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JP4207683B2 - El表示装置 - Google Patents
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、EL(Electro Luminescence)素子を画素として用いたEL表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、エレクトロルミネッセンス素子(以下、EL素子という)を画素として利用したEL表示装置の開発が盛んに行われている。EL素子はアノードとカソードとの間にEL層を挟持した構成を有しており、EL表示装置はこのようなEL素子を画素としてマトリクス状に配列した構成を有している。EL表示装置には、液晶表示装置と同様に、画素ごとにTFTを設けて画素を個別に駆動するアクティブ駆動方式と、行単位で順次選択していき選択時に同期してその選択した行の全ての画素を発光させるパッシブ駆動方式とがある(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
一般的に、EL表示装置は複数のEL素子を基板上にマトリクス状に配列してなる表示パネルを有し、表示駆動を行うための駆動回路はICチップ化されて表示パネルの周囲に設けられている。
【0004】
【特許文献1】
特開2003−108028号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ICチップが表示パネルの表示画面の周囲に設けられているため、表示領域以外の領域が大きくなってしまう。
そこで、本発明は、上記のような問題点を解決しようとしてなされたものであり、表示領域以外の領域を小さくすることができるEL表示装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、請求項1に記載の発明のEL表示装置は、基板と、端子が上方に向けられた状態で、前記基板の凹溝内に埋められることによって実装されたICチップと、前記ICチップを被覆した被覆膜と、前記ICチップの前記端子に接続され、前記基板上に形成された複数の配線と、透明基板と、前記透明基板の前記ICチップと対向する表面に形成された複数のEL素子が画素としてマトリクス状になって前記被覆膜上に配列されてなり、前記ICチップによって駆動される表示部と、を備え、前記表示部が、前記被覆膜上方に配置された複数の第一導電線及び第二導電線と、前記第一導電線と第二導電線との間に挟持されたEL層と、を有し、前記複数の配線は、前記EL層と重ならない位置に設けられた前記被覆膜の複数のコンタクトホールを介して、それぞれ前記第一導電線及び前記第二導電線と接続していることを特徴とする。
【0007】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のEL表示装置において、前記第二導電線が光を透過する性質を有することを特徴とする。
【0008】
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載のEL表示装置において、前記ICチップは複数であることを特徴とする。
【0009】
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載のEL表示装置において、前記複数のICチップのうちの第1のICチップを制御するためのCPUを内蔵した、前記複数のICチップのうちの第2のICチップが前記基板に実装されているとともに前記被覆膜によって被覆されていることを特徴とする。
【0010】
請求項5に記載の発明は、請求項3に記載のEL表示装置において、画像データを一時的に格納するためのフレームメモリを内蔵した、前記複数のICチップのうちの第3のICチップが前記基板に実装されているとともに前記被覆膜によって被覆されていることを特徴とする。
【0011】
請求項6に記載の発明は請求項1から5の何れか一項に記載のEL表示装置において、前記表示部は複数であり、各表示部が同時に表示を行うことを特徴とする。
【0012】
請求項1に記載の発明では、ICチップが実装された基板を被覆膜で被覆しており、その被覆膜上に表示部を設けているため、基板の表示領域の周囲にICチップをCOG(Chip On Glass)接合したり、ICチップと接続するための引き回し配線を設ける必要がない。このためパネルが狭額縁になり、EL表示装置のパネルサイズを小型化でき、特に携帯電話、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ等のような小型携帯機器の表示パネルに適用することができる。さらにこのように表示部と重なる位置にICチップやICチップ配線を設けているので、任意の位置に任意の数のICチップを設けることができ、配線設計が柔軟にできる。
特に、請求項6に記載の発明のように、複数の表示部を絶縁膜上に設けた場合、表示部ごとにICチップを基板に実装することができ、表示部ごとに独立して駆動することができるから、EL表示装置全体としての発光デューティを大きくすることができ、低電力でも明るい表示面を実現することができる。
【0013】
請求項2に記載の発明のように、第二導電線が透光性を有しているから、EL層で発した光が第二導電線を通じて外部に出射する。従って、第二導電線側が表示面となる。仮に第一導電線及び基板を透光性のものとしても、EL層で発した光はICチップによって遮蔽されてしまう。そのため、第一導電線と第二導電線のうちICチップと反対側の第二導電性を透光性とするのが良い。
【0014】
請求項4に記載の発明のように、CPUを内蔵したICチップを基板に実装することによって、多機能なEL表示装置を提供することができる。
【0015】
