JP4237564B2 - Method for manufacturing slider pad of transducer cooperating with moving magnetic medium - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は移動する磁気媒体と共に用いられる磁気トランスデューサ(ヘッド)の分野に関し、更に具体的にはデータストレージシステムに於いて、移動媒体に対向するトランスデューサのエアーベアリング面を含むスライダー表面のパッドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来技術による典型的なヘッド・ディスクシステム10を図7に示す。磁気トランスデューサ20は、動作時にサスペンション13によって支持され、ディスク16上を浮動する。磁気トランスデューサは通常「ヘッド」又は「スライダー」と呼ばれ、磁気的な遷移を書き込む役割を担う素子(書き込みヘッド23)と、磁気的な遷移を読み出す役割を担う素子(読み出しヘッド12)から構成される。
【0003】
読み出しヘッド12から、及び書き込みヘッド23への電気信号は、サスペンション13に取り付けられたか又は組み込まれた導電路(リード線)14を流れる。通常二対の電気接続パッド(図示せず)が存在し、各対はそれぞれ読み出しヘッド12、書き込みヘッド23用である。ワイヤー又はリード線14がこれらのパッドに接続され、サスペンション13を通ってアーム回路(図示せず)に至るルートができる。
【0004】
ディスク16はスピンドル18に取り付けられ、スピンドル18はスピンドルモーター24によって駆動されて、ディスク16を回転させる。ディスク16はサブストレート26と、その上に形成された複数の薄膜21とから成る。薄膜21は強磁性材料を含み、書き込みヘッド23が情報がコード化された磁気的な遷移をそこに記録する。読み出しヘッド12はヘッド20のエアーベアリング面(ABS:air-bearing surface)の下をディスク16が回転するときに磁気的な遷移を読み取る。
【0005】
典型的な薄膜磁気トランスデューサ製造プロセスに於いては、多数のトランスデューサが1枚のウエハーから同時に形成される。基本的な構造が形成された後に、ウエハーは四分円状又は列形状にスライスされ、更にラッピングプロセス及び、従来技術であるリソグラフィーエッチング技術によってパッド構造の形成プロセスを行う。最後に列形状はスライスされて個別のトランスデューサになる。
【0006】
図8に示すように、磁気トランスデューサ20のABSは通常スライダー胴体から媒体方向に伸びたレール27の形状に形成され、これによって空気力学が決まり、ディスクの回転時又は静止時のいずれかにトランスデューサとディスクが接触した場合に接触面となるものである。ランディングパッド29或いはバンプがレール上及びABSの他の表面に形成され、レール27が静止したディスク表面と接触したときに生じる吸着を減少させる。
【0007】
図8ではほんの少しのパッド29しか示されていないが、レール上又はその付近に何百もの微小なパッドを存在させることができる。これらのパッドは通常レール表面へのレーザースポット加熱によって形成されるが、多層パッド構造を形成するためにフォトリソグラフィーも使用される。以下に述べる本発明はフォトリソグラフィーを用いてパッドを製造するプロセスについてである。
【0008】
パッドはフォトリソグラフィー技術により形成され、パッドの領域にボイドを持ったフォトレジストパターンが形成される。次にフォトレジストを含む全表面にパッド材料が膜形成される。フォトレジストが除去されると、フォトレジスト材料上に膜形成されたパッド材料は取り除かれ、フォトレジストのボイド部分のパッドが残される。フォトレジストは通常液体の溶剤を塗布し、その後ブラッシングすることにより取り除くことができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従来のフォトリソグラフィー技術の一つの問題は、パッド領域を取り囲むフォトレジストの側壁にパッド材料が堆積することにより、パッドの外縁部周辺にパッド材料の隆起部又はフェンスが形成される傾向があることである。このパッド材料のフェンスはディスクに損傷を与えることになりかねず、又砕けてその破片がディスクや、ドライブの中の他の部品に損傷を与える可能性がある。
【0010】
米国特許番号6,236,543号のHan他による「Durable Landing Pads for an Air-Bearing Slider(エアーベアリングスライダー用の耐久性あるランディングパッド)」では、典型的にはより高い応力を有する非常に硬い材料を使用したときに付随して起こりがちな、パッドに関する層間剥離問題を扱っている。この問題の解決法の一つとして、非常に硬い材料である四面体アモルファスカーボン(t-aC:tetrahedral amorphous carbon)のパッドを形成し、Si、SiC、SiO2或いはSi3N4のような応力緩和材料を少なくとも1層挟むことによって応力を緩和することが提唱されている。パッドの頂部を丸くするためにt-aCの回転式斜め蒸着が提案されており、これにより滑らかな隅部を形成することが可能になる。
