JP4199481B2 - Semiconductor wafer processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、特に化合物半導体ウエハに好適な半導体ウエハ加工装置及び半導体ウエハの加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の製造における必須の工程として、半導体ウエハをチップ状に切断する工程がある。この切断工程は、まず半導体ウエハの表面を傷つけ(スクライブ)、次いでへき開面に沿って割る(ブレーク)ことでチップに分けていくもので、従来では、スクライビングとブレーキングをそれぞれ別々の装置で行っていたが、近年、両方の作業を1台で行なう装置が開発されるようになった。
【0003】
このような装置の例として、特表平9−510927号公報に記載されている装置が挙げられる。この装置は、ウエハを、水平面において直交するX方向及びY方向の2方向に直進移動可能であって、かつ、水平面を通る軸回りに回転移動可能に保持して構成されている。
この装置でウエハを切断する場合、まずウエハのへき開方向に沿って表面に網目状に傷を付け、次いで、ウエハの両面を挟み込むようにして衝撃を与える。衝撃が加わると、傷に応力が集中し、傷に沿ってへき開する。
この場合、Y方向に移動しながらX方向に沿ってバー状に順に分割していき、次いで、ウエハを回転させ、X方向に移動しながらY方向に沿ってへき開していき、小さなチップに分割する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述の分割方法は、シリコンウエハのような硬度のある材質で、へき開面の機能を必要としないウエハについては有用である。しかし、同じ方法を、シリコンウエハよりも柔らかいガリウム・ヒ素(GaAs)やインジウム・リン(InP)などからなる化合物半導体ウエハに対して適用としようとすると以下のような問題がある。
【0005】
半導体レーザなどに多用される化合物半導体では、チップに切断したときの切断面であるへき開面がレーザ光を反射及び透過させる面として重要で、そのためにチップ製造の工程がシリコンウエハとは異なってくる。つまり、図14(a)に示すように、ウエハを細長いバーB、B…に分割し(一次へき開)、その後、それらのバーB、B…を、段積み箱3の中でスペーサS、S…と交互に積み重ねる(段積み工程)。そして、段積み箱3ごと薄膜装置などに入れ、へき開面に所定の波長の光を反射あるいは透過させるコーティングを形成する。そして、このコーティング後、各バーBをチップ状にへき開(二次へき開)してチップを得る。
【0006】
「一次へき開→段積み→コーティング→二次へき開」という一連の工程を前述の公報の装置で実施する場合、まずY方向だけスクライブ・ブレーキングを行いバーを作製する。ただし、化合物半導体の活性層はウエハ表面近傍に形成され、ウエハ表面全体をスクライブで傷つけることはできないので、図14(b)に示すように、ウエハWの端にX方向に沿って溝h、h…を付けていく。
次に、図14(c)に示すように、インパルスバー1とアンビル2とにより各溝h部分に応力を集中させてウエハWに亀裂をY方向に走らせ、へき開する。へき開の際、インパルスバー1がウエハWを載置するシート4を押しこむとアンビル2から反力N1、N2が発生する。曲げモーメントによりウエハWは、破壊点まで撓もうと上面が伸び下面は縮もうとする。
しかし、上面はアンビル2の反力を起因とする摩擦力などに拘束されているので、インパルスバー1にはこのような拘束力に打ち勝つ押圧力FFが要求される。押圧力FFが大きくなるほど、反力N1、N2も増し、表面に対する圧力が大きくなったり、摩擦力による表面方向のずれ力が大きくなることにより、柔らかいウエハWの表面近傍、例えば表面から数十オングストローム程度の深さに形成されている量子井戸構造を破壊してしまう可能性があった。
【0007】
また、前記公報の装置では、シート4は円形枠に張られているため、強い押圧力FFを与えても、その力がシート4面上において360度にわたって半径方向に分散しへき開に有効な力成分が削減されてしまう。さらに、その力の分散によりシート4が切断方向とは全く異なる方向に伸び縮みし、すでにへき開したバー同士が、例えばポイントm1においてぶつかり合い、化合物半導体にとって重要なへき開面の上部を傷つけ、不良にしてしまう可能性もあった。
さらに、一次へき開した後、コーティングのために段積みする工程で、シート4から手作業で一つずつ取り外し、段積みする工程は、作業効率が悪かった。また、各バーは幅150〜300μm程度の極細の脆い素材であることから、バー同士を接触させたり等により傷つき不良を発生させてしまう恐れもあった。
【0008】
本発明の課題は、半導体ウエハの加工装置及び加工方法において、スクライブ及びブレークの両工程を行い設備コストがなるべく低く、しかも化合物半導体ウエハに好適であって、ウエハの表面やへき開面に対してなるべく力を加えたり傷つけることなく、また、作業効率の向上を図ることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、例えば、図1〜図13に示すように、所定の曲率の曲面を有し、この曲面に半導体ウエハ(ウエハW)がセットされる曲面部材(回転ローラ21)と、
曲面にセットされた半導体ウエハの表面を、曲面に沿うように押えつけて固定する押え部材(シート41)と、
押え部材によって前記曲面に押えつけられている半導体ウエハの一部に傷を付け、半導体ウエハの所定方向への割れを誘導するスクライブ手段(スクライブユニット60)と、を備え、
前記曲面部材は、円柱形状を有し円形断面の中央を通る直線を中心に回転可能に構成される回転部材であって、
前記半導体ウエハは、前記所定方向を回転部材の回転中心方向と平行させるようにして、回転部材の周面の特定位置にセットされ、 前記回転部材は、回転中心方向が水平方向と一致するように設置され、
回転部材における最上部分において、半導体ウエハがスクライブ手段により傷つけられることをきっかけとして前記所定方向に割られ、半導体ウエハからウエハバーが形成され、
回転部材は、ウエハバーが1つ形成されるごとに所定角度ずつ回転するように構成され、
回転部材に近接して設けられ、水平方向に主面を有し、回転部材の所定角度ずつの回転により下降してきたウエハバーを主面で受ける受け部材(バーガイド部材82)と、
受け部材に近づいたウエハバーを回転部材の周面から離して強制的に受け部材に載置させる強制載置手段(アンローディングユニット90)と、
受け部材の主面に面一に連続する連続面を有するウエハバー収納箱(段積み枠81)と、
を備えることを特徴とする半導体ウエハ加工装置(10)である。
【0010】
請求項1に記載の発明によれば、半導体ウエハを押え部材によって曲面部材の曲面に沿わせて撓ませた状態で、スクライブ手段によって傷を付けて割れを誘導する。従来はウエハをスクライブ後さらに両面からブレークする方法が一般的であるが、請求項1の装置であれば、平坦なウエハを撓ませた状態で傷を付けるので、非常に割れやすく、傷を付けただけで割ることが可能となる。従って、表面に傷を付けるだけで割れればブレークのための力を加える必要がないし、あるいは割れを確実にするため補助する機構を備えたとしても、比較的弱い力を加えれば割れるので、へき開面やウエハ表面を傷つけにくく、柔らかい化合物半導体ウエハに好適である。
【0011】
さらに、表面に傷を付けるだけで割れる、あるいは割れやすい状態になっているので、スクライブ及びブレークの両工程をこの装置で連続して行うことが可能となり設備コストを下げることができる。
また、従来の装置では、スクライブの工程が全て終わった後ブレークするので、移動のちょっとしたずれでスクライブで形成した傷に対しブレークする線がずれる可能性があり、ずれると不良品となった。しかし、本発明では、上記のようにウエハを曲げることで表面に傷を付けるだけで割れる、あるいは割れやすい状態になっているので、スクライブした線の延長線で確実にブレークし、不良品が発生しにくい。
ここで、押え部材は、半導体ウエハの全面を押えてもよいし、スクライブで直接傷が付けられるように一部を残して押えてもよい。
【0013】
請求項1に記載の発明によれば、曲面部材は円柱形状の回転部材であって、その周面の特定位置に前記所定の方向を回転中心方向と平行させるように半導体ウエハがセットされることから、スクライブ・ブレーク後のウエハを回転によって次々に搬送することができ、利便性が高い。
【0023】
請求項1に記載の発明によれば、スクライブ・ブレーク後に形成されたウエハバーを回転部材の回転を利用して搬送し、受け部材に載置し、ウエハバー収納箱に集めることができる。これにより、従来手作業であった、段積み作業を自動的に行うことが可能となり、作業効率が著しく向上する。つまり、スクライブ・ブレーク・段積みの工程を1つの装置で連続して行うことができるので、設備コストの低減と作業効率の著しい向上を図ることができる。
【0024】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、
前記回転部材の周面には、回転部材の回転により下降してきたウエハバーが滑り落ちることを防ぐバーストッパ部材(バーストッパ28)が設けられていることを特徴とする。
請求項2に記載の発明によれば、回転部材の回転により下降してきたウエハバーが滑り落ちようとしても、周面に設けられたバーストッパ部材によって止められ、落ちてしまうことはない。
【0025】
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の半導体ウエハ加工装置において、
前記回転部材には周方向に沿って溝(21a〜21f)が形成され、
前記強制載置手段は、溝の中から受け部材に向かうように動作することで、受け部材に近づいたウエハバーを押出す押出し部材(押出し棒91)を備えることを特徴とする。
請求項3に記載の発明によれば、押出し部材を使って回転部材の内側からウエハバーを受け部材に向かって押出すので、ウエハバーを確実に受け部材側に移すことができる。
【0026】
請求項4に記載の発明は、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体ウエハ加工装置において、
ウエハバー収納箱は、受け部材に着脱自在であって、収納したウエハバーの切断面が露出するように開口(81f)を有することを特徴とする。
請求項4に記載の発明によれば、ウエハバー収納箱が受け部材に着脱自在で、しかも収納したウエハバーの切断面が露出するように開口が形成されているので、ウエハバーを集めた後はウエハバー収納箱を受け部材から外して、そのままへき開面のコーティング工程に移行させることができるようになり、作業効率が向上する。
【0027】
請求項5に記載の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体ウエハ加工装置において、
ウエハバー収納箱に、ウエハバーと交互にスペーサを挿入するスペーサ挿入手段(送りバー87)を備えることを特徴とする。