請求項5に記載の発明のように、フレームメモリを内蔵したICチップを基板に実装すれば、外部から画像データが入力されなくてもEL表示装置において表示が行われた状態を維持することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を用いて本発明の具体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。
【0017】
図1は本発明を適用したパッシブ駆動方式(単純マトリクス駆動方式)のエレクトロルミネッセンス表示装置1(以下、EL表示装置1という。)を示した側断面図であり、図2は図1のII−II線における平断面図であり、図3は図1のIII−III線における平断面図である。なお、図1は、図2のI−I線における側断面図である。
【0018】
このEL表示装置1は、基板2と、基板2上に実装された複数のICチップ3〜7と、これらICチップ3〜7を被覆した絶縁被覆膜8と、絶縁被覆膜8上に形成された表示部9〜11と、表示部9〜11を封止した封止膜12と、を具備する。
【0019】
基板2は、ICチップ3〜7間でデータの入出力を行うための回路配線19が形成された多層回路基板である。
【0020】
ICチップ3〜7は、大規模集積回路(LSI)であっても良いし、中規模集積回路(MSI)であっても良いし、小規模集積回路(SSI)であっても良い。ICチップ3〜7の実装方式は、表面実装式であっても良いし、挿入実装式であっても良い。ICチップ3〜7は、セラミック、プラスチック等のパッケージによって封止されたチップであっても良いし、ベアチップであっても良い。
【0021】
これらICチップ3〜7は、全体として表示部9〜11を駆動する機能を有する。ここでは例えば、ICチップ3は、外部から入力した画像データを一時的に格納するフレームメモリと、EL表示装置1全体の制御を行うCPUと、を内蔵したチップである。ICチップ4は、ICチップ5,6,7に出力するためのタイミングクロックを発生するタイミングジェネレータと、ICチップ3に一時的に格納された画像データをD/A(Digital to Analog)変換してICチップ5,6,7に出力するD/Aコンバータと、を内蔵したチップである。ICチップ5,6,7は、後述する走査線9a,10a,11aをそれぞれ順次選択走査するために走査線9a,10a,11aにそれぞれ接続された配線13,15,17に走査信号を転送していくスキャンドライバ(シフトレジスタ)と、アナログ変換された画像信号を、タイミングジェネレータから入力されたクロック信号のタイミングで取り込んでこのアナログ画像信号に従って階調信号を後述する信号線9b,10b,11bにそれぞれ接続された配線14,16,18に出力するデータドライバと、を内蔵したチップである。なお、ICチップ3のフレームメモリとCPUが別々にチップ化されていても良いし、ICチップ4のD/Aコンバータとタイミングジェネレータが別々にチップ化されていても良いし、ICチップ5,6,7のスキャンドライバとデータドライバが別々にチップ化されていても良い。
【0022】
基板2上に実装されたICチップ3〜7は共通の絶縁被覆膜8によって被覆されている。この絶縁被覆膜8によって基板2の表面とICチップ3〜7との間に生じた段差が解消され、絶縁被覆膜8の表面はほぼ平坦な面となっている。この絶縁被覆膜8は、樹脂(例えば、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂)からなるものでも良いし、無機窒素化合物(例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素)からなるものでも良いし、無機窒素化合物、樹脂の順に積層したものでも良い。
【0023】
このEL表示装置1の表示面は、表示部9,10,11それぞれで独立的に表示が行われる三つの領域に縦分割されている。表示部9はICチップ5によって駆動され、表示部10はICチップ6によって駆動され、表示部11はICチップ7によって駆動される。すなわち、表示部9,10,11によって一つの画面を表示する。
【0024】
表示部9は、横方向に長尺な帯状となって互いに平行に並んで絶縁被覆膜8上に形成された複数の走査線9a,9a,…と、平面視して(表示面に対して垂直な方向に見て)走査線9a,9a,…に対して直交するように配列された信号線9b,9b,…と、走査線9a,9a,…と信号線9b,9b,…とが交差した箇所において走査線9aと信号線9bとの間に挟まれたEL層9c,9c,…と、から構成されている。走査線9aは導電性を有した第一導電線であり、信号線9bが導電性を有した第二導電線である。
【0025】
走査線9a,9a,…それぞれの一端部において、コンタクトホール8aが絶縁被覆膜8を貫通して形成されており、このコンタクトホール8aに金属等の導電性材料が埋め込まれている。一方、基板2には配線13が形成されており、配線13はICチップ5の端子一つにつき一つのコンタクトホール8aを電気的に接続している。これにより、一本の走査線9aにつきICチップ5の一つの端子がコンタクトホール8a及び配線13を通じて接続されている。
【0026】
信号線9b,9b,…それぞれの一端部においても同様に、絶縁被覆膜8に形成されたコンタクトホール8bに導電性材料が埋め込まれており、ICチップ5からコンタクトホール8b,8b,…までの配線14が基板2に形成されている。これにより、一本の信号線9bにつきICチップ5の一つの端子がコンタクトホール8b及び配線14を通じて接続されている。
【0027】