【0011】
必要とされるのはフェンス構造を最小にした耐久性のあるスライダーパッドを製造する方法である。
【0012】
【課題を解決するための手段】
縁部にフェンスのないランディングパッドを有するトランスデューサの製造方法を以下に述べる。パッド形状とその位置は従来技術による方法を用いて、レール表面上或いはその付近に形成されたフォトレジスト中のボイドで決定される。パッド構造の最初の層は、垂直ビーム角を用いて、接着層又はシード層として膜形成されるのが好ましい。次の層はパッド層であり、この層はパッドトポグラフィーにより決められるように、従来技術に従って、垂直でない(傾斜した)角度で膜形成されるのが好ましい。最後のマスキング層はパッド層に垂直に膜形成され、次の灰化ステップで、異方性を持った保護の役目を果たす。
【0013】
垂直の膜形成プロセスはレジストのボイド側壁へのマスキング層やシード層材料の堆積を最少にする。このようにして、マスキング層を垂直に膜形成することにより、フェンス構造は平面構造部分よりもかなり薄いマスキング層及びシード層の材料を有することになる。パッド層の表面上のマスキング層の厚さは、その後、酸素プラズマで灰化する間にパッド層を保護するのに十分な厚さがあるべきであるが、パッド層のフェンス側壁のマスキング材料の厚さは、フェンスが灰化の間に保護されないように、十分薄いものでなければならない。マスキング層はその後の酸素プラズマの侵入を妨げる保護酸化物となる材料でなければならない。
【0014】
パッド用の材料各層が膜形成された後、レジストが機械的な研磨を含む方法(例えばソーダブラスト又は溶剤を使用した洗浄)で剥離されるのが好ましい。フォトレジスト材料を剥離した後、この構造は酸素を含むプラズマで灰化される。マスキング層はフェンス構造に対してパッド層の大部分ほどは保護しないので、灰化プロセスはパッド層のフェンス構造を取り除く。機械的な研磨は、フェンス上の薄いマスキングの断片を破損させることにより、フェンスの除去を更に確実にするものである。灰化の間にマスキング層の大部分が構造的には不連続で、自立できない酸化物に変化することが期待される。残存するマスキング材料や酸化物材料はスパッターエッチングにより除去され、この結果パッド層が露出し、フェンスは存在しなくなる。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明による接着層とパッド層は従来技術を用いて膜形成され、その結果上述のようにフォトレジストが除去されたときにフェンスとなる、側壁への材料の堆積が起こる。本発明はパッド層のフェンス除去に於いて、マスキング層の膜形成に対しては、実質的に入射角ゼロ度(基板平面に垂直な方向)を用いる。マスキング層が、例えば基板電圧バイアスによるイオンビームやスパッタリングのような方向依存性の大きな手段を用いて膜形成される場合、イオンビームに垂直な平面の膜形成速度はビームに平行な平面への膜形成速度に比してかなり大きくなる。この比率は典型的には約7対1になり得る。即ち実質的に垂直方向(垂直平面に対して0度)で膜形成した場合は、フェンスの側壁(ビームに並行)のマスキング層の厚さはパッド層表面(ビームに垂直)の厚さの約7分の1に過ぎない。
【0016】
つまり、マスキング層の厚さが、その下にあるパッド層の酸化を阻止するのには十分な厚さであるが、フェンスの「山脈」を酸素プラズマの攻撃に対して保護するには十分な厚さとはいえない場合、「使用可能範囲」が存在することを意味する。適正に動作するためのマスキング層の厚さの正確な限界は、膜形成装置の特性、使用する材料及び酸素プラズマ圧などのパラメーターに依存して変わってくるであろう。マスキング層の厚さの範囲は5〜50オングストロームのオーダーになると予想される。マスキング層とシード層が本発明により膜形成される場合、フェンスは不連続になるであろう。レジスト剥離から見た機械的な研磨は更に側壁のマスク層を弱めるが、パッド表面に対しては弱めることはない。パッド表面のマスクがより厚いこと、及びより程度は低いがフェンス形状が機械的な力により大きな側方のたわみを生じ易いという事実があるからである。酸素プラズマの照射(灰化)及び機械的なエロージョンは、側壁材料を自立できないスポンジ状の中空の酸化物(例えばSiOx)の断片にする。
【0017】
これに反して、もしイオンビーム蒸着やスパッタリングのビーム流が45度に設定されるか又は任意の他の無方向膜形成方式が用いられる場合は、パッド表面やフェンス表面は同じマスキング層の厚さを有し、同じマスキング効果を呈するであろう。もしマスキング材料の厚さが側壁でも平坦表面でも同様であるならば、灰化はパッド自体を取り除かずにフェンス材料を優先的に灰にして取り除く異方性効果を持たないであろう。最終的には使用可能範囲がかなり狭まるか、ゼロになるであろう。
