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JP4214294B2 - DC / DC converter - Google Patents
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JP4214294B2 - DC / DC converter - Google Patents

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JP4214294B2
JP4214294B2 JP2002272996A JP2002272996A JP4214294B2 JP 4214294 B2 JP4214294 B2 JP 4214294B2 JP 2002272996 A JP2002272996 A JP 2002272996A JP 2002272996 A JP2002272996 A JP 2002272996A JP 4214294 B2 JP4214294 B2 JP 4214294B2
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裕人 寺師
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば急激な負荷変動や短絡時において、負荷電流が増加して過電流状態に陥ったときに、負荷電流を強制的に制限してコンバータ内部の回路素子を保護する過電流保護機能を付加したDC/DCコンバータに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般にこの種のDC/DCコンバータにおいて、とりわけフライバックコンバータは、例えば特許文献1や特許文献2などに開示されるように、主スイッチング素子のオン期間中に一次巻線のインダクタンスにエネルギーを蓄積し、主スイッチング素子がオフになると、二次巻線から整流ダイオードを介して平滑コンデンサおよび負荷にエネルギーを供給するもので、トランスの二次側にある出力回路が、整流ダイオードと平滑コンデンサだけで構成され、回路構成が簡単であることから、数百W以下の電源装置に幅広く利用されている。
【0003】
特に最近の動向として、出力の低電圧大電流化が脚光を浴びてきているが、その場合はトランスの一次巻線と二次巻線との間の巻数比が大きくなり、それに伴ってトランスコアの漏れ磁束が増加する。この漏れ磁束を有効に利用したものとして、例えば上記特許文献1では、スイッチング素子のオフ時にトランスの一次巻線に生じるリーケージエネルギーをキャパシタに充電し、キャパシタの充電電圧をパルストランスに断続的に印加することで、別の小電力源を得るようにしている。
【0004】
【特許文献1】
特開平5−236738号公報
【特許文献2】
特開平11−98832号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のフライバックコンバータにおいては、負荷電流が増加して過電流状態に陥ったときに、負荷電流を強制的に制限してコンバータ内部の回路素子を保護する過電流保護機能を備えている。しかし、こうした過電流保護機能を実現するには、負荷電流を検出するカレントトランスなどの電流検出器と、電流検出器からの検出信号が所定のレベルに達したら、主スイッチング素子へのパルス駆動信号の導通幅を狭める過電流保護回路とを必要とするため、その設計が非常に複雑になるという問題を抱えていた。
【0006】
そこで本発明は、トランスの漏れインダクタンスを利用して、過電流保護の設計を簡単に行なうことができるDC/DCコンバータを提供することを、その第1の目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1におけるDC/DCコンバータは、上記目的を達成するために、スイッチング素子をスイッチングすることにより、トランスの一次巻線に入力電圧を断続的に印加し、このトランスの二次巻線に伝送されたエネルギーを負荷に出力電圧として供給するとともに、前記出力電圧を安定化させるために、前記スイッチング素子へのパルス駆動信号の導通時比率を可変制御する制御手段を備えたDC/DCコンバータにおいて、前記パルス駆動信号の導通時比率が増加するのに伴い、漏れインダクタンスに蓄えられていたエネルギーを放出する期間の時比率が増加するように、前記トランスを構成したものである。
【0008】
この場合、負荷電流が増加して出力電圧が低下すると、スイッチング素子がオンする期間の時比率を増加させるように制御を行なうが、トランスに意図的な漏れインダクタンスを持たせることによって、この漏れインダクタンスに蓄えられていたエネルギーを放出する期間の時比率が増加し、出力電圧が頭打ちとなる。そのため、専用の電流検出器や過電流保護回路を設けなくても、コンバータ内部において負荷電流を制限する自己限流作用を生じさせることができる。
【0009】
また、本発明の請求項1のDC/DCコンバータは、前記目的を達成するために、第1のダイオードおよび第1のスイッチング素子からなる直列回路と、第2のダイオードおよび第2のスイッチング素子からなる直列回路をそれぞれ直流電源に接続し、前記第1のダイオードおよび第1のスイッチング素子の接続点と、前記第2のダイオードおよび第2のスイッチング素子の接続点との間に、漏れインダクタンスが存在するトランスの一次巻線を接続し、負荷に出力電圧を供給する整流平滑回路を前記トランスの二次巻線に接続し、前記第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子が共にオンする第1の期間に、前記トランスにエネルギーを蓄え、その後前記第1のスイッチング素子だけがオンする第2の期間に、前記トランスに蓄えられたエネルギーを保持し、その後第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子が共にオフする第3の期間に、前記トランスに蓄えられたエネルギーを前記二次巻線から前記整流平滑回路に伝送するように構成し、固定したスイッチング周期で前記第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子をスイッチング動作させると共に、前記出力電圧に応じて前記第1の期間の時比率を可変制御する一方で、前記第3の期間の時比率を固定する制御手段を備えている。
