JP4195413B2 - Exposure apparatus and pattern forming method - Google Patents
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Description
本発明は、被露光体上に機能パターンを直接露光する露光装置及びパターン形成方法に関し、詳しくは、上記被露光体に予め形成した基準となる機能パターンに設定された基準位置を撮像手段で撮像して検出し、該基準位置を基準にして光ビームの照射開始又は照射停止の制御を行うことによって、機能パターンの重ね合わせ精度を向上すると共に露光装置の高騰を抑制しようとする露光装置及びパターン形成方法に係るものである。 The present invention relates to an exposure apparatus and a pattern forming method for directly exposing a functional pattern on an object to be exposed, and more particularly, to image a reference position set in a reference function pattern previously formed on the object to be exposed by an imaging unit. The exposure apparatus and pattern that improve detection accuracy of the functional pattern and suppress the rise of the exposure apparatus by controlling the start or stop of irradiation of the light beam with reference to the reference position. It relates to a forming method.
従来の露光装置は、ガラス基板に機能パターンに相当するマスクパターンを予め形成したマスクを使用し、被露光体上に上記マスクパターンを転写露光する、例えばステッパー(Stepper)やマイクロミラー・プロジェクション(Mirror Projection)やプロキシミティ(Proximity)の各装置がある。しかし、これら従来の露光装置において、複数層の機能パターンを積層形成する場合には、各層間の機能パターンの重ね合わせ精度が問題となる。特に、大型液晶ディスプレイ用のTFTやカラーフィルターの形成に使用する大型マスクの場合には、マスクパターンの配列に高い絶対寸法精度が要求され、マスクのコストを高騰させていた。また、上記重ね合わせ精度を得るためには下地層の機能パターンとマスクパターンとのアライメントが必要であり、特に大型マスクにおいては、このアライメントが困難であった。 A conventional exposure apparatus uses a mask in which a mask pattern corresponding to a functional pattern is formed in advance on a glass substrate, and transfers and exposes the mask pattern on an object to be exposed. For example, a stepper or a micromirror projection (Mirror) There are Projection and Proximity devices. However, in these conventional exposure apparatuses, when a plurality of layers of functional patterns are formed in layers, the overlay accuracy of the functional patterns between the layers becomes a problem. In particular, in the case of a large mask used for forming a TFT or a color filter for a large liquid crystal display, high absolute dimensional accuracy is required for the arrangement of the mask pattern, and the cost of the mask is increased. In addition, in order to obtain the overlay accuracy, alignment of the functional pattern of the underlayer and the mask pattern is necessary, and this alignment is difficult particularly in a large mask.
一方、マスクを使用せず、電子ビームやレーザビームを使用して被露光体上にCADデータのパターンを直接描画する露光装置がある。この種の露光装置は、レーザ光源と、該レーザ光源から発射されるレーザビームを往復走査する露光光学系と、被露光体を載置した状態で搬送する搬送手段とを備え、CADデータに基づいてレーザ光源の発射状態を制御しながらレーザビームを往復走査すると共に被露光体をレーザビームの走査方向と直交する方向に搬送して、被露光体上に機能パターンに相当するCADデータのパターンを二次元的に形成するようになっている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、このような直接描画型の従来の露光装置において、CADデータのパターン配列に高い絶対寸法精度が要求される点は、マスクを使用する露光装置と同様であり、また複数の露光装置を用いて機能パターンを形成するような製造工程においては、露光装置間に精度のばらつきがあるときは機能パターンの重ね合わせ精度が悪くなる問題があった。したがって、このような問題に対処するためには高精度な露光装置が必要であり、露光装置のコストを高いものとしていた。 However, in such a direct drawing type conventional exposure apparatus, the point that high absolute dimensional accuracy is required for the pattern arrangement of CAD data is the same as the exposure apparatus using a mask, and a plurality of exposure apparatuses are used. In the manufacturing process for forming a functional pattern, there is a problem that the accuracy of superimposing the functional patterns is deteriorated when there is a variation in accuracy between exposure apparatuses. Therefore, in order to cope with such a problem, a high-precision exposure apparatus is necessary, and the cost of the exposure apparatus is increased.
さらに、下地層の機能パターンとCADデータのパターンとのアライメントを事前に取らなければならない点は、マスクを使用する他の露光装置と同様であり、前述と同様の問題があった。 Further, the point that the alignment of the functional pattern of the underlayer and the CAD data pattern has to be taken in advance is the same as in other exposure apparatuses using a mask, and there is the same problem as described above.
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、機能パターンの重ね合わせ精度を向上すると共に露光装置の高騰を抑制しようとする露光装置及びパターン形成方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a pattern forming method that address such problems and improve the overlay accuracy of functional patterns and suppress the rise of the exposure apparatus.
上記目的を達成するために、本発明の露光装置は、露光光学系から照射される光ビームを被露光体の移動方向に直交する方向に相対的に走査して、該被露光体に機能パターンを露光する露光装置であって、前記露光光学系に備えられ前記光ビームを前記被露光体の移動方向に偏向する光偏向手段と、前記被露光体へ照射される光ビームの走査位置に対して前記被露光体の移動方向手前側の位置を撮像する撮像手段と、前記光偏向手段の偏向角を制御すると共に前記撮像手段で取得した画像を処理する光学系制御手段とを備え、前記光学系制御手段により前記光ビームの走査中に前記光偏向手段の偏向角を変化させて前記光ビームを前記被露光体上にて撮像手段の撮像位置側に振り、前記光偏向手段の偏向開始時刻と前記振られた光ビームを前記撮像手段で検出した時刻とに基づいて前記光ビームの走査位置と前記撮像手段の撮像位置との相対距離を演算し、該相対距離が所定の値となるように前記光偏向手段の偏向角を制御するものである。 In order to achieve the above object, an exposure apparatus of the present invention scans a light beam emitted from an exposure optical system relatively in a direction orthogonal to the moving direction of the object to be exposed, and forms a functional pattern on the object to be exposed. A light deflector provided in the exposure optical system for deflecting the light beam in a moving direction of the object to be exposed, and a scanning position of the light beam irradiated to the object to be exposed. And an optical system control means for controlling the deflection angle of the light deflection means and processing the image acquired by the imaging means. The system control means changes the deflection angle of the light deflection means during the scanning of the light beam, swings the light beam on the exposure object to the imaging position side of the imaging means, and the deflection start time of the light deflection means And the waved light beam Based on the time detected by the imaging means, the relative distance between the scanning position of the light beam and the imaging position of the imaging means is calculated, and the deflection angle of the light deflection means is set so that the relative distance becomes a predetermined value. It is something to control.
