expected to be manufactured at low cost have not been obtained that have good characteristics (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-6-244440 [Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 7-74377 [0004]
[Problems to be solved by the invention]
Fullerene is also known as a material that exhibits superconducting properties by doping, and the doping of fullerene is mainly studied from this aspect, and the fact is that little research has been done on doping as a semiconductor material. For this reason, an n-type semiconductor having satisfactory characteristics could not be obtained.
The subject of this invention is providing the n-type organic semiconductor which has a favorable characteristic, and aims at improving the characteristic of organic-semiconductor devices including an organic-semiconductor solar cell by this.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, according to the present invention, a mixed organic semiconductor layer in which an n-conducting fullerene and a p-conducting organic semiconductor are mixed, and formed on one surface of the mixed organic semiconductor layer. A solar cell having an n-pole electrode containing Mg and a p-pole electrode formed on the other surface of the mixed organic semiconductor layer , wherein the n-pole electrode is formed on the Mg thin layer and the Mg thin layer And a metal electrode layer having a thickness greater than that of the thin Mg layer .
[0007]
The electrode made of a material containing Mg is an electrode formed of an alloy material containing Mg, or a metal having a thickness larger than that of the Mg thin layer and the Mg thin layer formed on the Mg thin layer. An electrode having an electrode layer.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
1A and 1B are cross-sectional views showing a first embodiment of the present invention. As shown in the figure, an n-type organic semiconductor layer 2 is formed in contact with the p-type organic semiconductor layer 1 to form a pn junction with each of the semiconductor layers. A p-side electrode 3 and an n-side electrode 4 that are in ohmic contact with the semiconductor layer are formed.
As a material of the p-type organic semiconductor layer 1, metal-free phthalocyanine, various metal phthalocyanines, triphenylamine derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, and the like can be used. Moreover, as a formation method of the p-type organic-semiconductor layer 1, a vacuum evaporation method and a solvent coating method can be mentioned. When the p-type organic semiconductor exhibits p-type without undergoing a special doping process, it may be used as it is.
[0009]
Mg is used as the dopant of the n-type organic semiconductor layer 2. This dopant is doped from an electrode composed of a material containing Mg. As the semiconductor material, fullerene such as C60 and C70 is advantageously used. A vacuum vapor deposition method is used as a method for forming the fullerene film. Alternatively, a fullerene derivative having increased solubility in a solvent is formed and formed using a solvent coating method.
[0010]
The material for the p-side electrode 3 is a metal material such as Al, Au, or Ni, or a transparent conductive material such as ITO, SnO ₂ , or ZnO. However, when considering the application of solar cells, a transparent conductive material is used. It is desirable to use it. A thin metal film can be used as a transparent conductive film.
As a material of the n-side electrode, a metal material in general can be used, but a metal material containing Mg is used at least in a portion in contact with the semiconductor layer. That is, as shown in FIG. 1A, when an electrode made of a single material is used, an alloy electrode having Mg as a constituent element is used, and as shown in FIG. In the case of forming an electrode with a metal film of the layer, the n-side electrode 4 is composed of a thin Mg thin layer 41 and an Mg thin layer 4 _{1 made} of a high conductivity material such as Al or Au covering the n thin electrode 4 _1. It made up of the large thickness low resistance electrode film 4 _2. It can be interposed a barrier layer and adhesion layer between the Mg thin layer 4 ₁ and the low resistance electrode film 4 _2.
[0011]
In the present invention, since the dopant of the n-type semiconductor is realized by diffusion from the electrode, the alloy material electrode preferably has an Mg content of 85 mol% or more and 99 mol% or less. This is because when it is 85% or less, it becomes impossible to expect supply of a sufficient dopant to the semiconductor, and when it is 99% or more, properties as an alloy are lost and undesirable phenomena such as oxidation appear. In the case of forming the n-side electrode 4 and Mg thin layer 4 ₁ as the lower layer, the thickness of the Mg thin layer is preferably not 2nm or 20nm or less. This is because when the thickness is 2 nm or less, it is difficult to form a film with a uniform in-plane thickness and uniform doping becomes difficult, and when it is 20 nm or more, undesirable phenomena such as oxidation from the side surface occur.
[0012]
The organic semiconductor device of the present embodiment shown in FIG. 1 is generally formed on a support. As the support, inorganic materials such as glass and ceramics, metals such as Al and stainless steel, and organic materials such as polyethylene terephthalate and liquid crystal polymer can be used. Either the p-side electrode or the n-side electrode can be the support side. In the case of using the metal support it may also serve as a low resistance electrode film 4 ₂ shown in FIG. 1 (b) by a support. When the p-side electrode 3 is a transparent conductive film and is provided on a support, an inorganic or organic transparent substrate such as glass or polyethylene terephthalate is used as the support.
[0013]
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention. As shown in the figure, a Schottky electrode 5 is formed on one surface of the n-type organic semiconductor layer 2 to form a Schottky junction therewith, and an ohmic contact with this is formed on the other surface of the n-type organic semiconductor layer 2. An ohmic electrode 6 in contact with is provided. The n-type organic semiconductor layer 2 and the ohmic electrode 6 in the present embodiment are the same as the n-type organic semiconductor layer 2 and the n-side electrode 2 in the first embodiment shown in FIG. Is omitted. As a material for the Schottky electrode 5, a metal material such as Al, Au, or Ni, or a transparent conductive material such as ITO, SnO ₂ , or ZnO is used. It is desirable to use it.
The organic semiconductor device of the present embodiment shown in FIG. 2 is also generally formed on a support. The support is the same as in the first embodiment.
[0014]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the present invention. In the present embodiment, a mixture of a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor is used. That is, as shown in FIG. 3, a p / n organic semiconductor mixed thin film 7 is used, and an n-side electrode 4 and a p-side electrode 3 are formed on the front and back surfaces thereof. The n-side electrode 4 is in ohmic contact with the n-type organic semiconductor, and the p-side electrode 3 is in ohmic contact with the p-type organic semiconductor. The materials and configurations of the n-side electrode 4 and the p-side electrode 3 are the same as those in the first embodiment, and the n-type dopant of the n-type organic semiconductor is Mg, and the dopant is made of a material containing Mg. The point of doping from the configured electrode is the same as in the case of the first embodiment.
As a material for the p-type organic semiconductor, metal-free phthalocyanine, various metal phthalocyanines, triphenylamine derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, and the like can be used. Fullerenes such as C60 and C70 are advantageously used for the n-type organic semiconductor material.
[0015]
Examples of the method for forming the pn organic semiconductor mixed thin film include a vacuum deposition method (co-evaporation) and a solvent coating method. When a material that is hardly soluble in a solvent is formed by a coating method, a solvent solubilization process is performed on the material.
The mixing ratio (n-type organic semiconductor / p-type organic semiconductor) of the n-type organic semiconductor and the p-type organic semiconductor in the p / n organic semiconductor mixed thin film is a mol ratio in the case of low molecular weight molecules, and at least one is high. When it is a molecular material, the weight ratio is 0.8 or more and 1.25 or less. This is because high conversion efficiency can no longer be obtained outside this range. A more preferable mol ratio or weight ratio is 0.9 or more and 1.11 or less.
[0016]
【Example】
Next, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[Example 1]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing Example 1 of the present invention. Poly (2-methoxy, 5- (2′-ethyl-hexyloxy) -para-phenylene vinylene (MEH-PPV) represented by Chemical Formula 1 as a p-type semiconductor layer on the ITO electrode 13 provided on the glass substrate 15 Was formed by spin coating to form a MEH-PPV thin film 11 having a thickness of about 15 nm.
[0017]
[Chemical 1]

On top of that, fullerene (C60) was deposited as an n-type semiconductor layer by vacuum vapor deposition to form a C60 thin film 12 having a thickness of about 60 nm. Next, an MgAg alloy was deposited by a vacuum vapor deposition method to form an MgAg electrode 14 for the purpose of doping Mg with the C60 layer, which is an n-type semiconductor. The Mg content of the MgAg alloy was 98 mol%. Mg doping from the MgAg electrode 14 formed in this way promotes n-type formation of the C60 layer 12. The effective electrode area as a solar cell was 4 mm ² .
When the current-voltage characteristics of the solar cell thus fabricated were measured from the ITO electrode side with pseudo solar light having an intensity of about 100 mW / cm ² , the characteristics shown in FIG. 5 were obtained. The energy conversion efficiency was 0.5%.
[0018]
[Comparative Example 1]
As Comparative Example 1, as shown in FIG. 6, C60 thin film 12 is formed on a glass substrate in the same manner as in Example 1, and instead of MgAg electrode, Al electrode 24 is formed on C60 thin film 12 by vacuum deposition. Formed. When the current-voltage characteristics of the solar cell thus fabricated were measured under the same conditions as in Example 1, the characteristics shown in FIG. 7 were obtained, and the energy conversion efficiency was 0.0015%, which was found in Example 1. Only very low values were obtained.
[0019]
[Example 2]
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention. On the ITO electrode 33 provided on the glass substrate 35, a merocyanine dye (MC) shown in Chemical Formula 2 as a p-type semiconductor layer was deposited to a thickness of about 100 nm by a vacuum evaporation method to form an MC thin film 31.
[0020]
[Chemical 2]

A fullerene (C60) serving as an n-type semiconductor layer was deposited thereon to a thickness of about 100 nm by a vacuum evaporation method, and a C60 thin film 32 was formed. Next, for the purpose of Mg doping of the C60 thin film which is an n-type semiconductor, Mg was deposited on the C60 thin film 32 to a thickness of about 10 nm by a vacuum deposition method to form an Mg thin layer 36. Further, Al was further vacuum-deposited to form an Al electrode 34 having a thickness of about 50 nm. The effective electrode area as a solar cell was 4 mm ² . Mg diffusion from the Mg thin layer 36 formed in this way into the C60 thin film 32 promotes the n-type conversion of the C60 thin film.
When the solar cell produced as shown in FIG. 8 was irradiated with simulated sunlight having an intensity of about 100 mW / cm ² from the ITO electrode side, current-voltage characteristics were measured, and the characteristics shown in FIG. 9 were obtained. The energy conversion efficiency was 0.15%.
[0021]
[Comparative Example 2]
As Comparative Example 2, as shown in FIG. 10, the C60 thin film 32 is formed on the glass substrate in the same manner as in Example 2, and the film is formed on the C60 thin film 32 by vacuum deposition instead of the Mg / Al electrode. An Al electrode 44 having a thickness of 50 nm was formed. When the current-voltage characteristics of the solar cell thus fabricated were measured under the same conditions as in Example 2, the characteristics shown in FIG. 11 were obtained, and the energy conversion efficiency was 0.0028%.
[0022]
[Example 3]
FIG. 12 is a cross-sectional view showing Embodiment 3 of the present invention. A fullerene (C60) serving as an n-type semiconductor layer was deposited on the ITO electrode 53 provided on the glass substrate 55 by a vacuum vapor deposition method to form a C60 thin film 52 having a thickness of about 100 nm. The ITO electrode 53 serves as a Schottky electrode for the C60 thin film 52. Next, for the purpose of Mg doping of the C60 thin film which is an n-type semiconductor, Mg was deposited on the C60 thin film 52 to a thickness of about 10 nm by a vacuum deposition method to form an Mg thin layer 56. Further, Al was vacuum-deposited to form an Al electrode 54 having a thickness of about 50 nm. The effective electrode area as a solar cell was 4 mm ² .
When the current-voltage characteristics of the solar cell produced as shown in FIG. 12 were measured while irradiating simulated solar light with an intensity of about 100 mW / cm ² from the ITO electrode side, the energy conversion efficiency was 0.15%. Met.
[0023]
[Example 4]
FIG. 13 is a sectional view showing Example 4 of the present invention. The thickness of the ITO electrode 63 provided on the glass substrate 65 is co-deposited by vacuum deposition so that the mol ratio is 1 and fullerene (C60), which is an n-type semiconductor, and MC, which is a p-type semiconductor. A C60-MC mixed thin film 62 of about 200 nm was formed. Next, for the purpose of Mg doping of C60, which is an n-type semiconductor, Mg was deposited on the C60-MC mixed thin film 62 to a thickness of about 10 nm by vacuum evaporation to form a Mg thin layer 66. On top of this, Al was further vacuum-deposited to form an Al electrode 64 having a thickness of about 50 nm. The effective electrode area as a solar cell was 4 mm ² .
When the current-voltage characteristics of the solar cell manufactured as shown in FIG. 13 were measured in a state where pseudo solar light having an intensity of about 100 mW / cm ² was irradiated from the ITO electrode side, the energy conversion efficiency was 0.45%. Met.
[0024]
Although preferred embodiments have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and appropriate modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, the embodiment relates to a solar cell, but the present invention is not limited to the solar cell, and other semiconductor devices including an n-type organic semiconductor that has received Mg doping from an Mg electrode are also applicable. Applicable.
[0025]
【The invention's effect】
As described above, since the present invention constitutes a semiconductor device using an n-conductivity type organic semiconductor formed by Mg doping from an electrode containing Mg, an n-conductivity type organic semiconductor having good characteristics. A semiconductor device using can be provided. Therefore, when a solar cell is formed using the n-conductivity type organic semiconductor according to the present invention, the characteristics of the low-cost organic semiconductor solar cell can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a sectional view of Example 1 of the present invention.
FIG. 5 is a current-voltage characteristic diagram of Example 1 of the present invention.
6 is a cross-sectional view of Comparative Example 1. FIG.
7 is a current-voltage characteristic diagram of Comparative Example 1. FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view of Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 9 is a current-voltage characteristic diagram of Example 2 of the present invention.
10 is a cross-sectional view of Comparative Example 2. FIG.
11 is a current-voltage characteristic diagram of Comparative Example 2. FIG.
FIG. 12 is a sectional view of Example 3 of the present invention.
FIG. 13 is a sectional view of Example 4 of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 p-type organic semiconductor layer 2 n-type organic semiconductor layer 3 p-side electrode 4 n-side electrode 4 ₁ Mg thin layer 4 ₂ low resistance electrode film 5 Schottky electrode 6 ohmic electrode 7 p / n organic semiconductor mixed thin film 11 MEH-PPV Thin film 31 MC