【0010】
この場合、負荷電流が増加して出力電圧が低下すると、第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子が共にオンする期間の時比率を増加させるように制御を行なうが、トランスに意図的な漏れインダクタンスがあるため、この漏れインダクタンスに蓄えられていたエネルギーを放出する第3の期間の時比率が増加し、出力電圧が頭打ちとなる。そのため、とりわけ出力電圧の低電圧大電流化に伴いトランスの漏れ磁束が多くなるフライバック式のDC/DCコンバータにおいて、専用の電流検出器や過電流保護回路を設けなくても、トランスの漏れインダクタンスを上手く利用して、コンバータ内部において負荷電流を制限する自己限流作用を生じさせることができる。
【0011】
【発明の実施形態】
以下、本発明における好ましいDC/DCコンバータの一実施態様について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【0012】
回路全体の構成を示す図1において、1は直流入力電圧Vinをフライバックコンバータに供給する直流電源で、この直流電源1の両端間には、ダイオード2と第1のスイッチング素子であるMOS型FET(以下、単にFETという)3との直列回路が接続されると共に、第2のスイッチング素子であるFET11と別のダイオード12との直列回路が接続される。より具体的には、直流電源1のプラス側端子にダイオード2のカソードを接続し、このダイオード2のアノードとFET3のドレインを接続し、FET3のソースを接地された直流電源1のマイナス側端子に接続している。また、直流電源1のプラス側端子にFET11のドレインを接続し、このFET11のソースとダイオード12のカソードを接続し、ダイオード12のアノードを直流電源1のマイナス側端子に接続している。
【0013】
5は電力伝送用のトランスで、これは一次巻線5aと二次巻線5bが電磁気的に結合され、漏れ磁束に起因する一次側の漏洩インダクタンス4を一次巻線5aと直列に接続し、二次側の漏洩インダクタンス4bを二次巻線5bと直列に接続すると共に、励磁電流Imが流れる励磁インダクタンス7を一次巻線5aと並列に接続している。そして、漏洩インダクタンス4と、トランス5の一次巻線5aと、抵抗6の直列回路が、ダイオード2とFET3の接続点とFET11とダイオード12の接続点との間に接続される。
【0014】
一方、トランス5の二次巻線5bには、整流ダイオード8と平滑コンデンサ9からなる整流平滑回路が接続される。整流ダイオード8は、トランス5の一次巻線5aの非ドット側から電流が流れ込んでいるときに導通して、平滑コンデンサ9や、この平滑コンデンサ9の両端間に接続する負荷抵抗10にエネルギーを供給するものである。
【0015】
前記負荷抵抗10の両端間に発生する直流出力電圧Voを一定に保つための帰還ループとして、固定した周期でスイッチング動作する各FET3,11のパルス導通幅を、出力電圧Voに応じて可変制御する制御回路13が設けられる。ここでの制御回路13は、FET3,11を同時にターンオンさせた後、出力電圧Voに応じて変動するタイミングでFET11をFET3よりも先にターンオフさせ、FET3がターンオフしてから次にFET3,11が同時にターンオンする期間が一定となるように、各FET3,11にパルス駆動信号を供給するものである。これにより、双方のFET3,11のスイッチング周期と、共にオフする期間は、出力電圧Voの変動に拘らず一定となるが、出力電圧Voが低下するに従って、双方のFET3,11が共にオンする期間は増大し、FET3だけがオンする期間は減少する。逆に出力電圧Voが上昇した場合は、双方のFET3,11が共にオンする期間は減少し、FET3だけがオンする期間は増大する。こうして、トランス5に蓄えられるエネルギー量を調整することで、出力電圧Voの安定化を図っている。
【0016】
上記構成について、その動作を図2〜図4の各回路図と図5に示す波形図に基づき説明する。なお図2〜図4は、後述するエネルギー蓄積期間DT,エネルギー保持期間(1−DT−KT),エネルギー放電期間KTにおける電流の流れをそれぞれ示したものである。また図5は、上段よりFET3,11が共にオンする期間のゲート・ソース間電圧,FET3だけがオンする期間のゲート・ソース間電圧,抵抗6若しくは漏れインダクタンス4aを流れる一次電流Ip,トランス5の二次巻線5bを流れる二次電流Is,励磁インダクタンス7を流れる励磁電流Im,一次巻線5aのドット側に発生するトランス電圧Vpである。さらに、図5におけるTは、FET3,11のスイッチング周期を示し、状態1および状態2におけるエネルギー蓄積期間の時比率をD,状態4および状態5におけるエネルギー放電期間の時比率をKとする。したがって、エネルギー蓄積期間は時比率Dと周期Tとの積DTで表わされ、エネルギー放電期間は時比率Kと周期Tとの積KTで表わされ、状態3のエネルギー保持期間は、一周期の残りの時間(1−DT−KT)で表わされる。
【0017】
図5に示す状態1において、FET3およびFET11の各ゲートにH(高)レベルのパルス駆動信号が供給され、これらのFET3およびFET11が同時にターンオンすると、図2の実線で示すように、直流電源1→FET11→抵抗6→トランス5の一次巻線5aと励磁インダクタンス7→FET3の向きで一次電流Ipが流れるが、始めは図2の点線で示すように、トランス5の二次巻線5b側にある漏れインダクタンス4bによって、二次電流Isは直ちに零にはならず、反対方向に流れる一次電流Ipとコミュテーションすなわち打ち消されながら減少する。そして、漏れインダクタンス4bのエネルギーがダイオード8および一次巻線5aを介して全て放出され、二次電流Isが零になると、図5に示す状態2に移行し、引き続き直流電源1→FET11→抵抗6→トランス5の一次巻線5aと励磁インダクタンス7→FET3の向きで一次電流Ipが流れる。このとき、ダイオード8は非導通となるため、二次電流Isは零のままとなる。この状態1および状態2は、トランス5の励磁インダクタンス7にエネルギーが蓄積されるエネルギー蓄積期間DTとなる。