このような構成により、光学系制御手段で光ビームの走査中に露光光学系に備える光偏向手段の偏向角を変化させて光ビームを被露光体上にて撮像手段の撮像位置側に振り、上記光偏向手段の偏向開始時刻と、被露光体の移動方向にて光ビームの走査位置に対して手前側の位置を撮像する撮像手段で上記振られた光ビームを検出した時刻とに基づいて上記光ビームの走査位置と上記撮像手段の撮像位置との相対距離を演算し、該演算結果に基づいて相対距離が所定の値となるように上記光偏向手段の偏向角を制御する。これにより、被露光体に予め形成された基準となる機能パターンに対する所定の機能パターンの重ね合せ精度を向上する。 With such a configuration, the optical system control means changes the deflection angle of the light deflection means provided in the exposure optical system during scanning of the light beam, and swings the light beam to the imaging position side of the imaging means on the object to be exposed. Based on the deflection start time of the light deflection means and the time when the shaked light beam is detected by the imaging means for imaging the position on the near side with respect to the scanning position of the light beam in the moving direction of the object to be exposed. The relative distance between the scanning position of the light beam and the imaging position of the imaging means is calculated, and the deflection angle of the light deflecting means is controlled so that the relative distance becomes a predetermined value based on the calculation result. Thereby, the overlay accuracy of the predetermined function pattern with respect to the reference function pattern formed in advance on the object to be exposed is improved.
前記光学系制御手段は、前記光偏向手段の偏向角の制御を前記被露光体上に前記所定の機能パターンを露光する前に実行するものである。これにより、被露光体上に機能パターンを露光する前に光偏向手段の偏向角の制御を実行し、光ビームの走査位置の調整をする。 The optical system control means controls the deflection angle of the light deflection means before exposing the predetermined functional pattern on the object to be exposed. Thereby, before the functional pattern is exposed on the object to be exposed, the deflection angle of the light deflecting unit is controlled to adjust the scanning position of the light beam.
前記光学系制御手段は、前記撮像手段で取得され、前記被露光体に形成された基準となる機能パターンに予め設定された基準位置を検出し、該基準位置を基準にして前記光ビームの照射開始又は照射停止の制御をするものである。これにより、撮像手段で取得した基準となる機能パターンに予め設定された基準位置を光学系制御手段で検出し、該基準位置を基準にして光ビームの照射開始又は照射停止の制御をする。 The optical system control unit detects a reference position that is acquired by the imaging unit and preset in a function pattern that is a reference formed on the object to be exposed, and the light beam is irradiated with the reference position as a reference. Controls start or stop of irradiation. Thereby, the reference position preset in the reference function pattern acquired by the imaging means is detected by the optical system control means, and the light beam irradiation start or irradiation stop is controlled based on the reference position.
また、本発明のパターン形成方法は、露光光学系から照射される光ビームを被露光体の移動方向に直交する方向に相対的に走査して、該被露光体に機能パターンを露光するパターン形成方法であって、前記露光光学系に備えられて前記光ビームを前記被露光体の移動方向に偏向する光偏向手段の偏向角を前記光ビームの走査中に変化させて前記光ビームを前記被露光体の移動方向手前側に振る段階と、前記光偏向手段の偏向開始時刻と前記振られた光ビームを前記被露光体への光ビームの走査位置に対して前記被露光体の移動方向手前側の位置を撮像する撮像手段で検出する時刻とに基づいて前記光ビームの走査位置と前記撮像手段の撮像位置との相対距離を演算する段階と、前記相対距離が所定の値となるように前記光偏向手段の偏向角を制御する段階と、前記撮像手段により前記被露光体に予め設けられた基準となる機能パターンの画像を取得する段階と、前記撮像手段で取得された前記基準となる機能パターンに予め設定された基準位置を検出する段階と、前記基準位置を基準にして前記光ビームの照射開始又は照射停止を制御して前記基準位置に対して所定位置に所定の機能パターンを露光する段階とを実行するものである。 The pattern forming method of the present invention is a pattern forming method in which a light beam irradiated from an exposure optical system is scanned relatively in a direction orthogonal to the moving direction of the object to be exposed, and the functional pattern is exposed on the object to be exposed. A method is provided in which a deflection angle of a light deflecting unit provided in the exposure optical system for deflecting the light beam in a moving direction of the object to be exposed is changed during scanning of the light beam. A step of swinging the exposure object in the moving direction, a deflection start time of the light deflecting unit, and the shaken light beam before the moving direction of the exposure object with respect to the scanning position of the light beam on the exposure object. Calculating the relative distance between the scanning position of the light beam and the imaging position of the imaging means based on the time detected by the imaging means for imaging the position on the side, so that the relative distance becomes a predetermined value The deflection angle of the light deflection means A method Gosuru, previously comprising the steps of acquiring an image in relation to the standard function patterns provided, previously set in function pattern to be obtained the reference by the imaging means by Ri before Symbol exposed object on the imaging device Performing a step of detecting a predetermined reference position and a step of exposing a predetermined functional pattern to a predetermined position with respect to the reference position by controlling irradiation start or irradiation stop of the light beam with reference to the reference position. To do.