【0018】
本発明の一実施例を図1を参照して説明する。ここではトランスデューサは図示はしないがパッド構造を有するスライダーに組み込まれている。図1は従来技術によって形成された複数の磁気トランスデューサを含むトランスデューサ20の一部を示している。フォトレジスト膜41間のボイドも従来技術によって形成されている。フォトレジスト膜41は、スライダー胴体を構成する材料から成る層43上に形成される。
【0019】
接着層44はフォトレジストとボイド上に膜形成される。炭素質のパッド材料と共に使用する接着層44はチタニウムやシリコンのような任意の炭化物形成材料であって良いが、シリコンがより適切である。これらの材料は灰化時に酸化する。さらに接着層44はマスキング層46の場合と同様の理由から垂直方向に蒸着されるのが望ましい。
【0020】
接着層44は次の機能層に比べると比較的薄く、接着に有効なだけの厚さがあれば十分であり、約10オングストローム以上の厚さがあれば良い。接着層の厚さは、他の層と同様に、スライダーが用いられるストレージシステムの設計要求を考慮して、実験的に決められる。設計要求の一つは、接着層を含んだパッドの全体厚さである。というのはこれがスライダーに組み込まれる磁気センサーと磁気記録媒体の間の間隔を制限するからである。
【0021】
パッド層45は接着層44の厚さよりもずっと厚く膜形成される。一般にパッド層の厚さは従来技術の原理に基づき、例えば吸着と耐摩耗性を最適化するように決定される。現行の設計では厚さ約150〜600オングストロームのパッド層が用いられている。パッドに好適な材料はダイアモンド状カーボン(DLC:diamond-like-carbon)である。カーボンは水素化合物でも窒素化合物であっても、他の機能的添加物を含んでいても良い。他の耐久性のある材料も、その材料が酸素プラズマ又は他のプラズマ中で灰化する間に十分蒸発する(即ち気相還元物を形成する)ものである限りは本発明の範囲として使用することができる。
【0022】
マスキング材料47を図1の膜形成プロセスに示す。マスキング材料47は、酸素に曝されたときに、密度の濃い、付着力ある酸化物を形成することにより保護するような材料が好ましい。シリコンが好適である。矢印は膜形成が、膜形成角シータ(θ)が小さい角度、即ち実質的に表面に直角(垂直な膜形成)になるように抑制されていることを示す。
【0023】
垂直な膜形成は膜形成される材料が側壁に堆積するのを最少にするために用いられる。垂直な膜形成はイオンビーム蒸着やバイアススパッタリングのような従来技術で実現できる。図2はマスキング層46が膜形成された後のABSの状態を示す。
【0024】
図3はフォトレジスト材料41が除去された後の構造を示す。フォトレジスト材料41は、機械的研磨、例えばソーダブラスト或いは溶剤を使用した洗浄により、フェンスを弱くしたり、減少させたりする技術によって剥離されるのが望ましい。
【0025】
図4は、図3のE1で表示された領域について、マスキング層46とパッド層45の縁部の微細構造/微細配置(micro-layout)をより明確に説明するために拡大した図である。隆起した構造部分46Fと45Fは前述の通り望ましくないフェンスである。図5はこの構造部分を酸素プラズマ中で灰化させた後の結果を示している。酸素は薄いフェンス構造の炭素を灰にし、レジスト除去の間の機械的エロージョンと共にフェンス全体を破壊し、その結果パッド層45の縁部に好適な、より丸みのある構造が得られる。
【0026】
パッドを保護するマスキング層は比較的厚く、保護酸化物を作り上げるので、パッド層45の連続的な被覆、及び保護の役を果たす。ここで説明した実施例では灰化ステップ前にレジストを剥離することが含まれているが、レジストを剥離する前に灰化しても同様な結果を達成することが期待される。図6はマスキング層46をスパッターエッチングで除去し、その結果、丸みのある縁部を持ったパッド層45が得られることを示している。状況に応じて、付加的なオーバーコート層がパッド及びスライダー表面上に膜形成されても良い。
【0027】
以上で明示した材料、厚さ値等以外の本発明を具体化するヘッドの層、構造や材料は従来技術に従うものとし、従来技術に従って製造される。
【0028】
ここで示した組成については、実際の実施例において不可避に存在する少量の不純物を考慮せずに説明したが、このことは当分野の熟練技術者の良く知るところである。
【0029】
本発明の実施例として、特定の具体例で説明したが、ここで述べた発明はこの具体例に限定されるものではなく、当技術の熟練技術者により本発明の範囲内で様々な変更や修正が行われることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるスライダーパッド構造に対するマスキング層の垂直な膜形成の説明図である。
