JP4200150B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リードフレームの製造方法に係り、詳しくは、内部リードから段差部を介して連なる露出部を備え、当該露出部の一面にモールド樹脂の外面に沿って露出させる露出面を備えた、半導体パッケージに用いるリードフレームの製造方法に関する。

近年、基板実装の高密度化の要請から、半導体パッケージも小型、薄型が要請され、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプやＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプが採用されている。特に、最近は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ ｐａｃｋａｇｅ Ｎｏｎｌｅａｄ）タイプやＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａｄ）タイプなど、表面実装型のノンリードタイプの半導体パッケージが採用されている。これらは、アウタリードの端子をパッケージの外部に突出させないで、底面にソルダリングで接続する平坦な実装面を備えているため、基板の薄型化に対応できる。

図６に示すように、このような表面実装型の半導体パッケージ１では、リードフレーム２のダイパッド３に載置されたＩＣチップ４からインナリード５にボンディングワイヤ６が接続される。これらがモールド樹脂７によりモールディング（樹脂封止）され、モールディングされた半導体パッケージ１の底面に、樹脂底面と略面一にアウタリード８が露出されて実装面である端子９が形成される。基板にはこの端子９がソルダリングにより実装される。

図７に示すように、リードフレーム２のアウタリード８により端子９が形成されるところでは、アウタリード８が折り曲げられてモールド樹脂７により形成される底面７ａと略面一に実装面である端子９が形成される。従来のアウタリード８の折曲部８ｒには、断面弧状のＲ面が形成されていた。この場合、端子９に近づく場所ほどモールド樹脂７の厚さが薄くなり、樹脂の流動性などモールディング工程でのモールド樹脂の流れの状態により端子９の長手方向の長さが必ずしも設計上の長さＬｏにならない場合があった。例えば、図８の端子９ａに示すように端部が蛇行したり、端子９ｂに示すように欠けが生じたり、端子９ｃに示すように設計値の長さＬｏより長くなったりすることがあった。さらに、モールド樹脂７の端子９に接する場所で、モールド樹脂７にいわゆる薄バリが生じて半導体パッケージ１の底面の平面性を損なったり、モールド樹脂７の破片が離脱して異物となったりする可能性があった。なお、同様の問題は、パワーデバイスやリニアＩＣなど放熱板を備えた半導体パッケージなどでも生じうる。

そこで、特許文献１に記載の「半導体装置用リードフレーム及びその製造方法」では、図９（ａ）に示すように、リードフレーム１０１のインナリード１０１ａとアウタリード１０１ｂと間の段差部１０１ｃに、アウタリード延在方向と直角に予め溝１０２を形成し、図９（ｂ）に示すように、この溝１０２を外側にして、パンチ１０３で折り曲げる。このように形成されたリードフレーム１０１では、アウタリード１０１ｂ側に存在する溝壁１０２ａが、アウタリード１０１ｂの下面の平坦部１０１ｄに対して成す角αが９０°より小さくなるように形成されている。このため、モールド樹脂１０４の流れを抑えて樹脂バリの発生及び樹脂の剥がれを効果的に防止すると共に、アウタリード１０１ｂの平坦部１０１ｄの長さを長くしうる。

また、特許文献２に記載の「リードフレーム及び製作方法等」では、図１０に示すように、リードフレーム２０１は、ダイステージ２０１ｄ（図１０（ｃ））と、インナリード２０１ａと、このインナリード２０１ａと段差部２０１ｃを付けて連なるアウタリード２０１ｂとを備える。このリードフレーム２０１のインナリード２０１ａとアウタリード２０１ｂとの間に、パンチ２０３ａによりアウタリード延在方向と直角に浅溝２０２を形成する。そして、図１０（ｂ）に示すようにパンチ２０３ｂでこの浅溝２０２が外側になるように折り曲げた段差部２０１ｃを形成する。このリードフレーム２０１によれば、モールド樹脂２０４のモールド時に浅溝２０２の側壁２０２ａがダムとなってアウタリード２０１ｂのはんだ付け面となる平坦部（端子）２０１ｅに向けてバリが発生しない。
特開２００４−３０４０９２号公報 特開２０００−３１５７５９号公報