このような方法により、光ビームの走査中に光偏向手段により光ビームを被露光体の移動方向手前側に振り、該光ビームを撮像手段で検出し、偏向を開始してから撮像手段で検出するまでの時間に基づいて光ビームの走査位置と撮像手段の撮像位置との相対距離を演算し、該演算結果に基づいて上記相対距離を所定値となるように調整し、被露光体に予め形成された基準となる機能パターンに対して所定位置に所定の機能パターンを露光する。 By such a method, during scanning of the light beam, the light deflection means swings the light beam toward the front side in the moving direction of the object to be exposed, the light beam is detected by the imaging means, and the deflection is started and then detected by the imaging means. The relative distance between the scanning position of the light beam and the imaging position of the imaging means is calculated based on the time until the adjustment is performed, and the relative distance is adjusted to a predetermined value based on the calculation result. A predetermined functional pattern is exposed at a predetermined position with respect to the formed reference functional pattern.
そして、前記光偏向手段により偏向角を前記光ビームの走査中に変化させるのは、前記被露光体上に前記所定の機能パターンを露光する前に実行するものである。これにより、被露光体上に機能パターンを形成する前に光偏向手段を制御して偏向角を変化させる。 The light deflection means changes the deflection angle during scanning of the light beam before the predetermined functional pattern is exposed on the object to be exposed. Thus, the deflection angle is changed by controlling the light deflecting means before forming the functional pattern on the object to be exposed.
請求項1及び4に係る発明によれば、光ビームの走査中に光偏向手段により光ビームを被露光体上にて撮像手段の撮像位置側に振り、該光ビームを撮像手段で検出し、偏向を開始してから撮像手段で検出するまでの時間に基づいて光ビームの走査位置と撮像手段の撮像位置との相対距離を演算し、該演算結果に基づいて上記相対距離を所定値となるように調整するようにしたことにより、特別な補正システムを付加することなく容易に光ビームの走査位置ずれを補正することができる。また、上述のように、光ビームの走査位置ずれを補正するようにしたことにより、所定位置に所定の露光パターンの露光を高精度に実行することができる。 According to the first and fourth aspects of the present invention, during scanning of the light beam, the light deflection unit swings the light beam on the object to be exposed to the imaging position side of the imaging unit, and the light beam is detected by the imaging unit. The relative distance between the scanning position of the light beam and the imaging position of the imaging means is calculated based on the time from the start of deflection until detection by the imaging means, and the relative distance becomes a predetermined value based on the calculation result. By adjusting as described above, it is possible to easily correct the scanning position deviation of the light beam without adding a special correction system. Further, as described above, by correcting the deviation of the scanning position of the light beam, exposure of a predetermined exposure pattern at a predetermined position can be performed with high accuracy.
また、請求項2及び5に係る発明によれば、光偏向手段により偏向角を変化させる制御を被露光体上に所定の機能パターンを露光する前に実行するようにしたことにより、露光動作中に常時光ビームの走査位置補正を実行することができる。したがって、基準となる機能パターンに対する露光をより高精度に行うことができる。 According to the second and fifth aspects of the present invention, the control for changing the deflection angle by the light deflecting means is executed before the predetermined functional pattern is exposed on the object to be exposed. In addition, the scanning position correction of the light beam can always be executed. Therefore, it is possible to perform exposure with respect to the reference function pattern with higher accuracy.
さらに、請求項3に係る発明によれば、撮像手段で取得した基準となる機能パターンに予め設定された基準位置を基準にして光ビームの照射開始又は照射停止の制御をするようにしたことにより、基準となる機能パターンに対する露光を高精度に行うことができる。したがって、複数層の機能パターンを積層して形成する場合にも各層の機能パターンの重ね合せ精度が高くなる。これにより、複数の露光装置を使用して積層パターンを形成する場合にも、露光装置間の精度差に起因する機能パターンの重ね合せ精度の低下の問題を排除することができ、露光装置のコストアップを抑制することができる。 Furthermore, according to the invention according to claim 3, by controlling the start or stop of irradiation of the light beam with reference to a reference position preset in the reference function pattern acquired by the imaging means. Thus, exposure to the reference function pattern can be performed with high accuracy. Therefore, even when a plurality of layers of functional patterns are stacked, the accuracy of overlaying the functional patterns of each layer is increased. As a result, even when a multilayer pattern is formed using a plurality of exposure apparatuses, it is possible to eliminate the problem of deterioration in the accuracy of superimposing functional patterns due to the difference in accuracy between the exposure apparatuses. Up can be suppressed.