【0018】
その後、図5に示す状態3において、FET11のゲートにLレベルのパルス駆動信号を供給し、FET11のみターンオフさせると、今度はトランス5の励磁インダクタンス7を流れる励磁電流Imによって、ダイオード12およびFET3を通して、FET11がターンオフする直前の一次電流Ipを一定に流し続けようとする慣性が作用し、励磁インダクタンス7に蓄えられたエネルギーが保持される。ここでの一次電流Ipの流れは、図3の実線で示されている。したがって状態3は、励磁インダクタンス7のエネルギーを保持するエネルギー保持期間(1−DT−KT)となる。
【0019】
続く図5に示す状態4において、FET3のゲートにもLレベルのパルス駆動信号を供給し、双方のFET3,11をオフ状態にすると、図4の実線に示すように、トランス5の漏れインダクタンス4aにより、ダイオード12→抵抗6→トランス5の一次巻線5a→ダイオード2→直流電源1の向きで一次電流Ipが流れ、一次電流Ipと二次電流Isがコミュテーションされながら、直流電源1に漏れインダクタンス4aのエネルギーが回生する。
【0020】
そして、漏れインダクタンス4aのエネルギーが全て放出して、その回生電流(すなわち一次電流Ip)が零になると、図5に示す状態5に移行し、励磁インダクタンス7を流れる励磁電流Imが一次巻線5aから二次巻線5bに伝送され、励磁インダクタンス7に蓄えられていたエネルギーが、ダイオード8を介して平滑コンデンサ9や負荷抵抗10に供給される。従って、この状態4および状態5は、トランス5の漏れインダクタンス4aや励磁インダクタンス7に蓄えられていたエネルギーが放出するエネルギー放出期間KTに相当する。本実施例では、このエネルギー放出期間KTを固定値Kに設定している。
【0021】
ここで、所定の漏れインダクタンス4a,4bが存在する本実施例のフライバックコンバータにおける入出力電圧変換比Mnと、従来方式の漏れインダクタンスが実質上存在しない一般的なフライバックコンバータにおける入出力電圧変換比Mcの各関係式を、数1および数2に示す。なお、本実施例に適用する数1の関係式は、拡張状態平均化法を用いて求めたものである。
【0022】
【数1】

Figure 0004214294
【0023】
【数2】
Figure 0004214294
【0024】
なお、上記数1において、Dはエネルギー蓄積期間の時比率,Kはエネルギー放電期間の時比率,kはトランス5の結合係数,Jは状態1の電流コミュテーション期間における時比率,Fは状態4の電流コミュテーション期間における時比率である。また数2において、Dはエネルギー蓄積期間の時比率,D’はエネルギー放電期間の時比率(D’=1−D)である。
【0025】
また上記数1において、漏れインダクタンス4a,4bの一周期にわたる電圧時間積が零である条件から、2つの電流コミュテーション期間における時比率J,Fの関係式は、次の数3にて表わせる。
【0026】
【数3】
Figure 0004214294
【0027】
さらに、内部損失がないものと仮定した場合の負荷抵抗10の一次換算値Rを、数4に示す。なお、ここでのTはFET3,11のスイッチング周期であり、またLはトランス5の自己インダクタンスである。
【0028】
【数4】
Figure 0004214294
【0029】
上記数1,数3および数4の各関係式に基づき、K=0.5,k=0.98,R=30Ωを代入した場合の入出力電圧変換比Mnと、2つの電流コミュテーション期間における時比率J,Fの各計算値を、図6のグラフにそれぞれ示す。なお比較のために、図6には数2で求めた従来の入出力電圧変換比Mcも示してある。
【0030】
上記数式や図6からも明らかなように、本実施例のような漏れインダクタンス4a,4bが存在する場合は、漏れインダクタンスが存在しない従来方式の回路例に比べて入出力電圧変換比Mnが低下し、かつ負荷抵抗10によって入出力電圧変換比Mnが変化することがわかる。特に、FET3,11を共にオンする期間のデユーティすなわち時比率Dが増加するに従って、状態1の電流コミュテーション期間における時比率Jの増加割合が大きくと共に、状態4の電流コミュテーション期間における時比率Fの増加割合が著しく大きくなる。とりわけ時比率Fの増加割合が大きくなる領域では、数1より入出力電圧変換比Mnの増加割合が小さくなり、時比率Dによって出力電圧Voを制御できなくなる自己限流作用を生じる。ここで、最大時比率Dmaxで制限した場合の自己垂下特性を図7に示す。
【0031】
図6および図7には、実験に用いたフライバックコンバータの測定値も示してある(四角のプロットを参照)。このフライバックコンバータのスイッチング周波数fsは300kHz,出力側にある平滑コンデンサ9の静電容量Coは72μF,自己インダクタンスLは57μH,一次巻線5aと二次巻線5bとの巻数比Nは9,入力電圧Vinは60V,出力電圧Voは3.3V,負荷抵抗10の抵抗値RLは0.37Ω(一次換算値Rは30Ω)である。なお、図7の測定値は、最大時比率Dmax=0.25とした場合の垂下特性をプロットしたものである。図6および図7のいずれの測定結果においても、計算値とほぼ一致していて解析の妥当性が確認されている。
【0032】
因みに、従来方式のフライバックコンバータにおいて、入出力電圧変換比Mcは出力電圧Voと入力電圧Vinとの比だけで決定され、負荷抵抗10には無関係である。したがって、負荷抵抗10の抵抗値が急激に変動したり短絡して過電流状態に陥っても、フライバックコンバータ内部での自己限流作用は生じない。一方、本実施例におけるフライバックコンバータは、負荷電流が増加して出力電圧Voが低下すると、制御手段に相当する制御回路13により、FET3,11が共にオンする期間の時比率Dを増加させるように制御を行なうが、トランス5の漏れインダクタンス4a,4bの存在により、これらの漏れインダクタンス4a,4bに蓄えられていたエネルギーを放出する期間、すなわちトランス5の一次側と二次側で電流がコミュテーションする期間の時比率F,Jが増加し、入出力電圧変換比Mnひいては出力電圧Voが頭打ちとなる。そのため、専用の電流検出器や過電流保護回路を設けなくても、フライバックコンバータ内部において負荷電流を制限する自己限流作用が生じ、こうした効果を利用することで、過電流保護機能の設計を非常に簡単に実現することができる。