【図2】本発明の一実施例による垂直の膜形成プロセス後のパッド構造の説明図である。
【図3】本発明の一実施例によるプロセスの間の、フォトレジストが剥離された後のパッド構造の製造状態を示す図である。
【図4】図3のE1と表示された領域の拡大図である。
【図5】酸素プラズマ灰化及び機械的研磨後の図3のE1と表示された領域の拡大図である。
【図6】本発明による、スパッターエッチング後の図5のE1と表示された領域の拡大図である。
【図7】ディスクドライブに於いてヘッドと関連部品との間の関係を示す従来技術の説明図である。
【図8】スライダーのエアーベアリング面に関する従来技術によるランディングパッド構造の説明図である。
【符号の説明】
20…トランスデューサ、41…フォトレジスト膜、43…スライダー胴体層、
44…接着層又はシード層、45…パッド層、46…マスキング層、
47…マスキング材料、44F,45F,46F…フェンス(隆起した構造部分)。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to the field of magnetic transducers (heads) for use with moving magnetic media, and more specifically, in a data storage system, a method of manufacturing a pad on a slider surface including an air bearing surface of a transducer facing the moving media. About.
[0002]
[Prior art]
A typical
[0003]
Electrical signals from the
[0004]
The
[0005]
In a typical thin film magnetic transducer manufacturing process, multiple transducers are formed simultaneously from a single wafer. After the basic structure is formed, the wafer is sliced into quadrants or rows, and a pad structure forming process is performed by a lapping process and a lithographic etching technique which is a conventional technique. Finally, the row shape is sliced into individual transducers.
[0006]
As shown in FIG. 8, the ABS of the
[0007]
Although only a
[0008]
The pad is formed by a photolithography technique, and a photoresist pattern having a void in the pad region is formed. Next, a pad material is formed on the entire surface including the photoresist. When the photoresist is removed, the pad material deposited on the photoresist material is removed, leaving a pad in the void portion of the photoresist. The photoresist can usually be removed by applying a liquid solvent and then brushing.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
One problem with conventional photolithographic techniques is that the pad material tends to deposit on the sidewalls of the photoresist surrounding the pad area, resulting in the formation of pad material ridges or fences around the outer edge of the pad. is there. This pad material fence can damage the disk and can break and the debris can damage the disk and other components in the drive.
