JP4248285B2

JP4248285B2 - High frequency generator

Info

Publication number: JP4248285B2
Application number: JP2003093164A
Authority: JP
Inventors: 慶久宮本; 貴之小林
Original assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-03-31
Filing date: 2003-03-31
Publication date: 2009-04-02
Anticipated expiration: 2023-03-31
Also published as: JP2004302729A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマプロセス用に使用される高周波発生装置に関するものであって、この高周波発生装置における制御手段に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の高周波発生装置を図５に示す。この高周波発生装置は高周波発信源１の出力信号とこの高周波発生装置の出力からフィードバックされた信号とを掛算する掛算器２を備えてある。この高周波発生装置は直流電源装置であるＤＣ−ＤＣコンバータ５を備え、このＤＣ−ＤＣコンバータ５から電力を供給するとともに、掛算器２より得られた信号を入力する高周波アンプ３を備えてある。また、この高周波アンプ３の電力を検出する高周波出力電力検出部４を備えてある。
【０００３】
ＤＣ−ＤＣコンバータ５には誤差増幅器８を接続してあり、この誤差増幅器８でＤＣ−ＤＣコンバータ５の出力電流検出信号と高周波アンプ３の直流入力電流制限値である基準電流９とを比較増幅するように構成してある。また、高周波出力電力検出部４にも誤差増幅器６を接続し、高周波出力電力検出部４で検出した電力検出信号と基準電力７とを比較増幅するように構成してある。さらに、これら誤差増幅器６，８は掛算器２に接続してある。この従来例は通常のＤＣ−ＤＣコンバータで採用している定電流制御といわれるもの（例えば、特許文献１参照）を高周波発生装置に応用したものである。
【０００４】
以上のように構成してある高周波発生装置は、通常、高周波出力電力検出部４から出力される出力電力信号と基準電力とを誤差増幅器６で比較増幅して、掛算器２に出力され、高周波出力電力検出信号は高周波出力電力設定値と同じになるように動作する。ＤＣ−ＤＣコンバータ５からの出力電流が増加し、ＤＣ−ＤＣコンバータ５の出力電流が高周波アンプ直流入力電流制限値を超えると、通常作動する誤差増幅器６は作動せず、ＤＣ−ＤＣコンバータ５に接続した誤差増幅器８が作動して、掛算器２に出力される。
【０００５】
この高周波発生装置の制御回路は、高周波発生装置の負荷変動により、高周波アンプ３の変換効率が大きく変化し、効率が悪化した際に、高周波アンプ３に使用されるバイポーラトランジスタやＦＥＴなどの半導体素子の接合部の温度上昇による破損を保護するために、入力の直流制限回路を設け、その値以上に電流が流れようとした場合、高周波出力電力を減少させるように制御してその値以上の電流が流れないように制御することで前記半導体素子の整合部の温度上昇を破損の保護をしていた。
【０００６】
【特許文献１】
米国特許第４９４３９０２号公報（第５−６頁、第２図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この制御回路では、半導体素子のジャンクション温度上昇により、半導体素子が破損することを防止するように電流制限回路だけを設けていたため、電流が多く流れても変換効率が悪化しない負荷条件のときにも、電流制御回路がはたらき、高周波出力電力を減少させる動作をし、出力を垂下させ、無用な保護動作をしていたという問題が生じた。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、出力電力の減少を防止する新規の直流電源装置を備えた高周波発生装置を提供する。
【０００９】
【課題を解決しようとする手段】
上記目的を達成するためになされた本発明は、電流が多く流れても変換効率が悪化しない負荷条件のときに、高周波出力電力を減少させる動作をせず、高周波アンプの電力損失が一定値以上にならないように制限することで、半導体素子のジャンクション温度上昇による半導体素子の破損を防止することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を用いて本発明高周波発生装置に係る実施例を説明する。本発明に係る高周波発生装置の第一実施例を図１に示し、その要部の回路図を図２に示す。１は高周波発信源、２は掛算器、３は高周波アンプ、４は高周波出力電力検出部、５はＤＣ−ＤＣコンバータ、６は誤差増幅器、７は基準電力、１０はロスリミッタ回路である。