【0033】
以上のように本実施例では、スイッチング素子であるFET3,11をスイッチングすることにより、トランス5の一次巻線5aに入力電圧Vinを断続的に印加し、このトランス5の二次巻線5bに伝送されたエネルギーを負荷である負荷抵抗10に出力電圧Voとして供給するとともに、この出力電圧Voを安定化させるために、FET3,11へのパルス駆動信号の導通時比率Dを可変制御する制御手段としての制御回路13を備えたDC/DCコンバータにおいて、FET3,11へのパルス駆動信号の導通時比率Dが増加するのに伴い、漏れインダクタンス4a,4bに蓄えられていたエネルギーを放出する期間の時比率F,Jが増加するように、トランス5を構成している。
【0034】
この場合、負荷電流が増加して出力電圧Voが低下すると、FET3,11がオンする期間の時比率Dを増加させるように制御を行なうが、トランス5に意図的な漏れインダクタンス4a,4bを持たせることによって、この漏れインダクタンス4a,4bに蓄えられていたエネルギーを放出する期間の時比率F,Jが増加し、出力電圧Voが頭打ちとなる。そのため、専用の電流検出器や過電流保護回路を設けなくても、コンバータ内部において負荷電流を制限する自己限流作用が生じる。したがって、トランス5の漏れインダクタンス4a,4bを利用して、過電流保護の設計を簡単に行なうことができる。
【0035】
また本実施例では、第1のダイオード2および第1のスイッチング素子であるFET3からなる直列回路と、第2のダイオード12および第2のスイッチング素子であるFET11からなる直列回路をそれぞれ直流電源1に接続し、第1のダイオード2およびFET3の接続点と、第2のダイオード12およびFET11の接続点との間に、漏れインダクタンス4a,4bが存在するトランス5の一次巻線5aを接続し、負荷である負荷抵抗10に出力電圧を供給する整流平滑回路(整流ダイオード8および平滑コンデンサ9)をトランス5の二次巻線5bに接続し、FET3,11が共にオンする第1の期間(状態1,2)に、トランス5にエネルギーを蓄え、その後FET3だけがオンする第2の期間(状態3)に、トランス5に蓄えられたエネルギーを保持し、その後FET3,11が共にオフする第3の期間(状態4,5)に、トランス5に蓄えられたエネルギーを二次巻線5bから整流平滑回路に伝送するように構成し、固定したスイッチング周期でFET3,11をスイッチング動作させると共に、出力電圧Voに応じて第1の期間の時比率Dを可変制御する一方で、第3の期間の時比率Kを固定する制御手段としての制御回路13を備えている。
【0036】
この場合、負荷電流が増加して出力電圧Voが低下すると、FET3,11が共にオンする期間の時比率Dを増加させるように制御を行なうが、トランス5に意図的な漏れインダクタンス4a,4bがあるため、この漏れインダクタンス4a,4bに蓄えられていたエネルギーを放出する第3の期間の時比率J,Fが増加し、出力電圧Voが頭打ちとなる。そのため、とりわけ出力電圧Voの低電圧大電流化に伴いトランス5の漏れ磁束が多くなるフライバック式のDC/DCコンバータにおいて、専用の電流検出器や過電流保護回路を設けなくても、トランス5の漏れインダクタンス4a,4bを上手く利用して、コンバータ内部において負荷電流を制限する自己限流作用を生じさせることができる。したがって、フライバック式のDC/DCコンバータにおけるトランス5の漏れインダクタンス4a,4bを利用して、過電流保護の設計を簡単に行なうことができる。
【0037】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、実施例ではフライバックコンバータについて説明したが、他の例えばフォワードコンバータや、ハーフブリッジコンバータ,フルブリッジコンバータ等にも適用することができる。またスイッチング素子は、実施例におけるMOS型FETに限らず、例えばトランジスタなどを利用してもよい。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の請求項1のDC/DCコンバータにより、トランスの漏れインダクタンスを利用して、過電流保護の設計を簡単に行なうことができる。
【0039】
また、本発明の請求項1のDC/DCコンバータは、トランスの漏れインダクタンスを利用して、過電流保護の設計を簡単に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の一例を示すDC/DCコンバータの回路図である。
【図2】同上、エネルギー蓄積期間の電流の流れを表わした図1の回路図である。
【図3】同上、エネルギー保持期間の電流の流れを表わした図1の回路図である。
【図4】同上、エネルギー放電期間の電流の流れを表わした図1の回路図である。
【図5】同上、各部の波形図である。
【図6】同上、入出力電圧変換比と、2つの電流コミュテーション期間における時比率の各計算値と測定値を示すグラフである。
【図7】同上、最大時比率で制限した場合の自己垂下特性を示すグラフである。
【符号の説明】
2 第1のダイオード
3 FET(スイッチング素子,第1のスイッチング素子)
4a,4b 漏れインダクタンス
5 トランス
8 整流ダイオード(整流平滑回路)
9 平滑コンデンサ(整流平滑回路)
11 FET(スイッチング素子,第2のスイッチング素子)
12 第2のダイオード
13 制御回路(制御手段)[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides an overcurrent protection function for forcibly limiting the load current and protecting circuit elements inside the converter when the load current increases and falls into an overcurrent state, for example, during a sudden load fluctuation or short circuit. It is related with the DC / DC converter which added.
