JP4206396B2 - マスクレスリソグラフィツールのパフォーマンスを検査およびコントロールするためのシステムおよび方法 - Google Patents
マスクレスリソグラフィツールのパフォーマンスを検査およびコントロールするためのシステムおよび方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4206396B2 JP4206396B2 JP2005103163A JP2005103163A JP4206396B2 JP 4206396 B2 JP4206396 B2 JP 4206396B2 JP 2005103163 A JP2005103163 A JP 2005103163A JP 2005103163 A JP2005103163 A JP 2005103163A JP 4206396 B2 JP4206396 B2 JP 4206396B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- illumination
- image
- spatial light
- light modulator
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 138
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000013442 quality metrics Methods 0.000 description 1
- 238000009416 shuttering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
(a)前記照明源によって放出された照明エネルギーで基準レチクルを照明し、
(b)前記投影光学系の瞳に入射する、前記基準レチクルからの照明エネルギーによって前記基準レチクルの少なくとも1つのフィーチャの基準イメージを形成し、
(c)信号を前記空間光変調器に加えて、前記少なくとも1つの基準フィーチャを含むダイ・パターンを形成し、
(d)前記信号が空間光変調器に加えられている間に前記空間光変調器を前記照明源から放出された照明エネルギーによって照明し、
(e)前記投影光学系の瞳に入射する、前記空間光変調器からの照明エネルギーによって少なくとも1つの基準フィーチャのダイ・イメージを形成し、
(f)前記少なくとも1つの基準フィーチャのダイ・イメージを前記少なくとも1つの基準フィーチャの基準イメージと比較し、
(g)ステップ(f)における前記比較に基づいて、マスクレスリソグラフィシステムを調整する、ことを特徴とする、マスクレスリソグラフィシステムを調整する方法によって解決される。
本発明は、マスクレスリソグラフィツールのパフォーマンスを検査するおよびコントロールするためのシステムおよび方法に関する。実施形態では、本発明に相応するマスクレスリソグラフィツールは基準レチクルを含む。この基準レチクルは、1つまたは複数の固定された基準フィーチャを含む。これらの基準フィーチャは、ツールの空間光変調器(SLM)およびSLMのパターン形成データストリームに依存しない。これによって、ツールプラットフォームパフォーマンスをレチクルパターン形成と別個にすることが容易になる。基準レチクルは、種々の機能を実行するおよび/またはウェハ(またはフラットパネル)露光、アリアルイメージ(aerial image)スキャン、振動測定および、ツールが意図されたように操作されていることを確実にする周期的な校正等をテストするのに用いられる。
図1には、本発明の実施形態に相応するマスクレスリソグラフィツール100が示されている。ツール100は照明源102、空間光変調器104、投影光学系106およびウェハステージ108を含む。
Claims (24)
- マスクレスリソグラフィシステムであって、
空間光変調器と、
基準レチクルと、
パターンラスタライザと、
照明源と、
投影光学系を含み、
前記空間光変調器は複数の空間光変調器セルを含み、
前記基準レチクルは少なくとも1つの基準フィーチャを有しており、
前記基準レチクルは、複数の空間光変調器セルのうちの1つと隣接して、前記空間光変調器とともに平面内に配置されており、
前記パターンラスタライザは前記空間光変調器に信号を加えて、少なくとも1つの基準フィーチャを含むダイ・パターンを形成し、
前記照明源は照明エネルギーを放出し、前記空間光変調器と基準レチクルを照明し、
前記投影光学系は瞳を有しており、前記空間光変調器から当該瞳に入射する照明エネルギーによってダイ・イメージを形成し、前記基準レチクルから当該瞳に入射する照明エネルギーによって基準イメージを形成し、
前記投影光学系によって形成された前記ダイ・イメージと前記基準イメージを検出するイメージスキャナをさらに含み、
検出されたダイ・イメージと基準イメージとの比較に基づいて該システムに調整がなされる、
ことを特徴とするマスクレスリソグラフィシステム。 - 前記ダイ・イメージおよび前記基準イメージはレジストイメージである、請求項1記載のシステム。
- 前記ダイ・イメージおよび前記基準イメージはアリアルイメージである、請求項1記載のシステム。
- 前記ダイ・イメージを前記基準イメージと比較する、前記イメージスキャナと結合されたコンパレータを含む、請求項1記載のシステム。
- 前記コンパレータの出力に基づいて調整される、前記コンパレータと結合された調整コントロールを含む、請求項4記載のシステム。
- 前記調整コントロールは、各多数の基板の処理の間に少なくとも1度、調整される、請求項5記載のシステム。
- 前記照明源と前記基準レチクルの間に光学的に配置されたシャッターを含み、
当該シャッターは前記照明源から前記基準レチクル上に入射する照明エネルギー強度の量をコントロールする、請求項1記載のシステム。 - 前記投影光学系の瞳から離れるように照明源からの入射照明エネルギーを向かわせるように前記基準レチクルを位置決めする基準レチクル位置決め装置を含む、請求項1記載のシステム。
- 前記基準レチクルによって前記投影光学系の瞳から離れるように配向された照明エネルギーの強度を測定する照明モニタを含む、請求項8記載のシステム。
- 前記照明モニタの出力に基づいて、照明源によって放出された照明エネルギーの量を調整する、前記照明モニタと結合された照明コントローラを含む、請求項9記載のシステム。
- 前記基準レチクルを透過した照明エネルギーの強度を測定する照明モニタを含む、請求項8記載のシステム。
- 前記照明モニタの出力に基づいて、照明源によって放出された照明エネルギーの量を調整する、前記照明モニタと結合された照明コントローラを含む、請求項11記載のシステム。
- 照明源と、空間光変調器と、少なくとも1つの基準フィーチャを有する基準レチクルと、瞳を有する投影光学系とを含むマスクレスリソグラフィシステムを調整する方法であって、
(a)前記照明源によって放出された照明エネルギーによって基準レチクルを照明し、
(b)前記投影光学系の瞳に入射する、前記基準レチクルからの照明エネルギーによって前記基準レチクルの少なくとも1つのフィーチャの基準イメージを形成し、
(c)信号を前記空間光変調器に加えて、前記少なくとも1つの基準フィーチャを含むダイ・パターンを形成し、
(d)前記信号が空間光変調器に加えられている間に前記空間光変調器を前記照明源から放出された照明エネルギーによって照明し、
(e)前記投影光学系の瞳に入射する、前記空間光変調器からの照明エネルギーによって少なくとも1つの基準フィーチャのダイ・イメージを形成し、