請求項5に記載の発明によれば、スペーサ挿入手段によりウエハバーの間にスペーサを挿入することができ、次のコーティング工程のために作業者が自分でスペーサを挿入しなくてもよく、作業効率が上がる。
【0037】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1には、本発明の一実施の形態としての半導体ウエハ加工装置10を示す。以下、単に加工装置10と言うこともある。図1で、左右方向をX方向、前後方向をY方向とする。
加工装置10は、ベース11上に、ウエハセット部20、ウエハローディングユニット30、シートユニット40、スクライブユニット60、へき開補助ユニット70、段積みユニット80などが設けられて構成され、ウエハWをY方向にへき開し、段積みまで行う装置である。ベース11上には、側板16、12、13が所定間隔をおいて平行に立設され、これら側板16、12、13に対して前記各ユニットが支持されている。図1で側板13は一部破断して示し、各ユニットの構成は一部簡略化している。
【0038】
側板12、13の間は、ウエハWが加工されるエリアである。ここで加工されるウエハWとしては、ガリウム・ヒ素(GaAs)やインジウム・リン(InP)などの化合物半導体ウエハを好適に用いることができる。
図2は、側板12、13間に設けられるウエハ固定部20、ウエハローディングユニット30及びシートユニット40を示す図であり、ウエハWの中心を通る断面を正面(図1の手前側)から見た図である。
【0039】
ウエハ固定部20は、主に回転ローラ(回転部材)21から構成され、該回転ローラ21は、表面がなるべく静電気が発生しないように、例えばクロムメッキ加工されている。回転ローラ21は、側板12、13に設けられた図示しない軸受けに支持されている軸24に固定されている。軸24は、図3(b)に示すように、カップリング26を経てステッピングモータであるモータ27の出力軸に固定されている。よって、モータ27の回転方向に応じて、軸24と共に回転ローラ21も回転する。
【0040】
回転ローラ21の周面には、スクライブ・ブレイク時にウエハWを押さえつけるシート(押え部材)41を固定するための固定板22が設けられている。シート41の下端41aは、その幅方向全体に渡って固定板22に挟まれ、該固定板22がネジ22a、22aによって回転ローラ21に固定されることで、幅方向が軸24方向に平行するように回転ローラ21に対して固定されている。
ここで使用されるシート41としては、下撓性を有する樹脂シートであって、例えば、テフロン(登録商標)製、ナイロン製のものを用いることができる。
回転ローラ21の上方にはCCDカメラや反射型光センサ等の位置センサ107が設けられ、スクライブ時のウエハWの位置を検出する。CCDカメラであれば、内蔵するレンズを下方に向けて、シート41の下方からはみ出るように見えるウエハWの端部w(図3(a))が視野に入るように調製され、ウエハWの回転方向エッジeを検出する。反射型光センサであれば、投光受光面を下方に向けて、シート41の下方からはみ出るように見えるウエハWの前記端部wに位置するように調整され、ウエハWのないときは回転ローラ21のクロムめっき面などからなる表面で反射した光を受光するので、正反射光である強い光を受光する。ウエハWがあるときはウエハ面で反射した光を受光するが、拡散反射光であり弱い光を受光する。これによりウエハWの回転方向エッジeを検出する。
【0041】
シートユニット(把持手段)40は、シート41を支持し、かつこれに張力を付与するもので、主にシートクランプ42、シート上下動シリンダ44、押圧ローラ51、ローラ上下動シリンダ55などから構成される。シリンダ44、55は共にエアシリンダである。
シート上下動シリンダ44は側板16から前方に水平に突出する梁部材15上に固定され、そのロッド44aは梁部材15の下側に突出している。
シートクランプ42は、Y方向に長く棒状に形成され、その下面部においてシート41の上端部を幅方向全体に渡ってクランプしている。シートクランプ42は、その上部において略円筒形状に形成された円筒支持部材(ロッド固定部材)43によって挟まれ、支持ピン45がX方向に円筒支持部材43及びシートクランプ42を貫通している。この構成により、シートクランプ42は、円筒支持部材43に対し支持ピン45を中心に揺動自在となっている。
円筒支持部材43の上部にはシート上下動シリンダ44のロッド44aがはめ込まれている。従って、シート上下動シリンダ44のロッド44aの上下動にともなって、シートクランプ42にクランプされたシート41は上下動することになる。
【0042】
一方、ローラ上下動シリンダ55は、側板16から前方に突出している梁部材14の前端上面に固定されている取付板17上に固定され、そのロッド55aは取付板17を貫通し下側に突出している。取付板17の下方であって梁部材14の側面には、図示しないガイド溝が上下に形成されているガイド部材52が固定されている。このガイド部材52のガイド溝に沿って上下にスライド移動するようにスライダー53が取り付けられ、このスライダー53の上面に前記ロッド55aの下部が固定されている。
スライダー53の下面には前後に長く形成されたローラ支持部材56が固定され、このローラ支持部材56に対して、回転自在に押圧ローラ(押圧部材)51が軸支されている。押圧ローラ51は、シートクランプ42に支持された状態のシート41に近接する位置にあって、その前後方向の長さはシート41の幅よりも長くなるように形成されている。シート41は押圧ローラ51に掛け渡されて、回転ローラ21に向かう。
【0043】
シート41は押圧ローラ51に掛け渡された状態で、その下端41aは回転ローラ21の固定部22に固定され、上端41bはシートクランプ42に、それぞれ幅方向全体に渡って固定されているので、押圧ローラ51の上下位置やシートクランプ42の上下位置を調節することで、その長さ方向にかかる張力を調節することができる。シート41の両端がそれぞれ幅方向全体にわたって固定され、押圧ローラ51もシート41の幅より長く形成されているので、シート41には幅方向にほぼ均一に張力がかかるようになる。さらに、幅方向に不均一に張力がかかろうとした場合には、シートクランプ42が支持ピン45を軸に円筒支持部材43に対して揺動することで、不均一にかかった力が解消され、結局、シート41の長さ方向にかかる張力は幅方向においては均一になる。
また、押圧ローラ51の上下動により、張力だけでなく、回転ローラ21に対するシート41の向きを変えることもできる。
【0044】
ウエハ固定部20の左方には、ウエハWを回転ローラ21に搬送するウエハローディングユニット(ウエハ挿入手段)30が設けられている。ウエハローディングユニット30は、側板12の前面に固定されているローディングシリンダ36を駆動源として備えている。ローディングシリンダ36は、エアシリンダである。その右方に側板12から前方に突出するように固定されている取付台34が設けられ、ローディングシリンダ36のロッド36aはこの取付台34に設けれた穴を貫通し突出している。
取付台34には、略平板状のローディング支持台33が固定されている。ローディング支持台33の上面には図示しないガイド溝が図2の左右方向に形成され、このガイド溝に、ウエハを載せるウエハ載せ台31の下面部に固定されている可動部材32がはめ込まれ、ウエハ載せ台31はガイド溝に沿って左右にスライド移動可能となっている。ウエハ載せ台31は、図1・図2に示すように、ウエハWを載せる主部31aの回りにコ字状に形成された当接壁31bを設けてなり、当接壁31bにウエハWを突き当ててセットする。
【0045】
取付台34の右側においてロッド36aにはリング状のリング部材38が固定されている。また、ロッド36aの先端はウエハ載せ台31の端面31dに形成された挿入孔31cに摺動可能に差し込まれている。なお、図2では示していないがロッド36aが挿入孔31cから抜けないように周知の構造で抜け止めが施されている。ロッド36aにバネ37が通され、バネ37の両端はリング部材38と端面31dとに固定されている。この構造により、ロッド36aが図2の右方に突出すると、リング部材38もともに移動し、さらにバネ37を介してウエハ載せ台31も同方向に移動するようになっている。
前記回転ローラ21の周面には、前記固定板22よりもウエハローディングユニット30よりであって、シート41の下になるように、ウエハストッパ23が固定されている(図3(b))。ウエハローディングユニット30により回転ローラ21上に搬送されてきたウエハWは、ウエハストッパ23に突き当たることで停止し、回転ローラ21に対して位置決めされる。バネ37を介設することで、ウエハWがウエハストッパ23に当接する際、ウエハWへ伝わる衝撃が緩和される。
【0046】
図3には、スクライブユニット(スクライブ手段)60を示した。図3(a)は上からの平面図、(b)は右から見た側面図、(c)は正面図である。いずれも前記ウエハローディングユニット30によってウエハWが回転ローラ21に搬送されウエハストッパ23に当接したところで止まり、その後モータ27により回転ローラ21を所定位置まで回転させてウエハWの左側の後端部wがちょうどスクライバ61のY方向延長線上の下方に位置した、スクライブ直前の状態を示している。スクライバ61は待機位置にある。
これらの図で示すように、ウエハWは、仮想線で示すシート41によって、後縁部側が所定幅だけわずかにはみ出した状態で、覆われている。このようにわずかにはみ出した箇所に、スクライバ61によって傷を付けていくのである。
【0047】
スクライブユニット60は、ウエハWをY方向にブレークする前に、ウエハWの後端部に短い条痕(図14(b)参照)を付すもので、回転腕64と、エアシリンダからなるスクライバシリンダ68、引張りバネ69、スクライバ61などから構成される。
回転腕64は、梁部材14に前後にスライド可能に取り付けられているスライド板65の側面に対して、支点軸66を中心に回転可能に取り付けられている。回転腕64の側板16側の端部には、引張りバネ69の下端が係止されている。引張りバネ69の張力は図示しない機構により調節可能となっている。
引張りバネ69の上端は、図示しないバネ掛け部に係止されているが、このバネ掛け部はスライド板65の移動によって回転腕64が移動する際に共に移動するようになっている。回転腕64は、引張りバネ69により図3(b)の反時計方向に付勢されている。
【0048】
スクライバシリンダ68は、図面では省略しているが、スライド板65の移動によって回転腕64が移動する際に共に移動するように支持されている。その先端のロッド68aは回転腕64の動きを規制するストッパとなっている。回転腕64は、前述のように引張りバネ69により反時計方向に付勢されているが、ロッド68aに当接した位置で、停止している。
回転腕64の先端には、スクライバ61が固定されているホルダ62が、角度調節用のダイヤル部材63を介して取り付けられている。ダイヤル部材63を適宜調節し、スクライバ61のウエハWに対する角度を調節するようになっている。スクライバ61は、先端にダイヤモンドが設けられ、このダイヤモンドでウエハWに傷を付けることができる。