[0002]
[Prior art]
In general, in this type of DC / DC converter, in particular, a flyback converter stores energy in the inductance of the primary winding during the ON period of the main switching element, as disclosed in, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2. When the main switching element is turned off, energy is supplied from the secondary winding to the smoothing capacitor and load via the rectifier diode, and the output circuit on the secondary side of the transformer consists of only the rectifier diode and the smoothing capacitor. Since the circuit configuration is simple, it is widely used for power supply devices of several hundred watts or less.
[0003]
In particular, as a recent trend, low-voltage and large-current output has attracted attention. In that case, the turns ratio between the primary and secondary windings of the transformer has increased, and accordingly, the transformer core The leakage magnetic flux increases. For example, in Patent Document 1 described above, the leakage energy generated in the primary winding of the transformer when the switching element is turned off is charged in the capacitor, and the charging voltage of the capacitor is intermittently applied to the pulse transformer. By doing so, another low power source is obtained.
[0004]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 5-236738 [Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 11-98832
[Problems to be solved by the invention]
By the way, the above flyback converter has an overcurrent protection function for forcibly limiting the load current and protecting the circuit elements inside the converter when the load current increases and falls into an overcurrent state. . However, in order to realize such an overcurrent protection function, a current detector such as a current transformer for detecting a load current and a pulse drive signal to the main switching element when the detection signal from the current detector reaches a predetermined level. In order to require an overcurrent protection circuit that narrows the conduction width, the design has become very complicated.
[0006]
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, a first object of the present invention is to provide a DC / DC converter in which overcurrent protection can be easily designed using the leakage inductance of a transformer.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a DC / DC converter according to claim 1 of the present invention intermittently applies an input voltage to a primary winding of a transformer by switching a switching element. DC / DC provided with control means for variably controlling the conduction time ratio of the pulse drive signal to the switching element in order to supply the energy transmitted to the line as an output voltage to the load and to stabilize the output voltage In the converter, the transformer is configured such that the time ratio of the period for discharging the energy stored in the leakage inductance increases as the conduction ratio of the pulse drive signal increases.
[0008]
In this case, when the load current increases and the output voltage decreases, control is performed so as to increase the time ratio of the period during which the switching element is turned on, but this leakage inductance is provided by providing the transformer with an intentional leakage inductance. The time ratio of the period during which the energy stored in is released increases, and the output voltage reaches its peak. Therefore, a self-current limiting action for limiting the load current can be generated inside the converter without providing a dedicated current detector or overcurrent protection circuit.
[0009]
In order to achieve the above object, a DC / DC converter according to claim 1 of the present invention includes a series circuit including a first diode and a first switching element, a second diode and a second switching element. Each series circuit is connected to a DC power source, and a leakage inductance exists between the connection point of the first diode and the first switching element and the connection point of the second diode and the second switching element. A first rectifying / smoothing circuit that supplies an output voltage to a load is connected to a secondary winding of the transformer, and both the first switching element and the second switching element are turned on. Energy is stored in the transformer during a period of time, and then in the transformer during the second period when only the first switching element is turned on. The energy stored in the transformer is transmitted from the secondary winding to the rectifying / smoothing circuit in a third period in which the obtained energy is retained and then both the first switching element and the second switching element are turned off. The first switching element and the second switching element are switched in a fixed switching cycle, and the time ratio of the first period is variably controlled according to the output voltage, Control means for fixing the duty ratio of the third period is provided.
[0010]
In this case, when the load current increases and the output voltage decreases, the control is performed so as to increase the time ratio of the period in which both the first switching element and the second switching element are turned on. Since there is an inductance, the time ratio of the third period for releasing the energy stored in the leakage inductance increases, and the output voltage reaches a peak. Therefore, especially in flyback DC / DC converters where the leakage flux of the transformer increases as the output voltage becomes lower and the current increases, the leakage inductance of the transformer can be obtained without providing a dedicated current detector or overcurrent protection circuit. Can be used to generate a self-current limiting action that limits the load current within the converter.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a preferred embodiment of a DC / DC converter according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0012]
In FIG. 1 showing the configuration of the entire circuit, reference numeral 1 denotes a DC power supply for supplying a DC input voltage Vin to a flyback converter. Between the ends of the DC power supply 1, a diode 2 and a MOS type FET as a first switching element are provided. A series circuit with 3 (hereinafter simply referred to as FET) is connected, and a series circuit with FET 11 serving as the second switching element and another diode 12 is connected. More specifically, the cathode of the diode 2 is connected to the plus side terminal of the DC power source 1, the anode of the diode 2 and the drain of the FET 3 are connected, and the source of the FET 3 is connected to the minus side terminal of the DC power source 1 grounded. Connected. Further, the drain of the FET 11 is connected to the plus side terminal of the DC power source 1, the source of the FET 11 and the cathode of the diode 12 are connected, and the anode of the diode 12 is connected to the minus side terminal of the DC power source 1.
[0013]
Reference numeral 5 denotes a transformer for power transmission. The primary winding 5a and the secondary winding 5b are electromagnetically coupled, and the primary side leakage inductance 4 due to the leakage magnetic flux is connected in series with the primary winding 5a. The secondary side leakage inductance 4b is connected in series with the secondary winding 5b, and the excitation inductance 7 through which the excitation current Im flows is connected in parallel with the primary winding 5a. A series circuit of the leakage inductance 4, the primary winding 5a of the transformer 5, and the resistor 6 is connected between the connection point of the diode 2 and the FET 3 and the connection point of the FET 11 and the diode 12.