(f)前記少なくとも1つの基準フィーチャのダイ・イメージを前記少なくとも1つの基準フィーチャの基準イメージと比較し、
(g)ステップ(f)における前記比較に基づいて、マスクレスリソグラフィシステムを調整する、
ことを特徴とする、マスクレスリソグラフィシステムを調整する方法。 - (h)前記基準レチクルをシャッターで閉め、前記照明源から放出された照明エネルギーによって基準レチクルが照明されることを妨げる、ことを含む、請求項13記載の方法。
- (h)基準レチクルを位置決めし、前記照明源からの入射照明エネルギーを、前記投影光学系の瞳から離れるように反射する、ことを含む、請求項13記載の方法。
- (i)前記基準レチクルから反射された照明エネルギーの強度を測定する、ことを含む、請求項15記載の方法。
- (j)ステップ(i)において測定された照明エネルギーの強度に基づいて、前記照明源によって放出される照明エネルギーの強度を調整する、ことを含む、請求項16記載の方法。
- (j)ステップ(i)において測定された照明エネルギーの強度を記録する、ことを含む、請求項16記載の方法。
- (i)前記基準レチクルを透過した照明エネルギーの強度を測定する、ことを含む、請求項15記載の方法。
- (j)ステップ(i)において測定された照明エネルギーの強度に基づいて、前記照明源によって放出される照明エネルギーの強度を調整する、ことを含む、請求項19記載の方法。
- (j)ステップ(i)において測定された照明エネルギーの強度を記録する、ことを含む、請求項20記載の方法。
- ステップ(f)はレジストイメージを比較することを含む、請求項13記載の方法。
- ステップ(f)はアリアルイメージを比較することを含む、請求項13記載の方法。
- 前記基準レチクルおよび空間光変調器は可動表面上に取り付けられており、
(h)前記可動表面を傾ける、
(i)前記少なくとも1つの基準フィーチャの基準イメージを観察し、ステップ(h)における傾斜の効果を定め、前記基準イメージはアリアルイメージであり、
(j)ステップ(i)の観察に基づいて前記可動表面を位置決めし、所望のテレセントリック性を得る、ことを含む、請求項13記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/812,977 US7153616B2 (en) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005292834A JP2005292834A (ja) | 2005-10-20 |
| JP4206396B2 true JP4206396B2 (ja) | 2009-01-07 |
Family
ID=35053913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005103163A Expired - Fee Related JP4206396B2 (ja) | 2004-03-31 | 2005-03-31 | マスクレスリソグラフィツールのパフォーマンスを検査およびコントロールするためのシステムおよび方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7153616B2 (ja) |
| JP (1) | JP4206396B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180062391A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7153616B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-12-26 | Asml Holding N.V. | System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool |
| US7102733B2 (en) * | 2004-08-13 | 2006-09-05 | Asml Holding N.V. | System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool |
| KR20070104444A (ko) * | 2005-01-28 | 2007-10-25 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 전체적 최적화에 기초한 무마스크 리소그래피래스터라이제이션 기술을 위한 방법 및 시스템 |
| US7936445B2 (en) * | 2006-06-19 | 2011-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Altering pattern data based on measured optical element characteristics |
| WO2009005808A1 (en) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Ioannis Kymissis | Software-controlled maskless optical lithography using fluorescence feedback |
| SG185313A1 (en) * | 2007-10-16 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9081304B2 (en) * | 2008-09-08 | 2015-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Substrate, an inspection apparatus, and a lithographic apparatus |
| US9104120B2 (en) * | 2011-02-10 | 2015-08-11 | Kla-Tencor Corporation | Structured illumination for contrast enhancement in overlay metrology |
Family Cites Families (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
| US5296891A (en) | 1990-05-02 | 1994-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Illumination device |
| US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
| US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
| JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
| US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| JP3339149B2 (ja) | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
| US5677703A (en) | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