ところが、特許文献１に記載したリードフレーム１０１のように、溝１０２を形成して、この溝１０２を外側に折り曲げると、溝１０２の内角１０２ｂが広げられるため、この内角１０２ｂにクラックが入りやすい。

また、溝壁１０２ａと平坦部１０１ｄの稜線である角部１０１ｅは、段差部１０１ｃを形成するときに、図９（ｂ）の矢印で示す方向にリードフレーム１０１の肉が溝１０２の外側に移動し、角部１０１ｅのエッジが出ないことがある。

一方、特許文献２に記載したリードフレーム２０１では、浅溝２０２が、溝１０２と比較すると浅く、アウタリード延在方向にも長い。そのため、特許文献１のものよりは浅溝２０２内部ではクラックが生じにくく、側壁２０２ａと平坦部２０１ｅとの稜線にもエッジも出しやすいといえる。しかし、リードの厚みが薄くなっているところをさらに折り曲げるので、リードの厚みがさらに薄くなり強度も低下する。加えて、平坦部（端子）２０１ｅのアウタリード延在方向の長さが短くなるという問題があった。

本発明は、露出面を備えた半導体パッケージに用いるリードフレームにおいて、リードフレームの露出面とモールド樹脂の境目でモールド樹脂が薄バリとなったり、脱落したりしないリードフレームを提供することにある。また、併せて露出面の長さを確保するとともにその長さ精度を向上することにある。

上記課題を解決するため、請求項１に記載のリードフレームの製造方法では、内部リードから段差部を介して連なる露出部を備え、当該露出部の一面にモールド樹脂の外面に沿って露出させる露出面を備えた半導体パッケージに用いるプレス加工によるリードフレームの製造方法であって、所定形状に打ち抜く打ち抜き工程と、
折り曲げ加工により上曲部及び下曲部を屈曲させて前記段差部を形成する段差形成工程と、前記段差形成工程により形成された前記下曲部から延びる露出面に対して稜線を介して当該露出面と所定の偏角を持つように連続して配置された平面からなる斜面部を前記下曲部に形成すると同時に、パンチの凸部により下曲部のエッジ部と反対の面から押圧し、凹部を形成するとともに前記露出面にリード延在方向と直交するエッジ部を露出面端部に設けるエッジ形成工程とを備えたことを要旨とする。

請求項２に記載のリードフレームの製造方法では、請求項１に記載のリードフレームの製造方法において、前記エッジ形成工程が、リード延在方向と直交しかつ露出面と平行な方向に連続し、かつ露出面側に突出するリブ状の凸部を備えた金型により、前記露出部の露出面と反対の面に、前記曲げ部から露出部に延びる溝状の凹部を形成するように押圧することで前記エッジ部を形成することを要旨とする。

請求項３に記載のリードフレームの製造方法では、請求項２に記載のリードフレームの製造方法において、前記溝状の凹部の容積は、前記エッジ部を充填するための容積と対応した容積を備えたことを要旨とする。
請求項４に記載のリードフレームの製造方法では、請求項１〜３のいずれかに記載のリードフレームの製造方法前記段差形成工程に先立って、曲げ部となる位置にアウターリード延在方向と直交し、かつ露出面と平行な方向に設けられ、露出面側に突出する凸部により直線溝状の凹部であるノッチを形成するノッチ形成工程をさらに含み、前記段差形成工程は、前記ノッチに沿ってノッチが形成された面側に屈曲させて曲げ部を設けることを要旨とする。

請求項５に記載のリードフレームの製造方法では、請求項４に記載のリードフレームの製造方法において、前記直線溝状の凹部は、その断面形状がＶ字状の溝であることを要旨とする。
請求項６に記載のリードフレームの製造方法では、請求項１〜５のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法において、前記露出面と前記斜面部との前記所定の偏角をαとし、溶融したモールド樹脂が進入可能な間隙をｄ、許容される露出面のリード延在方向の長さの公差をｅとしたとき、前記偏角αを、ｅ・ｔａｎα≧ｄとなるように形成したことを要旨とする。