【0049】
スクライバ61は、スクライブ時にはスライド板65が前進することで、ウエハWの後端部wの上方に達し、ロッド68aが引き込まれると、回転腕64の反時計方向の回転に伴って下降してウエハWに突き入って、傷を付ける。1箇所傷をつけると、回転ローラ21が所定角度図3(c)の反時計方向に回転し、同様に傷を付け、これを繰り返す。
スクライバシリンダ68のロッド68aの引き込み速度をエアの流量弁の調節により制御することで、回転腕64の回転速度、引いてはスクライバ61のウエハWへ突き入る衝撃力をコントロールできるようになっている。
【0050】
図4には、へき開補助ユニット(割れ補助手段)70を示した。へき開補助ユニット70は、スクライバユニット60によってスクライバされたウエハWにシート14を介して上から衝撃を与え、へき開を補助するものである。本発明では後述するように回転ローラ21の円形を利用することで、スクライバだけでも多くの場合へき開するが、万全を期して確実にへき開させるために、補助ユニット70を設けた。
へき開補助ユニット70は、エアシリンダからなるへき開シリンダ76を駆動源とするもので、へき開シリンダ76は、側板12の前面の最下部に軸ピン77によって回動自在に取り付けられている。へき開シリンダ76の上方から突出しているロッド76aの先端には、リンク75が固定されている。
【0051】
このリンク75はリンクピン74を介してへき開アーム72のヘッド支持部72aに回動自在に接続されている。ヘッド支持部72aの中央において、側板12、13の軸受け(図示略)に支持されたへき開軸73が貫通し、ヘッド支持部72aはへき開軸73の周りを回転自在となっている。ヘッド支持部72aの先端から棒状の支持棒79が設けられている。支持棒79の先端に軸78を介して、側面から見て逆T字状のブレークヘッド71が軸78を中心に揺動自在に取り付けられている。ブレークヘッド71は、図4(a)に示すように、Y方向に長くウエハWの幅方向を十分にカバーする長さを有し、Y方向において前記スクライバ61の前方に位置する。
ブレークヘッド71の下面の大部分は、シート41を介してウエハWを押える、本発明の押え介在部71cとなっている。押え介在部71cには、図4(b)に示すように断面形状に谷ができるようにY方向に沿って凹部71aが形成されている。ブレークヘッド71は凹部71aの左方の山で、ウエハWのバーとなる位置を押え、右方の山で残りのウエハ部分を押えるようになっており、これにより割れが十分に促される。
【0052】
以上の構成により、へき開シリンダ76のロッド76aが上方に突出すると、リンク75を介してへき開アーム72がへき開軸73を中心に反時計方向に回転し、ブレークヘッド71が下降し、ウエハWに衝撃を与え完全にへき開(ブレーク)するようになっている。1箇所スクライブするたびに直後にブレークヘッド71を下降させ、スクライブとブレークをほぼ同時に行う。
【0053】
へき開アーム72の回転運動により、リンク75の先端も円弧を描くが、へき開シリンダ76の下端部が軸ピン77によって回動自在となっているので、へき開シリンダ76も軸ピン77を中心にして図4(b)の左方に揺動し、円弧運動を妨げることはない。
なお、図3でも示したように、ウエハWの後端部wはスクライブのためにシート41からはみ出している。シリンダヘッド71の後端部下面には、図4(a)に示すように、ゴムなどの弾性部材からなる突出片71bが取り付けられている。ブレークヘッド71がウエハWに衝撃を与えるとき、この突出片71bによってもウエハWを押え、ウエハWのY方向全体に渡って押えることができる。この突出片71bが本発明のウエハ接触部である。
突出片71bは弾性部材から形成され、柔らかく接触することから、化合物半導体ウエハにとって好適である。
さらに、ブレークヘッド71は軸78を介してへき開アーム79に対して揺動自在であるので、ウエハWをY方向において均一な力で押えることができる。
【0054】
図5に段積みユニット80を示した。段積みユニット80は、次工程のコーティングのために、へき開後のウエハバーBをスペーサSと交互に重ねる作業を行う。段積みユニット80は、段積み枠81、バーガイド部材82、スペーサカセット84、アンローディングユニット90(図6)などからなる。段積み枠81及びスペーサカセット84は、段積み支持台80a(図1)上にセットされるようになっている。
段積み枠(ウエハバー収納箱)81は、コ字状の枠を有する有底の箱体であり、対向する側部81b、81cのそれぞれ内側に左右に長い長溝(ここでは側部81bの長溝81eのみ図示)が形成され、2つの長溝に摺動自在に当接棒83が嵌め込まれている。
また、段積み枠81の内側底面は、ウエハバーBを受けるための受け面81dとなっており、当接棒83の下面は受け面81dにほぼ接するように摺動する。また、段積み枠81の上側はウエハバーが収納された状態でそのへき開面が露出するように開口81fとなっている。
【0055】
前記回転ローラ21の周面には、周方向に沿って6本の溝21a〜21fが形成されている。
一方、回転ローラ21の周面に近接してウエハバーを水平方向に誘導するバーガイド部材(受け部材)82が設けられている。バーガイド部材82には、回転ローラ21側に突出するように、2箇所に爪82a、82aが形成され、外側の溝21a、21fに臨んでいる。バーガイド部材82の両側には、凸部82b、82cが外側に張り出すように形成され、これら凸部82b、82cをそれぞれ、段積み枠81の内側に設けられている2つのアリ溝(ここでは、一方のアリ溝81aのみ図示)に対して着脱自在に嵌合される。バーガイド部材82に段積み枠81を取り付けた状態で、バーガイド部材82のガイド面(主面)82dと前記受け面81dは、面一に接する(図6参照)。
段積み枠81をバーガイド部材82から外せば、そのままへき開面のコーティング工程に移行することができる。
【0056】
回転ローラ21周面の内側の溝21c、21dは、回転ローラ21の回転に伴って円周面を滑り落ちてくるウエハバーBを止めるバーストッパ28を取り付けるためのものである。バーストッパ28は、両側に図示しない爪を有し、その爪を溝21c、21dに嵌めこんで回転ローラ21に固定されている。前述のように回転ローラ21を反時計方向に回転させながらスクライブとブレークを繰り返すことで、へき開後のウエハバーBが図6(a)に示すように列を作って移動し、下がってくる。そのとき、ウエハバーBは滑り落ちるかもしれないが、バーストッパ28に当接したところで止まり、そのまま回転ローラ21の回転に従って下降する。
バーストッパ28の両側を溝21c、21dにはめ込んだのは、周面との間にわずかでも隙間ができると、非常に薄いバーBが入り込んでしまう可能性があるからである。
【0057】
溝21b、21eには、アンローディングユニット90の2本の押出し棒(押出し部材)91の先端部91aのそれぞれが臨んでいる。先端部91aは、バーガイド部材82のガイド面82dよりわずかに上方の高さにある。
アンローディングユニット(強制載置手段)90は、図6に示すように、押出し棒91の他に、押出しシリンダ95、押し出しリンク94などを備える。図6では、1組しか示していないが、アンローディングユニット90は前後に2組設けられている。両者とも全く同じであるので1組のみ説明する。
アンローディングユニット90は、2組ともユニットボックス90a(図1)内に収納されている。押出しシリンダ95は、ユニットボックス90a内の底面に固定されている固定台96に対して、回動自在に取り付けられている。押出しシリンダ95のロッド95aには、押し出しリンク94が固定されている。
押出し棒91の下部は、ユニットボックス90a内部に固定されている押し出し軸92に対し回動自在に軸支されている押出しアーム93に固定されている。前記押し出しリンク94の先端が押出しアーム93に対して回動自在に接続している。
【0058】
以上の構成を有するアンローディングユニット90において、押出しシリンダ95のロッド95aが引き込まれると、押出しアーム93が図6において反時計方向に回転し、押出し棒91の先端部91aが溝21b(21e)から外側に突出する。ウエハバーBは先端部91aによって押し出され、確実に、回転ローラ21から離れてガイド面82dに降りることになる。
なお、この押し出し動作の際に、押し出しリンク94はわずかに円弧運動をするが、押出しシリンダ95が固定台96に対し回動することで、円弧運動が妨げられないようになっている。
【0059】
スクライブ位置から押出し棒91までの区間で回転ローラ21に近接して、ウエハバーBの崩れを防止し整列状態を維持するために断面円弧状の案内板88が設けられている。
【0060】
スペーサカセット84は、バーガイド部材82の前方に隣接して設けられ、多数のスペーサS、S…を収納する箱体である。スペーサカセット84には押しバネ86が設けられ、重ねられたスペーサS,S…は常に押しバネ86によって図5の奥に向かって押し込まれている。
スペーサカセット84には、前後に対向する位置に、薄い挿通孔84a、84bが設けられている。挿通孔84aには、スペーサSを送り出すための送りバー87が差し込まれ、挿通孔84bからは送りバー87によって押されたスペーサSが1本だけバーガイド部材82に向かって出て行く。
送りバー87の近傍には、図1に示すように、段積みシリンダ89が設けられ、そのロッド89aに平板85aが固定されている。段積み支持台80aの側面には、平板85aを貫通している貫通棒85bの一端が固定されている。送りバー87の前端は平板85aに固定されている。ロッド89aが引き込まれると、平板85aが貫通棒85bに沿って後方に移動し、それにより送りバー87も後方に押し出される。この動作により、送りバー87の先端によってスペーサSが1本ずつ送り出される。
【0061】
図7には、加工装置10の制御回路100のブロック図を示した。この制御回路100の主要部は、図1では省略しているが、ベース11近傍に設置されている。
制御回路100は、制御手段としてのCPU(Central Processing Unit)101を有し、該CPU101に対してアクチュエータコントローラ104が接続され、さらにアクチュエータコントローラ104を介して位置センサ107や、モータドライバ105、エアーバルブドライバ106が接続されている。
【0062】
そして、モータドライバ105に対してモータ27が接続され、エアーバルブドライバ106に対してシート上下動シリンダ44、ローラ上下動シリンダ55、ローディングシリンダ36、スクライバシリンダ68、へき開補助シリンダ76、押出しシリンダ95及び段積みシリンダ89が接続され、制御駆動される。各シリンダは、図示しないエアーラインに接続され、このエアーラインには、エアーの流量を調整する流量弁が接続され、この流量弁を調節することでエアーの勢いを変更し、それによりオフからオンになるときの各ロッドの引き込みあるいいは突出する速度を調整できるようになっている。