| US5530482A (en) | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
| US6133986A (en) | 1996-02-28 | 2000-10-17 | Johnson; Kenneth C. | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
| US5691541A (en) * | 1996-05-14 | 1997-11-25 | The Regents Of The University Of California | Maskless, reticle-free, lithography |
| US6312134B1 (en) | 1996-07-25 | 2001-11-06 | Anvik Corporation | Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator |
| EP0914626A4 (en) | 1996-07-25 | 2002-02-20 | Anvik Corp | EDGE AND MASK LASER LITHOGRAPHY SYSTEM WITH SPATIAL LIGHT MODULATOR |
| DE69711929T2 (de) | 1997-01-29 | 2002-09-05 | Micronic Laser Systems Ab, Taeby | Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl |
| US6177980B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
| SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
| US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
| US6122397A (en) | 1997-07-03 | 2000-09-19 | Tri Path Imaging, Inc. | Method and apparatus for maskless semiconductor and liquid crystal display inspection |
| SE9800665D0 (sv) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
| US6251550B1 (en) | 1998-07-10 | 2001-06-26 | Ball Semiconductor, Inc. | Maskless photolithography system that digitally shifts mask data responsive to alignment data |
| US6215578B1 (en) * | 1998-09-17 | 2001-04-10 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Electronically switchable off-axis illumination blade for stepper illumination system |
| US6261728B1 (en) * | 1998-10-19 | 2001-07-17 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Mask image scanning exposure method |
| SE522531C2 (sv) | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Micronic Laser Systems Ab | Metod och anordning för märkning av halvledare |
| DE10012017A1 (de) | 2000-03-11 | 2001-09-13 | Basysprint Gmbh Sys Druckind | Belichtungsvorrichtung und Verfahren zur Kompensation von optischen Fehlern |
| KR100827874B1 (ko) | 2000-05-22 | 2008-05-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
| US6628372B2 (en) | 2001-02-16 | 2003-09-30 | Mccullough Andrew W. | Use of multiple reticles in lithographic printing tools |
| US6764796B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-07-20 | University Of South Florida | Maskless photolithography using plasma displays |
| US6544698B1 (en) | 2001-06-27 | 2003-04-08 | University Of South Florida | Maskless 2-D and 3-D pattern generation photolithography |
| US6794100B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling radiation beam intensity directed to microlithographic substrates |
| US7302111B2 (en) | 2001-09-12 | 2007-11-27 | Micronic Laser Systems A.B. | Graphics engine for high precision lithography |
| JP3563384B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
| US6664012B2 (en) * | 2002-05-10 | 2003-12-16 | Anvik Corporation | Through-the-lens alignment for photolithography |
| US6707534B2 (en) * | 2002-05-10 | 2004-03-16 | Anvik Corporation | Maskless conformable lithography |
| TWI298825B (en) | 2002-06-12 | 2008-07-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6870554B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
| US7061591B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-06-13 | Asml Holding N.V. | Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays |
| EP1482373A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7414701B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-08-19 | Asml Holding N.V. | Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems |
| US7006196B2 (en) | 2003-12-15 | 2006-02-28 | Agilent Technologies, Inc. | Real time image resizing for dynamic digital photolithography |
| US7153616B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-12-26 | Asml Holding N.V. | System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool |
| US7102733B2 (en) | 2004-08-13 | 2006-09-05 | Asml Holding N.V. | System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool |
-
2004
- 2004-03-31 US US10/812,977 patent/US7153616B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-31 JP JP2005103163A patent/JP4206396B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180062391A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 |
| KR102282089B1 (ko) | 2016-11-30 | 2021-07-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050219532A1 (en) | 2005-10-06 |
| US7153616B2 (en) | 2006-12-26 |
| JP2005292834A (ja) | 2005-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4430601B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3972035B2 (ja) | 検査方法とデバイス製造方法 | |
| JP5554819B2 (ja) | リソグラフィ機器及び方法 | |
| JP4812712B2 (ja) | 基板の特性を測定する方法及びデバイス測定方法 | |
| KR102517154B1 (ko) | 계측 장치, 노광 장치, 및 물품 제조 방법 | |
| US5914774A (en) | Projection exposure apparatus with function to measure imaging characteristics of projection optical system | |
| JPH03211813A (ja) | 露光装置 | |
| JP4320319B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| JP4966955B2 (ja) | 空間光変調器の較正 | |
| JP4924421B2 (ja) | センサの校正方法、露光方法、露光装置、デバイス製造方法、および反射型マスク | |
| JP4206396B2 (ja) | マスクレスリソグラフィツールのパフォーマンスを検査およびコントロールするためのシステムおよび方法 | |
| TWI815479B (zh) | 用於微影光罩之特徵化的方法與裝置 | |
| JP2004356193A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JPH09320945A (ja) | 露光条件測定方法及び露光装置 | |
| JPH1140476A (ja) | 露光条件選択方法、及び該方法で使用される検査装置 | |
| US10222293B2 (en) | Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method by detecting a light amount of measuring light | |
| JPH05251303A (ja) | 投影型露光装置 | |
| US20040130697A1 (en) | Reflection preventing film modifying apparatus and reflection preventing film modifying method | |
| JPH10256145A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH03211811A (ja) | 露光装置 | |
| JP2000133564A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060914 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060915 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060919 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061215 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071022 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080117 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080122 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080424 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080603 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080624 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071022 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081007 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081020 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131024 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |