JP4214066B2

JP4214066B2 - 固体撮像装置

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Publication number: JP4214066B2
Application number: JP2004056146A
Authority: JP
Inventors: 義満中嶋
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2004-03-01
Filing date: 2004-03-01
Publication date: 2009-01-28
Anticipated expiration: 2024-03-01
Also published as: TW200541065A; TWI258215B; US20050206765A1; KR100707144B1; KR20060043224A; JP2005252350A

Description

この発明は固体撮像装置に関し、特に、ＣＣＤ（電荷結合素子）型固体撮像装置に関する。この種の固体撮像装置は、携帯電話、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどを構成するイメージセンサとして使われる。

ＣＣＤ型固体撮像装置としては、例えば図９に示すような２次元イメージセンサが知られている（例えば、特許文献１参照。）。この２次元イメージセンサは、半導体基板上に設定された矩形のイメージエリア１０１内に、行列状に配列された複数の受光部（フォトダイオード）１０４と、受光部１０４の各列に沿って垂直方向（図９における上下方向）に延在する複数の垂直転送チャネル１０５とを備えている。受光部１０４は、垂直方向に関して所定のピッチＰＶで並んでいる。受光部１０４とともに垂直転送チャネル１０５は、水平方向（図９における左右方向）に関して所定のピッチＰＨで並んでいる。各垂直転送チャネル１０５の一端（図９における下端）は、水平方向に延在する水平転送チャネル１０２に接続されている。１０３は増幅器である。図１０に示すように、垂直転送チャネル１０５上には、不純物含有多結晶シリコンからなる４相の垂直転送電極１０８，１０９，１１０，１１１の組が設けられている。なお、簡単のため、図１０中には垂直転送電極を実質的に１組だけ示しているが、実際には、この組と同じものが受光部１０４と同ピッチＰＶで垂直方向に多数設けられている。各垂直転送電極１０８，１０９，１１０，１１１は、一部互いにオーバラップしているが、垂直転送チャネル１０５に対して垂直方向に関して順に面して、それぞれ垂直転送チャネル１０５のうちの対応する部分のポテンシャルを制御するようになっている。また、受光部１０４と垂直転送チャネル１０５との間には、信号電荷を遮断し又は通過させるためのトランスファゲート領域１０６が設けられている。なお、垂直転送電極１０８は、受光部１０４から垂直転送チャネル１０５に信号電荷を読み出すためのトランスファゲート電極を兼ねている。さらに垂直方向に並ぶ受光部１０４同士の間がそれぞれ画素分離領域１０７で分離されて、互いに信号電荷が混ざらないようになっている。

動作時には、受光部１０４が入射光を信号電荷に変換して、一旦蓄積する。各垂直転送電極１０８，１０９，１１０，１１１には、図示しない外部回路によって４相の転送信号（クロックパルス）が印加される。この結果、受光部１０４が発生した信号電荷が、その受光部１０４に隣り合うトランスファゲート領域１０６を介して垂直転送チャネル１０５に読み出され、垂直転送チャネル１０５を通して垂直方向に水平転送チャネル１０２へ向かって転送される。水平転送チャネル１０２に転送された信号電荷は、さらに水平転送チャネル１０２を通して水平方向に増幅器１０３へ向かって転送され、増幅器１０３で増幅されて出力される。
特開２００２−１１８２５０号公報特開昭６３−１５４５９号公報

ところで、この種の固体撮像装置においては、セルサイズの縮小による小型化や高画素化が強く推進されている。このため、垂直転送チャネル１０５の幅も狭くなっており、垂直転送チャネル１０５での取り扱い電荷量を確保するのが困難になってきている。

なお、セルサイズ一定のまま、垂直転送チャネル１０５の幅を広げるために受光部１０４の面積を狭くすると、受光部１０４の蓄積容量が減少して、感度の低下やダイナミックレンジの低下を招いてしまう。

また、垂直転送チャネル１０５の幅を例えば図１１（ａ）に示すＷ０から図１１（ｂ）に示すＷｘへ広げるためにトランスファゲート領域１０６を狭くすると、トランスファゲート領域１０６のポテンシャルがψ０からψｘへ深くなる。このため、受光部１０４と垂直転送チャネル１０５との間のポテンシャルバリアが低くなって、受光部１０４の蓄積容量が減少してしまう。この不具合は、例えば特許文献２のように垂直転送チャネル（垂直転送レジスタ）を転送方向に順次広げた場合に起こる。

そこで、この発明の課題は、受光部やトランスファゲート領域を狭くすることなく、垂直転送チャネルの取り扱い電荷量を増大させることが可能な固体撮像装置を提供することにある。

上記課題を解決するため、この発明の固体撮像装置は、
半導体基板表面に行列状に配列された、入射光を信号電荷に変換する複数の受光部と、
上記半導体基板表面で上記受光部がなす各列に沿ってそれぞれ一方向に延在する垂直転送チャネルと、
上記垂直転送チャネル上に並べて設けられ、上記垂直転送チャネルを通して上記信号電荷を転送するように、それぞれ上記垂直転送チャネルのうち対応する部分のポテンシャルを制御する垂直転送電極の組とを備え、
列方向に並ぶ上記受光部同士の間がそれぞれ画素分離領域で分離され、
上記垂直転送チャネルは少なくとも第１部分と第２部分とを備え、上記第１部分の幅に比して上記第２部分の幅が広く、上記第１部分は行方向に上記受光部と並び、上記第２部分は行方向に上記画素分離領域と並び、
上記第２部分は一つの垂直転送電極に面し、
上記第１部分は複数の垂直転送電極に面し、
上記第２部分と、上記第１部分のうち各一つの垂直転送電極に対応する部分との容量が同じになるように、上記第２部分の長さは、上記第１部分のうち各一つの垂直転送電極に対応する部分の長さよりも短く設定されていることを特徴とする。

ここで、垂直転送チャネルの各部分がそれぞれ垂直転送電極に「対応」するとは、垂直転送チャネルのポテンシャルを制御する観点から、垂直転送チャネル（半導体基板表面）の各部分がそれぞれ垂直転送電極に面していることを意味する。

また、垂直転送チャネル(第１部分、第２部分を含む)の「幅」とは、半導体基板表面内で、そのチャネルが延在する一方向に対して垂直な方向の幅を指す。

この発明の固体撮像装置では、動作時には、受光部が入射光を信号電荷に変換して蓄積する。上記信号電荷は、例えばトランスファゲート領域（受光部と垂直転送チャネルとの間に、信号電荷を遮断し又は通過させるために設けられる領域）を通して垂直転送チャネルに転送される。そして、上記垂直転送チャネル上に設けられた垂直転送電極の組に例えば複数相のクロックパルスのような所定の転送信号が印加される。これにより、垂直転送チャネルのうち各垂直転送電極に対応する部分のポテンシャルがそれぞれ制御される。これにより、上記垂直転送チャネルを通して信号電荷が転送される。

ここで、この発明の固体撮像装置では、上記垂直転送チャネルのうち上記受光部の横に相当する第１部分の幅に比して、上記垂直転送チャネルのうち上記画素分離領域の横に相当する第２部分の幅が広くなっている。このように、垂直転送チャネルの幅が一部分でも広くなっていれば、垂直転送チャネルの幅が実質的に広がって、垂直転送チャネルでの取り扱い電荷量が増大する。しかも、垂直転送チャネルの幅が広くなっている第２部分は画素分離領域の横に相当する部分であるから、受光部やトランスファゲート領域の面積に影響を与えることがない。このように、この発明の固体撮像装置によれば、受光部やトランスファゲート領域を狭くすることなく、垂直転送チャネルの取り扱い電荷量を増大させることができる。

また、この固体撮像装置では、上記第２部分の長さは、上記第１部分のうち各一つの垂直転送電極に対応する部分の長さよりも短く設定されている。ここで、第１部分、第２部分の「長さ」とは、上記垂直転送チャネルが延在する一方向、つまり転送方向に沿った長さを意味する。

この固体撮像装置では、上記第２部分の長さは、上記第１部分のうち各一つの垂直転送電極に対応する部分の長さよりも短いので、上記第２部分の幅が広いことによる占有面積の増大が抑制される。逆にその分だけ、上記第１部分のうち各一つの垂直転送電極に対応する部分の長さを長くする事ができる。上記第１部分のうちトランスファゲート領域に位置するトランスファゲート電極の長さが長くなる事によって、受光部に蓄積された電荷を受光部から垂直転送チャネルに読み出す際の読出し電圧を低減できる。その結果、受光部の蓄積容量を増大できる。このことは、固体撮像装置の小型化や高画素化に伴ってセルサイズが縮小された場合に、信号電荷量を確保するのに有益である。

しかも、この固体撮像装置では、上記第２部分と、上記第１部分のうち各一つの垂直転送電極に対応する部分との容量が同じになるように、上記第１部分、第２部分の長さが設定されている。ここで、第１部分、第２部分の「容量」とは、電荷を蓄積するための容量を意味する。

この固体撮像装置では、垂直転送チャネルに信号電荷を蓄積する場合、蓄積される信号電荷量が、上記第１部分、第２部分のうち容量の少ない方で制限されてしまうのを避けることができる。

一実施形態の固体撮像装置では、上記垂直転送チャネルの幅は、少なくとも上記第２部分とその第２部分に対して転送方向下流側に隣り合う第１部分との間で、連続的又は段階的に変化しており、上記第２部分とその第２部分に対して転送方向下流側に隣り合う第１部分との間で上記垂直転送チャネルの幅が連続的又は段階的に変化している遷移領域上に、上記垂直転送チャネル上で隣り合う二つの垂直転送電極の間の境界部が存在することを特徴とする。

ここで、隣り合う二つの垂直転送電極の間の「境界部」とは、垂直転送チャネルのポテンシャルを制御する観点から、垂直転送チャネル（半導体基板表面）に面する「境界部」を意味する。したがって、二つの垂直転送電極がオーバラップしている場合は、「境界部」は下側になっている垂直転送電極の端部に相当する。

既述のように、上記垂直転送チャネルの上記第２部分の幅が広げられると、ポテンシャルの底が広がったことに起因して、上記垂直転送チャネルの上記第２部分とその第２部分に対して隣り合う第１部分との間に、信号電荷に対するポテンシャルバリアが発生し得る。ここで、この一実施形態の固体撮像装置では、上記第２部分とその第２部分に対して転送方向下流側に隣り合う第１部分との間で上記垂直転送チャネルの幅が連続的又は段階的に変化している遷移領域上に、上記垂直転送チャネル上で隣り合う二つの垂直転送電極の間の境界部が存在する。したがって、上記遷移領域を信号電荷が通過する時、上記隣り合う二つの垂直転送電極のうち転送方向上流側の垂直転送電極に対する印加電圧よりも転送方向下流側の垂直転送電極に対する印加電圧を大きくすることによって、上記ポテンシャルバリアは解消される。したがって、垂直転送不良の発生が抑えられ、信号電荷の転送が円滑に行われる。

一実施形態の固体撮像装置では、上記垂直転送チャネルの上記第２部分の幅は、片側のみに広がっていることを特徴とする。

ここで、「片側」とは、半導体基板表面内で、垂直転送チャネルの両側のうちの一方の側を指す。

この一実施形態の固体撮像装置では、上記垂直転送チャネルの上記第２部分の幅が両側に広がっている場合と同様に、受光部やトランスファゲート領域を狭くすることなく、垂直転送チャネルの取り扱い電荷量を増大させることができる。

以下、この発明の固体撮像装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。

図１は、この発明の固体撮像装置の一実施形態としてのプログレッシブ・スキャンタイプの２次元イメージセンサの平面レイアウトを示している。この２次元イメージセンサは、半導体基板表面に設定された矩形のイメージエリア９０内に、行列状に配列された複数の受光部（フォトダイオード）４と、受光部４の各列に沿って垂直方向（図１における上下方向）に延在する複数の垂直転送チャネル５とを備えている。受光部４は、垂直方向に関して所定のピッチＰＶで並んでいる。受光部４とともに垂直転送チャネル５は、水平方向（図１における左右方向）に関して所定のピッチＰＨで並んでいる。各垂直転送チャネル５の一端（図１における下端）は、図９に示した従来例におけるのと同様に、水平方向に延在する水平転送チャネルに接続されている。

また、受光部４と垂直転送チャネル５との間には、信号電荷を遮断し又は通過させるためのトランスファゲート領域６が設けられている。さらに垂直方向に並ぶ受光部４同士の間がそれぞれ画素分離領域７で分離されて、互いに信号電荷が混ざらないようになっている。よって、列方向に隣り合う二つの受光部間に位置し、それら二つの受光部と電気的に分離する領域が、画素分離領域７となる。