EL層9cは、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順又はその逆順に積層した三層構造であっても良いし、正孔輸送層、発光層の順又はその逆順に積層した二層構造であっても良いし、発光層からなる一層構造であっても良い、これらの層構造において適切な層間に電子或いは正孔の注入層が介在した多層構造であっても良い。また、EL層9cを構成した層全てが有機化合物からなるものであっても良いし、EL層9cを構成した層全てが無機化合物からなるものであっても良いし、EL層9cが無機化合物からなる層と有機化合物からなる層とを積層したものでも良い。ここでは、EL層9cは、導電性高分子であるPEDOT(ポリチオフェン)及びドーパントであるPSS(ポリスチレンスルホン酸)からなる正孔輸送層、ポリフルオレン系発光材料からなる発光層の順に積層した二層構造である。
【0028】
走査線9aと信号線9bが交差した箇所はマトリクス状になって絶縁被覆膜8上に配列されている。走査線9aと信号線9bが交差した箇所では、絶縁被覆膜8側から走査線9a、EL層9c、信号線9bの順に積層した積層構造を成しているが、この積層構造はEL素子となって画素を構成している。EL素子のアノードが走査線9aであり且つカソードが信号線9bであっても良いし、逆にアノードが信号線9bであり且つカソードが走査線9aであっても良い。
【0029】
また、信号線9bは、光を透過する性質を有し、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ若しくはカドミウム−錫酸化物(CTO)又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物(例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム)からなる。走査線9bは、金属、金属化合物又は合金からなる。
【0030】
また、信号線9bがカソードであり且つ信号線9b自体の仕事関数が比較的高い場合には、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム若しくは希土類からなる単体金属又はこれらの単体を少なくとも一種を含む合金からなる低仕事関数の電子注入層を信号線9bとEL層9cとの間に形成するのが望ましい。この場合において、光が電子注入層を透過するように、電子注入層をできる限り薄くするのが望ましい。
【0031】
表示部10も表示部9と同様に、横方向に長尺な帯状となって互いに平行に並んだ複数の走査線10a,10a,…と、平面視して走査線10a,10a,…に対して直交するように配列された信号線10b,10b,…と、走査線10a,10a,…と信号線10b,10b,…とが交差した箇所それぞれにおいて走査線10aと信号線10bとの間に挟まれたEL層(図示略)と、から構成されている。
【0032】
走査線10a,10a,…のそれぞれの一端部において、絶縁被覆膜8に形成されたコンタクトホール8cに導電性導電性材料が埋め込まれており、基板2にはICチップ6からコンタクトホール8c,8c,…までの配線15が形成されており、一本の走査線10aにつきICチップ6の一つの端子がコンタクトホール8c及び配線15を通じて接続されている。信号線10b,10b,…の一端部において絶縁被覆膜8に形成されたコンタクトホール8d,8d,…と基板2に形成された配線16とによって、一本の信号線10bにつきICチップ6の一つの端子が接続されている。
【0033】
表示部11も表示部9と同様に、横方向に長尺な帯状となって互いに平行に並んだ複数の走査線11a,11a,…と、平面視して走査線11a,11a,…に対して直交するように配列された信号線11b,11b,…と、走査線11a,11a,…と信号線11b,11b,…とが交差した箇所それぞれにおいて走査線11aと信号線11bとの間に挟まれたEL層(図示略)と、から構成されている。
【0034】
走査線11a,11a,…の一端部において絶縁被覆膜8に形成されたコンタクトホール8e,8e,…と基板2に形成された配線17とによって、一本の走査線11baにつきICチップ7の一つの端子が接続されている。同様に、信号線11b,11b,…の一端部において絶縁被覆膜8に形成されたコンタクトホール8f,8f,…と基板2に形成された配線18とによって、一本の信号線11bにつきICチップ7の一つの端子が接続されている。
【0035】
走査線9a,9a,…、信号線9b,9b,…、走査線10a,10a,…、信号線10b,10b,…、走査線11a,11a,…及び信号線11b,11b,…全体を被覆するように封止膜12が一面に形成されている。この封止膜12は、光に対して透光性を有するととも絶縁性を有し、樹脂(例えば、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂)又は無機窒素化合物(例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素)からなるものである。
【0036】
封止膜12の外縁寄りであって表示部9,10,11に重ならない部分には、コンタクトホール12aが封止膜12及び絶縁被覆膜8を貫通して形成されている。一方、回路配線19は基板2中又は基板2上においてコンタクトホール12aまで導かれており、コンタクトホール12aに導電性材料が埋め込まれている。コンタクトホール12aに埋め込まれた導電性材料がEL表示装置1の端子となり、外部からの信号が入力されるようになっている。
【0037】
次に、EL表示装置1の製造方法について説明する。