[0014]
On the other hand, a rectifying and smoothing circuit including a rectifying diode 8 and a smoothing capacitor 9 is connected to the secondary winding 5 b of the transformer 5. The rectifier diode 8 conducts when current flows from the non-dot side of the primary winding 5a of the transformer 5, and supplies energy to the smoothing capacitor 9 and the load resistor 10 connected between both ends of the smoothing capacitor 9. To do.
[0015]
As a feedback loop for keeping the DC output voltage Vo generated across the load resistor 10 constant, the pulse conduction width of the FETs 3 and 11 that perform switching operation at a fixed period is variably controlled according to the output voltage Vo. A control circuit 13 is provided. The control circuit 13 here turns on the FETs 3 and 11 at the same time, and then turns off the FET 11 before the FET 3 at a timing fluctuating according to the output voltage Vo. At the same time, pulse drive signals are supplied to the FETs 3 and 11 so that the turn-on period is constant. As a result, the switching period of both FETs 3 and 11 and the period during which both FETs are turned off are constant regardless of fluctuations in the output voltage Vo, but the period during which both FETs 3 and 11 are both turned on as the output voltage Vo decreases. Increases and the period during which only FET 3 is on decreases. Conversely, when the output voltage Vo rises, the period during which both FETs 3 and 11 are both on decreases and the period during which only FET 3 is on increases. Thus, the output voltage Vo is stabilized by adjusting the amount of energy stored in the transformer 5.
[0016]
The operation of the above configuration will be described based on the circuit diagrams of FIGS. 2 to 4 and the waveform diagrams shown in FIG. 2 to 4 show current flows in an energy storage period DT, an energy holding period (1-DT-KT), and an energy discharge period KT, which will be described later. 5 shows the gate-source voltage during the period when both FETs 3 and 11 are turned on from the upper stage, the gate-source voltage during the period when only FET 3 is turned on, the primary current Ip flowing through the resistor 6 or the leakage inductance 4a, and the transformer 5 The secondary current Is flowing through the secondary winding 5b, the exciting current Im flowing through the exciting inductance 7, and the transformer voltage Vp generated on the dot side of the primary winding 5a. Further, T in FIG. 5 indicates the switching period of the FETs 3 and 11, and the time ratio of the energy storage period in the state 1 and the state 2 is D, and the time ratio of the energy discharge period in the state 4 and the state 5 is K. Therefore, the energy storage period is represented by the product DT of the duty ratio D and the period T, the energy discharge period is represented by the product KT of the duty ratio K and the period T, and the energy holding period in the state 3 is one period. For the remaining time (1-DT-KT).
[0017]
In the state 1 shown in FIG. 5, when a high (H) level pulse drive signal is supplied to the gates of the FET 3 and FET 11 and these FET 3 and FET 11 are turned on simultaneously, as shown by the solid line in FIG. → FET11 → resistor 6 → primary winding 5a of transformer 5 and exciting inductance 7 → primary current Ip flows in the direction of FET3. Initially, as indicated by the dotted line in FIG. Due to some leakage inductance 4b, the secondary current Is does not immediately become zero, but decreases while commutating with the primary current Ip flowing in the opposite direction. When all the energy of the leakage inductance 4b is released through the diode 8 and the primary winding 5a and the secondary current Is becomes zero, the state shifts to the state 2 shown in FIG. 5 and continues to the DC power source 1 → FET 11 → resistance 6 The primary current Ip flows in the direction of the primary winding 5a of the transformer 5 and the excitation inductance 7 → FET3. At this time, since the diode 8 becomes non-conductive, the secondary current Is remains zero. The states 1 and 2 are energy storage periods DT in which energy is stored in the excitation inductance 7 of the transformer 5.
[0018]
Thereafter, in the state 3 shown in FIG. 5, when an L level pulse drive signal is supplied to the gate of the FET 11 and only the FET 11 is turned off, this time, through the diode 12 and the FET 3 by the exciting current Im flowing through the exciting inductance 7 of the transformer 5. Inertia that keeps flowing the primary current Ip immediately before the FET 11 is turned off acts, and the energy stored in the exciting inductance 7 is held. The flow of the primary current Ip here is shown by a solid line in FIG. Therefore, the state 3 is an energy holding period (1-DT-KT) in which the energy of the exciting inductance 7 is held.
[0019]
In the subsequent state 4 shown in FIG. 5, when an L-level pulse drive signal is also supplied to the gate of the FET 3 and both FETs 3 and 11 are turned off, the leakage inductance 4a of the transformer 5 as shown by the solid line in FIG. As a result, the primary current Ip flows in the direction of the diode 12 → the resistor 6 → the primary winding 5a of the transformer 5 → the diode 2 → the DC power source 1 and leaks into the DC power source 1 while the primary current Ip and the secondary current Is are commutated. The energy of the inductance 4a is regenerated.
[0020]
When all the energy of the leakage inductance 4a is released and the regenerative current (that is, the primary current Ip) becomes zero, the state shifts to the state 5 shown in FIG. 5, and the exciting current Im flowing through the exciting inductance 7 is changed to the primary winding 5a. The energy transmitted to the secondary winding 5 b and stored in the exciting inductance 7 is supplied to the smoothing capacitor 9 and the load resistor 10 via the diode 8. Therefore, the state 4 and the state 5 correspond to the energy release period KT in which the energy stored in the leakage inductance 4a and the excitation inductance 7 of the transformer 5 is released. In this embodiment, the energy release period KT is set to a fixed value K.
[0021]
Here, the input / output voltage conversion ratio Mn in the flyback converter of the present embodiment in which the predetermined leakage inductances 4a and 4b exist, and the input / output voltage conversion in a general flyback converter in which the leakage inductance of the conventional method does not substantially exist. Equations 1 and 2 show the relational expressions of the ratio Mc. Note that the relational expression of Formula 1 applied to the present embodiment is obtained using the extended state averaging method.