位置センサ107は、ウエハWが搬送され回転ローラ21上に位置決めされたことを検出するものである。CPU101は、位置センサ107からの信号に基づいて、ウエハWが搬送されたことを把握する。すなわち、位置センサ107が本発明の検出手段である。
【0063】
CPU101は、ウエハWの位置を検出しながら、ウエハローディングユニット30によるウエハWの搬送、回転ローラ21の回転角度と回転方向、スクライブユニット60によるスクライブ動作とへき開補助ユニット70によるブレーク動作、アンローディングユニット90によるウエハバーの押し出し、及び段積みユニット80による段積み工程の各動作が所定のタイミングで動作するように、ドライバ105、106に制御信号を出力する。
【0064】
CPU101には、入力パネル102や表示装置103が接続され、オペレータは、表示装置103を見ながら、スクライビングやブレーキングのための各種パラメータ、例えばウエハWの種類や大きさ、条痕の間隔や長さ、スクライブやブレーキングの際の衝撃力などに関するデータを入力することができる。また、オペレータは入力パネル102により、マニュアル操作により加工装置10を作動させたり、シーケンス動作を選択することで1枚のウエハWについてスクライブからブレークによりバーを作製し、段積みするまでの一連の動作を自動的に行なわせることができる。
さらに、CPU101は、図示しないメモリを有し、該メモリに制御プログラムや制御データ、入力パネル102からのパラメータや、位置センサ107からのデータやその他の検出信号を一時的に記憶する。
【0065】
次に、上記構成を有する加工装置10の動作を図8のフローチャートに基づいて説明する。
ここでは、化合物半導体からなるウエハWを結晶構造の110面に沿ってへき開し、図14で示すような細長いバー状にブレークし、その後段積みする工程を説明する。
【0066】
この動作はステップS1で入力パネル102などに設けられている図示しない電源がONになることで開始する。CPU101からの制御信号に基づいて、モータ27や各シリンダが初期位置に設定され、また回転ローラ21、シート41、ウエハローディングユニット30は図2の待機状態であり、スクライブユニット60は図3の状態(ウエハWは無し)であり、へき開補助ユニットは図4の状態である。
この初期設定の際に、作業者は、110面に沿ってオリフラ(オリエンテーション・フラット)面が形成されたウエハWを、オリフラ面がY方向に平行するように、ウエハ載せ台31にセットする。また、段積み枠81をバーガイド部材82に、スペーサカセット84を段積み枠81の前方に装着する。入力パネル102に、これから作製したいウエハバーの幅などの所定事項を入力する。
【0067】
次に、ステップS3において、入力パネル102などに設けられた図示しないスタートスイッチが操作されたか否か監視し、操作されていると、ステップS4に移行する。
ステップS4ではウエハWをスクライブ動作のために所定位置に搬送、セットする動作が行われる。すなわち、ローディングシリンダ36がONになり、ウエハ載せ台31が図2における右方に移動していき、図9に示すように、シート41と回転ローラ21との間にウエハWが挿入される。ウエハWは回転ローラ21上のウエハストッパ23に接触するとバネ37の付勢力によりストッパ23の側面に強い衝撃なく十分に密着し、ウエハWのへき開面(オリフラ面)がY方向と平行となった状態で位置決めされる。
【0068】
位置センサ107により位置決めの完了が検出されると、モータ27が所定方向に回転することで回転ローラ21が図9の時計方向に回転する。この回転により固定部22において固定されているシート41は右側に強く引っ張られ周面に巻きついていき、この動きの中で、ウエハWは、シート41と回転ローラ21との間に挟みこまれ図10に示すとおりに固定される。
【0069】
位置センサ107によりウエハWの後端部wを検出すると、モータ27は停止し回転ローラ21は止まり、一方、ローディングシリンダ36はOFFになりウエハ載せ台31は元の位置に戻っていく。この直後に、ローラ上下動シリンダ55が作動し、押圧ローラ51が所定距離下降し、これによりシート41をより回転ローラ21に対して押し下げ、図10に示すように、シート41と回転ローラ21の接触角度を変える。これにより、ウエハWの左側部に対しても曲げモーメントが強くかかり、例えば図4(b)に示すように、確実に回転ローラ21の円弧面に沿うようになる。
なお、ローラ上下動シリンダ55の作動時の押し圧力はシート上下動シリンダ44の引っ張り力よりも強く設定されており、また、このようにシート41に強く張力がかかる状態でも回転ローラ21は停止状態を維持できるようになっている。
【0070】
次いで、ステップS5(図8)において、スクライブユニット60によるスクライブ動作を開始する。まず、スライド板65が前方に移動することにより、スクライバ61がウエハWの後端部wの所定位置直上に位置する。この状態で、スクライバシリンダ68が作動し、ロッド68aが引きこまれ、回転腕64の図3の反時計方向への回転にともないスクライバ61が下降し、ウエハWに突き入る。次に、スライド板65が後方に移動し、所定長さの条痕が形成される。条痕が形成されると、へき開補助ユニット70のへき開補助シリンダ76が作動し、ブレークヘッド71が条痕及び条痕の前方への延長線上に対して力を加え、完全にへき開(ブレーク)され、1本目のウエハバーが作製される。
【0071】
次いで、ステップS6において、モータ27が前記所定方向とは逆方向に回転し回転ローラ21は、反時計方向に微小角度だけ回転する。次に、ステップS7に移行し、1本目のウエハバーがアンローディング位置、つまりバーガイド部材82位置まで達したか否か判定する。まだ到達していないことから、ステップS5に戻り前述のスクライブ・ブレーク動作を繰り返す。
ウエハバーを多数作製していく過程の中で、回転ローラ21が少しずつ回転していき(図6(a)の状態)、やがて1本目のウエハバーがバーガイド部材82に達すると、ステップS7から、ステップS8に移行する。
ステップS8では、アンローディングユニット90の押出しシリンダ95が作動し、押出し棒91が回転ローラ21周面のウエハバーを押出し、これによりバーガイド部材82上に1本目のウエハバーが降りる。押し出されることで、ウエハバーと回転ローラ21の周面との間には隙間ができる。段積みシリンダ89が作動し、送りバー87によって1本のスペーサが前記隙間に送られる。このステップS8の動作によりウエハバーとスペーサがバーガイド部材82上に並べられ、当接棒83を押しながら受け面81d上にウエハバーBとスペーサSが交互に並んでいく(図6(b)の状態)。
【0072】
次に、ステップS9に移行し、ここでスクライブ・ブレーク動作が終了したか否か判定し終了していなければ、ステップS5に戻る。以後、スクライブ・ブレーク動作が終了するまで、ステップS5〜S9までを繰り返す。
スクライブ・ブレーク動作が終了すると、ステップS9からステップS10に移行するようになり、ここで、段積み動作が終了したか否か判定し、終了していなければ、ステップS6に戻り、段積みが終了するまでステップS6〜S10を繰り返し、ステップS10で段積み動作が終了したと判定すれば、この処理を終える。
【0073】
以上の半導体ウエハ加工装置10によれば、ウエハWを回転ローラ21に沿わせて円形に曲げた状態でへき開している。このように曲げることで、より弱い力でウエハWをへき開することができる。これについて図11を用いて説明する。一般的に半導体ウエハのへき開については、三点破壊試験によって強度や破壊に要する力などが論じられる。図11(a)には、三点破壊試験のモデル図を示した。三点破壊試験では、平坦にセットしてあるウエハW2にA、B、Cの3点それぞれにおいてへき開方向に均一に力を加えていき、やがて、局所的に図11(a)に示すように円形に撓んでへき開破壊する。
ウエハW2に加える3点の力が同じであれば、長さLに関わらず、撓みが一定の曲率に達した時にへき開が起こることが理論的、実験的に知られ、また、傷の有無で曲率が変わることが分かっている。これを示したのが図11(b)である。図11(b)では、縦軸に曲率の逆数である曲率半径(R)をとり、横軸はウエハW2の長さLを示した。図11(b)で示しているのは、ウエハW2に傷が形成されていない場合、ラインW2で示すように、曲率半径R2に達すればへき開する。しかし、ウエハW2に図11(a)で示すように傷Pを付ければ、ラインW2sで示すように、R2よりも大きい曲率半径R1(小さい曲率)で割れる。つまり、傷がつけばよりはるかに小さい撓みで割れるのである。
【0074】
本発明はこの理論を利用し、最初から撓みをつけたのである。すなわち、三点破壊試験は平坦にセットしたウエハW2をへき開するとき結果的に局所的に円弧状に撓み、その結果割れるというものである。本発明では、逆にウエハWを回転ロール21に沿うようにセットすることで、最初から撓ませ、その分割れやすく、比較的弱い力で確実にブレークできるのである。ここで、回転ローラ21の曲率半径は、図11(b)で示せば、R1〜R2の間に設定すればよく、例えば斜線で示す範囲に設定する。このような曲率(半径)に設定しておけば、スクライブすることで、必ずへき開が誘導されることになる。
従って、へき開補助ユニット70を念のため設けているが、本発明では、これがなくてもほぼ確実にスクライブするだけでウエハWをブレークすることができる。
【0075】
以上のように半導体ウエハ加工装置10であれば、平坦なウエハWを撓ませた状態で傷を付けるので、非常に割れやすく、傷を付けただけで割ることが可能となる。従って、表面に傷を付けただけで割れる可能性が高く、また割れを補助するへき開補助ユニット70を備えてはいるが、比較的弱い力を加えれば済み、へき開面や表面を傷つけにくく、柔らかい化合物半導体ウエハに好適である。
さらに、1台でスクライブ及びブレークの両工程を行うことができ、設備コストを下げることができる。
また、従来の装置では、スクライブの工程が全て終わった後ブレークするので、移動のちょっとしたずれでスクライブで形成した傷に対しブレークする線がずれる可能性があり、不良品となった。しかし、本発明では、上記のようにウエハWを曲げて傷をきっかけに自然な割れを誘導し、また、へき開補助ユニット70も傷を付けたその場でウエハWの表面に力を加えるので、スクライブした線の延長線で確実にブレークし、不良品が発生しにくい。
また位置の精度が高ければ、当然のことながら、精密に加工でき、つまりウエハWの幅を細くできるので、ウエハから多くのチップを得ることができるようになる。
【0076】
加工装置10では、半導体ウエハが回転ローラ21にセットされ、スクライブ・ブレーク後のウエハを回転によって次々に搬送することができ、作業効率が高い。また、回転ローラ21の回転によってのみウエハWの位置決めや段積みへの搬送を行い、Xテーブル、Yテーブル、θ回転テーブルという3つのテーブルで移動していた従来の装置よりも、はるかに簡単で低コストな構造となる。
【0077】