【００１１】
この実施例に係る高周波発生装置は、高周波発信源１の出力信号とこの高周波発生装置の出力からフィードバックされた信号とを掛算する掛算器２を備えてある。この高周波発生装置はＤＣ−ＤＣコンバータ５を備え、このＤＣ−ＤＣコンバータ５から電力を供給するとともに、掛算器２より得られた信号を入力する高周波アンプ３を備えてある。また、この高周波アンプ３の電力を検出する高周波出力電力検出部４を備えてある。また、この高周波出力電力検出部４はロスリミッタ回路１０に接続してある。
【００１２】
ＤＣ−ＤＣコンバータ５にはロスリミッタ回路１０を接続してある。このロスリミッタ回路１０の回路構成を図２に示す。このロスリミッタ回路１０は、ＤＣ−ＤＣコンバータ５の出力電圧と出力電流とを検出し、これらを掛算する掛算器１１を設けてある。この掛算器１１により得られた電力を高周波出力電力検出部４で検出した高周波出力電力と比較する第一の差動アンプ１２を設けてある。また、このロスリミッタ回路１０は第二の差動アンプ１３を備え、第一の差動アンプ１２で高周波アンプ３の損失電力を検出し、この損失電力を基準電力１４と第二の差動アンプ１３で比較し、損失電力が基準電力を超えようとしたときに、このロスリミッタ回路１０が掛算器２を作動させ、高周波出力電力を減少させる制御を行うように構成してある。
【００１３】
また、高周波出力電力検出部４に接続してある誤差増幅器６の負の入力端子で高周波出力電力検出部４から得られた高周波出力電力検出信号を入力し、この誤差増幅器６の正の入力端子で高周波発生装置の基準電力信号を入力し、この誤差増幅器６で比較増幅して、ロスリミッタ回路１０の出力信号がこの誤差増幅器６で得られた増幅信号より高い値を示すときに、ロスリミッタ回路１０が掛算器２に作用するように構成してある。
【００１４】
実施例は以上のように構成し、以下のような作用をする。この高周波発生装置は、通常、高周波出力電力検出部４から出力される高周波出力電力検出信号と基準電力とを誤差増幅器６で比較増幅して、掛算器２に出力される。ＤＣ−ＤＣコンバータ５からの出力電力が増加し、ロスリミッタ回路１０の第一の差動アンプ１２で検出された高周波アンプ３の損失電力がロスリミッタ回路１０に設けて基準電力１４を超えようとすると、通常作動する誤差増幅器６は作動せず、ロスリミッタ回路１０が作動して、掛算器２に出力される。
【００１５】
以上のような作用により、高周波アンプ３の損失電力を制限し、高周波アンプ３の損失電力が一定値以上にならないように制限することにより、半導体素子のジャンクション温度Tjを一定値以下に制限することができ、半導体素子の温度破壊を防止することができる。
【００１６】
なお、ジャンクション温度Tjは最高使用(周囲）温度Ta、半導体素子のジャンクション(接合部)〜雰囲気(周囲)の熱抵抗θja、半導体素子のジャンクションロス電力Pljが解れば、Tj=Ta+θja×Pljで求められる。高周波アンプの半導体素子がロスの全てを負うことはないが、高周波アンプの半導体素子のロス分のファクターkを概ね90%と仮定すれば、高周波アンプのロスPlossにk(=0.9)を乗じればジャンクションロス電力Pljが求まる。上記式で通常Tj、Ta、θjaは解っているのでジャンクションロス電力Pljが求まる。さらに半導体素子のロス分のファクターkを決めて、このファクターkでジャンクションロス電力Pljを割れば、高周波アンプのロスPlossが求まる。この値を超えないように制限をかけることで、半導体の保護が可能となる。
【００１７】
続いて第二実施例を図３に示す。この第二実施例に係る高周波発生装置は、高周波発信源１の出力信号とこの高周波発生装置の出力からフィードバックされた信号とを掛算する掛算器２を備えてある。この高周波発生装置はＤＣ−ＤＣコンバータ５を備え、このＤＣ−ＤＣコンバータ５から電力を供給するとともに、掛算器２より得られた信号を入力する高周波アンプ３を備えてある。また、この高周波アンプ３の電力を検出する高周波出力電力検出部４を備えてある。ＤＣ−ＤＣコンバータ５及び高周波出力電力検出部４にはロスリミッタ回路１０を接続してある。
【００１８】
ＤＣ−ＤＣコンバータ５にはロスリミッタ回路１０を接続してある。このロスリミッタ回路１０は第一実施例に用いたロスリミッタ回路１０とほぼ同様である。また、高周波出力電力検出部４に接続してある誤差増幅器６の負の入力端子で高周波出力電力検出部４から得られた高周波出力電力検出信号を入力し、この誤差増幅器６の正の入力端子でロスリミッタ回路１０の出力信号を入力し、この誤差増幅器６で比較増幅して、ロスリミッタ回路１０の出力信号がこの高周波出力電力検出信号より高い値を示すときに、ロスリミッタ回路１０が掛算器２に作用するように構成してある。