まず、配線13〜配線18、回路配線19が形成された基板2を準備し、基板2にICチップ3〜7を実装する。次に、基板2の一面に絶縁被覆膜8を成膜し、絶縁被覆膜8によってICチップ3〜7を被覆する。次に、絶縁被覆膜8にコンタクトホール8a,8a,…、コンタクトホール8b,8b,…、コンタクトホール8c,8c,…、コンタクトホール8d,8d,…、コンタクトホール8e,8e,…及びコンタクトホール8f,8f,…を形成し、これらコンタクトホール8a〜8fに導電性材料を埋め込む。次に、絶縁被覆膜8上に走査線9a,9a,…、走査線10a,10a,…及び走査線11a,11a,…をパターニングする。次に、表示部9のEL層9c,9c,…、表示部10のEL層及び表示部11のEL層をパターニングする。次に、形成したEL層において走査線9a,9a,…、走査線10a,10a,…及び走査線11a,11a,…に直交させるように、信号線9b,9b,…、信号線10b,10b,…及び信号線11b,11b,…をパターニングする。次いで、絶縁被覆膜8の一面に封止膜12を成膜し、封止膜12によって走査線9a,9a,…、信号線9b,9b,…、走査線10a,10a,…、信号線10b,10b,…、走査線11a,11a,…及び信号線11b,11b,…を被覆する。次に、封止膜12及び絶縁被覆膜8にコンタクトホール12aを形成し、コンタクトホール12aに導電性材料を埋め込む。
【0038】
次に、EL表示装置1の動作について説明する。
一フレーム分の画像データが外部からコンタクトホール12aを介して入力されたら、入力した画像データはICチップ3に一時的に格納されてICチップ3によって信号処理される。信号処理された画像データはICチップ4に出力され、ICチップ4によってD/A変換され、D/A変換された画像信号がICチップ5,6,7に出力される。ICチップ5が画像信号に従ってパッシブ駆動方式で表示部9を駆動し、ICチップ6が画像信号に従ってパッシブ駆動方式で表示部10を駆動し、ICチップ7が画像信号に従ってパッシブ駆動方式で表示部11を駆動する。表示部9においては、走査線9a,9a,…がICチップ5によって順次選択され、画像信号に応じた階調信号がICチップ5によってそれぞれの走査線9aの選択時に同期して全ての信号線9b,9b,…に対して出力される。表示部10,11も表示部9と同様に表示動作が行われるが、一フレーム期間に表示部9〜11は同時に表示する。
【0039】
表示部9,10,11が駆動されることによってEL層が発光するが、EL層から発した光は信号線9b、信号線10b、信号線11bを透過して、封止膜12から外部に放射する。従って、EL表示装置1は、基板2と反対側の封止膜12の表面が表示面となるいわゆるトップエミッション構造である。
【0040】
以上のように、本実施の形態では、ICチップ3〜7が実装された基板2を絶縁被覆膜8で被覆し、絶縁被覆膜8上に表示部9〜11を形成し、平面視して表示部9〜11にICチップ3〜7を重ねているので、このEL表示装置1には表示領域以外の領域が殆どない。
【0041】
また、信号線9b,9b,…、信号線10b,10b,…、信号線11b,11b,…及び封止膜12が透明であるため、表示部9〜11にICチップ3〜7が重なっても、EL層で発した光が封止膜12から外部に出射する。
【0042】
また、表示部9〜11が独立して駆動されるため、EL表示装置1自体の発光デューティを大きくすることができる。つまり、表示部9〜11の走査線9a,10a,11aをN本としたら(Nは自然数である。)、表示部9〜11それぞれで発光デューティが1/Nとなり、EL表示装置1全体の走査線の数が(3×N)本でも発光デューティは1/Nとなる。しかし、全体で(3×N)本の走査線を有した従来のEL表示装置では表示パネルの周囲に駆動回路を設けるため、仮にデータドライバを表示領域の上側と下側の二箇所にしか設けたとしても、最高で二つの領域でしか独立して駆動することができない。そのため、全体で(3×N)本の走査線を有した従来のEL表示装置では発光デューティを2/(3×N)にしかできず、本実施形態のEL表示装置1の発光デューティの方が大きい。そのため、本実施形態のEL表示装置1は低電力でも明るい表示面を実現することができ、EL表示装置1の長寿命化を図ることができる。
【0043】
また、仮に1つのICチップで全ての信号線に出力する場合、走査線が3N本であると、1/(3×N)のデューティ駆動になってしまうが、本発明のように表示部9〜11に分割し、表示部9〜11をそれぞれICチップ5〜7で別個に駆動するので、一フレーム期間に表示部9〜11は同時に表示することができる。そのため、表示部9〜11の走査線の総本数を(3×N)本としても各ICチップ5,6,7は1/Nデューティ駆動でよい。つまり、表示部9,10,11のEL素子を発光するために選択期間を三倍にすることができ、1つのICチップで全ての信号線に出力する場合に比べて表示部9,10,11の各EL層に印加される電圧を1/3にできるため、電圧による劣化を抑制することができる。
【0044】
また、CPUを内蔵したICチップ3が基板2に実装されているため、EL表示装置1の多機能化を図ることができる。また、フレームメモリを内蔵したICチップ3が基板2に実装されているため、外部から画像データが入力されなくても、EL表示装置1において表示が行われた状態を維持することができる。
【0045】
また、仮に基板2にCPU、フレームメモリ、D/Aコンバータ、タイミングジェネレータ、スキャンドライバ及びデータドライバを直接形成していくことは、それぞれに最適な耐圧・耐熱・プロセスがあるので、殆ど無理である。しかしながら、本実施形態では、予め最適な耐圧・耐熱・プロセスで設計されたICチップ3〜7を基板2に実装しているので、CPU、フレームメモリ、D/Aコンバータ、タイミングジェネレータ、スキャンドライバ及びデータドライバの機能を有したEL表示装置1を提供することができる。
【0046】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
例えば、上記実施形態では表示部9,10,11において走査線、EL層、透明な信号線の順に積層した構造であったが、逆に信号線、EL層、透明な走査線の順に積層した構造であっても良い。また表示部を3分割したが、4分割以上に細分化してもよい。
【0047】
また、上記実施形態では表示部9〜11の何れでもEL層が走査線と信号線との交差箇所ごとに独立して形成されているが、EL層が共通となる層であっても良い。つまり、表示部9では全ての走査線9a,9a,…を被覆するようにEL層を形成しても良いし、表示部10では全ての走査線10a,10a,…を被覆するようにEL層を形成しても良いし、表示部11では全ての走査線11a,11a,…を被覆するようにEL層を形成しても良い。この場合において、EL層を表示部9〜11全体で共通の層としても良い。
【0048】
また、以下のような変形例のようにしても良い。以下の変形例では、上記実施形態のEL表示装置1と同様の構成要素に同一の符号を付す。
【0049】
〔変形例1〕
上記実施形態のEL表示装置1ではICチップ3〜7が基板2に表面実装されているが、変形例1のEL表示装置ではICチップ3〜7が基板2に埋め込まれている。詳細に説明すると、図4に示すように基板2に凹溝2aが形成されており、この凹溝2a内にICチップ5が挿入されている。凹溝2aには樹脂等の充填材20が充填されており、この充填材20によってICチップ5が被覆されている。充填材20にはコンタクトホール20aが形成されており、コンタクトホール20aに導電性材料が埋め込まれており、導電性材料によってICチップ5の端子と回路配線19が接続されている。変形例1のEL表示装置は、ICチップ3〜7が基板2に埋め込まれていることを除いて、上記実施形態のEL表示装置1と同様に構成されているとともに同様に動作する。
【0050】
〔変形例2〕
変形例2のEL表示装置では、変形例1の表示装置と同様にICチップ3〜7が基板2に埋め込まれている。ところが、図5に示すように、変形例2のEL表示装置は、ICチップ3〜7が埋め込まれ且つ絶縁被覆膜8が被膜された基板2に対して、表示部9,10,11が形成された透明基板30を貼り合わせることによって製造される。
【0051】
上記実施形態、変形例1のように絶縁被覆膜8上に表示部9,10,11が形成されているのと同様に、変形例2では透明基板30の表面30a上に表示部9,10,11が形成されている。なお、表示部9,10,11を透明基板30の表面30a上に形成する方法は、上記実施形態において絶縁被覆膜8上に表示部9,10,11を形成する方法と同様である。
【0052】
透明基板30は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラス、PMMA(ポリメタクリ酸メチル)、ポリカーボネート、その他の樹脂等の透明な材料である。上記実施形態では信号線9b,9b,…、信号線10b,10b,…及び信号線11b,11b,…が透明であったのに対し、変形例2では走査線9a,9a,…、走査線10a,10a,…及び走査線11a,11a,…が透明であり光を透過する。
【0053】
表示部9,10,11全体を被覆するように封止膜12が透明基板30一面に形成されている。走査線9a,9a,…、信号線9b,9b,…、走査線10a,10a,…、信号線10b,10b,…、走査線11a,11a,…及び信号線11b,11b,…それぞれの一端部に対応した位置において、封止膜12にはコンタクトホール12aが形成されており、コンタクトホール12aに導電性材料が埋め込まれている。コンタクトホール12aは、コンタクトホール8a〜8fに対応した位置にある。
【0054】
コンタクトホール12aにコンタクトホール8a〜8fを対応させて封止膜12に絶縁被覆膜8を向かい合わせて、封止膜12が異方導電性接着剤(図示略)によって絶縁被覆膜8に接着されている。異方導電性接着剤は層方向(厚み方向)に対して導電性を示すが、層方向に直交する方向に対しては絶縁性を示すものである。従って、コンタクトホール8a〜8f一つにつき一つのコンタクトホール12aが異方導電性接着剤によって電気的に接続される。これにより、一本の走査線9aにつきICチップ5の一つの端子が電気的に接続され、一本の信号線9bにつきICチップ5の一つの端子が電気的に接続され、一本の走査線10aにつきICチップ6の一つの端子が電気的に接続され、一本の信号線10bにつきICチップ6の一つの端子が電気的に接続され、一本の走査線11baにつきICチップ7の一つの端子が電気的に接続され、一本の信号線11bにつきICチップ7の一つの端子が電気的に接続される。
【0055】
表示部9,10,11がそれぞれICチップ5,6,7によってパッシブ駆動されることによって表示動作をするが、走査線9a,9a,…、走査線10a,10a,…、走査線11a,11a,…及び透明基板30が透明であるため、EL層で発した光が透明基板30の裏面30bから外部に放射される。つまり、透明基板30の裏面30bが表示面となる。
【0056】
〔応用例〕
以下、上記実施形態のEL表示装置1をデジタルスチルカメラに搭載した応用例について図6を用いて説明する。
【0057】
図6は、本発明を適用したEL表示装置1を表示パネルとして適用したデジタルカメラの回路構成を示すブロック図である。
【0058】
図6においてデジタルカメラは、ICチップ3,4、ICチップ5,6,7、、CCD型撮像素子120、アンプ121、A/D(Analog to Digital)コンバータ122、駆動回路123、キー入力部135、I/Oポート137及び赤外線通信部138により構成されている。ここで、ICチップ3,4は、タイミングジェネレータ124、シグナルジェネレータ125、VRAM(Video Random Access Memory)126、D/Aコンバータ127、アンプ128、DRAM(Dynamic Random Access Memory)129、圧縮/伸長回路130、フラッシュメモリ131、CG(Character Generator)132、ROM(Read Only Memory)133、RAM(Random Access Memory)134、及びCPU(Central Processing Unit)136から構成されている。