さらに、可撓性のあるシート41が、回転ローラ21の回転に従って周面に巻きつくことで、回転ローラ21とシート41の間にウエハWを挟み込んで固定する。従って、ウエハWは可撓性のあるシート41で柔軟にしっかりと周面に沿って撓められるとともに、シート41には張力がかかり、すなわちウエハWが割れるY方向とは直交するX方向にシートの張力がかかり、広がろうとする力となるのでより一層割れやすくなる。
【0078】
シート41は、回転ローラ21上の固定部22に対してもシートクランプ42に対しても幅全体にわたって固定され、かつ、シートクランプ42は揺動自在であることから、シート41に張力をかける際にも、幅方向に不均一にかかろうとした場合には、シートクランプ42が揺動することで不均一にかかった力が解消され、結局シート41にかかる張力が幅方向において均一となる。
さらに、押圧ローラ51によってシート41と回転ローラ21の接触角度を変え、より回転ローラ21に巻きついた状態になり、これにより、ウエハWは端部まで回転ローラ21の周面に沿うように曲げモーメントがかけられ、ウエハW全面が回転部材に密着し円弧面に沿うことになる。
【0079】
半導体ウエハ加工装置10では、スクライブ・ブレーク後に形成されたウエハバーを回転ローラ21の回転を利用して搬送し、バーガイド部材82に載置し、段積み枠81に集めることができる。これにより、一次へき開後段積みのために手作業でまとめていたウエハバーを自動的に所定位置に並べていくことが可能となり、作業効率が著しく向上する。
しかも、段積み枠81がバーガイド部材82に着脱自在で、しかも収納したウエハバーBの切断面が露出するように開口81fが形成されているので、ウエハバーを集めた後は段積み枠81を外して、そのままへき開面のコーティング工程に移行させることができるようになり、つまり、スクライブ・ブレーク・段積みの工程を1つの装置で連続して行うことができるので、設備コストの低減と作業効率の著しい向上を図ることができる。
【0080】
なお、本発明は上記実施の形態に限らず、具体的な形状・構造などにおいて適宜変更可能である。以下に、上記実施の形態の変形例を示す。以下の変形例1、2では特徴的な箇所のみ説明し、上記実施の形態と同じ部材等については同符号を付す。
<変形例1>
上記実施の形態では、ウエハWを駆動する回転ローラ21は、ウエハWのセット時とスクライブ・ブレーカ時では逆方向に移動していた。図12には、ウエハWをワンウエイ方式で送るウエハ移送手段200を有する半導体ウエハ加工装置を示した。ここでのウエハローディングユニット230は、前記ユニット30とほぼ同じであるが、ステップモータを有しこのステップモータでウエハ載せ台31を所定長さずつ送りだせる駆動手段231を備える。
図12において、ローディング支持台33の先端にスクライブ受け台210が設けられている。このスクライブ受け台210の上方にスクライバ61が位置するようになっている。スクライブ受け台210に連続してウエハ送り台211が設けられ、該ウエハ受け台211の先端はウエハ移送手段200の回転ローラ201の上面に近接している。
【0081】
ウエハ移送手段200は、回転ローラ201の他に、従動ローラ202、203、204、205、へき開補助コロ206、シート209などを備える。回転ローラ201は図示しないモータによって回転駆動され、従動ローラ203にはタイミングベルト208を介して回転ローラ201の回転が伝達される。シート209は、下撓性のある樹脂からなり、環状に一定幅をもって形成され、従動ローラ202、203、204、205に張った状態で掛け渡されるとともに、従動ローラ202、205の間においてその外側で回転ローラ201と接触している。回転ローラ201が回転するとタイミングベルト208を介して従動ローラ203が回転し、シート209は回転方向に従って移動する。従動ローラ202、204、205はシート209の動きに合わせて連れ回りする。
へき開補助コロ206は、図示しない機構によって回転ローラ201側に対して接離可能となっている。
【0082】
ウエハ移送手段200では、ウエハローディングユニット230によって搬送されてきたウエハWは、スクライバ受け台210上でスクライバ61によって条痕を形成され、さらに、ユニット230によりウエハ送り台211上を搬送され、回転ローラ201とシート209との間に挿入される。その後は、回転ローラ201が時計方向に回転することで、ウエハWは回転ローラ201とシート209との間を移送されていく。ウエハWはすでに傷が付けられた状態であり、しかも回転ローラ201の形状に沿って円形に撓み、シート209の張力も傷が広がる方向にかかることから、移動しながら自然にブレークしていく。念のためへき開補助コロ206によってシート209ごと押さえつけられることで、ここで確実にブレークし、ウエハバーとなる。そして、ウエハバーは矢印G方向から1本ずつ排出される。
このようなウエハ移送手段200を備える半導体ウエハ加工装置でも、回転ローラ201の円形と、シート209の張力を利用して、比較的弱い力で確実にウエハWをへき開することができる。加えて、ウエハの移送方向が一方向であるので、制御が容易になる。
【0083】
<変形例2>
図13には、ワンウエイ方式の他の例としてのウエハ移送手段300を示した。ウエハ移送手段300は、断面楕円形状の円柱体である楕円体301を有し、この楕円体301と対向するように主ローラ306が設けられる。両者の間に可撓性を有する環状のシート309を張った状態で掛け渡す。主ローラ306は図示しないモータによって駆動されて回転する。
主ローラ306の紙面奥側でかみ合うように従動ローラ307が設けられ、この従動ローラ307と補助ローラ305との間にタイミングベルト311が掛け渡されている。よって、主ローラ306が回転すると、その回転方向に応じて従動ローラ307と補助ローラ305が回転する。補助ローラ305は、紙面奥行き方向に長く形成されており、その手前がわには前記シート309と接触しているシート308が掛け渡されている。シート308はシート309と同様の材質と幅を有する。シート308は、さらに補助ローラ302、303、304に掛け渡されている。主ローラ206が回転することで、シート309が移動し始めるとともに、補助ローラ305が回転すると、シート308も移動し始め、補助ローラ302、303、304はその移動により連れ回りする。
【0084】
ウエハ移送手段300では、搬送されてきたウエハWに、ウエハ移送手段300の近傍でスクライバ61で条痕を次々に形成していき、そのウエハWをシート308、309間に挿入する。主ローラ306を回転駆動することで、シート309、308と共にウエハWが矢印H方向に進むように移動する。楕円体301は、図13でも明らかなように、周縁部301aにおいて最も曲率が大きくなる(曲率半径が小さくなる)。ウエハWは周縁部301aの回りを移動するとき、大きく撓み、ここで確実にへき開し、ウエハバーとなる。シート308、309の間から排出されたウエハバーは、1本ずつ矢印J方向に排出される。
このようなウエハ移送手段300を備える半導体ウエハ加工装置では、楕円体301の円形と、シート308、309の張力を利用して、弱い力で確実にウエハWをへき開することができ、へき開を補助する機構も不要となる。
【0085】
さらに以上の説明では、各動作の駆動源としてエアシリンダやモータを用いたが、本発明では、これらのアクチュエータの代わりに一部あるいは全ての動作を手動でできるように構成していてもよい。この場合、アクチュエータを元々設けなくてもよいし、アクチュエータを設け、かつ、手動と電動で切り替えられるようになっていてもよい。
【0086】
【発明の効果】
本発明の代表的な効果を挙げると以下の通りである。
請求項1に記載の発明によれば、半導体ウエハを押え部材によって曲面部材の曲面に沿わせて撓ませた状態で、スクライブ手段によって傷を付けて割れを誘導する。従来はウエハをスクライブ後さらに両面からブレークする方法が一般的であるが、請求項1の装置であれば、平坦なウエハを撓ませた状態で傷を付けるので、非常に割れやすく、傷を付けただけで割ることが可能となる。従って、表面に傷を付けるだけで割れればブレークのための力を加える必要がないし、あるいは割れを確実にするため補助する機構を備えたとしても、比較的弱い力を加えれば割れるので、へき開面やウエハ表面を傷つけにくく、柔らかい化合物半導体ウエハに好適である。
さらに、表面に傷を付けるだけで割れる、あるいは割れやすい状態になっているので、スクライブ及びブレークの両工程をこの装置で連続して行うことが可能となり設備コストを下げることができる。
また、従来の装置では、スクライブの工程が全て終わった後ブレークするので、移動のちょっとしたずれでスクライブで形成した傷に対しブレークする線がずれる可能性があり、ずれると不良品となった。しかし、本発明では、上記のようにウエハを曲げることで表面に傷を付けるだけで割れる、あるいは割れやすい状態になっているので、スクライブした線の延長線で確実にブレークし、不良品が発生しにくい。
【0088】
請求項1に記載の発明によれば、スクライブ・ブレーク後に形成されたウエハバーを回転部材の回転を利用して搬送し、受け部材に載置し、ウエハバー収納箱に集めることができる。これにより、従来手作業であった、段積み作業を自動的に行うことが可能となり、作業効率が著しく向上する。つまり、スクライブ・ブレーク・段積みの工程を1つの装置で連続して行うことができるので、設備コストの低減と作業効率の著しい向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一例としての半導体ウエハ加工装置の一例を示す斜視図である。
【図2】回転ローラとウエハローディングユニットとシートユニットを示す断面図である。
【図3】スクライブユニットを説明するための図で、(a)は上からの平面図、(b)は側面図、(c)はスクライバと回転ローラの関係を示す概略図である。
【図4】へき開補助ユニットを説明するための図で、(a)は主にブレークヘッドとウエハの位置関係を示す平面図、(b)はへき開補助ユニットの構成を示す平面図を一部拡大断面図とともに示したものである。
【図5】段積みユニットを示す斜視図である。
【図6】主にアンローディングユニットを示す図であり、(a)はウエハバーの搬送途中を示し、(b)は段積みが行われている様子を示す。
【図7】図1の半導体ウエハ加工装置の制御回路を示すブロック図である。
【図8】スクライブ・ブレーク動作から段積み動作までの一連の流れを示すフローチャートである。
【図9】ウエハ搬送中のウエハローディングユニット、シートユニット及び回転ローラの様子を示す断面図である。
【図10】ウエハ搬送後のウエハローディングユニット、シートユニット及び回転ローラの様子を示す断面図である。
【図11】本発明の原理を説明するための図である。
【図12】本発明の変形例として、ウエハローディングユニットとウエハ移送手段の構成を示す図である。
【図13】本発明の第2の変形例として、ウエハ移送手段の構成を示す図である。