請求項７に記載のリードフレーム製造方法では、請求項６に記載のリードフレームの製造方法において、前記偏角αが、１５°≦α≦９０°となるように形成したことを要旨とする。

請求項８に記載のリードフレームの製造方法では、請求項１〜７のいずれかに記載のリードフレームの製造方法において、前記半導体パッケージは表面実装型の半導体装置であって、前記露出部は、アウターリードであり、前記露出面は、基板に実装するための外部接続端子として構成されていることを要旨とする。

請求項９に記載のリードフレームの製造方法では、請求項１〜５のいずれかに記載のリードフレームの製造方法において、前記半導体は放熱板を備えた半導体装置であって、前記露出部が放熱板として構成されていることを要旨とする。

本発明によれば、露出面を備えた半導体パッケージに用いるリードフレームにおいて、リードフレームの露出面とモールド樹脂の境目でモールド樹脂が薄バリとなったり、脱落したりすることを抑制することができる。また、併せて露出面の長さを確保するとともにその長さ精度を向上することができる。

（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化したリードフレームとこのリードフレームを用いた半導体パッケージの一実施形態を図１〜図４及び図６を参照して説明する。

本実施形態で半導体パッケージ１とは、例えば、図６に示すような内部に半導体ＩＣチップを樹脂封止した半導体装置をいうが、本発明では、パワーデバイスやリニアＩＣなどを含む。なお、図６は従来の半導体パッケージ１の１例を示すものであるが、本実施形態の半導体パッケージ１の全体構成は、これと同様の構成であるため、本発明の半導体パッケージ１の説明を図６に従ってする。図６に示すように、リードフレーム２のダイパッド３に載置されたＩＣチップ４からインナリード５にボンディングワイヤ６が接続される。このリードフレーム２には、インナリード５とアウタリード８が段差部２１を介して連なる。図６において略水平に設けられたインナリード５から上曲部２２で下方に屈曲され、また、下曲部２３で屈曲されアウタリード８は水平に設けられる。この上曲部２２から下曲部２３までの間を段差部２１という。つまり、インナリード５とアウタリード８は、段差をもった平行な位置関係となっている。このように構成されたリードフレーム２とＩＣチップ４は、例えばエポキシ樹脂などから構成される熱硬化性のモールド樹脂７によりモールディング（樹脂封止）される。

なお、本発明では、単に「リード」という場合は、リードフレームのうちすべての通電する部分を含む。リードのうち半導体パッケージ内のリードを「内部リード」という。また、第１の実施形態においてインナリード５といった場合は、ＩＣチップ４側から段差部２１までの部分をいう。また、アウタリード８といった場合は、段差部２１より先端側のリード（パッケージ内の部分を含む）をいう。

図３に示すように、モールディングされた半導体パッケージ１の底面１１に、樹脂底面７１と略面一にアウタリード８が露出されて実装面である端子９として構成される。図示しない基板にはこの端子９がソルダリングにより接続され実装される。

続いて、この半導体パッケージ１に用いられるリードフレーム２の構成について説明する。本実施形態のリードフレーム２では、図６に示すようにインナリード５から段差部２１を介して連なる露出部であるアウタリード８を備え、このアウタリード８の一面にモールド樹脂７の外面に露出させる露出面である端子９を備えている。リードフレーム２は、材質がＣｕ材の板厚０．１５ｍｍの金属条材からプレス加工により形成された周知のＳＯＮタイプのリードフレームである。図示は省略するが、全体が平面視（図６の上方から下方に向けた方向に見た場合）で略長方形のリードフレーム２の略中央にＩＣチップ４を載置するためのダイパッド（ステージ）３が、ここに載置されるＩＣチップ４と略同形で設けられる。このダイパッド３は、その各頂点から吊リードによりリードフレーム２本体に固定されている。