【００１９】
実施例は以上のように構成し、以下のような作用をする。この高周波発生装置は、通常、高周波出力電力検出部４から出力される高周波出力電力検出信号と高周波出力電力設定値とを誤差増幅器６で比較増幅し、高周波出力電力検出信号が検出されて、掛算器２に出力される。ＤＣ−ＤＣコンバータ５からの出力電力が増加し、ロスリミッタ回路１０の出力電圧が高周波出力電力設定値より低くなると、ロスリミッタ回路１０の出力電圧が優先され、ロスリミッタ回路１０が作動して、掛算器２に出力される。
【００２０】
以上のような作用により、この第二実施例においても高周波アンプ３の損失電力を制限し、高周波アンプ３の損失電力が一定値以上にならないように制限することにより、半導体素子のジャンクション温度Tjを一定値以下に制限することができ、半導体素子の温度破壊を防止することができる。
【００２１】
続いて第三実施例を図４に示す。この第三実施例に係る高周波発生装置は、高周波発信源１の出力信号とＤＣ−ＤＣコンバータ５とを備え、この高周波発生装置の出力からフィードバックされた信号によってＤＣ−ＤＣコンバータ５の直流出力電圧を制御する。このＤＣ−ＤＣコンバータ５から電力を供給する高周波アンプ３を備えてある。また、この高周波アンプ３の電力を検出する高周波出力電力検出部４を備えてある。ＤＣ−ＤＣコンバータ５及び高周波出力電力検出部４にはロスリミッタ回路１０を接続してある。
【００２２】
ＤＣ−ＤＣコンバータ５にはロスリミッタ回路１０を接続してある。このロスリミッタ回路１０は第一実施例に用いたロスリミッタ回路１０とほぼ同様である。また、高周波出力電力検出部４に接続してある誤差増幅器６の負の入力端子で高周波出力電力検出部４から得られた高周波出力電力検出信号を入力し、この誤差増幅器６の正の入力端子でロスリミッタ回路１０の出力信号を入力し、この誤差増幅器６で比較増幅して、ロスリミッタ回路１０の出力信号がこの高周波出力電力検出信号より高い値を示すときに、ロスリミッタ回路１０がＤＣ−ＤＣコンバータ５に作用するように構成してある。
【００２３】
実施例は以上のように構成し、以下のような作用をする。先ず、この実施例は、得ようとする高周波出力電力の値をＤＣ−ＤＣコンバータ５の出力電圧の値によって可変する方式である。よって、ＤＣ−ＤＣコンバータ５の出力電圧が上がると、高周波アンプ３の出力電力が上がる動作をする。
【００２４】
この高周波発生装置は、通常、高周波出力電力検出部４から出力される高周波出力電力検出信号と高周波出力電力設定値とを誤差増幅器６で比較増幅し、高周波出力電力検出信号が検出されて、ＤＣ−ＤＣコンバータ５に出力されて、ＤＣ−ＤＣコンバータ５の出力電圧を定める動作をする。ＤＣ−ＤＣコンバータ５からの出力電力が増加し、ロスリミッタ回路１０の出力電圧が高周波出力電力設定値より低くなると、ロスリミッタ回路１０の出力電圧が優先され、ロスリミッタ回路１０が作動して、ＤＣ−ＤＣコンバータ５に出力され、ＤＣ−ＤＣコンバータ５の出力電圧が下がり、高周波出力電力が低下する。
【００２５】
以上のような作用により、この第三実施例においても高周波アンプ３の損失電力を制限し、高周波アンプ３の損失電力が一定値以上にならないように制限することにより、半導体素子のジャンクション温度Tjを一定値以下に制限することができ、半導体素子の温度破壊を防止することができる。
【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、電流が多く流れても変換効率が悪化しない負荷条件のときに、高周波出力電力を減少させる動作をせず、高周波アンプの電力損失が一定値以上にならないように制限することで、半導体素子のジャンクション温度上昇による半導体素子の破損を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明高周波発生装置に係る実施例の回路概略図である。
【図２】図１図示実施例の要部の回路図である。
【図３】図１図示実施例とは別の実施例の回路概略図である。
【図４】図１及び図３図示実施例とは別の実施例の回路概略図である。
【図５】従来の高周波発生装置の回路概略図である。
【符号の説明】
１高周波発信源
２掛算器
３高周波アンプ
４高周波出力電力検出部
５ＤＣ−ＤＣコンバータ
６，８誤差増幅器
７基準電力
９基準電流
１０ロスリミッタ回路
１１掛算器
１２，１３差動アンプ
１４基準電圧[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high frequency generator used for a plasma process, and to a control means in the high frequency generator.