【図14】(a)は化合物半導体ウエハをバー状に分割した後、断積みした状態を示す斜視図であり、(b)及び(c)は従来の装置で化合物半導体ウエハをへき開する工程を説明するための図である。
【符号の説明】
10 半導体ウエハ加工装置
20 ウエハセット部
21 回転ローラ(曲面部材、回転部材)
21a、21b、21c、21d、21e、21f 溝
28 バーストッパ(バーストッパ部材)
22 固定部(シート固定部)
23 ウエハストッパ
27 モータ(回転駆動手段)
30 ウエハローディングユニット(ウエハ挿入手段)
31 ウエハ載せ台
36 ローディングシリンダ
37 バネ
40 シートユニット(把持手段)
41 シート
42 シートクランプ
43 円筒支持部材(ロッド固定部材)
44 シート上下動シリンダ
51 押圧ローラ(押圧部材)
55 ローラ上下動シリンダ
60 スクライブユニット(スクライブ手段)
61 スクライバ
64 回転腕
68 スクライバシリンダ(スクライブ駆動手段)
69 引張りバネ(スクライブ駆動手段)
70 へき開補助ユニット(割れ補助手段)
71 ブレークヘッド(付与部材)
71a 凹部
71b 突出片
72 へき開アーム
76 へき開シリンダ
80 段積みユニット
81 段積み枠(ウエハバー収納箱)
82 バーガイド部材(受け部材)
84 スペーサカセット
90 アンローディングユニット(強制載置手段)
91 押出し棒(押出し部材)
93 押出しアーム
95 押出しシリンダ
100 制御回路
101 CPU(制御手段)
107 位置センサ(検出手段)
200 ウエハ移送手段
201 回転ローラ(曲面部材)
300 ウエハ移送手段
301 楕円体(曲面部材)
W ウエハ
B ウエハバー
S スペーサ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor wafer processing apparatus and a semiconductor wafer processing method suitable for semiconductor wafers, particularly compound semiconductor wafers.
[0002]
[Prior art]
As an essential process in the manufacture of semiconductor elements, there is a process of cutting a semiconductor wafer into chips. In this cutting process, the surface of the semiconductor wafer is first scratched (scribe), and then divided along the cleavage plane (break) to divide it into chips. Conventionally, scribing and braking are performed by separate devices. In recent years, however, devices have been developed that perform both operations in a single unit.
[0003]
As an example of such a device, there is a device described in JP-T-9-510927. This apparatus is configured to hold a wafer so as to be able to move linearly in two directions of the X direction and the Y direction orthogonal to each other on a horizontal plane and to be rotatable about an axis passing through the horizontal plane.
When a wafer is cut with this apparatus, the surface is first scratched in a mesh shape along the cleavage direction of the wafer, and then an impact is applied so as to sandwich both surfaces of the wafer. When an impact is applied, stress concentrates on the wound and cleaves along the wound.
In this case, it is divided into bars along the X direction while moving in the Y direction, and then the wafer is rotated and cleaved along the Y direction while moving in the X direction, and divided into small chips. To do.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, the above-described dividing method is useful for a wafer which is made of a hard material such as a silicon wafer and does not require a cleavage plane function. However, if the same method is applied to a compound semiconductor wafer made of gallium arsenide (GaAs) or indium phosphorus (InP) which is softer than a silicon wafer, there are the following problems.
[0005]
In compound semiconductors frequently used for semiconductor lasers and the like, the cleaved surface, which is a cut surface when cut into chips, is important as a surface for reflecting and transmitting laser light, and therefore the chip manufacturing process differs from that for silicon wafers. . That is, as shown in FIG. 14A, the wafer is divided into elongated bars B, B... (Primary cleavage), and then the bars B, B. Stack alternately with (stacking process). Then, the
[0006]
When a series of steps of “primary cleavage → stacking → coating → secondary cleavage” is performed with the apparatus described in the above publication, first, scribing and braking is performed only in the Y direction to produce a bar. However, since the active layer of the compound semiconductor is formed in the vicinity of the wafer surface and the entire wafer surface cannot be scratched by scribing, as shown in FIG. 14B, a groove h, Add h ...
Next, as shown in FIG. 14 (c), the impulse bar 1 and the
However, since the upper surface is constrained by a frictional force caused by the reaction force of the
[0007]
In the apparatus of the above publication, since the sheet 4 is stretched in a circular frame, even if a strong pressing force FF is applied, the force is distributed in the radial direction over 360 degrees on the surface of the sheet 4 and effective for cleavage. Ingredients will be reduced. Further, due to the dispersion of the force, the sheet 4 expands and contracts in a direction completely different from the cutting direction, and the already cleaved bars collide with each other at, for example, the point m1, and damages the upper part of the cleavage plane important for the compound semiconductor. There was also a possibility of end.
Further, in the process of stacking for coating after the primary cleavage, the process of manually removing and stacking one by one from the sheet 4 was poor in work efficiency. In addition, since each bar is a very thin and brittle material having a width of about 150 to 300 μm, there is a risk that the bars may come into contact with each other and cause defects.