また、多数（例えば、１３本）の平行なリードが櫛状に配列されたアウタリード８がリードフレーム２の対向する２辺にそれぞれ設けられる。アウタリード８のダイパッド３側には、ＩＣチップ４の所定の電極（ボンディングポイント）を指向してインナリード５が段差部２１を介してアウタリード８に連続してＩＣチップ４近傍まで延設される。なお、半導体パッケージ１が完成するまでは、アウタリード８の外周部分は、図示しないダムバーにより接続されている。

本実施形態のリードフレーム２では、アウタリード８の実装面である端子９から段差部２１に向かって端子９と所定の偏角αを有した平面部である斜面部Ｃを形成し、端子９にアウタリード延在方向と直交するエッジ部Ｅを設けている。この斜面部Ｃは、いわゆるＣ面（Ｃｈａｍｆｅｒ面、面取り面）として屈曲によりこの部分に形成された曲面（Ｒ面）を潰して成形される平面である。

またこの偏角αは、以下のように設定されている。図４に示すように、まず、モールディング工程において溶融したモールド樹脂が斜面部Ｃと図示しない金型との間に進入可能な間隙をｄとする。この間隙ｄは、モールド樹脂の種類や溶融温度などによる粘度変化などの要素から定まる値である。また、設計により許容される端子９の長手方向の長さの公差をｅとする。このとき偏角αは、［ｅ・ｔａｎα≧ｄ…式（１）］となるように設定されている。したがって、モールディング工程において、溶融した樹脂は、公差ｅよりもエッジ部Ｅに近い位置まで進入する。

そのため、本実施形態のアウタリード８の端子９として露出する長さＬは以下のようになっている。端子９の平坦な部分の長さ（設計値）をＬｏ、公差をｅとしたとき、Ｌｏ＜Ｌ＜Ｌｏ＋ｅとなる。また、この偏角αは、本実施形態では、およそα＝３５°に設定されている。

一例として実施形態では、樹脂封止時に金型とアウタリード８の間隙ｄが０．０５ｍｍ以上あれば溶融したモールド樹脂７が進入できる。この場合において許容される実装面のアウタリード延在方向の長さの公差ｅを０．２ｍｍとしたとき、上記式（１）に代入すればｔａｎα＝０．２５となる。ｔａｎ１５°≒０．２６７から、偏角α＝１５°とすれば溶融したモールド樹脂は、設計上のエッジ部Ｅから０．２ｍｍの位置まで確実に進入する。

また、偏角αは、下曲部２３の屈曲角度θと比べると［α＞θ…式（２）］の関係があり、各リードの斜面部Ｃは単一の平面で構成されている。
一方、偏角αが１５°の場合では、半導体パッケージ１における斜面部Ｃに接するモールド樹脂７の先端部の厚みが確保され、実用上先端部におけるモールド樹脂７が薄バリになったり、脱落したりすることがない。

また、斜面部Ｃと反対の面には、アウタリード延在方向と直交する凹部Ｈが設けられている。この凹部Ｈは、概ね下曲部２３の屈曲の中心の近傍から、アウタリード８の先端方向に形成されている。凹部Ｈは櫛状に並設されたアウタリード８の延在方向に直交する同一の仮想直線上にそって溝状に形成されている。凹部Ｈの断面は、例えば本実施形態では板厚の５分の１程度の深さで、凹部Ｈのアウタリード８のリード延設方向の長さ（溝幅）は、板厚の１．３倍程度となっている。

次に、以上のように構成されたリードフレーム２及びこのリードフレームを用いた半導体パッケージ１の製造方法を説明する。
まず、打ち抜き工程において、ロール状のブランクの金属条材を精密プレスでスタンピングし、数回に分けて応力が残留しないように所定の形状に打ち抜きパターンを形成する。