[0022]
[Expression 1]
Figure 0004214294
[0023]
[Expression 2]
Figure 0004214294
[0024]
In Equation 1, D is the time ratio of the energy storage period, K is the time ratio of the energy discharge period, k is the coupling coefficient of the transformer 5, J is the time ratio in the current commutation period of state 1, and F is the state 4 Is the duty ratio in the current commutation period. In Equation 2, D is the time ratio of the energy storage period, and D ′ is the time ratio of the energy discharge period (D ′ = 1−D).
[0025]
Further, in the above equation 1, the relational expression of the time ratios J and F in the two current commutation periods can be expressed by the following equation 3 from the condition that the voltage time product over one cycle of the leakage inductances 4a and 4b is zero. .
[0026]
[Equation 3]
Figure 0004214294
[0027]
Furthermore, the primary conversion value R of the load resistor 10 assuming that there is no internal loss is shown in Equation 4. Here, T is the switching period of the FETs 3 and 11, and L is the self-inductance of the transformer 5.
[0028]
[Expression 4]
Figure 0004214294
[0029]
Based on the relational expressions of Equations (1), (3), and (4), the input / output voltage conversion ratio Mn when K = 0.5, k = 0.98, R = 30Ω is substituted, and the time ratio J in the two current commutation periods , F are shown in the graph of FIG. For comparison, FIG. 6 also shows a conventional input / output voltage conversion ratio Mc obtained by Equation 2.
[0030]
As is clear from the above formula and FIG. 6, when the leakage inductances 4a and 4b as in this embodiment are present, the input / output voltage conversion ratio Mn is lower than that of the conventional circuit example in which no leakage inductance exists. In addition, it can be seen that the input / output voltage conversion ratio Mn is changed by the load resistor 10. In particular, as the duty ratio of the FETs 3 and 11, that is, the duty ratio D increases, the increasing ratio of the duty ratio J in the current commutation period of the state 1 increases and the duty ratio F in the current commutation period of the state 4 increases. The rate of increase is significantly increased. In particular, in the region where the increase ratio of the time ratio F is large, the increase ratio of the input / output voltage conversion ratio Mn is smaller than that in Equation 1, and a self-current limiting action is generated in which the output voltage Vo cannot be controlled by the time ratio D. Here, FIG. 7 shows the self-sag characteristics when the maximum duty ratio Dmax is limited.
[0031]
6 and 7 also show the measured values of the flyback converter used in the experiment (see square plot). The switching frequency fs of this flyback converter is 300 kHz, the electrostatic capacity Co of the smoothing capacitor 9 on the output side is 72 μF, the self-inductance L is 57 μH, and the turns ratio N between the primary winding 5a and the secondary winding 5b is 9, The input voltage Vin is 60 V, the output voltage Vo is 3.3 V, and the resistance value RL of the load resistor 10 is 0.37Ω (the primary conversion value R is 30Ω). Note that the measured values in FIG. 7 are plots of drooping characteristics when the maximum duty ratio Dmax = 0.25. In both the measurement results of FIG. 6 and FIG. 7, the validity of the analysis is confirmed because it almost coincides with the calculated value.
[0032]
Incidentally, in the conventional flyback converter, the input / output voltage conversion ratio Mc is determined only by the ratio between the output voltage Vo and the input voltage Vin, and is irrelevant to the load resistor 10. Therefore, even if the resistance value of the load resistor 10 is suddenly changed or short-circuited to fall into an overcurrent state, the self-current limiting action inside the flyback converter does not occur. On the other hand, in the flyback converter in this embodiment, when the load current increases and the output voltage Vo decreases, the control circuit 13 corresponding to the control means increases the time ratio D during which both FETs 3 and 11 are turned on. However, due to the presence of the leakage inductances 4a and 4b of the transformer 5, the current is communicated between the primary side and the secondary side of the transformer 5 during the period in which the energy stored in the leakage inductances 4a and 4b is released. The time ratios F and J of the time period during which the signal is shifted increase, and the input / output voltage conversion ratio Mn and the output voltage Vo reach its peak. Therefore, even if a dedicated current detector and overcurrent protection circuit are not provided, a self-current limiting action that limits the load current occurs inside the flyback converter. By using these effects, the overcurrent protection function can be designed. It can be realized very easily.
[0033]
As described above, in this embodiment, by switching the FETs 3 and 11 which are switching elements, the input voltage Vin is intermittently applied to the primary winding 5a of the transformer 5, and the secondary winding 5b of the transformer 5 is applied. Control means for variably controlling the conduction time ratio D of the pulse drive signals to the FETs 3 and 11 in order to supply the transmitted energy to the load resistor 10 as a load as the output voltage Vo and to stabilize the output voltage Vo. In the DC / DC converter having the control circuit 13 as described above, as the conduction ratio D of the pulse drive signal to the FETs 3 and 11 increases, the energy stored in the leakage inductances 4a and 4b is released. The transformer 5 is configured so that the duty ratios F and J increase.
[0034]
In this case, when the load current increases and the output voltage Vo decreases, control is performed so as to increase the time ratio D of the period during which the FETs 3 and 11 are turned on, but the transformer 5 has intentional leakage inductances 4a and 4b. As a result, the time ratios F and J of the period for releasing the energy stored in the leakage inductances 4a and 4b increase, and the output voltage Vo reaches its peak. Therefore, even if a dedicated current detector and an overcurrent protection circuit are not provided, a self-current limiting action that limits the load current occurs inside the converter. Therefore, the overcurrent protection can be easily designed using the leakage inductances 4a and 4b of the transformer 5.