図３に拡大して示すように、垂直転送チャネル５上には、不純物含有多結晶シリコンからなる４相の垂直転送電極８，９，１０，１１の組が設けられている。図４は図３におけるＡ−Ａ′線断面を示している。９８は層間絶縁膜、９９は遮光膜を示している。なお、簡単のため、図３，図４中には垂直転送電極を実質的に１組だけ示しているが、実際には、この組と同じものが受光部４と同ピッチＰＶで垂直方向に多数設けられている。各垂直転送電極８，９，１０，１１は、一部互いにオーバラップしているが、垂直転送チャネル５に対して垂直方向に関して順に面して、それぞれ垂直転送チャネル５のうちの対応する部分のポテンシャルを制御するようになっている。なお、垂直転送電極８は、受光部４から垂直転送チャネル５に信号電荷を読み出すためのトランスファゲート電極を兼ねている。

図１中で垂直転送チャネル５を区切る破線は、垂直転送チャネル５のうちのそれぞれ垂直転送電極８，９，１０，１１に対応する部分の境界を示している。垂直転送チャネル５のうち受光部４の横に相当する第１部分５ａは複数の垂直転送電極１１，８，９に対応している。垂直転送チャネル５のうち画素分離領域７の横に相当する第２部分５ｂは一つの垂直転送電極１０に対応している。

注目すべきは、垂直転送チャネル５の第１部分５ａと第２部分５ｂとにおいて、第１部分５ａの幅Ｗ０に比して第２部分５ｂの幅Ｗ１が広く、第１部分５ａは行方向に受光部４と並び、第２部分５ｂは行方向に画素分離領域７と並んでいることである。すなわち、受光部４の横に相当する第１部分５ａの幅Ｗ０に比して、画素分離領域７の横に相当する第２部分５ｂの幅Ｗ１が広くなっていることである。垂直転送チャネル５の幅は、第２部分５ｂ（垂直転送電極１０に対応する部分）とその第２部分５ｂに対して転送方向上流側、下流側に隣り合う第１部分５ａ，５ａ（垂直転送電極９，１１に対応する部分）との間で、それぞれ連続的に変化している。なお、５ｃ，５ｄは垂直転送チャネル５の連続的に幅が変化している遷移領域（の輪郭）を表している。垂直転送電極９，１０の間の境界部は連続的に幅が変化している遷移領域５ｃ上にあり、垂直転送電極１０，１１の間の境界は遷移領域５ｄ上にある。なお、二つの垂直転送電極がオーバラップしている場合は、「境界部」は下側になっている垂直転送電極の端部に相当する。

また、垂直転送チャネル５のうち、垂直転送電極１０に対応する部分５ｂの転送方向に沿った長さＬ１は、垂直転送電極８，９，１１にそれぞれ対応する部分の転送方向に沿った長さＬ０よりも短くなっている。

この２次元イメージセンサは、基本的には従来例のものと同様に動作する。すなわち、動作時には、受光部４が入射光を信号電荷に変換して、一旦蓄積する。垂直転送電極８，９，１０，１１の組には、図示しない外部回路によって図５に示すような４相の転送信号（クロックパルス）φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４が印加される。この結果、受光部４が発生した信号電荷が、その受光部４に隣り合うトランスファゲート領域６を介して垂直転送チャネル５に読み出され、垂直転送チャネル５を通して垂直方向に水平転送チャネルへ向かって転送される。水平転送チャネルに転送された信号電荷は、図９に示した従来例におけるのと同様に、さらに水平転送チャネルを通して水平方向に転送され、水平転送チャネルの一端に接続された増幅器で増幅されて出力される。

ここで、この２次元イメージセンサは、図１中に示したように、垂直転送チャネル５のうち受光部４の横に相当する第１部分５ａの幅Ｗ０に比して、垂直転送チャネル５のうち画素分離領域７の横に相当する第２部分５ｂの幅Ｗ１が広くなっている。このように、垂直転送チャネル５の幅が一部分でも広くなっていれば、垂直転送チャネル５の幅が実質的に広がって、垂直転送チャネル５での取り扱い電荷量が増大する。しかも、垂直転送チャネル５の幅が広くなっている第２部分５ｂは画素分離領域７の横に相当する部分であるから、受光部４やトランスファゲート領域６の面積に影響を与えることがない。したがって、受光部４やトランスファゲート領域６を狭くすることなく、垂直転送チャネル５の取り扱い電荷量を増大させることができる。