次に、Ｖノッチ（上）及びＶノッチ（下）を形成する。このＶノッチは、例えば図１（ａ）に示す下曲部２３のように、まずディプレス加工で屈曲される屈曲点の内側（この場合上側）に応力集中を生じさせ、屈曲線（中心）を正確にするための凹部である。このＶノッチ（下）２６をパンチＶにより直線の溝状に屈曲中心に刻設する。

次に、段差形成工程において、図６に示すように予めＶノッチが形成された上曲部２２、下曲部２３を屈曲させておよそ０．６ｍｍの段差を形成して段差部２１を設ける。段差形成工程は、まず、上曲部２２を、曲げＲ＝０．２ｍｍのダイとパンチで折り曲げ加工を行う。続いて、下曲部２３も同様に折り曲げ加工を行う。

図１（ｂ）は、下曲部２３の段差形成工程を示す図である。折り曲げ加工により下曲部２３が屈曲されると、Ｖノッチ（下）２６を中心に屈曲され、端子９が形成される。このとき、下曲部２３の外周側ではリードフレーム２の材料を図１（ｂ）の矢印に示すような方向に延ばす力が働く。この結果、下曲部２３の外周側表面は、二点鎖線で示すＲのようなＶノッチ（下）２６を中心とする真円よりも内側に移動し、いわゆる肉が引けた状態になる。そのため、端子９の段差部２１側は端子９の平面部から下曲部２３の曲面部に連続し、この段階ではまだエッジ部Ｅは形成されておらず、端子９の端部も明確になっていない。

続いてエッジ形成工程を行う。エッジ形成工程では、段差形成工程により形成されたアウタリード８の実装面である端子９から段差部２１に向かって端子９と偏角αを持った斜面部Ｃをプレス加工により形成する。この斜面部Ｃにより端子９の段差部２１側端部にアウタリード８の延在方向と直交するエッジ部Ｅを設ける。

なお、本実施形態ではエッジ形成工程において斜面部Ｃの形成と同時に、斜面部Ｃと反対の面にアウタリード延在方向と直交する凹部Ｈを形成する。
図２は、エッジ形成工程を示す図である。ダイＤは、斜面部Ｃを形成するような形状となっている。一方、パンチＰは、アウタリード延在方向と直交する方向に突出するリブ条に構成された凸部Ｐａを備えている。このように形成されたパンチＰとダイＤにより、図２に実線で示した段差形成工程で屈曲されたリードフレーム２をプレス加工する。

段差形成工程で屈曲されたリードフレーム２は、図１（ｂ）で示したように、ディプレス加工により下曲部２３は厚みが薄くなっており、エッジ部Ｅとなるべきところに材料が存在しない。もちろん、エッジ部Ｅ自体をアウタリード８先端側移動すればエッジ部Ｅを確実に形成できるが、その場合は移動しただけ端子９の長さが短くなるという問題がある。

そこで、本実施形態では、パンチＰの凸部Ｐａにより下曲部２３のエッジ部Ｅと反対の面から押圧する。このような凸部Ｐａにより押圧することで、図２に矢印で示すように、凹部Ｈの体積分だけエッジ部Ｅ方向に材料を移動させる。また、下曲部２３よりアウタリード８先端側も押圧することで、材料がアウタリード８先端側に移動するのを防止して、確実に材料をダイＤのエッジ部Ｅ´に押しつけて正確なエッジが形成されるようにしている。

次に、吊リードディプレス加工を行う。ここでは、ダイパッド３の高さを調整し、インナリード５とＩＣチップ４のボンディングを容易にする高さにするため、図示しない吊りリードにディプレス加工により傾斜を付ける。

その後、インナリード先端カットを行う。これまでの各工程中にインナリード５の先端位置がずれないように、タイバーでその先端部を接続しているが、これを切り落として、先端が分離した最終形状とする。

以上の工程によりリードフレーム２の形状は完成する。その後最終的な整形、残留応力の除去、Ａｇメッキ、洗浄、検査など必要に応じて各種処理を行いリードフレーム２として完成する。