【0059】
CCD型撮像素子120は、フォトダイオード等の受光部に転送電極を重ねた素子(画素)を平面状に多数配設した画素面と、各画素に蓄積された電荷を電圧に変換して出力する出力部とから構成される。CCD型撮像素子120には結像レンズによって像が結像され、結像レンズを介して入射した光は前記画素面で受光され、各画素には受光量に比例した電荷が蓄積される。各画素の蓄積電荷は、駆動回路123から供給される駆動信号に応じて前記出力部により撮像信号(アナログ信号)として1画素分ずつ順次読み出され、アンプ121を介してA/Dコンバータ122に出力される。
【0060】
A/Dコンバータ122は、CCD型撮像素子120からバッファ121を介して入力される撮像信号をアナログ信号からデジタル信号に変換し、タイミングジェネレータ124に供給する。
【0061】
駆動回路123は、タイミングジェネレータ124から供給されるタイミング信号に基づいてCCD型撮像素子120の露光及び読み出しタイミングを駆動制御する。また、タイミングジェネレータ124は、CPU136から入力される映像取り込み信号に基づいて駆動回路123を制御するタイミング信号を生成する。さらにタイミングジェネレータ124は、ICチップ5,6,7が所定のタイミングで動作するようにICチップ5,6,7にクロック信号を出力する。
【0062】
シグナルジェネレータ125は、タイミングジェネレータ124を介して供給される撮像信号(デジタル信号)に対して色演算処理を行ない、輝度信号(Yデータ)と色信号(Cデータ)により構成される画像データを生成し、この画像データをDRAM129に出力する。
【0063】
また、シグナルジェネレータ125は、CPU136によりDRAM129から供給された画像データに同期信号を付加する等してビデオ信号(デジタル信号)を生成して一旦、VRAM126に格納し、その後、VRAM126に格納したビデオ信号をD/Aコンバータ127及びアンプ128を介してICチップ5,6,7に出力する。また、ビデオ出力端子118bにビデオケーブルを介して外部機器が接続されている場合は、該ビデオ信号をこの外部機器に対しても出力する。
【0064】
VRAM126は、シグナルジェネレータ125により生成されたビデオ信号(表示データ)を一時的に格納するビデオメモリであり、ICチップ5,6,7の1画面分の表示データを格納可能なメモリ容量を有する。
【0065】
D/Aコンバータ127は、シグナルジェネレータ125によりVRAM126から供給されるビデオ信号(表示データ)をデジタル信号からアナログ信号に変換し、アンプ128を介してICチップ5,6,7に、また、ビデオ出力端子118bにビデオケーブルを介して外部機器が接続されている場合は、該ビデオ信号をこの外部機器に対しても出力する。
【0066】
ICチップ5,6,7は、エレクトロルミネッセンス表示装置1の配線13〜18に、D/Aコンバータ127及びアンプ128を介して入力されたビデオ信号(表示データ)に基づいて表示画面に画像信号及び選択走査信号を出力する。このエレクトロルミネッセンス表示装置1は、ファインダーとして、撮影時にCCD型撮像素子120で取り込んだ被写体の画像を表示することが、また、撮影後に、フラッシュメモリ131に格納されている撮像した画像データを再生表示することができる。
【0067】
DRAM129は、シグナルジェネレータ125から供給される撮像した画像データ、あるいはCPU136によりフラッシュメモリ131から読み出され、後述する圧縮/伸長回路130により伸長処理された画像データを一時的に格納する半導体メモリである。
【0068】
圧縮/伸長回路130は、DRAM129に格納された画像データを符号化により圧縮処理する。具体的には、画像データを所定の符号化方式、すなわち、取り扱う画像の種類(この場合、静止画)に応じた、例えば、JPEG(Joint Photographic Experts Group)アルゴリズムによる8×8画素毎のDCT(Discrete Cosine Transform :離散コサイン変換)、量子化、ハフマン符号化により圧縮処理(符号化処理)し、この圧縮処理した画像データをフラッシュメモリ131に出力する。更に、圧縮/伸長回路130は、フラッシュメモリ131に格納されている圧縮処理された画像データを復号化して伸長処理し、DRAM129に出力する。
【0069】
フラッシュメモリ131は、圧縮/伸長回路130により圧縮処理された画像データを複数格納する半導体メモリであり、「ページNo.データ」及び「画像データ」が対応付けられて複数格納されている。
【0070】
「ページNo.データ」は、画像データに対して当該フラッシュメモリ131への格納順に割り当てられる格納順序を示す数値データである。例えば、最初にフラッシュメモリ131に格納される画像データには「ページNo.データ」として"1"が、次に格納される画像データには「ページNo.データ」として"2"が割り当てられる。
【0071】
また、フラッシュメモリ131は、電源スイッチ14の押圧操作により電源がOFFとされたときには、最後に撮像された画像データの「ページNo.データ」+1、最後に再生表示されていた画像データの「ページNo.データ」、RAM134内の後述する撮像条件メモリに格納された各種撮像条件データ等を保存する。
【0072】
CG132は、エレクトロルミネッセンス表示装置1に表示される、例えば、操作ガイダンス用のカナ、漢字、英数字、記号等のキャラクタデータを格納するメモリである。
【0073】