[0008]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer processing apparatus and a processing method, in which both scribe and break processes are performed and the equipment cost is as low as possible, and it is suitable for a compound semiconductor wafer, and as much as possible with respect to the wafer surface and cleavage surface. The aim is to improve work efficiency without applying force or damage.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention described in claim 1 has a curved surface with a predetermined curvature as shown in FIGS. 1 to 13, for example, and a semiconductor wafer (wafer W) is set on the curved surface. Curved member (rotating roller 21),
A pressing member (sheet 41) for pressing and fixing the surface of the semiconductor wafer set on the curved surface along the curved surface;
Scribing means (scribing unit 60) for scratching a part of the semiconductor wafer pressed against the curved surface by a pressing member and inducing a crack in the predetermined direction of the semiconductor wafer;With
The curved member is a rotating member configured to be rotatable around a straight line having a cylindrical shape and passing through the center of a circular cross section,
The semiconductor wafer is set at a specific position on the peripheral surface of the rotating member so that the predetermined direction is parallel to the rotating center direction of the rotating member, and the rotating member is set so that the rotating center direction coincides with the horizontal direction. Installed,
In the uppermost part of the rotating member, the semiconductor wafer is broken in the predetermined direction as a result of being damaged by the scribe means, and a wafer bar is formed from the semiconductor wafer,
The rotating member is configured to rotate by a predetermined angle every time one wafer bar is formed,
A receiving member (bar guide member 82) provided in the vicinity of the rotating member, having a main surface in the horizontal direction, and receiving the wafer bar lowered by rotation of the rotating member by a predetermined angle;
Forced loading means (unloading unit 90) for forcibly placing the wafer bar approaching the receiving member on the receiving member away from the peripheral surface of the rotating member;
A wafer bar storage box (stacking frame 81) having a continuous surface that is flush with the main surface of the receiving member;
A semiconductor wafer processing apparatus (10) comprising:
[0010]
According to the first aspect of the present invention, in a state where the semiconductor wafer is bent along the curved surface of the curved surface member by the pressing member, the scribe means damages and induces cracks. Conventionally, a method of breaking the wafer from both sides after scribing is generally used. However, in the case of the apparatus of claim 1, since the flat wafer is scratched in a bent state, it is very easy to break and scratches are made. It is possible to divide by simply. Therefore, if the surface is cracked simply by scratching, it is not necessary to apply a breaking force, or even if a mechanism is provided to assist in ensuring the cracking, it will break if a relatively weak force is applied. It is suitable for soft compound semiconductor wafers because it hardly damages the surface and wafer surface.
[0011]
Furthermore, since the surface can be easily broken or cracked only by scratching the surface, both the scribing and breaking steps can be performed continuously with this apparatus, and the equipment cost can be reduced.
In addition, since the conventional apparatus breaks after the scribing process is completed, there is a possibility that the break line is shifted with respect to the flaw formed by scribing due to a slight shift in movement, and if it is shifted, it becomes a defective product. However, in the present invention, since the wafer is bent as described above, it can be easily broken or cracked just by scratching the surface. Hard to do.
Here, the pressing member may hold the entire surface of the semiconductor wafer, or may leave the part of the semiconductor wafer so as to be directly scratched by scribing.
[0013]
Claim1According to the invention, the curved surface member is a cylindrical rotating member, and the semiconductor wafer is set at a specific position on the peripheral surface so that the predetermined direction is parallel to the rotation center direction. -The wafers after the break can be transferred one after another by rotation, which is highly convenient.
[0023]
Claim1According to the invention described in (1), the wafer bars formed after the scribing / breaking can be transported using the rotation of the rotating member, placed on the receiving member, and collected in the wafer bar storage box. As a result, it is possible to automatically perform stacking work, which has been a manual work in the past, and work efficiency is significantly improved. That is, since the scribing, breaking, and stacking steps can be performed continuously with one apparatus, the equipment cost can be reduced and the work efficiency can be significantly improved.
[0024]
Claim2The invention described in claim1In the invention described in
A bar stopper member (bar stopper 28) is provided on the peripheral surface of the rotating member to prevent the wafer bar lowered by the rotation of the rotating member from sliding down.
Claim2According to the invention described in (1), even if the wafer bar that has been lowered by the rotation of the rotating member tries to slide down, it is stopped by the bar stopper member provided on the peripheral surface and does not fall.
[0025]
Claim3The invention described in claim1 or 2In the semiconductor wafer processing apparatus described in
Grooves (21a to 21f) are formed in the rotating member along the circumferential direction,
The forcible mounting means includes an extruding member (extruding bar 91) for extruding a wafer bar approaching the receiving member by operating from the groove toward the receiving member.
Claim3According to the invention described in (1), since the wafer bar is pushed out from the inside of the rotating member toward the receiving member using the pushing member, the wafer bar can be reliably moved to the receiving member side.
[0026]
Claim4The invention described in claim1-3In the semiconductor wafer processing apparatus according to any one of
The wafer bar storage box is detachable from the receiving member, and has an opening (81f) so that a cut surface of the stored wafer bar is exposed.
Claim4According to the invention, the wafer bar storage box is detachably attached to the receiving member, and the opening is formed so that the cut surface of the stored wafer bar is exposed. It can be removed from the member and transferred to the cleavage surface coating process as it is, and the working efficiency is improved.
[0027]
Claim5The invention described in claim1-4In the semiconductor wafer processing apparatus according to any one of
The wafer bar storage box is provided with spacer insertion means (feed bar 87) for inserting spacers alternately with the wafer bar.
Claim5According to the invention described in (1), the spacer can be inserted between the wafer bars by the spacer insertion means, so that the operator does not have to insert the spacer by himself for the next coating process, and the working efficiency is improved.
[0037]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a semiconductor
The
[0038]
The area between the
FIG. 2 is a view showing the
[0039]
The
[0040]
On the peripheral surface of the
As the sheet |
A
[0041]
The sheet unit (gripping means) 40 supports the
The seat
The
A
[0042]
On the other hand, the roller
A
[0043]
Since the
Further, not only the tension but also the direction of the
[0044]
On the left side of the
A substantially flat
[0045]
On the right side of the mounting
A
[0046]
FIG. 3 shows a scribe unit (scribe means) 60. 3A is a plan view from above, FIG. 3B is a side view seen from the right, and FIG. 3C is a front view. In either case, the wafer W is transported to the
As shown in these drawings, the wafer W is covered with a
[0047]
The
The
The upper end of the
[0048]
Although not shown in the drawings, the
A
[0049]
When the
By controlling the pull-in speed of the
[0050]
In FIG. 4, a cleavage assisting unit (crack assisting means) 70 is shown. The
The
[0051]
The
Most of the lower surface of the
[0052]
With the above configuration, when the
[0053]
Although the tip of the
As shown in FIG. 3, the rear end portion w of the wafer W protrudes from the
The protruding
Further, since the
[0054]
A stacking
The stacking frame (wafer bar storage box) 81 is a bottomed box body having a U-shaped frame, and is a long groove that is long on the left and right sides (here, the
The inner bottom surface of the stacking
[0055]
Six
On the other hand, a bar guide member (receiving member) 82 for guiding the wafer bar in the horizontal direction is provided in the vicinity of the peripheral surface of the
If the stacking
[0056]
The
The reason why the both sides of the
[0057]
In the
As shown in FIG. 6, the unloading unit (forced mounting means) 90 includes an
Both sets of unloading
The lower part of the pushing
[0058]
In the
During the pushing operation, the pushing
[0059]
In the section from the scribe position to the
[0060]
The
The
As shown in FIG. 1, a stacking
[0061]
FIG. 7 shows a block diagram of the
The
[0062]
The
The
[0063]
While detecting the position of the wafer W, the
[0064]
An
Further, the
[0065]
Next, operation | movement of the
Here, a process of cleaving the wafer W made of a compound semiconductor along the 110 plane of the crystal structure, breaking it into a long and narrow bar shape as shown in FIG. 14, and then stacking will be described.
[0066]
This operation starts when a power source (not shown) provided in the
At the time of this initial setting, the operator sets the wafer W on which the orientation flat (orientation flat) surface is formed along the 110 surface on the wafer mounting table 31 so that the orientation flat surface is parallel to the Y direction. Further, the stacking
[0067]
Next, in step S3, it is monitored whether or not a start switch (not shown) provided on the
In step S4, the wafer W is transferred and set to a predetermined position for the scribe operation. That is, the
[0068]
When the completion of positioning is detected by the
[0069]
When the
The pressing force during operation of the roller
[0070]
Next, in step S5 (FIG. 8), the scribing operation by the
[0071]
Next, in step S6, the
In the process of producing a large number of wafer bars, the rotating
In step S8, the pushing
[0072]
Next, the process proceeds to step S9, where it is determined whether or not the scribe / break operation has ended. If not, the process returns to step S5. Thereafter, steps S5 to S9 are repeated until the scribe / break operation is completed.
When the scribing / breaking operation is completed, the process proceeds from step S9 to step S10. Here, it is determined whether or not the stacking operation is completed. If not, the process returns to step S6, and the stacking is completed. Steps S6 to S10 are repeated until the stacking operation is completed in Step S10, and this process is finished.
[0073]
According to the semiconductor
It is theoretically and experimentally known that cleaving occurs when the deflection reaches a certain curvature, regardless of the length L, if the three points applied to the wafer W2 are the same. I know that the curvature changes. This is shown in FIG. 11 (b). In FIG. 11B, the vertical axis represents the radius of curvature (R) which is the reciprocal of the curvature, and the horizontal axis represents the length L of the wafer W2. FIG. 11B shows that when no scratch is formed on the wafer W2, the wafer W2 is cleaved when the radius of curvature R2 is reached, as indicated by the line W2. However, if a scratch P is made on the wafer W2 as shown in FIG. 11A, the wafer W2 is divided by a radius of curvature R1 (small curvature) larger than R2, as shown by a line W2s. In other words, if it gets scratched, it will break with much less deflection.
[0074]
The present invention makes use of this theory and added deflection from the beginning. That is, in the three-point fracture test, when the flatly set wafer W2 is cleaved, as a result, the wafer W2 is locally bent into an arc shape and cracked as a result. In the present invention, conversely, by setting the wafer W along the
Therefore, the
[0075]
As described above, the semiconductor
In addition, both the scribing and breaking processes can be performed with one unit, and the equipment cost can be reduced.