その後、完成したリードフレーム２を用いて、図６に示すような半導体パッケージ１の組立工程に移る。まず、マウント工程においてＩＣチップ４をダイパッド３にマウントして、接着剤や両面テープで固定する。次に、ＩＣチップ４の所定の端子と、対応するインナリード５を金線などで構成されたボンディングワイヤ６でボンディングマシンにより接続していく。このようにＩＣチップ４をマウンティングしたリードフレーム２は、エポキシ樹脂などからなるモールド樹脂７によりモールディング（樹脂封止）される。モールド樹脂７が硬化したら、タイバーをカットし、検査を経て半導体パッケージ１が完成する。

この完成した半導体パッケージ１は、例えば携帯電話の基板などに端子９がソルダリング工程によりハンダにより接合され実装される。
上記実施形態のリードフレーム２によれば、以下のような効果を得ることができる。

（１） 上記実施形態では、表面実装型の半導体パッケージ１に用いるリードフレーム２において、端子９のアウタリード８の延在方向の長さＬを確保することができる。
（２） また、端子９の長さＬの精度を向上させることができるという効果がある。特に、［ｅ・ｔａｎα＞ｄ…式（１）］によれば、最終製品の精度予測が容易になり製品管理が容易になるという効果がある。

（３） 端子９との境目であるエッジ部Ｅ近傍で、モールド樹脂７の厚みが薄い部分を従来のＲ面と比較して少なくできるため、モールド樹脂７が薄バリとなることを抑制できるという効果がある。

（４） また、端子９との境目であるエッジ部Ｅ近傍で、モールド樹脂７が脱落して異物となることを抑制できるという効果がある。
（５） 本実施形態では、斜面部Ｃを精密プレスによる潰し加工により成型しているため、従来技術で示したような引っ張りによるクラックが生じることなく、潰されることで強度が向上する。

（６） 特に、斜面部Ｃの形成と同時に凹部Ｈをいわゆる沈み部を形成する潰し加工により成形しているが、この加工に伴ってリードフレーム２の金属材料がエッジ部Ｅ側に移動し、エッジ部Ｅに金属材料が確実に充填される。そのため、ダイＤのエッジ部Ｅ´の形状がエッジ部Ｅに正確に転写され、高い精度を確保できるとともに、強度的にも向上する。

（７） なお、予め金型の偏角αが設定されている場合は、要求される公差ｅにより、間隙がｄとなるように、モールド樹脂７の選定や、過熱温度、時間が設定すれば、所望の精度で半導体パッケージ１を生産できる。
（第２の実施形態）
以下、本発明を具体化した別のリードフレームと、このリードフレームを用いた半導体パッケージの実施形態を図５を参照して説明する。

本実施形態の半導体パッケージ３０１は、パワーデバイスやリニアＩＣを備えた半導体パッケージとして構成されている。図５（ａ）、（ｂ）に示すように、成形されたモールド樹脂３０７内には、内部リード３０５が段差部３２１を介して露出部である放熱板３０８に連なる。放熱板３０８の一部には、マウントエリアが設けられ、図示しないＩＣチップがマウントされる。また、内部リード３０５に連続して、モールド樹脂３０７外には外部リードが延設される。図５（ａ）に示すように放熱板３０８の幅（内部リード３０５及び段差部３２１のリード延設方向に直交する方向）は、内部リード３０５や段差部３２１の幅より格段に広くなっており、放熱板３０８の内部リード３０５側のすべての部分が段差部３２１と連なっているわけではない。この放熱板３０８は、この放熱板３０８の一面にモールド樹脂３０７の外面に露出させる露出面である放熱面３０９を備える。図５（ｃ）に示すように、放熱板３０８の放熱面３０９から段差部３２１に向かって放熱面３０９と連続した所定の偏角を有した平面である斜面部Ｃを形成し、放熱面３０９に内部リード３０５の延在方向と直交するエッジ部Ｅを設けた。この斜面部Ｃは、第１の実施形態と同様に偏角αが設定される（図４参照）。