[0002]
[Prior art]
A conventional high frequency generator is shown in FIG. The high-frequency generator includes a multiplier 2 that multiplies the output signal of the high-frequency generator 1 and the signal fed back from the output of the high-frequency generator. The high-frequency generator includes a DC-DC converter 5 that is a direct-current power supply device, and includes a high-frequency amplifier 3 that supplies power from the DC-DC converter 5 and inputs a signal obtained from the multiplier 2. Further, a high frequency output power detection unit 4 for detecting the power of the high frequency amplifier 3 is provided.
[0003]
An error amplifier 8 is connected to the DC-DC converter 5, and the error amplifier 8 compares and amplifies the output current detection signal of the DC-DC converter 5 and the reference current 9 which is the DC input current limit value of the high-frequency amplifier 3. It is comprised so that it may do. An error amplifier 6 is also connected to the high frequency output power detection unit 4 so that the power detection signal detected by the high frequency output power detection unit 4 and the reference power 7 are compared and amplified. Further, these error amplifiers 6 and 8 are connected to the multiplier 2. In this conventional example, what is called constant current control (for example, see Patent Document 1) adopted in a normal DC-DC converter is applied to a high frequency generator.
[0004]
In the high frequency generator configured as described above, the output power signal output from the high frequency output power detection unit 4 and the reference power are normally compared and amplified by the error amplifier 6 and output to the multiplier 2, where the high frequency generator The output power detection signal operates so as to be the same as the high frequency output power set value. When the output current from the DC-DC converter 5 increases and the output current of the DC-DC converter 5 exceeds the high-frequency amplifier DC input current limit value, the normally operating error amplifier 6 does not operate, and the DC-DC converter 5 The connected error amplifier 8 is activated and output to the multiplier 2.
[0005]
The control circuit of this high-frequency generator is a semiconductor element such as a bipolar transistor or FET that is used in the high-frequency amplifier 3 when the conversion efficiency of the high-frequency amplifier 3 changes greatly due to load fluctuations of the high-frequency generator and the efficiency deteriorates. In order to protect the junction due to temperature rise, an input DC limiting circuit is provided, and when current exceeds that value, control is performed to reduce the high-frequency output power and current exceeding that value is controlled. By controlling so as not to flow, the temperature rise of the matching portion of the semiconductor element is protected from damage.
[0006]
[Patent Document 1]
US Pat. No. 4,943,902 (page 5-6, FIG. 2)
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, in this control circuit, only the current limiting circuit is provided so as to prevent the semiconductor element from being damaged due to a rise in the junction temperature of the semiconductor element. Therefore, when the load condition does not deteriorate the conversion efficiency even if a large amount of current flows. In addition, the current control circuit worked, causing the problem of reducing the high-frequency output power, drooping the output, and performing an unnecessary protection operation.
[0008]
The present invention has been made in view of the above problems, and provides a high-frequency generator provided with a novel DC power supply device that prevents a decrease in output power.