[0010]
The “Durable Landing Pads for an Air-Bearing Slider” by Han et al. In US Pat. No. 6,236,543 typically used very hard materials with higher stresses. It deals with the delamination problem associated with the pad, which is sometimes accompanied. One solution to this problem is to form pads of tetrahedral amorphous carbon (t-aC), a very hard material, and stress such as Si, SiC, SiO 2 or Si 3 N 4 It has been proposed to relieve stress by sandwiching at least one layer of relaxation material. In order to round the top of the pad, t-aC rotational oblique deposition has been proposed, which makes it possible to form smooth corners.
[0011]
What is needed is a method of manufacturing a durable slider pad that minimizes the fence structure.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
A method for manufacturing a transducer having a landing pad without a fence at the edge is described below. The pad shape and its position are determined by voids in the photoresist formed on or near the rail surface using conventional methods. The first layer of the pad structure is preferably filmed as an adhesion layer or seed layer using a vertical beam angle. The next layer is a pad layer, which is preferably deposited at a non-perpendicular (tilted) angle according to the prior art, as determined by pad topography. The final masking layer is formed perpendicular to the pad layer and serves as an anisotropic protective layer in the next ashing step.
[0013]
The vertical film formation process minimizes the deposition of masking layer and seed layer material on the resist void sidewalls. In this way, by forming the masking layer vertically, the fence structure has a much thinner masking layer and seed layer material than the planar structure portion. The thickness of the masking layer on the surface of the pad layer should then be thick enough to protect the pad layer during ashing with oxygen plasma, but the masking material on the fence side wall of the pad layer The thickness must be thin enough so that the fence is not protected during ashing. The masking layer must be a material that will be a protective oxide that prevents subsequent oxygen plasma penetration.
[0014]
After each layer of the pad material is formed, the resist is preferably peeled off by a method including mechanical polishing (for example, cleaning using soda blast or a solvent). After stripping the photoresist material, the structure is ashed with a plasma containing oxygen. Since the masking layer does not protect the fence structure as much as the pad layer, the ashing process removes the pad layer fence structure. Mechanical polishing further ensures the removal of the fence by breaking thin masking pieces on the fence. During the ashing, it is expected that most of the masking layer is structurally discontinuous and changes to an unsupportable oxide. The remaining masking material and oxide material are removed by sputter etching, so that the pad layer is exposed and the fence is not present.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The adhesive and pad layers according to the present invention are formed using conventional techniques, resulting in the deposition of material on the sidewalls that will become the fence when the photoresist is removed as described above. The present invention uses a substantially zero incident angle (in a direction perpendicular to the substrate plane) for forming the masking layer in removing the pad layer fence. When the masking layer is formed by using a direction-dependent means such as ion beam or sputtering by a substrate voltage bias, for example, the film formation speed in a plane perpendicular to the ion beam is a film in a plane parallel to the beam. It becomes considerably larger than the formation speed. This ratio can typically be about 7 to 1. That is, when the film is formed in a substantially vertical direction (0 degree with respect to the vertical plane), the thickness of the masking layer on the side wall of the fence (parallel to the beam) is about the thickness of the pad layer surface (perpendicular to the beam). Only one-seventh.
[0016]
That is, the masking layer is thick enough to prevent oxidation of the underlying pad layer, but sufficient to protect the fence “mountains” against oxygen plasma attack. If it is not a thickness, it means that there is a “usable range”. The exact limit of masking layer thickness for proper operation will vary depending on parameters such as film forming device characteristics, materials used and oxygen plasma pressure. The thickness range of the masking layer is expected to be on the order of 5-50 Angstroms. If the masking layer and seed layer are filmed according to the present invention, the fence will be discontinuous. Mechanical polishing as seen from resist stripping further weakens the mask layer on the sidewalls, but not the pad surface. This is because the mask on the pad surface is thicker and, to a lesser extent, the fact that the fence shape is prone to large lateral deflections due to mechanical forces. Oxygen plasma irradiation (ashing) and mechanical erosion make the sidewall material into pieces of sponge-like hollow oxide (eg, SiOx) that cannot stand on its own.