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明による露光装置の第1の実施形態を示す概念図である。この露光装置1は、被露光体上に機能パターンを直接露光するもので、レーザ光源2と、露光光学系3と、搬送手段4と、撮像手段5と、照明手段6と、光学系制御手段7とを備えてなる。なお、上記機能パターンとは、製品が本来の目的の動作をするのに必要な構成部分のパターンであり、例えば、カラーフィルターにおいては、ブラックマトリクスのピクセルパターンや赤、青、緑の各色フィルターのパターンであり、半導体部品においては、配線パターンや各種電極パターン等である。以下の説明においては、被露光体としてカラーフルター用のガラス基板を用いた例を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a conceptual view showing a first embodiment of an exposure apparatus according to the present invention. The
上記レーザ光源2は、光ビームを発射するものであり、例えば355nmの紫外線を生成する出力が4W以上の高出力全固体モードロックのレーザ光源である。
The
上記レーザ光源2の光ビーム出射方向前方には、露光光学系3が設けられている。この露光光学系3は、光ビームとしてのレーザビームをガラス基板8上に往復走査するものであり、レーザビームの出射方向手前から光スイッチ9と、光偏向手段10と、第1のミラー11と、ポリゴンミラー12と、fθレンズ13と、第2のミラー14とを備えている。
An exposure optical system 3 is provided in front of the
上記光スイッチ9は、レーザビームの照射及び照射停止状態を切換えるものであり、例えば、図2に示すように第1及び第2の偏光素子15A,15Bを、該各偏光素子15A,15Bの偏光軸pが互いに直交するように離して配置し(同図においては、偏光素子15Aの偏光軸pは垂直方向に設定され、偏光素子15Bの偏光軸pは水平方向に設定されている)、該第1及び第2の偏光素子15A,15Bの間に電気光学変調器16を配設した構成を有している。上記電気光学変調器16は、電圧を印加すると偏光(直線偏光)の偏波面を数nsecの高速で回転させるように動作するものである。例えば、印加電圧ゼロのときには、同図(a)において第1の偏光素子15Aにより選択的に透過した例えば垂直方向の偏波面を有する直線偏光は、上記電気光学変調器16をそのまま透過し、第2の偏光素子15Bに達する。この第2の偏光素子15Bは、水平方向の偏波面を有する直線偏光を選択的に透過するように配設されているため、垂直方向の偏波面を有する上記直線偏光は透過できず、この場合レーザビームは照射停止状態になる。一方、同図(b)に示すように、電気光学変調器16に電圧が印加され、該電気光学変調器16に入射する直線偏光の偏波面が90度回転したときには、上記垂直方向の偏波面を有する直線偏光は、電気光学変調器16を出射するときには、水平方向の偏波面を有するものとなり、この直線偏光は、第2の偏光素子15Bを透過する。これにより、レーザビームは照射状態になる。
The
上記光偏向手段10は、レーザビームの走査位置をその走査方向と直交する方向(ガラス基板8の移動方向で図1に示す矢印A方向に一致する)にずらして正しい位置を走査するように調整するものであり、例えば音響光学素子(AO素子)である。 The light deflecting means 10 is adjusted so as to scan the correct position by shifting the scanning position of the laser beam in a direction orthogonal to the scanning direction (coinciding with the direction of arrow A shown in FIG. 1 in the moving direction of the glass substrate 8). For example, an acousto-optic element (AO element) is used.
また、第1のミラー11は、光偏向手段10を通過したレーザビームの進行方向を後述のポリゴンミラー12の設置方向に曲げるためのものであり、平面ミラーである。さらに、ポリゴンミラー12は、レーザビームを往復走査するものであり、例えば正八角形の柱状回転体の側面に八つのミラーを形成している。この場合、上記ミラーの一つで反射されるレーザビームは、ポリゴンミラー12の回転に伴って一次元の往方向に走査され、レーザビームの照射位置が次のミラー面に移った瞬間に復方向に戻って、再びポリゴンミラー12の回転に伴って一次元の往方向への走査を開始することになる。
The
また、fθレンズ13は、レーザビームの走査速度がガラス基板8上で等速となるようにするものであり、焦点位置を上記ポリゴンミラー12のミラー面の位置に略一致させて配置される。そして、第2のミラー14は、fθレンズ13を通過したレーザビームを反射して、ガラス基板8の面に対して略垂直方向に入射させるためのものであり、平面ミラーである。また、上記fθレンズ13の出射側の面近傍部にて往復走査するレーザビームの走査開始側の部分には、走査方向と直交するようにラインセンサー17が設けられており、レーザビームの走査開始時刻を検出するようになっている。なお、このラインセンサー17は、fθレンズ13側ではなく、レーザビームの走査開始点を検出できればどこに設けてもよく、例えば、後述するガラス基板搬送用のステージ18側に設けてもよい。
Further, the
上記第2のミラー14の下方には、搬送手段4が設けられている。この搬送手段4は、ステージ18上にガラス基板8を載置して、上記レーザビームの走査方向に直交する方向に所定の速度で搬送するものであり、上記ステージ18を移動させる例えば搬送ローラ19と、該搬送ローラ19を回転駆動する例えばモータ等の搬送駆動部20とを備えている。
A conveying
上記搬送手段4の上方にて矢印Aで示す搬送方向の上記レーザビームの走査位置手前側には、撮像手段5が設けられている。この撮像手段5は、ガラス基板8に予め形成された基準となる機能パターンとしてのブラックマトリクスのピクセルを撮像するものであり、受光素子が一列状に配列された例えばラインCCDである。ここで、図3に示すように、上記撮像手段5の撮像位置Eと上記レーザビームの走査位置Fとの距離Dは、ブラックマトリクス21のピクセル22の搬送方向配列ピッチPの整数倍(n倍)となるように設定される。これにより、ガラス基板8が搬送されて上記ピクセル22の中心とレーザビームの走査位置とが一致したときにレーザビームが走査を開始するように走査タイミングを合わせることができる。また、上記距離Dは、小さい程よい。これにより、ガラス基板8の移動誤差を少なくすることができ、レーザビームの走査位置を上記ピクセル22に対してより正確に位置決めすることができる。なお、図1には、撮像手段5を三台設置した例を示しているが、レーザビームの走査範囲が一台の撮像手段5の画像処理領域より狭いときには、撮像手段5は一台でよく、上記走査範囲が一台の撮像手段5の画像処理領域より広いときには、それに応じて複数台の撮像手段5を設置するとよい。