なお、本実施形態の斜面部Ｃは、段差部３２１に設けられるとともに、これと連続して段差部３２１のない放熱板３０８の内部リード３０５側の位置のすべてに設けられている。また、凹部Ｈも斜面部Ｃに対応した位置に設けられる。したがって、放熱面３０９の内部リード３０５側の辺すべてにエッジ部Ｅが形成されている。

上記実施形態のリードフレーム３０２によれば、上記第１の実施形態の効果（２）、（３）、（４）の効果に加え、以下のような効果を得ることができる。
（８）放熱面３０９の内部リード３０５側の段差部３２１のない部分も斜面部Ｃが形成され、エッジ部Ｅが形成できるという効果がある。

なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○ 凹部Ｈは、必ずしも必要なく、凹部Ｈがなくても、リードフレーム２、３０２の材料がエッジ部Ｅを確実に形成できる場合は、斜面部Ｃのみで構成してもよい。

○ 偏角αは、本実施形態では例えば、およそα＝３５°に設定されているが、１５°≦α≦９０の範囲で好適に実施できる。上述のように、１５°以上でモールド樹脂７の端部が十分な厚みを持って安定するとともに、９０°以下であれば、リードをＺ形にしたりして必要以上にリードを長くすることもないからである。

発明者は、α＝３０°、α＝４５°、α＝５０°においても、実証試験を行っているが、上曲部や下曲部での急な曲げもなくなり段差部２１、３２１が安定した形状となりエッジ部Ｅも明確で、特に好適に実施できることを確認した。

なお、α＜１５°やα＞９０°の場合においても、本発明は否定されず、モールド樹脂の種類、リードの構成、形状により実施可能となる。
○ 偏角αは、［ｅ・ｔａｎα≧ｄ…式（１）］を満たすように設定されているが、モールド樹脂と金型、リードフレーム２との濡れ性や、金型への圧入圧力、離型剤、温度変動等、種々な条件により修正できることは言うまでもない。これらは本発明に沿って実施されるが、トライアンドエラーで最適な修正条件が求められる。

○ 実施形態の偏角αと屈曲角度θは、［α＞θ…式（２）］の関係があり、それぞれの段差部２１，３２１において斜面部Ｃは単一の平面から構成されているが、段差形成工程の後に斜面部をＣを形成し、エッジ部Ｅが形成できる限り、斜面部Ｃは、単一の平面に限定されない。

○ さらに、エッジ部Ｅにおいて偏角αを構成することができれば、α≧θの関係において各リードの斜面部Ｃを複数の平面の組合せで構成してもよい。例えば、斜面部Ｃの断面を、Ｖ状、コ状としてもよい。

○ さらに、斜面部Ｃは、平面でなくエッジ部Ｅにおいて所定の偏角αが形成されれば、必ずしも平面だけで構成する必要はなく、曲面を含んで構成するようにしてもよい。
○ 本実施形態では材質がＣｕ系の材料であったが、例えばＦｅ系の合金、例えばＳＵＳなどを用いて構成してもよい。

○ 板厚も０．１５ｍｍに限らず、０．１〜０．５ｍｍのものにも好適に適用できるが、板圧に限定されるものではない。
○ 適用されるリードフレームのタイプが第１の実施形態ではＳＯＮタイプであり、第２の実施形態ではパワーデバイスやリニアＩＣであるが、その他のタイプ、例えばＱＦＮタイプでもよい。また、ダイパッド３は外部に露出したものでも内部に樹脂封止されたいずれのタイプでもよい。また、ＩＣチップ４は、図６においてダイパッド３の下側に配置されるようなものでもよい。さらに、ここに記載のない同様の課題を有する他のタイプのリードフレームにおいても適用可能できる。

○ 実施形態の工程は一例であり、Ｖノッチの形成などは、必須の工程ではなく省略できる。また、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で、各工程を省略したり、追加したり、まとめたり、分割したり、順序を変えて実施できる。