[0017]
On the other hand, if the ion beam deposition or sputtering beam flow is set to 45 degrees or any other non-directional film formation method is used, the pad surface and the fence surface have the same masking layer thickness. And will exhibit the same masking effect. If the thickness of the masking material is the same on the sidewalls and flat surfaces, ashing will not have the anisotropic effect of preferentially ashing the fence material without removing the pad itself. Eventually the usable range will be much narrower or zero.
[0018]
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, although not shown, the transducer is incorporated in a slider having a pad structure. FIG. 1 shows a portion of a
[0019]
The
[0020]
The
[0021]
The
[0022]
Masking material 47 is shown in the film formation process of FIG. The masking material 47 is preferably a material that protects by forming a dense, adherent oxide when exposed to oxygen. Silicon is preferred. The arrow indicates that film formation is suppressed so that the film formation angle theta (θ) is small, ie, substantially perpendicular to the surface (perpendicular film formation).
[0023]
Vertical film formation is used to minimize the deposition of the film forming material on the sidewalls. Vertical film formation can be achieved by conventional techniques such as ion beam evaporation and bias sputtering. FIG. 2 shows the state of the ABS after the
[0024]
FIG. 3 shows the structure after the
[0025]
FIG. 4 is an enlarged view of the region indicated by E1 in FIG. 3 in order to more clearly describe the microstructure / micro-layout of the edges of the
[0026]
The masking layer that protects the pad is relatively thick and creates a protective oxide, thus serving as a continuous covering and protection for the
[0027]
The layers, structures and materials of the head embodying the present invention other than the materials, thickness values, etc. specified above shall be according to the prior art and manufactured according to the prior art.
[0028]
The composition shown here has been described without considering the small amount of impurities that are unavoidably present in practical examples, but this is well known to those skilled in the art.
[0029]
Although the present invention has been described by way of specific examples as examples of the present invention, the invention described herein is not limited to these specific examples, and various modifications and changes within the scope of the present invention by those skilled in the art. It is clear that a correction will be made.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view of forming a vertical masking layer on a slider pad structure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an illustration of a pad structure after a vertical film formation process according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 illustrates the manufacturing state of the pad structure after the photoresist is stripped during the process according to one embodiment of the present invention.
4 is an enlarged view of a region indicated as E1 in FIG. 3;
5 is an enlarged view of the region labeled E1 in FIG. 3 after oxygen plasma ashing and mechanical polishing.
6 is an enlarged view of the region labeled E1 of FIG. 5 after sputter etching according to the present invention.
FIG. 7 is an explanatory diagram of a prior art showing a relationship between a head and related parts in a disk drive.
FIG. 8 is an explanatory diagram of a landing pad structure according to the prior art relating to an air bearing surface of a slider.
[Explanation of symbols]
20 ... Transducer, 41 ... Photoresist film, 43 ... Slider body layer,
44 ... Adhesive layer or seed layer, 45 ... Pad layer, 46 ... Masking layer,
47 ... Masking material, 44F, 45F, 46F ... Fence (raised structure).