ROM133は、撮像処理、再生表示処理、連写画像再生表示処理、コメント画像合成処理の他、通信処理等のCPU136により実行されるデジタルカメラの各部を制御するための各種制御プログラムを格納する。この各種制御プログラムは、CPU136が読み取り可能なプログラムコードの形態で記憶されている。
【0074】
RAM134は、CPU136により各種制御処理が実行される際に、その制御処理を司るプログラムを展開する、あるいは処理される各種データを一時的に格納するワークメモリ、撮像処理により設定された各種撮像条件データを格納する撮像条件メモリを形成する。また、このRAM134には、定型コメント文格納テーブル及びプレート格納テーブル等が、前記ROM133からCPU136によって読み出され、展開される。
【0075】
RAM134内の撮像条件メモリには、「開始ページNo.データ」、「終了ページNo.データ」、「ページNo.データ」と、図示しないその他の各種撮像条件データ(例えば、シャッタースピード、絞り、連写撮影時の撮影時間間隔等)によって構成されている。
【0076】
「開始ページNo.データ」は、撮像処理において、これから撮像する画像に対応づける、未使用の新たな「ページNo.データ」を格納したデータである。「終了ページNo.データ」は、後述する撮像処理において、一連のシャッターキーの押圧状態が終了した時点での「ページNo.データ」を格納したデータである。
【0077】
「ページNo.データ」は、前記フラッシュメモリ131内の各画像データと対応づけられて格納される「ページNo.データ」と同じ形式のデータであり、撮像処理において撮像した画像を格納する「ページNo.データ」を一時的に記憶しておくためのRAM134内のデータである。そして、一枚の画像の撮像が終了するとこの「ページNo.データ」の値はインクリメントされる。
【0078】
プレート格納テーブルには、異なる形状を有する複数の「プレート画像データ」が各プレート毎に「格納No.データ」と対応付けられて格納されている。コメント画像合成処理においてコメント文を撮像画像(画像データ)に合成する際には、前記コメント文をこのプレートに重ねて撮像画像に合成することもできる。
【0079】
キー入力部135は、モード切換スイッチ、電源スイッチ、シャッターキー、メニューキー、「+」キー、及び「−」キーにより構成され、各キーの押圧操作やスライド操作に応じた各種操作信号をCPU136に出力する。
【0080】
CPU(Central Processing Unit )136は、ROM133に格納される各種制御プログラムに従ってデジタルカメラの各部を制御する中央演算処理装置である。具体的には、CPU136は、モード切換スイッチがスライド操作されて撮影モードが指定され、更に、シャッターキーが連続して押圧状態であるときには、撮像処理を実行する。
【0081】
CPU136は、シャッターキーが押圧操作されると撮像処理を実行し、タイミングジェネレータ124に映像取り込み信号を出力する。タイミングジェネレータ124では、前記映像取り込み信号に基づいてタイミング信号を生成して駆動回路123に出力し、駆動回路123では、前記タイミング信号に基づいてCCD型撮像素子120の露光及び読み出しタイミングを駆動制御して、CCD型撮像素子120により撮像信号を取り込む。A/Dコンバータ122では、前記取り込んだ撮像信号をアナログ信号からデジタル信号に変換し、シグナルジェネレータ125では、前記撮像信号に対して色演算処理を行なって画像データを生成してDRAM129に格納する。そして、CPU136は、DRAM129に格納された画像データを圧縮/伸長回路130に転送して圧縮処理を行なわせた後、前記圧縮された画像データを新たな「ページNo.データ」と対応付けてフラッシュメモリ131に格納する。
【0082】
その後、CPU136は、RAM134の撮像条件メモリに展開された各種撮像条件に含まれる、連写撮影時の撮影時間間隔に従った所定の時間分待機し、シャッターキーが押圧状態であるか否かを判別する。シャッターキーが押圧状態であれば、連写撮影が行われるとして、CPU136は、RAM134内の「ページNo.データ」の値をそれぞれインクリメントしてRAM134内に格納し直す。そして、前述の動作と同様に撮像した画像データを圧縮し、RAM134に格納し直された「ページNo.データ」と対応づけてフラッシュメモリ131に格納する。
【0083】
また、CPU136は、モード切換スイッチ13がスライド操作されて再生モードが指定されると、後述する再生表示処理を実行する。
【0084】
この再生表示処理においてCPU136は、「+」キー、あるいは「−」キーの押圧操作に応じて、フラッシュメモリ131に格納された画像データの中から、そのページNo.順(「+」キー17aが押圧操作された場合は昇順、「−」キーが押圧操作された場合は降順)に再生表示する画像データを指定する。そして、指定された画像データをフラッシュメモリ131から順次読み出して圧縮/伸長回路130に転送し、伸長処理を行なわせた後、DRAM129に格納する。
【0085】
その後、CPU136は、DRAM129に格納した画像データをシグナルジェネレータ125に転送する。シグナルジェネレータ125では、入力された画像データに同期信号を付加する等してビデオ信号(表示データ)を生成して、一旦、VRAM126に格納し、その中から1画面分の画像データを読み出してD/Aコンバータ127、及びアンプ128を介してICチップ5,6,7に出力し、エレクトロルミネッセンス表示装置1が画像を再生表示する。
【0086】
更に、CPU136は、再生表示処理において、ユーザーの所定の操作によりコメント画像合成が指示されると、コメント画像合成処理を実行する。
【0087】