An
上記搬送手段4の下方には、照明手段6が設けられている。この照明手段6は、上記ピクセル22を照明して撮像手段5による撮像を可能にするものである。
An
上記レーザ光源2、光スイッチ9、光偏向手段10、ポリゴンミラー12、ラインセンサー17、搬送手段4及び撮像手段5に接続して光学系制御手段7が設けられている。この光学系制御手段7は、撮像手段5で撮像された上記ピクセル22のパターン画像に予め設定した基準位置を検出し、該基準位置を基準にしてレーザ光源2におけるレーザビームの照射開始又は照射停止の制御を行うと共に、ラインセンサー17の出力に基づいて光偏向手段10に印加する電圧を制御してレーザビームの出射方向を偏向させ、ポリゴンミラー12の回転速度を制御してレーザビームの走査速度を所定速度に維持し、搬送手段4によるガラス基板8の搬送速度を所定の速度に制御するものである。そして、レーザ光源2を点灯させる光源駆動部23と、レーザビームの照射開始及び照射停止を制御する光スイッチコントローラ24と、光偏向手段10におけるレーザビームの偏向量を制御する光偏向手段駆動部25Aと、ポリゴンミラー12の駆動を制御するポリゴン駆動部25Bと、搬送手段4の搬送速度を制御する搬送コントローラ26と、照明手段6の点灯及び消灯を行う照明光コントローラ27と、撮像手段5で撮像した画像をA/D変換するA/D変換部28と、A/D変換された画像データに基づいてレーザビームの照射開始位置及び照射停止位置を判定する画像処理部29と、画像処理部29で処理して得たレーザビームの照射開始位置(以下、露光開始位置と記載)及び照射停止位置(以下露光終了位置と記載)のデータを記憶すると共に、後述の露光開始位置及び露光終了位置のルックアップテーブル等を記憶する記憶部30と、該記憶部30から読み出した露光開始位置及び露光終了位置のデータに基づいて光スイッチ9をオン/オフする変調データを作成する変調データ作成処理部31と、装置全体が所定の目的の動作をするように適切に制御する制御部32とを備えている。
An optical system control means 7 is provided in connection with the
図4及び図5は、画像処理部29の一構成例を示すブロック図である。図4に示すように、画像処理部29は、例えば三つ並列に接続したリングバッファーメモリ33A,33B,33Cと、該リングバッファーメモリ33A,33B,33C毎にそれぞれ並列に接続した例えば三つのラインバッファーメモリ34A,34B,34Cと、該ラインバッファーメモリ34A,34B,34Cに接続され決まった閾値と比較してグレーレベルのデータを2値化して出力する比較回路35と、上記九つのラインバッファーメモリ34A,34B,34Cの出力データと図1に示す記憶部30から得た露光開始位置を定める第1の基準位置に相当する画像データのルックアップテーブル(露光開始位置用LUT)とを比較して、両データが一致したときに露光開始位置判定結果を出力する露光開始位置判定回路36と、上記九つのラインバッファーメモリ34A,34B,34Cの出力データと、図1に示す記憶部30から得た露光終了位置を定める第2の基準位置に相当する画像データのルックアップテーブル(露光終了位置用LUT)とを比較して、両データが一致したときに露光終了位置判定結果を出力する露光終了位置判定回路37とを備えている。
4 and 5 are block diagrams illustrating an example of the configuration of the
また、図5に示すように、画像処理部29は、上記露光開始位置判定結果を入力して第1の基準位置に相当する画像データの一致回数をカウントする計数回路38Aと、該計数回路38Aの出力と図1に示す記憶部30から得た露光開始ピクセル番号とを比較して両数値が一致したときに露光開始信号を図1に示す変調データ作成処理部31に出力する比較回路39Aと、上記露光終了位置判定結果を入力して第2の基準位置に相当する画像データの一致回数をカウントする計数回路38Bと、該計数回路38Bの出力と図1に示す記憶部30から得た露光終了ピクセル番号とを比較して両数値が一致したときに露光終了信号を図1に示す変調データ作成処理部31に出力する比較回路39Bと、上記計数回路38Aの出力に基づいて先頭ピクセルの数をカウントする先頭ピクセル計数回路40と、該先頭ピクセル計数回路40の出力と図1に示す記憶部30から得た露光ピクセル列番号とを比較して両数値が一致したときに露光ピクセル列指定信号を図1に示す変調データ作成処理部31に出力する比較回路41とを備えている。なお、上記計数回路38A,38Bは、撮像手段5による読取動作が開始されるとその読取開始信号によりリセットされる。また、先頭ピクセル計数回路40は、予め指定した所定の露光パターンの形成が終了すると露光パターン終了信号によりリセットされる。
As shown in FIG. 5, the
次に、このように構成された露光装置1の動作及びパターン形成方法について説明する。
先ず、露光装置1に電源が投入されると、光学系制御手段7が駆動する。これにより、レーザ光源2が起動してレーザビームが発射される。同時に、ポリゴンミラー12が回転を開始し、レーザビームの走査が可能になる。ただし、このときはまだ、光スイッチ9はオフされているためレーザビームは照射されない。
Next, the operation of the
First, when the
次に、搬送手段4のステージ18上にガラス基板8が載置される。なお、搬送手段4は、一定速度でガラス基板8を搬送するため、図6に示すようにレーザビームの走査軌跡(矢印B)は、ステージ18の移動方向(矢印A)に対して相対的に斜めとなる。従って、ガラス基板8を上記移動方向(矢印A)に平行に設置している場合には、同図(a)に示すように露光位置がブラックマトリクス21の走査開始ピクセル22aと走査終了ピクセル22bとでずれる場合が生ずる。この場合には、同図(b)に示すように、ガラス基板8を搬送方向(矢印A方向)に対して傾けて設置して上記ピクセル22の配列方向とレーザビームの走査軌跡(矢印B)とが一致するようにするとよい。ただし、現実には、レーザビームの走査速度の方がガラス基板8の搬送速度よりもはるかに速いため上記ずれ量は少ない。従って、ガラス基板8は移動方向に対して平行に設置し、上記ずれ量を撮像手段5で撮像したデータに基づいて計測して、露光光学系3の光偏向手段10を制御してずれ量を補正してもよい。なお、以下の説明においては、上記ずれ量は無視できるものとして説明する。
Next, the
次に、搬送駆動部20を駆動してステージ18を図1の矢印A方向に移動する。このとき、搬送駆動部20は、光学系制御手段7の搬送コントローラ26により一定速度となるように制御される。
Next, the
次に、ガラス基板8に形成されたブラックマトリクス21が撮像手段5の撮像位置に達すると、撮像手段5は撮像を開始し、撮像したブラックマトリクス21の画像データに基づいて露光開始位置及び露光終了位置の検出を行う。以下、パターン形成方法を図7に示すフローチャートを参照して説明する。
Next, when the
先ず、ステップS1において、撮像手段5でブラックマトリクス21のピクセル22の画像が取得される。この取得した画像データは、図4に示す画像処理部29の三つのリングバッファーメモリ33A,33B,33Cに取り込まれて処理される。そして、最新の三つのデータが各リングバッファーメモリ33A,33B,33Cから出力される。この場合、例えばリングバッファーメモリ33Aから二つ前のデータが出力され、リングバッファーメモリ33Bから一つ前のデータが出力され、リングバッファーメモリ33Cから最新のデータが出力される。さらに、これらの各データはそれぞれ三つのラインバッファーメモリ34A,34B,34Cにより、例えば3×3のCCD画素の画像を同一のクロック(時間軸)に配置する。その結果は、例えば図8(a)に示すような画像として得られる。この画像を数値化すると、同図(b)のように3×3の数値に対応することになる。これらの数値化された画像は、同一クロック上に並んでいるので、比較回路35で閾値と比較されて2値化される。例えば、閾値を“45”とすれば、同図(a)の画像は、同図(c)のように2値化されることになる。
First, in step S <b> 1, the image of the
次に、ステップS2において、露光開始及び露光終了の基準位置が検出される。具体的には、基準位置検出は、露光開始位置判定回路36において、上記2値化データを図1に示す記憶部30から得た露光開始位置用LUTのデータと比較して行う。
Next, in step S2, a reference position for exposure start and exposure end is detected. Specifically, the reference position is detected by comparing the binarized data with the exposure start position LUT data obtained from the
例えば、露光開始位置を指定する第1の基準位置が、図9(a)に示すようにブラックマトリクス21のピクセル22の左上端隅部に設定されている場合には、上記露光開始用LUTは、同図(b)に示すものになり、このときの露光開始用LUTのデータは、“000011011”となる。従って、上記2値化データは、上記露光開始用LUTのデータ“000011011”と比較され、両データが一致したときに、撮像手段5で取得した画像データが第1の基準位置であると判定され、露光開始位置判定回路36から開始位置判定結果を出力する。なお、図10に示すようにピクセル22が六つ並んでいるときには、各ピクセル22の左上端隅部が第1の基準位置に該当することになる。
For example, when the first reference position for designating the exposure start position is set at the upper left corner of the
上記判定結果に基づいて、図5に示す計数回路38Aにおいて上記一致回数がカウントされる。そして、そのカウント数は、図1に示す記憶部30から得た露光開始ピクセル番号と比較回路39Aにおいて比較され、両数値が一致したとき露光開始信号を図1に示す変調データ作成処理部31に出力する。この場合、図10に示すように、例えば、レーザビームの走査方向にて1番目のピクセル221及び4番目のピクセル224の左上端隅部を第1の基準位置と定めると、該第1の基準位置に対応する撮像手段5のラインCCDにおけるエレメント番地、例えば“1000”,“4000”が光スイッチコントローラ24に記憶される。
Based on the determination result, the number of matches is counted in the
一方、上記2値化データは、露光終了位置判定回路37において、図1に示す記憶部30から得た露光終了位置用LUTのデータと比較される。例えば、露光終了位置を指定する第2の基準位置が、図11(a)に示すようにブラックマトリクス21のピクセル22の右上端隅部に設定されている場合には、上記露光終了位置用LUTは、同図(b)に示すものになり、このときの露光終了位置用LUTのデータは、“110110000”となる。従って、上記2値化データは、上記露光終了位置用LUTのデータ“110110000”と比較され、両データが一致したときに、撮像手段5で取得した画像データが露光終了の基準位置であると判定され、露光終了位置判定回路37から終了位置判定結果を出力する。なお、前述と同様に、図10に示すように例えばピクセル22が六つ並んでいるときには、各ピクセル22の右上端隅部が第2の基準位置に該当することになる。
On the other hand, the binarized data is compared with the exposure end position LUT data obtained from the
上記判定結果に基づいて、図5に示す計数回路38Bにおいて上記一致回数がカウントされる。そして、そのカウント数は、図1に示す記憶部30から得た露光終了ピクセル番号と比較回路39Bにおいて比較され、両数値が一致したとき露光終了信号を図1に示す変調データ作成処理部31に出力する。この場合、図10に示すように、例えば、レーザビームの走査方向にて1番目のピクセル221及び第4番目のピクセル224の右上端隅部を第2の基準位置と定めると、該第2の基準位置に対応する撮像手段5のラインCCDにおけるエレメント番地、例えば“1900”,“4900”が光スイッチコントローラ24に記憶される。そして、上述のようにして露光開始位置及び露光終了位置の基準位置が検出されると、ステップS3に進む。
Based on the determination result, the number of matches is counted in the
ステップS3では、ガラス基板8の移動方向における露光位置が検出される。ここで、図3に示すように、レーザビームの走査位置Fと撮像手段5の撮像位置E間の距離Dは、上記ピクセル22の移動方向への配列ピッチPの整数倍(n倍)に設定されているため、レーザビームの走査周期をカウントすることによって上記露光位置を割り出すことができる。例えば、図12に示すように、レーザビームの走査位置と撮像手段5の撮像位置との間の距離Dがピクセル22の配列ピッチPの例えば3倍に設定されている場合に、ステップS2においてピクセル22の端部に第1及び第2の基準位置を検出した後(同図(a)参照)、ガラス基板8が移動してピクセル列中心線が撮像手段5の撮像位置に達したとき(同図(b)参照)、レーザビームの走査開始タイミングと一致する。ここで、レーザビームが周期Tで走査している場合、ガラス基板8の搬送速度は、レーザビームの周期Tに同期してピクセル22の1ピッチ分だけ移動するように制御される。したがって、次の1T間にピクセル22は同図(c)に示す位置に移動する。さらに、2T後には、ピクセル22は同図(d)に示す位置まで移動する。そして、3T後には、同図(e)に示すように、ピクセル22の列中心線がレーザビームの走査位置に達することになる。こうして、露光位置が検出される。