また、垂直転送チャネル５の第２部分５ｂの幅Ｗ１が広げられると、ポテンシャルの底が広がったことに起因して、図２（ｂ）に示すように、垂直転送チャネル５の第２部分５ｂとその第２部分５ｂに対して隣り合う第１部分５ａとの間に、信号電荷に対するポテンシャルバリアΔψが発生し得る。なお、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ′線に沿ったポテンシャルに相当する。ここで、この２次元イメージセンサでは、既述のように、垂直転送チャネル５の幅は、第２部分５ｂ（垂直転送電極１０に対応する部分）とその第２部分５ｂに対して転送方向下流側に隣り合う第１部分５ａ（垂直転送電極１１に対応する部分）との間で、連続的に変化している。したがって、垂直転送チャネル５の幅がそれらの部分５ｂ，５ａ間で不連続（階段状）に変化する場合に比して、転送方向上流側から下流側へ転送される信号電荷に対するポテンシャルバリアΔψが低くなる。しかも、この２次元イメージセンサでは、垂直転送電極１０，１１の間の境界２１は遷移領域５ｄ上にある。したがって、例えば図６（ａ）に示すように、垂直転送電極１０，１１がミドルレベルの同電位にあるとき（図５中のタイミングｔ１に相当）は、垂直転送チャネル５の垂直転送電極１０，１１に対応する部分の間にポテンシャルバリアΔψが存在するが、図６（ｂ）に示すように、転送方向上流側の垂直転送電極１０に対する印加電圧よりも転送方向下流側の垂直転送電極１１に対する印加電圧が大きくなれば（図５中のタイミングｔ２に相当）、ポテンシャルバリアΔψは解消される。したがって、垂直転送不良の発生が抑えられ、信号電荷Ｑの転送が円滑に行われる。

また、図１中に示したように、垂直転送チャネル５のうち、垂直転送電極１０に対応する部分５ｂの転送方向に沿った長さＬ１は、垂直転送電極８，９，１１にそれぞれ対応する部分の転送方向に沿った長さＬ０よりも短くなっているので、垂直転送電極１０に対応する部分５ｂの幅Ｗ１が広いことによる占有面積の増大が抑制される。逆にその分だけ、垂直転送電極８，９，１１にそれぞれ対応する部分の長さＬ０を長くすることができる。トランスファゲート電極８（垂直転送電極８）の長さＬ０が長くなる事によって、受光部に蓄積された信号電荷を受光部から垂直転送チャネルに読み出す際の読出し電圧を低減できる。その結果、受光部４の蓄積容量を増大できる。このことは、固体撮像装置の小型化や高画素化に伴ってセルサイズが縮小された場合に、信号電荷量を確保するのに有益である。

なお、垂直転送電極１０に対応する部分５ｂのサイズＷ１，Ｌ１は、その部分５ｂの容量が垂直転送電極８に対応する部分の容量と同じになるように設定するのが望ましい。その理由は、垂直転送チャネルに信号電荷を蓄積する場合、最低２つの垂直転送電極に対応する部分で蓄積する為、例えば垂直転送電極１０，１１に対応する部分で蓄積した場合と垂直転送電極１１，８に対応する部分で蓄積した場合に、垂直転送電極８か１０に対応する部分の容量の少ない方で制限されてしまうためである。

また、図１の例では、垂直転送チャネル５のうち画素分離領域７の横に相当する第２部分５ｂの幅Ｗ１が両側に広くなっているが、これに限られるものではない。図７に示すように、垂直転送チャネル５の第２部分５ｂの幅（Ｗ２で示す。）は、垂直転送チャネル５の片側のみに広がっていても良い。この図７の例では、垂直転送チャネル５の第２部分５ｂの幅が右側のみに広がっているが、逆に左側のみに広がっていても良い。いずれの場合も、受光部４やトランスファゲート領域６を狭くすることなく、垂直転送チャネル５の取り扱い電荷量を増大させることができる。

この実施形態では、プログレッシブ・スキャンタイプの２次元イメージセンサについて説明したが、インターレーススキャンタイプなど、この発明は他の方式の固体撮像装置に広く適用することができる。