このコメント画像合成処理においてCPU136は、キー入力部135のキー操作により合成対象として選択指定され、DRAM129に格納された撮像した画像データに対して、プレート格納テーブルから合成するプレートの画像データと、定型コメント文格納テーブルから合成するコメント文データとがキー入力部135のキー操作によって指定されると、これらの指定された画像データ、コメント文の画像データ、プレートの画像データについて、合成対象の画像に対するコメント画像の合成位置等の合成条件を設定可能に制御する。そして、設定された各種合成条件に基づいて、前記コメント文の画像データを前記プレートの画像データに重ねてコメント画像データを生成する。
【0088】
I/O(Input / Output)ポート137は、当該デジタルカメラとシリアル入出力端子118a及び通信ケーブルを介して接続された外部機器との間で授受されるシリアルデータ(画像データ、制御データ等)の入出力制御を行なうインターフェースである。
【0089】
赤外線通信部138は、エレクトロルミネッセンス表示装置1と外部機器との間でIrDA(Infrared Data Association )方式の赤外線通信を行なうための赤外線インターフェースであり、赤外線通信より授受される画像データ、制御データ等の送受信制御を行なう。
【0090】
具体的には、この赤外線通信部138は、赤外線通信機能を有する外部機器に送信する送信データを一時的に格納する送信データメモリと、この送信データメモリに格納されたデータを赤外線信号に変調する変調部と、変調された赤外線信号を赤外線パルスにより赤外線窓を介して前記外部機器に送信する送信用LEDと、前記外部機器から赤外線パルスにより送信された赤外線信号を赤外線窓を介して受信するフォトダイオードと、この受信された赤外線信号を受信データとして復調する復調部と、復調された受信データを一時的に格納する受信データメモリと、により構成されている。
【0091】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明によれば、ICチップが実装された基板を被覆膜で被覆しており、その被覆膜上に表示部が設けられているため、表示領域以外の領域が殆どなくすことができる。表示部ごとにICチップを基板に実装することができ、表示部ごとに独立して駆動することができる。そのため、EL表示装置全体としての発光デューティを大きくすることができ、低電力でも明るい表示面を実現することができる。
【0092】
請求項2に記載の発明によれば、第二導電線が透光性を有しているから、EL層で発した光が第二導電線を通じて外部に出射するので、EL層に対して第二導電線側の表面が表示面となる。
【0093】
請求項4に記載の発明によれば、多機能なEL表示装置を提供することができる。
【0094】
請求項5に記載の発明によれば、外部から画像データが入力されなくてもEL表示装置において表示が行われた状態を維持することができる。
【0095】
請求項6に記載の発明によれば、表示部ごとにICチップを基板に実装することができ、表示部ごとに独立して駆動することができる。そのため、EL表示装置全体としての発光デューティを大きくすることができ、低電力でも明るい表示面を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したEL表示装置を示した側断面図である。
【図2】図1のII−II線における平断面図である。
【図3】図1のIII−III線における平断面図である。
【図4】図1のEL表示装置とは別のEL表示装置を示した側断面図である。
【図5】図1、図4のEL表示装置とは別のEL表示装置を示した側断面図である。
【図6】図1のEL表示装置をデジタルスチルカメラの表示パネルとしたときのデジタルスチルカメラの略回路ブロック図である。
【符号の説明】
1 … EL表示装置
3〜7 … ICチップ
9〜11 … 表示部
9a、10a、11a … 走査線
9b、10b、11b … 信号線
9c … EL層

Claims (6)

  1. 基板と、
    端子が上方に向けられた状態で、前記基板の凹溝内に埋められることによって実装されたICチップと、
    前記ICチップを被覆した被覆膜と、
    前記ICチップの前記端子に接続され、前記基板上に形成された複数の配線と、
    透明基板と、
    前記透明基板の前記ICチップと対向する表面に形成された複数のEL素子が画素としてマトリクス状になって前記被覆膜上に配列されてなり、前記ICチップによって駆動される表示部と、
    を備え
    前記表示部が、前記被覆膜上方に配置された複数の第一導電線及び第二導電線と、前記第一導電線と第二導電線との間に挟持されたEL層と、を有し、
    前記複数の配線は、前記EL層と重ならない位置に設けられた前記被覆膜の複数のコンタクトホールを介して、それぞれ前記第一導電線及び前記第二導電線と接続していることを特徴とするEL表示装置。
  2. 前記第二導電線が光を透過する性質を有することを特徴とする請求項1に記載のEL表示装置。
  3. 前記ICチップは複数であることを特徴とする請求項1又は2に記載のEL表示装置。
  4. 前記複数のICチップのうちの第1のICチップを制御するためのCPUを内蔵した、前記複数のICチップのうちの第2のICチップが前記基板に実装されているとともに前記被覆膜によって被覆されていることを特徴とする請求項3に記載のEL表示装置。
  5. 画像データを一時的に格納するためのフレームメモリを内蔵した、前記複数のICチップのうちの第3のICチップが前記基板に実装されているとともに前記被覆膜によって被覆されていることを特徴とする請求項3に記載のEL表示装置。
  6. 前記表示部は複数であり、各表示部が同時に表示を行うことを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載のEL表示装置。
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