In step S3, the exposure position in the moving direction of the
次に、ステップS4において、レーザビームを走査しながら、上記露光位置(走査位置)の調整が行われる。具体的には、図13に示すように、走査位置の調整は、ガラス基板8上の例えばカラーフィルターの機能パターン形成領域外において、光学系制御手段7の光偏向手段駆動部25Aを駆動して光偏向手段10の偏向角θを変化させ、同図(a)に示すように光ビームを所定の偏向速度vでガラス基板8の移動方向の後方にて撮像手段5の撮像位置を通過するまで大きく振って行う。これにより、光ビームは、撮像手段5のガラス基板8上の撮像位置を2回横切ることになる。したがって、撮像手段5の出力は同図(b)に示すように、光ビームが撮像位置を最初に横切ったときと、2度目に横切ったときの2回のピーク出力が検出される。この場合、制御部32において、光偏向手段駆動部25Aから得た偏向開始時刻と撮像手段5から得られる光ビームの1回目の検出時刻との間の時間τ1と、光ビームの偏向速度vとから撮像位置に対する光ビームの走査位置までの相対距離D1が、D1=τ1×vを演算して求められる。この相対距離D1に対応する光偏向手段10の偏向角θは、同図(c)に示すようにθ1である。ここで、演算して得られた上記距離D1が所定の距離Dからずれていたときには、制御部32でそれを判断してτ2=D/vを演算し、撮像手段5で検出される2回目の光ビームの検出時刻からτ2時間経過後に光偏向手段10の偏向動作を停止して偏向角をθ2に維持する。これにより、光ビームは撮像手段5の撮像位置に対して所定の距離Dを保って走査することになる。このようにして、光ビームの走査位置の調整が終了するとステップS5に進む。
Next, in step S4, the exposure position (scanning position) is adjusted while scanning the laser beam. Specifically, as shown in FIG. 13, the adjustment of the scanning position is performed by driving the light deflection unit driving unit 25 </ b> A of the optical system control unit 7 outside the functional pattern formation region of the color filter on the
ステップS5において、露光が開始される。露光開始は、光スイッチ9のオンタイミングを光スイッチコントローラ24で制御して行う。この場合、先ず、光スイッチ9をオン状態にしてレーザビームを走査し、上記ラインセンサー17によってレーザビームの走査開始時刻が検出されると直ぐに光スイッチ9をオフとする。このとき、変調データ作成処理部31から、例えば図10の露光開始位置に対応する撮像手段5のエレメント番地“1000”が読み出されレーザビームの走査開始時刻から露光開始位置までの時間t1が制御部32で演算される。この場合、レーザビームの走査開始時刻から撮像手段5のエレメント番地“1”までの走査時間t0を予め計測しておき、またレーザビームの走査速度を撮像手段5のラインCCDのクロックCLKに同期させておけば、エレメント番地“1000”までのクロック数をカウントすることにより、走査開始時刻t1は、t1=t0+1000CLKとして容易に求めることができる。これにより、レーザビームの走査開始時刻からt1後に光スイッチ9をオンして露光を開始する。
In step S5, exposure is started. The exposure is started by controlling the ON timing of the
次に、ステップS6において、露光終了位置が検出される。露光終了位置は、上述と同様にして、例えばエレメント番地“1900”における露光終了時刻t2は、t2=t0+1900CLKとして求まる。これにより、レーザビームの走査開始時刻からt2後に光スイッチ9をオフして露光を終了する。
Next, in step S6, the exposure end position is detected. The exposure end position is obtained in the same manner as described above, for example, the exposure end time t 2 at the element address “1900” is t 2 = t 0 +1900 CLK. As a result, the
次に、ステップS7においては、レーザビームの一走査が終了したか否かを判定する。ここで、“NO”判定となると、ステップS2に戻って上述の動作を繰返す。そして、ステップS2において、図10に示すように、例えば第2の露光開始位置“4000”及び第2の露光終了位置“4900”が検出されると、ステップS4を経てステップS5に進んで、上述と同様にしてエレメント番地“4000”から露光が開始され、エレメント番地“4900”で露光が終了する。 Next, in step S7, it is determined whether one scanning of the laser beam is completed. If "NO" determination is made here, the process returns to step S2 and the above-described operation is repeated. Then, in step S2, as shown in FIG. 10, for example, when the second exposure start position “4000” and the second exposure end position “4900” are detected, the process proceeds to step S5 through step S4, and the above-mentioned. In the same manner as described above, the exposure starts from the element address “4000”, and the exposure ends at the element address “4900”.
また、ステップS7において、“YES”判定となるとステップS1に戻り、新たな露光位置を検出する動作に移る。そして、上述の動作を繰り返し実行することにより、所望の領域に対して露光パターンの形成を行う。 If “YES” determination is made in step S7, the process returns to step S1 to move to an operation for detecting a new exposure position. Then, by repeatedly executing the above operation, an exposure pattern is formed on a desired area.