Claims (22)
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記ボイドの底部表面上よりも側壁上において、より薄くなるように接着層又はシード層を異方性をつけて形成するステップと、
前記スライダー胴体上に前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄く、異方性があるようにマスキング層を形成するステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を剥離するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記マスキング層と前記側壁上の接着層又はシード層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming voids having sidewalls in the photoresist material to determine the position and shape of the pads on the slider body;
Forming an adhesion layer or a seed layer with anisotropy so as to be thinner on the side wall than on the bottom surface of the void; and
Forming a fence on the side wall of the void on the slider body, and forming a pad layer having one surface;
Forming a masking layer to be thinner and anisotropic on the sidewall fence than on the surface of the pad layer;
Stripping the photoresist material to remove the pad layer and masking layer other than the voids;
Removing the fence from the pad layer by ashing;
Removing the masking layer and the adhesive or seed layer on the sidewall;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising:
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記スライダー胴体上に前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄く、異方性があるようにマスキング層を形成するステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を機械的な研磨により剥離するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。 Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming voids having sidewalls in the photoresist material to determine the position and shape of the pads on the slider body;
Forming a fence on the side wall of the void on the slider body, and forming a pad layer having one surface;
Forming a masking layer to be thinner and anisotropic on the sidewall fence than on the surface of the pad layer;
Peeling the photoresist material by mechanical polishing to remove the pad layer and masking layer other than the voids; and
Removing the fence from the pad layer by ashing;
Removing the masking layer;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising :
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記スライダー胴体上に前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄く、異方性があるようにマスキング層を形成するステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料をソーダブラストにより剥離するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。 Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming voids having sidewalls in the photoresist material to determine the position and shape of the pads on the slider body;
Forming a fence on the side wall of the void on the slider body, and forming a pad layer having one surface;
Forming a masking layer to be thinner and anisotropic on the sidewall fence than on the surface of the pad layer;
Stripping the photoresist material with soda blast to remove the pad layer and masking layer other than the voids;
Removing the fence from the pad layer by ashing;
Removing the masking layer;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising :
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側 壁を有するボイドを形成するステップと、
前記スライダー胴体上に前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄く、異方性があるようにマスキング層を形成するステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を溶剤を使用した洗浄により剥離するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。 Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming a void having a side wall in the photoresist material to define the position and shape of the pads on the slider body,
Forming a fence on the side wall of the void on the slider body, and forming a pad layer having one surface;
Forming a masking layer to be thinner and anisotropic on the sidewall fence than on the surface of the pad layer;
Stripping the photoresist material by cleaning with a solvent to remove the pad layer and masking layer other than the voids; and
Removing the fence from the pad layer by ashing;
Removing the masking layer;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising :
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記スライダー胴体上に前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄く、異方性があるようにマスキング層を形成するステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を剥離するステップと、
酸素を含んだプラズマに曝して灰化することにより前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。 Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming voids having sidewalls in the photoresist material to determine the position and shape of the pads on the slider body;
Forming a fence on the side wall of the void on the slider body, and forming a pad layer having one surface;
Forming a masking layer to be thinner and anisotropic on the sidewall fence than on the surface of the pad layer;
Stripping the photoresist material to remove the pad layer and masking layer other than the voids;
Removing the fence from the pad layer by ashing by exposure to a plasma containing oxygen;
Removing the masking layer;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising :
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記スライダー胴体上に前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するダイアモンド状カーボンのパッド層を形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄く、異方性があるようにマスキング層を形成するステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を剥離するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。 Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming voids having sidewalls in the photoresist material to determine the position and shape of the pads on the slider body;
Forming a fence on the side wall of the void on the slider body, and forming a diamond-like carbon pad layer having one surface;
Forming a masking layer to be thinner and anisotropic on the sidewall fence than on the surface of the pad layer;
Stripping the photoresist material to remove the pad layer and masking layer other than the voids;
Removing the fence from the pad layer by ashing;
Removing the masking layer;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising :
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記スライダー胴体上に前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄く、異方性があるように、保護酸化物形成材料のマスキング層を形成するステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を剥離するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。 Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming voids having sidewalls in the photoresist material to determine the position and shape of the pads on the slider body;
Forming a fence on the side wall of the void on the slider body, and forming a pad layer having one surface;
Forming a masking layer of protective oxide forming material to be thinner and more anisotropic on the sidewall fence than on the surface of the pad layer;
Stripping the photoresist material to remove the pad layer and masking layer other than the voids;
Removing the fence from the pad layer by ashing;
Removing the masking layer;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising :
前記スライダー胴体の表面にフォトレジスト材料を膜形成するステップと、
パッドの位置と形状を決めるために前記フォトレジスト材料中にボイドを形成するステップと、
前記フォトレジストとボイドの上に接着層又はシード層を垂直に膜形成するステップと、
パッド層を酸素プラズマに曝されたときに蒸発する第一の材料で前記接着層又はシード層の上に膜形成するステップと、
マスキング層を酸素プラズマに曝されたときに保護酸化物を形成する第二の材料で垂直に膜形成するステップと、
前記ボイド部以外にある前記接着層又はシード層、パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を剥離するステップと、
酸素を含むプラズマにより灰化することによって前記パッド層からフェンス材料を取り除くステップと、
前記マスキング層と前記ボイド内の接着層又はシード層とを取り除くステップと、
を有することを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。 Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming a photoresist material film on the surface of the slider body;
Forming voids in the photoresist material to determine the position and shape of the pads;
Forming an adhesive layer or seed layer vertically over the photoresist and void;
Forming a pad layer on the adhesion layer or seed layer with a first material that evaporates when exposed to oxygen plasma;
Vertically forming a masking layer with a second material that forms a protective oxide when exposed to oxygen plasma;
Stripping the photoresist material to remove the adhesive or seed layer, pad layer and masking layer other than the voids;
Removing the fence material from the pad layer by ashing with a plasma comprising oxygen;
Removing the masking layer and the adhesion layer or seed layer in the void;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising :
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記ボイドの底部表面上よりも前記側壁上においてより薄く、異方性があるように、炭化物形成材料の接着層又はシード層を形成するステップと、
前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を前記スライダー胴体上に膜形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄くなるマスキング層を異方性があるように膜形成するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレ ジスト材料を剥離するステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。 Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming voids having sidewalls in the photoresist material to determine the position and shape of the pads on the slider body;
Forming a carbide forming material adhesive layer or seed layer so that it is thinner and more anisotropic on the sidewalls than on the bottom surface of the void;
Forming a fence on the side wall of the void, and forming a pad layer having one surface on the slider body;
Forming an anisotropic masking layer that is thinner on the sidewall fence than on the pad layer surface; and
Removing the fence from the pad layer by ashing;
A step of removing the Fotore resist material to remove said pad layer and the masking layer is in other than the void portion,
Removing the masking layer;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising :
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を前記スライダー胴体上に膜形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄くなるマスキング層を異方性があるように膜形成するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を機械的な研磨により剥離するステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。 Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming voids having sidewalls in the photoresist material to determine the position and shape of the pads on the slider body;
Forming a fence on the side wall of the void, and forming a pad layer having one surface on the slider body;
Forming an anisotropic masking layer that is thinner on the sidewall fence than on the pad layer surface; and
Removing the fence from the pad layer by ashing;
Peeling the photoresist material by mechanical polishing to remove the pad layer and masking layer other than the voids; and
Removing the masking layer;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising :
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を前記スライダー胴体上に膜形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄くなるマスキング層を異方性があるように膜形成するステップと、
酸素を含んだプラズマに曝して灰化することにより前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を剥離するステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming voids having sidewalls in the photoresist material to determine the position and shape of the pads on the slider body;
Forming a fence on the side wall of the void, and forming a pad layer having one surface on the slider body;
Forming an anisotropic masking layer that is thinner on the sidewall fence than on the pad layer surface; and
Removing the fence from the pad layer by ashing by exposure to a plasma containing oxygen ;
Stripping the photoresist material to remove the pad layer and masking layer other than the voids;
Removing the masking layer;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising:
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を前記スライダー胴体上に膜形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄くなる酸化物形成材料のマスキング層を異方性があるように膜形成するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を剥離するステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。 Forming a slider body including a magnetic transducer;
Forming voids having sidewalls in the photoresist material to determine the position and shape of the pads on the slider body;
Forming a fence on the side wall of the void, and forming a pad layer having one surface on the slider body;
Forming an anisotropic masking layer of oxide-forming material that is thinner on the sidewall fence than on the surface of the pad layer; and
Removing the fence from the pad layer by ashing;
Stripping the photoresist material to remove the pad layer and masking layer other than the voids;
Removing the masking layer;
A method of manufacturing a slider pad of a magnetic transducer, comprising :
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