[0035]
In this embodiment, the DC power source 1 includes a series circuit composed of the first diode 2 and the first switching element FET3 and a series circuit composed of the second diode 12 and the second switching element FET11. The primary winding 5a of the transformer 5 having leakage inductances 4a and 4b is connected between the connection point of the first diode 2 and the FET 3 and the connection point of the second diode 12 and the FET 11, and the load A rectifying / smoothing circuit (rectifying diode 8 and smoothing capacitor 9) for supplying an output voltage to the load resistor 10 is connected to the secondary winding 5b of the transformer 5, and a first period during which both the FETs 3 and 11 are turned on (state 1) 2), energy is stored in the transformer 5 and then stored in the transformer 5 during the second period (state 3) in which only the FET 3 is turned on. The energy stored in the transformer 5 is transmitted from the secondary winding 5b to the rectifying / smoothing circuit in the third period (states 4 and 5) in which the FETs 3 and 11 are turned off. As a control means for switching the FETs 3 and 11 in a fixed switching cycle and variably controlling the time ratio D in the first period according to the output voltage Vo, while fixing the time ratio K in the third period. The control circuit 13 is provided.
[0036]
In this case, when the load current increases and the output voltage Vo decreases, control is performed so as to increase the time ratio D of the period during which both FETs 3 and 11 are turned on, but the transformer 5 has intentional leakage inductances 4a and 4b. Therefore, the time ratios J and F in the third period for releasing the energy stored in the leakage inductances 4a and 4b increase, and the output voltage Vo reaches a peak. Therefore, especially in a flyback type DC / DC converter in which the leakage magnetic flux of the transformer 5 increases as the output voltage Vo decreases and the current increases, even if a dedicated current detector and an overcurrent protection circuit are not provided, the transformer 5 By using the leakage inductances 4a and 4b, a self-current limiting action for limiting the load current can be generated inside the converter. Therefore, overcurrent protection can be designed easily by using the leakage inductances 4a and 4b of the transformer 5 in the flyback type DC / DC converter.
[0037]
In addition, this invention is not limited to the said Example, A various deformation | transformation is possible. For example, although the flyback converter has been described in the embodiment, the present invention can be applied to other forward converters, half bridge converters, full bridge converters, and the like. Further, the switching element is not limited to the MOS type FET in the embodiment, and for example, a transistor or the like may be used.
[0038]
【The invention's effect】
As described above, with the DC / DC converter according to the first aspect of the present invention, overcurrent protection can be easily designed using the leakage inductance of the transformer.
[0039]
Further, the DC / DC converter according to claim 1 of the present invention can easily design overcurrent protection by utilizing the leakage inductance of the transformer.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram of a DC / DC converter showing an example of an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram of FIG. 1 showing the flow of current during the energy storage period. FIG.
3 is a circuit diagram of FIG. 1 showing the flow of current during the energy holding period. FIG.
4 is a circuit diagram of FIG. 1 showing the flow of current during the energy discharge period. FIG.
FIG. 5 is a waveform diagram of each part of the above.
FIG. 6 is a graph showing input / output voltage conversion ratios and calculated values and measured values of duty ratios in two current commutation periods.
FIG. 7 is a graph showing the self-sag characteristics when the maximum duty ratio is limited.
[Explanation of symbols]
2 First diode 3 FET (switching element, first switching element)
4a, 4b Leakage inductance 5 Transformer 8 Rectifier diode (rectifier smoothing circuit)
9 Smoothing capacitor (rectifying smoothing circuit)
11 FET (switching element, second switching element)
12 Second diode
13 Control circuit (control means)

Claims (1)

第1のダイオードおよび第1のスイッチング素子からなる直列回路と、第2のダイオードおよび第2のスイッチング素子からなる直列回路をそれぞれ直流電源に接続し、前記第1のダイオードおよび第1のスイッチング素子の接続点と、前記第2のダイオードおよび第2のスイッチング素子の接続点との間に、漏れインダクタンスが存在するトランスの一次巻線を接続し、負荷に出力電圧を供給する整流平滑回路を前記トランスの二次巻線に接続し、前記第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子が共にオンする第1の期間に、前記トランスにエネルギーを蓄え、その後前記第1のスイッチング素子だけがオンする第2の期間に、前記トランスに蓄えられたエネルギーを保持し、その後第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子が共にオフする第3の期間に、前記トランスに蓄えられたエネルギーを前記二次巻線から前記整流平滑回路に伝送するように構成し、固定したスイッチング周期で前記第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子をスイッチング動作させると共に、前記出力電圧に応じて前記第1の期間の時比率を可変制御する一方で、前記第3の期間の時比率を固定する制御手段を備えたことを特徴とするDC/DCコンバータ。A series circuit composed of a first diode and a first switching element and a series circuit composed of a second diode and a second switching element are respectively connected to a DC power source, and the first diode and the first switching element A rectifying / smoothing circuit that connects a primary winding of a transformer having a leakage inductance between a connection point and a connection point of the second diode and the second switching element and supplies an output voltage to a load is connected to the transformer. In the first period in which both of the first switching element and the second switching element are turned on, energy is stored in the transformer, and then only the first switching element is turned on. The energy stored in the transformer is held for a period of 2, and then the first switching element and the second switching element are retained. In a third period in which both of the chucking elements are turned off, the energy stored in the transformer is transmitted from the secondary winding to the rectifying and smoothing circuit, and the first switching element and the fixed switching period The second switching element is configured to perform a switching operation, and includes a control unit that variably controls the time ratio of the first period according to the output voltage while fixing the time ratio of the third period. DC / DC converter characterized.
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