このように、本発明の露光装置及びパターン形成方法によれば、光ビームの走査中に光偏向手段10により光ビームをガラス基板8の移動方向の後方に振り、該光ビームを撮像手段5で検出し、偏向を開始してから撮像手段5で検出するまでの時間に基づいて光ビームの走査位置と撮像手段5の撮像位置との相対距離D1を演算し、該演算結果に基づいて上記相対距離D1を所定値Dとなるように調整するようにしたことにより、特別な補正システムを付加することなく容易に光ビームの走査位置ずれを補正することができる。したがって、所定位置に所定の露光パターンの露光を高精度に実行することができる。
As described above, according to the exposure apparatus and pattern forming method of the present invention, the light deflecting means 10 swings the light beam backward in the moving direction of the
また、撮像手段5で撮像されたガラス基板8に予め形成されたブラックマトリクス21のピクセル22を撮影し、撮影されたピクセル22の画像に予め設定した基準位置を検出し、該基準位置を基準にしてレーザビームの照射開始又は照射停止の制御を行うことによって露光パターンを形成するようにしたので、上記ピクセル22に対する露光精度が向上する。
Further, the
そして、上記ピクセル22に予め定めた基準位置に基づいて露光パターンを形成するようにしているので、露光装置間の精度差に起因する機能パターンの重ね合せ精度の劣化の問題を排除することができる。したがって、複数の露光装置1を使用して積層パターンを形成する工程に適用した場合にも高い重ね合わせ精度を確保することができる。これにより、露光装置1のコストアップを抑制することができる。
Since the exposure pattern is formed on the
なお、本発明の露光装置は、液晶ディスプレイのカラーフィルター等の大型基板に適用するものに限定されず、半導体等の露光装置にも適用することができる。 The exposure apparatus of the present invention is not limited to those applied to large substrates such as color filters of liquid crystal displays, and can also be applied to exposure apparatuses such as semiconductors.
1…露光装置
3…露光光学系
5…撮像手段
6…照明手段
7…光学系制御手段
8…ガラス基板(被露光体)
10…光偏向手段
21…ブラックマトリクス
22…ピクセル(機能パターン)
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記露光光学系に備えられ前記光ビームを前記被露光体の移動方向に偏向する光偏向手段と、
前記被露光体へ照射される光ビームの走査位置に対して前記被露光体の移動方向手前側の位置を撮像する撮像手段と、
前記光偏向手段の偏向角を制御すると共に前記撮像手段で取得した画像を処理する光学系制御手段とを備え、
前記光学系制御手段により前記光ビームの走査中に前記光偏向手段の偏向角を変化させて前記光ビームを前記被露光体上にて撮像手段の撮像位置側に振り、前記光偏向手段の偏向開始時刻と前記振られた光ビームを前記撮像手段で検出した時刻とに基づいて前記光ビームの走査位置と前記撮像手段の撮像位置との相対距離を演算し、該相対距離が所定の値となるように前記光偏向手段の偏向角を制御することを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that exposes a functional pattern to the object to be exposed by relatively scanning a light beam emitted from the exposure optical system in a direction orthogonal to the moving direction of the object to be exposed,
A light deflector provided in the exposure optical system for deflecting the light beam in a moving direction of the object to be exposed;
Imaging means for imaging a position on the near side in the moving direction of the object to be exposed with respect to a scanning position of a light beam applied to the object to be exposed;
An optical system control means for controlling a deflection angle of the light deflection means and processing an image acquired by the imaging means;
The optical system control means changes the deflection angle of the light deflection means during the scanning of the light beam, swings the light beam on the object to be imaged to the imaging position side, and deflects the light deflection means. The relative distance between the scanning position of the light beam and the imaging position of the imaging means is calculated based on the start time and the time when the shaken light beam is detected by the imaging means, and the relative distance is a predetermined value. An exposure apparatus for controlling the deflection angle of the light deflecting means so that
前記露光光学系に備えられて前記光ビームを前記被露光体の移動方向に偏向する光偏向手段の偏向角を前記光ビームの走査中に変化させて前記光ビームを前記被露光体の移動方向手前側に振る段階と、
前記光偏向手段の偏向開始時刻と前記振られた光ビームを前記被露光体への光ビームの走査位置に対して前記被露光体の移動方向手前側の位置を撮像する撮像手段で検出する時刻とに基づいて前記光ビームの走査位置と前記撮像手段の撮像位置との相対距離を演算する段階と、
前記相対距離が所定の値となるように前記光偏向手段の偏向角を制御する段階と、
前記撮像手段により前記被露光体に予め設けられた基準となる機能パターンの画像を取得する段階と、
前記撮像手段で取得された前記基準となる機能パターンに予め設定された基準位置を検出する段階と、
前記基準位置を基準にして前記光ビームの照射開始又は照射停止を制御して前記基準位置に対して所定位置に所定の機能パターンを露光する段階と、
を実行することを特徴とするパターン形成方法。 A pattern forming method in which a light beam emitted from an exposure optical system is relatively scanned in a direction orthogonal to a moving direction of an object to be exposed, and a functional pattern is exposed on the object to be exposed,
A deflection angle of a light deflecting means provided in the exposure optical system for deflecting the light beam in the moving direction of the object to be exposed is changed during the scanning of the light beam, so that the light beam is moved in the moving direction of the object to be exposed. Swinging to the near side,
The deflection start time of the light deflection means and the time when the shaken light beam is detected by an imaging means for imaging the position of the exposure object in the moving direction relative to the scanning position of the light beam on the exposure object. Calculating a relative distance between the scanning position of the light beam and the imaging position of the imaging means based on
Controlling the deflection angle of the light deflection means so that the relative distance is a predetermined value;
A step of acquiring an image of the feature pattern to be provided in advance based on the I Ri before Symbol exposed object on the imaging unit,
Detecting a reference position preset in the function pattern serving as the reference acquired by the imaging means;
Controlling the start or stop of irradiation of the light beam with reference to the reference position to expose a predetermined functional pattern at a predetermined position with respect to the reference position;
The pattern formation method characterized by performing.
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