また、この実施形態では、４相駆動のものについて説明をしたが、もちろん、この発明は、４相駆動以外の３相駆動、６相駆動などのものにも、適応可能である。

また、この実施形態では、垂直転送チャネル５の幅は、第２部分５ｂ（垂直転送電極１０に対応する部分）とその第２部分５ｂに対して転送方向上流側、下流側に隣り合う第１部分５ａ，５ａ（垂直転送電極９，１１に対応する部分）との間５ｃ，５ｄで、それぞれ連続的に変化しているものについて説明したが、これに限られるものではない。図８に示すように、垂直転送チャネル５の幅は、第２部分５ｂ（垂直転送電極１０に対応する部分）とその第２部分５ｂに対して転送方向上流側、下流側に隣り合う第１部分５ａ，５ａ（垂直転送電極９，１１に対応する部分）との間５ｃｃ，５ｄｄで、それぞれ段階的に変化していても良い。いずれの場合も、したがって、連続的又は段階的に変化する遷移領域を信号電荷が通過する時、隣り合う二つの垂直転送電極のうち転送方向上流側の垂直転送電極に対する印加電圧よりも転送方向下流側の垂直転送電極に対する印加電圧を大きくすることによって、ポテンシャルバリアは解消され、垂直転送不良の発生が抑えられ、信号電荷の転送が円滑に行われる。なお、図８には、第２部分５ｂ（垂直転送電極１０に対応する部分）の幅が両側に広くなっているものをしめしたが、図７に示すように垂直転送チャネル５の片側のみに広がっていても良い。

この発明の固体撮像装置の一実施形態としてのプログレッシブ・スキャンタイプの２次元イメージセンサの平面レイアウトを示す図である。図２（ａ）は垂直転送チャネルを示す図であり、図２（ｂ）は垂直転送チャネルの幅が広い第２部分とその第２部分に対して隣り合う第１部分との間に生じるポテンシャルバリアΔψを示す図である。上記２次元イメージセンサの垂直転送電極を示す図である。図３におけるＡ−Ａ′線矢視断面図である。上記２次元イメージセンサの垂直転送電極に印加される４相のクロックパルスφＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４を示すタイミング図である。図６（ａ），図６（ｂ）はそれぞれ図５中のタイミングｔ１，ｔ２における垂直転送チャネルのポテンシャル分布を示す図である。上記２次元イメージセンサの変形例の平面レイアウトを示す図である。上記２次元イメージセンサの変形例の垂直転送チャネルを示す図である。従来の２次元イメージセンサの概略平面レイアウトを示す図である。上記従来の２次元イメージセンサの垂直転送電極を示す図である。トランスファゲート領域を狭くしたときの問題点を説明する図である。

符号の説明

４受光部
５垂直転送チャネル
６トランスファゲート領域
７画素分離領域
８，９，１０，１１垂直転送電極

Claims

半導体基板表面に行列状に配列された、入射光を信号電荷に変換する複数の受光部と、
上記半導体基板表面で上記受光部がなす各列に沿ってそれぞれ一方向に延在する垂直転送チャネルと、
上記垂直転送チャネル上に並べて設けられ、上記垂直転送チャネルを通して上記信号電荷を転送するように、それぞれ上記垂直転送チャネルのうち対応する部分のポテンシャルを制御する垂直転送電極の組とを備え、
列方向に並ぶ上記受光部同士の間がそれぞれ画素分離領域で分離され、
上記垂直転送チャネルは少なくとも第１部分と第２部分とを備え、上記第１部分の幅に比して上記第２部分の幅が広く、上記第１部分は行方向に上記受光部と並び、上記第２部分は行方向に上記画素分離領域と並び、
上記第２部分は一つの垂直転送電極に面し、
上記第１部分は複数の垂直転送電極に面し、
上記第２部分と、上記第１部分のうち各一つの垂直転送電極に対応する部分との容量が同じになるように、上記第２部分の長さは、上記第１部分のうち各一つの垂直転送電極に対応する部分の長さよりも短く設定されていることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１に記載の固体撮像装置において、
上記垂直転送チャネルの幅は、少なくとも上記第２部分とその第２部分に対して転送方向下流側に隣り合う第１部分との間で、連続的又は段階的に変化しており、
上記第２部分とその第２部分に対して転送方向下流側に隣り合う第１部分との間で上記垂直転送チャネルの幅が連続的に変化している遷移領域上に、上記垂直転送チャネル上で隣り合う二つの垂直転送電極の間の境界部が存在することを特徴とする固体撮像装置。
請求項１に記載の固体撮像装置において、
上記垂直転送チャネルの上記第２部分の幅は、片側のみに広がっていることを特徴とする固体撮像装置。