thin film

12, 32, 52 C60

thin film

13, 33, 53, 63 ITO electrode 14 MgAg electrode 24, 34, 44, 54, 64

Al electrode

15, 35, 55, 65 Glass substrate 36, 56, 66 Mg thin Layer 62 C60-MC mixed thin film

Claims

a mixed organic semiconductor layer in which an n-conductivity type fullerene and a p-conductivity type organic semiconductor are mixed; an n-electrode including Mg formed on one surface of the mixed organic semiconductor layer; A solar cell having a p-electrode formed on the other surface , wherein the n-electrode is a Mg thin layer and a metal electrode layer having a thickness greater than that of the Mg thin layer formed on the Mg thin layer And a solar cell .

The solar cell according to claim 1, wherein the p-conductivity type organic semiconductor is composed of MEH-PPV or MC.

The mixed organic semiconductor layer has a molar ratio or weight ratio (n-conducting organic semiconductor / p-conducting organic semiconductor) of the n-conducting organic semiconductor and the p-conducting organic semiconductor of 0.8 to 1.25. The solar cell according to claim 1 or 2, wherein:

The solar cell according to any one of claims 1 to 3, wherein the Mg thin layer has a thickness of 2 nm or more and 20 nm or less.

The solar cell according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal electrode layer is an Al film.