[0009]
[Means to solve the problem]
The present invention, which was made to achieve the above object, does not operate to reduce the high-frequency output power under load conditions that do not deteriorate the conversion efficiency even if a large amount of current flows, and the power loss of the high-frequency amplifier exceeds a certain value. By limiting so as not to occur, the semiconductor element can be prevented from being damaged due to a rise in the junction temperature of the semiconductor element.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the high frequency generator of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of a high-frequency generator according to the present invention, and FIG. 1 is a high-frequency transmission source, 2 is a multiplier, 3 is a high-frequency amplifier, 4 is a high-frequency output power detector, 5 is a DC-DC converter, 6 is an error amplifier, 7 is a reference power, and 10 is a loss limiter circuit.
[0011]
The high-frequency generator according to this embodiment includes a multiplier 2 that multiplies the output signal of the high-frequency generator 1 and the signal fed back from the output of the high-frequency generator. The high-frequency generator includes a DC-DC converter 5, and includes a high-frequency amplifier 3 that supplies power from the DC-DC converter 5 and inputs a signal obtained from the multiplier 2. Further, a high frequency output power detection unit 4 for detecting the power of the high frequency amplifier 3 is provided. The high frequency output power detection unit 4 is connected to a loss limiter circuit 10.
[0012]
A loss limiter circuit 10 is connected to the DC-DC converter 5. The circuit configuration of the loss limiter circuit 10 is shown in FIG. The loss limiter circuit 10 includes a multiplier 11 that detects the output voltage and output current of the DC-DC converter 5 and multiplies them. A first differential amplifier 12 is provided for comparing the power obtained by the multiplier 11 with the high frequency output power detected by the high frequency output power detection unit 4. The loss limiter circuit 10 includes a second differential amplifier 13, and the first differential amplifier 12 detects the power loss of the high-frequency amplifier 3, and the power loss is used as the reference power 14 and the second differential amplifier 13. When the loss power exceeds the reference power, the loss limiter circuit 10 operates the multiplier 2 to perform control to reduce the high-frequency output power.
[0013]
Further, the high frequency output power detection signal obtained from the high frequency output power detection unit 4 is input to the negative input terminal of the error amplifier 6 connected to the high frequency output power detection unit 4, and the positive input terminal of the error amplifier 6 When the reference power signal of the high frequency generator is input and compared and amplified by the error amplifier 6, and the output signal of the loss limiter circuit 10 shows a higher value than the amplified signal obtained by the error amplifier 6, the loss limiter circuit 10. Is configured to act on the multiplier 2.
[0014]
The embodiment is configured as described above and operates as follows. In this high-frequency generator, the high-frequency output power detection signal output from the high-frequency output power detection unit 4 and the reference power are normally compared and amplified by the error amplifier 6 and output to the multiplier 2. When the output power from the DC-DC converter 5 increases and the loss power of the high-frequency amplifier 3 detected by the first differential amplifier 12 of the loss limiter circuit 10 is provided in the loss limiter circuit 10 and exceeds the reference power 14, The error amplifier 6 that normally operates does not operate, and the loss limiter circuit 10 operates and is output to the multiplier 2.
[0015]
The power loss of the high-frequency amplifier 3 is limited by the above-described action, and the loss power of the high-frequency amplifier 3 is limited so as not to exceed a certain value, thereby limiting the junction temperature Tj of the semiconductor element to a certain value or less. And temperature destruction of the semiconductor element can be prevented.
[0016]
If the junction temperature Tj is the maximum operating (ambient) temperature Ta, the semiconductor element junction (junction) to the ambient (ambient) thermal resistance θja, and the semiconductor element junction loss power Plj, Tj = Ta + θja × Plj Is required. The semiconductor element of the high-frequency amplifier does not incur all of the loss, but if the factor k of the loss of the semiconductor element of the high-frequency amplifier is assumed to be approximately 90%, the loss Ploss of the high-frequency amplifier can be multiplied by k (= 0.9). For example, the junction loss power Plj is obtained. Since Tj, Ta, and θja are usually known in the above equation, the junction loss power Plj is obtained. Further, by determining the factor k of the loss of the semiconductor element and dividing the junction loss power Plj by this factor k, the loss Ploss of the high frequency amplifier can be obtained. By limiting so as not to exceed this value, the semiconductor can be protected.
[0017]
A second embodiment is shown in FIG. The high-frequency generator according to the second embodiment includes a multiplier 2 that multiplies the output signal of the high-frequency generator 1 and the signal fed back from the output of the high-frequency generator. The high-frequency generator includes a DC-DC converter 5, and includes a high-frequency amplifier 3 that supplies power from the DC-DC converter 5 and inputs a signal obtained from the multiplier 2. Further, a high frequency output power detection unit 4 for detecting the power of the high frequency amplifier 3 is provided. A loss limiter circuit 10 is connected to the DC-DC converter 5 and the high-frequency output power detection unit 4.
[0018]
A loss limiter circuit 10 is connected to the DC-DC converter 5. This loss limiter circuit 10 is substantially the same as the loss limiter circuit 10 used in the first embodiment. Further, the high frequency output power detection signal obtained from the high frequency output power detection unit 4 is input to the negative input terminal of the error amplifier 6 connected to the high frequency output power detection unit 4, and the positive input terminal of the error amplifier 6 When the output signal of the loss limiter circuit 10 is inputted and compared and amplified by the error amplifier 6 and the output signal of the loss limiter circuit 10 shows a higher value than the high-frequency output power detection signal, the loss limiter circuit 10 is supplied to the multiplier 2. It is configured to work.
[0019]
The embodiment is configured as described above and operates as follows. In this high frequency generator, the high frequency output power detection signal output from the high frequency output power detection unit 4 and the high frequency output power set value are normally compared and amplified by the error amplifier 6, and the high frequency output power detection signal is detected and multiplied. Is output to the device 2. When the output power from the DC-DC converter 5 increases and the output voltage of the loss limiter circuit 10 becomes lower than the high-frequency output power setting value, the output voltage of the loss limiter circuit 10 is prioritized, the loss limiter circuit 10 is activated, and the multiplier 2 Is output.
[0020]
Due to the above-described action, the loss power of the high-frequency amplifier 3 is also limited in this second embodiment, and the loss power of the high-frequency amplifier 3 is limited so as not to exceed a certain value, thereby reducing the junction temperature Tj of the semiconductor element. The temperature can be limited to a certain value or less, and temperature destruction of the semiconductor element can be prevented.
[0021]
A third embodiment is shown in FIG. The high-frequency generator according to the third embodiment includes an output signal of the high-frequency generator 1 and a DC-DC converter 5, and a DC output voltage of the DC-DC converter 5 by a signal fed back from the output of the high-frequency generator. To control. A high frequency amplifier 3 for supplying power from the DC-DC converter 5 is provided. Further, a high frequency output power detection unit 4 for detecting the power of the high frequency amplifier 3 is provided. A loss limiter circuit 10 is connected to the DC-DC converter 5 and the high-frequency output power detection unit 4.
[0022]
A loss limiter circuit 10 is connected to the DC-DC converter 5. This loss limiter circuit 10 is substantially the same as the loss limiter circuit 10 used in the first embodiment. Further, the high frequency output power detection signal obtained from the high frequency output power detection unit 4 is input to the negative input terminal of the error amplifier 6 connected to the high frequency output power detection unit 4, and the positive input terminal of the error amplifier 6 When the output signal of the loss limiter circuit 10 is inputted and compared and amplified by the error amplifier 6 and the output signal of the loss limiter circuit 10 shows a higher value than the high-frequency output power detection signal, the loss limiter circuit 10 becomes the DC-DC converter. 5 is configured to act.
[0023]
The embodiment is configured as described above and operates as follows. First, this embodiment is a system in which the value of the high frequency output power to be obtained is varied according to the value of the output voltage of the DC-DC converter 5. Therefore, when the output voltage of the DC-DC converter 5 increases, the output power of the high frequency amplifier 3 increases.
[0024]
This high-frequency generator normally compares and amplifies a high-frequency output power detection signal output from the high-frequency output power detection unit 4 and a high-frequency output power set value with an error amplifier 6, and the high-frequency output power detection signal is detected and DC -It outputs to DC converter 5, and performs the operation | movement which determines the output voltage of DC-DC converter 5. When the output power from the DC-DC converter 5 increases and the output voltage of the loss limiter circuit 10 becomes lower than the high-frequency output power setting value, the output voltage of the loss limiter circuit 10 is prioritized and the loss limiter circuit 10 is activated, and the DC-DC Output to the converter 5, the output voltage of the DC-DC converter 5 decreases, and the high-frequency output power decreases.