In addition, since the conventional apparatus breaks after the scribing process is completed, there is a possibility that the break line is shifted with respect to the scratch formed by scribing due to a slight shift in the movement, resulting in a defective product. However, in the present invention, as described above, the wafer W is bent to induce a natural crack by using the scratch, and the
Also, if the position accuracy is high, it is natural that it can be processed precisely, that is, the width of the wafer W can be reduced, so that many chips can be obtained from the wafer.
[0076]
In the
[0077]
Further, the
[0078]
The
Further, the contact angle between the
[0079]
In the semiconductor
Moreover, since the stacking
[0080]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed as appropriate in specific shapes and structures. Below, the modification of the said embodiment is shown. In the following
<Modification 1>
In the above embodiment, the rotating
In FIG. 12, a
[0081]
Wafer transfer means 200 includes driven
The cleavage assist
[0082]
In the wafer transfer means 200, the wafer W transferred by the
Even in the semiconductor wafer processing apparatus including such a wafer transfer means 200, the wafer W can be reliably cleaved with a relatively weak force by using the circular shape of the
[0083]
<
FIG. 13 shows a wafer transfer means 300 as another example of the one-way method. The wafer transfer means 300 has an
A driven
[0084]
In the
In the semiconductor wafer processing apparatus having such a wafer transfer means 300, the wafer W can be reliably cleaved with a weak force by using the circular shape of the
[0085]
Further, in the above description, an air cylinder or a motor is used as a driving source for each operation. However, in the present invention, some or all of the operations may be manually performed instead of these actuators. In this case, the actuator may not be originally provided, or the actuator may be provided and switched manually and electrically.
[0086]
【The invention's effect】
Typical effects of the present invention are as follows.
According to the first aspect of the present invention, in a state where the semiconductor wafer is bent along the curved surface of the curved surface member by the pressing member, the scribe means damages and induces cracks. Conventionally, a method of breaking the wafer from both sides after scribing is generally used. However, in the case of the apparatus of claim 1, since the flat wafer is scratched in a bent state, it is very easy to break and scratches are made. It is possible to divide by simply. Therefore, if the surface is cracked simply by scratching, it is not necessary to apply a breaking force, or even if a mechanism is provided to assist in ensuring the cracking, it will break if a relatively weak force is applied. It is suitable for soft compound semiconductor wafers because it hardly damages the surface and wafer surface.
Furthermore, since the surface can be easily broken or cracked only by scratching the surface, both the scribing and breaking steps can be performed continuously with this apparatus, and the equipment cost can be reduced.
In addition, since the conventional apparatus breaks after the scribing process is completed, there is a possibility that the break line is shifted with respect to the flaw formed by scribing due to a slight shift in movement, and if it is shifted, it becomes a defective product. However, in the present invention, since the wafer is bent as described above, it can be easily broken or cracked just by scratching the surface. Hard to do.
[0088]
Claim1According to the invention described in (1), the wafer bars formed after the scribing / breaking can be transported using the rotation of the rotating member, placed on the receiving member, and collected in the wafer bar storage box. As a result, it is possible to automatically perform stacking work, which has been a manual work in the past, and work efficiency is significantly improved. That is, since the scribing, breaking, and stacking steps can be performed continuously with one apparatus, the equipment cost can be reduced and the work efficiency can be significantly improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a semiconductor wafer processing apparatus as an example of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a rotating roller, a wafer loading unit, and a sheet unit.
3A and 3B are diagrams for explaining a scribe unit, in which FIG. 3A is a plan view from above, FIG. 3B is a side view, and FIG. 3C is a schematic diagram showing a relationship between a scriber and a rotating roller.
4A and 4B are diagrams for explaining a cleavage assisting unit, in which FIG. 4A is a plan view mainly showing a positional relationship between a break head and a wafer, and FIG. 4B is a partially enlarged plan view showing a configuration of the cleavage assisting unit. It is shown with a sectional view.
FIG. 5 is a perspective view showing a stacking unit.
6A and 6B are diagrams mainly showing an unloading unit, in which FIG. 6A shows a state in which a wafer bar is being transferred, and FIG. 6B shows a state in which stacking is performed.
7 is a block diagram showing a control circuit of the semiconductor wafer processing apparatus of FIG. 1. FIG.
FIG. 8 is a flowchart showing a series of flows from a scribe / break operation to a stacking operation.
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a state of a wafer loading unit, a sheet unit, and a rotating roller during wafer conveyance.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state of a wafer loading unit, a sheet unit, and a rotating roller after wafer transfer.
FIG. 11 is a diagram for explaining the principle of the present invention.
FIG. 12 is a diagram showing the configuration of a wafer loading unit and wafer transfer means as a modification of the present invention.
FIG. 13 is a diagram showing a configuration of wafer transfer means as a second modification of the present invention.
FIGS. 14A and 14B are perspective views showing a state in which a compound semiconductor wafer is divided into bars and then stacked, and FIGS. 14B and 14C show a process of cleaving the compound semiconductor wafer with a conventional apparatus. It is a figure for demonstrating.
[Explanation of symbols]
10 Semiconductor wafer processing equipment
20 Wafer set part
21 Rotating roller (curved surface member, rotating member)
21a, 21b, 21c, 21d, 21e, 21f groove
28 Bar stopper (Bar stopper member)
22 fixing part (sheet fixing part)
23 Wafer stopper
27 Motor (Rotation drive means)
30 Wafer loading unit (wafer inserting means)
31 Wafer mounting
36 Loading cylinder
37 Spring
40 Sheet unit (gripping means)
41 sheets
42 Sheet clamp
43 Cylindrical support member (rod fixing member)
44 Seat vertical cylinder
51 Pressing roller (pressing member)
55 Roller vertical cylinder
60 Scribe unit (scribing means)
61 Scriber
64 Rotating arm
68 Scriber cylinder (scribing drive means)
69 Tension spring (scribing drive means)
70 Cleavage assist unit (crack assist means)
71 Break head (applying member)
71a recess
71b Protruding piece
72 cleavage arm
76 Cleaving cylinder
80 stacking unit
81 stacking frame (wafer bar storage box)
82 Bar guide member (receiving member)
84 Spacer cassette
90 Unloading unit (forced mounting means)
91 Extrusion rod (extruded member)
93 Extrusion arm
95 Extrusion cylinder
100 Control circuit
101 CPU (control means)
107 Position sensor (detection means)
200 Wafer transfer means
201 Rotating roller (curved surface member)
300 Wafer transfer means
301 Ellipsoid (curved surface member)
W wafer
B Wafer bar
S spacer
Claims (5)
曲面にセットされた半導体ウエハの表面を、曲面に沿うように押えつけて固定する押え部材と、
押え部材によって前記曲面に押えつけられている半導体ウエハの一部に傷を付け、半導体ウエハの所定方向への割れを誘導するスクライブ手段と、を備え、
前記曲面部材は、円柱形状を有し円形断面の中央を通る直線を中心に回転可能に構成される回転部材であって、
前記半導体ウエハは、前記所定方向を回転部材の回転中心方向と平行させるようにして、回転部材の周面の特定位置にセットされ、 前記回転部材は、回転中心方向が水平方向と一致するように設置され、
回転部材における最上部分において、半導体ウエハがスクライブ手段により傷つけられることをきっかけとして前記所定方向に割られ、半導体ウエハからウエハバーが形成され、
回転部材は、ウエハバーが1つ形成されるごとに所定角度ずつ回転するように構成され、
回転部材に近接して設けられ、水平方向に主面を有し、回転部材の所定角度ずつの回転により下降してきたウエハバーを主面で受ける受け部材と、
受け部材に近づいたウエハバーを回転部材の周面から離して強制的に受け部材に載置させる強制載置手段と、
受け部材の主面に面一に連続する連続面を有するウエハバー収納箱と、
を備えることを特徴とする半導体ウエハ加工装置。 A curved surface member having a curved surface with a predetermined curvature, on which a semiconductor wafer is set,
A pressing member for pressing and fixing the surface of the semiconductor wafer set on the curved surface along the curved surface;
Scribing means for scratching a part of the semiconductor wafer pressed against the curved surface by a pressing member and inducing a crack in the predetermined direction of the semiconductor wafer ,
The curved member is a rotating member configured to be rotatable around a straight line having a cylindrical shape and passing through the center of a circular cross section,
The semiconductor wafer is set at a specific position on the peripheral surface of the rotating member so that the predetermined direction is parallel to the rotating center direction of the rotating member, and the rotating member is set so that the rotating center direction coincides with the horizontal direction. Installed,
In the uppermost part of the rotating member, the semiconductor wafer is broken in the predetermined direction as a result of being damaged by the scribe means, and a wafer bar is formed from the semiconductor wafer,
The rotating member is configured to rotate by a predetermined angle every time one wafer bar is formed,
A receiving member provided in the vicinity of the rotating member, having a main surface in the horizontal direction, and receiving the wafer bar lowered by rotation of the rotating member by a predetermined angle by the main surface;
Forcibly placing means for forcibly placing the wafer bar approaching the receiving member away from the peripheral surface of the rotating member;
A wafer bar storage box having a continuous surface that is flush with the main surface of the receiving member;
A semiconductor wafer processing apparatus comprising:
前記強制載置手段は、溝の中から受け部材に向かうように動作することで、受け部材に近づいたウエハバーを押出す押出し部材を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体ウエハ加工装置。A groove is formed along the circumferential direction in the rotating member,
The said forced mounting means is equipped with the extrusion member which extrudes the wafer bar which approached the receiving member by operate | moving toward a receiving member from a groove | channel, The Claim 1 or Claim 2 characterized by the above-mentioned. Semiconductor wafer processing equipment.
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2002
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