○ モールド樹脂をエポキシ樹脂により構成したが他の樹脂であってもよい。
○ リードフレーム２の種類や大きさに応じて、端子９の長さを始め、段差部２１、インナリード５等各構成要素の形状や寸法は適宜当業者により変更できる。

○ その他、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で当業者が本発明を改良し変更して実施できることはいうまでもない。

（ａ）、（ｂ）本実施形態の段差形成工程を示す図。 本実施形態のエッジ形成工程を示す図。 本実施形態の斜面部Ｃと凹部Ｈを示す図。 本実施形態の斜面部Ｃの構成を示す図。 （ａ）他の実施形態の概略構成を示す平面、（ｂ）Ａ−Ａ線における断面図。（ｃ）段差部３２１の拡大図。 従来の半導体パッケージの断面図。 従来の端子を示す断面図。 従来の端子を示す底面図。 （ａ）〜（ｃ）従来のリードフレームの工程を示す図。 （ａ）〜（ｃ）従来の他のリードフレームの工程を示す図。

符号の説明

α…偏角、Ｃ…斜面部、ｄ…間隙、Ｅ…エッジ部、ｅ…公差、Ｈ…凹部、Ｌ…長さ、１，３０１…半導体パッケージ、２，３０２…リードフレーム、５，３０５…インナリード、７，３０７…モールド樹脂、８…アウタリード（露出部）、９…端子（露出面）、２１，３２１…段差部、３０８…放熱板（露出部）、３０９…放熱面（露出面）。

Claims (9)

1. 内部リードから段差部を介して連なる露出部を備え、当該露出部の一面にモールド樹脂の外面に沿って露出させる露出面を備えた半導体パッケージに用いるプレス加工によるリードフレームの製造方法であって、
   所定形状に打ち抜く打ち抜き工程と、
   折り曲げ加工により上曲部及び下曲部を屈曲させて前記段差部を形成する段差形成工程と、
   前記段差形成工程により形成された前記下曲部から延びる露出面に対して稜線を介して当該露出面と所定の偏角を持つように連続して配置された平面からなる斜面部を前記下曲部に形成すると同時に、パンチの凸部により下曲部のエッジ部と反対の面から押圧し、凹部を形成するとともに前記露出面にリード延在方向と直交するエッジ部を露出面端部に設けるエッジ形成工程と
   を備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
2. 前記エッジ形成工程が、リード延在方向と直交しかつ露出面と平行な方向に連続し、かつ露出面側に突出するリブ状の凸部を備えた金型により、
   前記露出部の露出面と反対の面に、前記曲げ部から露出部に延びる溝状の凹部を形成するように押圧することで前記エッジ部を形成することを特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
3. 前記溝状の凹部の容積は、前記エッジ部を充填するための容積と対応した容積を備えたことを特徴とする請求項２に記載のリードフレームの製造方法。
4. 前記段差形成工程に先立って、曲げ部となる位置にアウターリード延在方向と直交し、かつ露出面と平行な方向に設けられ、露出面側に突出する凸部により直線溝状の凹部であるノッチを形成するノッチ形成工程をさらに含み、
   前記段差形成工程は、前記ノッチに沿ってノッチが形成された面側に屈曲させて曲げ部を設けることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
5. 前記直線溝状の凹部は、その断面形状がＶ字状の溝であることを特徴とする請求項４に記載のリードフレームの製造方法。
6. 前記露出面と前記斜面部との前記所定の偏角をαとし、溶融したモールド樹脂が進入可能な間隙をｄ、許容される露出面のリード延在方向の長さの公差をｅとしたとき、前記偏角αを、ｅ・ｔａｎα≧ｄとなるように形成したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法。
7. 前記偏角αが、１５°≦α≦９０°となるように形成したことを特徴とする請求項６に記載のリードフレームの製造方法。
8. 前記半導体パッケージは表面実装型の半導体装置であって、前記露出部は、アウターリードであり、前記露出面は、基板に実装するための外部接続端子として構成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
9. 前記半導体は放熱板を備えた半導体装置であって、
   前記露出部が放熱板として構成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。

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