[0025]
Due to the above operation, the loss power of the high-frequency amplifier 3 is also limited in this third embodiment, and the loss power of the high-frequency amplifier 3 is limited so as not to exceed a certain value, thereby reducing the junction temperature Tj of the semiconductor element. The temperature can be limited to a certain value or less, and temperature destruction of the semiconductor element can be prevented.
[0026]
【The invention's effect】
According to the present invention, in a load condition that does not deteriorate the conversion efficiency even when a large amount of current flows, the operation of reducing the high-frequency output power is not performed, and the power loss of the high-frequency amplifier is limited so as not to exceed a certain value. Thus, damage to the semiconductor element due to an increase in the junction temperature of the semiconductor element can be prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic circuit diagram of an embodiment according to a high frequency generator of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram of a main part of the embodiment shown in FIG. 1;
FIG. 3 is a circuit schematic diagram of another embodiment different from the embodiment shown in FIG. 1;
4 is a circuit schematic diagram of an embodiment different from the embodiment shown in FIGS. 1 and 3. FIG.
FIG. 5 is a circuit schematic diagram of a conventional high-frequency generator.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 High frequency transmission source 2 Multiplier 3 High frequency amplifier 4 High frequency output power detection part 5 DC-DC converter 6, 8 Error amplifier 7 Reference power 9 Reference current 10 Loss limiter circuit 11 Multiplier 12, 13 Differential amplifier 14 Reference voltage

Claims

A high frequency generator provided with a DC power supply device, wherein the output voltage and output current of the DC power supply device are detected and multiplied, and the power obtained by the multiplication means is compared with the high frequency output power. Comprising a loss limiter circuit having a first comparison means for comparing the reference power with a loss power detected by the first comparison means, and an output signal of the high-frequency transmission source and the high-frequency generator A multiplier that multiplies the signal fed back from the output of the output, a high-frequency amplifier that supplies power from the DC power supply device and receives the signal obtained from the multiplier, and a high-frequency that detects the power of the high-frequency amplifier An output power detection unit configured to output a high frequency output power detection signal obtained from the high frequency output power detection unit to the loss limiter circuit. Microwave generator, characterized in that.

An error amplifier that compares and amplifies the high-frequency output power detection signal obtained from the high-frequency output power detection unit and the reference power signal of the high-frequency generator, and the output signal of the loss limiter circuit is obtained from the amplified signal obtained by the error amplifier. when indicating the high value, high-frequency generator according to claim 1, wherein said Rosurimitta circuit is characterized in that is arranged to act on the multiplier.

An error amplifier is connected to the output of the loss limiter, the output signal of the loss limiter circuit and the high frequency output power detection signal obtained from the high frequency output power detection unit are compared and amplified, and the output signal of the loss limiter circuit is the high frequency output signal. when showing a higher output power detection signal value, high-frequency generator according to claim 1, wherein said Rosurimitta circuit is characterized in that is arranged to act on the multiplier.

A high frequency generator provided with a DC power supply device, wherein the output voltage and output current of the DC power supply device are detected and multiplied, and the power obtained by the multiplication means is compared with the high frequency output power. A loss limiter circuit having a first comparison means for comparing the reference power with the loss power detected by the first comparison means, and a signal fed back from the output of the high frequency generator. A high frequency amplifier configured to control a direct current output voltage of the direct current power supply device and supplying direct current power from the direct current power supply device, and a high frequency output power detection unit for detecting the power of the high frequency amplifier, the high frequency output high frequency generating instrumentation, characterized in that the high-frequency output power detection signal obtained from the power detection unit is arranged to output to the Rosurimitta circuit .

An error amplifier that compares and amplifies the high-frequency output power detection signal obtained from the high-frequency output power detection unit and the reference power signal of the high-frequency generator, and the output signal of the loss limiter circuit is obtained from the amplified signal obtained by the error amplifier. 5. The high frequency generator according to claim 4 , wherein the loss limiter circuit is configured to act on the DC power supply device when a high value is indicated.